JPH07260421A - マイクロチップレーザを用いた測定装置および測定用光源 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光ファイバとマイクロチップレーザを用いて
遠隔の物理量を精度良く測定する。 【構成】 遠隔の測定位置にマイクロチップレーザ５と
偏光子６を配置し、測定装置の設定位置で、半導体レー
ザ１によりレーザ光を発生し、このレーザ光を光ファイ
バ３を介してマイクロチップレーザ５に入力させる。マ
イクロチップレーザ５からの入力光は、偏光子６を透過
した後、光ファイバ７を介して測定装置の設定位置にあ
るフォトダイオード８に入力される。マイクロチップレ
ーザ５においては、レーザ光に励起されて直交偏光二周
波光が発生し、偏光子６を経てそのビート周波数の信号
が出力される。この信号はマイクロチップレーザ５での
温度や圧力で変化するため、フォトダイオード８でビー
ト周波数を検出すると、測定点での温度や圧力が測定で
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、遠隔地点での物理量
を測定する場合に用いて好適なマイクロチップレーザを
用いた測定装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、温度，圧力，歪，変位，ジャ
イロ，磁場，電場，膜厚，屈折率等の種々の物理量を高
精度かつ高安定に測定するに際し、レーザ光を用いて測
定を行う光へテロダインの手法等が広く用いられてい
る。このような測定においては、被測定体に直交偏光二
周波レーザ光を供給し、このレーザ光が物理量に応じて
偏光軸が変化する現象等を利用して、その変化量を含ん
だレーザ光を検出し、この検出出力から被測定体に印加
される物理量を測定するものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のレーザ光を用いた測定装置においては、レー
ザ光源としては横ゼーマンレーザなどを用いているが、
これはＨｅ−Ｎｅのガスレーザを使用するために、装置
全体が大きくなり、かつ価格も高くなる。また、被測定
体が遠隔に位置する場合や狭いところに位置する場合に
は、大型のガスレーザをそのような場所に設置すること
はできないので、測定ができなかった。また、ガスレー
ザで発生した直交偏光二周波レーザ光を光ファイバで被
測定体まで導くことも考えられるが、このような直交偏
光モードのレーザ光を忠実に透過させる光ファイバは高
価であり、あまり実用的でない。また、レーザ光源とし
て半導体レーザを使用することも考えられるが、半導体
レーザで発生するＴＭ波は非常に低利得なので、直交す
る偏光軸を有するレーザ光は得られても、その一方の出
力が弱いので実用的に使用することはできない。この発
明は、従来のこのような問題を解決するもので、大型の
ガスレーザを用いることなく直交偏光二周波レーザ光を
発生させ、このレーザ光を使用して遠隔点でも容易に物
理量を測定することができる装置を提供することを目的
とするものである。また、直交偏光二周波レーザ光を発
生させる安定で小形の測定用光源を提供することを目的
とするものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、レーザ発光源
１と、このレーザ発光源から出力されたレーザ光を測定
点まで導く往路の光ファイバ３と、この往路の光ファイ
バから出力されるレーザ光が入力され、このレーザ光に
より励起されて直交偏光二周波光を発生するとともに、
被測定物理量が印加されるマイクロチップレーザ５と、
このマイクロチップレーザから出力される直交偏光二周
波光を透過し、この二周波光のビートからなるビート信
号レーザ光を出力する偏光子６と、この偏光子から出力
されるビート信号レーザ光を検出位置まで導く復路の光
ファイバ７と、この復路の光ファイバから出力されるビ
ート信号レーザ光が入力され、この光入力を電気信号に
変換して出力する受光器８と、この電気信号を処理して
物理量を測定する信号処理部９とを備えたものである。

