JPH07263967A - Output circuit - Google Patents

Output circuit

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Publication number
JPH07263967A
JPH07263967A JP6049265A JP4926594A JPH07263967A JP H07263967 A JPH07263967 A JP H07263967A JP 6049265 A JP6049265 A JP 6049265A JP 4926594 A JP4926594 A JP 4926594A JP H07263967 A JPH07263967 A JP H07263967A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
output
circuit
negative potential
output terminal
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP6049265A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuyuki Yasukochi
克之 安河内
Hiroko Mizuno
浩子 水野
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu VLSI Ltd, Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu VLSI Ltd
Priority to JP6049265A priority Critical patent/JPH07263967A/en
Publication of JPH07263967A publication Critical patent/JPH07263967A/en
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Abstract

PURPOSE:To surely drive a load and to reduce the power consumption by providing a circuit, which absorbs the negative potential generated at the time of the occurrence of a counter-electromotive force, to prevent the malfunction due to the counter-electromotive force. CONSTITUTION:An output transistor TR 24 is turned on/off by an input signal IN, and the base current proportional to an output terminal voltage Vo is supplied from a base current adjusting circuit 2. If a negative potential detecting circuit 3 detects that the voltage Vo is reduced to a negative potential lower than a power source GND, a current I is supplied to an output terminal 1 from a negative potential absorbing circuit 4 to absorb the negative potential. Thus, the base current proportional to the output terminal voltage Vo is supplied to the output TR and supply of the unnecessary base current is prevented to reduce the power consumption, and the negative potential of the output voltage is absorbed and the malfunction of the load, which generates a counter- electromotive force at the time of reversing of a motor or the like, is prevented to surely drive the load.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、モータ等の負荷を駆
動するための出力回路を備えた半導体装置に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device having an output circuit for driving a load such as a motor.

【0002】近年、小型モータが使用された多種類の電
子機器が実用化されている。このような電子機器では、
負荷の特性に左右されることなく、安定した負荷駆動能
力を確保することが必要となっている。
In recent years, various types of electronic devices using small motors have been put into practical use. In such electronic devices,
It is necessary to secure a stable load driving capability without being influenced by the characteristics of the load.

【0003】[0003]

【従来の技術】モータ駆動用の出力回路を備えた半導体
装置の一例を図13に従って説明する。
2. Description of the Related Art An example of a semiconductor device having an output circuit for driving a motor will be described with reference to FIG.

【0004】入力信号IN1,IN2は逆相のパルス信
号である。前記入力信号IN1のHレベルは電源Vccレ
ベルであり、Lレベルは電源VccからPNPトランジス
タTr7のエミッタ・ベース間電圧降下VEB以上低いレベ
ルである。
The input signals IN1 and IN2 are pulse signals having opposite phases. The H level of the input signal IN1 is the power supply Vcc level, and the L level is a level lower than the power supply Vcc by the emitter-base voltage drop VEB of the PNP transistor Tr7 or more.

【0005】前記入力信号IN2のLレベルはグランド
GNDレベルであり、HレベルはNPNトランジスタT
r3のベース・エミッタ間電圧降下VBE以上高いレベルで
ある。
The L level of the input signal IN2 is the ground GND level, and the H level is the NPN transistor T.
The level is higher than the base-emitter voltage drop VBE of r3.

【0006】PNPトランジスタTr1,Tr2は、電流源
1aの動作により常時オンされる。この状態で入力信号
IN1がLレベル、入力信号IN2がHレベルとなる
と、NPNトランジスタTr3のオン動作により、NPN
トランジスタTr4,Tr6のベース電位が低下し、NPN
トランジスタTr9に供給されるベース電流IB1が減少し
て、同トランジスタTr9がオフされる。
The PNP transistors Tr1 and Tr2 are always turned on by the operation of the current source 1a. In this state, when the input signal IN1 becomes L level and the input signal IN2 becomes H level, the NPN transistor Tr3 is turned on and the NPN transistor Tr3 is turned on.
The base potentials of the transistors Tr4 and Tr6 drop and the NPN
The base current IB1 supplied to the transistor Tr9 decreases and the transistor Tr9 is turned off.

【0007】また、前記トランジスタTr7がオンされ
て、NPNトランジスタTr8がオンされる。従って、出
力端子T1からモータMに出力電流Io1が供給される。
前記モータMに接続される出力端子T2は、この出力回
路とは逆相で駆動される他の出力回路の出力端子であ
る。そして、両出力回路の動作により、モータMに出力
電流Io1が流れると、例えばモータMが正回転される。
Further, the transistor Tr7 is turned on and the NPN transistor Tr8 is turned on. Therefore, the output current Io1 is supplied to the motor M from the output terminal T1.
The output terminal T2 connected to the motor M is an output terminal of another output circuit driven in a reverse phase to this output circuit. When the output current Io1 flows through the motor M due to the operation of both output circuits, the motor M is normally rotated, for example.

【0008】一方、入力信号IN1がHレベル、入力信
号IN2がLレベルとなると、トランジスタTr3のオフ
動作により、トランジスタTr4,Tr6のベース電位が上
昇し、トランジスタTr9に供給されるベースIB1が増大
して、同トランジスタTr9がオンされる。
On the other hand, when the input signal IN1 is at the H level and the input signal IN2 is at the L level, the off operation of the transistor Tr3 raises the base potentials of the transistors Tr4 and Tr6 and the base IB1 supplied to the transistor Tr9 increases. Then, the transistor Tr9 is turned on.

【0009】また、前記トランジスタTr7がオフされ
て、トランジスタTr8がオフされる。従って、モータM
から出力端子T1に出力電流Io2が流れて、モータMが
逆回転される。そして、このような出力回路が半導体装
置を構成する1つのチップ上に形成される。
The transistor Tr7 is turned off and the transistor Tr8 is turned off. Therefore, the motor M
The output current Io2 flows from the output terminal T1 to the output terminal T1, and the motor M is reversely rotated. Then, such an output circuit is formed on one chip constituting the semiconductor device.

【0010】上記のような出力回路は、前記トランジス
タTr9がオンされるとき、モータMが軽負荷状態となっ
て出力端子電圧Vo が低下すると、PNPトランジスタ
Tr5のエミッタ電位が低下して、トランジスタTr4,T
r6のベース電位が低下し、トランジスタTr9に供給され
るベース電流IB1が減少する。
In the output circuit as described above, when the transistor Tr9 is turned on and the motor M is in a light load state and the output terminal voltage Vo drops, the emitter potential of the PNP transistor Tr5 drops and the transistor Tr4. , T
The base potential of r6 decreases, and the base current IB1 supplied to the transistor Tr9 decreases.

