JPH07248977A - 不揮発性メモリ回路 - Google Patents

不揮発性メモリ回路

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JPH07248977A
JPH07248977A JP3892794A JP3892794A JPH07248977A JP H07248977 A JPH07248977 A JP H07248977A JP 3892794 A JP3892794 A JP 3892794A JP 3892794 A JP3892794 A JP 3892794A JP H07248977 A JPH07248977 A JP H07248977A
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JP
Japan
Prior art keywords
data
eeprom
power supply
circuit
microprocessor
Prior art date
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Application number
JP3892794A
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English (en)
Inventor
Toru Takeuchi
亨 竹内
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】高速のデータ書き込みおよび読み出しが可能
で、かつ、電源断が発生したときに書き込まれたデータ
が消失しないようにする。 【構成】アドレスおよびデータを一時保持するFIFO
M2と、このFIFOMの保持データが書き込まれるE
EPROM1と、EEPROM1に書き込まれたデータ
を読み出すRAM3と、EEPROM1書き込み動作を
検出し、書き込み動作中は割込信号を出力するEEPR
OM書き込み動作検出回路5と、電源断のとき所定時間
電圧を保持する補助電源8と、電源断を検出し、FIF
OM2の書き込み未完了データのEEPROMへの転送
信号を出力する電源異常検出回路7を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロコンピュータシ
ステムなどに使用される不揮発性メモリ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】マイクロコンピュータシステムなどにお
いては、不揮発性メモリとしてEEPROM(Electori
cally Erasable Programmable Read Only Memory)が広
く使されている。図4はEEPROMを使用した不揮発
性メモリ回路の従来例を示すブロック図である。図4に
おいて、9はデータを保持するための不揮発性メモリで
あるEEPROM、10はEEPROMのデータの書き
込み時間がかかるためにバッファとして設けられたバッ
ファ用のRAM(Random Access Memory)、11はRA
M10からEEPROM9にデータを転送するために一
定間隔のパルス信号を発生するタイマ回路、12はデー
タの転送を開始するためのトリガ信号を発生するトリガ
発生回路、13はRAM10からEEPROM9にデー
タを転送するデータ転送回路、X1 〜Xn はデータ入力
端子、Y1 〜Yn はデータ出力端子である。
【0003】この不揮発性メモリ回路の動作は次の通り
である。図示しないマイクロプロセッサからのデータ
は、データ入力端子X1 〜Xn に入力され、まず、バッ
ファ用のRAM10に保持される。マイクロプロセッサ
からのデータ書き込みが終了すると、トリガ発生回路1
2よりデータ転送開始を示すトリガ信号が出力され、こ
のトリガ信号によりタイマ回路11からRAM10のデ
ータを読み出して、EEPROM9にデータを書き込む
タイミングパルス信号が出力される。これらトリガ信号
とタイミングパルス信号に基づいて、データ転送回路1
3はRAM10から順次データを読み出してEEPRO
M9に書き込む。
【0004】次にマイクロプロセッサなどがデータを読
み出すときは、データ出力端子Y1〜Yn を通してEE
PROM9から直接データを読み出す。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前述の不揮発性メモリ
回路は、マイクロプロセッサからのデータは、まずバッ
ファ用のRAMで保持され、その後順次EEPROMに
転送されてEEPROMに書き込まれるので、マイクロ
プロセッサから高速の書き込みが可能であるが、このバ
ッファ用のRAMに書き込まれたデータが正しくEEP
ROMに書き込まれたかどうかを確認するためにマイク
ロプロセッサは、EEPROMに書き込まれたデータを
読み出して元のデータと比較する必要がある。このため
に、高速のデータ書き込みが可能な特徴が減じてしま
う。
【0006】また、電源断が発生すると、バッファ用の
RAM内の書き込み未完了データは、短時間にEEPR
OMに転送することができないので、EEPROMに転
送されないままデータが消失する場合がある。本発明の
目的は高速のデータ書き込みおよび読み出しが可能で、
