JPH07273032A - 半導体結晶成長方法 - Google Patents
半導体結晶成長方法Info
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- JPH07273032A JPH07273032A JP5867294A JP5867294A JPH07273032A JP H07273032 A JPH07273032 A JP H07273032A JP 5867294 A JP5867294 A JP 5867294A JP 5867294 A JP5867294 A JP 5867294A JP H07273032 A JPH07273032 A JP H07273032A
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- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 微傾斜基板の原子ステップの不均一性の影響
を抑え、均一な半導体微細構造を作製する方法を提供す
る。 【構成】 ［１１バー０］方向にわずかに傾斜したＩｎ
Ａｓ半導体（００１）微傾斜基板１１上に、ＩｎＡｓバ
ッファ層１２を成長させる。基板をＡｓ雰囲気下にお
き、加熱するとＩｎＡｓバッファ層の表面は、（２×
４）構造から（４×２）構造に変化し、ステップ間隔が
均一で、ステップの端部が［１１０］方向に沿って直線
的な表面を有するバッファ層１３となる。このバッファ
層の表面に、ＧａＳｂ層１４を０．５分子層、ＩｎＡｓ
層１５を０．５分子層、交互に積層を繰り返す。最後に
表面全体にＩｎＡｓ層１６を成長させると、周囲をＩｎ
Ａｓで囲まれたＧａＳｂを作製することができる。
を抑え、均一な半導体微細構造を作製する方法を提供す
る。 【構成】 ［１１バー０］方向にわずかに傾斜したＩｎ
Ａｓ半導体（００１）微傾斜基板１１上に、ＩｎＡｓバ
ッファ層１２を成長させる。基板をＡｓ雰囲気下にお
き、加熱するとＩｎＡｓバッファ層の表面は、（２×
４）構造から（４×２）構造に変化し、ステップ間隔が
均一で、ステップの端部が［１１０］方向に沿って直線
的な表面を有するバッファ層１３となる。このバッファ
層の表面に、ＧａＳｂ層１４を０．５分子層、ＩｎＡｓ
層１５を０．５分子層、交互に積層を繰り返す。最後に
表面全体にＩｎＡｓ層１６を成長させると、周囲をＩｎ
Ａｓで囲まれたＧａＳｂを作製することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体結晶成長方法に
関し、特に、半導体の極微細構造の作製に利用される半
導体結晶成長方法に関する。
関し、特に、半導体の極微細構造の作製に利用される半
導体結晶成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体結晶内に、２０ｎｍ程度以下の大
きさの細線構造もしくは箱型構造などの微細構造を均一
に作製する技術が、量子効果を高度に利用する新機能素
子の実現するために必要不可欠な技術として種々検討さ
れている。
きさの細線構造もしくは箱型構造などの微細構造を均一
に作製する技術が、量子効果を高度に利用する新機能素
子の実現するために必要不可欠な技術として種々検討さ
れている。
【０００３】従来、この様な微細構造を作製する方法と
して、半導体微傾斜基板を用いる方法がある。その方法
を図３を参照して説明する。まず、図３（ａ）に示すよ
うに、半導体微傾斜基板、例えば、（００１）面から
［１１０］方向へ２°傾斜した表面を有するＧａＡｓ微
傾斜基板３１、の上に、ＧａＡｓバッファ層３２を２０
０〜３００ｎｍ成長させ、さらに、その表面上にＡｌＡ
ｓ層３３を成長させる。なお、基板３１の表面は、原子
オーダーでは平面では無く、図３（ａ）に示すように、
原子ステップの連続となっている。また、この基板３１
