JPH07282423A - Magneto-resistance effect type magnetic head - Google Patents
Magneto-resistance effect type magnetic headInfo
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- JPH07282423A JPH07282423A JP6068782A JP6878294A JPH07282423A JP H07282423 A JPH07282423 A JP H07282423A JP 6068782 A JP6068782 A JP 6068782A JP 6878294 A JP6878294 A JP 6878294A JP H07282423 A JPH07282423 A JP H07282423A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置等の
磁気記録装置に使用される磁気ヘッドに係り、特に、磁
気抵抗効果を利用して、磁気記録媒体に記録された信号
を検出する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic head used in a magnetic recording device such as a magnetic disk device, and more particularly to a magnetic head for detecting a signal recorded on a magnetic recording medium by utilizing a magnetoresistive effect. The present invention relates to a resistance effect type magnetic head.
【０００２】[0002]
【従来の技術】磁気記録装置に使用される磁気ヘッドの
中でも、特に再生専用として、強磁性体に特有の磁気抵
抗効果を利用し、磁気記録媒体に記録された信号を検出
する磁気抵抗効果型磁気ヘッドが知られている（特開平
２−６８７０６号あるいは特開平２−２２０２１３号公
報）。また、磁気抵抗効果型磁気ヘッドには、基板上
に、一対の磁気シールド層と、媒体からの信号磁界を読
み取る磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜に横バイアス
磁界を印加するための横バイアス磁界印加手段と、磁気
抵抗効果膜中の磁区構造を制御するための磁区制御手段
と、磁気抵抗効果膜に、センス電流を流すための電極と
を備えているものもある。2. Description of the Related Art Among magnetic heads used in a magnetic recording device, a magnetoresistive effect type that detects a signal recorded on a magnetic recording medium by utilizing a magnetoresistive effect peculiar to a ferromagnetic material, especially for reproduction only A magnetic head is known (JP-A-2-68706 or JP-A-2-220213). Further, in the magnetoresistive head, a pair of magnetic shield layers, a magnetoresistive film for reading a signal magnetic field from the medium, and a lateral bias for applying a lateral bias magnetic field to the magnetoresistive film are provided on the substrate. Some magnetic field applying means are provided with magnetic domain control means for controlling the magnetic domain structure in the magnetoresistive effect film, and electrodes for flowing a sense current in the magnetoresistive effect film.
【０００３】通常、前記一対の磁気シールド層は、上部
磁気シールド層と下部磁気シールド層とから構成されて
いる。そして、上部磁気シールド層と電極との間、およ
び、下部磁気シールド層と電極との間には、絶縁層が設
けられている。この絶縁層は、上部、下部磁気シールド
層へのセンス電流の漏洩を防いでいる。Usually, the pair of magnetic shield layers is composed of an upper magnetic shield layer and a lower magnetic shield layer. An insulating layer is provided between the upper magnetic shield layer and the electrode and between the lower magnetic shield layer and the electrode. This insulating layer prevents the sense current from leaking to the upper and lower magnetic shield layers.
【０００４】また、通常、下部磁気シールド層は、前述
した絶縁層よりも、かなり厚く形成されており、この場
合、下部磁気シールド層のエッジ部は、段差状になる。
また、下部磁気シールド層程ではないが、電極について
も、そのエッジ部において段差が形成される。エッジ部
とは、その層の周縁部分である。Further, the lower magnetic shield layer is usually formed to be considerably thicker than the above-mentioned insulating layer, and in this case, the edge portion of the lower magnetic shield layer has a step shape.
Further, although not so much as the lower magnetic shield layer, a step is formed at the edge part of the electrode as well. The edge portion is a peripheral portion of the layer.
【０００５】一般的に、エッジ部が段差状になっている
層の表面を絶縁層で覆う場合、覆う場所によって、絶縁
層の厚さに差が生じる。具体的には、図８に示すよう
に、エッジ部が段差状になっている層２８の上面におけ
る絶縁層２９の厚さｔ1よりも、エッジ部の側面におけ
る絶縁層２９の厚さｔ2のほうが薄くなる。これは、絶
縁層の形成プロセスによるものである。In general, when the surface of a layer having a stepped edge portion is covered with an insulating layer, the thickness of the insulating layer varies depending on the place to be covered. Specifically, as shown in FIG. 8, the thickness t 2 of the insulating layer 29 on the side surface of the edge portion is smaller than the thickness t 1 of the insulating layer 29 on the upper surface of the layer 28 having a stepped edge portion. Becomes thinner. This is due to the process of forming the insulating layer.
【０００６】今後、磁気記録装置の記録密度をさらに増
大させるために、それに対応して磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドのギャップ部のギャップ長は、さらに狭くしていく
必要がある。ギャップ長を狭くすることは、ギャップ長
を構成する絶縁層の厚さを薄くすることであり、エッジ
部の側面を覆っている絶縁層の厚さは、必然的に薄くな
らざるをえない。In the future, in order to further increase the recording density of the magnetic recording apparatus, it is necessary to correspondingly reduce the gap length of the gap portion of the magnetoresistive head. Narrowing the gap length means reducing the thickness of the insulating layer forming the gap length, and the thickness of the insulating layer covering the side surface of the edge portion is inevitably thin.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところが、ギャップ部
の絶縁層を薄くしていくと、下部磁気シールド層のエッ
ジ部側面や電極のエッジ部側面での絶縁層のカバーレッ
ジが悪くなる。However, as the insulating layer in the gap portion is made thinner, the coverage of the insulating layer on the edge side surface of the lower magnetic shield layer and the electrode edge side surface becomes worse.
【０００８】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、これ
らのエッジ部側面の絶縁層について、特に何の考慮もさ
れておらず、最悪の場合、下部磁気シールド層のエッジ
部側面または電極のエッジ部側面において、電極のセン
ス電流が磁気シールド層に漏洩する。このため、磁気ヘ
ッドの出力が低下するという問題があった。In the conventional magnetoresistive head, no particular consideration is given to the insulating layers on the side surfaces of these edge portions, and in the worst case, the side surfaces of the edge portion of the lower magnetic shield layer or the edge portions of the electrodes. On the side surface, the sense current of the electrode leaks to the magnetic shield layer. Therefore, there is a problem that the output of the magnetic head is reduced.
【０００９】また、センス電流の漏洩まではいかなくと
も、エッジ部側面での絶縁層が薄くなると、側面におけ
る絶縁層の絶縁耐圧が著しく低下し、絶縁破壊を生じ易
くなる。このため、ヘッド取扱時、あるいはヘッド使用
時に、一定以上の静電圧がかかると、絶縁破壊を起こ
し、ヘッドが使用不能になるという問題があった。Further, even if the sense current does not leak, if the insulating layer on the side surface of the edge portion becomes thin, the withstand voltage of the insulating layer on the side surface remarkably lowers, and dielectric breakdown easily occurs. For this reason, when a static voltage of a certain level or more is applied when the head is handled or used, there is a problem that dielectric breakdown occurs and the head becomes unusable.
【００１０】そこで、本発明の第１の目的は、下部磁気
シールド層のエッジ部側面における絶縁層の絶縁抵抗お
よび絶縁耐圧が高い磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供す
ることにある。Therefore, a first object of the present invention is to provide a magnetoresistive head having a high insulation resistance and a high withstand voltage of the insulating layer on the side surface of the edge portion of the lower magnetic shield layer.
