JPH07301735A - 二方向光通信装置のための入力／出力装置 - Google Patents
二方向光通信装置のための入力／出力装置Info
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- JPH07301735A JPH07301735A JP7123037A JP12303795A JPH07301735A JP H07301735 A JPH07301735 A JP H07301735A JP 7123037 A JP7123037 A JP 7123037A JP 12303795 A JP12303795 A JP 12303795A JP H07301735 A JPH07301735 A JP H07301735A
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G—PHYSICS
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- G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
- G02B6/423—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リング導波路とコア導波路を有する同軸カプ
ラを利用した二方向送受信光通信装置であって、より正
確でかつより容易に製造し得る装置を提供することであ
る。 【構成】 一体化された光源／リング検知器基板が同軸
カプラ端面に隣接して配置される。基板上のリング検知
器は、リング導波路からの光伝送を受信するものであ
り、環状の開口を有している。リング検知器の環状開口
内で基板上に配置された光源が光伝送を同軸カプラのコ
ア導波路に送る。アラインメント装置が基板を同軸カプ
ラに対して位置決めして、光源と検知器がそれぞれ同軸
カプラコアとリング導波路に心合されるようにする。
ラを利用した二方向送受信光通信装置であって、より正
確でかつより容易に製造し得る装置を提供することであ
る。 【構成】 一体化された光源／リング検知器基板が同軸
カプラ端面に隣接して配置される。基板上のリング検知
器は、リング導波路からの光伝送を受信するものであ
り、環状の開口を有している。リング検知器の環状開口
内で基板上に配置された光源が光伝送を同軸カプラのコ
ア導波路に送る。アラインメント装置が基板を同軸カプ
ラに対して位置決めして、光源と検知器がそれぞれ同軸
カプラコアとリング導波路に心合されるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は二方向光通信方式（two-
way optical systems）に関し、さらに詳細には同軸カ
プラを具備した送受信装置に関する。
way optical systems）に関し、さらに詳細には同軸カ
プラを具備した送受信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】二方向光通信方式の重要な構成要素は送
受信機（Tx/Rx）パッケ−ジである。このようなパッケ
−ジは最初はレ−ザダイオ−ドのようなあるいはある種
の用途では発光ダイオ−ドのような標準送信機、および
PINダイオ−ドのような標準受信機と組合せて１×２ま
たは２×２カプラで作成された。このような方式がC.H.
Henry et al., "Glass Waveguides on Silicon for Hyb
rid Optical Pacckaging", Journal of Lightwave TEch
nology, vol. 7, No. 10, October, 1989, pp.1530-153
9という刊行物に開示されている。
受信機（Tx/Rx）パッケ−ジである。このようなパッケ
−ジは最初はレ−ザダイオ−ドのようなあるいはある種
の用途では発光ダイオ−ドのような標準送信機、および
PINダイオ−ドのような標準受信機と組合せて１×２ま
たは２×２カプラで作成された。このような方式がC.H.
Henry et al., "Glass Waveguides on Silicon for Hyb
rid Optical Pacckaging", Journal of Lightwave TEch
nology, vol. 7, No. 10, October, 1989, pp.1530-153
9という刊行物に開示されている。
【０００３】米国特許第５１７７８０３号は標準カプラ
を同軸カプラで置き換えた送受信機装置を開示してい
る。その同軸カプラは中心のコア導波路から半径方向に
離間されたリング導波路を有する円筒状の装置である。
この装置の長手方向の中央領域はリング導波路とコア導
波路の間に所望の形式の結合与えるためにネックダウン
（necked down）されている。この装置の一端部で、コ
ア導波路が伝送光ファイバに接続される。他方の端部で
は、環状の光検知器がリング導波路に隣接して配置さ
れ、その光検知器の開孔を通じて光源からコア導波路に
光が結合される。光源と検知器は別々にコア導波路とリ
ング導波路に対してそれぞれ心合されなければならな
い。
を同軸カプラで置き換えた送受信機装置を開示してい
る。その同軸カプラは中心のコア導波路から半径方向に
離間されたリング導波路を有する円筒状の装置である。
この装置の長手方向の中央領域はリング導波路とコア導
波路の間に所望の形式の結合与えるためにネックダウン
（necked down）されている。この装置の一端部で、コ
ア導波路が伝送光ファイバに接続される。他方の端部で
は、環状の光検知器がリング導波路に隣接して配置さ
れ、その光検知器の開孔を通じて光源からコア導波路に
光が結合される。光源と検知器は別々にコア導波路とリ
ング導波路に対してそれぞれ心合されなければならな
い。
【０００４】
【本発明が解決しようとする課題】本発明の１つの目的
は同軸カプラを利用した改良されたTx/Rxパッケ−ジを
提供することである。他の目的は光源と光検知器とが同
軸カプラに対して同時に心合されるTx/Rxパッケ−ジを
提供することである。
は同軸カプラを利用した改良されたTx/Rxパッケ−ジを
提供することである。他の目的は光源と光検知器とが同
軸カプラに対して同時に心合されるTx/Rxパッケ−ジを
提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、よりコンパク
トでかつより容易に製作されるTx/Rxパッケ−ジの作成
を可能にするために単一のチップまたは基板上で光源と
検知器を一体化させる。
トでかつより容易に製作されるTx/Rxパッケ−ジの作成
を可能にするために単一のチップまたは基板上で光源と
検知器を一体化させる。
【０００６】本発明は二方向光通信装置のための入力／
出力装置に関する。この入力／出力装置は伝送用ファイ
バから検知器に光を結合しかつ光源を伝送光ファイバに
結合するために同軸カプラを利用する。この光通信装置
