JPH07267952A - １，１０−フェナントロリン金属錯体エレクトロクロミック膜 - Google Patents
１，１０−フェナントロリン金属錯体エレクトロクロミック膜Info
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- JPH07267952A JPH07267952A JP6061376A JP6137694A JPH07267952A JP H07267952 A JPH07267952 A JP H07267952A JP 6061376 A JP6061376 A JP 6061376A JP 6137694 A JP6137694 A JP 6137694A JP H07267952 A JPH07267952 A JP H07267952A
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Landscapes
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 次式
で示される１，１０−フェナントロリンの２位〜９位の
少なくとも１カ所に−ＮＨ2、−ＳＨ、−ＯＨまたは−
ＣＨ＝ＣＨ2の少なくとも１種類の置換基を結合させた
１，１０−フェナントロリン誘導体を配位子とする金属
錯体を電解重合させることにより得られる１，１０−フ
ェナントロリン金属錯体エレクトロクロミック膜であ
る。 【効果】 エレクトロクロミック膜は、非常に安定性の
高いものであり、また、非常に高速で成膜することが可
能である。さらに、成膜時の膜厚の制御も容易であるこ
とから、工業的に容易に大量生産することが可能であ
り、また、電解質溶液中のみでなく、高分子固体電解質
中でも良好に作動することから、さまざまな分野に広く
利用できるものである。
少なくとも１カ所に−ＮＨ2、−ＳＨ、−ＯＨまたは−
ＣＨ＝ＣＨ2の少なくとも１種類の置換基を結合させた
１，１０−フェナントロリン誘導体を配位子とする金属
錯体を電解重合させることにより得られる１，１０−フ
ェナントロリン金属錯体エレクトロクロミック膜であ
る。 【効果】 エレクトロクロミック膜は、非常に安定性の
高いものであり、また、非常に高速で成膜することが可
能である。さらに、成膜時の膜厚の制御も容易であるこ
とから、工業的に容易に大量生産することが可能であ
り、また、電解質溶液中のみでなく、高分子固体電解質
中でも良好に作動することから、さまざまな分野に広く
利用できるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、１，１０−フェナント
ロリン誘導体を配位子とする金属錯体を電解重合させて
成膜したエレクトロクロミック膜に関する。本発明のエ
レクトロクロミック膜を用いた表示体は、調光用の窓、
ドアに応用した調光体やディスプレーなどに応用するこ
とができる。
ロリン誘導体を配位子とする金属錯体を電解重合させて
成膜したエレクトロクロミック膜に関する。本発明のエ
レクトロクロミック膜を用いた表示体は、調光用の窓、
ドアに応用した調光体やディスプレーなどに応用するこ
とができる。
【０００２】
【従来技術とその問題点】１，１０−フェナントロリン
は、各種遷移金属イオンと容易に配位結合し、安定な金
属錯体を形成する。例えば、鉄２価イオンと赤色の錯体
を形成し、鉄３価イオンと無色の錯体を形成する。これ
らの２種類の錯体は、酸化還元反応により互いに変換さ
せることができることから、電気化学的に酸化還元反応
を行うことにより、エレクトロクロミック材料として用
いることができる。
は、各種遷移金属イオンと容易に配位結合し、安定な金
属錯体を形成する。例えば、鉄２価イオンと赤色の錯体
を形成し、鉄３価イオンと無色の錯体を形成する。これ
らの２種類の錯体は、酸化還元反応により互いに変換さ
せることができることから、電気化学的に酸化還元反応
を行うことにより、エレクトロクロミック材料として用
いることができる。
【０００３】しかしながら、１，１０−フェナントロリ
ン金属錯体は、液体と接触すると容易に溶解してしまう
ため、エレクトロクロミック材料として用いる場合には
電極間にこれらの金属錯体の溶液を封入したり、高分子
化合物にこれらの金属錯体を捕捉させてこの複合高分子
体を電極に固定してエレクトロクロミック表示素子を構
