JPH07321511A - Band pass filter employing dielectric resonator - Google Patents

Band pass filter employing dielectric resonator

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JPH07321511A
JPH07321511A JP13951094A JP13951094A JPH07321511A JP H07321511 A JPH07321511 A JP H07321511A JP 13951094 A JP13951094 A JP 13951094A JP 13951094 A JP13951094 A JP 13951094A JP H07321511 A JPH07321511 A JP H07321511A
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JP
Japan
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circuit
frequency
dielectric resonator
capacitor
filter device
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Withdrawn
Application number
JP13951094A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Kazama
智 風間
Kenji Yoshimori
健二 吉森
Masao Igarashi
雅夫 五十嵐
Kazuhisa Sato
和久 佐藤
Makoto Inoue
真 井上
Takeshi Kosaka
武史 小坂
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Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To provide the band pass filter by which the frequency characteristic is simply improved. CONSTITUTION:Coupling capacitors 12, 13, 14 are connected in series between an input terminal conductor layer 8 and an output terminal conductor layer 9 sequentially. A 1st dielectric resonator 2 is connected between the capacitors 12, 13 and a ground conductor layer 5 and a 2nd dielectric resonator 3 is connected between the capacitors 13, 14 and a ground conductor layer 7. An inductor 10(11) is connected in parallel with the 1st capacitor 13(3rd capacitor 14). The parallel circuit comprising the 1st coupling capacitor 12 and the inductor 10 is formed to suppress a 3rd harmonic. The parallel circuit comprising the 3rd coupling capacitor 14 and the indutctor 11 is formed to suppress a 5th harmonic.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は携帯用電話機等に使用さ
れる誘電体共振器を使用したバンドパスフィルタに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bandpass filter using a dielectric resonator used in mobile phones and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】バンドパスフィルタを形成するための従
来のTEMモード同軸型誘電体共振器は貫通孔を有する
筒状誘電体と、貫通孔に設けられた内導体と、誘電体の
外周面に設けられた外導体と、誘電体の一方の端面で内
導体と外導体とを接続する短絡導体とから成る。
2. Description of the Related Art A conventional TEM mode coaxial dielectric resonator for forming a bandpass filter has a cylindrical dielectric having a through hole, an inner conductor provided in the through hole, and an outer peripheral surface of the dielectric. The outer conductor is provided and a short-circuit conductor that connects the inner conductor and the outer conductor at one end surface of the dielectric body.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な誘電体共振器は、基本波(所望周波数信号)で共振す
るのみでなく、基本波周波数f0 の3倍の周波数3f0
、5倍の周波数5f0 等でもスプリアス共振する。こ
のため、基本波の高調波成分もフィルタを通過する。従
来の高周波回路で高調波成分を除去することが必要な場
合又は他の特定の周波数成分を除去したい場合はこれを
除去するための独立のフィルタが必要になり、回路装置
が複雑且つ大型になった。また、バンドパスフィルタに
おける帯域通過幅の立上り及び/又は立下りを急峻にし
たいことがある。従来のフィルタ装置では誘電体共振器
に対して並列に個別のトラップ回路を接続した。このた
めフィルタが必然的に複雑且つ大型になった。
The dielectric resonator as described above not only resonates with the fundamental wave (desired frequency signal) but also has a frequency 3f0 which is three times the fundamental wave frequency f0.
Spurious resonance occurs even at 5 times the frequency of 5f0. Therefore, the harmonic component of the fundamental wave also passes through the filter. If it is necessary to remove harmonic components in a conventional high frequency circuit or if you want to remove other specific frequency components, an independent filter is required to remove them, and the circuit device becomes complicated and large. It was Further, it may be desirable to make the rise and / or the fall of the bandpass width in the bandpass filter steep. In the conventional filter device, individual trap circuits are connected in parallel to the dielectric resonator. This inevitably made the filter complicated and large.

