JPH1065490A - Saw frequency band blocking filter and electronic device using the same - Google Patents
Saw frequency band blocking filter and electronic device using the sameInfo
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- JPH1065490A JPH1065490A JP22342596A JP22342596A JPH1065490A JP H1065490 A JPH1065490 A JP H1065490A JP 22342596 A JP22342596 A JP 22342596A JP 22342596 A JP22342596 A JP 22342596A JP H1065490 A JPH1065490 A JP H1065490A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、SAW帯域阻止フ
ィルタおよびそれを使用した電子機器に関するものであ
る。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a SAW band rejection filter and an electronic device using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の例えば携帯電話等の電子機器にお
いては、それを小型化するためにその通信経路に介在さ
せる帯域阻止フィルタをSAW共振子を用いて構成した
ものがあった。従来のSAW帯域阻止フィルタは特開昭
61−220511号公報に開示されている。その回路
構成は図7に示すように、複数のSAW共振子26を直
列に接続し、入出力端子に整合回路27を設けたもので
あった。2. Description of the Related Art In a conventional electronic device such as a cellular phone, a band rejection filter interposed in a communication path of the electronic device is formed using a SAW resonator in order to reduce the size of the electronic device. A conventional SAW band rejection filter is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-220511. As shown in FIG. 7, the circuit configuration was such that a plurality of SAW resonators 26 were connected in series, and a matching circuit 27 was provided at the input / output terminals.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
SAW帯域阻止フィルタは、SAW共振子26を直列に
十数個接続した回路となり、さらに入出力部にそれぞ整
合回路27を設けなければならないものであったため、
形状が大きく、通過帯域における挿入損失も大きくなる
といった問題があった。However, the conventional SAW band rejection filter is a circuit in which a dozen or more SAW resonators 26 are connected in series, and a matching circuit 27 must be provided in each of the input and output sections. Was
There is a problem that the shape is large and the insertion loss in the pass band is also large.
【0004】本発明は、SAW共振子数が少なく整合回
路が不要な梯子型回路とすることにより、低損失で小型
なSAW帯域阻止フィルタを実現するとともに、それを
使用した電子機器を提供することを目的とするものであ
る。An object of the present invention is to provide a low-loss and small SAW band rejection filter by using a ladder-type circuit having a small number of SAW resonators and not requiring a matching circuit, and to provide an electronic device using the same. It is intended for.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、入力端子と出力端子との間に直列接続され
た第1のSAW共振子と、この第1のSAW共振子の入
力端子側あるいは出力端子側とアース電極との間に接続
された第2のSAW共振子と第1のインダクタンス素子
との並列接続体とを備えたSAW帯域阻止フィルタとす
るものである。この構成によって、第1のインダクタン
ス素子により並列接続体の共振周波数を任意に設定する
ことが可能となるため、低損失で小型な梯子型回路によ
ってSAW帯域阻止フィルタを構成することができる。According to the present invention, there is provided a first SAW resonator connected in series between an input terminal and an output terminal, and an input terminal of the first SAW resonator. This is a SAW band rejection filter including a parallel connection of a second SAW resonator and a first inductance element connected between a terminal side or an output terminal side and a ground electrode. According to this configuration, the resonance frequency of the parallel-connected body can be arbitrarily set by the first inductance element, so that the SAW band rejection filter can be configured by a small ladder-type circuit with low loss.
【0006】[0006]
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、入力端子と出力端子との間に直列接続された第1の
SAW共振子と、この第1のSAW共振子の入力端子側
あるいは出力端子側とアース電極との間に接続された第
2のSAW共振子と第1インダクタンス素子との並列接
続体とを備えたSAW帯域阻止フィルタとするものであ
る。上記の構成によって、第1のインダクタンス素子に
より並列接続体の共振周波数を任意に設定することが可
能となるため、低損失で小型な梯子型回路によって帯域
阻止フィルタを構成することができる。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The first aspect of the present invention is directed to a first SAW resonator connected in series between an input terminal and an output terminal, and an input terminal of the first SAW resonator. The SAW band rejection filter includes a parallel connection of the second SAW resonator and the first inductance element, which is connected between the side or the output terminal and the ground electrode. According to the above configuration, the resonance frequency of the parallel-connected body can be arbitrarily set by the first inductance element, so that the band rejection filter can be configured by a small ladder-type circuit with low loss.
【0007】さらに請求項2に記載の発明は、第1のS
AW共振子の直列共振周波数(以下Fs1と記す)およ
び第2のSAW共振子と第1のインダクタンス素子との
並列接続体の並列共振周波数(以下Fp2と記す)をそ
れぞれフィルタとしての通過帯域に設定し、第1のSA
W共振子の並列共振周波数(以下Fp1と記す)および
第2のSAW共振子と第1のインダクタンス素子との並
列接続体の直列共振周波数(以下Fs2と記す)をそれ
ぞれフィルタとしての阻止帯域に設定した請求項1に記
載のSAW帯域阻止フィルタとするものである。上記構
成によって、通過特性を帯域阻止フィルタとして最適な
条件とすることができる。Further, according to a second aspect of the present invention, the first S
The series resonance frequency (hereinafter, referred to as Fs1) of the AW resonator and the parallel resonance frequency (hereinafter, referred to as Fp2) of the parallel connection of the second SAW resonator and the first inductance element are set to pass bands as filters. And the first SA
The parallel resonance frequency of the W resonator (hereinafter referred to as Fp1) and the series resonance frequency of the parallel connection of the second SAW resonator and the first inductance element (hereinafter referred to as Fs2) are set as stop bands as filters. The SAW band rejection filter according to claim 1 is provided. With the above configuration, the pass characteristic can be set to an optimum condition as a band rejection filter.
【0008】さらに請求項3に記載の発明は、Fp2と
Fs1とを略同じ値とした請求項1または請求項2に記
載のSAW帯域阻止フィルタとするものである。上記の
構成によって、フィルタの通過域においてインピーダン
ス整合が可能となり、入出力端子に整合回路を設けるこ
となく小型の帯域阻止フィルタを構成することができ
る。Further, according to a third aspect of the present invention, there is provided the SAW band rejection filter according to the first or second aspect, wherein Fp2 and Fs1 have substantially the same value. With the above configuration, impedance matching can be performed in the pass band of the filter, and a small band rejection filter can be configured without providing a matching circuit at the input / output terminals.
