JPH07268617A - Target for al alloy sputtering and its production - Google Patents

Target for al alloy sputtering and its production

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JPH07268617A
JPH07268617A JP8786994A JP8786994A JPH07268617A JP H07268617 A JPH07268617 A JP H07268617A JP 8786994 A JP8786994 A JP 8786994A JP 8786994 A JP8786994 A JP 8786994A JP H07268617 A JPH07268617 A JP H07268617A
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alloy
alloy sputtering
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剛 森田
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy

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Abstract

PURPOSE:To obtain a highly workable target for Al alloy sputtering capable of forming a uniform and high-quality film by forming an Al alloy having a specified grain on the target part and on a wide backing plate integrally continued from the rear of the target. CONSTITUTION:An Al-M alloy (M is Mg, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Cu or Zn) is formed on the target 2 part and on a backing plate 3 integrally continued from the rear of the target, provided with a flange 6 and made wider than the target part to obtain a target 1 for Al alloy sputtering. The alloy is specularly finished, and the grain observed by a scanning electron microscope contains the fine particles having about 5mum average diameter and rich in the M. The content of the M is controlled to 1-40wt.%, and further 0.02-1.0% Si, if necessary, and further 2-40% Ni are preferably incorporated. The target is obtained by compacting the alloy powder and cutting the compact.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、金属薄膜の製造に用い
るＡｌ合金スパッタ用ターゲットに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an Al alloy sputtering target used for producing a metal thin film.

【０００２】[0002]

【従来の技術】各種光記録媒体が実用化されているが、
そのうち、光磁気記録媒体は情報容量が大きい点で有望
視され、近年その開発進歩が著しい。光磁気記録媒体
は、透明基板上に、誘電体層を介して記録層磁性膜を設
けて構成されている。そして、最近では、記録層上に第
２の誘電体層を設け、記録層を一対の誘電体層で挟持す
るとともに、その最上層に金属反射層を設け、再生信号
の出力を高めている。2. Description of the Related Art Although various optical recording media have been put to practical use,
Among them, the magneto-optical recording medium is considered promising because of its large information capacity, and its development has been remarkable in recent years. The magneto-optical recording medium is configured by providing a recording layer magnetic film on a transparent substrate via a dielectric layer. Then, recently, a second dielectric layer is provided on the recording layer, the recording layer is sandwiched by a pair of dielectric layers, and a metal reflection layer is provided on the uppermost layer to enhance the output of a reproduction signal.

【０００３】このような金属反射層としては、光反射率
やコストの点でＡｌないしＡｌ合金が有望とされてい
る。そのうちでも特公平５−２４５７１号公報によれ
ば、特にＡｌ−Ｎｉ合金が、Ａｌ単独の反射層で発生す
る白濁を防止するためにすぐれているとされている。そ
して、特開昭６１−１９４６６４号公報では、Ａｌ−Ｎ
ｉ合金のうち、Ｎｉを２〜１０at％含むものが記録感度
や再生のＣ／Ｎの点ですぐれているとされている。この
ような金属反射層の成膜には、一般に製造の容易さ等の
理由でスパッタ法が用いられている。As such a metal reflection layer, Al or Al alloy is considered promising in terms of light reflectance and cost. Among them, according to Japanese Examined Patent Publication No. 5-24571, an Al-Ni alloy is said to be particularly excellent in order to prevent clouding that occurs in a reflective layer of Al alone. In Japanese Patent Laid-Open No. 61-194664, Al-N
Among the i alloys, those containing 2 to 10 at% Ni are said to be excellent in terms of recording sensitivity and reproduction C / N. A sputtering method is generally used for forming such a metal reflective layer because of its ease of manufacture.

【０００４】このような金属反射層では、その熱伝導率
を低下させることで記録感度をさらに高めることができ
る。そこで、Ａｌ合金の熱伝導率を低下させるために
は、Ｎｉ含有量を増加させたスパッタ用ターゲットを用
い、熱伝導率を低下させた金属反射層を成膜することが
望ましい。In such a metal reflective layer, the recording sensitivity can be further increased by lowering the thermal conductivity thereof. Therefore, in order to reduce the thermal conductivity of the Al alloy, it is desirable to use a sputtering target with an increased Ni content and form a metal reflective layer with a reduced thermal conductivity.

【０００５】しかし、例えばＮｉ含有量を増加させたＡ
ｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ターゲットは、従来法である押
出し成形法により製造した場合、膜質が均一とならず、
Ｎｉリッチ相がターゲット面上で偏析してしまう。そし
て、このようなＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ターゲットを
用いて成膜した金属反射層中のＮｉの含有量分布が不均
一になりやすく、金属反射層としての特性のバラツキ等
が生じ、所望の特性が得られない。However, for example, A with an increased Ni content
The l-Ni alloy sputter target does not have uniform film quality when manufactured by a conventional extrusion molding method.
The Ni-rich phase segregates on the target surface. Then, the distribution of Ni content in the metal reflective layer formed by using such an Al-Ni alloy sputtering target is likely to be non-uniform, and variations in the characteristics as the metal reflective layer occur, resulting in desired characteristics. Can't get

【０００６】このようなＡｌ−Ｎｉ合金の他、Ａｌと、
Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＣｕおよびＺｎ等とその合
金をターゲットとするときも同様の現象が生じる。In addition to such an Al--Ni alloy, Al
Mg, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, M
The same phenomenon occurs when targeting o, W, Mn, Fe, Co, Cu, Zn and the like and their alloys.

【０００７】また、スパッタを行なうに際し、従来はタ
ーゲット材を円板状に加工し、例えばＣｕ、またはＣｕ
合金製のバッキングプレートに低融点のボンディング材
を用いて接着して用いている。In the case of performing sputtering, conventionally, a target material is processed into a disk shape, and, for example, Cu or Cu is used.
A backing plate made of an alloy is bonded and used with a low melting point bonding material.

【０００８】このため、ターゲット部がボンディング工
程で汚染されたり、スパッタレートアップのために過大
な電力を投入すると、ボンディング材が溶融して真空雰
囲気を汚染して成膜中の薄膜の品質を劣化させたり、さ
らにターゲット部がバッキングプレートから剥離する事
故もある。For this reason, when the target portion is contaminated in the bonding process or when excessive power is applied to increase the sputtering rate, the bonding material is melted to contaminate the vacuum atmosphere and deteriorate the quality of the thin film being formed. There is also an accident that the target part is peeled off from the backing plate.

【０００９】ボンディング材を用いない方法として、タ
ーゲット部とバッキングプレート部とを異なる金属で構
成し、爆着法等の機械的・熱的方法で直接接合して一体
化されたターゲット、あるいはターゲット部とバッキン
グプレート部とを同一金属で一体に成形したターゲット
等（特開平４−１４３２６９号公報）が開示されてい
る。As a method without using a bonding material, the target portion and the backing plate portion are made of different metals and are directly joined by a mechanical / thermal method such as an explosive bonding method, or an integrated target, or a target portion. There is disclosed a target and the like (Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-143269) in which the backing plate portion and the backing plate portion are integrally formed of the same metal.

【００１０】前記特開平４−１４３２６９号公報に開示
されているターゲットのうち、異なる金属で構成したも
のは、ターゲット部に異種金属であるバッキングプレー
ト部の金属が浸透するため、ターゲット部の厚さをスパ
ッタ源としてすべて利用することができない。また、膨
張率の違いによるそりが生じやすい。Among the targets disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-143269 mentioned above, the targets made of different metals have the thickness of the target part because the metal of the backing plate part which is a dissimilar metal penetrates into the target part. Cannot be used as a sputtering source. Also, warpage is likely to occur due to the difference in expansion coefficient.

【００１１】一方、同一金属で一体に成形したターゲッ
トは、このような制限はなく、冷却媒体や真空雰囲気に
対する耐圧限界までスパッタ源として利用することがで
きる。しかし、ターゲットが冷却媒体によって腐食され
やすく、使用中に冷却効率が低下したり、ターゲットの
着脱時の傷により、気密性が劣化したりしやすい。ま
た、このようなターゲットを従来の圧延、押出し、鋳造
等の方法で製造されたものは、さらに製造時の圧力で生
じた異方性による不均一な変形や金属間化合物の異常粒
成長等による難加工性等もある。このため、同一金属で
一体に成形したターゲットは従来用いられていなかっ
た。On the other hand, the target integrally formed of the same metal does not have such a limitation, and can be used as a sputtering source up to a withstand voltage limit against a cooling medium or a vacuum atmosphere. However, the target is easily corroded by the cooling medium, the cooling efficiency is lowered during use, and the airtightness is likely to be deteriorated due to a scratch when the target is attached or detached. Further, such a target manufactured by a method such as conventional rolling, extrusion, casting, etc. is further caused by uneven deformation due to anisotropy caused by pressure during manufacturing, abnormal grain growth of intermetallic compound, etc. There is also difficult processing. Therefore, a target integrally formed of the same metal has not been used conventionally.

【００１２】[0012]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、例え
ば光磁気記録媒体等の金属反射層などの成膜に用いたと
き、膜中の合金組成が均一で、金属反射層等の特性のバ
ラツキが少なく、さらに合金構成成分の含有率を高くす
ることが可能で、金属反射層等の熱伝導率を低下させる
ことができ、例えばより一層高い記録感度をもつ光磁気
記録媒体等の光記録媒体が得られ、さらにボンディング
工程での汚染がなく、スパッタレートが向上し、加工性
が改善され、加工取りしろの少ないＡｌ合金スパッタ用
ターゲットとその製造方法とを提供することである。The object of the present invention is to provide a uniform alloy composition in a film when used for forming a metal reflective layer of a magneto-optical recording medium, etc. Optical recording such as a magneto-optical recording medium having a higher recording sensitivity, which has less variation and can increase the content rate of alloy constituents and can reduce the thermal conductivity of the metal reflection layer and the like. An object of the present invention is to provide a target for Al alloy sputtering, which provides a medium, has no contamination in the bonding step, has an improved sputter rate, has improved workability, and has a small working margin, and a method for producing the same.

【００１３】[0013]

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（17）の本発明により達成される。 （１）Ａｌ−Ｍ合金（ただしＭは、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎのうちの１種以上である）
から形成されており、鏡面加工をして走査型電子顕微鏡
観察を行ったとき、平均粒径５μm 以下の前記Ｍリッチ
の微細粒を含有するグレインをもち、ターゲット部と、
その後方に一体的に連続し、それより幅広のバッキング
プレート部を有するＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 （２）前記Ｍの含有量が１〜４０wt% である上記（１）
のＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 （３）さらにＳｉを０．０２〜１．０wt% 含有する上記
（１）または（２）のＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 （４）前記ＭがＮｉであり、Ｎｉ含有量が２〜４０wt％
である上記（１）〜（３）のいずれかのＡｌ合金スパッ
タ用ターゲット。 （５）前記グレインの平均径が１μm 〜１mmである上記
（１）〜（４）のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ターゲ
ット。 （６）前記微細粒が、前記グレイン中に面積比で５〜８
０％存在する上記（１）〜（５）のいずれかのＡｌ合金
スパッタ用ターゲット。 （７）前記グレイン周囲にバウンダリー層を有し、この
バウンダリー層中にＭリッチの第２の微細粒を有する上
記（１）〜（６）のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ター
ゲット。 （８）前記第２の微細粒の平均粒径が０．１〜１０μm
である上記（７）のＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 （９）前記第２の微細粒が、前記バウンダリー層中に面
積比で５〜８０％存在する上記（７）または（８）のＡ
ｌ合金スパッタ用ターゲット。 （１０）Ａｌ−Ｍ合金の粉末を加圧成形した上記（１）
〜（９）のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 （１１）上記（１）〜（12）のいずれかのＡｌ合金スパ
ッタ用ターゲットであって、前記バッキングプレート面
のうち、少なくとも冷却媒体と接触する部分が、耐食性
被膜を有するＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 （１２）前記耐食性被膜がＣｕ、ＮｉおよびＣｒのうち
１種以上を含む被膜である上記（11）のＡｌ合金スパッ
タ用ターゲット。 （１３）光記録媒体の反射膜の成膜に用いる上記（１）
〜（12）のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 （１４）Ａｌ−Ｍ合金を溶融して高速急冷法により粉末
とし、得られたＡｌ−Ｍ合金の粉末を加圧成形し、切削
加工するＡｌ合金スパッタ用ターゲットの製造方法。 （１５）前記加圧成形が、Ａｌの融点未満の温度で行わ
れる上記（14）のＡｌ合金スパッタ用ターゲットの製造
方法。 （１６）前記高速急冷法により得られた微細粉末に、さ
らにＭリッチの微細粒を添加して加圧成形する上記（1
4）または（15）のＡｌ合金スパッタ用ターゲットの製
造方法。 （１７）前記Ａｌ−Ｍ合金の粉末中にＭリッチの微細粒
が存在する上記（14）〜（16）のいずれかのＡｌ合金ス
パッタ用ターゲットの製造方法。The above objects are achieved by the present invention described in (1) to (17) below. (1) Al-M alloy (where M is Mg, Ti, Zr,
Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Fe,
One or more of Co, Ni, Cu and Zn)
And having a grain containing the M-rich fine particles having an average particle size of 5 μm or less when subjected to mirror surface processing and scanning electron microscope observation, and a target portion,
A target for Al alloy sputter, which has a backing plate portion wider than that which is integrally continuous behind the target. (2) The above (1), wherein the content of M is 1 to 40 wt%.
Al alloy sputter target. (3) The Al alloy sputtering target according to the above (1) or (2), which further contains 0.02 to 1.0 wt% of Si. (4) The M is Ni and the Ni content is 2 to 40 wt%
The target for Al alloy sputtering according to any one of (1) to (3) above. (5) The target for Al alloy sputtering according to any one of the above (1) to (4), wherein the average diameter of the grains is 1 μm to 1 mm. (6) The fine particles have an area ratio of 5 to 8 in the grains.
The target for Al alloy sputtering according to any one of the above (1) to (5), which is present at 0%. (7) The target for Al alloy sputtering according to any one of the above (1) to (6), which has a boundary layer around the grain, and has M-rich second fine grains in the boundary layer. (8) The average particle size of the second fine particles is 0.1 to 10 μm
The target for Al alloy sputtering according to (7) above. (9) A of the above (7) or (8), wherein the second fine particles are present in the boundary layer in an area ratio of 5 to 80%.
l Alloy sputter target. (10) The above (1) in which Al-M alloy powder is pressure-molded.
A target for Al alloy sputtering according to any one of to (9). (11) The Al alloy sputtering target according to any one of (1) to (12) above, wherein at least a portion of the backing plate surface that comes into contact with the cooling medium has a corrosion resistant coating. (12) The target for Al alloy sputtering according to the above (11), wherein the corrosion resistant coating is a coating containing at least one of Cu, Ni and Cr. (13) The above (1) used for forming a reflective film of an optical recording medium
A target for Al alloy sputtering according to any one of to (12). (14) A method for producing a target for Al alloy sputtering, in which an Al-M alloy is melted and made into powder by a rapid quenching method, the obtained powder of Al-M alloy is pressure-molded, and cut. (15) The method for manufacturing an Al alloy sputtering target according to (14), wherein the pressure forming is performed at a temperature lower than the melting point of Al. (16) The M-rich fine particles are further added to the fine powder obtained by the rapid quenching method, and the mixture is pressure-molded.
4) The method for producing a target for Al alloy sputtering according to (15). (17) The method for manufacturing an Al alloy sputtering target according to any of (14) to (16), wherein M-rich fine particles are present in the Al-M alloy powder.