上に形成されたＡｌＡｓ層３３の表面も、基板の表面状
態を受け継ぎ、原子ステップの連続となる。
して、半導体微傾斜基板を用いる方法がある。その方法
を図３を参照して説明する。まず、図３（ａ）に示すよ
うに、半導体微傾斜基板、例えば、（００１）面から
［１１０］方向へ２°傾斜した表面を有するＧａＡｓ微
傾斜基板３１、の上に、ＧａＡｓバッファ層３２を２０
０〜３００ｎｍ成長させ、さらに、その表面上にＡｌＡ
ｓ層３３を成長させる。なお、基板３１の表面は、原子
オーダーでは平面では無く、図３（ａ）に示すように、
原子ステップの連続となっている。また、この基板３１
上に形成されたＡｌＡｓ層３３の表面も、基板の表面状
態を受け継ぎ、原子ステップの連続となる。
【０００４】次に、ＡｌＡｓ層３３の表面に、ＧａＡｓ
層３４を０．５分子層程度成長させる。ＧａＡｓ３４の
成長は、原子ステップの側面から始まり、側方に進む。
したがって、０．５分子層のＧａＡｓ３４は、図３
（ｂ）に示すようＡｌＡｓ層３３の表面を約半分だけ覆
うように成長する。続いてＡｌＡｓ層３５を０．５分子
層程度成長させる。ＡｌＡｓ層３５も、ＧａＡｓ層３４
と同様に、原子ステップの側面から側方に向かって成長
する。したがって、ＡｌＡｓ層３５は、ＧａＡｓ層３４
の側面から、ＡｌＡｓ層３３の残り半分を覆うように成
長する。
層３４を０．５分子層程度成長させる。ＧａＡｓ３４の
成長は、原子ステップの側面から始まり、側方に進む。
したがって、０．５分子層のＧａＡｓ３４は、図３
（ｂ）に示すようＡｌＡｓ層３３の表面を約半分だけ覆
うように成長する。続いてＡｌＡｓ層３５を０．５分子
層程度成長させる。ＡｌＡｓ層３５も、ＧａＡｓ層３４
と同様に、原子ステップの側面から側方に向かって成長
する。したがって、ＡｌＡｓ層３５は、ＧａＡｓ層３４
の側面から、ＡｌＡｓ層３３の残り半分を覆うように成
長する。
【０００５】この後、ＧａＡｓ層３４とＡｌＡｓ層３５
とを交互に０．５分子層づつ成長させる。そして、これ
らＧａＡｓ層３４及びＡｌＡｓ層３５の表面に、ＡｌＡ
ｓ層３６を成長させると、ＡｌＡｓ層３３、３５、及び
３６に周囲を囲まれたＧａＡｓ層３４の細線構造が作製
される。
とを交互に０．５分子層づつ成長させる。そして、これ
らＧａＡｓ層３４及びＡｌＡｓ層３５の表面に、ＡｌＡ
ｓ層３６を成長させると、ＡｌＡｓ層３３、３５、及び
３６に周囲を囲まれたＧａＡｓ層３４の細線構造が作製
される。
【０００６】この様な、細線構造の作製方法は、例え
ば、ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アン
ド・テクノロジー・Ｂ（Journal of Vacuum Science &
Technology B）、第６巻、第４号、第１３７８頁、（１
９８８年）に記載されている。
ば、ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アン
ド・テクノロジー・Ｂ（Journal of Vacuum Science &
Technology B）、第６巻、第４号、第１３７８頁、（１
９８８年）に記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の細線構造を作製
する方法では、作製された細線構造の均一性が、作製に
使用する微傾斜基板の表面状態に大きく影響される。即
ち、均一な細線構造を作製するには、微傾斜基板の表面
の原子ステップの間隔が均一であり、かつ、ステップの
端部が直線的でなければならない。なぜならば、図４
（ａ）に示すように、ＧａＡｓ微傾斜基板３１のステッ
プ間隔が一定でないとすると、ＧａＡｓ層３４は、図４
（ｂ）、及び（ｃ）に示すように積層されるＧａＡｓ層
３４は、下層のＧａＡｓ層３４とは別の場所に積層され
てしまうからである。同様に、ステップの端部が直線的
でなければ、均一な細線構造を作製することはできな
