JPH07263918A - Microwave integrated circuit device - Google Patents

Microwave integrated circuit device

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JPH07263918A
JPH07263918A JP4763594A JP4763594A JPH07263918A JP H07263918 A JPH07263918 A JP H07263918A JP 4763594 A JP4763594 A JP 4763594A JP 4763594 A JP4763594 A JP 4763594A JP H07263918 A JPH07263918 A JP H07263918A
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JP
Japan
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magnet
film pattern
metal film
substrate
integrated circuit
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Application number
JP4763594A
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Japanese (ja)
Inventor
Hitoshi Washimi
日登志 鷲見
Shinichi Kawashima
伸一 川島
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To miniaturize the entire structure by sharing a magnet at the time of constituting the integrated circuit where the magnet is used in metallic substrates facing each other. CONSTITUTION:A base plate 12a and a dielectric substrate 13a are arranged on one substrate 11a of two metallic substrates 11a and 11b facing each other. A ferrite substrate 14a is provided on the base plate 12a, and a metallic film pattern 15a is formed on surfaces of substrates 14a and 13a, and a spacer 17a made of a Teflon material is provided between the metallic film pattern 15a and a magnet 16 arranged under this pattern 15a. This spacer 17a is provided for the purpose of preventing direct contact between the metallic film pattern 15a and the magnet 16. As a result, the circulator is constituted so that a magnetic field (dot-line arrows) is given to the part of the metallic pattern part 15a by the magnet 16. Another circulator having the same constitution is constituted on the other substrate 11b. Consequently, the entire structure is made thinner in comparison with the use of two magnets because circulators formed on two metallic substrates 11a and 11b use the common magnet 16.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波帯やミリ波
帯で使用されるサーキュレータやアイソレータなどのよ
うに磁石を利用するマイクロ波集積回路装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave integrated circuit device using a magnet such as a circulator or an isolator used in a microwave band or a millimeter wave band.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のマイクロ波集積回路装置につい
て、2つの金属基板にそれぞれサーキュレータを構成す
る場合を例に取り図4を参照して説明する。図4は主要
部を断面した図で、41a、41bは、互いに向き合う
2つの金属基板である。一方の金属基板例えば41aに
は、ベースプレート42aや誘電体基板43aが配置さ
れている。また、ベースプレート42a上にはフェライ
ト基板44aが設けられている。そして、フェライト基
板44aや誘電体基板43a面には金属膜パターン45
aが形成されている。この金属膜パターン45aは、誘
電体基板43面に形成される例えば3方向に放射状に分
岐するマイクロストリップ線路(図示せず)に接続され
ている。また、金属膜パターン45aの下方には磁石4
6aが配置され、この磁石46aと金属膜パターン45
a間にはテフロン等の材質からなるスペーサ47aが設
けられている。スペーサ47aは、金属膜パターン45
aと磁石46aが直接接触しないようにしている。ま
た、磁石46aは金属膜パターン45a部分に点線矢印
のような磁界を付与しサーキュレータを構成している。
なお、サーキュレータが3つの分岐で構成される場合、
その1つの分岐に抵抗を接続しアイソレータとして機能
させることもできる。
2. Description of the Related Art A conventional microwave integrated circuit device will be described with reference to FIG. 4, taking as an example a case where circulators are respectively formed on two metal substrates. FIG. 4 is a cross-sectional view of the main part, and 41a and 41b are two metal substrates facing each other. A base plate 42a and a dielectric substrate 43a are arranged on one metal substrate, for example, 41a. A ferrite substrate 44a is provided on the base plate 42a. The metal film pattern 45 is formed on the surface of the ferrite substrate 44a or the dielectric substrate 43a.
a is formed. The metal film pattern 45a is connected to a microstrip line (not shown) formed on the surface of the dielectric substrate 43 and radially branched in, for example, three directions. The magnet 4 is provided below the metal film pattern 45a.
6a is arranged, and the magnet 46a and the metal film pattern 45 are arranged.
A spacer 47a made of a material such as Teflon is provided between a. The spacer 47a is a metal film pattern 45.
It is designed so that a and the magnet 46a do not directly contact with each other. Further, the magnet 46a applies a magnetic field as indicated by a dotted arrow to the metal film pattern 45a to form a circulator.
If the circulator consists of three branches,
A resistor may be connected to the one branch to function as an isolator.

【0003】また、もう一方の金属基板41bにも同様
の構成のサーキュレータが構成される。即ち、金属基板
41b上にベースプレート42bや誘電体基板43bが
配置される。また、ベースプレート42b上にフェライ
ト基板44bが配置される。そして、フェライト基板4
4bや誘電体基板43b上に金属膜パターン45bが形
成され、この金属膜パターン45bは、例えば3方向に
放射状に分岐するマイクロストリップ線路(図示せず)
に接続される。また、金属膜パターン45bの上方に磁
石46bが配置される。磁石46bと金属膜パターン4
5b間にはテフロン等の材質からなるスペーサ47bが
設けられ、金属膜パターン45bと磁石46bが直接接
触しないようにしている。また、磁石46bは金属膜パ
ターン45b部分に点線矢印のような磁界を付与しサー
キュレータを構成している。この場合もサーキュレータ
を構成する1つの分岐に抵抗を接続しアイソレータとし
て機能させることもできる。なお、図4において金属基
板41a、41bに表示された矢印は電磁波の進行方向
である。
A circulator having a similar structure is also formed on the other metal substrate 41b. That is, the base plate 42b and the dielectric substrate 43b are arranged on the metal substrate 41b. Further, the ferrite substrate 44b is arranged on the base plate 42b. And the ferrite substrate 4
4b or a dielectric substrate 43b is formed with a metal film pattern 45b. The metal film pattern 45b is, for example, a microstrip line (not shown) radially branched in three directions.
Connected to. Further, the magnet 46b is arranged above the metal film pattern 45b. Magnet 46b and metal film pattern 4
A spacer 47b made of a material such as Teflon is provided between the 5b to prevent the metal film pattern 45b and the magnet 46b from directly contacting each other. The magnet 46b applies a magnetic field as indicated by a dotted arrow to the metal film pattern 45b to form a circulator. In this case also, a resistor can be connected to one branch forming the circulator to function as an isolator. The arrows shown on the metal substrates 41a and 41b in FIG. 4 indicate the traveling directions of electromagnetic waves.

【0004】上記したように従来のマイクロ波集積回路
装置では、互いに向き合う2つの金属基板41a、41
bに磁石を利用した集積回路、例えばサーキュレータを
構成する場合、各サーキュレータに独立した磁石を使用
している。
As described above, in the conventional microwave integrated circuit device, the two metal substrates 41a, 41 facing each other are provided.
When an integrated circuit using magnets for b, for example, a circulator is configured, an independent magnet is used for each circulator.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波集積
回路装置では、向き合う金属基板面にサーキュレータを
構成する場合、それぞれのサーキュレータに別個の磁石
が使用されている。このため、図4のAで示すように2
つの磁石間に相互干渉領域が生じる。磁石間に相互干渉
が生じると磁界が歪められ複雑化する。このため、磁界
の解析が難しくなり適性な磁界を付与することが困難に
なり、VSWRや挿入損失、アイソレーションなどの特
性が設計通りに実現できなくなる。
In the conventional microwave integrated circuit device, when the circulator is formed on the facing metal substrate surfaces, a separate magnet is used for each circulator. Therefore, as shown in A of FIG.
A mutual interference region occurs between the two magnets. When mutual interference occurs between magnets, the magnetic field is distorted and becomes complicated. For this reason, it becomes difficult to analyze the magnetic field and it becomes difficult to apply an appropriate magnetic field, and characteristics such as VSWR, insertion loss, and isolation cannot be realized as designed.

【0006】上記したような磁石間の相互干渉をなくす
ために、例えば磁石と磁石との間に磁界を遮断する金属
壁を設けたり、あるいは磁石同士を遠ざけたりしてい
る。したがって、全体の構造が厚く大型化してしまい、
また価格も高いものになる。
In order to eliminate the mutual interference between the magnets as described above, for example, a metal wall for blocking the magnetic field is provided between the magnets or the magnets are separated from each other. Therefore, the whole structure becomes thick and large,
The price will also be high.

【0007】本発明は、上記した欠点を解決するもの
で、磁石を利用する2つの集積回路を構成する場合に磁
石を共用するようにし、全体の構造を小型化したマイク
ロ波集積回路装置を提供することを目的としている。
The present invention solves the above-mentioned drawbacks and provides a microwave integrated circuit device in which the magnets are shared when the two integrated circuits using the magnets are formed and the overall structure is miniaturized. The purpose is to do.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明のマイクロ波集積
回路装置は、複数方向に分岐するマイクロストリップ線
路に接続される金属膜パターンが一方の面に形成され、
他方の面が金属膜に接する第1のフェライト基板と、前
記金属膜パターン部分に磁界を付与する1つの磁石と、
複数の方向に分岐するマイクロストリップ線路に接続さ
れる金属膜パターンが一方の面に形成され、他方の面が
金属膜に接し、かつ、前記金属膜パターン部分に対し前
記磁石から磁界が付与される第2のフェライト基板とで
構成されている。
In the microwave integrated circuit device of the present invention, a metal film pattern connected to a microstrip line branched in a plurality of directions is formed on one surface,
A first ferrite substrate having the other surface in contact with the metal film, and one magnet for applying a magnetic field to the metal film pattern portion,
A metal film pattern connected to a microstrip line branched in a plurality of directions is formed on one surface, the other surface is in contact with the metal film, and a magnetic field is applied to the metal film pattern portion from the magnet. It is composed of a second ferrite substrate.

【0009】また、前記第1のフェライト基板面および
前記第2のフェライト基板面にそれぞれ形成される前記
金属膜パターンの少なくとも一方と前記磁石との間にス
ペーサを設けている。
Further, a spacer is provided between at least one of the metal film patterns formed on each of the first ferrite substrate surface and the second ferrite substrate surface and the magnet.

【0010】また、高周波シールド板で前記磁石を支持
している。
Further, the high frequency shield plate supports the magnet.

【0011】[0011]

【作用】上記の構成によれば、互いに向かい合う2つの
金属基板にそれぞれ磁石を利用する集積回路を構成する
場合に、磁石を共用している。したがって、全体の構造
を小型化できる。
According to the above structure, the magnets are shared when the integrated circuits are formed using the magnets on the two metal substrates facing each other. Therefore, the entire structure can be downsized.

【0012】[0012]

【実施例】以下、本発明の一実施例について、互いに向
き合う2つの金属基板にそれぞれサーキュレータを構成
する場合を例に取り図1を参照して説明する。なお、図
1は主要部を断面した図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. 1, taking as an example the case where circulators are formed on two metal substrates facing each other. Note that FIG. 1 is a cross-sectional view of the main part.

【0013】11a、11bは、互いに向き合う2つの
金属基板である。一方の金属基板例えば11aには、ベ
ースプレート12aや誘電体基板13aが配置されてい
る。また、ベースプレート11a上にはフェライト基板
14aが設けられている。そして、フェライト基板14
aや誘電体基板13a面には金属膜パターン15aが形
成される。この金属膜パターン15aは、誘電体基板1
3a面に形成される例えば3方向に放射状に分岐するマ
イクロストリップ線路(図示せず)に接続される。ま
た、金属膜パターン15aの下方には磁石16が配置さ
れ、この磁石16と金属膜パターン15a間にはテフロ
ン等の材質からなるスペーサ17aが設けられている。
スペーサ17aは、金属膜パターン15aと磁石16が
直接接触しないようにしている。上記した構成で、金属
膜パターン15a部分に点線矢印のような磁界が磁石1
6によって付与されサーキュレータが構成される。な
お、サーキュレータが3つの分岐で構成される場合、そ
の1つの分岐に抵抗を接続しアイソレータとして機能さ
せることもできる。
Reference numerals 11a and 11b are two metal substrates facing each other. The base plate 12a and the dielectric substrate 13a are arranged on one of the metal substrates, for example, 11a. A ferrite substrate 14a is provided on the base plate 11a. Then, the ferrite substrate 14
A metal film pattern 15a is formed on the surface of a and the dielectric substrate 13a. The metal film pattern 15a is used for the dielectric substrate 1
For example, it is connected to a microstrip line (not shown) formed on the surface 3a and radially branched in three directions. A magnet 16 is arranged below the metal film pattern 15a, and a spacer 17a made of a material such as Teflon is provided between the magnet 16 and the metal film pattern 15a.
The spacer 17a prevents the metal film pattern 15a and the magnet 16 from directly contacting each other. With the above configuration, a magnetic field as indicated by a dotted arrow is applied to the magnet 1 in the metal film pattern 15a.
The circulator is provided by 6. When the circulator is composed of three branches, a resistor can be connected to the one branch to function as an isolator.

【0014】また、もう一方の金属基板11bにも同様
の構成のサーキュレータが構成される。即ち、金属基板
11b上にベースプレート12bや誘電体基板13bが
配置される。また、ベースプレート12b上にフェライ
ト基板14bが設けられる。そして、フェライト基板1
4bや誘電体基板13b上に金属膜パターン15bが形
成される。この金属膜パターン15bは、誘電体基板1
3b上に形成される例えば3方向に放射状に分岐するマ
イクロストリップ線路(図示せず)に接続されている。
そして、金属膜パターン15b部分には点線矢印のよう
な磁界が磁石16によって付与されサーキュレータが構
成される。なお、磁石16と金属膜パターン15b間に
はテフロン等の材質からなるスペーサ17bが設けら
れ、金属膜パターン15bと磁石16が直接接触しない
ようにしている。なお、サーキュレータの1つの分岐に
抵抗を接続しアイソレータとして機能させることもでき
る。また、図1で、金属基板11a、11bに表示した
矢印は電磁波の進行方向を表している。
A circulator having a similar structure is also formed on the other metal substrate 11b. That is, the base plate 12b and the dielectric substrate 13b are arranged on the metal substrate 11b. Further, the ferrite substrate 14b is provided on the base plate 12b. And the ferrite substrate 1
The metal film pattern 15b is formed on 4b and the dielectric substrate 13b. The metal film pattern 15b is used for the dielectric substrate 1
For example, it is connected to a microstrip line (not shown) formed on 3b and radially branched in three directions.
Then, a magnetic field as indicated by a dotted arrow is applied to the metal film pattern 15b portion by the magnet 16 to form a circulator. A spacer 17b made of a material such as Teflon is provided between the magnet 16 and the metal film pattern 15b to prevent the metal film pattern 15b and the magnet 16 from directly contacting each other. A resistor may be connected to one branch of the circulator to function as an isolator. Further, in FIG. 1, the arrows shown on the metal substrates 11a and 11b represent the traveling directions of electromagnetic waves.

【0015】上記した実施例によれば、2つの金属基板
11a、11bに形成されるサーキュレータは、それぞ
れ共通の磁石が利用されている。このため、2つの磁石
を利用する場合に比して全体の構造を薄くできる。ま
た、磁石が2つある場合とは異なり磁力線の相互干渉が
ないので、磁界を遮断する金属壁を磁石間に設けなくて
も良好なアイソレーションやVSWR特性が得られる。
According to the above-described embodiments, the circulators formed on the two metal substrates 11a and 11b use the same magnet. Therefore, the entire structure can be made thinner than the case where two magnets are used. Further, unlike the case where there are two magnets, there is no mutual interference of the lines of magnetic force, so that good isolation and VSWR characteristics can be obtained without providing a metal wall for blocking the magnetic field between the magnets.

【0016】図2は、本発明の他の実施例を示す主要部
の断面図で、図1における磁石16と金属膜パターン1
5a間のスペーサ17aをなくし、その部分を空隙にし
ている。なお、図1と同一部分は同一の符号を付し、重
複する説明は省略する。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part showing another embodiment of the present invention. The magnet 16 and the metal film pattern 1 in FIG.
The spacer 17a between 5a is eliminated, and the portion is made a void. The same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and the duplicated description is omitted.

【0017】図3は、本発明のもう1つの他の実施例を
示す主要部の断面図で、図1における磁石16と2つの
金属膜パターン15a、15b間のスペーサ17a、1
7bをなくし、その部分を空隙にしている。そして、高
周波シールド板31で磁石16を支持している。なお、
高周波シールド板31は、磁石16を支持する機能に併
せ、2つのマイクロストリップ線路を互いに接近して伝
送する信号相互間の影響も防止している。図3の場合も
図1と同一部分に同一の符号を付し、重複する説明は省
略する。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the main part showing another embodiment of the present invention, which is a spacer 17a, 1a between the magnet 16 and the two metal film patterns 15a, 15b in FIG.
7b is eliminated and the portion is made a void. The high-frequency shield plate 31 supports the magnet 16. In addition,
The high-frequency shield plate 31 has a function of supporting the magnet 16 and also prevents the influence of signals that transmit the two microstrip lines close to each other. In the case of FIG. 3 as well, the same parts as those in FIG.

【0018】なお、上記した実施例では、3方向に分岐
するマイクロストリップ線路に金属パターンが接続して
いる場合で説明している。しかし、アイソレータを構成
する場合などのように、磁界が印加される金属パターン
部分が2方向に分岐するマイクロストリップ線路に接続
される場合にも、本発明は適用できる。
In the above embodiments, the case where the metal pattern is connected to the microstrip line branched in three directions has been described. However, the present invention can also be applied to a case where a metal pattern portion to which a magnetic field is applied is connected to a microstrip line that branches in two directions, as in the case of configuring an isolator.

【0019】[0019]

【発明の効果】本発明によれば、2つの向き合う基板に
磁石を利用した集積回路を構成する場合に、磁石を共用
することで全体構造を小型にでき、また良好な特性のマ
イクロ波集積回路装置を実現できる。
According to the present invention, in the case of forming an integrated circuit using a magnet on two substrates facing each other, by sharing the magnet, the entire structure can be downsized, and a microwave integrated circuit having excellent characteristics can be obtained. The device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施例を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing another embodiment of the present invention.

【図3】本発明の他の実施例を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment of the present invention.

【図4】従来例をを示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11a、11b…金属基板 12a、12b…ベースプレート 13a、13b…誘電体基板 14a、14b…フェライト基板 15a、15b…金属膜パターン 16a、…磁石 17a、17b…スペーサ 11a, 11b ... Metal substrate 12a, 12b ... Base plate 13a, 13b ... Dielectric substrate 14a, 14b ... Ferrite substrate 15a, 15b ... Metal film pattern 16a ... Magnet 17a, 17b ... Spacer

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数方向に分岐するマイクロストリップ
線路に接続される金属膜パターンが一方の面に形成さ
れ、他方の面が金属膜に接する第1のフェライト基板
と、前記金属膜パターン部分に磁界を付与する1つの磁
石と、複数の方向に分岐するマイクロストリップ線路に
接続される金属膜パターンが一方の面に形成され、他方
の面が金属膜に接し、かつ、前記金属膜パターン部分に
対し前記磁石から磁界が付与される第2のフェライト基
板とを具備したマイクロ波集積回路装置。
1. A first ferrite substrate in which a metal film pattern connected to a microstrip line branching in a plurality of directions is formed on one surface and the other surface is in contact with the metal film, and a magnetic field is applied to the metal film pattern portion. And a metal film pattern connected to the microstrip line branching in a plurality of directions are formed on one surface, the other surface is in contact with the metal film, and with respect to the metal film pattern portion. A microwave integrated circuit device comprising: a second ferrite substrate to which a magnetic field is applied from the magnet.
【請求項2】 前記第1のフェライト基板面および前記
第2のフェライト基板面にそれぞれ形成される前記金属
膜パターンの少なくとも一方と前記磁石との間にスペー
サを設けたことを特徴とする請求項1記載のマイクロ波
集積回路装置。
2. A spacer is provided between the magnet and at least one of the metal film patterns formed on the surface of the first ferrite substrate and the surface of the second ferrite substrate, respectively. 1. The microwave integrated circuit device according to 1.
【請求項3】 高周波シールド板で前記磁石を支持した
ことを特徴とする請求項1記載のマイクロ波集積回路装
置。
3. The microwave integrated circuit device according to claim 1, wherein the magnet is supported by a high-frequency shield plate.
JP4763594A 1994-03-18 1994-03-18 Microwave integrated circuit device Pending JPH07263918A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014203808A1 (en) * 2013-06-18 2014-12-24 日本電気株式会社 Radio communication device

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014203808A1 (en) * 2013-06-18 2014-12-24 日本電気株式会社 Radio communication device
JPWO2014203808A1 (en) * 2013-06-18 2017-02-23 日本電気株式会社 Wireless communication device

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