【０００５】また、第１のレーザ発光源１と、この第１
のレーザ発光源から出力されたレーザ光を測定点まで導
く第１の往路導光手段３と、この第１の往路導光手段か
ら出力されるレーザ光が入力され、このレーザ光により
励起されて直交偏光軸を有する二周波光を発生するとと
もに、被測定物理量が印加されるマイクロチップレーザ
５と、このマイクロチップレーザから出力される二周波
光を透過し、この二周波光のビートからなるビート信号
レーザ光を出力する偏光手段６と、この偏光手段から出
力されるビート信号レーザ光を検出位置まで導く復路導
光手段７と、この復路導光手段から出力されるビート信
号レーザ光が入力され、この光入力を電気信号に変換し
て出力する受光器８と、この受光器から出力される電気
信号の周波数の基準周波数に対する偏差に応じた電気出
力を送出する駆動手段１０，１１と、この駆動手段の電
気出力に応じた制御信号をマイクロチップレーザまで導
く伝送手段１２，１３と、この伝送手段から出力される
制御信号に基づいてマイクロチップレーザに印加される
物理量を変化させる変化手段とを備えたものである。

【０００６】また、レーザ発光源２０と、レーザ発光源
から出力されたレーザ光を測定点まで導く往路導光手段
２１と、往路導光手段から出力されるレーザ光が入力さ
れ、このレーザ光により励起されて直交偏光軸を有する
二周波光を発生するマイクロチップレーザ３１、このマ
イクロチップレーザから出力されるレーザ光の一部を入
力してビート信号レーザ光を発生するビート信号発生手
段３３、このビート信号発生手段からのビート信号レー
ザ光を入力し電気信号に変換して出力する受光器３４、
この受光器から出力される電気信号の周波数の基準周波
数に対する偏差に応じた駆動信号を送出する駆動手段３
５，３６、この駆動信号を入力してマイクロチップレー
ザの発振周波数を制御する制御手段３７を有する光源３
０と、この光源から出射された直交偏光軸を有する二周
波光のレーザ光を入力し、被測定物体４４の物理情報を
含むレーザ光を出力する測定系手段４１，４２，４５，
４６と、この測定系手段から出力されるレーザ光を検出
位置まで導く復路導光手段２２，２３と、この復路導光
手段から出力されるレーザ光を入力して電気信号に変換
し出力する受光器２４，２５と、この受光器から出力さ
れる電気信号を処理して被測定物体の変位量を測定する
信号処理手段２６とから構成したものである。

【０００７】また、入射されたレーザ光により励起され
て直交偏光軸を有する二周波光を発生するマイクロチッ
プレーザ３１と、このマイクロチップレーザから出力さ
れるレーザ光を入力しビート信号レーザ光を発生するビ
ート信号発生手段３３と、このビート信号発生手段から
のビート信号レーザ光を入力し電気信号に変換して出力
する受光器３４と、この受光器から出力される電気信号
の周波数の基準周波数に対する偏差に応じた駆動信号を
送出する駆動手段３５，３６と、この駆動手段から出力
された駆動信号を入力してマイクロチップレーザの発振
周波数を制御する制御手段３７とから構成したものであ
る。

【０００８】

【作用】マイクロチップレーザに印加される被測定物理
量に応じて発生する二周波光の周波数が変化するため、
ビート信号の周波数も変化する。このビート信号の周波
数を検出して被測定物理量を測定する。また、ビート信
号の周波数に応じてマイクロチップレーザに物理量を印
加して、マイクロチップレーザに発生する二周波光の周
波数差を一定に保持するようにしたものである。また、
マイクロチップレーザの発振光のビート周波数を基準周
波数に制御して安定な直交偏光軸を有する二周波光を出
力する測定用光源が得られる。

【０００９】

【実施例】以下、図を用いて本発明に係るマイクロチッ
プレーザを用いた測定装置を詳細に説明する。図１は、
本発明の一実施例の構成図である。１は半導体レーザ、
２は半導体レーザ１の発振波長を安定させるためにその
温度制御を行う温度制御装置、３は半導体レーザ１等の
測定装置が配置される検出地点と遠隔の被測定地点とを
結ぶ光ファイバ、４は半導体レーザ１から出力されたレ
ーザ光を光ファイバ３の入射部に供給するレンズ、５は
ＹＡＧにＮｄの３価＋イオンを注入した結晶からなるマ
イクロチップレーザである。