【0009】さらに請求項4に記載の発明はFs2をF
p1よりも大きな値とした請求項1から請求項3のいず
れか一つに記載のSAW帯域阻止フィルタとするもので
ある。上記の構成によって、広い阻止帯域を有する帯域
阻止フィルタを構成することができる。Further, according to the invention of claim 4, Fs2 is
The SAW band rejection filter according to any one of claims 1 to 3, wherein the filter has a value larger than p1. With the above configuration, a band-stop filter having a wide stop band can be configured.
【0010】また請求項5に記載の発明は、第2のSA
W共振子と第1のインダクタンス素子との並列接続体
を、第1のSAW共振子と出力端子間に接続した請求項
1から請求項4のいずれか一つに記載のSAW帯域阻止
フィルタとするものである。上記の構成によって、入力
端から大きな電力が印加された場合にもアースに接続さ
れている第2のSAW共振子が破壊しにくなる。[0010] The invention according to claim 5 is characterized in that the second SA
The SAW band rejection filter according to any one of claims 1 to 4, wherein a parallel connection of the W resonator and the first inductance element is connected between the first SAW resonator and an output terminal. Things. With the above configuration, even when a large power is applied from the input terminal, the second SAW resonator connected to the ground is not easily broken.
【0011】また請求項6に記載の発明は、第1、第2
のSAW共振子の接続点と出力端子との間に第3のSA
W共振子を接続し、第3のSAW共振子と出力端子との
接続点とアース電極との間に第4のSAW共振子と第2
のインダクタンス素子との並列接続体を接続した請求項
1から請求項5のいずれか一つに記載のSAW帯域阻止
フィルタとするものである。上記の構成によって、梯子
型帯域阻止フィルタの素子数を増すことにより阻止域の
減衰特性を向上することができる。[0011] The invention according to claim 6 is the first and second inventions.
Between the connection point of the SAW resonator and the output terminal.
W resonator is connected, and the fourth SAW resonator and the second SAW resonator are connected between the connection point between the third SAW resonator and the output terminal and the ground electrode.
The SAW band rejection filter according to any one of claims 1 to 5, wherein a parallel connection body with the inductance element is connected. According to the above configuration, the attenuation characteristic of the stop band can be improved by increasing the number of elements of the ladder band rejection filter.
【0012】さらに請求項7に記載の発明は、第3のS
AW共振子の直列共振周波数(以下Fs3と記す)およ
び第4のSAW共振子と第2のインダクタンス素子との
並列接続体の並列共振周波数(以下Fp4と記す)をそ
れぞれフィルタとしての通過帯域に設定し、第3のSA
W共振子の並列共振周波数(以下Fp3と記す)および
第4のSAW共振子と第2のインダクタンス素子との並
列接続体の直列共振周波数(以下Fs4と記す)をそれ
ぞれフィルタとしての阻止帯域に設定した請求項5また
は請求項6に記載のSAW帯域阻止フィルタとするもの
である。上記構成によって、素子数を増した構成におい
て通過特性を帯域阻止フィルタとして最適な条件とする
ことができる。Further, according to a seventh aspect of the present invention, the third S
The series resonance frequency (hereinafter, referred to as Fs3) of the AW resonator and the parallel resonance frequency (hereinafter, referred to as Fp4) of a parallel connection of the fourth SAW resonator and the second inductance element are set to pass bands as filters. And the third SA
The parallel resonance frequency of the W resonator (hereinafter referred to as Fp3) and the series resonance frequency of the parallel connection of the fourth SAW resonator and the second inductance element (hereinafter referred to as Fs4) are set as stop bands as filters. A SAW band rejection filter according to claim 5 or claim 6. According to the above configuration, the pass characteristic can be set to an optimum condition as a band rejection filter in a configuration in which the number of elements is increased.
【0013】さらに請求項8に記載の発明は、Fp4と
Fp3とを略同じ値とした請求項5から請求項7のいず
れか一つに記載のSAW帯域阻止フィルタとするもので
ある。上記の構成によって、素子数を増した構成におい
てインピーダンス整合が可能となる。The invention according to claim 8 is the SAW band rejection filter according to any one of claims 5 to 7, wherein Fp4 and Fp3 have substantially the same value. The above configuration enables impedance matching in a configuration in which the number of elements is increased.
【0014】さらに請求項9に記載の発明は、Fs4を
Fp3よりも大きな値とした請求項5から請求項8のい
ずれか一つに記載のSAW帯域阻止フィルタとするもの
である。上記構成によって素子数を増した構成において
阻止帯域を広げることが可能となる。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided the SAW band rejection filter according to any one of the fifth to eighth aspects, wherein Fs4 is set to a value larger than Fp3. The above configuration makes it possible to widen the stop band in a configuration in which the number of elements is increased.
【0015】また請求項10に記載の発明は、入力端子
と出力端子との間に第1のSAW共振子と第3のSAW
共振子とを直列接続し、第1、第3のSAW共振子の接
続点とアース電極間に第2のSAW共振子と第1のイン
ダクタンス素子との並列接続体を接続し、第3のSAW
共振子と出力端子との接続点とアース電極間に第4のS
AW共振子と第2のインダクタンス素子との並列接続体
を接続し、第1のSAW共振子の並列共振周波数(Fp
1)と第2のSAW共振子と第1のインダクタンス素子
との並列接続体の直列共振周波数(Fs1)と第3のS
AW共振子の並列共振周波数(Fp3)と第4のSAW
共振子と第2のインダクタンス素子との並列接続体の直
列共振周数(Fs4)とをそれぞれフィルタとしての阻
止帯域に設定するとともに、Fs4>Fs2>Fp3>
Fp1としたSAW帯域阻止フィルタとするものであ
る。上記の構成によって、4素子の帯域阻止フィルタに
おいて、広い阻止帯域を確保しつつ、阻止帯域内の減衰
量を最適に設定することができる。According to a tenth aspect of the present invention, a first SAW resonator and a third SAW are provided between an input terminal and an output terminal.
Resonators are connected in series, a parallel connection of the second SAW resonator and the first inductance element is connected between the connection point of the first and third SAW resonators and the ground electrode, and the third SAW
Fourth S between the connection point between the resonator and the output terminal and the ground electrode.
