JPH07288225A - Method for checking film thickness of in-line coater and wafer boat - Google Patents

Method for checking film thickness of in-line coater and wafer boat

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JPH07288225A
JPH07288225A JP10190294A JP10190294A JPH07288225A JP H07288225 A JPH07288225 A JP H07288225A JP 10190294 A JP10190294 A JP 10190294A JP 10190294 A JP10190294 A JP 10190294A JP H07288225 A JPH07288225 A JP H07288225A
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coating
film thickness
wafer
line
coater
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JP10190294A
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Inventor
Kuniko Yamanaka
邦子 山中
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Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

PURPOSE:To perform film-thickness check of an in-line coater without uselessly decreasing the availability of the in-line coater. CONSTITUTION:The coating at a coating part 1 and the processing other than the coating performed at a processing part 2, which is continued to the coating part 1, are continuously performed in an in-line flow. Only the coating is performed at the coating part 1 in an off-line flow. The in-line flow and the off-line flow can be performed in parallel. When the film thickness is checked, the in-line flow and the off-line flow are performed in parallel. A semiconductor wafer for monitoring the off-line flow is taken out of the in-line coater, and the thickness of the coating film is measured.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、インライン型コーター
の膜厚チェック方法、特に例えばレジストあるいはSO
G等をコーティング部にコーティングし、このコーティ
ング部に連なる処理部にてコーティング以外の処理を連
続的に行うインライン型コーターについてのコーティン
グ膜の膜厚をチェックする膜厚チェック方法と、その実
施に用いるウェハボートに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for checking the film thickness of an in-line type coater, and particularly to a resist or SO.
A film thickness check method for checking the film thickness of a coating film for an in-line coater in which G or the like is coated on the coating part and the processes other than the coating are continuously performed in a processing part connected to this coating part Related to wafer boats.

【0002】[0002]

【従来の技術】レジストあるいはSOG(シリコンオン
グラス)等のコーティングを行うコーターとして、コー
ティングのみを行うオフライン型のコーターと、コーテ
ィング部とコーティング以外の処理(例えば露光あるい
はベーキング等の熱処理)を行う処理部とが連なり、コ
ーティングとそれ以外の処理とを連続的に行うようにし
たインライン型コーターと、がある。そして、インライ
ン型コーターには、レジスト膜あるいはSOGのコーテ
ィングと、露光あるいはベーキング等とを半導体ウェハ
を外部に晒すことなく連続的に行うことができるので、
生産効率が良い、品質の安定性が高い等の利点がある。
2. Description of the Related Art As a coater for coating a resist or SOG (silicon on glass), an off-line type coater for performing only coating, and a treatment for performing a treatment other than coating on a coating portion (for example, heat treatment such as exposure or baking) There is an in-line coater in which the coating and the other treatments are continuously performed. Since the in-line type coater can continuously perform the resist film or SOG coating and the exposure or baking without exposing the semiconductor wafer to the outside,
It has advantages such as good production efficiency and high quality stability.

【0003】図3(A)、(B)はそのようなインライ
ン型コーターの各別の例を示す概略図であり、(A)は
コーティング部1とステッパー部(露光処理部)2が一
体化したレジストコーティング用インライン型コーター
を示し、(B)はコーティング部1とベーキング部3と
が一体化したSOGコーティング用インライン型コータ
ーを示し、4、4は半導体ウェハを出し入れする部分、
5、5、…はそのユニットカセットで、各インライン型
コーターには例えば4個のユニットカセット部が設けら
れており、各ユニットカセット部5、5、…から例えば
25枚の半導体ウェハを収納することができるウェハキ
ャリアに半導体ウェハを収納させた状態でコーティング
部1に供給することができるようになっている。6はイ
ンターフェイスで、ウェハキャリアと熱処理用ウェハボ
ートとの間で半導体ウェハの移し換えができるようにな
っており、図3(B)に示すようなSOGコーティング
用インライン型コーターにおいては一般に必須である
が、図3(A)に示すようなレジストコーティング用イ
ンライン型コーターにおいてはある場合もあればない場
合もある。
3A and 3B are schematic views showing other examples of such an in-line type coater, and FIG. 3A shows a coating section 1 and a stepper section (exposure processing section) 2 integrated with each other. Shows an in-line coater for resist coating, (B) shows an in-line coater for SOG coating in which the coating section 1 and the baking section 3 are integrated, and 4 and 4 are portions for loading and unloading a semiconductor wafer,
5, 5 ... Are unit cassettes, and each in-line type coater is provided with, for example, 4 unit cassette parts. For example, each unit cassette part 5, 5 ,. The semiconductor wafer can be supplied to the coating unit 1 in a state where the semiconductor wafer is housed in a wafer carrier that can be used. Reference numeral 6 denotes an interface, which is capable of transferring semiconductor wafers between the wafer carrier and the wafer boat for heat treatment, and is generally essential in an in-line type coater for SOG coating as shown in FIG. 3 (B). However, in the in-line type coater for resist coating as shown in FIG. 3 (A), it may or may not exist.