は、結合領域の適切な設計により単一または多波長モ−
ドで（すなわち３ｄＢまたはＷＤＭ（波長分割多重化）
動作で）動作し得る。
出力装置に関する。この入力／出力装置は伝送用ファイ
バから検知器に光を結合しかつ光源を伝送光ファイバに
結合するために同軸カプラを利用する。この光通信装置
は、結合領域の適切な設計により単一または多波長モ−
ドで（すなわち３ｄＢまたはＷＤＭ（波長分割多重化）
動作で）動作し得る。
【０００７】本発明によれば、入力／出力装置はリング
導波路によって包囲されたコア導波路を有する同軸カプ
ラを具備しており、そのカプラはコア導波路とリング導
波路が終端している端面を有している。基板の第１の面
が同軸カプラの端面に隣接して位置決めされる。発光器
と光検知器がその基板の第１の面に配置される。この
「第１の面に」という語句は、装置がその表面上に、ま
たはその表面内に、あるいはその表面の凹部内に配置さ
れることを意味する。発光器と光検知器のうちの一方が
リング導波路に光学的に接続され、そしてそれらの発光
器と光検知器のうちの他方が同軸カプラのコア導波路に
光学的に接続される。
導波路によって包囲されたコア導波路を有する同軸カプ
ラを具備しており、そのカプラはコア導波路とリング導
波路が終端している端面を有している。基板の第１の面
が同軸カプラの端面に隣接して位置決めされる。発光器
と光検知器がその基板の第１の面に配置される。この
「第１の面に」という語句は、装置がその表面上に、ま
たはその表面内に、あるいはその表面の凹部内に配置さ
れることを意味する。発光器と光検知器のうちの一方が
リング導波路に光学的に接続され、そしてそれらの発光
器と光検知器のうちの他方が同軸カプラのコア導波路に
光学的に接続される。
【０００８】入力／出力装置はさらに基板をカプラに対
して位置決めするために基板の表面上のアラインメント
・ジグ（alignment fixtures）に係合したカプラ端面上
のアラインメント・ジグを具備している。
して位置決めするために基板の表面上のアラインメント
・ジグ（alignment fixtures）に係合したカプラ端面上
のアラインメント・ジグを具備している。
【０００９】
【実施例】図１は米国特許第５１７７８０３号に開示さ
れたタイプの同軸カプラ２０を示している。カプラ２０
はリング導波路１５によって包囲された中心のコア導波
路１４を具備している。導波路１４および１５間に配置
されたマトリクスガラス領域１６と、導波路１５のまわ
りに配置されたマトリクスガラス領域１７は、導波路１
４および１５の屈折率より低い屈折率を有する。マトリ
クスガラス１６の組成はマトリクスガラス１７と同一で
あってもよく、あるいはこれらのガラスは異なっていて
もよい。図１に示された実施例では、伝送光ファイバ１
１がコア導波路１４と心合した状態で端面１２に当接さ
れている。カプラの作成方法に応じて、端面１２から延
長した光ファイバ・ピグテ−ルはコア導波路１４を伝送
用ファイバに結合させることができる。同軸カプラ２０
はコア導波路１４とリング導波路１５との間に所望の結
合を得るために中間領域２５において内方にテ−パされ
ている。カプラ２０は空間的に分離された光信号を結合
させることができるとともに、空間的に結合された光信
号を分離または分割することができる。したがって、例
えば、カプラ２０は、伝送光ファイバ１１からの1310nm
の波長の入来光がすべてコア導波路１４からリング導波
路１５に結合されるように動作するＷＤＭカプラであり
うる。また、端面１３においてコア導波路１４に導入さ
れる波長1550nmの光はコア導波路１４内でカプラの外に
出る。あるいは、カプラは所定の波長の入来光のある割
合、例えば50％がコア導波路１４からリング導波路１５
に結合するようにする信号分割器として機能してもよ
い。他の分割比でも可能である。
れたタイプの同軸カプラ２０を示している。カプラ２０
はリング導波路１５によって包囲された中心のコア導波
路１４を具備している。導波路１４および１５間に配置
されたマトリクスガラス領域１６と、導波路１５のまわ
りに配置されたマトリクスガラス領域１７は、導波路１
４および１５の屈折率より低い屈折率を有する。マトリ
クスガラス１６の組成はマトリクスガラス１７と同一で
あってもよく、あるいはこれらのガラスは異なっていて
もよい。図１に示された実施例では、伝送光ファイバ１
１がコア導波路１４と心合した状態で端面１２に当接さ
れている。カプラの作成方法に応じて、端面１２から延
長した光ファイバ・ピグテ−ルはコア導波路１４を伝送
用ファイバに結合させることができる。同軸カプラ２０
はコア導波路１４とリング導波路１５との間に所望の結
合を得るために中間領域２５において内方にテ−パされ
ている。カプラ２０は空間的に分離された光信号を結合
させることができるとともに、空間的に結合された光信
号を分離または分割することができる。したがって、例
えば、カプラ２０は、伝送光ファイバ１１からの1310nm
の波長の入来光がすべてコア導波路１４からリング導波
路１５に結合されるように動作するＷＤＭカプラであり
うる。また、端面１３においてコア導波路１４に導入さ
れる波長1550nmの光はコア導波路１４内でカプラの外に
出る。あるいは、カプラは所定の波長の入来光のある割
合、例えば50％がコア導波路１４からリング導波路１５
に結合するようにする信号分割器として機能してもよ
い。他の分割比でも可能である。
【００１０】同軸カプラで必要とされる結合を与えるた
めに用いられうる２つの異なる機構が米国特許第５１７
７８０３号に記載されている。それらのうちの１つは
「βマッチング」（β-matching）と呼ばれるものであ
り、他の１つは非断熱モ−ド結合である。
めに用いられうる２つの異なる機構が米国特許第５１７
７８０３号に記載されている。それらのうちの１つは
「βマッチング」（β-matching）と呼ばれるものであ
り、他の１つは非断熱モ−ド結合である。
【００１１】同軸カプラ・プリフォ−ムは軸線方向のコ
アを有する光ファイバをガラス・オ−バ−クラッド・チ
ュ−ブに挿通することによって形成されうる。そのチュ
−ブは、内表面にあるいは内表面と外表面との間に高屈
折率リングコア領域を有するように形成され、残部はそ
れより低い屈折率のガラスで形成される。そのチュ−ブ
の最初の直径は約2.2〜3.0ミリメ−トルであることが好
ましいが、他の直径でもよい。ファイバ上に保護被覆が
存在する場合には、その被覆はチュ−ブ内に延長する部
分から除去される。チュ−ブの端面１２から延長したフ
ァイバは保護被覆材料（図示せず）を有することが好ま
しいであろう。カプラ・プリフォ−ムの中間領域はそれ
をファイバにコラプス（collapse）させるために脱気さ
れそして加熱される。チュ−ブがさらに加熱され、そし
てそれの端部がチュ−ブの長さを増大させかつ直径を減
寸させるために反対方向に引張られる。延伸された中間
領域２５の中央部分は、コア導波路とリング導波路がそ
れら間に所望の結合を生じさせるのに十分な距離だけ十
分接近して離間されるネックダウン領域を構成する。チ