【0004】そこで、本発明の目的は、特性の良いバン
ドパスフィルタ装置を簡単且つ小型に構成することにあ
る。
Therefore, an object of the present invention is to simply and compactly construct a bandpass filter device having good characteristics.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、結合素子と誘電体共振器とを有するバンド
パスフィルタ装置において、前記結合素子を兼用して反
共振点を有する回路を設け、前記反共振点を有する回路
の共振周波数が前記誘電体共振器の基本波の共振周波数
以外の特定周波数に設定されていることを特徴とするバ
ンドパスフィルタ装置に係わるものである。請求項2に
示すように、反共振点を持つ回路の共振周波数をバンド
パスフィルタ特性の低域側と高域側とのいずれか一方又
は両方の減衰特性を急峻にすることができる値に設定す
ることができる。
The present invention for achieving the above object provides a bandpass filter device having a coupling element and a dielectric resonator, and a circuit having an anti-resonance point which also serves as the coupling element. The present invention relates to a bandpass filter device, wherein a resonance frequency of a circuit having the anti-resonance point is set to a specific frequency other than a resonance frequency of a fundamental wave of the dielectric resonator. As set forth in claim 2, the resonance frequency of the circuit having the anti-resonance point is set to a value capable of sharpening the attenuation characteristic of one or both of the low-pass side and the high-pass side of the bandpass filter characteristic. can do.

【0006】[0006]

【発明の作用及び効果】請求項1の発明では、結合素子
を兼用して反共振点を有する回路を形成し、例えば基本
波の共振周波数の整数倍の周波数成分又はこれ以外の特
定周波数成分を阻止するので、スプリアス共振による高
調波成分又はその他の特定周波数成分の抑制のための独
立のフィルタが不要になり、フィルタ装置の構成の単純
化及び小型化が可能になる。また、請求項2の発明で
は、結合素子を兼用して減衰特性を調整する反共振点を
有する回路を形成するので、独立した減衰特性調整回路
を設ける方式に比べてフィルタ装置の構成の単純化及び
小型化が可能なる。
According to the first aspect of the invention, a circuit having an antiresonance point is formed by also using a coupling element, and for example, a frequency component which is an integral multiple of the resonance frequency of the fundamental wave or a specific frequency component other than this is formed. Since the blocking is performed, an independent filter for suppressing a harmonic component or other specific frequency component due to spurious resonance is unnecessary, and the configuration of the filter device can be simplified and downsized. Further, in the invention of claim 2, since the circuit having the anti-resonance point for adjusting the attenuation characteristic is formed by also using the coupling element, the configuration of the filter device is simplified as compared with the method of providing the independent attenuation characteristic adjusting circuit. And downsizing is possible.

【0007】[0007]

【第1の実施例】次に、図1〜図4を参照して本発明の
第1の実施例に係わるバンドパルフィルタ装置を説明す
る。このフィルタ装置1は図3の等価回路を得るため
に、図1に示すように、第1及び第2の誘電体共振器
2、3と、誘電体基板4の上に形成されたグランド導体
層5、第1及び第2の接続導体層6、7、第1及び第2
の端子導体層8、9及び第1及び第2のインダクタンス
10、11と、基板4上に装着された第1、第2及び第
3のコンデンサ12、13、14とから成る。
[First Embodiment] Next, a band-pass filter device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In order to obtain the equivalent circuit of FIG. 3, the filter device 1 has first and second dielectric resonators 2 and 3 and a ground conductor layer formed on the dielectric substrate 4, as shown in FIG. 5, first and second connection conductor layers 6, 7, first and second
Of the terminal conductor layers 8 and 9 and the first and second inductors 10 and 11 and the first, second and third capacitors 12, 13 and 14 mounted on the substrate 4.