【００１１】また、第２の目的は、電極のエッジ部側面
における絶縁層の絶縁抵抗および絶縁耐圧が高い磁気抵
抗効果型磁気ヘッドを提供することにある。A second object of the present invention is to provide a magnetoresistive head having a high insulation resistance and high withstand voltage of the insulating layer on the side surface of the edge portion of the electrode.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の本発明の第１の態様によれば、基板上に、上部および
下部磁気シールド層を設け、前記上部磁気シールド層と
前記下部磁気シールド層との間に、磁気記録媒体からの
信号磁界を読み取る磁気抵抗効果膜および前記磁気抵抗
効果膜にセンス電流を流すための電極を有する磁気抵抗
効果型磁気ヘッドであって、前記下部磁気シールド層の
表面および前記電極の表面をそれぞれ覆う絶縁層を備
え、前記電極は、互いに対向するように形成され、前記
対向する電極間の下部領域における、前記磁気抵抗効果
膜および前記絶縁層で、ギャップ部を構成し、前記下部
磁気シールド層のエッジ部側面の少なくとも一部の絶縁
層の厚さが、前記ギャップ部における絶縁層の厚さより
も厚いことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドが提
供される。According to a first aspect of the present invention for solving the above problems, upper and lower magnetic shield layers are provided on a substrate, and the upper magnetic shield layer and the lower magnetic shield are provided. A magnetoresistive effect magnetic head having a magnetoresistive effect film for reading a signal magnetic field from a magnetic recording medium and an electrode for flowing a sense current through the magnetoresistive effect film, the lower magnetic shield layer. An insulating layer covering the surface of the electrode and the surface of the electrode, the electrodes are formed to face each other, and the gap portion is formed between the magnetoresistive film and the insulating layer in a lower region between the facing electrodes. And the thickness of the insulating layer of at least a part of the side surface of the edge portion of the lower magnetic shield layer is thicker than the thickness of the insulating layer in the gap portion. That the magnetoresistive head is provided.
【００１３】本発明の第２の態様によれば、第１の態様
において、前記電極のエッジ部側面の少なくとも一部の
絶縁層の厚さが、前記ギャップ部における絶縁層の厚さ
よりも厚いことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド
が提供される。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, at least a part of the insulating layer on the side surface of the edge portion of the electrode is thicker than the insulating layer in the gap portion. A magnetoresistive effect magnetic head is provided.
【００１４】本発明の第３の態様によれば、第１の態様
において、前記下部磁気シールド層のエッジ部側面の少
なくとも一部、および、前記電極のエッジ部側面の少な
くとも一部、の絶縁層の厚さが、前記ギャップ部におけ
る絶縁層の厚さよりも厚いことを特徴とする磁気抵抗効
果型磁気ヘッドが提供される。According to a third aspect of the present invention, in the first aspect, the insulating layer of at least a part of the side surface of the edge portion of the lower magnetic shield layer and at least a part of the side surface of the edge portion of the electrode. A magnetic head of the magnetoresistive effect is provided, wherein the magnetic head is thicker than the insulating layer in the gap portion.
【００１５】また、本発明の態様において、エッジ部側
面の少なくとも一部の絶縁層を厚くするために、その部
分の絶縁層が多層化されている。Further, in the aspect of the present invention, in order to increase the thickness of at least a part of the insulating layer on the side surface of the edge portion, the insulating layer at that portion is multi-layered.
【００１６】[0016]
【作用】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドによれば、
電極から下部磁気シールド層へのセンス電流の漏洩およ
び絶縁破壊を低減することができる。According to the magnetoresistive effect magnetic head of the present invention,
Leakage of the sense current from the electrode to the lower magnetic shield layer and dielectric breakdown can be reduced.
【００１７】また、電極から上部磁気シールド層へのセ
ンス電流の漏洩および絶縁破壊を低減することができ
る。Further, leakage of the sense current from the electrode to the upper magnetic shield layer and dielectric breakdown can be reduced.
【００１８】[0018]
【実施例】以下に、本発明の一実施例に係る磁気抵抗効
果型磁気ヘッドについて図面を用いて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A magnetoresistive effect magnetic head according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１９】第１の実施例として、上部磁気シールド層
と電極との間、および、下部磁気シールド層と電極との
間の絶縁層が、感磁部を除いて多層化されている磁気抵
抗効果型磁気ヘッドについて説明する。As a first embodiment, the magnetoresistive effect in which the insulating layers between the upper magnetic shield layer and the electrodes and between the lower magnetic shield layer and the electrodes are multilayered except for the magnetic sensitive portion The magnetic head will be described.
【００２０】図１、図２および図７において、磁気抵抗
効果型磁気ヘッド２２は、基板１上に、図示しない磁気
記録媒体へ信号を書き込むための記録ヘッド部２１と、
磁気記録媒体から、信号を読み出すための再生ヘッド部
１６とを備えている。1, 2, and 7, a magnetoresistive effect magnetic head 22 includes a recording head portion 21 for writing a signal on a magnetic recording medium (not shown) on a substrate 1.
The reproducing head unit 16 is provided for reading a signal from the magnetic recording medium.
【００２１】再生ヘッド部１６は、上部磁気シールド層
１４と、下部磁気シールド層３と、前記磁気記録媒体か
らの信号磁界を読み取る磁気抵抗効果膜９と、磁気抵抗
効果膜９に横バイアス磁界を印加するための軟磁性ソフ
トバイアス膜７と、磁気抵抗効果膜中の磁区構造を制御
するための磁区制御用バイアス膜１０と、高抵抗導電体
膜８と、磁気抵抗効果膜９にセンス電流を流すための電
極１１と、電極１１を絶縁するための絶縁層４、１２と
を備えている。また、絶縁層５、１３をさらに備えて、
絶縁層が多層化されている。下部磁気シールド層３は、
エッジ部２４が段差状に形成されている。また、電極１
１の外側エッジ部２５についても、段差が形成されてい
る。The reproducing head portion 16 has an upper magnetic shield layer 14, a lower magnetic shield layer 3, a magnetoresistive effect film 9 for reading a signal magnetic field from the magnetic recording medium, and a transverse bias magnetic field for the magnetoresistive effect film 9. A soft magnetic soft bias film 7 for applying a bias current, a magnetic domain control bias film 10 for controlling a magnetic domain structure in the magnetoresistive effect film, a high resistance conductor film 8, and a magnetoresistive effect film 9 are supplied with a sense current. An electrode 11 for flowing and insulating layers 4 and 12 for insulating the electrode 11 are provided. Further, further comprising insulating layers 5 and 13,
The insulating layer is multilayered. The lower magnetic shield layer 3 is
The edge portion 24 is formed in a stepped shape. Also, the electrode 1
A step is also formed on the outer edge portion 25 of No. 1.
【００２２】また、対向する電極１１の間の下部領域に
おいて、軟磁性ソフトバイアス膜７、高抵抗導電体膜
８、および、磁気抵抗効果膜９により、感磁部６を形成
している。また、感磁部６と、感磁部６の下側の絶縁層
４と、感磁部６の上側の絶縁層１２とで、ギャッブ部２
３を形成している。ギャッブ部２３の厚さは、ギャップ
長となる。In the lower region between the opposing electrodes 11, the soft magnetic soft bias film 7, the high resistance conductor film 8 and the magnetoresistive effect film 9 form the magnetically sensitive portion 6. In addition, the magnetic sensing portion 6, the insulating layer 4 below the magnetic sensitive portion 6, and the insulating layer 12 above the magnetic sensitive portion 6 make the gap portion 2
3 is formed. The thickness of the gab portion 23 is the gap length.
【００２３】記録ヘッド部２１は、上部磁極１８と、下
部磁極１７と、上部磁極１８と下部磁極１７との間に設
けられるコイル１９とを備えている。The recording head portion 21 includes an upper magnetic pole 18, a lower magnetic pole 17, and a coil 19 provided between the upper magnetic pole 18 and the lower magnetic pole 17.
【００２４】つぎに、前述した磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの製作方法の一例を記述する。Next, an example of a method of manufacturing the above-described magnetoresistive effect magnetic head will be described.
