JPH07278822A - Plasma cvd method for formation of carbon film and device therefor - Google Patents
Plasma cvd method for formation of carbon film and device thereforInfo
- Publication number
- JPH07278822A JPH07278822A JP7030622A JP3062295A JPH07278822A JP H07278822 A JPH07278822 A JP H07278822A JP 7030622 A JP7030622 A JP 7030622A JP 3062295 A JP3062295 A JP 3062295A JP H07278822 A JPH07278822 A JP H07278822A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency power
- plasma
- film
- gas
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は成膜用原料ガスをプラズ
マ化し、このプラズマに基体を曝して該基体上に炭素膜
形成を行うプラズマＣＶＤ法及び装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma CVD method and apparatus for forming a film forming source gas into plasma and exposing a substrate to this plasma to form a carbon film on the substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般にプラズマＣＶＤ法は半導体利用の
センサ等の各種半導体デバイスの製造、太陽電池や液晶
表示装置等に用いる各種薄膜デバイスの製造、耐摩耗性
等が要求される機械部品や工具等の基体への耐摩耗性等
を有する膜の形成、スピーカ振動板への炭素膜の形成、
装飾品のコーティング等に広く利用されている。このプ
ラズマＣＶＤ法を実施する装置は各種知られているが、
その代表的なものの一つを例示すると、図５に示すプラ
ズマＣＶＤ装置がある。2. Description of the Related Art In general, the plasma CVD method is used to manufacture various semiconductor devices such as sensors using semiconductors, various thin film devices used for solar cells and liquid crystal display devices, mechanical parts and tools requiring abrasion resistance, etc. Of a film having abrasion resistance, etc. on the base body of, the formation of a carbon film on the speaker diaphragm,
Widely used for coating ornaments. Various devices for performing this plasma CVD method are known,
As an example of a typical one, there is a plasma CVD apparatus shown in FIG.
【０００３】図５に示す装置は平行平板型プラズマＣＶ
Ｄ装置として知られているもので、成膜室として用いら
れる真空容器１を有し、その中に被成膜基体Ｓ１を設置
する基体ホルダを兼ねる電極２及びこの電極に対向する
電極３が設けられている。電極２は、通常、接地電極と
され、また、この上に配置される基体Ｓ１を成膜温度に
加熱するヒータ２１を付設してある。なお、輻射熱で基
体Ｓ１を加熱するときは、ヒータ２１は電極２から分離
される。The apparatus shown in FIG. 5 is a parallel plate type plasma CV.
It is known as a D apparatus, and has a vacuum container 1 used as a film forming chamber, in which an electrode 2 also serving as a substrate holder for setting a film-forming substrate S1 and an electrode 3 facing the electrode are provided. Has been. The electrode 2 is usually a ground electrode, and is also provided with a heater 21 for heating the substrate S1 arranged thereon to a film forming temperature. The heater 21 is separated from the electrode 2 when the substrate S1 is heated by radiant heat.
【０００４】電極３は、電極２との間に導入される成膜
用ガスに高周波電力や直流電力を印加してプラズマ化さ
せるための電力印加電極で、図示の例ではマッチングボ
ックス３１を介して高周波電源３２を接続してある。ま
た、真空容器１には弁５１を介して排気ポンプ５２を接
続してあるとともに、成膜用原料ガスのガス供給部４を
配管接続してある。ガス供給部４には、１又は２以上の
マスフローコントローラ４１１、４１２・・・・及び弁
４２１、４２２・・・・を介して、成膜用原料ガスを供
給するガス源４３１、４３２・・・・が含まれている。The electrode 3 is a power application electrode for applying high-frequency power or DC power to the film-forming gas introduced between the electrode 3 and the electrode to generate plasma, and in the illustrated example, a matching box 31 is used. A high frequency power source 32 is connected. Further, an exhaust pump 52 is connected to the vacuum container 1 via a valve 51, and a gas supply unit 4 for the film forming raw material gas is connected by piping. Gas sources 431, 432 ... Supplying the film forming source gas to the gas supply unit 4 via one or more mass flow controllers 411, 412 ... ·It is included.
【０００５】この平行平板型プラズマＣＶＤ装置による
と、成膜対象基体Ｓ１が図示しない基体搬送装置により
真空容器１内に搬入されて電極２上に設置され、該容器
１内が弁５１の操作と排気ポンプ５２の運転にて所定成
膜真空度とされるとともに、ガス供給部４から成膜用ガ
スが導入される。また、高周波電極３に電源３２から高
周波電力が印加され、それによって導入されたガスがプ
ラズマ化され、このプラズマの下で基体Ｓ１表面に所望
の膜が形成される。According to this parallel plate type plasma CVD apparatus, the substrate S1 to be film-formed is carried into the vacuum container 1 by the substrate transfer device (not shown) and placed on the electrode 2, and the inside of the container 1 is operated by the valve 51. The film forming gas is introduced from the gas supply unit 4 while a predetermined film forming vacuum degree is set by operating the exhaust pump 52. Further, high-frequency power is applied to the high-frequency electrode 3 from the power source 32, the gas introduced thereby is turned into plasma, and a desired film is formed on the surface of the substrate S1 under this plasma.
【０００６】例えば、容器１内圧力を数１００ｍＴｏｒ
ｒ程度とし、基体ホルダ電極２をヒータ２１で加熱し、
この上に基体Ｓ１を設置し、ガス供給部４からメタン
（ＣＨ 4 ）ガス、エタン（Ｃ2 Ｈ6 ）ガス等の炭化水素
化合物ガス単体、又はこのような炭化水素化合物ガスと
水素（Ｈ2 ）ガスを所定量導入して電極３に例えば１
３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加すると、該ガスがプ
ラズマ化され、基体Ｓ１上に炭素薄膜が形成される。For example, the pressure inside the container 1 is several hundred mTorr.
and the substrate holder electrode 2 is heated by the heater 21,
The substrate S1 is installed on this, and methane is supplied from the gas supply unit 4.
(CH Four) Gas, ethane (C2H6) Hydrocarbons such as gas
Compound gas alone, or with such hydrocarbon compound gas
Hydrogen (H2) A predetermined amount of gas is introduced and, for example, 1 is applied to the electrode 3.
When high frequency power of 3.56MHz is applied, the gas
It is converted into a plasma, and a carbon thin film is formed on the substrate S1.
【０００７】その場合基体Ｓ１の処理温度を変えること
により膜質を制御できる。例えば、ポリイミド樹脂等の
合成樹脂基体上に成膜するときは基体の耐熱性を考慮し
て１００℃程度以下の基体温度とされ、このときにはダ
イアモンド状の炭素〔ＤＬＣ（Diamond Like Carbon )
〕膜が形成される。このＤＬＣ膜はスピーカの振動板
のコーティングや装飾品のコーティング等に利用され
る。In that case, the film quality can be controlled by changing the processing temperature of the substrate S1. For example, when a film is formed on a synthetic resin substrate such as a polyimide resin, the substrate temperature is set to about 100 ° C. or less in consideration of the heat resistance of the substrate, and at this time, diamond-like carbon [DLC (Diamond Like Carbon) is used.
] A film is formed. This DLC film is used for coating a diaphragm of a speaker, coating a decorative article, and the like.
【０００８】基体処理温度を上昇させると炭素膜硬度は
上昇する。従って切削工具、各種機械部品等の表面硬度
を改善するためにそれらに硬質炭素膜をコーティングす
るときは、処理温度は５００℃以上に設定されるが、こ
のように基体処理温度を高温に設定しようとするとき
は、前記平行平板型のプラズマＣＶＤ法及び装置による
よりも、一般的にはＥＣＲプラズマＣＶＤ法及び装置、
又は熱フィラメントＣＶＤ法及び装置が用いられる。The carbon film hardness increases as the substrate processing temperature increases. Therefore, when coating a hard carbon film to improve the surface hardness of cutting tools, various machine parts, etc., the processing temperature is set to 500 ° C. or higher. In this way, set the substrate processing temperature to a high temperature. In general, the ECR plasma CVD method and apparatus is more preferable than the parallel plate type plasma CVD method and apparatus.
Alternatively, a hot filament CVD method and apparatus is used.
【０００９】ＥＣＲプラズマＣＶＤではＥＣＲ共鳴点に
成膜対象基体を設置することで該基体を８００℃程度ま
で加熱することができ、そのような高温成膜操作により
前記の平行平板型プラズマＣＶＤによる成膜のときより
良質のＤＬＣ膜を容易に形成することができ、ダイアモ
ンド膜を形成することもできる。熱フィラメントＣＶＤ
では熱フィラメントによる輻射熱で基体温度を９００〜
１１００℃程度まで加熱することができ、そのような高
温成膜操作により良質のＤＬＣ膜やダイアモンド膜を容
易に形成することができる。In ECR plasma CVD, the substrate to be film-formed can be heated to about 800 ° C. by setting the substrate to be film-formed at the ECR resonance point. A good quality DLC film can be easily formed, and a diamond film can also be formed. Hot filament CVD
Then, the substrate temperature is 900 ~
It can be heated up to about 1100 ° C., and a high quality DLC film or diamond film can be easily formed by such a high temperature film forming operation.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】ところで、プラズマＣ
ＶＤによると、プラズマ中の気相反応により発生するパ
ーティクルがダストとなって成膜対象基体の表面に形成
される膜に付着したり、その中に混入したりして膜質を
悪化させるという問題がある。しかしＥＣＲプラズマＣ
ＶＤや熱フィラメントＣＶＤによる高温成膜では平行平
板型のプラズマＣＶＤによる比較的低温での成膜の場合
よりもパーティクルの発生は少ない。By the way, plasma C
According to VD, there is a problem in that particles generated by a gas phase reaction in plasma become dust and adhere to a film formed on the surface of a film formation target substrate, or are mixed in the particles to deteriorate the film quality. is there. But ECR Plasma C
Particles are less generated in high temperature film formation by VD or hot filament CVD than in the case of film formation at a relatively low temperature by parallel plate plasma CVD.
【００１１】以上のことから炭素膜を形成するときに
は、成膜対象基体の材質が耐熱性であれば平行平板型プ
ラズマＣＶＤよりもＥＣＲプラズマＣＶＤや熱フィラメ
ントＣＶＤを採用する方が好ましいことが多いが、基体
材質が高温に耐えられない合成樹脂のような場合には平
行平板型プラズマＣＶＤにより比較的低温で成膜しなけ
ればならない。そうすると前述のようにパーティクルの
発生量が多くなるし、また成膜速度を上げようとして印
加する高周波電力を大きくするとパーティクルの発生量
が増加するので成膜速度の向上にも限界がある。From the above, when forming a carbon film, it is often preferable to use ECR plasma CVD or hot filament CVD rather than parallel plate plasma CVD if the material of the film-forming substrate is heat-resistant. When the substrate material is a synthetic resin that cannot withstand high temperatures, parallel plate plasma CVD must be used to form a film at a relatively low temperature. Then, as described above, the amount of particles generated increases, and when the high-frequency power applied to increase the film formation rate is increased, the amount of particles generated increases. Therefore, there is a limit to the improvement of the film formation rate.
【００１２】そこで本発明は、例えば平行平板型プラズ
マＣＶＤ法及び装置による成膜のように比較的低温での
プラズマＣＶＤによる成膜においても膜質を悪化させる
パーティクルの発生を抑制することができるとともに成
膜速度を著しく低下させることなく、或いは向上させて
成膜することができる炭素膜形成のためのプラズマＣＶ
Ｄ法及び装置を提供することを課題とする。Therefore, the present invention can suppress the generation of particles that deteriorate the film quality even when the film is formed by the plasma CVD at a relatively low temperature such as the film formation by the parallel plate plasma CVD method and apparatus. Plasma CV for carbon film formation capable of forming a film without significantly reducing or improving the film speed
It is an object to provide a D method and a device.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明者は前記課題を解
決するため研究を重ねたところ、原料ガスのプラズマ化
を、１０ＭＨｚ以上の所定周波数の基本高周波電力に該
周波数の１００００分の１以上、１０分の１以下の範囲
の変調周波数で振幅変調を施した状態の電力を印加する
ことで行えば、パーティクルの発生が抑制され、成膜速
度も著しく低下することなく、或いは向上することを見
出した。また、その場合、かかる第１の振幅変調に、さ
らに、該変調周波数の１００倍未満で１００分の１より
大きい変調周波数で第２の振幅変調を施した状態の電力
を印加すれば一層成膜速度が向上することを見出した。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted extensive research to solve the above problems. As a result, plasmaization of a raw material gas is applied to a basic high-frequency power of a predetermined frequency of 10 MHz or more, which is 1 / 10,000 or more of the frequency. By applying electric power in a state where amplitude modulation is performed at a modulation frequency in the range of 1/10 or less, generation of particles is suppressed, and the film formation speed is not significantly reduced or is improved. I found it. Further, in that case, further power is applied to the first amplitude modulation by applying power in a state in which the second amplitude modulation is performed at a modulation frequency that is less than 100 times the modulation frequency and higher than 1/100. It was found that the speed was improved.
【００１４】本発明はかかる知見に基づくもので、前記
課題を解決するため、次のプラズマＣＶＤ法及び装置を
提供するものである。 成膜用原料ガスを高周波電力印加によりプラズマ化
し、このプラズマに基体を曝して該基体上に膜形成を行
うプラズマＣＶＤ法において、前記原料ガスとして所定
の炭素膜を形成するための炭化水素化合物のガス、又は
炭化水素化合物のガス及びこれと共に所定の炭素膜を形
成するための該炭化水素化合物ガスとは異なる種類のガ
スを用いるとともに、該原料ガスのプラズマ化を、１０
ＭＨｚ以上の所定周波数の基本高周波電力に該所定周波
数の１００００分の１以上、１０分の１以下の範囲の変
調周波数で振幅変調を施した状態の高周波電力を印加す
ることで行う炭素膜形成のためのプラズマＣＶＤ法。 成膜用原料ガス供給部から供給される成膜用原料ガ
スを高周波電力印加手段による高周波電力の印加により
プラズマ化し、このプラズマに基体を曝して該基体上に
膜形成を行うプラズマＣＶＤ装置において、前記高周波
電力印加手段が、１０ＭＨｚ以上の所定周波数の基本高
周波電力に該所定周波数の１００００分の１以上、１０
分の１以下の範囲の変調周波数で振幅変調を施した状態
の高周波電力を印加するものであり、前記原料ガス供給
部が原料ガスとして所定の炭素膜を形成するための炭化
水素化合物のガス、又は炭化水素化合物のガス及びこれ
と共に所定の炭素膜を形成するための該炭化水素化合物
ガスとは異なる種類のガスを供給するものである炭素膜
形成のためのプラズマＣＶＤ装置。 前記方法及び装置において、前記原料ガスのプラズ
マ化を１０ＭＨｚ以上、２００ＭＨｚ以下の所定周波数
の基本高周波電力に前記の振幅変調を施した状態の高周
波電力を印加することで行うプラズマＣＶＤ法及び装
置。この場合、プラズマＣＶＤ装置では、高周波電力印
加手段をそのような基本高周波電力に前記の振幅変調を
施した状態の高周波電力を印加できるものとする。 前記、の方法及び、の装置において、前記
原料ガスのプラズマ化を、前記基本高周波電力に前記振
幅変調を施し、さらに、該変調周波数の１００倍未満で
１００分の１より大きい変調周波数で第２の振幅変調を
施した状態の高周波電力の印加により行うプラズマＣＶ
Ｄ法及び装置。この場合、プラズマＣＶＤ装置では、高
周波電力印加手段をそのような第１、第２の振幅変調を
施した状態の電力を印加できるものとする。The present invention is based on such knowledge, and provides the following plasma CVD method and apparatus in order to solve the above problems. In a plasma CVD method in which a raw material gas for film formation is turned into plasma by applying high-frequency power, and a substrate is exposed to this plasma to form a film on the base, a hydrocarbon compound for forming a predetermined carbon film is used as the raw material gas. Gas or a gas of a hydrocarbon compound and a gas of a different type from the hydrocarbon compound gas for forming a predetermined carbon film together with the gas, and plasma conversion of the source gas is performed.
Of the carbon film formed by applying the high frequency power in the state where the amplitude is modulated at the modulation frequency in the range of 1 / 10,000 or more and 1/10 or less of the predetermined frequency to the basic high frequency power of the predetermined frequency of MHz or more. Plasma CVD method for. In a plasma CVD apparatus for forming a film on a substrate by exposing the film forming source gas supplied from the film forming source gas supply section to plasma by applying high frequency power by a high frequency power applying means, exposing the substrate to the plasma. The high-frequency power applying means applies the basic high-frequency power having a predetermined frequency of 10 MHz or more to 1 / 10,000 or more of the predetermined frequency, and 10
A high-frequency power in a state where amplitude modulation is performed at a modulation frequency in a range of one-half or less is applied, and a gas of a hydrocarbon compound for forming a predetermined carbon film as a raw material gas by the raw material gas supply unit, Alternatively, a plasma CVD apparatus for forming a carbon film, which supplies a gas of a hydrocarbon compound and a gas of a different kind from the hydrocarbon compound gas for forming a predetermined carbon film together with the gas. In the method and apparatus, the plasma CVD method and apparatus for plasma-converting the source gas by applying high-frequency power in a state in which the amplitude modulation is applied to basic high-frequency power having a predetermined frequency of 10 MHz or more and 200 MHz or less. In this case, in the plasma CVD apparatus, it is assumed that the high frequency power applying means can apply the high frequency power in the state where the amplitude modulation is applied to such basic high frequency power. In the above method and apparatus, the plasma conversion of the source gas is performed by subjecting the basic high frequency power to the amplitude modulation, and further, at a modulation frequency less than 100 times the modulation frequency and greater than 1/100 second. CV performed by applying high-frequency power with the amplitude modulation of
Method D and equipment. In this case, in the plasma CVD apparatus, it is assumed that the high frequency power applying means can apply the power in the state where the first and second amplitude modulation are performed.
【００１５】本発明方法及び装置において、変調前の基
本高周波電力の波形は、サイン波、矩形波、のこぎり
波、三角波等であることが考えられる。本発明方法及び
装置において、基本高周波電力として周波数が１０ＭＨ
ｚ以上のものを採用するのは、周波数が１０ＭＨｚより
低い場合、効率の良いプラズマ生成が困難だからであ
る。In the method and apparatus of the present invention, the waveform of the basic high frequency power before modulation may be a sine wave, a rectangular wave, a sawtooth wave, a triangular wave, or the like. In the method and apparatus of the present invention, the basic high frequency power has a frequency of 10 MHz.
The reason why z or more is adopted is that efficient plasma generation is difficult when the frequency is lower than 10 MHz.
【００１６】本発明方法及び装置において、第１振幅変
調は前記基本高周波電力の周波数の１００００分の１以
上、１０分の１以下の範囲に設定するが、これは該基本
高周波電力の周波数の１００００分の１より低いと、プ
ラズマを発生させる電力印加の振幅変調の割合が少ない
ため、膜堆積に寄与する反応種を生成させることとダス
ト発生の原因となる反応種の生成を抑制することをほぼ
並行して行うことが困難であり、該基本高周波電力の周
波数の１０分の１より高いと、安定したプラズマを発生
させることが困難になるからである。In the method and apparatus of the present invention, the first amplitude modulation is set in a range of 1 / 10,000 or more and 1/10 or less of the frequency of the basic high frequency power, which is 10000 of the frequency of the basic high frequency power. If it is lower than 1/1, the ratio of amplitude modulation of power application for generating plasma is small, so that it is almost possible to generate reactive species that contribute to film deposition and suppress generation of reactive species that cause dust generation. This is because it is difficult to perform them in parallel, and when the frequency is higher than 1/10 of the frequency of the basic high frequency power, it becomes difficult to generate stable plasma.
【００１７】また、前記の方法及び装置において、基
本高周波電力として周波数が１０ＭＨｚ以上２００ＭＨ
ｚ以下のものを採用するのは、２００ＭＨｚより高い場
合、変調を加えたとしても従来方法及び装置によるより
プラズマ生成の効率が向上せず、また電源コストが増大
するからである。また、前記の方法及び装置におい
て、第２振幅変調の周波数が第１振幅変調周波数の１０
０倍以上であると第２振幅変調による十分な効果が得ら
れず、また１００分の１以下では成膜速度が低下する。In the above method and apparatus, the basic high frequency power has a frequency of 10 MHz or more and 200 MH.