The parallel connection of the AW resonator and the second inductance element is connected, and the parallel resonance frequency (Fp
1), the series resonance frequency (Fs1) of the parallel connection of the second SAW resonator and the first inductance element, and the third S
Parallel resonance frequency (Fp3) of AW resonator and fourth SAW
The series resonance frequency (Fs4) of the parallel connection of the resonator and the second inductance element is set to a stop band as a filter, and Fs4>Fs2>Fp3>.
The SAW band rejection filter is Fp1. According to the above configuration, in the four-element band rejection filter, the attenuation in the stop band can be optimally set while securing a wide stop band.
【0016】また請求項11に記載の発明は、第1のS
AW共振子の直列共振周波数(Fs1)と第2のSAW
共振子と第1のインダクタンス素子との並列接続体の並
列共振周波数(Fp1)と第3のSAW共振子の直列共
振周波数(Fs3)と第4のSAW共振子と第2のイン
ダクタンス素子との並列接続体の並列共振周波数(Fp
4)とをそれぞれフィルタとしての通過帯域に設定する
とともに、Fs1とFp2とFs3とFp4とを略同じ
値とした請求項10に記載のSAW帯域阻止フィルタと
するものである。上記の構成によって、4素子の帯域阻
止フィルタのインピーダンス整合が可能となり、入出力
端子に整合回路を設けることなく小型の帯域阻止フィル
タを構成することができる。Further, according to the present invention, the first S
The series resonance frequency (Fs1) of the AW resonator and the second SAW
The parallel resonance frequency (Fp1) of the parallel connection of the resonator and the first inductance element, the series resonance frequency (Fs3) of the third SAW resonator, and the parallel connection of the fourth SAW resonator and the second inductance element The parallel resonance frequency (Fp
(4) is set as a pass band as a filter, and Fs1, Fp2, Fs3, and Fp4 are set to substantially the same value as the SAW band rejection filter according to claim 10. With the above-described configuration, impedance matching of the four-element band rejection filter can be performed, and a small band rejection filter can be configured without providing a matching circuit at the input / output terminals.
【0017】また請求項12に記載の発明は、第2のイ
ンダクタンス素子の素子値を第1のインダクタンス素子
の素子値よりも大きくした請求項10または請求項11
に記載のSAW帯域阻止フィルタとするものである。上
記の構成によって、Fs4>Fs2でかつFp4とFp
2とを略同一の値とすることが可能となる。According to a twelfth aspect of the present invention, the element value of the second inductance element is larger than the element value of the first inductance element.
In the SAW band rejection filter. According to the above configuration, Fs4> Fs2 and Fp4 and Fp
2 can be made substantially the same value.
【0018】また請求項13に記載の発明は、第1、第
2のインダクタンスをボンディングワイヤによって形成
した請求項12に記載のSAW帯域阻止フィルタとする
ものである。上記の構成によって、SAW共振器を形成
する圧電基板を小型化することができる。According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided the SAW band rejection filter according to the twelfth aspect, wherein the first and second inductances are formed by bonding wires. According to the above configuration, the size of the piezoelectric substrate forming the SAW resonator can be reduced.
【0019】また請求項14に記載の発明は、圧電基板
上に第1から第4のSAW共振子用の櫛形電極パターン
を形成するとともに、この圧電基板上に第1、第2のイ
ンダクタンス素子用の線路パターンを設け、この線路パ
ターンにボンディングワイヤを接続した請求項10から
請求項12のいずれか一つに記載のSAW帯域阻止フィ
ルタとするものである。上記の構成によって、第1、第
2のインダクタンス素子の一部を線路パターンで形成す
ることにより素子値を安定させることができる。According to a fourteenth aspect of the present invention, the first to fourth comb-shaped electrode patterns for the SAW resonator are formed on the piezoelectric substrate, and the first and second inductance elements for the first and second inductance elements are formed on the piezoelectric substrate. The SAW band rejection filter according to any one of claims 10 to 12, wherein a line pattern is provided and a bonding wire is connected to the line pattern. With the above configuration, by forming a part of the first and second inductance elements with the line pattern, the element values can be stabilized.
【0020】また請求項15に記載の発明は、圧電基板
の左右に第1、第3のSAW共振子と第2、第4のSA
W共振子とを振り分けて配置した請求項10から請求項
14のいずれか一つに記載のSAW帯域阻止フィルタと
するものである。上記の構成によって、SAW共振子を
圧電基板上に効率よく配置でき、圧電基板を小型化する
ことができる。According to a fifteenth aspect of the present invention, the first and third SAW resonators and the second and fourth SAW resonators are provided on the left and right sides of the piezoelectric substrate.
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided the SAW band rejection filter according to any one of the tenth to fourteenth aspects, wherein the WW resonator is arranged separately. According to the above configuration, the SAW resonator can be efficiently arranged on the piezoelectric substrate, and the size of the piezoelectric substrate can be reduced.
【0021】また請求項16に記載の発明は、第1、第
3のSAW共振子を振り分けた圧電基板の一方側に入力
端子および出力端子を設け、第2、第4のSAW共振子
を振り分けた圧電基板の他方側に第1、第2のインダク
タンス素子用の接続電極を設けた請求項15に記載のS
AW帯域阻止フィルタとするものである。上記の構成に
よって、ワイヤボンディングのための電極を効率良く配
置でき、圧電基板を小型化することができる。According to a sixteenth aspect of the present invention, an input terminal and an output terminal are provided on one side of a piezoelectric substrate on which the first and third SAW resonators are distributed, and the second and fourth SAW resonators are distributed. The S according to claim 15, wherein connection electrodes for the first and second inductance elements are provided on the other side of the piezoelectric substrate.
This is an AW band rejection filter. According to the above configuration, the electrodes for wire bonding can be efficiently arranged, and the size of the piezoelectric substrate can be reduced.
【0022】また請求項17に記載の発明は、第1、第
2のインダクタンス素子の少なくとも一方をボンディン
グワイヤによって形成した請求項16に記載のSAW帯
域阻止フィルタとするものである。上記構成によって、
圧電基板を小型化することができる。The invention according to claim 17 is the SAW band rejection filter according to claim 16, wherein at least one of the first and second inductance elements is formed by a bonding wire. With the above configuration,
The size of the piezoelectric substrate can be reduced.