【００２５】磁気抵抗効果型磁気ヘッド２２は、絶縁
体、例えば、アルミナＴｉＣからなる基板１上に、下地
絶縁層２（例えば、アルミナからなる絶縁層）が平坦化
用に厚付けされる。つぎに、下部磁気シールド層３を１
〜４μｍ積層し、所定の形状に加工する。この加工につ
いては、例えば、フォトリソグラフィとドライエッチン
グ法により行う。そして、絶縁層４（例えば、アルミナ
からなる絶縁層）を０．０５〜０．２μｍ積層し、ギャ
ップ部２３の一部を形成する。下部磁気シールド層３お
よび絶縁層４は、例えば、スパッタリング法によって積
層される。In the magnetoresistive head 22, a base insulating layer 2 (eg, an insulating layer made of alumina) is thickly formed on a substrate 1 made of an insulating material such as alumina TiC for flattening. Next, the lower magnetic shield layer 3 is set to 1
Layer up to 4 μm and process into a predetermined shape. This processing is performed by photolithography and dry etching, for example. Then, the insulating layer 4 (for example, an insulating layer made of alumina) is laminated by 0.05 to 0.2 μm to form a part of the gap portion 23. The lower magnetic shield layer 3 and the insulating layer 4 are stacked by, for example, a sputtering method.
【００２６】本実施例では、絶縁層４をはじめ、絶縁層
にアルミナを使用しているが、アルミナ以外の絶縁体で
ある、シリカ、あるいはチタニアなどを用いてもよい。In the present embodiment, alumina is used for the insulating layer including the insulating layer 4, but an insulator other than alumina, such as silica or titania, may be used.
【００２７】このように絶縁層４を積層した後、続い
て、絶縁層５を積層する。絶縁層５は、磁気抵抗効果ヘ
ッド２２の感磁部６およびその近傍を除いて、下部磁気
シールド層３の表面全体を絶縁層４を介して覆うことが
できるように積層する。また、絶縁層５は、例えば、リ
フトオフ法を用いて、膜厚０．１μｍ以上に積層する。After the insulating layer 4 is laminated in this manner, the insulating layer 5 is subsequently laminated. The insulating layer 5 is laminated so that the entire surface of the lower magnetic shield layer 3 can be covered with the insulating layer 4 except for the magnetic sensitive portion 6 of the magnetoresistive head 22 and its vicinity. The insulating layer 5 is stacked to have a film thickness of 0.1 μm or more by using, for example, a lift-off method.
【００２８】したがって、図２および図７に示すよう
に、下部磁気シールド層３のエッジ部２４と電極１１と
の間の絶縁部分２６が多層化され、この部分の絶縁層の
厚さが増す。Therefore, as shown in FIGS. 2 and 7, the insulating portion 26 between the edge portion 24 of the lower magnetic shield layer 3 and the electrode 11 is multi-layered, and the thickness of the insulating layer at this portion is increased.
【００２９】この後、軟磁性ソフトバイアス膜７、高抵
抗導電体膜８、および、磁気抵抗効果膜９を積層し、所
定の形状に加工する。これら、軟磁性ソフトバイアス膜
７、高抵抗導電体膜８、および、磁気抵抗効果膜９は、
例えば、スパッタリング法により積層する。また、これ
らは、蒸着法により積層してもよい。また、これらは、
例えば、フォトリソグラフィとドライエッチ法により所
定の形状に加工することができる。Thereafter, the soft magnetic soft bias film 7, the high resistance conductor film 8 and the magnetoresistive effect film 9 are laminated and processed into a predetermined shape. The soft magnetic soft bias film 7, the high resistance conductor film 8 and the magnetoresistive effect film 9 are
For example, the layers are stacked by a sputtering method. Further, these may be laminated by a vapor deposition method. Also, these are
For example, it can be processed into a predetermined shape by photolithography and dry etching.
【００３０】続いて、磁気抵抗効果膜９中の磁区構造を
制御するための磁区制御用バイアス膜１０と、電極１１
を形成する導体層、例えば、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎｂからなる
導体層とを、例えば、スパッタリング法により積層す
る。この積層方法は、蒸着法を用いてもよい。電極１１
は、例えば、リフトオフ法を用いて、所定の形状に形成
される。ただし、電極１１を形成する場合、磁区制御用
バイアス膜１０が、磁気抵抗効果膜９上にエピタキシャ
ル的に成長する必要がある。したがって、磁気抵抗効果
膜９の表面は、予めダメージを与えずに、僅かにクリー
ニングする必要がある。このクリ−ニング方法は、イオ
ンクリーニング法を用いてもよい。Next, a magnetic domain control bias film 10 for controlling the magnetic domain structure in the magnetoresistive film 9, and an electrode 11.
And a conductor layer for forming Nb / Au / Nb are laminated by, for example, a sputtering method. A vapor deposition method may be used as this stacking method. Electrode 11
Is formed into a predetermined shape by using, for example, a lift-off method. However, when forming the electrode 11, the magnetic domain controlling bias film 10 needs to be epitaxially grown on the magnetoresistive film 9. Therefore, the surface of the magnetoresistive film 9 needs to be slightly cleaned without damaging it in advance. An ion cleaning method may be used as this cleaning method.
【００３１】本実施例において、磁気抵抗効果膜９にＮ
ｉＦｅ膜、磁区制御用バイアス膜１０にＦｅＭｎＮｉ
膜、そしてソフトバイアス膜７にＮｉＦｅＣｏＮｂ膜を
使用している。これらのほか、例えば、磁気抵抗効果膜
９に、ＮｉＣｏ膜あるいはＮｉＦｅＣｏ膜、磁区制御用
バイアス膜１０に、その他の反強磁性膜あるいはＣｏＰ
ｔなどの永久磁石膜、ソフトバイアス膜７に、ＮｉＦｅ
Ｒｈ膜などの軟磁性体膜を用いてもよい。In this embodiment, the magnetoresistive film 9 is made of N.
FeMnNi is used for the iFe film and the bias film 10 for controlling the magnetic domain.
A NiFeCoNb film is used for the film and the soft bias film 7. In addition to these, for example, the magnetoresistive film 9, the NiCo film or the NiFeCo film, the bias film 10 for controlling the magnetic domain, the other antiferromagnetic film or CoP.
NiFe on the permanent magnet film such as t and the soft bias film 7
A soft magnetic film such as a Rh film may be used.
【００３２】以上のように電極１１まで形成した後、ギ
ャップ部２３の一部を形成する絶縁層１２を、０．０５
〜０．２μｍ積層する。その後、図２および図７に示す
ように、絶縁層１３を、感磁部６およびその近傍を除い
て、電極１１の外側エッジ部２５の一部を覆うように積
層する。絶縁層１３は、例えば、リフトオフ法により膜
厚０．１μｍ以上積層する。したがって、電極１１の外
側エッジ部２５と上部磁気シールド層１４との間の絶縁
部分２７は、多層化され、その部分の厚さが増すことに
なる。このとき、上部磁気シールド層１４に覆われるこ
とのない位置にある電極１１の外側エッジ部２５は、多
層化する必要がない。なぜなら、上部磁気シールド層１
４に覆われない部分については、電極１１からのセンス
電流の漏洩がほとんど無いからである。また、感磁部６
の近傍を除いた電極１１の内側のエッジ部と上部磁気シ
ールド層１４との間の絶縁部分３０も多層化される。After forming the electrode 11 as described above, the insulating layer 12 forming a part of the gap portion 23 is formed with a thickness of 0.05
˜0.2 μm stacked. After that, as shown in FIGS. 2 and 7, the insulating layer 13 is laminated so as to cover a part of the outer edge portion 25 of the electrode 11 except for the magnetic sensitive portion 6 and the vicinity thereof. The insulating layer 13 is laminated by, for example, a lift-off method to have a film thickness of 0.1 μm or more. Therefore, the insulating portion 27 between the outer edge portion 25 of the electrode 11 and the upper magnetic shield layer 14 is multi-layered and the thickness of that portion is increased. At this time, the outer edge portion 25 of the electrode 11 at a position where it is not covered by the upper magnetic shield layer 14 does not need to be multilayered. Because the upper magnetic shield layer 1
This is because there is almost no leakage of the sense current from the electrode 11 in the portion not covered with 4. In addition, the magnetic sensitive section 6
The insulating portion 30 between the edge portion inside the electrode 11 and the upper magnetic shield layer 14 except for the vicinity of is also multi-layered.
