JPH07306090A - Infrared ray sensor and infrared ray detector - Google Patents
Infrared ray sensor and infrared ray detectorInfo
- Publication number
- JPH07306090A JPH07306090A JP9712094A JP9712094A JPH07306090A JP H07306090 A JPH07306090 A JP H07306090A JP 9712094 A JP9712094 A JP 9712094A JP 9712094 A JP9712094 A JP 9712094A JP H07306090 A JPH07306090 A JP H07306090A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance element
- infrared sensor
- infrared
- bridge circuit
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、赤外線センサおよび
赤外線検出装置に関し、さらに詳しくは、オフセット調
整を迅速かつ容易に行うことが出来るように改良した赤
外線センサおよび赤外線検出装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an infrared sensor and an infrared detecting device, and more particularly to an infrared sensor and an infrared detecting device improved so that offset adjustment can be performed quickly and easily.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５は、従来の赤外線検出装置の一例を
示した回路図である。この赤外線検出装置５００は、感
温抵抗素子１とリファレンス用抵抗素子２，３とオフセ
ット調整用可変抵抗器５４とでブリッジ回路を構成して
なる赤外線センサ５０と、前記ブリッジ回路の出力電圧
Ｖｏを増幅する増幅回路５とを具備して構成されてい
る。前記オフセット調整用可変抵抗器５４は、赤外線を
前記感温抵抗素子１に照射しない状態で前記ブリッジ回
路の出力電圧Ｖｏが“０”になるように予め調整される
（すなわち、前記ブリッジ回路を平衡させる）。する
と、赤外線が前記感温抵抗素子１に入射しないときは前
記増幅回路５の出力電圧が“０”になるが、赤外線が前
記感温抵抗素子１に入射すると前記増幅回路５の出力電
圧が“０”でない値となる（すなわち、赤外線により感
温抵抗素子１の抵抗値が変化し、前記ブリッジ回路の平
衡がくずれる）。従って、前記増幅回路５の出力電圧を
監視することにより赤外線を検出することが出来る。2. Description of the Related Art FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of a conventional infrared detector. This infrared detecting device 500 detects an infrared sensor 50 having a bridge circuit composed of a temperature sensitive resistance element 1, reference resistance elements 2 and 3 and an offset adjusting variable resistor 54, and an output voltage Vo of the bridge circuit. And an amplifier circuit 5 for amplifying. The offset adjusting variable resistor 54 is pre-adjusted so that the output voltage Vo of the bridge circuit becomes “0” in a state where the temperature sensitive resistance element 1 is not irradiated with infrared rays (that is, the bridge circuit is balanced. Let). Then, the output voltage of the amplifier circuit 5 becomes "0" when infrared rays do not enter the temperature-sensitive resistance element 1, but the output voltage of the amplifier circuit 5 becomes "0" when infrared rays enter the temperature-sensitive resistance element 1. The value is not 0 ″ (that is, the resistance value of the temperature sensitive resistance element 1 is changed by infrared rays, and the balance of the bridge circuit is broken). Therefore, infrared rays can be detected by monitoring the output voltage of the amplifier circuit 5.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の赤外線セン
サ５００では、オフセット調整用可変抵抗器５４を人間
が操作してブリッジ回路を平衡させる調整を行ってい
る。しかし、オフセット調整用可変抵抗器５４を人間が
操作するのは手間がかかる上、調整の信頼性が低い問題
点がある。また、複数の感温抵抗素子をアレイ化したア
レイ型赤外線センサでは、各感温抵抗素子の抵抗値にバ
ラツキがあるため、調整が困難になる問題点がある。そ
こで、この発明の第１の目的は、オフセット調整を迅速
かつ容易かつ信頼性高く行うことが出来るように改良し
た赤外線センサおよび赤外線検出装置を提供することに
ある。また、この発明の第２の目的は、複数の感温抵抗
素子を有する赤外線センサに対してオフセット調整を迅
速かつ容易かつ信頼性高く行うことが出来るように改良
した赤外線検出装置を提供することにある。In the above-mentioned conventional infrared sensor 500, a person operates the variable resistor 54 for offset adjustment to perform adjustment to balance the bridge circuit. However, it is troublesome for a human to operate the variable resistor 54 for offset adjustment, and there is a problem that the reliability of adjustment is low. Further, in an array-type infrared sensor in which a plurality of temperature-sensitive resistance elements are arrayed, there is a problem that adjustment becomes difficult because the resistance value of each temperature-sensitive resistance element varies. Therefore, a first object of the present invention is to provide an infrared sensor and an infrared detection device which are improved so that offset adjustment can be performed quickly, easily and with high reliability. A second object of the present invention is to provide an infrared detection device improved so that offset adjustment can be performed quickly, easily and with high reliability for an infrared sensor having a plurality of temperature-sensitive resistance elements. is there.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】第１の観点では、この発
明は、感温抵抗素子とリファレンス用抵抗素子とからブ
リッジ回路を構成した赤外線センサにおいて、抵抗値の
異なる複数のオフセット調整用抵抗素子と、それらオフ
セット調整用抵抗素子の一部または全部を選択して前記
ブリッジ回路に組み入れるスイッチ手段とを備えたこと
を特徴とする赤外線センサを提供する。According to a first aspect of the present invention, the present invention relates to an infrared sensor having a bridge circuit composed of a temperature sensitive resistance element and a reference resistance element, and a plurality of offset adjustment resistance elements having different resistance values. An infrared sensor is provided, further comprising: a switch means for selecting a part or all of the offset adjustment resistance elements and incorporating the selected offset resistance element into the bridge circuit.