【0008】図1の第1及び第2の誘電体共振器2、3
のそれぞれは、図2に示すように、誘電体磁器から成る
筒状誘電体20と、誘電体20の第1の端面21からこ
れに対向する第2の端面22に至るように形成された円
形貫通孔23と、この貫通孔23に形成された内導体2
4と、誘電体20の外周面25に形成された外導体26
と、内導体24と外導体26とを接続するように第2の
端面22に形成された短絡導体27と、第1の端面21
と外周面25の一部に形成され且つ内導体24に接続さ
れた端子導体28とから成る。各導体24、26、2
7、28は導電ペースト(例えば銀ペースト)を塗布し
て焼付けたものから成る。
The first and second dielectric resonators 2 and 3 of FIG.
As shown in FIG. 2, each of the two is formed into a cylindrical dielectric body 20 made of a dielectric ceramic, and a circular shape formed so as to extend from a first end surface 21 of the dielectric body 20 to a second end surface 22 opposite thereto. Through hole 23 and inner conductor 2 formed in this through hole 23
4 and the outer conductor 26 formed on the outer peripheral surface 25 of the dielectric 20.
A short-circuit conductor 27 formed on the second end face 22 so as to connect the inner conductor 24 and the outer conductor 26, and the first end face 21.
And a terminal conductor 28 formed on a part of the outer peripheral surface 25 and connected to the inner conductor 24. Each conductor 24, 26, 2
Reference numerals 7 and 28 are formed by applying a conductive paste (for example, silver paste) and baking it.

【0009】第1及び第2の誘電体共振器2、3の外導
体26は基板4のグランド導体層5に半田(図示せず)
で電気的及び機械的に結合され、それぞれの端子導体2
8は第1及び第2の接続導体層6、7に半田(図示せ
ず)で結合されている。第1及び第2の接続導体層6、
7と第1及び第2の端子導体層8、9との間に帯状導体
層から成る第1及び第2のインダクタンス10、11が
接続されている。チップコンデンサから成る第1及び第
3のコンデンサ12、14の一方の電極は第1及び第2
の端子導体層8、9に半田で接続され、他方の電極は第
1及び第2の接続導体層6、7に半田で接続されてい
る。チップコンデンサから成る第2のコンデンサ13の
一方及び他方の電極は第1及び第2の接続導体層6、7
に半田で接続されている。
The outer conductors 26 of the first and second dielectric resonators 2 and 3 are soldered (not shown) to the ground conductor layer 5 of the substrate 4.
Are electrically and mechanically coupled with each terminal conductor 2
Reference numeral 8 is connected to the first and second connection conductor layers 6 and 7 with solder (not shown). First and second connection conductor layers 6,
First and second inductances 10 and 11 made of strip-shaped conductor layers are connected between 7 and the first and second terminal conductor layers 8 and 9. One electrode of each of the first and third capacitors 12 and 14 composed of chip capacitors is the first and second electrodes.
Are connected to the terminal conductor layers 8 and 9 by soldering, and the other electrode is connected to the first and second connecting conductor layers 6 and 7 by soldering. One and the other electrodes of the second capacitor 13, which is a chip capacitor, have first and second connection conductor layers 6 and 7, respectively.
It is connected with solder.

【0010】図3は図1のフィルタ装置の等価回路を示
す。第1及び第2の誘電体共振器2、3はインダクタン
スLとコンデンサCの並列回路で示されている。結合素
子としての第1、第2及び第3のコンデンサ12、1
3、14は入力端子T1 と出力端子T2 との間の信号伝
送ラインに順次に直列に接続されている。入力及び出力
端子T1 、T2 は図1の第1及び第2の端子8、9対応
している。インダクタンス10、11は第1及び第3の
コンデンサ12、14に並列に接続されている。
FIG. 3 shows an equivalent circuit of the filter device of FIG. The first and second dielectric resonators 2 and 3 are shown as a parallel circuit of an inductance L and a capacitor C. First, second and third capacitors 12, 1 as coupling elements
Reference numerals 3 and 14 are sequentially connected in series to the signal transmission line between the input terminal T1 and the output terminal T2. The input and output terminals T1 and T2 correspond to the first and second terminals 8 and 9 of FIG. The inductances 10 and 11 are connected in parallel to the first and third capacitors 12 and 14.

