JPH07303083A - 光バス伝送構造 - Google Patents
光バス伝送構造Info
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- JPH07303083A JPH07303083A JP6095951A JP9595194A JPH07303083A JP H07303083 A JPH07303083 A JP H07303083A JP 6095951 A JP6095951 A JP 6095951A JP 9595194 A JP9595194 A JP 9595194A JP H07303083 A JPH07303083 A JP H07303083A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光バス伝送構造に関し、基板やパッケージ上
に実装された電子部品や回路の間の信号の伝送を、電子
部品等に接近して設けられた光透過性誘電物質板状体中
に光信号を伝播させることによって行うことができる手
段を提供する。 【構成】 集積回路を構成する複数の電子部品または回
路の間で信号を送受する手段であって、電子部品または
回路に電気的に接続されており電気信号によって光信号
を発生する電気−光変換器３1 〜３3 、または光信号を
受信して電気信号を発生する光−電気変換器４1 〜４3
と、電気−光変換器の光送端部または光−電気変換器の
光受端部に近接して配設された光透過性誘電物質板状体
８からなり、光透過性誘電物質板状体の電気−光変換器
の光送端部または光−電気変換器の光受端部に対応する
位置に円錐状の凹部９、突起部１０等の光信号を伝送す
る手段を設ける。
に実装された電子部品や回路の間の信号の伝送を、電子
部品等に接近して設けられた光透過性誘電物質板状体中
に光信号を伝播させることによって行うことができる手
段を提供する。 【構成】 集積回路を構成する複数の電子部品または回
路の間で信号を送受する手段であって、電子部品または
回路に電気的に接続されており電気信号によって光信号
を発生する電気−光変換器３1 〜３3 、または光信号を
受信して電気信号を発生する光−電気変換器４1 〜４3
と、電気−光変換器の光送端部または光−電気変換器の
光受端部に近接して配設された光透過性誘電物質板状体
８からなり、光透過性誘電物質板状体の電気−光変換器
の光送端部または光−電気変換器の光受端部に対応する
位置に円錐状の凹部９、突起部１０等の光信号を伝送す
る手段を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品や電子回路を
実装した基板やパッケージ内で、これらの部品や回路間
の信号の授受を光信号によって行う光バス伝送構造に関
する。
実装した基板やパッケージ内で、これらの部品や回路間
の信号の授受を光信号によって行う光バス伝送構造に関
する。
【０００２】すなわち、電子部品や電子回路の間で授受
すべき電気信号が周波数換算で約１００ＭＨｚ以上の基
本波を含み、立ち上がり時間が短いパルス状の２値デジ
タル信号として扱われる場合等において、１または複数
の受端部に高速で信号を伝送することができる光伝送構
造であり、バス形式の信号伝送を可能にする光バス伝送
構造に関する。
すべき電気信号が周波数換算で約１００ＭＨｚ以上の基
本波を含み、立ち上がり時間が短いパルス状の２値デジ
タル信号として扱われる場合等において、１または複数
の受端部に高速で信号を伝送することができる光伝送構
造であり、バス形式の信号伝送を可能にする光バス伝送
構造に関する。
【０００３】
【従来の技術】コンピュータ等のデジタル回路を高速化
するために、半導体デジタル回路の集積回路チップの高
速動作化、高機能化や、これらのチップを実装する配線
基板やパッケージの信号伝送時間の低減等が検討されて
おり、実装の面では、配線基板やパッケージの高密度
化、高集積化、微細化等の方法が有望視されている。こ
れらの方法の一つの概念あるいは具体的手段の一つとし
てマルチチップモジュール実装が検討されている。
するために、半導体デジタル回路の集積回路チップの高
速動作化、高機能化や、これらのチップを実装する配線
基板やパッケージの信号伝送時間の低減等が検討されて
おり、実装の面では、配線基板やパッケージの高密度
化、高集積化、微細化等の方法が有望視されている。こ
れらの方法の一つの概念あるいは具体的手段の一つとし
てマルチチップモジュール実装が検討されている。
【０００４】
【発明が解決しようする課題】しかしながら、この場
合、多数のチップを用い、あるいはチップが大面積化す
るに伴って、チップ間の平均的距離または最大距離が増
大し、チップ間の高速デジタル電気信号の伝送は次第に
困難になりつつある。すなわち、
合、多数のチップを用い、あるいはチップが大面積化す
るに伴って、チップ間の平均的距離または最大距離が増
大し、チップ間の高速デジタル電気信号の伝送は次第に
困難になりつつある。すなわち、
【０００５】（１）高い信号振幅を確保して受端回路の
高速スイッチング等の高速動作を行うために、送端回路
の電力を増大する必要があるが、そのために発熱密度の
上昇を招いて回路動作に不利になるとか、動作不能に陥
ることがある。
高速スイッチング等の高速動作を行うために、送端回路
の電力を増大する必要があるが、そのために発熱密度の
上昇を招いて回路動作に不利になるとか、動作不能に陥
ることがある。
【０００６】（２）素子を高密度に実装するため、配線
パターンの微細化が望ましいが、個々の配線で導体の直
流抵抗や表面抵抗による配線抵抗の増大し、伝送信号波
形の乱れを生じやすくなる。
パターンの微細化が望ましいが、個々の配線で導体の直
流抵抗や表面抵抗による配線抵抗の増大し、伝送信号波
形の乱れを生じやすくなる。
【０００７】（３）このように高密度実装するため、個
々の配線構造を最短距離でレイアウトすることが困難に
なり、信号伝送線路の特性インピーダンスを送端部（ド
ライバ回路）、受端部（レシーバ回路）等とインピーダ
ンス整合し難くなり、これも波形の乱れを招く原因とな
る。
々の配線構造を最短距離でレイアウトすることが困難に
なり、信号伝送線路の特性インピーダンスを送端部（ド
ライバ回路）、受端部（レシーバ回路）等とインピーダ
ンス整合し難くなり、これも波形の乱れを招く原因とな
る。
【０００８】（４）上記の結果、最適化された信号伝送
線路を設計、製造することが困難になり、クロストーク
や電磁放射等の問題を誘起しやすい。
