JPH07312300A - High voltage power source device - Google Patents
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- JPH07312300A JPH07312300A JP10274994A JP10274994A JPH07312300A JP H07312300 A JPH07312300 A JP H07312300A JP 10274994 A JP10274994 A JP 10274994A JP 10274994 A JP10274994 A JP 10274994A JP H07312300 A JPH07312300 A JP H07312300A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば高エネルギーイ
オン注入装置のイオン引出し電源や加速電源等に供され
る高電圧電源装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high voltage power supply device for use as, for example, an ion extraction power supply or an acceleration power supply of a high energy ion implantation device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】イオン注入装置は、拡散したい不純物を
イオン化し、電界によって引出してビームを形成した
後、質量分析法により必要な不純物イオンのみを選択的
に取り出し、さらに所定エネルギーまでビームを加速し
てビーム照射対象物に照射することで、ビーム照射対象
物内に不純物を注入するものであり、半導体プロセスに
おいてデバイスの特性を決定する不純物を任意の量およ
び深さに制御性良く注入できることから、現在の半導体
集積回路の製造に重要な装置になっている。2. Description of the Related Art An ion implanter ionizes impurities to be diffused, extracts them by an electric field to form a beam, selectively extracts only necessary impurity ions by mass spectrometry, and further accelerates the beam to a predetermined energy. By irradiating the beam irradiation target with a beam, the impurities are implanted into the beam irradiation target, and the impurities that determine the characteristics of the device in the semiconductor process can be injected with a good controllability to an arbitrary amount and depth. It is an important device in the manufacture of current semiconductor integrated circuits.
【０００３】このイオン注入装置には、ＭｅＶ注入エネ
ルギーを持つ高エネルギーイオン注入装置があり、近
年、Ｃ−ＭＯＳデバイス製造プロセスにおけるレトログ
レイドウエルの形成、ＲＯＭ後書き込み等を、高エネル
ギーイオン注入で行う利点が明らかになったことから、
この高エネルギーイオン注入装置の必要性が高まってい
る。This ion implanter includes a high energy ion implanter having MeV implant energy, and in recent years, formation of a retrograde well, post-ROM writing and the like in a C-MOS device manufacturing process are performed by high energy ion implant. As the benefits became clear,
The need for this high energy ion implanter is increasing.
【０００４】上記の高エネルギーイオン注入装置では、
イオン引出し電源や加速電源が大型になり、これがイオ
ン注入装置全体の大型化およびコスト高を招く一因とな
っており、イオン引出し電源や加速電源として用いられ
る高電圧電源装置の小型化および低コスト化が望まれて
いる。In the above high energy ion implanter,
The ion extraction power supply and acceleration power supply become large in size, which is one of the causes of the large size and high cost of the ion implantation device.The high voltage power supply used as the ion extraction power supply and acceleration power supply is downsized and the cost is low. Is desired.
【０００５】上記高電圧電源装置は、高周波トランス
（変圧器）と、該高周波トランスの２次電圧を高電圧に
昇圧する高圧発生部とからなり、高圧発生部は、コック
クロフト・ウォルトン回路（以下、Ｃ．Ｗ．回路と略記
する）と、このＣ．Ｗ．回路におけるグランドとの間の
ストレーキャパシタンスの影響を抑制するための共振コ
イルと、コントローラへの信号入力のためにＣ．Ｗ．回
路の出力電圧を分圧する高圧側抵抗分圧器とからなる。The high-voltage power supply device comprises a high-frequency transformer (transformer) and a high-voltage generator for boosting the secondary voltage of the high-frequency transformer to a high voltage. The high-voltage generator is a Cockcroft-Walton circuit (hereinafter C.W. circuit). W. A resonant coil for suppressing the effect of stray capacitance to ground in the circuit, and a C.I. for signal input to the controller. W. It consists of a high-voltage resistance voltage divider that divides the output voltage of the circuit.
【０００６】従来の空気絶縁型の高電圧電源装置の高圧
発生部は、高圧側抵抗分圧器とＣ．Ｗ．回路とが、それ
ぞれ別のモールド体にて構成されており、これらのモー
ルド体を組み立てて製造される。The high voltage generating unit of the conventional air-insulated high voltage power supply device includes a high voltage side resistance voltage divider and a C.I. W. The circuit and the molded body are separately formed, and these molded bodies are assembled and manufactured.
【０００７】上記高圧側抵抗分圧器は、中空状の絶縁ス
タックボビン内に入れられると共に、そのボビン内にエ
ポキシ樹脂等の絶縁樹脂モールド材が充填されて一体成
形される。以下、このモールド体を高圧側抵抗分圧器ス
タックボビン５１（図６参照）と称する。The high-voltage-side resistance voltage divider is placed in a hollow insulating stack bobbin, and the bobbin is filled with an insulating resin molding material such as epoxy resin to be integrally molded. Hereinafter, this molded body is referred to as a high voltage side resistance voltage divider stack bobbin 51 (see FIG. 6).
【０００８】また、多段構成のＣ．Ｗ．回路は、各段が
円盤状のモールド体に構成され、図６に示すように、こ
れら各段の円盤状モールド体５２…を一方向に積み重ね
て構成される。In addition, the C.I. W. The circuit is formed by a disc-shaped molded body at each stage, and as shown in FIG. 6, the disc-shaped molded bodies 52 at each stage are stacked in one direction.
【０００９】各円盤状モールド体５２は、図７に示すよ
うに、合成樹脂からなる円盤状の中空状容器５２ａの中
に、図示しないＣ．Ｗ．回路一段分の構成部品（図示し
ないコンデンサ、ダイオード等）を配すると共にエポキ
シ樹脂等の硬質の絶縁樹脂モールド材５２ｂを充填して
一体成形したものである。そして、各円盤状モールド体
５２間は、複数箇所（同図には１箇所のみ図示）に設け
られた金属製の電気回路端子５３によって電気的且つ物
理的（機械的）に接続されている。As shown in FIG. 7, each disk-shaped mold body 52 is made of a synthetic resin and has a disk-shaped hollow container 52a. W. The components for one stage of the circuit (capacitors, diodes, etc., not shown) are arranged, and a hard insulating resin molding material 52b such as epoxy resin is filled and integrally molded. The disk-shaped mold bodies 52 are electrically and physically (mechanically) connected to each other by metal electric circuit terminals 53 provided at a plurality of locations (only one location is shown in the figure).