【０００５】第２の観点では、この発明は、上記構成に
おいて、複数のオフセット調整用抵抗素子とスイッチ手
段の組を直列に複数段設けたことを特徴とする赤外線セ
ンサを提供する。In a second aspect, the present invention provides an infrared sensor having the above-mentioned structure, wherein a plurality of sets of a plurality of offset adjusting resistance elements and switch means are provided in series.
【０００６】第３の観点では、この発明は、上記構成に
おいて、感温抵抗素子，リファレンス用抵抗素子および
オフセット調整用抵抗素子の一部または全部を同一材料
で構成したことを特徴とする赤外線センサを提供する。According to a third aspect of the present invention, the infrared sensor according to the present invention is characterized in that, in the above structure, a part or all of the temperature sensitive resistance element, the reference resistance element and the offset adjustment resistance element are made of the same material. I will provide a.
【０００７】第４の観点では、この発明は、上記構成に
おいて、感温抵抗素子，リファレンス用抵抗素子および
オフセット調整用抵抗素子の一部または全部を同一基板
上に形成したことを特徴とする赤外線センサを提供す
る。According to a fourth aspect, the present invention is characterized in that, in the above structure, a part or all of the temperature sensitive resistance element, the reference resistance element and the offset adjustment resistance element are formed on the same substrate. Provide a sensor.
【０００８】第５の観点では、この発明は、上記構成の
赤外線センサと、その赤外線センサのブリッジ回路の出
力電圧に基づき前記スイッチ手段を切換えてブリッジ回
路を平衡させるスイッチ制御手段とを具備したことを特
徴とする赤外線検出装置を提供する。In a fifth aspect, the present invention comprises an infrared sensor having the above-mentioned structure, and switch control means for switching the switch means based on the output voltage of the bridge circuit of the infrared sensor to balance the bridge circuit. An infrared detecting device is provided.
【０００９】第６の観点では、この発明は、上記構成の
赤外線検出装置において、前記赤外線センサが、複数の
感温抵抗素子と、それら感温素子の一部または全部を選
択して前記ブリッジ回路に組み入れるセレクタ手段とを
備え、前記スイッチ制御手段が、前記セレクタ手段によ
る選択状態に連動して前記スイッチ手段の切換え状態を
変更することを特徴とする赤外線検出装置を提供する。According to a sixth aspect of the present invention, in the infrared detecting device having the above-mentioned structure, the infrared sensor selects a plurality of temperature sensitive resistance elements and a part or all of the temperature sensitive elements, and the bridge circuit. And a selector means incorporated into the infrared detector, wherein the switch control means changes the switching state of the switch means in association with the selection state by the selector means.
【００１０】[0010]
【作用】上記第１の観点による赤外線センサでは、従来
のオフセット調整用可変抵抗器の代りに、抵抗値の異な
る複数のオフセット調整用抵抗素子とそれらオフセット
調整用抵抗素子の一部または全部を選択して前記ブリッ
ジ回路に組み入れるスイッチ手段とを備えた。このた
め、赤外線センサのブリッジ回路の出力電圧に基づき前
記スイッチ手段を切換えてブリッジ回路を平衡させるス
イッチ制御手段を外部に付加すれば、オフセット調整を
迅速かつ容易かつ信頼性高く行うことが出来るようにな
る。In the infrared sensor according to the first aspect, a plurality of offset adjusting resistance elements having different resistance values and some or all of the offset adjusting resistance elements are selected instead of the conventional offset adjusting variable resistor. Switch means to be incorporated into the bridge circuit. Therefore, if a switch control means for switching the switch means based on the output voltage of the bridge circuit of the infrared sensor to balance the bridge circuit is added to the outside, offset adjustment can be performed quickly, easily and with high reliability. Become.
【００１１】上記第２の観点による赤外線センサでは、
複数のオフセット調整用抵抗素子とスイッチ手段の組を
直列に複数段設けたため、より精密にオフセット調整を
行うことが出来る。上記第３の観点による赤外線センサ
では、感温抵抗素子，リファレンス用抵抗素子およびオ
フセット調整用抵抗素子の一部または全部を同一材料で
構成したため、周囲の温度変動に対するオフセットの変
動が少なくなる。上記第４の観点による赤外線センサで
は、感温抵抗素子，リファレンス用抵抗素子およびオフ
セット調整用抵抗素子の一部または全部を同一基板上に
形成したため、周囲の温度変動に対するオフセットの変
動が少なくなる。In the infrared sensor according to the second aspect,
Since a plurality of sets of a plurality of resistance elements for offset adjustment and switch means are provided in series, more precise offset adjustment can be performed. In the infrared sensor according to the third aspect, since the temperature sensitive resistance element, the reference resistance element and the offset adjustment resistance element are partially or entirely made of the same material, the fluctuation of the offset with respect to the fluctuation of the ambient temperature is reduced. In the infrared sensor according to the fourth aspect, the temperature sensitive resistance element, the reference resistance element, and the offset adjustment resistance element are partially or wholly formed on the same substrate, so that the variation of the offset with respect to the ambient temperature variation is reduced.