成しなければならない。
ン金属錯体は、液体と接触すると容易に溶解してしまう
ため、エレクトロクロミック材料として用いる場合には
電極間にこれらの金属錯体の溶液を封入したり、高分子
化合物にこれらの金属錯体を捕捉させてこの複合高分子
体を電極に固定してエレクトロクロミック表示素子を構
成しなければならない。
【０００４】しかしながら、溶液型のエレクトロクロミ
ック表示素子の場合、液中における拡散が律速となるた
め、応答速度が遅くなるという問題がある。また、高分
子化合物に１，１０−フェナントロリン金属錯体を捕捉
させた場合、金属錯体の拡散はなくなるが、充分な色を
得るためには膜厚を増加させる必要があり、応答速度は
見かけ上、拡散的になり、速度の低下の原因となり、好
ましくない。
ック表示素子の場合、液中における拡散が律速となるた
め、応答速度が遅くなるという問題がある。また、高分
子化合物に１，１０−フェナントロリン金属錯体を捕捉
させた場合、金属錯体の拡散はなくなるが、充分な色を
得るためには膜厚を増加させる必要があり、応答速度は
見かけ上、拡散的になり、速度の低下の原因となり、好
ましくない。
【０００５】以上のような問題点を解決するための方法
として、特開平３−８１２６４号公報には特定の置換基
を有する１，１０−フェナントロリン誘導体を配位子と
する金属錯体を電解析出法により重合させて成膜する方
法が記載されている。しかしながら、上記の公開公報に
記載されている１，１０−フェナントロリン誘導体を用
いた場合、作製された膜の安定性に問題があり、また、
重合効率が悪く、成膜するのに時間がかかるため、工業
的な方法ではない。
として、特開平３−８１２６４号公報には特定の置換基
を有する１，１０−フェナントロリン誘導体を配位子と
する金属錯体を電解析出法により重合させて成膜する方
法が記載されている。しかしながら、上記の公開公報に
記載されている１，１０−フェナントロリン誘導体を用
いた場合、作製された膜の安定性に問題があり、また、
重合効率が悪く、成膜するのに時間がかかるため、工業
的な方法ではない。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】以上のような問題点を
解決することを目的とし、本発明者らが鋭意、検討を行
った結果、−ＮＨ2、−ＳＨ、−ＯＨまたは−ＣＨ＝Ｃ
Ｈ2を置換基として有する１，１０−フェナントロリン
誘導体を配位子とする金属錯体を電解重合させることに
より成膜したエレクトロクロミック膜は、安定性が非常
に高く、また、重合効率が非常によく、高速で成膜する
ことができ、活性点の密度も高くなることを見出し、本
発明を完成した。
解決することを目的とし、本発明者らが鋭意、検討を行
った結果、−ＮＨ2、−ＳＨ、−ＯＨまたは−ＣＨ＝Ｃ
Ｈ2を置換基として有する１，１０−フェナントロリン
誘導体を配位子とする金属錯体を電解重合させることに
より成膜したエレクトロクロミック膜は、安定性が非常
に高く、また、重合効率が非常によく、高速で成膜する
ことができ、活性点の密度も高くなることを見出し、本
発明を完成した。
【０００７】すなわち、本発明は、下記の式
【０００８】
【化２】
【０００９】で示される１，１０−フェナントロリンの
２位〜９位の少なくとも１カ所に−ＮＨ2、−ＳＨ、−
ＯＨまたは−ＣＨ＝ＣＨ2の少なくとも１種類の置換基
を結合させた１，１０−フェナントロリン誘導体を配位
子とする金属錯体を電解重合させたことを特徴とする
１，１０−フェナントロリン金属錯体エレクトロクロミ
ック膜である。
２位〜９位の少なくとも１カ所に−ＮＨ2、−ＳＨ、−
ＯＨまたは−ＣＨ＝ＣＨ2の少なくとも１種類の置換基
を結合させた１，１０−フェナントロリン誘導体を配位
子とする金属錯体を電解重合させたことを特徴とする
１，１０−フェナントロリン金属錯体エレクトロクロミ
ック膜である。
【００１０】本発明において配位子として使用される
１，１０−フェナントロリン誘導体としては、−Ｎ
Ｈ2、−ＳＨ、−ＯＨまたは−ＣＨ＝ＣＨ2から選ばれる
１種類以上の置換基が１，１０−フェナントロリンの２
位〜９位の１カ所以上に結合しているものである。具体
的に例示すると、２−アミノ−１，１０−フェナントロ
リン、３−アミノ−１，１０−フェナントロリン、４−
アミノ−１，１０−フェナントロリン、５−アミノ−
１，１０−フェナントロリン、２−メルカプト−１，１
０−フェナントロリン、３−メルカプト−１，１０−フ
ェナントロリン、４−メルカプト−１，１０−フェナン
トロリン、５−メルカプト−１，１０−フェナントロリ
ン、２−ヒドロキシ−１，１０−フェナントロリン、３
−ヒドロキシ−１，１０−フェナントロリン、４−ヒド
ロキシ−１，１０−フェナントロリン、５−ヒドロキシ
−１，１０−フェナントロリン、２−ビニル−１，１０
−フェナントロリン、３−ビニル−１，１０−フェナン
トロリン、４−ビニル−１，１０−フェナントロリン、
５−ビニル−１，１０−フェナントロリンなどを挙げる
ことができる。
１，１０−フェナントロリン誘導体としては、−Ｎ
Ｈ2、−ＳＨ、−ＯＨまたは−ＣＨ＝ＣＨ2から選ばれる
１種類以上の置換基が１，１０−フェナントロリンの２
位〜９位の１カ所以上に結合しているものである。具体
的に例示すると、２−アミノ−１，１０−フェナントロ
リン、３−アミノ−１，１０−フェナントロリン、４−
アミノ−１，１０−フェナントロリン、５−アミノ−
１，１０−フェナントロリン、２−メルカプト−１，１
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−ヒドロキシ−１，１０−フェナントロリン、４−ヒド
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−フェナントロリン、３−ビニル−１，１０−フェナン
トロリン、４−ビニル−１，１０−フェナントロリン、
５−ビニル−１，１０−フェナントロリンなどを挙げる
ことができる。
【００１１】また、本発明における金属錯体の金属イオ
ンとしては、上記のような１，１０−フェナントロリン
誘導体を配位子とすることのできるものであれば特に限
定はなく、第１遷移金属、第２遷移金属、白金族元素、
希土類元素などのイオンが使用できる。具体的に例示す
ると、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｔｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａなどのイオンを挙げることができ
る。
ンとしては、上記のような１，１０−フェナントロリン
誘導体を配位子とすることのできるものであれば特に限
定はなく、第１遷移金属、第２遷移金属、白金族元素、
希土類元素などのイオンが使用できる。具体的に例示す
ると、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｔｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａなどのイオンを挙げることができ
る。
【００１２】したがって、本発明において使用される
１，１０−フェナントロリン金属錯体とは、上述した配
位子である１，１０−フェナントロリン誘導体と金属イ
オンの組み合わせによるものであり、具体的には、例え
ば、５−アミノ−１，１０−フェナントロリン−鉄錯
体、５−メルカプト−１，１０−フェナントロリン−鉄
錯体、５−ヒドロキシ−１，１０−フェナントロリン−
鉄錯体、５−ビニル−１，１０−フェナントロリン−鉄
錯体、５−アミノ−１，１０−フェナントロリン−コバ
ルト錯体、５−メルカプト−１，１０−フェナントロリ
ン−コバルト錯体、５−ヒドロキシ−１，１０−フェナ
ントロリン−コバルト錯体、５−ビニル−１，１０−フ
ェナントロリン−コバルト錯体、５−アミノ−１，１０
−フェナントロリン−ルテニウム錯体、５−メルカプト
−１，１０−フェナントロリン−ルテニウム錯体、５−
ヒドロキシ−１，１０−フェナントロリン−ルテニウム
錯体、５−ビニル−１，１０−フェナントロリン−ルテ
ニウム錯体、５−アミノ−１，１０−フェナントロリン
−レニウム錯体、５−メルカプト−１，１０−フェナン
トロリン−レニウム錯体、５−ヒドロキシ−１，１０−
フェナントロリン−レニウム錯体、５−ビニル−１，１
０−フェナントロリン−レニウム錯体などである。
１，１０−フェナントロリン金属錯体とは、上述した配
位子である１，１０−フェナントロリン誘導体と金属イ
オンの組み合わせによるものであり、具体的には、例え
ば、５−アミノ−１，１０−フェナントロリン−鉄錯
体、５−メルカプト−１，１０−フェナントロリン−鉄
錯体、５−ヒドロキシ−１，１０−フェナントロリン−
鉄錯体、５−ビニル−１，１０−フェナントロリン−鉄
錯体、５−アミノ−１，１０−フェナントロリン−コバ
ルト錯体、５−メルカプト−１，１０−フェナントロリ
ン−コバルト錯体、５−ヒドロキシ−１，１０−フェナ
ントロリン−コバルト錯体、５−ビニル−１，１０−フ
ェナントロリン−コバルト錯体、５−アミノ−１，１０
−フェナントロリン−ルテニウム錯体、５−メルカプト
−１，１０−フェナントロリン−ルテニウム錯体、５−
ヒドロキシ−１，１０−フェナントロリン−ルテニウム
錯体、５−ビニル−１，１０−フェナントロリン−ルテ
ニウム錯体、５−アミノ−１，１０−フェナントロリン
−レニウム錯体、５−メルカプト−１，１０−フェナン
トロリン−レニウム錯体、５−ヒドロキシ−１，１０−
フェナントロリン−レニウム錯体、５−ビニル−１，１
０−フェナントロリン−レニウム錯体などである。
【００１３】本発明のエレクトロクロミック膜は、上記
のような１，１０−フェナントロリン金属錯体の重合溶
液を作製し、これを電解重合させることにより得ること
ができる。
のような１，１０−フェナントロリン金属錯体の重合溶
液を作製し、これを電解重合させることにより得ること
ができる。
【００１４】重合溶液は、１，１０−フェナントロリン
金属錯体溶液と支持電解質溶液とからなる。これらの溶
液は、水溶液、非水溶液のどちらとしてもよく、いずれ
の場合にも良好に成膜することができる。
金属錯体溶液と支持電解質溶液とからなる。これらの溶
液は、水溶液、非水溶液のどちらとしてもよく、いずれ
の場合にも良好に成膜することができる。
【００１５】１，１０−フェナントロリン金属錯体溶液
の濃度は、特に限定はなく、求める重合膜の膜厚により
適宜選定すればよいが、通常、０．１ｍＭ〜１００ｍＭ
とするのが好ましい。この範囲より小さいと、充分な膜
厚が得られなかったり、充分な膜厚を得るために重合に
時間をかけなくてはならなくなったりするため、好まし
くない。また、この範囲より大きいと、生成膜が悪くな
るため、好ましくない。より好ましくは０．５ｍＭ〜５
０ｍＭ、さらに好ましくは１ｍＭ〜２０ｍＭである。
の濃度は、特に限定はなく、求める重合膜の膜厚により
適宜選定すればよいが、通常、０．１ｍＭ〜１００ｍＭ
とするのが好ましい。この範囲より小さいと、充分な膜
厚が得られなかったり、充分な膜厚を得るために重合に
時間をかけなくてはならなくなったりするため、好まし
くない。また、この範囲より大きいと、生成膜が悪くな
るため、好ましくない。より好ましくは０．５ｍＭ〜５
０ｍＭ、さらに好ましくは１ｍＭ〜２０ｍＭである。
【００１６】また、支持電解質溶液に使用される支持電
解質としては、Ｎａ2ＳＯ4、ＣＦ3ＣＯＯＮａ、ＮａＣ
ｌＯ4、ＬｉＣｌＯ4、ＬｉＢＦ4、ＬｉＰＦ6などを例示
することができる。支持電解質溶液の濃度は、特に限定
はないが、１０ｍＭ〜５Ｍとするのが適当である。この
範囲より小さいと、重合溶液の電導性を充分に得られな
いため、好ましくない。また、この範囲より大きいと、
溶液中で沈殿が生じるため、好ましくない。より好まし
くは５０ｍＭ〜１Ｍ、さらに好ましくは０．１Ｍ〜０．
５Ｍである。
解質としては、Ｎａ2ＳＯ4、ＣＦ3ＣＯＯＮａ、ＮａＣ
ｌＯ4、ＬｉＣｌＯ4、ＬｉＢＦ4、ＬｉＰＦ6などを例示
することができる。支持電解質溶液の濃度は、特に限定
はないが、１０ｍＭ〜５Ｍとするのが適当である。この
範囲より小さいと、重合溶液の電導性を充分に得られな
いため、好ましくない。また、この範囲より大きいと、
溶液中で沈殿が生じるため、好ましくない。より好まし
くは５０ｍＭ〜１Ｍ、さらに好ましくは０．１Ｍ〜０．
５Ｍである。
【００１７】重合溶液を水溶液とする場合、そのｐＨは
０〜７とするのが好ましい。この範囲をはずれると、良
好に成膜することができなかったり、重合膜がエレクト
ロクロミック特性を有しなかったりする場合があるた
め、好ましくない。より好ましくは０．５〜５、さらに
好ましくは１〜２である。
０〜７とするのが好ましい。この範囲をはずれると、良
好に成膜することができなかったり、重合膜がエレクト
ロクロミック特性を有しなかったりする場合があるた
め、好ましくない。より好ましくは０．５〜５、さらに
好ましくは１〜２である。
【００１８】また、重合溶液を非水溶液とする場合、溶
媒としてはアセトニトリル、プロピレンカーボネート、
