JPH07249373A - Manufacture of cathode structure of cathode-ray tube and device for use therein - Google Patents

Manufacture of cathode structure of cathode-ray tube and device for use therein

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JPH07249373A
JPH07249373A JP3836294A JP3836294A JPH07249373A JP H07249373 A JPH07249373 A JP H07249373A JP 3836294 A JP3836294 A JP 3836294A JP 3836294 A JP3836294 A JP 3836294A JP H07249373 A JPH07249373 A JP H07249373A
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JP
Japan
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cathode
hole
electrode
cup body
ray tube
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Application number
JP3836294A
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Japanese (ja)
Inventor
Tadakatsu Nakahira
忠克 中平
Michio Hara
通雄 原
Takeshi Kodama
健 児玉
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH07249373A publication Critical patent/JPH07249373A/en
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Abstract

PURPOSE:To mass-produce a cathode structure with an excellent electron emission characteristic in a short time at good operability by effectively restraining an electron-emitting material from exuding onto and contaminating the surface of a cathode base, especially at an electron-releasing part, preventing emission of electrons from other than the cathode base, and preventing leaks between cathode electrodes. CONSTITUTION:A first hole 76 and a second hole 78 are formed in the respective portions of a second electrode 74, the second hole 78 being located below and approximately concentric with respect to the first hole 76 and smaller in bore than the first hole 76. A cup 66 to which a cathode base 46 is attached is housed in the first hole 76 with the surface of the cathode base 46 down, and a first electrode 72 is pressed against the cup 66 and a current is made to flow between the first and second electrodes for the resistance welding of the cup to the cathode base.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、陰極線管の陰極構体の
製造方法とそれに用いる装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a cathode assembly of a cathode ray tube and an apparatus used therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来では、陰極線管の陰極構体を製作す
るために、図7に示すように、カソード基体2をカップ
体4内に収容した状態で、スリーブ6の外側に位置する
一対の第1電極8,8と、スリーブ6の内側に位置する
第2電極10との間で、溶接電流Iを流し、カップ体4
およびスリーブ6の上端をカシメながら抵抗溶接してい
る。第1電極8,8は、スリーブ6の上端外周を、たと
えば全周にわたり約36点でカシメながら、抵抗溶接を
行う。
2. Description of the Related Art Conventionally, in order to manufacture a cathode assembly of a cathode ray tube, as shown in FIG. 7, a pair of first casings located outside a sleeve 6 in a state where a cathode substrate 2 is housed in a cup body 4. A welding current I is passed between the first electrode 8 and the second electrode 10 located inside the sleeve 6, and the cup body 4
And the upper end of the sleeve 6 is resistance-welded while crimping. The first electrodes 8 and 8 perform resistance welding while caulking the upper end outer circumference of the sleeve 6 at, for example, about 36 points over the entire circumference.

【0003】カソード基体2には、電子放射物質が含浸
してある。この抵抗溶接後には、スリーブ6は、セラミ
ック製ディスクに取り付けられ、スリーブ6内にヒータ
が装着されて陰極構体が作成される。
The cathode substrate 2 is impregnated with an electron emitting substance. After this resistance welding, the sleeve 6 is attached to a ceramic disk, and a heater is mounted in the sleeve 6 to form a cathode assembly.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来例に係る陰極構体の製造方法では、スリーブ6の全
周を約36点でカシメながら抵抗溶接を行うため、作業
時間がかかりすぎて、量産性に向かないと言う課題を有
していた。特に、カラー陰極線管では、三原色(R,
G,B)に対応して三本のカソード基体付スリーブ6を
必要とするので、一本毎のカソード基体付スリーブ6の
製造時間の短縮が求められている。
However, in the method of manufacturing the cathode assembly according to the conventional example as described above, resistance welding is performed while caulking the entire circumference of the sleeve 6 at about 36 points, which requires too much work time. There was a problem that it was not suitable for mass production. Especially in a color cathode ray tube, three primary colors (R,
G, B) requires three sleeves 6 with a cathode substrate, so that it is required to shorten the manufacturing time of each sleeve 6 with a cathode substrate.

【0005】また、第1電極8,8によりカップ体4お
よびスリーブ6の上端をカシメながら抵抗溶接するの
で、溶接が不十分になり易い。カシメおよび溶接が不十
分であると、カップ体4とカソード基体2との間、また
はカップ体4とカソード基体2との間に隙間が生じ易
い。また、電子放射物質の分解・治性時あるいは陰極線
管の動作時などの熱により溶接部が外れることがある。
Further, since the upper ends of the cup body 4 and the sleeve 6 are caulked by resistance welding with the first electrodes 8 and 8, the welding tends to be insufficient. If the caulking and welding are insufficient, a gap is likely to be formed between the cup body 4 and the cathode base body 2 or between the cup body 4 and the cathode base body 2. In addition, the welded part may come off due to heat when the electron emitting substance is decomposed and cured or when the cathode ray tube is operated.

【0006】溶接部に隙間が生じると、陰極線管の使用
時に、スリーブ6内に装着されたヒータからの熱がスリ
ーブ6を通してカソード基体2へ良好に伝わらず、カソ
ード基体2が効率的に加熱されず、電子放射の安定性の
点で課題を有している。そこで、図8(A)に示すよう
に、カソード基体2の表面に、ろう材または金属膜12
(たとえばイリジウム、ルテニウム、モリブデン、また
はこれらの合金など)を付け、その上からカップ体4を
被せ、第1電極13および第2電極14で抵抗溶接する
方法が提案されている。第1電極13は、カップ体4の
底部に押圧され、第2電極14は、カソード基体2の表
面に面接触している。この方法によれば、抵抗溶接時
に、ろう材または金属膜12が溶融し、カソード基体2
とカップ4との接続が良好に行われる。第1電極13に
よるカップ体4への押圧は、二点あるいは三点で済み、
十分な溶接強度を得ることができる。
When a gap is created in the welded portion, when the cathode ray tube is used, the heat from the heater mounted in the sleeve 6 is not well transferred to the cathode base 2 through the sleeve 6, and the cathode base 2 is efficiently heated. However, there is a problem in the stability of electron emission. Therefore, as shown in FIG. 8A, the brazing material or the metal film 12 is formed on the surface of the cathode substrate 2.
A method has been proposed in which (for example, iridium, ruthenium, molybdenum, or an alloy thereof) is attached, the cup body 4 is covered thereon, and the first electrode 13 and the second electrode 14 are resistance-welded. The first electrode 13 is pressed against the bottom of the cup body 4, and the second electrode 14 is in surface contact with the surface of the cathode substrate 2. According to this method, the brazing filler metal or the metal film 12 is melted during resistance welding, and the cathode base 2
And the cup 4 are connected well. The pressing of the cup body 4 by the first electrode 13 needs only two or three points,
Sufficient welding strength can be obtained.

【0007】その後は、図8(B)に示すように、カソ
ード基体2が溶接されたカップ体4を、スリーブ6の上
端部に嵌合し、スリーブの上端の全周または数点を、レ
ーザ溶接あるいは抵抗溶接する。このような製造方法に
よれば、図7(A),(B)に示す従来例に比較し、作
業時間を大幅に低減しつつ、溶接強度を向上させること
ができる。
After that, as shown in FIG. 8 (B), the cup body 4 to which the cathode base 2 is welded is fitted to the upper end portion of the sleeve 6, and the entire circumference or several points of the upper end of the sleeve is laser-welded. Weld or resistance weld. According to such a manufacturing method, compared with the conventional example shown in FIGS. 7 (A) and 7 (B), the welding strength can be improved while significantly reducing the working time.