い。なお、図４（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、図３
（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）で示す工程にそれぞれ対応
し、また、同一のものには、同一符号を付してある。
する方法では、作製された細線構造の均一性が、作製に
使用する微傾斜基板の表面状態に大きく影響される。即
ち、均一な細線構造を作製するには、微傾斜基板の表面
の原子ステップの間隔が均一であり、かつ、ステップの
端部が直線的でなければならない。なぜならば、図４
（ａ）に示すように、ＧａＡｓ微傾斜基板３１のステッ
プ間隔が一定でないとすると、ＧａＡｓ層３４は、図４
（ｂ）、及び（ｃ）に示すように積層されるＧａＡｓ層
３４は、下層のＧａＡｓ層３４とは別の場所に積層され
てしまうからである。同様に、ステップの端部が直線的
でなければ、均一な細線構造を作製することはできな
い。なお、図４（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、図３
（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）で示す工程にそれぞれ対応
し、また、同一のものには、同一符号を付してある。
【０００８】実際の微傾斜基板では、原子ステップの間
隔が不均一であり、ステップの端部も直線的ではない。
従って、従来の細線構造を作製する方法では、均一の細
線構造を作製することができないという問題点がある。
隔が不均一であり、ステップの端部も直線的ではない。
従って、従来の細線構造を作製する方法では、均一の細
線構造を作製することができないという問題点がある。
【０００９】従来の細線構造を作製する方法では、基板
表面にバッファ層を形成し、基板の原子ステップ構造の
均一性を向上させるようにしている。しかしながら、こ
の様に、基板上にバッファ層を形成しても、原子ステッ
プの間隔の不均一は依然として残り、その原子ステップ
の直線部は、［１１バー０］方向に沿った原子ステップ
では、数十ｎｍ程度、［１１０］方向に沿った原子ステ
ップでは、数ｎｍ程度でしかないことが、アプライド・
フィジクス・レターズ（Applied Physics Letters ）、
第５８巻、第４号、第４０６頁（１９９１年）に報告さ
れている。
表面にバッファ層を形成し、基板の原子ステップ構造の
均一性を向上させるようにしている。しかしながら、こ
の様に、基板上にバッファ層を形成しても、原子ステッ
プの間隔の不均一は依然として残り、その原子ステップ
の直線部は、［１１バー０］方向に沿った原子ステップ
では、数十ｎｍ程度、［１１０］方向に沿った原子ステ
ップでは、数ｎｍ程度でしかないことが、アプライド・
フィジクス・レターズ（Applied Physics Letters ）、
第５８巻、第４号、第４０６頁（１９９１年）に報告さ
れている。
【００１０】この様に、従来の細線構造を作製する方法
では、使用する微傾斜基板の不均一性の影響を大きく受
け、均一な微細構造を作製することができないという問
題点がある。
では、使用する微傾斜基板の不均一性の影響を大きく受
け、均一な微細構造を作製することができないという問
題点がある。
【００１１】本発明は、微傾斜基板の原子ステップの不
均一性の影響を抑え、均一な半導体微細構造を作製する
方法を提供することを目的とする。
均一性の影響を抑え、均一な半導体微細構造を作製する
方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
傾斜基板上に化合物半導体を成長させる第１の工程と、
前記化合物半導体を構成する元素のうち少なくとも１つ
からなる分子を含む雰囲気中に前記半導体傾斜基板を置
き、該半導体傾斜基板の温度及び前記分子の濃度のうち