【００１４】[0014]

【作用および効果】本発明のスパッタ用ターゲットは、
Ａｌ−Ｍ合金（ただしＭは、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎのうちの１種以上である）であ
る。そして、好ましくはＡｌ−Ｍ合金を溶融して高速急
冷法により粉末とし、得られた粉末を、好ましくはＡｌ
の融点未満の温度で加圧成形し、旋削加工して得られる
もので、平均粒径５μm 以下のＭリッチの微細粒を含有
するグレインをもつ。さらに、ターゲット部と、その後
方に一体的に連続し、ターゲット部より幅広のバッキン
グプレート部を有する。ACTION AND EFFECT The sputtering target of the present invention is
Al-M alloy (M is Mg, Ti, Zr, Hf,
V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Fe, Co,
It is one or more of Ni, Cu and Zn). Then, preferably, the Al-M alloy is melted into a powder by a rapid quenching method, and the obtained powder is preferably Al.
It is obtained by pressure molding at a temperature lower than the melting point of, and turning, and has grains containing M-rich fine particles having an average particle diameter of 5 μm or less. Furthermore, it has a target part and a backing plate part which is integrally continuous behind the target part and is wider than the target part.

【００１５】この場合、微細粒は全体のＭ含有量よりも
Ｍ過剰の金属間化合物を主体とし、全体のＭの含有量
は、好ましくは１〜４０wt％である。このターゲット
は、従来の押出し成形法により製造したＡｌ−Ｍ合金ス
パッタ用ターゲットと比較して、Ｍの組成が均質であ
る。In this case, the fine particles are mainly composed of an M intermetallic compound in excess of the total M content, and the total M content is preferably 1 to 40 wt%. This target has a more uniform M composition than the target for Al-M alloy sputtering produced by the conventional extrusion molding method.

【００１６】例えばＭとしてＮｉを用いたとき、直径５
インチ（約１２７mm）のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ター
ゲットのスパッタ面を、縦および横方向にそれぞれ直径
の１／６の長さで等間隔に区切り、得られた３２区画の
Ｎｉの平均含有量を測定すると、押出し成形法によるタ
ーゲットでは、Ｎｉリッチ相の微細粒は比較的均一に分
布しているが、一軸方向に配向するので区画ごとのＮｉ
の平均含有量が変化しており、区画ごとの平均含有量の
バラツキは全体としてのＮｉ含有量増加させると著しく
バラツいてしまう。すなわち、押出し成形法では、Ｎｉ
含有量を例えば６wt％超とすると、押出し方向に縞状に
Ｎｉリッチ相が偏析・偏在し、前記の区画ごとの平均含
有量が同一のターゲットを製造することはできない。For example, when Ni is used as M, the diameter is 5
The sputter surface of an inch (about 127 mm) Al-Ni alloy sputter target was divided into equal lengths and widths at intervals of 1/6 of the diameter, and the average content of Ni in the 32 compartments obtained was calculated. According to the measurement, in the target by the extrusion molding method, the fine particles of the Ni-rich phase are relatively uniformly distributed, but since they are uniaxially oriented, the Ni in each section is
The average content of No. 2 is changing, and the variation in the average content of each section is significantly different when the Ni content as a whole is increased. That is, in the extrusion molding method, Ni
When the content is more than 6 wt%, for example, the Ni-rich phase is segregated and unevenly distributed in stripes in the extrusion direction, and it is impossible to manufacture a target having the same average content in each section.

【００１７】一方、本発明のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用
ターゲットでは、Ｎｉリッチの微細粒はグレイン内部、
あるいはこれに加えグレイン近傍のバウンダリー層に偏
在してはいるが、前記の区画内のＮｉの平均含有量は、
Ｎｉ含有量が多くても区画間でほぼ同一である。On the other hand, in the Al-Ni alloy sputtering target of the present invention, the Ni-rich fine particles are inside the grains,
Alternatively, in addition to this, although unevenly distributed in the boundary layer near the grain, the average content of Ni in the above-mentioned compartment is
Even if the Ni content is high, it is almost the same between the compartments.

【００１８】本発明によれば、より一層高いＭ含有量と
するときにも、Ｍ量が均質なＡｌ−Ｍ合金スパッタ用タ
ーゲットを製造することができる。従って、本発明のＡ
ｌ−Ｍ合金スパッタ用ターゲットを用いることで、Ｍ含
有率を多くして、熱伝導率が低く、より一層高い記録感
度をもつ光磁気記録媒体用等の金属反射層等の成膜が可
能となる。According to the present invention, it is possible to manufacture an Al-M alloy sputtering target having a uniform M content even when the M content is higher. Therefore, A of the present invention
By using the 1-M alloy sputtering target, it is possible to form a metal reflection layer or the like for a magneto-optical recording medium having a higher M content, a lower thermal conductivity and a higher recording sensitivity. Become.

【００１９】また、光磁気記録媒体、例えばミニディス
クでは、ブロックエラーレート（ＢＬＥＲ）が特に３．
０×１０-2以下となる記録パワー下限値（Ｐmin ）に対
し、Ｐmin ×１．４として表わされる最適記録パワー
（Ｐ0 ）、すなわち光磁気記録媒体に記録するための記
録書き込み光の最適パワーが、低ければ低いほど記録感
度は高くなる。このＰ0 は、例えばＭとしてＮｉを用い
たとき、金属反射層厚が同じであれば、Ａｌ−Ｎｉ合金
製金属反射層のＮｉ含有率が高いほど低下し、金属反射
層厚が薄いほど低下する。このときＮｉ含有率が高いほ
ど金属反射層厚の変化に対するＰ0 の変化も小さくな
る。In a magneto-optical recording medium such as a mini disk, the block error rate (BLER) is particularly 3.
For the recording power lower limit value (Pmin) of 0 × 10 -2 or less, the optimum recording power (P 0 ) expressed as Pmin × 1.4, that is, the optimum power of the recording / writing light for recording on the magneto-optical recording medium. However, the lower the value, the higher the recording sensitivity. For example, when Ni is used as M, this P 0 decreases as the Ni content of the Al-Ni alloy metal reflection layer increases and decreases as the metal reflection layer thickness decreases, if the metal reflection layer thickness is the same. To do. At this time, the higher the Ni content, the smaller the change in P 0 with respect to the change in the thickness of the metal reflection layer.

【００２０】すなわち、金属反射層の製造に際し、膜厚
を厚くしてもＰ0 は高くならず、製造上の膜厚制御マー
ジンが広がり、また膜厚を薄くせざるをえなくなって反
射性が低下したり、高温高湿下での耐食性が低下すると
いうことも無くなり製造上の大きなメリットとなる。That is, in the production of the metal reflection layer, P 0 does not increase even if the film thickness is increased, the film thickness control margin in the production is widened, and the film thickness cannot but be reduced. It does not decrease, or the corrosion resistance under high temperature and high humidity does not decrease, which is a great merit in manufacturing.

【００２１】またさらに、本発明あるいは押出し成形法
により製造したＡｌ合金スパッタ用ターゲットを用いて
その直上に基板を固定してスパッタを行ない、得られた
金属層について、ターゲット中心から径方向にＭ含有率
を測定すると、押出し成形法によるターゲットを用いた
場合、金属層中のＭ含有率は、ターゲット中心付近でＭ
含有率が低く、測定位置を径方向に移動していくと、Ｍ
含有率は大きく増加していく。しかし、本発明のターゲ
ットを用いた場合には、ターゲット中心付近では、ター
ゲットのＭ含有率とほぼ同等の薄膜が安定して得られ、
また金属層中のＭ含有率の径方向の変化も格段と小さ
い。Furthermore, using the Al alloy sputtering target produced by the present invention or the extrusion molding method, the substrate is fixed directly on the target and sputtering is performed, and the obtained metal layer contains M in the radial direction from the center of the target. When the target is measured by the extrusion method, the M content in the metal layer is M near the center of the target.
When the content is low and the measurement position is moved in the radial direction, M
The content rate will increase significantly. However, when the target of the present invention is used, a thin film having almost the same M content as the target is stably obtained near the center of the target.
The change in the M content in the metal layer in the radial direction is also extremely small.

【００２２】このように、本発明のＡｌ−Ｍ合金スパッ
タ用ターゲットを用いることで、スパッタの際のターゲ
ット中心から径方向の位置の違いによる金属反射層中の
Ｍ含有率の変化が小さく、特にターゲット直上付近での
薄膜中のＭ含有率がターゲット組成とほぼ等しいという
特段の効果が合わせて得られる。このような効果は、本
発明のターゲットによりはじめて得られた効果である。As described above, by using the Al-M alloy sputtering target of the present invention, the change in the M content in the metal reflective layer due to the difference in the radial position from the center of the target during sputtering is small, A special effect that the M content in the thin film near the target is almost equal to the target composition is also obtained. Such an effect is an effect first obtained by the target of the present invention.

【００２３】さらに、本発明のＡｌ−Ｍ合金スパッタ用
ターゲットは、ターゲット部と、その後方に一体的に連
続し、ターゲット部より幅広のバッキングプレート部を
有するため、ターゲット部とバッキングプレート部とを
接合するためのボンディング材を含まない。このためタ
ーゲットへのボンディング材の拡散や真空雰囲気の汚染
がなく、より大きな電力を投入することが可能になり、
スパッタレートをアップさせることができ、より一層高
い品質の薄膜を提供することができる。Further, since the Al-M alloy sputtering target of the present invention has a target portion and a backing plate portion which is integrally continuous behind the target portion and is wider than the target portion, the target portion and the backing plate portion are provided. Does not include a bonding material for joining. Therefore, there is no diffusion of the bonding material to the target and contamination of the vacuum atmosphere, and it becomes possible to input a larger power,
The sputter rate can be increased, and a thin film of higher quality can be provided.

【００２４】また、本発明のＡｌ−Ｍ合金は異方性がな
く、金属間化合物の異常粒成長もないため、スパッタ時
の不均一な変形がなく、さらに製造時の加工性が良好で
加工時間が短く、加圧成形するため加工取りしろが少な
い。Further, since the Al-M alloy of the present invention has no anisotropy and no abnormal grain growth of intermetallic compounds, there is no uneven deformation during sputtering, and the workability during manufacturing is good. Since the time is short and pressure molding is performed, there is little processing margin.

【００２５】また、冷却媒体がバッキングプレートと直
接接触する直冷式のスパッタ装置に用いる場合は、好ま
しくは冷却媒体と接触する部分が耐食性被膜を有する。
このため、腐食による冷却効率の低下も生じない。When the cooling medium is used in a direct cooling type sputtering apparatus in which the cooling medium is in direct contact with the backing plate, the portion in contact with the cooling medium preferably has a corrosion resistant coating.
Therefore, the cooling efficiency does not decrease due to corrosion.

【００２６】[0026]

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。Specific Structure The specific structure of the present invention will be described in detail below.

【００２７】本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲット
は、Ａｌ−Ｍ合金（ただしＭは、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎのうちの１種以上である）か
ら形成されており、平均粒径５μm 以下、より好ましく
は０．０１〜２μm の前記Ｍリッチの微細粒を含有する
グレインをもつ。そして、ターゲット部と、その後方に
一体的に連続し、それより幅広のバッキングプレート部
を有する。The Al alloy sputtering target of the present invention is an Al-M alloy (where M is Mg, Ti, Zr or H).
f, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Fe, C
O, Ni, Cu and Zn) and has grains containing the M-rich fine particles having an average particle size of 5 μm or less, more preferably 0.01 to 2 μm. Further, the target portion and the backing plate portion that is integrally continuous behind the target portion and is wider than the target portion are provided.

【００２８】本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲットの
Ｍの含有量は、好ましくは１〜４０wt％である。Ｍ含有
量が少なすぎると、本発明の実効が少なくなり、また例
えば金属反射層を成膜したとき、金属反射層の熱伝導率
が高くなりやすく、媒体の記録感度が低下してくる。ま
た多すぎても本発明の実効が少なくなる他、例えば金属
反射層として良好なアモルファス状態や結晶状態を維持
できなくなったりして、金属反射層としての反射率が低
下しやすくなり、媒体のＣ／Ｎ比も劣化してくる。The M content of the Al alloy sputtering target of the present invention is preferably 1 to 40 wt%. If the M content is too low, the effect of the present invention is reduced, and when a metal reflective layer is formed, for example, the thermal conductivity of the metal reflective layer tends to be high, and the recording sensitivity of the medium tends to be low. Further, if the amount is too large, the effect of the present invention is reduced, and, for example, it becomes difficult to maintain a good amorphous state or crystalline state as the metal reflection layer, and thus the reflectance as the metal reflection layer is apt to be lowered, so that the C The / N ratio also deteriorates.

【００２９】また、本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲ
ットには、さらにＳｉを好ましくは０．０２〜１．０wt
% 、より好ましくは０．０３〜０．８wt% 、特に好まし
くは０．１〜０．２wt% 含有する。Ｓｉを上記範囲含有
することで、Ａｌ合金スパッタ用ターゲットの熱伝導率
がより一層低下する。含有量が少なすぎるとＳｉによる
熱伝導率の低下効果が得られにくく、多すぎるとＳｉの
分布が不均一になりやすく、このようなターゲットを用
いて成膜しても、均質な膜になりにくい。The Al alloy sputtering target of the present invention further contains Si, preferably 0.02 to 1.0 wt.
%, More preferably 0.03 to 0.8 wt%, and particularly preferably 0.1 to 0.2 wt%. By including Si in the above range, the thermal conductivity of the Al alloy sputtering target is further reduced. If the content is too low, the effect of reducing the thermal conductivity due to Si is difficult to obtain, and if it is too high, the distribution of Si tends to be non-uniform, and even if a film is formed using such a target, a uniform film will be obtained. Hateful.

【００３０】次に、本発明のＡｌ−Ｍ合金スパッタ用タ
ーゲットのＭとして最も好ましいＮｉを用い、特にミニ
ディスク等の光磁気記録媒体の金属反射層を成膜する場
合を例として説明する。なお、Ｎｉ以外の前記Ｍでも、
そのマイクロストラクチャー等は以下と同様である。Next, an example will be described in which the most preferable Ni is used as M of the Al-M alloy sputtering target of the present invention, and in particular, a metal reflective layer of a magneto-optical recording medium such as a mini disk is formed. Incidentally, even in the case of M other than Ni,
The microstructure and the like are similar to the following.

【００３１】本発明のＡｌ−Ｍ合金スパッタ用ターゲッ
トのＭとしてＮｉを用いる場合は、Ｎｉ含有量が２〜４
０wt％、より好ましくは３〜２０wt％、特に６〜１０wt
％であることが好ましい。Ｎｉ含有量が少なすぎると、
例えば金属反射層を成膜したとき、前記のように、金属
反射層の熱伝導率が高くなりやすく、記録感度が低下し
てくる。また多すぎると、金属反射層の反射率が低下し
やすくなり、Ｃ／Ｎ比が劣化してくる。When Ni is used as M of the Al-M alloy sputtering target of the present invention, the Ni content is 2-4.
0 wt%, more preferably 3 to 20 wt%, especially 6 to 10 wt%
% Is preferable. If the Ni content is too low,
For example, when a metal reflective layer is formed, as described above, the thermal conductivity of the metal reflective layer tends to be high, and the recording sensitivity tends to be low. On the other hand, if the amount is too large, the reflectance of the metal reflective layer tends to decrease, and the C / N ratio tends to deteriorate.

【００３２】このような範囲でＮｉを含有し、後述する
方法で製造した本発明のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ター
ゲットは、平均粒径５μm 以下、より好ましくは０．０
１〜２μm のＮｉリッチの微細粒を含有するグレインを
もつ。すなわち、ターゲット表面を例えばダイアパウダ
ーによりスズ定盤上でポリッシングして鏡面加工したの
ち、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による観察を行なう
と、粒界が明確に確認されるグレインをもつ。本明細書
において、Ｎｉリッチの微細粒を含有するグレインと
は、このような処理で確認されるグレインをいう。一
方、押出し成形法により製造したＡｌ−Ｎｉ合金スパッ
タ用ターゲットでは、前記の鏡面加工後、さらに塩化鉄
水溶液でエッチング加工を施してはじめてグレインが確
認されることはあるが、前記の鏡面加工のみではグレイ
ンは確認されない。The Al-Ni alloy sputtering target of the present invention containing Ni in such a range and manufactured by the method described below has an average particle size of 5 μm or less, more preferably 0.0
It has grains containing 1-2 μm Ni-rich fine grains. That is, when the target surface is mirror-polished by polishing on a tin surface plate with, for example, dia powder, and then observed with a scanning electron microscope (SEM), grain boundaries are clearly confirmed. In the present specification, the grain containing Ni-rich fine particles refers to the grain confirmed by such treatment. On the other hand, in the Al-Ni alloy sputter target produced by the extrusion molding method, after the mirror-finishing, the grains may be confirmed only after etching with an aqueous solution of iron chloride, but only with the mirror-finishing. Grain is not confirmed.

【００３３】グレインの平均径は、好ましくは１μm 〜
１mm、より好ましくは２〜１００μm である。この場
合、平均粒径や平均径は、ＳＥＭ視野下での５０個程度
のグレインの最大長辺の平均で表わす。そして、Ｎｉリ
ッチ（Ｍリッチ）微細粒はＳＥＭ視野下、一定量グレイ
ン内に存在し、好ましくはグレイン中に面積比で５〜８
０％、より好ましくは１５〜５０％存在する。そして、
グレインのほとんどが、主に球状あるいは偏平状に近い
形状をもつ。The average diameter of the grains is preferably from 1 μm to
It is 1 mm, more preferably 2 to 100 μm. In this case, the average particle diameter and the average diameter are represented by the average of the maximum long sides of about 50 grains under the SEM field of view. The Ni-rich (M-rich) fine particles are present in the grain in a certain amount under the SEM field of view, and the area ratio is preferably 5 to 8 in the grain.
0%, more preferably 15-50%. And
Most of the grains mainly have a spherical or nearly flat shape.

【００３４】さらに、このようなグレイン周囲には通常
バウンダリー層が存在し、このバウンダリー層中にもＮ
ｉリッチの第２の微細粒を有する。そしてこの第２の微
細粒は、主にグレイン近傍に存在し、平均粒径としては
０．１〜１０μm 、より好ましくは２〜５μm で、バウ
ンダリー層中に面積比で５〜８０％、より好ましくは１
５〜６０％存在する。これら、グレイン中のＮｉリッチ
の微細粒や、バウンダリー層中に存在する第２の微細粒
は、主に金属間化合物ＮｉＡｌ3 を主体とし、さらに、
Ａｌ−Ｎｉ合金中のＮｉ含有量が２５〜４０wt％の場
合、Ｎｉ2 Ａｌ3やＮｉＡｌ等の合金（金属間化合物）
として存在することもある。これらは、Ｘ線回折（ＸＲ
Ｄ）により確認することができる。なお、バウンダリー
層の厚さは５〜２０μm 程度、また、面積比は０〜３０
％、特に５〜２０％であることが好ましい。ただし、後
述する加圧成形法、特に加熱を伴なわない成形を行なう
場合は、上記のようなバウンダリー層がほとんど存在せ
ず、グレイン近傍にＮｉリッチの微細粒が存在する層の
み有する場合もある。この場合、Ｎｉリッチの微細粒と
ともに空隙が存在することもある。なお、このようなＡ
ｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ターゲットのＮｉリッチの微細
粒等は特にＳＥＭよる組成像からの確認が有効である。
また、このようなＮｉリッチ相を除く部分は、実質的に
アルミニウム相であり、さらに、これらの組成成分のほ
かに、ターゲット組成中には原料の不純物等に由来する
例えばＯやＮ等が１０００ppm 程度以下含まれていても
よい。Further, a boundary layer is usually present around such a grain, and N is also contained in this boundary layer.
It has i-rich second fine grains. The second fine particles are mainly present in the vicinity of grains, have an average particle size of 0.1 to 10 μm, more preferably 2 to 5 μm, and have an area ratio of 5 to 80% in the boundary layer, more preferably Is 1
5-60% present. These Ni-rich fine particles in the grains and the second fine particles present in the boundary layer are mainly composed of the intermetallic compound NiAl 3 , and further,
When the Ni content in the Al-Ni alloy is 25-40 wt%, an alloy such as Ni 2 Al 3 or NiAl (intermetallic compound)
May also exist. These are X-ray diffraction (XR
It can be confirmed by D). The thickness of the boundary layer is about 5 to 20 μm, and the area ratio is 0 to 30.
%, Particularly preferably 5 to 20%. However, in the case of performing a pressure molding method described later, particularly in the case of molding without heating, there may be a case where there is almost no boundary layer as described above and only a layer having Ni-rich fine particles in the vicinity of grains exists. . In this case, voids may be present together with Ni-rich fine particles. In addition, such A
It is particularly effective to confirm the Ni-rich fine particles of the l-Ni alloy sputtering target from the composition image by SEM.
In addition, such a portion excluding the Ni-rich phase is substantially an aluminum phase, and further, in addition to these composition components, for example, O or N, etc. derived from impurities of the raw material in the target composition is 1000 ppm. It may be included below the degree.

【００３５】以上では、前記ＭとしてＮｉを用いたとき
について説明してきたが、Ｎｉ以外の金属を用いた場合
のＡｌ合金中の好ましいＭ含有量や、グレイン中のＭリ
ッチの微細粒およびバウンダリー層中に存在する第２の
微細粒の、存在形態等を以下に示す。In the above description, the case where Ni is used as the M has been described. However, the preferable M content in the Al alloy when using a metal other than Ni, the M-rich fine grains in the grain and the boundary layer. The existence form and the like of the second fine particles present therein are shown below.

【００３６】ＭがＭｇの場合、Ａｌ中のＭ含有量は２〜
４０wt％が好ましい。またＭリッチの微細粒としては金
属間化合物ＡｌＭｇのβ相が偏析する。ＭがＴｉの場
合、Ａｌ中のＭ含有量は２〜４０wt％が好ましい。また
Ｍリッチの微細粒は主にＴｉＡｌ3 が主体となる。Ｍが
Ｚｒの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０wt％が好まし
い。また、Ｍリッチの微細粒は主にＺｒＡｌ3 が主体と
なる。ＭがＨｆの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０wt
％が好ましい。ＭがＶの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜
２０wt％が好ましい。またＭリッチの微細粒は主にＶＡ
ｌ6 やＶＡｌ5 が主体となる。ＭがＮｂまたはＴａの場
合、Ａｌ中のＭ含有量はいずれの場合も１〜３０wt％が
好ましい。ＭがＣｒの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜２
０wt％が好ましい。またＭリッチの微細粒は主にＣｒＡ
ｌ7 を主体とし、さらにＭ含有量が１０〜２０wt％の場
合、Ｃｒ12Ａｌ11、ＣｒＡｌ4 として存在することもあ
る。ＭがＭｏの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜２０wt％
が好ましい。またＭリッチの微細粒は主にＭｏＡｌ12が
主体となる。ＭがＷの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜２
０wt％が好ましい。またＭリッチの微細粒は主にＷＡｌ
12が主体となる。ＭがＭｎの場合、Ａｌ中のＭ含有量は
１〜３０wt％が好ましい。またＭリッチの微細粒は主に
ＭｎＡｌ6 やＭｎＡｌ4 が主体となる。ＭがＦｅの場
合、Ａｌ中のＭ含有量は２〜４０wt％が好ましい。また
Ｍリッチの微細粒は主にＦｅＡｌ3 やＦｅ2 Ａｌ5 が主
体となる。ＭがＣｏの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３
０wt％が好ましい。またＭリッチの微細粒は主にＣｏ2
Ａｌ9 を主体とし、さらにＭ含有量が２０〜３０wt％の
場合、Ｃｏ4 Ａｌ13、Ｃｏ2 Ａｌ5 として存在すること
もある。ＭがＣｕの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０
wt％が好ましい。またＭリッチの微細粒は主に金属間化
合物ＡｌＣｕのθ相が偏析する。ＭがＺｎの場合、Ａｌ
中のＭ含有量は１〜３０wt％が好ましい。またＡｌ−Ｚ
ｎはＺｎの重力偏析が生じる。When M is Mg, the content of M in Al is 2 to
40 wt% is preferable. Further, as M-rich fine particles, the β phase of the intermetallic compound AlMg segregates. When M is Ti, the M content in Al is preferably 2 to 40 wt%. Further, M-rich fine particles are mainly composed of TiAl 3 . When M is Zr, the M content in Al is preferably 1 to 30 wt%. Further, the M-rich fine particles are mainly composed of ZrAl 3 . When M is Hf, M content in Al is 1 to 30 wt.
% Is preferred. When M is V, the content of M in Al is 1 to
20 wt% is preferable. Also, M-rich fine particles are mainly VA
The main components are l 6 and VAl 5 . When M is Nb or Ta, the M content in Al is preferably 1 to 30 wt% in any case. When M is Cr, the M content in Al is 1 to 2
0 wt% is preferred. Also, M-rich fine particles are mainly CrA.
When L 7 is the main component and the M content is 10 to 20 wt%, it may exist as Cr 12 Al 11 and CrAl 4 . When M is Mo, the M content in Al is 1 to 20 wt%
Is preferred. The M-rich fine particles are mainly composed of MoAl 12 . When M is W, M content in Al is 1 to 2
0 wt% is preferred. Also, M-rich fine particles are mainly WAl
12 is the main subject. When M is Mn, the M content in Al is preferably 1 to 30 wt%. The M-rich fine particles are mainly composed of MnAl 6 and MnAl 4 . When M is Fe, the M content in Al is preferably 2 to 40 wt%. Further, M-rich fine particles are mainly composed of FeAl 3 and Fe 2 Al 5 . When M is Co, M content in Al is 1 to 3.
0 wt% is preferred. Also, M-rich fine particles are mainly composed of Co 2
When Al 9 is the main component and the M content is 20 to 30 wt%, it may exist as Co 4 Al 13 or Co 2 Al 5 . When M is Cu, the M content in Al is 1 to 30.
wt% is preferred. Further, in the M-rich fine particles, the θ phase of the intermetallic compound AlCu is mainly segregated. When M is Zn, Al
The M content therein is preferably 1 to 30 wt%. Also Al-Z
For n, gravity segregation of Zn occurs.