【0011】図4(A)は図3の2つの誘電体共振器
2、3のフィルタ特性(周波数・利得特性)を示し、図
4(B)はコンデンサ12とインダクタンス10とから
成る反共振点を有する回路としての第1のLC並列回路
31の周波数特性を示し、図4(C)はコンデンサ14
とインダクタンス11とから成る反共振点を有する回路
としての第2のLC並列回路32の周波数特性を示し、
図4(D)は図3の入力及び出力端子T1 、T2 間全体
の周波数特性を示す。
FIG. 4 (A) shows the filter characteristics (frequency / gain characteristics) of the two dielectric resonators 2 and 3 shown in FIG. 3, and FIG. 4 (B) shows the anti-resonance point composed of the capacitor 12 and the inductance 10. 4C shows the frequency characteristics of the first LC parallel circuit 31 as a circuit having
Shows frequency characteristics of the second LC parallel circuit 32 as a circuit having an anti-resonance point composed of
FIG. 4D shows the entire frequency characteristic between the input and output terminals T1 and T2 of FIG.

【0012】図4(A)から明らかなように、誘電体共
振器2、3のみでは、基本波周波数f0 で共振する他に
基本波周波数の3倍の周波数3f0 及び5倍の周波数5
f0更に高次の周波数でスプリアス共振が生じる。高調
波成分を抑制するためには、スプリアス共振の生じる周
波数3f0 、5f0 での減衰量を大きくすることが必要
になる。この減衰を得るために、本実施例では独立にト
ラップ回路又はフィルタ回路を設けずに、結合コンデン
サ12、14を兼用してトラップ回路(反共振点を有す
る回路)を形成している。即ち、第1のLC並列回路3
1は図4(B)に示すように基本波の3倍の周波数3f
0 で共振して大きなインピーダンスとなり、大きな減衰
が得られるようにCLの定数が設定されている。また、
第2のLC並列回路32は図4(C)に示すように基本
波の5倍の周波数5f0 で共振して大きなインピーダン
スとなり、大きな減衰が得られるようにCLの定数が設
定されている。図3のフィルタの総合の周波数特性は図
4(A)(B)(C)を合成した図4(D)となる。こ
れにより、3f0 、5f0 での減衰が大きいフィルタ特
性が得られ、高調波成分の抑制が可能になる。なお、本
実施例では、結合コンデンサ12、14を高調波成分の
抑制に兼用するので、回路構成を単純且つ小型にするこ
とができる。
As is apparent from FIG. 4A, only the dielectric resonators 2 and 3 resonate at the fundamental wave frequency f0, and in addition to the frequency 3f0 which is three times the fundamental wave frequency and the frequency 5 which is five times the fundamental wave frequency.
f0 Spurious resonance occurs at higher frequencies. In order to suppress harmonic components, it is necessary to increase the amount of attenuation at frequencies 3f0 and 5f0 at which spurious resonance occurs. In order to obtain this attenuation, in this embodiment, a trap circuit (a circuit having an anti-resonance point) is formed without providing a trap circuit or a filter circuit independently and using the coupling capacitors 12 and 14 in common. That is, the first LC parallel circuit 3
1 is a frequency 3f that is three times as high as the fundamental wave as shown in FIG.
The constant of CL is set so that it resonates at 0 and becomes a large impedance, and a large attenuation is obtained. Also,
As shown in FIG. 4C, the second LC parallel circuit 32 resonates at a frequency 5f0, which is five times the fundamental wave, to become a large impedance, and the CL constant is set so that a large attenuation can be obtained. The total frequency characteristic of the filter of FIG. 3 is shown in FIG. 4 (D) which is a combination of FIGS. 4 (A), (B) and (C). As a result, filter characteristics with large attenuation at 3f0 and 5f0 can be obtained, and harmonic components can be suppressed. In this embodiment, since the coupling capacitors 12 and 14 are also used to suppress the harmonic components, the circuit configuration can be made simple and small.