【００１０】図６に示すように、上記各円盤状モールド
体５２には、高圧側抵抗分圧器スタックボビン５１を貫
通させる図示しない貫通孔が形成されており、複数の円
盤状モールド体５２…を段積みしてなるＣ．Ｗ．回路に
上記高圧側抵抗分圧器スタックボビン５１を組み付けて
電気的に接続すると共に、Ｃ．Ｗ．回路の最上段の端子
に共振コイル５５を接続することにより、高電圧電源装
置の高圧発生部が組み立てられる。As shown in FIG. 6, each disk-shaped mold body 52 is formed with a through hole (not shown) through which the high-voltage-side resistance voltage divider stack bobbin 51 passes, and a plurality of disk-shaped mold bodies 52 ... Stacked C.I. W. The high-voltage side resistance voltage divider stack bobbin 51 is assembled in the circuit for electrical connection, and C.I. W. By connecting the resonance coil 55 to the uppermost terminal of the circuit, the high voltage generator of the high voltage power supply device is assembled.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、図７の電気回路端子５３がＣ．Ｗ．回路
の段積み機構強度を保持する構造となっているので、多
段積みではどうしても電気回路端子５３に機械的曲げ応
力が作用する。即ち、装置の自重と外力とにより、電気
回路端子５３には、応力がインパルス的または定常的に
印加される。このため、図８に示すように、電気回路端
子５３と絶縁樹脂モールド材５２ｂとの境界部分におい
て、絶縁樹脂モールド材５２ｂにクラックが発生し易
い。クラックが発生すると、電気回路端子５３・５３間
の静電電位分布に、クラックにより形成された隙間５６
の空気絶縁キャパシタンスＣ′が、新たに追加される。
空気の誘電率は絶縁樹脂モールド材５２ｂの誘電率より
も低く、また、電気回路端子５３・５３間における隙間
部分の距離Ｌ′は、絶縁樹脂モールド材５２ｂが存在す
る部分の距離Ｌよりも非常に短いので、空気絶縁キャパ
シタンスＣ′は、絶縁樹脂モールド材５２ｂが存在する
部分のキャパシタンスＣに比べて非常に小さい。したが
って、狭い隙間５６には、周囲の絶縁樹脂モールド材５
２ｂよりも相対的に高い電圧ｖ1 が印加されることにな
る。尚、同図中のＶは、電気回路端子５３・５３間の電
圧（Ｃ．Ｗ．回路の一段当たりの印加電圧）、ｖ2 は絶
縁樹脂モールド材５２ｂに印加される分布絶縁電位であ
り、Ｖ＝ｖ1 ＋ｖ2 、ｖ1 ≫ｖ2 である。However, in the above conventional structure, the electric circuit terminal 53 of FIG. W. Since the structure is such that the stacking mechanism strength of the circuits is maintained, mechanical bending stress is inevitably applied to the electric circuit terminals 53 in multi-stacking. That is, stress is impulsively or constantly applied to the electric circuit terminals 53 due to the self-weight of the device and the external force. Therefore, as shown in FIG. 8, cracks are likely to occur in the insulating resin molding material 52b at the boundary between the electric circuit terminal 53 and the insulating resin molding material 52b. When a crack is generated, a gap 56 formed by the crack in the electrostatic potential distribution between the electric circuit terminals 53.
The air insulation capacitance C ′ of C is newly added.
The permittivity of air is lower than the permittivity of the insulating resin molding material 52b, and the distance L'of the gap between the electric circuit terminals 53 is much larger than the distance L of the portion where the insulating resin molding material 52b exists. Since it is very short, the air insulation capacitance C ′ is extremely smaller than the capacitance C of the portion where the insulating resin molding material 52b is present. Therefore, in the narrow gap 56, the surrounding insulating resin molding material 5
A voltage v 1 relatively higher than 2b will be applied. In the figure, V is the voltage between the electric circuit terminals 53, 53 (applied voltage per one stage of the CW circuit), v 2 is the distributed insulation potential applied to the insulating resin molding material 52b, V = v is 1 + v 2, v 1 »v 2.
【００１２】また、絶縁樹脂モールド材５２ｂにクラッ
クが発生すると、その断面の形状にエッジが生じ、さら
に、上述のようにクラックにより形成された狭い隙間５
６の電位が他の部位よりも異常に高くなるので、クラッ
ク発生部位でコロナ放電を生じることになる。Ｃ．Ｗ．
回路全体の出力サージインピーダンスは、一般の電源装
置に比べてより高いものであるため、Ｃ．Ｗ．回路にお
いてコロナ放電が発生すると、その放電クーロン量が多
ければＣ．Ｗ．回路の出力電圧に過大なリプル電圧が含
まれることとなる。When a crack is generated in the insulating resin molding material 52b, an edge is generated in the shape of its cross section, and further, the narrow gap 5 formed by the crack as described above.
Since the potential of 6 is abnormally higher than that of other parts, corona discharge is generated at the cracked part. C. W.
The output surge impedance of the entire circuit is higher than that of a general power supply device. W. When corona discharge occurs in the circuit, if the amount of discharge coulomb is large, C.I. W. An excessive ripple voltage will be included in the output voltage of the circuit.
【００１３】従来の高電圧電源装置では、上記のような
性能上の問題だけでなく、次のような問題も有してい
る。即ち、図７に示すように、Ｃ．Ｗ．回路の各円盤状
モールド体５２間は、充分な機械的強度が得られるよう
に電気回路端子５３で締結する必要があり、円盤状モー
ルド体５２・５２間には座金５４が設けられる。また、
Ｃ．Ｗ．回路の各段は、独立した円盤状モールド体５２
として構成されており、中空状容器５２ａ内に収納され
ている。したがって、座金５４の厚さに中空状容器５２
ａの壁厚の２倍を加えた寸法が、Ｃ．Ｗ．回路の各段間
に必要な距離ｈBとなり、通常、１０数ミリメートル以
上の距離が各段間に必要となる。The conventional high-voltage power supply device has not only the above performance problems, but also the following problems. That is, as shown in FIG. W. It is necessary to fasten between the disc-shaped molded bodies 52 of the circuit with electric circuit terminals 53 so that sufficient mechanical strength can be obtained, and a washer 54 is provided between the disc-shaped molded bodies 52. Also,
C. W. Each stage of the circuit has an independent disk-shaped molded body 52.
And is housed in the hollow container 52a. Therefore, the thickness of the washer 54 is equal to that of the hollow container 52.