【００１２】上記第５の観点による赤外線検出装置で
は、上記構成の赤外線センサと、その赤外線センサのブ
リッジ回路の出力電圧に基づき前記スイッチ手段を切換
えてブリッジ回路を平衡させるスイッチ制御手段を備え
た。このため、オフセット調整を迅速かつ容易かつ信頼
性高く行うことが出来るようになる。上記第６の観点に
よる赤外線検出装置では、上記構成の赤外線検出装置に
おいて、前記赤外線センサを、複数の感温抵抗素子とそ
れら感温素子の一部または全部を選択してブリッジ回路
に組み入れるセレクタ手段とを備えた赤外線センサと
し、前記スイッチ制御手段を、前記セレクタ手段による
選択状態に連動して前記スイッチ手段の切換え状態を変
更しブリッジ回路を平衡させるものとした。このため、
複数の感温抵抗素子を有する赤外線センサに対して、オ
フセット調整を迅速かつ容易かつ信頼性高く行うことが
出来るようになる。The infrared detecting apparatus according to the fifth aspect includes the infrared sensor having the above-mentioned structure and the switch control means for switching the switch means based on the output voltage of the bridge circuit of the infrared sensor to balance the bridge circuit. Therefore, offset adjustment can be performed quickly, easily, and with high reliability. In the infrared detecting device according to the sixth aspect, in the infrared detecting device having the above-mentioned configuration, the infrared sensor has a plurality of temperature-sensitive resistance elements and selector means for selecting some or all of the temperature-sensitive elements and incorporating them into a bridge circuit. And the switch control means changes the switching state of the switch means in synchronism with the selection state by the selector means to balance the bridge circuit. For this reason,
Offset adjustment can be performed quickly, easily, and with high reliability for an infrared sensor having a plurality of temperature-sensitive resistance elements.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、図に示す実施例によりこの発明をさら
に詳細に説明する。なお、これによりこの発明が限定さ
れるものではない。The present invention will be described in more detail with reference to the embodiments shown in the drawings. The present invention is not limited to this.
【００１４】−第１実施例− 図１に、第１実施例の赤外線検出装置１００を示す。こ
の赤外線検出装置１００は、赤外線センサ１０と、増幅
回路５と、スイッチ制御回路７とを具備して構成されて
いる。First Embodiment FIG. 1 shows an infrared detector 100 of the first embodiment. The infrared detection device 100 is configured to include an infrared sensor 10, an amplification circuit 5, and a switch control circuit 7.
【００１５】前記赤外線センサ１０は、感温抵抗素子１
と、リファレンス用抵抗素子２，３，４と、オフセット
調整用切換抵抗回路６とでブリッジ回路を構成したもの
である。前記感温抵抗素子１および前記リファレンス用
抵抗素子２は、温度による抵抗変化率が大きいＰｔ，Ｎ
ｉなどの金属、或いは、Ｇｅ，Ｓｉ，ＳｉＣなどの半導
体などの材料からなる。これら感温抵抗素子１およびリ
ファレンス用抵抗素子２は、同一材料で，同一基板（図
示省略）上に近接して形成し、周囲温度の影響を可及的
に排除している。なお、前記基板は、Ｓｉ，セラミック
などの材料から構成する。前記リファレンス用抵抗素子
３，４は、カーボンなどの比較的安価な材料からなる。
前記オフセット調整用切換抵抗回路６は、一群のオフセ
ット調整用抵抗素子６０〜６４と、それらオフセット調
整用抵抗素子６０〜６４をブリッジ回路に組み入れるか
否かを切り換えるスイッチ６５〜６９とから構成されて
いる。前記オフセット調整用抵抗素子６０〜６４は、カ
ーボンなどの材料からなる。また、前記スイッチ６５〜
６９は、半導体素子（例えばトランジスタ）や機械的ス
イッチ（例えばリードスイッチ）などからなる。The infrared sensor 10 is a temperature-sensitive resistance element 1.
And the reference resistance elements 2, 3, 4 and the offset adjustment switching resistance circuit 6 constitute a bridge circuit. The temperature-sensitive resistance element 1 and the reference resistance element 2 are formed of Pt, N having a large rate of resistance change with temperature.
It is made of a metal such as i or a material such as a semiconductor such as Ge, Si, or SiC. The temperature sensitive resistance element 1 and the reference resistance element 2 are made of the same material and are formed close to each other on the same substrate (not shown) to eliminate the influence of ambient temperature as much as possible. The substrate is made of a material such as Si or ceramic. The reference resistance elements 3 and 4 are made of a relatively inexpensive material such as carbon.
The offset adjustment switching resistance circuit 6 is composed of a group of offset adjustment resistance elements 60 to 64 and switches 65 to 69 for switching whether or not to incorporate the offset adjustment resistance elements 60 to 64 into a bridge circuit. There is. The offset adjusting resistance elements 60 to 64 are made of a material such as carbon. Also, the switches 65 to
Reference numeral 69 is a semiconductor element (for example, a transistor) or a mechanical switch (for example, a reed switch).
【００１６】前記増幅回路５は、前記ブリッジ回路の出
力電圧Ｖｏを増幅する。The amplifier circuit 5 amplifies the output voltage Vo of the bridge circuit.
【００１７】前記スイッチ制御回路７は、外部からオフ
セット調整指示Ｅｗが与えられると、前記ブリッジ回路
の出力電圧Ｖｏをモニタしながらスイッチ切換指示Ｓｗ
を前記オフセット調整用切換抵抗回路６に送り、スイッ
チ６５〜６９の開閉状態を変更する。そして、前記ブリ
ッジ回路の出力電圧Ｖｏが最も“０”に近くなるスイッ
チ６５〜６９の開閉状態を探知し、その開閉状態にスイ
ッチ６５〜６９をロックする。このロックは、外部から
オフセット調整指示Ｅｗが再び与えられると解除され
る。When the offset control instruction Ew is given from the outside, the switch control circuit 7 monitors the output voltage Vo of the bridge circuit and switches the switch instruction Sw.
To the switching resistor circuit 6 for offset adjustment to change the open / closed state of the switches 65 to 69. Then, it detects the open / closed state of the switches 65-69 where the output voltage Vo of the bridge circuit is closest to "0", and locks the switches 65-69 in the open / closed state. This lock is released when the offset adjustment instruction Ew is given again from the outside.
【００１８】さて、調整者は、赤外線を前記感温抵抗素
子１に照射しない状態で前記スイッチ制御回路７にオフ
セット調整指示Ｅｗを与える。オフセット調整指示Ｅｗ
が与えられると、前記スイッチ制御回路７は、前記ブリ
ッジ回路の出力電圧Ｖｏが“０”になるように自動的に
調整する（すなわち、前記ブリッジ回路を平衡させ
る）。すると、赤外線が前記感温抵抗素子１に入射しな
いときは前記増幅回路５の出力電圧が“０”になるが、
赤外線が前記感温抵抗素子１に入射すると前記増幅回路
５の出力電圧が“０”でない値となる（すなわち、赤外
線により感温抵抗素子１の抵抗値が変化し、前記ブリッ
ジ回路の平衡がくずれる）。従って、前記増幅回路５の
出力電圧を監視することにより赤外線を検出することが
出来る。Now, the adjuster gives an offset adjustment instruction Ew to the switch control circuit 7 without irradiating the temperature sensitive resistance element 1 with infrared rays. Offset adjustment instruction Ew
Is given, the switch control circuit 7 automatically adjusts the output voltage Vo of the bridge circuit to “0” (that is, balances the bridge circuit). Then, when infrared rays do not enter the temperature-sensitive resistance element 1, the output voltage of the amplifier circuit 5 becomes "0",
When infrared rays enter the temperature-sensitive resistance element 1, the output voltage of the amplifier circuit 5 becomes a value other than "0" (that is, the resistance value of the temperature-sensitive resistance element 1 changes due to infrared rays, and the balance of the bridge circuit is broken. ). Therefore, infrared rays can be detected by monitoring the output voltage of the amplifier circuit 5.
【００１９】以上の赤外線検出装置１００によれば、オ
フセット調整を迅速かつ容易かつ信頼性高く行うことが
出来るようになる。また、感温抵抗素子１およびリファ
レンス用抵抗素子２を、同一材料を用いて同一基板上に
近接して形成したので、周囲温度が変動しても抵抗値が
ほぼ同じ割合で変化することになり、オフセットの変動
が小さく抑制される。According to the infrared detecting device 100 described above, offset adjustment can be performed quickly, easily and with high reliability. Further, since the temperature-sensitive resistance element 1 and the reference resistance element 2 are formed of the same material and adjacent to each other on the same substrate, the resistance value changes at substantially the same rate even if the ambient temperature changes. , The fluctuation of the offset is suppressed to be small.
【００２０】−第２実施例− 図２に、第２実施例の赤外線検出装置１００’を示す。
この赤外線検出装置１００’は、第１実施例の赤外線検
出装置１００と基本的に同じ構成であるが、オフセット
調整用切換抵抗回路６と直列に、同様の構成のオフセッ
ト調整用切換抵抗回路８を設けたものである。但し、前
記オフセット調整用切換抵抗回路６は粗調整用（オフセ
ット調整用抵抗素子６０〜６４が比較的大きな抵抗値を
もっている）であり、前記オフセット調整用切換抵抗回
路８は微調整用（オフセット調整用抵抗素子８０〜８４
が比較的小さな抵抗値をもっている）である。スイッチ
制御回路７’は、まず、スイッチ切換指示Ｓｗによりオ
フセット調整用切換抵抗回路６を制御して粗調整し、次
に、スイッチ切換指示Ｓｗ’によりオフセット調整用切
換抵抗回路８を制御して微調整する。Second Embodiment FIG. 2 shows an infrared detector 100 'of the second embodiment.
This infrared detecting device 100 ′ has basically the same configuration as the infrared detecting device 100 of the first embodiment, but an offset adjusting switching resistor circuit 8 having a similar configuration is serially connected to the offset adjusting switching resistor circuit 6. It is provided. However, the offset adjustment switching resistance circuit 6 is for coarse adjustment (the offset adjustment resistance elements 60 to 64 have a relatively large resistance value), and the offset adjustment switching resistance circuit 8 is for fine adjustment (offset adjustment). Resistance element 80-84
Has a relatively small resistance value). The switch control circuit 7 ′ first controls the offset adjustment switching resistance circuit 6 by the switch switching instruction Sw to perform rough adjustment, and then controls the offset adjustment switching resistance circuit 8 by the switch switching instruction Sw ′ to perform fine adjustment. adjust.
【００２１】以上の赤外線検出装置１００’によれば、
オフセット調整を迅速かつ容易かつ信頼性高く行うこと
が出来るようになるのに加えて、より精密にオフセット
調整できるようになる。According to the above infrared detecting device 100 ',
In addition to being able to perform the offset adjustment quickly, easily and reliably, it becomes possible to perform the offset adjustment more precisely.
【００２２】−第３実施例− 図３に、第３実施例の赤外線検出装置２００を示す。こ
の赤外線検出装置２００は、赤外線センサ２０と、増幅
回路５と、スイッチ制御回路２７と、記憶回路２０２と
を具備して構成されている。Third Embodiment FIG. 3 shows an infrared detector 200 of the third embodiment. The infrared detection device 200 is configured to include an infrared sensor 20, an amplification circuit 5, a switch control circuit 27, and a storage circuit 202.
【００２３】前記赤外線センサ２０は、感温抵抗素子１
１とリファレンス用抵抗素子２１，感温抵抗素子１２と
リファレンス用抵抗素子２２，感温抵抗素子１３とリフ
ァレンス用抵抗素子２３または感温抵抗素子１４とリフ
ァレンス用抵抗素子２４のいずれかをセレクタ２０１で
選択するようになっている。そして、セレクタ２０１で
選択された感温抵抗素子とリファレンス用抵抗素子が、
リファレンス用抵抗素子３，リファレンス用抵抗素子４
およびオフセット調整用切換抵抗回路６とブリッジ回路
を構成する。前記感温抵抗素子１１〜１４および前記リ
ファレンス用抵抗素子２１〜２４は、同一材料で同一基
板（図示省略）上に近接して形成されている。The infrared sensor 20 comprises a temperature sensitive resistance element 1
1 and the reference resistance element 21, the temperature-sensitive resistance element 12 and the reference resistance element 22, the temperature-sensitive resistance element 13 and the reference resistance element 23, or the temperature-sensitive resistance element 14 and the reference resistance element 24 by the selector 201. It is designed to be selected. The temperature sensitive resistance element and the reference resistance element selected by the selector 201 are
Reference resistance element 3, Reference resistance element 4
And a switching resistor circuit 6 for offset adjustment and a bridge circuit. The temperature sensitive resistance elements 11 to 14 and the reference resistance elements 21 to 24 are made of the same material and are formed close to each other on the same substrate (not shown).
【００２４】前記スイッチ制御回路２７は、外部からセ
レクタ切換指示Ｅｃが与えられると、セレクタ切換指示
Ｓｃを前記セレクタ２０１に送り、感温抵抗素子１１と
リファレンス用抵抗素子２１，感温抵抗素子１２とリフ
ァレンス用抵抗素子２２，感温抵抗素子１３とリファレ
ンス用抵抗素子２３または感温抵抗素子１４とリファレ
ンス用抵抗素子２４の選択を切り換える（通常は、順に
切り換える）。また、前記スイッチ制御回路２７は、外
部からオフセット調整指示Ｅｗが与えられると、前記ブ
リッジ回路の出力電圧Ｖｏをモニタしながらスイッチ切
換指示Ｓｗを前記オフセット調整用切換抵抗回路６に送
り、スイッチ６５〜６９の開閉状態を変更する。そし
て、前記ブリッジ回路の出力電圧Ｖｏが最も“０”に近
くなるスイッチ６５〜６９の開閉状態を探知し、その開
閉状態にスイッチ６５〜６９をロックすると共に、その
開閉状態をセレクタ２０１の選択状態に対応付けて前記
記憶装置２０２に記憶する。そして、セレクタ２０１の
選択状態が変更されると、それに対応した開閉状態を前
記記憶装置２０２から読み出し、その開閉状態にスイッ
チ６５〜６９を変更し、ロックする。このロックは、外
部からオフセット調整指示Ｅｗが再び与えられると解除
される。When the selector switching instruction Ec is given from the outside, the switch control circuit 27 sends the selector switching instruction Sc to the selector 201, and the temperature sensitive resistance element 11, the reference resistance element 21, and the temperature sensitive resistance element 12 are connected. The selection of the reference resistance element 22, the temperature-sensitive resistance element 13 and the reference resistance element 23, or the temperature-sensitive resistance element 14 and the reference resistance element 24 is switched (normally, they are sequentially switched). Further, when the offset control instruction Ew is given from the outside, the switch control circuit 27 sends the switch switching instruction Sw to the offset adjustment switching resistance circuit 6 while monitoring the output voltage Vo of the bridge circuit, and the switches 65 to 65. Change the open / closed state of 69. Then, the open / closed state of the switches 65 to 69 in which the output voltage Vo of the bridge circuit is closest to “0” is detected, the switches 65 to 69 are locked in the opened / closed state, and the open / closed state is selected by the selector 201. And is stored in the storage device 202 in association with. When the selection state of the selector 201 is changed, the open / closed state corresponding to the changed state is read from the storage device 202, and the switches 65 to 69 are changed to the open / closed state and locked. This lock is released when the offset adjustment instruction Ew is given again from the outside.
【００２５】さて、調整者は、前記スイッチ制御回路２
７にセレクタ切換指示Ｅｃを与えて感温抵抗素子１１と
リファレンス用抵抗素子２１を選択する。そして、赤外
線を前記感温抵抗素子１１に照射しない状態で、前記ス
イッチ制御回路２７にオフセット調整指示Ｅｗを与え
る。これにより、前記スイッチ制御回路２７は、前記ブ
リッジ回路の出力電圧Ｖｏが“０”になるように自動的
に調整し（すなわち、前記ブリッジ回路を平衡させ
る）、その開閉状態をセレクタ２０１の選択状態に対応
付けて前記記憶装置２０２に記憶する。これを、感温抵
抗素子１２〜１４とリファレンス用抵抗素子２２〜２４
の各対について繰り返す。その後、スイッチ制御回路２
７にオフセット調整指示Ｅｗを与えず、セレクタ切換指
示Ｅｃのみを与えて、セレクタ２０１の選択状態を変更
する。すると、セレクタ２０１で選択された感温抵抗素
子（１１〜１４のいずれか）に赤外線が入射しないとき
は前記増幅回路５の出力電圧が“０”になるが、赤外線
が当該感温抵抗素子に入射すると前記増幅回路５の出力
電圧が“０”でない値となる。従って、前記増幅回路５
の出力電圧を監視することにより、各感温抵抗素子１１
〜１４で赤外線を検出することが出来る。Now, the coordinator uses the switch control circuit 2
A selector switching instruction Ec is given to 7 to select the temperature sensitive resistance element 11 and the reference resistance element 21. Then, an offset adjustment instruction Ew is given to the switch control circuit 27 in a state in which the temperature sensitive resistance element 11 is not irradiated with infrared rays. As a result, the switch control circuit 27 automatically adjusts the output voltage Vo of the bridge circuit to “0” (that is, balances the bridge circuit), and the open / closed state is the selected state of the selector 201. And is stored in the storage device 202 in association with. The temperature sensitive resistance elements 12 to 14 and the reference resistance elements 22 to 24
Repeat for each pair of. After that, the switch control circuit 2
The offset adjustment instruction Ew is not given to 7, and only the selector switching instruction Ec is given to change the selection state of the selector 201. Then, when infrared rays do not enter the temperature-sensitive resistance element (one of 11 to 14) selected by the selector 201, the output voltage of the amplifier circuit 5 becomes "0", but the infrared rays are transmitted to the temperature-sensitive resistance element. When incident, the output voltage of the amplifier circuit 5 becomes a value other than "0". Therefore, the amplifier circuit 5
By monitoring the output voltage of each temperature sensitive resistance element 11
Infrared rays can be detected by ~ 14.
【００２６】以上の赤外線検出装置２００によれば、複
数の感温抵抗素子１１〜１４を有する赤外線センサ２０
に対してオフセット調整を迅速かつ容易かつ信頼性高く
行うことが出来るようになる。また、感温抵抗素子１１
〜１４およびリファレンス用抵抗素子２１〜２４を、同
一材料を用いて同一基板上に近接して形成したので、周
囲温度が変動しても抵抗値がほぼ同じ割合で変化するこ
とになり、オフセットの変動が小さく抑制される。According to the above infrared detecting device 200, the infrared sensor 20 having the plurality of temperature sensitive resistance elements 11 to 14 is provided.
Therefore, the offset adjustment can be performed quickly, easily, and with high reliability. In addition, the temperature-sensitive resistance element 11
˜14 and the reference resistance elements 21 to 24 are formed of the same material and adjacent to each other on the same substrate, the resistance value changes at substantially the same rate even if the ambient temperature changes, and the offset Fluctuation is small and suppressed.
【００２７】−第４実施例− 図４に、第４実施例の赤外線検出装置２００’を示す。
この赤外線検出装置２００’は、第３実施例の赤外線検
出装置２００と基本的に同じ構成であるが、第３実施例
の赤外線検出装置２００におけるリファレンス用抵抗素
子２１〜２４の代りに、１つのリファレンス用抵抗素子
２５を共用したものである。以上の赤外線検出装置２０
０’によれば、複数の感温抵抗素子１１〜１４を有する
赤外線センサ２０’に対してオフセット調整を迅速かつ
容易かつ信頼性高く行うことが出来るようになるのに加
えて、回路を簡略化できる。[Fourth Embodiment] FIG. 4 shows an infrared detector 200 'according to a fourth embodiment.