【0023】また請求項18に記載の発明は、第1、第
2のインダクタンス素子をボンディングワイヤによって
形成するとともに、第2のインダクタンス素子用のボン
ディングワイヤを第1のインダクタンス素子用のボンデ
ィングワイヤよりも長くした請求項16に記載のSAW
帯域阻止フィルタとするものである。上記の構成によっ
て、同一線径のボンディングワイヤを用いて、第2のイ
ンダクタンス素子の素子値を第1のインダクタンス素子
よりも大きくすることができる。In the invention according to claim 18, the first and second inductance elements are formed by bonding wires, and the bonding wires for the second inductance elements are made smaller than the bonding wires for the first inductance elements. 17. The SAW according to claim 16, which is lengthened.
This is a band rejection filter. According to the above configuration, the element value of the second inductance element can be made larger than that of the first inductance element by using bonding wires having the same wire diameter.
【0024】また請求項19に記載の発明は、請求項1
から請求項18のいずれか一つのSAW帯域阻止フィル
タを通信機の送信経路に介在させた電子機器とするもの
である。上記の構成によって、小型で挿入損失の小さい
SAW帯域阻止フィルタを用いることによって、小型で
消費電力の小さい電子機器を実現することができる。The invention according to claim 19 is the first invention.
According to another aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus in which any one of the SAW band rejection filters is interposed in a transmission path of a communication device. With the above configuration, a small electronic device with low power consumption can be realized by using a small SAW band rejection filter with small insertion loss.
【0025】さらに請求項20に記載の発明は、請求項
1から請求項18のいずれか一つのSAW帯域阻止フィ
ルタを送信経路の最終段の増幅器とアナテナとの間に介
在させた請求項19に記載の電子機器とするものであ
る。上記の構成によって、小型で挿入損失の小さいSA
W帯域阻止フィルタを用いることによって、小型で消費
電力の小さい電子機器を実現することができる。According to a twentieth aspect of the present invention, the SAW band rejection filter of any one of the first to eighteenth aspects is interposed between the amplifier at the last stage of the transmission path and the anthena. The electronic device described above. With the above configuration, a small SA having a small insertion loss
By using the W band rejection filter, a small electronic device with low power consumption can be realized.
【0026】以下、本発明の一実施形態を図面を用いて
説明する。図6は、電子機器の一例として携帯電話を簡
略化して示したブロック図である。即ち、マイク15よ
り入力された音声信号を変調器16で変調した後、送信
周波数変換器17、送信増幅器18および送信フィルタ
19を経てアンテナ20より送信する。一方、アンテナ
20により受信された信号は受信フィルタ21、受信増
幅器22および受信周波数変換器23を経て復調器24
より復調されてスピーカー25より出力される。上記携
帯電話において、送信経路に介在させた送信フィルタ1
9は図1に示すような回路のSAW帯域阻止フィルタと
なっている。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 6 is a simplified block diagram showing a mobile phone as an example of the electronic apparatus. That is, the audio signal input from the microphone 15 is modulated by the modulator 16, and then transmitted from the antenna 20 via the transmission frequency converter 17, the transmission amplifier 18, and the transmission filter 19. On the other hand, the signal received by the antenna 20 passes through a receiving filter 21, a receiving amplifier 22, and a
The signal is demodulated and output from the speaker 25. In the above mobile phone, the transmission filter 1 interposed in the transmission path
Reference numeral 9 denotes a SAW band rejection filter having a circuit as shown in FIG.
【0027】図1は本発明のSAW帯域阻止フィルタを
示す回路図である。図1において、1は第1のSAW共
振子、2は第2のSAW共振子、3は第3のSAW共振
子、4は第4のSAW共振子、5は第1のインダクタン
ス素子、6は第2のインダクタンス素子である。第1の
SAW共振子1および第3のSAW共振子3は入力端子
から出力端子への経路(以下直列枝)に直列接続され
る。一方、第2のSAW共振子2と第1のインダクタン
ス素子5とは並列接続されて並列接続体を構成し、第1
のSAW共振子1と第3のSAW共振子3との接続点と
アースとの間(以下第1の並列枝)に接続され、さらに
第4のSAW共振子4と第2のインダクタンス素子6と
は並列接続されて並列接続体を構成し、第3のSAW共
振子3と出力端子との接続点とアースとの間(以下第2
の並列枝)に接続されている。上記構成により、4素子
の梯子型回路が構成される。なお、この帯域阻止フィル
タは第1のSAW共振子1側の端子を入力端子、その反
対側の端子を出力端子としている。この理由は、入力端
子から大きな電力が入力された場合に、初段が直列枝の
場合の方が並列枝の場合よりもSAW共振子が破壊しに
くいことを実験的に確認したためである。FIG. 1 is a circuit diagram showing a SAW band rejection filter according to the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a first SAW resonator, 2 denotes a second SAW resonator, 3 denotes a third SAW resonator, 4 denotes a fourth SAW resonator, 5 denotes a first inductance element, and 6 denotes a first inductance element. This is a second inductance element. The first SAW resonator 1 and the third SAW resonator 3 are connected in series to a path from an input terminal to an output terminal (hereinafter referred to as a series branch). On the other hand, the second SAW resonator 2 and the first inductance element 5 are connected in parallel to form a parallel connection body,
Is connected between the connection point between the SAW resonator 1 and the third SAW resonator 3 and the ground (hereinafter, a first parallel branch), and furthermore, the fourth SAW resonator 4 and the second inductance element 6 are connected to each other. Are connected in parallel to form a parallel connection body, and are connected between the connection point between the third SAW resonator 3 and the output terminal and ground (hereinafter referred to as a second connection).
Parallel branches). With the above configuration, a four-element ladder-type circuit is configured. In this band rejection filter, the terminal on the first SAW resonator 1 side is an input terminal, and the terminal on the opposite side is an output terminal. The reason for this is that it was experimentally confirmed that the SAW resonator is less likely to break when the first stage is a serial branch than when it is a parallel branch when a large power is input from the input terminal.