The dimension of twice the wall thickness of a is C.I. W. The required distance h B between each stage of the circuit is usually, and a distance of 10 or more millimeters is usually required between each stage.
【００１４】しかしながら、Ｃ．Ｗ．回路の各段間の絶
縁距離としては、せいぜい数ミリメートルもあれば充分
であり、上記従来の構造では、各段間に必要以上の距離
を要し、高圧発生部の大型化を招来するという問題があ
る。特に、高電圧電源装置では、Ｃ．Ｗ．回路の段数が
多くなるため、段間の距離の長短によって装置の寸法に
大きな違いがでる。However, C.I. W. A few millimeters is sufficient for the insulation distance between each stage of the circuit, and in the above-mentioned conventional structure, an excessive distance is required between each stage, leading to an increase in the size of the high-voltage generating portion. There is. Particularly, in the high voltage power supply device, C.I. W. Since the number of stages of the circuit increases, the size of the device greatly varies depending on the length of the distance between the stages.
【００１５】本発明は、上記に鑑みなされたものであ
り、その目的は、高圧発生回路（Ｃ．Ｗ．回路）におけ
るコロナ放電の発生を防止して信頼性の高い高電圧電源
装置を提供することにある。また、本発明のその他の目
的は、高圧発生部の小型化を図ることによって従来より
も小型の高電圧電源装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to provide a highly reliable high voltage power supply device by preventing generation of corona discharge in a high voltage generation circuit (CW circuit). Especially. Another object of the present invention is to provide a high-voltage power supply device which is smaller than the conventional one by reducing the size of the high voltage generating unit.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明の高電圧電源装置
は、入力電圧を所定の高電圧に昇圧する高圧発生回路
（例えば、コッククロフト・ウォルトン回路）を備えた
ものであって、上記の課題を解決するために、以下の手
段が講じられていることを特徴とする。The high-voltage power supply device of the present invention is provided with a high-voltage generating circuit (for example, Cockcroft-Walton circuit) for boosting an input voltage to a predetermined high voltage. In order to solve the above, the following means are taken.
【００１７】即ち、上記高電圧電源装置は、第１基板部
材と、上記第１基板部材と対向配置された第２基板部材
と、一端が上記第１基板部材に固定されると共に他端が
上記第２基板部材に固定された第１支柱部材と、上記第
１支柱部材の外周部に所定間隔をおいて設けられた複数
の部品棚とを備え、上記高圧発生回路の電気回路部品
が、上記の各部品棚間の隙間に配置され、上記高圧発生
回路全体と上記部品棚とが、可撓性を有する樹脂モール
ド部材で包み込まれて一体樹脂モールド成形され、上記
の一体樹脂モールド成形されてなるモールド体の近傍位
置に、一端が上記第１基板部材に固定されると共に他端
が上記第２基板部材に固定された第２支柱部材が設けら
れている。That is, in the high voltage power supply device, the first substrate member, the second substrate member facing the first substrate member, one end fixed to the first substrate member and the other end fixed to the first substrate member. The first support member fixed to the second substrate member and a plurality of component shelves provided at predetermined intervals on the outer peripheral portion of the first support member are provided. The high voltage generating circuit and the component shelf are arranged in a gap between the component shelves and are wrapped with a resin mold member having flexibility to be integrally resin-molded, and are integrally resin-molded as described above. A second support member having one end fixed to the first substrate member and the other end fixed to the second substrate member is provided in the vicinity of the mold body.
【００１８】[0018]
【作用】上記の構成によれば、第１基板部材と第２基板
部材との間に設けられた第１支柱部材（一体樹脂モール
ド成形されてなるモールド体の略中央に位置する）と第
２支柱部材（上記モールド体の近傍位置に位置する）と
によって、曲げ応力に耐え得る充分な機械的強度が得ら
れる構造となっており、上記第１支柱部材の外周部に所
定間隔をおいて設けられた各部品棚間に配置される高圧
発生回路の電気回路部品（電気回路端子を含む）には、
大きな荷重がかからない。さらに、高圧発生回路の電気
回路部品に機械的ストレスがかからないように、高圧発
生回路全体と上記部品棚とが、可撓性を有する樹脂モー
ルド部材で包み込まれて一体樹脂モールド成形されてお
り、従来技術が持つコロナ放電の発生要因が根本から取
り除かれた構造となっている。このため、上記高電圧電
源装置は、高圧発生回路でコロナ放電が生じることなく
従来の高電圧電源装置よりも信頼性が高い。According to the above construction, the first support member (which is located approximately at the center of the molded body formed by integral resin molding) provided between the first substrate member and the second substrate member, and the second The strut member (which is located in the vicinity of the mold body) has a structure that provides sufficient mechanical strength to withstand bending stress, and is provided at a predetermined interval on the outer peripheral portion of the first strut member. The electric circuit parts (including the electric circuit terminals) of the high-voltage generating circuit arranged between the respective parts shelves are
No heavy load is applied. Further, in order to prevent mechanical stress from being applied to the electric circuit parts of the high voltage generation circuit, the entire high voltage generation circuit and the parts shelf are wrapped with a resin mold member having flexibility and integrally molded with a resin. The technology has a structure in which the cause of corona discharge is removed from the root. Therefore, the high-voltage power supply device has higher reliability than the conventional high-voltage power supply device without corona discharge in the high-voltage generation circuit.
【００１９】また、高圧発生回路の各段間に必要な距離
は、部品棚の厚さのみであり、せいぜい数ミリメートル
で充分であり、従来よりも高圧発生回路の各段間の距離
を大幅に短縮でき、ひいては高電圧電源装置全体の小型
化が図れる。Further, the required distance between the stages of the high voltage generating circuit is only the thickness of the component shelf, and a few millimeters is sufficient at most, and the distance between the stages of the high voltage generating circuit is significantly larger than in the conventional case. It is possible to shorten the size of the high-voltage power supply device.
【００２０】[0020]
【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図５に
基づいて説明すれば、以下の通りである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The following will describe one embodiment of the present invention with reference to FIGS.
