JPH07287105A - 光路変換器及び光路変換アレイ - Google Patents

光路変換器及び光路変換アレイ

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JPH07287105A
JPH07287105A JP10335794A JP10335794A JPH07287105A JP H07287105 A JPH07287105 A JP H07287105A JP 10335794 A JP10335794 A JP 10335794A JP 10335794 A JP10335794 A JP 10335794A JP H07287105 A JPH07287105 A JP H07287105A
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optical path
light
flat
axis
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JP10335794A
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Satoru Yamaguchi
哲 山口
Tetsuo Kobayashi
哲郎 小林
Yoshimasa Saito
吉正 斉藤
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Nippon Steel Corp
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Nippon Steel Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 偏平な光を90゜回転可能な光路変換器及び
破線状に配列された複数の偏平な光を梯子状に配列して
その集光を容易にする光路変換アレイを提供する。 【構成】 平凸シリンドリカルレンズと等価な第1のバ
イナリオプティクスと、これと同じ焦点距離の第2のバ
イナリオプティクスとが焦点距離の2倍の距離だけ離間
して配置させた光路変換器に対して、偏平光をその長軸
が第1のバイナリオプティクスの中央線に対して45゜
傾くように入射することで、像の長軸と短軸とが反転
し、即ち偏平光が90゜回転したのと同様な像となる。
この光路変換器を配列方向に対して45゜傾けて波線状
の光線の各偏平光を90゜回転させて梯子状に配列すれ
ば、マルチストライプアレイ半導体レーザ光を高効率で
集光し、かつ細く絞ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、透過光の形状を変換す
るための光路変換器及び光路変換アレイに関し、特に半
導体レーザアレイを光源とする偏平な光の形状を変換す
るのに適した光路変換器及び光路変換アレイに関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】レーザ光を集光して光エネルギーを利用
する技術の向上は、レーザ加工分野に於て最重要課題の
一つである。通常のレーザ加工に用いられるレーザ発生
器としては、YAGレーザが多用されている。しかしな
がらYAGレーザは、電気入力に対する光出力の変換効
率が低く、比較的大規模な装置と多量の冷却水が必要で
ある。
【0003】一方、電気入力/光出力の変換効率が高
く、かつコンパクトで大がかりな冷却装置を必要としな
いレーザ装置として、半導体レーザ素子を用いたものが
知られている。また、比較的高出力が得られる半導体レ
ーザ素子としては、マルチストライプアレイ半導体レー
ザが知られている。これは10本〜100本のストライ
プ状活性層が半導体チップに刻まれており、1次元的に
配列した10箇所〜100箇所の線分状の各点からレー
ザ光が出射する破線状の光源を有している。
【0004】ところで、レーザ光は、レーザ加工分野の
みならず、医療分野でも使用性の高いレーザ光源を提供
する要望を満たす上からは、1本の光ファイバに高効率
に導光できることが好ましい。このため、上記マルチス
トライプアレイ半導体レーザを用いる場合には、各活性
層からの出射光をそれぞれ個別の光ファイバに導光して
ファイババンドルとし、これらの光ファイバ端面からの
出射光を新たに集光するなどの措置がとられている。と
ころがこの場合、光ファイバのカプリング損失が大きい
上、破線状に出射するレーザ光を単一の光ファイバに導
光して細く高密度に絞ることが困難であった。