【0008】ところが、図8(A),(B)に示す従来
例では、第2電極14の表面にカソード基体2の全表面
が接触する構成であり、第2電極14の表面の清浄性お
よび平滑性が要求される。第2電極14の表面は、十分
に洗浄してあり、平滑化してあるが、ミクロ的に観察す
れば、多少の凹凸や汚れが存在する。また、カソード基
体2の表面も、十分に平滑化することは困難であり、カ
ソード基体2と第2電極14とを、完全な面接触状態に
することは困難である。
However, in the conventional example shown in FIGS. 8A and 8B, the entire surface of the cathode substrate 2 is in contact with the surface of the second electrode 14, and the cleanliness of the surface of the second electrode 14 and Smoothness is required. The surface of the second electrode 14 has been sufficiently washed and smoothed, but when viewed microscopically, it has some irregularities and dirt. Further, it is difficult to sufficiently smooth the surface of the cathode substrate 2 and it is difficult to bring the cathode substrate 2 and the second electrode 14 into a perfect surface contact state.

【0009】その状態で抵抗溶接を行うと、部分的に溶
接電流が多く流れ、カソード基体2に含まれる電子放射
物質の染み出しや、他物質による汚染が問題となってい
る。カソード基体2の表面に電子放射物質が染み出す
と、陰極線管の動作時に、カソード基体2に含まれる電
子放射物質が熱で蒸発し、グリッド孔に付着し、本来電
子放出が成されるべきでないグリッド孔からの電子放出
が生じるおそれがある。本来電子放出が成されるべきで
ない部分から電子放出が成されると、面ストレー現象
(陰極線管のパネルに一点のみ光らした場合に、その周
囲もぼやけて光る現象)が生じ、好ましくない。
If resistance welding is performed in this state, a large amount of welding current partially flows, and there is a problem that the electron emitting substance contained in the cathode substrate 2 seeps out and is contaminated by other substances. When the electron emitting substance seeps out to the surface of the cathode substrate 2, the electron emitting substance contained in the cathode substrate 2 is evaporated by heat during the operation of the cathode ray tube and adheres to the grid holes, so that the electron emission should not be originally performed. Electrons may be emitted from the grid holes. If the electron emission is generated from the portion where the electron emission should not be originally generated, a surface stray phenomenon (a phenomenon in which the periphery of the cathode ray tube is blurred when the panel is illuminated) is not preferable.

【0010】また、カソード2の表面から染み出した電
子放射物質が、スリーブ6などに付着すると、陰極線管
の動作時に、リークなどが問題になる。さらに、図8に
示す従来の方法では、第2電極14の表面から、カーボ
ンあるいは第2電極14を構成する材質が、カソード基
体2の表面に付着するおそれがあり、その汚染が問題に
なる。特にカーボンがカソード基体の表面に付着する
と、カソードとしての特性が劣化する。
Further, if the electron emitting material exuded from the surface of the cathode 2 adheres to the sleeve 6 or the like, there is a problem such as leakage during operation of the cathode ray tube. Further, in the conventional method shown in FIG. 8, carbon or the material forming the second electrode 14 may adhere to the surface of the cathode substrate 2 from the surface of the second electrode 14, and the contamination thereof becomes a problem. Particularly, when carbon adheres to the surface of the cathode substrate, the characteristics as a cathode deteriorate.

【0011】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、カソード基体の表面のうち、特に電子放出部での電
子放射物質の染み出しおよび汚染を効果的に抑制し、カ
ソード基体以外からの電子放射を防止すると共に、カソ
ード電極間のリークを防止し、電子放射特性に優れた陰
極構体を、短時間で作業性良く量産的に製造することが
できる陰極線管の陰極構体の製造方法とそれに用いる装
置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and effectively suppresses the exudation and contamination of the electron-emitting material on the surface of the cathode substrate, particularly at the electron-emitting portion, so that the electrons from other than the cathode substrate are effectively suppressed. A method of manufacturing a cathode structure of a cathode ray tube, which can prevent radiation and prevent leakage between cathode electrodes and can mass-produce a cathode structure having excellent electron emission characteristics in a short time with good workability, and to use it The purpose is to provide a device.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る陰極線管の陰極構体の製造方法は、カ
ソード基体の少なくとも表面側に電子放射物質を含浸ま
たは塗布する工程と、カソード基体の裏面側を覆うよう
に、カップ体を装着し、カップ体とカソード基体とを、
第1電極と第2電極との間で抵抗溶接する工程とを含む
陰極線管の陰極構体の製造方法であって、上記第2電極
に、第1ホールと、この第1ホールの下方に略同心状に
位置し、第1ホールの内径よりも小さい第2ホールとを
形成し、上記カソード基体が装着されたカップ体を、カ
ソード基体の表面が下を向くように上記第1ホール内に
収容し、カップ体に対して、上記第1電極を押圧し、第
1電極と第2電極との間で電流を流すことにより、カッ
プ体とカソード基体との抵抗溶接を行うことを特徴とす
る。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing a cathode assembly of a cathode ray tube according to the present invention comprises a step of impregnating or applying an electron emitting substance on at least a surface side of a cathode substrate, and a cathode. The cup body is attached so as to cover the back surface side of the base body, and the cup body and the cathode base body are
A method of manufacturing a cathode assembly of a cathode ray tube, comprising the step of resistance welding between a first electrode and a second electrode, wherein the second electrode has a first hole and a substantially concentric portion below the first hole. A second hole that is positioned in a circular shape and is smaller than the inner diameter of the first hole, and the cup body having the cathode base mounted therein is housed in the first hole with the surface of the cathode base facing downward. The resistance welding between the cup body and the cathode substrate is performed by pressing the first electrode against the cup body and causing a current to flow between the first electrode and the second electrode.

【0013】本発明に係る陰極線管の陰極構体の製造装
置は、少なくとも表面側に電子放射物質が含浸または塗
布されたカソード基体の裏面側を覆うように、カップ体
を装着し、カップ体とカソード基体とを、第1電極と第
2電極との間で抵抗溶接する陰極線管の陰極構体の製造
装置であって、上記第2電極には、上記カソード基体が
装着されたカップ体が、カソード基体の表面が下を向く
ように入り込む第1ホールと、この第1ホールの下方に
略同心状に位置し、第1ホールの内径よりも小さい第2
ホールとが形成してある。
In the apparatus for manufacturing a cathode assembly of a cathode ray tube according to the present invention, a cup body is mounted so as to cover at least the back surface side of a cathode substrate impregnated or coated with an electron emitting substance on the front surface side. 1. A manufacturing apparatus for a cathode assembly of a cathode ray tube, wherein a base body and a first electrode and a second electrode are resistance-welded to each other, wherein the second electrode is a cup body having the cathode base body mounted thereon. Hole that enters so that its surface faces downward, and a second hole that is located substantially concentrically below the first hole and that is smaller than the inner diameter of the first hole.
Holes are formed.

【0014】上記第2電極に形成された第2ホールの内
径は、カソード基体の表面のワーキングエリアの外径よ
りも大きく設定してあることが好ましい。上記第2電極
に形成された第2ホールの内径は、上記カソード基体の
外径よりも0.2mm以上小さく設定してあることが好ま
しい。
The inner diameter of the second hole formed in the second electrode is preferably set larger than the outer diameter of the working area on the surface of the cathode substrate. The inner diameter of the second hole formed in the second electrode is preferably set to be 0.2 mm or more smaller than the outer diameter of the cathode substrate.

【0015】上記第2電極は、上記第1ホールが形成さ
れた絶縁性板材と、上記第2ホールが形成された導電性
板材とが張り合わされて構成してあることが好ましい。
The second electrode is preferably constructed by laminating an insulating plate member having the first hole and a conductive plate member having the second hole.

【0016】[0016]

【作用】本発明に係る製造装置を用いて陰極構体を製造
すれば、カソード基体表面のうち、電子放射部に相当す
るワーキングエリアは、第2電極に形成された第2ホー
ルの領域内に位置するので、第2電極に接触することは
ない。したがって、その部分に抵抗溶接のための電流が
流れることはなくなり、ワーキングエリアで電子放射物
質が染み出すことはなくなる。また、ワーキングエリア
が、第2電極からの汚染物質により汚染されることもな
い。
When the cathode assembly is manufactured using the manufacturing apparatus according to the present invention, the working area corresponding to the electron emitting portion on the surface of the cathode substrate is located within the area of the second hole formed in the second electrode. Therefore, it does not come into contact with the second electrode. Therefore, a current for resistance welding does not flow in that portion, and the electron emitting material does not seep out in the working area. Moreover, the working area is not contaminated by the contaminants from the second electrode.

【0017】抵抗溶接のための電流は、第1電極、カッ
プ体、カソード基体、カソード基体の表面におけるワー
キングエリアの周囲を通して、第2電極へ流れ、カップ
体とカソード基体とは、良好に抵抗溶接され、その溶接
強度も十分である。カソード基体のワーキングエリアに
おいて電子放射物質の染み出しがなくなることから、電
子放射物質の蒸発によるカソード基体以外部分への電子
放射物質の付着がなくなり、カソード基体以外部分から
の電子放射はかなり少なくなる。また、同様な理由から
カソード電極間リークも少なくなる。特に、第1グリッ
ドの電子ビーム通過孔(グリッド孔)へ電子放射物質が
付着すると、グリッドの電界が変化することからカット
オフ電圧が変化し、ホワイトバランスが崩れるという課
題を有するが、本発明ではそれがなくなる。
The current for resistance welding flows to the second electrode through the periphery of the working area on the surface of the first electrode, the cup body, the cathode base body and the cathode base body, and the cup body and the cathode base body are well resistance welded. And its welding strength is also sufficient. Since the emission of the electron emitting substance is eliminated in the working area of the cathode substrate, the electron emitting substance does not adhere to the portion other than the cathode substrate due to the evaporation of the electron emitting substance, and the electron emission from the portion other than the cathode substrate is considerably reduced. Further, for the same reason, the leakage between the cathode electrodes also decreases. In particular, when the electron emitting substance adheres to the electron beam passage holes (grid holes) of the first grid, the cut-off voltage changes due to the change of the electric field of the grid, which causes a problem that the white balance is lost. It disappears.

【0018】また、カソード基体の表面におけるワーキ
ングエリアの汚染がなくなることから、汚染による電子
放射特性の劣化もなくなる。電子放射物質の染み出しお
よび他物質における汚染は、カソード基体表面のワーキ
ングエリア以外部分でもかなり少なくなる。
Further, since the working area on the surface of the cathode substrate is not contaminated, the deterioration of electron emission characteristics due to the contamination is also eliminated. The leaching of the electron emitting material and the contamination with other materials are considerably reduced even in a portion other than the working area on the surface of the cathode substrate.

【0019】本発明に係る方法の抵抗溶接は、カップ体
の底の数点溶接で、十分な接合強度を得ることができる
ので、大幅な作業時間の短縮が可能であり、量産性に優
れている。
In the resistance welding of the method according to the present invention, sufficient welding strength can be obtained by welding several points on the bottom of the cup body, so that the working time can be greatly reduced and the mass productivity is excellent. There is.

【0020】[0020]

【実施例】以下、本発明に係る陰極線管の陰極構体の製
造方法とそれに用いる装置を、図面に示す実施例に基づ
き、詳細に説明する。まず、陰極線管(CRT)および
それに用いる陰極構体の全体構成について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method of manufacturing a cathode assembly of a cathode ray tube according to the present invention and an apparatus used therefor will be described in detail below with reference to the embodiments shown in the drawings. First, the overall structure of a cathode ray tube (CRT) and a cathode assembly used for it will be described.

【0021】図5に示すように、CRT20は、パネル
ガラス22と、ファンネルガラス24とを有し、これら
がフリットガラス26で融着され、内部が高真空に維持
されている。ファンネルガラス24のネック部28に、
電子銃30が内蔵してある。パネルガラス22の内面に
は、蛍光面32が形成してあり、その背面にアパーチャ
グリル34が装着してある。また、ネック部28の外周
には、偏向ヨーク36が装着してあり、電子銃30から
放出・制御・加速・集束された3本の電子ビームは、偏
向ヨーク36によって偏向されることにより、蛍光面3
2の全面を走査するようになっている。
As shown in FIG. 5, the CRT 20 has a panel glass 22 and a funnel glass 24, which are fused by a frit glass 26 and the inside is maintained in a high vacuum. On the neck 28 of the funnel glass 24,
The electron gun 30 is built in. A fluorescent screen 32 is formed on the inner surface of the panel glass 22, and an aperture grill 34 is attached to the rear surface thereof. Further, a deflection yoke 36 is attached to the outer periphery of the neck portion 28, and the three electron beams emitted, controlled, accelerated, and focused from the electron gun 30 are deflected by the deflection yoke 36, thereby causing fluorescence. Surface 3
The entire surface of 2 is scanned.

【0022】電子銃30は、たとえば図6に示す陰極構
体(カソード)40と、グリッド群(図4には、第1グ
リッド42のみ図示)とで構成される。本実施例の陰極
構体40は、三本のカソード基体付スリーブ44R,4
4G,44Bを有する。各スリーブ44R,44G,4
4Bには、その先端部に、加熱されることにより熱電子
を発生する電子放射物質を有するカソード基体(BM)
46が装着してある。各カソード基体付スリーブ44
R,44G,44Bは、スリーブ本体45の先端に、後
述する方法でカソード基体46が溶接固定されることに
より製造される。
The electron gun 30 is composed of, for example, a cathode structure (cathode) 40 shown in FIG. 6 and a grid group (only the first grid 42 is shown in FIG. 4). The cathode assembly 40 of this embodiment is composed of three sleeves 44R, 4 with cathode substrates.
It has 4G and 44B. Each sleeve 44R, 44G, 4
4B has a cathode base (BM) having an electron emitting substance at its tip which generates thermoelectrons when heated.
46 is attached. Sleeve 44 with each cathode substrate
R, 44G, and 44B are manufactured by welding and fixing the cathode substrate 46 to the tip of the sleeve body 45 by a method described later.