This infrared detecting device 200 'has basically the same configuration as the infrared detecting device 200 of the third embodiment, but one infrared detecting device 200' is used instead of the reference resistance elements 21 to 24 in the infrared detecting device 200 of the third embodiment. The reference resistance element 25 is shared. The infrared detection device 20 described above
According to 0 ', it becomes possible to perform the offset adjustment quickly, easily and reliably for the infrared sensor 20' having a plurality of temperature-sensitive resistance elements 11 to 14, and also to simplify the circuit. it can.
【００２８】[0028]
【発明の効果】この発明の赤外線センサおよび赤外線検
出装置によれば、オフセット調整を迅速かつ容易かつ信
頼性高く行うことが出来るようになる。また、この発明
の赤外線検出装置によれば、複数の感温抵抗素子を有す
る赤外線センサ（例えばアレイ型赤外線センサ）に対し
てオフセット調整を迅速かつ容易かつ信頼性高く行うこ
とが出来るようになる。According to the infrared sensor and infrared detector of the present invention, offset adjustment can be performed quickly, easily and with high reliability. Further, according to the infrared detection device of the present invention, offset adjustment can be performed quickly, easily and highly reliably for an infrared sensor having a plurality of temperature sensitive resistance elements (for example, an array type infrared sensor).
【図１】この発明の第１実施例による赤外線検出装置の
回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an infrared detection device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】この発明の第２実施例による赤外線検出装置の
回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of an infrared detector according to a second embodiment of the present invention.
【図３】この発明の第３実施例による赤外線検出装置の
回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of an infrared detection device according to a third embodiment of the present invention.
【図４】この発明の第４実施例による赤外線検出装置の
回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of an infrared detector according to a fourth embodiment of the present invention.
【図５】従来の赤外線検出装置の一例を示した回路図で
ある。FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of a conventional infrared detection device.
１００，１００’，２００，２００’ 赤外線検出装置 １０，１０’，２０，２０’ 赤外線センサ １，１１〜１４ 感温抵抗素子 ２〜４，２１〜２４ リファレンス用
抵抗素子 ５ 増幅回路 ６，８ オフセット調整
用切換抵抗回路 ７ スイッチ制御回
路 ６０〜６４，８０〜８４ オフセット調整
用抵抗素子 ６５〜６９，８５〜８９ スイッチ ２０１ セレクタ ２０２ 記憶回路100,100 ', 200,200' Infrared detector 10,10 ', 20,20' Infrared sensor 1,11-14 Temperature-sensitive resistance element 2-4,21-24 Reference resistance element 5 Amplification circuit 6,8 Offset Adjustment switching resistance circuit 7 Switch control circuit 60 to 64, 80 to 84 Offset adjustment resistance element 65 to 69, 85 to 89 Switch 201 Selector 202 Storage circuit
Claims (6)
とからブリッジ回路を構成した赤外線センサにおいて、 抵抗値の異なる複数のオフセット調整用抵抗素子と、そ
れらオフセット調整用抵抗素子の一部または全部を選択
して前記ブリッジ回路に組み入れるスイッチ手段とを備
えたことを特徴とする赤外線センサ。1. An infrared sensor comprising a bridge circuit composed of a temperature-sensitive resistance element and a reference resistance element, wherein a plurality of offset adjustment resistance elements having different resistance values and a part or all of these offset adjustment resistance elements are provided. An infrared sensor comprising: a switch unit which is selectively incorporated into the bridge circuit.
て、複数のオフセット調整用抵抗素子とスイッチ手段の
組を直列に複数段設けたことを特徴とする赤外線セン
サ。2. The infrared sensor according to claim 1, wherein a plurality of pairs of offset adjusting resistance elements and switch means are provided in series in a plurality of stages.
センサにおいて、感温抵抗素子，リファレンス用抵抗素
子およびオフセット調整用抵抗素子の一部または全部を
同一材料で構成したことを特徴とする赤外線センサ。3. The infrared sensor according to claim 1, wherein a part or all of the temperature sensitive resistance element, the reference resistance element and the offset adjustment resistance element are made of the same material. Infrared sensor.
の赤外線センサにおいて、感温抵抗素子，リファレンス
用抵抗素子およびオフセット調整用抵抗素子の一部また
は全部を同一基板上に形成したことを特徴とする赤外線
センサ。4. The infrared sensor according to claim 1, wherein the temperature sensitive resistance element, the reference resistance element and the offset adjustment resistance element are partially or entirely formed on the same substrate. Infrared sensor characterized by.