【００３７】さらに、本発明のＡｌ合金スパッタ用ター
ゲットでは、Ａｌ合金を形成するＭは、例示したこれら
の金属単独のみでなく、これらの金属が２種以上含まれ
たものであってもよい。Further, in the Al alloy sputtering target of the present invention, M forming the Al alloy may be not only these metals exemplified above, but also two or more kinds of these metals.

【００３８】本発明は、グレインの平均径やグレイン中
のこのようなＭリッチの微細粒の平均粒径や存在比率、
さらにバウンダリー層中の第２の微細粒の平均粒径や存
在比率を上記のように制御する。このようなＭリッチ微
細粒の分布は、グレイン内部およびその近傍に存在する
点では微視的には局在的ではあるが、巨視的にはほぼ等
方的である。従って、Ｍ含有量をより高いものとして
も、前記の押出し成形法により得られるターゲットのよ
うなＭ組成のバラツキがなく、Ｍ組成が均質なＡｌ合金
スパッタ用ターゲットが得られる。従って、媒体の反射
層として用いる場合、Ｃ／Ｎ比の劣化なしに記録感度を
より一層高くすることが可能である。さらに、金属反射
板の膜厚変化に対するＰ0 の変化が小さくなり、製造上
のマージンが広いというメリットももつ。また、前記の
ように、スパッタの際のターゲット直上を中心とし、そ
の中心からの位置による金属反射層中のＭ含有率の変化
が少ないというすぐれた効果も得られる。このような効
果は、Ｍとして前記いずれの金属を用いても得られる
が、これらのＭのうちではＮｉを用いると最も高い効果
が得られる。According to the present invention, the average grain size and the average grain size and abundance ratio of such M-rich fine grains in the grain are
Further, the average particle size and the abundance ratio of the second fine particles in the boundary layer are controlled as described above. The distribution of such M-rich fine particles is microscopically localized at the points existing inside the grain and in the vicinity thereof, but is macroscopically isotropic. Therefore, even if the M content is higher, it is possible to obtain a target for Al alloy sputtering in which the M composition is uniform and has no variation in the M composition unlike the target obtained by the extrusion molding method. Therefore, when it is used as a reflective layer of a medium, it is possible to further increase the recording sensitivity without deteriorating the C / N ratio. Further, there is an advantage that the change in P 0 with respect to the change in the film thickness of the metal reflection plate is small and the manufacturing margin is wide. Further, as described above, the excellent effect that the M content in the metal reflection layer changes little depending on the position from the center right above the target during sputtering can be obtained. Such an effect can be obtained by using any of the above-mentioned metals as M, but among these M, the highest effect can be obtained by using Ni.

【００３９】他方、押出し成形法による合金ではこのよ
うなグレインやバウンダリー層、さらにはＭリッチの微
細粒の局在的ではあるがほぼ等方的な分布は認められな
い。押出し成形法により得たターゲットを用いるスパッ
タにより得られた金属反射層は、ターゲット直上を中心
とすると、その中心付近のＭ含有率が低くなる。さら
に、金属反射層の径方向のＭ含有率はターゲット直上中
心からはなれるにつれて増加する。さらに、ターゲット
のＭ含有量が高くなるにつれて、Ｍリッチの微細粒がタ
ーゲット内で押出し方向と平行の縞状に不均一に分布す
るので、ターゲットのＭ含有量が一定しない。このた
め、このようなターゲットを用いて成膜した金属反射層
のＭ含有率は均一になりにくい。すなわち、用いるター
ゲットのＭ含有量を高くできないため、金属反射層のＭ
含有率を高くできず、これを光磁気記録媒体としたと
き、記録感度を高くすることができない。On the other hand, in the alloy formed by the extrusion molding method, such grains, boundary layers, and M-rich fine particles are not localized but almost isotropically distributed. The metal reflection layer obtained by sputtering using the target obtained by the extrusion molding method has a low M content near the center of the target, right above the target. Furthermore, the M content in the radial direction of the metal reflection layer increases as the distance from the center directly above the target increases. Further, as the M content of the target increases, the M-rich fine particles are unevenly distributed in the target in a stripe shape parallel to the extrusion direction, so that the M content of the target is not constant. Therefore, the M content of the metal reflection layer formed by using such a target is difficult to be uniform. That is, since the M content of the target used cannot be increased, the M content of the metal reflection layer is increased.
The content cannot be increased, and when this is used as a magneto-optical recording medium, the recording sensitivity cannot be increased.

【００４０】本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲット
は、前記のようなＭ含有量のＡｌ−Ｍ合金を溶融して高
速急冷法により粉末とし、得られた微粉末を加圧成形
し、切削加工することで得ることができる。The Al alloy sputtering target of the present invention melts the above-described M-content Al-M alloy into powder by the rapid quenching method, press-molds the obtained fine powder, and cuts it. You can get it.

【００４１】以下にＭとしてＮｉを用いて本発明のＡｌ
合金スパッタ用ターゲットの製造方法を説明する。In the following, Ni is used as M and Al of the present invention is used.
A method for manufacturing the alloy sputtering target will be described.

【００４２】合金の原料としては、原料金属としてＡｌ
およびＮｉを用い、Ｎｉ含有量が前記範囲となるように
秤量して混合し、アークメルト法、高周波誘導溶解炉法
等により７００〜１０００℃で溶融して高速急冷法によ
り粉末とすればよい。高速急冷法としては、いずれの方
法も用いることができ、各種冷却ロール法、遠心急冷
法、アトマイズ法等を用いることができるが、球状ある
いは偏平状の粉末を容易に得ることができることから、
特にガスアトマイズ法が好ましい。用いるガスとしては
Ｎ2 またはＡｒ、Ｈｅその他の不活性ガスを用いること
が好ましい。As the alloy raw material, Al is used as the raw material metal.
And Ni, are weighed and mixed so that the Ni content is within the above range, melted at 700 to 1000 ° C. by an arc melting method, a high frequency induction melting furnace method, or the like, and made into a powder by a rapid quenching method. As the high-speed quenching method, any method can be used, and various cooling roll methods, centrifugal quenching methods, atomizing methods and the like can be used, but since spherical or flat powder can be easily obtained,
The gas atomizing method is particularly preferable. As the gas to be used, it is preferable to use N 2 or Ar, He or another inert gas.

【００４３】前記溶融に際し、ＭとしてＮｉ以外の金属
を用いる場合は、用いる溶融温度としては、７００〜２
０００℃程度の範囲から、用いる金属により最適な温度
を選択すればよい。When a metal other than Ni is used as M in the melting, the melting temperature used is 700 to 2
The optimum temperature may be selected from the range of about 000 ° C. depending on the metal used.

【００４４】また、粉末の大きさとしては、最大長辺が
平均で１μm 〜１mm、より好ましくは２〜１００μm で
ある。大きすぎると高速急冷されにくく、Ｎｉリッチ粒
が微粒子化しにくい。また小さすぎると加圧成形が難し
くなる。As for the size of the powder, the maximum long side is 1 μm to 1 mm on average, more preferably 2 to 100 μm. If it is too large, rapid quenching is difficult and Ni-rich particles are less likely to become fine particles. If it is too small, pressure molding becomes difficult.

【００４５】得られた粉末は、加圧成形する。加圧成形
する方法は、どのような方法であってもよく、たとえば
通常の加圧成形法、ホットプレス法（ＨＰ）、あるいは
熱間静圧プレス法（ＨＩＰ）等を用いることができる。The obtained powder is pressure-molded. The method of pressure molding may be any method, and for example, an ordinary pressure molding method, hot pressing method (HP), hot isostatic pressing method (HIP) or the like can be used.

【００４６】例えばＨＰ法を用いる加圧成形法として
は、得られた粉末を、例えばグラファイト製等の型に充
填し、加圧成形する。加圧成形条件は、Ａｌの融点以下
の温度であって、通常は室温以上の温度で、より好まし
くは４００〜６５０℃で、１００kg/cm2〜１０００kg/c
m2、５秒〜１時間行なえばよい。As a pressure molding method using the HP method, for example, the obtained powder is filled in a mold made of graphite or the like and pressure molding is performed. The pressure molding condition is a temperature below the melting point of Al, usually above room temperature, more preferably 400 to 650 ° C., 100 kg / cm 2 to 1000 kg / c.
m 2 , 5 seconds to 1 hour.

【００４７】このとき、加熱後の冷却は、好ましくは１
００〜５００℃／時間、より好ましくは３００〜５００
℃／時間の速度で冷却する。冷却する速度が遅すぎる
と、例えばバウンダリー層等に含まれるＮｉリッチの微
細粒の平均粒径が局部的に大きくなりすぎることがあ
り、また速すぎると、生産性が低下する。さらに、加圧
成形時の温度が高すぎるとＡｌが溶融してしまい、Ｎｉ
リッチの微細粒を含有するグレインおよびバウンダリー
層をもつ構造が消失する傾向がある。At this time, cooling after heating is preferably 1
00-500 ° C./hour, more preferably 300-500
Cool at a rate of ° C / hour. If the cooling rate is too slow, for example, the average particle size of Ni-rich fine particles contained in the boundary layer or the like may locally become too large, and if too fast, the productivity may decrease. Furthermore, if the temperature during pressure molding is too high, Al will melt and Ni
Structures with grain and boundary layers containing rich fines tend to disappear.

【００４８】この際、加圧成形する方法としては、前記
高速急冷法により得られた粉末に、さらにＮｉリッチの
微細粒を添加して混合したのちに加圧成形してもよい。
ここで添加するＮｉリッチの微細粒としては、例えばＮ
ｉＡｌ3 、Ｎｉ2 Ａｌ3 、ＮｉＡｌ、Ｎｉ3 Ａｌ等のＮ
ｉを含有するＡｌ合金（金属間化合物）やＮｉであっ
て、平均粒径が０．１〜１０μm 、より好ましくは２〜
５μm である。この場合の加圧成形の条件としては、前
記と同様であるが、例えば加圧を室温程度の温度で行う
場合は特に、１〜５t/cm2 、１秒〜１０分程度とするこ
とが好ましい。Ｎｉリッチの微細粒を添加、混合して加
圧成形する場合、加圧成形時の温度は、前記温度範囲で
加熱しても、また加熱せずに例えば室温程度でおこなっ
てもよいが、バウンダリー層を形成させたり、バウンダ
リー層中にＮｉリッチ相を析出させたりする目的で加熱
することが好ましい。なお加圧成形時に、バウンダリー
層を形成させたり、バウンダリー層中にＮｉリッチ相を
析出させたりする程度に加熱せずに圧粉する場合、グレ
イン間に空隙が存在する場合がある。At this time, as a method of pressure molding, it is also possible to add Ni-rich fine particles to the powder obtained by the high-speed quenching method, mix them, and then press-mold.
The Ni-rich fine particles added here include, for example, N
N such as iAl 3 , Ni 2 Al 3 , NiAl, Ni 3 Al
Al alloy (intermetallic compound) or Ni containing i, having an average particle size of 0.1 to 10 μm, more preferably 2 to
It is 5 μm. The pressure molding conditions in this case are the same as those described above, but when pressure is applied at a temperature of about room temperature, it is preferably 1 to 5 t / cm 2 , and 1 second to 10 minutes. . When Ni-rich fine particles are added and mixed and pressure-molded, the temperature at the time of pressure-molding may be heated within the above temperature range, or may be not heated, for example, about room temperature. It is preferable to heat for the purpose of forming a layer or precipitating a Ni-rich phase in the boundary layer. In the case of compacting without pressing to the extent that a boundary layer is formed or a Ni-rich phase is precipitated in the boundary layer during pressure molding, voids may exist between grains.

【００４９】なお、ＭとしてＮｉを例に製造方法を説明
したが、Ｎｉ以外の前記Ｍ金属であっても同様である。
また、前記高速急冷法により得られた粉末に、さらにＭ
リッチの微細粒を添加して混合した後に加圧成形する場
合、用いるＭリッチの微細粒としては、前記Ｎｉリッチ
の微細粒以外に、前記高速急冷法の原料として用いた前
記Ｍの金属とのＡｌ合金や、前記Ｍであってよい。具体
的には、前記した各Ｍ金属のＡｌ合金や金属間化合物等
および各Ｍ金属が挙げられる。Although the manufacturing method has been described by taking Ni as M as an example, the same applies to the above-mentioned M metals other than Ni.
In addition, the powder obtained by the high-speed quenching method may further contain M
In the case of pressure-molding after adding and mixing rich fine particles, as the M-rich fine particles to be used, in addition to the Ni-rich fine particles, the M-rich metal used as a raw material for the rapid quenching method is used. It may be an Al alloy or the above M. Specifically, the above-mentioned Al alloy of each M metal, an intermetallic compound, or the like and each M metal can be mentioned.

【００５０】また、用いるＭリッチの微細粒の金属種
は、複数であってもよく、さらに前記高速急冷法により
得られた粉末に含まれるＭの金属種と同一でなくてもよ
い。The M-rich fine-grained metal species used may be plural, and may not be the same as the M metal species contained in the powder obtained by the rapid quenching method.