線路を設計、製造することが困難になり、クロストーク
や電磁放射等の問題を誘起しやすい。
【０００９】一方、光信号の伝送に関していえば、光フ
ァイバを伝送路として用い、送端部に電気−光変換器
（Ｅ／Ｏ変換器）として、レーザダイオード（ＬＤ）や
発光ダイオード（ＬＥＤ）を用い、受端部に光−電気変
換器（Ｏ／Ｅ変換器）としてアバランシフォトダイオー
ド（ＡＰＤ）やフォトダイオード（ＰＤ）等を用いる方
法が知られており、光通信用として広く用いられてい
る。
ァイバを伝送路として用い、送端部に電気−光変換器
（Ｅ／Ｏ変換器）として、レーザダイオード（ＬＤ）や
発光ダイオード（ＬＥＤ）を用い、受端部に光−電気変
換器（Ｏ／Ｅ変換器）としてアバランシフォトダイオー
ド（ＡＰＤ）やフォトダイオード（ＰＤ）等を用いる方
法が知られており、光通信用として広く用いられてい
る。
【００１０】この場合、高速変調用には、送端としてＬ
Ｄが多く用いられており、受端としてＡＰＤが多く用い
られる。また、これらの光関連の半導体素子と光導波路
と通常の電子回路を同一のチップ上に形成するＯＥＩＣ
（光−電子集積回路）が知られている。
Ｄが多く用いられており、受端としてＡＰＤが多く用い
られる。また、これらの光関連の半導体素子と光導波路
と通常の電子回路を同一のチップ上に形成するＯＥＩＣ
（光−電子集積回路）が知られている。
【００１１】また、電気信号伝送や光通信において、バ
ス形式の伝送路に適用できる通信規約（通信プロトコ
ル）の方式が種々考案され、実用化されている。そし
て、時分割や周波数分割により単一伝送路を共用した
り、送端、受端側で相互を識別する信号内容や形態等を
もたせたり、ほぼ同時刻に複数の受端に認識させたりす
る方法等が考えられている。適切に分離的階層の方式や
構造が決定されると、機能の制限を受ける場合もある
が、多くの場合は、種々の方式の階層の通信プロトコル
が適用できる。
ス形式の伝送路に適用できる通信規約（通信プロトコ
ル）の方式が種々考案され、実用化されている。そし
て、時分割や周波数分割により単一伝送路を共用した
り、送端、受端側で相互を識別する信号内容や形態等を
もたせたり、ほぼ同時刻に複数の受端に認識させたりす
る方法等が考えられている。適切に分離的階層の方式や
構造が決定されると、機能の制限を受ける場合もある
が、多くの場合は、種々の方式の階層の通信プロトコル
が適用できる。
【００１２】本発明は、基板やパッケージ上に実装され
た電子部品や回路に接近して設けられた光透過性誘電物
質板状体に、単数または複数の電子部品や回路に接続さ
れた電気−光変換器の光送端部から二次元的に光信号を
放射し、この光透過性誘電物質板状体中を伝播する光信
号を、他の単数または複数の電子部品や回路に接続され
た光−電気変換器の光受端部によって受信することがで
きる光バス伝送構造を提供することを目的とする。
た電子部品や回路に接近して設けられた光透過性誘電物
質板状体に、単数または複数の電子部品や回路に接続さ
れた電気−光変換器の光送端部から二次元的に光信号を
放射し、この光透過性誘電物質板状体中を伝播する光信
号を、他の単数または複数の電子部品や回路に接続され
た光−電気変換器の光受端部によって受信することがで
きる光バス伝送構造を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる光バス伝
送構造においては、前の課題を達成するため、集積回路
装置を構成する複数の電子部品または回路の間で信号を
送受する手段であって、該電子部品または回路に電気的
に接続されており電気信号によって光信号を発生する電
気−光変換器、または光信号を受信して電気信号を発生
する光−電気変換器と、該電気−光変換器の光送端部ま
たは光−電気変換器の光受端部に接近して配設された光
透過性誘電物質板状体からなり、該光透過性誘電物質板
状体の該電気−光変換器の光送端部または光−電気変換
器の光受端部に対応する位置に光信号を伝送する手段を
具えている構成を採用した。
送構造においては、前の課題を達成するため、集積回路
装置を構成する複数の電子部品または回路の間で信号を
送受する手段であって、該電子部品または回路に電気的
に接続されており電気信号によって光信号を発生する電
気−光変換器、または光信号を受信して電気信号を発生
する光−電気変換器と、該電気−光変換器の光送端部ま
たは光−電気変換器の光受端部に接近して配設された光
透過性誘電物質板状体からなり、該光透過性誘電物質板
状体の該電気−光変換器の光送端部または光−電気変換
器の光受端部に対応する位置に光信号を伝送する手段を
具えている構成を採用した。
【００１４】この場合に、電気−光変換器の光送端部ま
たは光−電気変換器の光受端部に対応する位置の光信号
を伝送する手段として、電気−光変換器の光送端部また
は光−電気変換器の光受端部に対向する面が遮光膜で覆
われ、該遮光膜の電気−光変換器の光送端部または光−
電気変換器の光受端部に対応する位置に開口が形成され
ている光透過性誘電物質板状体を用いることができる。
たは光−電気変換器の光受端部に対応する位置の光信号
を伝送する手段として、電気−光変換器の光送端部また
は光−電気変換器の光受端部に対向する面が遮光膜で覆
われ、該遮光膜の電気−光変換器の光送端部または光−
電気変換器の光受端部に対応する位置に開口が形成され
ている光透過性誘電物質板状体を用いることができる。
【００１５】また、この場合に、電気−光変換器の光送
端部または光−電気変換器の光受端部に対応する位置の
光信号を伝送する手段として、電気−光変換器の光送端
部または光−電気変換器の光受端部に対応する位置の反
対面に円錐状の凹部を有する光透過性誘電物質板状体を
用いることができる。
端部または光−電気変換器の光受端部に対応する位置の
光信号を伝送する手段として、電気−光変換器の光送端
部または光−電気変換器の光受端部に対応する位置の反
対面に円錐状の凹部を有する光透過性誘電物質板状体を
用いることができる。
【００１６】また、この場合に、電気−光変換器の光送
端部または光−電気変換器の光受端部に対応する位置の
光信号を伝送する手段として、電気−光変換器の光送端
部または光−電気変換器の光受端部に向けて突出する突
起部を有し、その位置の反対面に円錐状の凹部を有する
光透過性誘電物質板状体を用いることができる。
端部または光−電気変換器の光受端部に対応する位置の
光信号を伝送する手段として、電気−光変換器の光送端
部または光−電気変換器の光受端部に向けて突出する突