ブチレンカーボネートなどを使用することができる。以
上のようにして調製された重合溶液を電解重合させる方
法としては、一般的に用いられている方法を用いればよ
く、例えば、定電位電解法、定電流電解法、電位掃引電
解法などの方法を用いることができるが、特に好ましい
のは電位掃引電解法である。電位掃引電解法で重合させ
る場合、電位掃引回数を求める重合膜の膜厚により適当
に選定すればよいため、非常に容易に膜厚の制御ができ
るという利点がある。つまり、前述の１，１０−フェナ
ントロリン金属錯体溶液の濃度と電位掃引回数との組み
合わせにより、求める膜厚の重合膜を非常に容易に得る
ことができるという利点がある。
媒としてはアセトニトリル、プロピレンカーボネート、
ブチレンカーボネートなどを使用することができる。以
上のようにして調製された重合溶液を電解重合させる方
法としては、一般的に用いられている方法を用いればよ
く、例えば、定電位電解法、定電流電解法、電位掃引電
解法などの方法を用いることができるが、特に好ましい
のは電位掃引電解法である。電位掃引電解法で重合させ
る場合、電位掃引回数を求める重合膜の膜厚により適当
に選定すればよいため、非常に容易に膜厚の制御ができ
るという利点がある。つまり、前述の１，１０−フェナ
ントロリン金属錯体溶液の濃度と電位掃引回数との組み
合わせにより、求める膜厚の重合膜を非常に容易に得る
ことができるという利点がある。
【００１９】以上のようにして本発明の１，１０−フェ
ナントロリン金属錯体重合膜を得ることができる。この
重合膜は、電気化学的な酸化還元反応により色が変化す
るエレクトロクロミック特性を有する膜である。例え
ば、１，１０−フェナントロリン鉄錯体より作製した重
合膜は、鉄が２価イオンである場合には鮮明な赤色を呈
し、酸化反応により３価イオンとなると無色となり、還
元反応により再び２価イオンとなると再び赤色に発色す
る。
ナントロリン金属錯体重合膜を得ることができる。この
重合膜は、電気化学的な酸化還元反応により色が変化す
るエレクトロクロミック特性を有する膜である。例え
ば、１，１０−フェナントロリン鉄錯体より作製した重
合膜は、鉄が２価イオンである場合には鮮明な赤色を呈
し、酸化反応により３価イオンとなると無色となり、還
元反応により再び２価イオンとなると再び赤色に発色す
る。
【００２０】また、本発明の１，１０−フェナントロリ
ン金属錯体重合膜は、電解質溶液中のみではなく、高分
子固体電解質中でも良好に作動する。したがって、本発
明の１，１０−フェナントロリン金属錯体重合膜は、各
種のエレクトロクロミック表示材料として広く利用する
ことができるものである。
ン金属錯体重合膜は、電解質溶液中のみではなく、高分
子固体電解質中でも良好に作動する。したがって、本発
明の１，１０−フェナントロリン金属錯体重合膜は、各
種のエレクトロクロミック表示材料として広く利用する
ことができるものである。
【００２１】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に述
べる。実施例１ １０ｍＭの５−アミノ−１，１０−フェナントロリン鉄
錯体と０．５ＭのＮａ 2ＳＯ4とから重合溶液を調整し
た。この重合溶液のｐＨは、１．０３であった。この重
合溶液中に作用電極として０．２５ｃｍ2のＩＴＯ、対
向電極として白金巻線、参照電極としてＳＳＣＥをセッ
トした。電位を掃引幅−０．４〜１．４Ｖ、掃引速度１
００ｍＶ／ｓで１０サイクル掃引して電解重合させるこ
とにより、膜厚が約１μｍの重合膜が得られた。図１に
重合時のサイクリックボルタモグラムを示す。
べる。実施例１ １０ｍＭの５−アミノ−１，１０−フェナントロリン鉄
錯体と０．５ＭのＮａ 2ＳＯ4とから重合溶液を調整し
た。この重合溶液のｐＨは、１．０３であった。この重
合溶液中に作用電極として０．２５ｃｍ2のＩＴＯ、対
向電極として白金巻線、参照電極としてＳＳＣＥをセッ
トした。電位を掃引幅−０．４〜１．４Ｖ、掃引速度１
００ｍＶ／ｓで１０サイクル掃引して電解重合させるこ
とにより、膜厚が約１μｍの重合膜が得られた。図１に
重合時のサイクリックボルタモグラムを示す。
【００２２】次に測定溶液として０．１ＭのＮａＣｌＯ
4のアセトニトリル溶液を調整した。この測定溶液中に
作用電極として上記の５−アミノ−１，１０−フェナン