【0005】他方、半導体レーザ光を励起光源として用
いた固体レーザが、高効率、長寿命、及び小型化を図れ
ることから注目を集めている。この半導体レーザ励起固
体レーザに於ける固体レーザの光軸方向から光励起する
端面励起方式によると、固体レーザ発振のモード空間に
半導体レーザ出力光による励起空間をマッチングさせる
ことによって高効率な単一基本横モード発振を実現し得
るが、例えば単レンズを用いてマルチストライプアレイ
半導体レーザ光を集光した場合、マルチストライプアレ
イ半導体レーザの光源の全長が約10mm程もあるため、
フォーカシング時にレンズの倍率で決まる径寸法のビー
ムスポットしか得られず、端面励起方式の励起光源とし
てとして実用的な1mm以下の径寸法のビームスポットを
得ることは到底不可能であった。
【0006】そこで、図10に示すように、マイクロレ
ンズアレイ31を用いてマルチストライプアレイ半導体
レーザ素子の活性層21が出射するレーザ光をそれぞれ
個別にコリメートした後、フォーカシングレンズ26を
用いてビームスポットBSを一箇所に絞って全ストライ
プ光を重畳させる方法がある。この方法によれば、マイ
クロレンズ31とフォーカシングレンズ26との焦点距
離で決まる倍率を各活性層21の全幅に掛け合わせた程
度のビームスポット径が得られ、マルチストライプアレ
イ半導体レーザ発生素子の活性層21に対して垂直成分
は細く絞ることができるが、隣合ったストライプ光同士
が重なり合わないようにするために、各ストライプ光に
対応する各マイクロレンズを、半導体レーザ発生素子の
出射面に近接配置する必要があるため、各マイクロレン
ズに焦点距離の短いものを使う必要があり、フォーカシ
ングレンズとの組合せで決まる倍率が大きくならざるを
得ず、実用的な集束スポット径にするには至らない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】マルチストライプアレ
イ半導体レーザ素子22は、図11に示すように、通
常、約100μm〜200μm幅の活性層21が、全幅
約10mmの平面内に10本〜100本一定間隔で配列さ
れている。従って、ひとつの半導体レーザ発生素子から
10本〜100本のレーザ光が出射する破線状の光源が
与えられる。これらの各ストライプ光は、それぞれ偏平
な光源から発せられたものであり、ビーム放射角は活性
層に対して垂直成分θVが相対的に大きく約40゜〜5
0゜であり、平行成分θHは相対的に小さく約10゜で
ある。また発光源の幅は垂直成分が相対的に狭く0.1
μm〜1μmであり、平行成分は相対的に広く上述のよ
うに100μm〜200μmである。
【0008】上記したように垂直成分θVは容易に絞る
ことができることから、絞った後にレーザ光の垂直成分
θVと平行成分θHとを入れ替えて各ビームが梯子状に配
列されれば、平行成分θHも容易に絞れ、全体として容
易に集光することができる。即ち、まず焦点距離の短い
マイクロシリンドリカルレンズアレイを用いて活性層2
1の延在方向に垂直な成分θVを集光し、次いで垂直成
分θVと平行成分θHとを入れ替えて焦点距離の長いシリ
ンドリカルレンズを用いて平行成分θHを集光する。最
後にフォーカシングレンズを用いて両成分をビームスポ
ットに集束させる。ここで垂直成分については、マイク
ロシリンドリカルレンズを光源に近接配置するので、倍
率は高くなるものの、光源の幅が極めて狭いために集束
スポット径はさほど大きくならない。また平行成分につ
いては、シリンドリカルレンズを光源から離間配置する
ので、倍率を小さく抑えることができるために集束スポ
ット径を小さくすることができる。
【0009】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであり、その第1の目的は、半導体レーザ活性層
に対して平行な成分を集光するに際し、コリメータレン
ズを光源から離間して配置し、フォーカシングレンズと
の組合せで決まる倍率を小さくすることによって絞った
ビームスポット径を小さくすることのできる光路変換器
を提供することにある。これに加えて本発明の第2の目
的は、マルチストライプアレイ半導体レーザ素子から出
射される放射角が大きい多数のレーザビームを集光して
単一のスポットに絞り込み、レーザ加工用光源として使
用したり、光ファイバに導光したり、固体レーザ発振の
モード空間に半導体レーザ出力光による励起空間をマッ
チングしたりすることができるように、固体レーザ基本