起部を有し、その位置の反対面に円錐状の凹部を有する
光透過性誘電物質板状体を用いることができる。
【００１７】また、この場合に、電気−光変換器の光送
端部または光−電気変換器の光受端部に対応する位置の
光信号を伝送する手段として、電気−光変換器の光送端
部または光−電気変換器の光受端部に向けて突出する突
起部を有し、その位置の反対面に円錐状の凹部を有し、
少なくとも一部が該光信号の波長における誘電率（屈折
率）が該光透過性誘電物質板状体より低い物質で覆われ
ている光透過性誘電物質板状体を用いることができる。
端部または光−電気変換器の光受端部に対応する位置の
光信号を伝送する手段として、電気−光変換器の光送端
部または光−電気変換器の光受端部に向けて突出する突
起部を有し、その位置の反対面に円錐状の凹部を有し、
少なくとも一部が該光信号の波長における誘電率（屈折
率）が該光透過性誘電物質板状体より低い物質で覆われ
ている光透過性誘電物質板状体を用いることができる。
【００１８】また、この場合に、電気−光変換器の光送
端部または光−電気変換器の光受端部に対応する位置の
光信号を伝送する手段として、電気−光変換器の光送端
部または光−電気変換器の光受端部に向けて突出する突
起部を有し、その位置の反対面に円錐状の凹部を有し、
該突起部以外の少なくとも一部が反射膜によって覆われ
ている光透過性誘電物質板状体を用いることができる。
端部または光−電気変換器の光受端部に対応する位置の
光信号を伝送する手段として、電気−光変換器の光送端
部または光−電気変換器の光受端部に向けて突出する突
起部を有し、その位置の反対面に円錐状の凹部を有し、
該突起部以外の少なくとも一部が反射膜によって覆われ
ている光透過性誘電物質板状体を用いることができる。
【００１９】また、これらの場合に、電気−光変換器の
光送端部または光−電気変換器の光受端部に対応する位
置の光信号を伝送する手段として、端面の少なくとも一
部が光吸収性被膜によって覆われている光透過性誘電物
質板状体を用いることができる。
光送端部または光−電気変換器の光受端部に対応する位
置の光信号を伝送する手段として、端面の少なくとも一
部が光吸収性被膜によって覆われている光透過性誘電物
質板状体を用いることができる。
【００２０】また、これらの場合に、電気−光変換器の
光送端部または光−電気変換器の光受端部に対応する位
置の光信号を伝送する手段として、電気−光変換器の光
送端部または光−電気変換器の光受端部に対応する位置
の反対面に円錐状の凹部を有し、該円錐状の凹部が反射
膜によって覆われ、端面の少なくとも一部が光吸収性被
膜によって覆われ、これらの部分以外の少なくとも一部
が該光信号の波長における誘電率（屈折率）が該光透過
性誘電物質板状体より低い物質で覆われている光透過性
誘電物質板状体を用いることができる。
光送端部または光−電気変換器の光受端部に対応する位
置の光信号を伝送する手段として、電気−光変換器の光
送端部または光−電気変換器の光受端部に対応する位置
の反対面に円錐状の凹部を有し、該円錐状の凹部が反射
膜によって覆われ、端面の少なくとも一部が光吸収性被
膜によって覆われ、これらの部分以外の少なくとも一部
が該光信号の波長における誘電率（屈折率）が該光透過
性誘電物質板状体より低い物質で覆われている光透過性
誘電物質板状体を用いることができる。
【００２１】
【作用】本発明は、電子部品または回路に電気的に接続
され、電気信号によって光信号を発生する電気−光変換
器の光送端部、または、光信号を受信して電気信号を発
生する光−電気変換器の光受端部に接近して配設された
光透過性誘電物質板状体によって、集積回路装置を構成
する複数の電子部品または回路の間で、高速で変化する
デジタル電気信号を送受する光バス伝送構造に関する。
され、電気信号によって光信号を発生する電気−光変換
器の光送端部、または、光信号を受信して電気信号を発
生する光−電気変換器の光受端部に接近して配設された
光透過性誘電物質板状体によって、集積回路装置を構成
する複数の電子部品または回路の間で、高速で変化する
デジタル電気信号を送受する光バス伝送構造に関する。
【００２２】そして、この光透過性誘電物質板状体の電
気−光変換器の光送端部または光−電気変換器の光受端
部に対応する位置には、透明な開口や、例えば先端がレ
ンズ状の透明な突起部を有し、その位置の背面には、必
要に応じて光透過性誘電物質板状体中を伝送されるマル
チモードの光信号を突起部の方向に反射するための円錐
状の凹部を有し、後述するように、必要に応じて、光透
過性誘電物質板状体の表面には光ファイバのクラッド層
に相当する低誘電率の膜や反射層が形成され、光透過性
誘電物質板状体の断面には光吸収層が形成される。
気−光変換器の光送端部または光−電気変換器の光受端
部に対応する位置には、透明な開口や、例えば先端がレ
ンズ状の透明な突起部を有し、その位置の背面には、必
要に応じて光透過性誘電物質板状体中を伝送されるマル
チモードの光信号を突起部の方向に反射するための円錐
状の凹部を有し、後述するように、必要に応じて、光透
過性誘電物質板状体の表面には光ファイバのクラッド層
に相当する低誘電率の膜や反射層が形成され、光透過性
誘電物質板状体の断面には光吸収層が形成される。
【００２３】本発明の光バス伝送構造においては、他の
集積回路等によって励起される電気−光変換器の光送端
部から放射された光信号は、光透過性誘電物質板状体の
光送端部に対応する位置に形成された透明な開口あるい
は突起部に導波され、光透過性誘電物質板状体の中を放
射状に伝播されて、光透過性誘電物質板状体の上面によ
って反射され、あるいは円錐状の凹部の斜面によって反
射されて、直下の透明な開口あるいは突出物に導波さ
れ、光−電気変換器の光受端部に入射され、電気信号に
再変換されて、他の集積回路装置等に伝達される。
集積回路等によって励起される電気−光変換器の光送端
部から放射された光信号は、光透過性誘電物質板状体の
光送端部に対応する位置に形成された透明な開口あるい
は突起部に導波され、光透過性誘電物質板状体の中を放
射状に伝播されて、光透過性誘電物質板状体の上面によ
って反射され、あるいは円錐状の凹部の斜面によって反
射されて、直下の透明な開口あるいは突出物に導波さ
れ、光−電気変換器の光受端部に入射され、電気信号に
再変換されて、他の集積回路装置等に伝達される。
【００２４】クロック信号を伝送する場合のように、電
気信号を光信号に変換して送信すべき光送端部が単数
で、その光信号を受信すべき光受端部が複数である場合
は、光信号を各光受端部同士が遮らなければ各光受端部
に直接伝送され、各光受端部同士が光信号を遮った場合
でも、回折によって、また、光透過性誘電物質板状体の
上下の面あるいは断面からの反射によって遮られた光受
端部にも伝送される。
気信号を光信号に変換して送信すべき光送端部が単数
で、その光信号を受信すべき光受端部が複数である場合
は、光信号を各光受端部同士が遮らなければ各光受端部
に直接伝送され、各光受端部同士が光信号を遮った場合
でも、回折によって、また、光透過性誘電物質板状体の
上下の面あるいは断面からの反射によって遮られた光受
端部にも伝送される。
【００２５】電気信号を光信号に変換して送信すべき光
送端部が複数で、その光信号を受信すべき光受端部が単
数である場合、あるいは逆に、送信すべき光送端部が単
数で、その光信号を受信すべき光受端部が複数である場
合は、特定の光送端部と光受端部の間に先に説明した従
来から知られている適当な通信プロトコルを割り当て、
回路動作を規制しておけば、特定の光送端部からの光信
号を特定の光受端部に伝送することができる。
送端部が複数で、その光信号を受信すべき光受端部が単
数である場合、あるいは逆に、送信すべき光送端部が単
数で、その光信号を受信すべき光受端部が複数である場
合は、特定の光送端部と光受端部の間に先に説明した従
来から知られている適当な通信プロトコルを割り当て、
回路動作を規制しておけば、特定の光送端部からの光信
号を特定の光受端部に伝送することができる。
【００２６】また、電気信号を光信号に変換して伝送す
べき光送端部が複数で、その光信号を受信すべき光受端
部が複数であり、通信相手が時々刻々変化する場合や、
伝送すべき光送端部とその光信号を受信すべき光受端部
の組合せが複雑である場合でも、前記と同様に適当な通
信プロトコルを特定の光送端部と特定の光受端部の間で
定めておくことによって、特定の光送端部と特定の光受
端部の間で信号の交換を行うことができる。
べき光送端部が複数で、その光信号を受信すべき光受端
部が複数であり、通信相手が時々刻々変化する場合や、
伝送すべき光送端部とその光信号を受信すべき光受端部
の組合せが複雑である場合でも、前記と同様に適当な通
信プロトコルを特定の光送端部と特定の光受端部の間で
定めておくことによって、特定の光送端部と特定の光受
端部の間で信号の交換を行うことができる。
【００２７】このように、本発明の光バス伝送構造を用
いると、通常の電気信号伝送構造、あるいは一次元的な
光信号伝送構造によって電気信号を伝送する場合に比べ
てパルス等の広周波数帯域の信号を波形の乱れを少なく
して伝送することができ、通常の電気信号との干渉も無
視でき、また、複数の光送端部と光受端部のうちの特定
の光送端部と特定の光受端部の間で光信号を授受するた
めの光バス伝送構造を簡易化できるという利点がある。
いると、通常の電気信号伝送構造、あるいは一次元的な
光信号伝送構造によって電気信号を伝送する場合に比べ
てパルス等の広周波数帯域の信号を波形の乱れを少なく
して伝送することができ、通常の電気信号との干渉も無
視でき、また、複数の光送端部と光受端部のうちの特定
の光送端部と特定の光受端部の間で光信号を授受するた
めの光バス伝送構造を簡易化できるという利点がある。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００２９】（第１実施例）図１は、第１実施例の光バ
ス伝送構造の全体構成説明図であり、（Ａ）は光透過性
誘電物質板状体の上面、（Ｂ）は光透過性誘電物質板状
体の下面、（Ｃ）は配線基板を示している。
ス伝送構造の全体構成説明図であり、（Ａ）は光透過性
誘電物質板状体の上面、（Ｂ）は光透過性誘電物質板状
体の下面、（Ｃ）は配線基板を示している。
【００３０】この図において、１は配線基板、２1 〜２
8 はＩＣチップ、３1 〜３3 は光送端部、４1 〜４3 は
光受端部、５はボンディングワイヤ、６は受動素子チッ
プ、７はスペーサ、８は光透過性誘電物質板状体、９は
円錐状の凹部、１０は突起部である。
8 はＩＣチップ、３1 〜３3 は光送端部、４1 〜４3 は
光受端部、５はボンディングワイヤ、６は受動素子チッ
プ、７はスペーサ、８は光透過性誘電物質板状体、９は
円錐状の凹部、１０は突起部である。
【００３１】第１実施例の光バス伝送構造においては、
配線基板１にＩＣチップ２1 〜２8と、光送端部（電気
−光変換器）３1 〜３3 と、光受端部（光−電気変換
器）４ 1 〜４3 と、受動素子チップ６が実装されてお
り、ＩＣチップ２1 〜２8 の接続用パッドと配線基板１
の間はボンディングワイヤ５によって接続されている。
また、配線基板１の上には、光透過性誘電物質板状体８
との間隔を適当に保つためのスペーサ７が適宜設けられ
ている。
配線基板１にＩＣチップ２1 〜２8と、光送端部（電気
−光変換器）３1 〜３3 と、光受端部（光−電気変換
器）４ 1 〜４3 と、受動素子チップ６が実装されてお
り、ＩＣチップ２1 〜２8 の接続用パッドと配線基板１
の間はボンディングワイヤ５によって接続されている。
また、配線基板１の上には、光透過性誘電物質板状体８
との間隔を適当に保つためのスペーサ７が適宜設けられ
ている。
【００３２】そして、配線基板１の上にスペーサ７を介
して載置する光透過性誘電物質板状体８の上面の光送端
部３1 〜３3 と、光受端部４1 〜４3 に対応する位置に
円錐状の凹部９が形成され、その下面には突起部１０が
設けられている。なお、ここでは便宜上、ＩＣチップ２
1 〜２3 に光送端部３1 〜３3 が接続され、ＩＣチップ
２5 〜２7 に光受端部４1 〜４3 が接続されているもの
として説明する。
して載置する光透過性誘電物質板状体８の上面の光送端
部３1 〜３3 と、光受端部４1 〜４3 に対応する位置に
円錐状の凹部９が形成され、その下面には突起部１０が
設けられている。なお、ここでは便宜上、ＩＣチップ２
1 〜２3 に光送端部３1 〜３3 が接続され、ＩＣチップ
２5 〜２7 に光受端部４1 〜４3 が接続されているもの
として説明する。
【００３３】図２は、第１実施例の光バス伝送構造の構
成説明図であり、（Ａ）は光バス伝送構造の断面を示
し、（Ｂ）は光信号を伝送する手段を拡大して示してい
る。この図において、１は配線基板、２1 、２5 はＩＣ
チップ、３1 は光送端部、４1 は光受端部、５はボンデ
ィングワイヤ、７はスペーサ、８は光透過性誘電物質板
状体、９は円錐状の凹部、１０は突起部である。