【0004】ところで、図3(A)に示すようなレジス
トコーティング用インライン型コーターにおいても、図
3(B)に示すようなROGコーティング用のインライ
ン型コーターにおいても、ある頻度で半導体ウェハにコ
ーティングされた膜の厚さをチェックする必要がある。
というのは、所定の許容範囲内にコーティング膜の膜厚
が納まっていないときはインライン型コーターを調整し
たり、修理したりする必要があるからである。そして、
図3(A)に示すようなレジストコーティング用インラ
イン型コーターにおける膜厚チェックは、半導体ウェハ
に対するレジストのコーティング後、露光処理を行うこ
となく膜厚を測定することにより行う必要があるのに対
して、図3(B)に示すようなROGコーティング用の
インライン型コーターにおける膜厚チェックは、半導体
ウェハに対するROGのコーティング後更に熱処理を行
った後にROG膜の膜厚を測定することにより行う必要
がある。
By the way, in both the in-line type coater for resist coating as shown in FIG. 3A and the in-line type coater for ROG coating as shown in FIG. 3B, the semiconductor wafer is coated with a certain frequency. It is necessary to check the thickness of the film.
This is because it is necessary to adjust or repair the inline type coater when the film thickness of the coating film is not within the predetermined allowable range. And
While the film thickness check in the in-line coater for resist coating as shown in FIG. 3A needs to be performed by measuring the film thickness without performing the exposure process after the resist is coated on the semiconductor wafer. The film thickness check in the in-line type coater for ROG coating as shown in FIG. 3B needs to be performed by measuring the film thickness of the ROG film after further heat treatment after coating the semiconductor wafer with ROG. .

【0005】ここで、先ず、図3(A)に示すようなレ
ジストコーティング用インライン型コーターにおける膜
厚チェックが従来どのように行われていたかについて説
明する。従来のインライン型コーターは、通常の場合、
即ち普通の生産を行う場合には図3(A)の実線の矢印
Aに示すように、コーティング部1においてコーティン
グ処理を終えると露光処理部2において露光を行い、露
光を終えた半導体ウェハを半導体ウェハ出し入れ部4の
ユニットカセット5から取り出し、膜厚チェックを行う
場合には、図3(A)の破線の矢印Bに示すようにコー
ティング部1においてコーティング処理を終えるとその
露光を終えた半導体ウェハを半導体ウェハ出し入れ部4
のユニットカセット5から取り出し、その半導体ウェハ
について膜厚チェックを行うようにしており、そして、
従来において通常の生産を行う矢印Aに示す半導体ウェ
ハのフローと、膜厚チェックのために行う矢印Bに示す
半導体ウェハのフローとは並行して行うことができるよ
うになっていなかったので、膜厚チェックを行うときは
通常の生産を停止する必要があった。このような膜厚チ
ェックは、1台のインライン型コーターについて例えば
1週間に1回ないし2回必要である。尚、本願明細書に
おいて、矢印Aに示すようなコーティング部におけるコ
ーティング処理及び上記コーティング部に連なる処理部
にて行うコーティング以外の処理とを連続的に行うフロ
ーを「インラインフロー」といい、矢印Bに示すような
コーティング部におけるコーティング処理のみを行うフ
ローを「オフラインフロー」という。
First, how the film thickness check is conventionally performed in an in-line type coater for resist coating as shown in FIG. 3A will be described. Conventional inline type coater is usually
That is, in the case of ordinary production, as shown by the solid arrow A in FIG. 3A, when the coating process is completed in the coating unit 1, the exposure process unit 2 exposes the semiconductor wafer after the exposure. When the wafer is taken out from the unit cassette 5 of the wafer loading / unloading unit 4 and the film thickness is checked, the semiconductor wafer which has been exposed when the coating process is finished in the coating unit 1 as shown by the arrow B of the broken line in FIG. Semiconductor wafer loading / unloading section 4
Of the semiconductor wafer, and the film thickness is checked on the semiconductor wafer.
Conventionally, the flow of the semiconductor wafer indicated by the arrow A for performing normal production and the flow of the semiconductor wafer indicated by the arrow B for checking the film thickness cannot be performed in parallel. It was necessary to stop normal production when checking the thickness. Such a film thickness check is necessary, for example, once or twice a week for one in-line coater. In the specification of the present application, a flow for continuously performing the coating processing in the coating portion as shown by the arrow A and the processing other than the coating performed in the processing portion connected to the coating portion is referred to as “in-line flow”, and arrow B A flow for performing only the coating process in the coating section as shown in (3) is called "offline flow".