【００３３】つぎに、上部磁気シールド層１４を、例え
ば、スパッタリング法などで１〜４μｍ積層して、所定
の形状に加工する。最後に、保護と平坦化を目的として
絶縁膜１５を数μｍ以上厚付けし、例えば、エッチバッ
ク法で平坦化して、再生ヘッド部１６の作製を終了す
る。Next, the upper magnetic shield layer 14 is laminated in a thickness of 1 to 4 μm, for example, by a sputtering method or the like, and processed into a predetermined shape. Finally, the insulating film 15 is thickened by several μm or more for the purpose of protection and flattening, and is flattened by, for example, an etch-back method, and the production of the reproducing head portion 16 is completed.
【００３４】そして、この平坦化した絶縁膜１５の上
に、下部磁極１７、上部磁極１８、コイル１９および絶
縁層２０を順に形成して、記録ヘッド部２１を作製し、
複合ヘッドの形で磁気抵抗効果型磁気ヘッド２２の作製
を終了する。Then, a lower magnetic pole 17, an upper magnetic pole 18, a coil 19 and an insulating layer 20 are sequentially formed on the flattened insulating film 15 to produce a recording head portion 21,
The fabrication of the magnetoresistive effect magnetic head 22 in the form of a composite head is completed.
【００３５】また、下部磁極１７を省いて、上部磁気シ
ールド層１４を下部磁極として兼用することもできる。Further, the lower magnetic pole 17 may be omitted and the upper magnetic shield layer 14 may be used also as the lower magnetic pole.
【００３６】次に、本実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド２２の動作原理について説明する。Next, the operating principle of the magnetoresistive effect magnetic head 22 of this embodiment will be described.
【００３７】磁気ヘッド２２は、記録ヘッド部２１に
て、電磁誘導を利用して図示しない磁気記録媒体に信号
を書き込む。この信号を再生する場合は、再生ヘッド部
１６にて、信号を読み出す。この信号を読み出す場合、
まず、電極１１を通して、磁気抵抗効果膜９、導電体膜
８、およびソフトバイアス膜７にセンス電流を流す。セ
ンス電流が流れると、主としてソフトバイアス膜７の作
る磁界により、磁気抵抗効果膜９中の磁化の向きが、前
記センス電流方向に対してある角度をなす。この角度
を、前記センス電流を調節することにより、約４５度に
し、最適なバイアス状態にする。The magnetic head 22 writes a signal in a magnetic recording medium (not shown) in the recording head section 21 by utilizing electromagnetic induction. When reproducing this signal, the reproducing head unit 16 reads the signal. When reading this signal,
First, a sense current is passed through the magnetoresistive effect film 9, the conductor film 8 and the soft bias film 7 through the electrode 11. When the sense current flows, the direction of magnetization in the magnetoresistive effect film 9 forms an angle with the sense current direction mainly due to the magnetic field generated by the soft bias film 7. This angle is set to about 45 degrees by adjusting the sense current, and the optimum bias state is obtained.
【００３８】この状態で、磁気記録媒体に書き込まれ
た、極性の異なる信号磁界が磁気抵抗効果膜９に入る
と、その強度に応じて、磁気抵抗効果膜９中の磁化は回
転し、前述した角度が４５度から増大もしくは減少す
る。この角度変化に対応して、磁気抵抗効果膜９の電気
抵抗は減少もしくは増大する。そして、この磁気抵抗効
果膜９の抵抗変化を電圧変化として検出することで前述
の信号の読み出しが可能となる。この電圧変化、すなわ
ち出力は、磁気抵抗効果膜９に流す電流に比例して増大
する。In this state, when the signal magnetic fields with different polarities written in the magnetic recording medium enter the magnetoresistive effect film 9, the magnetization in the magnetoresistive effect film 9 rotates according to the strength thereof, and the above-mentioned is performed. The angle increases or decreases from 45 degrees. The electric resistance of the magnetoresistive effect film 9 decreases or increases in accordance with the change in the angle. Then, by detecting the resistance change of the magnetoresistive effect film 9 as a voltage change, the signal can be read out. This voltage change, that is, the output increases in proportion to the current flowing through the magnetoresistive effect film 9.
【００３９】このような再生動作を行っている間、ジュ
ール熱により、磁気抵抗効果膜９およびソフトバイアス
膜７の温度が上昇する。この温度は、電極１１および上
下の絶縁層４、１２を通して逃げる熱量と前記ジュール
熱の熱量とのバランスにより、ある一定値に落ち着く。
この温度が高すぎると、磁気抵抗効果膜９の抵抗変化率
が低下するため出力が低下する。また、エレクトロマイ
グレーションが加速され、ヘッドの寿命が低下する。し
たがって、前記温度は、できるだけ低く抑制する方が良
い。During the reproducing operation as described above, the temperatures of the magnetoresistive film 9 and the soft bias film 7 rise due to Joule heat. This temperature settles at a certain value due to the balance between the amount of heat that escapes through the electrode 11 and the upper and lower insulating layers 4 and 12 and the amount of Joule heat.
If this temperature is too high, the rate of change in resistance of the magnetoresistive effect film 9 decreases, and the output decreases. In addition, electromigration is accelerated and the life of the head is shortened. Therefore, it is better to keep the temperature as low as possible.
【００４０】一方、磁気抵抗効果膜９は、磁気抵抗効果
膜９上に積層された磁区制御用バイアス膜１０との間の
交換結合により、磁化容易軸方向に、適当なバイアス磁
界が働いている。そして、この効果によって、磁気抵抗
効果膜９中は、ほぼ単磁区状態が保たれている。したが
って、この状態で信号の書き込み、読み出し動作を行っ
ても、バルクハウゼンノイズは発生しない。しかし、前
記バイアス磁界が弱いと磁気抵抗効果膜９中の単磁区状
態が崩れ、磁区の発生によってバルクハウゼンノイズが
発生することになる。したがって、交換結合によるバイ
アス磁界の強度は、ある程度以上の大きさが必要であ
る。On the other hand, in the magnetoresistive effect film 9, an appropriate bias magnetic field acts in the easy magnetization axis direction by exchange coupling with the magnetic domain controlling bias film 10 laminated on the magnetoresistive effect film 9. . Due to this effect, the magnetoresistive effect film 9 maintains a substantially single magnetic domain state. Therefore, Barkhausen noise does not occur even if the signal writing and reading operations are performed in this state. However, if the bias magnetic field is weak, the single domain state in the magnetoresistive effect film 9 collapses, and Barkhausen noise is generated due to the generation of magnetic domains. Therefore, the strength of the bias magnetic field due to the exchange coupling needs to be larger than a certain level.
【００４１】本実施例による磁気抵抗効果型磁気ヘッド
２２の動作原理は、以上説明した通りであるが、本実施
例の磁気抵抗効果型磁気ヘッドによれば、前述したよう
に、下部磁気シールド層３のエッジ部２４と電極１１と
の間、電極１１の外側エッジ部２５と上部磁気シールド
層１４との間、および、感磁部６の近傍を除いた電極１
１の内側のエッジ部と上部磁気シールド層１４との間に
おける絶縁層が厚くなっている。したがって、この領域
において、センス電流の漏洩、もしくは、絶縁層の絶縁
破壊を低減することができる。The operating principle of the magnetoresistive effect magnetic head 22 according to this embodiment is as described above. However, according to the magnetoresistive effect magnetic head of this embodiment, as described above, the lower magnetic shield layer is used. 3 between the edge portion 24 and the electrode 11, between the outer edge portion 25 of the electrode 11 and the upper magnetic shield layer 14, and the electrode 1 excluding the vicinity of the magnetic sensitive portion 6.
The insulating layer between the inner edge portion of 1 and the upper magnetic shield layer 14 is thick. Therefore, in this region, the leakage of the sense current or the dielectric breakdown of the insulating layer can be reduced.
【００４２】なお、前述した実施例は、バイアス磁界印
加法としてソフトフィルムバイアス法を利用している。
しかし、特に、ソフトフィルムバイアス法に限ったもの
ではなく、シャントバイアス法や永久磁石バイアス法な
どのその他のバイアス法を用いても本発明の効果は変わ
らない。The above-described embodiment uses the soft film bias method as the bias magnetic field applying method.
However, the effect of the present invention is not particularly limited to the soft film bias method, and other bias methods such as the shunt bias method and the permanent magnet bias method can be used.
【００４３】つぎに、第２の実施例として、第１の実施
例における絶縁層５および絶縁層１３と形状が異なる絶
縁層を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドについて説明す
る。図３および図４において、本実施例の磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの構成要素は、第１の実施例の構成要素と
同一である。Next, as a second embodiment, a magnetoresistive head having an insulating layer having a shape different from those of the insulating layers 5 and 13 in the first embodiment will be described. 3 and 4, the constituent elements of the magnetoresistive effect magnetic head of the present embodiment are the same as those of the first embodiment.
【００４４】以下に本実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの製作方法の一例を記述する。An example of a method of manufacturing the magnetoresistive effect magnetic head of this embodiment will be described below.
【００４５】図３および図４において、磁気抵抗効果型
磁気ヘッド２２は、絶縁体、例えば、アルミナＴｉＣか
らなる基板１上に、下地絶縁層２（例えば、アルミナか
らなる絶縁層）が平坦化用に厚付けされる。つぎに、下
部磁気シールド層３を１〜４μｍ積層し、所定の形状に
加工する。この加工については、例えば、フォトリソグ
ラフィとドライエッチング法により行う。そして、絶縁
層４（例えば、アルミナからなる絶縁層）を０．０５〜
０．２μｍ積層し、ギャップ部２３の一部を形成する。
下部磁気シールド層３および絶縁層４は、例えば、スパ
ッタリング法によって積層される。In FIGS. 3 and 4, the magnetoresistive effect magnetic head 22 has a base insulating layer 2 (for example, an insulating layer made of alumina) for flattening on a substrate 1 made of an insulating material, for example, alumina TiC. To be thickened. Next, the lower magnetic shield layer 3 is laminated in a thickness of 1 to 4 μm and processed into a predetermined shape. This processing is performed by photolithography and dry etching, for example. Then, the insulating layer 4 (for example, an insulating layer made of alumina) is 0.05 to
The layers are laminated in a thickness of 0.2 μm to form a part of the gap 23.
The lower magnetic shield layer 3 and the insulating layer 4 are stacked by, for example, a sputtering method.
【００４６】本実施例でも、絶縁層として、アルミナを
使用しているが、アルミナ以外の絶縁体である、シリ
カ、あるいはチタニアなどを用いてもよい。Although alumina is used as the insulating layer in this embodiment as well, silica or titania, which is an insulator other than alumina, may be used.
【００４７】このように絶縁層４を積層した後、続い
て、軟磁性ソフトバイアス膜７、高抵抗導電体膜８、お
よび、磁気抵抗効果膜９を積層し、所定の形状に加工す
る。これら、軟磁性ソフトバイアス膜７、高抵抗導電体
膜８、および、磁気抵抗効果膜９は、例えば、スパッタ
リング法により積層する。また、これらは、蒸着法によ
り積層してもよい。また、これらは、例えば、フォトリ
ソグラフィとドライエッチング法により所定の形状に加
工することができる。つぎに、絶縁層５を、例えば、リ
フトオフ法を用いて膜厚０．１μｍ以上積層する。そし
て、絶縁層５は、下部磁気シールド層３のエッジ部２４
の一部を、絶縁層４を介して覆うことができるように積
層される。したがって、図３および図４に示すように、
下部磁気シールド層３のエッジ部２４と電極１１との間
の絶縁部分２６が多層化されることになり、その部分の
厚さが増す。このとき、電極１１に覆われることのない
位置にある下部磁気シールド層３のエッジ部２４につい
ては、多層化する必要がない。なぜなら、電極１１に覆
われない部分については、電極１１からのセンス電流の
漏洩がほとんど無いからである。After laminating the insulating layer 4 in this manner, subsequently, the soft magnetic soft bias film 7, the high resistance conductor film 8 and the magnetoresistive effect film 9 are laminated and processed into a predetermined shape. The soft magnetic soft bias film 7, the high resistance conductor film 8 and the magnetoresistive effect film 9 are stacked by, for example, a sputtering method. Further, these may be laminated by a vapor deposition method. Further, these can be processed into a predetermined shape by, for example, photolithography and dry etching. Next, the insulating layer 5 is laminated with a film thickness of 0.1 μm or more by using, for example, a lift-off method. The insulating layer 5 is formed on the edge portion 24 of the lower magnetic shield layer 3.
Are partially laminated so that they can be covered via the insulating layer 4. Therefore, as shown in FIGS. 3 and 4,
The insulating portion 26 between the edge portion 24 of the lower magnetic shield layer 3 and the electrode 11 is multilayered, and the thickness of that portion increases. At this time, the edge portion 24 of the lower magnetic shield layer 3 located at a position where it is not covered by the electrode 11 does not need to be multilayered. This is because there is almost no leakage of the sense current from the electrode 11 in the portion not covered with the electrode 11.
【００４８】この後、磁気抵抗効果膜９中の磁区構造を
制御するための磁区制御用バイアス膜１０と、電極１１
を形成する導体層、例えば、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎｂなどから
なる導体層とを、スパッタリング法により積層する。こ
の積層方法は、蒸着法を用いてもよい。電極１１は、例
えば、リフトオフ法を用いて、所定の形状に形成され
る。ただし、電極１１を形成する場合、磁区制御用バイ
アス膜１０が、磁気抵抗効果膜９上にエピタキシャル的
に成長する必要がある。したがって、磁気抵抗効果膜９
の表面は、予めダメージを与えずに、僅かにクリーニン
グする必要がある。このクリ−ニング方法は、イオンク
リーニング法を用いてもよい。After this, the magnetic domain control bias film 10 for controlling the magnetic domain structure in the magnetoresistive film 9 and the electrode 11 are formed.
And a conductor layer for forming Nb / Au / Nb are laminated by a sputtering method. A vapor deposition method may be used as this stacking method. The electrode 11 is formed in a predetermined shape by using, for example, a lift-off method. However, when forming the electrode 11, the magnetic domain controlling bias film 10 needs to be epitaxially grown on the magnetoresistive film 9. Therefore, the magnetoresistive film 9
The surface must be slightly cleaned in advance without damaging it. An ion cleaning method may be used as this cleaning method.
【００４９】本実施例において、磁気抵抗効果膜９にＮ
ｉＦｅ膜、磁区制御用バイアス膜１０にＦｅＭｎＮｉ
膜、そしてソフトバイアス膜７にＮｉＦｅＣｏＮｂ膜を
使用している。これらのほか、例えば、磁気抵抗効果膜
９に、ＮｉＣｏ膜あるいはＮｉＦｅＣｏ膜、磁区制御用
バイアス膜１０に、その他の反強磁性膜あるいはＣｏＰ
ｔなどの永久磁石膜、ソフトバイアス膜７に、ＮｉＦｅ
Ｒｈ膜などの軟磁性体膜を用いてもよい。In this embodiment, the magnetoresistive film 9 is made of N.
FeMnNi is used for the iFe film and the bias film 10 for controlling the magnetic domain.
A NiFeCoNb film is used for the film and the soft bias film 7. In addition to these, for example, the magnetoresistive film 9, the NiCo film or the NiFeCo film, the bias film 10 for controlling the magnetic domain, the other antiferromagnetic film or CoP.
NiFe on the permanent magnet film such as t and the soft bias film 7
A soft magnetic film such as a Rh film may be used.