ュ−ブの端部を通ったファイバの延長部分は伝送線に付
着するためのピグテ−ル（pigtail）として使用されう
る。このピグテ−ルはチュ−ブの端面１３と同一平面関
係となるように破断されうるとともに、その端面が研削
されかつ平坦になるように研磨されうる。また、米国特
許第５１７７８０３号に従って、ファイバはレ−ザダイ
オ−ドに対する結合を改善するために（チュ−ブに挿入
される前または後に）、それの端部にレンズを形成され
うる。このようなレンズを形成されたファイバが端面１
３から外に延長するであろう。
アを有する光ファイバをガラス・オ−バ−クラッド・チ
ュ−ブに挿通することによって形成されうる。そのチュ
−ブは、内表面にあるいは内表面と外表面との間に高屈
折率リングコア領域を有するように形成され、残部はそ
れより低い屈折率のガラスで形成される。そのチュ−ブ
の最初の直径は約2.2〜3.0ミリメ−トルであることが好
ましいが、他の直径でもよい。ファイバ上に保護被覆が
存在する場合には、その被覆はチュ−ブ内に延長する部
分から除去される。チュ−ブの端面１２から延長したフ
ァイバは保護被覆材料（図示せず）を有することが好ま
しいであろう。カプラ・プリフォ−ムの中間領域はそれ
をファイバにコラプス（collapse）させるために脱気さ
れそして加熱される。チュ−ブがさらに加熱され、そし
てそれの端部がチュ−ブの長さを増大させかつ直径を減
寸させるために反対方向に引張られる。延伸された中間
領域２５の中央部分は、コア導波路とリング導波路がそ
れら間に所望の結合を生じさせるのに十分な距離だけ十
分接近して離間されるネックダウン領域を構成する。チ
ュ−ブの端部を通ったファイバの延長部分は伝送線に付
着するためのピグテ−ル（pigtail）として使用されう
る。このピグテ−ルはチュ−ブの端面１３と同一平面関
係となるように破断されうるとともに、その端面が研削
されかつ平坦になるように研磨されうる。また、米国特
許第５１７７８０３号に従って、ファイバはレ−ザダイ
オ−ドに対する結合を改善するために（チュ−ブに挿入
される前または後に）、それの端部にレンズを形成され
うる。このようなレンズを形成されたファイバが端面１
３から外に延長するであろう。
【００１２】このカプラは、コア導波路とリング導波路
を有する特別に設計されたファイバを、導波路領域を含
んでいないチュ−ブ、すなわち均一な組成および屈折率
を有するチュ−ブ内に挿入することによっても作成され
うる。そのチュ−ブが上述のようにファイバに対してコ
ラプスされ、そして延伸される。
を有する特別に設計されたファイバを、導波路領域を含
んでいないチュ−ブ、すなわち均一な組成および屈折率
を有するチュ−ブ内に挿入することによっても作成され
うる。そのチュ−ブが上述のようにファイバに対してコ
ラプスされ、そして延伸される。
【００１３】同軸カプラは米国特許第４７０４１５１号
および第４７９９９４９号に従っても形成されうる。カ
プラ・プリフォ−ムは、高屈折率リングを有するチュ−
ブにファイバ・プリフォ−ムを挿入すること、あるいは
ファイバ・プリフォ−ムにガラスを沈積させてその上に
高屈折率層とクラッド層を形成することのような技術に
よって形成される。ファイバ・プリフォ−ムはクラッド
ガラスによって包囲された軸線方向のガラスコア領域を
有する円柱状のプリフォ−ムである。カプラ・プリフォ
−ムが延伸されて所望の直径のロッドとなされる。この
ロッドが切断されて複数の片となされ、それらの片のそ
れぞれが同軸カプラを形成するためにそれの中間領域で
延伸される。
および第４７９９９４９号に従っても形成されうる。カ
プラ・プリフォ−ムは、高屈折率リングを有するチュ−
ブにファイバ・プリフォ−ムを挿入すること、あるいは
ファイバ・プリフォ−ムにガラスを沈積させてその上に
高屈折率層とクラッド層を形成することのような技術に
よって形成される。ファイバ・プリフォ−ムはクラッド
ガラスによって包囲された軸線方向のガラスコア領域を
有する円柱状のプリフォ−ムである。カプラ・プリフォ
−ムが延伸されて所望の直径のロッドとなされる。この
ロッドが切断されて複数の片となされ、それらの片のそ
れぞれが同軸カプラを形成するためにそれの中間領域で
延伸される。
【００１４】一般に、同軸カプラ構成はTx/Rx用途に対
してある利点を有する。明らかに、２つの光誘導体、す
なわちコア導波路１４およびリング導波路１５は構造の
一端部において（例えば端面１３において）十分に分離
されるが、導波路１４および１５は結合が生ずるテ−パ
した領域で近接して離間される。さらに、同軸カプラは
この明細書に記載された種々の技術によって伝送用ファ
イバに容易に接続可能である。
してある利点を有する。明らかに、２つの光誘導体、す
なわちコア導波路１４およびリング導波路１５は構造の
一端部において（例えば端面１３において）十分に分離
されるが、導波路１４および１５は結合が生ずるテ−パ
した領域で近接して離間される。さらに、同軸カプラは
この明細書に記載された種々の技術によって伝送用ファ
イバに容易に接続可能である。
【００１５】米国特許第５１７７８０３号のTx/Rx装置
では、環状の光検知器がカプラ２０の端面１３に隣接し
て配置され、この場合、検知器の穴がコア導波路１４の
中心に位置決めされる。検知器は二方向通信装置からリ
ング導波路１５を介して光を受取る。光源からの光は環
状検知器の開孔を通って端面１３におけるコア導波路１
４の端部に結合される。リング導波路の直径は、結合が
領域２５だけで生ずるようにリング導波路１５とコア導
波路１４との間に必要な間隔を与えるのに十分なだけ大
きくなされる。このようなTx/Rx装置が組み立てられる
場合には、検知器がリング導波路１５と心合されなけれ
ばならず、また別個の作業で、レンズと検知器がコア導
波路１４と心合されなければならない。
では、環状の光検知器がカプラ２０の端面１３に隣接し
て配置され、この場合、検知器の穴がコア導波路１４の
中心に位置決めされる。検知器は二方向通信装置からリ
ング導波路１５を介して光を受取る。光源からの光は環
状検知器の開孔を通って端面１３におけるコア導波路１
４の端部に結合される。リング導波路の直径は、結合が
領域２５だけで生ずるようにリング導波路１５とコア導
波路１４との間に必要な間隔を与えるのに十分なだけ大
きくなされる。このようなTx/Rx装置が組み立てられる
場合には、検知器がリング導波路１５と心合されなけれ
ばならず、また別個の作業で、レンズと検知器がコア導
波路１４と心合されなければならない。
【００１６】本発明は上述した二方向光通信装置を改善
する装置を特徴とする。本発明で利用される材料および
部品は、別段の指示がない限り、標準の二方向通信装置
に使用されているものである。図２および３に示されて
いるように、本発明の装置は、新規のTx/Rxシステムを
提供するために、一体化された光源およびリング検知器
３７の組合せに関連して、同軸カプラ３０を用いる。伝
送用ファイバ３５のコアが中央のコア導波路３９と心合
した状態で端面３１に当接される。現場におけるカプラ