【００２１】本実施例の高電圧電源装置は、高周波トラ
ンス（変圧器）と、該高周波トランスの２次電圧を高電
圧に昇圧する高圧発生部とからなる。上記高圧発生部
は、図２の等価回路に示されるように、高圧発生回路と
してのコッククロフト・ウォルトン回路（以下、Ｃ．
Ｗ．回路と略記する）１と、このＣ．Ｗ．回路１におけ
るグランドとの間のストレーキャパシタンスの影響を抑
制するための共振コイル２と、該高電圧電源装置を制御
するコントローラ（図示せず）への信号入力のために
Ｃ．Ｗ．回路１の出力電圧Ｖ0 を分圧する高圧側抵抗分
圧器３とからなる。The high voltage power supply device of this embodiment comprises a high frequency transformer (transformer) and a high voltage generator for boosting the secondary voltage of the high frequency transformer to a high voltage. As shown in the equivalent circuit of FIG. 2, the high voltage generating unit is a Cockcroft-Walton circuit (hereinafter, referred to as C.C.
W. 1) and this C. W. The resonance coil 2 for suppressing the influence of the stray capacitance between the circuit 1 and the ground, and the C.I. for inputting a signal to a controller (not shown) that controls the high voltage power supply device. W. The output voltage V 0 of the circuit 1 is divided by a high voltage side resistance voltage divider 3.
【００２２】上記高圧側抵抗分圧器３は、図１中の
（ｂ）に示すように、中空状の絶縁スタックボビン４
（第１支柱部材）の内部に配されている。さらに、この
絶縁スタックボビン４内には絶縁樹脂モールド材５が充
填され、高圧側抵抗分圧器スタックボビン６として一体
モールド成形されている。上記絶縁スタックボビン４
は、比較的大きい機械的強度を有する硬質の樹脂によっ
て形成されている。上記絶縁樹脂モールド材５の材質は
特に限定されるものではなく、例えば、エポキシ樹脂や
シリコンゴム等を用いることができる（但し、シリコン
ゴム等の熱伝導性に優れた材質の方が望ましい）。高圧
側抵抗分圧器３の最上端部および最上端部の各端子は、
コロナ放電を防止するために金属性のフランジ３ａ・３
ｂで終端されている。即ち、これらのフランジ３ａ・３
ｂは、コロナリングとしての機能も有するものである。The high-voltage-side resistance voltage divider 3 has a hollow insulating stack bobbin 4 as shown in FIG. 1 (b).
It is arranged inside the (first support member). Further, the insulating stack bobbin 4 is filled with an insulating resin molding material 5 and integrally molded as a high voltage side resistance voltage divider stack bobbin 6. Insulation stack bobbin 4 above
Is formed of a hard resin having a relatively large mechanical strength. The material of the insulating resin molding material 5 is not particularly limited, and for example, epoxy resin, silicone rubber or the like can be used (however, a material having excellent thermal conductivity such as silicone rubber is preferable). The uppermost end and each terminal of the uppermost end of the high-voltage-side resistance voltage divider 3 are
Metal flanges 3a and 3 to prevent corona discharge
It is terminated with b. That is, these flanges 3a, 3
b also has a function as corona ring.
【００２３】上記高圧側抵抗分圧器スタックボビン６の
最上端および最下端には、それぞれ天板８（第１基板部
材）およびベース板９（第２基板部材）が取り付けられ
ている。上記天板８には、Ｃ．Ｗ．回路１の最上端の複
数の電気回路端子および共振コイル２が取り付けられ
る。上記ベース板９には、Ｃ．Ｗ．回路１の最下端の電
気回路端子が設けられる。これら天板８およびベース板
９は、比較的大きい機械的強度を有する硬質の樹脂、例
えばエポキシ樹脂製のＦＲＰ（Fiber ReinforcedPlasti
c）によって形成されている。A top plate 8 (first substrate member) and a base plate 9 (second substrate member) are attached to the uppermost end and the lowermost end of the high-voltage-side resistance voltage divider stack bobbin 6, respectively. The top plate 8 has a C.I. W. A plurality of electric circuit terminals at the uppermost end of the circuit 1 and the resonance coil 2 are attached. The base plate 9 includes C.I. W. The lowermost electrical circuit terminal of the circuit 1 is provided. The top plate 8 and the base plate 9 are made of hard resin having relatively large mechanical strength, for example, epoxy resin FRP (Fiber Reinforced Plasti).
formed by c).
【００２４】また、上記絶縁スタックボビン４の外周面
には、略一定の間隔で互いに平行に、複数の部品棚７…
が設けられている。この部品棚７は、図３に示すよう
に、中心部分に絶縁スタックボビン４と略同径の貫通孔
７ａが穿設されているドーナツ形状の絶縁樹脂板であ
り、絶縁スタックボビン４に挿入されて一体的に接着さ
れる。この部品棚７は、比較的大きい機械的強度を有す
る硬質の樹脂、例えばエポキシ樹脂製のＦＲＰによって
形成されている。On the outer peripheral surface of the insulating stack bobbin 4, a plurality of component shelves 7, ...
Is provided. As shown in FIG. 3, the component shelf 7 is a donut-shaped insulating resin plate having a through hole 7 a having a diameter substantially the same as that of the insulating stack bobbin 4 in the central portion thereof, and is inserted into the insulating stack bobbin 4. Are bonded together. The parts shelf 7 is made of a hard resin having a relatively large mechanical strength, for example, FRP made of epoxy resin.
【００２５】上記の各部品棚７・７同士の間、最上端の
部品棚７と天板８との間、および最下端の部品棚７とベ
ース板９との間の各隙間には、図２中に二点鎖線で示す
Ｃ．Ｗ．回路１の一段分の部品一式Ａが配される。The gaps between the above-mentioned component shelves 7 and 7, between the uppermost component shelves 7 and the top plate 8 and between the lowermost component shelves 7 and the base plate 9 are shown in FIG. C. 2 indicated by a chain double-dashed line. W. A set A of components for one stage of the circuit 1 is arranged.