【0011】従って、図14に示すように出力端子電圧
Vo の低下とともに、ベース電流IB1が減少し、図15
に示すように出力電流Io2の減少にともなって、ベース
電流IB1が減少する。
Therefore, as shown in FIG. 14, as the output terminal voltage Vo decreases, the base current IB1 also decreases.
As shown in (1), the base current IB1 decreases as the output current Io2 decreases.

【0012】このような動作により、軽負荷時にベース
電流IB1が無用に流れることを防止して、消費電力が低
減される。
By such an operation, the base current IB1 is prevented from flowing unnecessarily when the load is light, and the power consumption is reduced.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】上記のような出力回路
では、特にトランジスタTr8をオンさせて出力電流Io1
を流している状態から、トランジスタTr9をオンさせて
出力電流Io2を流してモータMの回転方向を反転させる
ときに、同モータMに発生する逆起電力により、出力端
子T1の電位がグランドGNDレベル以下の負電位にな
ることがある。
In the above output circuit, the transistor Tr8 is turned on to output the output current Io1.
When the transistor Tr9 is turned on and the output current Io2 is passed to reverse the rotation direction of the motor M from the state where the current is flowing, the potential of the output terminal T1 is grounded by the back electromotive force generated in the motor M. The following negative potentials may occur.

【0014】このようなとき、このチップのP型基板と
N型ウェルとの間にNPNトランジスタTr10 が寄生
し、例えばトランジスタTr6,Tr7のベースからトラン
ジスタTr9のコレクタに電流が流れる。
At this time, the NPN transistor Tr10 is parasitic between the P-type substrate and the N-type well of this chip, and a current flows from the bases of the transistors Tr6 and Tr7 to the collector of the transistor Tr9.

【0015】すると、トランジスタTr8が充分にオフさ
れず、また出力電流Io2が充分に流れなくなって、モー
タMを確実に駆動することができない。従って、モータ
Mを使用したシステムが誤動作することがある。
Then, the transistor Tr8 is not sufficiently turned off, and the output current Io2 does not flow sufficiently, so that the motor M cannot be driven reliably. Therefore, the system using the motor M may malfunction.

【0016】この発明の目的は、消費電力の低減を図り
ながら、逆起電力を発生する負荷を確実に駆動し得る出
力回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an output circuit capable of reliably driving a load generating a counter electromotive force while reducing power consumption.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。すなわち、出力トランジスタTr24 のコレク
タが出力端子T1に接続されるとともにエミッタが低電
位側電源GNDに接続され、入力信号INに基づいて前
記出力トランジスタTr24 をオン・オフ駆動し、前記出
力端子電圧Vo に比例したベース電流を前記出力トラン
ジスタTr24 に供給するベース電流調整回路2が備えら
れる。前記出力端子電圧Vo が前記低電位側電源GND
以下の負電位に低下したことを検出する負電位検出回路
3と、前記負電位検出回路3の出力信号に基づいて前記
出力端子T1に電流Iを供給して負電位を吸収する負電
位吸収回路4が備えられる。
FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of the present invention. That is, the collector of the output transistor Tr24 is connected to the output terminal T1 and the emitter is connected to the low-potential-side power supply GND, and the output transistor Tr24 is driven on / off based on the input signal IN to set the output terminal voltage Vo. A base current adjusting circuit 2 is provided for supplying a proportional base current to the output transistor Tr24. When the output terminal voltage Vo is the low potential side power supply GND
A negative potential detection circuit 3 that detects a decrease in the negative potential below, and a negative potential absorption circuit that supplies a current I to the output terminal T1 based on an output signal of the negative potential detection circuit 3 to absorb the negative potential. 4 is provided.

【0018】また、図2に示すように前記ベース電流調
整回路は、前記出力トランジスタTr24 のベースにダー
リントン接続されて、該出力トランジスタTr24 にベー
ス電流を供給するトランジスタTr20 と、前記出力端子
電圧Vo に比例したベース電流を前記トランジスタTr2
0 に供給する出力電位検出回路Tr17 ,Tr18 ,Tr19
とから構成され、前記負電位検出回路は、前記出力電位
検出回路Tr17 ,Tr18 ,Tr19 の出力信号に基づいて
前記出力端子電圧Vo が負電位となったときオフされる
トランジスタTr16 ,Tr15 で構成され、前記負電位吸
収回路4から前記トランジスタTr16 ,Tr15 のオフ動
作に基づいて出力端子T1に負電位を吸収するための出
力電流Io1が供給される。
Further, as shown in FIG. 2, the base current adjusting circuit is connected to the base of the output transistor Tr24 in a Darlington connection to supply a transistor Tr20 for supplying a base current to the output transistor Tr24 and the output terminal voltage Vo. A proportional base current is applied to the transistor Tr2.
Output potential detection circuits Tr17, Tr18, Tr19 supplied to 0
The negative potential detection circuit is composed of transistors Tr16 and Tr15 which are turned off when the output terminal voltage Vo becomes a negative potential based on the output signals of the output potential detection circuits Tr17, Tr18 and Tr19. An output current Io1 for absorbing a negative potential is supplied from the negative potential absorbing circuit 4 to the output terminal T1 based on the OFF operation of the transistors Tr16 and Tr15.

【0019】また、図2に示すように前記負電位吸収回
路は、前記トランジスタTr16 ,Tr15 のオフ動作に基
づいてオンされるトランジスタTr21 と、前記トランジ
スタTr21 にダーリントン接続され、該トランジスタT
r21 のオン動作に基づいてオンされて、前記出力電流I
o1を出力端子T1に供給するトランジスタTr23 とから
構成される。
As shown in FIG. 2, the negative potential absorbing circuit is connected to the transistor Tr21 which is turned on when the transistors Tr16 and Tr15 are turned off, and Darlington connection to the transistor Tr21.
The output current I is turned on when the r21 is turned on.
The transistor Tr23 supplies o1 to the output terminal T1.

【0020】また、図7に示すように前記負電位吸収回
路は、前記トランジスタTr16 ,Tr15 のオフ動作に基
づいてオンされるトランジスタTr21 と、前記トランジ
スタTr21 にダーリントン接続され、該トランジスタT
r21 のオン動作に基づいて逆方向にオンされて、前記出
力電流Io1を出力端子T1に供給する前記出力トランジ
スタTr24 とから構成される。
Further, as shown in FIG. 7, the negative potential absorption circuit is connected to the transistor Tr21 which is turned on when the transistors Tr16 and Tr15 are turned off, and Darlington connection to the transistor Tr21.
The output transistor Tr24 is turned on in the opposite direction based on the turning-on operation of r21 and supplies the output current Io1 to the output terminal T1.

【0021】また、図6に示すように前記出力電位検出
回路Tr17 ,Tr18 ,Tr19 には、前記負電位検出回路
Tr16 ,Tr15 の飽和動作時に、該負電位検出回路Tr1
6 ,Tr15 による出力電圧のクランプを防止するクラン
プ防止回路Tr25 ,R2が設けられる。
Further, as shown in FIG. 6, the output potential detecting circuits Tr17, Tr18, Tr19 have a negative potential detecting circuit Tr1 at the time of saturation operation of the negative potential detecting circuits Tr16, Tr15.
Clamp prevention circuits Tr25 and R2 for preventing the output voltage from being clamped by 6 and Tr15 are provided.

【0022】また、図8に示すように前記ベース電流調
整回路を構成する前記トランジスタTr20 には、前記出
力端子電圧Vo が低電位側電源GNDから一定レベル上
昇するまでは、前記出力トランジスタTr24 にベース電
流を供給しないように動作する動作電圧調整回路R3,
R4,1c,1dが接続される。
Further, as shown in FIG. 8, the transistor Tr20 constituting the base current adjusting circuit has a base connected to the output transistor Tr24 until the output terminal voltage Vo rises from the low potential side power supply GND by a certain level. An operating voltage adjusting circuit R3 that operates so as not to supply current
R4, 1c and 1d are connected.

【0023】また、図10に示すように前記負電位検出
回路を構成する前記トランジスタTr16 ,Tr15 には、
前記出力端子電圧Vo が低電位側電源GNDから一定レ
ベル下降するまでは、前記トランジスタTr16 ,Tr15
をオフさせないように動作する動作電圧調整回路R2,
1e,1fが接続される。
Further, as shown in FIG. 10, the transistors Tr16 and Tr15 forming the negative potential detection circuit are
Until the output terminal voltage Vo drops from the low-potential-side power supply GND by a certain level, the transistors Tr16, Tr15
Operating voltage adjusting circuit R2 that operates so as not to turn off
1e and 1f are connected.

【0024】[0024]

【作用】出力端子電圧Vo に比例したベース電流が出力
トランジスタTr24 に供給されるので、出力トランジス
タTr24 への無用なベース電流の供給が防止され、消費
電力が低減される。出力端子電圧Vo が負電位となる
と、その負電位が負電位検出回路3により検出され、負
電位吸収回路4から出力端子T1に電流Iが出力され
て、負電位が吸収される。
Since the base current proportional to the output terminal voltage Vo is supplied to the output transistor Tr24, the unnecessary supply of the base current to the output transistor Tr24 is prevented and the power consumption is reduced. When the output terminal voltage Vo has a negative potential, the negative potential is detected by the negative potential detection circuit 3, and the negative potential absorption circuit 4 outputs a current I to the output terminal T1 to absorb the negative potential.

【0025】図2においては、出力端子電圧Vo は出力
電位検出回路Tr17 ,Tr18 ,Tr19 で検出され、同出
力端子電圧Vo が負電位となると、トランジスタTr16
,Tr15 がオフされる。トランジスタTr16 ,Tr15
がオフされると、負電位吸収回路から出力端子T1に負
電位を吸収するための出力電流Io1が供給される。
In FIG. 2, the output terminal voltage Vo is detected by the output potential detecting circuits Tr17, Tr18, Tr19, and when the output terminal voltage Vo becomes a negative potential, the transistor Tr16 is detected.
, Tr15 is turned off. Transistors Tr16, Tr15
When is turned off, the output current Io1 for absorbing the negative potential is supplied from the negative potential absorbing circuit to the output terminal T1.

【0026】また、図2においては、トランジスタTr1
6 ,Tr15 がオフされると、トランジスタTr21 がオン
され、同トランジスタTr21 がオンされると、トランジ
スタTr23 がオンされて、出力電流Io1が出力端子T1
に供給される。
Further, in FIG. 2, the transistor Tr1 is
6 and Tr15 are turned off, the transistor Tr21 is turned on, and when the transistor Tr21 is turned on, the transistor Tr23 is turned on and the output current Io1 is output from the output terminal T1.
Is supplied to.

【0027】図7においては、トランジスタTr16 ,T
r15 がオフされると、トランジスタTr21 がオンされ、
同トランジスタTr21 がオンされると、出力トランジス
タTr24 が逆方向にオンされて、出力電流Io1が出力端
子T1に供給される。
In FIG. 7, transistors Tr16 and T16 are provided.
When r15 is turned off, transistor Tr21 is turned on,
When the transistor Tr21 is turned on, the output transistor Tr24 is turned on in the reverse direction, and the output current Io1 is supplied to the output terminal T1.

【0028】図6においては、トランジスタTr16 ,T
r15 が飽和しても、出力電位検出回路Tr17 ,Tr18 ,
Tr19 の出力電圧はトランジスタTr16 ,Tr15 の飽和
時のレベルと同一レベルにクランプされることはない。
In FIG. 6, transistors Tr16 and T16 are provided.
Even if r15 is saturated, output potential detection circuits Tr17, Tr18,
The output voltage of Tr19 is not clamped at the same level as the saturation level of the transistors Tr16 and Tr15.

【0029】図8においては、動作電圧調整回路R3,
R4,1c,1dの動作により、出力端子電圧Vo が低
電位側電源GNDから一定レベル上昇するまでは、出力
トランジスタTr24 がオンされない。
In FIG. 8, the operating voltage adjusting circuit R3
The output transistor Tr24 is not turned on until the output terminal voltage Vo rises from the low potential side power supply GND by a certain level by the operation of R4, 1c, 1d.

【0030】図10においては、動作電圧調整回路R
2,1e,1fの動作により、出力端子電圧Vo が低電
位側電源GNDから一定レベル下降するまでは、トラン
ジスタTr16 ,Tr15 がオフされず、従ってトランジス
タTr23 がオンされない。
In FIG. 10, the operating voltage adjusting circuit R
The transistors Tr16 and Tr15 are not turned off and thus the transistor Tr23 is not turned on until the output terminal voltage Vo drops by a certain level from the low-potential-side power supply GND by the operation of 2, 1e and 1f.

【0031】[0031]

【実施例】図2はこの発明を具体化した第一の実施例を
示す。入力信号IN1,IN2は前記従来例と同様なパ
ルス信号である。PNPトランジスタTr11 のエミッタ
は電源Vccに接続され、コレクタは電流源1bを介して
グランドGNDに接続され、ベースはコレクタに接続さ
れる。
FIG. 2 shows a first embodiment embodying the present invention. The input signals IN1 and IN2 are pulse signals similar to those in the conventional example. The PNP transistor Tr11 has an emitter connected to the power supply Vcc, a collector connected to the ground GND via the current source 1b, and a base connected to the collector.

【0032】前記トランジスタTr11 のベースは、PN
PトランジスタTr14 ,Tr18 のベースに接続され、同
トランジスタTr14 ,Tr18 のエミッタは電源Vccに接
続される。
The base of the transistor Tr11 is PN
It is connected to the bases of the P transistors Tr14 and Tr18, and the emitters of the transistors Tr14 and Tr18 are connected to the power supply Vcc.

【0033】前記トランジスタTr14 のコレクタはNP
NトランジスタTr16 のコレクタに接続され、前記トラ
ンジスタTr18 のコレクタはNPNトランジスタTr17
のコレクタに接続されている。
The collector of the transistor Tr14 is NP
It is connected to the collector of the N-transistor Tr16, and the collector of the transistor Tr18 is the NPN transistor Tr17.
Connected to the collector.

【0034】前記トランジスタTr16 , Tr17 のベース
は同トランジスタTr17 のコレクタに接続されるととも
に、NPNトランジスタTr12 のコレクタに接続されて
いる。
The bases of the transistors Tr16 and Tr17 are connected to the collector of the transistor Tr17 and the collector of the NPN transistor Tr12.

【0035】前記トランジスタTr12 のベースには前記
入力信号IN2が入力され、エミッタはグランドGND
に接続される。前記トランジスタTr16 のエミッタはP
NPトランジスタTr15 のエミッタに接続され、同トラ
ンジスタTr15 のコレクタはグランドGNDに接続され
る。
The input signal IN2 is input to the base of the transistor Tr12, and the emitter is ground GND.
Connected to. The emitter of the transistor Tr16 is P
It is connected to the emitter of the NP transistor Tr15, and the collector of the transistor Tr15 is connected to the ground GND.

【0036】前記トランジスタTr15 のベースはNPN
トランジスタTr13 のエミッタに接続されるとともに、
抵抗R1を介してグランドGNDに接続される。前記ト
ランジスタTr13 のコレクタは電源Vccに接続される。
The base of the transistor Tr15 is NPN.
It is connected to the emitter of transistor Tr13 and
It is connected to the ground GND via the resistor R1. The collector of the transistor Tr13 is connected to the power source Vcc.

【0037】前記トランジスタTr17 のエミッタはPN
PトランジスタTr19 のエミッタに接続されるととも
に、前記トランジスタTr13 のベースに接続される。前
記トランジスタTr19 のベースは出力端子T1に接続さ
れ、コレクタはグランドGNDに接続される。
The emitter of the transistor Tr17 is PN.
It is connected to the emitter of the P-transistor Tr19 and to the base of the transistor Tr13. The base of the transistor Tr19 is connected to the output terminal T1 and the collector is connected to the ground GND.

【0038】前記トランジスタTr12 のコレクタは、N
PNトランジスタTr20 のベースに接続され、同トラン
ジスタTr20 のコレクタは電源Vccに接続され、エミッ
タはNPNトランジスタTr24 のベースに接続される。
The collector of the transistor Tr12 is N
It is connected to the base of the PN transistor Tr20, the collector of the transistor Tr20 is connected to the power supply Vcc, and the emitter is connected to the base of the NPN transistor Tr24.

【0039】前記トランジスタTr24 のコレクタは出力
端子T1に接続され、エミッタはグランドGNDに接続
される。前記トランジスタTr14 のコレクタは、NPN
トランジスタTr21 のベースに接続され、同トランジス
タTr21 のコレクタは電源Vccに接続され、エミッタは
NPNトランジスタTr23 のベースに接続される。
The collector of the transistor Tr24 is connected to the output terminal T1 and the emitter is connected to the ground GND. The collector of the transistor Tr14 is an NPN
It is connected to the base of the transistor Tr21, the collector of the transistor Tr21 is connected to the power source Vcc, and the emitter is connected to the base of the NPN transistor Tr23.

【0040】前記入力信号IN1は、PNPトランジス
タTr22 のベースに入力され、同トランジスタTr22 の
エミッタは電源Vccに接続され、コレクタは前記トラン
ジスタTr23 のベースに接続される。
The input signal IN1 is input to the base of the PNP transistor Tr22, the emitter of the transistor Tr22 is connected to the power source Vcc, and the collector is connected to the base of the transistor Tr23.

【0041】前記トランジスタTr23 のコレクタは電源
Vccに接続され、エミッタは出力端子T1に接続され
る。このような構成により、前記トランジスタTr23 ,
Tr24 でトーテムポール型の出力回路が構成され、トラ
ンジスタTr22 ,Tr23 と、トランジスタTr21 ,Tr2
3 と、トランジスタTr20 ,Tr24 とはダーリントン接
続となる。
The collector of the transistor Tr23 is connected to the power source Vcc, and the emitter is connected to the output terminal T1. With such a configuration, the transistors Tr23,
A totem pole type output circuit is configured by Tr24, and includes transistors Tr22 and Tr23 and transistors Tr21 and Tr2.
3 and the transistors Tr20 and Tr24 are in Darlington connection.

【0042】前記出力端子T1には、従来例と同様にモ
ータMが負荷として接続される。次に、上記のような出
力回路の動作を説明する。トランジスタTr11 ,Tr1
4,Tr18 は、電流源1bの動作により常時オンされ
る。この状態で入力信号IN1がLレベル、入力信号I
N2がHレベルとなると、トランジスタTr12 のオン動
作により、トランジスタTr16 ,Tr17 ,Tr20 のベー
ス電位が低下し、トランジスタTr24 に供給されるベー
ス電流IB2が減少して、同トランジスタTr24がオフさ
れる。
A motor M is connected to the output terminal T1 as a load as in the conventional example. Next, the operation of the output circuit as described above will be described. Transistors Tr11, Tr1
4, Tr18 is always turned on by the operation of the current source 1b. In this state, the input signal IN1 is at L level and the input signal I
When N2 becomes H level, the on-operation of the transistor Tr12 lowers the base potentials of the transistors Tr16, Tr17 and Tr20, the base current IB2 supplied to the transistor Tr24 is reduced, and the transistor Tr24 is turned off.

【0043】また、トランジスタTr22 がオンされて、
トランジスタTr23 がオンされる。従って、出力端子T
1からモータMに出力電流Io1が供給され、モータMが
正回転される。
When the transistor Tr22 is turned on,
The transistor Tr23 is turned on. Therefore, the output terminal T
The output current Io1 is supplied from 1 to the motor M, and the motor M is normally rotated.

【0044】一方、入力信号IN1がHレベル、入力信
号IN2がLレベルとなると、トランジスタTr12 のオ
フ動作により、トランジスタTr16 ,Tr17 ,Tr20 の
ベース電位が上昇し、トランジスタTr24 に供給される
ベースIB2が増大して、同トランジスタTr24 がオンさ
れる。
On the other hand, when the input signal IN1 is at the H level and the input signal IN2 is at the L level, the base potential of the transistors Tr16, Tr17, Tr20 rises due to the off operation of the transistor Tr12, and the base IB2 supplied to the transistor Tr24. As a result, the transistor Tr24 is turned on.

【0045】また、前記トランジスタTr22 がオフされ
て、トランジスタTr23 がオフされる。従って、モータ
Mから出力端子T1に出力電流Io2が流れて、モータM
が逆回転される。
The transistor Tr22 is turned off and the transistor Tr23 is turned off. Therefore, the output current Io2 flows from the motor M to the output terminal T1, and the motor M
Is rotated in reverse.

【0046】前記トランジスタTr24 がオンされると
き、モータMが軽負荷状態となって出力端子電圧Vo が
低下すると、トランジスタTr19 のエミッタ電位が低下
して、トランジスタTr20 のベース電位が低下し、トラ
ンジスタTr24 に供給されるベース電流IB2が減少す
る。
When the transistor Tr24 is turned on and the motor M is in a light load state and the output terminal voltage Vo drops, the emitter potential of the transistor Tr19 drops, the base potential of the transistor Tr20 drops, and the transistor Tr24 drops. The base current IB2 supplied to the IC decreases.

【0047】従って、図3に示すように出力端子電圧V
o の低下とともに、ベース電流IB2が減少する。このよ
うな動作により、軽負荷時にベース電流IB2が無用に流
れることを防止して、消費電力が低減される。
Therefore, as shown in FIG. 3, the output terminal voltage V
The base current IB2 decreases as o decreases. By such an operation, the base current IB2 is prevented from flowing unnecessarily when the load is light, and the power consumption is reduced.

【0048】上記のような出力回路において、モータM
に発生する逆起電力により、出力端子電圧Vo がグラン
ドGNDレベル以下の負電位になると、トランジスタT
r19のエミッタ電位が低下し、トランジスタTr13 がオ
フされるため、トランジスタTr15 のエミッタ電位も低
下する。
In the output circuit as described above, the motor M
When the output terminal voltage Vo becomes a negative potential below the ground GND level due to the counter electromotive force generated in the transistor T,
Since the emitter potential of r19 drops and the transistor Tr13 is turned off, the emitter potential of the transistor Tr15 also drops.

【0049】そして、トランジスタTr16 ,Tr17 のベ
ース電位が低下して、同トランジスタTr16 ,Tr17 が
オフされる。すると、トランジスタTr14 のコレクタか
らトランジスタTr21 にベース電流が供給されて、同ト
ランジスタTr21 がオンされ、同トランジスタTr21 か
らトランジスタTr23 にベース電流IB3が流れる。
Then, the base potentials of the transistors Tr16 and Tr17 decrease, and the transistors Tr16 and Tr17 are turned off. Then, the base current is supplied from the collector of the transistor Tr14 to the transistor Tr21, the transistor Tr21 is turned on, and the base current IB3 flows from the transistor Tr21 to the transistor Tr23.

【0050】このベース電流IB3は、図4に示すように
出力端子電圧Vo が低下するほど大きくなる。従って、
トランジスタTr23 から出力端子T1に出力電流Io1が
流れ、出力端子電圧Vo がグランドGND電位まで引き
上げられる。
The base current IB3 increases as the output terminal voltage Vo decreases, as shown in FIG. Therefore,
An output current Io1 flows from the transistor Tr23 to the output terminal T1, and the output terminal voltage Vo is raised to the ground GND potential.

【0051】このように、入力信号IN1がHレベル、
入力信号IN2がLレベルとなってトランジスタTr24
がオンされる場合における出力電圧−出力電流特性を図
5に示す。
In this way, the input signal IN1 is at H level,
The input signal IN2 becomes L level and the transistor Tr24
FIG. 5 shows output voltage-output current characteristics when the switch is turned on.

【0052】すなわち、出力端子電圧Vo がグランドG
ND電位以上であれば、トランジスタTr24 により出力
電流Io2が流れる。また、出力端子電圧Vo がグランド
GND電位以下の負電位となると、トランジスタTr23
から出力電流Io1が流れる。
That is, the output terminal voltage Vo is the ground G
If it is higher than the ND potential, the output current Io2 flows through the transistor Tr24. When the output terminal voltage Vo becomes a negative potential below the ground GND potential, the transistor Tr23
An output current Io1 flows from.

【0053】従って、出力端子電圧Vo が負電位となっ
ても、その負電位を速やかに吸収することができる。図
6は、この発明を具体化した第二の実施例を示す。この
実施例は、前記第一の実施例に抵抗R2とNPNトラン
ジスタTr25 を加えた構成である。
Therefore, even if the output terminal voltage Vo has a negative potential, the negative potential can be quickly absorbed. FIG. 6 shows a second embodiment embodying the present invention. In this embodiment, a resistor R2 and an NPN transistor Tr25 are added to the first embodiment.

【0054】前記抵抗R2はトランジスタTr16 ,Tr1
7 のベース間に接続され、前記トランジスタTr25 は、
コレクタが電源Vccに接続され、ベースがトランジスタ
Tr18 のコレクタに接続され、エミッタはトランジスタ
Tr17 のベースに接続される。
The resistor R2 is a transistor Tr16, Tr1.
Is connected between the bases of 7 and the transistor Tr25 is
The collector is connected to the power supply Vcc, the base is connected to the collector of the transistor Tr18, and the emitter is connected to the base of the transistor Tr17.

【0055】このような構成により、トランジスタTr1
6 ,Tr15 が飽和した場合にも、トランジスタTr25 に
よりトランジスタTr16 ,Tr17 ,Tr20 に充分なベー
ス電流を供給可能とするとともに、トランジスタTr17
,Tr20 のベース電位がトランジスタTr15 ,Tr16
のベース・エミッタ間電圧降下VBE分にクランプされな
いようにしている。
With such a configuration, the transistor Tr1
Even when 6 and Tr15 are saturated, the transistor Tr25 makes it possible to supply a sufficient base current to the transistors Tr16, Tr17 and Tr20, and the transistor Tr17.
, Tr20 have base potentials of transistors Tr15, Tr16.
The voltage drop between the base and emitter of VBE is not clamped by VBE.

【0056】従って、トランジスタTr20 からトランジ
スタTr24 に充分なベース電流IB2を供給可能としてい
る。その他の動作は、前記第一の実施例と同様である。
図7は、本発明を具体化した第三の実施例を示す。この
実施例は、前記第二の実施例のトランジスタTr21 のエ
ミッタをトランジスタTr24 のベースに接続したもので
ある。
Therefore, a sufficient base current IB2 can be supplied from the transistor Tr20 to the transistor Tr24. Other operations are the same as those in the first embodiment.
FIG. 7 shows a third embodiment embodying the present invention. In this embodiment, the emitter of the transistor Tr21 of the second embodiment is connected to the base of the transistor Tr24.

【0057】このような構成により、出力端子電圧Vo
が負電位となると、トランジスタTr24 のエミッタ電位
はコレクタ電位より高くなる。この状態でトランジスタ
Tr21 からベース電流IB3が供給されると、トランジス
タTr24 は逆方向に動作して、エミッタからコレクタに
電流が流れる。従って、前記実施例と同様に、出力端子
T1の負電位が吸収される。
With this configuration, the output terminal voltage Vo
Becomes a negative potential, the emitter potential of the transistor Tr24 becomes higher than the collector potential. When the base current IB3 is supplied from the transistor Tr21 in this state, the transistor Tr24 operates in the reverse direction, and a current flows from the emitter to the collector. Therefore, as in the above embodiment, the negative potential of the output terminal T1 is absorbed.

【0058】図8は、この発明を具体化した第四の実施
例を示す。この実施例は前記第二の実施例に、抵抗R
3,R4と、電流源1c,1dを加えたものである。前
記抵抗R3は、トランジスタTr16 ,Tr17 のベース
と、トランジスタTr20 のベースとの間に接続され、前
記抵抗R4はトランジスタTr20 のエミッタと、トラン
ジスタTr24 のベースとの間に接続される。
FIG. 8 shows a fourth embodiment embodying the present invention. This embodiment is the same as the second embodiment except that the resistor R
3, R4 and current sources 1c and 1d are added. The resistor R3 is connected between the bases of the transistors Tr16 and Tr17 and the base of the transistor Tr20, and the resistor R4 is connected between the emitter of the transistor Tr20 and the base of the transistor Tr24.

【0059】前記電流源1cは、トランジスタTr20 の
ベースとグランドGNDとの間に接続され、前記電流源
1dはトランジスタTr24 のベースと、グランドGND
との間に接続される。
The current source 1c is connected between the base of the transistor Tr20 and the ground GND, and the current source 1d is connected to the base of the transistor Tr24 and the ground GND.
Connected between and.

【0060】このような構成により、抵抗R3を介して
電流源1cに流れる電流I1 により、トランジスタTr2
0 のベース電位は前記第一の実施例より一定レベル低下
する。
With such a configuration, the transistor Tr2 is driven by the current I1 flowing through the current source 1c through the resistor R3.
The base potential of 0 is lower than that of the first embodiment by a certain level.

【0061】また、抵抗R4を介して電流源1dに流れ
る電流I2 により、トランジスタTr24 のベース電位は
前記第一の実施例より低下する。すると、トランジスタ
Tr24 は出力端子電圧Vo がグランドGNDレベルから
一定レベル以上上昇するまでオンされず、図9に示すよ
うに出力電流Io2が流れない。
The base potential of the transistor Tr24 is lower than that of the first embodiment due to the current I2 flowing through the current source 1d through the resistor R4. Then, the transistor Tr24 is not turned on until the output terminal voltage Vo rises from the ground GND level by a certain level or more, and the output current Io2 does not flow as shown in FIG.

【0062】従って、出力端子電圧Vo が正電位から負
電位に移行するとき、あるいは負電位から正電位に移行
するとき、トランジスタTr23 ,Tr24 が同時にオンさ
れることはない。
Therefore, when the output terminal voltage Vo changes from the positive potential to the negative potential or from the negative potential to the positive potential, the transistors Tr23 and Tr24 are not turned on at the same time.

【0063】この結果、電源VccからトランジスタTr2
3 ,Tr24 を介してグランドGNDに流れる貫通電流の
発生を防止することができる。また、これ以外の動作は
前記第一の実施例と同様である。
As a result, from the power source Vcc to the transistor Tr2
It is possible to prevent the generation of a through current that flows to the ground GND via 3 and Tr24. The other operations are the same as those in the first embodiment.

【0064】図10は、この発明を具体化した第五の実
施例を示す。この実施例は、前記第二の実施例からトラ
ンジスタTr25 を削除し、電流源1e,1fを加えた構
成である。
FIG. 10 shows a fifth embodiment embodying the present invention. In this embodiment, the transistor Tr25 is removed from the second embodiment and current sources 1e and 1f are added.

【0065】前記電流源1eはトランジスタTr16 のベ
ースと電源Vccとの間に接続され、前記電流源1fは、
トランジスタTr17 のベースとグランドGNDとの間に
接続される。
The current source 1e is connected between the base of the transistor Tr16 and the power source Vcc, and the current source 1f is
It is connected between the base of the transistor Tr17 and the ground GND.

【0066】このような構成により、出力端子電圧Vo
が負電位となったとき、電流源1eから抵抗R2を介し
て電流源1fに流れる電流I3 により、トランジスタT
r16のベース電位は、前記第二の実施例より上昇する。
With this configuration, the output terminal voltage Vo
Becomes negative potential, the current I3 flowing from the current source 1e to the current source 1f via the resistor R2 causes the transistor T to flow.
The base potential of r16 is higher than that in the second embodiment.

【0067】すると、トランジスタTr16 は出力端子電
圧Vo がグランドGNDレベルから一定レベル以上低下
するまでオフされず、トランジスタTr21 はトランジス
タTr16 のオフ動作に基づいてオンされて、トランジス
タTr23 にベース電流IB3を供給する。
Then, the transistor Tr16 is not turned off until the output terminal voltage Vo decreases from the ground GND level by a certain level or more, the transistor Tr21 is turned on based on the off operation of the transistor Tr16, and the base current IB3 is supplied to the transistor Tr23. To do.

【0068】すると、トランジスタTr23 は出力端子電
圧Vo がグランドGNDレベルから一定レベル以上低下
するまでオンされず、図11に示すように出力電流Io1
が流れない。
Then, the transistor Tr23 is not turned on until the output terminal voltage Vo drops from the ground GND level by a certain level or more, and the output current Io1 is output as shown in FIG.
Does not flow.

【0069】従って、出力端子電圧Vo が正電位から負
電位に移行するとき、あるいは負電位から正電位に移行
するとき、トランジスタTr23 , Tr24 が同時にオンさ
れることはない。
Therefore, when the output terminal voltage Vo changes from the positive potential to the negative potential or from the negative potential to the positive potential, the transistors Tr23 and Tr24 are not turned on at the same time.

【0070】この結果、電源VccからトランジスタTr2
3 ,Tr24 を介してグランドGNDに流れる貫通電流の
発生を防止することができる。また、これ以外の動作は
前記第二の実施例と同様である。
As a result, from the power supply Vcc to the transistor Tr2
It is possible to prevent the generation of a through current that flows to the ground GND via 3 and Tr24. The other operation is the same as that of the second embodiment.

【0071】図12は、本発明を具体化した第六の実施
例を示す。この実施例は、前記第一の実施例のトランジ
スタTr12 を省略し、PNPトランジスタTr26 と、N
PNトランジスタTr27 とを加えた構成である。
FIG. 12 shows a sixth embodiment embodying the present invention. In this embodiment, the transistor Tr12 of the first embodiment is omitted, and the PNP transistor Tr26 and N
This is a configuration in which a PN transistor Tr27 is added.

【0072】前記トランジスタTr26 は、エミッタが電
源Vccに接続され、ベースがトランジスタTr22 のベー
スに接続され、コレクタが前記トランジスタTr27 のベ
ースに接続される。
The transistor Tr26 has an emitter connected to the power supply Vcc, a base connected to the base of the transistor Tr22, and a collector connected to the base of the transistor Tr27.

【0073】前記トランジスタTr27 のコレクタは、ト
ランジスタTr20 のベースに接続され、エミッタはグラ
ンドGNDに接続される。このような構成により、入力
信号IN1がLレベルとなると、トランジスタTr22 が
オンされて、トランジスタTr23 がオンされ、出力電流
Io1が出力される。
The collector of the transistor Tr27 is connected to the base of the transistor Tr20, and the emitter is connected to the ground GND. With such a configuration, when the input signal IN1 becomes L level, the transistor Tr22 is turned on, the transistor Tr23 is turned on, and the output current Io1 is output.

【0074】また、トランジスタTr22 のオン動作とと
もに、トランジスタTr26 がオンされ、同トランジスタ
Tr26 のオン動作にともなって、前記トランジスタTr2
7 がオンされる。
Further, as the transistor Tr22 is turned on, the transistor Tr26 is turned on. As the transistor Tr26 is turned on, the transistor Tr2 is turned on.
7 is turned on.

【0075】すると、トランジスタTr20 がオフされ
て、トランジスタTr24 のベース電流IB2が遮断され、
同トランジスタTr24 がオフされる。一方、入力信号I
N1がHレベルとなると、トランジスタTr22 がオフさ
れて、トランジスタTr23 がオフされる。
Then, the transistor Tr20 is turned off and the base current IB2 of the transistor Tr24 is cut off.
The transistor Tr24 is turned off. On the other hand, the input signal I
When N1 becomes H level, the transistor Tr22 is turned off and the transistor Tr23 is turned off.

【0076】また、トランジスタTr22 のオフ動作とと
もに、トランジスタTr26 がオフされ、同トランジスタ
Tr26 のオフ動作にともなって、前記トランジスタTr2
7 がオフされる。
Further, the transistor Tr26 is turned off along with the turning-off operation of the transistor Tr22. With the turning-off operation of the transistor Tr26, the transistor Tr2 is turned on.
7 is turned off.

【0077】すると、トランジスタTr20 にはトランジ
スタTr18 からベース電流が供給されて、同トランジス
タTr20 がオンされ、トランジスタTr24 にベース電流
IB2が供給されて同トランジスタTr24 がオンされる。
従って、出力電流Io2が出力される。
Then, the base current is supplied to the transistor Tr20 from the transistor Tr18 to turn on the transistor Tr20, and the base current IB2 is supplied to the transistor Tr24 to turn on the transistor Tr24.
Therefore, the output current Io2 is output.

【0078】このような動作により、入力信号IN1の
反転に基づいて出力電流Io1,Io2が反転されるとき、
トランジスタTr23 ,Tr24 が同時にオンされることは
ない。
With this operation, when the output currents Io1 and Io2 are inverted based on the inversion of the input signal IN1,
The transistors Tr23 and Tr24 are never turned on at the same time.

【0079】従って、電源VccからトランジスタTr23
,Tr24 を介してグランドGNDに流れる貫通電流の
発生を防止することができる。また、単相の入力信号I
N1だけで、出力電流Io1,Io2を制御することができ
る。また、これ以外の動作は前記第二の実施例と同様で
ある。
Therefore, from the power supply Vcc to the transistor Tr23.
, Tr24 to prevent the generation of a through current flowing to the ground GND. Also, a single-phase input signal I
The output currents Io1 and Io2 can be controlled only by N1. The other operation is the same as that of the second embodiment.

【0080】[0080]

【発明の効果】以上詳述したように、この発明は消費電
力の低減を図りながら、逆起電力を発生する負荷を確実
に駆動し得る出力回路を提供することができる。
As described in detail above, the present invention can provide an output circuit capable of reliably driving a load that generates a counter electromotive force while reducing power consumption.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の原理説明図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.

【図2】第一の実施例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a first embodiment.

【図3】第一の実施例の動作特性図である。FIG. 3 is an operation characteristic diagram of the first embodiment.

【図4】第一の実施例の動作特性図である。FIG. 4 is an operating characteristic diagram of the first embodiment.

【図5】第一の実施例の出力電圧−出力電流特性図であ
る。
FIG. 5 is an output voltage-output current characteristic diagram of the first embodiment.

【図6】第二の実施例を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing a second embodiment.

【図7】第三の実施例を示す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing a third embodiment.

【図8】第四の実施例を示す回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram showing a fourth embodiment.

【図9】第四の実施例の出力電圧−出力電流特性図であ
る。
FIG. 9 is an output voltage-output current characteristic diagram of the fourth embodiment.

【図10】第五の実施例を示す回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram showing a fifth embodiment.

【図11】第五の実施例の出力電圧−出力電流特性図で
ある。
FIG. 11 is an output voltage-output current characteristic diagram of the fifth embodiment.

【図12】第六の実施例を示す回路図である。FIG. 12 is a circuit diagram showing a sixth embodiment.

【図13】従来例を示す回路図である。FIG. 13 is a circuit diagram showing a conventional example.

【図14】従来例の動作特性図である。FIG. 14 is an operation characteristic diagram of a conventional example.

【図15】従来例の動作特性図である。FIG. 15 is an operation characteristic diagram of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 ベース電流調整回路 3 負電位検出回路 4 負電位吸収回路 Tr24 出力トランジスタ T1 出力端子 GND 低電位側電源 IN 入力信号 Vo 出力端子電圧 I 電流 2 Base current adjustment circuit 3 Negative potential detection circuit 4 Negative potential absorption circuit Tr24 Output transistor T1 Output terminal GND Low potential side power supply IN Input signal Vo Output terminal voltage I Current

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 出力トランジスタ(Tr24 )のコレクタ
を出力端子(T1)に接続するとともにエミッタを低電
位側電源(GND)に接続し、入力信号(IN)に基づ
いて前記出力トランジスタ(Tr24 )をオン・オフ駆動
し、前記出力端子電圧(Vo )に比例したベース電流を
前記出力トランジスタ(Tr24 )に供給するベース電流
調整回路(2)を備えた出力回路であって、 前記出力端子電圧(Vo )が前記低電位側電源(GN
D)以下の負電位に低下したことを検出する負電位検出
回路(3)と、前記負電位検出回路(3)の出力信号に
基づいて前記出力端子(T1)に電流(I)を供給して
負電位を吸収する負電位吸収回路(4)を備えたことを
特徴とする出力回路。
1. A collector of an output transistor (Tr24) is connected to an output terminal (T1), an emitter is connected to a low-potential side power source (GND), and the output transistor (Tr24) is connected based on an input signal (IN). An output circuit comprising a base current adjusting circuit (2) which is turned on / off and supplies a base current proportional to the output terminal voltage (Vo) to the output transistor (Tr24), wherein the output terminal voltage (Vo) ) Is the low potential side power source (GN
D) A negative potential detecting circuit (3) for detecting a decrease in negative potential below, and a current (I) is supplied to the output terminal (T1) based on the output signal of the negative potential detecting circuit (3). And a negative potential absorption circuit (4) for absorbing a negative potential.
【請求項2】 前記ベース電流調整回路は、前記出力ト
ランジスタ(Tr24)のベースにダーリントン接続され
て、該出力トランジスタ(Tr24 )にベース電流を供給
するトランジスタ(Tr20 )と、前記出力端子電圧(V
o )に比例したベース電流を前記トランジスタ(Tr20
)に供給する出力電位検出回路(Tr17 ,Tr18 ,Tr
19 )とから構成し、前記負電位検出回路は、前記出力
電位検出回路(Tr17 ,Tr18 ,Tr19 )の出力信号に
基づいて前記出力端子電圧(Vo)が負電位となったと
きオフされるトランジスタ(Tr16 ,Tr15 )で構成
し、前記負電位吸収回路(4)は前記トランジスタ(T
r16 ,Tr15 )のオフ動作に基づいて出力端子(T1)
に負電位を吸収するための出力電流(Io1)を供給する
ことを特徴とする請求項1記載の出力回路。
2. The base current adjusting circuit is Darlington-connected to the base of the output transistor (Tr24) to supply a base current to the output transistor (Tr24), and the output terminal voltage (V).
the base current proportional to the transistor (Tr20)
Output potential detection circuit (Tr17, Tr18, Tr)
19) and the negative potential detection circuit is turned off when the output terminal voltage (Vo) becomes a negative potential based on the output signal of the output potential detection circuit (Tr17, Tr18, Tr19). (Tr16, Tr15), and the negative potential absorption circuit (4) is connected to the transistor (T16).
Output terminal (T1) based on the off operation of r16, Tr15)
The output circuit according to claim 1, wherein an output current (Io1) for absorbing a negative potential is supplied to the output circuit.
【請求項3】 前記負電位吸収回路(4)は、前記トラ
ンジスタ(Tr16 ,Tr15 )のオフ動作に基づいてオン
されるトランジスタ(Tr21 )と、前記トランジスタ
(Tr21 )にダーリントン接続され、該トランジスタ
(Tr21 )のオン動作に基づいてオンされて、前記出力
電流(Io1)を出力端子(T1)に供給するトランジス
タ(Tr23 )とから構成したことを特徴とする請求項2
記載の出力回路。
3. The negative potential absorption circuit (4) is connected to the transistor (Tr21) which is turned on based on the off operation of the transistors (Tr16, Tr15) and Darlington connection to the transistor (Tr21), and the transistor (Tr21). 3. A transistor (Tr23) which is turned on based on an ON operation of Tr21) and supplies the output current (Io1) to an output terminal (T1).
The output circuit described.
【請求項4】 前記負電位吸収回路(4)は、前記トラ
ンジスタ(Tr16 ,Tr15 )のオフ動作に基づいてオン
されるトランジスタ(Tr21 )と、前記トランジスタ
(Tr21 )にダーリントン接続され、該トランジスタ
(Tr21 )のオン動作に基づいて逆方向にオンされて、
前記出力電流(Io1)を出力端子(T1)に供給する前
記出力トランジスタ(Tr24 )とから構成したことを特
徴とする請求項2記載の出力回路。
4. The negative potential absorption circuit (4) is connected to a transistor (Tr21) which is turned on based on an off operation of the transistors (Tr16, Tr15) and Darlington connection to the transistor (Tr21), and the transistor (Tr21). It is turned on in the opposite direction based on the ON operation of Tr21),
3. The output circuit according to claim 2, wherein the output circuit comprises the output transistor (Tr24) for supplying the output current (Io1) to the output terminal (T1).
【請求項5】 前記出力電位検出回路(Tr17 ,Tr18
,Tr19 )には、前記負電位検出回路(Tr16 ,Tr15
)の飽和動作時に、該負電位検出回路(Tr16 ,Tr15
)による出力電圧のクランプを防止するクランプ防止
回路(Tr25 ,R2)を設けたことを特徴とする請求項
2記載の出力回路。
5. The output potential detection circuit (Tr17, Tr18)
, Tr19) are connected to the negative potential detection circuits (Tr16, Tr15).
), The negative potential detection circuit (Tr16, Tr15)
3. The output circuit according to claim 2, further comprising a clamp prevention circuit (Tr25, R2) for preventing the output voltage from being clamped by (4).
【請求項6】 前記ベース電流調整回路を構成する前記
トランジスタ(Tr20 )には、前記出力端子電圧(Vo
)が低電位側電源(GND)から一定レベル上昇する
までは、前記出力トランジスタ(Tr24 )にベース電流
を供給しないように動作する動作電圧調整回路(R3,
R4,1c,1d)を接続したことを特徴とする請求項
2記載の出力回路。
6. The output terminal voltage (Vo) is applied to the transistor (Tr20) constituting the base current adjusting circuit.
) Operates to prevent the base current from being supplied to the output transistor (Tr24) until a constant level rises from the low potential side power supply (GND).
3. The output circuit according to claim 2, wherein R4, 1c, 1d) are connected.
【請求項7】 前記負電位検出回路を構成する前記トラ
ンジスタ(Tr16 ,Tr15 )には、前記出力端子電圧
(Vo )が低電位側電源(GND)から一定レベル下降
するまでは、前記トランジスタ(Tr16 ,Tr15 )をオ
フさせないように動作する動作電圧調整回路(R2,1
e,1f)を接続したことを特徴とする請求項2記載の
出力回路。
7. The transistor (Tr16, Tr15) constituting the negative potential detection circuit is kept in the transistor (Tr16) until the output terminal voltage (Vo) drops from a low potential side power supply (GND) to a constant level. , Tr15) so as not to turn off the operating voltage adjusting circuit (R2, 1
3. The output circuit according to claim 2, wherein e, 1f) are connected.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003087110A (en) * 2001-09-17 2003-03-20 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor circuit device
JP2007088884A (en) * 2005-09-22 2007-04-05 Toshiba Corp Power amplifier system

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