【0013】[0013]

【第2の実施例】次に、図5を参照して第2の実施例の
フィルタ装置を説明する。但し、図5において図3と実
質的に同一の部分には同一の符号を付してその説明を省
略する。図5のフィルタ装置は、第2の結合コンデンサ
13にインダクタンス30を並列に接続してLC並列回
路33を構成した他は図3と同一である。このLC並列
回路33は基本波の7倍の周波数7f0 で共振するよう
に設定されている。従って、図5のフィルタ装置によれ
ば3次、5次及び7次の高調波成分を抑制することがで
きる。なお、第2の実施例のフィルタ装置は第1の実施
例のフィルタ装置と同一の作用効果も有する。
[Second Embodiment] Next, a filter device according to a second embodiment will be described with reference to FIG. However, in FIG. 5, parts that are substantially the same as those in FIG. 3 are assigned the same reference numerals and explanations thereof are omitted. The filter device of FIG. 5 is the same as that of FIG. 3 except that an inductance 30 is connected in parallel to the second coupling capacitor 13 to form an LC parallel circuit 33. This LC parallel circuit 33 is set so as to resonate at a frequency 7f0 which is seven times the fundamental wave. Therefore, the filter device of FIG. 5 can suppress the third-order, fifth-order, and seventh-order harmonic components. The filter device of the second embodiment has the same effects as the filter device of the first embodiment.

【0014】[0014]

【第3の実施例】次に、第3の実施例のフィルタ装置を
図6を参照して説明する。但し、第3の実施例のフィル
タ装置の機械的構成及び電気回路は図1及び図3と同一
であるので、図1及び図3と共に図6を参照して説明す
る。第3の実施例と第1の実施例は第1及び第2のLC
並列回路31、32のLCの定数設定において相違して
いる。
[Third Embodiment] Next, a filter device according to a third embodiment will be described with reference to FIG. However, since the mechanical structure and electric circuit of the filter device of the third embodiment are the same as those of FIGS. 1 and 3, they will be described with reference to FIG. 6 together with FIGS. The third and first embodiments are the first and second LCs.
The difference is in the setting of the LC constants of the parallel circuits 31 and 32.

【0015】図6の(A)(B)(C)(D)は図4の
(A)(B)(C)(D)と同一部分の特性を示す。第
1及び第2のLC並列回路31、32の周波数特性は図
6(B)(C)に示すように図6(A)のバンドパスフ
ィルタの通過帯域の立上り領域及び立下り領域において
減衰を示すように設定されている。これにより、総合の
周波数特性は図6(D)に示すようになり、通過帯域の
立上り及び立下りの減衰特性を急峻にして低域側及び高
域側の減衰特性を改善することができる。
FIGS. 6A, 6B, 6C and 6D show the characteristics of the same parts as FIGS. 4A, 4B, 4C and 4D. As shown in FIGS. 6B and 6C, the frequency characteristics of the first and second LC parallel circuits 31 and 32 are attenuated in the rising region and the falling region of the pass band of the band pass filter of FIG. It is set as shown. As a result, the overall frequency characteristic becomes as shown in FIG. 6 (D), and the attenuation characteristics at the rising and falling edges of the pass band can be made steep to improve the attenuation characteristics at the low frequency side and the high frequency side.

【0016】この実施例でも結合コンデンサ12、14
を兼用して周波数特性を改善するので、回路装置の単純
化及び小型化が達成される。
Also in this embodiment, the coupling capacitors 12 and 14 are
Since the frequency characteristic is improved by also using, the simplification and miniaturization of the circuit device can be achieved.