トロリン鉄錯体重合膜、対向電極として白金巻線、参照
電極としてＳＳＣＥをセットした。電位を掃引幅０．５
〜１．８Ｖ、掃引速度５００ｍＶ／ｓ、２００ｍＶ／
ｓ、１００ｍＶ／ｓ、５０ｍＶ／ｓおよび２０ｍＶ／ｓ
で掃引して図２に示すサイクリックボルタモグラムを
得、良好な重合膜が得られていることを確認した。
4のアセトニトリル溶液を調整した。この測定溶液中に
作用電極として上記の５−アミノ−１，１０−フェナン
トロリン鉄錯体重合膜、対向電極として白金巻線、参照
電極としてＳＳＣＥをセットした。電位を掃引幅０．５
〜１．８Ｖ、掃引速度５００ｍＶ／ｓ、２００ｍＶ／
ｓ、１００ｍＶ／ｓ、５０ｍＶ／ｓおよび２０ｍＶ／ｓ
で掃引して図２に示すサイクリックボルタモグラムを
得、良好な重合膜が得られていることを確認した。
【００２３】この重合膜の可視・紫外吸収スペクトルを
０．４Ｖ、１．０Ｖ、１．０５Ｖおよび１．２Ｖの電位
をかけた状態で測定した。図３に可視・紫外吸収スペク
トル線図を示す。図３からわかるように、上記の重合膜
は約４９０ｎｍで吸収極大を示すエレクトロクロミック
膜であり、０．４Ｖで鮮明な赤色を呈し、電圧を上げる
と無色になる。応答速度は、３秒と良好であった。
０．４Ｖ、１．０Ｖ、１．０５Ｖおよび１．２Ｖの電位
をかけた状態で測定した。図３に可視・紫外吸収スペク
トル線図を示す。図３からわかるように、上記の重合膜
は約４９０ｎｍで吸収極大を示すエレクトロクロミック
膜であり、０．４Ｖで鮮明な赤色を呈し、電圧を上げる
と無色になる。応答速度は、３秒と良好であった。
【００２４】実施例２〜９ 実施例１に準じ、５−アミノ−１，１０−フェナントロ
リン鉄錯体の濃度および電位の掃引回数をさまざまに変
化させて電解重合をさせ、５−アミノ−１，１０−フェ
ナントロリン鉄錯体重合膜を得た。表１に錯体濃度、掃
引回数および膜厚の関係を示す。
リン鉄錯体の濃度および電位の掃引回数をさまざまに変
化させて電解重合をさせ、５−アミノ−１，１０−フェ
ナントロリン鉄錯体重合膜を得た。表１に錯体濃度、掃
引回数および膜厚の関係を示す。
【００２５】
【表１】 以上の実施例からわかるように、１，１０−フェナント
ロリン金属錯体濃度と電位掃引回数を適当に組み合わせ
ることにより非常に容易に膜厚の制御ができ、目的とす
る膜厚の重合膜を非常に容易に得ることができることが
わかる。
ロリン金属錯体濃度と電位掃引回数を適当に組み合わせ
ることにより非常に容易に膜厚の制御ができ、目的とす
る膜厚の重合膜を非常に容易に得ることができることが
わかる。
【００２６】実施例１０ ２０ｍＭの５−アミノ−１，１０−フェナントロリン鉄
錯体を用い、作用電極として０．８ｃｍ2のＩＴＯを用
い、電位の掃引幅を０．４〜１．４Ｖ、電位の掃引回数
を２サイクルとし、実施例１と同様にして電解重合させ
て５−アミノ−１，１０−フェナントロリン鉄錯体重合
膜を得た。
錯体を用い、作用電極として０．８ｃｍ2のＩＴＯを用
い、電位の掃引幅を０．４〜１．４Ｖ、電位の掃引回数
を２サイクルとし、実施例１と同様にして電解重合させ
て５−アミノ−１，１０−フェナントロリン鉄錯体重合
膜を得た。
【００２７】このようにして得られた重合膜の溶液中に
おけるサイクリックボルタモグラムを１ＭのＮａＣｌＯ
4のブチレンカーボネート／プロピレンカーボネート
［混合比：４３．０／３７．６（ｗｔ／ｗｔ）］混合溶
媒溶液中で測定した。測定は、実施例１と同様にして行
い、電位の掃引幅０．４〜１．４Ｖ、掃引速度２００ｍ
Ｖ／ｓ、１００ｍＶ／ｓ、５０ｍＶ／ｓ、２０ｍＶ／ｓ
および１０ｍＶ／ｓで掃引して図４に示すサイクリック
ボルタモグラムを得、良好な重合膜が得られていること
を確認した。
おけるサイクリックボルタモグラムを１ＭのＮａＣｌＯ
4のブチレンカーボネート／プロピレンカーボネート
［混合比：４３．０／３７．６（ｗｔ／ｗｔ）］混合溶
媒溶液中で測定した。測定は、実施例１と同様にして行
い、電位の掃引幅０．４〜１．４Ｖ、掃引速度２００ｍ
Ｖ／ｓ、１００ｍＶ／ｓ、５０ｍＶ／ｓ、２０ｍＶ／ｓ
および１０ｍＶ／ｓで掃引して図４に示すサイクリック
ボルタモグラムを得、良好な重合膜が得られていること
を確認した。
【００２８】次にマトリックス材となる２−ヒドロキシ
エチルメタクリレート（１０．２ｗｔ％）と架橋剤であ
るネオペンチルグリコールジメタクリレート（０．４ｗ
ｔ％）と１ＭのＮａＣｌＯ4のブチレンカーボネート／
プロピレンカーボネート［混合比：４３．０／３７．６
（ｗｔ／ｗｔ）］混合溶媒溶液（８９．３ｗｔ％）と重
合開始剤としてｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキ
サネートとを均一に混合した溶液を作製した。この溶液
を乾燥窒素ガス雰囲気のオーブン中で８０℃に加熱し、
６時間重合反応させて高分子固体電解質を作製した。
エチルメタクリレート（１０．２ｗｔ％）と架橋剤であ
るネオペンチルグリコールジメタクリレート（０．４ｗ
ｔ％）と１ＭのＮａＣｌＯ4のブチレンカーボネート／
プロピレンカーボネート［混合比：４３．０／３７．６
（ｗｔ／ｗｔ）］混合溶媒溶液（８９．３ｗｔ％）と重
合開始剤としてｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキ
サネートとを均一に混合した溶液を作製した。この溶液
を乾燥窒素ガス雰囲気のオーブン中で８０℃に加熱し、
６時間重合反応させて高分子固体電解質を作製した。
【００２９】以上のようにして作製した高分子固体電解
質中における上記の重合膜のサイクリックボルタモグラ
ムを測定した。測定は、溶液中の場合の測定と同様に行
い、電位の掃引幅０．４〜１．４Ｖ、掃引速度２００ｍ
Ｖ／ｓ、１００ｍＶ／ｓ、５０ｍＶ／ｓ、２０ｍＶ／ｓ
および１０ｍＶ／ｓで掃引して図５に示すサイクリック
ボルタモグラムを得、本発明の重合膜が高分子固体電解
質中においても良好に作動することを確認した。
質中における上記の重合膜のサイクリックボルタモグラ
ムを測定した。測定は、溶液中の場合の測定と同様に行
い、電位の掃引幅０．４〜１．４Ｖ、掃引速度２００ｍ
Ｖ／ｓ、１００ｍＶ／ｓ、５０ｍＶ／ｓ、２０ｍＶ／ｓ
および１０ｍＶ／ｓで掃引して図５に示すサイクリック
ボルタモグラムを得、本発明の重合膜が高分子固体電解
質中においても良好に作動することを確認した。
【００３０】
【発明の効果】本発明の１，１０−フェナントロリン金
属錯体の電解重合によって得られるエレクトロクロミッ
ク膜は、非常に安定性の高いものであり、また、非常に
高速で成膜することが可能である。さらに、成膜時の膜
厚の制御も容易であることから、工業的に容易に大量生
産することが可能であり、また、電解質溶液中のみでな
く、高分子固体電解質中においても良好に作動すること
から、さまざまな分野に広く利用できるものである。
属錯体の電解重合によって得られるエレクトロクロミッ
ク膜は、非常に安定性の高いものであり、また、非常に
高速で成膜することが可能である。さらに、成膜時の膜
厚の制御も容易であることから、工業的に容易に大量生
産することが可能であり、また、電解質溶液中のみでな
く、高分子固体電解質中においても良好に作動すること
から、さまざまな分野に広く利用できるものである。
【図１】実施例１における電解重合時のサイクリックボ
ルタモグラムである。
ルタモグラムである。
【図２】実施例１で得られた重合膜の０．１ＭのＮａＣ
ｌＯ4のアセトニトリル中において測定したサイクリッ
クボルタモグラムである。
ｌＯ4のアセトニトリル中において測定したサイクリッ
クボルタモグラムである。
【図３】実施例１で得られた重合膜の可視・紫外吸収ス
ペクトル線図である。
ペクトル線図である。
【図４】実施例１０で得られた重合膜の１ＭのＮａＣｌ
Ｏ4のブチレンカーボネート／プロピレンカーボネート
混合溶媒溶液中において測定したサイクリックボルタモ
グラムである。
Ｏ4のブチレンカーボネート／プロピレンカーボネート
混合溶媒溶液中において測定したサイクリックボルタモ
グラムである。
【図５】実施例１０で得られた重合膜の高分子固体電解
質中において測定したサイクリックボルタモグラムであ
る。
質中において測定したサイクリックボルタモグラムであ
る。
Claims (6)
- 【請求項１】下記の式 【化１】 で示される１，１０−フェナントロリンの２位〜９位の
少なくとも１カ所に−ＮＨ2、−ＳＨ、−ＯＨまたは−
ＣＨ＝ＣＨ2の少なくとも１種類の置換基を結合させた
１，１０−フェナントロリン誘導体を配位子とする金属
錯体を電解重合させたことを特徴とする１，１０−フェ
ナントロリン金属錯体エレクトロクロミック膜。 - 【請求項２】電位掃引電解法により電解重合させた請求
項１に記載の１，１０−フェナントロリン金属錯体エレ
クトロクロミック膜。 - 【請求項３】ｐＨ０〜７の水溶液中で電解重合させた請
求項１または２に記載の１，１０−フェナントロリン金
属錯体エレクトロクロミック膜。 - 【請求項４】非水溶液中で電解重合させた請求項１また
は２に記載の１，１０−フェナントロリン金属錯体エレ
クトロクロミック膜。 - 【請求項５】１，１０−フェナントロリン誘導体が５−
アミノ−１，１０−フェナントロリンである請求項１〜
４のいずれかに記載の１，１０−フェナントロリン金属
錯体エレクトロクロミック膜。 - 【請求項６】金属錯体が鉄錯体である請求項１〜５のい
ずれかに記載の１，１０−フェナントロリン金属錯体エ
レクトロクロミック膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6061376A JPH07267952A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | １，１０−フェナントロリン金属錯体エレクトロクロミック膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6061376A JPH07267952A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | １，１０−フェナントロリン金属錯体エレクトロクロミック膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07267952A true JPH07267952A (ja) | 1995-10-17 |
Family
ID=13169406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6061376A Pending JPH07267952A (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | １，１０−フェナントロリン金属錯体エレクトロクロミック膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07267952A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005539137A (ja) * | 2002-08-26 | 2005-12-22 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 有機物フィルムによって表面をコーティングするための方法 |
| JP2008545624A (ja) * | 2005-05-13 | 2008-12-18 | チバ ホールディング インコーポレーテッド | 金属錯体を含むケラチン繊維を着色するための方法 |
| CN113862711A (zh) * | 2021-11-01 | 2021-12-31 | 陕西科技大学 | 过渡金属离子配位的聚菲咯啉薄膜、制备方法及其应用 |
-
1994
- 1994-03-30 JP JP6061376A patent/JPH07267952A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005539137A (ja) * | 2002-08-26 | 2005-12-22 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 有機物フィルムによって表面をコーティングするための方法 |
| JP2008545624A (ja) * | 2005-05-13 | 2008-12-18 | チバ ホールディング インコーポレーテッド | 金属錯体を含むケラチン繊維を着色するための方法 |
| CN113862711A (zh) * | 2021-11-01 | 2021-12-31 | 陕西科技大学 | 过渡金属离子配位的聚菲咯啉薄膜、制备方法及其应用 |
| CN113862711B (zh) * | 2021-11-01 | 2023-02-24 | 陕西科技大学 | 过渡金属离子配位的聚菲咯啉薄膜、制备方法及其应用 |
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