JPH07250819A - 受動的にシムを施された側方接近画像形成磁石 - Google Patents
受動的にシムを施された側方接近画像形成磁石Info
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- JPH07250819A JPH07250819A JP4355359A JP35535992A JPH07250819A JP H07250819 A JPH07250819 A JP H07250819A JP 4355359 A JP4355359 A JP 4355359A JP 35535992 A JP35535992 A JP 35535992A JP H07250819 A JPH07250819 A JP H07250819A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 側方接近ＭＲ（ＭＲＴ）磁石用の受動シムを
得ることである。 【構成】 この種のそのような構造は、一般に、従来の
受動シムセットよりも多くの磁界の形を生ずる。これに
より磁石の潜在的な調整可能性を高め、受動シムセット
が均一性仕様内の広い範囲の可能な磁界を生じさせるよ
うにする。
得ることである。 【構成】 この種のそのような構造は、一般に、従来の
受動シムセットよりも多くの磁界の形を生ずる。これに
より磁石の潜在的な調整可能性を高め、受動シムセット
が均一性仕様内の広い範囲の可能な磁界を生じさせるよ
うにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は側方接近磁気共鳴ＭＲ磁
石のための受動シムに関するものである。この種のその
ような構造は、一般に従来の受動シムセットより大きい
磁界の形を発生する。このことは磁石の潜在的な調整可
能性を増大し、受動シムセットは一様な仕様の磁界のよ
り広い分布をもたらす。
石のための受動シムに関するものである。この種のその
ような構造は、一般に従来の受動シムセットより大きい
磁界の形を発生する。このことは磁石の潜在的な調整可
能性を増大し、受動シムセットは一様な仕様の磁界のよ
り広い分布をもたらす。
【０００２】
【従来の技術】典型的には人体の体積にわたって数ppm
のオーダーの厳しい磁界の一様性要求を満たすために、
従来のＭＲ磁石は磁界を修正する何らかの方法を必要と
する。これは適切なＭＲ画像を発生するために必要であ
る。それらの方法は、電磁コイルによる能動シム、およ
び戦略的に置かれたある種の強磁性物質片による受動シ
ム、の２つのモードに基本的に限定される。能動シムは
超電導性または抵抗性のいずれかにできる。
のオーダーの厳しい磁界の一様性要求を満たすために、
従来のＭＲ磁石は磁界を修正する何らかの方法を必要と
する。これは適切なＭＲ画像を発生するために必要であ
る。それらの方法は、電磁コイルによる能動シム、およ
び戦略的に置かれたある種の強磁性物質片による受動シ
ム、の２つのモードに基本的に限定される。能動シムは
超電導性または抵抗性のいずれかにできる。
【０００３】従来、ＭＲ磁石は液体ヘリウム中で動作す
るニオビウム＝チタニウム超電導体を用いて製造されて
いた。そのような磁石技術は超電導修正コイルでシムす
るのに理想的に適している。というのは、それらを液体
ヘリウム・デュワーの中に置いて、永久的なモードで動
作させられるからである。この技術では磁石を１回シム
すると長期間調整なしに放置できる。冷却されている磁
石の場合には、超電導修正コイルを使用することには問
題がある。というのは、ニオビウム＝スズ超電導体にお
いて確実な持続電流動作を行わせる技術はまだ完全には
実用化されていないからである。修正コイル電流が時間
的にドリフトしたとすると、磁界が一様でなくなり、そ
のために仕様から外れる。抵抗性修正コイルも選択でき
るが、常に接続される多くの（１８台まで）電源と、抵
抗熱を除去するために水冷を必要とするから、これはあ
まり好ましくない。
るニオビウム＝チタニウム超電導体を用いて製造されて
いた。そのような磁石技術は超電導修正コイルでシムす
るのに理想的に適している。というのは、それらを液体
ヘリウム・デュワーの中に置いて、永久的なモードで動
作させられるからである。この技術では磁石を１回シム
すると長期間調整なしに放置できる。冷却されている磁
石の場合には、超電導修正コイルを使用することには問
題がある。というのは、ニオビウム＝スズ超電導体にお
いて確実な持続電流動作を行わせる技術はまだ完全には
実用化されていないからである。修正コイル電流が時間
的にドリフトしたとすると、磁界が一様でなくなり、そ
のために仕様から外れる。抵抗性修正コイルも選択でき
るが、常に接続される多くの（１８台まで）電源と、抵