【００５０】以上のように電極１１まで形成した後、ギ
ャップ部２３の一部を形成する絶縁層１２を、０．０５
〜０．２μｍ積層する。その後、図３および図４に示す
ように、絶縁層１３を、電極１１の外側エッジ部２５の
一部を覆うように積層する。絶縁層１３は、例えば、リ
フトオフ法により膜厚０．１μｍ以上積層する。After forming the electrode 11 as described above, the insulating layer 12 forming a part of the gap portion 23 is formed with a thickness of 0.05.
˜0.2 μm stacked. Then, as shown in FIGS. 3 and 4, the insulating layer 13 is laminated so as to cover a part of the outer edge portion 25 of the electrode 11. The insulating layer 13 is laminated by, for example, a lift-off method to have a film thickness of 0.1 μm or more.
【００５１】したがって、電極１１の外側エッジ部２５
と上部磁気シールド層１４との間の絶縁部分２７は、多
層化され、その部分の厚さが増すことになる。このと
き、上部磁気シールド層１４に覆われることのない位置
にある電極１１の外側エッジ部２５は、多層化する必要
がない。なぜなら、上部磁気シールド層１４に覆われな
い部分については、電極１１からのセンス電流の漏洩が
ほとんど無いからである。また、感磁部６の近傍を除い
た電極１１の内側のエッジ部と上部磁気シールド層１４
との間の絶縁部分３０も多層化される。Therefore, the outer edge portion 25 of the electrode 11 is
The insulating portion 27 between the upper magnetic shield layer 14 and the upper magnetic shield layer 14 is multi-layered, and the thickness of the portion is increased. At this time, the outer edge portion 25 of the electrode 11 at a position where it is not covered by the upper magnetic shield layer 14 does not need to be multilayered. This is because there is almost no leakage of the sense current from the electrode 11 in the portion not covered with the upper magnetic shield layer 14. In addition, the edge portion inside the electrode 11 excluding the vicinity of the magnetic sensitive portion 6 and the upper magnetic shield layer 14
The insulating portion 30 between and is also multilayered.
【００５２】つぎに、上部磁気シールド層１４を、例え
ば、スパッタリング法などで１〜４μｍ積層して、所定
の形状に加工する。最後に、保護と平坦化を目的として
絶縁膜１５を数μｍ以上厚付けし、例えば、エッチバッ
ク法で平坦化して再生ヘッド部１６の作製を終了する。Next, the upper magnetic shield layer 14 is laminated in a thickness of 1 to 4 μm by, for example, a sputtering method or the like, and processed into a predetermined shape. Finally, the insulating film 15 is applied with a thickness of several μm or more for the purpose of protection and flattening, and is flattened by, for example, an etch back method to finish the production of the reproducing head portion 16.
【００５３】さらに引き続き、この平坦化した絶縁膜１
５の上に、下部磁極１７、上部磁極１８、コイル１９お
よび絶縁層２０を順に形成して、記録ヘッド部２１を作
製し、複合ヘッドの形で磁気抵抗効果型磁気ヘッド２２
の作製を終了する。Further, subsequently, the flattened insulating film 1
5, a lower magnetic pole 17, an upper magnetic pole 18, a coil 19 and an insulating layer 20 are sequentially formed to form a recording head portion 21, and a magnetoresistive effect magnetic head 22 in the form of a composite head is produced.
The production of is completed.
【００５４】なお、下部磁極１７を省いて、上部磁気シ
ールド層１４を下部磁極として兼用することもできる。The lower magnetic pole 17 may be omitted and the upper magnetic shield layer 14 may be used also as the lower magnetic pole.
【００５５】本実施例による磁気抵抗効果型磁気ヘッド
２２の動作原理は、第１の実施例の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド２２と同様である。The operating principle of the magnetoresistive head 22 according to this embodiment is the same as that of the magnetoresistive head 22 of the first embodiment.
【００５６】本実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッド２２
による効果も、第１の実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド２２とほぼ同様であり、本実施例の磁気抵抗効果型磁
気ヘッドによれば、下部磁気シールド層３のエッジ部２
４と電極１１との間、電極１１の外側エッジ部２５と上
部磁気シールド層１４との間、および、感磁部６の近傍
を除いた電極１１の内側のエッジ部と上部磁気シールド
層１４との間における絶縁層が厚くなっている。したが
って、この領域において、センス電流の漏洩、もしく
は、絶縁層の絶縁破壊を低減することができる。The magnetoresistive effect magnetic head 22 of this embodiment.
The effect due to is almost the same as that of the magnetoresistive effect magnetic head 22 of the first embodiment. According to the magnetoresistive effect magnetic head of this embodiment, the edge portion 2 of the lower magnetic shield layer 3 is
4 and the electrode 11, between the outer edge portion 25 of the electrode 11 and the upper magnetic shield layer 14, and between the inner edge portion of the electrode 11 excluding the vicinity of the magnetic sensitive portion 6 and the upper magnetic shield layer 14. The insulating layer between is thick. Therefore, in this region, the leakage of the sense current or the dielectric breakdown of the insulating layer can be reduced.
【００５７】なお、本実施例の場合も、バイアス磁界印
加法としてソフトフィルムバイアス法を利用している。
しかし、特に、ソフトフィルムバイアス法に限ったもの
ではなく、シャントバイアス法や永久磁石バイアス法な
どのその他のバイアス法を用いても本発明の効果は変わ
らない。Also in the case of this embodiment, the soft film bias method is used as the bias magnetic field applying method.
However, the effect of the present invention is not particularly limited to the soft film bias method, and other bias methods such as the shunt bias method and the permanent magnet bias method can be used.
【００５８】次に、第３の実施例として、下部磁気シー
ルド層のエッジ部と電極との間の絶縁層が多層化されて
いる磁気抵抗効果型磁気ヘッド２２について説明する。Next, as a third embodiment, a magnetoresistive head 22 having a multilayered insulating layer between the edge of the lower magnetic shield layer and the electrode will be described.
【００５９】図５および図６において、磁気抵抗効果型
磁気ヘッド２２は、第２の実施例の絶縁層１３を作製し
ていないが、その他の構成および製作プロセスは、第２
の実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッド２２と同様であ
る。In FIG. 5 and FIG. 6, the magnetoresistive head 22 does not have the insulating layer 13 of the second embodiment, but other configurations and manufacturing processes are the same as those of the second embodiment.
This is similar to the magnetoresistive effect magnetic head 22 of the embodiment.
【００６０】また、本実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド２２によれば、下部磁気シールド層３のエッジ部２４
と電極１１との間の絶縁層が厚くなっているので、この
領域において、センス電流の漏洩もしくは絶縁層の絶縁
破壊を防ぐことができる。Further, according to the magnetoresistive effect magnetic head 22 of this embodiment, the edge portion 24 of the lower magnetic shield layer 3 is formed.
Since the insulating layer between the electrode and the electrode 11 is thick, leakage of the sense current or dielectric breakdown of the insulating layer can be prevented in this region.
【００６１】なお、本実施例の場合も、バイアス磁界印
加法としてソフトフィルムバイアス法を利用している。
しかし、特に、ソフトフィルムバイアス法に限ったもの
ではなく、シャントバイアス法や永久磁石バイアス法な
どのその他のバイアス法を用いても本発明の効果は変わ
らない。In this embodiment also, the soft film bias method is used as the bias magnetic field applying method.
However, the effect of the present invention is not particularly limited to the soft film bias method, and other bias methods such as the shunt bias method and the permanent magnet bias method can be used.
【００６２】以上、本発明の実施例について説明した
が、参考までに本発明の態様を記載すると、例えば、つ
ぎの通りである。Although the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments of the present invention will be described for reference, for example, as follows.