【0017】[0017]

【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 (1) 3次の高調波成分のみを除去することが必要な
時には、図3の第1及び第2のLC並列回路31、32
の共振周波数を共に同一の3f0 とすることができる。 (2) 第1、第2及び第3のコンデンサ12、13、
14の内のいずれか1つのみにインダクタンスを並列に
接続して高調波成分の抑制又はバンドパスフィルタの低
域側又は高域側又はこれらの両方の減衰特性を急峻にす
ることができる。 (3) 入力端子T1 と出力端子T
2 との間に接続する結合素子(例えばコンデンサ)を兼
用した反共振点を有する回路として、図7に示すコンデ
ンサC1とインダクタンスL1 との第1の並列回路とコ
ンデンサC2 とインダクタンスL2 の第2の並列回路を
直列接続した回路、又は図8に示すようにコンデンサC
1とインダクタンスL1 との並列回路に対してインダク
タンスL2 又はコンデンサC2 を直列に接続した回路、
又は図9に示すようにC1 L1 並列回路に対してインダ
クタンスL2 とコンデンサC2 とを直列に接続した回
路、又は図10に示すようにC1 L1 並列回路にインダ
クタンスL2 を直列に接続し、これ等の全体に対してコ
ンデンサC2 を並列に接続した回路にすることができ
る。要するにLC並列回路が少なくとも1つ含まれれば
良い。 (4) 誘電体共振器を3個以上使用した3段以上のフ
ィルタにも本発明を適用することができる。 (5) 複数の結合コンデンサの内のあるものを高調波
成分の抑制に兼用し、別のものを減衰特性の改善に兼用
することができる。 (6) インダクタンスを個別のコイル部品とするこ
と、又はコンデンサ12、13、14を基板4上の対の
導体層の対向で形成することができる。 (7) 結合素子としてのコンデンサの代りにインダク
タンスを有する場合には、これに対してコンデンサを並
列接続して反共振点を有する回路を形成することができ
る。 (8) 結合素子がインダクタンスの場合には、図5の
回路からコンデンサ13を省いた回路を形成することが
できる。 (9) 高周波成分の阻止と同様に基本波以外の所定周
波数成分を阻止するように反共振点を有する回路を形成
することができる。
MODIFICATION The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and the following modifications are possible. (1) When it is necessary to remove only the third harmonic component, the first and second LC parallel circuits 31 and 32 of FIG.
Can have the same resonance frequency of 3f0. (2) The first, second and third capacitors 12, 13,
Inductance can be connected in parallel to only one of 14 to suppress the harmonic component or to make the attenuation characteristics of the low-pass side or the high-pass side of the bandpass filter or both of them steep. (3) Input terminal T1 and output terminal T
As a circuit having an anti-resonance point which is also used as a coupling element (for example, a capacitor) connected between 2 and 1, a first parallel circuit of the capacitor C1 and the inductance L1 and a second parallel circuit of the capacitor C2 and the inductance L2 shown in FIG. A circuit in which parallel circuits are connected in series, or a capacitor C as shown in FIG.
A circuit in which an inductance L2 or a capacitor C2 is connected in series to a parallel circuit of 1 and the inductance L1,
Alternatively, as shown in FIG. 9, a circuit in which an inductance L2 and a capacitor C2 are connected in series to a C1 L1 parallel circuit, or an inductance L2 is connected in series to a C1 L1 parallel circuit as shown in FIG. It is possible to form a circuit in which a capacitor C2 is connected in parallel to the whole. In short, it is sufficient that at least one LC parallel circuit is included. (4) The present invention can also be applied to a filter having three or more stages using three or more dielectric resonators. (5) It is possible to use one of the plurality of coupling capacitors for suppressing the harmonic component and another for improving the attenuation characteristic. (6) The inductance may be a separate coil component, or the capacitors 12, 13 and 14 may be formed on the substrate 4 so as to face a pair of conductor layers. (7) When an inductance is provided instead of the capacitor as the coupling element, a capacitor can be connected in parallel to this to form a circuit having an anti-resonance point. (8) When the coupling element is an inductance, the circuit in which the capacitor 13 is omitted from the circuit of FIG. 5 can be formed. (9) It is possible to form a circuit having an anti-resonance point so as to block a predetermined frequency component other than the fundamental wave, similarly to blocking a high frequency component.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例のバンドパスフィルタ装
置を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a bandpass filter device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のA−A線に相当する部分で誘電体共振器
を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a dielectric resonator in a portion corresponding to line AA in FIG.