波を高効率に生起可能な光路変換アレイを提供すること
にある。
【0010】
【課題を解決するための手段】このような目的は、本発
明によれば、偏平な透過光の光軸と直交する方向に配向
した平凸シリンドリカルレンズと等価な第1のバイナリ
オプティクスと、前記透過光の光軸と直交する前記第1
のバイナリオプティクスと同一方向に配向した平凸シリ
ンドリカルレンズと等価な第2のバイナリオプティクス
からなり、かつ前記第1のバイナリオプティクスと同じ
焦点距離の第2のバイナリオプティクスとが、前記各バ
イナリオプティクスの焦点距離の2倍の距離だけ離間し
て配置され、前記偏平な透過光を、その長軸が前記第1
の軸線に対して45゜傾くように前記第1のバイナリオ
プティクスに入射し、前記第1及び第2の軸線を通る面
を中心に像を反転させて該透過光をその光軸周りに90
゜回転させたのと等価な光を前記第2のバイナリオプテ
ィクスから出射することを特徴とする光路変換器、及び
偏平な透過光の光軸と直交する方向に配向した平凸シリ
ンドリカルレンズと等価な第1のバイナリオプティクス
と、前記透過光の光軸と直交する前記第1のバイナリオ
プティクスと同一方向に配向した平凸シリンドリカルレ
ンズと等価な第2のバイナリオプティクスからなり、か
つ前記第1のバイナリオプティクスと同じ焦点距離の第
2のバイナリオプティクスとが、前記各バイナリオプテ
ィクスの焦点距離の2倍の距離だけ離間して配置された
複数の光路変換器を、前記第1及び第2の軸線に対して
45゜傾く方向に配列し、破線状をなす複数の前記偏平
な透過光を、その長軸が前記第1の軸線に対して45゜
傾くように前記各光路変換器の前記第1のバイナリオプ
ティクスに入射し、前記第1及び第2の軸線を通る面を
中心に像を反転させて該透過光をその光軸周りに90゜
回転させ、梯子状に配列して前記各光路変換器の前記第
2のバイナリオプティクスから出射することを特徴とす
る光路変換アレイを提供することによって達成される。
【0011】
【作用】本発明の光路変換器によれば、入射した偏平光
は、第1のバイナリオプティクスでその入射位置の屈折
率に応じて曲げられ、全体としてレンズの中心線を中心
に反転して、丁度偏平方向が90゜回転したねじれの状
態で第2のバイナリオプティクスから出射する。即ち、
各バイナリオプティクスがシリンドリカルレンズとして
機能すると共に、各レンズが平板状であり、従来のレン
ズに比較して取扱いが容易であり、その製作も容易にな
る。また、複数の上記光路変換器を45゜傾けて配列
し、これらに破線状に直列する線状光を通過させれば、
梯子状に並列した光に変換される。これにより、マルチ
ストライプアレイ半導体レーザ素子からの出射光を、ま
ず垂直成分を集光して破線状に直列する線状光とし、更
に梯子状に並列した光に変換した後、平行成分をコリメ
ートする構成とすれば、レーザ素子とコリメートレンズ
との間の光学距離を長くとっても、隣同士のストライプ
光が重なり合うことがなく、マルチストライプアレイ半
導体レーザ光を重畳させて微小なスポットに絞り込むこ
とができる。
【0012】
【実施例】以下に添付の図面に示された具体的な実施例
に基づいて本発明を詳細に説明する。
【0013】まず、本発明の光路変換器の光路変換原理
について説明する。図1は本発明が適用された光路変換
器1の斜視図、図2(a)は、図1に示す光路変換器1
の側面図、図2(b)は図2(a)の光路変換器1の正
面図である。この光路変換器1は、入射側及び出射側の
一対の後記するバイナリオプティクス2、3から構成さ
れている。
【0014】この光路変換器1の入射側のバイナリオプ
ティクス2は、フレネルレンズを階段状に形成してなる
バイナリオプティクスにより形成されている(図2
(a))。このバイナリオプティクス2は、屈折率が入
射面2aの厚さW方向の中央線(第1の軸線)O1で最
も高く、この中央線O1から入射面2aに沿って離間す
るにつれて漸減するように一次元的に分布している。ま
た、光路変換器1の出射側のバイナリオプティクス3
は、上記第1のバイナリオプティクス2と同様にフレネ
ルレンズを階段状に形成してなるバイナリオプティクス
により形成され、屈折率が出射面3aの厚さW方向の中
央、即ち中央線O1と平行な中央線(第2の軸線)O2
最も高く、この中央線O2から出射面3aに沿って離間
するにつれて漸減するように一次元的に分布している。
尚、光路変換器1の長さ(L)、即ち各バイナリオプテ
ィクス2、3間の距離は、各バイナリオプティクス2、
3の屈折率分布特性との相関に応じて、入射光が各中央