The reason why z or less is adopted is that if the frequency is higher than 200 MHz, the efficiency of plasma generation will not be improved and the power supply cost will be increased, even if modulation is applied, as compared with the conventional method and apparatus. Also, in the above method and apparatus, the frequency of the second amplitude modulation is 10 times the frequency of the first amplitude modulation.
When it is 0 times or more, a sufficient effect due to the second amplitude modulation cannot be obtained, and when it is 1/100 or less, the film forming rate decreases.
【００１８】なお前記第１及び第２の各「振幅変調」は
勿論のこと、以下の説明及び特許請求の範囲において、
「振幅変調」は、電力印加のオン・オフによるパルス変
調、パルス状の変調をも含む概念である。また、前記各
振幅変調は、それには限定されないが、代表例として、
パーティクルの発生を効果的に抑制するうえで電力印加
のオンオフを伴う変調（換言すればパルス変調又はパル
ス状の変調）を挙げることができる。この場合デューテ
ィ比、即ち変調波の１周期に占める電力印加のオン時間
の割合（オン／オン＋オフ）は、任意の値に定めること
ができるが、それには限定されないが代表的には５０％
程度が考えられ、この場合、ダストパーティクル発生量
の低減と、成膜速度の著しい低下を伴わない、或いは成
膜速度が向上する成膜が程よく行われる。In addition to the first and second "amplitude modulation" described above, in the following description and claims,
“Amplitude modulation” is a concept that includes pulse modulation by turning on / off power application and pulse-like modulation. Further, each of the amplitude modulation is not limited to that, but as a typical example,
In order to effectively suppress the generation of particles, a modulation involving turning on / off of power application (in other words, pulse modulation or pulse-like modulation) can be mentioned. In this case, the duty ratio, that is, the ratio of the ON time of power application to one cycle of the modulated wave (ON / ON + OFF) can be set to any value, but it is not limited to it and is typically 50%.
The degree may be considered, and in this case, the amount of dust particles generated is reduced, and the film formation rate is not significantly reduced, or the film formation rate is moderately increased.
【００１９】また、振幅変調した状態のガスプラズマ化
用の高周波電力は、代表的には、その原形を所望の高周
波信号を発生させ得る、例えばファンクションジエネレ
ータと一般に称されているもののような、高周波信号発
生器により作り、これを増幅器で増幅して得ることが考
えられるが、周波数が１０ＭＨｚ以上の範囲の基本高周
波電力を生成し、これに振幅変調を施して得ること等も
考えられ、この点について特に制限はない。Further, the high frequency power for gas plasma conversion in an amplitude-modulated state is typically such that the original form of the high frequency power is capable of generating a desired high frequency signal, such as one generally called a function generator. It is considered that it is produced by a high frequency signal generator and amplified by an amplifier to obtain it, but it is also considered that basic high frequency power in the frequency range of 10 MHz or more is generated, and this is subjected to amplitude modulation. There are no particular restrictions on the points.
【００２０】また、本発明方法及び装置において用いる
炭化水素化合物としては、メタン（ＣＨ4 ）、エタン
（Ｃ2 Ｈ6 ）、プロパン（Ｃ3 Ｈ8 ）、ブタン（Ｃ4 Ｈ
10）等のアルカン、シクロプロパン（Ｃ3 Ｈ6 ）、シク
ロブタン（Ｃ4 Ｈ8 ）等のシクロアルカン、エチレン
（Ｃ2 Ｈ4 ）、プロペン（Ｃ3 Ｈ6 ）、ブテン（Ｃ4 Ｈ
8）等のアルケン、アセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ）等のアルキ
ン等を例示することができ、それらのうち１又は２以上
を用いることができる。これらは単独で炭素膜の形成に
用いることができるが、Ｈ2 ガスや不活性ガス（ヘリウ
ムガス（Ｈｅ）、ネオンガス（Ｎｅ）、アルゴンガス
（Ａｒ）又はクリプトンガス（Ｋｒ）等）等の異種ガス
とともに用いて炭素膜を形成することもできる。The hydrocarbon compounds used in the method and apparatus of the present invention include methane (CH 4 ), ethane (C 2 H 6 ), propane (C 3 H 8 ), butane (C 4 H 4 ).
10 ) etc., cyclopropane (C 3 H 6 ), cyclobutane (C 4 H 8 ) etc. cycloalkane, ethylene (C 2 H 4 ), propene (C 3 H 6 ), butene (C 4 H 4 ).
Examples thereof include alkenes such as 8 ) and alkynes such as acetylene (C 2 H 2 ), and one or more of them can be used. These can be used alone to form a carbon film, but different kinds of H 2 gas or inert gas (helium gas (He), neon gas (Ne), argon gas (Ar), krypton gas (Kr), etc.) It can also be used with gas to form a carbon film.
【００２１】[0021]
【作用】本発明プラズマＣＶＤ法及び装置によると、成
膜用原料ガスのプラズマ化が、１０ＭＨｚ以上の所定周
波数の基本高周波電力に該所定周波数の１００００分の
１以上、１０分の１以下の範囲の変調周波数で振幅変調
を施した状態の高周波電力を印加することで行われ、従
来のプラズマＣＶＤに比べるとパーティクルの発生が十
分に抑制されるとともに、成膜速度を著しく低下させな
いで、或いは向上させて成膜できる。According to the plasma CVD method and apparatus of the present invention, the source gas for film formation is converted into plasma within a range of 1 / 10,000 or more and 1/10 or less of the basic high frequency power having a predetermined frequency of 10 MHz or more. It is performed by applying high frequency power in the state where the amplitude is modulated at the modulation frequency of 1., and the generation of particles is sufficiently suppressed as compared with the conventional plasma CVD, and the deposition rate is not significantly reduced or improved. Then, the film can be formed.
【００２２】さらに説明すると、前記施した振幅変調に
より、ダストパーティクル発生の原因となる反応種の生
成が低減する一方、成膜に寄与する反応種の生成は妨げ
られず、このような変調を加えない場合に比べて、十分
満足できる程度にダスト発生が低減し、それにより比較
的低温での成膜でも欠陥の少ない良質の膜を形成するこ
とができ、且つ、成膜速度を著しく低下させないで、或
いは向上させて成膜することができる。To explain further, while the above-mentioned amplitude modulation reduces the generation of the reactive species that cause the generation of dust particles, the generation of the reactive species that contributes to the film formation is not hindered. Dust generation is reduced to a satisfactory degree as compared with the case where no film is formed, so that a high-quality film with few defects can be formed even at film formation at a relatively low temperature, and the film formation rate is not significantly reduced. Alternatively, it can be improved to form a film.