抗熱を除去するために水冷を必要とするから、これはあ
まり好ましくない。
【０００４】受動シム法は、超電導修正コイルまたは抵
抗性修正コイルより少ない部品、低いコスト、およびシ
ムを行う時間の増大が潜在的に非常に小さくて実施でき
る。ある種の内部シム技術が、本願出願へ譲渡された、
「ＭＲ磁石用受動シム組立体（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｓｈｉ
ｍｍｉｎｇ Ａｓｓｅｍｂｌｙ ｆｏｒ ＭＲ Ｍａｇ
ｎｅｔ），という名称の米国特許第４，６９８，６１１
号（’６１１特許）に記載されている。その技術はいく
つかの磁石設計で証明されているが、全長円筒孔を有す
る磁石のみである。上記 ’６１１特許においては、磁
石孔の全長に沿って円筒からカットされた弧状ガラス繊
維パネルであって、シム・パケットを取付けられるいく
つかの引出しを、シム付着操作がくり返し行われるにつ
れて、シムの再配置のために磁石孔から引出すことがで
きる。それらのシムは軸線方向の長さが一定で（典型的
には約２．５cm（約１インチ））、円周方向の張りが一
定であり（典型的には約２０度）、厚さが種々である弧
状の低炭素鋼片であり、それから、任意の許容軸線方向
および方位方向場所で、任意の厚さのシムを構成でき
る。シムを付着する手順は、磁界を測定し、各許容場所
におけるシムの厚さを予測し、シムを孔の中に入れ、磁
界を再び測定し、各場所における厚さの変化（典型的に
は既存のシム厚さのほんの一部）を予測することで典型
的に構成される。磁界が仕様内になるまでこの作業をく
り返す。
抗性修正コイルより少ない部品、低いコスト、およびシ
ムを行う時間の増大が潜在的に非常に小さくて実施でき
る。ある種の内部シム技術が、本願出願へ譲渡された、
「ＭＲ磁石用受動シム組立体（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｓｈｉ
ｍｍｉｎｇ Ａｓｓｅｍｂｌｙ ｆｏｒ ＭＲ Ｍａｇ
ｎｅｔ），という名称の米国特許第４，６９８，６１１
号（’６１１特許）に記載されている。その技術はいく
つかの磁石設計で証明されているが、全長円筒孔を有す
る磁石のみである。上記 ’６１１特許においては、磁
石孔の全長に沿って円筒からカットされた弧状ガラス繊
維パネルであって、シム・パケットを取付けられるいく
つかの引出しを、シム付着操作がくり返し行われるにつ
れて、シムの再配置のために磁石孔から引出すことがで
きる。それらのシムは軸線方向の長さが一定で（典型的
には約２．５cm（約１インチ））、円周方向の張りが一
定であり（典型的には約２０度）、厚さが種々である弧
状の低炭素鋼片であり、それから、任意の許容軸線方向
および方位方向場所で、任意の厚さのシムを構成でき
る。シムを付着する手順は、磁界を測定し、各許容場所
におけるシムの厚さを予測し、シムを孔の中に入れ、磁
界を再び測定し、各場所における厚さの変化（典型的に
は既存のシム厚さのほんの一部）を予測することで典型
的に構成される。磁界が仕様内になるまでこの作業をく
り返す。
【０００５】不幸なことに、理想的なコイル位置の予測
される妥当な乱れを生じさせられることがあるいくつか
の磁界は、内部受動シムだけでは求められている仕様内
へシムを施すことはできない。その理由は、内部受動シ
ムが生ずることができる磁界の形が限られ、しかも、磁
界の修正には、内部シムが低温槽の間のスペース内にあ
る時だけ、それらのシムにより生ずることができる磁界
の形を必要とするからである。
される妥当な乱れを生じさせられることがあるいくつか
の磁界は、内部受動シムだけでは求められている仕様内
へシムを施すことはできない。その理由は、内部受動シ
ムが生ずることができる磁界の形が限られ、しかも、磁
界の修正には、内部シムが低温槽の間のスペース内にあ
る時だけ、それらのシムにより生ずることができる磁界
の形を必要とするからである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このことから、低温槽
の半分の間の領域の使用を避けながら、数が増えた磁界
の形を提供する、側方接近ＭＲ（ＭＲＴ）磁石用の受動
的にシムを施す組立体が求められている。本発明の目的
は、以下の説明から当業者にとって明らかな態様でそれ
らの需要を充たすことである。
の半分の間の領域の使用を避けながら、数が増えた磁界
の形を提供する、側方接近ＭＲ（ＭＲＴ）磁石用の受動
的にシムを施す組立体が求められている。本発明の目的
は、以下の説明から当業者にとって明らかな態様でそれ
らの需要を充たすことである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】一般的にいえば、本発明
