JPH07282993A - Electron beam generating device for plasma generation energized with electron beam - Google Patents
Electron beam generating device for plasma generation energized with electron beamInfo
- Publication number
- JPH07282993A JPH07282993A JP6076076A JP7607694A JPH07282993A JP H07282993 A JPH07282993 A JP H07282993A JP 6076076 A JP6076076 A JP 6076076A JP 7607694 A JP7607694 A JP 7607694A JP H07282993 A JPH07282993 A JP H07282993A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- discharge
- cathode
- region
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、放電によるプラズマか
ら電子ビームを取出して、別途供給されたガス分子に衝
突させて別のプラズマを発生させるための電子ビーム励
起プラズマ発生用電子ビーム発生装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam excitation plasma generating electron beam generator for extracting an electron beam from plasma generated by discharge and colliding it with gas molecules supplied separately to generate another plasma. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、シリコンウェハ等の試料表面にエ
ッチング処理や成膜処理を施すための電子ビーム励起プ
ラズマ発生装置において、カソードと放電電極との間で
放電によるプラズマを発生して、このプラズマのうち電
子だけを電界によって引出して電子ビームを得るための
電子ビーム源が使用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, in an electron beam excitation plasma generator for performing an etching process or a film forming process on a sample surface such as a silicon wafer, plasma is generated by a discharge between a cathode and a discharge electrode, and this plasma is generated. Among them, an electron beam source for extracting only electrons by an electric field to obtain an electron beam is used.
【０００３】このような電子ビーム源において、プラズ
マ電位分布を整形するための補助電極がカソードと放電
電極との間に設けられ、さらに放電電極に対して正の電
位を印加してプラズマから電子を引出すための加速電極
が設けられる。また、カソードと補助電極との間にはカ
ソード領域が形成され、補助電極と放電電極との間には
放電領域が形成され、放電電極と加速電極との間に加速
領域が形成され、合計３つの部屋に区分されている。補
助電極、放電電極および加速電極は電界方向に対して垂
直な円板形状を成し、各電極の中央部には隣接領域を連
通するための連通孔が形設され、プラズマや電子は各連
通孔を通過するように生成される。In such an electron beam source, an auxiliary electrode for shaping the plasma potential distribution is provided between the cathode and the discharge electrode, and a positive potential is applied to the discharge electrode to generate electrons from the plasma. An accelerating electrode for extracting is provided. Further, a cathode region is formed between the cathode and the auxiliary electrode, a discharge region is formed between the auxiliary electrode and the discharge electrode, and an acceleration region is formed between the discharge electrode and the acceleration electrode. It is divided into two rooms. The auxiliary electrode, discharge electrode and accelerating electrode are in the shape of a disk perpendicular to the direction of the electric field, and a communication hole is formed in the center of each electrode to connect adjacent regions. Generated to pass through a hole.
【０００４】カソード領域にはアルゴンガス等の不活性
ガスがプラズマ種として外部から供給され、補助電極の
連通孔を通って放電領域に流入し、さらに放電電極の連
通孔を通って加速領域に流入し、さらに加速領域に接続
された排気ポートを介して外部排気装置へ排出される。An inert gas such as argon gas is supplied to the cathode region as plasma species from the outside, flows into the discharge region through the communication hole of the auxiliary electrode, and further flows into the acceleration region through the communication hole of the discharge electrode. Then, the gas is discharged to the external exhaust device via the exhaust port connected to the acceleration region.
【０００５】こうしてカソード領域、放電領域および加
速領域内のガスの圧力を制御することによって、放電条
件の安定化を図っている。Thus, the discharge conditions are stabilized by controlling the gas pressures in the cathode region, the discharge region and the acceleration region.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】従来の電子ビーム源で
は、カソード周囲の圧力が小さいとプラズマ中の正イオ
ンがカソードフイラメントに衝突する割合が高くなり、
カソードの寿命が短くなる。そこで、カソード領域の圧
力を大きく設定することによって、正イオンの衝突割合
を減らして、高価なカソードを保護している。そのため
各連通孔の排気コンダクタンスを小さく設定する必要が
ある。In the conventional electron beam source, when the pressure around the cathode is small, the proportion of positive ions in the plasma that collide with the cathode filament increases.
The life of the cathode is shortened. Therefore, by setting the pressure in the cathode region large, the collision rate of positive ions is reduced to protect the expensive cathode. Therefore, it is necessary to set the exhaust conductance of each communication hole small.
【０００７】しかしながら、装置の始動時に大気圧から
所定圧力まで真空排気する場合、外部排気装置からカソ
ード領域までの排気コンダクタンスが小さいため、排気
時間が極めて長くなり、装置立上りまでに時間がかか
る。However, when the apparatus is evacuated to a predetermined pressure from the atmospheric pressure at the time of starting the apparatus, the exhaust conductance from the external exhaust apparatus to the cathode region is small, so that the exhaust time becomes extremely long and it takes time to start up the apparatus.
【０００８】また、カソードフイラメントに付着した酸
化物や水分等の不純物を蒸散させるために、動作開始前
にカソード領域を真空引きした状態でフィラメントを通
電して加熱するカソード脱ガス操作が通常必要である。
このとき排気コンダクタンスが小さいため、充分な脱ガ
スが行われないままで使用を開始せざるを得ず、そのた
めカソードの酸化消耗が著しくなる。Further, in order to evaporate impurities such as oxides and water adhering to the cathode filament, a cathode degassing operation is usually required to heat the filament by energizing the filament in a state where the cathode region is evacuated before starting the operation. is there.
At this time, since the exhaust conductance is small, there is no choice but to start the use without sufficient degassing, so that oxidation consumption of the cathode becomes significant.
【０００９】さらに、上流からのガス流量および補助電
極の連通孔の内径が決まると、カソード領域の圧力は一
義的に定まって、さらに放電電極の連通孔の内径が決ま
ると、放電領域の圧力も一義的に定まることになる。そ
のため、カソード領域の圧力および放電領域の圧力を外
部から独立に制御することが困難になる。カソードと放
電電極との間の放電安定条件は、特に放電領域の圧力お
よび放電電極の穴径に依存する傾向があり、放電領域の
圧力が不安定になるとプラズマおよび電子ビームの不安
定を招くことになる。Furthermore, when the gas flow rate from the upstream and the inner diameter of the communication hole of the auxiliary electrode are determined, the pressure in the cathode region is uniquely determined, and when the inner diameter of the communication hole of the discharge electrode is further determined, the pressure in the discharge region is also determined. It will be uniquely determined. Therefore, it becomes difficult to control the pressure in the cathode region and the pressure in the discharge region independently from the outside. The discharge stabilization condition between the cathode and the discharge electrode tends to depend on the pressure in the discharge region and the hole diameter of the discharge electrode, and when the pressure in the discharge region becomes unstable, the plasma and electron beam become unstable. become.