成説明図であり、（Ａ）は光バス伝送構造の断面を示
し、（Ｂ）は光信号を伝送する手段を拡大して示してい
る。この図において、１は配線基板、２1 、２5 はＩＣ
チップ、３1 は光送端部、４1 は光受端部、５はボンデ
ィングワイヤ、７はスペーサ、８は光透過性誘電物質板
状体、９は円錐状の凹部、１０は突起部である。
【００３４】この図に示された光バス伝送構造の構成
は、図１によって説明した通りであるが、再度説明する
と、配線基板１にドライバ回路、増幅回路等のＩＣチッ
プ２1、２5 と、ＬＥＤ等の光送端部３1 と、ＡＰＤ等
の光受端部４1 実装されており、ＩＣチップ２1 、２5
の接続用パッドと配線基板１の間はボンディングワイヤ
５によって接続されている。また配線基板１の上面には
光透過性誘電物質板状体８との間隔を適当に保つための
スペーサ７が適宜設けられている。
は、図１によって説明した通りであるが、再度説明する
と、配線基板１にドライバ回路、増幅回路等のＩＣチッ
プ２1、２5 と、ＬＥＤ等の光送端部３1 と、ＡＰＤ等
の光受端部４1 実装されており、ＩＣチップ２1 、２5
の接続用パッドと配線基板１の間はボンディングワイヤ
５によって接続されている。また配線基板１の上面には
光透過性誘電物質板状体８との間隔を適当に保つための
スペーサ７が適宜設けられている。
【００３５】また、配線基板１の上には、スペーサ７に
よって適当な間隔を保って、透明度の高いＰＭＭＡ（ポ
リメチルメタアクリレート）樹脂で形成された光透過性
誘電物質板状体８が載置され接着材によって固着されて
いる。そして、この光透過性誘電物質板状体８の上面の
光送端部３1 と、光受端部４ 1 に対応する位置に円錐状
の凹部９が形成され、その下面には突起部１０が設けら
れている。
よって適当な間隔を保って、透明度の高いＰＭＭＡ（ポ
リメチルメタアクリレート）樹脂で形成された光透過性
誘電物質板状体８が載置され接着材によって固着されて
いる。そして、この光透過性誘電物質板状体８の上面の
光送端部３1 と、光受端部４ 1 に対応する位置に円錐状
の凹部９が形成され、その下面には突起部１０が設けら
れている。
【００３６】この実施例の光バス伝送構造においては、
ＩＣチップ２1 の出力信号によって励起されてＬＥＤ等
の光送端部３1 から放出された光信号は、光透過性誘電
物質板状体８の下面の突起部１０中を上方に伝送され、
光透過性誘電物質板状体８の上面の円錐状の凹部９の斜
面によって反射されて光透過性誘電物質板状体８の面方
向に伝送される。
ＩＣチップ２1 の出力信号によって励起されてＬＥＤ等
の光送端部３1 から放出された光信号は、光透過性誘電
物質板状体８の下面の突起部１０中を上方に伝送され、
光透過性誘電物質板状体８の上面の円錐状の凹部９の斜
面によって反射されて光透過性誘電物質板状体８の面方
向に伝送される。
【００３７】このように光透過性誘電物質板状体８の面
方向に伝送された光信号は、光受端部４1 の直上の円錐
状の凹部９の斜面によって反射され、その下の突起部１
０中を下方に伝送されて光受端部４1 に入射して電気信
号に変換され、この電気信号はＩＣチップ２5 によって
増幅されて、その後の処理を受ける。
方向に伝送された光信号は、光受端部４1 の直上の円錐
状の凹部９の斜面によって反射され、その下の突起部１
０中を下方に伝送されて光受端部４1 に入射して電気信
号に変換され、この電気信号はＩＣチップ２5 によって
増幅されて、その後の処理を受ける。
【００３８】（第２実施例）図３は、第２実施例の光バ
ス伝送構造の構成説明図であり、（Ａ），（Ｂ）はその
変形例を示している。この図において、１１は光透過性
誘電物質板状体、１２，１３は低誘電率材料層、１４は
開口、１５は円錐状の凹部である。
ス伝送構造の構成説明図であり、（Ａ），（Ｂ）はその
変形例を示している。この図において、１１は光透過性
誘電物質板状体、１２，１３は低誘電率材料層、１４は
開口、１５は円錐状の凹部である。
【００３９】この実施例の光バス伝送構造においては、
ＰＭＭＡ等の光透過性誘電物質板状体１１の両面にポリ
エチレン（ＰＥ）等の低誘電率材料層１２，１３を形成
し、一方の低誘電率材料層１３に開口１４を形成してい
る（図３（Ａ）参照）。
ＰＭＭＡ等の光透過性誘電物質板状体１１の両面にポリ
エチレン（ＰＥ）等の低誘電率材料層１２，１３を形成
し、一方の低誘電率材料層１３に開口１４を形成してい
る（図３（Ａ）参照）。
【００４０】この光バス伝送構造の光透過性誘電物質板
状体１１の中を伝送される光信号は低誘電率材料層１
２，１３によってその進路を中心方向に向けられるが、
低誘電率材料層１３に形成された開口１４を通って外部
に放出されるから、この開口１４の直下に設けられた光
受端部に光信号が入射される。
状体１１の中を伝送される光信号は低誘電率材料層１
２，１３によってその進路を中心方向に向けられるが、
低誘電率材料層１３に形成された開口１４を通って外部
に放出されるから、この開口１４の直下に設けられた光
受端部に光信号が入射される。
【００４１】この場合、ＰＭＭＡ等の光透過性誘電物質
板状体１１の上面に円錐状の凹部１５を形成し、ＰＭＭ
Ａ等の光透過性誘電物質板状体１１の円錐状の凹部１５
を含む両面にＰＥ等の低誘電率材料層１２，１３を形成
し、一方の低誘電率材料層１３に開口１４を形成するこ
とができる（図３（Ｂ）参照）。
板状体１１の上面に円錐状の凹部１５を形成し、ＰＭＭ
Ａ等の光透過性誘電物質板状体１１の円錐状の凹部１５
を含む両面にＰＥ等の低誘電率材料層１２，１３を形成
し、一方の低誘電率材料層１３に開口１４を形成するこ
とができる（図３（Ｂ）参照）。
【００４２】このようにすると、光バス伝送構造の光透
過性誘電物質板状体１１中を、低誘電率材料層１２，１
３によってその進路を中心方向に向けられながら伝送さ
れる光信号が円錐状の凹部１５の斜面によって反射さ
れ、その直下の低誘電率材料層１３に形成された開口１
４を通って外部に放出されるから、この開口１４の直下
に設けられた光受端部により強い光信号が入射する。
過性誘電物質板状体１１中を、低誘電率材料層１２，１
３によってその進路を中心方向に向けられながら伝送さ
れる光信号が円錐状の凹部１５の斜面によって反射さ
れ、その直下の低誘電率材料層１３に形成された開口１
４を通って外部に放出されるから、この開口１４の直下
に設けられた光受端部により強い光信号が入射する。
【００４３】上記の光受端部に関する説明は、光送端部
についても同様に成り立つ。また、上記の説明は、光透
過性誘電物質板状体１１の両面に低誘電率材料層１２，