【0023】各カソード基体付スリーブ44R,44
G,44Bは、絶縁性ディスク48に形成された三つの
開口部50内をそれぞれ挿通するように配置される。絶
縁性ディスク48は、たとえばセラミック製ディスクで
構成される。セラミックとしては、たとえばフォルステ
ライト、ステアタイト、アルミナなどを用いることがで
きる。
Sleeves 44R and 44 with cathode substrates
The G and 44B are arranged so as to be inserted through the three openings 50 formed in the insulating disk 48, respectively. The insulating disc 48 is made of, for example, a ceramic disc. For example, forsterite, steatite, alumina or the like can be used as the ceramic.

【0024】各スリーブ44R,44G,44Bの後端
側外周には、金属細線をV字形状に曲折してある一対の
Vタブ52,54の一端がそれぞれ溶接してある。Vタ
ブ52,54の他端は、それぞれ絶縁性ディスク48の
背面に固定してある三対の金属ピン56,58に対して
溶接などで接続してある。金属ピン56,58は、絶縁
性ディスク48に対してガラスなどにより融着固定して
ある。三対の金属ピン56,58から、それぞれ赤
(R),緑(G),青(B)の信号が入力される。
One end of a pair of V tabs 52, 54 formed by bending a thin metal wire into a V shape is welded to the outer periphery of the rear ends of the sleeves 44R, 44G, 44B, respectively. The other ends of the V tabs 52 and 54 are connected to the three pairs of metal pins 56 and 58 fixed to the back surface of the insulating disk 48 by welding or the like. The metal pins 56 and 58 are fused and fixed to the insulating disk 48 with glass or the like. Red (R), green (G), and blue (B) signals are input from the three pairs of metal pins 56 and 58, respectively.

【0025】絶縁性ディスク48の背面には、金属ピン
56,58以外に、一対のヒータレスト60,60を固
定するための4本のヒータレスト固定用金属ピン62
が、上記金属ピン56,58と同様な手段で融着固定し
てある。これら金属ピン62に対して、ヒータレスト6
0,60が溶接されることにより、ヒータレスト60,
60は、絶縁性ディスク48に対して固定される。ヒー
タレスト60,60には、各スリーブ44R,44G,
44Bの内部に装着されたヒータ64(図4参照)の電
源端子がそれぞれ接続される。すなわち、このヒータレ
スト60,60に対して、所定の電圧を印加すること
で、各スリーブ44R,44G,44Bの内部に装着さ
れたヒータ64が加熱される。
On the back surface of the insulating disk 48, in addition to the metal pins 56, 58, four heater rest fixing metal pins 62 for fixing the pair of heater rests 60, 60.
However, they are fused and fixed by the same means as the metal pins 56 and 58. For these metal pins 62, the heater rest 6
By welding 0 and 60, the heater rest 60,
60 is fixed to the insulating disk 48. The heater rests 60, 60 include sleeves 44R, 44G,
The power supply terminals of the heater 64 (see FIG. 4) mounted inside 44B are connected to each other. That is, by applying a predetermined voltage to the heater rests 60, 60, the heaters 64 mounted inside the sleeves 44R, 44G, 44B are heated.

【0026】次に、カソード基体付スリーブについて説
明する。カラー陰極線管の場合には、一本の電子銃につ
いて、カソード基体付スリーブは、R,G,B用に三本
準備される。各カソード基体付スリーブは、同一構成な
ので、以下の説明では、一本のカソード基体付スリーブ
44について説明する。
Next, the sleeve with the cathode substrate will be described. In the case of a color cathode ray tube, three sleeves with cathode substrates are prepared for R, G, and B for one electron gun. Since the sleeves with a cathode substrate have the same structure, only one sleeve 44 with a cathode substrate will be described below.

【0027】図4に示すように、カソード基体付スリー
ブ44は、スリーブ本体45と、その先端部にカップ体
66を介して溶接されたカソード基体46とを有する。
カソード基体46は、たとえばタングステン(W)など
の高融点金属で構成される多孔質焼結体で構成され、そ
の多孔質焼結体に、Ba,Ca,Alなどで構成される
電子放射物質が溶融含浸してある。
As shown in FIG. 4, the sleeve 44 with a cathode substrate has a sleeve body 45 and a cathode substrate 46 welded to the tip of the sleeve body 45 via a cup body 66.
The cathode substrate 46 is made of, for example, a porous sintered body made of a refractory metal such as tungsten (W), and the porous sintered body is made of an electron emitting material made of Ba, Ca, Al or the like. It is melt impregnated.

【0028】スリーブ本体45は、たとえば直径1〜2
mm、厚さ10〜30μm、長さ6〜7mmのNiあるいは
Ni−Crなどの高融点金属製筒体などで構成される。
カップ体66は、たとえばW,Niなどの高融点金属で
構成される。カソード基体46の底面(カップ体66で
覆われる側)には、カソード基体46とカップ体66と
の溶接接合を強固にするためのロウ材または金属膜68
が成膜してある。金属膜68としては、イリジウム(I
r)、ルテニウム(Ru)、モリブデン(Mo)、ある
いはこれらの合金などの薄膜を用いることができる。こ
れらの薄膜の膜厚は、特に限定されないが、たとえば1
00〜1000nm程度である。
The sleeve body 45 has, for example, a diameter of 1 to 2.
mm, thickness 10 to 30 μm, length 6 to 7 mm and made of a refractory metal cylinder such as Ni or Ni—Cr.
The cup body 66 is made of a refractory metal such as W or Ni. On the bottom surface of the cathode base 46 (the side covered with the cup body 66), a brazing material or a metal film 68 for strengthening the welded joint between the cathode base 46 and the cup body 66.
Is deposited. As the metal film 68, iridium (I
A thin film of r), ruthenium (Ru), molybdenum (Mo), or an alloy thereof can be used. The thickness of these thin films is not particularly limited, but may be, for example, 1
It is about 100 to 1000 nm.

【0029】また、カソード基体46の表面には、仕事
関数を下げて、より低温での電子放射を実現するための
仕事関数低下膜70が成膜してあることが好ましい。仕
事関数低下膜70としては、Irなどの白金系金属を用
いることが好ましい。スリーブ本体45の内部には、前
述したように、ヒータ64が内蔵される。ヒータ64
は、たとえば純タングステン線、あるいはタングステン
に2〜3%のレニウム(Re)をドープしたタングステ
ン合金線などの電熱線で構成される。
A work function lowering film 70 for lowering the work function and realizing electron emission at a lower temperature is preferably formed on the surface of the cathode substrate 46. For the work function lowering film 70, it is preferable to use a platinum-based metal such as Ir. As described above, the heater 64 is built in the sleeve body 45. Heater 64
Is a heating wire such as a pure tungsten wire or a tungsten alloy wire in which tungsten is doped with 2 to 3% of rhenium (Re).

【0030】このカソード基体付スリーブ44の前面側
には、図5に示す電子銃30の一部を構成するグリッド
群が配置される。図4では、第1グリッド42の一部の
み図示してある。次に、本発明の実施例に係る陰極線管
の陰極構体の製造方法の要部であるカソード基体46と
カップ体66との溶接接合方法およびそれに用いる装置
について説明する。
On the front side of the sleeve with cathode substrate 44, a grid group forming a part of the electron gun 30 shown in FIG. 5 is arranged. In FIG. 4, only a part of the first grid 42 is shown. Next, a method for welding and joining the cathode base 46 and the cup body 66, which is a main part of the method for manufacturing the cathode assembly of the cathode ray tube according to the embodiment of the present invention, and an apparatus used therefor will be described.