【００５１】前記加圧成形に際して用いる型としては、
得られた成型体が、可能な限り最終製品形状に近いもの
であることが好ましい。加圧成形法では、このような、
ニアネットシェイプ成形を容易に行なうことが可能であ
り、この結果、加工取りしろが少なく原料使用効率のす
ぐれた製造方法が実現する。なお、このようなニアネッ
トシェイプ成型は、従来の圧延、押出し、鋳造等の方法
では実現することが難しく、加工取りしろが多くなりや
すい。The mold used for the pressure molding is
It is preferable that the obtained molded product is as close to the final product shape as possible. In the pressure molding method, such as
Near net shape molding can be easily performed, and as a result, a manufacturing method with a small processing margin and excellent raw material utilization efficiency is realized. Note that such near net shape molding is difficult to realize by the conventional methods such as rolling, extrusion, casting, etc., and the work allowance tends to increase.

【００５２】また、切削加工は、加圧成形で得られた成
型体を目的のターゲット形状に整形するために行なう。
切削加工方法としては、目的のターゲット形状とするた
めに通常用いられる手段を用いればよく、特に制限はな
い。例えば旋削加工（旋盤加工）、フライス加工、ミー
リング加工等の公知の方法を組み合わせて行えばよい。Further, the cutting process is carried out in order to shape the molded body obtained by the pressure molding into a target shape.
The cutting method may be any method that is usually used to form the desired target shape, and is not particularly limited. For example, known methods such as turning (lathe processing), milling, and milling may be combined.

【００５３】なお、切削加工に際し、本発明の方法で得
られた成型体の、グレイン中やバウンダリー層中に析出
した微細粒には異常粒成長や異方性がほとんどなく、こ
のため加工性が極めてすぐれている。一方、熱伝導率低
下のため、Ｍ含有率を高くして従来法で製造した成型体
では、異常粒成長が生じたり、異方性があったりして、
複雑な形状への加工性が悪くなりやすい。During the cutting process, the fine particles precipitated in the grains or in the boundary layer of the molded body obtained by the method of the present invention have almost no abnormal grain growth or anisotropy, and therefore the workability is high. It's extremely good. On the other hand, due to the decrease in thermal conductivity, the molded body produced by the conventional method with a high M content may have abnormal grain growth or have anisotropy.
Workability into complicated shapes tends to deteriorate.

【００５４】通常、得られたターゲットは、加工に際し
て付着した潤滑剤その他の油脂等の汚染物質を除くた
め、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、エチルアルコ
ール、アセトン等の有機溶剤等を用いて蒸気洗浄を行な
い、使用される。Usually, the obtained target is subjected to steam cleaning using an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA), ethyl alcohol, acetone or the like in order to remove contaminants such as lubricants and other oils and fats attached during processing. ,used.

【００５５】図１に本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲ
ットの一例と、スパッタ装置の一部を示す模式部分断面
図を示す。冷却方式は直冷式の一例である。FIG. 1 shows an example of an Al alloy sputtering target of the present invention and a schematic partial sectional view showing a part of a sputtering apparatus. The cooling system is an example of a direct cooling system.

【００５６】Ａｌ合金スパッタ用ターゲット１は、ター
ゲット部２と、ターゲット部２より幅広のフランジ部６
を有するバッキングプレート部３とからなる。ただし、
冷却媒体と直接接触する直冷式のスパッタ装置１１に用
いるＡｌ合金スパッタ用ターゲット１では、好ましくは
耐食性被膜５が設けられる。The Al alloy sputtering target 1 includes a target portion 2 and a flange portion 6 wider than the target portion 2.
And a backing plate portion 3 having. However,
The Al alloy sputtering target 1 used in the direct cooling type sputtering apparatus 11 that is in direct contact with the cooling medium is preferably provided with the corrosion resistant coating 5.

【００５７】バッキングプレート部３のフランジ部６に
は、スパッタ装置１１と固着するためのねじ穴４構造が
設けられており、パッキン１２により冷却媒体２１の密
閉性を保っている。なお、固着手段としては、図示した
ねじ穴に限らず、冷却媒体２１の密閉性が保てる方法で
あれば制限はない。したがって、フランジ部６形状は固
着手段に適用可能な形状とすればよい。The flange portion 6 of the backing plate portion 3 is provided with a screw hole 4 structure for fixing it to the sputtering device 11, and the packing 12 keeps the cooling medium 21 airtight. The fixing means is not limited to the illustrated screw hole, and is not limited as long as the sealing property of the cooling medium 21 can be maintained. Therefore, the shape of the flange portion 6 may be a shape applicable to the fixing means.

【００５８】また、図２には、冷却媒体２１が、冷却部
１３を介して、Ａｌ合金スパッタ用ターゲット１のバッ
キングプレート部３を冷却する間冷式のスパッタ装置１
１の一例を示す。冷却部１３は、銅やその合金等熱伝導
率の高い材質の薄膜で形成したものであることが好まし
い。本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲット１をこのよ
うな間冷式スパッタ装置１１に用いる場合は、耐食性被
膜５を設ける必要はない。Further, in FIG. 2, the cooling medium 21 cools the backing plate portion 3 of the Al alloy sputtering target 1 via the cooling portion 13 while the cooling device 21 is a cooling type.
1 shows an example. The cooling unit 13 is preferably formed of a thin film made of a material having a high thermal conductivity such as copper or its alloy. When the Al alloy sputtering target 1 of the present invention is used in such a cold-cooled sputtering apparatus 11, it is not necessary to provide the corrosion resistant coating 5.

【００５９】Ａｌ合金スパッタ用ターゲット１は、通常
ディスク状であり、ターゲット部２の径は、１０１．６
〜４５７．２mm程度、厚さは３〜８mm程度で、バッキン
グプレート部３の径は、１２０〜５００mm程度、厚さは
３〜１０mm程度である。The Al alloy sputtering target 1 is usually disk-shaped, and the diameter of the target portion 2 is 101.6.
The thickness of the backing plate portion 3 is about 120 mm to about 500 mm and the thickness is about 3 mm to about 10 mm.

【００６０】直冷式スパッタ装置１１に用いるＡｌ合金
スパッタ用ターゲット１に好ましく設けられる耐食性被
膜５としては、熱伝導率が高く、用いる冷却媒体により
腐食されにくい材質であれば特に制限はないが、例えば
Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ等のうち１種以上を含む被膜であれば
よい。設ける方法についても、公知の方法を用いればよ
く、メッキ法、蒸着法、スパッタ法等が可能である。ま
た、その厚さは１〜２０μm 程度とする。The corrosion resistant coating 5 preferably provided on the Al alloy sputtering target 1 used in the direct cooling type sputtering apparatus 11 is not particularly limited as long as it has a high thermal conductivity and is hardly corroded by the cooling medium used. For example, a coating film containing at least one of Cu, Ni, Cr and the like may be used. As a method for providing, a known method may be used, and a plating method, a vapor deposition method, a sputtering method, or the like can be used. The thickness is about 1 to 20 μm.

【００６１】パッキン１２の材質は、通常このような目
的で用いられるもので、用いる冷却媒体２１により短期
間に変質しないものであればどのようなものでもよい。
冷却媒体２１は、通常用いられているものであれば特に
制限はなく、例えば水等をもちいればよい。The material of the packing 12 is usually used for such a purpose, and any material may be used as long as it does not deteriorate in a short period depending on the cooling medium 21 used.
The cooling medium 21 is not particularly limited as long as it is usually used, and for example, water or the like may be used.

【００６２】このようにして得られた本発明のＡｌ合金
スパッタ用ターゲットのグレインには、加圧成形方向と
平行の方向と垂直の方向とで異方性を有することもある
が、グレイン中やバウンダリー層中に析出した微細粒に
は異方性が認められない。The grain of the Al alloy sputtering target of the present invention thus obtained may have anisotropy in the direction parallel to the pressure molding direction and in the direction perpendicular thereto, but in the grain or No anisotropy is observed in the fine particles precipitated in the boundary layer.

【００６３】本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲット
は、例えば光記録媒体等の光記録媒体の金属反射層を成
膜するためのスパッタ用ターゲットとして好適である。
すなわち、光磁気記録媒体は、透明基板上に誘電体層を
介してＴｂ20Ｆｅ74Ｃｏ6 等の記録層磁性膜を設けて構
成されている。そして、最近では、記録層磁性膜上に第
２の誘電体層を設け、記録層を一対の誘電体層で挟持す
るとともに、その最上層には金属反射層を設けて再生信
号の出力を高めているが、このような金属反射層を成膜
する際に好適に用いられる。The Al alloy sputtering target of the present invention is suitable as a sputtering target for forming a metal reflective layer of an optical recording medium such as an optical recording medium.
That is, the magneto-optical recording medium is constituted by providing a recording layer magnetic film of Tb 20 Fe 74 Co 6 or the like on a transparent substrate with a dielectric layer interposed therebetween. And recently, a second dielectric layer is provided on the magnetic film of the recording layer, the recording layer is sandwiched by a pair of dielectric layers, and a metal reflection layer is provided on the uppermost layer thereof to enhance the output of the reproduction signal. However, it is preferably used when forming such a metal reflective layer.

【００６４】本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲットを
用いて成膜した光磁気記録媒体等の光記録媒体の金属反
射層の膜厚は４００〜１５００A 程度が好ましい。膜厚
が薄すぎると金属反射層としての効果が無くなり、出力
やＣ／Ｎが低下しやすい。また厚すぎると感度が低下す
る傾向がある。The film thickness of the metal reflective layer of an optical recording medium such as a magneto-optical recording medium formed by using the Al alloy sputtering target of the present invention is preferably about 400-1500A. If the film thickness is too thin, the effect as the metal reflection layer is lost, and the output and C / N are likely to decrease. If it is too thick, the sensitivity tends to decrease.

【００６５】なお、これまで光磁気記録媒体を例に述べ
てきたが、本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲットは、
これ以外の各種光記録媒体の製造にも用いることができ
る。The magneto-optical recording medium has been described above as an example, but the Al alloy sputtering target of the present invention is
It can also be used for manufacturing various optical recording media other than this.

【００６６】[0066]

【実施例】以下、本発明を実験例、実施例、比較例およ
び試験例によって具体的に説明する。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to experimental examples, examples, comparative examples and test examples.

【００６７】実験例１ 原料ＡｌとＮｉとをＮｉ含有量が６wt％および８wt％と
なるように秤量、混合し、それぞれ７００℃で溶融し
た。これをそれぞれＮ2 ガスを用いるガスアトマイズ法
により、平均粒径が５０μm の粉末を得た。この粉末
を、グラファイト製の型に充填し、６４０℃、１３０kg
/cm2、１０-2Torrで１０分間加圧成形を行い、直径１２
７mm、厚さ５mmの加圧成形体試料１（Ｎｉ含有量６wt
％）および加圧成形体試料２（Ｎｉ含有量８wt％）を得
た。Experimental Example 1 Raw materials Al and Ni were weighed and mixed so that the Ni contents were 6 wt% and 8 wt%, and melted at 700 ° C. A powder having an average particle size of 50 μm was obtained by a gas atomization method using N 2 gas. This powder was filled in a graphite mold, 640 ° C, 130 kg
/ cm 2 , 10 -2 Torr pressure molding for 10 minutes, diameter 12
7mm, 5mm thick sample 1 (Ni content 6wt
%) And a pressed body sample 2 (Ni content 8 wt%) were obtained.

【００６８】得られた試料の表面を前述の方法で鏡面加
工し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で得られた組成像を
図３（Ｎｉ含有量６wt％）および図４（Ｎｉ含有量８wt
％）に示す。それぞれ倍率の異なる組成像として（ａ）
および（ｂ）に示した。The surface of the obtained sample was mirror-finished by the above-mentioned method, and the composition images obtained by a scanning electron microscope (SEM) are shown in FIG. 3 (Ni content 6 wt%) and FIG. 4 (Ni content 8 wt%).
%). As composition images with different magnifications (a)
And (b).

【００６９】実験例２ Ｎｉ含有量を６wt％としたほかは実験例１と同様にして
原料を７００℃で溶融した後、４５０℃、押出比１／１
０で押出し成形を行い、押出し成形試料１を得た。Experimental Example 2 A raw material was melted at 700 ° C. in the same manner as in Experimental Example 1 except that the Ni content was 6 wt%, then 450 ° C. and an extrusion ratio of 1/1.
Extrusion molding was performed at 0 to obtain an extrusion molding sample 1.

【００７０】得られた試料の押出し方向に対して平行の
方向の断面と、垂直の方向の断面とについて、実験例１
と同様にしてＳＥＭによる組成像を得、図５（押出し方
向に平行）および図６（押出し方向に垂直）に示した。
それぞれ倍率の異なる組成像として（ａ）および（ｂ）
に示した。Experimental Example 1 of the cross section of the obtained sample in the direction parallel to the extrusion direction and the cross section in the direction perpendicular thereto
A composition image by SEM was obtained in the same manner as in, and shown in FIG. 5 (parallel to the extrusion direction) and FIG. 6 (perpendicular to the extrusion direction).
Composition images with different magnifications (a) and (b)
It was shown to.

【００７１】図３および図４に示すように、表面を前述
の方法で鏡面加工した加圧成型体のＡｌ−Ｎｉ合金スパ
ッタ用ターゲットのＳＥＭによる組成像では、白く示さ
れているＮｉリッチの微細粒を含有するグレインが認め
られ、さらにグレイン近傍のバウンダリー層中に平均粒
径の大きなＮｉリッチの第２の微細粒が存在することが
わかる。これに対し、表面を前述の方法で鏡面加工して
も、押出し成形試料１では、図５および図６に示すよう
に、グレインが認められない。As shown in FIGS. 3 and 4, in the SEM composition image of the Al-Ni alloy sputter target of the pressure-molded body whose surface was mirror-finished by the above-described method, the Ni-rich fine particles shown in white are shown. It can be seen that grains containing grains are recognized and that Ni-rich second fine grains having a large average grain size are present in the boundary layer near the grains. On the other hand, even if the surface is mirror-finished by the above-described method, in the extrusion-molded sample 1, grains are not recognized as shown in FIGS. 5 and 6.

【００７２】実験例３ 実験例１で得た加圧成形体試料１をターゲットとして用
い、高周波マグネトロンスパッタにより、半径１５０mm
のガラス製基板に対してスパッタを行って、膜厚６００
A のＡｌ−Ｎｉ合金アモルファス薄膜（加圧成形薄膜
１）を成膜した。なお、ＲＦパワーは７５０w とし、タ
ーゲット中心と基板中心を一致させて直上固定とした。Experimental Example 3 Using the pressure-molded body sample 1 obtained in Experimental Example 1 as a target, a radius of 150 mm was obtained by high frequency magnetron sputtering.
Sputtering is performed on the glass substrate of
An Al-Ni alloy amorphous thin film of A (pressure molding thin film 1) was formed. The RF power was 750 w, and the center of the target was made to coincide with the center of the substrate and fixed directly above.

【００７３】得られた薄膜の中心から径方向に、表１に
示す部分のＮｉ含有率を誘導結合プラズマ発光分光分析
（ＩＣＰ）により測定した。得られた結果を表１に示
す。The Ni content of the portion shown in Table 1 was measured in the radial direction from the center of the obtained thin film by inductively coupled plasma emission spectroscopy (ICP). The results obtained are shown in Table 1.

【００７４】[0074]

【表１】 [Table 1]

【００７５】実験例４ 実験例２で得られた押出し成形試料１を用い、これを実
験例１と同じサイズのスパッタ用押出し成形試料１とし
た。このスパッタ用押出し成形試料１を用いて実験例３
と同様にして基板上にＡｌ−Ｎｉ合金アモルファス薄膜
を得た。得られた薄膜を押出し成形薄膜１とし、実験例
３と同様に薄膜の中心から径方向に、表１に示す部分の
Ｎｉ含有率を測定した。得られた結果を表１に示す。Experimental Example 4 The extruded sample 1 obtained in Experimental Example 2 was used as an extruded sample 1 for sputtering having the same size as in Experimental Example 1. Experimental Example 3 using this extrusion molded sample 1 for sputtering
An Al—Ni alloy amorphous thin film was obtained on the substrate in the same manner as in. The obtained thin film was used as an extrusion-molded thin film 1, and the Ni content in the portion shown in Table 1 was measured in the radial direction from the center of the thin film as in Experimental Example 3. The results obtained are shown in Table 1.

【００７６】表１より明らかなように、押出し成形薄膜
１のＮｉ含有率は、中心付近で低いことがわかる。一
方、薄膜１では中心付近のＮｉ含有率がターゲットのＮ
ｉ含有率に近く、さらに中心から径方向にＮｉ含有率の
変化が少ない。As is clear from Table 1, the Ni content of the extrusion-molded thin film 1 is low near the center. On the other hand, in the thin film 1, the Ni content near the center is N
It is close to the i content and the Ni content changes little in the radial direction from the center.

【００７７】実験例５ Ｎｉ含有量を１０wt％としたほかは実験例１と同様にし
て直径１２７mm、厚さ５mmの加圧成形体試料３（Ｎｉ含
有量１０wt％）を得た。Experimental Example 5 A pressure-molded body sample 3 (Ni content: 10 wt%) having a diameter of 127 mm and a thickness of 5 mm was obtained in the same manner as in Experimental Example 1 except that the Ni content was 10 wt%.

【００７８】実験例１と同様にして得た加圧成形体試料
２と加圧成形体試料３とをそれぞれ１０試料用い、実験
例３と同じ条件でそれぞれ１０個のＡｌ−Ｎｉ合金アモ
ルファス薄膜を成膜した。Ten pressure-molded body samples 2 and 10 pressure-molded body samples 3 obtained in the same manner as in Experimental Example 1 were used, and 10 Al-Ni alloy amorphous thin films were formed under the same conditions as in Experimental Example 3. A film was formed.

【００７９】得られた各薄膜のターゲット中心位置のＮ
ｉ含有率を実験例３と同様に測定した。Ｎｉ含有率の平
均値のバラツキ範囲を表２に示す。N of the center position of the target of each obtained thin film
The i content was measured in the same manner as in Experimental Example 3. Table 2 shows the variation range of the average value of the Ni content.

【００８０】[0080]

【表２】 [Table 2]

【００８１】実験例６ Ｎｉ含有量を８wt％および１０wt％としたほかは、実験
例２と同様にして押出し成形法による押出し成形試料２
（Ｎｉ含有量８wt％）および押出し成形試料３（Ｎｉ含
有量１０wt％）を得た。Experimental Example 6 Extrusion molded sample 2 by the extrusion molding method in the same manner as in Experimental example 2 except that the Ni contents were 8 wt% and 10 wt%.
(Ni content 8 wt%) and extrusion molded sample 3 (Ni content 10 wt%) were obtained.

【００８２】押出し成形試料２と押出し成形試料３とを
それぞれ１０試料用い、実験例５と同様にしてＡｌ−Ｎ
ｉ合金アモルファス薄膜を成膜した。Ten samples each of the extrusion molded sample 2 and the extrusion molded sample 3 were used, and Al--N was used in the same manner as in Experimental Example 5.
An i-alloy amorphous thin film was formed.

【００８３】得られた各薄膜のターゲット直上中心位置
のＮｉ含有率を実験例５と同様に測定した。Ｎｉ含有率
の平均値のバラツキ範囲を表２に示す。The Ni content of each obtained thin film at the center position immediately above the target was measured in the same manner as in Experimental Example 5. Table 2 shows the variation range of the average value of the Ni content.

【００８４】実験例７ 原料ＡｌとＮｉとをＮｉ含有量が６wt％となるように秤
量、混合し、それぞれ７００℃で溶融した。これをそれ
ぞれＮ2 ガスを用いるガスアトマイズ法により、平均粒
径が５０μm の粉末を得た。この粉末に、さらに平均粒
径５μm のＮｉＡｌ3 の粉末を、加圧成形後のＮｉ含有
量が８wt％となる量添加し、Ｖミキサーを用いて２時間
混合し、得られた混合粉末を、超硬（ＷＣ）製の型に充
填し、室温で４t/cm2 、大気中で２０秒間加圧成形を行
い、直径１２７mm、厚さ５mmのＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ
用ターゲットを得た。Experimental Example 7 Raw materials Al and Ni were weighed and mixed so that the Ni content was 6 wt%, and melted at 700 ° C. A powder having an average particle size of 50 μm was obtained by a gas atomization method using N 2 gas. To this powder was added NiAl 3 powder having an average particle size of 5 μm in an amount such that the Ni content after pressure molding was 8 wt%, and mixed for 2 hours using a V mixer to obtain the mixed powder. It was filled in a cemented carbide (WC) mold and pressure-molded at room temperature at 4 t / cm 2 for 20 seconds in the atmosphere to obtain a target for Al-Ni alloy sputtering having a diameter of 127 mm and a thickness of 5 mm.

【００８５】実験例１と同様にして、得られたターゲッ
トのＳＥＭによる組成像を得、組成像から平均粒径が５
μm 以下のＮｉリッチの微細粒を含有するグレインをも
ち、さらにグレイン周囲にＮｉリッチの微細粒が分布し
ていることを確認した。In the same manner as in Experimental Example 1, a composition image of the obtained target was obtained by SEM, and the average particle size was 5 from the composition image.
It was confirmed that there were grains containing Ni-rich fine grains of μm or less, and that Ni-rich fine grains were distributed around the grains.

【００８６】また、このターゲットを用い、実験例５と
同様の薄膜を作製したところ、実験例５と同様のＮｉ含
有率の平均値のバラツキ範囲であった。When a thin film similar to that of Experimental Example 5 was formed using this target, the range of variation in average Ni content was similar to that of Experimental Example 5.

【００８７】実験例８ 前記ＭとしてＭｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＣｕおよびＺ
ｎを用い、ＡｌとこれらのＭとをそれぞれのＭ含有量が
６wt％となるように秤量、混合し、Ｍの種類に合わせて
７００〜１５００℃の範囲で溶融した。なお、Ｍはそれ
ぞれ単独でＡｌと混合した。これをそれぞれＮ2 ガスを
用いるガスアトマイズ法により、平均粒径が５０μm の
粉末を得た。この粉末を、それぞれ実験例１と同様にし
て加圧成形し、直径１２７mm、厚さ５mmの加圧成形体試
料を得た。Experimental Example 8 As the M, Mg, Ti, Zr, Hf, V, Nb, T
a, Cr, Mo, W, Mn, Fe, Co, Cu and Z
Using n, Al and these Ms were weighed and mixed so that each M content was 6 wt%, and melted in the range of 700 to 1500 ° C. according to the type of M. Incidentally, each M was mixed with Al alone. A powder having an average particle size of 50 μm was obtained by a gas atomization method using N 2 gas. Each of the powders was pressure-molded in the same manner as in Experimental Example 1 to obtain a pressure-molded body sample having a diameter of 127 mm and a thickness of 5 mm.

【００８８】得られたそれぞれの加圧成形体試料を用
い、実験例１と同様にして、得られたターゲットのＳＥ
Ｍによる組成像を得た。その結果、組成像から平均粒径
が５μm 以下のそれぞれのＭリッチの微細粒を含有する
グレインが認められ、さらにグレイン近傍のバウンダリ
ー層中に平均粒径がより大きいＭリッチの第２の微細粒
が分布していることを確認した。Using each of the obtained pressure-molded body samples, in the same manner as in Experimental Example 1, the SE of the obtained target was obtained.
A composition image of M was obtained. As a result, grains containing M-rich fine particles each having an average grain size of 5 μm or less were recognized from the composition image, and the M-rich second fine grains having a larger average grain size were found in the boundary layer near the grains. Was confirmed to be distributed.

【００８９】また、このターゲットを用い、実験例５と
同様の薄膜を作製したところ、実験例５より若干は劣る
が、Ｍ含有率のバラツキの少ない膜が得られた。When a thin film similar to that of Experimental Example 5 was prepared using this target, a film having a slight variation in the M content was obtained although slightly inferior to Experimental Example 5.

【００９０】実験例９ ポリカーボネートを射出成形して８６mm径、厚さ１．２
mmの基板サンプルを得た。この基板上に、ＳｉＮｘ（ｘ
＝１．１）の第１の誘電体層を高周波マグネトロンスパ
ッタにより層厚９００A に設層した。次に、この第１の
誘電体層上に、Ｔｂ20Ｆｅ74Ｃｏ6 の組成を有する記録
層を、スパッタにより層厚２００A に設層した。Experimental Example 9 Polycarbonate was injection molded to have a diameter of 86 mm and a thickness of 1.2.
A substrate sample of mm was obtained. On this substrate, SiNx (x
= 1.1) of the first dielectric layer was deposited by high-frequency magnetron sputtering to a layer thickness of 900A. Next, a recording layer having a composition of Tb 20 Fe 74 Co 6 was formed on the first dielectric layer to a thickness of 200 A by sputtering.

【００９１】さらに、この記録層上に、Ｌａ2 Ｏ3 ３０
モル％、ＳｉＯ2 ２０モル％およびＳｉ3 Ｎ4 ５０モル
％を含有する膜厚２００A の第２の誘電体層を高周波マ
グネトロンスパッタにより形成した。Further, La 2 O 3 30 was formed on this recording layer.
A second dielectric layer having a film thickness of 200 A and containing mol%, 20 mol% SiO 2 and 50 mol% Si 3 N 4 was formed by high frequency magnetron sputtering.

【００９２】この第２の誘電体層上に、Ｎｉ含有量６wt
％、Ｎｉ含有量８wt％およびＮｉ含有量１０wt％のそれ
ぞれのターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ
によりＮｉ含有量が６wt％、８wt％および１０wt％で、
以下の膜厚の金属反射層を設層した。Ｎｉ含有量６wt％
および８wt％のターゲットを用いたものでは、膜厚を５
００、６００および７００A とした。また、Ｎｉ含有量
１０wt％のターゲットを用いたものでは、膜厚を６０
０、７００および８００A とした。On this second dielectric layer, the Ni content was 6 wt.
%, Ni contents of 8 wt% and Ni contents of 10 wt%, and the Ni contents of 6 wt%, 8 wt% and 10 wt% by high frequency magnetron sputtering,
A metal reflective layer having the following thickness was provided. Ni content 6wt%
And with a target of 8 wt%, the film thickness is 5
00, 600 and 700A. Further, in the case of using a target having a Ni content of 10 wt%, the film thickness is 60
0, 700 and 800A.

【００９３】得られた９種それぞれの試料の金属反射層
上に保護コートを設層した。保護コートは、オリゴエス
テルアクリレートを含有する紫外線硬化型樹脂を塗布し
た後、紫外線硬化して５μm 厚の膜厚とした。これを光
磁気記録ディスクサンプルとして最適記録パワー（Ｐ
0 ）を以下の方法で測定した。得られた結果を図７に示
す。A protective coat was formed on the metal reflection layer of each of the 9 samples obtained. The protective coat was formed by applying an ultraviolet curable resin containing oligoester acrylate and then ultraviolet curing to a thickness of 5 μm. The optimum recording power (P
0 ) was measured by the following method. The obtained results are shown in FIG. 7.

【００９４】＜最適記録パワー（Ｐ0 ）測定法＞ディス
クをＣＬＶ１．４m/s で回転し、７８０nmの連続レーザ
光を照射しつつ２００Oeの印加磁界で磁界変調して、Ｅ
ＦＭ信号を記録した。記録パワーを変化させて３Ｔ信号
のジッタを測定し、ジッタが４０nsecを切るパワーＰmi
n を測定し、最適記録パワーＰ0 ＝１．４×Ｐmin を算
出した。<Optimum recording power (P 0 ) measuring method> The disk was rotated at CLV 1.4 m / s, and while being irradiated with a continuous laser beam of 780 nm, magnetic field modulation was performed with an applied magnetic field of 200 Oe, and E
The FM signal was recorded. The recording power is changed and the jitter of the 3T signal is measured. The power Pmi at which the jitter falls below 40 nsec
The n was measured, and the optimum recording power P 0 = 1.4 × Pmin was calculated.