３０に対するファイバ３５の心合を容易にするために、
ファイバ３５がフェル−ル３３の穴に挿入され、その後
でフェル−ルがカプラ３０の少なくとも一端部を包囲す
るアラインメント・スリ−ブ３４内に入れられる。
する装置を特徴とする。本発明で利用される材料および
部品は、別段の指示がない限り、標準の二方向通信装置
に使用されているものである。図２および３に示されて
いるように、本発明の装置は、新規のTx/Rxシステムを
提供するために、一体化された光源およびリング検知器
３７の組合せに関連して、同軸カプラ３０を用いる。伝
送用ファイバ３５のコアが中央のコア導波路３９と心合
した状態で端面３１に当接される。現場におけるカプラ
３０に対するファイバ３５の心合を容易にするために、
ファイバ３５がフェル−ル３３の穴に挿入され、その後
でフェル−ルがカプラ３０の少なくとも一端部を包囲す
るアラインメント・スリ−ブ３４内に入れられる。
【００１７】あるいは、ファイバ３５は、カプラと一体
に形成されたファイバ・ピグテ−ルであってもよく、そ
の場合には、ピグテ−ルの端部が伝送用ファイバに融着
される。
に形成されたファイバ・ピグテ−ルであってもよく、そ
の場合には、ピグテ−ルの端部が伝送用ファイバに融着
される。
【００１８】本発明は、検知器と発光器を互いに精密な
関係をもって単一の基板上で結合し、基板が同軸カプラ
の端部に心合されると、その結果同時に、検知器が同軸
カプラのリング導波路に心合されるとともに、発光器が
同軸カプラの軸線方向のコア導波路に心合されるよう
に、検知器と発光器を修正する。このようにして、検知
器がリング導波路を介してシステム中を伝送される光に
結合され、そして発光器は光伝送のためにコア導波路に
結合される。
関係をもって単一の基板上で結合し、基板が同軸カプラ
の端部に心合されると、その結果同時に、検知器が同軸
カプラのリング導波路に心合されるとともに、発光器が
同軸カプラの軸線方向のコア導波路に心合されるよう
に、検知器と発光器を修正する。このようにして、検知
器がリング導波路を介してシステム中を伝送される光に
結合され、そして発光器は光伝送のためにコア導波路に
結合される。
【００１９】図３に示されているように、カプラ３０
は、発光器４４とリング検知器４５を有する基板４６よ
りなる一体化された光源／リング検知器３７と動作的に
関連されている。１つの実施例では、リング検知器は半
導体基板上または内に形成されてもよく、まそして発光
装置がリング検知器内のその基板の領域にこ着されても
よい。他の実施例では、半導体処理技術を用いて１つの
チップ上に多数の光源および検知器対が作成され、そし
てそのチップがスライスされてそれぞれ同軸カプラと係
合される個々の光源／検知器ユニットとなされ得る。い
ずれの実施例においても、発光器はリング検知器内の中
心に精密に位置決めされるのが好ましい。通常、光検知
器をそれの導波路通路に対して位置決めすることより
も、発光器をそれの導波路通路に対して位置決めするこ
とのほうがクリテイカルであることが認められる。検知
器の光感知領域は光源の発光領域よりも幾分大きくても
よい。したがって、発光器がそれの導波路通路と精密に
心合されれば、検知器はそれの導波路通路と十分に心合
される。しかし、後述するように、容量を減少させるた
めに光検知器の面積をできるだけ小さく維持することが
望ましい。
は、発光器４４とリング検知器４５を有する基板４６よ
りなる一体化された光源／リング検知器３７と動作的に
関連されている。１つの実施例では、リング検知器は半
導体基板上または内に形成されてもよく、まそして発光
装置がリング検知器内のその基板の領域にこ着されても
よい。他の実施例では、半導体処理技術を用いて１つの
チップ上に多数の光源および検知器対が作成され、そし
てそのチップがスライスされてそれぞれ同軸カプラと係
合される個々の光源／検知器ユニットとなされ得る。い
ずれの実施例においても、発光器はリング検知器内の中
心に精密に位置決めされるのが好ましい。通常、光検知
器をそれの導波路通路に対して位置決めすることより
も、発光器をそれの導波路通路に対して位置決めするこ
とのほうがクリテイカルであることが認められる。検知
器の光感知領域は光源の発光領域よりも幾分大きくても
よい。したがって、発光器がそれの導波路通路と精密に
心合されれば、検知器はそれの導波路通路と十分に心合
される。しかし、後述するように、容量を減少させるた
めに光検知器の面積をできるだけ小さく維持することが
望ましい。
【００２０】カプラのネップダウン（結合）領域以外の
領域では、リング導波路４０とコア導波路３９との間の
間隔は光結合を防止するために少なくとも５〜１０波長
（約5〜15μ）でなければならないが、それよりはるか
に大きい間隔でも可能である。この間隔は、リング導波
路の内部半径に等しいかあるいはそれより小さい環状の
光検知器の最小内部半径を指定する。検知器４５の内部
半径および厚さ、従ってそれの断面積は、それによって
生ずるが動作速度を制限するほど大きくてはならない。
検知器は連続した環状のリングの形をしていてもよく、
あるいはそれのハイ・ビットレ−ト・パ−フォ−マンス
（high bit rate performance）を改善するために個々
のユニットの環状の配列で形成されてもよい。
領域では、リング導波路４０とコア導波路３９との間の
間隔は光結合を防止するために少なくとも５〜１０波長
（約5〜15μ）でなければならないが、それよりはるか
に大きい間隔でも可能である。この間隔は、リング導波
路の内部半径に等しいかあるいはそれより小さい環状の
光検知器の最小内部半径を指定する。検知器４５の内部
半径および厚さ、従ってそれの断面積は、それによって
生ずるが動作速度を制限するほど大きくてはならない。
検知器は連続した環状のリングの形をしていてもよく、
あるいはそれのハイ・ビットレ−ト・パ−フォ−マンス
（high bit rate performance）を改善するために個々
のユニットの環状の配列で形成されてもよい。
【００２１】光源４４は、J.W. Scott et al. "Optimiz
ation of Vertical Cavity SurfaceEmitting Lasers: L
imitations of Output Power", [IEEE/Lasers and Elec
tro-Optics Society] 1991, San Jose, California, Pa
per No. SD4.4, November 4-7, 1991という刊行物に開
示されているもののようなサ−フェイス・エミッティン
グ・レ−ザ（surface emitting laser）でありうる。あ
るいは、光源４４は光をコア３９に向けて送るためのブ
ラッグ格子を有するエッジエミッティング・ダイオ−ド
（edge-emitting diode）であってもよい。このような
発光器は、発光装置がコアに接近しているがために、コ
ア３９に対する効率的な結合のためのレンズ作用を必要
としない。例えば、端面３２はチップ表面４８から20μ