【0028】以下に、個々の回路の電気的特性について
説明する。図2(a)は単体のSAW共振子の先端短絡
時の入力インピーダンス特性を示した特性図である。図
2(a)よりわかるように、SAW共振子は直列共振点
Fsと並列共振点Fpとを有し、FsはFpの低域側に存在
するという特徴を有している。図2(b)はSAW共振
子とインダクタンス素子との並列接続体の入力インピー
ダンス特性を示した特性図である。この場合は並列共振
周波数Fpが直列共振周波数Fsの低域側に発生し、イン
ダクタンス素子の素子値によってFsを固定したままで
Fpを任意に動かすことができる。この両者を交互に接
続して図1の梯子型回路を構成すれば、直列枝のFsと
ほぼ等しく並列枝のFpを設定し、直列枝のFpとほぼ等
しく並列枝のFsを設定することができるため、帯域阻
止フィルタを形成することが可能となる。以下、1番目
の直列枝または並列枝の直列共振周波数をFsI、並列
共振周波数をFpIと記す。The electric characteristics of each circuit will be described below. FIG. 2A is a characteristic diagram showing an input impedance characteristic of a single SAW resonator when a tip is short-circuited. As can be seen from FIG. 2A, the SAW resonator has a series resonance point Fs and a parallel resonance point Fp, and Fs has a characteristic that it exists on the lower side of Fp. FIG. 2B is a characteristic diagram showing an input impedance characteristic of a parallel connection of the SAW resonator and the inductance element. In this case, the parallel resonance frequency Fp occurs on the lower side of the series resonance frequency Fs, and Fp can be arbitrarily moved while Fs is fixed by the element value of the inductance element. If the two are connected alternately to form the ladder circuit of FIG. 1, it is possible to set the parallel branch Fp almost equal to the series branch Fs and the parallel branch Fs almost equal to the series branch Fp. Therefore, a band rejection filter can be formed. Hereinafter, the series resonance frequency of the first series branch or the parallel branch is referred to as FsI, and the parallel resonance frequency is referred to as FpI.
【0029】図3は、図1のSAW帯域阻止フィルタの
通過特性を示した特性図である。FsI,Fp2,Fs
3およびFp4を略等しくするとともに、Fp1<Fp
3<Fs2<Fs4と設定している。これによってFs
1,Fp2,Fs3およびFp4の周波数の近傍に通過
帯域が形成され、Fp1,Fp3,Fs2およびFs4
の周波数に減衰極が生じて阻止帯域が形成されて帯域阻
止フィルタとなることがわかる。これは、通過帯域にお
いて直列枝が直列共振してショートとなるとともに並列
枝が並列共振してオープンとなるために、入力端子から
出力端子のインピーダンスが直接見え(すなわちインピ
ーダンス整合がなされ)、入力信号が出力端子へと通過
するものである。また、阻止帯域では直列枝が並列共振
してオープンとなるかもしくは並列枝が直列共振してシ
ョートとなるため、入力信号が反射されて出力端子に到
達しないものである。通過帯域および阻止帯域は、それ
ぞれの共振子の共振の鋭さ(Q値)によって決定される
ものであるが、上記のようにFp1<Fp3<Fs2<
Fs4としてそれぞれの阻止周波数を少しずつ異ならせ
ることによって阻止帯域をより広げることができ、所望
の減衰特性を確保しやすくなる。なお、Fs2およびF
s4は前述のように任意に設定することができるため、
Fp1,Fp3よりも高域側に移動させている。さら
に、Fs4をFs2よりも高域に設定するために、第2
のインダクタンス素子6の素子値は第1のインダクタン
ス素子5の素子値よりも大きな値としている。FIG. 3 is a characteristic diagram showing the pass characteristics of the SAW band rejection filter of FIG. FsI, Fp2, Fs
3 and Fp4, and Fp1 <Fp
3 <Fs2 <Fs4. This gives Fs
, Fp2, Fs3, and Fp4, passbands are formed near the frequencies, and Fp1, Fp3, Fs2, and Fs4
It can be seen that an attenuation pole is formed at the frequency and a stop band is formed to form a band stop filter. This is because, in the passband, the series branch is series-resonated and short-circuited, and the parallel branch is parallel-resonated and open, so that the impedance of the output terminal is directly visible from the input terminal (that is, impedance matching is performed), and the input signal is Pass to the output terminal. Further, in the stop band, the series branch is parallel-resonated to be open or the parallel branch is series-resonated to be short-circuited, so that the input signal is reflected and does not reach the output terminal. The pass band and the stop band are determined by the resonance sharpness (Q value) of each resonator. As described above, Fp1 <Fp3 <Fs2 <
By making the stop frequencies slightly different from each other as Fs4, the stop band can be further widened, and desired attenuation characteristics can be easily secured. Note that Fs2 and Fs2
Since s4 can be set arbitrarily as described above,
It is moved to a higher frequency side than Fp1 and Fp3. Further, in order to set Fs4 higher than Fs2, the second
The element value of the inductance element 6 is larger than the element value of the first inductance element 5.
【0030】次に、このSAW帯域阻止フィルタの構造
について説明する。図4はこのSAW帯域阻止フィルタ
の実装状態を示した平面図である。図4において、1〜
6は図1の回路図のSAW共振子およびインダクタンス
素子に相当し、7は圧電基板、8は入力電極、9は出力
電極、10および11はそれぞれ第1、第2のインダク
タンス素子5,6用の接続電極、12はパッケージであ
る。Next, the structure of the SAW band rejection filter will be described. FIG. 4 is a plan view showing a mounted state of the SAW band rejection filter. In FIG.
6 corresponds to the SAW resonator and the inductance element in the circuit diagram of FIG. 1, 7 is a piezoelectric substrate, 8 is an input electrode, 9 is an output electrode, and 10 and 11 are for the first and second inductance elements 5 and 6, respectively. Reference numeral 12 denotes a package.
【0031】第1から第4のSAW共振子1から4は、
それぞれ圧電基板7表面上の櫛形電極により構成されて
おり、その配置は直列枝に入る第1のSAW共振子1お
よび第3のSAW共振子3を図4における左側に、第1
の並列枝に入る第2のSAW共振子2および第2の並列
枝に入る第4のSAW共振子4を右側に振り分けてい
る。そして、入力電極8および出力電極9を直列枝を配
置した左側に設けるとともに、インダクタンス素子用電
極10および11を第1、第2の並列枝を配置した右側
に設けることにより、効率的な配置を行い圧電基板7お
よびパッケージ12のサイズを小さくしている。第1の
インダクタンス素子5および第2のインダクタンス素子
6はそれぞれインダクタンス素子用電極10および11
とパッケージ12のアース端子とを接続するボンディン
グワイヤにより形成している。800MHz帯の帯域阻
止フィルタの場合必要なインダクタンス値は数ナノヘン
リーとなるため、線径35ミクロンのボンディングワイ
ヤで長さが2mm程度となる。なお前述のごとく、第1
のインダクタンス素子5よりも第2インダクタンス素子
6の方がやや大きな素子値が必要なため、その分長さを
若干長くしている。以上のように構成されたSAW帯域
阻止フィルタは図3に示す通過特性を示し、800MH
z帯において通過帯域の挿入損失1.5dB程度、阻止帯
域の減衰量45dB以上の値が得られた。The first to fourth SAW resonators 1 to 4 are:
Each is constituted by a comb-shaped electrode on the surface of the piezoelectric substrate 7, and the arrangement is such that the first SAW resonator 1 and the third SAW resonator 3 entering the series branch are arranged on the left side in FIG.