【００１０】本発明の目的は、カソード領域の真空引き
を迅速化し、さらにカソード領域および放電領域の圧力
を安定に制御することができる電子ビーム励起プラズマ
発生用電子ビーム発生装置を提供することである。An object of the present invention is to provide an electron beam generator for generating an electron beam excited plasma capable of speeding up vacuuming of the cathode region and stably controlling the pressures of the cathode region and the discharge region. .
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明は、熱電子を放出
するためのカソードと、前記カソードとの間で放電によ
るプラズマを発生するための放電電極と、前記カソード
と前記放電電極との間に設けられ、プラズマ電位分布を
整形するための補助電極と、前記放電電極に対して正の
電位が印加され、プラズマから電子を引出して電子ビー
ムを発生するための加速電極と、前記カソードと前記補
助電極との間に形成されたカソード領域と、前記補助電
極と前記放電電極との間に形成された放電領域と、前記
放電電極と前記加速電極との間に形成された加速領域と
を備え、前記カソード領域に供給されたガスが、前記補
助電極および前記放電電極に形設された各連通孔を通っ
て、前記加速領域から排気ポートへ排出されるように構
成された電子ビーム励起プラズマ発生用電子ビーム発生
装置において、前記カソード領域内のガスを流量調整手
段を介して排気ポートへ排出するためのバイパス回路を
備えることを特徴とする電子ビーム励起プラズマ発生用
電子ビーム発生装置である。According to the present invention, there is provided a cathode for emitting thermoelectrons, a discharge electrode for generating plasma between the cathode and the discharge, and a gap between the cathode and the discharge electrode. An auxiliary electrode for shaping the plasma potential distribution, a positive potential applied to the discharge electrode, an accelerating electrode for extracting electrons from plasma to generate an electron beam, the cathode and the A cathode region formed between the auxiliary electrode, a discharge region formed between the auxiliary electrode and the discharge electrode, and an acceleration region formed between the discharge electrode and the acceleration electrode. An electronic bead configured such that the gas supplied to the cathode region is discharged from the acceleration region to an exhaust port through the communication holes formed in the auxiliary electrode and the discharge electrode. In an electron beam generator for generating an excited plasma, an electron beam generator for generating an electron beam excited plasma, comprising: a bypass circuit for discharging the gas in the cathode region to an exhaust port via a flow rate adjusting means. is there.
【００１２】また本発明は、熱電子を放出するためのカ
ソードと、前記カソードとの間で放電によるプラズマを
発生するための放電電極と、前記カソードと前記放電電
極との間に設けられ、プラズマ電位分布を整形するため
の補助電極と、前記放電電極に対して正の電位が印加さ
れ、プラズマから電子を引出して電子ビームを発生する
ための加速電極と、前記カソードと前記補助電極との間
に形成されたカソード領域と、前記補助電極と前記放電
電極との間に形成された放電領域と、前記放電電極と前
記加速電極との間に形成された加速領域とを備え、前記
カソード領域に供給されたガスが、前記補助電極および
前記放電電極に形設された各連通孔を通って、前記加速
領域から排気ポートへ排出されるように構成された電子
ビーム励起プラズマ発生用電子ビーム発生装置におい
て、前記放電領域内のガスを流量調整手段を介して排気
ポートへ排出するためのバイパス回路を備えることを特
徴とする電子ビーム励起プラズマ発生用電子ビーム発生
装置である。Further, the present invention provides a cathode for emitting thermoelectrons, a discharge electrode for generating plasma by discharge between the cathode, and a plasma provided between the cathode and the discharge electrode. Between an auxiliary electrode for shaping the potential distribution, an acceleration electrode for applying a positive potential to the discharge electrode to extract electrons from plasma to generate an electron beam, and between the cathode and the auxiliary electrode. The cathode region, the discharge region formed between the auxiliary electrode and the discharge electrode, and the acceleration region formed between the discharge electrode and the acceleration electrode. The electron beam excitation plasma configured such that the supplied gas is discharged from the acceleration region to the exhaust port through the communication holes formed in the auxiliary electrode and the discharge electrode. In generating electron beam generator, an electron-beam excited plasma generator for electron beam generating apparatus characterized by comprising a bypass circuit for discharging the gas in the discharge region to the exhaust port via the flow rate adjusting means.
【００１３】[0013]
【作用】本発明に従えば、カソード領域内のガスを流量
調整手段を介して排気ポートへ排出するためのバイパス
回路を備えることによって、補助電極および放電電極に
形設された各連通孔の内径が小さくても、バイパス回路
を介してカソード領域の真空引きを迅速かつ充分に行う
ことができる。したがって、装置の始動時間が短縮化さ
れるとともに、動作時におけるカソードの酸化消耗が軽
減される。また、流量調整手段によってカソード領域の
排気流量を制御することができるため、カソード領域の
圧力を独立に制御することができる。According to the present invention, by providing the bypass circuit for discharging the gas in the cathode region to the exhaust port via the flow rate adjusting means, the inner diameter of each communication hole formed in the auxiliary electrode and the discharge electrode is provided. Even if is small, the cathode region can be evacuated quickly and sufficiently through the bypass circuit. Therefore, the start-up time of the device is shortened and the oxidation consumption of the cathode during operation is reduced. Further, since the exhaust flow rate in the cathode region can be controlled by the flow rate adjusting means, the pressure in the cathode region can be controlled independently.
【００１４】また本発明に従えば、放電領域内のガスを
流量調整手段を介して排気ポートへ排出するためのバイ
パス回路を備えることによって、バイパス回路を介して
放電領域の真空引きを迅速かつ充分に行うことができ
る。また、流量調整手段によって放電領域の排気流量を
制御することができるため、放電領域の圧力を独立に制
御することができる。Further, according to the present invention, by providing a bypass circuit for discharging the gas in the discharge region to the exhaust port through the flow rate adjusting means, the discharge region can be quickly and sufficiently evacuated through the bypass circuit. Can be done. Moreover, since the exhaust flow rate in the discharge area can be controlled by the flow rate adjusting means, the pressure in the discharge area can be controlled independently.
【００１５】このようにカソード領域の圧力および放電
領域の圧力を独立に制御することができるため、放電の
安定化を図ることができる。Since the pressure in the cathode region and the pressure in the discharge region can be controlled independently in this manner, the discharge can be stabilized.