m以下であってもよい。
ation of Vertical Cavity SurfaceEmitting Lasers: L
imitations of Output Power", [IEEE/Lasers and Elec
tro-Optics Society] 1991, San Jose, California, Pa
per No. SD4.4, November 4-7, 1991という刊行物に開
示されているもののようなサ−フェイス・エミッティン
グ・レ−ザ（surface emitting laser）でありうる。あ
るいは、光源４４は光をコア３９に向けて送るためのブ
ラッグ格子を有するエッジエミッティング・ダイオ−ド
（edge-emitting diode）であってもよい。このような
発光器は、発光装置がコアに接近しているがために、コ
ア３９に対する効率的な結合のためのレンズ作用を必要
としない。例えば、端面３２はチップ表面４８から20μ
m以下であってもよい。
【００２２】リング検知器は例えば米国特許第４７０９
４１３号に開示されているヒ化インジウムガリウムで作
成されうるであろう。
４１３号に開示されているヒ化インジウムガリウムで作
成されうるであろう。
【００２３】一体化された光源およびリング検知器３７
の構成要素とカプラ３０のコア導波路およびリング導波
路との適切な対合せ（proper mating）を容易にするた
めに、対合せ面にアライメント手段が形成されうる。例
えば、半導体基板４６の面４８（図３参照）が突出部５
０を形成するためにエッチングされうる。同様に、カプ
ラ３０の端面３２がウエル５２を形成するためにエッチ
ングされうる。エッチング処理は写真平版技術（photol
ithographic techniques）を用いて行うことができ、そ
れによって各表面が、精密に位置決めされたアラインメ
ント・ジグを形成するためのマスクの開口部を通じてエ
ッチングされる。装置３０および３７は突出部５０をウ
エル５２内に入れ込むことによって迅速かつ精密に心合
され得る。
の構成要素とカプラ３０のコア導波路およびリング導波
路との適切な対合せ（proper mating）を容易にするた
めに、対合せ面にアライメント手段が形成されうる。例
えば、半導体基板４６の面４８（図３参照）が突出部５
０を形成するためにエッチングされうる。同様に、カプ
ラ３０の端面３２がウエル５２を形成するためにエッチ
ングされうる。エッチング処理は写真平版技術（photol
ithographic techniques）を用いて行うことができ、そ
れによって各表面が、精密に位置決めされたアラインメ
ント・ジグを形成するためのマスクの開口部を通じてエ
ッチングされる。装置３０および３７は突出部５０をウ
エル５２内に入れ込むことによって迅速かつ精密に心合
され得る。
【００２４】図２および３の装置の設計で考慮すべき１
つの事項はニアエンド・オプティカル・クロスト−ク
（near-end optical crosstalk）であり、これは光源４
４によって放出された光信号のうち検知器４５によって
検知される量である。ニアエンド・オプティカル・クロ
スト−クは、カプラ端面３２から検知器４５に反射また
は散乱する被伝送光の量を少なくするようにコア３９お
よびカプラ・マトリクガラス４１の隣接した部分の端面
３２側の箇所に凹部を形成することによって軽減するこ
とができる。この場合にも、エッチングされるべき領域
を覆った開口部を有するマスクは写真平版技術で形成さ
れる。この処理時に、フォトレジストはコア３９および
マトリクスガラスの隣接した部分中を端面３２に向って
光を伝播させることによって露光され得る。このマスク
が形成された後で、ファイバ・コアおよびそれを包囲し
たマトリクスガラスはウエル５４を形成するようにエッ
チングすることによって除去することができる。
つの事項はニアエンド・オプティカル・クロスト−ク
（near-end optical crosstalk）であり、これは光源４
４によって放出された光信号のうち検知器４５によって
検知される量である。ニアエンド・オプティカル・クロ
スト−クは、カプラ端面３２から検知器４５に反射また
は散乱する被伝送光の量を少なくするようにコア３９お
よびカプラ・マトリクガラス４１の隣接した部分の端面
３２側の箇所に凹部を形成することによって軽減するこ
とができる。この場合にも、エッチングされるべき領域
を覆った開口部を有するマスクは写真平版技術で形成さ
れる。この処理時に、フォトレジストはコア３９および
マトリクスガラスの隣接した部分中を端面３２に向って
光を伝播させることによって露光され得る。このマスク
が形成された後で、ファイバ・コアおよびそれを包囲し
たマトリクスガラスはウエル５４を形成するようにエッ
チングすることによって除去することができる。
【００２５】ウエル５４に対応したウエルは、カプラ３
０における異なるガラスでエッチング速度が異なること
を利用することによっても形成され得る。例えば、光源
がコア３９の直径より小さい場合には、コア３９はマト
リクガラス４１より容易にエッチングされるガラスで形
成され得る。例えば、コア３９は、所要の屈折率を与え
かつ所定の溶剤、例えば酸で所望のエッチング速度を与
えるのに十分な量のGeO2およびB2O3をド−プしたシリカ
で形成され得る。
０における異なるガラスでエッチング速度が異なること
を利用することによっても形成され得る。例えば、光源
がコア３９の直径より小さい場合には、コア３９はマト
リクガラス４１より容易にエッチングされるガラスで形
成され得る。例えば、コア３９は、所要の屈折率を与え
かつ所定の溶剤、例えば酸で所望のエッチング速度を与
えるのに十分な量のGeO2およびB2O3をド−プしたシリカ
で形成され得る。
【００２６】この同軸カプラを作成する際に使用される
ファイバは、コア直径より大きいウエルを形成するため
に図４に示されているように形成され得る。ファイバ６
０はコア６１と、クラッド６２および６３よりなる。コ
アは所要の屈折率を与えかつまた例えばHFで所望のエッ
チング速度を与えるのに十分な量のGeO2およびB2O3をド
−プしたシリカで形成され得る。外側のクラッド６３は
コア６１より低い屈折率を有しかつHFでのエッチングに
対して耐性を有するシリカで形成され得る。内側のクラ
ッド領域６２は、シリカの屈折率と実質的に整合した屈
折率を与えかつHFで所望のエッチング速度を与えるのに
十分な量のGeO2およびB2O3をド−プしたシリカで形成さ
れ得る。端面６７がHFを受けると、ウエル６５がそこに
エッチング形成される。
ファイバは、コア直径より大きいウエルを形成するため
に図４に示されているように形成され得る。ファイバ６
０はコア６１と、クラッド６２および６３よりなる。コ
アは所要の屈折率を与えかつまた例えばHFで所望のエッ
チング速度を与えるのに十分な量のGeO2およびB2O3をド
−プしたシリカで形成され得る。外側のクラッド６３は
コア６１より低い屈折率を有しかつHFでのエッチングに