は、主磁界コイルと、互いに所定距離だけ離れて配置さ
れ、第１の側方と第２の側方をおのおのが有する少なく
とも２つのトロイドを有する低温槽と、各前記トロイド
の第１の側方と第２の側方の上にほぼ配置される複数の
受動シム場所とを備える受動的シムを施される側方接近
画像発生磁石を提供することにより、それらの需要を充
たすものである。
は、主磁界コイルと、互いに所定距離だけ離れて配置さ
れ、第１の側方と第２の側方をおのおのが有する少なく
とも２つのトロイドを有する低温槽と、各前記トロイド
の第１の側方と第２の側方の上にほぼ配置される複数の
受動シム場所とを備える受動的シムを施される側方接近
画像発生磁石を提供することにより、それらの需要を充
たすものである。
【０００８】ある好適な実施例においては、第１の側方
と第２の側方はそれぞれ低温槽の孔と外径とである。ま
た、外部受動シムを外径へ固着することも好ましい。最
後に、内部受動シムは孔から除去することができる。別
の好適な実施例においては、本発明により、達成される
磁界の形を増すことができ、バックアップ法として修正
コイルに頼ることなしに、側方接近磁石にシムを施すこ
とができる。
と第２の側方はそれぞれ低温槽の孔と外径とである。ま
た、外部受動シムを外径へ固着することも好ましい。最
後に、内部受動シムは孔から除去することができる。別
の好適な実施例においては、本発明により、達成される
磁界の形を増すことができ、バックアップ法として修正
コイルに頼ることなしに、側方接近磁石にシムを施すこ
とができる。
【０００９】本発明の好適な受動シム磁石により、組立
および修理が容易、磁界の形の増大、経済的、安定性
大、耐久性大、画像発生ボリュームの不均一性低下、安
全のための高い強度等の利点が得られる。実際に、多く
の好適な実施例においては、磁界の形や不均一性という
ような要因は、ＭＲ磁石用の従来のシムを施される組立
体で達成されるものよりもかなり高い程度に最適にされ
る。
および修理が容易、磁界の形の増大、経済的、安定性
大、耐久性大、画像発生ボリュームの不均一性低下、安
全のための高い強度等の利点が得られる。実際に、多く
の好適な実施例においては、磁界の形や不均一性という
ような要因は、ＭＲ磁石用の従来のシムを施される組立
体で達成されるものよりもかなり高い程度に最適にされ
る。
【００１０】
【実施例】受動的にシムを施されたＭＲＴ磁石２が示さ
れている図１を参照する。この磁石２は通常の側方接近
低温槽４を含む。この低温槽は、従来の超電導コイル
６，８，１０と、主磁界５と、１組の外部受動シム場所
１２と、１組の内部受動シム場所１４と、画像ボリュー
ム１６とを有する。シム場所１２と１４は、従来の受動
シム１３と１５をそれぞれ低温槽４の上に置くことがで
きる場所を示す。シム１３，１５は ’６１１特許にお
ける受動シムと同様に構成することが好ましい。
れている図１を参照する。この磁石２は通常の側方接近
低温槽４を含む。この低温槽は、従来の超電導コイル
６，８，１０と、主磁界５と、１組の外部受動シム場所
１２と、１組の内部受動シム場所１４と、画像ボリュー
ム１６とを有する。シム場所１２と１４は、従来の受動
シム１３と１５をそれぞれ低温槽４の上に置くことがで
きる場所を示す。シム１３，１５は ’６１１特許にお
ける受動シムと同様に構成することが好ましい。
【００１１】本発明の要点は、孔内の場所（内部受動シ
ム１５）へ、低温の外径上の場所（外部受動シム１３）
を付加することである。外部シム１３により発生された
磁界の形１８は、図２に示すように、内部シム１５によ
り発生された磁界の形２０とは大きく異なる。矢印Ａの
向きに沿う軸線方向で、矢印Ｃの向きに沿う磁界５の向
きとは逆の向きに磁化され、したがって矢印Ｂの向きに
沿って、内部シム１５により発生された磁界の向きとは
逆の向きに外部シム１３が磁化されるという事実によ
り、ほぼ「負」の強さの１組のシム場所が得られる。そ
れが欠けていたことが従来の受動シム組立体の欠点であ
った。修正コイルについては、電流を逆にできるが、受
動シム１３，１５に対しては、磁化は固定された向きで
あって、主コイルの磁界に従う。シム１５を低温槽４の
外径上に置くことができることによる利点は、シム１５
の磁化が、孔の中のシム１３の磁化とは軸線方向逆向き
である、という事実にある。
ム１５）へ、低温の外径上の場所（外部受動シム１３）
を付加することである。外部シム１３により発生された
磁界の形１８は、図２に示すように、内部シム１５によ
り発生された磁界の形２０とは大きく異なる。矢印Ａの
向きに沿う軸線方向で、矢印Ｃの向きに沿う磁界５の向
きとは逆の向きに磁化され、したがって矢印Ｂの向きに
沿って、内部シム１５により発生された磁界の向きとは
逆の向きに外部シム１３が磁化されるという事実によ