【0031】本実施例の方法では、まず、図1に示す多
孔質焼結体で構成されるカソード基体46に、Ba,C
a,Alなどで構成される電子放射物質を溶融含浸させ
る。溶融含浸させるための条件としては、特に限定され
ないが、たとえば1800℃の温度で電子放射物質を溶
融させ、それにカソード基体46を約3分程度浸漬させ
る。
In the method of this embodiment, first, Ba and C are added to the cathode substrate 46 composed of the porous sintered body shown in FIG.
An electron emitting material composed of a, Al, etc. is melt-impregnated. The conditions for the melt impregnation are not particularly limited, but the electron emitting substance is melted at a temperature of, for example, 1800 ° C., and the cathode substrate 46 is immersed therein for about 3 minutes.

【0032】次に、このカソード基体46の裏面に、ロ
ウ材あるいは金属膜68を成膜する。このロウ材または
金属膜68は、前述したように、カソード基体46とカ
ップ体66との溶接接合を強固にするために形成され、
その膜厚は、特に限定されないが、1000〜1000
0オングストロームである。
Next, a brazing material or a metal film 68 is formed on the back surface of the cathode substrate 46. As described above, the brazing material or the metal film 68 is formed in order to strengthen the welded joint between the cathode substrate 46 and the cup body 66.
The film thickness is not particularly limited, but is 1000 to 1000.
It is 0 angstrom.

【0033】次に、カソード基体46の裏面側を覆うよ
うに、カップ体66を装着し、それを、図1に示す第2
電極74に形成された第1ホール76内に、カソード基
体46の表面が下を向くように嵌合させる。第2電極7
4には、第1ホール76の下方に略同心状に位置し、第
1ホール76の内径よりも小さい第2ホール78が形成
してある。
Next, a cup body 66 is attached so as to cover the back surface side of the cathode substrate 46, and the cup body 66 is attached to the second body shown in FIG.
The cathode substrate 46 is fitted into the first hole 76 formed in the electrode 74 so that the surface of the cathode substrate 46 faces downward. Second electrode 7
A second hole 78, which is located substantially concentrically below the first hole 76 and is smaller than the inner diameter of the first hole 76, is formed in the No. 4.

【0034】図2に示すように、第2電極74には、量
産性の観点から、適当なピッチで、多数の第1ホール7
6およびそれと略同心の第2ホール78が形成してある
ことが好ましい。第1ホール76の中心間距離である適
当なピッチとしては、図1に示す第1電極72の作業性
などの観点から決定され、特に限定されないが、たとえ
ば5mm程度である。
As shown in FIG. 2, a large number of first holes 7 are formed in the second electrode 74 at an appropriate pitch from the viewpoint of mass productivity.
6 and a second hole 78 substantially concentric therewith are preferably formed. An appropriate pitch, which is the distance between the centers of the first holes 76, is determined from the viewpoint of workability of the first electrode 72 shown in FIG. 1 and is not particularly limited, but is, for example, about 5 mm.

【0035】図3に示すように、第2電極74には、第
1ホール76と第2ホール78とが形成され、それらの
段部80の平坦性が要求される。図1に示すように、段
部80の表面に、カソード基体46の表面が接触するか
らである。そこで、第2電極74は、図3に示すよう
に、第1ホール76が形成された第1板材82と、第2
ホール78が形成された第2板材84とが張り合わされ
て形成されることが好ましい。段部80の平坦性加工が
容易になるからである。なお、第1ホール76と第2ホ
ール78との同心度は、必ずしも厳密である必要はな
く、少なくとも、段部80の片側領域sが、少なくとも
0.1mm以上となるように同心度が決定される。
As shown in FIG. 3, a first hole 76 and a second hole 78 are formed in the second electrode 74, and flatness of the stepped portion 80 is required. This is because the surface of the cathode substrate 46 contacts the surface of the stepped portion 80 as shown in FIG. Therefore, as shown in FIG. 3, the second electrode 74 includes a first plate member 82 having a first hole 76 and a second plate member 82.
It is preferable that the second plate member 84 in which the hole 78 is formed is laminated and formed. This is because flatness processing of the step portion 80 becomes easy. The concentricity of the first hole 76 and the second hole 78 does not necessarily have to be strict, and the concentricity is determined so that at least one side area s of the step portion 80 is at least 0.1 mm or more. It

【0036】また、図1に示す第1電極72からカップ
体66、ロウ材または金属膜68、カソード基体46お
よびカソード基体46の表面外周部を通して、第2電極
74へ、矢印Iaのように抵抗溶接電流が都合良く流れ
るように、図3に示す第1板材82は、絶縁性板材(た
とえばセラミック材)であることが好ましい。当然のこ
とながら、第2板材84は、高融点金属などで構成され
る導電性板材で構成される。図3に示す第1板材82が
絶縁性を有することが好ましいのは、抵抗溶接時の放電
によるカップ体66の破損などを低減するためである。
In addition, resistance from the first electrode 72 shown in FIG. The first plate member 82 shown in FIG. 3 is preferably an insulating plate member (for example, a ceramic member) so that the welding current flows conveniently. As a matter of course, the second plate member 84 is made of a conductive plate member made of a refractory metal or the like. The first plate member 82 shown in FIG. 3 preferably has an insulating property in order to reduce damage to the cup body 66 due to electric discharge during resistance welding.

【0037】図3に示す第1ホール76の内径Daは、
図1に示すカップ体66の外径よりも、好ましくは0.
03〜0.1mm、さらに好ましくは0.05〜0.08
mm程度大きいことが好ましい。また、第1ホール76の
深さtaは、図1に示すカソード基体付カップ体66の
軸方向長さと略同等、あるいはカップ体66の底面が第
1ホール76から突き出る程度の深さ、あるいは引っ込
む程度の深さに設定される。好ましくは、第1ホール7
6の深さtaは、図1に示すカップ体66の底面が第1
ホール76から約0.1mm程度突き出る程度の深さに設
定される。溶接後のカップ体66の取り出しの容易性の
ためである。具体的には、第1ホール76の深さta
は、約0.7mm程度に設定させる。第2電極74の総厚
さTは、特に限定されないが、第1ホール76の深さt
aの約二倍以上程度に設定される。具体的には、約1.
5mm程度である。
The inner diameter Da of the first hole 76 shown in FIG.
The outer diameter of the cup body 66 shown in FIG.
03-0.1 mm, more preferably 0.05-0.08
It is preferably about mm. The depth ta of the first hole 76 is substantially equal to the axial length of the cup body 66 with a cathode substrate shown in FIG. It is set to a depth. Preferably, the first hole 7
The depth ta of 6 is such that the bottom surface of the cup body 66 shown in FIG.
It is set to a depth of about 0.1 mm protruding from the hole 76. This is because the cup body 66 can be easily taken out after welding. Specifically, the depth ta of the first hole 76
Is set to about 0.7 mm. The total thickness T of the second electrode 74 is not particularly limited, but is the depth t of the first hole 76.
It is set to about twice as large as a. Specifically, about 1.
It is about 5 mm.