対して耐性を有するシリカで形成され得る。内側のクラ
ッド領域６２は、シリカの屈折率と実質的に整合した屈
折率を与えかつHFで所望のエッチング速度を与えるのに
十分な量のGeO2およびB2O3をド−プしたシリカで形成さ
れ得る。端面６７がHFを受けると、ウエル６５がそこに
エッチング形成される。
【００２７】検知器に到達する散乱光の量をさらに少な
くするために、ウエル５４の側面に図４に示されている
ようにアルミのような光反射性物質または光吸収性物質
よりなる被覆６８が設けられ得る。
くするために、ウエル５４の側面に図４に示されている
ようにアルミのような光反射性物質または光吸収性物質
よりなる被覆６８が設けられ得る。
【００２８】チップ３７を同軸カプラ端面３２に心合さ
せるために図５に示されている半田付け技術を用いるこ
ともできる。図３でウエルを設けられた端面３２上の場
所には金属化部分７１が設けられるであろう。図３で突
出部を設けられた基板４６の表面上の場所には金属化部
７０が設けられるであろう。半田７２が金属化部７０に
適用された後で、チップ３７はその半田が金属化部７１
に接触するように端面３２に隣接して位置決めされる。
溶融した半田の表面張力がチップ３７を端面３２と心合
した状態にする。この種の半田付け技術のさらに詳細に
ついては、J.E.Morris編Electronic Packaging Forum,
Volume 1, Van Nostrand REinhold, New York, New Yor
k, 1990, pp. 34-40を参照されたい。
せるために図５に示されている半田付け技術を用いるこ
ともできる。図３でウエルを設けられた端面３２上の場
所には金属化部分７１が設けられるであろう。図３で突
出部を設けられた基板４６の表面上の場所には金属化部
７０が設けられるであろう。半田７２が金属化部７０に
適用された後で、チップ３７はその半田が金属化部７１
に接触するように端面３２に隣接して位置決めされる。
溶融した半田の表面張力がチップ３７を端面３２と心合
した状態にする。この種の半田付け技術のさらに詳細に
ついては、J.E.Morris編Electronic Packaging Forum,
Volume 1, Van Nostrand REinhold, New York, New Yor
k, 1990, pp. 34-40を参照されたい。
【００２９】図６に示されているように、カプラ７４は
それのネックダウン領域で切断されてもよく、それによ
って図２の端面３１を含む大径部分が除去される。ネッ
クダウン領域７５はそこに所望の結合が生ずるのに十分
に長くなされる。このようなカプラはカプラ７４のコア
導波路とそのカプラの小径端部におけるリング導波路を
プラスしたもののモ−ドフィ−ルド直径が伝送用ファイ
バ７６のコアのモ−ドフィ−ルド直径にほぼ整合するよ
うに設計される。したがって、伝送用ファイバはカプラ
の切断されたノックダウン領域に直接接続され得る。フ
ァイバ７６をカプラ７４に心合させるためにフェル−ル
７７を用いることができる。図３に関連して説明したよ
うにカプラ７４の大径端部が光源／リング検知器と係合
する。
それのネックダウン領域で切断されてもよく、それによ
って図２の端面３１を含む大径部分が除去される。ネッ
クダウン領域７５はそこに所望の結合が生ずるのに十分
に長くなされる。このようなカプラはカプラ７４のコア
導波路とそのカプラの小径端部におけるリング導波路を
プラスしたもののモ−ドフィ−ルド直径が伝送用ファイ
バ７６のコアのモ−ドフィ−ルド直径にほぼ整合するよ
うに設計される。したがって、伝送用ファイバはカプラ
の切断されたノックダウン領域に直接接続され得る。フ
ァイバ７６をカプラ７４に心合させるためにフェル−ル
７７を用いることができる。図３に関連して説明したよ
うにカプラ７４の大径端部が光源／リング検知器と係合
する。
【００３０】図７を参照すると、カプラ７９は光ファイ
バ８０が端面８１から延長するように形成される。レン
ズ８２がファイバ８０の端部に形成される。種々のレン
ズ形状のファイバ端部を用いることができるが、円錐状
のレンズが示されている。ファイバ８０のレンズ端部は
基板８４の表面に形成されたウエル８３内に入り込んで
いる。発光装置８５はウエル８３の底において基板８４
に形成される。図７のシステムの残部の構造は図３のそ
れに類似している。光源８５からの光ファイバ８０のコ
アに結合される。レンズ端部８２からの反射光が検知器
８６の背後を伝播し、したがってこの検知器８６はその
反射光を検知することができない。
バ８０が端面８１から延長するように形成される。レン
ズ８２がファイバ８０の端部に形成される。種々のレン
ズ形状のファイバ端部を用いることができるが、円錐状
のレンズが示されている。ファイバ８０のレンズ端部は
基板８４の表面に形成されたウエル８３内に入り込んで
いる。発光装置８５はウエル８３の底において基板８４
に形成される。図７のシステムの残部の構造は図３のそ
れに類似している。光源８５からの光ファイバ８０のコ
アに結合される。レンズ端部８２からの反射光が検知器
８６の背後を伝播し、したがってこの検知器８６はその
反射光を検知することができない。
【００３１】図３を再び参照すると、光源４４によって
放出された光は、L.O. Svaasand etal, "Splicing of O
ptical Fibers with a Selective Etching Technique",
Proceedings of the [4th European Conference on Op
tical Communication (ECoC), Genoa, [Italy], 1987,
pp. 304-308, およびM. Kawachi et al. "MicrolensFor
mation on VAD Single-Mode Fibre Ends", Electronics
Letters, 21st January, 1982, Vol. 18, No. 2, pp.
71-72という刊行物に開示されているもののようなエッ
チング技術によってコア導波路３９に心合させて端面３
２にレンズ領域を形成することによりコア導波路３９に
入射され得る。リング導波路４０にもレンズを形成して
もよい。
放出された光は、L.O. Svaasand etal, "Splicing of O
ptical Fibers with a Selective Etching Technique",
Proceedings of the [4th European Conference on Op
tical Communication (ECoC), Genoa, [Italy], 1987,
pp. 304-308, およびM. Kawachi et al. "MicrolensFor
mation on VAD Single-Mode Fibre Ends", Electronics
Letters, 21st January, 1982, Vol. 18, No. 2, pp.