【００１６】[0016]
【実施例】図１は、本発明が適用される電子ビーム励起
プラズマ発生装置の構成を示す断面図である。電子ビー
ム励起プラズマ発生装置１は、電子ビームを発生するた
めの電子ビーム発生装置２と、電子ビーム励起によって
プラズマを発生するためのプラズマ反応装置３とを備え
る。1 is a sectional view showing the structure of an electron beam excited plasma generator to which the present invention is applied. The electron beam excited plasma generator 1 includes an electron beam generator 2 for generating an electron beam and a plasma reaction device 3 for generating plasma by electron beam excitation.
【００１７】電子ビーム発生装置２は、円筒状の真空容
器４内に、カソード５と、補助電極６と、放電電極７
と、加速電極８とを備える。カソード５と補助電極６と
の間にはカソード領域２０が形成され、補助電極６と放
電電極７との間には放電領域２１が形成され、放電電極
７と加速電極８との間には加速領域２２が形成される。
補助電極６、放電電極７および加速電極８は軸方向に対
して垂直な円板形状を成し、各電極の中央部には隣接領
域を連通するための連通孔が形設される。The electron beam generator 2 comprises a cathode 5, an auxiliary electrode 6, and a discharge electrode 7 in a cylindrical vacuum container 4.
And an accelerating electrode 8. A cathode region 20 is formed between the cathode 5 and the auxiliary electrode 6, a discharge region 21 is formed between the auxiliary electrode 6 and the discharge electrode 7, and acceleration is performed between the discharge electrode 7 and the acceleration electrode 8. Region 22 is formed.
The auxiliary electrode 6, the discharge electrode 7, and the accelerating electrode 8 have a disc shape perpendicular to the axial direction, and a communication hole for communicating adjacent regions is formed in the center of each electrode.
【００１８】カソード５の両端には電源１１が接続さ
れ、カソード５のフィラメントを通電することによっ
て、周囲に熱電子を放出する。カソード５の一端と放電
電極７との間には放電用電源１３が接続され、真空容器
４内のカソード５と放電電極７との間で放電させるとプ
ラズマＰＡが発生する。カソード５の一端と補助電極６
との間には可変抵抗１２が接続され、プラズマＰＡの電
位分布を整形している。放電電極７と加速電極８との間
には加速電源１４が接続され、放電電極７に対して正の
電位を加速電極８に印加することによって、プラズマＰ
Ａから電子だけが引出されて加速され、電子ビームＥＢ
を発生する。A power source 11 is connected to both ends of the cathode 5, and the filament of the cathode 5 is energized to emit thermoelectrons to the surroundings. A discharge power source 13 is connected between one end of the cathode 5 and the discharge electrode 7, and plasma PA is generated when a discharge is made between the cathode 5 and the discharge electrode 7 in the vacuum container 4. One end of cathode 5 and auxiliary electrode 6
A variable resistor 12 is connected between and to shape the potential distribution of the plasma PA. An accelerating power supply 14 is connected between the discharge electrode 7 and the accelerating electrode 8, and by applying a positive potential to the accelerating electrode 8 with respect to the discharge electrode 7, the plasma P
Only electrons are extracted from A and accelerated, and electron beam EB
To occur.
【００１９】真空容器４にはガスの供給ポート９が形設
され、カソード領域２０にアルゴンガス等の不活性ガス
がプラズマ種として所定流量で供給される。カソード領
域２０に供給された不活性ガスは、補助電極６の連通孔
を通って放電領域２１に流入し、さらに放電電極７の連
通孔を通って加速領域２２に流入し、さらに加速領域２
２に形成された排気ポート１０を介して外部の排気装置
へ排出される。A gas supply port 9 is formed in the vacuum container 4, and an inert gas such as argon gas is supplied to the cathode region 20 as plasma species at a predetermined flow rate. The inert gas supplied to the cathode region 20 flows into the discharge region 21 through the communication hole of the auxiliary electrode 6, further flows into the acceleration region 22 through the communication hole of the discharge electrode 7, and further accelerates region 2.
It is discharged to an external exhaust device through the exhaust port 10 formed in 2.
【００２０】放電電極７および加速電極８の周囲には、
真空容器４の軸方向に沿った磁場を発生するためのコイ
ル１５、１６が配置され、電子ビームＥＢを収束する役
割を果たす。Around the discharge electrode 7 and the acceleration electrode 8,
Coils 15 and 16 for generating a magnetic field along the axial direction of the vacuum container 4 are arranged and play a role of focusing the electron beam EB.
【００２１】一方、プラズマ反応装置３は、円筒状の真
空容器３１と、電子ビーム発生装置２に対向して設けら
れ、試料Ｓを支持するための試料テーブル３５とを備え
る。真空容器３１には、塩素ガスやモノシラン等の反応
ガスを供給するための供給口３２と、容器内のガスを排
気するための排気口３３が形設される。試料テーブル３
５は回転軸３６によって所定角速度で回転駆動され、試
料Ｓ上の反応ばらつきを均一化している。真空容器３１
の内周面近傍には、容器内壁に近づくほど磁束密度が大
きくなる磁場を発生する複数の多極磁石３４が設置され
る。また、真空容器３１の外周面近傍には、容器軸方向
に沿った磁場を発生する逆磁場コイル３７が設置され
る。On the other hand, the plasma reaction device 3 is provided with a cylindrical vacuum container 31 and a sample table 35 which is provided so as to face the electron beam generator 2 and supports the sample S. The vacuum container 31 is provided with a supply port 32 for supplying a reaction gas such as chlorine gas or monosilane and an exhaust port 33 for exhausting the gas in the container. Sample table 3
Reference numeral 5 is rotationally driven by a rotary shaft 36 at a predetermined angular velocity to uniformize reaction variations on the sample S. Vacuum container 31
A plurality of multi-pole magnets 34 that generate a magnetic field whose magnetic flux density increases toward the inner wall of the container are installed near the inner peripheral surface of the. Further, in the vicinity of the outer peripheral surface of the vacuum container 31, a reverse magnetic field coil 37 that generates a magnetic field along the container axial direction is installed.
