JPH07295894A - Data preservation device - Google Patents

Data preservation device

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Publication number
JPH07295894A
JPH07295894A JP8145494A JP8145494A JPH07295894A JP H07295894 A JPH07295894 A JP H07295894A JP 8145494 A JP8145494 A JP 8145494A JP 8145494 A JP8145494 A JP 8145494A JP H07295894 A JPH07295894 A JP H07295894A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
block
storage
data
information
writing
Prior art date
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Pending
Application number
JP8145494A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fumihiko Nakajo
文彦 中條
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP8145494A priority Critical patent/JPH07295894A/en
Publication of JPH07295894A publication Critical patent/JPH07295894A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To improve the life of a device by using storage blocks in a data preserving in an averaging manner part. CONSTITUTION:In this data preserving device, on the basis of the last time block information of a used block storage means 10 a last time contents comparing means 3 reads out by the position information of a position information storage means 8 in response to the input of a write command, the contents of every storage block of a RAM 1 and the contents written in each storage block of the data preserving part at the last time are compared, and only when this comparison results in noncoincidence, an unused block writing means 4 writes the contents of the storage block of the RAM 1 in the unused storage block of the data preserving part, and only when write-in is executed, an information generating means 5 generates newly the last time block information and the position information, and a preserved data reading means 6 reads the contents out of each storage block of the data preserving part, and writes them in each storage block of the RAM 1 on the basis of the latest position information and the last time block information and their arrangement in response to the input of a read command.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、RAMの記憶ブロック
に記憶されたデータをデータ保存部の記憶ブロックに保
存可能なデータ保存装置に係わり、特にデータ保存部内
の記憶ブロックを平均的に使用することにより、装置寿
命を向上し得るデータ保存装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a data storage device capable of storing data stored in a storage block of a RAM in a storage block of a data storage unit, and particularly uses the storage block in the data storage unit on average. Thus, the present invention relates to a data storage device that can improve the life of the device.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、機器の動作パラメータを保存す
るには、例えばEEPROMなどのように記憶ブロック
毎に書込み可能回数(以下、寿命という)があるデータ
保存部を備えたデータ保存装置が広く用いられている。
2. Description of the Related Art Generally, in order to store operating parameters of equipment, a data storage device having a data storage unit having a writable count (hereinafter referred to as a life) for each storage block, such as an EEPROM, is widely used. Has been.

【0003】この種のデータ保存装置は、通常、次の
(イ)〜(ハ)のいずれかに示すように動作している。 (イ)図9に示すように、書込時、RAM上に配置され
たパラメータエリア(記憶ブロック)のデータをそのま
まEEPROMの記憶ブロックに書込む。読出時、EE
PROM内のデータをそのままRAM上のパラメータエ
リアに読出す。 (ロ)図10に示すように、書込時、RAM上に配置さ
れたパラメータエリアを圧縮アルゴリズムで圧縮してE
EPROMの記憶ブロックに書込む。読出時、EEPR
OM内のデータを展開アルゴリズムで展開してRAM上
のパラメータエリアに読出す。これにより、データの書
込量を減少させ、書込時間を減少させる。 (ハ)図11に示すように、書込時、RAM上に配置さ
れたパラメータエリアをEEPROM内のデータと比較
して異なる場合のみ、EEPROMの記憶ブロックに書
込む。読出時、EEPROM内のデータをそのままRA
M上のパラメータエリアに読出す。これにより、データ
の書込量を減少させ、書込時間を減少させる。
This type of data storage device normally operates as shown in any of the following (a) to (c). (B) As shown in FIG. 9, at the time of writing, the data in the parameter area (storage block) arranged on the RAM is written as it is in the storage block of the EEPROM. EE when reading
The data in the PROM is read as it is into the parameter area on the RAM. (B) As shown in FIG. 10, at the time of writing, the parameter area arranged on the RAM is compressed by the compression algorithm to E
Write to storage block of EPROM. When reading, EEPR
The data in the OM is expanded by the expansion algorithm and read in the parameter area on the RAM. As a result, the amount of data written is reduced and the writing time is reduced. (C) As shown in FIG. 11, at the time of writing, the parameter area arranged in the RAM is compared with the data in the EEPROM, and only when the data is different, the data is written in the storage block of the EEPROM. When reading, the data in the EEPROM is directly RA
Read to the parameter area on M. As a result, the amount of data written is reduced and the writing time is reduced.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら以上のよ
うなデータ保存装置では、(イ)〜(ハ)のいずれとも
EEPROM内の同一の記憶ブロックの書換えが多発す
るため、寿命を向上し得ないという問題がある。なお、
EEPROMは、記憶ブロック毎に規定の書込み保証回
数を越えた書込みが実行されると、故障発生率が高くな
る性質をもっている。
However, in the data storage device as described above, since the same memory block in the EEPROM is frequently rewritten in any of (a) to (c), the life cannot be improved. There's a problem. In addition,
The EEPROM has a property that the failure occurrence rate becomes high when writing is executed in excess of a specified guaranteed write count for each storage block.