71-72という刊行物に開示されているもののようなエッ
チング技術によってコア導波路３９に心合させて端面３
２にレンズ領域を形成することによりコア導波路３９に
入射され得る。リング導波路４０にもレンズを形成して
もよい。
【００３２】前述の実施例では光源が同軸カプラの中央
のコア導波路に心合されたが、リング導波路と心合され
てもよい。図８に示されているように、ヒ化ガリウムの
ような材料で形成された環状の発光器８９が基板９０の
表面上に形成される。発光器８９の外周に環状の発光領
域９１が形成される。光検知器９３を支持するための領
域を設けるために発光器８９の中心にウエル９２が形成
され得る。あるいは、発光器８９にウエル９２を形成せ
ず、この発光器８９の表面上に検知器９３を形成しても
よい。基板９０が同軸カプラ９９の端面９８に隣接して
配置され、そして突出部９５がウエル９４に挿入される
と、環状の発光領域９１がリング導波路９７と光学的に
連通した状態となり、そして検知器９３が中央のコア導
波路９６と光学的に連通した状態となる。
のコア導波路に心合されたが、リング導波路と心合され
てもよい。図８に示されているように、ヒ化ガリウムの
ような材料で形成された環状の発光器８９が基板９０の
表面上に形成される。発光器８９の外周に環状の発光領
域９１が形成される。光検知器９３を支持するための領
域を設けるために発光器８９の中心にウエル９２が形成
され得る。あるいは、発光器８９にウエル９２を形成せ
ず、この発光器８９の表面上に検知器９３を形成しても
よい。基板９０が同軸カプラ９９の端面９８に隣接して
配置され、そして突出部９５がウエル９４に挿入される
と、環状の発光領域９１がリング導波路９７と光学的に
連通した状態となり、そして検知器９３が中央のコア導
波路９６と光学的に連通した状態となる。
【００３３】カプラ端面９８または基板表面８８には図
３および７にそれぞれ示されているもののようなウエル
が設けられ得る。
３および７にそれぞれ示されているもののようなウエル
が設けられ得る。
【００３４】図９は複数の発光器１０１はそれらが同軸
カプラのリング導波路と光学的に連通した状態となるよ
うに環状のパタ−ンで基板１０２上に配列され得ること
を示している。検知器１０３は同軸カプラの中央のコア
導波路を光学的に連通した状態となるであろう。発光器
１０１はすべて所定の波長を有する光を放出することが
でき、あるいは発光器のそれぞれは異なる波長の光を放
出し得る。
カプラのリング導波路と光学的に連通した状態となるよ
うに環状のパタ−ンで基板１０２上に配列され得ること
を示している。検知器１０３は同軸カプラの中央のコア
導波路を光学的に連通した状態となるであろう。発光器
１０１はすべて所定の波長を有する光を放出することが
でき、あるいは発光器のそれぞれは異なる波長の光を放
出し得る。
【００３５】同様にして、発光器は図３に示されている
ように中央に位置決めされ得るとともに、光検知器は単
一の波長または複数の異なる波長を検知することができ
る複数のセグメントで形成され得る。
ように中央に位置決めされ得るとともに、光検知器は単
一の波長または複数の異なる波長を検知することができ
る複数のセグメントで形成され得る。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明から判るように、本発明で
は、検知器と発光器を互いに精密な関係をもって単一の
基板上で結合し、基板が同軸カプラの端部に心合される
と、その結果同時に、検知器が同軸カプラのリング導波
路に心合されるとともに、発光器が同軸カプラの軸線方
向のコア導波路に心合されるように、検知器と発光器を
修正する。このようにして、検知器がリング導波路を介
してシステム中を伝送される光に結合され、そして発光
器は光伝送のためにコア導波路に結合される。このよう
にして、本発明によれば、光源と光検知器とが同軸カプ
ラに対して同時に心合されるTx/Rxパッケ−ジが提供さ
れる。
は、検知器と発光器を互いに精密な関係をもって単一の
基板上で結合し、基板が同軸カプラの端部に心合される
と、その結果同時に、検知器が同軸カプラのリング導波
路に心合されるとともに、発光器が同軸カプラの軸線方
向のコア導波路に心合されるように、検知器と発光器を
修正する。このようにして、検知器がリング導波路を介
してシステム中を伝送される光に結合され、そして発光
器は光伝送のためにコア導波路に結合される。このよう
にして、本発明によれば、光源と光検知器とが同軸カプ
ラに対して同時に心合されるTx/Rxパッケ−ジが提供さ
れる。
【図１】同軸カプラの断面図である。
【図２】本発明の１つの実施例の概略図である。
【図３】合体した光源／リング検知器と同軸カプラとの
心合状態を示す断面図である。
心合状態を示す断面図である。
【図４】エッチングしたウエルを有する光ファイバの断
面図である。
面図である。
【図５】２つの表面の心合状態を示す断面図である。
【図６】ネックダウン領域で終端した同軸カプラを示す
断面図である。
断面図である。
【図７】送受信機間のクロスト−クが軽減されたシステ
ムの断面図である。
ムの断面図である。
【図８】本発明の他の実施例の断面図である。
【図９】中央に配置された検知器のまわりにおける発光
器の環状の配列を概略的に示している。
器の環状の配列を概略的に示している。
３０ 同軸カプラ ３１ 端面 ３５ 伝送用ファイバ ３７ 一体化された光源／リング検知器 ３９ コア導波路３９ ４０ リング導波路 ４１ カプラ・マトリクガラス ４４ 発光器 ４５ リング検知器 ４６ 基板 ５０ 突出部 ５２ ウエル ５４ ウエル ６０ ファイバ ６１ コア ６２、６３ クラッド ６７ 端面 ６５ ウエル ７０、７１ 金属化部分 ７２ 半田 ７４ カプラ ７５ ネックダウン領域 ７６ 伝送用ファイバ ７７ フェル−ル ７９ カプラ ８０ 光ファイバ ８１ 端面 ８２ レンズ ８３ ウエル ８４ 基板 ８５ 発光装置 ８６ 検知器 ８９ 発光器 ９０ 基板 ９１ 発光領域 ９２ ウエル ９３ 光検知器 ９４ ウエル ９５ 突出部 ９６ コア導波路 ９７ リング導波路 ９９ 同軸カプラ １０１ 発光器 １０２ 基板 １０３ 検知器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/14 10/135 10/13 10/12 Ｈ０４Ｂ 9/00 Ｑ (72)発明者 ダニエル アロイサイアス ノラン アメリカ合衆国ニューヨーク州14830、コ ーニング、スカイライン ドライブ 28 (72)発明者 デイビッド リー ワイドマン アメリカ合衆国ニューヨーク州14830、コ ーニング、アッパー ドライブ 17
Claims (12)
- 【請求項１】二方向光通信装置のための入力／出力装置
において、 リング導波路によって包囲されたコア導波路を有し、か
つ前記コア導波路およびリング導波路が終端する端面を
有する同軸カプラと、 前記同軸カプラの端面に隣接して配置された第１の表面
を有する基板と、 前記基板の前記第１の表面に配置された発光器および光
検知器を具備しており、 前記発光器および光検知器のうちの１つが前記リング導
波路に光学的に接続され、 前記発光器および光検知器の残りの１つが前記同軸カプ
ラの前記コア導波路に光学的に接続される二方向光通信
装置のための入力／出力装置。 - 【請求項２】前記検知器または前記発光器が環状の内側
および外側境界によって画成されかつ前記リング導波路
に対して受光関係をもって前記基板に配置されており、
そして前記光検知器または前記光源が光伝送を前記同軸
カプラの前記コア導波路に向けるために前記内側検知器
境界内において前記基板に配置されている請求項１の入
力／出力装置。 - 【請求項３】前記カプラ端面における凹状領域をさらに
具備しており、前記凹状領域は前記コア導波路の長手方
向軸線上に中心位置決めされ、前記凹状領域の直径は前
記コア導波路の直径と少なくとも同じ大きさであり、前
記光源または前記光検知器が前記凹状領域内に延長して
いる請求項２の入力／出力装置。 - 【請求項４】前記凹状領域の直径は前記コア導波路の直
径より大きい請求項２または３の入力／出力装置。 - 【請求項５】前記同軸カプラ端部における前記コア導波
路の端部がレンズ内に形成されている請求項１、２、３
または４の入力／出力装置。 - 【請求項６】前記基板におけるウエルをさらに具備して
おり、前記発光器または前記検知器が前記ウエル内に配
置されており、前記コア導波路が前記カプラの端面から
前記ウエル内に延長しており、前記端面から延長した前
記コアの部分がクラッドを有している請求項１、２、
３、４または５の入力／出力装置。 - 【請求項７】前記コア導波路がそれの端部にレンズを有
する請求項６の入力／出力装置。 - 【請求項８】前記検知器が複数のセグメントで形成され
ている請求項１〜７のうちの１つによる入力／出力装
置。 - 【請求項９】前記複数の発光器セグメントのそれぞれが
異なる波長の光を放出する請求項８の入力／出力装置。 - 【請求項１０】前記基板表面上のアラインメント・ジグ
と係合する前記カプラ端面上のアラインメント・ジグを
さらに具備している請求項１〜９のうちの１つによる入
力／出力装置。 - 【請求項１１】前記アラインメント・ジグが前記カプラ
端面または前記基板表面のうちの何れか一方におけるウ
エルと、前記カプラ端面または前記基板表面のうちの他
方における突出部を具備しており、前記突出部のそれぞ
れが前記ウエルのうちの対応するもの中に突入している
請求項１０の入力／出力装置。 - 【請求項１２】前記アラインメント・ジグが前記端面上
のカプラ金属化部およびこのカプラ金属化部に係合した
前記第１の表面上の金属化部と、各カプラ金属化部と前
記第１の表面上の各金属化部の間における所定量の半田
よりなる請求項１１の入力／出力装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US234065 | 1994-04-28 | ||