線O1、O2を通る面を中心に丁度反転して同じ大きさの
像として出射するように、各バイナリオプティクス2、
3の焦点距離の2倍程度に設定されている。
【0015】ここで、図2(a)に於ける右方の入射面
2aから入射した光線a・b・d・eは、それぞれが通
る部分の屈折率の差に応じて光路変換器1内を進み、
a′・b′・d′・e′となって左方の出射面3aから
出射する。また中央に入射した光線cは、光路変換器1
内を中央面に沿って直進し、c′となって出射する。即
ち、互いに焦点距離の等しい第1のバイナリオプティク
ス2と第2のバイナリオプティクス3とを焦点距離の2
倍だけ離して配置することにより、等倍の反転した像が
得られる。
【0016】一方、この光路変換器1の第1のバイナリ
オプティクス2の入射面2aには、該入射面と直交する
方向から偏平な光(半導体レーザ素子からの出射光)B
が入射し、その光軸は入射面2aの中心O0を通るよう
に、また偏平光Bの長軸が上記厚さW方向の中央線
1、O2に対して45゜傾くように設定されている。す
ると、入射面2aから入射した偏平光Bは、その断面を
線分P1Q1で表すと、第1のバイナリオプティクス2で
屈折して光路変換器1内の中間部で焦点を結び(線分P
2Q2)、反転して第2のバイナリオプティクス3に至
る。そして、この第2のバイナリオプティクス3で屈折
して出射面3aから出射し(線分P3Q3)、元の方向に
進む。ここで、入射面2aと偏平光Bの光軸とが直交
し、かつ偏平光Bの長軸が中央線O1に対して45゜傾
いていることから、偏平光Bが各中央線O1、O2を通る
面を中心に対称に反転すると、偏平光Bが光軸を中心に
90゜回転した状態と同様になる。
【0017】尚、上記したような各バイナリオプティク
スを形成するには、例えば板状のガラス体の表面をエッ
チングまたは研磨することにより階段状の面を形成すれ
ば良く、通常の光学レンズのように曲面を形成する必要
がないことからその加工性良い。
【0018】上記した光路変換器1を複数配列してマル
チストライプアレイ半導体レーザ素子からの出射光を処
理する光路変換アレイ5を図3に示す。ここで、マルチ
ストライプアレイ半導体レーザ素子22は、活性層21
の発光端面が破線状に配列しており(図11参照)、こ
れら各活性層21の発光端面から出射した光の垂直成分
θVをシリンドリカルレンズまたはを用いて集光させて
破線状の偏平光が入射するものとする。各光路変換器1
は上記各偏平光の光軸に入射面2aが直交し、かつ偏平
光の長軸と入射面2aの中央線O1とが45゜傾くよう
に、即ち配列方向と入射面2aの中央線O1とが45゜
傾くように配列している。これにより、入射した各偏平
光を90゜回転させ、即ち、レーザ光の垂直成分θVと
水平成分θhとを入れ替えて梯子状に配列させて出射す
るようになっている。
【0019】このようにして、一直線上に破線状に直列
した多数のストライプ光B1は、光路変換アレイ4によ
り、見かけ上梯子状に並列したストライプ光B2に変換
される。
【0020】上記の構成に於ては、一つのストライプ光
に対して一つの光路変換器1を対応させている。従っ
て、幅寸法が小さな活性層を多数配列したものに対して
は光路変換器として極めて小さなものを用意しなければ
ならないことになる。しかしながら実用上は、複数のス
トライプ光に対して一つの光路変換器を対応させても良
い。この場合は、隣接する光路変換器の配列ピッチと同
一幅に多数のストライプを分割し、分割した要素毎に9
0度回転することになるが、この場合でも、光路変換器
の配列ピッチと同程度にレーザ光を絞ることができる。
【0021】上記光路変換器を用い、例えば200μm
幅の活性層21を800μmピッチで12本配列してな
るマルチストライプアレイ半導体レーザ素子22が出射
するレーザ光を集光する半導体レーザ集光装置23を図
4に示す。図4に於て、マルチストライプアレイ半導体
レーザ素子22に近接配置した円柱レンズ24によって
活性層21に対する垂直成分をコリメートした後、各活
性層21に対応して光路変換器1(各変換器が配列面に
対して45゜で傾斜)を800μmピッチで配列した光
路変換アレイ5により、各ストライプ光の断面の長軸と
短軸とを反転させる。
【0022】次いで光路変換アレイ5からの出射光を集
光するように配置されたシリンドリカルレンズ25によ
って活性層と平行な成分をコリメートする。そして最後
にフォーカシングレンズ26を用いてレーザ光を絞り込
む。これにより、焦点の位置に複数のストライプ光が重