【0038】第2ホール78の内径Dbは、図4に示す
カソード基体46の表面の中央部に位置するワーキング
エリア(電子放射部)86よりも大きく設定される。ワ
ーキングエリア86は、第1グリッド42のグリッド孔
(電子ビーム通過孔)88の内径領域に、ドライブ率を
乗算した値で定義され、グリッド孔88の内径が0.3
〜0.7mmであれば、エリア86は、直径0.1〜0.
7mmの領域である。
The inner diameter Db of the second hole 78 is set to be larger than the working area (electron emitting portion) 86 located at the center of the surface of the cathode substrate 46 shown in FIG. The working area 86 is defined by a value obtained by multiplying the inner diameter region of the grid hole (electron beam passage hole) 88 of the first grid 42 by the drive rate, and the inner diameter of the grid hole 88 is 0.3.
.About.0.7 mm, the area 86 has a diameter of 0.1.about.0.
It is an area of 7 mm.

【0039】また、図3に示すように、段部80の領域
は、片側領域sで約0.1mm以上必要とすることから、
第2ホール78の内径Dbは、CRTの種類にもよる
が、一般には、0.7〜0.9mm程度が好ましい。この
場合、カソード基体46の外径は、約1.15mmであ
る。
Further, as shown in FIG. 3, since the area of the stepped portion 80 needs to be about 0.1 mm or more in the one side area s,
Generally, the inner diameter Db of the second hole 78 is preferably about 0.7 to 0.9 mm, though it depends on the type of CRT. In this case, the outer diameter of the cathode substrate 46 is about 1.15 mm.

【0040】図1に示すように、カソード基体46が装
着されたカップ体66を、カソード基体46の表面が下
を向くように、第2電極74の第1ホール76内に嵌合
した後には、第1電極72を、カップ体66の底面に接
触させ、その部分を約1〜2Kg/cm 2で押圧し、第
1電極72と第2電極74との間で矢印Iaに示すよう
に抵抗溶接用電流を流す。抵抗溶接時のワット数は、特
に限定されないが、たとえば10〜20ワットである。
抵抗溶接時には、カップ体66の酸化を防止するため
に、Arなどの不活性ガスをカップ体66に対して吹き
付けることが好ましい。
As shown in FIG. 1, after the cup body 66 having the cathode substrate 46 mounted therein is fitted into the first hole 76 of the second electrode 74 so that the surface of the cathode substrate 46 faces downward, , The first electrode 72 is brought into contact with the bottom surface of the cup body 66, and the portion is pressed at about 1 to 2 Kg / cm 2 , and the resistance is provided between the first electrode 72 and the second electrode 74 as shown by an arrow Ia. Apply welding current. The wattage at the time of resistance welding is not particularly limited, but is, for example, 10 to 20 watts.
During resistance welding, in order to prevent oxidation of the cup body 66, it is preferable to blow an inert gas such as Ar onto the cup body 66.

【0041】第1電極72によるカップ体66の底面に
対する接触は、2〜3の数点で良い。第2電極74に
は、図2に示すように、多数の第1ホール76が形成し
てあるので、これら第1ホール76内に同時に多数のカ
ソード基体付カップ体66を収容し、逐次抵抗溶接する
ことにより量産性を上げることができる。また、第1電
極72を第1ホール76の数およびピッチに対応して設
け、多数のカソード基体付カップ体66を同時に抵抗溶
接することもできる。
The contact of the first electrode 72 with the bottom surface of the cup body 66 may be a few points. Since a large number of first holes 76 are formed in the second electrode 74 as shown in FIG. 2, a large number of cup bodies 66 with a cathode substrate are accommodated in the first holes 76 at the same time, and the resistance welding is performed sequentially. By doing so, mass productivity can be improved. Further, the first electrodes 72 may be provided in correspondence with the number and pitch of the first holes 76, and a large number of cup bodies 66 with cathode substrates may be resistance-welded at the same time.

【0042】本実施例に係る第1電極72および第2電
極74を用いて抵抗溶接を行えば、カソード基体46表
面のうち、電子放射部に相当するワーキングエリア86
は、第2電極74に形成された第2ホール78の領域内
に位置するので、第2電極74に接触することはない。
したがって、その部分に抵抗溶接のための電流が流れる
ことはなくなり、ワーキングエリア86で電子放射物質
が染み出すことはなくなる。また、ワーキングエリア8
6が、第2電極74からの汚染物質により汚染されるこ
ともない。
If resistance welding is performed using the first electrode 72 and the second electrode 74 according to this embodiment, a working area 86 corresponding to an electron emitting portion on the surface of the cathode substrate 46.
Is located in the area of the second hole 78 formed in the second electrode 74, and therefore does not contact the second electrode 74.
Therefore, the electric current for resistance welding does not flow in that portion, and the electron emitting material does not seep out in the working area 86. Also, working area 8
6 will not be contaminated by contaminants from the second electrode 74.

【0043】抵抗溶接のための電流は、矢印Iaで示す
ように、第1電極72、カップ体66、ロウ材または金
属膜68、カソード基体46、カソード基体46の表面
におけるワーキングエリア86の周囲を通して、第2電
極74へ流れ、カップ体66とカソード基体46とは、
良好に抵抗溶接され、その溶接強度も十分である。
The current for resistance welding passes through the first electrode 72, the cup body 66, the brazing material or the metal film 68, the cathode base 46, and the periphery of the working area 86 on the surface of the cathode base 46, as shown by the arrow Ia. , The second electrode 74, and the cup body 66 and the cathode substrate 46,
It is well resistance welded and its welding strength is sufficient.

【0044】その後、図4に示すように、カソード基体
付カップ体46を、スリーブ本体45の上端部に嵌合
(必要に応じてカシメる)し、スリーブ本体45の上端
周囲から抵抗溶接あるいはレーザ溶接する。その前後
に、カソード基体46の表面には、図4に示す仕事関数
低下膜70を成膜する。
Thereafter, as shown in FIG. 4, the cup body 46 with the cathode substrate is fitted (caulked as necessary) to the upper end portion of the sleeve body 45, and resistance welding or laser is performed from around the upper end of the sleeve body 45. Weld. Before and after that, the work function lowering film 70 shown in FIG. 4 is formed on the surface of the cathode substrate 46.

【0045】その後、図4に示すように、スリーブ本体
45の内部に、ヒータ64を配置し、このカソード基体
付スリーブ44を、図6(図6では、カソード基体付ス
リーブ44R,44G,44B)に示すように、絶縁性
ディスク48に取り付け、ヒータレスト60、金属ピン
56,58などを取り付けて、陰極構体40を製作す
る。
Thereafter, as shown in FIG. 4, a heater 64 is arranged inside the sleeve main body 45, and the sleeve 44 with the cathode substrate is shown in FIG. 6 (in FIG. 6, the sleeves 44R, 44G, 44B with the cathode substrate). As shown in FIG. 5, the cathode assembly 40 is manufactured by attaching it to the insulating disk 48, attaching the heater rest 60, the metal pins 56 and 58, and the like.

【0046】本実施例では、図4に示すカソード基体4
6のワーキングエリア86において電子放射物質の染み
出しがなくなることから、電子放射物質の蒸発によるカ
ソード基体46以外部分への電子放射物質の付着がなく
なり、カソード基体46以外部分からの電子放射はかな
り少なくなる。また、同様な理由からカソード電極間リ
ークも少なくなる。特に、第1グリッド42の電子ビー
ム通過孔(グリッド孔88)へ電子放射物質が付着する
と、グリッドの電界が変化することからカットオフ電圧
が変化し、ホワイトバランスが崩れるという課題を有す
るが、本実施例ではそれがなくなる。
In this embodiment, the cathode substrate 4 shown in FIG.
Since the emission of the electron emitting material is eliminated in the working area 86 of 6, the electron emitting material is not attached to the portion other than the cathode substrate 46 due to the evaporation of the electron emitting substance, and the electron emission from the portion other than the cathode substrate 46 is considerably small. Become. Further, for the same reason, the leakage between the cathode electrodes also decreases. In particular, when an electron emitting substance adheres to the electron beam passage hole (grid hole 88) of the first grid 42, the cut-off voltage changes due to a change in the electric field of the grid, which causes a problem that the white balance is lost. In the embodiment it is eliminated.