【００２６】Ｃ．Ｗ．回路１は、図２に示すように、端
子Ｔ1 と端子ｔ1 との間のコンデンサＣ1 と抵抗Ｒ1 と
の段積み直並列回路構成、および端子Ｔ3 と端子ｔ3 と
の間のコンデンサＣ3 と抵抗Ｒ3 との段積み直並列回路
構成の２つのＡＣコラムと、端子Ｔ2 と端子ｔ2 との間
のコンデンサＣ2 と抵抗Ｒ2 との段積み直並列回路構成
のＤＣコラムと、端子Ｔ4 と端子ｔ4 との間のコンデン
サＣ4 と抵抗Ｒ4 との段積み直並列回路構成のフィルタ
コラムと、上記ＤＣコラムと各ＡＣコラムとの間を接続
する複数のダイオードＤ…とから構成される。C. W. The circuit 1 is, as shown in FIG. 2, a stacked series-parallel circuit configuration of a capacitor C 1 and a resistor R 1 between a terminal T 1 and a terminal t 1, and between a terminal T 3 and a terminal t 3 . Two AC columns having a series-parallel circuit configuration of a capacitor C 3 and a resistor R 3, and a DC having a series-parallel circuit configuration of a capacitor C 2 and a resistor R 2 between a terminal T 2 and a terminal t 2. A column, a filter column having a series-parallel circuit configuration of a capacitor C 4 and a resistor R 4 between a terminal T 4 and a terminal t 4, and a plurality of diodes connecting between the DC column and each AC column. D ... and.
【００２７】したがって、複数の部品棚７で仕切られて
形成された各隙間には、４つのダイオードＤ…と、４つ
のコンデンサＣ1 〜Ｃ4 と、４つの抵抗器Ｒ1 〜Ｒ
4 と、各段間を電気的に接続する上記４つのコラムの電
気回路端子Ｔ…と、配線材とからなるＣ．Ｗ．回路１の
一段分の部品一式Ａ（電気回路部品）が配される。尚、
各段の電気回路端子Ｔは、各部品棚７を貫通して各段間
の電気的な接続を行う。[0027] Therefore, each gap formed are separated by a plurality of parts shelves 7, four diodes D ..., and four capacitors C 1 -C 4, four resistors R 1 to R
4 and the electric circuit terminals T of the above-mentioned four columns for electrically connecting the respective stages, and C. W. A set of parts A (electrical circuit part) for one stage of the circuit 1 is arranged. still,
The electric circuit terminal T of each stage penetrates each component shelf 7 and electrically connects each stage.
【００２８】上記のようにして高圧側抵抗分圧器スタッ
クボビン６の外周部の周囲に配置されたＣ．Ｗ．回路１
は、電気回路部品（電気回路端子を含む）に機械的スト
レスがかからないような可撓性を有する絶縁樹脂モール
ド材１０（樹脂モールド部材）で全体が包み込まれ、高
圧側抵抗分圧器スタックボビン６と一体化されている。
上記絶縁樹脂モールド材１０は、可撓性を有すると共に
熱伝導性にも優れたものが望ましく、シリコンゴム等か
らなるモールド材（例えば、信越化学工業製のＫＥ１２
０４ＡおよびＫＥ１２０４Ｂからなる二液型のシリコン
ゴムモールド材）を用いることができる。As described above, the C.V. W. Circuit 1
Is entirely wrapped with an insulating resin molding material 10 (resin molding member) having flexibility so that mechanical stress is not applied to electric circuit parts (including electric circuit terminals), and a high voltage side resistance voltage divider stack bobbin 6 is formed. It is integrated.
It is desirable that the insulating resin molding material 10 has flexibility and excellent thermal conductivity, and is made of silicon rubber or the like (for example, KE12 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
It is possible to use a two-component type silicone rubber molding material consisting of 04A and KE1204B.
【００２９】また、上記絶縁樹脂モールド材１０によっ
て一体的にモールドされたモールド体の外側（近傍位
置）には、図１中の（ｂ）および図４に示すように、略
等間隔に配置された４本の支柱１１（第２支柱部材）が
立設されている。上記の各支柱１１の両端は、それぞれ
天板８およびベース板９に固着されている。また、上記
の各支柱１１は、比較的大きい機械的強度を有する硬質
の樹脂、例えばエポキシ樹脂製のＦＲＰによって形成さ
れている。Further, as shown in (b) of FIG. 1 and FIG. 4, outside the mold body integrally molded with the insulating resin molding material 10 (near position), they are arranged at substantially equal intervals. In addition, four columns 11 (second column members) are erected. Both ends of each of the columns 11 are fixed to the top plate 8 and the base plate 9, respectively. Further, each of the columns 11 is made of a hard resin having a relatively large mechanical strength, for example, FRP made of epoxy resin.
【００３０】以上のように、本実施例の高電圧電源装置
は、高周波トランス（変圧器）からの入力電圧を所定の
高電圧に昇圧する高圧発生回路としてのＣ．Ｗ．回路１
を備えたものであって、天板８と、上記天板８と対向配
置されたベース板９と、一端が上記天板８に固定される
と共に他端が上記ベース板９に固定された第１支柱部材
としての絶縁スタックボビン４と、上記絶縁スタックボ
ビン４の外周部に所定間隔をおいて設けられた複数の部
品棚７…とを備え、上記Ｃ．Ｗ．回路１の電気部品（電
気端子を含む）が、上記の各部品棚７・７間の隙間に配
置され、上記Ｃ．Ｗ．回路１全体と上記部品棚７…と
が、可撓性を有する絶縁樹脂モールド材１０で包み込ま
れて一体樹脂モールド成形され、上記の一体樹脂モール
ド成形されてなるモールド体の近傍位置に、一端が上記
天板８に固定されると共に他端が上記ベース板９に固定
された支柱１１…が設けられている構成であり、これを
第１の特徴としている。As described above, the high-voltage power supply device according to the present embodiment is a high voltage generator circuit for boosting the input voltage from the high frequency transformer (transformer) to a predetermined high voltage. W. Circuit 1
A top plate 8, a base plate 9 arranged to face the top plate 8, one end fixed to the top plate 8 and the other end fixed to the base plate 9. An insulating stack bobbin 4 as one support member and a plurality of component shelves 7 provided at predetermined intervals on the outer peripheral portion of the insulating stack bobbin 4 are provided. W. The electric parts (including electric terminals) of the circuit 1 are arranged in the gaps between the parts shelves 7 and 7, and W. The entire circuit 1 and the component shelf 7 are wrapped with an insulating resin molding material 10 having flexibility and integrally resin-molded, and one end is provided in the vicinity of the molded body formed by the integral resin molding. A structure is provided in which columns 11 ... Fixed to the top plate 8 and the other end to the base plate 9 are provided, which is a first feature.