り、ほぼ「負」の強さの１組のシム場所が得られる。そ
れが欠けていたことが従来の受動シム組立体の欠点であ
った。修正コイルについては、電流を逆にできるが、受
動シム１３，１５に対しては、磁化は固定された向きで
あって、主コイルの磁界に従う。シム１５を低温槽４の
外径上に置くことができることによる利点は、シム１５
の磁化が、孔の中のシム１３の磁化とは軸線方向逆向き
である、という事実にある。
【００１２】次に、トロイド形低温槽４の半分が示され
ている図３を参照する。とくに、低温槽４は外部シム１
３と内部シム１５を含む。シム１３はガラス繊維板２４
へ固着された強磁性体片を含むことが好ましい。シム１
３が受ける力に応じて、シム１３は低温槽４の外側へす
べることができるようにして取付けることができ、ある
いは固定できる。シム１５はシム１３とほぼ同様に構成
され、強磁性体片２６とガラス繊維板２８を含む。シム
１５は、’６１１特許の内部シムとほぼ同様にして、低
温槽４のコアへすべることができるようにして取付けら
れる。
ている図３を参照する。とくに、低温槽４は外部シム１
３と内部シム１５を含む。シム１３はガラス繊維板２４
へ固着された強磁性体片を含むことが好ましい。シム１
３が受ける力に応じて、シム１３は低温槽４の外側へす
べることができるようにして取付けることができ、ある
いは固定できる。シム１５はシム１３とほぼ同様に構成
され、強磁性体片２６とガラス繊維板２８を含む。シム
１５は、’６１１特許の内部シムとほぼ同様にして、低
温槽４のコアへすべることができるようにして取付けら
れる。
【００１３】このやり方の効果の証明は、与えられた許
容シム場所セットと与えられた初期磁界とに対して、磁
界の不均一性を与えられたレベルまで低下させるため
に、最適シム厚さを決定するために線型計画法（ＬＰ）
を用いる、従来の受動シム法ソフトウェアの試験結果に
ある。本願出願人の所有する、「磁気共鳴磁石に受動的
にシムを施す方法（Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｐａｓｓｉｖ
ｅｌｙ Ｓｈｉｍｍｉｎｇ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓ
ｏｎａｎｃｅ Ｍａｇｎｅｔ，）」という名称の米国特
許第４，７７１，２４４号（’２４４特許）にそのよう
な従来のソフトウェアが記載されている。内部シム１５
のみ、または内部シムと外部シム１３の両方で、求めら
れている均一性レベルまでＭＲＴ磁石２にシムを施す可
能性の決定にはいくつかのやり方が用いられる。
容シム場所セットと与えられた初期磁界とに対して、磁
界の不均一性を与えられたレベルまで低下させるため
に、最適シム厚さを決定するために線型計画法（ＬＰ）
を用いる、従来の受動シム法ソフトウェアの試験結果に
ある。本願出願人の所有する、「磁気共鳴磁石に受動的
にシムを施す方法（Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｐａｓｓｉｖ
ｅｌｙ Ｓｈｉｍｍｉｎｇ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓ
ｏｎａｎｃｅ Ｍａｇｎｅｔ，）」という名称の米国特
許第４，７７１，２４４号（’２４４特許）にそのよう
な従来のソフトウェアが記載されている。内部シム１５
のみ、または内部シムと外部シム１３の両方で、求めら
れている均一性レベルまでＭＲＴ磁石２にシムを施す可
能性の決定にはいくつかのやり方が用いられる。
【００１４】第１に、磁石２で発生できるいくつかの磁
界が初期（「処女」）磁界として与えられ、好ましくは
’２４４特許に記載されているプログラムが、ＭＲＴ
磁石２の低温槽の孔の中の内部シム場所だけを用いるこ
とを許される。直径３０cmの球面の表面をカバーする３
１４点磁界マップ上で典型的に求められている３ppmの
不均一性がそのプログラムへ与えられる。実際には、こ
のボリュームを７ppmまでシムしたいが、全ての非理想
的なものを考慮した時は、磁石２を希望のレベルまで実
際にシムするためには２倍またはそれ以上の「安全」係
数を求めることが好ましい。
界が初期（「処女」）磁界として与えられ、好ましくは
’２４４特許に記載されているプログラムが、ＭＲＴ
磁石２の低温槽の孔の中の内部シム場所だけを用いるこ
とを許される。直径３０cmの球面の表面をカバーする３
１４点磁界マップ上で典型的に求められている３ppmの
不均一性がそのプログラムへ与えられる。実際には、こ
のボリュームを７ppmまでシムしたいが、全ての非理想
的なものを考慮した時は、磁石２を希望のレベルまで実
際にシムするためには２倍またはそれ以上の「安全」係
数を求めることが好ましい。