【0047】また、カソード基体46の表面におけるワ
ーキングエリア86の汚染がなくなることから、汚染に
よる電子放射特性の劣化もなくなる。電子放射物質の染
み出しおよび他物質における汚染は、カソード基体46
表面のワーキングエリア以外部分でもかなり少なくな
る。
Further, since the working area 86 on the surface of the cathode substrate 46 is not contaminated, the deterioration of electron emission characteristics due to the contamination is also eliminated. The exudation of the electron-emitting substance and the contamination with other substances are caused by the cathode substrate 46.
It will be much less in areas other than the working area on the surface.

【0048】本実施例に係る方法の抵抗溶接は、カップ
体66の底の数点溶接で、十分な接合強度を得ることが
できるので、大幅な作業時間の短縮が可能であり、量産
性に優れている。なお、本発明は、上述した実施例に限
定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変す
ることができる。
In the resistance welding of the method according to this embodiment, a sufficient joining strength can be obtained by welding several points on the bottom of the cup body 66, so that the working time can be greatly shortened and the mass productivity can be improved. Are better. The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but can be modified in various ways within the scope of the present invention.

【0049】たとえば、上記実施例では、カラーCRT
用陰極構体について説明したが、白黒CRT用陰極構体
に対しても本発明を同様に適用することができる。その
場合には、単一のカソード基体付スリーブ44を、絶縁
性ディスクに配置すれば良い。
For example, in the above embodiment, a color CRT is used.
Although the cathode structure for a CRT has been described, the present invention can be similarly applied to a cathode structure for a black and white CRT. In that case, the single sleeve 44 with the cathode substrate may be arranged on the insulating disk.

【0050】また、上記実施例の方法では、カソード基
体46にカップ体66を抵抗溶接した後、カップ体66
をスリーブ本体45に抵抗溶接あるいはレーザ溶接する
ように構成したが、本発明では、カップ体66にスリー
ブ本体45を溶接した後、カップ体66に対してカソー
ド基体46を上記方法で抵抗溶接しても良い。
In the method of the above embodiment, the cup body 66 is resistance-welded to the cathode substrate 46, and then the cup body 66 is formed.
Is configured to be resistance-welded or laser-welded to the sleeve body 45. In the present invention, after the sleeve body 45 is welded to the cup body 66, the cathode substrate 46 is resistance-welded to the cup body 66 by the above method. Is also good.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、基体金属表面において、特にワーキングエリアで電
子放射物質が染み出すことはなくなる。また、ワーキン
グエリアが、第2電極からの汚染物質により汚染される
こともない。電子放射物質の染み出しおよび他物質にお
ける汚染は、カソード基体表面のワーキングエリア以外
部分でもかなり少なくなる。たとえば、カソード基体の
全面で観察すれば、電子放射物質の染み出しおよび他物
質における汚染は、従来では、50%であったのに対
し、本発明では、約3%にすることができることが確認
された。また、カソード基体の表面におけるワーキング
エリアでは、電子放射物質の染み出しおよび他物質にお
ける汚染は、従来では30%であったのに対し、本発明
では0%にすることができることが確認された。
As described above, according to the present invention, the electron emitting material does not exude on the surface of the base metal, especially in the working area. Moreover, the working area is not contaminated by the contaminants from the second electrode. The leaching of the electron emitting material and the contamination with other materials are considerably reduced even in a portion other than the working area on the surface of the cathode substrate. For example, when observing the entire surface of the cathode substrate, it has been confirmed that the exudation of the electron emitting substance and the contamination with other substances were 50% in the conventional case, but can be about 3% in the present invention. Was done. Further, it has been confirmed that in the working area on the surface of the cathode substrate, the exudation of the electron emitting substance and the contamination with other substances were 30% in the related art, but can be 0% in the present invention.

【0052】抵抗溶接のための電流は、第1電極、カッ
プ体、カソード基体、カソード基体の表面におけるワー
キングエリアの周囲を通して、第2電極へ流れ、カップ
体とカソード基体とは、良好に抵抗溶接され、その溶接
強度も十分である。カソード基体のワーキングエリアに
おいて電子放射物質の染み出しがなくなることから、電
子放射物質の蒸発によるカソード基体以外部分への電子
放射物質の付着がなくなり、カソード基体以外部分から
の電子放射はかなり少なくなる。また、同様な理由から
カソード電極間リークも少なくなる。特に、第1グリッ
ドの電子ビーム通過孔(グリッド孔)へ電子放射物質が
付着すると、グリッドの電界が変化することからカット
オフ電圧が変化し、ホワイトバランスが崩れるという課
題を有するが、本発明ではそれがなくなる。また、同様
な理由から、面ストレー現象も低減することができる。
The current for resistance welding flows to the second electrode through the periphery of the working area on the surface of the first electrode, the cup body, the cathode substrate, and the cathode substrate, and the cup body and the cathode substrate are well resistance welded. And its welding strength is also sufficient. Since the emission of the electron emitting substance is eliminated in the working area of the cathode substrate, the electron emitting substance does not adhere to the portion other than the cathode substrate due to the evaporation of the electron emitting substance, and the electron emission from the portion other than the cathode substrate is considerably reduced. Further, for the same reason, the leakage between the cathode electrodes also decreases. In particular, when the electron emitting substance adheres to the electron beam passage holes (grid holes) of the first grid, the cut-off voltage changes due to the change of the electric field of the grid, which causes a problem that the white balance is lost. It disappears. Further, for the same reason, the surface stray phenomenon can be reduced.

【0053】また、カソード基体の表面におけるワーキ
ングエリアの汚染がなくなることから、汚染による電子
放射特性の劣化もなくなる。本発明に係る方法の抵抗溶
接は、カップ体の底の数点溶接で、十分な接合強度を得
ることができるので、大幅な作業時間の短縮が可能であ
り、量産性に優れている。
Further, since the working area on the surface of the cathode substrate is not contaminated, the deterioration of electron emission characteristics due to the contamination is also eliminated. In the resistance welding of the method according to the present invention, a sufficient joining strength can be obtained by welding several points on the bottom of the cup body, so that the working time can be greatly shortened and the mass productivity is excellent.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は本発明の一実施例に係る陰極構体製造の
ための抵抗溶接方法を示す概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a resistance welding method for manufacturing a cathode assembly according to an embodiment of the present invention.

【図2】図2は図1に示す実施例で用いる第2電極の平
面図である。
FIG. 2 is a plan view of a second electrode used in the embodiment shown in FIG.

【図3】図3は図1,2に示す第2電極に形成された第
1ホールおよび第2ホールの要部断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of essential parts of a first hole and a second hole formed in the second electrode shown in FIGS.

【図4】図4は抵抗溶接後のカソード基体と第1グリッ
ドとの位置関係を示す概略断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the positional relationship between the cathode base and the first grid after resistance welding.

【図5】図5は陰極線管の概略図である。FIG. 5 is a schematic view of a cathode ray tube.

【図6】図6(A)は陰極構体の概略半断面図、同図
(B)は同図(A)に示すB−B線に沿う底面図であ
る。
6 (A) is a schematic half sectional view of the cathode assembly, and FIG. 6 (B) is a bottom view taken along line BB shown in FIG. 6 (A).

【図7】図7(A),(B)はそれぞれ従来例に係るカ
ソード基体の抵抗溶接方法を示す平面図および側面側断
面図である。
7 (A) and 7 (B) are respectively a plan view and a side sectional view showing a resistance welding method for a cathode substrate according to a conventional example.

【図8】図8(A),(B)はそれぞれ従来例に係るカ
ソード基体の抵抗溶接方法を示す第1工程図および第2
工程図である。
8A and 8B are a first step diagram and a second step diagram, respectively, showing a resistance welding method for a cathode substrate according to a conventional example.
It is a process drawing.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

40… 陰極構体 42… 第1グリッド 44… カソード基体付スリーブ 45… スリーブ本体 64… ヒータ 66… カップ体 68… 金属膜 70… 仕事関数低下膜 72… 第1電極 74… 第2電極 76… 第1ホール 78… 第2ホール 80… 段部 82… 第1板材(絶縁性板材) 84… 第2板材(導電性板材) 40 ... Cathode structure 42 ... First grid 44 ... Cathode substrate sleeve 45 ... Sleeve body 64 ... Heater 66 ... Cup body 68 ... Metal film 70 ... Work function lowering film 72 ... First electrode 74 ... Second electrode 76 ... First Hole 78 ... Second hole 80 ... Step 82 ... First plate material (insulating plate material) 84 ... Second plate material (conductive plate material)

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 カソード基体の少なくとも表面側に電子
放射物質を含浸または塗布する工程と、 カソード基体の裏面側を覆うように、カップ体を装着
し、カップ体とカソード基体とを、第1電極と第2電極
との間で抵抗溶接する工程とを含む陰極線管の陰極構体
の製造方法であって、 上記第2電極に、第1ホールと、この第1ホールの下方
に略同心状に位置し、第1ホールの内径よりも小さい第
2ホールとを形成し、 上記カソード基体が装着されたカップ体を、カソード基
体の表面が下を向くように上記第1ホール内に収容し、
カップ体に対して、上記第1電極を押圧し、第1電極と
第2電極との間で電流を流すことにより、カップ体とカ
ソード基体との抵抗溶接を行う陰極線管の陰極構体の製
造方法。
1. A step of impregnating or applying an electron emitting substance onto at least the front surface side of a cathode substrate, and a cup body is attached so as to cover the back surface side of the cathode substrate, and the cup body and the cathode substrate are connected to the first electrode. A method of manufacturing a cathode assembly of a cathode ray tube, comprising the step of resistance welding between the first electrode and a second electrode, wherein a first hole and a substantially concentric position below the first hole are formed in the second electrode. And forming a second hole smaller than the inner diameter of the first hole, and accommodating the cup body, on which the cathode substrate is mounted, in the first hole so that the surface of the cathode substrate faces downward,
A method for manufacturing a cathode assembly of a cathode ray tube in which the first electrode is pressed against the cup body, and a current is passed between the first electrode and the second electrode to perform resistance welding between the cup body and the cathode substrate. .
【請求項2】 上記第2電極に形成された第2ホールの
内径は、カソード基体の表面のワーキングエリアの外径
よりも大きく設定してある請求項1に記載の陰極線管の
陰極構体の製造方法。
2. The manufacturing method of a cathode assembly of a cathode ray tube according to claim 1, wherein the inner diameter of the second hole formed in the second electrode is set larger than the outer diameter of the working area on the surface of the cathode substrate. Method.
【請求項3】 上記第2電極に形成された第2ホールの
内径は、上記カソード基体の外径よりも0.2mm以上小
さく設定してある請求項1または2に記載の陰極線管の
陰極構体の製造方法。
3. The cathode assembly of the cathode ray tube according to claim 1, wherein the inner diameter of the second hole formed in the second electrode is set to be 0.2 mm or more smaller than the outer diameter of the cathode substrate. Manufacturing method.
【請求項4】 上記第2電極は、上記第1ホールが形成
された絶縁性板材と、上記第2ホールが形成された導電
性板材とが張り合わされて構成してある請求項1〜3の
いずれかに記載の陰極線管の陰極構体の製造方法。
4. The second electrode is formed by laminating an insulating plate member having the first hole and a conductive plate member having the second hole. A method for manufacturing a cathode structure of a cathode ray tube according to any one of claims.
【請求項5】 少なくとも表面側に電子放射物質が含浸
または塗布されたカソード基体の裏面側を覆うように、
カップ体を装着し、カップ体とカソード基体とを、第1
電極と第2電極との間で抵抗溶接する陰極線管の陰極構
体の製造装置であって、 上記第2電極には、上記カソード基体が装着されたカッ
プ体がカソード基体の表面が下を向くように入り込む第
1ホールと、この第1ホールの下方に略同心状に位置
し、第1ホールの内径よりも小さい第2ホールとが形成
してある陰極線管の陰極構体の製造装置。
5. A cathode substrate, at least the surface side of which is impregnated or coated with an electron emitting substance, is covered so as to cover the back side thereof.
The cup body is attached, and the cup body and the cathode base are
A device for manufacturing a cathode assembly of a cathode ray tube, wherein resistance welding is performed between an electrode and a second electrode, wherein a cup body having the cathode base mounted on the second electrode has a surface of the cathode base facing downward. An apparatus for manufacturing a cathode assembly of a cathode ray tube, comprising: a first hole that is inserted into the first hole; and a second hole that is located substantially concentrically below the first hole and that is smaller than the inner diameter of the first hole.
【請求項6】 上記第2電極に形成された第2ホールの
内径は、カソード基体の表面のワーキングエリアの外径
よりも大きく設定してある請求項5に記載の陰極線管の
陰極構体の製造装置。
6. The manufacturing method of a cathode assembly for a cathode ray tube according to claim 5, wherein the inner diameter of the second hole formed in the second electrode is set larger than the outer diameter of the working area on the surface of the cathode substrate. apparatus.
【請求項7】 上記第2電極に形成された第2ホールの
内径は、上記カソード基体の外径よりも0.2mm以上小
さく設定してある請求項5または6に記載の陰極線管の
陰極構体の製造装置。
7. The cathode assembly of a cathode ray tube according to claim 5, wherein an inner diameter of the second hole formed in the second electrode is set to be 0.2 mm or more smaller than an outer diameter of the cathode substrate. Manufacturing equipment.
【請求項8】 上記第2電極は、上記第1ホールが形成
された絶縁性板材と、上記第2ホールが形成された導電
性板材とが張り合わされて構成してある請求項5〜7の
いずれかに記載の陰極線管の陰極構体の製造装置。
8. The second electrode is formed by laminating an insulating plate material having the first hole and a conductive plate material having the second hole. An apparatus for manufacturing a cathode structure of a cathode ray tube according to any one of claims.
JP3836294A 1994-03-09 1994-03-09 Manufacture of cathode structure of cathode-ray tube and device for use therein Pending JPH07249373A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015049995A1 (en) * 2013-10-02 2015-04-09 ウシオ電機株式会社 Short-arc discharge lamp and short-arc discharge lamp cathode production method

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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