畳したビームスポットBSを得る。
【0023】このようにして、フォーカシングレンズ2
6とビームスポットBSとの間の距離と、マルチストラ
イプアレイ半導体レーザ素子22とシリンドリカルレン
ズ25との間の距離との比を小さくとれるので、極めて
小さな径(直径400μm)に集光されたビームスポッ
トBSが得られる。尚、垂直成分については、フォーカ
シングレンズ26とビームスポットBSとの間の距離
と、マルチストライプアレイ半導体レーザ素子22と円
柱レンズ24との間の距離との比が大きくなるものの、
光源の幅が十分に小さいため、絞られたビームスポット
径は大きくならない。
【0024】上記円柱レンズに代えて、円柱レンズと同
等の働きをするシリンドリカルレンズを用いても良いこ
とは云うまでもない。
【0025】上記半導体レーザ集光装置を用いて集光し
たレーザ光を光ファイバ(コア径400μm)に導光す
ることもでき、図5に示すように、フォーカシングレン
ズ26にて集光したレーザ光を光ファイバ27に導光す
ると、10Wの半導体レーザ出力のうち60%の導光効
率が得られる。
【0026】また、上記半導体レーザ集光装置にて集光
したレーザ光を用いて固体レーザを光励起することもで
き、図6に示すように、フォーカシングレンズ26にて
集光したレーザ光にてYAGレーザなどの固体レーザ素
子28の端面励起による光励起を試みると、10Wの半
導体レーザを用いて3WのYAGレーザ出力が得られ
る。
【0027】更に、図7に示すように、フォーカシング
レンズ26にて集光したレーザ光を光ファイバ27に導
光した上で固体レーザ素子28を端面励起により光励起
すると、2WのYAGレーザ出力が得られる。
【0028】図8(a)は本発明の第2の実施例を示す
図2(b)と同様な第1のバイナリオプティクス12の
平面図であり、図8(b)は第1のバイナリオプティク
ス12の側面図である。また、第2のバイナリオプティ
クスは第1のバイナリオプティクス12と同様の構造を
有しているのでその図示及び説明を省略する。本実施例
では、第1及び第2のバイナリオプティクスとして、第
1の実施例ののバイナリオプティクスと同様な光学的特
性を有するフレネルゾーンプレートが用いられている。
これら第1及び第2のバイナリオプティクスに偏平光を
通すことにより、第1の実施例と同様に偏平光を90゜
回転するの同様な像を得ることができる。それ以外の構
成は第1の実施例と同様である。
【0029】図9は本発明の第3の実施例を示す図2
(b)と同様な図である。本実施例では、第1のバイナ
リオプティクスに代えて所定のパターンのスリットが形
成された第1の回折格子14が用いられている。また、
第2のバイナリオプティクスに代えて第1の回折格子1
2と同様な構造の第2の回折格子(図示せず)が用いら
れている。これらの回折格子に光を通すことにより、そ
の干渉作用で第1の実施例と同様に偏平光を90゜回転
するの同様な像を得ることができる。それ以外の構成は
第1の実施例と同様である。
【0030】
【発明の効果】このように本発明によれば、第1のバイ
ナリオプティクスと、これと同じ焦点距離の第2のバイ
ナリオプティクスとが焦点距離の2倍の距離だけ離間し
て形成させた光路変換器に対して、偏平光をその長軸が
第1のバイナリオプティクスの中央線に対して45゜傾
くように入射することで、像の長軸と短軸とが反転し、
即ち偏平光が90゜回転したのと同様な像となる。この
とき、各バイナリオプティクスはシリンドリカルレンズ
として機能すると共に各レンズ部同士の位置関係の調整
が別々のレンズを組み合わせた場合に比較して容易にな
る。この光路変換器を配列方向に対して45゜傾けて波
線状の光線の各偏平光を90゜回転させて梯子状に配列
すれば、大出力のマルチストライプアレイ半導体レーザ
光を高効率で集光し、かつ細く絞ることができるので、
パワー密度の高いビームスポットを得ることができる。
これにより、レーザ加工やレーザはんだ付けに於て特に
精密な加工を実現することが可能となる。また、集光し
たマルチストライプアレイ半導体レーザ光を光ファイバ
に導光するように構成すれば、レーザ光の取扱い性が高
められる。さらに、上記構成を有する半導体レーザ励起
固体レーザによれば、従来のアレイ半導体レーザでは困
難であった端面励起が可能となり、効率並びにビーム品
質の高い固体レーザを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用された第1の実施例に於ける光路
変換器の構成及び光路変換の様子を示す模式的斜視図。
【図2】(a)部及び(b)部は、図1の光路変換器の
光路変換の原理を説明するための側面図及び平面図。
【図3】本発明が適用された光路変換アレイとマルチス
トライプアレイ半導体レーザ光との対応図。
【図4】本発明が適用されたレーザ装置の構成を示す模
式的側面図。
【図5】本発明が適用されたレーザ装置の構成を示す模
式的側面図。
【図6】本発明が適用されたレーザ装置の構成を示す模
式的側面図。
【図7】本発明が適用されたレーザ装置の構成を示す模
式的側面図。
【図8】本発明が適用された第2の実施例に於ける図2
(b)と同様な図。
【図9】(a)部は、本発明が適用された第3の実施例
に於ける図2(b)と同様な図、(b)部は(a)部の
側面図。
【図10】(a)部及び(b)部は、従来の破線状に配
列したマルチストライプアレイ半導体レーザの集光状態
を説明する平面図及び側面図。
【図11】マルチストライプアレイ半導体レーザ素子と
各活性層からの出射光パターンを示す模式的斜視図。
【符号の説明】
1 光路変換器 2 第1のバイナリオプティクス 2a 入射面 3 第2のバイナリオプティクス 3a 出射面 5 光路変換アレイ 12 第1のバイナリオプティクス 14 第1の回折格子 21 活性層 22 マルチストライプアレイ半導体レーザ素子 24 円柱レンズ 25 シリンドリカルレンズ 26 フォーカシングレンズ 27 光ファイバ 28 固体レーザ素子 29 共振器出力鏡 30 レンズ 31 マイクロレンズ O1 第1の軸線 O2 第2の軸線

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 偏平な透過光の光軸と直交する方向に
    配向した平凸シリンドリカルレンズと等価な第1のバイ
    ナリオプティクス、 前記透過光の光軸と直交する前記第1のバイナリオプテ
    ィクスと同一方向に配向した平凸シリンドリカルレンズ
    と等価な第2のバイナリオプティクスからなり、かつ前
    記第1のバイナリオプティクスと同じ焦点距離の第2の
    バイナリオプティクスとが、前記各バイナリオプティク
    スの焦点距離の2倍の距離だけ離間して配置され、 前記偏平な透過光を、その長軸が前記第1の軸線に対し
    て45゜傾くように前記第1のバイナリオプティクスに
    入射し、前記第1及び第2の配向線を通る面を中心に像
    を反転させて該透過光をその光軸周りに90゜回転させ
    たのと等価な光を前記第2のバイナリオプティクスから
    出射することを特徴とする光路変換器。
  2. 【請求項2】 偏平な透過光の光軸と直交する方向に
    配向した平凸シリンドリカルレンズと等価な第1のバイ
    ナリオプティクスと、前記透過光の光軸と直交する前記
    第1のバイナリオプティクスと同一方向に配向した平凸
    シリンドリカルレンズと等価な第2のバイナリオプティ
    クスからなり、かつ前記第1のバイナリオプティクスと
    同じ焦点距離の第2のバイナリオプティクスとが、前記
    各バイナリオプティクスの焦点距離の2倍の距離だけ離
    間して配置された複数の光路変換器を、前記第1及び第
    2の軸線に対して45゜傾く方向に配列し、 破線状をなす複数の前記偏平な透過光を、その長軸が前
    記第1の軸線に対して45゜傾くように前記各光路変換
    器の前記第1のバイナリオプティクスに入射し、前記第
    1及び第2の軸線を通る面を中心に像を反転させて該透
    過光をその光軸周りに90゜回転させ、梯子状に配列し
    て前記各光路変換器の前記第2のバイナリオプティクス
    から出射することを特徴とする光路変換アレイ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998019202A1 (de) * 1996-10-28 1998-05-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Optische anordnung zur symmetrierung der strahlung von laserdioden
JPWO2002082163A1 (ja) * 2001-03-30 2004-07-29 新日本製鐵株式会社 半導体レーザ装置およびそれを用いた固体レーザ装置

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