少なくとも一方を制御して前記化合物半導体の表面の組
成比を制御する第２の工程と、前記化合物半導体の表面
に該化合物半導体とは異なる半導体を成長させる第３の
工程とを含むことを特徴とする半導体結晶成長方法が得
られる。
傾斜基板上に化合物半導体を成長させる第１の工程と、
前記化合物半導体を構成する元素のうち少なくとも１つ
からなる分子を含む雰囲気中に前記半導体傾斜基板を置
き、該半導体傾斜基板の温度及び前記分子の濃度のうち
少なくとも一方を制御して前記化合物半導体の表面の組
成比を制御する第２の工程と、前記化合物半導体の表面
に該化合物半導体とは異なる半導体を成長させる第３の
工程とを含むことを特徴とする半導体結晶成長方法が得
られる。
【００１３】
【実施例】以下に図面を参照して本発明の実施例を説明
する。始めに、本発明の一実施例に使用される成長装置
について図２を参照して説明する。この成長装置は、試
料を導入するためのロードロック室２１と、ロードロッ
ク室２１に連通するＭＢＥ（分子線エピタキシ）装置２
２と、ＭＢＥ装置２２に連通するＳＴＭ（走査トンネル
顕微鏡）２３とを有している。
する。始めに、本発明の一実施例に使用される成長装置
について図２を参照して説明する。この成長装置は、試
料を導入するためのロードロック室２１と、ロードロッ
ク室２１に連通するＭＢＥ（分子線エピタキシ）装置２
２と、ＭＢＥ装置２２に連通するＳＴＭ（走査トンネル
顕微鏡）２３とを有している。
【００１４】次に、本発明の一実施例を図１をも参照し
て説明する。まず、［１１バー０］方向（下記の数式１
で表わされる方向）にわずかに傾斜したＩｎＡｓ半導体
（００１）微傾斜基板１１が、ロードロック室２１に導
入され、ＭＢＥ装置２２に移送される。ＭＢＥ装置２２
において、基板１１は、所定濃度（圧力）のＡｓ雰囲気
中に置かれ、所定の温度（例えば、４５０℃）に加熱さ
れる。そして、その表面には、Ｉｎビームが照射され、
図１（ａ）に示すようにＩｎＡｓバッファ層１２が形成
される。このとき、ＩｎＡｓバッファ層１２の表面をＲ
ＨＥＥＤ（高速電子線回折装置）でモニタしたところ、
その表面は（２×４）構造をしていることが分かった。
（２×４）構造は、ＩｎＡｓバッファ層１２表面でＡｓ
の組成比が大きいときに現れる構造である。
て説明する。まず、［１１バー０］方向（下記の数式１
で表わされる方向）にわずかに傾斜したＩｎＡｓ半導体
（００１）微傾斜基板１１が、ロードロック室２１に導
入され、ＭＢＥ装置２２に移送される。ＭＢＥ装置２２
において、基板１１は、所定濃度（圧力）のＡｓ雰囲気
中に置かれ、所定の温度（例えば、４５０℃）に加熱さ
れる。そして、その表面には、Ｉｎビームが照射され、
図１（ａ）に示すようにＩｎＡｓバッファ層１２が形成
される。このとき、ＩｎＡｓバッファ層１２の表面をＲ
ＨＥＥＤ（高速電子線回折装置）でモニタしたところ、
その表面は（２×４）構造をしていることが分かった。
（２×４）構造は、ＩｎＡｓバッファ層１２表面でＡｓ
の組成比が大きいときに現れる構造である。
【００１５】
【数１】
【００１６】また、このＩｎＡｓ半導体微傾斜基板１１
をＭＢＥ装置２２からＳＴＭ２３へ搬送して、ＩｎＡｓ
バッファ層１２の面のステップ構造を走査トンネル顕微
鏡によって観察すると、原子ステップの端部は、大まか
には［１１０］方向に沿っているものの凹凸が激しく最
も直線的な部分でも数ｎｍ程度しか直線的でないことが
分かった。
をＭＢＥ装置２２からＳＴＭ２３へ搬送して、ＩｎＡｓ
バッファ層１２の面のステップ構造を走査トンネル顕微
鏡によって観察すると、原子ステップの端部は、大まか
には［１１０］方向に沿っているものの凹凸が激しく最
も直線的な部分でも数ｎｍ程度しか直線的でないことが
分かった。
【００１７】次に、ＩｎＡｓ半導体微傾斜基板１１を、
ＭＢＥ装置２２からＳＴＭ２３へ戻す。そして、再び、
所定濃度（圧力）のＡｓ雰囲気中で、ＩｎＡｓバッファ
層１２の表面をＲＨＥＥＤでモニタしながら、基板１１
を加熱したところ、５０５℃に達した時点で、ＩｎＡｓ
バッファ層１２の表面構造が、（２×４）構造から（４
×２）構造に変化した。（４×２）構造は、ＩｎＡｓ表
面でＩｎの組成比が大きいときに現れる構造である。
ＭＢＥ装置２２からＳＴＭ２３へ戻す。そして、再び、
所定濃度（圧力）のＡｓ雰囲気中で、ＩｎＡｓバッファ
層１２の表面をＲＨＥＥＤでモニタしながら、基板１１
を加熱したところ、５０５℃に達した時点で、ＩｎＡｓ
バッファ層１２の表面構造が、（２×４）構造から（４
×２）構造に変化した。（４×２）構造は、ＩｎＡｓ表
面でＩｎの組成比が大きいときに現れる構造である。
【００１８】ＩｎＡｓバッファ層１２の表面構造が、
（４×２）構造に変化した基板１１を、再び、ＳＴＭ２
３へ搬送してその表面を走査トンネル顕微鏡によって観
察すると、図１（ｂ）に示すように、ステップ間隔が均
一で、ステップの端部が［１１０］方向に沿って１００
ｎｍ程度直線的になっており、均一なＩｎＡｓバッファ
層１３が形成されていた。
（４×２）構造に変化した基板１１を、再び、ＳＴＭ２
３へ搬送してその表面を走査トンネル顕微鏡によって観
察すると、図１（ｂ）に示すように、ステップ間隔が均
一で、ステップの端部が［１１０］方向に沿って１００
ｎｍ程度直線的になっており、均一なＩｎＡｓバッファ
層１３が形成されていた。
【００１９】その後、ＩｎＡｓ半導体微傾斜基板１１を
ＳＴＭ２３からＭＢＥ装置２２へ戻し、ステップに接す
るようにＧａＳｂ層１４を０．５分子層成長させ、さら
に、ＧａＳｂ層１４によって形成されたステップに接す
るようにＩｎＡｓ層１５を０．５分子層成長させた。す
ると、図１（ｃ）に示すように、等間隔で交互にＧａＳ
ｂ層１４とＩｎＡｓ層１５とが露出する成長層を得るこ
とができた。
ＳＴＭ２３からＭＢＥ装置２２へ戻し、ステップに接す
るようにＧａＳｂ層１４を０．５分子層成長させ、さら
に、ＧａＳｂ層１４によって形成されたステップに接す
るようにＩｎＡｓ層１５を０．５分子層成長させた。す
ると、図１（ｃ）に示すように、等間隔で交互にＧａＳ
ｂ層１４とＩｎＡｓ層１５とが露出する成長層を得るこ
とができた。
【００２０】この後、ＧａＳｂ層１４を０．５分子層、
ＩｎＡｓ層１５を０．５分子層、交互に５０回程度繰り
返し、最後にＩｎＡｓ層１６を全面にわたって成長させ
て、ＩｎＡｓ層１３、１５、及び１６で囲まれた、Ｇａ
Ｓｂ層１４の細線構造を作製することができた。
ＩｎＡｓ層１５を０．５分子層、交互に５０回程度繰り
返し、最後にＩｎＡｓ層１６を全面にわたって成長させ
て、ＩｎＡｓ層１３、１５、及び１６で囲まれた、Ｇａ
Ｓｂ層１４の細線構造を作製することができた。
【００２１】このようにして作製したＧａＳｂ細線は、
従来法で作製したものよりはるかに均一で、長さ方向１
００ｎｍにわたって原子スケールで均一であった。
従来法で作製したものよりはるかに均一で、長さ方向１
００ｎｍにわたって原子スケールで均一であった。
【００２２】なお、上記実施例では、ＩｎＡｓ基板上に
ＧａＳｂ細線を作製した例について説明したが、ＩｎＡ
ｓ基板上にＡｌＳｂ、ＡｌＧａＳｂ、ＩｎＧａＡｓなど
の細線を作製することもできる。また、ＩｎＡｓバッフ
ァ層１３上に全面にわたりＧａＳｂ層を形成した後、Ｇ
ａＳｂ層１４とＩｎＡｓ層１５を交互に０．５層づつ積
層し、ＩｎＡｓ層１６に代えてＧａＳｂ層を全面に形成
することにより、ＧａＳｂ層に囲まれたＩｎＡｓ細線を
作製することもできる。同様にして、ＡｌＳｂ、ＡｌＧ
ａＳｂ、及びＩｎＧａＡｓ等に囲まれたＩｎＡｓ細線を
作製することもできる。
ＧａＳｂ細線を作製した例について説明したが、ＩｎＡ
ｓ基板上にＡｌＳｂ、ＡｌＧａＳｂ、ＩｎＧａＡｓなど
の細線を作製することもできる。また、ＩｎＡｓバッフ
ァ層１３上に全面にわたりＧａＳｂ層を形成した後、Ｇ
ａＳｂ層１４とＩｎＡｓ層１５を交互に０．５層づつ積