【0006】次に、図3(B)に示すようなROGコー
ティング用のインライン型コーターにおける従来の膜厚
チェック方法について図4を参照しながら説明する。通
常時は、図4(A)に示すように、例えば25枚収納ウ
ェハキャリア7により半導体ウェハを入れてユニットカ
セット5からウェハボート1内部への半導体ウェハの供
給を行い、そして、コーティングを終えた2つのウェハ
キャリア7、7分の半導体ウェハ、即ち50枚の半導体
ウェハをインターフェイス6にて50枚収納縦型ボート
8に移し換え、この50枚の半導体ウェハを縦型ボート
8に入れた状態で熱処理部3で熱処理を行う。熱処理を
終えた半導体ウェハは25枚入りウェハキャリア7、7
に移し換えられ、コーティング部1を通って半導体ウェ
ハ出し入れ部4から取り出される。
Next, a conventional film thickness checking method in an in-line type coater for ROG coating as shown in FIG. 3B will be described with reference to FIG. Normally, as shown in FIG. 4A, for example, 25 semiconductor wafers are stored in the wafer carrier 7 to supply the semiconductor wafers from the unit cassette 5 to the inside of the wafer boat 1, and the coating is completed. Two wafer carriers 7, semiconductor wafers for 7 minutes, that is, 50 semiconductor wafers are transferred to the vertical boat 8 containing 50 wafers by the interface 6, and the 50 semiconductor wafers are put in the vertical boat 8. Heat treatment is performed in the heat treatment unit 3. 25 semiconductor wafers after heat treatment
To the semiconductor wafer loading / unloading section 4 through the coating section 1.

【0007】また、膜厚測定時の場合は、図4(B)に
示すように、1つのウェハキャリア7をモニター用ウェ
ハキャリア7mとして使用することとし、モニター用ウ
ェハキャリア7mには例えば1枚のモニター用半導体ウ
ェハを収納し、それを普通の半導体ウェハを収納した普
通のウェハキャリア7と共にコーティング部1内に供給
してモニター用半導体ウェハに対して普通の半導体ウェ
ハに対してと同様にSOGのコーティングを行い、その
後、モニター用ウェハキャリア7mの1枚のモニター用
半導体ウェハと、普通のウェハキャリア7の25枚の半
導体ウェハとを50枚収納可能なウェハボート8内に収
納して熱処理を行う。そして、熱処理を終えた26枚の
半導体ウェハはウェハキャリア7、7mに移し換えら
れ、コーティング部1を通って半導体ウェハ出し入れ部
4から取り出され、そして、モニター用半導体ウェハの
膜厚を測定することにより膜厚チェックが行われる。こ
のようなROGインラインフロー用インライン型コータ
ーの膜厚チェックは、1日1回以上行う必要があり、そ
して、1回の膜厚チェックに数時間(例えば3時間)が
かかった。
When measuring the film thickness, as shown in FIG. 4B, one wafer carrier 7 is used as the monitor wafer carrier 7m. For example, one wafer carrier 7m is used as the monitor wafer carrier 7m. The monitor semiconductor wafer is stored in the coating section 1 together with the normal wafer carrier 7 storing the normal semiconductor wafer, and the SOG is applied to the monitor semiconductor wafer in the same manner as the normal semiconductor wafer. Coating, and thereafter, one monitor semiconductor wafer of the monitor wafer carrier 7 m and 25 semiconductor wafers of the normal wafer carrier 7 are housed in a wafer boat 8 capable of storing 50 and heat treated. To do. Then, the 26 semiconductor wafers that have undergone the heat treatment are transferred to the wafer carriers 7 and 7m, taken out from the semiconductor wafer loading / unloading section 4 through the coating section 1, and the film thickness of the monitor semiconductor wafer is measured. The film thickness is checked by. The film thickness check of such an in-line coater for ROG in-line flow needs to be performed at least once a day, and it takes several hours (for example, 3 hours) to perform the film thickness check once.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、図3(A)
に示すようなレジストコーティング用インライン型コー
ターにおける膜厚チェックには、膜厚チェックのために
半導体ウェハに対してコーティング部1にてコーティン
グするときには普通の生産のためのコーティングを行う
ことができず、生産効率が低下するという問題があっ
た。また、図3(B)に示すようなROGコーティング
用のインライン型コーターにおける膜厚チェックにも生
産効率が低下するという問題があった。この場合、モニ
ター用半導体ウェハに対する処理と普通の半導体ウェハ
に対する処理を並行して行うことができるけれども、モ
ニター用半導体ウェハを普通の半導体ウェハと共に熱処
理するとき50枚入りのボート8には24枚分空きが生
じ、その状態で3時間あるいはそれ以上の熱処理を行う
必要があり、従って生産効率が低くなったのである。
By the way, FIG. 3 (A)
In the film thickness check in the in-line type coater for resist coating as shown in (1), when coating the semiconductor wafer in the coating unit 1 for the film thickness check, the coating for ordinary production cannot be performed, There was a problem that production efficiency declined. Further, the film thickness check in the ROG coating in-line coater as shown in FIG. In this case, although the process for the monitor semiconductor wafer and the process for the normal semiconductor wafer can be performed in parallel, when heat-treating the monitor semiconductor wafer together with the normal semiconductor wafer, 24 boats each containing 50 wafers can accommodate 24 wafers. There is a space, and it is necessary to perform heat treatment for 3 hours or more in that state, and therefore the production efficiency is reduced.

【0009】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、インライン型コーターの膜厚チェッ
クをインライン型コーターの稼動効率を徒らに低下させ
ることなく行い得るようにすることを目的とする。
The present invention has been made in order to solve such a problem, and makes it possible to check the film thickness of an in-line coater without unduly reducing the operating efficiency of the in-line coater. With the goal.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1のインライン型
コーターの膜厚チェック方法は、インラインフロー及び
オフラインフローを並行して行い得るようにインライン
型コーターを設定しておき、膜厚チェックをするときは
インラインフローとオフラインフローを並行して行い、
オフラインフローのモニター用半導体ウェハを上記イン
ライン型コーターから取り出してコーティング膜の膜厚
測定を行うことを特徴とする。
According to the film thickness check method for an inline coater of claim 1, the inline coater is set so that the inline flow and the off-line flow can be performed in parallel, and the film thickness is checked. When doing inline flow and offline flow in parallel,
The semiconductor wafer for off-line flow monitoring is taken out of the in-line coater to measure the film thickness of the coating film.

【0011】請求項2のインライン型コーターの膜厚チ
ェック方法は、複数枚の半導体ウェハを収納するウェハ
キャリアに半導体ウェハを入れた状態で半導体ウェハを
コーティング部に供給してコーティング処理を行い、コ
ーティング処理を終えた半導体ウェハを複数枚の半導体
ウェハを収納するウェハボートに移し換えて別の処理を
上記コーティング部に連なる処理部にて行うインライン
型コーターの膜厚チェック方法において、上記ウェハボ
ートとして通常の半導体ウェハを収納する複数のウェハ
収納部のほかにモニター用半導体ウェハを収納するモニ
ター用ウェハ収納部を有するものを用い、膜厚チェック
をするときは、通常の半導体ウェハと共にモニター用半
導体ウェハをコーティング部に供給して通常の半導体ウ
ェハ及びモニター用半導体ウェハに対するコーティング
と、上記別のウェハ収納具に移し換えての上記処理部に
ての上記別の処理とを行い、その後、上記各半導体ウェ
ハを上記インライン型コーターから取り出してモニター
用半導体ウェハについて膜厚測定を行うことを特徴とす
る。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for checking a film thickness of an in-line type coater, wherein a semiconductor wafer is placed in a wafer carrier accommodating a plurality of semiconductor wafers, the semiconductor wafer is supplied to a coating section to perform coating processing, and coating In the method for checking the film thickness of an in-line type coater, in which the processed semiconductor wafers are transferred to a wafer boat accommodating a plurality of semiconductor wafers and another process is performed in the processing unit connected to the coating unit, the wafer boat is usually used as the wafer boat. In addition to a plurality of wafer storage units for storing semiconductor wafers, a monitor wafer storage unit for storing monitor semiconductor wafers is used. Supplied to the coating section for normal semiconductor wafers and monitors Performing the coating on the semiconductor wafer and the other processing in the processing section after transferring to the another wafer storage tool, and then taking out each of the semiconductor wafers from the inline-type coater and monitoring semiconductor wafers. The feature is that film thickness is measured.

【0012】請求項3のウェハボートは、複数枚の通常
半導体ウェハと、1乃至複数枚のモニター用半導体ウェ
ハを収納する収納容量を備えたことを特徴とする。
A wafer boat according to a third aspect of the present invention is characterized by having a storage capacity for storing a plurality of normal semiconductor wafers and one to a plurality of monitor semiconductor wafers.

【0013】[0013]

【作用】請求項1のインライン型コーターの膜厚チェッ
ク方法によれば、膜厚チェックのためのオフラインフロ
ーを普通の生産のためのインラインフローと並行して行
うことができるので、インライン型コーターの膜厚チェ
ックをインライン型コーターの稼動効率を徒らに低下さ
せることなく行い得るようにすることができる。
According to the method for checking the film thickness of the in-line coater of claim 1, the off-line flow for checking the film thickness can be performed in parallel with the in-line flow for ordinary production. It is possible to perform the film thickness check without unduly reducing the operating efficiency of the in-line coater.

【0014】請求項2のインライン型コーターの膜厚チ
ェック方法によれば、ウェハボートとして普通の半導体
ウェハ用の収納部のほかにモニター用半導体ウェハ用収
納部を有するものを用いるので、膜厚チェックを行う場
合であっても普通の半導体ウェハ用収納部に普通の半導
体ウェハを収納し、モニター用半導体ウェハ用収納部に
モニター用半導体ウェハを収納した状態でコーティング
以外の処理を行うことによりウェハボートに多くの空ス
ペースを生じない状態での処理を行うことができる。従
って、インライン型コーターの膜厚チェックをインライ
ン型コーターの稼動効率を徒らに低下させることなく行
い得るようにすることができる。
According to the method for checking the film thickness of the in-line type coater of claim 2, since the wafer boat having the storage portion for the semiconductor wafer for monitoring in addition to the storage portion for the ordinary semiconductor wafer is used as the wafer boat, the film thickness check is performed. Even when performing the above, the normal semiconductor wafer is stored in the normal semiconductor wafer storage unit, and the processing other than coating is performed while the monitor semiconductor wafer is stored in the monitor semiconductor wafer storage unit. It is possible to perform processing in a state where a large amount of empty space is not generated. Therefore, it is possible to check the film thickness of the in-line coater without unduly reducing the operating efficiency of the in-line coater.

【0015】請求項3のウェハボートによれば、ウェハ
ボートが複数枚の通常半導体ウェハと、1乃至複数枚の
モニター用半導体ウェハを収納する収納容量を備えてい
るので、これを用いることにより請求項2のインライン
型コーターの膜厚チェック方法の実施が可能になるので
ある。
According to the wafer boat of the third aspect, the wafer boat has a storage capacity for storing a plurality of normal semiconductor wafers and one to a plurality of monitor semiconductor wafers. Therefore, the method for checking the film thickness of the inline-type coater in item 2 can be implemented.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明インライン型コーターの膜厚チ
ェック方法とウェハボートを図示実施例に従って詳細に
説明する。図1は本発明インライン型コーターの膜厚チ
ェック方法の一つの実施例の説明図である。本インライ
ン型コーターの膜厚チェック方法は、図3(A)に示す
ようなレジストコーティング用インライン型コーターを
用いてのインライン型コーターの膜厚チェック方法であ
り、このインライン型コーターの膜厚チェック方法の従
来のインライン型コーターの膜厚チェック方法との相違
は、インラインフローとオフラインフローとを並行して
行うことにある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The method for checking the film thickness of an in-line coater and the wafer boat according to the present invention will be described in detail below with reference to the illustrated embodiments. FIG. 1 is an explanatory view of one embodiment of the method for checking the film thickness of the in-line coater of the present invention. The film thickness check method of this in-line coater is a film thickness check method of an in-line coater using an in-line coater for resist coating as shown in FIG. 3 (A). The difference from the conventional method of checking the film thickness of the in-line coater is that the in-line flow and the off-line flow are performed in parallel.

【0017】これは、インライン型コーターを制御する
ためのプログラムの一部を変更してインラインフローを
オフラインフローとを並行して行うことができるように
しておき、そして、通常時にはインラインフロー(図1
のA)により生産を行い、週に1乃至2回必要となる膜
厚チェックを行うときは、普通の生産のためのインライ
ンフローと、膜厚チェックのためだけに行うモニター用
半導体ウェハのオフラインフロー(図1のB)とを並行
して行うようにする。このように、本インライン型コー
ターの膜厚チェック方法によれば、膜厚チェックのため
のオフラインフローを普通の生産のためのインラインフ
ローと並行して行うことができるので、膜厚チェックを
生産を完全に停めるということをしないで行うことがで
きるので、インライン型コーターの稼動効率を徒らに低
下させることなく行い得るようにすることができる。
This is to change a part of the program for controlling the inline type coater so that the inline flow can be performed in parallel with the offline flow, and in the normal time, the inline flow (see FIG.
When the film thickness is checked once or twice a week by performing the production according to A), an in-line flow for normal production and an off-line flow of the semiconductor wafer for monitoring, which is performed only for the film thickness check (B in FIG. 1) is performed in parallel. As described above, according to the film thickness check method of the in-line coater, the offline flow for the film thickness check can be performed in parallel with the in-line flow for the normal production. Since it can be performed without stopping completely, it can be performed without unduly reducing the operating efficiency of the inline coater.

【0018】図2(A)、(B)は本発明インライン型
コーターの膜厚チェック方法の他の実施例を示すもの
で、(A)はインライン型コーターを、(B)は用いる
ウェハキャリア7、7、7mとウェハボート8を示す。
インライン型コーターは、図3(B)に示したインライ
ン型コーターと同じものであり、露光処理部3で用いる
ウェハボート8が従来のものと相違するに過ぎないの
で、インライン型コーター自身についての説明は省略す
る。本インライン型コーターのウェハボート8は50枚
の半導体ウェハ収納スペースのほかにモニター用半導体
ウェハ複数枚(例えば3枚)の半導体ウェハ収納スペー
スも、即ち、例えば53枚分の収納容量を有している。
2 (A) and 2 (B) show another embodiment of the method for checking the film thickness of the in-line type coater of the present invention. (A) is the in-line type coater, and (B) is the wafer carrier 7 to be used. , 7 and 7 m and the wafer boat 8 are shown.
The in-line type coater is the same as the in-line type coater shown in FIG. 3B, and the wafer boat 8 used in the exposure processing unit 3 is only different from the conventional one. Therefore, the in-line type coater will be described. Is omitted. The wafer boat 8 of this in-line type coater has a semiconductor wafer storage space for 50 semiconductor wafers as well as a semiconductor wafer storage space for a plurality of monitor semiconductor wafers (for example, 3 wafers), that is, for example, has a storage capacity for 53 wafers. There is.

【0019】本インライン型コーターの膜厚チェック方
法においては、膜厚チェックをするときは、普通の半導
体ウェハが25枚ずつ入ったウェハキャリア7、7のほ
かに、1乃至複数枚、例えば3枚のモニター用半導体ウ
ェハが入ったウェハキャリア7mもインライン型コータ
ーに供給し、これらの半導体ウェハのROGコーティン
グが終了した後、インターフェイス6においてウェハキ
ャリア7、7及び7mから例えば53枚入りウェハボー
ト8に半導体ウェハを移し換え、熱処理部3において熱
処理を行う。その後、熱処理を終えた53枚の半導体ウ
ェハはウェハキャリア7、7及び7mに移し換えられ、
コーティング部1を通って半導体ウェハ出し入れ部4か
ら取り出され、そして、モニター用半導体ウェハの膜厚
を測定することにより膜厚チェックが行われる。
In the film thickness checking method of the present in-line type coater, when the film thickness is checked, in addition to the wafer carriers 7, 7 each containing 25 ordinary semiconductor wafers, one to a plurality of wafers, for example, three wafers are used. The wafer carrier 7m containing the semiconductor wafers for monitoring is also supplied to the in-line coater, and after the ROG coating of these semiconductor wafers is completed, the interface 6 transfers the wafer carriers 7, 7 and 7m to, for example, a wafer boat 8 containing 53 wafers. The semiconductor wafer is transferred, and heat treatment is performed in the heat treatment section 3. After that, the 53 semiconductor wafers that have undergone the heat treatment are transferred to the wafer carriers 7, 7 and 7 m,
The film thickness is checked by taking it out of the semiconductor wafer loading / unloading part 4 through the coating part 1 and measuring the film thickness of the monitor semiconductor wafer.

【0020】このようなインライン型コーターの膜厚チ
ェック方法によれば、ウェハボートとして普通の半導体
ウェハ用の収納部のほかにモニター用半導体ウェハ用収
納部を有するもの8を用いるので、膜厚チェックを行う
場合であっても普通の半導体ウェハ用収納部に完全に普
通の半導体ウェハを収納し、モニター用半導体ウェハ用
収納部にモニター用半導体ウェハを収納した状態でコー
ティング以外の処理を行うことによりウェハボートに多
くの空スペースを生じない状態での処理を行うことがで
きる。従って、インライン型コーターの膜厚チェックを
インライン型コーターの稼動効率を徒らに低下させるこ
となく行うことができる。
According to such a method for checking the film thickness of the in-line type coater, since the wafer boat 8 having the storage portion for the semiconductor wafer for monitoring in addition to the storage portion for the ordinary semiconductor wafer is used as the wafer boat, the film thickness check is performed. Even when performing, by storing the ordinary semiconductor wafer completely in the ordinary semiconductor wafer storage unit and performing the processing other than coating with the monitor semiconductor wafer stored in the monitor semiconductor wafer storage unit It is possible to perform processing in a state where many empty spaces are not generated in the wafer boat. Therefore, the film thickness of the inline coater can be checked without unduly reducing the operating efficiency of the inline coater.

【0021】[0021]

【発明の効果】請求項1のインライン型コーターの膜厚
チェック方法は、インラインフローと、オフラインフロ
ーを並行して行い得るようにインライン型コーターを設
定しておき、膜厚チェックをするときはインラインフロ
ーとオフラインフローとを並行して行い、オフラインフ
ローを終えたモニター用半導体ウェハを上記インライン
型コーターから取り出してコーティング膜の膜厚測定を
行うことを特徴とするものである。従って、請求項1の
インライン型コーターの膜厚チェック方法によれば、膜
厚チェックのためのオフラインフローを普通の生産のた
めのインラインフローと並行して行うので、インライン
型コーターの膜厚チェックをインライン型コーターの稼
動効率を徒らに低下させることなく行うことができる。
According to the method for checking the film thickness of the in-line type coater of claim 1, the in-line type coater is set so that the in-line flow and the off-line flow can be performed in parallel, and when the film thickness is checked, the in-line coater is in-line. It is characterized in that the flow and the off-line flow are performed in parallel, and the semiconductor wafer for monitoring, which has completed the off-line flow, is taken out from the in-line type coater and the film thickness of the coating film is measured. Therefore, according to the method for checking the film thickness of the in-line coater of claim 1, the offline flow for checking the film thickness is performed in parallel with the in-line flow for ordinary production. It can be performed without unnecessarily reducing the operation efficiency of the inline type coater.

【0022】請求項2のインライン型コーターの膜厚チ
ェック方法は、複数枚の半導体ウェハを収納するウェハ
キャリアに半導体ウェハを入れた状態で半導体ウェハを
コーティング部に供給してコーティング処理を行い、コ
ーティング処理を終えた半導体ウェハを複数枚の半導体
ウェハを収納するウェハボートに移し換えて別の処理を
上記コーティング部に連なる処理部にて行うインライン
型コーターの膜厚チェック方法において、上記ウェハボ
ートとして通常の半導体ウェハを収納する複数のウェハ
収納部のほかにモニター用半導体ウェハを収納するモニ
ター用ウェハ収納部を有するものを用い、膜厚チェック
をするときは、通常の半導体ウェハと共にモニター用半
導体ウェハをコーティング部に供給して通常の半導体ウ
ェハ及びモニター用半導体ウェハに対するコーティング
と、上記別のウェハ収納具に移し換えての上記処理部に
ての上記別の処理とを行い、その後、上記各半導体ウェ
ハを上記インライン型コーターから取り出してモニター
用半導体ウェハについて膜厚測定を行うことを特徴とす
るものである。従って、請求項2のインライン型コータ
ーの膜厚チェック方法によれば、ウェハボートとして普
通の半導体ウェハ用の収納部のほかにモニター用半導体
ウェハ用収納部を有するものを用いるので、膜厚チェッ
クを行う場合であっても普通の半導体ウェハ用収納部に
完全に普通の半導体ウェハを収納し、モニター用半導体
ウェハ用収納部にモニター用半導体ウェハを収納した状
態でコーティング以外の処理を行うことによりウェハボ
ートに多くの空スペースを生じない状態での処理を行う
ことができる。従って、膜厚チェックをインライン型コ
ーターの稼動効率を徒らに低下させることなく行うこと
ができる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for checking a film thickness of an in-line type coater, in which a semiconductor wafer is placed in a wafer carrier for accommodating a plurality of semiconductor wafers, the semiconductor wafer is supplied to a coating section to perform a coating process, and coating In the method for checking the film thickness of an in-line type coater, in which the processed semiconductor wafers are transferred to a wafer boat accommodating a plurality of semiconductor wafers and another process is performed in the processing unit connected to the coating unit, the wafer boat is usually used as the wafer boat. In addition to a plurality of wafer storage units for storing semiconductor wafers, a monitor wafer storage unit for storing monitor semiconductor wafers is used. Supplied to the coating section for normal semiconductor wafers and monitors Performing the coating on the semiconductor wafer and the other processing in the processing section after transferring to the another wafer storage tool, and then taking out each of the semiconductor wafers from the inline-type coater and monitoring semiconductor wafers. The feature is that the film thickness is measured. Therefore, according to the method for checking the film thickness of the in-line type coater of claim 2, since the wafer boat that has the storage portion for the monitor semiconductor wafer in addition to the storage portion for the ordinary semiconductor wafer is used, the film thickness check is performed. Even if it is done, the normal semiconductor wafer is completely stored in the normal semiconductor wafer storage unit, and the processing other than coating is performed while the monitor semiconductor wafer is stored in the monitor semiconductor wafer storage unit. It is possible to perform processing in a state where the boat does not generate much empty space. Therefore, the film thickness can be checked without unnecessarily reducing the operating efficiency of the in-line coater.

【0023】請求項3のウェハボートは、複数枚の通常
半導体ウェハと、1乃至複数枚のモニター用半導体ウェ
ハを収納する収納容量を備えたことを特徴とする。従っ
て、請求項3のウェハボートによれば、ウェハボートが
複数枚の通常半導体ウェハと、1乃至複数枚のモニター
用半導体ウェハを収納する収納容量を備えているので、
これを用いることにより請求項2のインライン型コータ
ーの膜厚チェック方法の実施が可能になるのである。
A wafer boat according to a third aspect of the invention has a storage capacity for storing a plurality of normal semiconductor wafers and one to a plurality of monitor semiconductor wafers. Therefore, according to the wafer boat of claim 3, since the wafer boat has a storage capacity for storing a plurality of normal semiconductor wafers and one to a plurality of monitor semiconductor wafers,
By using this, it becomes possible to carry out the method for checking the film thickness of the inline type coater of claim 2.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明インライン型コーターの膜厚チェック方
法の一つの実施例の説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of one embodiment of a method for checking the film thickness of an in-line type coater of the present invention.

【図2】(A)、(B)は本発明インライン型コーター
の膜厚チェック方法の他の実施例を示すもので、(A)
はインライン型コーターを、(B)は用いるウェハキャ
リアとウェハボートを示す。
2 (A) and 2 (B) show another embodiment of the method for checking the film thickness of the in-line type coater of the present invention.
Shows an in-line type coater, and (B) shows a wafer carrier and a wafer boat to be used.

【図3】(A)、(B)はインライン型コーターの各別
の例を示す概略図であり、(A)はコーティング部とス
テッパー部(露光処理部)が一体化したレジストコーテ
ィング用インライン型コーターを示し、(B)はコーテ
ィング部とベーキング部とが一体化したSOGコーティ
ング用インライン型コーターを示す。
3A and 3B are schematic views showing different examples of an in-line type coater, and FIG. 3A is an in-line type for resist coating in which a coating section and a stepper section (exposure processing section) are integrated. A coater is shown, and (B) shows an in-line coater for SOG coating in which a coating portion and a baking portion are integrated.

【図4】(A)、(B)は図3(B)に示すインライン
型コーターにおける膜厚チェック方法の従来例の一つの
説明図であり、(A)は通常の場合を、(B)は膜厚チ
ェックの場合を示す。
4A and 4B are explanatory views of one conventional example of a film thickness checking method in the inline type coater shown in FIG. 3B, in which FIG. Indicates the case of film thickness check.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 コーティング部 2、3 コーティング以外の処理を行う処理部 7、7m ウェハキャリア 8 ウェハボート 1 coating section 2, 3 processing section for performing processing other than coating 7, 7 m wafer carrier 8 wafer boat

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/66 P 7630−4M ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 21/66 P 7630-4M

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェハに対する、コーティング部
におけるコーティング処理及びこのコーティング部に連
なる処理部にて行うコーティング以外の処理とを連続的
に行うインラインフローと、半導体ウェハに対する、コ
ーティング部におけるコーティング処理のみを行うオフ
ラインフローを並行して行い得るようにインライン型コ
ーターを設定しておき、 膜厚チェックをするときはインラインフローとモニター
用半導体ウェハのオフラインフローとを並行して行い、
そのモニター用半導体ウェハを上記インライン型コータ
ーから取り出してコーティング膜の膜厚測定を行うこと
を特徴とするインライン型コーターの膜厚チェック方法
1. An in-line flow for continuously performing a coating process on a semiconductor wafer in a coating unit and a process other than coating in a processing unit connected to the coating unit, and a coating process for a semiconductor wafer in a coating unit only. The in-line coater is set so that the off-line flow to be performed can be performed in parallel, and when the film thickness is checked, the in-line flow and the off-line flow of the monitor semiconductor wafer are performed in parallel.
A method for checking the film thickness of an in-line coater, wherein the monitor semiconductor wafer is taken out of the in-line coater and the film thickness of the coating film is measured.
【請求項2】 複数枚の半導体ウェハを収納するウェハ
キャリアに半導体ウェハを入れた状態で半導体ウェハを
コーティング部に供給してコーティング処理を行い、コ
ーティング処理を終えた半導体ウェハを、複数枚の半導
体ウェハを収納するウェハボートに移し換えて別の処理
を上記コーティング部に連なる処理部にて行うインライ
ン型コーターの膜厚チェック方法において、 上記ウェハボートとして通常の半導体ウェハを収納する
複数のウェハ収納部のほかにモニター用半導体ウェハを
収納するモニター用ウェハ収納部を有するものを用い、 膜厚チェックをするときは、通常の半導体ウェハと共に
モニター用半導体ウェハをコーティング部に供給して通
常の半導体ウェハ及びモニター用半導体ウェハに対する
コーティングと、上記別のウェハ収納具に移し換えての
上記処理部にての上記別の処理とを行い、 その後、上記各半導体ウェハを上記インライン型コータ
ーから取り出してモニター用半導体ウェハについて膜厚
測定を行うことを特徴とするインライン型コーターの膜
厚チェック方法
2. A semiconductor carrier is placed in a wafer carrier for accommodating a plurality of semiconductor wafers, the semiconductor wafers are supplied to a coating section to perform a coating process, and the semiconductor wafers after the coating process are processed into a plurality of semiconductor wafers. In a method of checking the film thickness of an in-line type coater in which a wafer boat for storing wafers is transferred and another process is performed in a processing unit connected to the coating unit, a plurality of wafer storage units for storing normal semiconductor wafers as the wafer boat In addition to the above, a monitor wafer storage unit that stores the monitor semiconductor wafer is used.When checking the film thickness, supply the monitor semiconductor wafer together with the normal semiconductor wafer to the coating unit and Coating for semiconductor wafers for monitoring and (C) The above-mentioned different processing in the processing section after being transferred to the storage device is performed, and thereafter, each of the semiconductor wafers is taken out of the in-line type coater and the film thickness is measured on the semiconductor wafer for monitoring. To check film thickness of in-line coater
【請求項3】 複数枚の通常半導体ウェハと、1乃至複
数枚のモニター用半導体ウェハを収納する収納容量を備
えたことを特徴とする請求項2記載のインライン型コー
ターの膜厚チェック方法の実施に用いるウェハボート
3. An in-line coater film thickness checking method according to claim 2, further comprising a storage capacity for storing a plurality of normal semiconductor wafers and one to a plurality of monitor semiconductor wafers. Wafer boat used for
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Cited By (2)

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