【0005】本発明は上記実情を考慮してなされたもの
で、データ保存部内の記憶ブロックを平均的に使用する
ことにより、装置寿命を向上し得るデータ保存装置を提
供することを目的とする。
The present invention has been made in consideration of the above situation, and an object of the present invention is to provide a data storage device which can improve the life of the device by using the storage blocks in the data storage unit evenly.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、互いに複数の
記憶ブロックを有するRAM及びデータ保存部を備え、
書込指令の入力に基づいて、前記RAMの各記憶ブロッ
クに記憶された内容を前記データ保存部の各記憶ブロッ
クに保存し、読出指令の入力に基づいて、前記データ保
存部の各記憶ブロックに保存された内容を前記RAMの
各記憶ブロックに取出すデータ保存装置において、前記
データ保存部の記憶ブロックに設けられ、前記データ保
存部における前回の保存内容をもつ記憶ブロックを示す
前回ブロック情報を有し、且つ当該前回ブロック情報が
前記RAMの各記憶ブロックに対応して配置される使用
ブロック記憶手段と、前記データ保存部の記憶ブロック
に設けられ、前記使用ブロック記憶手段の位置を示す位
置情報が記憶される位置情報記憶手段と、前記書込指令
が入力されたとき、前記位置情報記憶手段内の位置情報
に従って前記使用ブロック記憶手段内の前回ブロック情
報を読出すと共に、この前回ブロック情報に基づいて、
前記RAMの各記憶ブロック毎の内容と前記データ保存
部の各記憶ブロックに前回書込まれた内容とを比較する
前回内容比較手段と、前記前回内容比較手段による比較
結果が不一致のときのみ、前記使用ブロック記憶手段内
の前回ブロック情報に基づいて、前記RAMの記憶ブロ
ックの内容を前記データ保存部内の未使用の記憶ブロッ
クに書込む未使用ブロック書込手段と、この未使用ブロ
ック書込手段により書込が実行されたときのみ、前記前
回ブロック情報及び前記位置情報を新規に作成する情報
作成手段と、前記読出指令が入力されたとき、前記情報
作成手段により作成された前記位置情報に従って前記作
成された前回ブロック情報を読出すと共に、これら前回
ブロック情報及びその配置に基づいて、前記データ保存
部の各記憶ブロックから前記未使用ブロック書込手段に
より書込まれた内容を読出し、当該内容を前記RAMの
各記憶ブロックに書込む保存データ読出手段とを備えた
データ保存装置である。
The present invention includes a RAM having a plurality of storage blocks and a data storage unit,
The contents stored in the respective storage blocks of the RAM are stored in the respective storage blocks of the data storage unit on the basis of the input of the write command, and the contents are stored in the respective storage blocks of the data storage unit on the basis of the input of the read command. In a data storage device for extracting the stored contents into each storage block of the RAM, the data storage device has previous block information indicating a storage block provided in the storage block of the data storage unit and having a previous storage content in the data storage unit. Further, the previous block information is provided in the used block storage means arranged corresponding to each storage block of the RAM and the storage block of the data storage unit, and the position information indicating the position of the used block storage means is stored. Position information storage means and the use according to the position information in the position information storage means when the write command is input. The last block information in the lock storage means with reading, on the basis of the previous block information,
Only when the previous content comparison means for comparing the content of each storage block of the RAM with the content previously written in each storage block of the data storage unit and the comparison result by the previous content comparison means do not match, An unused block writing unit that writes the contents of the storage block of the RAM to an unused storage block in the data storage unit based on the previous block information in the used block storage unit, and the unused block writing unit. Only when the writing is executed, the information creating means for newly creating the previous block information and the position information, and when the read command is input, the creating is performed according to the position information created by the information creating means. The previously stored block information is read out, and each storage block of the data storage unit is read based on the previous block information and its arrangement. It reads the contents written by the unused block writing means from a data storage device that includes a stored data reading means for writing the contents of each storage block in the RAM.

【0007】[0007]

【作用】従って、本発明は以上のような手段を講じたこ
とにより、データ保存部の記憶ブロックに設けられ、デ
ータ保存部における前回の保存内容をもつ記憶ブロック
を示す前回ブロック情報を有し、且つ当該前回ブロック
情報がRAMの各記憶ブロックに対応して配置される使
用ブロック記憶手段と、データ保存部の記憶ブロックに
設けられ、使用ブロック記憶手段の位置を示す位置情報
が記憶される位置情報記憶手段とを備え、前回内容比較
手段が、書込指令が入力されたとき、位置情報記憶手段
内の位置情報に従って使用ブロック記憶手段内の前回ブ
ロック情報を読出すと共に、この前回ブロック情報に基
づいて、RAMの各記憶ブロック毎の内容とデータ保存
部の各記憶ブロックに前回書込まれた内容とを比較し、
未使用ブロック書込手段が、前回内容比較手段による比
較結果が不一致のときのみ、使用ブロック記憶手段内の
前回ブロック情報に基づいて、RAMの記憶ブロックの
内容をデータ保存部内の未使用の記憶ブロックに書込
み、情報作成手段が、この未使用ブロック書込手段によ
り書込が実行されたときのみ、前回ブロック情報及び位
置情報を新規に作成し、保存データ読出手段が、読出指
令が入力されたとき、前記情報作成手段により作成され
た位置情報に従って当該作成された前回ブロック情報を
読出すと共に、これら前回ブロック情報及びその配置に
基づいて、データ保存部の各記憶ブロックから未使用ブ
ロック書込手段により書込まれた内容を読出し、当該内
容をRAMの各記憶ブロックに書込むので、データ保存
部内の記憶ブロックを平均的に使用することにより、装
置寿命を向上させることができる。
Therefore, the present invention has the previous block information indicating the storage block provided in the storage block of the data storage unit and having the previous storage contents in the data storage unit by taking the above means, Further, the used block storage means in which the previous block information is arranged corresponding to each storage block of the RAM, and the position information which is provided in the storage block of the data storage unit and stores the position information indicating the position of the used block storage means When the write command is input, the previous content comparison unit reads the previous block information in the used block storage unit according to the position information in the position information storage unit, and based on the previous block information, Then, the content of each storage block of the RAM is compared with the content previously written in each storage block of the data storage unit,
The unused block writing means writes the contents of the storage block of the RAM to the unused storage block in the data storage unit based on the previous block information in the used block storage means only when the comparison result by the previous content comparison means does not match. And the information creating means newly creates the block information and the position information last time only when the writing is executed by the unused block writing means, and the save data reading means inputs the read command. Reading the previous block information created in accordance with the position information created by the information creating means, and using unused block writing means from each storage block of the data storage unit based on the previous block information and its arrangement. Since the written contents are read and the contents are written in each storage block of the RAM, the storage block in the data storage unit By averagely used, it is possible to improve the device life.

【0008】[0008]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。図1は本発明の一実施例に係るデータ保存装
置の構成を示す機能ブロック図であり、図2及び図3は
このデータ保存装置に適用されるEEPROMの構成を
示す図である。このデータ保存装置は、RAM1と、デ
ータ保存部としてのEEPROM2と、前回内容比較部
3と、未使用ブロック書込部4と、情報作成部5と、保
存データ読出部6とを備えている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a functional block diagram showing a configuration of a data storage device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are diagrams showing a configuration of an EEPROM applied to the data storage device. The data storage device includes a RAM 1, an EEPROM 2 as a data storage unit, a previous content comparison unit 3, an unused block writing unit 4, an information creating unit 5, and a stored data reading unit 6.

【0009】ここで、RAM1は、例えばパラメータエ
リアに8個の記憶ブロックをもち、これら各記憶ブロッ
クにデータが記憶されるものである。EEPROM2
は、例えば図2及び図3に示すように、32個の記憶ブ
ロックをもち、これら記憶ブロックがデータブロック又
はコントロールブロックとして使用可能となっている。
Here, the RAM 1 has, for example, eight storage blocks in the parameter area, and data is stored in each of these storage blocks. EEPROM2
2 has 32 storage blocks, for example, as shown in FIGS. 2 and 3, and these storage blocks can be used as data blocks or control blocks.

【0010】コントロールブロック(CB)7は、位置
情報記憶手段としての最新位置情報領域8、使用ブロッ
ク情報領域9及び使用ブロック記憶手段としてのブロッ
ク情報配置領域10を有している。なお、最新位置情報
領域8は、最新のコントロールブロックを示す最新コン
トロールブロックフラグ(最新CBフラグ)又は次のコ
ントロールブロックを示す次コントロールブロックポイ
ンタ(次CBポインタ)が設定される領域である。
The control block (CB) 7 has a latest position information area 8 as position information storage means, a used block information area 9 and a block information arrangement area 10 as used block storage means. The latest position information area 8 is an area in which the latest control block flag (latest CB flag) indicating the latest control block or the next control block pointer (next CB pointer) indicating the next control block is set.

【0011】使用ブロック情報領域9は、EEPROM
2における32個の記憶ブロックのうちの前回の保存内
容をもつ記憶ブロックを示す使用ブロックフラグ(前回
ブロック情報)が立てられる領域であり、32個の記憶
ブロックを4行8列の使用ブロックフラグ領域に対応さ
せて示している。例えば図3中で1行1列目がEEPR
OMにおける0番の記憶ブロックに対応し、1行2列目
が1番の記憶ブロックに対応して順次各記憶ブロックを
示し、4行8列目が31番の記憶ブロックを示してい
る。なお、図3中、使用ブロックフラグは、1行2列
目、1行6列目、2行1列目及び2行2列目に立てられ
ており、前回の保存内容をもつ記憶ブロックが、1番、
5番、8番及び9番の記憶ブロックである旨を示してい
る。
The used block information area 9 is an EEPROM.
2 is an area in which a used block flag (previous block information) indicating a memory block having a previous saved content among the 32 memory blocks in 2 is set, and 32 memory blocks are used block flag areas of 4 rows and 8 columns. It corresponds to and is shown. For example, in FIG. 3, the first row and first column is EEPR.
The 0th storage block in the OM, the 1st row and 2nd column sequentially correspond to the 1st storage block, and the 4th row and 8th column show the 31st storage block. It should be noted that in FIG. 3, the used block flags are set in the 1st row, 2nd column, 1st row, 6th column, 2nd row, 1st column, and 2nd row, 2nd column, and the storage block having the previously saved contents is No. 1,
It indicates that the blocks are the fifth, eighth, and ninth storage blocks.

【0012】ブロック情報配置領域10は、EEPRO
M2における32個の記憶ブロックのうちの前回の保存
内容をもつ記憶ブロックを示すデータブロックポインタ
(前回ブロック情報)が書込まれる領域であり、前回ブ
ロック情報がRAMの各記憶ブロックに対応して配置さ
れている。例えば図3中で1行目がRAM1における0
番の記憶ブロックに対応し、8行目が7番の記憶ブロッ
クに対応している。なお、図3中、データブロックポイ
ンタは、RAM1の0番の記憶ブロックに対応するデー
タがEEPROM2の1番の記憶ブロックにあり、RA
M1の2番の記憶ブロックに対応するデータがEEPR
OM2の5番の記憶ブロックにあり、RAM1の3番の
記憶ブロックに対応するデータがEEPROM2の9番
の記憶ブロックにある旨を示している。また、2行目、
4行目乃至8行目の“0”は、RAM1の1番、4番〜
7番の記憶ブロックにデータが無い旨を示している。
The block information arrangement area 10 is EEPRO.
This is an area in which a data block pointer (previous block information) indicating a storage block having a previous saved content among the 32 storage blocks in M2 is written, and the previous block information is arranged corresponding to each storage block in RAM. Has been done. For example, the first line in FIG. 3 is 0 in RAM1.
No. 7 storage block, and the 8th row corresponds to No. 7 storage block. In FIG. 3, in the data block pointer, the data corresponding to the 0th storage block of RAM 1 is in the 1st storage block of EEPROM 2, and RA
The data corresponding to the second storage block of M1 is EEPR
It indicates that the data in the fifth storage block of OM2 and the data corresponding to the third storage block of RAM1 are in the ninth storage block of EEPROM2. In the second line,
"0" s in the 4th to 8th lines are the 1st and 4th of the RAM1.
This indicates that the 7th storage block has no data.

【0013】一方、前回内容比較部3は、書込指令が入
力されたとき、最新位置情報領域8内の次CBポインタ
及び最新CBフラグ(位置情報)に従ってブロック情報
配置領域10内のデータブロックポインタを読出すと共
に、このデータブロックポインタに基づいて、RAM1
の各記憶ブロック毎の内容とEEPROM2の各記憶ブ
ロックに前回書込まれた内容とを比較する機能をもつも
のである。
On the other hand, when the write command is input, the last time content comparison unit 3 follows the next CB pointer in the latest position information area 8 and the latest CB flag (position information), and the data block pointer in the block information arrangement area 10 And RAM1 based on this data block pointer.
It has a function of comparing the contents of each storage block of 1 with the contents previously written in each storage block of the EEPROM 2.

【0014】未使用ブロック書込部4は、前回内容比較
部3による比較結果が不一致のときのみ、ブロック情報
配置領域10内のデータブロックポインタに基づいて、
RAM1内の当該比較結果に対応する内容をEEPRO
M2内の未使用の記憶ブロックに書込むものである。
The unused block writing unit 4 determines, based on the data block pointer in the block information arrangement area 10, only when the result of comparison by the previous content comparing unit 3 does not match.
The contents corresponding to the comparison result in the RAM1 are EEPRO
The data is written in an unused storage block in M2.

【0015】情報作成部5は、この未使用ブロック書込
部4により書込が実行されたときのみ、データブロック
ポインタ及び次CBポインタ並びに最新CBフラグを新
規に作成するものである。
The information creating section 5 newly creates a data block pointer, a next CB pointer, and the latest CB flag only when writing is executed by the unused block writing section 4.

【0016】保存データ読出部6は、読出指令が入力さ
れたとき、情報作成部5により作成された次CBポイン
タ並びに最新CBフラグに従って情報作成部5により作
成されたデータブロックポインタを読出すと共に、これ
らデータブロックポインタ及びその配置に基づいて、E
EPROM2の各記憶ブロックから未使用ブロック書込
部4により書込まれた内容を読出し、当該内容をRAM
1の各記憶ブロックに書込むものである。
When a read command is input, the saved data reading section 6 reads the next CB pointer created by the information creating section 5 and the data block pointer created by the information creating section 5 in accordance with the latest CB flag, and Based on these data block pointers and their placement, E
The contents written by the unused block writing unit 4 are read from each storage block of the EPROM 2, and the contents are stored in the RAM.
1 is written in each storage block.

【0017】次に、以上のように構成されたデータ保存
装置の動作を説明する。図4はこのデータ保存装置の動
作を説明するためのデータの流れ図である。本実施例装
置は、例えば、データd1,d3をもつEEPROM2
にデータd1〜d4及びデータの無いメモリ空間All 0
をもつRAM1の内容を書込むとき、EEPROM2に
無いデータd2,d4をEEPROM2における未使用
の記憶ブロックに書込むと共に、この書込んだ記憶ブロ
ックの番号と既に有るデータd1,d3の記憶ブロック
の番号とメモリ空間All 0との配置を最新のコントロー
ルブロックCB3に書込むことにより、EEPROM2
の各記憶ブロックを平均的に使用すると共に、書込速度
の向上を図っている。
Next, the operation of the data storage device configured as described above will be described. FIG. 4 is a data flow diagram for explaining the operation of the data storage device. The device of this embodiment is, for example, an EEPROM 2 having data d1 and d3.
Data space d1 to d4 and memory space without data All 0
When writing the contents of the RAM1 having the data, the data d2 and d4 which are not in the EEPROM2 are written in the unused storage blocks in the EEPROM2, and the number of the written storage block and the numbers of the storage blocks of the already existing data d1 and d3 are written. By writing the arrangement of the memory space and the memory space All 0 in the latest control block CB3, the EEPROM2
The storage blocks are used on average and the writing speed is improved.

【0018】なお、読出しのときには、最新のコントロ
ールブロックにおけるブロック情報配置領域10を参照
することにより、データを読出すことができる。次に、
図5を用いて書込動作を詳細に述べ、次に、図6を用い
て読出動作を説明する。
At the time of reading, the data can be read by referring to the block information arrangement area 10 in the latest control block. next,
The write operation will be described in detail with reference to FIG. 5, and then the read operation will be described with reference to FIG.

【0019】前回内容比較部3は、EEPROM2の先
頭アドレスで示される0番の記憶ブロックに書込まれた
コントロールブロックを読出すと共に、該コントロール
ブロック7内の最新位置情報領域8から次CBポインタ
を読出し、さらに、この次CBポインタに示される記憶
ブロックに書込まれたコントロールブロック7を読出
す。以下、同様にして最新位置情報領域8を参照したと
きに最新位置情報領域8に最新CBフラグを有する前回
書込まれたコントロールブロック7を検索する(ST
1)。
The previous content comparing section 3 reads the control block written in the 0th storage block indicated by the head address of the EEPROM 2, and at the same time, reads the next CB pointer from the latest position information area 8 in the control block 7. Then, the control block 7 written in the memory block indicated by the CB pointer is read. Similarly, when the latest position information area 8 is referred to, the last written control block 7 having the latest CB flag is searched in the latest position information area 8 (ST
1).

【0020】また、前回内容比較部3は、ステップST
1による検索と共に、参照中のコントロールブロックの
ブロック情報配置領域10から当該コントロールブロッ
ク7に関して使用された記憶ブロックを調べ、この記憶
ブロックを示す使用ブロックフラグを使用ブロック情報
領域9に立てる(ST2)。
Further, the last time content comparison unit 3 performs step ST
At the same time as the search by 1, the storage block used for the control block 7 is checked from the block information arrangement area 10 of the control block being referred to, and the used block flag indicating this storage block is set in the used block information area 9 (ST2).

【0021】前回内容比較部3は、ステップST1及び
ステップST2の結果、前回書込まれたコントロールブ
ロック7を読出すと、このコントロールブロック7のブ
ロック情報配置領域10を参照して前回使用された記憶
ブロックのうちの番号が最大の記憶ブロックの次番号の
記憶ブロックを未使用ブロックとして今回書込み用のコ
ントロールブロック7として使用するために確保する
(ST3)。
When the last time content comparing section 3 reads the control block 7 written last time as a result of steps ST1 and ST2, the block information arrangement area 10 of this control block 7 is referred to and the memory used last time is read. A storage block having a number next to the storage block having the largest number is reserved as an unused block for use as the control block 7 for current writing (ST3).

【0022】次に、前回内容比較部3は、RAM1の各
記憶ブロック毎に順次(ST4)、書込データの有無を
判定し(ST5)、判定の結果がデータ無しを示すと
き、今回のコントロールブロック7におけるブロック情
報配置領域10の該当行に“0”のフラグを配置し(S
T6)、判定の結果がデータ有を示すとき、RAM1の
記憶ブロックの内容と前回書込まれた内容とを比較し
(ST7)、この比較結果を未使用ブロック書込部4に
与える。
Next, the previous content comparison unit 3 sequentially determines for each storage block of the RAM 1 (ST4) and determines the presence / absence of write data (ST5). When the determination result indicates that there is no data, the current control is performed. A flag of "0" is arranged in the corresponding line of the block information arrangement area 10 in the block 7 (S
T6) When the result of the determination shows that there is data, the contents of the storage block of the RAM 1 are compared with the contents written last time (ST7), and the comparison result is given to the unused block writing unit 4.

【0023】未使用ブロック書込部4は、ステップST
7における判定の結果、両内容が一致したとき、書込を
省略してステップST12に進み、両内容が不一致のと
き、未使用の記憶ブロックの有無を判定し(ST8)、
未使用ブロックが有るとき、書込の実行のためにステッ
プST10に進み、未使用ブロックが無いとき、EEP
ROM2の先頭の記憶ブロックの最新位置情報領域8に
最新CBフラグ“0”を設定すると共に、今回書込用及
び前回書込済のコントロールブロック7内の使用ブロッ
クフラグを残して他のコントロールブロック7内の使用
ブロックフラグをクリアし(ST9)、EEPROM2
内に未使用の記憶ブロックを確保する。
The unused block writing section 4 executes the step ST.
As a result of the judgment in 7, when both contents match, writing is omitted and the process proceeds to step ST12. When both contents do not match, it is judged whether or not there is an unused storage block (ST8).
When there is an unused block, the process proceeds to step ST10 for writing, and when there is no unused block, EEP
The latest CB flag “0” is set in the latest position information area 8 of the first storage block of the ROM 2, and the control block 7 other than the used block flag in the control block 7 currently written and previously written is left. Clear the used block flag in (ST9), EEPROM2
Reserve an unused storage block in it.

【0024】しかる後、未使用ブロック書込部4は、R
AM1の記憶ブロックの内容をEEPROM2内の未使
用の記憶ブロックに書込むと共に(ST10)、この書
込が成功したか失敗したかを判定し(ST11)、書込
を失敗したとき、他の未使用の記憶ブロックに書込むた
めにステップST8に戻り、書込を成功したとき、書込
実行済を情報作成部5に通知する。
After that, the unused block writing unit 4 makes R
The contents of the storage block of AM1 are written to an unused storage block in the EEPROM 2 (ST10), and it is judged whether this writing has succeeded or failed (ST11). The process returns to step ST8 in order to write in the used memory block, and when the writing is successful, the information creating unit 5 is notified of the writing completion.

【0025】情報作成部5は、この通知を受けると、書
込が実行された記憶ブロック又は書込対象と同一内容を
もつ記憶ブロックを示すデータブロックポインタを今回
書込用のコントロールブロック7内のブロック情報配置
領域10に書込む(ST12)。
Upon receiving this notification, the information creating section 5 sets the data block pointer indicating the storage block in which the writing has been executed or the storage block having the same content as the writing target in the control block 7 for writing this time. It is written in the block information arrangement area 10 (ST12).

【0026】以下、同様に、ステップST4乃至ステッ
プST12の処理をRAM1の各記憶ブロック毎に実行
する(ST13)。情報作成部5は、ステップST13
の完了後、今回書込用のコントロールブロック7と前回
書込済のコントロールブロック7とを比較し(ST1
4)、両者が一致したとき、コントロールブロック7の
書込を行わずに処理を終了し、両者が不一致のとき、今
回書込用のコントロールブロック7を書込むと共に、こ
の今回書込用のコントロールブロック7を示す次CBポ
インタを前回書込済のコントロールブロック7内の最新
位置情報領域8に書込む(ST15)。なお、情報作成
部5は、ステップST15の実行中、今回書込用のコン
トロールブロック7の書込に失敗したとき、今回書込用
のコントロールブロック7を別の未使用の記憶ブロック
に書込む。また、情報作成部5は、ステップST15の
実行中、前回書込済のコントロールブロック7への次C
Bポインタの書込に失敗したとき、今回書込用のコント
ロールブロック7を示すCBポインタを前前回書込済の
コントロールブロック7に書込む。
Thereafter, similarly, the processes of steps ST4 to ST12 are executed for each storage block of the RAM 1 (ST13). The information creating section 5 carries out step ST13.
After completion of the above, the control block 7 for writing this time is compared with the control block 7 for which writing was done last time (ST1
4) When the two match, the process is terminated without writing the control block 7, and when the two do not match, the control block 7 for current writing is written and the control for this writing is performed. The next CB pointer indicating the block 7 is written in the latest position information area 8 in the previously written control block 7 (ST15). The information creating unit 5 writes the control block 7 for current writing to another unused storage block when the writing of the control block 7 for current writing fails during execution of step ST15. In addition, the information creating unit 5 writes the next C to the previously written control block 7 during execution of step ST15.
When the writing of the B pointer fails, the CB pointer indicating the control block 7 for writing this time is written in the control block 7 that has been written previously.

【0027】従って、例えば書込前のEEPROM2
が、図7(a)に示すように、0番の記憶ブロックをコ
ントロールブロック7として使用しているとする。な
お、このEEPROM2は、図7(b)に示す内容のR
AM1からデータが書込まれている。
Therefore, for example, the EEPROM 2 before writing
However, it is assumed that the 0th storage block is used as the control block 7 as shown in FIG. It should be noted that this EEPROM 2 has the contents of R shown in FIG.
Data is written from AM1.

【0028】続いて、RAM1が、例えば図7(c)に
示す内容をもっているとき、前述したように書込処理を
実行すると、書込前のEEPROM2内に無いデータD
3が、図7(d)に示すように、EEPROM2の記憶
ブロックに書込まれる。
Subsequently, when the RAM 1 has the contents shown in FIG. 7C, for example, when the writing process is executed as described above, the data D not existing in the EEPROM 2 before the writing is written.
3 is written in the storage block of the EEPROM 2 as shown in FIG. 7 (d).

【0029】次に、このデータ保存装置の読出動作を説
明する。保存データ読出部6は、操作者の操作により、
読出指令が入力されたとき、前述同様に、次CBポイン
タに従って前回書込まれたコントロールブロック7を検
索する(ST21)。
Next, the read operation of this data storage device will be described. The saved data reading unit 6 is operated by the operator to
When the read command is input, similarly to the above, the control block 7 previously written is searched according to the next CB pointer (ST21).

【0030】保存データ読出部6は、前回書込済のコン
トロールブロック7を読出すと、このコントロールブロ
ック7におけるブロック情報配置領域10の1行目から
順次(ST22)、読出すデータの有無を判定し(ST
23)、“0”のフラグにより読出しデータの無い旨を
示す行のとき、対応するRAM1の記憶ブロックをクリ
アし(ST24)、データブロックポインタにより読出
しデータの有る旨を示す行のとき、このデータブロック
ポインタに示されたEEPROM2の記憶ブロックを読
み出して対応するRAM1の記憶ブロックに書込む(S
T25)。
When the previously written control block 7 is read, the saved data reading unit 6 sequentially determines from the first row of the block information arrangement area 10 in this control block 7 (ST22) whether there is data to be read. Shi (ST
23), when the line indicating that there is no read data by the flag of “0”, clears the corresponding memory block of the RAM 1 (ST24), and when the line indicates that there is read data by the data block pointer, this data The storage block of the EEPROM 2 indicated by the block pointer is read and written in the corresponding storage block of the RAM 1 (S
T25).

【0031】以下、同様に、ステップST22乃至ステ
ップST25の処理をブロック情報配置領域10の各行
毎に実行する(ST26)。上述したように本実施例に
よれば、EEPROM2における前回の保存内容をもつ
記憶ブロックを示すデータブロックポインタを有し、且
つデータブロックポインタがRAM1の各記憶ブロック
に対応して配置されるブロック情報配置領域10及びこ
のブロック情報配置領域10をもつコントロールブロッ
ク7の位置を示す最新CBフラグ並びに次CBポインタ
が記憶される最新位置情報領域8をEEPROM2に設
け、前回内容比較部3が、書込指令が入力されたとき、
最新位置情報領域8の次CBポインタ及び最新CBフラ
グに従って最新のコントロールブロック7を読出すと共
に、この最新のコントロールブロック7のブロック情報
配置領域10を参照して、RAM1の各記憶ブロック毎
の内容とEEPROM2の各記憶ブロックに前回書込ま
れた内容とを比較し、未使用ブロック書込部4が、前回
内容比較部3による比較結果が不一致のときのみ、ブロ
ック情報配置領域10のデータブロックポインタに基づ
いて、RAM1の記憶ブロックの内容をEEPROM2
の未使用の記憶ブロックに書込む。
Thereafter, similarly, the processes of steps ST22 to ST25 are executed for each row of the block information arrangement area 10 (ST26). As described above, according to the present embodiment, the block information arrangement having the data block pointer indicating the storage block having the previously stored contents in the EEPROM 2 and the data block pointer arranged corresponding to each storage block of the RAM 1 The EEPROM 2 is provided with the latest position information area 8 in which the latest CB flag indicating the position of the area 10 and the control block 7 having this block information arrangement area 10 and the next CB pointer are stored. When entered,
The latest control block 7 is read in accordance with the next CB pointer and the latest CB flag in the latest position information area 8, and the block information arrangement area 10 of this latest control block 7 is referred to, and the contents of each storage block of the RAM 1 are read. The contents previously written in the respective memory blocks of the EEPROM 2 are compared with each other, and the unused block writing unit 4 sets the data block pointer in the block information arrangement area 10 only when the comparison result by the previous contents comparing unit 3 is not matched. Based on the contents of the storage block of RAM1, EEPROM2
Write to unused storage blocks of.

【0032】しかる後、情報作成部5が、未使用ブロッ
ク書込部4により書込が実行されたときのみ、ブロック
情報配置領域10及び最新CBフラグ並びに次CBポイ
ンタを新規に作成し、保存データ読出部6が、読出指令
が入力されたとき、新規に作成された最新CBフラグ並
びに次CBポインタに従って最新のコントロールブロッ
ク7を読出し、このコントロールブロック7のブロック
情報配置領域10からデータブロックポインタを読出す
と共に、これらデータブロックポインタ及びその配置に
基づいて、EEPROM2の各記憶ブロックから未使用
ブロック書込部4により書込まれた内容を読出し、当該
内容をRAM1の各記憶ブロックに書込む。
Thereafter, the information creating unit 5 newly creates the block information arrangement area 10, the latest CB flag, and the next CB pointer only when the unused block writing unit 4 writes, and saves data. When the read command is input, the reading unit 6 reads the latest control block 7 according to the newly created latest CB flag and the next CB pointer, and reads the data block pointer from the block information arrangement area 10 of this control block 7. At the same time, the contents written by the unused block writing unit 4 are read from each storage block of the EEPROM 2 based on these data block pointers and their arrangement, and the contents are written into each storage block of the RAM 1.

【0033】このように、RAM1のデータをEEPR
OM2の未使用の記憶ブロックに書込むようにし、且つ
書込んだデータを読出可能としているので、EEPRO
M2内の記憶ブロックを平均的に使用し、装置寿命を向
上させることができる。
As described above, the data in the RAM 1 is stored in the EEPR.
Since the written data can be read in the unused storage block of OM2, EEPRO
The storage blocks in M2 can be used on average to improve device life.

【0034】例えば図8(e)〜(f)は本実施例装置
によるEEPROM2の記憶ブロックの書込回数と従来
の(イ)〜(ハ)の如き装置による記憶ブロックの書込
回数とを各記憶ブロック毎に比較して説明するための図
である。図示するように、従来の(イ)〜(ハ)は先頭
から4番目までの記憶ブロックのみを集中的に使用する
ために実際の書込回数と書込保証回数とが等しくなって
しまうが、本実施例装置は各記憶ブロックを平均的に使
用しているので、書込保証回数よりも実際の書込回数を
多くすることができ、もって、装置寿命を向上させるこ
とができる。
For example, FIGS. 8 (e) to 8 (f) show the number of times of writing of the storage block of the EEPROM 2 by the device of this embodiment and the number of times of writing of the memory block by the device as in the conventional devices (a) to (c). It is a figure for comparing and explaining for every memory block. As shown in the figure, in the conventional cases (a) to (c), since only the fourth to the first storage blocks are intensively used, the actual number of times of writing becomes equal to the guaranteed number of times of writing. Since the device of the present embodiment uses each storage block evenly, the actual number of times of writing can be made larger than the guaranteed number of times of writing, and thus the life of the device can be improved.

【0035】また、本実施例によれば、書込むデータを
EEPROM2に無いデータのみとしているので、書込
回数を減少させて書込速度を向上させることができる。
なお、EEPROM2は読出速度が早い一方、書込速度
が遅いので、より一層書込速度の向上を図ることができ
る。
Further, according to the present embodiment, since the data to be written is only the data which does not exist in the EEPROM 2, it is possible to reduce the number of times of writing and improve the writing speed.
Since the EEPROM 2 has a high read speed and a slow write speed, the write speed can be further improved.

【0036】さらに、本実施例によれば、ステップST
8やステップST15において書込に失敗したとき、他
の記憶ブロックへの書込を実行するようにしているの
で、信頼性を向上させることができる。
Further, according to this embodiment, step ST
If writing fails in step 8 or step ST15, writing to another storage block is executed, so reliability can be improved.

【0037】なお、上記実施例では、データ保存部とし
てEEPROM2を用いた場合について説明したが、こ
れに限らず、フロッピーディスク(FD)、ハードディ
スク(HD)及び光磁気ディスク(MO)などのように
記憶ブロック毎に書込可能回数があってランダムアクセ
ス可能な記憶装置をデータ保存部に用いた構成として
も、本発明を同様に実施して同様の効果を得ることがで
きる。
In the above embodiment, the case where the EEPROM 2 is used as the data storage unit has been described. However, the present invention is not limited to this, and a floppy disk (FD), a hard disk (HD), a magneto-optical disk (MO) and the like can be used. Even if a random access memory device having a writable number for each memory block is used as the data storage unit, the same effects can be obtained by implementing the present invention in the same manner.

【0038】また、上記実施例では、ブロック情報配置
領域10のデータブロックポインタに基づいて未使用の
記憶ブロックを確保する場合について説明したが、これ
に限らず、使用ブロック情報領域9の使用ブロックフラ
グに基づいて未使用の記憶ブロックを確保する構成とし
ても、本発明と同様の効果を得ることができる。その
他、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して
実施できる。
Further, in the above embodiment, the case where the unused storage block is secured based on the data block pointer of the block information arrangement area 10 has been described, but the present invention is not limited to this, and the used block flag of the used block information area 9 is described. Even if the unused storage block is secured based on the above, the same effect as the present invention can be obtained. In addition, the present invention can be modified in various ways without departing from the scope of the invention.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、デ
ータ保存部の記憶ブロックに設けられ、データ保存部に
おける前回の保存内容をもつ記憶ブロックを示す前回ブ
ロック情報を有し、且つ当該前回ブロック情報がRAM
の各記憶ブロックに対応して配置される使用ブロック記
憶手段と、データ保存部の記憶ブロックに設けられ、使
用ブロック記憶手段の位置を示す位置情報が記憶される
位置情報記憶手段とを備え、前回内容比較手段が、書込
指令が入力されたとき、位置情報記憶手段内の位置情報
に従って使用ブロック記憶手段内の前回ブロック情報を
読出すと共に、この前回ブロック情報に基づいて、RA
Mの各記憶ブロック毎の内容とデータ保存部の各記憶ブ
ロックに前回書込まれた内容とを比較し、未使用ブロッ
ク書込手段が、前回内容比較手段による比較結果が不一
致のときのみ、使用ブロック記憶手段内の前回ブロック
情報に基づいて、RAMの記憶ブロックの内容をデータ
保存部内の未使用の記憶ブロックに書込み、情報作成手
段が、この未使用ブロック書込手段により書込が実行さ
れたときのみ、前回ブロック情報及び位置情報を新規に
作成し、保存データ読出手段が、読出指令が入力された
とき、前記情報作成手段により作成された位置情報に従
って当該作成された前回ブロック情報を読出すと共に、
これら前回ブロック情報及びその配置に基づいて、デー
タ保存部の各記憶ブロックから未使用ブロック書込手段
により書込まれた内容を読出し、当該内容をRAMの各
記憶ブロックに書込むので、データ保存部内の記憶ブロ
ックを平均的に使用することにより、装置寿命を向上で
きるデータ保存装置を提供できる。
As described above, according to the present invention, the previous block information indicating the storage block provided in the storage block of the data storage unit and having the previous storage contents in the data storage unit, and Block information is RAM
And a position information storage unit that is provided in the storage block of the data storage unit and that stores position information indicating the position of the used block storage unit. When the write command is input, the content comparison means reads the previous block information in the used block storage means according to the position information in the position information storage means, and based on the previous block information, RA
The content of each storage block of M is compared with the content previously written in each storage block of the data storage unit, and the unused block writing means is used only when the comparison result by the previous content comparison means does not match. Based on the previous block information in the block storage means, the contents of the storage block of the RAM are written in the unused storage block in the data storage unit, and the information creating means executes the writing by the unused block writing means. Only when the previous block information and position information are newly created, when the read command is input by the saved data reading means, the created previous block information is read according to the position information created by the information creating means. With
Based on the previous block information and its arrangement, the contents written by the unused block writing means are read from each storage block of the data storage unit and the contents are written to each storage block of the RAM. It is possible to provide a data storage device that can improve the life of the device by averaging the storage blocks.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係るデータ保存装置の構成
を示す機能ブロック図
FIG. 1 is a functional block diagram showing a configuration of a data storage device according to an embodiment of the present invention.

【図2】同実施例におけるEEPROMの構成を示す図FIG. 2 is a diagram showing a configuration of an EEPROM in the embodiment.

【図3】同実施例におけるEEPROMの構成を示す図FIG. 3 is a diagram showing a configuration of an EEPROM in the embodiment.

【図4】同実施例における動作を説明するためのデータ
の流れ図
FIG. 4 is a data flow chart for explaining the operation in the embodiment.

【図5】同実施例における書込動作を説明するためのフ
ローチャート
FIG. 5 is a flowchart for explaining a write operation in the same embodiment.

【図6】同実施例における読出動作を説明するためのフ
ローチャート
FIG. 6 is a flowchart for explaining a read operation in the embodiment.

【図7】同実施例における書込動作を説明するための図FIG. 7 is a diagram for explaining a write operation in the embodiment.

【図8】同実施例と従来との比較図FIG. 8 is a comparison diagram of the same embodiment and a conventional one.

【図9】従来のデータ保存装置によるデータ保存方式を
示す図
FIG. 9 is a diagram showing a data storage method by a conventional data storage device.

【図10】従来のデータ保存装置によるデータ保存方式
を示す図
FIG. 10 is a diagram showing a data storage method by a conventional data storage device.

【図11】従来のデータ保存装置によるデータ保存方式
を示す図
FIG. 11 is a diagram showing a data storage method by a conventional data storage device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…RAM、2…EEPROM、3…前回内容比較部、
4…未使用ブロック書込部、5…情報作成部、6…保存
データ読出部、7…コントロールブロック、8…最新位
置情報領域、9…使用ブロック情報領域、10…ブロッ
ク情報配置領域。
1 ... RAM, 2 ... EEPROM, 3 ... previous content comparison section,
4 ... Unused block writing unit, 5 ... Information creating unit, 6 ... Saved data reading unit, 7 ... Control block, 8 ... Latest position information area, 9 ... Used block information area, 10 ... Block information arrangement area.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに複数の記憶ブロックを有するRA
M及びデータ保存部を備え、書込指令の入力に基づい
て、前記RAMの各記憶ブロックに記憶された内容を前
記データ保存部の各記憶ブロックに保存し、読出指令の
入力に基づいて、前記データ保存部の各記憶ブロックに
保存された内容を前記RAMの各記憶ブロックに取出す
データ保存装置において、 前記データ保存部の記憶ブロックに設けられ、前記デー
タ保存部における前回の保存内容をもつ記憶ブロックを
示す前回ブロック情報を有し、且つ当該前回ブロック情
報が前記RAMの各記憶ブロックに対応して配置される
使用ブロック記憶手段と、 前記データ保存部の記憶ブロックに設けられ、前記使用
ブロック記憶手段の位置を示す位置情報が記憶される位
置情報記憶手段と、 前記書込指令が入力されたとき、前記位置情報記憶手段
内の位置情報に従って前記使用ブロック記憶手段内の前
回ブロック情報を読出すと共に、この前回ブロック情報
に基づいて、前記RAMの各記憶ブロック毎の内容と前
記データ保存部の各記憶ブロックに前回書込まれた内容
とを比較する前回内容比較手段と、 前記前回内容比較手段による比較結果が不一致のときの
み、前記使用ブロック記憶手段内の前回ブロック情報に
基づいて、前記RAMの記憶ブロックの内容を前記デー
タ保存部内の未使用の記憶ブロックに書込む未使用ブロ
ック書込手段と、 この未使用ブロック書込手段により書込が実行されたと
きのみ、前記前回ブロック情報及び前記位置情報を新規
に作成する情報作成手段と、 前記読出指令が入力されたとき、前記情報作成手段によ
り作成された前記位置情報に従って前記作成された前回
ブロック情報を読出すと共に、これら前回ブロック情報
及びその配置に基づいて、前記データ保存部の各記憶ブ
ロックから前記未使用ブロック書込手段により書込まれ
た内容を読出し、当該内容を前記RAMの各記憶ブロッ
クに書込む保存データ読出手段とを備えたことを特徴と
するデータ保存装置。
1. RA having a plurality of storage blocks each other
M and a data storage unit are provided, and the contents stored in the respective storage blocks of the RAM are stored in the respective storage blocks of the data storage unit on the basis of the input of the write command, and the contents are stored on the basis of the input of the read command. A data storage device for extracting the content stored in each storage block of the data storage unit to each storage block of the RAM, wherein the storage block is provided in the storage block of the data storage unit and has the previous storage content in the data storage unit. Used block storage means having the previous block information indicating that the previous block information is arranged corresponding to each storage block of the RAM, and the used block storage means provided in the storage block of the data storage unit. Position information storage means for storing position information indicating the position of the position information storage means, and the position information storage means when the write command is input. The previous block information in the used block storage means is read according to the position information of the above, and based on the previous block information, the contents of each storage block of the RAM and the previous writing in each storage block of the data storage unit are previously written. The content of the storage block of the RAM is based on the previous block information in the used block storage means only when the comparison result by the previous content comparison means and the previous content comparison means for comparing Unused block writing means for writing to an unused storage block in the storage section, and information for newly creating the previous block information and the position information only when writing is executed by the unused block writing means Creating means, when the read command is input, the creating means according to the position information created by the information creating means The previously written block information is read, and the contents written by the unused block writing means are read from each storage block of the data storage unit on the basis of the last block information and the arrangement thereof, and the contents are read as described above. A data storage device comprising a storage data reading means for writing data in each storage block of a RAM.
JP8145494A 1994-04-20 1994-04-20 Data preservation device Pending JPH07295894A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013065080A (en) * 2011-09-15 2013-04-11 Denso Corp Electronic control device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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