The second SAW resonator 2 entering the parallel branch and the fourth SAW resonator 4 entering the second parallel branch are distributed to the right. By providing the input electrode 8 and the output electrode 9 on the left side where the series branches are arranged, and providing the inductance element electrodes 10 and 11 on the right side where the first and second parallel branches are arranged, efficient arrangement is achieved. The size of the piezoelectric substrate 7 and the package 12 is reduced. The first inductance element 5 and the second inductance element 6 are electrodes 10 and 11 for inductance elements, respectively.
And a bonding wire for connecting the ground terminal of the package 12 to the ground terminal. In the case of a band rejection filter in the 800 MHz band, the required inductance value is several nanohenries, so that a bonding wire having a wire diameter of 35 microns has a length of about 2 mm. As mentioned above, the first
Since the second inductance element 6 requires a slightly larger element value than the inductance element 5 described above, the length is slightly longer. The SAW band rejection filter configured as described above has the pass characteristics shown in FIG.
In the z band, values of insertion loss in the pass band of about 1.5 dB and attenuation in the stop band of 45 dB or more were obtained.
【0032】なお、本実施の形態においては4素子のS
AW帯域阻止フィルタとしたが、それ以外の素子数であ
ってもかまわない。すなわち一つの直列枝と一つの並列
枝とからなる2素子の回路を最小単位とし、要求される
特性に応じて素子数を決定すればよい。素子数を増加す
れば阻止帯域の減衰量を増大することができるが、その
反面通過帯域内の挿入損失もまた増大するため、所望の
阻止帯域が確保できる最小限の素子数とすることが望ま
しい。また、素子数に関わらず、直列枝の直列共振周波
数(Fs1,Fs3,…)と、並列枝の並列共振周波数
(Fp2,Fp4,…)とをほぼ等しく設定することに
よって通過帯域におけるインピーダンス整合を得ること
ができ、さらに並列枝の直列共振周波数(Fs2,Fs
4,…)を直列枝の並列共振周波数(Fp1,Fp3,
…)よりも高域側に設定することによって広い阻止帯域
を得ることができるのは前述の通りである。In this embodiment, four elements of S
Although the AW band rejection filter is used, any other number of elements may be used. In other words, a circuit of two elements consisting of one series branch and one parallel branch is used as a minimum unit, and the number of elements may be determined according to required characteristics. If the number of elements is increased, the attenuation of the stop band can be increased, but on the other hand, the insertion loss in the pass band also increases. Therefore, it is desirable to use a minimum number of elements capable of securing a desired stop band. . Also, regardless of the number of elements, impedance matching in the pass band can be achieved by setting the series resonance frequency (Fs1, Fs3,...) Of the series branch and the parallel resonance frequency (Fp2, Fp4,. And the series resonance frequency (Fs2, Fs2) of the parallel branch.
4,...) To the parallel resonance frequencies (Fp1, Fp3,
As described above, a wider stop band can be obtained by setting the band higher than...
【0033】また、本実施の形態において第1のインダ
クタンス素子5および第2のインダクタンス素子6をそ
れぞれボンディングワイヤにより構成したが、それ以外
にも圧電基板7上に形成した線路パターンによって構成
する方法もある。例えば、図5に示すような第1,第2
のジグザグ線路パターン13,14を圧電基板7上に形
成し、その先端にそれぞれインダクタンス素子用電極1
0,11を設ければ、第1、第2のインダクタンス素子
5,6をジグザグ線路パターン13,14とボンディン
グワイヤとにより形成することができるため大きなイン
ダクタンス素子値が得られるとともに、素子値を安定さ
せることができるものである。In the present embodiment, the first inductance element 5 and the second inductance element 6 are each formed by a bonding wire. Alternatively, a method of forming the first inductance element 5 and the second inductance element 6 by a line pattern formed on the piezoelectric substrate 7 may be used. is there. For example, as shown in FIG.
Are formed on the piezoelectric substrate 7, and the zigzag line patterns 13 and 14
By providing 0 and 11, the first and second inductance elements 5 and 6 can be formed by the zigzag line patterns 13 and 14 and the bonding wires, so that a large inductance element value can be obtained and the element values can be stabilized. That can be done.
【0034】なお、上記実施の形態において説明した数
値や構成は一例であり、本発明はこれらの数値や構成の
細部に限定されるものではない。The values and configurations described in the above embodiment are merely examples, and the present invention is not limited to the details of these values and configurations.
【0035】[0035]
【発明の効果】以上のように本発明は、入力端子と出力
端子との間に直列接続された第1のSAW共振子と、こ
の第1のSAW共振子の入力端子側あるいは出力端子側
とアース電極との間に接続された第2のSAW共振子と
第1のインダクタンス素子との並列接続体とを備えたS
AW帯域阻止フィルタとするものである。上記の構成に
よって、第1のインダクタンス素子により並列接続体の
共振周波数を任意に設定することが可能となるため、低
損失で小型な梯子型回路によってSAW帯域阻止フィル
タを構成することができる。As described above, according to the present invention, the first SAW resonator connected in series between the input terminal and the output terminal, and the input terminal side or the output terminal side of the first SAW resonator. A second SAW resonator connected between the second SAW resonator and a grounded electrode and a parallel connection of the first inductance element;
This is an AW band rejection filter. According to the above configuration, the resonance frequency of the parallel-connected body can be arbitrarily set by the first inductance element, so that the SAW band rejection filter can be configured by a small ladder type circuit with low loss.
【図1】本発明のSAW帯域阻止フィルタを示す回路図FIG. 1 is a circuit diagram showing a SAW band rejection filter according to the present invention.
【図2】(a)は単体のSAW共振子の先端短絡時の入
力インピーダンス特性を示した特性図 (b)はSAW共振子とインダクタンス素子との並列接
続体の入力インピーダンス特性を示した特性図FIG. 2A is a characteristic diagram showing an input impedance characteristic of a single SAW resonator when a tip is short-circuited, and FIG. 2B is a characteristic diagram showing an input impedance characteristic of a parallel connection of the SAW resonator and an inductance element.
【図3】図1のSAW帯域阻止フィルタの通過特性を示
した特性図FIG. 3 is a characteristic diagram showing a pass characteristic of the SAW band rejection filter of FIG. 1;
【図4】SAW帯域阻止フィルタの実装状態を示す平面
図FIG. 4 is a plan view showing a mounting state of a SAW band rejection filter.
【図5】SAW帯域阻止フィルタの実装状態の他の例を
示した平面図FIG. 5 is a plan view showing another example of the mounting state of the SAW band rejection filter.
【図6】携帯電話を簡略化して示したブロック図FIG. 6 is a simplified block diagram showing a mobile phone;
【図7】従来のSAW帯域阻止フィルタを示す回路図FIG. 7 is a circuit diagram showing a conventional SAW band rejection filter.
1 第1のSAW共振子 2 第2のSAW共振子 3 第3のSAW共振子 4 第4のSAW共振子 5 第1のインダクタンス素子 6 第2のインダクタンス素子 7 圧電基板 8 入力電極 9 出力電極 10 第1のインダクタンス素子用電極 11 第2のインダクタンス素子用電極 12 パッケージ 13 第1のジグザグ線路パターン 14 第2のジグザグ線路パターン 15 マイク 16 変調器 17 送信周波数変換器 18 送信増幅器 19 送信フィルタ 20 アンテナ 21 受信フィルタ 22 受信増幅器 23 受信周波数変換器 24 復調器 25 スピーカ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st SAW resonator 2 2nd SAW resonator 3 3rd SAW resonator 4 4th SAW resonator 5 1st inductance element 6 2nd inductance element 7 Piezoelectric substrate 8 Input electrode 9 Output electrode 10 First inductance element electrode 11 Second inductance element electrode 12 Package 13 First zigzag line pattern 14 Second zigzag line pattern 15 Microphone 16 Modulator 17 Transmission frequency converter 18 Transmission amplifier 19 Transmission filter 20 Antenna 21 Receive filter 22 Receive amplifier 23 Receive frequency converter 24 Demodulator 25 Speaker
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村瀬 恭通 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yasumichi Murase 1006 Kadoma Kadoma, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Claims (20)
れた第1のSAW共振子と、この第1のSAW共振子の
入力端子側あるいは出力端子側とアース電極との間に接
続された第2のSAW共振子と第1のインダクタンス素
子との並列接続体とを備えたSAW帯域阻止フィルタ。1. A first SAW resonator connected in series between an input terminal and an output terminal, and connected between an input terminal side or an output terminal side of the first SAW resonator and a ground electrode. A SAW band rejection filter comprising a second SAW resonator and a parallel connection of a first inductance element.
(以下Fs1と記す)および第2のSAW共振子と第1
のインダクタンス素子との並列接続体の並列共振周波数
(以下Fp2と記す)をそれぞれフィルタとしての通過
帯域に設定し、第1のSAW共振子の並列共振周波数
(以下Fp1と記す)および第2のSAW共振子と第1
のインダクタンス素子との並列接続体の直列共振周波数
(以下Fs2と記す)をそれぞれフィルタとしての阻止
帯域に設定した請求項1に記載のSAW帯域阻止フィル
タ。2. A series resonance frequency (hereinafter referred to as Fs1) of a first SAW resonator and a second SAW resonator and a first resonance frequency
The parallel resonance frequency (hereinafter referred to as Fp2) of the parallel connection body with the inductance element is set to a pass band as a filter, and the parallel resonance frequency (hereinafter referred to as Fp1) of the first SAW resonator and the second SAW Resonator and first
2. The SAW band rejection filter according to claim 1, wherein a series resonance frequency (hereinafter referred to as Fs2) of a parallel connection with the inductance element is set as a stop band as a filter.
項1または請求項2に記載のSAW帯域阻止フィルタ。3. The SAW band rejection filter according to claim 1, wherein Fp2 and Fs1 have substantially the same value.
求項1から請求項3のいずれか一つに記載のSAW帯域
阻止フィルタ。4. The SAW band rejection filter according to claim 1, wherein Fs2 is set to a value larger than Fp1.
ンス素子との並列接続体を、第1のSAW共振子と出力
端子間に接続した請求項1から請求項4のいずれか一つ
に記載のSAW帯域阻止フィルタ。5. The method according to claim 1, wherein a parallel connection of the second SAW resonator and the first inductance element is connected between the first SAW resonator and an output terminal. A SAW band rejection filter as described.
力端子との間に第3のSAW共振子を接続し、第3のS
AW共振子と出力端子との接続点とアース電極との間に
第4のSAW共振子と第2のインダクタンス素子との並
列接続体を接続した請求項1から請求項5のいずれか一
つに記載のSAW帯域阻止フィルタ。6. A third SAW resonator is connected between a connection point of the first and second SAW resonators and an output terminal, and a third SW resonator is connected.
The parallel connection body of the fourth SAW resonator and the second inductance element is connected between the connection point between the AW resonator and the output terminal and the ground electrode, according to any one of claims 1 to 5, wherein A SAW band rejection filter as described.
(以下Fs3と記す)および第4のSAW共振子と第2
のインダクタンス素子との並列接続体の並列共振周波数
(以下Fp4と記す)をそれぞれフィルタとしての通過
帯域に設定し、第3のSAW共振子の並列共振周波数
(以下Fp3と記す)および第4のSAW共振子と第2
のインダクスタンス素子との並列接続体の直列共振周数
(以下Fs4と記す)をそれぞれフィルタとしての阻止
帯域に設定した請求項5または請求項6に記載のSAW
帯域阻止フィルタ。7. The series resonance frequency (hereinafter referred to as Fs3) of the third SAW resonator and the fourth SAW resonator and the second resonance frequency
The parallel resonance frequency (hereinafter referred to as Fp4) of the parallel connection body with the inductance element is set to the pass band as a filter, and the parallel resonance frequency (hereinafter referred to as Fp3) of the third SAW resonator and the fourth SAW Resonator and second
7. The SAW according to claim 5, wherein a series resonance frequency (hereinafter referred to as Fs4) of a parallel connection body with the inductance element is set to a stop band as a filter.
Band stop filter.
項5から請求項7のいずれか一つに記載のSAW帯域阻
止フィルタ。8. The SAW band rejection filter according to claim 5, wherein Fp4 and Fs3 have substantially the same value.
求項5から請求項8のいずれか一つに記載のSAW帯域
阻止フィルタ。9. The SAW band rejection filter according to claim 5, wherein Fs4 is set to a value larger than Fp3.
AW共振子と第3のSAW共振子とを直列接続し、第
1、第3のSAW共振子の接続点とアース電極間に第2
のSAW共振子と第1のインダクタンス素子との並列接
続体を接続し、第3のSAW共振子と出力端子との接続
点とアース電極間に第4のSAW共振子と第2のインダ
クタンス素子との並列接続体を接続し、第1のSAW共
振子の並列共振周波数(Fp1)と第2のSAW共振子
と第1のインダクタンス素子との並列接続体の直列共振
周波数(Fs1)と第3のSAW共振子の並列共振周波
数(Fp3)と第4のSAW共振子と第2インダクタン
ス素子との並列接続体の直列共振周波数(Fs4)とを
それぞれフィルタとしての阻止帯域に設定するととも
に、Fs4>Fs2>Fp3>Fp1としたSAW帯域
阻止フィルタ。10. A first S between an input terminal and an output terminal.
An AW resonator and a third SAW resonator are connected in series, and a second SAW resonator is connected between a connection point of the first and third SAW resonators and a ground electrode.
A parallel connection of the SAW resonator and the first inductance element is connected, and the fourth SAW resonator and the second inductance element are connected between the connection point between the third SAW resonator and the output terminal and the ground electrode. Are connected, the parallel resonance frequency (Fp1) of the first SAW resonator, the series resonance frequency (Fs1) of the parallel connection of the second SAW resonator and the first inductance element, and the third The parallel resonance frequency (Fp3) of the SAW resonator and the series resonance frequency (Fs4) of the parallel connection of the fourth SAW resonator and the second inductance element are each set to a stop band as a filter, and Fs4> Fs2. >Fp3> SAW band rejection filter with Fp1.
(Fs1)と第2のSAW共振子と第1のインダクタン
ス素子との並列接続体の並列共振周波数(Fp1)と第
3のSAW共振子の直列共振周波数(Fs3)と第4の
SAW共振子と第2のインダクタンス素子との並列接続
体の並列共振周波数(Fp4)とをそれぞれフィルタと
しての通過帯域に設定するとともに、Fs1とFp2と
Fs3とFp4とを略同じ値とした請求項10に記載の
SAW帯域阻止フィルタ。11. The series resonance frequency (Fs1) of the first SAW resonator, the parallel resonance frequency (Fp1) of a parallel connection of the second SAW resonator and the first inductance element, and the third SAW resonator And the parallel resonance frequency (Fp4) of the parallel connection of the fourth SAW resonator and the second inductance element are set in the pass band as a filter, and Fs1, Fp2, and Fs3 are set. The SAW band rejection filter according to claim 10, wherein Fp4 and Fp4 have substantially the same value.
第1のインダクタンス素子の素子値よりも大きくした請
求項10または請求項11に記載のSAW帯域阻止フィ
ルタ。12. The SAW band rejection filter according to claim 10, wherein an element value of the second inductance element is larger than an element value of the first inductance element.
ィングワイヤによって形成した請求項12に記載のSA
W帯域阻止フィルタ。13. The SA according to claim 12, wherein the first and second inductances are formed by bonding wires.
W band rejection filter.
振子用の櫛形電極パターンを形成するとともに、この圧
電基板上に第1、第2のインダクタンス素子用の線路パ
ターンを設け、この線路パターンにボンディングワイヤ
を接続した請求項10から請求項12のいずれか一つに
記載のSAW帯域阻止フィルタ。14. A first to a fourth comb-shaped electrode patterns for SAW resonators are formed on a piezoelectric substrate, and a line pattern for first and second inductance elements is provided on the piezoelectric substrate. The SAW band rejection filter according to any one of claims 10 to 12, wherein a bonding wire is connected to the pattern.
共振子と第2、第4のSAW共振子とを振り分けて配置
した請求項10から請求項14のいずれか一つに記載の
SAW帯域阻止フィルタ。15. A first and a third SAW on the left and right sides of a piezoelectric substrate.
The SAW band rejection filter according to any one of claims 10 to 14, wherein the resonator and the second and fourth SAW resonators are arranged separately.
た圧電基板の一方側に入力端子および出力端子を設け、
第2、第4のSAW共振子を振り分けた圧電基板の他方
側に第1、第2のインダクタンス素子用の接続電極を設
けた請求項15に記載のSAW帯域阻止フィルタ。16. An input terminal and an output terminal are provided on one side of a piezoelectric substrate on which the first and third SAW resonators are distributed,
16. The SAW band rejection filter according to claim 15, wherein connection electrodes for the first and second inductance elements are provided on the other side of the piezoelectric substrate on which the second and fourth SAW resonators are distributed.
なくとも一方をボンディングワイヤによって形成した請
求項16に記載のSAW帯域阻止フィルタ。17. The SAW band rejection filter according to claim 16, wherein at least one of the first and second inductance elements is formed by a bonding wire.
ンディングワイヤによって形成するとともに、第2のイ
ンダクタンス素子用のボンディングワイヤを第1のイン
ダクタンス素子用のボンディングワイヤよりも長くした
請求項16に記載のSAW帯域阻止フィルタ。18. The method according to claim 16, wherein the first and second inductance elements are formed by bonding wires, and the bonding wire for the second inductance element is longer than the bonding wire for the first inductance element. SAW band rejection filter.
つのSAW帯域阻止フィルタを通信機の送信経路に介在
させた電子機器。19. An electronic device in which the SAW band rejection filter according to claim 1 is interposed in a transmission path of a communication device.
つのSAW帯域阻止フィルタを送信経路の最終段の増幅
器とアンテナとの間に介在させた請求項19に記載の電
子機器。20. The electronic device according to claim 19, wherein the SAW band rejection filter according to any one of claims 1 to 18 is interposed between an amplifier and an antenna at a last stage of a transmission path.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22342596A JPH1065490A (en) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | Saw frequency band blocking filter and electronic device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22342596A JPH1065490A (en) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | Saw frequency band blocking filter and electronic device using the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1065490A true JPH1065490A (en) | 1998-03-06 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22342596A Pending JPH1065490A (en) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | Saw frequency band blocking filter and electronic device using the same |
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