１３を形成した場合に関するものであるが、低誘電率材
料層１２，１３を反射膜に代えることができ、低誘電率
材料層１３に代えて遮光膜を用いることもできる。
についても同様に成り立つ。また、上記の説明は、光透
過性誘電物質板状体１１の両面に低誘電率材料層１２，
１３を形成した場合に関するものであるが、低誘電率材
料層１２，１３を反射膜に代えることができ、低誘電率
材料層１３に代えて遮光膜を用いることもできる。
【００４４】（第３実施例）図４は、第３実施例の光バ
ス伝送構造の構成説明図である。この図において、２１
は光透過性誘電物質板状体、２２は円錐状の凹部、２３
は突起部、２４、２５は低誘電率材料層である。
ス伝送構造の構成説明図である。この図において、２１
は光透過性誘電物質板状体、２２は円錐状の凹部、２３
は突起部、２４、２５は低誘電率材料層である。
【００４５】この実施例の光バス伝送構造においては、
ＰＭＭＡの光透過性誘電物質板状体２１の上面に円錐状
の凹部２２を形成し、その位置の下面に突起部２３を形
成し、光透過性誘電物質板状体２１の両面にＰＥの低誘
電率材料層２４，２５を形成している。
ＰＭＭＡの光透過性誘電物質板状体２１の上面に円錐状
の凹部２２を形成し、その位置の下面に突起部２３を形
成し、光透過性誘電物質板状体２１の両面にＰＥの低誘
電率材料層２４，２５を形成している。
【００４６】この光バス伝送構造の光透過性誘電物質板
状体２１の中を伝送される光信号は低誘電率材料層２
４，２５によってその進路を中心方向に向けられるが、
円錐状の凹部２２の斜面によって反射されて、突起部２
３に伝送され、その直下に設けられた光受端部に入射す
る。
状体２１の中を伝送される光信号は低誘電率材料層２
４，２５によってその進路を中心方向に向けられるが、
円錐状の凹部２２の斜面によって反射されて、突起部２
３に伝送され、その直下に設けられた光受端部に入射す
る。
【００４７】この場合、上記の説明では、光透過性誘電
物質板状体の上下全面に光透過性誘電物質板状体より誘
電率の低い材料を形成するものとしたが、設計上の理由
で光透過性誘電物質板状体の少なくとも一部にこの低誘
電率の材料を形成することもできる。上記の光受端部に
関する説明は、光送端部についても同様に成り立つ。
物質板状体の上下全面に光透過性誘電物質板状体より誘
電率の低い材料を形成するものとしたが、設計上の理由
で光透過性誘電物質板状体の少なくとも一部にこの低誘
電率の材料を形成することもできる。上記の光受端部に
関する説明は、光送端部についても同様に成り立つ。
【００４８】（第４実施例）図５は、第４実施例の光バ
ス伝送構造の構成説明図である。この図において、３１
は光透過性誘電物質板状体、３２は円錐状の凹部、３３
は突起部、３４、３５はＡｌ金属膜である。
ス伝送構造の構成説明図である。この図において、３１
は光透過性誘電物質板状体、３２は円錐状の凹部、３３
は突起部、３４、３５はＡｌ金属膜である。
【００４９】この実施例の光バス伝送構造においては、
ＰＭＭＡの光透過性誘電物質板状体３１の上面に円錐状
の凹部３２を形成し、その位置の下面に突起部３３を形
成し、光透過性誘電物質板状体３１の上面の少なくとも
円錐状の凹部３２の内にアルミニウム（Ａｌ）金属膜３
４を形成し、光透過性誘電物質板状体３１の下面の突起
部３３を除く領域にＡｌ金属膜３５を形成している。
ＰＭＭＡの光透過性誘電物質板状体３１の上面に円錐状
の凹部３２を形成し、その位置の下面に突起部３３を形
成し、光透過性誘電物質板状体３１の上面の少なくとも
円錐状の凹部３２の内にアルミニウム（Ａｌ）金属膜３
４を形成し、光透過性誘電物質板状体３１の下面の突起
部３３を除く領域にＡｌ金属膜３５を形成している。
【００５０】この光バス伝送構造の光透過性誘電物質板
状体３１の中を伝送される光信号は円錐状の凹部３２の
斜面に形成されたＡｌ金属膜３４によって反射されて、
突起部３３に伝送され、その直下に設けられた光受端部
に入射する。
状体３１の中を伝送される光信号は円錐状の凹部３２の
斜面に形成されたＡｌ金属膜３４によって反射されて、
突起部３３に伝送され、その直下に設けられた光受端部
に入射する。
【００５１】この場合、光透過性誘電物質板状体３１の
両面に形成されたＡｌ金属膜３４，３５は、光透過性誘
電物質板状体３１中を伝送され、外側に出射しようとす
る光信号を反射するとともに、光信号が漏洩して回路動
作に支障を与えるのを防ぐ機能をも有している。上記の
光受端部に関する説明は、光送端部についても同様に成
り立つ。
両面に形成されたＡｌ金属膜３４，３５は、光透過性誘
電物質板状体３１中を伝送され、外側に出射しようとす
る光信号を反射するとともに、光信号が漏洩して回路動
作に支障を与えるのを防ぐ機能をも有している。上記の
光受端部に関する説明は、光送端部についても同様に成
り立つ。
【００５２】（第５実施例）図６は、第５実施例の光バ
ス伝送構造の構成説明図である。この図において、４１
は光透過性誘電物質板状体、４２は円錐状の凹部、４３
は突起部、４４、４５は低誘電率材料層、４６は炭素被
膜である。
ス伝送構造の構成説明図である。この図において、４１
は光透過性誘電物質板状体、４２は円錐状の凹部、４３
は突起部、４４、４５は低誘電率材料層、４６は炭素被
膜である。
【００５３】この実施例の光バス伝送構造においては、
ＰＭＭＡの光透過性誘電物質板状体４１の上面に円錐状
の凹部４２を形成し、その位置の下面に突起部４３を形
成し、光透過性誘電物質板状体４１の上面全体にＰＥ等
の低誘電率材料層４４を形成し、光透過性誘電物質板状
体４１の下面全体にＰＥ等の低誘電率材料層４５を形成
し、光透過性誘電物質板状体４１の断面に炭素被膜４６
を形成している。
ＰＭＭＡの光透過性誘電物質板状体４１の上面に円錐状
の凹部４２を形成し、その位置の下面に突起部４３を形
成し、光透過性誘電物質板状体４１の上面全体にＰＥ等
の低誘電率材料層４４を形成し、光透過性誘電物質板状
体４１の下面全体にＰＥ等の低誘電率材料層４５を形成
し、光透過性誘電物質板状体４１の断面に炭素被膜４６
を形成している。
【００５４】この光バス伝送構造の光透過性誘電物質板
状体４１の中を伝送される光信号は両面に形成された低
誘電率材料層４４，４５によって屈折されて光透過性誘
電物質板状体４１の中心部を伝播し、円錐状の凹部４２
の斜面によって反射されて、突起部４３に伝送され、そ
の直下に設けられた光受端部に入射する。
状体４１の中を伝送される光信号は両面に形成された低
誘電率材料層４４，４５によって屈折されて光透過性誘
電物質板状体４１の中心部を伝播し、円錐状の凹部４２
の斜面によって反射されて、突起部４３に伝送され、そ
の直下に設けられた光受端部に入射する。
【００５５】この場合、光透過性誘電物質板状体４１中
を伝送され、円錐状の凹部４２の斜面によって反射され
なかった光信号は、光透過性誘電物質板状体４１の断面
に形成された炭素被膜４６によって吸収されるため、伝
送しようとする光信号の波形に悪影響を与えるのを防ぐ
ことができる。
を伝送され、円錐状の凹部４２の斜面によって反射され
なかった光信号は、光透過性誘電物質板状体４１の断面
に形成された炭素被膜４６によって吸収されるため、伝
送しようとする光信号の波形に悪影響を与えるのを防ぐ
ことができる。
【００５６】（第６実施例）図７は、第６実施例の光バ
ス伝送構造の構成説明図である。この図において、５１
は光透過性誘電物質板状体、５２は円錐状の凹部、５３
は突起部、５４はＡｌ金属膜、５５，５６は低誘電率材
料層、５７は炭素被膜である。
ス伝送構造の構成説明図である。この図において、５１
は光透過性誘電物質板状体、５２は円錐状の凹部、５３
は突起部、５４はＡｌ金属膜、５５，５６は低誘電率材
料層、５７は炭素被膜である。
【００５７】この実施例の光バス伝送構造においては、
ＰＭＭＡの光透過性誘電物質板状体５１の上面に円錐状
の凹部５２を形成し、その位置の下面に突起部５３を形
成し、円錐状の凹部５２にＡｌ金属膜５４を形成し、円
錐状の凹部５２以外の光透過性誘電物質板状体５１の上
面にＰＥ等の低誘電率材料層５５を形成し、光透過性誘
電物質板状体５１の下面にＰＥ等の低誘電率材料層５６
を形成し、光透過性誘電物質板状体５１の断面に炭素被
膜５７を形成している。
ＰＭＭＡの光透過性誘電物質板状体５１の上面に円錐状
の凹部５２を形成し、その位置の下面に突起部５３を形
成し、円錐状の凹部５２にＡｌ金属膜５４を形成し、円
錐状の凹部５２以外の光透過性誘電物質板状体５１の上
面にＰＥ等の低誘電率材料層５５を形成し、光透過性誘
電物質板状体５１の下面にＰＥ等の低誘電率材料層５６
を形成し、光透過性誘電物質板状体５１の断面に炭素被
膜５７を形成している。
【００５８】この光バス伝送構造の光透過性誘電物質板
状体５１の中を伝送される光信号は両面に形成された低
誘電率材料層５５，５６によって屈折されて光透過性誘
電物質板状体５１の中心部を伝播し、円錐状の凹部５２
の斜面に形成されたＡｌ金属膜５４によって強く反射さ
れて、突起部５３に伝送され、その直下に設けられた光
受端部に入射する。
状体５１の中を伝送される光信号は両面に形成された低
誘電率材料層５５，５６によって屈折されて光透過性誘
電物質板状体５１の中心部を伝播し、円錐状の凹部５２
の斜面に形成されたＡｌ金属膜５４によって強く反射さ
れて、突起部５３に伝送され、その直下に設けられた光
受端部に入射する。
【００５９】この場合、光透過性誘電物質板状体５１中
を伝送され、円錐状の凹部５２の斜面によって反射され
なかった光信号は、光透過性誘電物質板状体５１の断面
に形成された炭素被膜５７によって吸収されるため、伝
送しようとする光信号の波形に悪影響を与えるのを防ぐ
ことができる。
を伝送され、円錐状の凹部５２の斜面によって反射され
なかった光信号は、光透過性誘電物質板状体５１の断面
に形成された炭素被膜５７によって吸収されるため、伝
送しようとする光信号の波形に悪影響を与えるのを防ぐ
ことができる。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光バス伝
送構造を用いると、集積回路装置を構成する電子部品や
回路を実装した基板やパッケージ内で、単数または複数
の電子部品や回路を組み合わせて、高速で変化する特定
のデジタル電気信号を、波形の乱れを少なくし、耐雑音
性を高くし、信頼性を高くして伝送することができるた
め、集積回路内の電気信号の高速伝送に寄与するところ
が大きい。
送構造を用いると、集積回路装置を構成する電子部品や
回路を実装した基板やパッケージ内で、単数または複数
の電子部品や回路を組み合わせて、高速で変化する特定
のデジタル電気信号を、波形の乱れを少なくし、耐雑音
性を高くし、信頼性を高くして伝送することができるた
め、集積回路内の電気信号の高速伝送に寄与するところ
が大きい。
【図１】第１実施例の光バス伝送構造の全体構成説明図
であり、（Ａ）は光透過性誘電物質板状体の上面、
（Ｂ）は光透過性誘電物質板状体の下面、（Ｃ）は配線
基板を示している。
であり、（Ａ）は光透過性誘電物質板状体の上面、
（Ｂ）は光透過性誘電物質板状体の下面、（Ｃ）は配線
基板を示している。
【図２】第１実施例の光バス伝送構造の構成説明図であ
り、（Ａ）は光バス伝送構造の断面を示し、（Ｂ）は光
信号を伝送する手段を拡大して示している。
り、（Ａ）は光バス伝送構造の断面を示し、（Ｂ）は光
信号を伝送する手段を拡大して示している。
【図３】第２実施例の光バス伝送構造の構成説明図であ
り、（Ａ），（Ｂ）はその変形例を示している。
り、（Ａ），（Ｂ）はその変形例を示している。
【図４】第３実施例の光バス伝送構造の構成説明図であ
る。
る。
【図５】第４実施例の光バス伝送構造の構成説明図であ
る。
る。
【図６】第５実施例の光バス伝送構造の構成説明図であ
る。
る。
【図７】第６実施例の光バス伝送構造の構成説明図であ
る。
る。
１ 配線基板 ２1 〜２8 ＩＣチップ ３1 〜３3 光送端部 ４1 〜４3 光受端部 ５ ボンディングワイヤ ６ 受動素子チップ ７ スペーサ ８ 光透過性誘電物質板状体 ９ 円錐状の凹部 １０ 突起部 １１ 光透過性誘電物質板状体 １２、１３ 低誘電率材料層 １４ 開口 １５ 円錐状の凹部 ２１ 光透過性誘電物質板状体 ２２ 円錐状の凹部 ２３ 突起部 ２４、２５ 低誘電率材料層 ３１ 光透過性誘電物質板状体 ３２ 円錐状の凹部 ３３ 突起部 ３４、３５ Ａｌ金属膜 ４１ 光透過性誘電物質板状体 ４２ 円錐状の凹部 ４３ 突起部 ４４、４５ 低誘電率材料層 ４６ 炭素被膜 ５１ 光透過性誘電物質板状体 ５２ 円錐状の凹部 ５３ 突起部 ５４ Ａｌ金属膜 ５５、５６ 低誘電率材料層 ５７ 炭素被膜
Claims (8)
- 【請求項１】 集積回路装置を構成する複数の電子部品
または回路の間で信号を送受する手段であって、該電子
部品または回路に電気的に接続されており電気信号によ
って光信号を発生する電気−光変換器、または光信号を
受信して電気信号を発生する光−電気変換器と、該電気
−光変換器の光送端部または光−電気変換器の光受端部
に接近して配設された光透過性誘電物質板状体からな
り、該光透過性誘電物質板状体の該電気−光変換器の光
送端部または光−電気変換器の光受端部に対応する位置
に光信号を伝送する手段を具えていることを特徴とする
光バス伝送構造。 - 【請求項２】 電気−光変換器の光送端部または光−電
気変換器の光受端部に対応する位置の光信号を伝送する
手段として、電気−光変換器の光送端部または光−電気
変換器の光受端部に対向する面が遮光膜で覆われ、該遮
光膜の電気−光変換器の光送端部または光−電気変換器
の光受端部に対応する位置に開口が形成されている光透
過性誘電物質板状体を用いることを特徴とする請求項１
に記載された光バス伝送構造。 - 【請求項３】 電気−光変換器の光送端部または光−電
気変換器の光受端部に対応する位置の光信号を伝送する
手段として、電気−光変換器の光送端部または光−電気
変換器の光受端部に対応する位置の反対面に円錐状の凹
部を有する光透過性誘電物質板状体を用いることを特徴
とする請求項１に記載された光バス伝送構造。 - 【請求項４】 電気−光変換器の光送端部または光−電
気変換器の光受端部に対応する位置の光信号を伝送する
手段として、電気−光変換器の光送端部または光−電気
変換器の光受端部に向けて突出する突起部を有し、その
位置の反対面に円錐状の凹部を有する光透過性誘電物質
板状体を用いることを特徴とする請求項１に記載された
光バス伝送構造。 - 【請求項５】 電気−光変換器の光送端部または光−電
気変換器の光受端部に対応する位置の光信号を伝送する
手段として、電気−光変換器の光送端部または光−電気
変換器の光受端部に向けて突出する突起部を有し、その
位置の反対面に円錐状の凹部を有し、少なくとも一部が
該光信号の波長における誘電率が該光透過性誘電物質板
状体より低い物質で覆われている光透過性誘電物質板状
体を用いることを特徴とする請求項４に記載された光バ
ス伝送構造。 - 【請求項６】 電気−光変換器の光送端部または光−電
気変換器の光受端部に対応する位置の光信号を伝送する
手段として、電気−光変換器の光送端部または光−電気
変換器の光受端部に向けて突出する突起部を有し、その
位置の反対面に円錐状の凹部を有し、該突起部以外の少
なくとも一部が反射膜によって覆われている光透過性誘
電物質板状体を用いることを特徴とする請求項４に記載
された光バス伝送構造。 - 【請求項７】 電気−光変換器の光送端部または光−電
気変換器の光受端部に対応する位置の光信号を伝送する
手段として、端面の少なくとも一部が光吸収性被膜によ
って覆われている光透過性誘電物質板状体を用いること
を特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか１項
に記載された光バス伝送構造。 - 【請求項８】 電気−光変換器の光送端部または光−電
気変換器の光受端部に対応する位置の光信号を伝送する
手段として、電気−光変換器の光送端部または光−電気
変換器の光受端部に対応する位置の反対面に円錐状の凹
部を有し、該円錐状の凹部が反射膜によって覆われ、端
面の少なくとも一部が光吸収性被膜によって覆われ、こ
れらの部分以外の少なくとも一部が該光信号の波長にお
ける誘電率が該光透過性誘電物質板状体より低い物質で
覆われている光透過性誘電物質板状体を用いることを特
徴とする請求項３または請求項４に記載された光バス伝
送構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6095951A JPH07303083A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 光バス伝送構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6095951A JPH07303083A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 光バス伝送構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07303083A true JPH07303083A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14151573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6095951A Pending JPH07303083A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 光バス伝送構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07303083A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001237411A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-31 | Sony Corp | 光電子集積回路装置 |
| US6548880B1 (en) | 1999-08-13 | 2003-04-15 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Optical semiconductor device and a method of manufacturing the same |
-
1994
- 1994-05-10 JP JP6095951A patent/JPH07303083A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6548880B1 (en) | 1999-08-13 | 2003-04-15 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Optical semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| JP2001237411A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-31 | Sony Corp | 光電子集積回路装置 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020319 |