層し、ＩｎＡｓ層１６に代えてＧａＳｂ層を全面に形成
することにより、ＧａＳｂ層に囲まれたＩｎＡｓ細線を
作製することもできる。同様にして、ＡｌＳｂ、ＡｌＧ
ａＳｂ、及びＩｎＧａＡｓ等に囲まれたＩｎＡｓ細線を
作製することもできる。
【００２３】また、使用する基板は、ＩｎＡｓ基板に限
るものではなく、ＩｎＰ、ＧａＡｓ等、他の基板を用い
ることもできる。ＩｎＰ基板を用いる場合は、基板上に
成長させたＩｎＰバッファ層（またはＩｎＧａＡｓバッ
ファ層）が（４×２）構造となるようにその表面の組成
を制御すれば、ＩｎＧａＡｓ細線を作製することができ
る。また、ＧａＡｓ基板を用いる場合は、基板上に成長
させたＧａＡｓバッファ層が（４×６）構造となるよう
にその表面の組成を制御すれば、ＡｌＡｓに囲まれたＡ
ｌＧａＡｓ細線またはＧａＡｓ細線、或いはＡｌＧａＡ
ｓに囲まれたＧａＡｓ細線を作製することができる。
るものではなく、ＩｎＰ、ＧａＡｓ等、他の基板を用い
ることもできる。ＩｎＰ基板を用いる場合は、基板上に
成長させたＩｎＰバッファ層（またはＩｎＧａＡｓバッ
ファ層）が（４×２）構造となるようにその表面の組成
を制御すれば、ＩｎＧａＡｓ細線を作製することができ
る。また、ＧａＡｓ基板を用いる場合は、基板上に成長
させたＧａＡｓバッファ層が（４×６）構造となるよう
にその表面の組成を制御すれば、ＡｌＡｓに囲まれたＡ
ｌＧａＡｓ細線またはＧａＡｓ細線、或いはＡｌＧａＡ
ｓに囲まれたＧａＡｓ細線を作製することができる。
【００２４】また、上記実施例では、半導体表面をモニ
タするモニタ手段として高速電子線回折法を採用した
が、Ｘ線回折法、あるいは、光反射法を用いてもよい。
タするモニタ手段として高速電子線回折法を採用した
が、Ｘ線回折法、あるいは、光反射法を用いてもよい。
【００２５】さらに、上記実施例では、半導体表面を評
価する評価手段として走査トンネル顕微鏡を用いたが、
原子間力顕微鏡を用いても良い。
価する評価手段として走査トンネル顕微鏡を用いたが、
原子間力顕微鏡を用いても良い。
【００２６】さらにまた、上記実施例では、Ａｓ濃度
（圧力）一定で、基板温度のみを変化させて組成比を変
化させたが、Ａｓ濃度（圧力）のみを変化させて、ある
いは双方を変化させて組成比を変化させることもでき
る。
（圧力）一定で、基板温度のみを変化させて組成比を変
化させたが、Ａｓ濃度（圧力）のみを変化させて、ある
いは双方を変化させて組成比を変化させることもでき
る。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、半導体微傾斜基板上に
形成した化合物半導体バッファ層の表面の組成比を制御
して、ステップ構造の均一化を図り、その後、半導体微
細構造を作製するようにしたことで、均一な微細構造を
作製することができる。
形成した化合物半導体バッファ層の表面の組成比を制御
して、ステップ構造の均一化を図り、その後、半導体微
細構造を作製するようにしたことで、均一な微細構造を
作製することができる。
【図１】本発明の一実施例の工程図である。
【図２】本発明の一実施例に使用される成長装置の概略
図である。
図である。
【図３】従来の半導体結晶成長方法を説明するための工
程図である。
程図である。
【図４】従来の半導体結晶成長方法の問題点を説明する
ための図である。
ための図である。
１１ ＩｎＡｓ半導体（００１）微傾斜基板 １２ ＩｎＡｓバッファ層 １３ ＩｎＡｓバッファ層 １４ ＧａＳｂ層 １５ ＩｎＡｓ層 １６ ＩｎＡｓ層 ２１ ロードロック室 ２２ ＭＢＥ（分子線エピタキシ）装置 ２３ ＳＴＭ（走査トンネル顕微鏡） ３１ ＧａＡｓ微傾斜基板 ３２ ＧａＡｓバッファ層 ３３ ＡｌＡｓ層 ３４ ＧａＡｓ層 ３５ ＡｌＡｓ層 ３６ ＡｌＡｓ層
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体傾斜基板上に化合物半導体を成長
させる第１の工程と、前記化合物半導体を構成する元素
のうち少なくとも１つからなる分子を含む雰囲気中に前
記半導体傾斜基板を置き、該半導体傾斜基板の温度及び
前記分子の濃度のうち少なくとも一方を制御して前記化
合物半導体の表面の組成比を制御する第２の工程と、前
記化合物半導体の表面に該化合物半導体とは異なる半導
体を成長させる第３の工程とを含むことを特徴とする半
導体結晶成長方法。 - 【請求項２】 前記第２の工程が、前記化合物半導体表
面のステップ構造の均一性を向上させるように行われる
ことを特徴とする請求項１の半導体結晶成長方法。 - 【請求項３】 前記第２の工程が、前記化合物半導体の
表面をモニタ手段によってモニタしながら行われること
を特徴とする請求項１または２の半導体結晶成長方法。 - 【請求項４】 前記第２の工程の後に、表面評価手段に
よって前記化合物半導体表面を評価する第４の工程を有
し、該第４の工程の評価結果に基づいて前記第２の工程
を繰り返すことを特徴とする請求項１の半導体結晶成長
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5867294A JPH07273032A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 半導体結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5867294A JPH07273032A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 半導体結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273032A true JPH07273032A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13091082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5867294A Pending JPH07273032A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 半導体結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07273032A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0334594A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Nec Corp | 量子井戸構造の製造方法 |
| JPH03208887A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分子線エピタキシャル成長方法 |
-
1994
- 1994-03-29 JP JP5867294A patent/JPH07273032A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0334594A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Nec Corp | 量子井戸構造の製造方法 |
| JPH03208887A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分子線エピタキシャル成長方法 |
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| A02 | Decision of refusal |
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