JPH07294455A - Surface flaw detecting method and device therefor - Google Patents

Surface flaw detecting method and device therefor

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JPH07294455A
JPH07294455A JP9169594A JP9169594A JPH07294455A JP H07294455 A JPH07294455 A JP H07294455A JP 9169594 A JP9169594 A JP 9169594A JP 9169594 A JP9169594 A JP 9169594A JP H07294455 A JPH07294455 A JP H07294455A
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inspected
reflected light
flaw
intensity
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彰 風間
Takahiko Oshige
貴彦 大重
Tsutomu Kawamura
努 河村
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Abstract

PURPOSE:To increase the number of detectable flaw kinds by finding ellipsoparameters of surface reflected light by radiating polarized light to a surface to be inspected, comparing an amplitude ratio of reflected light from a previously found surface flaw with a phase difference characteristic, and grading it. CONSTITUTION:A change in a polarization parameter when an oxide film of about 5 to 100nm is stuck to a surface of a cold drawing steel plate, is expressed by a (DELTA-psi) chart by respectively setting an amplitude ratio (f) of P and S polarization and a phase difference (DELTA) on the axis of abscissa and the axis of ordinate. A plot marker shows a film thickness of the oxide film. Though (psi) changes when an oxide film thickness is about 20 to 50nm, (DELTA) mainly changes when it is about 0 to 20nm and about 50 to 100nm, and (9) hardly changes, and only (psi) is observed in this section, and nonuniformity of a thickness cannot be observed. Thereby, when two ellipsoparameters of (psi) and (DELTA) are simultaneously found, the oxide film thickness can be evaluated over a wide range.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は光学式の表面疵検出方法
および装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical surface flaw detecting method and apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】薄鋼板表面の疵など鋼板の表面疵を光学
的に検出する装置としては、光源にレーザ光を用い、光
の散乱または回折パターンの変化を利用した光学式疵検
出器が多く用いられている。この方式は、疵によるレー
ザ光の散乱または回折のパターン変化より疵検出を行っ
ており、鋼板表面に明かな凹凸を形成している疵の場合
は有効な手段である。
2. Description of the Related Art As an apparatus for optically detecting a surface flaw of a steel sheet such as a flaw on the surface of a thin steel sheet, an optical flaw detector using a laser beam as a light source and utilizing a change of a light scattering or a diffraction pattern is often used. It is used. This method detects flaws by changing the pattern of laser light scattering or diffraction due to flaws, and is an effective means in the case of flaws in which clear unevenness is formed on the surface of a steel sheet.

【0003】しかし、疵には表面の凹凸がなく、物性値
のむら、ミクロな粗さのむら、薄い酸化膜等の局所的存
在、コーティング膜厚の厚さむらといった、前述の観測
方法では検出困難なものが存在する。例えば正常部で1
00Å程度の酸化膜が付いている鋼板表面に、局所的に
400Å程度の酸化膜が厚い異常部があるとする。この
様な異常部を以下模様状疵と呼ぶことにする。このよう
な領域は下工程において塗装不良が生じるなど、疵とし
て検出し除去したいという要請があるが、正常部との酸
化膜厚の差は鋼板表面の粗さに埋もれており、光の散乱
や回折を利用した方式では全く検出不可能である。
However, the flaws have no surface irregularities and are difficult to detect by the above-mentioned observation methods such as unevenness of physical properties, unevenness of microscopic roughness, local presence of thin oxide film, and unevenness of coating film thickness. Things exist. For example, 1 in the normal part
It is assumed that the steel plate surface having an oxide film of about 00Å locally has an abnormal portion with a thick oxide film of about 400Å. Hereinafter, such an abnormal portion will be referred to as a pattern defect. There is a demand to detect and remove such areas as defects such as defective coating in the lower process, but the difference in the oxide film thickness from the normal part is buried in the roughness of the steel plate surface, and the scattering of light and It cannot be detected at all by the method using diffraction.

【0004】散乱や回折に感度を持たない疵を検出する
には、偏光を用いた表面検査方法がある。例えば、半導
体ウエファー上の異物を見つけるための方法が特公平5
−23620号公報に提案されている。この方法は偏光
パラメータのうちΨ、すなわちP偏光とS偏光の振幅比
(tanΨ)を求めて疵を検出する方法である。(P偏
光とは反射光の電気ベクトルのうち光の入射面方向の成
分、S偏光とは入射面に垂直方向の成分をいう。)しか
しながら偏光成分比が一定で、しかも正常・異常部が変
わる表面疵があり、前述の目的に対してこの方法は適用
できない。
A surface inspection method using polarized light is available to detect a flaw that is not sensitive to scattering and diffraction. For example, a method for finding foreign matter on a semiconductor wafer is Japanese Patent Publication No.
No. 23620. This method is a method for detecting a defect by obtaining Ψ among the polarization parameters, that is, the amplitude ratio (tan Ψ) of P-polarized light and S-polarized light. (P-polarized light is the component of the electric vector of the reflected light in the direction of the incident surface of the light, and S-polarized light is the component of the direction perpendicular to the incident surface.) However, the polarization component ratio is constant, and the normal / abnormal part changes. Due to surface defects, this method cannot be applied for the above-mentioned purpose.

【0005】偏光のP、S成分比と位相差を同時に測定
する手段にエリプソメトリがある。特公平4−7812
2号公報、特開平1−211937号公報にはエリプソ
メトリを用いて材料表面の特性値を試験する方法が提示
されている。しかし、これらの方法は前述の如き素材の
表面疵に適用するには敏感すぎて、鋼板の疵検出に使え
る可能性はないと考えられていた。このように従来、鋼
板の模様状疵を光学的手段で検出することは不可能とさ
れており、そのような装置も存在しなかった。
Ellipsometry is a means for simultaneously measuring the P and S component ratios of polarized light and the phase difference. Japanese Patent Publication No. 4-7812
No. 2 and JP-A No. 1-211937 propose a method of testing the characteristic value of the material surface using ellipsometry. However, it was considered that these methods were too sensitive to be applied to the surface flaws of the material as described above, and could not be used to detect flaws in the steel sheet. As described above, it has heretofore been impossible to detect the pattern-like flaws of the steel sheet by optical means, and there is no such apparatus.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明はこうした状況
を鑑みて、被検査面からの反射光の偏光特性を用いるこ
とで、検出及び判別可能な疵種の数を増大し、従来の方
式では検出できなかった模様状の表面疵を検出しようと
するものである。
In view of such a situation, the present invention uses the polarization characteristics of the reflected light from the surface to be inspected to increase the number of flaw types that can be detected and discriminated. It is intended to detect a pattern-like surface flaw that could not be detected.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】エリプソパラメ−タ
(Ψ、Δ)は、偏光のS成分の反射率Rsの、P成分反
射率Rpに対する比ρを介して(1)式で定義される。
The ellipsoparameters (Ψ, Δ) are defined by the equation (1) via the ratio ρ of the reflectance Rs of the S component of polarized light to the P component reflectance Rp.