【００１０】このマイクロチップレーザ５は、Ｎ
ｄ^３＋：ＹＡＧ結晶の両端面に誘電体多層膜ミラーを形
成することにより厚さ７００μｍの共振器として構成し
たもので、半導体レーザ１から光ファイバ３を経て出射
されたレーザ光に照射されると、この光励起により例え
ば１．０６μｍの帯でレーザ発振が起こる。このレーザ
発振は直交偏光二周波でなされ、偏光面が直交した２つ
の周波数のレーザ光が発生する。このマイクロチップレ
ーザ５は被測定体として作用し、物理量を測定する地点
に配置され、このマイクロチップレーザ５に引っ張り応
力や温度等の被測定物理量が印加されると、発生する２
つのレーザ光の周波数が物理量に比例して変化する。

【００１１】６は透過する光の偏光軸を４５°回転させ
る偏光子であり、マイクロチップレーザ５に隣接して配
置され、マイクロチップレーザ５から出力される２つの
直交偏光されたレーザ光を透過する。２つのレーザ光は
この偏光子６を透過するときビートを発生する。７は偏
光子６から出力されるビート信号レーザ光を入力部で受
光し検出地点まで導く光ファイバ、８は半導体レーザ１
とともに検出地点に配置された受光器としてのフォトダ
イオード、９はフォトダイオード８から出力される電気
信号を処理して測定値を求める信号処理部である。光フ
ァイバ７から出射されたビート信号レーザ光はフォトダ
イオード８で電気信号に変換され、信号処理部９で処理
され被測定物理量が演算される。

【００１２】このような構成において、半導体レーザ１
から出射されたレーザ光は光ファイバ３を経て遠隔地点
に配置されたマイクロチップレーザ５を照射する。これ
により、マイクロチップレーザ５は直交偏光二周波のレ
ーザ光を発生し、この２つのレーザ光は偏光子６を透過
してビート信号レーザ光となる。このビート信号レーザ
光は光ファイバ７を経て遠隔地点から検出地点まで到達
し、フォトダイオード８で電気信号に変換される。電気
信号に変換されたビート信号は図示しない処理回路でそ
のビート周波数が測定される。マイクロチップレーザ５
に印加される被測定物理量の値に応じて、マイクロチッ
プレーザ５で発生する直交偏光二周波レーザ光の周波数
が変化するので、ビート信号の周波数もこれに応じて変
化する。この結果、フォトダイオード８で検出したビー
ト信号の周波数を測定すれば、マイクロチップレーザ５
に印加される物理量を測定することができる。

【００１３】図２はマイクロチップレーザ５に印加され
る引っ張り応力とビート信号の周波数の関係を示すグラ
フである。また、図３はマイクロチップレーザ５におけ
る温度とビート信号の周波数の関係を示すグラフであ
る。これらの関係をあらかじめ測定してそのデータをメ
モリに記憶しておき、検出したビート信号の周波数から
物理量を測定することができる。この実施例によると、
レーザ発光源等大きな設備を被測定現場に設置する必要
はなく、被測定現場には小さなマイクロチップレーザ５
と偏光子６だけを設置し、測定の検出地点との間は細い
光ファイバ３，７で接続しているので、遠隔地点の測定
が容易であり、また、狭い個所の測定も可能となる。さ
らに、往路の光ファイバ３は単一モードのレーザ光を透
過するだけであり、復路の光ファイバ７はビート信号レ
ーザ光を透過するだけであり、直交偏光二周波レーザ光
を透過させる必要なないので、通常の光ファイバを使用
することができる。光ファイバに直交偏光二周波レーザ
光を透過させる場合は、混合が生じるので、通常の光フ
ァイバは使用できない。

【００１４】図４は、本発明の他の実施例の構成図であ
る。図１と同一または相当部分には同じ符号を用いてい
る。１０はフォトダイオード８から出力されたビート信
号を入力し、このビート信号の周波数に対応した電圧の
ビート電圧信号に変換して出力する周波数／電圧変換器
である。１１は周波数／電圧変換器１０から出力された
ビート電圧信号と基準電圧Ｓとを入力し、この差に応じ
た駆動信号を出力する増幅器である。この基準電圧Ｓは
マイクロチップレーザ５の発振周波数を一定に保持した
い場合、この周波数に対応したビート電圧信号の値が設
定される。１２は増幅器１１から出力される駆動信号に
よりその発振強度が制御される半導体レーザである。１
３は半導体レーザ１２から出力されたレーザ光をマイク
ロチップレーザ５に照射させるための光ファイバであ
る。

【００１５】周波数／電圧変換器１０から出力されたビ
ート電圧信号が基準電圧Ｓに一致しない場合は、その差
に応じた駆動信号が出力され、半導体レーザ１２の発振
強度が制御される。この強度（振幅）を制御されたレー
ザ光は光ファイバ１３を経てマイクロチップレーザ５を
照射する。これによって、マイクロチップレーザ５は制
御された分だけ強いまたは弱い照射を受けるので、その
分だけ温度が上昇または下降する。図５はマイクロチッ
プレーザ５が受けるレーザ光の照射パワーと発振周波数
との関係を示すグラフである。この照射パワーによる温
度変化によってマイクロチップレーザ５の発振周波数は
変化し、ビート電圧信号が基準電圧Ｓに一致するまでこ
の動作は行われ、マイクロチップレーザ５の発振周波数
は基準電圧Ｓに対応した一定発振周波数に制御される。
この状態で、マイクロチップレーザ５に被測定物理量と
して温度変化または応力変化が加わると、その変化によ
るマイクロチップレーザ５の発振周波数の変化を阻止す
るように半導体レーザ１２の出力が制御される。このと
きの増幅器１１からの駆動信号は被測定物理量としての
温度変化量または応力変化量に比例するので、この駆動
信号の変化分から被測定物理量を測定することができ
る。

【００１６】以上の実施例では、半導体レーザ１２から
のレーザ光を照射してマイクロチップレーザ５の温度を
変化させたが、半導体レーザ１２からのレーザ光により
機械的変位を生じさせる手段を用い、マイクロチップレ
ーザ５に応力を加えて発振周波数を変化させるようにし
てもよい。また、実施例では駆動信号によってレーザ光
を発生させ、この光を光ファイバでマイクロチップレー
ザ５に送っていたが、光を使用せずに駆動信号を電線で
マイクロチップレーザ５まで送り、この駆動信号で直接
にマイクロチップレーザ５に圧電素子などで応力を加え
たり、ヒータなどで温度を加えたりすることもできる。
なお、フォトダイオード８から出力される電気信号を図
１のように直接処理して測定値を求めてもよいことは言
うまでもない。図４の実施例によると、マイクロチップ
レーザ５の発振周波数差を一定に保持できるので、マイ
クロチップレーザ５の使いやすい動作点で使用でき、特
性を向上できる。また、一定の周波数の直交偏光二周波
レーザ光を使用したい各種の用途に利用できる。

【００１７】図６は、本発明の他の実施例の構成図であ
る。２０は半導体レーザ、２１はこの半導体レーザ２０
から出射されたレーザ光を使用する場所まで伝送する光
ファイバである。３１は図１に示しものと同様のマイク
ロチップレーザ、３２はハーフミラー、３３は偏光子、
３４はフォトダイオード、３５は周波数・電圧変換器、
３６は増幅器、３７はマイクロチップレーザ３１に取り
付けられたＰＺＴからなる圧電素子である。以上の部品
から測定用の光源３０が構成される。４１はハーフミラ
ー、４２は偏光ビームスプリッタ、４３は基準用の固定
物体、４４は矢印方向に変位する被測定物体、４５，４
６は４５°偏光子である。以上の部品は測定系を構成し
ている。２２，２３は光ファイバ、２４，２５はフォト
グイオード、２６は位相計である。

【００１８】半導体レーザ２０から出射したレーザ光は
光ファイバ２１を透過してマイクロチップレーザ３１を
照射する。これにより、マイクロチップレーザ３１は直
交偏光二周波のレーザ光を発生し、このレーザ光はハー
フミラー３２で一部が反射されて偏光子３３を透過し、
ここでビート信号レーザ光が発生する。このビート信号
レーザ光はフォトダイオード３４に入射され、ここで光
信号から電気信号に変換される。フォトダイオード３４
から出力された電気信号はマイクロチップレーザ３１で
発生したレーザ光の周波数の差の周波数であり、この電
気信号は周波数／電圧変換器３５でその周波数に対応し
た電圧の電圧信号に変換される。そして、この電圧信号
は増幅器３６で基準電圧Ｓと比較され、その差に応じた
振幅の駆動信号が増幅器３６から出力される。この基準
電圧Ｓはマイクロチップレーザ３１の発振周波数差を一
定に保持したい場合、この差の周波数に対応した電圧信
号の値が設定される。

【００１９】周波数／電圧変換器３５から出力された電
圧信号が基準電圧Ｓに一致しない場合は、その差に応じ
た大きさの駆動信号が増幅器３６から出力され、増幅器
３６から出力された駆動信号は圧電素子３７に入力され
る。圧電素子３７は入力された駆動信号の大きさに応じ
て変位し、マイクロチップレーザ３１に駆動信号の大き
さに比例した応力を加える。マイクロチップレーザ３１
は加えられた応力に比例してその発振周波数が変化す
る。周波数差もそれに応じて変化する。電圧信号が基準
電圧Ｓに一致し駆動信号が零になるまでこの動作は行わ
れ、マイクロチップレーザ３１の発振周波数差は基準電
圧Ｓに対応した一定発振周波数にフィードバック制御さ
れる。したがって、発振周波数が安定した直交偏光二周
波のレーザ光を発生する小形の測定用の光源３０が得ら
れる。

【００２０】マイクロチップレーザ３１から出射した安
定な直交偏光二周波のレーザ光は、ハーフミラー３２で
一部が透過しハーフミラー４１に入射する。このハーフ
ミラー４１により一部のレーザ光は反射されて参照光と
して４５゜偏光子４５に入射され、一部のレーザ光は透
過して偏光ビームスプリッタ４２に入射される。直交偏
光二周波のレーザ光はこの偏光ビームスプリッタ４２で
分離され、水平光は反射されて基準用の固定物体４３に
入射し、垂直光は透過して被測定物体４４に入射され
る。固定物体４３と被測定物体４４でそれぞれ反射した
光は偏光ビームスプリッタ４２で再び合成され、この合
成された測定光は４５°偏光子４６に入射される。この
測定光は被測定物体４４が変位した場合にその変位量の
情報を含んだものとなっている。

【００２１】４５°偏光子４５，４６を透過したレーザ
光は、光ファイバ２２，２３をそれぞれ透過して測定地
点から検出地点まで導かれ、フォトダイオード２４，２
５でそれぞれ光信号から電気信号に変換される。各電気
信号は位相計２６に入力されてその位相差が検出され
る。この位相差は被測定物体４４の矢印方向の変位に比
例しているので、位相差の値から被測定物体４４の変位
量を精度良く測定できる。この測定原理はヘテロダイン
干渉計（マイケルソン型）として知られたものである。
図７は被測定物体４４の変位量と位相計２６の出力との
関係を示すグラフである。偏光ビームスプリッタ４２と
被測定物体４４との間を光は往復するので、１波長λの
変位で位相差は７２０゜になる。

【００２２】通常は、このような精密測定を行う際の光
源用に直交偏光二周波のレーザ光を発生させるために
は、横ゼーマンレーザなどを用いるので装置が大型にな
るが、この発明ではマイクロチップレーザ３１を用いて
小形な光源３０が得られるので取扱いが容易になる。ま
た、被測定現場には光源３０と測定系を設置し、測定の
検出地点に基本の発光源となる半導体レーザ２０、測定
信号を検出するフォトダイオード２４，２５、位相計２
６を配置し、両地点間を往路用の光ファイバ２１および
復路用の光ファイバ２２，２３で光学的に接続して構成
することができるので、被測定現場が遠隔位置にあって
も測定可能であるし、また、光源３０と測定系は小さな
部品だけであり全体を小形にできるため、狭い場所の中
の測定が可能となる。

【００２３】図６の実施例では往路用および復路用の光
ファイバを用いて遠隔位置の測定を行ったが、測定地点
と検出地点が接近している場合は、これらの光ファイバ
を用いることなく、半導体レーザ２０でマイクロチップ
レーザ３１を直接照射してもよい。このとき、４５°偏
光子４５，４６を透過したレーザ光も直接にフォトダイ
オード２４，２５に入力される。また、図６の実施例で
は、マイクロチップレーザ３１の発振周波数を制御する
のに圧電素子３６によって機械的な応力を用いたが、駆
動信号により発熱体を駆動して温度を加えて制御しても
よい。このほか、各種の物理量をマイクロチップレーザ
３１に加えて発振周波数を制御することが可能である。
また、直交偏光二周波のレーザ光を発生する光源３０
は、図６の実施例のようなヘテロダイン干渉計以外に
も、このようなレーザ光を使用する各種の測定装置に広
く適用できる。

【００２４】

【発明の効果】本発明によると、レーザ発光源等大きな
設備を被測定現場に設置する必要はなく、被測定現場に
は小さなマイクロチップレーザと偏光子だけを設置し、
測定の検出地点との間は細い光ファイバで接続している
ので、遠隔地点の測定が容易であり、また、狭い個所の
測定も可能となる。さらに、往路の光ファイバは単一モ
ードのレーザ光を透過するだけであり、復路の光ファイ
バはビート信号レーザ光を透過するだけであり、直交偏
光二周波レーザ光を透過させる必要なないので、通常の
光ファイバを使用することができ、低コストにすること
ができる。また、マイクロチップレーザの発振周波数を
一定に保持できるので、安定した測定用光源が得られ
る。さらに、マイクロチップレーザの発振周波数を一定
に保持してマイクロチップレーザの使いやすい動作点で
使用でき、特性を向上できる。また、一定の周波数の直
交偏光二周波レーザ光を使用したい各種測定の用途に利
用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の構成図である。

【図２】図１の測定における特性の一例を示すグラフで
ある。

【図３】図１の測定における他の例の特性の一例を示す
グラフである。

【図４】本発明の他の実施例の構成図である。

【図５】図４における半導体レーザ１２の出力とマイク
ロチップレーザ５の発振周波数の関係を示すグラフであ
る。

【図６】本発明の他の実施例の構成図である。

【図７】図６の測定における特性の一例を示すグラフで
ある。

【符号の説明】

１、１２、２０ 半導体レーザ ３、７、１３、２１、２２、２３ 光ファイバ ５、３１ マイクロチップレーザ ６、３３ 偏光子 ８、２４、２５、３４ フォトダイオード ９ 信号処理部 １０、３５ 周波数／電圧変換器 １１、３６ 増幅器 ２６ 位相計 ３７ 圧電素子 ３２、４１ ハーフミラー ４２ 偏光ビームスプリッタ ４３ 固定物体 ４４ 被測定物体 ４５、４６ ４５°偏光子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/00 Ｆ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザ発光源と、 このレーザ発光源から出力されたレーザ光を測定点まで
   導く往路の光ファイバと、 この往路の光ファイバから出力されるレーザ光が入力さ
   れ、このレーザ光により励起されて直交偏光二周波光を
   発生するとともに、被測定物理量が印加されるマイクロ
   チップレーザと、 このマイクロチップレーザから出力される直交偏光二周
   波光を透過し、この二周波光のビートからなるビート信
   号レーザ光を出力する偏光子と、 この偏光子から出力されるビート信号レーザ光を検出位
   置まで導く復路の光ファイバと、 この復路の光ファイバから出力されるビート信号レーザ
   光が入力され、この光入力を電気信号に変換して出力す
   る受光器と、 この受光器から出力された電気信号を処理して物理量を
   測定する信号処理手段とを備え、 前記マイクロチップレーザに印加される被測定物理量に
   応じて変化するビート信号の周波数を検出して被測定物
   理量を測定することを特徴とするマイクロチップレーザ
   を用いた測定装置
2. 【請求項２】 第１のレーザ発光源と、 この第１のレーザ発光源から出力されたレーザ光を測定
   点まで導く第１の往路導光手段と、 この第１の往路導光手段から出力されるレーザ光が入力
   され、このレーザ光により励起されて直交偏光軸を有す
   る二周波光を発生するとともに、被測定物理量が印加さ
   れるマイクロチップレーザと、 このマイクロチップレーザから出力される二周波光を透
   過し、この二周波光のビートからなるビート信号レーザ
   光を出力する偏光手段と、 この偏光手段から出力されるビート信号レーザ光を検出
   位置まで導く復路導光手段と、 この復路導光手段から出力されるビート信号レーザ光が
   入力され、この光入力を電気信号に変換して出力する受
   光器と、 この受光器から出力される電気信号の周波数の基準周波
   数に対する偏差に応じた電気出力を送出する駆動手段
   と、 この駆動手段の電気出力に応じた制御信号をマイクロチ
   ップレーザまで導く伝送手段と、 この伝送手段から出力される制御信号に基づいてマイク
   ロチップレーザに印加される物理量を変化させる変化手
   段とを備え、 前記マイクロチップレーザに発生する二周波光の周波数
   を一定に保持するようにしたことを特徴とするマイクロ
   チップレーザを用いた測定装置。
3. 【請求項３】 レーザ発光源と、 このレーザ発光源から出力されたレーザ光を測定点まで
   導く往路導光手段と、 この往路導光手段から出力されるレーザ光が入力され、
   このレーザ光により励起されて直交偏光軸を有する二周
   波光を発生するマイクロチップレーザ、このマイクロチ
   ップレーザから出力される二周波光の一部を入力してビ
   ート信号レーザ光を発生するビート信号発生手段、この
   ビート信号発生手段からのビート信号レーザ光を入力し
   電気信号に変換して出力する受光器、この受光器から出
   力される電気信号の周波数の基準周波数に対する偏差に
   応じた駆動信号を送出する駆動手段、この駆動信号を入
   力してマイクロチップレーザの発振周波数を制御する制
   御手段を有する光源と、 この光源から出射された直交偏光軸を有する二周波光の
   レーザ光を入力し、被測定物体の物理情報を含むレーザ
   光を出力する測定系手段と、 この測定系手段から出力されるレーザ光を検出位置まで
   導く復路導光手段と、 この復路導光手段から出力されるレーザ光を入力して電
   気信号に変換し出力する受光器と、 この受光器から出力される電気信号を処理して被測定物
   体の物理量を測定する信号処理手段とを備えたことを特
   徴とするマイクロチップレーザを用いた測定装置。
4. 【請求項４】 入射されたレーザ光により励起されて直
   交偏光軸を有する二周波レーザ光を発生するマイクロチ
   ップレーザと、 このマイクロチップレーザから出力される二周波レーザ
   光を入力してビート信号レーザ光を発生するビート信号
   発生手段と、 このビート信号発生手段から出力されるビート信号レー
   ザ光を入力し電気信号に変換して出力する受光器と、 この受光器から出力される電気信号の周波数の基準周波
   数に対する偏差に応じた駆動信号を送出する駆動手段
   と、 この駆動手段から出力された駆動信号を入力してマイク
   ロチップレーザの発振周波数を制御する制御手段とを備
   え、 マイクロチップレーザの発振周波数を基準周波数に制御
   して安定な直交偏光軸を有する二周波光を出力する測定
   用光源。