【００３１】これにより、本実施例に係る高電圧電源装
置の高圧発生部では、ベース板９と天板８との間におけ
るＣ．Ｗ．回路１のモールド体の周囲（近傍位置）に立
設された４本の支柱１１…と、略中央位置に立設され
た、複数の部品棚７…を持つ絶縁スタックボビン４とに
よって、曲げ応力に耐え得る充分な機械的強度が得られ
る構造となっており、各部品棚７・７間に配置される
Ｃ．Ｗ．回路１の電気回路部品（電気回路端子を含む）
には、大きな荷重がかからない。さらに、本実施例の高
電圧電源装置では、Ｃ．Ｗ．回路１の電気回路部品（電
気回路端子を含む）に機械的ストレスがかからないよう
に、Ｃ．Ｗ．回路１全体が可撓性を有する絶縁樹脂モー
ルド材１０で一体化されており、従来技術が持つコロナ
放電の発生要因が根本から取り除かれた構造となってい
る。このため、本実施例の高電圧電源装置は、高圧発生
部でコロナ放電が生じることなく従来の高電圧電源装置
よりも信頼性が高い。As a result, in the high voltage generator of the high voltage power supply according to this embodiment, the C.I. W. Bending stress is caused by four pillars 11 ... Standing around the molded body of the circuit 1 (in the vicinity thereof) and an insulating stack bobbin 4 having a plurality of component shelves 7 ... Standing at a substantially central position. The structure is such that a sufficient mechanical strength to withstand C.I. W. Electric circuit parts of circuit 1 (including electric circuit terminals)
There is no heavy load on the. Furthermore, in the high-voltage power supply device of the present embodiment, C.I. W. C. In order to prevent mechanical stress from being applied to the electric circuit components (including electric circuit terminals) of the circuit 1, the C.I. W. The entire circuit 1 is integrated with a flexible insulating resin molding material 10, and has a structure in which the cause of corona discharge, which the conventional technique has, is removed from the root. For this reason, the high-voltage power supply device of the present embodiment is more reliable than the conventional high-voltage power supply device without corona discharge occurring in the high-voltage generator.
【００３２】また、本実施例に係る高電圧電源装置の高
圧発生部では、Ｃ．Ｗ．回路１の各段間に必要な距離ｈ
A （図１中の（ｂ）参照）は、部品棚７の厚さのみであ
り、せいぜい数ミリメートルで充分である。したがっ
て、本実施例では、従来よりもＣ．Ｗ．回路１の各段間
の距離を大幅に短縮でき（図７の距離ｈB との比較）、
ひいては高電圧電源装置全体の縮小化（小型化）が図れ
る。この縮小化（小型化）の効果は、Ｃ．Ｗ．回路１の
段数が多くなる程高くなる。In the high voltage generator of the high voltage power supply device according to this embodiment, the C.I. W. Required distance h between each stage of circuit 1
A (see (b) in FIG. 1) is only the thickness of the component shelf 7, and a few millimeters is sufficient at most. Therefore, in this embodiment, C.I. W. The distance between each stage of the circuit 1 can be greatly shortened (compared with the distance h B in FIG. 7),
As a result, the entire high-voltage power supply device can be downsized (downsized). The effect of this reduction (miniaturization) is C.I. W. The higher the number of stages of the circuit 1, the higher.
【００３３】また、本実施例に係る高電圧電源装置は、
上記第１の特徴の構成において、第１支柱部材としての
絶縁スタックボビン４が中空状であり、該絶縁スタック
ボビン４の内部に分圧器（高圧側抵抗分圧器３）が配さ
れている構成であり、これを第２の特徴とする。即ち、
第１支柱部材を高圧側抵抗分圧器スタックボビン６とし
たことを特徴とする。Further, the high voltage power supply device according to this embodiment is
In the configuration of the first characteristic, the insulating stack bobbin 4 as the first support member is hollow, and a voltage divider (high-voltage-side resistance voltage divider 3) is arranged inside the insulating stack bobbin 4. Yes, this is the second feature. That is,
The first strut member is a high voltage side resistance voltage divider stack bobbin 6.
【００３４】これにより、図示しないコントローラへ入
力するフィードバック信号（Ｃ．Ｗ．回路１の出力電圧
Ｖ0 に対応する信号）を生成するための高圧側抵抗分圧
器３を設けるための余分なスペースを必要とせず、高電
圧電源装置の小型化が図れる。As a result, an extra space is provided for providing the high voltage side resistance voltage divider 3 for generating a feedback signal (a signal corresponding to the output voltage V 0 of the CW circuit 1) input to a controller (not shown). The high-voltage power supply device can be downsized without the need.
【００３５】ここで、上記の高電圧電源装置を高エネル
ギーイオン注入装置の加速電源に適用した場合の一例
を、図５に示す。FIG. 5 shows an example in which the above high voltage power supply device is applied to an acceleration power supply of a high energy ion implanter.
【００３６】イオン注入装置では、イオン源や質量分析
器等は、複数の支持碍子２３…に支持された高電位箱２
１に収納されている。この高電位箱２１は、上記の高電
圧電源装置としての加速電源２４によって所定の高電位
に昇圧されている。そして、この高電位箱２１は、Ｘ線
遮蔽用の外箱２２の中に設けられるようになっている。In the ion implantation apparatus, the ion source, the mass spectrometer, etc. are provided with a high potential box 2 supported by a plurality of supporting insulators 23.
It is stored in 1. The high potential box 21 is boosted to a predetermined high potential by the acceleration power supply 24 as the high voltage power supply device. The high-potential box 21 is provided in an X-ray shielding outer box 22.
【００３７】上記高電位箱２１内において発生したイオ
ンビーム（イオン源から引き出されて質量分析器で質量
分析されてなるイオンビーム）は、加速管２５を通して
外箱２２の外部に設けられた大地電位のエンドステーシ
ョン２６へ導かれる。イオンビームが上記加速管２５を
通過する際、高電位の高電位箱２１と大地電位のエンド
ステーション２６との間の電位差によって生じる電界に
より加速されて高エネルギーイオンビームとなり、エン
ドステーション２６内にセットされた半導体ウエハ等の
注入対象物に照射されるようになっている。The ion beam generated in the high-potential box 21 (ion beam extracted from the ion source and mass-analyzed by the mass analyzer) passes through the accelerating tube 25 to the ground potential provided outside the outer box 22. To the end station 26. When the ion beam passes through the accelerating tube 25, it is accelerated by the electric field generated by the potential difference between the high potential high potential box 21 and the ground potential end station 26 to become a high energy ion beam, which is set in the end station 26. The object to be injected such as the semiconductor wafer is irradiated.