【００２２】電子ビーム発生装置２で発生した電子ビー
ムＥＢがプラズマ反応装置３内に導入されると、真空容
器３１内に導入された反応ガス分子に衝突してプラズマ
ＰＢを生成する。反応ガスが塩素ガスなどエッチング性
の場合は、プラズマＰＢによってイオンまたはラジカル
が発生して、試料Ｓに到達すると表面をエッチングする
ことになる。また、反応ガスがモノシランなど分解性で
あれば、プラズマＰＢによって原子に分解して、試料Ｓ
に到達すると表面上に原子が堆積する。When the electron beam EB generated by the electron beam generator 2 is introduced into the plasma reactor 3, it collides with the reaction gas molecules introduced into the vacuum chamber 31 to generate plasma PB. When the reactive gas is an etching agent such as chlorine gas, ions or radicals are generated by the plasma PB, and when reaching the sample S, the surface is etched. If the reaction gas is decomposable such as monosilane, it is decomposed into atoms by plasma PB, and the sample S
When reaches, atoms are deposited on the surface.
【００２３】こうして電子ビームＥＢによってプラズマ
ＰＢを発生させて、反応ガスを活性化することによっ
て、試料Ｓ上で種々の反応を行うことができる。By thus generating the plasma PB by the electron beam EB and activating the reaction gas, various reactions can be performed on the sample S.
【００２４】図２は、図１中Ａ−Ａ線に沿った矢視図で
ある。円筒状の真空容器３１の内周面近傍には、複数の
多極磁石３４が円周方向に等間隔で設置され、多極磁石
３４のＮ極とＳ極は容器半径方向に沿って配置され、隣
接する多極磁石３４の極性は交互に反転している。この
ような配置によって、容器内壁に近づくほど磁束密度が
大きくなる磁場が形成され、真空容器３１の中央付近で
発生したプラズマＰＢを内側へ閉じ込めることができ
る。FIG. 2 is a view taken along the line AA in FIG. A plurality of multi-pole magnets 34 are installed at equal intervals in the circumferential direction in the vicinity of the inner peripheral surface of the cylindrical vacuum container 31, and the N and S poles of the multi-pole magnet 34 are arranged along the radial direction of the container. , The polarities of the adjacent multi-pole magnets 34 are alternately inverted. With such an arrangement, a magnetic field whose magnetic flux density increases toward the inner wall of the container is formed, and the plasma PB generated near the center of the vacuum container 31 can be confined inside.
【００２５】図３は、コイル１５、１６および逆磁場コ
イル３７によって形成される磁場の分布図である。コイ
ル１５、１６は軸方向に沿って図中右方向の磁場を形成
して、軸心に近づくほど磁束密度が高くなっている。コ
イル１５、１６の中心付近を通過する電子は、磁力線に
巻付くように螺旋運動しながら軸方向に進行するため、
磁力線が密になる軸心に収束するようになる。FIG. 3 is a distribution diagram of a magnetic field formed by the coils 15 and 16 and the inverse magnetic field coil 37. The coils 15 and 16 form a magnetic field in the right direction in the drawing along the axial direction, and the magnetic flux density becomes higher as it approaches the axial center. Since the electrons passing near the centers of the coils 15 and 16 travel in the axial direction while spiraling around the lines of magnetic force,
The lines of magnetic force come to converge on the axial center where the lines are dense.
【００２６】一方、逆磁場コイル３７は軸方向に沿って
図中左方向の磁場を形成している。そのためコイル１
５、１６の磁力線と逆磁場コイル３７の磁力線とが反発
して、コイル１６を出た直後の磁力線は急激に拡がるよ
うになる。したがって、コイル１５、１６で収束された
電子ビームは、磁力線に沿って急激に拡大して、プラズ
マ反応装置３内にほぼ均一に電子が拡散するようにな
り、プラズマＰＢを広い空間に発生することが可能にな
る。On the other hand, the inverse magnetic field coil 37 forms a magnetic field in the left direction in the figure along the axial direction. Therefore coil 1
The magnetic field lines 5 and 16 and the magnetic field line of the reverse magnetic field coil 37 repel each other, and the magnetic field line immediately after leaving the coil 16 spreads rapidly. Therefore, the electron beams converged by the coils 15 and 16 rapidly expand along the lines of magnetic force, and the electrons are diffused substantially uniformly in the plasma reaction device 3, so that the plasma PB is generated in a wide space. Will be possible.
【００２７】図４は、本発明の一実施例である電子ビー
ム発生装置２を示す概略構成図である。図１に示したよ
うに、電子ビーム発生装置２は、円筒状の真空容器４内
に、カソード５と、補助電極６と、放電電極７と、加速
電極８とを備え、カソード５と補助電極６との間にはカ
ソード領域２０が形成され、補助電極６と放電電極７と
の間には放電領域２１が形成され、放電電極７と加速電
極８との間には加速領域２２が形成される。補助電極
６、放電電極７および加速電極８は軸方向に対して垂直
な円板形状を成し、各電極の中央部には隣接領域を連通
するための連通孔６ａ、７ａ、８ａが形設される。好ま
しくは、真空容器４の内径は６５ｍｍ〜８９ｍｍ程度で
あり、各電極の厚さは約２０ｍｍ、連通孔６ａの直径は
約３ｍｍ、連通孔７ａの直径は約６ｍｍに設定される。FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing an electron beam generator 2 which is an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the electron beam generator 2 includes a cathode 5, an auxiliary electrode 6, a discharge electrode 7, and an acceleration electrode 8 in a cylindrical vacuum container 4, and the cathode 5 and the auxiliary electrode 6, a cathode region 20 is formed, a discharge region 21 is formed between the auxiliary electrode 6 and the discharge electrode 7, and an acceleration region 22 is formed between the discharge electrode 7 and the acceleration electrode 8. It The auxiliary electrode 6, the discharge electrode 7 and the accelerating electrode 8 have a disk shape perpendicular to the axial direction, and communication holes 6a, 7a, 8a for communicating adjacent regions are formed in the center of each electrode. To be done. Preferably, the inner diameter of the vacuum container 4 is about 65 mm to 89 mm, the thickness of each electrode is about 20 mm, the diameter of the communication hole 6a is about 3 mm, and the diameter of the communication hole 7a is about 6 mm.
【００２８】真空容器４にはガスの供給ポート９が形設
され、カソード領域２０にアルゴンガス等の不活性ガス
がプラズマ種として所定流量、たとえば１０ｃｃ／分程
度の流量で供給される。カソード領域２０に供給された
不活性ガスは、補助電極６の連通孔６ａを通って放電領
域２１に流入し、さらに放電電極７の連通孔７ａを通っ
て加速領域２２に流入し、さらに加速領域２２に接続さ
れた排気ポート１０を介して外部の排気装置へ排出され
る。また、カソード領域２０と排気ポート１０とを接続
するバイパス回路４０が設けられ、バイパス回路４０の
途中にはニードルバルブなどの流量調整弁４１が設けら
れる。A gas supply port 9 is formed in the vacuum container 4, and an inert gas such as argon gas is supplied to the cathode region 20 as a plasma species at a predetermined flow rate, for example, about 10 cc / min. The inert gas supplied to the cathode region 20 flows into the discharge region 21 through the communication hole 6a of the auxiliary electrode 6, further flows into the acceleration region 22 through the communication hole 7a of the discharge electrode 7, and further to the acceleration region. It is discharged to an external exhaust device via the exhaust port 10 connected to 22. A bypass circuit 40 that connects the cathode region 20 and the exhaust port 10 is provided, and a flow rate adjusting valve 41 such as a needle valve is provided in the middle of the bypass circuit 40.
【００２９】次に動作を説明する。装置始動時やカソー
ド脱ガス時には、カソード領域２０を速やかに真空引き
するために、流量調整弁４１の開度を上げてカソード領
域２０の排気流量を大きくする。こうしてカソード領域
２０内のガスが短時間で排気ポート１０へ排気される。Next, the operation will be described. At the time of starting the apparatus or during degassing of the cathode, in order to quickly evacuate the cathode region 20, the opening of the flow rate adjusting valve 41 is increased to increase the exhaust flow rate of the cathode region 20. In this way, the gas in the cathode region 20 is exhausted to the exhaust port 10 in a short time.
【００３０】一方、放電動作時には、カソード領域２０
の圧力を微妙に調整する必要があり、流量調整弁４１の
開度を調整してカソード領域２０の排気流量を制御す
る。こうして安定な放電条件に設定することが容易にな
る。On the other hand, during discharge operation, the cathode region 20
Is required to be adjusted delicately, and the exhaust flow rate of the cathode region 20 is controlled by adjusting the opening degree of the flow rate adjusting valve 41. In this way, it becomes easy to set stable discharge conditions.
【００３１】図５は、本発明の他の実施例である電子ビ
ーム発生装置２を示す概略構成図である。図４と同様
に、電子ビーム発生装置２は、円筒状の真空容器４内
に、カソード５と、補助電極６と、放電電極７と、加速
電極８とを備え、カソード５と補助電極６との間にはカ
ソード領域２０が形成され、補助電極６と放電電極７と
の間には放電領域２１が形成され、放電電極７と加速電
極８との間には加速領域２２が形成される。FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing an electron beam generator 2 which is another embodiment of the present invention. Similar to FIG. 4, the electron beam generator 2 includes a cathode 5, an auxiliary electrode 6, a discharge electrode 7, and an acceleration electrode 8 in a cylindrical vacuum container 4, and the cathode 5 and the auxiliary electrode 6 are connected to each other. A cathode region 20 is formed between them, a discharge region 21 is formed between the auxiliary electrode 6 and the discharge electrode 7, and an acceleration region 22 is formed between the discharge electrode 7 and the acceleration electrode 8.
【００３２】本実施例では、放電領域２１と加速領域２
２とを接続するバイパス回路４２が設けられ、バイパス
回路４２の途中にはニードルバルブなどの流量調整弁４
３が設けられる。加速領域２２内のガスは、排気ポート
１０を介して外部の排気装置へ排出される。In this embodiment, the discharge region 21 and the acceleration region 2
2 is provided with a bypass circuit 42, and a flow rate adjusting valve 4 such as a needle valve is provided in the middle of the bypass circuit 42.
3 is provided. The gas in the acceleration region 22 is exhausted to an external exhaust device via the exhaust port 10.
【００３３】次に動作を説明する。放電動作時には、放
電領域２１の圧力を微妙に調整する必要があり、流量調
整弁４３の開度を調整して放電領域２１の排気流量を制
御する。こうして図９に示すように安定な放電条件に設
定することが容易になり、生成するプラズマのイオン電
流密度の最適値に設定することができる。Next, the operation will be described. During discharge operation, it is necessary to finely adjust the pressure in the discharge area 21, and the opening of the flow rate adjusting valve 43 is adjusted to control the exhaust flow rate in the discharge area 21. Thus, it becomes easy to set the stable discharge condition as shown in FIG. 9, and it is possible to set the ion current density of the generated plasma to the optimum value.
【００３４】図６は、本発明の他の実施例である電子ビ
ーム発生装置２を示す概略構成図である。図４および図
５と同様に、電子ビーム発生装置２は、円筒状の真空容
器４内に、カソード５と、補助電極６と、放電電極７
と、加速電極８とを備え、カソード５と補助電極６との
間にはカソード領域２０が形成され、補助電極６と放電
電極７との間には放電領域２１が形成され、放電電極７
と加速電極８との間には加速領域２２が形成される。FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing an electron beam generator 2 which is another embodiment of the present invention. Similar to FIGS. 4 and 5, the electron beam generator 2 includes a cathode 5, an auxiliary electrode 6, and a discharge electrode 7 in a cylindrical vacuum container 4.
And an acceleration electrode 8, a cathode region 20 is formed between the cathode 5 and the auxiliary electrode 6, and a discharge region 21 is formed between the auxiliary electrode 6 and the discharge electrode 7.
An acceleration region 22 is formed between the acceleration electrode 8 and the acceleration electrode 8.
【００３５】本実施例において、カソード領域２１と排
気ポート１０とを接続するバイパス回路４０が設けら
れ、バイパス回路４０の途中には流量調整弁４１が設け
られる。また、放電領域２１と排気ポート１０とを接続
するバイパス回路４２が設けられ、バイパス回路４２の
途中には流量調整弁４３が設けられる。In this embodiment, a bypass circuit 40 connecting the cathode region 21 and the exhaust port 10 is provided, and a flow rate adjusting valve 41 is provided in the middle of the bypass circuit 40. A bypass circuit 42 that connects the discharge region 21 and the exhaust port 10 is provided, and a flow rate adjustment valve 43 is provided in the middle of the bypass circuit 42.
【００３６】次に動作を説明する。装置始動時やカソー
ド脱ガス時には、カソード領域２０を速やかに真空引き
するために、流量調整弁４１の開度を上げてカソード領
域２０の排気流量を大きくする。Next, the operation will be described. At the time of starting the apparatus or during degassing of the cathode, in order to quickly evacuate the cathode region 20, the opening of the flow rate adjusting valve 41 is increased to increase the exhaust flow rate of the cathode region 20.
【００３７】一方、放電動作時には、カソード領域２０
および放電領域２１の圧力を微妙に調整する必要があ
り、流量調整弁４１、４３の開度をそれぞれ調整する。
こうしてカソード領域２０および放電領域２１の排気流
量を独立に制御できるため、安定な放電条件に設定する
ことが容易になる。On the other hand, during the discharge operation, the cathode region 20
It is necessary to finely adjust the pressure of the discharge area 21 and the opening of the flow rate adjusting valves 41 and 43 is adjusted.
In this way, the exhaust flow rates of the cathode region 20 and the discharge region 21 can be controlled independently, so that it becomes easy to set stable discharge conditions.
【００３８】図７は、本発明の他の実施例である電子ビ
ーム発生装置２を示す概略構成図である。図４〜図６と
同様に、電子ビーム発生装置２は、円筒状の真空容器４
内に、カソード５と、補助電極６と、放電電極７と、加
速電極８とを備え、カソード５と補助電極６との間には
カソード領域２０が形成され、補助電極６と放電電極７
との間には放電領域２１が形成され、放電電極７と加速
電極８との間には加速領域２２が形成される。FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing an electron beam generator 2 which is another embodiment of the present invention. Similar to FIGS. 4 to 6, the electron beam generator 2 has a cylindrical vacuum container 4
A cathode 5, an auxiliary electrode 6, a discharge electrode 7, and an acceleration electrode 8 are provided therein, and a cathode region 20 is formed between the cathode 5 and the auxiliary electrode 6, and the auxiliary electrode 6 and the discharge electrode 7 are provided.
A discharge region 21 is formed between the discharge electrode 7 and the acceleration electrode 8, and an acceleration region 22 is formed between the discharge electrode 7 and the acceleration electrode 8.
【００３９】本実施例では、カソード領域２０と放電領
域２１とを連通するバイパス回路として、図８に示すよ
うに、補助電極６の連通孔６ａの周りに別の連通孔４４
が３箇所形設され、補助電極６の内部に３方羽根を有す
るシャッタ４５が回転自在に組込まれている。さらに、
放電領域２１と加速領域２２とを連通するバイパス回路
として、補助電極６と同様に、補助電極７の連通孔７ａ
の周りに別の連通孔４６が３箇所形設され、補助電極７
の内部に３方羽根を有するシャッタ４７が回転自在に組
込まれている。In the present embodiment, as a bypass circuit that connects the cathode region 20 and the discharge region 21, as shown in FIG. 8, another communication hole 44 is formed around the communication hole 6a of the auxiliary electrode 6.
Are formed at three positions, and a shutter 45 having three-way blades is rotatably incorporated inside the auxiliary electrode 6. further,
As a bypass circuit that connects the discharge region 21 and the acceleration region 22, the communication hole 7a of the auxiliary electrode 7 is formed like the auxiliary electrode 6.
Another communication hole 46 is formed in three places around the
A shutter 47 having three-sided blades is rotatably incorporated inside.
【００４０】図８は図７に示す補助電極６の正面図であ
り、図８（ａ）は連通孔４４が全開した状態であり、図
８（ｂ）は連通孔４４の開度が約３０％の状態である。
図８（ａ）において、シャッタ４５の羽根が連通孔４４
を避けた位置にあるため、連通孔４４が完全に開放して
いる。また図８（ｂ）において、シャッタ４５が磁気結
合手段などの遠隔操作によって角変位して、シャッタ４
５の羽根が連通孔４４を７割程度遮断しており、連通孔
４４が部分的に開放している。したがって、シャッタ４
５の変位角度に応じて連通孔４４の開度が変化して、カ
ソード領域２０と放電領域２１との間の排気コンダクタ
ンスを調整することが可能になり、流量調整弁としての
役割を果たす。なお、図７の放電電極７についても同様
な構造を有し、同様な役割を有する。FIG. 8 is a front view of the auxiliary electrode 6 shown in FIG. 7, FIG. 8 (a) shows a state in which the communication hole 44 is fully opened, and FIG. 8 (b) shows an opening degree of the communication hole 44 of about 30. % Is the state.
In FIG. 8A, the blade of the shutter 45 has a communication hole 44.
The communication hole 44 is completely open because it is located at a position avoiding. Further, in FIG. 8B, the shutter 45 is angularly displaced by a remote operation of a magnetic coupling means or the like, and the shutter 4
The blade of 5 blocks the communication hole 44 by about 70%, and the communication hole 44 is partially open. Therefore, the shutter 4
The opening degree of the communication hole 44 changes in accordance with the displacement angle of 5, and the exhaust conductance between the cathode region 20 and the discharge region 21 can be adjusted, which serves as a flow rate adjusting valve. The discharge electrode 7 of FIG. 7 has a similar structure and a similar role.
【００４１】次に動作を説明する。装置始動時やカソー
ド脱ガス時には、カソード領域２０を速やかに真空引き
するために、連通孔４４、４６の開度を上げてカソード
領域２０および放電領域２１の排気流量を大きくする。Next, the operation will be described. At the time of starting the apparatus or degassing the cathode, in order to quickly evacuate the cathode region 20, the openings of the communication holes 44 and 46 are increased to increase the exhaust flow rate of the cathode region 20 and the discharge region 21.
【００４２】一方、放電動作時には、カソード領域２０
および放電領域２１の圧力を微妙に調整する必要がある
ため、シャッタ４５、４７の回転角度を操作して連通孔
４４、４６の開度をそれぞれ調整する。こうしてカソー
ド領域２０および放電領域２１の排気流量を独立に制御
できるため、安定な放電条件に設定することが容易にな
る。On the other hand, during discharge operation, the cathode region 20
Since it is necessary to finely adjust the pressure of the discharge region 21, the opening angles of the communication holes 44 and 46 are adjusted by operating the rotation angles of the shutters 45 and 47. In this way, the exhaust flow rates of the cathode region 20 and the discharge region 21 can be controlled independently, so that it becomes easy to set stable discharge conditions.
【００４３】[0043]
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、補
助電極および放電電極に形設された各連通孔の内径が小
さくても、バイパス回路を介してカソード領域の真空引
きを迅速かつ充分に行うことができる。したがって、装
置の始動時間が短縮化されるとともに、動作時における
カソードの酸化消耗が軽減される。また、流量調整手段
によってカソード領域の排気流量を制御することができ
るため、カソード領域の圧力を独立に制御することがで
きる。As described in detail above, according to the present invention, even if the inner diameters of the communication holes formed in the auxiliary electrode and the discharge electrode are small, the cathode region can be quickly and sufficiently evacuated through the bypass circuit. Can be done. Therefore, the start-up time of the device is shortened and the oxidation consumption of the cathode during operation is reduced. Further, since the exhaust flow rate in the cathode region can be controlled by the flow rate adjusting means, the pressure in the cathode region can be controlled independently.
【００４４】また本発明によれば、バイパス回路を介し
て放電領域の真空引きを迅速かつ充分に行うことができ
る。また、流量調整手段によって放電領域の排気流量を
制御することができるため、放電領域の圧力を独立に制
御することができる。Further, according to the present invention, the discharge area can be evacuated quickly and sufficiently through the bypass circuit. Moreover, since the exhaust flow rate in the discharge area can be controlled by the flow rate adjusting means, the pressure in the discharge area can be controlled independently.
【００４５】このようにカソード領域の圧力および放電
領域の圧力を独立に制御することができるため、放電の
安定化を図ることができる。Since the pressure in the cathode region and the pressure in the discharge region can be controlled independently in this manner, the discharge can be stabilized.
【図１】本発明が適用される電子ビーム励起プラズマ発
生装置の構成を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of an electron beam excitation plasma generator to which the present invention is applied.
【図２】図１中Ａ−Ａ線に沿った矢視図である。FIG. 2 is a view taken along the line AA in FIG.
【図３】コイル１５、１６および逆磁場コイル３７によ
って形成される磁場の分布図である。FIG. 3 is a distribution diagram of a magnetic field formed by coils 15 and 16 and a reverse magnetic field coil 37.
【図４】本発明の一実施例である電子ビーム発生装置２
を示す概略構成図である。FIG. 4 is an electron beam generator 2 according to an embodiment of the present invention.
It is a schematic block diagram which shows.
【図５】本発明の他の実施例である電子ビーム発生装置
２を示す概略構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing an electron beam generator 2 which is another embodiment of the present invention.
【図６】本発明の他の実施例である電子ビーム発生装置
２を示す概略構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing an electron beam generator 2 which is another embodiment of the present invention.
【図７】本発明の他の実施例である電子ビーム発生装置
２を示す概略構成図である。FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing an electron beam generator 2 which is another embodiment of the present invention.
【図８】図７に示す補助電極６の正面図であり、図８
（ａ）は連通孔４４が全開した状態であり、図８（ｂ）
は連通孔４４の開度が約３０％の状態である。8 is a front view of the auxiliary electrode 6 shown in FIG.
FIG. 8A shows a state in which the communication hole 44 is fully opened, and FIG.
Indicates that the opening degree of the communication hole 44 is about 30%.
【図９】放電領域の圧力に対するプラズマのイオン電流
密度の変化を示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing a change in ion current density of plasma with respect to a pressure in a discharge region.
１ 電子ビーム励起プラズマ発生装置 ２ 電子ビーム発生装置 ３ プラズマ反応装置 ４ 真空容器 ５ カソード ６ 補助電極 ７ 放電電極 ８ 加速電極 ６ａ、７ａ、８ａ 連通孔 ９ 供給ポート １０ 排気ポート １５、１６ コイル ３１ 真空容器 ３４ 多極磁石 ３５ 試料テーブル ３７ 逆磁場コイル ４０、４２ バイパス回路 ４１、４３ 流量調整弁 ４４、４６ 連通孔 ４５、４７ シャッタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electron beam excitation plasma generator 2 Electron beam generator 3 Plasma reactor 4 Vacuum container 5 Cathode 6 Auxiliary electrode 7 Discharge electrode 8 Accelerating electrode 6a, 7a, 8a Communication hole 9 Supply port 10 Exhaust port 15, 16 Coil 31 Vacuum container 34 multi-pole magnet 35 sample table 37 reverse magnetic field coil 40, 42 bypass circuit 41, 43 flow rate adjusting valve 44, 46 communication hole 45, 47 shutter
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 37/305 Ａ 9172−5Ｅ // Ｈ０１Ｌ 21/027 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display location H01J 37/305 A 9172-5E // H01L 21/027
Claims (2)
めの放電電極と、 前記カソードと前記放電電極との間に設けられ、プラズ
マ電位分布を整形するための補助電極と、 前記放電電極に対して正の電位が印加され、プラズマか
ら電子を引出して電子ビームを発生するための加速電極
と、 前記カソードと前記補助電極との間に形成されたカソー
ド領域と、 前記補助電極と前記放電電極との間に形成された放電領
域と、 前記放電電極と前記加速電極との間に形成された加速領
域とを備え、 前記カソード領域に供給されたガスが、前記補助電極お
よび前記放電電極に形設された各連通孔を通って、前記
加速領域から排気ポートへ排出されるように構成された
電子ビーム励起プラズマ発生用電子ビーム発生装置にお
いて、 前記カソード領域内のガスを流量調整手段を介して排気
ポートへ排出するためのバイパス回路を備えることを特
徴とする電子ビーム励起プラズマ発生用電子ビーム発生
装置。1. A cathode for emitting thermoelectrons, a discharge electrode for generating plasma by discharge between the cathode, and a plasma potential distribution provided between the cathode and the discharge electrode. An auxiliary electrode for shaping, an acceleration electrode for applying a positive potential to the discharge electrode to extract electrons from plasma to generate an electron beam, and formed between the cathode and the auxiliary electrode. A cathode region, a discharge region formed between the auxiliary electrode and the discharge electrode, and an acceleration region formed between the discharge electrode and the acceleration electrode. For electron beam excitation plasma generation configured so that gas is discharged from the acceleration region to the exhaust port through each communication hole formed in the auxiliary electrode and the discharge electrode. In the child beam generator, electron-beam excited plasma generator for electron beam generating apparatus characterized by comprising a bypass circuit for discharging the gas in the cathode region to the exhaust port via the flow rate adjusting means.
めの放電電極と、 前記カソードと前記放電電極との間に設けられ、プラズ
マ電位分布を整形するための補助電極と、 前記放電電極に対して正の電位が印加され、プラズマか
ら電子を引出して電子ビームを発生するための加速電極
と、 前記カソードと前記補助電極との間に形成されたカソー
ド領域と、 前記補助電極と前記放電電極との間に形成された放電領
域と、 前記放電電極と前記加速電極との間に形成された加速領
域とを備え、 前記カソード領域に供給されたガスが、前記補助電極お
よび前記放電電極に形設された各連通孔を通って、前記
加速領域から排気ポートへ排出されるように構成された
電子ビーム励起プラズマ発生用電子ビーム発生装置にお
いて、 前記放電領域内のガスを流量調整手段を介して排気ポー
トへ排出するためのバイパス回路を備えることを特徴と
する電子ビーム励起プラズマ発生用電子ビーム発生装
置。2. A cathode for emitting thermoelectrons, a discharge electrode for generating plasma between the cathode and the discharge, and a plasma potential distribution provided between the cathode and the discharge electrode. An auxiliary electrode for shaping, an acceleration electrode for applying a positive potential to the discharge electrode to extract electrons from plasma to generate an electron beam, and formed between the cathode and the auxiliary electrode. A cathode region, a discharge region formed between the auxiliary electrode and the discharge electrode, and an acceleration region formed between the discharge electrode and the acceleration electrode. For electron beam excitation plasma generation configured so that gas is discharged from the acceleration region to the exhaust port through each communication hole formed in the auxiliary electrode and the discharge electrode. In the child beam generator, electron-beam excited plasma generator for electron beam generating apparatus characterized by comprising a bypass circuit for discharging the gas in the discharge region to the exhaust port via the flow rate adjusting means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6076076A JPH07282993A (en) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | Electron beam generating device for plasma generation energized with electron beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6076076A JPH07282993A (en) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | Electron beam generating device for plasma generation energized with electron beam |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07282993A true JPH07282993A (en) | 1995-10-27 |
Family
ID=13594726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6076076A Pending JPH07282993A (en) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | Electron beam generating device for plasma generation energized with electron beam |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07282993A (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006523934A (en) * | 2003-04-16 | 2006-10-19 | アプライド サイエンス アンド テクノロジー， インコーポレイテッド | Plasma source with toroidal low-field reactive gas and dielectric vacuum chamber |
| WO2010094801A1 (en) * | 2009-02-22 | 2010-08-26 | Mapper Lithography Ip B.V. | A method and arrangement for realizing a vacuum in a vacuum chamber |
| JP2012169297A (en) * | 2012-05-11 | 2012-09-06 | Hitachi High-Technologies Corp | Gas field ionization ion source, charged particle microscope and device |
| JP2013020954A (en) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Fei Co | Methods and structures for rapid switching between different process gases in inductively-coupled plasma (icp) ion source |
| JP2013214425A (en) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Hitachi High-Technologies Corp | Ion beam device and method of removing impurity gas |
| US9460954B2 (en) | 2009-02-22 | 2016-10-04 | Mapper Lithography Ip B.V. | Method of clamping a substrate and clamp preparation unit using capillary clamping force |
| CN109671601A (en) * | 2018-11-15 | 2019-04-23 | 温州职业技术学院 | Electron source based on thermionic discharge |
| CN109671602A (en) * | 2018-11-15 | 2019-04-23 | 温州职业技术学院 | Compound electric component based on thermionic discharge |
-
1994
- 1994-04-14 JP JP6076076A patent/JPH07282993A/en active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011124227A (en) * | 2003-04-16 | 2011-06-23 | Mks Instruments Inc | Toroidal low-field reactive gas, and plasma source having dielectric vacuum vessel |
| CN102339717A (en) * | 2003-04-16 | 2012-02-01 | Mks仪器股份有限公司 | Toroidal low-field reactive gas and plasma source having a dielectric vacuum vessel |
| JP2006523934A (en) * | 2003-04-16 | 2006-10-19 | アプライド サイエンス アンド テクノロジー， インコーポレイテッド | Plasma source with toroidal low-field reactive gas and dielectric vacuum chamber |
| USRE49725E1 (en) | 2009-02-22 | 2023-11-14 | Asml Netherlands B.V. | Method and arrangement for handling and processing substrates |
| WO2010094801A1 (en) * | 2009-02-22 | 2010-08-26 | Mapper Lithography Ip B.V. | A method and arrangement for realizing a vacuum in a vacuum chamber |
| US8366423B2 (en) | 2009-02-22 | 2013-02-05 | Mapper Lithography Ip B.V. | Method and arrangement for realizing a vacuum in a vacuum chamber |
| US8857465B2 (en) | 2009-02-22 | 2014-10-14 | Mapper Lithography Ip B.V. | Method and system for realizing a vacuum in a vacuum chamber |
| US9460954B2 (en) | 2009-02-22 | 2016-10-04 | Mapper Lithography Ip B.V. | Method of clamping a substrate and clamp preparation unit using capillary clamping force |
| US10078274B2 (en) | 2009-02-22 | 2018-09-18 | Mapper Lithography Ip B.V. | Method and arrangement for handling and processing substrates |
| JP2013020954A (en) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Fei Co | Methods and structures for rapid switching between different process gases in inductively-coupled plasma (icp) ion source |
| JP2013214425A (en) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Hitachi High-Technologies Corp | Ion beam device and method of removing impurity gas |
| JP2012169297A (en) * | 2012-05-11 | 2012-09-06 | Hitachi High-Technologies Corp | Gas field ionization ion source, charged particle microscope and device |
| CN109671602A (en) * | 2018-11-15 | 2019-04-23 | 温州职业技术学院 | Compound electric component based on thermionic discharge |
| CN109671602B (en) * | 2018-11-15 | 2021-05-21 | 温州职业技术学院 | Composite electron source based on thermionic discharge |
| CN109671601B (en) * | 2018-11-15 | 2021-06-15 | 温州职业技术学院 | Electron source based on thermionic discharge |
| CN109671601A (en) * | 2018-11-15 | 2019-04-23 | 温州职业技术学院 | Electron source based on thermionic discharge |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5539274A (en) | Electron beam excited plasma system | |
| KR101593544B1 (en) | Sputtering device and sputtering method | |
| EP0523695B1 (en) | A sputtering apparatus and an ion source | |
| JPH07282993A (en) | Electron beam generating device for plasma generation energized with electron beam | |
| US4424102A (en) | Reactor for reactive ion etching and etching method | |
| US5168197A (en) | Ion beam generating apparatus, film-forming apparatus, and method for formation of film | |
| US3998718A (en) | Ion milling apparatus | |
| JP3510174B2 (en) | Ion generator and film forming device | |
| JP2535564B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| JP2871675B2 (en) | Pressure gradient type electron beam excited plasma generator | |
| JP2849771B2 (en) | Sputter type ion source | |
| JP3403383B2 (en) | Ion source control method and ion source control device | |
| JPH0982490A (en) | Plasma processing method and device | |
| JPS62235484A (en) | Thin film device | |
| JP2855160B2 (en) | Ion source | |
| JPH05314940A (en) | Ion source of ion beam application apparatus | |
| JP2646581B2 (en) | Electron beam gun | |
| JP3032380B2 (en) | Plasma electron gun | |
| JPH02121233A (en) | Ion source | |
| JPH04312797A (en) | Plasma generating device | |
| JP2963116B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| JPH0536637A (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
| JPH05174721A (en) | Cathode for producing plasma | |
| JP2005290442A (en) | Ecr sputtering system | |
| JPS6313248A (en) | Ion source |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040706 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050105 |