の赤外線センサと、その赤外線センサのブリッジ回路の
出力電圧に基づき前記スイッチ手段を切換えてブリッジ
回路を平衡させるスイッチ制御手段とを具備したことを
特徴とする赤外線検出装置。5. The infrared sensor according to any one of claims 1 to 4, and switch control means for switching the switch means based on the output voltage of the bridge circuit of the infrared sensor to balance the bridge circuit. An infrared detector characterized in that
て、前記赤外線センサは、複数の感温抵抗素子と、それ
ら感温素子の一部または全部を選択して前記ブリッジ回
路に組み入れるセレクタ手段とを備え、前記スイッチ制
御手段は、前記セレクタ手段による選択状態に連動して
前記スイッチ手段の切換え状態を変更することを特徴と
する赤外線検出装置。6. The infrared detection device according to claim 5, wherein the infrared sensor includes a plurality of temperature sensitive resistance elements, and selector means for selecting a part or all of the temperature sensitive elements and incorporating the temperature sensitive resistance elements into the bridge circuit. The infrared detecting apparatus, wherein the switch control means changes the switching state of the switch means in conjunction with the selection state by the selector means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9712094A JPH07306090A (en) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | Infrared ray sensor and infrared ray detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9712094A JPH07306090A (en) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | Infrared ray sensor and infrared ray detector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07306090A true JPH07306090A (en) | 1995-11-21 |
Family
ID=14183717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9712094A Pending JPH07306090A (en) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | Infrared ray sensor and infrared ray detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07306090A (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998025114A1 (en) * | 1996-12-03 | 1998-06-11 | Robert Bosch Gmbh | Operating procedure related to a resistance heating element and device for applying same |
| WO2000023774A1 (en) * | 1998-10-19 | 2000-04-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Infrared sensor and infrared sensor array comprising the same |
| US6441372B1 (en) | 1998-10-05 | 2002-08-27 | Nec Corporation | Infrared focal plane array detector and method of producing the same |
| JP2009156658A (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Renesas Technology Corp | Semiconductor pressure sensor device, data processing device, manometer, vacuum cleaner, and barometer |
| US20110133782A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Micronas Gmbh | Method and circuit arrangement for controlling switching transistors of an integrated circuit |
| CN102207413A (en) * | 2011-03-18 | 2011-10-05 | 上海贝洱热系统有限公司 | Detection circuit and method of temperature sensor |
| JP2011252722A (en) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Tdk Corp | Heat detection device |
| JP2014020875A (en) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Hamamatsu Photonics Kk | Measuring device |
-
1994
- 1994-05-11 JP JP9712094A patent/JPH07306090A/en active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998025114A1 (en) * | 1996-12-03 | 1998-06-11 | Robert Bosch Gmbh | Operating procedure related to a resistance heating element and device for applying same |
| US6307187B1 (en) | 1996-12-03 | 2001-10-23 | Robert Bosch Gmbh | Operating procedure related to a resistance heating element and device for applying same |
| US6441372B1 (en) | 1998-10-05 | 2002-08-27 | Nec Corporation | Infrared focal plane array detector and method of producing the same |
| WO2000023774A1 (en) * | 1998-10-19 | 2000-04-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Infrared sensor and infrared sensor array comprising the same |
| US6211520B1 (en) | 1998-10-19 | 2001-04-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Infrared sensor and infrared sensor array using the same |
| JP2009156658A (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Renesas Technology Corp | Semiconductor pressure sensor device, data processing device, manometer, vacuum cleaner, and barometer |
| US20110133782A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Micronas Gmbh | Method and circuit arrangement for controlling switching transistors of an integrated circuit |
| US8344784B2 (en) * | 2009-12-04 | 2013-01-01 | Micronas Gmbh | Method and circuit arrangement for controlling switching transistors of an integrated circuit |
| JP2011252722A (en) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Tdk Corp | Heat detection device |
| CN102207413A (en) * | 2011-03-18 | 2011-10-05 | 上海贝洱热系统有限公司 | Detection circuit and method of temperature sensor |
| JP2014020875A (en) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Hamamatsu Photonics Kk | Measuring device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6538250B2 (en) | Microbolometer focal plane array with controlled bias | |
| US7105818B2 (en) | Microbolometer focal plane array with temperature compensated bias | |
| US6690013B2 (en) | Apparatus and method for compensating for pixel non-uniformity in a bolometer | |
| US6433333B1 (en) | Infrared sensor temperature compensated response and offset correction | |
| EP1478909B1 (en) | Microbolometer focal plane array methods and circuitry | |
| US7030378B2 (en) | Real-time radiation sensor calibration | |
| JP4795610B2 (en) | Method and apparatus for compensating temperature fluctuations of a radiation sensor | |
| WO2007015235A1 (en) | Circuitry for balancing a differential type focal plane array of bolometer based infra-red detectors | |
| JPH07306090A (en) | Infrared ray sensor and infrared ray detector | |
| JP2000114467A (en) | Semiconductor device | |
| JP3578037B2 (en) | Semiconductor device and control method thereof | |
| JPH11509385A (en) | Digital offset corrector for microbolometer array | |
| CN111623891B (en) | Temperature drift correction circuit and correction method | |
| Thomas et al. | Signal calibration and stability in an uncooled integrated bolometer array | |
| JP2930100B2 (en) | Infrared sensor level adjustment circuit | |
| IL123440A (en) | Bolometric focal plane array | |
| JP3377000B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2522003B2 (en) | Detection amplification device | |
| JPH0915053A (en) | Infrared temperature measuring apparatus | |
| US20050023469A1 (en) | Digital video thermal electric controller loop utilizing video reference pixels on focal plane arrays | |
| JP2001183236A (en) | Temperature detecting element and image pick-up device using the element | |
| JPH0843208A (en) | Infrared detection circuit | |
| JPH04294229A (en) | Temperature detecting apparatus | |
| JPH07104735B2 (en) | Temperature detector | |
| JPH0384430A (en) | Infrared detector |