【0008】 ρ=Rs/Rp=tanΨ・exp(jΔ) (1) ここでtanΨは反射光のP、S成分の振幅比を、ex
p(jΔ)はP、S成分の位相差を示す。入射光が0度
(P成分のみ)の直線偏光の場合は、反射光のP、S成
分がなす楕円の主軸が入射面となす角度がΨに、P、S
成分の位相差がΔに相当する。この場合は反射光を任意
の直行2軸の偏光角度で分割し、各々の偏光強度を測定
して、楕円の主軸方向と離心率からΨ、Δを演算するこ
とができる。また、入射光の偏光状態は任意に設定する
ことが可能であり、そのときは入射光の偏光状態を補正
してΨ、Δを求める。
Ρ = Rs / Rp = tan Ψ · exp (jΔ) (1) where tan Ψ is the amplitude ratio of the P and S components of the reflected light, ex
p (jΔ) indicates the phase difference between the P and S components. When the incident light is linearly polarized light of 0 degree (only the P component), the angle formed by the principal axis of the ellipse formed by the P and S components of the reflected light with the incident surface is Ψ, and P and S
The phase difference of the components corresponds to Δ. In this case, it is possible to divide the reflected light at arbitrary polarization angles of two orthogonal axes, measure the respective polarization intensities, and calculate Ψ and Δ from the principal axis direction of the ellipse and the eccentricity. Further, the polarization state of the incident light can be set arbitrarily, and in that case, the polarization state of the incident light is corrected to obtain Ψ and Δ.

【0009】反射光の強度Iは、入射光の強度Ioと表
面の反射率Rによって(2)式で求まる。 I=Io・R (2) このような光学的な測定値を用いるとき、上記課題は、
被検査面に偏光を照射して表面反射光のエリプソパラメ
−タ(Ψ、Δ)を求め、あらかじめ求めておいた表面疵
からの反射光の振幅比Ψと位相差Δ特性と比較して、等
級付けすることを特徴とする表面疵の検出方法とするこ
とによって解決される。
The intensity I of the reflected light is obtained by the equation (2) from the intensity Io of the incident light and the reflectance R of the surface. I = Io · R (2) When using such an optical measurement value, the above-mentioned problem is
The surface to be inspected is irradiated with polarized light to obtain the ellipsoparameters (Ψ, Δ) of the surface reflected light, and the amplitude ratio Ψ of the reflected light from the surface flaw and the phase difference Δ characteristic are calculated in advance, This is solved by providing a surface flaw detection method characterized by grading.

【0010】また、被検査面に偏光を照射して表面反射
光のエリプソパラメ−タ(Ψ、Δ)を求め、被検査面の
同一箇所に同一ないし別個の光を照射して表面の反射強
度(I)を求め、該2つのエリプソパラメータと該反射
強度の状態によって表面疵の等級および種類を判定する
ことを特徴とする表面疵の検出方法、とする。
Further, the surface to be inspected is irradiated with polarized light to obtain the ellipsoparameters (Ψ, Δ) of the surface reflected light, and the same or different light is applied to the same portion of the surface to be inspected to reflect the surface. (I) is obtained, and the surface flaw detection method is characterized by determining the grade and type of the surface flaw based on the two ellipso parameters and the state of the reflection intensity.

【0011】本発明に係る装置は、表面疵のエリプソパ
ラメ−タ(Ψ、Δ)特性をあらかじめ記憶する手段と、
被検査面に偏光を照射して表面反射光のエリプソパラメ
−タ(Ψ、Δ)を測定する手段と、測定した表面反射光
と記憶特性との比較結果を出力する手段を備えたことを
特徴とする表面疵検出装置、である。
The apparatus according to the present invention comprises means for storing in advance the ellipso parameter (Ψ, Δ) characteristics of surface flaws,
It is provided with means for irradiating the surface to be inspected with polarized light to measure the ellipsoparameters (Ψ, Δ) of the surface reflected light, and means for outputting the comparison result of the measured surface reflected light and the memory characteristic. And a surface flaw detection device.

【0012】また、被検査面に偏光を照射して該表面反
射光のエリプソパラメ−タ(Ψ、Δ)を求める手段と、
被検査面の同一箇所に同一ないし別個の光を照射して反
射強度(I)を測定する手段と、被検査面からの反射光
が属するΨ、Δ、Iの3次元座標位置を、あらかじめ定
めた範囲区分として出力する手段を備えたことを特徴と
する表面疵検出装置、とする。
Further, means for irradiating the surface to be inspected with polarized light to obtain an ellipsoparameter (Ψ, Δ) of the surface-reflected light,
Means for measuring the reflection intensity (I) by irradiating the same place on the surface to be inspected with the same or different light and the three-dimensional coordinate position of Ψ, Δ, I to which the light reflected from the surface to be inspected belongs are determined in advance. A surface flaw detection device comprising means for outputting as a range division.

【0013】被測定面が広い場合には、該反射光の受光
手段に複数の2次元撮像素子を用い、同一反射点に相当
する画素の測光値を用いてΨ、ΔないしIを計算するこ
とを特徴とする表面疵検出装置、とする。また、該偏光
の光源が単色光源であって、その光源を光ファイバーを
用いて被検査面上の所定範囲に照射し、該範囲を複数台
のエリプソメータで被検査面からの反射光を分担して受
光する受光するようにした疵検出装置とする。
When the surface to be measured is large, a plurality of two-dimensional image pickup devices are used as light receiving means for the reflected light, and Ψ, Δ or I is calculated using the photometric values of the pixels corresponding to the same reflection point. And a surface flaw detecting device. Further, the polarized light source is a monochromatic light source, the light source is used to irradiate a predetermined range on the surface to be inspected, and the range is shared by a plurality of ellipsometers for the reflected light from the surface to be inspected. The flaw detection device is designed to receive light.

【0014】[0014]

【作用】偏光特性は物質の表面性状に敏感であるため、
散乱光、回折を用いては検出不可能な表面特性を測定す
ることが可能である。模様状疵の表面には光の反射に関
係する特性の変化があり、エリプソパラメータが敏感に
変化する。しかし従来、どのような手段をとればエリプ
ソパラメータの変化が疵と対応づけできるのかが分かっ
ていなかった。発明者らは、エリプソパラメータと表面
疵との関係を調査した結果、模様状疵の場合は、疵とし
て検出したい酸化膜の膜厚の範囲に応じて、Ψ、Δが関
数特性をもって変化し、この特性を用いれば疵部分と正
常部分とが判別できることを知見した。
[Function] Since the polarization characteristics are sensitive to the surface properties of materials,
It is possible to measure surface properties that cannot be detected using scattered light or diffraction. The surface of the pattern-like flaw has a change in characteristics related to light reflection, and the ellipso parameter changes sensitively. However, conventionally, it has not been known what kind of means can be used to associate a change in ellipso parameter with a defect. The inventors, as a result of investigating the relationship between the ellipso parameter and the surface defect, in the case of a pattern-like defect, Ψ and Δ change with functional characteristics depending on the range of the film thickness of the oxide film to be detected as a defect, It was found that the defect part and the normal part can be distinguished by using this characteristic.

【0015】膜の上に異物が乗った模様状疵について
は、表面凹凸が伴うのでエリプソパラメータと同時に光
学的な反射率も変化する。この場合エリプソパラメータ
の変化と反射率強度変化の組み合わせで疵と正常部が判
別できる。また、疵の種類によって、この組み合わせが
再現するために、反射光の強度変化とエリプソ変化とを
組み合わせることによって疵の程度や種類が判別可能と
なる。
With regard to a pattern-like flaw in which a foreign matter is placed on the film, surface irregularities accompany it, and therefore the optical reflectance changes at the same time as the ellipso parameter. In this case, a flaw and a normal portion can be discriminated by a combination of a change in ellipso parameter and a change in reflectance intensity. Further, since this combination is reproduced depending on the type of the flaw, the degree and type of the flaw can be determined by combining the intensity change of the reflected light and the ellipso change.

【0016】エリプソパラメ−タは、複数の受光素子を
用いて表面の各点について求める装置が一般的である。
しかし、発明者らは、2次元撮像素子を用いる装置を提
案する。広い範囲の被検査面のエリプソパラメ−タや反
射強度を測定する場合に、対象物の表面を複数の光学系
に分けて、2次元の撮像素子に結像させる。エリプソパ
ラメ−タや光強度の測定において、複数の撮像素子によ
って測定された光強度を被測定面の同一箇所に対応する
素子の強度を用いて演算する。光学系を補正することに
よって、同一反射点の反射光強度を求めるようにすれ
ば、単一の測光手段で走査するよりも、光学系が簡素に
なる。
The ellipsometer is generally an apparatus for obtaining each point on the surface by using a plurality of light receiving elements.
However, the inventors propose a device using a two-dimensional image sensor. When measuring the ellipsometer parameters and the reflection intensity of a wide range of surfaces to be inspected, the surface of the object is divided into a plurality of optical systems to form an image on a two-dimensional image sensor. In the measurement of the ellipsometer and the light intensity, the light intensity measured by a plurality of image pickup devices is calculated using the intensity of the device corresponding to the same position on the surface to be measured. If the reflected light intensity at the same reflection point is obtained by correcting the optical system, the optical system becomes simpler than scanning with a single photometric means.

【0017】また、光源はレーザ光源など比較的大出力
のものがある。1台のレーザ光源と、複数台のエリプソ
メータを用いて広い範囲のエリプソパラメータを測定す
る場合、光ファイバーを用いて共通の光源からの光を分
散させて照射すると幅広材料の各部分における照射強度
が均一となり、反射光強度の補正が容易となる。
Further, the light source includes a laser light source having a relatively large output. When measuring a wide range of ellipsometer parameters using one laser light source and multiple ellipsometers, if the light from a common light source is dispersed and irradiated using an optical fiber, the irradiation intensity in each part of the wide material will be uniform. Therefore, it becomes easy to correct the reflected light intensity.

【0018】[0018]

【実施例】本発明の第一の実施例を図1に示す。図1は
冷延鋼板上に5nm〜100nmの酸化膜が付着した場
合の偏光パラメータの変化の様子を示す。図1は一般な
偏光解析で用いられる「Δ- Ψチャート」であり、横軸
はP、S偏光の振幅比を現す角度Ψ、縦軸はP、S偏光
の位相差Δ、プロットのマーカは別な手段で測定した酸
化膜の膜厚を示している。測定条件は、He−Neレー
ザで波長633nm、測定入射角度を70度として、複
素屈折率2.0+i4.0の鋼板上に屈折率3.0の酸
化皮膜が存在する場合のものである。
FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention. FIG. 1 shows how the polarization parameters change when an oxide film of 5 nm to 100 nm adheres to the cold rolled steel sheet. FIG. 1 is a “Δ-Ψ chart” used in general polarization analysis, in which the horizontal axis represents the angle Ψ representing the amplitude ratio of P and S polarized light, the vertical axis represents the phase difference Δ of P and S polarized light, and the plot marker is The film thickness of the oxide film measured by another means is shown. The measurement conditions are such that an oxide film having a refractive index of 3.0 is present on a steel plate having a complex refractive index of 2.0 + i4.0 with a He-Ne laser having a wavelength of 633 nm and a measurement incident angle of 70 degrees.

【0019】図1において、酸化膜厚が20〜50nm
程度まではΨの変化が認められるが、0〜20nmおよ
び50〜100nmまではΔの変化が主になり、Ψはほ
とんど変化しない。従って酸化膜厚の管理範囲が0〜2
0nmあるいは50〜100nmにあって、厚さムラを
疵として捕らえようとしても、Ψのみを観測していては
検出することは不可能である。したがって、本発明は
Ψ、Δを同時に求め、この関係式に当てはめて、広い範
囲の酸化膜厚さを評価する。例えば、Ψが35度付近で
あり、かつΔが100度から250度の範囲である場合
は、膜厚が50nmから100nmと0nmから20n
mに対応する2つの線分で換算する。また、Ψが40度
以上でかつΔが100度から250度の範囲以外の場合
には、膜厚が20nmから35nm、35nmから50
nmに対応する線分で換算する。膜厚の正常範囲は鋼
種、厚さなどによって管理範囲を定めることにして、膜
厚が管理範囲を外れた部分を疵として検出する。
In FIG. 1, the oxide film thickness is 20 to 50 nm.
A change in Ψ is observed up to a certain degree, but a change in Δ is mainly observed in 0 to 20 nm and 50 to 100 nm, and Ψ hardly changes. Therefore, the control range of the oxide film thickness is 0 to 2
Even if the thickness unevenness in 0 nm or 50 to 100 nm is to be detected as a flaw, it is impossible to detect it by observing only Ψ. Therefore, according to the present invention, Ψ and Δ are simultaneously obtained and applied to this relational expression to evaluate a wide range of oxide film thickness. For example, when Ψ is around 35 degrees and Δ is in the range of 100 degrees to 250 degrees, the film thickness is 50 nm to 100 nm and 0 nm to 20 n.
Convert with two line segments corresponding to m. When Ψ is 40 degrees or more and Δ is outside the range of 100 degrees to 250 degrees, the film thickness is 20 nm to 35 nm and 35 nm to 50 nm.
Converted by the line segment corresponding to nm. The normal range of the film thickness is determined by the steel type, the thickness, etc., and the part where the film thickness is out of the control range is detected as a flaw.

【0020】本発明の第二の実施例を図2から図4に示
す。図2は、模様状疵の内Aタイプの疵を検出した例を
示す。疵は線状に伸びており、この線を図の横方向の中
央にくるようにして、20mm幅の範囲のエリプソパラ
メータと反射光強度を幅方向位置を対応させて表示した
ものである。疵部分の位相差(Δ)と強度(I)は正常
部分(横方向の中央部以外)にくらべ疵の存在が判別し
にくい。しかし振幅比(Ψ)は、明らかに疵がある部分
(中央部)とない部分(中央部以外)を判別できる。こ
の疵は表面の薄い酸化皮膜であって、従来の光学式検査
機では検出できなかった疵である。
A second embodiment of the present invention is shown in FIGS. FIG. 2 shows an example in which a type A flaw is detected in the patterned flaws. The flaw extends linearly, and the ellipso parameter and the reflected light intensity in the range of 20 mm width are displayed in such a manner that the line is located at the center in the horizontal direction of the figure in correspondence with the position in the width direction. As for the phase difference (Δ) and the intensity (I) of the flawed portion, it is more difficult to determine the presence of the flaw than in the normal portion (other than the central portion in the lateral direction). However, the amplitude ratio (Ψ) can clearly distinguish between a portion with a flaw (central portion) and a portion without a flaw (other than the central portion). This flaw is a thin oxide film on the surface and cannot be detected by a conventional optical inspection machine.

【0021】図3は模様状疵の内Bタイプの疵を検出し
た例を示す。疵はΨでは存在が判別できないが、位相差
(Δ)と強度(I)に感じている。Bタイプの疵は鋼板
のミクロな表面粗さが変化した場合に現れることが多
い。原因としては圧延ロール肌に部分的な荒れが生じた
場合などに起きる。
FIG. 3 shows an example in which a B-type flaw is detected in the patterned flaws. Although the presence of a flaw cannot be identified by Ψ, it is felt by the phase difference (Δ) and the intensity (I). B type defects often appear when the microscopic surface roughness of the steel sheet changes. The cause is when the surface of the rolling roll is partially roughened.

【0022】図4は模様状疵の内Cタイプの疵を検出し
た例を示す。この疵の場合はΔ、Ψ、Iのすべてのパラ
メータに感じている。タイプCは模様状疵の上に付着物
が乗ることにより鋼板表面の見掛けの粗さが大きく変化
した疵である。目視でみても分かる付着物で、従来の検
査機でも検出可能なものである。
FIG. 4 shows an example in which a C type flaw is detected in the patterned flaws. In the case of this flaw, I feel all the parameters of Δ, Ψ, and I. Type C is a flaw in which the apparent roughness of the surface of the steel sheet has changed significantly due to the deposit on the patterned flaw. It is an adhering matter that can be visually recognized, and can be detected by a conventional inspection machine.

【0023】図2から図4に示したように、疵の種類に
よっては、反射光の強度変化が伴うものと、伴わないも
のがある。またエリプソパラメータの値も疵の種類によ
って変化の様子が異なる。
As shown in FIGS. 2 to 4, depending on the type of the flaw, there are those with a change in the intensity of the reflected light and those with no change. Also, the value of the ellipso parameter changes depending on the type of flaw.

【0024】次に疵の種類を判別する手段の一例を述べ
る。強度、Ψ、Δの各値は部分的に変化することがある
ので、絶対値では求め難い。そこで、各パラメータの移
動平均を測定しておいて、平均値からの変化を検出す
る。移動平均の定数は発生する疵の寸法に合わせてと
る。一定以上の変化が検出された場合はエリプソパラメ
ータについては角度の絶対値を、反射強度については平
均値からの変化量を評価値とする。Δ、Ψの絶対値と反
射強度の変化量は3次元の空間を構成する。この3次元
空間を経験則に基づいて区間分割し、各区間を疵の種類
と等級にあてはめる。複数の区間に疵の共通性があるも
のについては、これらをグループ化し、区間を等級で表
示することも可能である。
Next, an example of means for discriminating the type of flaw will be described. Since the intensity, Ψ, and Δ values may partially change, it is difficult to obtain the absolute values. Therefore, the moving average of each parameter is measured and the change from the average value is detected. Take the moving average constant according to the size of the flaw. When a change above a certain level is detected, the absolute value of the angle is used as the evaluation value for the ellipso parameter, and the amount of change from the average value is used as the evaluation value for the reflection intensity. The absolute values of Δ and Ψ and the amount of change in reflection intensity form a three-dimensional space. This three-dimensional space is divided into sections based on empirical rules, and each section is applied to the type and grade of defects. If a plurality of sections have common flaws, it is also possible to group these and display the sections by grade.

【0025】エリプソパラメータの測定装置は光学系に
よって種々の変化がある。発明者らは、先に反射光の4
つの偏光成分を求めることによってエリプソパラメ−タ
(Ψ、Δ)のみならず位相角Δの絶対値が分かり、かつ
入射光強度の変化も補正可能な光学系を提案した(特開
平5−113371号公報参照)。これで提案した光学
系のいずれかを用いて表面疵検出装置を構成した、本発
明の第三の実施例を図5に示す。
The ellipso parameter measuring apparatus has various changes depending on the optical system. The inventors of the present invention first described the reflected light 4
An optical system has been proposed in which not only the ellipsoparameters (Ψ, Δ) but also the absolute value of the phase angle Δ can be known by obtaining the two polarization components, and the change of the incident light intensity can be corrected (JP-A-5-113371). See the bulletin). FIG. 5 shows a third embodiment of the present invention in which a surface flaw detection device is constructed by using any of the optical systems proposed by this.

【0026】図5の表面疵検出装置は、エリプソメータ
本体1と、その出力からエリプソパラメ−タを演算する
エリプソパラメ−タ演算装置3、試料2に疵のあるもの
を用いたときにそのエリプソパラメ−タを記憶するエリ
プソパラメ−タ記憶装置4、特性が未知の試料2を用い
たときにそのエリプソパラメ−タと、記憶装置4に記憶
された疵の特性値とを比較するエリプソパラメ−タ比較
装置5、比較結果に応じて疵の有無、等級などを出力す
る疵信号出力装置6で構成されている。
The surface flaw detection apparatus shown in FIG. 5 uses an ellipsometer main body 1, an ellipsometer parameter computing unit 3 for computing ellipsometer parameters from its output, and an ellipsometer parameter when a specimen 2 having flaws is used. -Ellipso parameter storage device 4 for storing the data, and an ellipso parameter for comparing the ellipso parameter with the characteristic value of the defect stored in the storage device 4 when the sample 2 having unknown characteristics is used. It comprises a comparison device 5 and a defect signal output device 6 for outputting the presence / absence of a defect, a grade, etc. according to the comparison result.

【0027】エリプソメータ本体1は、例えば図6に示
す光学系で構成する。図6において10はレーザー光
源、11は偏光子、12は入射光を示す。入射光12は
偏光子11によって直線偏光となり、試料2の表面で反
射する。反射光13は14、15、16のビームスプリ
ッターおよび1/4波長板17によって相異なる4つの
偏光18a、18b、18c、18dに分割して、それ
ぞれの受光器19a、19b、19c、19dで光強度
1 、I2 、I3 、I4 を検出する。
The ellipsometer body 1 is composed of, for example, the optical system shown in FIG. In FIG. 6, 10 is a laser light source, 11 is a polarizer, and 12 is incident light. The incident light 12 is linearly polarized by the polarizer 11 and is reflected on the surface of the sample 2. The reflected light 13 is divided into four different polarized lights 18a, 18b, 18c and 18d by the beam splitters 14, 15 and 16 and the quarter wavelength plate 17 and is divided by the respective light receivers 19a, 19b, 19c and 19d. Intensities I 1 , I 2 , I 3 , I 4 are detected.

【0028】エリプソパラメ−タの演算装置3は、これ
らの光強度から(3),(4)式によってエリプソパラ
メ−タを演算する。
The ellipso-parameter arithmetic unit 3 calculates the ellipso-parameters from these light intensities according to equations (3) and (4).

【0029】 tanΔ=〔σR (I1 −I2 )〕/〔σT (I3 −I4 )〕 (3) tanΨ=〔(σR 2 −σT 2 )/2〕・〔{σR (I1 −I2 )}2 〕+ {σT (I3 −I4 )}2 1/2 ÷〔σR 2 (I1 +I2 )−σT 2 (I3 +I 4 )〕 (4) ここでσR ,σT はそれぞれ無偏光ビームスプリッター
14のP偏光、S偏光の振幅反射率比、および振幅透過
率比で、該光学部品に固有な値である。
Tan Δ = [σR(I1-I2)] / [ΣT(I3-IFour)] (3) tan Ψ = [(σR 2−σT 2) / 2] ・ [{σR(I1-I2)}2] + {ΣT(I3-IFour)}2]1/2÷ (σR 2(I1+ I2) −σT 2(I3+ I Four )] (4) where σR, ΣTEach is a non-polarizing beam splitter
14 P-polarized and S-polarized amplitude reflectance ratio, and amplitude transmission
The ratio is a value specific to the optical component.

【0030】エリプソパラメ−タ記憶装置4には、試料
2に予め疵のあるものを用いたときに、そのエリプソパ
ラメ−タの特性を記憶する。例えば図1のような酸化膜
の特性が記憶される。
The ellipso parameter storage device 4 stores the characteristics of the ellipso parameter when a sample 2 having a flaw is used in advance. For example, the characteristics of the oxide film as shown in FIG. 1 are stored.

【0031】エリプソパラメ−タ比較装置5は、未知の
特性を持った試料2のエリプソパラメ−タが得られたと
き、予め測定し記憶しておいた特性と比較する。これに
は、Ψ、Δ次元における区間分割処理などを適用する。
これによって膜厚信号を出力する。疵信号出力装置6
は、膜厚による合否の判定基準を設定しておき、膜厚が
所定範囲以内のとき正常とし、所定範囲を外れた時は異
常として警報出力する。
When the ellipso parameter comparing device 5 obtains the ellipso parameter of the sample 2 having an unknown characteristic, it compares it with the characteristic previously measured and stored. For this, interval division processing in the Ψ and Δ dimensions is applied.
As a result, a film thickness signal is output. Defect signal output device 6
Sets a criterion for acceptance / rejection based on the film thickness, and normalizes when the film thickness is within a predetermined range, and outputs an alarm as abnormal when the film thickness is out of the predetermined range.

【0032】本発明の第四の実施例を図7に示す。図7
は本発明を鋼板の走行ラインに適用する装置の内、光学
系の部分を示す。本実施例の光学系は、エリプソパラメ
ータを求める系統と、反射強度を求める系統がある。こ
の実施例では、入射光の強度を試料の各部で均一とし時
間的変化は無くしたので、両系統で反射光の3つの偏光
成分を求め、これらの演算で反射光の強度(I)、エリ
プソパラメ−タ(Ψ、Δ)を求めることができる。
A fourth embodiment of the present invention is shown in FIG. Figure 7
Shows the part of the optical system in the apparatus in which the present invention is applied to the traveling line of steel plates. The optical system of this embodiment includes a system for obtaining an ellipso parameter and a system for obtaining a reflection intensity. In this embodiment, since the intensity of the incident light is made uniform in each part of the sample and the temporal change is eliminated, three polarization components of the reflected light are obtained in both systems, and the intensity (I) of the reflected light and the ellipso are calculated by these calculations. The parameters (Ψ, Δ) can be calculated.

【0033】まずエリプソパラメータの系統では、高輝
度光源20から出た光は偏光板23で偏光させた後に試
料2の表面に照射する。表面からの反射光はウオーラン
トプリズム26で45°とー45°で直交する2つの偏
光成分に分離して2次元CCD素子を用いたカメラBで
画素ごとに偏光強度を測定する。カメラBは一台のCC
Dカメラの相異なる部分に分離した像を結ばせる方式と
している。これは、光学系を変更することによって別々
の2台のカメラに分けて分離して撮影することも可能で
ある。カメラBの光強度は、この図には表示していない
エリプソメータ演算装置に出力してこれら2つの光強度
を演算することによって試料面各点のエリプソパラメー
タが求められる。
First, in the ellipso parameter system, the light emitted from the high-intensity light source 20 is polarized by the polarizing plate 23 and then irradiated on the surface of the sample 2. The light reflected from the surface is separated by a warrant prism 26 into two polarization components orthogonal to each other at 45 ° and −45 °, and a camera B using a two-dimensional CCD element measures the polarization intensity for each pixel. Camera B is a CC
The method is such that separate images are formed on different parts of the D camera. It is also possible to divide the image into two separate cameras and shoot separately by changing the optical system. The light intensity of the camera B is output to an ellipsometer calculation device (not shown in the figure) and these two light intensities are calculated to obtain the ellipso parameter at each point on the sample surface.

【0034】次に反射強度を測定する系統について述べ
る。高輝度光源20から出た光は拡散板21で均一な強
度分布とした後に、試料2の表面に照射する。表面から
の反射光は無偏光プリズム25の面で反射して、偏光角
0度に設定した偏光子24を経たあとにカメラA27に
入る。カメラAでは、2次元のCCD素子を使用して測
定表面の各点の光強度を同時に求める。図7の光学系の
場合、反射強度(I)は、I=I2 +I3 −2I1 で求
められる。ここでI1 はカメラA、I2 、I3はカメラ
Bの45度、−45度偏光画像からそれぞれ得られる光
強度である。
Next, a system for measuring the reflection intensity will be described. The light emitted from the high-intensity light source 20 is applied to the surface of the sample 2 after having a uniform intensity distribution by the diffusion plate 21. The light reflected from the surface is reflected by the surface of the non-polarizing prism 25, passes through the polarizer 24 whose polarization angle is set to 0 degree, and then enters the camera A27. In the camera A, the light intensity at each point on the measurement surface is simultaneously obtained using a two-dimensional CCD element. In the case of the optical system of FIG. 7, the reflection intensity (I) is obtained by I = I 2 + I 3 −2I 1 . Here, I 1 is the light intensity obtained from the cameras A, I 2 , and I 3 from the 45-degree and −45-degree polarized images of the camera B, respectively.

【0035】図7の光学系の特徴は、広い範囲を均一に
偏光で照射し、偏光角度が0、45、−45度の画像か
ら試料面の多数の点のエリプソパラメータと反射強度を
同時に演算できるようにしたことである。エリプソパラ
メータ出力は、記憶パターンと比較することで膜厚や疵
種類に換算する。
The optical system shown in FIG. 7 is characterized in that a wide range is uniformly illuminated with polarized light, and ellipso parameters and reflection intensities of a large number of points on the sample surface are simultaneously calculated from an image with a polarization angle of 0, 45, or −45 degrees. That's what I was able to do. The ellipso parameter output is converted into a film thickness or a defect type by comparing with the memory pattern.

【0036】図8は反射光強度とエリプソパラメータを
同時に使って疵検出する装置の信号処理系統図である。
図7の光学系の出力を信号処理する部分に相当する装置
である。
FIG. 8 is a signal processing system diagram of an apparatus for detecting flaws by simultaneously using the reflected light intensity and the ellipso parameter.
This is a device corresponding to the part that processes the output of the optical system in FIG.

【0037】カメラA、カメラBからの出力信号は一旦
フレームメモリーA31,フレームメモリーB31に蓄
積する。フレームメモリーBは2つの偏光角度の像が蓄
えられているから、光強度を蓄えているフレームメモリ
ーAと合わせて、試料表面の同一点が合計3つの光強度
情報を与えることになる。この際、視野角度によって
Δ、Ψ、Iにフレームメモリー上で位置的なずれが生じ
るので、位置縮尺補正装置32はフレームメモリーに捕
らえられた3偏光成分の画像について、光学系のフレネ
ル係数から求められる位置・縮尺を一致させる処理を行
う。次ににΔ、Ψ、I計算装置33は、Δ、Ψ、I計算
を一致した画素ごとに行う。等価複素屈折率計算装置3
5は、入射光の偏光状態を基に、反射光から計算した
Δ、Ψ、Iから試料各点の等価複素屈折率を計算する。
これらの演算結果は適当なマッピング処理を施した後、
表示装置36に表面状態として表示する。簡易的には
Δ、Ψ、Iの画像のまま過去のデータと比較してもよ
い。
Output signals from the cameras A and B are temporarily stored in the frame memories A31 and B31. Since the image of two polarization angles is stored in the frame memory B, the same point on the sample surface, together with the frame memory A storing the light intensity, gives a total of three light intensity information. At this time, since positional shifts occur in Δ, Ψ, and I on the frame memory depending on the viewing angle, the position scale correction device 32 obtains the image of the three polarization components captured in the frame memory from the Fresnel coefficient of the optical system. Perform the processing to match the position and scale. Next, the Δ, Ψ, I calculation device 33 performs the Δ, Ψ, I calculation for each matched pixel. Equivalent complex refractive index calculation device 3
5 calculates the equivalent complex refractive index of each point of the sample from Δ, Ψ and I calculated from the reflected light based on the polarization state of the incident light.
After performing appropriate mapping processing on these calculation results,
The surface state is displayed on the display device 36. For simplicity, the images of Δ, Ψ, and I may be directly compared with the past data.

【0038】図9は、図2から図4の疵に対するマッピ
ング処理の例である。図9aは反射強度Iが通常値から
上昇した場合に適用する判別図である。Δ、Ψが図の斜
線部にあるときDタイプ疵のグレード1、2、3と対応
させる。図9bは反射光強度が通常値にある場合に適用
する。Δ、Ψの値に応じてA、Bのタイプとグレードを
斜線部のように割り当てる。同様に図9のc,dは反射
光強度が通常値から下降した場合に適用するものであ
る。この場合はΔ、Ψの値によらず、強度の区分のみで
疵タイプとグレードを割り当てる。
FIG. 9 shows an example of mapping processing for the flaws shown in FIGS. FIG. 9a is a discrimination diagram applied when the reflection intensity I rises from the normal value. When Δ and Ψ are in the shaded area in the figure, they correspond to grades 1, 2, and 3 of D type flaw. FIG. 9b applies when the reflected light intensity is at a normal value. The types and grades of A and B are assigned as shown by the shaded areas according to the values of Δ and Ψ. Similarly, c and d in FIG. 9 are applied when the reflected light intensity drops from the normal value. In this case, regardless of the values of Δ and Ψ, the defect type and the grade are assigned only by the intensity classification.

【0039】図10は多チャンネルエリプソメータを並
列配置する本発明の第五の実施例を示す。この装置は2
000mm幅の幅広鋼板40が最大ライン速度600m
/分で移動中に疵検出することを目的としている。光源
は波長800nmのレーザー41で、この光を光ファイ
バー42を用いて被測定面の近くに導く。偏光板43に
よって入射光は45度の直線偏光とする。鋼板面への入
射角は65度とした。光ファイバーのかわりに放物面鏡
を用いてレーザー光をスリット状平行光線とし、鋼板に
照射してもよい。光検出カメラ44、45、46は10
24画素の一次元CCDを用いて、幅方向分解能0.2
5mm、1チャンネルで鋼板の250mm幅を見る構成
とした。
FIG. 10 shows a fifth embodiment of the present invention in which multi-channel ellipsometers are arranged in parallel. This device has 2
Wide steel plate 40 with a width of 000 mm has a maximum line speed of 600 m
The purpose is to detect flaws while moving per minute. The light source is a laser 41 having a wavelength of 800 nm, and this light is guided near the surface to be measured using an optical fiber 42. The incident light is linearly polarized by 45 degrees by the polarizing plate 43. The incident angle on the steel plate surface was 65 degrees. Instead of an optical fiber, a parabolic mirror may be used to convert the laser light into slit-shaped parallel rays and irradiate the steel sheet. The light detection cameras 44, 45, 46 are 10
Width resolution of 0.2 using 24-pixel one-dimensional CCD
The width of the steel plate was seen to be 250 mm with one channel of 5 mm.

【0040】1〜8ヘッドそれぞれに画像処理装置を付
けてライン速度に見合う速さで偏光強度計算を行う。処
理速度を向上させるため、Δ、Ψ、I演算装置33は8
セット分を並列処理している。ライン速度が遅い場合、
または分解能が低い場合は並列処理数を増やして装置台
数を減らすことが可能である。これらの信号は、画像処
理装置34でエリプソパラメータ演算を行ったあと、マ
ッピング表示装置36で疵の判別を行う。
An image processing device is attached to each of heads 1 to 8 to calculate the polarization intensity at a speed commensurate with the line speed. In order to improve the processing speed, the Δ, Ψ, I arithmetic unit 33 has 8
The set is processed in parallel. If the line speed is slow,
Alternatively, when the resolution is low, the number of parallel processings can be increased to reduce the number of devices. These signals are subjected to ellipso parameter calculation in the image processing device 34, and then the mapping display device 36 determines a flaw.

【0041】この実施例におけるマッピング処理は、疵
が画像内に現れると、Δ、Ψ、Iのうち、どのパラメー
タが変化しているかの組合せによって、疵種類の判別を
行う。疵の程度は、例えば図4のΔについて、正常部の
Δの値113°程度から疵部のΔの値98°までの変化
の度合いで決定する。図4ではΔの変化値が2〜3°以
内は害のない疵であるが、それ以上は出荷品質として許
容できないものであるから、異常部分として、警報出力
する。検査対象の鋼板上には油が塗られているが、エリ
プソメータとしての基本的機能を有しているため、油膜
厚さムラの測定も可能である。
In the mapping process of this embodiment, when a flaw appears in the image, the flaw type is discriminated by the combination of which parameter among Δ, Ψ and I is changing. The degree of the flaw is determined, for example, with respect to Δ in FIG. 4, by the degree of change from the value Δ of about 113 ° in the normal portion to the value Δ of 98 ° in the flaw portion. In FIG. 4, when the change value of Δ is within 2 ° to 3 °, it is a flaw that is not harmful, but since it is unacceptable as the shipping quality, a warning is output as an abnormal portion. Oil is applied to the steel sheet to be inspected, but since it has a basic function as an ellipsometer, it is possible to measure the unevenness of the oil film thickness.

【0042】上記実施例はいずれも光強度を求める光源
と、エリプソパラメータを求める光源が同一の場合で示
した。これらは必ずしも同一である必要はなく、反射光
を求めるための通常光源と、エリプソパラメータを求め
る偏光光源を独立に設置してもよい。
In all of the above embodiments, the light source for obtaining the light intensity and the light source for obtaining the ellipso parameter are the same. These do not necessarily have to be the same, and a normal light source for obtaining reflected light and a polarized light source for obtaining ellipso parameters may be installed independently.

【0043】[0043]

【発明の効果】エリプソパラメータを記憶した値と比較
することによって、従来検出ができなかった鋼板面の模
様状疵の検出が可能となる。エリプソパラメータと反射
光強度と組み合わせたので、疵種類の判定が可能にな
る。2次元撮像素子を用いたのでコンパクトな光学系と
なる。また、幅広材料に適用する場合には、光源の光を
光ファイバーで導くようにしたので、照射光が均一とな
り、簡易な補正で正確な測定が可能となる。
By comparing the ellipso parameter with the stored value, it becomes possible to detect a pattern-like flaw on the surface of a steel sheet which could not be detected by the conventional method. Since the ellipso parameter and the reflected light intensity are combined, it is possible to determine the type of flaw. Since the two-dimensional image pickup device is used, the optical system becomes compact. Further, when applied to a wide material, the light from the light source is guided by an optical fiber, so that the irradiation light becomes uniform and accurate measurement can be performed with simple correction.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 鋼板上に酸化膜が付いた場合のエリプソパラ
メ−タを示す図。
FIG. 1 is a view showing an ellipsometer when an oxide film is attached on a steel plate.

【図2】 タイプAの疵の反射特性を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a reflection characteristic of a type A flaw.

【図3】 タイプBの疵の反射特性を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a reflection characteristic of a type B flaw.

【図4】 タイプCの疵の反射特性を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a reflection characteristic of a type C flaw.

【図5】 本発明による疵検出装置の一実施例を示す
図。
FIG. 5 is a diagram showing an embodiment of a flaw detection device according to the present invention.

【図6】 エリプソパラメータの光学系の一例を示す
図。
FIG. 6 is a diagram showing an example of an ellipso-parameter optical system.

【図7】 本発明による光学系の一実施例を示す図。FIG. 7 is a diagram showing an embodiment of an optical system according to the present invention.

【図8】 本発明による信号処理系の一実施例を示す
図。
FIG. 8 is a diagram showing an embodiment of a signal processing system according to the present invention.

【図9】 本発明によるマッピングの一実施例を示す
図。
FIG. 9 is a diagram showing an example of mapping according to the present invention.

【図10】 本発明による疵検出装置の一実施例を示す
図。
FIG. 10 is a diagram showing an embodiment of a flaw detection device according to the present invention.

【符合の説明】 1.エリプソメータ本体 2.試料 3.エリプソパラメータ演算装置 4.エリプソパラメータ記憶装置 5.エリプソパラメータ比較装置 6.疵信号出力装置 10.レーザー光源 11.偏光子 12.入射光 13.反射光 14.無偏光ビームスプリッター 15.16.偏光ビームスプリッター 17.1/4波長板 18.偏光ビーム 19.受光器 20.高輝度光源 21.拡散板 22.単色フィルター 23.偏光板 24.偏光子 25.無偏光プリズム 26.ウオーラントプリズム 27.カメラA 28.カメラB 30.31.フレームメモリ 32.位置縮尺補正装置 33.Δ、Ψ、I演算装置 34.σ補正装置 35.等価複素反射率演算装置 36.マッピング表示装置[Explanation of Signs] 1. Ellipsometer body 2. Sample 3. Ellipso parameter calculation device 4. Ellipso parameter storage device 5. Ellipso parameter comparison device 6. Defect signal output device 10. Laser light source 11. Polarizer 12. Incident light 13. Reflected light 14. Non-polarizing beam splitter 15.16. Polarization beam splitter 17.1 / 4 wave plate 18. Polarized beam 19. Light receiver 20. High brightness light source 21. Diffusion plate 22. Monochromatic filter 23. Polarizing plate 24. Polarizer 25. Non-polarizing prism 26. Warrant prism 27. Camera A 28. Camera B 30.31. Frame memory 32. Position scale correction device 33. Δ, Ψ, I arithmetic unit 34. σ correction device 35. Equivalent complex reflectance calculation device 36. Mapping display

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被検査面に偏光を照射して表面反射光の
エリプソパラメ−タ(Ψ、Δ)を求め、あらかじめ求め
ておいた表面疵からの反射光の振幅比Ψと位相差Δ特性
と比較して、等級付けすることを特徴とする表面疵の検
出方法。
1. An ellipsoparameter (Ψ, Δ) of surface-reflected light is obtained by irradiating the surface to be inspected with polarized light, and the amplitude ratio Ψ and phase difference Δ characteristic of the reflected light from the surface flaw, which has been obtained in advance, are obtained. A method for detecting surface flaws, characterized by grading as compared with.
【請求項2】 被検査面に偏光を照射して表面反射光の
エリプソパラメ−タ(Ψ、Δ)を求め、被検査面の同一
箇所に同一ないし別個の光を照射して表面の反射強度
(I)を求め、該2つのエリプソパラメータと該反射強
度の状態によって表面疵の等級および種類を判定するこ
とを特徴とする表面疵の検出方法。
2. The surface to be inspected is irradiated with polarized light to obtain the ellipsoparameters (Ψ, Δ) of the surface-reflected light, and the same or different light is applied to the same location on the surface to be inspected to reflect the surface. (I) is found, and the surface flaw detection method is characterized by determining the grade and type of surface flaw based on the two ellipso parameters and the state of the reflection intensity.
【請求項3】 表面疵のエリプソパラメ−タ(Ψ、Δ)
特性をあらかじめ記憶する手段と、被検査面に偏光を照
射して表面反射光のエリプソパラメ−タ(Ψ、Δ)を測
定する手段と、測定した反射光と記憶特性との比較結果
を出力する手段を備えたことを特徴とする表面疵検出装
置。
3. Ellipso parameters (Ψ, Δ) for surface flaws
Means for storing characteristics in advance, means for irradiating the surface to be inspected with polarized light to measure the ellipsoparameters (Ψ, Δ) of the surface reflected light, and outputting the comparison result of the measured reflected light and the memory characteristics. A surface flaw detection device comprising means.
【請求項4】 被検査面に偏光を照射して該表面反射光
のエリプソパラメ−タ(Ψ、Δ)を求める手段と、被検
査面の同一箇所に同一ないし別個の光を照射して反射強
度(I)を測定する手段と、被検査面からの反射光が属
するΨ、Δ、Iの3次元座標位置を、あらかじめ定めた
範囲区分として出力する手段を備えたことを特徴とする
表面疵検出装置。
4. A means for irradiating a surface to be inspected with polarized light to obtain an ellipsoparameter (Ψ, Δ) of the surface reflected light, and irradiating the same portion of the surface to be inspected with the same or different light for reflection. A surface flaw characterized by comprising means for measuring intensity (I) and means for outputting the three-dimensional coordinate positions of Ψ, Δ, I to which the reflected light from the surface to be inspected belongs as a predetermined range segment. Detection device.
【請求項5】 該反射光の受光手段に複数の2次元撮像
素子を用い、同一反射点に相当する画素の測光値を用い
てΨ、ΔないしIを計算することを特徴とする請求項3
ないし4に記載の表面疵検出装置。
5. A plurality of two-dimensional image pickup devices are used as light receiving means for the reflected light, and Ψ, Δ to I are calculated using photometric values of pixels corresponding to the same reflection point.
The surface flaw detection device according to any one of claims 1 to 4.
【請求項6】 該偏光の光源が単色光源であって、その
光源を光ファイバーを用いて被検査面上の所定範囲に照
射し、該範囲を複数台のエリプソメータで被検査面から
の反射光を分担して受光するようにしたことを特徴とす
る、上記請求項3ないし4に記載の表面疵検出装置。
6. The polarized light source is a monochromatic light source, and the light source is used to irradiate a predetermined area on the surface to be inspected, and the light reflected from the surface to be inspected is irradiated by a plurality of ellipsometers on the area. The surface flaw detection device according to any one of claims 3 to 4, wherein the surface flaw detection device is configured to share the light.
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