【００１５】従来の遮へいされていない何個かの磁石か
らと、従来の遮へいされている何個かの磁石から測定さ
れた磁界にＬＰプログラムを適用した。遮へいされてい
ない全ての磁界はシム可能であったが、遮へいされてい
る磁界は、内部シムの切り捨てられたセットではいずれ
も求められている不均一性へ到達できるようにはできな
かったことが判明した。孔全体に沿う受動シムの全セッ
トが従来の遮へいされた磁石にシムするために利用でき
るようにされると、求められている不均一性が達成され
た。これは、切り捨てられた内部シムだけが本発明の３
ppm 目標を達成できるという性能について、いくらかの
疑いを生じさせる。
らと、従来の遮へいされている何個かの磁石から測定さ
れた磁界にＬＰプログラムを適用した。遮へいされてい
ない全ての磁界はシム可能であったが、遮へいされてい
る磁界は、内部シムの切り捨てられたセットではいずれ
も求められている不均一性へ到達できるようにはできな
かったことが判明した。孔全体に沿う受動シムの全セッ
トが従来の遮へいされた磁石にシムするために利用でき
るようにされると、求められている不均一性が達成され
た。これは、切り捨てられた内部シムだけが本発明の３
ppm 目標を達成できるという性能について、いくらかの
疑いを生じさせる。
【００１６】他の種類のＭＲ磁石からの実際の測定され
た磁界を用いることは有用であるが、磁石主コイル６，
８，１０は、ともに６コイル、円筒形低温槽磁石である
従来の遮へい磁石および非遮へい磁石における空間位置
とは、ものすごく異なる空間位置にある。本発明により
発生された磁界は従来の磁石で発生されたものとは異な
る形を有するから、本発明の磁界を用いるある研究を示
す。主コイル６，８，１０の理想的な磁界は３ppm より
十分下の一様性を有するから、通常の擾乱解析が主コイ
ル場所に適用される。その解析においては、主コイル
６，８，１０は種々のモードで変形されている、または
空間的に変位されていると仮定した。これは製造中に実
際に起こりがちである。その結果としての磁界の誤差を
決定し、シムを施す必要があるサンプル処女磁界として
理想的な磁界に重畳した。
た磁界を用いることは有用であるが、磁石主コイル６，
８，１０は、ともに６コイル、円筒形低温槽磁石である
従来の遮へい磁石および非遮へい磁石における空間位置
とは、ものすごく異なる空間位置にある。本発明により
発生された磁界は従来の磁石で発生されたものとは異な
る形を有するから、本発明の磁界を用いるある研究を示
す。主コイル６，８，１０の理想的な磁界は３ppm より
十分下の一様性を有するから、通常の擾乱解析が主コイ
ル場所に適用される。その解析においては、主コイル
６，８，１０は種々のモードで変形されている、または
空間的に変位されていると仮定した。これは製造中に実
際に起こりがちである。その結果としての磁界の誤差を
決定し、シムを施す必要があるサンプル処女磁界として
理想的な磁界に重畳した。
【００１７】適用された従来の主コイル擾乱は、１つの
主コイル（軸対称性を維持し、誤差として軸対称磁界調
波を生ずる）の軸方向および半径方向のオフセットと、
主コイルの循環性を維持する１つの主コイルの横方向変
位と、主コイルの軸線を磁石の中心に維持する１つの主
コイルの長円化とを含んでいた。それら従来の擾乱によ
り発生された磁界は、１２〜３００ppm （変形のモード
と大きさにより異なる）の範囲の初期の磁界不均一度か
ら求められている３ppm の磁界の不均一度まで修正する
ことは、内部受動シム１５だけではシムできず、達成可
能な均一度は７〜１００ppm であることが判明した。
主コイル（軸対称性を維持し、誤差として軸対称磁界調
波を生ずる）の軸方向および半径方向のオフセットと、
主コイルの循環性を維持する１つの主コイルの横方向変
位と、主コイルの軸線を磁石の中心に維持する１つの主
コイルの長円化とを含んでいた。それら従来の擾乱によ
り発生された磁界は、１２〜３００ppm （変形のモード
と大きさにより異なる）の範囲の初期の磁界不均一度か
ら求められている３ppm の磁界の不均一度まで修正する
ことは、内部受動シム１５だけではシムできず、達成可
能な均一度は７〜１００ppm であることが判明した。
【００１８】２つの低温槽４のおのおのの外径に外部シ
ム場所１２をいくつか付加することにより、それらの同
じ擾乱を受けた磁界をあらゆる場合に３ppm の仕様まで
シムできた。許容シムセットに対するこの変更も、切り
捨てられた内部セットではシムできなかった従来の遮へ
いされた磁界についてもテストした。その結果、それら
の磁界も３ppm 仕様までシムできることが判明した。そ
れらのテストで用いた許容軸線方向シムの数は、（７）
各低温槽半分における内部シム場所１４、（６）Ｚ＋低
温槽半分における外部シム場所１２、（５）Ｚ−低温槽
半分における外部シム場所１２、であった。許容方位場
所の数は１２であった（図３参照）。外部シムに対する
軸線方向場所１２の数が非対称的である理由は、単に、
ＬＰプログラムが２５個の許容シム場所に対して作成さ
れており、そのうちの１１個が低温槽の半分の間のスペ
ースにより除外されているためである。そのスペースは
典型的には側方接近ＭＲ磁石により形成される。したが
って、それらの１１個のシム場所は外部シム場所１２へ
割当てられ、そのうちの６個が低温槽の一方の半分へ割
当てられ、５個が別の半分へ割当てられる。Ｚ−低温槽
半分へ６個のシム場所を付加すると、達成可能な均一性
に対しておそらく小さい有利な影響を及ぼすであろう。
ム場所１２をいくつか付加することにより、それらの同
じ擾乱を受けた磁界をあらゆる場合に３ppm の仕様まで
シムできた。許容シムセットに対するこの変更も、切り
捨てられた内部セットではシムできなかった従来の遮へ
いされた磁界についてもテストした。その結果、それら
の磁界も３ppm 仕様までシムできることが判明した。そ
れらのテストで用いた許容軸線方向シムの数は、（７）
各低温槽半分における内部シム場所１４、（６）Ｚ＋低
温槽半分における外部シム場所１２、（５）Ｚ−低温槽
半分における外部シム場所１２、であった。許容方位場
所の数は１２であった（図３参照）。外部シムに対する
軸線方向場所１２の数が非対称的である理由は、単に、
ＬＰプログラムが２５個の許容シム場所に対して作成さ
れており、そのうちの１１個が低温槽の半分の間のスペ
ースにより除外されているためである。そのスペースは
典型的には側方接近ＭＲ磁石により形成される。したが
って、それらの１１個のシム場所は外部シム場所１２へ
割当てられ、そのうちの６個が低温槽の一方の半分へ割
当てられ、５個が別の半分へ割当てられる。Ｚ−低温槽
半分へ６個のシム場所を付加すると、達成可能な均一性
に対しておそらく小さい有利な影響を及ぼすであろう。
【図１】本発明の利用可能および利用不能な内部受動シ
ム場所および外部受動シム場所の略図である。
ム場所および外部受動シム場所の略図である。
【図２】本発明の内部と外部の受動シムの磁化と、それ
らのシムにより発生された磁界の略図である。
らのシムにより発生された磁界の略図である。
【図３】引出しの上に配置されている内部シムと、外部
シムとを示す１つの低温槽の斜視図である。
シムとを示す１つの低温槽の斜視図である。
２ ＭＲＴ磁石 ４ 低温槽 ６，８，１０ コイル １２，１４ シム場所 １３，１５ シム ２２，２６ 強磁性体片 ２４，２８ ガラス繊維板
Claims (9)
- 【請求項１】 主磁界コイルと、 互いに所定距離だけ離れて配置され、第１の側方と第２
の側方をおのおのが有する少なくとも２つのトロイドを
有する低温槽と、 各前記トロイドの第１の側方と第２の側方の上にほぼ配
置される複数の受動シム場所と、を備える受動的にシム
を施された側方接近画像形成磁石。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁石において、前記トロ
イドの前記第１の側方は、 低温槽孔、を更に備える磁石。 - 【請求項３】 請求項１記載の磁石において、前記複数
の受動シム場所は、 所定数の前記シム場所に配置される内部シム、を更に備
える磁石。 - 【請求項４】 請求項１記載の磁石において、前記複数
の受動シム場所は、 所定数の前記シム場所に配置される外部シム、を更に備
える磁石。 - 【請求項５】 請求項３記載の磁石において、前記内部
シムは各前記トロイドの前記第１の側方の上に滑ること
ができるようにして配置される磁石。 - 【請求項６】 請求項４記載の磁石において、前記外部
シムは各前記トロイドの前記第２の側方へ固着される磁
石。 - 【請求項７】 請求項１記載の磁石において、前記磁石
は、 磁界の形が前記受動シム場所の間で変化するような磁界
の形、で更に構成される磁石。 - 【請求項８】 請求項３記載の磁石において、前記内部
シムは第１の軸線方向に磁化される磁石。 - 【請求項９】 請求項４記載の磁石において、前記外部
シムは第２の軸線方向に磁化される磁石。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US81004991A | 1991-12-19 | 1991-12-19 | |
| US810,049 | 1991-12-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07250819A true JPH07250819A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=25202844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4355359A Pending JPH07250819A (ja) | 1991-12-19 | 1992-12-21 | 受動的にシムを施された側方接近画像形成磁石 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07250819A (ja) |
| GB (1) | GB2262611A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001019242A1 (fr) | 1999-09-16 | 2001-03-22 | Hitachi Medical Corporation | Aimant ouvert pour irm |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2276945B (en) * | 1993-04-08 | 1997-02-26 | Oxford Magnet Tech | Improvements in or relating to MRI magnets |
| US5545997A (en) * | 1994-05-13 | 1996-08-13 | Bruker Analytische Messtechnik Gmbh | Therapy tomograph with homogeneity device |
| DE4416907C1 (de) * | 1994-05-13 | 1995-09-07 | Bruker Analytische Messtechnik | Therapietomograph mit Homogenisierungseinrichtung |
| US5696476A (en) * | 1995-07-31 | 1997-12-09 | General Electric Company | Open architecture magnetic resonance imaging superconducting magnet assembly |
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| JPS63272335A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-11-09 | Toshiba Corp | 磁気共鳴イメ−ジング装置 |
| JPH01196802A (ja) * | 1988-02-02 | 1989-08-08 | Fuji Electric Co Ltd | 常電導マグネット |
| JPH01254154A (ja) * | 1988-04-01 | 1989-10-11 | Toshiba Corp | 磁界補正装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE8419763U1 (de) * | 1984-07-02 | 1986-03-20 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Kernspin-Tomographiegerät |
| JPH04328477A (ja) * | 1991-04-30 | 1992-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 電磁石装置 |
-
1992
- 1992-12-07 GB GB9225530A patent/GB2262611A/en not_active Withdrawn
- 1992-12-21 JP JP4355359A patent/JPH07250819A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| US6856223B1 (en) | 1999-09-16 | 2005-02-15 | Hitachi Medical Corporation | Open-type magnet device for MRI |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB9225530D0 (en) | 1993-01-27 |
| GB2262611A (en) | 1993-06-23 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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