【００６３】（１）基板上に、下部、上部一対の磁気シ
−ルド層と、磁気記録媒体からの信号磁界を読み取る磁
気抵抗効果膜と、上下磁気シ−ルド層に挟まれ、磁気抵
抗効果膜にセンス電流を流すための電極を有する磁気抵
抗効果型磁気ヘッドにおいて、上記各磁気シ−ルド層と
電極との間の絶縁層を多層化したことを特徴とする磁気
抵抗効果型磁気ヘッド。(1) A pair of lower and upper magnetic shield layers on a substrate, a magnetoresistive film for reading a signal magnetic field from a magnetic recording medium, and an upper and lower magnetic shield layers to sandwich the magnetoresistive effect. A magnetoresistive effect magnetic head having an electrode for flowing a sense current through a film, wherein an insulating layer between each magnetic shield layer and the electrode is multilayered.
【００６４】（２）上記磁気シ−ルド層と上記電極との
間の多層化した絶縁層の膜厚が、少なくとも０．１μｍ
以上である（１）記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。(2) The thickness of the multi-layered insulating layer between the magnetic shield layer and the electrode is at least 0.1 μm.
The magnetoresistive effect magnetic head as described above in (1).
【００６５】（３）上記磁気シ−ルド層と上記電極との
間の多層化した絶縁層の絶縁抵抗が、少なくとも１００
ｋΩ以上か、もしくは絶縁耐圧が０．２Ｖ以上である
（１）記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。(3) The insulation resistance of the multi-layered insulating layer between the magnetic shield layer and the electrode has at least 100.
The magnetoresistive effect magnetic head according to (1), which has a kΩ or more or a withstand voltage of 0.2 V or more.
【００６６】（４）上記磁気シ−ルド層と上記電極との
間の信号読みだしギャップ部の絶縁層の膜厚と、その他
の磁気シ−ルド層と電極間の絶縁層の膜厚が異なり、後
者の膜厚の方が厚く、０．１μｍ以上であることを特徴
とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。(4) The film thickness of the insulating layer in the signal read gap between the magnetic shield layer and the electrode is different from the film thickness of the insulating layer between the other magnetic shield layer and the electrode. The magnetoresistive effect type magnetic head characterized in that the latter is thicker and has a thickness of 0.1 μm or more.
【００６７】（５）上記厚い方の磁気シ−ルド層と電極
間の絶縁層の絶縁抵抗が、少なくとも１００ｋΩ以上
か、もしくは絶縁耐圧が０．２Ｖ以上である（４）記載
の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。(5) The magnetoresistive effect type according to (4), wherein the insulation resistance of the insulating layer between the thicker magnetic shield layer and the electrode is at least 100 kΩ or more, or the withstand voltage is 0.2 V or more. Magnetic head.
【００６８】（６）一対の磁気シ−ルド層のうちの下部
磁気シ−ルド層のエッジ部と上記電極との間の絶縁層
と、さらに上記電極のエッジ部と上記一対の磁気シ−ル
ド層のうちの上部磁気シ−ルド層との間の絶縁層とをい
ずれも多層化した（１）記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。(6) An insulating layer between the edge of the lower magnetic shield layer of the pair of magnetic shield layers and the electrode, and further, the edge of the electrode and the pair of magnetic shields. (1) The magnetoresistive effect magnetic head according to (1), wherein an insulating layer between the upper magnetic shield layer and the upper magnetic shield layer is multilayered.
【００６９】（７）下部磁気シ−ルド層のエッジ部と上
記電極との間の多層化した絶縁層、および上記電極のエ
ッジ部と上記上部磁気シ−ルド層との間の多層化した絶
縁層の膜厚が、少なくとも０．１μｍ以上である（６）
記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。(7) Multi-layered insulating layer between the edge of the lower magnetic shield layer and the electrode, and multi-layered insulation between the edge of the electrode and the upper magnetic shield layer. The layer thickness is at least 0.1 μm or more (6)
The magnetoresistive effect magnetic head described.
【００７０】（８）上記下部磁気シ−ルド層のエッジ部
と上記電極との間の多層化した絶縁層、および、上記電
極のエッジ部と上記上部磁気シ−ルド層との間の多層化
した絶縁層の絶縁抵抗が、少なくとも１００ｋΩ以上
か、もしくは絶縁耐圧が０．２Ｖ以上である（６）記載
の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。(8) A multi-layered insulating layer between the edge of the lower magnetic shield layer and the electrode, and a multi-layer between the edge of the electrode and the upper magnetic shield layer. The magnetic resistance type magnetic head according to (6), wherein the insulation resistance of the insulating layer is at least 100 kΩ or more, or the withstand voltage is 0.2 V or more.
【００７１】（９）上記一対の磁気シ−ルド層のうち特
に下部磁気シ−ルド層のエッジ部と上記電極との間に積
層された絶縁層のみを多層化したことを特徴とする磁気
抵抗効果型磁気ヘッド。(9) Of the pair of magnetic shield layers, the magnetoresistive layer is characterized in that only the insulating layer laminated between the edge portion of the lower magnetic shield layer and the electrode is multi-layered. Effect type magnetic head.
【００７２】（１０）上記下部磁気シ−ルド層のエッジ
部と上記電極との間の多層化した絶縁層の膜厚が、少な
くとも０．１μｍ以上である（９）記載の磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。(10) The magnetoresistive effect type magnet according to (9), wherein the thickness of the multi-layered insulating layer between the edge portion of the lower magnetic shield layer and the electrode is at least 0.1 μm or more. head.
【００７３】（１１）上記下部磁気シ−ルド層のエッジ
部と上記電極との間の多層化した絶縁層の絶縁抵抗が、
少なくとも１００ｋΩ以上か、もしくは絶縁耐圧が０．
２Ｖ以上である（９）記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。(11) The insulation resistance of the multi-layered insulating layer between the edge of the lower magnetic shield layer and the electrode is
At least 100 kΩ or more, or withstand voltage of 0.
(9) The magnetoresistive effect magnetic head having a voltage of 2 V or more.
【００７４】（１２）上記絶縁層がアルミナ、シリカ、
あるいはチタニアのいずれかによって形成されている上
記（１）、（４）、（６）、（９）記載の磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。(12) The insulating layer is made of alumina, silica,
Alternatively, the magnetoresistive effect magnetic head according to the above (1), (4), (6), or (9), which is formed of any of titania.
【００７５】（１３）上記絶縁層がリフトオフ法により
形成されてなる（１）、（４）、（６）、（９）記載の
磁気抵抗効果型磁気ヘッド。(13) The magnetoresistive effect magnetic head according to (1), (4), (6) or (9), wherein the insulating layer is formed by a lift-off method.
【００７６】（１４）再生専用の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド部上に、電磁誘導型の記録ヘッド部が形成されてな
る（１）、（４）、（６）、（９）記載の磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。(14) The magnetic resistance according to (1), (4), (6) or (9), wherein an electromagnetic induction type recording head section is formed on a magnetic resistance effect type magnetic head section dedicated to reproduction. Effect type magnetic head.
【００７７】[0077]
【発明の効果】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドによ
れば、下部磁気シールド層の表面を覆う絶縁層は、下部
磁気シールド層のエッジ部側面の少なくとも一部におけ
る厚さが、ギャップ部における厚さより、厚くなってい
る。したがって、下部磁気シールド層のエッジ部側面に
おける絶縁層の絶縁抵抗、絶縁耐圧が高まる。つまり、
下部磁気シールド層と電極との間でのセンス電流の漏
洩、および、下部磁気シールド層のエッジ部側面での絶
縁層の絶縁破壊を低減することができる。According to the magnetoresistive head of the present invention, the insulating layer covering the surface of the lower magnetic shield layer has a thickness in at least a part of the side surface of the edge portion of the lower magnetic shield layer in the gap portion. It is thicker than the thickness. Therefore, the insulation resistance and withstand voltage of the insulating layer on the side surface of the edge portion of the lower magnetic shield layer are increased. That is,
It is possible to reduce the leakage of the sense current between the lower magnetic shield layer and the electrode and the dielectric breakdown of the insulating layer on the side surface of the edge portion of the lower magnetic shield layer.
【００７８】また、電極と上部磁気シールド層との間の
絶縁層は、電極の表面を覆い、電極のエッジ部側面の一
部における厚さが、ギャップ部における厚さより、厚く
なっている。したがって、電極のエッジ部側面における
絶縁層の絶縁抵抗および絶縁耐圧が高まる。The insulating layer between the electrode and the upper magnetic shield layer covers the surface of the electrode, and the thickness of a part of the side surface of the edge portion of the electrode is thicker than the thickness of the gap portion. Therefore, the insulation resistance and withstand voltage of the insulating layer on the side surface of the edge portion of the electrode are increased.
【図１】本発明の第１の実施例に係る磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの端面図である。FIG. 1 is an end view of a magnetoresistive effect magnetic head according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１の磁気抵抗効果型磁気ヘッドをＡ方向から
見た各層の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of each layer when the magnetoresistive effect magnetic head of FIG. 1 is viewed from an A direction.
【図３】本発明の第２の実施例に係る磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの端面図である。FIG. 3 is an end view of a magnetoresistive effect magnetic head according to a second embodiment of the invention.
【図４】図３の磁気抵抗効果型磁気ヘッドをＡ方向から
見た各層の説明図である。4 is an explanatory diagram of each layer when the magnetoresistive effect magnetic head of FIG. 3 is viewed from the direction A. FIG.
【図５】本発明の第３の実施例に係る磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの端面図である。FIG. 5 is an end view of a magnetoresistive effect magnetic head according to a third embodiment of the invention.
【図６】図５の磁気抵抗効果型磁気ヘッドのＡ方向から
見た各層の説明図である。6 is an explanatory diagram of each layer viewed from the direction A of the magnetoresistive head of FIG.
【図７】図１の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの感磁部の拡
大図である。FIG. 7 is an enlarged view of a magnetic sensing section of the magnetoresistive head of FIG.
【図８】絶縁層の厚さに関する説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram regarding the thickness of an insulating layer.
１…基板、 ２…下地絶縁層、 ３…下部磁気シールド
層、 ４、５…絶縁層、 ６…磁気抵抗効果ヘッドの感
磁部、 ７…軟磁性ソフトバイアス膜、 ８…高抵抗導
電体膜、 ９…磁気抵抗効果膜、 １０…磁区制御用バ
イアス膜、 １１…電極、 １２、１３…絶縁層、 １
４…上部磁気シールド層、 １５…絶縁膜、 １６…再
生ヘッド部、 １７…下部磁極、 １８…上部磁極、
１９…コイル、 ２０…絶縁層、 ２１…記録ヘッド
部、 ２２…磁気抵抗効果型磁気ヘッド、 ２３…ギャ
ップ部、 ２４…下部磁気シールド層のエッジ部、 ２
５…電極の外側エッジ部、 ２６…下部磁気シールド層
のエッジ部と電極との間の絶縁部分、 ２７…電極のエ
ッジ部と上部磁気シールド層との間の絶縁部分、 ２８
…エッジ部に段差が形成されている層、 ２９…絶縁
層、 ３０…電極の内側のエッジ部と上部磁気シールド
層との間の絶縁部分、DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Underlying insulating layer, 3 ... Lower magnetic shield layer, 4, 5 ... Insulating layer, 6 ... Magneto-resistive head magnetic sensitive part, 7 ... Soft magnetic soft bias film, 8 ... High resistance conductor film , 9 ... Magnetoresistive effect film, 10 ... Bias film for controlling magnetic domain, 11 ... Electrode, 12, 13 ... Insulating layer, 1
4 ... Upper magnetic shield layer, 15 ... Insulating film, 16 ... Reproducing head part, 17 ... Lower magnetic pole, 18 ... Upper magnetic pole,
Reference numeral 19 ... Coil, 20 ... Insulating layer, 21 ... Recording head portion, 22 ... Magnetoresistive magnetic head, 23 ... Gap portion, 24 ... Edge portion of lower magnetic shield layer, 2
5 ... Outer edge part of electrode, 26 ... Insulation part between edge part of lower magnetic shield layer and electrode, 27 ... Insulation part between edge part of electrode and upper magnetic shield layer, 28
... a layer in which a step is formed at the edge portion, 29 ... an insulating layer, 30 ... an insulating portion between the inner edge portion of the electrode and the upper magnetic shield layer,
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 哲夫 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 由比藤 勇 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 森尻 誠 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tetsuo Kobayashi 2880 Kozu, Odawara, Kanagawa Stock Company Hitachi Storage Systems Division (72) Inventor Yuu Yuhi 2880 Kozu, Odawara, Kanagawa Hitachi, Ltd. Storage Systems Division (72) Inventor Makoto Morishiri 2880 Kokuzu, Odawara City, Kanagawa Stock Company Hitachi Storage Systems Division
Claims (1)
を設け、前記上部磁気シールド層と前記下部磁気シール
ド層との間に、磁気記録媒体からの信号磁界を読み取る
磁気抵抗効果膜および前記磁気抵抗効果膜にセンス電流
を流すための電極を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
おいて、 前記下部磁気シールド層の表面および前記電極の表面を
それぞれ覆う絶縁層を備え、 前記電極は、互いに対向するように形成され、 前記対向する電極間の下部領域における、前記磁気抵抗
効果膜および前記絶縁層で、ギャップ部を構成し、 前記下部磁気シールド層のエッジ部側面の少なくとも一
部、および／または、前記電極のエッジ部側面の少なく
とも一部、の絶縁層の厚さが、前記ギャップ部における
絶縁層の厚さよりも厚いことを特徴とする磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。1. A magnetoresistive effect film for reading a signal magnetic field from a magnetic recording medium and the magnetic layer, wherein an upper magnetic shield layer and a lower magnetic shield layer are provided on a substrate, and between the upper magnetic shield layer and the lower magnetic shield layer. A magnetoresistive effect magnetic head having an electrode for flowing a sense current in a resistance effect film, comprising: an insulating layer respectively covering a surface of the lower magnetic shield layer and a surface of the electrode, wherein the electrodes are opposed to each other. A gap portion is formed by the magnetoresistive film and the insulating layer in a lower region between the opposed electrodes, and at least a part of an edge portion side surface of the lower magnetic shield layer and / or the electrode The thickness of the insulating layer on at least a part of the side surface of the edge portion of the magnetic layer is thicker than the thickness of the insulating layer on the gap portion. Resistance effect magnetic head.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6068782A JPH07282423A (en) | 1994-04-06 | 1994-04-06 | Magneto-resistance effect type magnetic head |
| KR1019950007815A KR0153311B1 (en) | 1994-04-06 | 1995-04-04 | Magnetoresistive thin-film magnetic head and the method of fabrication |
| US08/416,653 US5701221A (en) | 1994-04-06 | 1995-04-05 | Magnetoresistive thin-film magnetic head and method of fabrication thereof |
| CN95103777A CN1060875C (en) | 1994-04-06 | 1995-04-05 | Magnetic effective film magnetic head and production of same |
| US08/975,332 US5897969A (en) | 1994-04-06 | 1997-11-20 | Method of fabricating a magnetoresistive thin-film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6068782A JPH07282423A (en) | 1994-04-06 | 1994-04-06 | Magneto-resistance effect type magnetic head |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07282423A true JPH07282423A (en) | 1995-10-27 |
Family
ID=13383653
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP6068782A Pending JPH07282423A (en) | 1994-04-06 | 1994-04-06 | Magneto-resistance effect type magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07282423A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6563678B2 (en) | 1998-10-08 | 2003-05-13 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head having insolating layer provided between gap layer and shielding layer |
-
1994
- 1994-04-06 JP JP6068782A patent/JPH07282423A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6563678B2 (en) | 1998-10-08 | 2003-05-13 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head having insolating layer provided between gap layer and shielding layer |
| US6678940B2 (en) | 1998-10-08 | 2004-01-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Method of making a thin-film magnetic head |
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