【００２３】また、かかる振幅変調による高速電子の照
射により良質のダイアモンド状の炭素膜（ＤＬＣ膜）が
形成される。なおここに言う高速電子とは、図４に示す
高周波電力印加状態に関連する電子エネルギ・時間の関
係を示す曲線ａ中、テイル部分ｂが表すもので、非マッ
クスウェル電子のうち高エネルギを有するものを指して
いる。Further, a high-quality diamond-like carbon film (DLC film) is formed by irradiation of high-speed electrons by such amplitude modulation. The fast electrons referred to here are those represented by the tail portion b in the curve a showing the electron energy-time relationship related to the high frequency power application state shown in FIG. 4, and have high energy among the non-Maxwell electrons. Pointing to something.
【００２４】前記の第１及び第２の振幅変調を施すとき
は、第１振幅変調のみ施す場合よりもパーティクルの発
生が抑制され、成膜速度が向上し、膜質も向上する。こ
れは第２の振幅変調により電子温度が高く維持され、そ
れだけガス分解が一層促進されるからであると考えられ
る。When the first and second amplitude modulations are performed, the generation of particles is suppressed, the film formation speed is improved, and the film quality is improved, as compared with the case where only the first amplitude modulation is performed. It is considered that this is because the second amplitude modulation keeps the electron temperature high, which further promotes gas decomposition.
【００２５】[0025]
【実施例】以下本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。図１は本発明方法の実施に用いるプラズマＣＶＤ装
置の１例の概略構成を示している。この装置は、図５に
示す従来装置において高周波電源３２に代えて高周波電
力発生装置３３を採用し、原料ガス供給部４が所定の炭
素膜を形成するための炭化水素ガス単体、又は炭化水素
ガス及びこれと共に所定の炭素膜を形成するための異種
ガス（例えば水素ガス）を供給できるものである点を除
けば、図５に示す装置と同構成のものである。図５に示
す装置におけると同部品には同じ参照符号を付してあ
る。装置３３には、マッチングボックス３１ＡにＲＦ
（radio frequency)パワーアンプ３４を介して接続され
た高周波信号発生器３５が含まれている。高周波電力発
生装置３３、マッチングボックス３１及び高周波電極３
は高周波電力印加手段を構成している。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic structure of an example of a plasma CVD apparatus used for carrying out the method of the present invention. This apparatus employs a high-frequency power generator 33 in place of the high-frequency power source 32 in the conventional apparatus shown in FIG. 5, and the raw material gas supply unit 4 uses a hydrocarbon gas simple substance for forming a predetermined carbon film or a hydrocarbon gas. Further, the apparatus has the same configuration as the apparatus shown in FIG. 5 except that a different gas (for example, hydrogen gas) for forming a predetermined carbon film can be supplied together therewith. The same parts as those in the apparatus shown in FIG. 5 are designated by the same reference numerals. The device 33 has an RF in the matching box 31A.
A high frequency signal generator 35 connected via a (radio frequency) power amplifier 34 is included. High frequency power generator 33, matching box 31, and high frequency electrode 3
Constitutes high frequency power applying means.
【００２６】本例によると、高周波電力発生装置３３
は、図２の（Ａ）に示す１０ＭＨｚ以上２００ＭＨｚ以
下の所定周波数のサイン波連続高周波電力（基本高周波
電力）に同図（Ｂ）に示すように該周波数の１００００
分の１以上、１０分の１以下の変調周波数で第１の振幅
変調を施し、オン時間Ｔ１、オフ時間Ｔ２が順次繰り返
される状態の高周波電力を発生するように設定されてい
る。オン時におけるピークツーピーク電力は一定であ
る。According to the present example, the high frequency power generator 33
Is a sine wave continuous high frequency power (basic high frequency power) of a predetermined frequency of 10 MHz or more and 200 MHz or less as shown in FIG.
The first amplitude modulation is performed at a modulation frequency of not less than 1/10 and not more than 1/10, and is set to generate high-frequency power in a state in which the ON time T1 and the OFF time T2 are sequentially repeated. The peak-to-peak power is constant when the power is on.
【００２７】このプラズマＣＶＤ装置によると本発明は
次のように実施される。すなわち、成膜対象基体Ｓ１が
真空容器１内の電極２上に設置され、ヒータ２１で所定
温度に加熱される一方、該容器１内が弁５１の操作と排
気ポンプ５２の運転にて所定成膜真空度とされ、ガス供
給部４から所定量の成膜用ガスが導入される。そして高
周波電極３に高周波電力発生装置３３から前記のとおり
振幅変調を施した状態の高周波電力が印加され、それに
よって導入されたガスがプラズマ化され、このプラズマ
の下で基体Ｓ１表面に所望の炭素膜が形成される。According to this plasma CVD apparatus, the present invention is carried out as follows. That is, the film formation target substrate S1 is installed on the electrode 2 in the vacuum container 1 and heated to a predetermined temperature by the heater 21, while the inside of the container 1 is formed at a predetermined temperature by operating the valve 51 and operating the exhaust pump 52. The degree of film vacuum is set, and a predetermined amount of film forming gas is introduced from the gas supply unit 4. Then, the high-frequency power generator 33 applies high-frequency power in the state where the amplitude is modulated as described above, and the introduced gas is turned into plasma, and the desired carbon is formed on the surface of the substrate S1 under this plasma. A film is formed.
【００２８】このプラズマＣＶＤ法及び装置によると、
振幅変調した高周波電力の印加により原料ガスをプラズ
マ化することで、ダストパーティクル発生の原因となる
反応種の生成が低減する一方、成膜に寄与する反応種の
生成が妨げられることがなく、相対的に増加するため、
ダストパーティクル発生が低減し、それにより膜質が向
上し、さらに成膜速度も向上する。そして比較的低温で
良質のダイアモンド状の炭素膜（ＤＬＣ膜）が形成され
る。According to this plasma CVD method and apparatus,
By converting the source gas into plasma by applying amplitude-modulated high-frequency power, the generation of reactive species that cause dust particles is reduced, while the generation of reactive species that contribute to film formation is not hindered. To increase,
The generation of dust particles is reduced, which improves the film quality and the film formation rate. Then, a good quality diamond-like carbon film (DLC film) is formed at a relatively low temperature.