| US08/234,065 US5418870A (en) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | Coaxial coupler with integrated source/ring detector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07301735A true JPH07301735A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=22879748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7123037A Pending JPH07301735A (ja) | 1994-04-28 | 1995-04-25 | 二方向光通信装置のための入力／出力装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5418870A (ja) |
| EP (1) | EP0679915B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07301735A (ja) |
| AU (1) | AU682094B2 (ja) |
| CA (1) | CA2145127A1 (ja) |
| DE (1) | DE69527169T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004279745A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | テーパー加工フォトニック結晶ファイバ、その製造方法、及びフォトニック結晶ファイバの接続方法 |
| JP2008281780A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Nitto Denko Corp | タッチパネル用レンズ付き光導波路およびそれに用いる光導波路 |
| TWI506313B (zh) * | 2011-12-27 | 2015-11-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 光纖耦合連接裝置 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5912872A (en) * | 1996-09-27 | 1999-06-15 | Digital Optics Corporation | Integrated optical apparatus providing separated beams on a detector and associated methods |
| DE19823213C2 (de) * | 1998-05-25 | 2002-02-21 | Infineon Technologies Ag | Bidirektionale optische Sende- und Empfangseinrichtung |
| US6381045B1 (en) * | 1998-06-24 | 2002-04-30 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for bidirectional communication over a single optical fiber |
| US7308167B2 (en) | 2004-09-01 | 2007-12-11 | Agilent Technologies, Inc. | Optical assembly with optoelectronic device alignment |
| FR2928460A1 (fr) * | 2008-03-07 | 2009-09-11 | Intexys Sa Sa | Sous-ensemble optoelectronique |
| WO2009118484A2 (fr) * | 2008-03-07 | 2009-10-01 | Intexys Photonics | Sous-ensemble optoelectronique |
| JP2016512617A (ja) * | 2013-03-13 | 2016-04-28 | オーエフエス ファイテル，エルエルシー | 光をコリメートし、光ファイバー内に集光すること |
| CN104393387B (zh) * | 2014-12-08 | 2018-04-17 | 电子科技大学 | 一种利用滑动活塞进行调谐的孔耦合调谐装置 |
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| US10180544B2 (en) * | 2016-11-17 | 2019-01-15 | Corning Optical Communications LLC | Micro-optical systems and assemblies using glass tubes and methods of forming same |
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| FR3122503B1 (fr) * | 2021-04-28 | 2024-05-10 | Quandela | Procédé de couplage de haute précision d’une fibre optique avec un dispositif photonique et microstructure de mise en oeuvre |
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|---|---|---|---|---|
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| US4279465A (en) * | 1979-11-30 | 1981-07-21 | The Singer Company | Device for transmitting and receiving optical data on the same optical transmission line |
| US4363533A (en) * | 1979-12-26 | 1982-12-14 | Gould Inc. | Concentric fiber optical transducer |
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| US5096277A (en) * | 1982-08-06 | 1992-03-17 | Kleinerman Marcos Y | Remote measurement of physical variables with fiber optic systems |
| US4709413A (en) * | 1982-09-10 | 1987-11-24 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Bidirectional fiber optic systems |
| JPS5977402A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-02 | Toshiba Corp | 光リンク |
| GB8519086D0 (en) * | 1985-07-29 | 1985-09-04 | Gen Electric Co Plc | Coaxial couplers |
| NL8502625A (nl) * | 1985-09-26 | 1987-04-16 | Philips Nv | Optisch transmissiesysteem bevattende een stralingsbron en een meervoudig beklede monomode optische transmissievezel met een negatieve stap in het brekingsindexprofiel. |
| DE3716772A1 (de) * | 1987-05-19 | 1988-12-08 | Siemens Ag | Optoelektronische sende- und empfangsvorrichtung |
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-
1994
- 1994-04-28 US US08/234,065 patent/US5418870A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-03-21 CA CA002145127A patent/CA2145127A1/en not_active Abandoned
- 1995-04-18 DE DE69527169T patent/DE69527169T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-04-18 EP EP95105749A patent/EP0679915B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-19 AU AU16560/95A patent/AU682094B2/en not_active Ceased
- 1995-04-25 JP JP7123037A patent/JPH07301735A/ja active Pending
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69527169T2 (de) | 2002-12-12 |
| EP0679915A3 (en) | 1996-08-21 |
| EP0679915A2 (en) | 1995-11-02 |
| DE69527169D1 (de) | 2002-08-01 |
| US5418870A (en) | 1995-05-23 |
| AU1656095A (en) | 1995-11-09 |
| AU682094B2 (en) | 1997-09-18 |
| EP0679915B1 (en) | 2002-06-26 |
| CA2145127A1 (en) | 1995-10-29 |
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