【図3】図1のフィルタ装置を示す等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing the filter device of FIG.

【図4】図3の各部の周波数特性を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing frequency characteristics of each part of FIG.

【図5】第2の実施例のバンドパスフィルタ装置を示す
等価回路図である。
FIG. 5 is an equivalent circuit diagram showing a bandpass filter device according to a second embodiment.

【図6】第2の実施例のバンドパスフィルタの各部の周
波数特性を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing frequency characteristics of respective parts of the bandpass filter according to the second embodiment.

【図7】反共振点を有する回路の変形例を示す回路図で
ある。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a modified example of a circuit having an anti-resonance point.

【図8】反共振点を有する回路の別の変形例を示す回路
図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing another modification of the circuit having an anti-resonance point.

【図9】反共振点を有する回路の更に別の変形例を示す
回路図である。
FIG. 9 is a circuit diagram showing still another modification of the circuit having the anti-resonance point.

【図10】反共振点を有する回路の別の変形例を示す回
路図である。
FIG. 10 is a circuit diagram showing another modification of the circuit having the anti-resonance point.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2、3 誘電体共振器 10、11 インダクタンス 12、13、14 結合コンデンサ 2, 3 Dielectric resonator 10, 11 Inductance 12, 13, 14 Coupling capacitor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 和久 東京都台東区上野6丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 井上 真 東京都台東区上野6丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 小坂 武史 東京都台東区上野6丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kazuhisa Sato 6-16-20 Ueno, Taito-ku, Tokyo Taiyo Denki Co., Ltd. (72) Inventor Makoto Inoue 6-16-20 Ueno, Taito-ku, Tokyo Taiyo Inductor Co., Ltd. (72) Inventor Takeshi Kosaka 6-16-20 Ueno, Taito-ku, Tokyo Taiyo Induction Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 結合素子と誘電体共振器とを有するバン
ドパスフィルタ装置において、 前記結合素子を兼用して反共振点を有する回路を設け、
前記反共振点を有する回路の共振周波数が前記誘電体共
振器の基本波の共振周波数以外の特定周波数に設定され
ていることを特徴とするバンドパスフィルタ装置。
1. A bandpass filter device having a coupling element and a dielectric resonator, wherein a circuit having an anti-resonance point is provided, which also serves as the coupling element.
A bandpass filter device, wherein a resonance frequency of a circuit having the anti-resonance point is set to a specific frequency other than a resonance frequency of a fundamental wave of the dielectric resonator.
【請求項2】 結合素子と誘電体共振器とを有するバ
ンドパスフィルタ装置において、 前記結合素子を兼用して反共振点を有する回路を設け、
前記反共振点を有する回路の共振周波数が前記誘電体共
振器の共振周波数が前記誘電体共振器によって構成され
るバンドパスフィルタの低域側と高域側とのいずれか一
方又は両方の減衰特性を急峻にすることができる値に設
定されていることを特徴とするバンドパスフィルタ装
置。
2. A bandpass filter device having a coupling element and a dielectric resonator, wherein a circuit having an anti-resonance point is provided which also serves as the coupling element,
The resonance frequency of the circuit having the anti-resonance point is such that the resonance frequency of the dielectric resonator is one or both of the low-pass side and the high-pass side of the bandpass filter configured by the dielectric resonator The bandpass filter device is characterized in that it is set to a value that can sharpen.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011130083A (en) * 2009-12-16 2011-06-30 Mitsubishi Electric Corp Variable filter

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011130083A (en) * 2009-12-16 2011-06-30 Mitsubishi Electric Corp Variable filter

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