【００９５】図７に示すように、金属反射層の厚さが同
じ場合、Ｎｉ含有率を増やすとＰ0が低下する。また、
金属反射層の厚さを厚くするとＰ0 は高くなるが、Ｎｉ
含有率を増やすことで金属反射層の厚さの変化に対する
Ｐ0 の変化量が低下する。すなわち、金属反射層の製造
に際し、金属反射層中のＮｉ含有率を増やすことで、膜
厚を厚くすることができ、製造上の膜厚制御マージンが
広がり、製造上の大きなメリットとなる。As shown in FIG. 7, in the case where the metal reflection layers have the same thickness, increasing the Ni content decreases P 0 . Also,
When the thickness of the metal reflection layer is increased, P 0 becomes higher, but Ni
By increasing the content rate, the amount of change in P 0 with respect to the change in the thickness of the metal reflective layer decreases. That is, when the metal reflective layer is manufactured, the film thickness can be increased by increasing the Ni content in the metal reflective layer, and the film thickness control margin in manufacturing is widened, which is a great advantage in manufacturing.

【００９６】実施例１ 原料ＡｌとＮｉとをＮｉ含有量が８wt％となるように秤
量、混合し、７００℃で溶融した。これを用いて、Ｎ2
ガスを用いるガスアトマイズ法により、平均粒径が５０
μm の粉末を得た。この粉末を、図１に示すターゲット
部２となる部分とバッキングプレート部３となる部分と
の寸法が、それぞれ径が１２９mmで高さが７mmおよび径
が１７２mmで高さが７mmとなるカーボン製の型に充填
し、６４０℃、１３０kg/cm2、１０-2Torrで１０分間Ｈ
Ｐによる加圧成形を行なった。得られた成形物を用い、
径が１２７mmで、高さが６mmのターゲット部２と、径が
１７０mmで、高さが６mmのバッキングプレート部３とな
るように旋削加工した。得られたターゲット部２とバッ
キングプレート部３とが一体的に連続したターゲット
（以下、一体型ターゲット）の表面粗度Ｒmax は５μm
であった。なお、１０枚を旋削加工した際、加工に要し
た時間は、１枚あたり平均３０分であった。Example 1 Raw materials Al and Ni were weighed and mixed so that the Ni content was 8 wt%, and melted at 700 ° C. Using this, N 2
According to the gas atomizing method using gas, the average particle size is 50
A powder of μm was obtained. This powder is made of carbon whose dimensions of the target portion 2 and the backing plate portion 3 shown in FIG. 1 are 129 mm in diameter and 7 mm in height and 172 mm in diameter and 7 mm in height, respectively. Fill the mold and heat at 640 ℃, 130kg / cm 2 , 10 -2 Torr for 10 minutes.
Pressure molding with P was performed. Using the obtained molded product,
The target part 2 having a diameter of 127 mm and a height of 6 mm and the backing plate part 3 having a diameter of 170 mm and a height of 6 mm were turned. The surface roughness Rmax of a target (hereinafter, integrated target) in which the obtained target portion 2 and backing plate portion 3 are integrally continuous is 5 μm.
Met. When 10 sheets were turned, the time required for the processing was 30 minutes on average per sheet.

【００９７】また、加工取りしろは、加圧成形品の１７
％であった。The processing allowance is 17 for the pressure-molded product.
%Met.

【００９８】次いで、得られたターゲットに対し、ＩＰ
Ａを用いて蒸気洗浄を行なった。Then, IP is applied to the obtained target.
Steam cleaning was performed using A.

【００９９】表面粗度Ｒmax は、通常の触針式表面粗さ
計を用い、ＪＩＳ Ｂ−０６０１に記載されている方法
で測定した。The surface roughness Rmax was measured by a method described in JIS B-0601 using an ordinary stylus type surface roughness meter.

【０１００】比較例１ 実施例１で用いた粉末を、径が１２９mmで、高さが８mm
となるようにカーボン性の型に充填し、実施例１と同様
にＨＰによる加圧成形を行なった。得られた成形物を用
い、径が１２７mmで、高さが６mmとなるように旋削加工
した。得られたターゲットの表面粗度Ｒmax は５μm で
あった。このターゲットを、径が１７０mmで、厚さが６
mmの無酸素銅（ＦＯＣ）製のバッキングプレートに、Ｉ
ｎを用いて２００℃、加圧力３kg/cm2で、大気中でボン
ディングして、ターゲット（以下、ボンディング型ター
ゲット）を得た。なお、接着面積がターゲット面積の９
０％以上あることを確認した。Comparative Example 1 The powder used in Example 1 had a diameter of 129 mm and a height of 8 mm.
A carbon type mold was filled so that Using the obtained molded product, turning was performed so that the diameter was 127 mm and the height was 6 mm. The surface roughness Rmax of the obtained target was 5 μm. This target has a diameter of 170 mm and a thickness of 6
mm backing plate made of oxygen-free copper (FOC),
n was used to bond at 200 ° C. and a pressure of 3 kg / cm 2 in the atmosphere to obtain a target (hereinafter referred to as a bonding type target). In addition, the adhesion area is 9 of the target area.
It was confirmed to be 0% or more.

【０１０１】次いで、得られたターゲットに対し、ＩＰ
Ａを用いて蒸気洗浄を行なった。Then, IP is applied to the obtained target.
Steam cleaning was performed using A.

【０１０２】比較例２ 原料ＡｌとＮｉとをＮｉ含有量が８wt％となるように秤
量、混合し、７００℃で溶融した。これを用いて、４５
０℃、押出比１／１０で押出し成形を行ない、１７２mm
×１７２mm角で、厚さ１４mmに切り出して押出し成形品
を得た。これを、径が１７２mm、高さが１４mmとなるよ
うに加工した後、旋削加工を行なった。径が１２７mm
で、高さが６mmのターゲット部２と、径が１７０mmで、
高さが６mmのバッキングプレート部３となるように旋削
加工した。得られたターゲット部２とバッキングプレー
ト部３とが一体的に連続したターゲット（以下、押出し
一体型ターゲット）の表面には、局部的に１０〜１００
μm 程度の深さと径をもつ脱落部が多数認められた。こ
の脱落部は、押出し成形品の断面を鏡面加工し、走査型
電子顕微鏡で観察すると、１０〜１００μm 程度に異常
粒成長した金属間化合物が存在することから、この金属
間化合物が旋削加工時に脱落したものと考えられる。ま
た、脱落部を除く表面粗度Ｒmax は５μm であった。な
お、実施例１と同様の条件で旋削加工を行なうと、押出
し方向に異方性をもつために成形品にそりが発生し、加
工速度をあげることができず、１０枚を加工した際の、
１枚あたりの平均加工時間は６０分であった。Comparative Example 2 Raw materials Al and Ni were weighed and mixed so that the Ni content was 8 wt%, and melted at 700 ° C. Using this, 45
Extrusion molding is performed at 0 ° C and an extrusion ratio of 1/10, 172 mm
An extruded product was obtained by cutting a piece of 172 mm square to a thickness of 14 mm. This was processed to have a diameter of 172 mm and a height of 14 mm, and then turned. Diameter 127 mm
And the target part 2 with a height of 6 mm and the diameter of 170 mm,
The backing plate portion 3 having a height of 6 mm was turned. On the surface of the target (hereinafter, extruded-integrated target) in which the obtained target portion 2 and backing plate portion 3 are integrally continuous, 10 to 100 are locally present.
Many dropouts with a depth and diameter of approximately μm were observed. The exfoliated part is mirror-finished on the cross section of the extruded product, and when observed with a scanning electron microscope, there is an intermetallic compound with abnormal grain growth of about 10 to 100 μm, so this intermetallic compound is exfoliated during turning. It is thought that it was done. In addition, the surface roughness Rmax excluding the falling portion was 5 μm. When turning is performed under the same conditions as in Example 1, warpage occurs in the molded product because the extrusion direction has anisotropy, and the processing speed cannot be increased. ,
The average processing time per sheet was 60 minutes.

【０１０３】また、加工取りしろは、押出し成形品の約
４９％であった。The processing allowance was about 49% of the extruded product.

【０１０４】次いで、得られたターゲットに対し、ＩＰ
Ａを用いて蒸気洗浄を行なった。Then, IP is applied to the obtained target.
Steam cleaning was performed using A.

【０１０５】試験例１ 実施例１および比較例１で得られた洗浄済みターゲット
を各１０枚用い、高周波マグネトロンスパッタにより、
ＲＦパワー７５０w で常法によりスパッタを行なった。
その結果、それぞれのターゲットの放電が安定するまで
に要した時間は、実施例１のターゲットでは１０分間、
比較例１のターゲットは３０分間であった。すなわち、
比較例１のターゲットがボンディング工程で汚染されて
いることを示した。Test Example 1 Using 10 cleaned targets obtained in each of Example 1 and Comparative Example 1, each was subjected to high-frequency magnetron sputtering.
Sputtering was performed by an ordinary method with an RF power of 750w.
As a result, it took 10 minutes for the target of Example 1 to stabilize the discharge of each target.
The target of Comparative Example 1 was for 30 minutes. That is,
It was shown that the target of Comparative Example 1 was contaminated in the bonding process.

【０１０６】試験例２ 実施例１および比較例１で得られた洗浄済みターゲット
を各１０枚用い、スパッタ投入電力を２kw、２．５kwお
よび３kwとし、実施例２と同様にしてスパッタを行なっ
た。得られた平均スパッタレートは、実施例１、比較例
１ともに同じで、投入電力にほぼ比例して向上し、両タ
ーゲットともに２kwでは１３００A/min、２．５kwでは
１６００A/min 、３kwでは２０００A/min であった。た
だし、比較例１の３kw投入例では、１０枚中の３枚に異
常放電が認められた。すなわち、Ｉｎを用いてボンディ
ングしているため、投入電力が大きくなると、このＩｎ
が半溶融し、異常放電が発生したものである。Test Example 2 Sputtering was performed in the same manner as in Example 2, except that each of the cleaned targets obtained in Example 1 and Comparative Example 1 was used for 10 sheets and the sputtering power was set to 2 kw, 2.5 kw and 3 kw. . The obtained average sputter rate was the same in both Example 1 and Comparative Example 1, and improved substantially in proportion to the input power. Both targets were 1300 A / min at 2 kw, 1600 A / min at 2.5 kw, and 2000 A / min at 3 kw. It was min. However, in the case of charging 3 kW of Comparative Example 1, abnormal discharge was observed in 3 out of 10 sheets. That is, since bonding is performed using In, when the input power becomes large, the In
Was semi-melted and abnormal discharge occurred.

【０１０７】実施例２ 実施例１で得られたターゲットのバッキングプレート部
の冷却媒体が接触する面にＮｉの無電解メッキを施し、
１０μm の皮膜を形成した。Example 2 The surface of the backing plate portion of the target obtained in Example 1 in contact with the cooling medium was subjected to Ni electroless plating,
A 10 μm film was formed.

【０１０８】実施例２で得られたターゲットを実施例１
と同様にＩＰＡを用いて蒸気洗浄し、実施例４と同様に
スパッタを行なった。すなわち、図１に示す直接冷却方
式の装置により、冷却媒体として水を用いてＤＣスパッ
タを行なった。１０時間経過後に冷却媒体が接触する部
分を観察したところ、腐食等の変化は認められなかっ
た。The target obtained in Example 2 was used in Example 1
Steam cleaning was performed using IPA in the same manner as in, and sputtering was performed in the same manner as in Example 4. That is, DC sputtering was performed using water as a cooling medium by the apparatus of the direct cooling system shown in FIG. When a portion contacting with the cooling medium was observed after 10 hours, no change such as corrosion was observed.

【０１０９】実施例３ 原料ＡｌとＮｉとをＮｉ含有量が６wt％となるように秤
量、混合したほかは、実施例１と同様にして、一体型タ
ーゲットを制作した。Example 3 An integrated target was produced in the same manner as in Example 1 except that the raw materials Al and Ni were weighed and mixed so that the Ni content was 6 wt%.

【０１１０】比較例３ 原料ＡｌとＮｉとをＮｉ含有量が６wt％となるように秤
量、混合したほかは、比較例１と同様にして、ボンディ
ング型ターゲットを得た。Comparative Example 3 A bonding type target was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the raw materials Al and Ni were weighed and mixed so that the Ni content was 6 wt%.

【０１１１】比較例４ 原料ＡｌとＮｉとをＮｉ含有量が６wt％となるように秤
量、混合したほかは、比較例２と同様にして、押出し一
体型ターゲットを得た。Comparative Example 4 An extrusion-integrated target was obtained in the same manner as Comparative Example 2 except that the raw materials Al and Ni were weighed and mixed so that the Ni content was 6 wt%.

【０１１２】試験例３ 実施例３、比較例３および比較例４で得られたそれぞれ
のターゲットを各１０枚用い、このターゲットを固定
し、バッキングプレート部３の冷却媒体が接触する面に
対し、水を用いて５kgf/cm2 の圧力で加圧し、ターゲッ
トの中央変位量を測定した。Test Example 3 Ten targets of each of the targets obtained in Example 3, Comparative Example 3 and Comparative Example 4 were used, the targets were fixed, and the surface of the backing plate portion 3 in contact with the cooling medium was The center displacement amount of the target was measured by pressurizing with water at a pressure of 5 kgf / cm 2 .

【０１１３】実施例３および比較例３のターゲットの変
位量は２００〜３００μm の範囲で、変位方向に異方性
は認められなかった。一方、比較例４のターゲットは、
押出し方向により変位量が異なり、特にパッキン１２部
分の変位量の差により、冷却媒体２１の密閉性が劣化
し、パッキン１２部分に、冷却媒体のもれが認められ
た。The displacement amounts of the targets of Example 3 and Comparative Example 3 were in the range of 200 to 300 μm, and no anisotropy was recognized in the displacement direction. On the other hand, the target of Comparative Example 4 is
The displacement amount differs depending on the pushing direction, and the sealing property of the cooling medium 21 is deteriorated due to the difference in the displacement amount of the packing 12 portion, and the leakage of the cooling medium is recognized in the packing 12 portion.

【０１１４】以上、実験例、実施例、比較例および試験
例から明らかなように、本発明の一体型ターゲットは、
例えば光磁気記録媒体等の金属反射層などの成膜に用い
たとき、膜中の合金組成が均一で、金属反射層等の特性
のバラツキが少なく、さらに合金構成成分の含有率を高
くすることが可能で、金属反射層等の熱伝導率を低下さ
せることができ、例えばより一層高い記録感度をもつ光
磁気記録媒体等の光記録媒体が得られ、さらにボンディ
ング工程での汚染がなく、スパッタレートが向上し、加
工性が改善されて加工時間が短く、加工取りしろがすく
ないＡｌ合金スパッタ用ターゲットとなる。As is clear from the experimental examples, examples, comparative examples and test examples described above, the integrated target of the present invention is
For example, when used for forming a metal reflective layer of a magneto-optical recording medium, etc., the alloy composition in the film is uniform, there is little variation in the characteristics of the metal reflective layer, etc., and the content ratio of alloy constituents is to be increased. It is possible to reduce the thermal conductivity of the metal reflection layer, etc., and obtain an optical recording medium such as a magneto-optical recording medium having a higher recording sensitivity. The rate is improved, the workability is improved, the processing time is short, and the target is an Al alloy sputtering target that does not easily allow processing.

【０１１５】また、図１に示す直接冷却方式の装置によ
りスパッタを行なう際、好ましくはバッキングプレート
部３の冷却媒体２１と接触する部分に耐食性皮膜を形成
することで、腐食が防止される。さらに、冷却媒体２１
に対する耐圧についても、本発明の一体型ターゲット
は、実用上問題なく使用可能であることがわかる。Further, when sputtering is carried out by the apparatus of the direct cooling system shown in FIG. 1, it is preferable to form a corrosion resistant film on the portion of the backing plate portion 3 that comes into contact with the cooling medium 21 to prevent corrosion. Further, the cooling medium 21
Regarding the withstand voltage against, it can be seen that the integrated target of the present invention can be used without any practical problems.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲットの一例
と、直冷式スパッタ装置の一部を示す模式部分断面図で
ある。FIG. 1 is a schematic partial sectional view showing an example of an Al alloy sputtering target of the present invention and a part of a direct cooling type sputtering apparatus.

【図２】本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲットの一例
と、間冷式スパッタ装置の一部を示す模式部分断面図で
ある。FIG. 2 is a schematic partial cross-sectional view showing an example of an Al alloy sputtering target of the present invention and a part of an intercooling type sputtering apparatus.

【図３】（ａ）および（ｂ）は、粒子の構造を示す図面
代用写真であって、加圧成型体のＡｌ−Ｎｉ合金スパッ
タ用ターゲット（Ｎｉ含有量６wt％）の走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）の組成像である。3 (a) and 3 (b) are drawings-substituting photographs showing the structure of particles, which are scanning electron microscopes (FIG. 3) of a target (Ni content 6 wt%) for Al—Ni alloy sputtering of a pressure-molded body. It is a composition image of SEM).

【図４】（ａ）および（ｂ）は、粒子の構造を示す図面
代用写真であって、加圧成型体のＡｌ−Ｎｉ合金スパッ
タ用ターゲット（Ｎｉ含有量８wt％）の走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）の組成像である。4 (a) and (b) are drawings-substituting photographs showing the structure of particles, showing a scanning electron microscope of a target (Ni content 8 wt%) for Al—Ni alloy sputtering of a pressure-molded body. It is a composition image of SEM).

【図５】（ａ）および（ｂ）は、粒子の構造を示す図面
代用写真であって、押出し成型体のＡｌ−Ｎｉ合金スパ
ッタ用ターゲット（Ｎｉ含有量６wt％）の押出し方向と
平行の断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の組成像であ
る。なお、押出し方向は、図面横方向である。5 (a) and 5 (b) are drawings-substituting photographs showing the structure of particles, which are cross sections parallel to the extrusion direction of an Al—Ni alloy sputter target (Ni content 6 wt%) of an extrusion molded body. 3 is a composition image of a scanning electron microscope (SEM) of FIG. The extrusion direction is the lateral direction in the drawing.

【図６】（ａ）および（ｂ）は、粒子の構造を示す図面
代用写真であって、押出し成型体のＡｌ−Ｎｉ合金スパ
ッタ用ターゲット（Ｎｉ含有量６wt％）の押出し方向と
垂直の断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の組成像であ
る。6 (a) and 6 (b) are drawings-substituting photographs showing the structure of particles, showing a cross section perpendicular to the extrusion direction of an Al—Ni alloy sputter target (Ni content 6 wt%) of an extrusion molded body. 3 is a composition image of a scanning electron microscope (SEM) of FIG.

【図７】加圧成型体のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ターゲ
ットを用いて成膜した金属反射層をもつ光磁気記録ディ
スクの、金属反射層厚さとＰ0 との関係を示すグラフで
ある。FIG. 7 is a graph showing the relationship between the metal reflective layer thickness and P 0 of a magneto-optical recording disk having a metal reflective layer formed by using a pressure-molded Al—Ni alloy sputtering target.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ Ａｌ合金スパッタ用ターゲット ２ ターゲット部 ３ バッキングプレート部 ４ 固定用ねじおよびねじ穴 ５ 耐食性被膜 ６ フランジ部 １１ スパッタ装置（部分） １２ パッキン １３ 冷却部 ２１ 冷却媒体 1 Al alloy sputter target 2 Target part 3 Backing plate part 4 Fixing screw and screw hole 5 Corrosion resistant film 6 Flange part 11 Sputtering device (part) 12 Packing 13 Cooling part 21 Cooling medium

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 Ａｌ−Ｍ合金（ただしＭは、Ｍｇ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎのうちの１種以
上である）から形成されており、 鏡面加工をして走査型電子顕微鏡観察を行ったとき、平
均粒径５μm 以下の前記Ｍリッチの微細粒を含有するグ
レインをもち、ターゲット部と、その後方に一体的に連
続し、それより幅広のバッキングプレート部を有するＡ
ｌ合金スパッタ用ターゲット。1. An Al-M alloy (where M is Mg, T
i, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, M
n, Fe, Co, Ni, Cu, and Zn), and is M-rich with an average particle size of 5 μm or less when observed by a scanning electron microscope with mirror surface processing. A having a grain containing fine particles of A, and having a backing plate portion wider than that, which is integrally continuous with the target portion behind the target portion.
l Alloy sputter target. 【請求項２】 前記Ｍの含有量が１〜４０wt% である請
求項１のＡｌ合金スパッタ用ターゲット。2. The target for Al alloy sputtering according to claim 1, wherein the content of M is 1 to 40 wt%. 【請求項３】 さらにＳｉを０．０２〜１．０wt% 含有
する請求項１または２のＡｌ合金スパッタ用ターゲッ
ト。3. The target for Al alloy sputtering according to claim 1, further containing 0.02 to 1.0 wt% of Si. 【請求項４】 前記ＭがＮｉであり、Ｎｉ含有量が２〜
４０wt％である請求項１〜３のいずれかのＡｌ合金スパ
ッタ用ターゲット。4. The M is Ni and the Ni content is 2 to
The Al alloy sputtering target according to claim 1, which is 40 wt%. 【請求項５】 前記グレインの平均径が１μm 〜１mmで
ある請求項１〜４のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ター
ゲット。5. The target for Al alloy sputtering according to claim 1, wherein the average diameter of the grains is 1 μm to 1 mm. 【請求項６】 前記微細粒が、前記グレイン中に面積比
で５〜８０％存在する請求項１〜５のいずれかのＡｌ合
金スパッタ用ターゲット。6. The target for Al alloy sputtering according to claim 1, wherein the fine particles are present in the grains in an area ratio of 5 to 80%. 【請求項７】 前記グレイン周囲にバウンダリー層を有
し、このバウンダリー層中にＭリッチの第２の微細粒を
有する請求項１〜６のいずれかのＡｌ合金スパッタ用タ
ーゲット。7. The target for Al alloy sputtering according to claim 1, wherein a boundary layer is provided around the grain, and the M-rich second fine particles are contained in the boundary layer. 【請求項８】 前記第２の微細粒の平均粒径が０．１〜
１０μm である請求項７のＡｌ合金スパッタ用ターゲッ
ト。8. The average particle size of the second fine particles is 0.1 to 10.
The Al alloy sputtering target according to claim 7, which has a thickness of 10 μm. 【請求項９】 前記第２の微細粒が、前記バウンダリー
層中に面積比で５〜８０％存在する請求項７または８の
Ａｌ合金スパッタ用ターゲット。9. The target for Al alloy sputtering according to claim 7, wherein the second fine particles are present in the boundary layer in an area ratio of 5 to 80%. 【請求項１０】 Ａｌ−Ｍ合金の粉末を加圧成形した請
求項１〜９のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ターゲッ
ト。10. The target for Al alloy sputtering according to claim 1, wherein Al-M alloy powder is pressure-molded. 【請求項１１】 請求項１〜１２のいずれかのＡｌ合金
スパッタ用ターゲットであって、 前記バッキングプレート面のうち、少なくとも冷却媒体
と接触する部分が、耐食性被膜を有するＡｌ合金スパッ
タ用ターゲット。11. The Al alloy sputtering target according to claim 1, wherein at least a portion of the backing plate surface that comes into contact with the cooling medium has a corrosion resistant coating. 【請求項１２】 前記耐食性被膜がＣｕ、ＮｉおよびＣ
ｒのうち１種以上を含む被膜である請求項１１のＡｌ合
金スパッタ用ターゲット。12. The corrosion resistant coating is Cu, Ni and C.
The target for Al alloy sputtering according to claim 11, which is a film containing at least one of r. 【請求項１３】 光記録媒体の反射膜の成膜に用いる請
求項１〜１２のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ターゲッ
ト。13. The Al alloy sputtering target according to claim 1, which is used for forming a reflective film of an optical recording medium. 【請求項１４】 Ａｌ−Ｍ合金を溶融して高速急冷法に
より粉末とし、得られたＡｌ−Ｍ合金の粉末を加圧成形
し、切削加工するＡｌ合金スパッタ用ターゲットの製造
方法。14. A method for producing an Al alloy sputtering target, which comprises melting an Al-M alloy into powder by a rapid quenching method, press-molding the obtained Al-M alloy powder, and cutting. 【請求項１５】 前記加圧成形が、Ａｌの融点未満の温
度で行われる請求項１４のＡｌ合金スパッタ用ターゲッ
トの製造方法。15. The method for manufacturing an Al alloy sputtering target according to claim 14, wherein the pressure forming is performed at a temperature lower than a melting point of Al. 【請求項１６】 前記高速急冷法により得られた微細粉
末に、さらにＭリッチの微細粒を添加して加圧成形する
請求項１４または１５のＡｌ合金スパッタ用ターゲット
の製造方法。16. The method for manufacturing an Al alloy sputtering target according to claim 14, wherein M-rich fine particles are further added to the fine powder obtained by the rapid quenching method and the mixture is pressure-molded. 【請求項１７】 前記Ａｌ−Ｍ合金の粉末中にＭリッチ
の微細粒が存在する請求項１４〜１６のいずれかのＡｌ
合金スパッタ用ターゲットの製造方法。17. The Al according to claim 14, wherein M-rich fine particles are present in the Al-M alloy powder.
Method for manufacturing target for alloy sputter.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001014607A1 (en) * 1999-08-19 2001-03-01 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Aluminum alloy thin film and target material and method for forming thin film using the same
EP1703504A1 (en) * 2005-02-07 2006-09-20 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Recording film for use in optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target
CN100452205C (en) * 2005-02-07 2009-01-14 株式会社神户制钢所 Recording film for use in optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target
JP2011094216A (en) * 2009-10-30 2011-05-12 Kobe Steel Ltd Al-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET
JP2012224942A (en) * 2010-10-08 2012-11-15 Kobe Steel Ltd Al-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
JP2012224890A (en) * 2011-04-18 2012-11-15 Mitsubishi Materials Corp Sputtering target and method for producing the same
US9472383B2 (en) * 2003-12-25 2016-10-18 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Copper or copper alloy target/copper alloy backing plate assembly
WO2018097488A1 (en) * 2016-11-25 2018-05-31 주식회사 셀코스 Method for plating to express champagne gold color

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001014607A1 (en) * 1999-08-19 2001-03-01 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Aluminum alloy thin film and target material and method for forming thin film using the same
US6592812B1 (en) 1999-08-19 2003-07-15 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Aluminum alloy thin film target material and method for forming thin film using the same
US9472383B2 (en) * 2003-12-25 2016-10-18 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Copper or copper alloy target/copper alloy backing plate assembly
EP1703504A1 (en) * 2005-02-07 2006-09-20 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Recording film for use in optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target
KR100822561B1 (en) * 2005-02-07 2008-04-16 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 Recording film for use in optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target
EP1978516A1 (en) * 2005-02-07 2008-10-08 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Recording film for use in optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target
CN100452205C (en) * 2005-02-07 2009-01-14 株式会社神户制钢所 Recording film for use in optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target
JP2011094216A (en) * 2009-10-30 2011-05-12 Kobe Steel Ltd Al-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET
JP2012224942A (en) * 2010-10-08 2012-11-15 Kobe Steel Ltd Al-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
JP2012224890A (en) * 2011-04-18 2012-11-15 Mitsubishi Materials Corp Sputtering target and method for producing the same
WO2018097488A1 (en) * 2016-11-25 2018-05-31 주식회사 셀코스 Method for plating to express champagne gold color

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