【００３８】上記高電位箱２１を大地電位の外箱２２内
に設置するに際し、コロナ放電の発生を防ぐため、外箱
２２内の電位分布を充分に考慮して、外箱２２の寸法お
よび外箱２２内の高電位箱２１の設置位置を定めなけれ
ばならない。When the high-potential box 21 is installed in the outer box 22 having a ground potential, in order to prevent the generation of corona discharge, the potential distribution in the outer box 22 should be sufficiently considered and the size and the outer box 22 should be The installation position of the high potential box 21 inside the box 22 must be determined.
【００３９】加速管２５は電位取りの金属フランジを多
段に直列配置した構造を持つため、加速管２５が設けら
れている面における高電位箱２１の外壁面と外箱２２の
内壁面との間の絶縁距離Ｌ2 は、何も設けられていない
面における高電位箱２１の外壁面と外箱２２の内壁面と
の間の絶縁距離Ｌ1 よりも長くする必要がある。また、
支持碍子２３…が設けられている面における高電位箱２
１の外壁面と外箱２２の内壁面との間の絶縁距離Ｌ
3 は、支持碍子２３…の沿面リークを考慮する必要があ
るために上記絶縁距離Ｌ1 よりも長くする必要がある。
空気の１気圧絶縁では、Ｌ1 ＜Ｌ2 ＜Ｌ3 となる位置に
高電位箱２１が設置される。Since the accelerating tube 25 has a structure in which metal flanges for potential control are arranged in series in multiple stages, it is between the outer wall surface of the high potential box 21 and the inner wall surface of the outer box 22 on the surface where the accelerating tube 25 is provided. The insulation distance L 2 of 1 must be longer than the insulation distance L 1 between the outer wall surface of the high potential box 21 and the inner wall surface of the outer box 22 on the surface where nothing is provided. Also,
The high-potential box 2 on the surface on which the supporting insulators 23 ... Are provided.
Insulation distance L between the outer wall surface of No. 1 and the inner wall surface of the outer box 22
3 needs to be longer than the insulation distance L 1 because it is necessary to take into account creeping leakage of the supporting insulators 23.
In the case of 1 atmospheric pressure insulation of air, the high potential box 21 is installed at a position where L 1 <L 2 <L 3 .
【００４０】上記高電位箱２１を高電位に昇圧する加速
電源２４は、高電位箱２１の外壁面と外箱２２の内壁面
との間に設けられ、絶縁距離Ｌ1 、Ｌ2 、Ｌ3 の何れの
面間にも設置可能である。The accelerating power source 24 for boosting the high-potential box 21 to a high potential is provided between the outer wall surface of the high-potential box 21 and the inner wall surface of the outer box 22 and has insulation distances L 1 , L 2 , L 3. It can be installed between any of the surfaces.
【００４１】従来の大型の（長さの長い）高電圧電源装
置を加速電源として用いた場合、高電位箱２１と外箱２
２との間に必要な絶縁耐圧距離よりも、高電圧電源装置
（加速電源）の長さの方が長いため、高電圧電源装置の
長さに応じて絶縁距離Ｌ1 、Ｌ2 、Ｌ3 も長くする必要
がある。即ち、従来では、外箱２２の寸法が高電圧電源
装置（加速電源）の長さに応じて大型にならざるを得
ず、ひいてはイオン注入装置全体の大型化を招来し、こ
れがイオン注入装置の製造コストを高くする一要因とも
なっている。When a conventional large-sized (long length) high-voltage power supply device is used as an acceleration power supply, the high-potential box 21 and the outer box 2
Since the length of the high-voltage power supply device (acceleration power supply) is longer than the withstand voltage distance required between the two, the insulation distances L 1 , L 2 , L 3 depend on the length of the high-voltage power supply device. Also needs to be long. That is, conventionally, the size of the outer box 22 is inevitably large according to the length of the high-voltage power supply (acceleration power supply), which in turn causes the size of the entire ion implanter to increase. It is also one of the factors that increase the manufacturing cost.
【００４２】これに対して、本実施例の高電圧電源装置
を加速電源２４として用いた場合、従来よりも加速電源
が小型となり（長さが短くなり）、高電位箱２１と外箱
２２との間に必要な絶縁耐圧距離よりも、加速電源２４
の長さの方が短くなる。このため、本実施例では、加速
電源２４の最高出力電圧に対する絶縁耐圧距離ぎりぎり
まで、上記の絶縁距離Ｌ1 、Ｌ2 、Ｌ3 を短縮すること
ができ、したがって、外箱２２を従来よりも大幅に小型
化することができ、ひいてはイオン注入装置全体の小型
化と共に製造コストの低減も図れる。On the other hand, when the high-voltage power supply device of this embodiment is used as the acceleration power supply 24, the acceleration power supply becomes smaller (shorter in length) than the conventional one, and the high potential box 21 and the outer box 22 are separated. Acceleration power supply 24 than the withstand voltage distance required between
Is shorter in length. Therefore, in this embodiment, the insulation distances L 1 , L 2 and L 3 can be shortened to the limit of the insulation withstand voltage distance with respect to the maximum output voltage of the acceleration power supply 24. The size of the ion implantation apparatus can be greatly reduced, and the size of the ion implantation apparatus as a whole can be reduced and the manufacturing cost can be reduced.
【００４３】尚、本実施例では、高圧整流回路の一つで
あるＣ．Ｗ．回路１を例に挙げて説明したが、高圧発生
回路がＣ．Ｗ．回路１に限定されるものではない。上記
実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにす
るものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義
に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と特許請
求の範囲内で、いろいろと変更して実施することができ
るものである。In this embodiment, the C.V. W. Although the circuit 1 has been described as an example, the high voltage generating circuit is a C.I. W. It is not limited to the circuit 1. The above examples are merely for clarifying the technical contents of the present invention, and should not be construed in a narrow sense by limiting only to such specific examples. The spirit of the present invention and the scope of claims It can be implemented with various modifications.
【００４４】[0044]
【発明の効果】本発明の高電圧電源装置は、以上のよう
に、第１基板部材と、上記第１基板部材と対向配置され
た第２基板部材と、一端が上記第１基板部材に固定され
ると共に他端が上記第２基板部材に固定された第１支柱
部材と、上記第１支柱部材の外周部に所定間隔をおいて
設けられた複数の部品棚とを備え、高圧発生回路の電気
回路部品が、上記の各部品棚間の隙間に配置され、上記
高圧発生回路全体と上記部品棚とが、可撓性を有する樹
脂モールド部材で包み込まれて一体樹脂モールド成形さ
れ、上記の一体樹脂モールド成形されてなるモールド体
の近傍位置に、一端が上記第１基板部材に固定されると
共に他端が上記第２基板部材に固定された第２支柱部材
が設けられている構成である。As described above, the high-voltage power supply device of the present invention has the first substrate member, the second substrate member facing the first substrate member, and one end fixed to the first substrate member. And a plurality of component shelves provided at predetermined intervals on the outer peripheral portion of the first support member, the other end of which is fixed to the second substrate member at the other end. An electric circuit component is arranged in a gap between the component shelves, and the entire high-voltage generating circuit and the component shelves are wrapped in a resin mold member having flexibility and integrally resin-molded, and A second strut member having one end fixed to the first substrate member and the other end fixed to the second substrate member is provided in the vicinity of a resin molded body.
【００４５】それゆえ、本発明の高電圧電源装置は、高
圧発生回路におけるコロナ放電の発生を防止することが
でき、高電圧電源としての信頼性の向上が図れるという
効果を奏する。また、従来よりも高圧発生回路の各段間
の距離を大幅に短縮することができ、高電圧電源装置全
体の小型化が図れるという効果も併せて奏する。Therefore, the high-voltage power supply device of the present invention has the effect of preventing the occurrence of corona discharge in the high-voltage generation circuit and improving the reliability of the high-voltage power supply. In addition, the distance between the stages of the high-voltage generating circuit can be greatly shortened as compared with the related art, and the high-voltage power supply device can be downsized as a whole.
【図１】本発明の一実施例を示すものであり、図中の
（ａ）は高電圧電源装置における高圧発生部の概略の平
面図、図中の（ｂ）は該高圧発生部の概略の縦断面図で
ある。FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, in which (a) is a schematic plan view of a high-voltage generator in a high-voltage power supply device, and (b) is a schematic view of the high-voltage generator. FIG.
【図２】上記高圧発生部の電子回路図である。FIG. 2 is an electronic circuit diagram of the high voltage generator.
【図３】上記高電圧電源装置の部品棚を示す平面図であ
る。FIG. 3 is a plan view showing a component shelf of the high voltage power supply device.
【図４】図１中の（ｂ）のＸ−Ｘ線矢視断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line XX of FIG. 1 (b).
【図５】上記高電圧電源装置をイオン注入装置の加速電
源に適用した場合の設置例を示す一部断面側面図であ
る。FIG. 5 is a partial cross-sectional side view showing an installation example when the high-voltage power supply device is applied to an acceleration power supply of an ion implantation device.
【図６】従来の高電圧電源装置を示す概略の正面図であ
る。FIG. 6 is a schematic front view showing a conventional high-voltage power supply device.
【図７】上記従来の高電圧電源装置において、コックク
ロフト・ウォルトン回路を構成する円盤状モールド体を
示す要部拡大断面図である。FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of an essential part showing a disk-shaped mold body that constitutes a Cockcroft-Walton circuit in the conventional high-voltage power supply device.
【図８】上記従来の高電圧電源装置において、コックク
ロフト・ウォルトン回路の電気回路端子と絶縁樹脂モー
ルド材との境界部分にクラックが発生した状態を示す要
部拡大断面図である。FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of an essential part showing a state in which a crack has occurred at the boundary between the electric circuit terminal of the Cockcroft-Walton circuit and the insulating resin molding material in the conventional high-voltage power supply device.
１ コッククロフト・ウォルトン回路（高圧発生回
路） ３ 高圧側抵抗分圧器 ４ 絶縁スタックボビン（第１支柱部材） ５ 絶縁樹脂モールド材 ６ 高圧側抵抗分圧器スタックボビン ７ 部品棚 ８ 天板（第１基板部材） ９ ベース板（第２基板部材） １０ 絶縁樹脂モールド材（樹脂モールド部材） １１ 支柱（第２支柱部材） ２４ 加速電源（高電圧電源装置）1 Cockcroft-Walton circuit (high-voltage generating circuit) 3 High-voltage side resistance voltage divider 4 Insulation stack bobbin (first support member) 5 Insulating resin molding material 6 High-voltage side resistance voltage divider stack bobbin 7 Parts shelf 8 Top plate (first board member) ) 9 base plate (second substrate member) 10 insulating resin molding material (resin molding member) 11 support (second support member) 24 acceleration power supply (high voltage power supply device)
Claims (1)
生回路を備えた高電圧電源装置において、 第１基板部材と、 上記第１基板部材と対向配置された第２基板部材と、 一端が上記第１基板部材に固定されると共に他端が上記
第２基板部材に固定された第１支柱部材と、 上記第１支柱部材の外周部に所定間隔をおいて設けられ
た複数の部品棚とを備え、 上記高圧発生回路の電気回路部品が、上記の各部品棚間
の隙間に配置され、 上記高圧発生回路全体と上記部品棚とが、可撓性を有す
る樹脂モールド部材で包み込まれて一体樹脂モールド成
形され、 上記の一体樹脂モールド成形されてなるモールド体の近
傍位置に、一端が上記第１基板部材に固定されると共に
他端が上記第２基板部材に固定された第２支柱部材が設
けられていることを特徴とする高電圧電源装置。1. A high voltage power supply device comprising a high voltage generating circuit for boosting an input voltage to a predetermined high voltage, comprising: a first substrate member; a second substrate member arranged to face the first substrate member; Is fixed to the first board member and the other end is fixed to the second board member, and a plurality of component shelves provided at predetermined intervals on the outer periphery of the first pillar member. The electric circuit component of the high-voltage generating circuit is arranged in a gap between the component shelves, and the entire high-voltage generating circuit and the component shelf are wrapped in a resin mold member having flexibility. A second support member which is integrally resin-molded and has one end fixed to the first substrate member and the other end fixed to the second substrate member in the vicinity of the molded body formed by the integral resin molding. Is provided High-voltage power supply to be considered.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10274994A JPH07312300A (en) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | High voltage power source device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10274994A JPH07312300A (en) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | High voltage power source device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07312300A true JPH07312300A (en) | 1995-11-28 |
Family
ID=14335876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10274994A Pending JPH07312300A (en) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | High voltage power source device |
Country Status (1)
| Country | Link |
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