【００２９】図３は本発明方法の実施に用いるプラズマ
ＣＶＤ装置の他の例を示している。この装置は図１に示
す前記装置における高周波電力発生装置３３を高周波電
力発生装置３６に代えたものであり、他の構成は図１の
装置と同じである。高周波電力発生装置３６は、マッチ
ングボックス３１ＢにＲＦアンプ３４を介して接続され
た高周波信号発生器３７を含んでおり、図２の（Ａ）に
示す１０ＭＨｚ以上２００ＭＨｚ以下のサイン波連続高
周波電力（基本高周波電力）に同図（Ｂ）に示すように
該周波数の１００００分の１以上、１０分の１以下の変
調周波数で第１の振幅変調を施し、さらに、同図（Ｃ）
に示すように該第１変調の周波数１／（Ｔ１＋Ｔ２）よ
り高く、該周波数の１００倍未満の周波数で第２の振幅
変調を施し、第１振幅変調によるオン時間Ｔ１について
オン時間Ｔ３、オフ時間Ｔ４が順次繰り返される状態の
高周波電力を発生するように設定されているか、或いは
同図（Ｄ）に示すように該第１変調周波数の１００分の
１より高く、該第１変調周波数より低い周波数で第２の
振幅変調を施し、そのオン時間について前記第１変調波
のオン時間Ｔ１、オフ時間Ｔ２が順次繰り返される状態
の高周波電力を発生するように設定されている。オン時
におけるピークツーピーク電力は一定である。FIG. 3 shows another example of the plasma CVD apparatus used for carrying out the method of the present invention. This apparatus is the same as the apparatus shown in FIG. 1 except that the high frequency power generator 33 in the apparatus shown in FIG. 1 is replaced with a high frequency power generator 36. The high frequency power generator 36 includes a high frequency signal generator 37 connected to the matching box 31B via an RF amplifier 34, and has a sine wave continuous high frequency power of 10 MHz or more and 200 MHz or less (basic as shown in FIG. 2A). (High frequency power) is subjected to a first amplitude modulation at a modulation frequency of 1 / 10,000 or more and 1/10 or less of the frequency as shown in (B) of FIG.
As shown in, the second amplitude modulation is performed at a frequency higher than the frequency 1 / (T1 + T2) of the first modulation and less than 100 times the frequency, and the on-time T3 and the off-time for the on-time T1 by the first amplitude modulation. T4 is set so as to generate high frequency power in the state of being sequentially repeated, or a frequency higher than one hundredth of the first modulation frequency and lower than the first modulation frequency as shown in FIG. Then, the second amplitude modulation is performed, and the ON time is set to generate high frequency power in a state in which the ON time T1 and the OFF time T2 of the first modulated wave are sequentially repeated. The peak-to-peak power is constant when the power is on.
【００３０】このプラズマＣＶＤ装置によると、前記の
とおりの第１及び第２の振幅変調が施された状態の高周
波電力の印加により原料ガスがプラズマ化される結果、
前記の第１の振幅変調のみを施す場合よりもダストパー
ティクルの発生が抑制されるのみならず、成膜速度が向
上するとともにＤＬＣ膜の膜質が向上する。次に図１の
装置、図３の装置のそれぞれによりＤＬＣ膜を形成した
実験例を示す。 実験例１ 図１の装置によるＤＬＣ膜の形成 成膜条件 基体Ｓ１ ：１００ｍｍ平方のポリイミド樹脂 高周波電力 ：１３．５６ＭＨｚ、 １００Ｗ 振幅変調周波数 ６８ｋＨｚ デューティ比 ５０％ 電極サイズ ：直径２００ｍｍ 成膜用ガス ：メタン（ＣＨ4 ） １０ｓｃｃｍ 水素（Ｈ2 ） ２００ｓｃｃｍ 基体温度 ：１００℃ 成膜圧力 ：０．１Ｔｏｒｒ 実験例２ 図３の装置によるＤＬＣ膜の形成 成膜条件 基体Ｓ１ ：１００ｍｍ平方のポリイミド樹脂 高周波電力 ：１３．５６ＭＨｚ、 １００Ｗ 第１振幅変調周波数 ６８ｋＨｚ デューティ比 ５０％ 第２振幅変調周波数 １ｋＨｚ デューティ比 ５０％ 成膜用ガス ：メタン（ＣＨ4 ） １０ｓｃｃｍ 水素（Ｈ2 ） ２００ｓｃｃｍ 基体温度 ：１００℃ 成膜圧力 ：０．１Ｔｏｒｒ また、図５に示す従来装置により、本発明のように振幅
変調を施さない点を除いて他は実験例１と同じ成膜条件
で炭素膜を形成した（比較例１）。According to this plasma CVD apparatus, the source gas is turned into plasma by the application of the high frequency power in the state where the first and second amplitude modulations are performed as described above.
Generation of dust particles is suppressed as compared with the case where only the first amplitude modulation is performed, and the film formation rate is improved and the film quality of the DLC film is improved. Next, an experimental example in which a DLC film was formed by each of the apparatus of FIG. 1 and the apparatus of FIG. 3 is shown. Experimental Example 1 DLC film formation by the apparatus of FIG. 1 Film forming conditions Substrate S1: 100 mm square polyimide resin High frequency power: 13.56 MHz, 100 W Amplitude modulation frequency 68 kHz Duty ratio 50% Electrode size: Diameter 200 mm Film forming gas: Methane (CH 4 ) 10 sccm Hydrogen (H 2 ) 200 sccm Substrate temperature: 100 ° C. Deposition pressure: 0.1 Torr Experimental example 2 DLC film formation by the apparatus of FIG. 3 Deposition conditions Substrate S1: 100 mm square polyimide resin High frequency power: 13 .56 MHz, 100 W First amplitude modulation frequency 68 kHz Duty ratio 50% Second amplitude modulation frequency 1 kHz Duty ratio 50% Film forming gas: Methane (CH 4 ) 10 sccm Hydrogen (H 2 ) 200 sccm Substrate temperature: 100 ° C. Film forming pressure: 0.1 Torr In addition, in FIG. By it is conventional apparatus, other except not subjected to amplitude modulation as in the present invention is to form a carbon film under the same deposition conditions as in Experimental Example 1 (Comparative Example 1).
【００３１】以上の成膜結果は次のとおりであった。発
生したダストパーティクル密度はレーザ散乱法（Ｍｉｅ
散乱法）によるプラズマ中のレーザ散乱強度を直径０．
１μｍ以上のパーティクルの密度に換算して示したもの
である。 成膜速度（Å／分） パーティクル密度（個／ｃｍ3 ） 実験例１ ２０００ 約３×１０7 実験例２ ２４００ １×１０7 以下 比較例１ １０００ 約１×１０8 前記実験から、原料ガスのプラズマ化を、所定周波数の
基本高周波電力に第１の振幅変調を施した状態の高周波
電力印加により行えば、従来よりパーティクルの発生が
抑制されるとともに成膜速度が向上することが判り、ま
た、第２の振幅変調も施せば、パーティクルの発生がさ
らに抑制されるとともに成膜速度がさらに向上すること
が判る。The above film formation results were as follows. The generated dust particle density is determined by the laser scattering method (Mie
The laser scattering intensity in the plasma by the scattering method is set to 0.
It is shown in terms of the density of particles of 1 μm or more. Film formation rate (Å / min) Particle density (particles / cm 3 ) Experimental example 1 2000 Approx. 3 × 10 7 Experimental example 2 2400 1 × 10 7 or less Comparative example 1 1000 Approximately 1 × 10 8 It has been found that when the plasma is generated by applying the high frequency power in the state where the first high frequency power of the predetermined frequency is subjected to the first amplitude modulation, the generation of particles is suppressed and the deposition rate is improved as compared with the conventional case. It can be seen that if the second amplitude modulation is also performed, the generation of particles is further suppressed and the film formation rate is further improved.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、例
えば平行平板型プラズマＣＶＤ法及び装置による成膜の
ように比較的低温でのプラズマＣＶＤによる成膜におい
ても膜質を悪化させるパーティクルの発生を抑制するこ
とができるとともに成膜速度を著しく低下させることな
く、或いは向上させて成膜することができる炭素膜形成
のためのプラズマＣＶＤ法及び装置を提供することがで
きる。As described above, according to the present invention, the generation of particles which deteriorate the film quality even in the film formation by the plasma CVD at a relatively low temperature such as the film formation by the parallel plate plasma CVD method and the apparatus. It is possible to provide a plasma CVD method and apparatus for forming a carbon film that can be suppressed and can be formed without significantly reducing or improving the film forming rate.
【図１】本発明方法の実施に用いるプラズマＣＶＤ装置
の１例の概略構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an example of a plasma CVD apparatus used for carrying out a method of the present invention.
【図２】図（Ａ）は基本高周波電力波形の概略を示す
図、図（Ｂ）は図（Ａ）の高周波電力に第１の振幅変調
を施した状態の高周波電力波形の概略を示す図、図
（Ｃ）は図（Ｂ）の高周波電力に第２の振幅変調を施し
た状態の高周波電力波形の一例の概略を示す図、図
（Ｄ）は図（Ｂ）の高周波電力に第２の振幅変調を施し
た状態の高周波電力波形の他の例の概略を示す図であ
る。FIG. 2A is a diagram showing an outline of a basic high frequency power waveform, and FIG. 2B is a diagram showing an outline of a high frequency power waveform in a state where the first amplitude modulation is applied to the high frequency power of FIG. 2A. FIG. 6C is a diagram showing an outline of an example of a high-frequency power waveform in a state where the second amplitude modulation is applied to the high-frequency power of FIG. FIG. 8 is a diagram schematically showing another example of the high-frequency power waveform in the state where the amplitude modulation of FIG.
【図３】本発明方法の実施に用いるプラズマＣＶＤ装置
の他の例の概略構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of another example of the plasma CVD apparatus used for carrying out the method of the present invention.
【図４】プラズマ中の高速電子を説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating fast electrons in plasma.
【図５】従来プラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す図で
ある。FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional plasma CVD apparatus.
１ 真空容器 ２ 基体ホルダを兼ねる接地電極 ３ 高周波電極 ３１、３１Ａ、３１Ｂ マッチングボックス ３３、３６ 高周波電力発生装置 ３４ ＲＦパワーアンプ ３５、３７ 高周波信号発生器 ４ 成膜用原料ガス供給部 ５１ 弁 ５２ 排気ポンプ Ｓ１ 基体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum container 2 Ground electrode also serving as a substrate holder 3 High frequency electrodes 31, 31A, 31B Matching box 33, 36 High frequency power generator 34 RF power amplifier 35, 37 High frequency signal generator 4 Film forming raw material gas supply unit 51 Valve 52 Exhaust Pump S1 base
Claims (8)
プラズマ化し、このプラズマに基体を曝して該基体上に
膜形成を行うプラズマＣＶＤ法において、前記原料ガス
として所定の炭素膜を形成するための炭化水素化合物の
ガス、又は炭化水素化合物のガス及びこれと共に所定の
炭素膜を形成するための該炭化水素化合物ガスとは異な
る種類のガスを用いるとともに、該原料ガスのプラズマ
化を、１０ＭＨｚ以上の所定周波数の基本高周波電力に
該所定周波数の１００００分の１以上、１０分の１以下
の範囲の変調周波数で振幅変調を施した状態の高周波電
力を印加することで行う炭素膜形成のためのプラズマＣ
ＶＤ法。1. A plasma CVD method in which a film-forming raw material gas is turned into plasma by applying high-frequency power, and a substrate is exposed to this plasma to form a film on the substrate, in order to form a predetermined carbon film as the raw material gas. The hydrocarbon compound gas or the hydrocarbon compound gas and a gas different from the hydrocarbon compound gas for forming a predetermined carbon film together with the hydrocarbon compound gas are used, and plasma conversion of the source gas is performed at 10 MHz or more. For forming a carbon film by applying to the basic high-frequency power of the predetermined frequency, high-frequency power in a state where amplitude modulation is performed at a modulation frequency in the range of 1 / 10,000 or more and 1/10 or less of the predetermined frequency. Plasma C
VD method.
ｚ以上２００ＭＨｚ以下の所定周波数の基本高周波電力
に前記の振幅変調を施した状態の高周波電力を印加する
ことで行う請求項１記載のプラズマＣＶＤ法。2. The plasma of the source gas is changed to 10 MH
The plasma CVD method according to claim 1, wherein the plasma CVD method is performed by applying high frequency power in a state in which the amplitude modulation is performed to basic high frequency power having a predetermined frequency of z or more and 200 MHz or less.
高周波電力に前記振幅変調を施し、さらに、該変調周波
数の１００倍未満で１００分の１より大きい変調周波数
で第２の振幅変調を施した状態の高周波電力の印加によ
り行う請求項１又は２記載のプラズマＣＶＤ法。3. The plasma conversion of the source gas is performed by subjecting the basic high frequency power to the amplitude modulation, and further performing second amplitude modulation at a modulation frequency less than 100 times the modulation frequency and greater than 1/100. The plasma CVD method according to claim 1 or 2, wherein the plasma CVD method is performed by applying high-frequency power in this state.
ための前記振幅変調高周波電力を得るにあたり、該振幅
変調を電力印加のオンオフを伴うパルス変調又はパルス
状の変調とする請求項１、２又は３記載のプラズマＣＶ
Ｄ法。4. When obtaining the amplitude-modulated high-frequency power for converting the film-forming raw material gas into plasma, the amplitude modulation is pulse modulation accompanied by on / off of power application or pulse-like modulation. Or the plasma CV described in 3.
Method D.
膜用原料ガスを高周波電力印加手段による高周波電力の
印加によりプラズマ化し、このプラズマに基体を曝して
該基体上に膜形成を行うプラズマＣＶＤ装置において、
前記高周波電力印加手段が、１０ＭＨｚ以上の所定周波
数の基本高周波電力に該所定周波数の１００００分の１
以上、１０分の１以下の範囲の変調周波数で振幅変調を
施した状態の高周波電力を印加するものであり、前記原
料ガス供給部が原料ガスとして所定の炭素膜を形成する
ための炭化水素化合物のガス、又は炭化水素化合物のガ
ス及びこれと共に所定の炭素膜を形成するための該炭化
水素化合物ガスとは異なる種類のガスを供給するもので
ある炭素膜形成のためのプラズマＣＶＤ装置。5. The film-forming raw material gas supplied from the film-forming raw material gas supply unit is turned into plasma by applying high-frequency power by a high-frequency power applying means, and the substrate is exposed to this plasma to form a film on the substrate. In the plasma CVD device,
The high-frequency power applying means applies the basic high-frequency power of a predetermined frequency of 10 MHz or more to 1/10000 of the predetermined frequency.
A hydrocarbon compound for applying high-frequency power in a state where amplitude modulation is performed at a modulation frequency in the range of 1/10 or less, and the source gas supply unit forms a predetermined carbon film as a source gas. Or a gas of a hydrocarbon compound and a gas of a different kind from the hydrocarbon compound gas for forming a predetermined carbon film together therewith, a plasma CVD apparatus for forming a carbon film.
以上２００ＭＨｚ以下の所定周波数の基本高周波電力に
前記の振幅変調を施した状態の高周波電力を印加するも
のである請求項５記載のプラズマＣＶＤ装置。6. The high frequency power applying means is 10 MHz.
6. The plasma CVD apparatus according to claim 5, wherein the high frequency power in the state where the amplitude modulation is performed is applied to the basic high frequency power having a predetermined frequency of 200 MHz or less.
周波電力に前記振幅変調を施し、さらに、該変調周波数
の１００倍未満で１００分の１より大きい変調周波数で
第２の振幅変調を施した状態の高周波電力を印加するも
のである請求項５又は６記載のプラズマＣＶＤ装置。7. The high frequency power applying means performs the amplitude modulation on the basic high frequency power, and further performs a second amplitude modulation at a modulation frequency less than 100 times the modulation frequency and greater than 1/100. The plasma CVD apparatus according to claim 5 or 6, which applies high-frequency electric power in a state.
高周波電力印加手段は、前記振幅変調を電力印加のオン
オフを伴うパルス変調又はパルス状の変調で行うもので
ある請求項５、６又は７記載のプラズマＣＶＤ装置。8. The high-frequency power applying means for converting the film-forming source gas into plasma is performed by pulse modulation or pulse-like modulation with ON / OFF of power application for the amplitude modulation. The plasma CVD apparatus described.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03062295A JP3147695B2 (en) | 1994-02-21 | 1995-02-20 | Plasma CVD method and apparatus for forming diamond-like carbon film |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233794 | 1994-02-21 | ||
| JP6-22337 | 1994-02-21 | ||
| JP03062295A JP3147695B2 (en) | 1994-02-21 | 1995-02-20 | Plasma CVD method and apparatus for forming diamond-like carbon film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07278822A true JPH07278822A (en) | 1995-10-24 |
| JP3147695B2 JP3147695B2 (en) | 2001-03-19 |
Family
ID=26359536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03062295A Expired - Fee Related JP3147695B2 (en) | 1994-02-21 | 1995-02-20 | Plasma CVD method and apparatus for forming diamond-like carbon film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3147695B2 (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998021747A1 (en) * | 1996-11-14 | 1998-05-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma film forming method and plasma film forming apparatus |
| WO1999045168A1 (en) * | 1998-03-05 | 1999-09-10 | Nissin Electric Co., Ltd. | Plasma cvd method, plasma cvd apparatus, and electrode |
| US6136386A (en) * | 1996-06-27 | 2000-10-24 | Nissin Electric Co., Ltd. | Method of coating polymer or glass objects with carbon films |
| US6893720B1 (en) | 1997-06-27 | 2005-05-17 | Nissin Electric Co., Ltd. | Object coated with carbon film and method of manufacturing the same |
| JP2008524782A (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-10 | マツクス−プランク−ゲゼルシャフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシャフテン エー フアウ | Method and apparatus for operating a plasma device |
| JP2015073096A (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-16 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | High-selectivity, low-stress carbon hardmask by pulsed low-frequency rf power |
| JP2019077903A (en) * | 2017-10-20 | 2019-05-23 | アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社 | Plasma cvd device and film deposition method of plastic container |
-
1995
- 1995-02-20 JP JP03062295A patent/JP3147695B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6136386A (en) * | 1996-06-27 | 2000-10-24 | Nissin Electric Co., Ltd. | Method of coating polymer or glass objects with carbon films |
| WO1998021747A1 (en) * | 1996-11-14 | 1998-05-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma film forming method and plasma film forming apparatus |
| US6215087B1 (en) | 1996-11-14 | 2001-04-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma film forming method and plasma film forming apparatus |
| US6355902B2 (en) | 1996-11-14 | 2002-03-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma film forming method and plasma film forming apparatus |
| US6893720B1 (en) | 1997-06-27 | 2005-05-17 | Nissin Electric Co., Ltd. | Object coated with carbon film and method of manufacturing the same |
| WO1999045168A1 (en) * | 1998-03-05 | 1999-09-10 | Nissin Electric Co., Ltd. | Plasma cvd method, plasma cvd apparatus, and electrode |
| US6503579B1 (en) | 1998-03-05 | 2003-01-07 | Nissin Electric Co., Ltd. | Plasma CVD method, plasma CVD apparatus, and electrode |
| JP2008524782A (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-10 | マツクス−プランク−ゲゼルシャフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシャフテン エー フアウ | Method and apparatus for operating a plasma device |
| JP2015073096A (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-16 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | High-selectivity, low-stress carbon hardmask by pulsed low-frequency rf power |
| JP2019077903A (en) * | 2017-10-20 | 2019-05-23 | アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社 | Plasma cvd device and film deposition method of plastic container |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3147695B2 (en) | 2001-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930011413B1 (en) | Plasma cvd method for using pulsed waveform | |
| EP1918967B1 (en) | Method of forming a film by deposition from a plasma | |
| US5437895A (en) | Plasma CVD process for forming amorphous silicon thin film | |
| JP3147695B2 (en) | Plasma CVD method and apparatus for forming diamond-like carbon film | |
| JPS60195092A (en) | Method and apparatus for production of carbon thin film | |
| JPS62138395A (en) | Preparation of diamond film | |
| JP2006312577A (en) | Method and device for forming carbon nanostructure | |
| JPH1088359A (en) | Formation of carbon coating and device therefor | |
| JP3019563B2 (en) | Plasma CVD method and apparatus | |
| JPH07183236A (en) | Method and device for plasma cvd | |
| JPH07283154A (en) | Plasma cvd method and device | |
| JP2995339B2 (en) | How to make a thin film | |
| JP3329117B2 (en) | Ion plating method and apparatus | |
| JPH05270982A (en) | Production of diamond film | |
| JP2000109394A (en) | Carbon-coating film | |
| JP2000026193A (en) | Thin film | |
| JP2840750B2 (en) | Coating method | |
| JPH0674199B2 (en) | Diamond synthesis method | |
| JPS6265997A (en) | Method and apparatus for synthesizing diamond | |
| JPH0364468A (en) | Formation of carbon-based thin film | |
| JPS6383271A (en) | Production of diamond-like carbon film | |
| JPH05271938A (en) | Method for synthesizing diamond | |
| JP2636856B2 (en) | Method for producing diamond thin film | |
| JPH10259481A (en) | Formation of amorphous carbon coating | |
| JP3025808B2 (en) | Thin film preparation method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20001212 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080112 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090112 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100112 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100112 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |