JP4768398B2 - Low pass filter - Google Patents

Low pass filter Download PDF

Info

Publication number
JP4768398B2
JP4768398B2 JP2005317026A JP2005317026A JP4768398B2 JP 4768398 B2 JP4768398 B2 JP 4768398B2 JP 2005317026 A JP2005317026 A JP 2005317026A JP 2005317026 A JP2005317026 A JP 2005317026A JP 4768398 B2 JP4768398 B2 JP 4768398B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
wire
filter
chip inductor
saw resonator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005317026A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007124537A (en
Inventor
泰昭 石田
かおり 野間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Crystal Device Corp
Original Assignee
Kyocera Crystal Device Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Crystal Device Corp filed Critical Kyocera Crystal Device Corp
Priority to JP2005317026A priority Critical patent/JP4768398B2/en
Publication of JP2007124537A publication Critical patent/JP2007124537A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4768398B2 publication Critical patent/JP4768398B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

本発明は、ローパスフィルタに関するものである。   The present invention relates to a low-pass filter.

近年、携帯電話機の高機能化が進み、音声通信及びデータ通信の機能に加えて、FM放送やTV放送を受信するチューナの搭載が進みつつある。TV放送受信用チューナ付き携帯電話機では、携帯電話機の送信信号がTV放送の受信信号に影響を与えないようにすることが重要である。その理由は、音声通信及びデータ通信用のアンテナから送信された電力の大きな送信信号がTV放送の受信回路に回りこみ、混信を生じる可能性があるからである。このような混信を防ぐため、VHF/UHF帯の信号を通過させ、音声通信及びデータ通信用の送信帯域の信号を抑圧するローパスフィルタが、チューナ側の回路に搭載される。   2. Description of the Related Art In recent years, mobile phones have been improved in functionality, and in addition to voice communication and data communication functions, a tuner that receives FM broadcasts and TV broadcasts is being installed. In a mobile phone with a tuner for TV broadcast reception, it is important that the transmission signal of the mobile phone does not affect the reception signal of TV broadcast. The reason is that a transmission signal having a large power transmitted from the antenna for voice communication and data communication may enter a TV broadcast receiving circuit and cause interference. In order to prevent such interference, a low-pass filter that passes a VHF / UHF band signal and suppresses a transmission band signal for voice communication and data communication is mounted on a circuit on the tuner side.

このようなローパスフィルタ特性を実現するものとして、積層LCローパスフィルタが挙げられる(例えば、特許文献1参照)。積層LCフィルタは、薄いセラミック層上に導体パターンを形成し、これらを複数積層することにより、インダクタンスやコンデンサを形成し、所定の接続を行ったフィルタである。図36に積層LCローパスフィルタの一般的な等価回路図を示し、図37に積層LCローパスフィルタの通過特性の1例を示す。図36において、INは信号入力端子、OUTは信号出力端子、L10,L11はインダクタンス、C10〜C14はコンデンサである。図37では、インダクタンスL10,L11のQを30とした。インダクタ(コイル)は、その主特性であるインダクタンス成分を得ようとすると同時に抵抗成分ができる。通常、この抵抗成分は少ないほうが優れたインダクタと評価される。インダクタ成分と、この抵抗成分との比をQ特性として表現している。この値が高い方が高効率のインダクタといえる。周波数をf、インダクタ値をL、実効抵抗値をRとすると、Q=2πfL/Rである。図37に示すように、積層LCローパスフィルタでは、VHF/UHFの周波数帯(90MHzから770MHz)が通過帯域となり、800MHz帯CDMAの送信周波数帯(898MHzから925MHz)が減衰域となっている。   A layered LC low-pass filter can be cited as one that realizes such a low-pass filter characteristic (see, for example, Patent Document 1). The laminated LC filter is a filter in which a conductor pattern is formed on a thin ceramic layer and a plurality of these are laminated to form an inductance and a capacitor, and predetermined connection is made. FIG. 36 shows a general equivalent circuit diagram of the multilayer LC low-pass filter, and FIG. 37 shows an example of pass characteristics of the multilayer LC low-pass filter. In FIG. 36, IN is a signal input terminal, OUT is a signal output terminal, L10 and L11 are inductances, and C10 to C14 are capacitors. In FIG. 37, Q of the inductances L10 and L11 is set to 30. An inductor (coil) has a resistance component at the same time as an inductance component, which is its main characteristic. Usually, the smaller the resistance component, the better the inductor. The ratio between the inductor component and the resistance component is expressed as a Q characteristic. A higher value means a more efficient inductor. When the frequency is f, the inductor value is L, and the effective resistance value is R, Q = 2πfL / R. As shown in FIG. 37, in the laminated LC low-pass filter, the VHF / UHF frequency band (90 MHz to 770 MHz) is a pass band, and the 800 MHz band CDMA transmission frequency band (898 MHz to 925 MHz) is an attenuation band.

特開平07−336176号公報JP 07-336176 A

従来の積層LCローパスフィルタでは、減衰極が1.3GHzとなっているため、減衰域(898MHzから925MHz)の減衰量が9dB程度と不十分であるという問題点があった。また、従来の積層LCローパスフィルタでは、段数を増やすことで、減衰極をより通過帯域近傍に近づけ、より大きな減衰量を得ることが可能であるが、段数を増やすと、インダクタンスに含まれる直列抵抗の影響により、通過帯域の損失も増大し、必要な通過帯域挿入損失を得ることが難しくなるという問題点があった。さらに、従来の積層LCローパスフィルタでは、素子数が増加すると、フィルタの外形が大きくなるという問題点があった。携帯電話機に搭載するフィルタは小型であることが望ましく、大きなフィルタは携帯電話機には不向きである。   In the conventional laminated LC low-pass filter, since the attenuation pole is 1.3 GHz, there is a problem that the attenuation in the attenuation region (898 MHz to 925 MHz) is insufficient at about 9 dB. In addition, in the conventional multilayer LC low-pass filter, it is possible to bring the attenuation pole closer to the passband by increasing the number of stages and obtain a larger attenuation amount. However, increasing the number of stages increases the series resistance included in the inductance. As a result, the loss of the pass band also increases, which makes it difficult to obtain the required pass band insertion loss. Furthermore, the conventional multilayer LC low-pass filter has a problem that the outer shape of the filter increases as the number of elements increases. It is desirable that the filter mounted on the mobile phone is small, and a large filter is not suitable for the mobile phone.

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、低損失で急峻な減衰特性を有する小型のローパスフィルタを提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a small low-pass filter having a low loss and a steep attenuation characteristic.

本発明のローパスフィルタは、第1のフィルタと、この第1のフィルタに並列に接続された第2のフィルタと、前記第1、第2のフィルタと信号入力端子との間に挿入された第3のフィルタとを有し、前記第1のフィルタは、第1の端子が前記第3のフィルタに接続され、第2の端子が信号出力端子に接続され、第3の端子と第4の端子が接地された2端子対SAW共振子からなり、前記第2のフィルタは、第1の端子が前記2端子対SAW共振子の第1の端子に接続され、第2の端子が前記2端子対SAW共振子の第2の端子に接続された第1の1端子対SAW共振子と、この第1の1端子対SAW共振子に並列に接続された第1のチップインダクタとからなり、前記第3のフィルタは、第1の端子が前記信号入力端子に接続され、第2の端子が前記第1、第2のフィルタの第1の端子に接続された第2の1端子対SAW共振子と、この第2の1端子対SAW共振子に並列に接続された第2のチップインダクタとからなり、前記2端子対SAW共振子と前記第1、第2の1端子対SAW共振子とが、圧電基板上に形成され、前記第1、第2のチップインダクタが、前記圧電基板を内蔵するセラミックパッケージ内に搭載され、前記セラミックパッケージの信号入力用パッドと前記圧電基板上の前記信号入力端子とが信号入力端子用ワイヤを介して接続され、前記セラミックパッケージの第1のチップインダクタ入力用パッドと前記第1の1端子対SAW共振子の第1の端子とが第1のチップインダクタ入力用ワイヤを介して接続され、前記セラミックパッケージの第1のチップインダクタ出力用パッドと前記第1の1端子対SAW共振子の第2の端子とが第1のチップインダクタ出力用ワイヤを介して接続され、前記セラミックパッケージの第2のチップインダクタ入力用パッドと前記第2の1端子対SAW共振子の第1の端子とが第2のチップインダクタ入力用ワイヤを介して接続され、前記セラミックパッケージの第2のチップインダクタ出力用パッドと前記第2の1端子対SAW共振子の第2の端子とが第2のチップインダクタ出力用ワイヤを介して接続され、前記セラミックパッケージの信号出力用パッドと前記圧電基板上の前記信号出力端子とが信号出力端子用ワイヤを介して接続され、前記信号入力端子用ワイヤと前記第1のチップインダクタ入力用ワイヤ間の最短距離が、前記信号入力端子用ワイヤと前記第2のチップインダクタ入力用ワイヤ間の最短距離より大きく、前記信号出力端子用ワイヤと前記第2のチップインダクタ出力用ワイヤ間の最短距離が、前記信号出力端子用ワイヤと前記第1のチップインダクタ出力用ワイヤ間の最短距離より大きいことを特徴とするものである。   The low-pass filter of the present invention includes a first filter, a second filter connected in parallel to the first filter, and a first filter inserted between the first and second filters and a signal input terminal. The first filter has a first terminal connected to the third filter, a second terminal connected to the signal output terminal, a third terminal and a fourth terminal. The second filter has a first terminal connected to a first terminal of the two-terminal pair SAW resonator, and a second terminal connected to the two-terminal pair. The first one-terminal pair SAW resonator connected to the second terminal of the SAW resonator, and the first chip inductor connected in parallel to the first one-terminal pair SAW resonator, The third filter has a first terminal connected to the signal input terminal, and a second terminal A second one-terminal pair SAW resonator connected to the first terminals of the first and second filters, and a second chip connected in parallel to the second one-terminal pair SAW resonator The two-terminal pair SAW resonator and the first and second one-terminal pair SAW resonators are formed on a piezoelectric substrate, and the first and second chip inductors are formed on the piezoelectric substrate. A first chip inductor of the ceramic package, wherein the signal input pad of the ceramic package and the signal input terminal on the piezoelectric substrate are connected via a wire for signal input terminal. An input pad and a first terminal of the first one-terminal pair SAW resonator are connected via a first chip inductor input wire, and the first chip inductor of the ceramic package is connected. A ductor output pad and a second terminal of the first one-terminal pair SAW resonator are connected via a first chip inductor output wire, and the second chip inductor input pad of the ceramic package and the second terminal A first terminal of the second one-terminal pair SAW resonator is connected via a second chip inductor input wire, and the second chip inductor output pad of the ceramic package and the second one-terminal pair The second terminal of the SAW resonator is connected via a second chip inductor output wire, and the signal output pad of the ceramic package and the signal output terminal on the piezoelectric substrate are connected to the signal output terminal wire. And the shortest distance between the signal input terminal wire and the first chip inductor input wire is the signal input terminal wire and the first chip inductor input wire. The shortest distance between the signal output terminal wire and the second chip inductor output wire is greater than the shortest distance between the second chip inductor input wires and the signal output terminal wire and the first chip inductor. It is characterized by being larger than the shortest distance between the output wires.

また、本発明のローパスフィルタの1構成例は、前記第1のチップインダクタと前記第2のチップインダクタ間の相互誘導係数が正となるように、前記第1、第2のチップインダクタを前記セラミックパッケージ内に配置するものである。
また、本発明のローパスフィルタの1構成例は、さらに、前記信号入力端子と接地との間に挿入される第4のフィルタを前記圧電基板上に有し、この第4のフィルタは、第1の端子が前記信号入力端子と接続され、第2の端子が接地される第3の1端子対SAW共振子からなるものである。
また、本発明のローパスフィルタの1構成例は、前記セラミックパッケージの第1の接地用パッドと前記第3の1端子対SAW共振子の第2の端子とが第1の接地用ワイヤを介して接続され、前記セラミックパッケージの第2の接地用パッドと前記第3の1端子対SAW共振子の第2の端子とが第2の接地用ワイヤを介して接続され、前記セラミックパッケージの第3の接地用パッドと前記2端子対SAW共振子の第3の端子とが第3の接地用ワイヤを介して接続され、前記セラミックパッケージの第4の接地用パッドと前記2端子対SAW共振子の第4の端子とが第4の接地用ワイヤを介して接続され、前記信号入力端子用ワイヤと前記第1のチップインダクタ入力用ワイヤとの間に前記第1の接地用ワイヤを配置し、前記信号入力端子用ワイヤと前記第2のチップインダクタ入力用ワイヤとの間に前記第2の接地用ワイヤを配置し、前記信号出力端子用ワイヤと前記第2のチップインダクタ出力用ワイヤとの間に前記第3の接地用ワイヤを配置し、前記信号出力端子用ワイヤと前記第1のチップインダクタ出力用ワイヤとの間に前記第4の接地用ワイヤを配置することを特徴とするものである。
また、本発明のローパスフィルタの1構成例は、平面視四角形の前記セラミックパッケージに対して前記第1のチップインダクタと前記第2のチップインダクタとが前記四角形の対角に位置するように、前記第1、第2のチップインダクタを前記セラミックパッケージ内に配置するものである。
Further, in one configuration example of the low-pass filter of the present invention, the first and second chip inductors are connected to the ceramic so that a mutual induction coefficient between the first chip inductor and the second chip inductor is positive. It is to be placed in the package.
In addition, one configuration example of the low-pass filter of the present invention further includes a fourth filter inserted between the signal input terminal and the ground on the piezoelectric substrate, and the fourth filter includes the first filter The third terminal is connected to the signal input terminal and the second terminal is composed of a third one-terminal pair SAW resonator that is grounded.
Further, in one configuration example of the low pass filter of the present invention, the first grounding pad of the ceramic package and the second terminal of the third one-terminal pair SAW resonator are connected via the first grounding wire. A second grounding pad of the ceramic package and a second terminal of the third one-terminal pair SAW resonator are connected via a second grounding wire, and the third grounding pad of the ceramic package is connected. A grounding pad and a third terminal of the two-terminal pair SAW resonator are connected via a third grounding wire, and a fourth grounding pad of the ceramic package and a second terminal of the two-terminal pair SAW resonator are connected. 4 terminals are connected via a fourth grounding wire, the first grounding wire is disposed between the signal input terminal wire and the first chip inductor input wire, and the signal For input terminal The second grounding wire is arranged between the ear and the second chip inductor input wire, and the third output wire between the signal output terminal wire and the second chip inductor output wire. A ground wire is disposed, and the fourth ground wire is disposed between the signal output terminal wire and the first chip inductor output wire.
Further, in one configuration example of the low-pass filter of the present invention, the first chip inductor and the second chip inductor are located diagonally to the square with respect to the ceramic package having a square shape in plan view. First and second chip inductors are arranged in the ceramic package.

本発明によれば、第1のフィルタと、第1のフィルタに並列に接続された第2のフィルタと、第1、第2のフィルタと信号入力端子との間に挿入された第3のフィルタとを設け、第1のフィルタを2端子対SAW共振子から構成し、第2のフィルタを第1の1端子対SAW共振子と第1のチップインダクタとから構成し、第3のフィルタを第2の1端子対SAW共振子と第2のチップインダクタとから構成することにより、減衰極を遮断周波数近傍にすることが可能となり、減衰域の減衰量を改善することができる。また、本発明では、SAW共振子を用いるため、フィルタを小型化できる。また、本発明では、積層LCフィルタのように所望の減衰量を得るために段数を増やす必要がないので、通過帯域の挿入損失が増大することがなく、外形が大型化することもない。また、本発明では、2端子対SAW共振子と第1、第2の1端子対SAW共振子とを圧電基板上に形成し、第1、第2のチップインダクタを、圧電基板を内蔵するセラミックパッケージ内に搭載して、信号入力端子用ワイヤと第1のチップインダクタ入力用ワイヤ間の最短距離を、信号入力端子用ワイヤと第2のチップインダクタ入力用ワイヤ間の最短距離より大きくし、信号出力端子用ワイヤと第2のチップインダクタ出力用ワイヤ間の最短距離を、信号出力端子用ワイヤと第1のチップインダクタ出力用ワイヤ間の最短距離より大きくすることにより、本発明の回路構成に基づく急峻な減衰特性を損なうことなく、ローパスフィルタをセラミックパッケージ内に搭載することができる。その結果、本発明では、低損失で急峻な減衰特性を有する小型のローパスフィルタを実現することができる。   According to the present invention, the first filter, the second filter connected in parallel to the first filter, and the third filter inserted between the first and second filters and the signal input terminal. The first filter is composed of a two-terminal pair SAW resonator, the second filter is composed of a first one-terminal pair SAW resonator and a first chip inductor, and the third filter is By comprising the two one-terminal-pair SAW resonators and the second chip inductor, the attenuation pole can be made close to the cutoff frequency, and the attenuation amount in the attenuation region can be improved. In the present invention, since the SAW resonator is used, the filter can be reduced in size. Further, in the present invention, it is not necessary to increase the number of stages in order to obtain a desired attenuation as in the case of the laminated LC filter, so that the insertion loss of the passband does not increase and the outer shape does not increase. In the present invention, the two-terminal-pair SAW resonator and the first and second one-terminal-pair SAW resonators are formed on the piezoelectric substrate, and the first and second chip inductors are ceramics incorporating the piezoelectric substrate. Mounted in the package, the shortest distance between the signal input terminal wire and the first chip inductor input wire is made larger than the shortest distance between the signal input terminal wire and the second chip inductor input wire, Based on the circuit configuration of the present invention, the shortest distance between the output terminal wire and the second chip inductor output wire is made larger than the shortest distance between the signal output terminal wire and the first chip inductor output wire. The low pass filter can be mounted in the ceramic package without impairing the steep attenuation characteristics. As a result, in the present invention, a small low-pass filter having a low loss and a steep attenuation characteristic can be realized.

また、本発明では、第1のチップインダクタと第2のチップインダクタ間の相互誘導係数が正となるように、第1、第2のチップインダクタをセラミックパッケージ内に配置することにより、本発明の回路構成に基づく急峻な減衰特性を損なうことなく、第1、第2のチップインダクタをセラミックパッケージ内に搭載することができる。   In the present invention, the first and second chip inductors are arranged in the ceramic package so that the mutual induction coefficient between the first chip inductor and the second chip inductor is positive. The first and second chip inductors can be mounted in the ceramic package without impairing the steep attenuation characteristics based on the circuit configuration.

また、本発明では、信号入力端子と接地との間に第4のフィルタを挿入することにより、減衰域の減衰量を更に増大させることができる。   In the present invention, the attenuation amount in the attenuation region can be further increased by inserting the fourth filter between the signal input terminal and the ground.

また、本発明では、セラミックパッケージの第1の接地用パッドと第3の1端子対SAW共振子の第2の端子とを第1の接地用ワイヤを介して接続し、セラミックパッケージの第2の接地用パッドと第3の1端子対SAW共振子の第2の端子とを第2の接地用ワイヤを介して接続し、セラミックパッケージの第3の接地用パッドと2端子対SAW共振子の第3の端子とを第3の接地用ワイヤを介して接続し、セラミックパッケージの第4の接地用パッドと2端子対SAW共振子の第4の端子とを第4の接地用ワイヤを介して接続し、信号入力端子用ワイヤと第1のチップインダクタ入力用ワイヤとの間に第1の接地用ワイヤを配置し、信号入力端子用ワイヤと第2のチップインダクタ入力用ワイヤとの間に第2の接地用ワイヤを配置し、信号出力端子用ワイヤと第2のチップインダクタ出力用ワイヤとの間に第3の接地用ワイヤを配置し、信号出力端子用ワイヤと第1のチップインダクタ出力用ワイヤとの間に第4の接地用ワイヤを配置することにより、減衰域の減衰量を更に増大させることができる。   In the present invention, the first grounding pad of the ceramic package and the second terminal of the third one-terminal pair SAW resonator are connected via the first grounding wire, and the second of the ceramic package is connected. The grounding pad and the second terminal of the third one-terminal pair SAW resonator are connected via a second grounding wire, and the third grounding pad of the ceramic package and the second terminal of the two-terminal pair SAW resonator are connected. 3 terminals are connected via a third grounding wire, and the fourth grounding pad of the ceramic package and the fourth terminal of the two-terminal pair SAW resonator are connected via a fourth grounding wire. The first grounding wire is disposed between the signal input terminal wire and the first chip inductor input wire, and the second is interposed between the signal input terminal wire and the second chip inductor input wire. Place the grounding wire and signal A third grounding wire is disposed between the force terminal wire and the second chip inductor output wire, and a fourth grounding wire is provided between the signal output terminal wire and the first chip inductor output wire. By arranging the wire, the attenuation in the attenuation region can be further increased.

また、本発明では、平面視四角形のセラミックパッケージに対して第1のチップインダクタと第2のチップインダクタとが四角形の対角に位置するように、第1、第2のチップインダクタをセラミックパッケージ内に配置することにより、減衰域の減衰量を更に増大させることができる。   Further, according to the present invention, the first and second chip inductors are placed in the ceramic package so that the first chip inductor and the second chip inductor are located on the diagonal of the square with respect to the ceramic package having a square shape in plan view. By disposing in this manner, the attenuation amount in the attenuation region can be further increased.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態となるローパスフィルタの等価回路図である。図1のローパスフィルタは、第1のフィルタ1と、第2のフィルタ2と、第3のフィルタ3と、第4のフィルタ4とから構成されている。図1において、INは信号入力端子、OUTは信号出力端子である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of a low-pass filter according to an embodiment of the present invention. The low-pass filter in FIG. 1 includes a first filter 1, a second filter 2, a third filter 3, and a fourth filter 4. In FIG. 1, IN is a signal input terminal, and OUT is a signal output terminal.

図2に、第1のフィルタ1の平面図を示す。第1のフィルタ1は、2端子対SAW(Surface Acoustic Wave )共振子11からなる。2端子対SAW共振子11は、圧電基板上に送信用IDT(interdigital transducer :すだれ状電極)150と受信用IDT151とを形成し、さらにその両側にそれぞれ反射器152,153を配置したものである。周知のように、IDTは、金属からなる櫛状の対向する2つの電極部を有し、各電極部は、対向する電極部に向かって交互に突出した複数の電極指を有している。   FIG. 2 shows a plan view of the first filter 1. The first filter 1 includes a two-terminal pair SAW (Surface Acoustic Wave) resonator 11. The two-terminal-pair SAW resonator 11 is formed by forming a transmission IDT (interdigital transducer) 150 and a reception IDT 151 on a piezoelectric substrate, and further arranging reflectors 152 and 153 on both sides thereof. . As is well known, the IDT has two comb-shaped opposing electrode parts made of metal, and each electrode part has a plurality of electrode fingers protruding alternately toward the opposing electrode parts.

図1、図2において、12は2端子対SAW共振子11の第1の端子(フィルタ1の入力端子)、14は2端子対SAW共振子11の第2の端子(フィルタ1の出力端子)、13は2端子対SAW共振子11の第3の端子、15は2端子対SAW共振子11の第4の端子である。第3の端子13と第4の端子15は接地されている。   1 and 2, reference numeral 12 denotes a first terminal of the two-terminal pair SAW resonator 11 (input terminal of the filter 1), and reference numeral 14 denotes a second terminal of the two-terminal pair SAW resonator 11 (output terminal of the filter 1). , 13 is a third terminal of the two-terminal pair SAW resonator 11, and 15 is a fourth terminal of the two-terminal pair SAW resonator 11. The third terminal 13 and the fourth terminal 15 are grounded.

第1のフィルタ1は、2つの反射器152,153間に生じる定在波の周波数とIDT150,151の共振周波数とが一致するときに、入力端子12と出力端子14間に信号が伝送される狭帯域通過フィルタとして動作する。第1のフィルタ1の通過特性の1例を図3に示す。   The first filter 1 transmits a signal between the input terminal 12 and the output terminal 14 when the frequency of the standing wave generated between the two reflectors 152 and 153 matches the resonance frequency of the IDTs 150 and 151. Operates as a narrow band pass filter. An example of the pass characteristic of the first filter 1 is shown in FIG.

図4に、第3のフィルタ3の平面図を示す。第3のフィルタ3は、1端子対SAW共振子31と、1端子対SAW共振子31に並列に接続されたチップインダクタ32とからなる。1端子対SAW共振子31は、圧電基板上に1つのIDT310を形成し、さらにその両側にそれぞれ反射器311,312を配置したものである。チップインダクタ32としては、大きく分けると、導体層を印刷したフェライト等からなるグリーンシートを複数積層することで巻線を形成した積層チップインダクタと、導線を螺旋状に巻いた巻線チップインダクタの2種類がある。図1、図4において、33は1端子対SAW共振子31の第1の端子(IDT310の入力端子)、34は1端子対SAW共振子31の第2の端子(IDT310の出力端子)、35はチップインダクタ32の入力端子、36はチップインダクタ32の出力端子である。   FIG. 4 shows a plan view of the third filter 3. The third filter 3 includes a one-terminal pair SAW resonator 31 and a chip inductor 32 connected in parallel to the one-terminal pair SAW resonator 31. The one-terminal-pair SAW resonator 31 is formed by forming one IDT 310 on a piezoelectric substrate and further arranging reflectors 311 and 312 on both sides thereof. The chip inductor 32 can be broadly divided into a multilayer chip inductor in which a winding is formed by laminating a plurality of green sheets made of ferrite or the like on which a conductor layer is printed, and a winding chip inductor in which a conductive wire is spirally wound. There are types. 1 and 4, reference numeral 33 denotes a first terminal of the one-terminal pair SAW resonator 31 (input terminal of the IDT 310), reference numeral 34 denotes a second terminal of the one-terminal pair SAW resonator 31 (output terminal of the IDT 310), and 35. Is an input terminal of the chip inductor 32, and 36 is an output terminal of the chip inductor 32.

第3のフィルタ3の通過特性の1例を図5に示す。第3のフィルタ3は、2つの減衰極を有する帯域通過フィルタの特性を示す。ただし、図5では、約0.9GHzの低周波側の減衰極のみ記載し、1GHz超の位置にある高周波側の減衰極については省略している。第1のフィルタ1と第3のフィルタ3とを直列に接続し、第1のフィルタ1の通過域(0.9〜1GHz)を第3のフィルタ3の2つの減衰極の間に設定すると、図6に示すように第1のフィルタ1の通過域の両側の約0.9GHzと1GHzの位置に第3のフィルタ3の減衰極が生じ、通過域近傍の減衰量が改善されていることが分かる。   An example of the pass characteristic of the third filter 3 is shown in FIG. The third filter 3 shows the characteristics of a bandpass filter having two attenuation poles. However, in FIG. 5, only the attenuation pole on the low frequency side of about 0.9 GHz is shown, and the attenuation pole on the high frequency side at a position exceeding 1 GHz is omitted. When the first filter 1 and the third filter 3 are connected in series, and the pass band (0.9 to 1 GHz) of the first filter 1 is set between the two attenuation poles of the third filter 3, As shown in FIG. 6, the attenuation pole of the 3rd filter 3 arises in the position of about 0.9 GHz and 1 GHz of the both sides of the pass band of the 1st filter 1, and the attenuation amount of a pass band vicinity is improved. I understand.

フィルタ1,3を直列に接続したフィルタ(以下、直列フィルタ1,3と呼ぶ)と似た構成が、特開昭56−47116号公報に開示されている。特開昭56−47116号公報に開示されたフィルタでは、弾性表面波素子としてトランスバーサルフィルタが使用され、圧電共振子としてセラミック共振子が使用されている。これに対して、本実施の形態の直列フィルタ1,3では、トランスバーサルフィルタの代わりに2端子対SAW共振子11を使用し、また圧電共振子の代わりに1端子対SAW共振子31を使用しており、これらを同一の圧電基板上に形成している点が特開昭56−47116号公報のフィルタと異なる。   A configuration similar to a filter in which filters 1 and 3 are connected in series (hereinafter referred to as series filters 1 and 3) is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-47116. In the filter disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 56-47116, a transversal filter is used as the surface acoustic wave element, and a ceramic resonator is used as the piezoelectric resonator. On the other hand, in the series filters 1 and 3 of this embodiment, the two-terminal pair SAW resonator 11 is used instead of the transversal filter, and the one-terminal pair SAW resonator 31 is used instead of the piezoelectric resonator. However, the point that these are formed on the same piezoelectric substrate is different from the filter of JP-A-56-47116.

次に、本実施の形態では、直列フィルタ1,3において、第1のフィルタ1に並列に第2のフィルタ2を接続することにより、非常に急峻な減衰特性を有するローパスフィルタを実現している。第2のフィルタ2は、第3のフィルタ3と同様に、1端子対SAW共振子21と、1端子対SAW共振子21に並列に接続されたチップインダクタ22とからなる。図1において、23は1端子対SAW共振子21の第1の端子(IDTの入力端子)、24は1端子対SAW共振子21の第2の端子(IDTの出力端子)、25はチップインダクタ22の入力端子、26はチップインダクタ22の出力端子である。   Next, in the present embodiment, a low-pass filter having a very steep attenuation characteristic is realized by connecting the second filter 2 in parallel with the first filter 1 in the series filters 1 and 3. . Similar to the third filter 3, the second filter 2 includes a one-terminal pair SAW resonator 21 and a chip inductor 22 connected in parallel to the one-terminal pair SAW resonator 21. In FIG. 1, reference numeral 23 denotes a first terminal (IDT input terminal) of the one-terminal pair SAW resonator 21, 24 denotes a second terminal (IDT output terminal) of the one-terminal pair SAW resonator 21, and 25 denotes a chip inductor. 22 is an input terminal, and 26 is an output terminal of the chip inductor 22.

図1のローパスフィルタの通過特性の具体例については後述することとし、このローパスフィルタの動作について説明する。まず、第1のフィルタ1について考察する。第1のフィルタ1においては音響的結合が含まれているため、LCフィルタの解析に用いられている影像パラメータ法による解析を直接行うことは困難である。まず影像パラメータ法による解析に帰着するため、以下の変換を行う。一般に、対称2端子対回路は、偶モード励振したときのインピーダンスをZeven、奇モード励振したときのインピーダンスをZoddとすると、図7に示すような対称格子型回路に変形できる。   A specific example of the pass characteristic of the low-pass filter of FIG. 1 will be described later, and the operation of this low-pass filter will be described. First, the first filter 1 will be considered. Since the first filter 1 includes acoustic coupling, it is difficult to directly perform the analysis by the image parameter method used for the analysis of the LC filter. First, in order to return to the analysis by the image parameter method, the following conversion is performed. In general, a symmetric two-terminal pair circuit can be transformed into a symmetric lattice type circuit as shown in FIG. 7, where Zeven is the impedance when the even mode is excited and Zodd is the impedance when the odd mode is excited.

偶モード励振とは、2端子対回路の両端に大きさと位相が同じ電圧を印加することであり、奇モード励振とは、2端子対回路の両端に大きさが同じで位相が反転した電圧を印加することである。偶モードインピーダンスZeven、奇モードインピーダンスZoddは、それぞれの励振モードにおける電圧と流入する電流の比である。また、偶モードインピーダンスZevenと奇モードインピーダンスZoddの値は、回路シミュレータにより容易に計算することができる。図7に示した対称格子型回路は、図8のようなT型回路に容易に変形することができる。図8のT型回路について、影像インピーダンスをZ0、伝搬定数をθとすると、次式が成立する。   Even mode excitation is the application of a voltage having the same magnitude and phase to both ends of a two-terminal pair circuit, and odd mode excitation is the application of a voltage having the same magnitude and opposite phase to both ends of a two-terminal pair circuit. Is to apply. The even mode impedance Zeven and the odd mode impedance Zodd are ratios of the voltage and the inflowing current in the respective excitation modes. In addition, the values of the even mode impedance Zeven and the odd mode impedance Zodd can be easily calculated by a circuit simulator. The symmetrical lattice type circuit shown in FIG. 7 can be easily transformed into a T type circuit as shown in FIG. For the T-type circuit of FIG. 8, if the image impedance is Z0 and the propagation constant is θ, the following equation is established.

Figure 0004768398
Figure 0004768398

影像パラメータ理論によれば、θが虚数のときに通過域、実数のときに減衰域になるから、偶モードインピーダンスZevenと奇モードインピーダンスZoddが異符号のときに通過域、同符号のときに減衰域となる。偶モードインピーダンスZevenと奇モードインピーダンスZoddの符号を調べるには、インピーダンスのリアクタンス部の符号を調べればよい。第1のフィルタ1について、偶モードインピーダンスZevenと奇モードインピーダンスZoddのリアクタンス特性を図9、図10に示す。図10は、図9における0.9〜1GHzの帯域を拡大した図である。   According to the image parameter theory, when θ is an imaginary number, it becomes a passband, and when it is a real number, it becomes a passband, and when the even mode impedance Zeven and odd mode impedance Zodd have different signs, the passband is attenuated. It becomes an area. In order to check the sign of the even mode impedance Zeven and the odd mode impedance Zodd, the sign of the reactance part of the impedance may be checked. FIG. 9 and FIG. 10 show the reactance characteristics of the even-mode impedance Zeven and the odd-mode impedance Zodd for the first filter 1. FIG. 10 is an enlarged view of the band of 0.9 to 1 GHz in FIG.

図9、図10によれば、偶モードインピーダンスZevenと奇モードインピーダンスZoddとが異符号の周波数帯域がフィルタ特性の通過域となり、同符号の周波数帯域が減衰域となっている。上記の説明は、動作原理を説明するために回路が対称回路であるとの仮定をおいている。実際の回路では、IDT150及び151の対数等を異ならせる場合があり、対称性が損なわれる場合があるが、その場合でも原理的には上記説明の延長上にあり、フィルタ特性を直接計算し所望の特性となるよう設計すればよい。   According to FIGS. 9 and 10, the frequency band having the opposite sign of the even mode impedance Zeven and the odd mode impedance Zodd is the pass band of the filter characteristic, and the frequency band of the same sign is the attenuation band. The above description assumes that the circuit is a symmetric circuit in order to explain the principle of operation. In an actual circuit, the logarithms of the IDTs 150 and 151 may be different, and the symmetry may be lost. However, even in this case, in principle, this is an extension of the above description, and the filter characteristics are directly calculated and desired. What is necessary is just to design so that it may become the characteristic of.

第1のフィルタ1に第2のフィルタ2のチップインダクタ22のみを接続した場合のリアクタンス特性を図11、図12に示す。図12は、図11における0.9〜1GHzの帯域を拡大した図である。第1のフィルタ1に並列にチップインダクタ22を接続したことにより、奇モードインピーダンスZoddの符号がほぼ反転し、偶モードインピーダンスZevenと異符合になっていることが分かる。このときの通過特性は、図13のようになり、偶モードインピーダンスZevenと奇モードインピーダンスZoddが同符号となっている一部の帯域(0.94GHz付近)を除いて通過域が形成されている。   Reactance characteristics when only the chip inductor 22 of the second filter 2 is connected to the first filter 1 are shown in FIGS. FIG. 12 is an enlarged view of the band of 0.9 to 1 GHz in FIG. It can be seen that by connecting the chip inductor 22 in parallel to the first filter 1, the sign of the odd mode impedance Zodd is almost inverted and is different from the even mode impedance Zeven. The pass characteristic at this time is as shown in FIG. 13, and a pass band is formed except for a part of the band (near 0.94 GHz) where the even mode impedance Zeven and the odd mode impedance Zodd have the same sign. .

さらに並列に1端子対SAW共振子21を接続した場合、すなわち第1のフィルタ1に第2のフィルタ2を並列に接続した場合のリアクタンス特性を図14、図15に示す。図15は、図14における0.7〜1GHzの帯域を拡大した図である。第1のフィルタ1に第2のフィルタ2を並列に接続すると、1端子対SAW共振子21とチップインダクタ22で決まるピークが現れ、偶モードインピーダンスZevenと奇モードインピーダンスZoddが同符号の周波数帯域、すなわち減衰域が拡大されることが分かる。   14 and 15 show reactance characteristics when the one-terminal pair SAW resonator 21 is connected in parallel, that is, when the second filter 2 is connected to the first filter 1 in parallel. FIG. 15 is an enlarged view of the band of 0.7 to 1 GHz in FIG. When the second filter 2 is connected in parallel to the first filter 1, a peak determined by the one-terminal pair SAW resonator 21 and the chip inductor 22 appears, and the even-mode impedance Zeven and the odd-mode impedance Zodd have the same frequency band, That is, it can be seen that the attenuation range is expanded.

第1のフィルタ1に第2のフィルタ2を並列に接続した場合の通過特性を図16に示す。本実施の形態では、第1のフィルタ1に並列にチップインダクタ22を接続することにより、狭帯域通過フィルタからローパスフィルタに変換することができ、さらに第1のフィルタ1に1端子対SAW共振子21を並列に接続することより、急峻な肩特性と広い減衰域を有するローパスフィルタを実現することができる。   FIG. 16 shows the pass characteristics when the second filter 2 is connected in parallel to the first filter 1. In this embodiment, by connecting a chip inductor 22 in parallel to the first filter 1, it is possible to convert from a narrow-band pass filter to a low-pass filter. Further, the first filter 1 has a one-terminal pair SAW resonator. By connecting 21 in parallel, a low-pass filter having a steep shoulder characteristic and a wide attenuation range can be realized.

そして、フィルタ1,2を並列に接続した構成に図5の特性を有する第3のフィルタ3を直列に接続すると、ローパスフィルタの減衰域の減衰量を増大させることができる。なお、本実施の形態のローパスフィルタの減衰域の高域側の端部周波数は、第1のフィルタ1によりほぼ決定され、減衰域の低域側の端部周波数は、チップインダクタ22と1端子対SAW共振子21により決定される。また、第3のフィルタ3の減衰極周波数を適切に設定することにより、減衰域の周波数特性を設定することができる。   If the third filter 3 having the characteristics shown in FIG. 5 is connected in series to the configuration in which the filters 1 and 2 are connected in parallel, the amount of attenuation in the attenuation region of the low-pass filter can be increased. Note that the end frequency on the high frequency side of the attenuation region of the low-pass filter of the present embodiment is substantially determined by the first filter 1, and the end frequency on the low frequency side of the attenuation region is the terminal of the chip inductor 22 and one terminal. Determined by the pair SAW resonator 21. Further, by appropriately setting the attenuation pole frequency of the third filter 3, the frequency characteristic of the attenuation region can be set.

さらに、信号入力端子INと接地との間に第4のフィルタ4を挿入することにより、ローパスフィルタの減衰域の減衰量を更に増大させることができる。第4のフィルタ4は、1端子対SAW共振子41からなる。1端子対SAW共振子41は、1端子対SAW共振子31と同様に、圧電基板上に1つのIDTを形成し、さらにその両側にそれぞれ反射器を配置したものである。図1において、42は1端子対SAW共振子41の第1の端子、43は1端子対SAW共振子41の第2の端子である。   Furthermore, by inserting the fourth filter 4 between the signal input terminal IN and the ground, the attenuation amount of the attenuation region of the low-pass filter can be further increased. The fourth filter 4 includes a one-terminal pair SAW resonator 41. Similar to the one-terminal pair SAW resonator 31, the one-terminal pair SAW resonator 41 is formed by forming one IDT on a piezoelectric substrate and further arranging reflectors on both sides thereof. In FIG. 1, 42 is a first terminal of the one-terminal pair SAW resonator 41, and 43 is a second terminal of the one-terminal pair SAW resonator 41.

次に、本実施の形態のローパスフィルタの設計法について説明する。まず、以下の(a)〜(d)のような前提条件を定める。
(a)ラダー型のフィルタは、入出力端子間に挿入される素子である直列腕と、入出力端子と接地との間に挿入される素子である並列腕のインピーダンス関係によりフィルタ特性が決まる。
(b)本実施の形態では、ローパスフィルタを直列腕及び並列腕に分解することができないため、ラダー型フィルタとは言えない。よって、ラダー型フィルタの動作説明で使用される影像インピーダンスによる方法を直接適用することはできない。
(c)このため、本実施の形態では、偶モードインピーダンスと奇モードインピーダンスの概念を導入する。
(d)偶モードインピーダンスと奇モードインピーダンスの虚部の符号によりフィルタ特性が定まる。すなわち、偶モードインピーダンスの虚部Im|Zeven|と奇モードインピーダンスの虚部Im|Zodd|とが異符号のとき通過域となり、Im|Zeven|とIm|Zodd|とが同符号のとき減衰域となり、Im|Zeven|とIm|Zodd|とが同じ値のときに減衰極が生じる。
Next, a design method for the low-pass filter of this embodiment will be described. First, preconditions such as the following (a) to (d) are defined.
(A) The filter characteristics of the ladder-type filter are determined by the impedance relationship between the serial arm that is an element inserted between the input / output terminals and the parallel arm that is an element inserted between the input / output terminals and the ground.
(B) In this embodiment, the low-pass filter cannot be decomposed into a serial arm and a parallel arm, and thus cannot be said to be a ladder type filter. Therefore, the image impedance method used in the description of the operation of the ladder filter cannot be directly applied.
(C) For this reason, the present embodiment introduces the concept of even mode impedance and odd mode impedance.
(D) The filter characteristics are determined by the sign of the imaginary part of the even mode impedance and the odd mode impedance. That is, when the imaginary part Im | Zeven | of the even mode impedance and the imaginary part Im | Zodd | of the odd mode impedance have different signs, a pass band is obtained, and when Im | Zeven | and Im | Zodd | Thus, an attenuation pole occurs when Im | Zeven | and Im | Zodd | have the same value.

以下、 第1のフィルタ1に第2のフィルタ2を並列に接続したフィルタについて考える。第1のフィルタ1に第2のフィルタ2を並列に接続したフィルタの偶モードインピーダンスの虚部Im|Zeven|と奇モードインピーダンスの虚部Im|Zodd|を図17に示す。また、図17の場合におけるフィルタの通過特性を図18に示す。偶モードインピーダンスの虚部Im|Zeven|は、主に第1のフィルタ1の素子の値により定まり、奇モードインピーダンスの虚部Im|Zodd|は、主に第2のフィルタ2の素子の値により定まる。   Hereinafter, a filter in which the first filter 1 and the second filter 2 are connected in parallel will be considered. FIG. 17 shows the imaginary part Im | Zeven | of the even mode impedance and the imaginary part Im | Zodd | of the odd mode impedance of a filter in which the second filter 2 is connected to the first filter 1 in parallel. FIG. 18 shows the pass characteristics of the filter in the case of FIG. The imaginary part Im | Zeven | of the even mode impedance is mainly determined by the value of the element of the first filter 1, and the imaginary part Im | Zodd | of the odd mode impedance is mainly determined by the value of the element of the second filter 2. Determined.

図17では、奇モードインピーダンスの虚部Im|Zodd|が零となる周波数P1より低い帯域、及び偶モードインピーダンスの虚部Im|Zeven|が零となる周波数P2より高い帯域で、偶モードインピーダンスの虚部Im|Zeven|と奇モードインピーダンスの虚部Im|Zodd|が異符号となっているため、これらの帯域が通過域となる。   In FIG. 17, the even mode impedance of the band is lower than the frequency P1 where the imaginary part Im | Zodd | of the odd mode impedance becomes zero and the band higher than the frequency P2 where the imaginary part Im | Zeven | of the even mode impedance becomes zero. Since the imaginary part Im | Zeven | and the imaginary part Im | Zodd | of the odd mode impedance have different signs, these bands become the pass band.

一方、周波数P1とP2の間では、偶モードインピーダンスの虚部Im|Zeven|と奇モードインピーダンスの虚部Im|Zodd|が同符号となっているため、周波数P1とP2の間の帯域が減衰域となる。特に、図17に示す破線の帯域Bでは、偶モードインピーダンスの虚部Im|Zeven|と奇モードインピーダンスの虚部Im|Zodd|が同一の値となる周波数が複数生じ、減衰極が形成される。   On the other hand, since the imaginary part Im | Zeven | of the odd mode impedance and the imaginary part Im | Zodd | of the odd mode impedance have the same sign between the frequencies P1 and P2, the band between the frequencies P1 and P2 is attenuated. It becomes an area. In particular, in the band B shown by the broken line in FIG. 17, a plurality of frequencies are generated in which the imaginary part Im | Zeven | of the even mode impedance and the imaginary part Im | Zodd | of the odd mode impedance have the same value, and an attenuation pole is formed. .

所望の通過域と減衰域を得るためには、周波数P1が目的の遮断周波数(通過域の高域側の端部周波数)となるよう調整し、偶モードインピーダンスの虚部Im|Zeven|と奇モードインピーダンスの虚部Im|Zodd|が同じ値となる帯域Bが所望の減衰域と一致するよう調整すればよい。そのためには、まず第1のフィルタ1のIDT150,151の共振波長λ1を調整して、周波数P2が減衰域の高域側の端部周波数付近となるよう設定する。次に、第2のフィルタ2のIDTの共振波長λ2を調整して、図17の帯域Bが目的の減衰域の周波数範囲と一致するよう調整する。このとき、λ2<λ1の関係を満たすようにする。   In order to obtain a desired pass band and attenuation band, the frequency P1 is adjusted so as to be a target cutoff frequency (end frequency on the high band side of the pass band), and the imaginary part Im | Zeven | The band B where the imaginary part Im | Zodd | of the mode impedance has the same value may be adjusted so as to match the desired attenuation range. For this purpose, first, the resonance wavelength λ1 of the IDTs 150 and 151 of the first filter 1 is adjusted, and the frequency P2 is set to be close to the end frequency on the high band side of the attenuation band. Next, the resonance wavelength λ2 of the IDT of the second filter 2 is adjusted so that the band B in FIG. 17 matches the frequency range of the target attenuation region. At this time, the relationship of λ2 <λ1 is satisfied.

第1のフィルタ1に第2のフィルタ2を並列に接続したフィルタにおいてλ2>λ1とした場合のリアクタンス特性を図19に示し、このときの通過特性を図20に示す。図19に示すように、λ2>λ1とした場合、偶モードインピーダンスの虚部Im|Zeven|と奇モードインピーダンスの虚部Im|Zodd|とが連続的に同一の値となる帯域Bがなくなり、周波数P1とP2の間でIm|Zeven|とIm|Zodd|が一致するのは2点のみとなる。このため、減衰極が分離し、図18の場合に比べて減衰域の減衰量が劣化する(図20)。   FIG. 19 shows reactance characteristics when λ2> λ1 in a filter in which the second filter 2 is connected in parallel to the first filter 1, and FIG. 20 shows the pass characteristics at this time. As shown in FIG. 19, when λ2> λ1, there is no band B in which the imaginary part Im | Zeven | of the even mode impedance and the imaginary part Im | Zodd | of the odd mode impedance are continuously the same value, Im | Zeven | and Im | Zodd | match only two points between the frequencies P1 and P2. For this reason, the attenuation poles are separated, and the attenuation amount in the attenuation region is deteriorated as compared with the case of FIG. 18 (FIG. 20).

第2のフィルタ2のIDTの共振波長λ2を変化させると、通過域の高域側の端部周波数を決めるP1が変化するため、チップインダクタ22の長さを調整して、P1が前述のように目的の遮断周波数になるよう設定する。この操作により、偶モードインピーダンスの虚部Im|Zeven|と奇モードインピーダンスの虚部Im|Zodd|が同一の値となる帯域Bが変化するため、波長λ2を調整する。このようなチップインダクタ22の長さの調整と第2のフィルタ2のIDTの共振波長λ2の調整とを、所望の特性を満たすまで繰り返す。   When the resonance wavelength λ2 of the IDT of the second filter 2 is changed, P1 that determines the end frequency on the high pass side of the passband changes. Therefore, the length of the chip inductor 22 is adjusted so that P1 is as described above. Set to the desired cutoff frequency. By this operation, the band B in which the imaginary part Im | Zeven | of the even mode impedance and the imaginary part Im | Zodd | of the odd mode impedance have the same value changes, so the wavelength λ2 is adjusted. The adjustment of the length of the chip inductor 22 and the adjustment of the IDT resonance wavelength λ2 of the second filter 2 are repeated until a desired characteristic is satisfied.

第1のフィルタ1及び第2のフィルタ2のIDTの電極指の交差幅と電極指の対数は、通過域のインピーダンスと帯域Bの傾きに影響を与える。第1のフィルタ1のIDT150,151の電極指の交差幅及び電極指の対数で決まるIm|Zeven|の傾きと第2のフィルタ2のIDTの電極指の交差幅及び電極指の対数で決まるIm|Zodd|の傾きとが一致するように調整すると共に、通過域が所望の特性インピーダンス(通常50Ω)となるよう適切に設定する。以上の調整は、手動で行うことも可能であるが、適切な誤差関数を定めて、コンピュータにより最適な組み合わせを探索するようにすると良い。   The crossing width of the electrode fingers of the IDT of the first filter 1 and the second filter 2 and the logarithm of the electrode fingers affect the impedance of the pass band and the slope of the band B. The slope of Im | Zeven | determined by the cross width of the electrode fingers of the IDTs 150 and 151 of the first filter 1 and the number of pairs of electrode fingers, and the Im determined by the slope of the electrode fingers of the IDT of the second filter 2 and the number of pairs of electrode fingers The slope of | Zodd | is adjusted so as to match, and the pass band is appropriately set to have a desired characteristic impedance (usually 50Ω). Although the above adjustment can be performed manually, it is preferable to determine an appropriate error function and search for an optimal combination by a computer.

なお、以上の設計方法の説明では、第1のフィルタ1のIDT150の共振波長とIDT151の共振波長を同一の値としたが、異なる値に設定しても良い。この場合のリアクタンス特性を図21に示す。IDT150とIDT151の共振波長を異なる値にすると、偶モードインピーダンスの虚部Im|Zeven|と奇モードインピーダンスの虚部Im|Zodd|が同一の値となる帯域Bが拡大し、より広帯域な減衰域を実現することができる。   In the above description of the design method, the resonance wavelength of the IDT 150 and the resonance wavelength of the IDT 151 of the first filter 1 are set to the same value, but may be set to different values. The reactance characteristics in this case are shown in FIG. When the resonance wavelengths of IDT 150 and IDT 151 are different from each other, the band B where the imaginary part Im | Zeven | of the even mode impedance and the imaginary part Im | Zodd | Can be realized.

また、第1のフィルタ1のIDT150とIDT151間の距離を調整すると、偶モードインピーダンスの虚部Im|Zeven|と奇モードインピーダンスの虚部Im|Zodd|が同一の値となる帯域を更に拡大することができ、減衰域を更に拡大することができる。この場合のリアクタンス特性を図22に示す。この調整は、IDT150とIDT151間の距離を通常0.5λとするところを0.7λから0.9λ付近にすると良い。   When the distance between the IDT 150 and the IDT 151 of the first filter 1 is adjusted, the band in which the imaginary part Im | Zeven | of the even mode impedance and the imaginary part Im | Zodd | of the odd mode impedance become the same value is further expanded. And the attenuation range can be further expanded. The reactance characteristics in this case are shown in FIG. For this adjustment, it is preferable to set the distance between the IDT 150 and the IDT 151 to be generally 0.5λ from 0.7λ to about 0.9λ.

第3のフィルタ3は、図5のような通過特性を有している。そこで、第1のフィルタ1に第2のフィルタ2を並列に接続したフィルタと、第3のフィルタ3とにおいて、通過域と減衰域が互いに一致するようにして、これらを従属接続すれば、より減衰量が増大し好ましい。   The third filter 3 has a pass characteristic as shown in FIG. Therefore, in the filter in which the second filter 2 is connected in parallel to the first filter 1 and the third filter 3, if the pass band and the attenuation band coincide with each other and they are connected in cascade, more The amount of attenuation increases, which is preferable.

次に、本実施の形態のローパスフィルタの実装構造について説明する。図1のローパスフィルタを従来の方法で実装すると、図23のようになる。図23の例では、プリント基板500上にセラミックパッケージ501と2つのチップインダクタ22,32とを半田付けしている。セラミックパッケージ501は、図1のローパスフィルタの各構成要素のうちチップインダクタ22,32を除く構成要素を搭載したものである。図23において、502はセラミックパッケージ501の底面に形成されたパッド(不図示)と半田で接続されるフットパターン、503,504はセラミックパッケージ501とチップインダクタ22とを接続する配線、505,506はセラミックパッケージ501とチップインダクタ32とを接続する配線である。   Next, the mounting structure of the low-pass filter of this embodiment will be described. If the low-pass filter of FIG. 1 is mounted by the conventional method, it will become like FIG. In the example of FIG. 23, the ceramic package 501 and the two chip inductors 22 and 32 are soldered on the printed circuit board 500. The ceramic package 501 is provided with components other than the chip inductors 22 and 32 among the components of the low-pass filter of FIG. In FIG. 23, reference numeral 502 denotes a foot pattern connected to a pad (not shown) formed on the bottom surface of the ceramic package 501 by solder, 503 and 504 denote wirings connecting the ceramic package 501 and the chip inductor 22, and 505 and 506 denote This wiring connects the ceramic package 501 and the chip inductor 32.

図23に示したローパスフィルタの通過特性を図24に示す。図24から明らかなように、DC(直流)から710MHzまで低損失な通過域と910MHz付近に40dB以上の減衰域が形成されている。しかしながら、図23のような実装構造では、セラミックパッケージ501とチップインダクタ22,32の実装に一定の距離が必要であり、実装面積が増大しがちである。また、プリント基板500上にセラミックパッケージ501とチップインダクタ22,32とを実装しなければ、最終的なフィルタ特性を評価することができないため、品質管理上問題が生じる可能性がある。   FIG. 24 shows the pass characteristics of the low-pass filter shown in FIG. As is clear from FIG. 24, a low-loss pass band from DC (direct current) to 710 MHz and an attenuation band of 40 dB or more are formed in the vicinity of 910 MHz. However, in the mounting structure as shown in FIG. 23, a certain distance is required for mounting the ceramic package 501 and the chip inductors 22 and 32, and the mounting area tends to increase. Further, if the ceramic package 501 and the chip inductors 22 and 32 are not mounted on the printed circuit board 500, the final filter characteristics cannot be evaluated, which may cause a problem in quality control.

また、チップインダクタ22とセラミックパッケージ501内の1端子対SAW共振子21との接続、およびチップインダクタ32とセラミックパッケージ501内の1端子対SAW共振子31との接続には、セラミックパッケージ501内の配線及びプリント基板500上の配線503〜506が必要であり、配線長が非常に長くなるため、ローパスフィルタの挿入損失の更なる低減を図ることは困難である。   Further, the connection between the chip inductor 22 and the one-terminal pair SAW resonator 21 in the ceramic package 501 and the connection between the chip inductor 32 and the one-terminal pair SAW resonator 31 in the ceramic package 501 are provided in the ceramic package 501. The wiring and wirings 503 to 506 on the printed circuit board 500 are necessary, and the wiring length becomes very long. Therefore, it is difficult to further reduce the insertion loss of the low-pass filter.

これらの問題を解決するため、チップインダクタ22,32をセラミックパッケージ内に搭載する。チップインダクタ22,32をセラミックパッケージ内に搭載した場合のローパスフィルタの通過特性の1例を図25に示す。図25の例では、図24に示した通過特性と比較すると、減衰域のうち特に低周波側の領域Aの減衰量が劣化していることが分かる。   In order to solve these problems, the chip inductors 22 and 32 are mounted in a ceramic package. FIG. 25 shows an example of pass characteristics of the low-pass filter when the chip inductors 22 and 32 are mounted in a ceramic package. In the example of FIG. 25, it can be seen that the attenuation amount in the region A on the low frequency side in the attenuation region is deteriorated as compared with the pass characteristic shown in FIG.

この減衰量の劣化の原因について、シミュレーションによる検討を行った結果、チップインダクタ間及び配線に用いるワイヤ間に相互誘導が生じ、減衰特性が劣化することが判明した。図26に、セラミックパッケージ内のワイヤのインダクタンスを考慮した図1のローパスフィルタの等価回路を示す。図26において、16は信号入力端子用ワイヤ、17は信号出力端子用ワイヤ、27はチップインダクタ22の入力端子と1端子対SAW共振子21の入力端子とを接続するワイヤ、28はチップインダクタ22の出力端子と1端子対SAW共振子21の出力端子とを接続するワイヤ、37はチップインダクタ32の入力端子と1端子対SAW共振子31の入力端子とを接続するワイヤ、38はチップインダクタ32の出力端子と1端子対SAW共振子31の出力端子とを接続するワイヤである。図26では、ワイヤ16,17,27,28,37,38がインダクタンス性を示すため、インダクタとして表現してある。   As a result of examining the cause of the deterioration of the attenuation amount by simulation, it was found that mutual induction occurred between the chip inductors and between the wires used for wiring, and the attenuation characteristics deteriorated. FIG. 26 shows an equivalent circuit of the low-pass filter of FIG. 1 considering the inductance of the wire in the ceramic package. In FIG. 26, 16 is a signal input terminal wire, 17 is a signal output terminal wire, 27 is a wire connecting the input terminal of the chip inductor 22 and the input terminal of the one-terminal pair SAW resonator 21, and 28 is the chip inductor 22. Are connected to the output terminal of the one-terminal pair SAW resonator 21, 37 are connected to the input terminal of the chip inductor 32 and the input terminal of the one-terminal pair SAW resonator 31, and 38 is the chip inductor 32. Are connected to the output terminal of the one-terminal-pair SAW resonator 31. In FIG. 26, the wires 16, 17, 27, 28, 37, and 38 are represented as inductors because they exhibit inductance.

以上のワイヤ間に相互誘導があった場合、ローパスフィルタの特性がどのように変化するかシミュレーションを行った。まず、ワイヤ16と27間の相互誘導αについて検討を行った。ワイヤ16と27間の相互誘導αがない場合の図26のローパスフィルタの通過特性を図27に示し、M>0(Mは相互誘導係数で、ここではM=0.13)の相互誘導αが生じた場合の図26のローパスフィルタの通過特性を図28に示す。   A simulation was conducted to see how the characteristics of the low-pass filter change when there is mutual induction between the above wires. First, the mutual induction α between the wires 16 and 27 was examined. FIG. 27 shows the pass characteristic of the low-pass filter of FIG. 26 when there is no mutual induction α between the wires 16 and 27, and M> 0 (M is a mutual induction coefficient, here M = 0.13). FIG. 28 shows the pass characteristics of the low-pass filter of FIG.

なお、相互誘導係数Mを導入するにあたっては、ワイヤ16,17,27,28,37,38を流れる電流I16,I17,I27,I28,I37,I38の向きを図26のように定義している。
図28の例では、図25の場合と同様に減衰域の低周波側の領域Aの減衰量が図27の場合と比べて劣化しており、相互誘導αがローパスフィルタの減衰特性に大きな影響を与えていることが分かる。同様に、ワイヤ17と38間の相互誘導α’もローパスフィルタの減衰特性に大きな影響を与える。
In introducing the mutual induction coefficient M, the directions of the currents I16, I17, I27, I28, I37, and I38 flowing through the wires 16, 17, 27, 28, 37, and 38 are defined as shown in FIG. .
In the example of FIG. 28, the attenuation amount in the low frequency side region A of the attenuation region is deteriorated as compared with the case of FIG. 27 as in the case of FIG. 25, and the mutual induction α greatly affects the attenuation characteristic of the low-pass filter. It can be seen that Similarly, the mutual induction α ′ between the wires 17 and 38 greatly affects the attenuation characteristic of the low-pass filter.

次に、チップインダクタ22と32間の相互誘導βについて検討する。チップインダクタ22と32間にM>0(ここではM=0.3)の相互誘導βが生じた場合の図26のローパスフィルタの通過特性を図29に示し、M<0(ここではM=−0.3)の相互誘導βが生じた場合の図26のローパスフィルタの通過特性を図30に示す。   Next, the mutual induction β between the chip inductors 22 and 32 will be examined. FIG. 29 shows the pass characteristics of the low-pass filter of FIG. 26 when a mutual induction β of M> 0 (here, M = 0.3) occurs between the chip inductors 22 and 32, and M <0 (here, M = 0). FIG. 30 shows the pass characteristics of the low-pass filter of FIG. 26 when the mutual induction β of −0.3) occurs.

図29、図30の例では、いずれの場合も減衰域の低周波側の領域Aの減衰量が図27の場合と比べて劣化しており、所望の減衰特性を得るためには相互誘導βを低減する必要があることが分かる。ただし、相互誘導係数Mが正の場合(図29)の方が負の場合(図30)に比べて減衰特性の急峻性劣化の度合いが少ないことから、相互誘導βの影響を無くすことが難しいのであれば、相互誘導係数Mを負にするよりも、相互誘導係数Mを正、すなわちチップインダクタ22から生じる磁束とチップインダクタ32から生じる磁束が互いに強めあうようにチップインダクタ22,32を配置した方が望ましいことが分かる。   In the examples of FIGS. 29 and 30, the attenuation amount in the low frequency side region A of the attenuation region is deteriorated compared to the case of FIG. 27 in both cases, and in order to obtain a desired attenuation characteristic, the mutual induction β It can be seen that there is a need to reduce. However, when the mutual induction coefficient M is positive (FIG. 29), the degree of steep deterioration of the attenuation characteristic is less than when the mutual induction coefficient M is negative (FIG. 30), so it is difficult to eliminate the influence of the mutual induction β. In this case, the chip inductors 22 and 32 are arranged so that the mutual induction coefficient M is positive, that is, the magnetic flux generated from the chip inductor 22 and the magnetic flux generated from the chip inductor 32 are strengthened rather than making the mutual induction coefficient M negative. It turns out that it is preferable.

図31は、相互誘導α,α’,βの影響を考慮した本実施の形態の実装構造を示す平面図である。図31において、100はアルミナ等からなるセラミックパッケージ、101はLiTaO3 等からなる圧電基板、102は信号入力用パッド(図26の信号入力端子IN)、103はワイヤを介して1端子対SAW共振子41の第2の端子43と接続される第1の接地用パッド、104はワイヤを介して1端子対SAW共振子41の第2の端子43と接続される第2の接地用パッド、105はワイヤを介して第2のチップインダクタ32の入力端子35と接続される第2のチップインダクタ入力用パッド、106はワイヤを介して第2のチップインダクタ32の出力端子36と接続される第2のチップインダクタ出力用パッド、107はワイヤを介して第1のチップインダクタ22の入力端子25と接続される第1のチップインダクタ入力用パッド、108はワイヤを介して第1のチップインダクタ22の出力端子26と接続される第1のチップインダクタ出力用パッド、109はワイヤを介して2端子対SAW共振子11の第3の端子13と接続される第3の接地用パッド、110はワイヤを介して2端子対SAW共振子11の第4の端子15と接続される第4の接地用パッド、111は信号出力用パッド(図26の信号出力端子OUT)である。 FIG. 31 is a plan view showing the mounting structure of the present embodiment in consideration of the effects of mutual inductions α, α ′, and β. In FIG. 31, 100 is a ceramic package made of alumina or the like, 101 is a piezoelectric substrate made of LiTaO 3 or the like, 102 is a signal input pad (signal input terminal IN in FIG. 26), and 103 is a one-terminal pair SAW resonance via a wire. A first grounding pad 104 connected to the second terminal 43 of the child element 41, a second grounding pad 104 connected to the second terminal 43 of the one-terminal pair SAW resonator 41 via a wire, 105 Is a second chip inductor input pad connected to the input terminal 35 of the second chip inductor 32 via a wire, and 106 is a second chip connected to the output terminal 36 of the second chip inductor 32 via a wire. The chip inductor output pad 107 is a first chip inductor input connected to the input terminal 25 of the first chip inductor 22 through a wire. The pad 108 is a first chip inductor output pad connected to the output terminal 26 of the first chip inductor 22 via a wire, and 109 is the third terminal 13 of the two-terminal pair SAW resonator 11 via the wire. 3 is a third grounding pad connected to, 110 is a fourth grounding pad connected to the fourth terminal 15 of the two-terminal pair SAW resonator 11 via a wire, and 111 is a signal output pad (FIG. 26). Signal output terminal OUT).

112〜117は圧電基板101上に形成された配線であり、112は1端子対SAW共振子41の第1の端子42と1端子対SAW共振子31の第1の端子33とを接続する配線、113は1端子対SAW共振子41の第2の端子43と接続された配線、114は1端子対SAW共振子31の第2の端子34と2端子対SAW共振子11の第1の端子12及び1端子対SAW共振子21の第1の端子23とを接続する配線、115は1端子対SAW共振子21の第2の端子24と2端子対SAW共振子11の第2の端子14とを接続する配線、116は2端子対SAW共振子11の第3の端子13と接続された配線、117は2端子対SAW共振子11の第4の端子15と接続された配線である。また、118〜121はセラミックパッケージ100上に形成された配線であり、118は第2のチップインダクタ32の入力端子35と接続された配線、119は第2のチップインダクタ32の出力端子36と接続された配線、120は第1のチップインダクタ22の入力端子25と接続された配線、121は第1のチップインダクタ22の出力端子26と接続された配線である。圧電基板101上に形成されるフィルタ1〜4の各共振子の電極、配線、パッドの材料としては例えばAlCu(0.5%)がある。また、AlCuに限らず種々の金属や合金を用いてもよい。   Reference numerals 112 to 117 denote wirings formed on the piezoelectric substrate 101, and reference numeral 112 denotes a wiring for connecting the first terminal 42 of the one-terminal pair SAW resonator 41 and the first terminal 33 of the one-terminal pair SAW resonator 31. , 113 is a wiring connected to the second terminal 43 of the one-terminal pair SAW resonator 41, 114 is the second terminal 34 of the one-terminal pair SAW resonator 31, and the first terminal of the two-terminal pair SAW resonator 11 12 and a wiring for connecting the first terminal 23 of the one-terminal pair SAW resonator 21, and 115 a second terminal 24 of the one-terminal pair SAW resonator 21 and a second terminal 14 of the two-terminal pair SAW resonator 11. , 116 is a wiring connected to the third terminal 13 of the two-terminal pair SAW resonator 11, and 117 is a wiring connected to the fourth terminal 15 of the two-terminal pair SAW resonator 11. Reference numerals 118 to 121 denote wirings formed on the ceramic package 100, 118 denotes a wiring connected to the input terminal 35 of the second chip inductor 32, and 119 denotes a connection to the output terminal 36 of the second chip inductor 32. 120 is a wiring connected to the input terminal 25 of the first chip inductor 22, and 121 is a wiring connected to the output terminal 26 of the first chip inductor 22. For example, AlCu (0.5%) is used as the material of the electrodes, wirings, and pads of the resonators of the filters 1 to 4 formed on the piezoelectric substrate 101. Moreover, you may use not only AlCu but a various metal and alloy.

122は信号入力用パッド102と配線112とを接続する信号入力端子用ワイヤ(図26のワイヤ16)、123は第1の接地用パッド103と配線113とを接続する第1の接地用ワイヤ、124は第2の接地用パッド104と配線113とを接続する第2の接地用ワイヤ、125は第2のチップインダクタ入力用パッド105と配線112とを接続する第2のチップインダクタ入力用ワイヤ(図26のワイヤ37)、126は第2のチップインダクタ出力用パッド106と配線114とを接続する第2のチップインダクタ出力用ワイヤ(図26のワイヤ38)、127は第1のチップインダクタ入力用パッド107と配線114とを接続する第1のチップインダクタ入力用ワイヤ(図26のワイヤ27)、128は第1のチップインダクタ出力用パッド108と配線115とを接続する第1のチップインダクタ出力用ワイヤ(図26のワイヤ28)、129は第3の接地用パッド109と配線116とを接続する第3の接地用ワイヤ、130は第4の接地用パッド110と配線117とを接続する第4の接地用ワイヤ、131は信号出力用パッド111と配線115とを接続する信号出力端子用ワイヤ(図26のワイヤ17)である。また、220,320はチップインダクタ22,32の巻線極性を表すマークである。   122 is a signal input terminal wire (wire 16 in FIG. 26) for connecting the signal input pad 102 and the wiring 112, 123 is a first ground wire for connecting the first ground pad 103 and the wiring 113, Reference numeral 124 denotes a second grounding wire for connecting the second grounding pad 104 and the wiring 113, and reference numeral 125 denotes a second chip inductor input wire for connecting the second chip inductor input pad 105 and the wiring 112 ( 26 is a second chip inductor output wire (wire 38 in FIG. 26) for connecting the second chip inductor output pad 106 and the wiring 114, and 127 is a first chip inductor input. A first chip inductor input wire (wire 27 in FIG. 26) and 128 for connecting the pad 107 and the wiring 114 are the first chip inductor. The first chip inductor output wire (wire 28 in FIG. 26) for connecting the data output pad 108 and the wiring 115, and the third ground wire 129 for connecting the third ground pad 109 and the wiring 116 , 130 is a fourth ground wire for connecting the fourth ground pad 110 and the wiring 117, and 131 is a signal output terminal wire for connecting the signal output pad 111 and the wiring 115 (wire 17 in FIG. 26). It is. Reference numerals 220 and 320 denote marks representing the winding polarities of the chip inductors 22 and 32.

図32は、セラミックパッケージ100のパッドと圧電基板101の配線との接続方法、およびチップインダクタ32のセラミックパッケージ100への搭載方法を説明するための斜視図である。なお、図32では、セラミックパッケージ100の一部を透視して記載している。チップインダクタ32は、導電性ペースト132を用いて配線118および119と接続される。チップインダクタ22についても同様にしてセラミックパッケージ100上に搭載される。   FIG. 32 is a perspective view for explaining a method of connecting the pads of the ceramic package 100 and the wiring of the piezoelectric substrate 101 and a method of mounting the chip inductor 32 on the ceramic package 100. In FIG. 32, a part of the ceramic package 100 is seen through. The chip inductor 32 is connected to the wirings 118 and 119 using the conductive paste 132. Similarly, the chip inductor 22 is mounted on the ceramic package 100.

配線119と第2のチップインダクタ出力用パッド106とは、ビアホール133を介して接続される。配線118と第2のチップインダクタ入力用パッド105との接続、配線120と第1のチップインダクタ入力用パッド107との接続、配線121と第1のチップインダクタ出力用パッド108との接続についても同様にビアホールを介して行われる。そして、第2のチップインダクタ出力用パッド106と圧電基板101上の配線114とは、第2のチップインダクタ出力用ワイヤ126を介して接続される。   The wiring 119 and the second chip inductor output pad 106 are connected via a via hole 133. The same applies to the connection between the wiring 118 and the second chip inductor input pad 105, the connection between the wiring 120 and the first chip inductor input pad 107, and the connection between the wiring 121 and the first chip inductor output pad 108. To be done via via holes. The second chip inductor output pad 106 and the wiring 114 on the piezoelectric substrate 101 are connected via a second chip inductor output wire 126.

本実施の形態では、相互誘導α,α’,βの影響を低減するために、信号入力端子用ワイヤ122(図26のワイヤ16)と第1のチップインダクタ入力用ワイヤ127(図26のワイヤ27)間の最短距離を信号入力端子用ワイヤ122と第2のチップインダクタ入力用ワイヤ125(図26のワイヤ37)間の最短距離より大きくし、信号出力端子用ワイヤ131(図26のワイヤ17)と第2のチップインダクタ出力用ワイヤ126(図26のワイヤ38)間の最短距離を信号出力端子用ワイヤ131と第1のチップインダクタ出力用ワイヤ128(図26のワイヤ28)間の最短距離より大きくし、チップインダクタ22,32間の相互誘導係数Mが正となるようにチップインダクタ22,32を配置した。   In the present embodiment, in order to reduce the influence of mutual induction α, α ′, β, the signal input terminal wire 122 (wire 16 in FIG. 26) and the first chip inductor input wire 127 (wire in FIG. 26). 27) is made shorter than the shortest distance between the signal input terminal wire 122 and the second chip inductor input wire 125 (wire 37 in FIG. 26), and the signal output terminal wire 131 (wire 17 in FIG. 26). ) And the second chip inductor output wire 126 (wire 38 in FIG. 26) is the shortest distance between the signal output terminal wire 131 and the first chip inductor output wire 128 (wire 28 in FIG. 26). The chip inductors 22 and 32 are arranged so that the mutual induction coefficient M between the chip inductors 22 and 32 is positive.

相互誘導係数Mを正、すなわちチップインダクタ22から生じる磁束とチップインダクタ32から生じる磁束が互いに強めあうように、チップインダクタ22,32の巻線極性を考慮している。本実施の形態では、チップインダクタ22,32としてQの高い平面型を採用し、巻線極性を表すマーク220,320が互いに反対方向となるようにチップインダクタ22,32を配置した。   The winding polarities of the chip inductors 22 and 32 are taken into consideration so that the mutual induction coefficient M is positive, that is, the magnetic flux generated from the chip inductor 22 and the magnetic flux generated from the chip inductor 32 mutually strengthen. In the present embodiment, a planar type having a high Q is adopted as the chip inductors 22 and 32, and the chip inductors 22 and 32 are arranged so that the marks 220 and 320 indicating the winding polarity are opposite to each other.

以上の図31のレイアウトによる図26のローパスフィルタの通過特性を図33に示す。図33から明らかなように、図31のレイアウトによると、図25の例と比べて減衰域の減衰特性が改善していることが分かる。   FIG. 33 shows the pass characteristics of the low-pass filter of FIG. 26 according to the layout of FIG. As apparent from FIG. 33, according to the layout of FIG. 31, it can be seen that the attenuation characteristics of the attenuation region are improved as compared with the example of FIG.

また、図25の例は、チップインダクタ22と32間に負の相互誘導βが生じている場合についてローパスフィルタの通過特性を示している。この場合は、負の相互誘導βが生じているために、設計値より大きなインダクタンス値のチップインダクタ22,32を用いる必要がある。これに対して、図31、図33の例では、チップインダクタ22と32間に正の相互誘導βが生じているために、設計値より大きなインダクタンス値のチップインダクタ22,32を用いる必要がなくなり、チップインダクタ22,32の直列抵抗を小さくすることができるので、図25の場合よりもローパスフィルタの挿入損失を低減することができる。   In addition, the example of FIG. 25 shows the pass characteristic of the low-pass filter when a negative mutual induction β is generated between the chip inductors 22 and 32. In this case, since negative mutual induction β occurs, it is necessary to use chip inductors 22 and 32 having an inductance value larger than the designed value. On the other hand, in the example of FIGS. 31 and 33, since the positive mutual induction β is generated between the chip inductors 22 and 32, it is not necessary to use the chip inductors 22 and 32 having an inductance value larger than the design value. Since the series resistance of the chip inductors 22 and 32 can be reduced, the insertion loss of the low-pass filter can be reduced as compared with the case of FIG.

以上のように、本実施の形態の回路構成によれば、従来の積層LCフィルタに比べて、非常に急峻な減衰特性を得ることができる。本実施の形態では、SAW共振子を用いるため、フィルタを小型化できる。さらに、本実施の形態では、積層LCフィルタのように所望の減衰量を得るために段数を増やす必要がないので、通過帯域の挿入損失が増大することがなく、外形が大型化することもない。そして、本実施の形態の実装構造によれば、本実施の形態の回路構成に基づく急峻な減衰特性を損なうことなく、ローパスフィルタをセラミックパッケージ内に搭載することができる。その結果、本実施の形態では、低損失で急峻な減衰特性を有する小型のローパスフィルタを実現することができる。本実施の形態では、図23に示したローパスフィルタに比べて、配線長を短くすることができ、挿入損失の低減を図ることができる。   As described above, according to the circuit configuration of the present embodiment, it is possible to obtain a very steep attenuation characteristic as compared with the conventional multilayer LC filter. In this embodiment, since the SAW resonator is used, the filter can be reduced in size. Furthermore, in the present embodiment, there is no need to increase the number of stages in order to obtain a desired attenuation as in the case of the laminated LC filter, so that the insertion loss of the passband does not increase and the outer shape does not increase. . According to the mounting structure of the present embodiment, the low-pass filter can be mounted in the ceramic package without impairing the steep attenuation characteristics based on the circuit configuration of the present embodiment. As a result, in the present embodiment, a small low-pass filter having a low loss and a steep attenuation characteristic can be realized. In this embodiment, compared to the low-pass filter shown in FIG. 23, the wiring length can be shortened, and the insertion loss can be reduced.

また、本実施の形態では、信号入力端子用ワイヤ122(図26のワイヤ16)と第1のチップインダクタ入力用ワイヤ127(図26のワイヤ27)との間に第1の接地用ワイヤ123を配置し、信号入力端子用ワイヤ122と第2のチップインダクタ入力用ワイヤ125(図26のワイヤ37)との間に第2の接地用ワイヤ124を配置し、信号出力端子用ワイヤ131(図26のワイヤ17)と第2のチップインダクタ出力用ワイヤ126(図26のワイヤ38)との間に第3の接地用ワイヤ129を配置し、信号出力端子用ワイヤ131と第1のチップインダクタ出力用ワイヤ128(図26のワイヤ28)との間に第4の接地用ワイヤ130を配置した。この配置により、本実施の形態では、ローパスフィルタの減衰域の減衰量を更に増大させることができる。なお、図26の回路上では第1の接地用ワイヤ123と第2の接地用ワイヤ124をまとめて1本にしても問題ないが、本実施の形態のワイヤ配置を実現するために、第1の接地用ワイヤ123と第2の接地用ワイヤ124の2本を設けている。   In the present embodiment, the first ground wire 123 is provided between the signal input terminal wire 122 (wire 16 in FIG. 26) and the first chip inductor input wire 127 (wire 27 in FIG. 26). The second ground wire 124 is disposed between the signal input terminal wire 122 and the second chip inductor input wire 125 (wire 37 in FIG. 26), and the signal output terminal wire 131 (FIG. 26). The third ground wire 129 is disposed between the second chip inductor output wire 126 and the second chip inductor output wire 126 (wire 38 in FIG. 26), and the signal output terminal wire 131 and the first chip inductor output wire are output. A fourth grounding wire 130 is disposed between the wire 128 (the wire 28 in FIG. 26). With this arrangement, in the present embodiment, the amount of attenuation in the attenuation region of the low-pass filter can be further increased. In the circuit of FIG. 26, there is no problem even if the first grounding wire 123 and the second grounding wire 124 are combined together, but in order to realize the wire arrangement of the present embodiment, the first grounding wire 123 and the second grounding wire 124 are combined. Two grounding wires 123 and a second grounding wire 124 are provided.

なお、平面視四角形のセラミックパッケージ100においてチップインダクタ22と32とが四角形のセラミックパッケージ100の対角に位置するように配置してもよい。この場合のレイアウトを図34に示す。図34のレイアウトによる図26のローパスフィルタの通過特性を図35に示す。図34に示すように、チップインダクタ22と32を対角の位置に配置すれば、チップインダクタ22と32の距離が遠くなり、チップインダクタ22と32間の相互誘導βを低減することができるので、図31の場合に比べてローパスフィルタの減衰域の減衰量を更に増大させることができる。   Note that the chip inductors 22 and 32 in the ceramic package 100 having a square shape in plan view may be disposed so as to be diagonally opposite to the square ceramic package 100. The layout in this case is shown in FIG. FIG. 35 shows the pass characteristics of the low-pass filter of FIG. 26 according to the layout of FIG. As shown in FIG. 34, if the chip inductors 22 and 32 are arranged at diagonal positions, the distance between the chip inductors 22 and 32 is increased, and the mutual induction β between the chip inductors 22 and 32 can be reduced. As compared with the case of FIG. 31, the attenuation amount of the attenuation region of the low-pass filter can be further increased.

なお、本実施の形態では、巻線の軸が図31の紙面と垂直な平面型のチップインダクタ22,32を使用したが、巻線の軸が図31の紙面と平行な横巻き型のチップインダクタ22,32を使用してもよい。チップインダクタ22とチップインダクタ32のうち、一方を平面型とし、他方を横巻き型にすることによっても、相互誘導が削減できることは、先のシミュレーション結果より明らかである。   In this embodiment, planar chip inductors 22 and 32 whose winding axis is perpendicular to the paper surface of FIG. 31 are used. However, a laterally wound chip whose winding axis is parallel to the paper surface of FIG. Inductors 22 and 32 may be used. It is clear from the previous simulation result that mutual induction can be reduced by using one of the chip inductor 22 and the chip inductor 32 as a planar type and the other as a horizontal winding type.

本発明は、例えばTV放送受信用チューナ付き携帯電話機のチューナ回路に適用することができる。   The present invention can be applied to, for example, a tuner circuit of a mobile phone with a TV broadcast receiving tuner.

本発明の実施の形態となるローパスフィルタの等価回路図である。1 is an equivalent circuit diagram of a low-pass filter according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態における第1のフィルタの平面図である。It is a top view of the 1st filter in an embodiment of the invention. 本発明の実施の形態における第1のフィルタの通過特性の1例を示す図である。It is a figure which shows one example of the passage characteristic of the 1st filter in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態における第3のフィルタの平面図である。It is a top view of the 3rd filter in an embodiment of the invention. 本発明の実施の形態における第3のフィルタの通過特性の1例を示す図である。It is a figure which shows one example of the passage characteristic of the 3rd filter in embodiment of this invention. 第1のフィルタと第3のフィルタとを直列に接続したフィルタの通過特性の1例を示す図である。It is a figure which shows an example of the pass characteristic of the filter which connected the 1st filter and the 3rd filter in series. 対称2端子対回路を変形した対称格子型回路の等価回路図である。FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of a symmetric lattice type circuit obtained by modifying a symmetric two-terminal pair circuit. 図7の対称格子型回路を変形したT型回路の等価回路図である。FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of a T-type circuit obtained by modifying the symmetric lattice type circuit of FIG. 7. 本発明の実施の形態における第1のフィルタについて偶モードインピーダンスと奇モードインピーダンスのリアクタンス特性の1例を示す図である。It is a figure which shows one example of the reactance characteristic of even mode impedance and odd mode impedance about the 1st filter in embodiment of this invention. 図9を拡大した図である。FIG. 10 is an enlarged view of FIG. 9. 本発明の実施の形態において第1のフィルタに第2のフィルタの位相線路を接続した場合のリアクタンス特性の1例を示す図である。It is a figure which shows an example of the reactance characteristic at the time of connecting the phase line of a 2nd filter to the 1st filter in embodiment of this invention. 図11を拡大した図である。It is the figure which expanded FIG. 本発明の実施の形態において第1のフィルタに第2のフィルタの位相線路のみを接続した場合の通過特性の1例を示す図である。It is a figure which shows an example of the passage characteristic at the time of connecting only the phase line of a 2nd filter to the 1st filter in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態において第1のフィルタに第2のフィルタを並列に接続した場合のリアクタンス特性の1例を示す図である。It is a figure which shows an example of the reactance characteristic at the time of connecting a 2nd filter to a 1st filter in parallel in embodiment of this invention. 図14を拡大した図である。It is the figure which expanded FIG. 本発明の実施の形態において第1のフィルタに第2のフィルタを並列に接続した場合の通過特性の1例を示す図である。It is a figure which shows an example of the passage characteristic at the time of connecting a 2nd filter to a 1st filter in parallel in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態において第1のフィルタに第2のフィルタを並列に接続した場合のリアクタンス特性の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the reactance characteristic at the time of connecting a 2nd filter in parallel with a 1st filter in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態において第1のフィルタに第2のフィルタを並列に接続した場合の通過特性の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the passage characteristic at the time of connecting the 2nd filter in parallel with the 1st filter in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態において第1のフィルタに第2のフィルタを並列に接続した場合のリアクタンス特性の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the reactance characteristic at the time of connecting a 2nd filter in parallel with a 1st filter in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態において第1のフィルタに第2のフィルタを並列に接続した場合の通過特性の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the passage characteristic at the time of connecting the 2nd filter in parallel with the 1st filter in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態において第1のフィルタに第2のフィルタを並列に接続した場合のリアクタンス特性の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the reactance characteristic at the time of connecting a 2nd filter in parallel with a 1st filter in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態において第1のフィルタに第2のフィルタを並列に接続した場合のリアクタンス特性の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the reactance characteristic at the time of connecting a 2nd filter in parallel with a 1st filter in embodiment of this invention. 図1のローパスフィルタを従来の方法で実装したときのレイアウトを示す平面図である。It is a top view which shows a layout when the low-pass filter of FIG. 1 is mounted by the conventional method. 図23のローパスフィルタの通過特性の1例を示す図である。FIG. 24 is a diagram illustrating an example of pass characteristics of the low-pass filter of FIG. 23. チップインダクタをセラミックパッケージ内に搭載した場合のローパスフィルタの通過特性の1例を示す図である。It is a figure which shows an example of the pass characteristic of a low pass filter at the time of mounting a chip inductor in a ceramic package. セラミックパッケージ内のワイヤのインダクタンスを考慮した図1のローパスフィルタの等価回路図である。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the low-pass filter of FIG. 1 in consideration of the inductance of the wire in the ceramic package. ワイヤ間の相互誘導がない場合の図26のローパスフィルタの通過特性の1例を示す図である。It is a figure which shows an example of the passage characteristic of the low pass filter of FIG. 26 when there is no mutual induction between wires. ワイヤ間に相互誘導が生じた場合の図26のローパスフィルタの通過特性の1例を示す図である。FIG. 27 is a diagram illustrating an example of pass characteristics of the low-pass filter of FIG. 26 when mutual induction occurs between wires. チップインダクタ間に正の相互誘導が生じた場合の図26のローパスフィルタの通過特性の1例を示す図である。FIG. 27 is a diagram illustrating an example of pass characteristics of the low-pass filter of FIG. 26 when positive mutual induction occurs between chip inductors. チップインダクタ間に負の相互誘導が生じた場合の図26のローパスフィルタの通過特性の1例を示す図である。FIG. 27 is a diagram illustrating an example of pass characteristics of the low-pass filter of FIG. 26 when negative mutual induction occurs between chip inductors. 本発明の実施の形態のローパスフィルタのレイアウトを示す平面図である。It is a top view which shows the layout of the low-pass filter of embodiment of this invention. セラミックパッケージのパッドと圧電基板の配線との接続方法およびチップインダクタのセラミックパッケージへの搭載方法を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the connection method of the pad of a ceramic package, and the wiring of a piezoelectric substrate, and the mounting method to the ceramic package of a chip inductor. 図31のローパスフィルタの通過特性の1例を示す図である。FIG. 32 is a diagram illustrating an example of pass characteristics of the low-pass filter of FIG. 31. 本発明の実施の形態のローパスフィルタの他のレイアウトを示す平面図である。It is a top view which shows the other layout of the low-pass filter of embodiment of this invention. 図34のローパスフィルタの通過特性の1例を示す図である。FIG. 35 is a diagram illustrating an example of pass characteristics of the low-pass filter of FIG. 34. 従来の積層LCローパスフィルタの等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of a conventional laminated LC low-pass filter. 図36の積層LCローパスフィルタの通過特性の1例を示す図である。FIG. 37 is a diagram illustrating an example of pass characteristics of the multilayer LC low-pass filter of FIG. 36.

符号の説明Explanation of symbols

1…第1のフィルタ、2…第2のフィルタ、3…第3のフィルタ、4…第4のフィルタ、11…2端子対SAW共振子、21、31、41…1端子対SAW共振子、22、32…チップインダクタ、100…セラミックパッケージ、101…圧電基板、102…信号入力用パッド、103…第1の接地用パッド、104…第2の接地用パッド、105…第2のチップインダクタ入力用パッド、106…第2のチップインダクタ出力用パッド、107…第1のチップインダクタ入力用パッド、108…第1のチップインダクタ出力用パッド、109…第3の接地用パッド、110…第4の接地用パッド、111…信号出力用パッド、122…信号入力端子用ワイヤ、123…第1の接地用ワイヤ、124…第2の接地用ワイヤ、125…第2のチップインダクタ入力用ワイヤ、126…第2のチップインダクタ出力用ワイヤ、127…第1のチップインダクタ入力用ワイヤ、128…第1のチップインダクタ出力用ワイヤ、129…第3の接地用ワイヤ、130…第4の接地用ワイヤ、131…信号出力端子用ワイヤ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st filter, 2 ... 2nd filter, 3 ... 3rd filter, 4 ... 4th filter, 11 ... 2 terminal pair SAW resonator, 21, 31, 41 ... 1 terminal pair SAW resonator, 22, 32 ... Chip inductor, 100 ... Ceramic package, 101 ... Piezoelectric substrate, 102 ... Signal input pad, 103 ... First ground pad, 104 ... Second ground pad, 105 ... Second chip inductor input 106, second chip inductor output pad, 107, first chip inductor input pad, 108, first chip inductor output pad, 109, third ground pad, 110, fourth pad. Grounding pads, 111... Signal output pads, 122... Signal input terminal wires, 123... First grounding wires, 124. Inductor input wire, 126 ... second chip inductor output wire, 127 ... first chip inductor input wire, 128 ... first chip inductor output wire, 129 ... third ground wire, 130 ... first 4 grounding wires, 131... Signal output terminal wires.

Claims (5)

第1のフィルタと、この第1のフィルタに並列に接続された第2のフィルタと、前記第1、第2のフィルタと信号入力端子との間に挿入された第3のフィルタとを有し、
前記第1のフィルタは、第1の端子が前記第3のフィルタに接続され、第2の端子が信号出力端子に接続され、第3の端子と第4の端子が接地された2端子対SAW共振子からなり、
前記第2のフィルタは、第1の端子が前記2端子対SAW共振子の第1の端子に接続され、第2の端子が前記2端子対SAW共振子の第2の端子に接続された第1の1端子対SAW共振子と、この第1の1端子対SAW共振子に並列に接続された第1のチップインダクタとからなり、
前記第3のフィルタは、第1の端子が前記信号入力端子に接続され、第2の端子が前記第1、第2のフィルタの第1の端子に接続された第2の1端子対SAW共振子と、この第2の1端子対SAW共振子に並列に接続された第2のチップインダクタとからなり、
前記2端子対SAW共振子と前記第1、第2の1端子対SAW共振子とが、圧電基板上に形成され、前記第1、第2のチップインダクタが、前記圧電基板を内蔵するセラミックパッケージ内に搭載され、
前記セラミックパッケージの信号入力用パッドと前記圧電基板上の前記信号入力端子とが信号入力端子用ワイヤを介して接続され、前記セラミックパッケージの第1のチップインダクタ入力用パッドと前記第1の1端子対SAW共振子の第1の端子とが第1のチップインダクタ入力用ワイヤを介して接続され、前記セラミックパッケージの第1のチップインダクタ出力用パッドと前記第1の1端子対SAW共振子の第2の端子とが第1のチップインダクタ出力用ワイヤを介して接続され、前記セラミックパッケージの第2のチップインダクタ入力用パッドと前記第2の1端子対SAW共振子の第1の端子とが第2のチップインダクタ入力用ワイヤを介して接続され、前記セラミックパッケージの第2のチップインダクタ出力用パッドと前記第2の1端子対SAW共振子の第2の端子とが第2のチップインダクタ出力用ワイヤを介して接続され、前記セラミックパッケージの信号出力用パッドと前記圧電基板上の前記信号出力端子とが信号出力端子用ワイヤを介して接続され、
前記信号入力端子用ワイヤと前記第1のチップインダクタ入力用ワイヤ間の最短距離が、前記信号入力端子用ワイヤと前記第2のチップインダクタ入力用ワイヤ間の最短距離より大きく、前記信号出力端子用ワイヤと前記第2のチップインダクタ出力用ワイヤ間の最短距離が、前記信号出力端子用ワイヤと前記第1のチップインダクタ出力用ワイヤ間の最短距離より大きいことを特徴とするローパスフィルタ。
A first filter; a second filter connected in parallel to the first filter; and a third filter inserted between the first and second filters and a signal input terminal. ,
The first filter has a first terminal connected to the third filter, a second terminal connected to a signal output terminal, and a two-terminal pair SAW in which the third terminal and the fourth terminal are grounded. Consisting of a resonator,
The second filter has a first terminal connected to a first terminal of the two-terminal pair SAW resonator, and a second terminal connected to a second terminal of the two-terminal pair SAW resonator. 1 one-terminal-pair SAW resonator and a first chip inductor connected in parallel to the first one-terminal-pair SAW resonator,
The third filter has a first one-terminal pair SAW resonance in which a first terminal is connected to the signal input terminal and a second terminal is connected to the first terminals of the first and second filters. And a second chip inductor connected in parallel to the second one-terminal-pair SAW resonator,
The two-terminal pair SAW resonator and the first and second one-terminal pair SAW resonators are formed on a piezoelectric substrate, and the first and second chip inductors incorporate the piezoelectric substrate. Mounted in the
A signal input pad of the ceramic package and the signal input terminal on the piezoelectric substrate are connected via a signal input terminal wire, and the first chip inductor input pad of the ceramic package and the first one terminal The first terminal of the pair of SAW resonators is connected via a first chip inductor input wire, and the first chip inductor output pad of the ceramic package and the first pair of SAW resonators of the first one-terminal pair of SAW resonators. Two terminals are connected via a first chip inductor output wire, and the second chip inductor input pad of the ceramic package and the first terminal of the second one-terminal-pair SAW resonator are the first ones. Two chip inductor input pads connected to the second chip inductor output pad of the ceramic package and the first chip inductor output pad. And a second output terminal of the SAW resonator are connected via a second chip inductor output wire, and the signal output pad of the ceramic package and the signal output terminal on the piezoelectric substrate output a signal. Connected through the terminal wire,
The shortest distance between the signal input terminal wire and the first chip inductor input wire is larger than the shortest distance between the signal input terminal wire and the second chip inductor input wire, and the signal output terminal A low-pass filter, wherein a shortest distance between the wire and the second chip inductor output wire is larger than a shortest distance between the signal output terminal wire and the first chip inductor output wire.
請求項1記載のローパスフィルタにおいて、
前記第1のチップインダクタと前記第2のチップインダクタ間の相互誘導係数が正となるように、前記第1、第2のチップインダクタを前記セラミックパッケージ内に配置することを特徴とするローパスフィルタ。
The low-pass filter according to claim 1, wherein
The low-pass filter, wherein the first and second chip inductors are arranged in the ceramic package so that a mutual induction coefficient between the first chip inductor and the second chip inductor is positive.
請求項1記載のローパスフィルタにおいて、
さらに、前記信号入力端子と接地との間に挿入される第4のフィルタを前記圧電基板上に有し、
この第4のフィルタは、第1の端子が前記信号入力端子と接続され、第2の端子が接地される第3の1端子対SAW共振子からなることを特徴とするローパスフィルタ。
The low-pass filter according to claim 1, wherein
Furthermore, the piezoelectric filter has a fourth filter inserted between the signal input terminal and the ground,
The fourth filter comprises a third one-terminal pair SAW resonator in which a first terminal is connected to the signal input terminal and a second terminal is grounded.
請求項3記載のローパスフィルタにおいて、
前記セラミックパッケージの第1の接地用パッドと前記第3の1端子対SAW共振子の第2の端子とが第1の接地用ワイヤを介して接続され、前記セラミックパッケージの第2の接地用パッドと前記第3の1端子対SAW共振子の第2の端子とが第2の接地用ワイヤを介して接続され、前記セラミックパッケージの第3の接地用パッドと前記2端子対SAW共振子の第3の端子とが第3の接地用ワイヤを介して接続され、前記セラミックパッケージの第4の接地用パッドと前記2端子対SAW共振子の第4の端子とが第4の接地用ワイヤを介して接続され、
前記信号入力端子用ワイヤと前記第1のチップインダクタ入力用ワイヤとの間に前記第1の接地用ワイヤを配置し、前記信号入力端子用ワイヤと前記第2のチップインダクタ入力用ワイヤとの間に前記第2の接地用ワイヤを配置し、前記信号出力端子用ワイヤと前記第2のチップインダクタ出力用ワイヤとの間に前記第3の接地用ワイヤを配置し、前記信号出力端子用ワイヤと前記第1のチップインダクタ出力用ワイヤとの間に前記第4の接地用ワイヤを配置することを特徴とするローパスフィルタ。
The low-pass filter according to claim 3,
The first ground pad of the ceramic package and the second terminal of the third one-terminal pair SAW resonator are connected via a first ground wire, and the second ground pad of the ceramic package And the second terminal of the third one-terminal pair SAW resonator are connected via a second grounding wire, and the third grounding pad of the ceramic package and the second terminal of the two-terminal pair SAW resonator are connected to each other. 3 terminals are connected via a third grounding wire, and the fourth grounding pad of the ceramic package and the fourth terminal of the two-terminal-pair SAW resonator are connected via a fourth grounding wire. Connected,
The first grounding wire is disposed between the signal input terminal wire and the first chip inductor input wire, and between the signal input terminal wire and the second chip inductor input wire. The second grounding wire is disposed between the signal output terminal wire and the second chip inductor output wire, and the signal output terminal wire The low-pass filter, wherein the fourth grounding wire is arranged between the first chip inductor output wire.
請求項1乃至4のいずれか1項に記載のローパスフィルタにおいて、
平面視四角形の前記セラミックパッケージに対して前記第1のチップインダクタと前記第2のチップインダクタとが前記四角形の対角に位置するように、前記第1、第2のチップインダクタを前記セラミックパッケージ内に配置することを特徴とするローパスフィルタ。
The low-pass filter according to any one of claims 1 to 4,
The first and second chip inductors are placed in the ceramic package so that the first chip inductor and the second chip inductor are located diagonally to the square with respect to the ceramic package having a square shape in plan view. A low-pass filter characterized by being arranged in
JP2005317026A 2005-10-31 2005-10-31 Low pass filter Expired - Fee Related JP4768398B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005317026A JP4768398B2 (en) 2005-10-31 2005-10-31 Low pass filter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005317026A JP4768398B2 (en) 2005-10-31 2005-10-31 Low pass filter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007124537A JP2007124537A (en) 2007-05-17
JP4768398B2 true JP4768398B2 (en) 2011-09-07

Family

ID=38147840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005317026A Expired - Fee Related JP4768398B2 (en) 2005-10-31 2005-10-31 Low pass filter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4768398B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012108254A1 (en) 2011-02-09 2012-08-16 株式会社村田製作所 High-frequency module
CN112468111B (en) * 2020-12-07 2022-07-12 诺思(天津)微系统有限责任公司 Method for improving nonlinear performance, acoustic wave filter, multiplexer and communication equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007124537A (en) 2007-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5817795B2 (en) High frequency module
JP3972810B2 (en) Duplexer and communication device
US7924118B2 (en) Duplexer and elastic wave device
JP3614369B2 (en) Polarized SAW filter
JP6249020B2 (en) High frequency module
JP5943158B1 (en) High frequency module
JP5100890B2 (en) Surface acoustic wave filter and duplexer using the same
JP6183461B2 (en) High frequency module
US8581674B2 (en) Filter and communications apparatus
US6300849B1 (en) Distributed element filter
JPWO2015104882A1 (en) High frequency module
JP6183462B2 (en) High frequency module
US10666229B2 (en) Duplexer
KR102424038B1 (en) multiplexer
JP4627198B2 (en) Low pass filter
JP4768398B2 (en) Low pass filter
US20200252054A1 (en) Duplexer
JP4758201B2 (en) Low pass filter and its adjustment method
US20220329226A1 (en) Filter device and communication apparatus
JP2005286893A (en) Passband flatness compensation circuit and filter
JPH07231242A (en) Surface acoustic wave filter, branching filter and mobile radio equipment
JP4813984B2 (en) Low pass filter
WO2018003378A1 (en) Filter device and multiplexer
JPWO2020105589A1 (en) Extractor
JP4694868B2 (en) Surface acoustic wave filter

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080912

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110530

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110614

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110616

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4768398

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140624

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140624

Year of fee payment: 3

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140624

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees