JPH0729818A - Substrate treating apparatus - Google Patents

Substrate treating apparatus

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JPH0729818A
JPH0729818A JP19907393A JP19907393A JPH0729818A JP H0729818 A JPH0729818 A JP H0729818A JP 19907393 A JP19907393 A JP 19907393A JP 19907393 A JP19907393 A JP 19907393A JP H0729818 A JPH0729818 A JP H0729818A
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JP
Japan
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fluid
substrate
discharge port
introduction port
port
Prior art date
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Application number
JP19907393A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Kise
一夫 木瀬
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To provide a substrate treating apparatus in which a fluid for treating the surface of a substrate can be fed uniformly onto the surface of the substrate through a simple structure. CONSTITUTION:A section 16 for conducting an introduction port 14 and a delivery port has first and second storage sections 18, 20 disposed in series along the flow of fluid flowing from the introduction port 14 toward the delivery port. Each of the storage sections 18, 20 has width enlarging toward the delivery port side. An interrupting section 22 is disposed oppositely to the introduction port 14 in the conducting section 16 in order to regulate the flow of fluid such that the fluid is not fed directly to the second storage section 20 from the introduction port 14.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、基板の表面に所定の
流体を供給して、前記基板の表面に所定の処理を行う基
板処理装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for supplying a predetermined fluid to the surface of a substrate to perform a predetermined treatment on the surface of the substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程もしくは液晶製造工程で
は、以下のように液体や気体(以下、これらを総称して
「流体」という)により、半導体ウエハ,液晶用ガラス
角型基板やプリント基板など(以下、単に「基板」とい
う)の表面に種々の処理を行う基板処理装置が用いられ
ている。この種の基板処理装置は、表面処理ノズルを備
えており、例えば、エッチング,現像,剥離などのため
の各種処理液を表面処理ノズルから基板表面に供給して
所定の処理を行ったり、空気や窒素ガスなどの各種気体
を表面処理ノズルから基板表面に供給して所定の処理を
行ったりしている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process or a liquid crystal manufacturing process, a semiconductor wafer, a glass rectangular substrate for liquid crystal, a printed circuit board, etc. (hereinafter referred to as "fluid" collectively) are manufactured by a liquid or gas (hereinafter referred to as "fluid"). Hereinafter, a substrate processing apparatus for performing various kinds of processing on the surface of a "substrate") is used. This type of substrate processing apparatus is provided with a surface treatment nozzle. For example, various processing liquids for etching, development, peeling, etc. are supplied from the surface treatment nozzle to the surface of the substrate to perform a predetermined treatment, or air or Various gases such as nitrogen gas are supplied from the surface treatment nozzle to the surface of the substrate to perform a predetermined treatment.

【0003】ところで、基板処理装置により基板処理を
良好に行うためには、基板表面に流体を均一に供給する
必要がある。そこで、従来より、流体の均一供給可能な
ノズルを備えた基板処理装置が種々知られている。例え
ば、特開平5−13320号公報では、レジスト液が塗
布された後に所定のパターンが露光された半導体ウエハ
に現像処理を施す現像装置が開示されている。この現像
装置(基板処理装置)には、ウエハ全面に現像液を均一
に供給するため、現像液供給配管から供給される現像液
を液体収容部に貯留し,半導体ウエハ表面に近接して対
向する突出部に形成された多数(数百個)の細孔(直径
が0.1−1.0mm程度,ピッチが0.1−1.0m
m程度)から、液体収容部に貯留された現像液を滲み出
させることによって、現像液を半導体ウエハに供給する
ノズルが設けられている。
By the way, in order to perform good substrate processing by the substrate processing apparatus, it is necessary to uniformly supply the fluid to the surface of the substrate. Therefore, conventionally, various substrate processing apparatuses equipped with nozzles capable of uniformly supplying a fluid have been known. For example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-13320 discloses a developing device that performs a developing process on a semiconductor wafer that has been exposed with a predetermined pattern after being coated with a resist solution. In order to uniformly supply the developing solution to the entire surface of the wafer, the developing solution (substrate processing apparatus) stores the developing solution supplied from the developing solution supply pipe in the liquid storage portion and faces the surface of the semiconductor wafer closely. A large number (several hundreds) of pores (diameter of about 0.1-1.0 mm, pitch of 0.1-1.0 m) formed on the protrusions.
A nozzle for supplying the developing solution to the semiconductor wafer by bleeding the developing solution stored in the liquid storage portion is provided from about m).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の表面処理ノズルにおいては、突出部に多数の細孔を
形成する必要があり、その加工が大変である。例えば、
上記公報に記載されている実施例によれば、直径0.2
mmの細孔を0.6mmピッチで270個形成する必要
がある。
However, in the surface treatment nozzle having the above structure, it is necessary to form a large number of pores in the protruding portion, which is difficult to process. For example,
According to the embodiment described in the above publication, a diameter of 0.2
It is necessary to form 270 mm mm pores at a pitch of 0.6 mm.

【0005】また、細孔の直径及びピッチに加工誤差が
生じると流体を均一に供給することができなくなるた
め、上記加工誤差を生じさせることなく、細孔を形成す
る必要があるが、このような条件を満足しつつ細孔を形
成することは表面処理ノズルの製作上難しく、製作コス
トの増大を招いている。
Further, if a processing error occurs in the diameter and pitch of the pores, the fluid cannot be supplied uniformly, so it is necessary to form the pores without causing the processing error. It is difficult to form the pores while satisfying the above conditions in the production of the surface treatment nozzle, resulting in an increase in production cost.

【0006】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
で、簡単な構成により、基板表面を処理する流体を基板
表面に均一に供給することができる基板処理装置を提供
することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of uniformly supplying a fluid for processing a substrate surface to the substrate surface with a simple structure. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
を支持手段により水平に支持し、流体供給手段と基板を
相対的に移動させることで、基板の表面に所定の流体を
供給して、所定の処理を行う基板処理装置であって、上
記目的を達成するため、前記流体供給手段を、前記流体
が導入される導入口と、前記流体を前記基板表面に向け
て吐出する吐出口と、前記導入口から前記吐出口に進む
にしたがって幅が広がるように連通させ、前記導入口を
介して導入された前記流体を前記吐出口に供給する連通
部とを有する表面処理ノズルで構成している。
According to a first aspect of the present invention, a substrate is horizontally supported by a supporting unit, and a fluid is supplied to the surface of the substrate by moving the fluid supplying unit and the substrate relatively. In order to achieve the above-mentioned object, a substrate processing apparatus for performing a predetermined process, the fluid supply means, an inlet for introducing the fluid, and an outlet for ejecting the fluid toward the surface of the substrate. And a communication part that communicates so that the width increases from the introduction port to the discharge port and that supplies the fluid introduced through the introduction port to the discharge port. ing.

【0008】請求項2の発明は、基板を支持手段により
水平に支持し、流体供給手段と基板を相対的に移動させ
ることで、基板の表面に所定の流体を供給して、所定の
処理を行う基板処理装置であって、上記目的を達成する
ため、前記流体供給手段を、前記流体が導入される導入
口と、前記流体を前記基板表面に向けて吐出する吐出口
と、前記導入口と前記吐出口とを連通させ、前記導入口
を介して導入された前記流体を前記吐出口に供給する連
通部と、前記導入口に導入された前記流体が直接的に前
記吐出口に供給されるのを制限するために、連通部内の
前記導入口に対向して設けられた遮断部とを有する表面
処理ノズルで構成している。
According to the second aspect of the present invention, the substrate is horizontally supported by the supporting means, and the fluid supplying means and the substrate are moved relatively to each other, thereby supplying a predetermined fluid to the surface of the substrate to perform a predetermined treatment. In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus performs the fluid supply means, an inlet for introducing the fluid, an outlet for ejecting the fluid toward the substrate surface, and the inlet. The communication part that communicates with the discharge port and supplies the fluid introduced through the introduction port to the discharge port, and the fluid introduced into the introduction port are directly supplied to the discharge port. In order to limit the above, it is constituted by a surface treatment nozzle having a blocking section provided facing the introduction port in the communication section.

【0009】請求項3の発明は、基板を支持手段により
水平に支持し、流体供給手段と基板を相対的に移動させ
ることで、基板の表面に所定の流体を供給して、所定の
処理を行う基板処理装置であって、上記目的を達成する
ため、前記流体供給手段を、前記流体が導入される導入
口と、前記流体を前記基板表面に向けて吐出する吐出口
と、前記導入口から前記吐出口に向けて直列に配置され
た複数の貯留部とを介して連通させ、前記導入口を導入
された前記流体を前記複数の貯留部を順に経由して前記
吐出口に供給する連通部とを有する表面処理ノズルで構
成している。
According to the third aspect of the present invention, the substrate is supported horizontally by the supporting means, and the fluid supplying means and the substrate are moved relatively to each other, thereby supplying a predetermined fluid to the surface of the substrate to perform a predetermined treatment. In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus performs the fluid supply means from an inlet through which the fluid is introduced, an outlet through which the fluid is ejected toward the substrate surface, and the inlet. A communication unit that communicates with a plurality of storage units arranged in series toward the discharge port, and supplies the fluid introduced through the introduction port to the discharge port through the plurality of storage units in order. And a surface treatment nozzle having.

【0010】請求項4の発明は、基板を支持手段により
水平に支持し、流体供給手段と基板を相対的に移動させ
ることで、基板の表面に所定の流体を供給して、所定の
処理を行う基板処理装置であって、上記目的を達成する
ため、前記流体供給手段が、前記流体が導入される導入
口と、前記流体を前記基板表面に向けて吐出する吐出口
と、前記導入口から前記吐出口に向けて直列に配置さ
れ、しかもそれぞれの幅が導入口から前記吐出口に進む
にしたがって広がっている複数の貯留部とを介して連通
させ、前記導入口を導入された前記流体を前記複数の貯
留部を順に経由して前記吐出口に供給する連通部と、前
記導入口に導入された前記流体が直接的に前記吐出口に
供給されるのを制限するために、連通部内の前記導入口
に対向して設けられた遮断部とを有する表面処理ノズル
で構成している。
According to a fourth aspect of the present invention, the substrate is horizontally supported by the supporting means, and the fluid supplying means and the substrate are moved relatively to each other, thereby supplying a predetermined fluid to the surface of the substrate to perform a predetermined treatment. In order to achieve the above object, in the substrate processing apparatus, the fluid supply means introduces an inlet for the fluid, an outlet for ejecting the fluid toward the substrate surface, and an inlet for introducing the fluid. The fluid introduced through the introduction port is communicated through a plurality of reservoirs that are arranged in series toward the discharge port, and the widths of the respective reservoirs are wider as the discharge port advances from the introduction port to the discharge port. In order to restrict the communication part that supplies the discharge port via the plurality of storage parts in order and the fluid introduced into the introduction port from being directly supplied to the discharge port, Provided opposite to the inlet It is constituted by a surface treatment nozzle having a shut-off portion.

【0011】[0011]

【作用】この発明では、導入口を介して導入された流体
が、その幅が前記導入口から前記吐出口に進むにしたが
って広がっている連通部を通って吐出口に供給される。
According to the present invention, the fluid introduced through the introduction port is supplied to the discharge port through the communication portion whose width increases from the introduction port to the discharge port.

【0012】また、遮断部が導入口に対向して連通部内
に設けられており、前記導入口に導入された流体が直接
的に吐出口に供給されるのを制限する。
Further, the shutoff portion is provided in the communication portion so as to face the introduction port, and restricts the fluid introduced into the introduction port from being directly supplied to the discharge port.

【0013】さらに、導入口と吐出口とを連通する連通
部が前記導入口から前記吐出口に向けて直列に配置され
た複数の貯留部で構成されており、前記導入口に導入さ
れた流体が前記複数の貯留部を順番に経由して前記吐出
口に供給される。
Further, the communication part for communicating the introduction port and the discharge port is composed of a plurality of storage parts arranged in series from the introduction port to the discharge port, and the fluid introduced into the introduction port. Is supplied to the discharge port via the plurality of storage units in order.

【0014】[0014]

【実施例】図1において、本発明の一実施例による基板
処理装置1は、角型のガラス基板3を真空チャックによ
り吸着支持し得る基板支持部5と、基板支持部5に支持
された基板3に対して現像液を供給する表面処理ノズル
2(以下、単にノズル)とを備えている。ノズル2は基
板3の長手方向に基板3の上面に沿って移動して基板全
面に現像液を供給し得る構成となっている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a substrate supporting portion 5 capable of adsorbing and supporting a square glass substrate 3 by a vacuum chuck, and a substrate supported by the substrate supporting portion 5. 3 is provided with a surface treatment nozzle 2 (hereinafter simply referred to as a nozzle) that supplies a developing solution. The nozzle 2 is configured to be able to move along the upper surface of the substrate 3 in the longitudinal direction of the substrate 3 and supply the developing solution to the entire surface of the substrate.

【0015】図2は、この発明にかかる基板処理装置の
一実施例を示す分解斜視図である。また、図3は、ノズ
ルの断面図である。このノズル2では、略コ字状のパッ
キン部材4が、その開放部4aが下方を向いた状態で、
ノズル本体6,8により挟み込まれ、これらパッキン部
材4およびノズル本体6,8が一体化されている。この
ため、図3に示すように、ノズル本体6,8の先端部で
は、隙間(つまり吐出口)10が形成されており、流体
を基板(図示省略)に向けて吐出可能となっている。
FIG. 2 is an exploded perspective view showing an embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. Further, FIG. 3 is a sectional view of the nozzle. In this nozzle 2, the substantially U-shaped packing member 4 has its open portion 4a facing downward,
The packing member 4 and the nozzle bodies 6 and 8 are integrated by being sandwiched by the nozzle bodies 6 and 8. Therefore, as shown in FIG. 3, a gap (that is, a discharge port) 10 is formed at the tip of the nozzle bodies 6 and 8 so that the fluid can be discharged toward the substrate (not shown).

【0016】また、ノズル本体6の外側面の略中央部に
は、パイプ部材12が突設されており、パイプ部材12
の先端の導入口14を介してノズル本体6に流体を供給
可能となっている。ここで、導入口14を介して導入さ
れた流体は、パッキン部材4およびノズル本体6,8が
一体化された状態で形成される連通部16(詳細につい
ては、次に説明する)を介して吐出口10に供給され、
図示を省略する基板の表面に吐出される。
Further, a pipe member 12 is provided in a substantially central portion on the outer side surface of the nozzle body 6, and the pipe member 12 is provided.
A fluid can be supplied to the nozzle body 6 through the inlet 14 at the tip of the. Here, the fluid introduced through the introduction port 14 passes through a communication portion 16 (details will be described below) formed in a state where the packing member 4 and the nozzle bodies 6 and 8 are integrated. Is supplied to the discharge port 10,
It is discharged onto the surface of the substrate (not shown).

【0017】この連通部16は、第1および第2の貯留
部18,20を有しており、それぞれ導入口14から吐
出口10に向けて流れる流体の流れに沿って直列に配置
されている。第1の貯留部18は、図4に示すように、
一方がパイプ部材12の中空部と連結されるとともに、
その幅W18が導入口14から吐出口10側に進む、つま
り矢印方向Pに行くにしたがって広がっている。また、
第2の貯留部20についても、上記と同様に、その幅W
20が吐出口10側に進む(矢印方向Pに行く)にしたが
って広がっている。
The communication section 16 has first and second storage sections 18 and 20, and they are arranged in series along the flow of the fluid flowing from the introduction port 14 toward the discharge port 10. . As shown in FIG. 4, the first storage section 18 is
One is connected to the hollow part of the pipe member 12, and
The width W18 thereof advances from the introduction port 14 to the ejection port 10 side, that is, becomes wider in the direction of arrow P. Also,
The width W of the second storage section 20 is also similar to the above.
20 spreads as it goes to the discharge port 10 side (in the direction of arrow P).

【0018】さらに、この実施例では、図2に示すよう
に、連通部16内で導入口14に対向して遮断部22が
設けられており、導入口14を介して導入された流体が
直接的に吐出口10側に供給されないように、流体の流
れを規制している。
Further, in this embodiment, as shown in FIG. 2, a cutoff portion 22 is provided in the communication portion 16 so as to face the inlet port 14, and the fluid introduced through the inlet port 14 directly The flow of the fluid is regulated so that it is not supplied to the discharge port 10 side.

【0019】次に、上記のように構成された表面処理ノ
ズル2の動作について、流体の流れを中心に説明する。
まず、図2および図3の矢印R1 に示すように、導入口
14を介して流体がノズル2に導入されると、第1の貯
留部18内に貯留される。このとき、上記のように第1
の貯留部18の幅W18が吐出口10側に進むにしたがっ
て広がっているため、図1の矢印R2 で示すように、流
体が第1の貯留部18内に拡散して流体の圧力が均一化
する。
Next, the operation of the surface treatment nozzle 2 configured as described above will be described focusing on the flow of fluid.
First, as shown by the arrow R1 in FIGS. 2 and 3, when the fluid is introduced into the nozzle 2 through the introduction port 14, it is stored in the first storage section 18. At this time, as described above, the first
Since the width W18 of the storage portion 18 of the fluid is widened toward the discharge port 10 side, as shown by the arrow R2 in FIG. 1, the fluid diffuses into the first storage portion 18 and the pressure of the fluid becomes uniform. To do.

【0020】そして、第1の貯留部18内の流体は、吐
出口10側に配置された第2の貯留部20に流れ込む
(矢印R3 )。この実施例では、遮断部22を設けたこ
とにより、導入口14からの流体のうち最短の距離で第
2の貯留部20に直接的に流れ込もうとする流体の流れ
を規制することができ、優れた整流効果が得られる。と
いうのも、このように直接的に第2の貯留部20に流れ
込もうとする流体の圧力は、貯留部18内に拡散したも
のよりも比較的高い圧力を有しており、この流体を直接
的に貯留部20に流入させると、貯留部20に流れ込む
流体の圧力分布が不均一となるが、遮断部22を設ける
ことにより、その流体の流れを規制することができ、圧
力分布の均一化を図ることができるからである。
Then, the fluid in the first reservoir 18 flows into the second reservoir 20 arranged on the discharge port 10 side (arrow R3). In this embodiment, by providing the blocking portion 22, it is possible to regulate the flow of the fluid that is about to flow directly into the second storage portion 20 at the shortest distance of the fluid from the introduction port 14. , An excellent rectifying effect can be obtained. This is because the pressure of the fluid that is about to flow directly into the second storage portion 20 in this manner has a relatively higher pressure than that of the fluid that has diffused into the storage portion 18, and When the fluid directly flows into the storage section 20, the pressure distribution of the fluid flowing into the storage section 20 becomes non-uniform, but by providing the blocking section 22, the flow of the fluid can be regulated and the pressure distribution becomes uniform. This is because it can be realized.

【0021】さらに、第2の貯留部20に流入した流体
は、その貯留部20で貯留された後、図3の矢印R4 に
示すように吐出口10を通過して基板表面(図示省略)
に向けて吐出される。なお、この貯留部20において
も、上記第1の貯留部18と同様の形状になっており、
流入した流体は全体に拡散し、流体の圧力が均一化す
る。
Further, the fluid flowing into the second storage portion 20 is stored in the storage portion 20, and then passes through the discharge port 10 as shown by an arrow R4 in FIG.
Is discharged toward. The storage section 20 also has the same shape as the first storage section 18,
The fluid that has flowed in diffuses throughout, and the pressure of the fluid becomes uniform.

【0022】以上のように、この実施例では、連通部1
6を構成する貯留部18,20を、その幅W18,W20が
導入口14から吐出口10側に進むにしたがって広がる
ように形成する(第1の圧力均一化手段)ことにより、
また連通部16内で導入口14に対向して遮断部22を
設ける(第2の圧力均一化手段)ことにより、さらに複
数の貯留部18,20を直列に設ける(第3の圧力均一
化手段)ことにより、連通部16内で整流し、吐出口1
0からの流体の吐出圧力を一定にしている。したがっ
て、簡素な構成で、基板表面に流体を均一に吐出するこ
とができる。
As described above, in this embodiment, the communication section 1
By forming the storage portions 18 and 20 constituting 6 so that the widths W18 and W20 thereof widen as they move from the inlet 14 toward the outlet 10 (first pressure equalizing means),
Further, by providing the blocking portion 22 in the communicating portion 16 so as to face the inlet 14 (second pressure equalizing means), a plurality of storage portions 18, 20 are further provided in series (third pressure equalizing means). ), The flow is rectified in the communication part 16 and the discharge port 1
The discharge pressure of the fluid from 0 is kept constant. Therefore, the fluid can be uniformly discharged onto the substrate surface with a simple configuration.

【0023】なお、上記実施例では、第1ないし第3の
圧力均一化手段を組み合わせて、流体の整流を図ってい
るが、それぞれ単独の手段により均一化を図ってもよ
く、あるいはそれらの均一化手段を任意に組み合わせて
もよい。
In the above embodiment, the first to third pressure equalizing means are combined to rectify the fluid, but the individual means may be used for equalizing, or they may be equalized. You may combine the conversion means arbitrarily.

【0024】本実施例においてはノズルが基板上面を移
動して現像液を供給する構成で説明したが、これに限る
ものでなく、例えば、ノズルが固定で基板が移動する構
成、さらには、両者が移動可能等、すなわち、ノズルと
基板とを相対的に移動させて基板表面全体に現像液が行
き渡るように構成のものであれば何でもよい。
In the present embodiment, the nozzle has been described as moving on the upper surface of the substrate to supply the developing solution. However, the invention is not limited to this. For example, the nozzle may be fixed and the substrate may be moved. Can be moved, that is, the nozzle and the substrate can be moved relative to each other so that the developing solution is spread over the entire surface of the substrate.

【0025】また、処理基板も角型ガラス基板に限るも
のではなく、本実施例のノズルから現像液を吐出させつ
つノズルとウエハとの少なくとも一方をウエハの中心を
回転軸として相対的に回転させてウエハ表面全体に現像
液が行き渡るように構成すれば、円形の半導体ウエハ表
面に現像液を供給することも可能である。
Further, the processing substrate is not limited to the rectangular glass substrate, and at least one of the nozzle and the wafer is relatively rotated with the center of the wafer as a rotation axis while discharging the developing solution from the nozzle of this embodiment. If the developing solution is spread over the entire wafer surface, it is possible to supply the developing solution to the circular semiconductor wafer surface.

【0026】なお、本発明のノズルは,現像液の供給に
のみ使用されるものではなく、フォトレジスト液などの
塗布,洗浄液の供給などにも使用可能であり,更に液体
に限らずオゾンなどの気体の供給にも使用することがで
きる。
The nozzle of the present invention can be used not only for supplying a developing solution but also for coating a photoresist solution, supplying a cleaning solution, and the like, and is not limited to a liquid, such as ozone. It can also be used to supply gas.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、以下
の3つの構成、すなわち導入口を介して導入された流体
を、その幅が前記導入口から前記吐出口に進むにしたが
って広がっている連通部を通って吐出口側に供給する構
成(第1の構成),導入口に対向して連通部内に設けら
れ、前記導入口に導入された流体が直接的に吐出口に供
給されるのを制限する遮断部(第2の構成)および導入
口から吐出口に向けて直列に配置された複数の貯留部か
らなる連通部(第3の構成)を、それぞれ単独で、ある
いはすべてを組み合わせて、表面処理ノズルを構成して
いるため、簡単な構成で、流体を基板表面に均一に供給
することができる。
As described above, according to the present invention, the width of the fluid introduced through the following three configurations, that is, the width of the fluid introduced from the inlet is expanded as it goes from the inlet to the outlet. A configuration (first configuration) for supplying the fluid to the discharge port side through the communicating portion, a fluid provided in the communication portion facing the introduction port, and introduced into the introduction port is directly supplied to the discharge port. The shutoff unit (second configuration) that restricts the flow rate and the communication unit (third configuration) that includes a plurality of storage units that are arranged in series from the inlet port to the discharge port, either alone or in combination. Since the surface treatment nozzle is configured, the fluid can be uniformly supplied to the substrate surface with a simple configuration.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明にかかる基板処理装置の一実施例を示す
側面図である。
FIG. 1 is a side view showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】ノズルの一実施例を示す分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view showing an embodiment of a nozzle.

【図3】ノズルの断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a nozzle.

【図4】第1の貯留部の形状を示すためのノズル本体の
断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a nozzle body showing a shape of a first storage portion.

【図5】第2の貯留部の形状を示すためのノズル本体の
断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a nozzle body showing a shape of a second storage portion.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 吐出口 14 導入口 16 連通部 18,20 貯留部 10 Discharge port 14 Inlet port 16 Communication part 18, 20 Storage part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/304 341 N ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication H01L 21/304 341 N

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を支持手段により水平に支持し、流
体供給手段と基板を相対的に移動させることで、基板の
表面に所定の流体を供給して、所定の処理を行う基板処
理装置において、 前記流体供給手段が、 前記流体が導入される導入口と、 前記流体を前記基板表面に向けて吐出する吐出口と、 前記導入口から前記吐出口に進むにしたがって幅が広が
るように連通させ、前記導入口を介して導入された前記
流体を前記吐出口に供給する連通部とを有する表面処理
ノズルであることを特徴とする基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for horizontally supporting a substrate by a supporting means and relatively moving a fluid supply means and the substrate to supply a predetermined fluid to the surface of the substrate to perform a predetermined processing. The fluid supply means is configured to communicate with an introduction port through which the fluid is introduced, a discharge port that discharges the fluid toward the substrate surface, and a width that increases from the introduction port toward the discharge port. A substrate processing apparatus, comprising: a surface treatment nozzle having a communication part that supplies the fluid introduced through the introduction port to the discharge port.
【請求項2】 基板を支持手段により水平に支持し、流
体供給手段と基板を相対的に移動させることで、基板の
表面に所定の流体を供給して、所定の処理を行う基板処
理装置において、 前記流体供給手段が、 前記流体が導入される導入口と、 前記流体を前記基板表面に向けて吐出する吐出口と、 前記導入口と前記吐出口とを連通させ、前記導入口を介
して導入された前記流体を前記吐出口に供給する連通部
と、 前記導入口に導入された前記流体が直接的に前記吐出口
に供給されるのを制限するために、連通部内の前記導入
口に対向して設けられた遮断部とを有する表面処理ノズ
ルであることを特徴とする基板処理装置。
2. A substrate processing apparatus for horizontally supporting a substrate by a supporting means and relatively moving a fluid supply means and the substrate to supply a predetermined fluid to the surface of the substrate to perform a predetermined processing. , The fluid supply means, an introduction port into which the fluid is introduced, a discharge port that discharges the fluid toward the substrate surface, the introduction port and the discharge port communicate with each other, and through the introduction port A communication part for supplying the introduced fluid to the discharge port, and a restricting part for directly supplying the fluid introduced into the introduction port to the discharge port, to the introduction port in the communication part. A substrate processing apparatus comprising: a surface processing nozzle having a blocking portion provided facing each other.
【請求項3】 基板を支持手段により水平に支持し、流
体供給手段と基板を相対的に移動させることで、基板の
表面に所定の流体を供給して、所定の処理を行う基板処
理装置において、 前記流体供給手段が、 前記流体が導入される導入口と、 前記流体を前記基板表面に向けて吐出する吐出口と、 前記導入口から前記吐出口に向けて直列に配置された複
数の貯留部とを介して連通させ、前記導入口を導入され
た前記流体を前記複数の貯留部を順に経由して前記吐出
口に供給する連通部とを有する表面処理ノズルであるこ
とを特徴とする基板処理装置。
3. A substrate processing apparatus for horizontally supporting a substrate by a supporting means and moving a fluid supplying means and the substrate relatively to supply a predetermined fluid to the surface of the substrate to perform a predetermined processing. The fluid supply means includes an inlet for introducing the fluid, an outlet for ejecting the fluid toward the substrate surface, and a plurality of reservoirs arranged in series from the inlet to the outlet. A surface treatment nozzle that communicates with the discharge port and supplies the fluid introduced through the introduction port to the discharge port through the plurality of storage units in order. Processing equipment.
【請求項4】 基板を支持手段により水平に支持し、流
体供給手段と基板を相対的に移動させることで、基板の
表面に所定の流体を供給して、所定の処理を行う基板処
理装置において、 前記流体供給手段が、 前記流体が導入される導入口と、 前記流体を前記基板表面に向けて吐出する吐出口と、 前記導入口から前記吐出口に向けて直列に配置され、し
かもそれぞれの幅が導入口から前記吐出口に進むにした
がって広がっている複数の貯留部とを介して連通させ、
前記導入口を導入された前記流体を前記複数の貯留部を
順に経由して前記吐出口に供給する連通部と、 前記導入口に導入された前記流体が直接的に前記吐出口
に供給されるのを制限するために、連通部内の前記導入
口に対向して設けられた遮断部とを有する表面処理ノズ
ルであることを特徴とする基板処理装置。
4. A substrate processing apparatus for horizontally supporting a substrate by a supporting means and moving a fluid supply means and the substrate relatively to supply a predetermined fluid to the surface of the substrate to perform a predetermined processing. The fluid supply means is provided with an introduction port through which the fluid is introduced, a discharge port through which the fluid is discharged toward the substrate surface, and a series arranged from the introduction port toward the discharge port. Communication is performed through a plurality of reservoirs whose width increases from the inlet to the outlet,
A communication unit that supplies the fluid introduced into the introduction port to the discharge port through the plurality of storage units in order, and the fluid introduced into the introduction port is directly supplied to the discharge port. In order to limit the above, a substrate processing apparatus having a surface treatment nozzle having a blocking section provided facing the introduction port in the communication section.
JP19907393A 1993-07-15 1993-07-15 Substrate treating apparatus Pending JPH0729818A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274071A (en) * 1998-01-19 1999-10-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Nozzle for application

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274071A (en) * 1998-01-19 1999-10-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Nozzle for application

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