かつ、電源断が発生したときに書き込まれたデータが消
失しないようにした不揮発性メモリ回路を提供すること
にある。
【0007】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに、本発明の不揮発性メモリ回路はマイクロプロセッ
サからのアドレスおよびデータを一時保持するFIFO
Mと、このFIFOMの保持データが書き込まれるEE
PROMと、このEEPROMに書き込まれたデータを
読み出すRAMと、前記FIFOMに保持されたアドレ
スおよびデータを読み出し、前記EEPROMおよび前
記RAMにこの読み出しデータを書き込む制御信号を出
力するカウンタ回路と、前記FIFOMへのアドレスお
よびデータの書き込みタイミングと前記FIFOMに保
持されたデータの前記EEPROMおよび読み出しRA
Mへの書き込みタイミングとの間がオーバラップしない
ように調停するタイミング調停回路と、マイクロプロセ
ッサがデータを読み出すとき、前記FIFOMに保持さ
れたデータを前記EEPROMおよび前記RAMに書き
込み中か否かを検出し、書き込み中であれば、マイクロ
プロセッサに割込信号を出力するEEPROM書き込み
動作検出回路と、電源断のとき所定期間電圧を保持する
補助電源と、電源断を検出し、前記カウンタ回路に前記
FIFOMの前記EEPROMに書き込み、未完了デー
タを前記補助電源の電源電圧保持期間中にEEPROM
に書き込ませる制御信号を出力する電源異常検出回路か
らなるようにする。そして前記EEPROM書き込み動
作検出回路は、FIFOMに保持されているアドレスと
マイクロプロセッサが読み出したアドレスを比較し、ア
ドレスが一致のときはFIFOMに保持されたデータを
EEPROMに書き込み中と判定し、マイクロプロセッ
サに割込信号を出力するアドレス比較回路からなるよう
にする。これら不揮発性メモリ回路において、FIFO
MおよびEEPROMをそれぞれ複数個設け、カウンタ
回路からの制御信号に基づいて、これらFIFOMおよ
びEEPROMを順次繰り返して動作させる。
【0008】
【作用】本発明の不揮発性メモリ回路は、従来の不揮発
性メモリ回路で用いられているバッファ用のRAMに代
えて、マイクロプロセッサからのアドレスおよびデータ
を一時保持しておくFIFOMと、EEPROMにデー
タが書き込まれた時点でEEPROMと同一のデータを
保持するようにした読み出し用のRAMを備えることに
より、EEPROMはデータ書き込み専用として使用で
きるので、高速の書き込みおよび読み出しが可能とな
る。そして、例えばFIFOMに保持されているアドレ
スとマイクロプロセッサが読み出したアドレスを比較
し、アドレスが一致のときはFIFOMに保持されたデ
ータをEEPROMに書き込み中と判定し、マイクロプ
ロセッサに割込信号を出力するアドレス比較回路からな
るEEPROM書き込み動作検出回路を設けたので、マ
イクロプロセッサがデータを読み出すとき、万一、FI
FOMが動作中であるとマイクロプロセッサにマイクロ
プロセッサが読み出したデータは誤りデータであること
を示す割込信号が出力されるので、データの信頼性が低
下することはない。
【0009】また、電源断を検出する電源異常検出回路
と、FIFOM内の書き込み未完了データをEEPRO
Mに転送することができる時間だけ電源電圧を保持でき
る補助電源を設け、電源断の検出時に、FIFOM内の
書き込み未完了データをEEPROMに転送させること
ができるようにしたので、書き込まれたデータの消失が
防止される。
【0010】更に、FIFOMおよびEEPROMはそ
れぞれ複数個からなり、カウンタ回路からの制御信号に
基づいて、これらFIFOMおよびEEPROMを順次
繰り返して動作させるようにしたので、EEPROMに
対する書き込みデータが見かけ上小さくなり、FIFO
Mの容量を小さくできるため、電源断のときEEPRO
Mに転送すべきデータの量が小さくなり、補助電源の電
源電圧保持時間をより短くできる。
【0011】
【実施例】図1は本発明の不揮発性メモリ回路の一実施
例を示すブロック図である。図1において、1は不揮発
性メモリである書き込み専用のEEPROM、2は図示
しないマイクロプロセッサからのアドレスおよびデータ
を先入れ先出しで一時記憶しておくFIFOM(First
In First Out Memory )、3はEEPROM1に書き込
まれたデータを読み出すRAM、4は前記FIFOM
2,EEPROM1およびRAM3の書き込みと読み出
しタイミングを生成するカウンタ回路、5はEEPRO
M1が書き込み動作中であるか否かを検出し、書き込み
動作中であればマイクロプロセッサに割込信号を出力す
るEEPROM書き込み動作検出回路、6はマイクロプ
ロセッサの書き込みおよび読み出しタイミングと、この
回路内の書き込みおよび読み出しタイミングを調停する
タイミング調停回路、7は電源電圧を監視し、電圧断を
検出する電源異常検出回路、8はFIFOM2の書き込
み未完了データをEEPROM1に転送することができ
る時間だけ電源電圧を保持できる補助電源である。
【0012】この不揮発性メモリ回路の動作は次の通り
である。マイクロプロセッサからデータの書き込みを行
う場合は、マイクロプロセッサからのアドレスおよびデ
ータはタイミング調停回路6を通して一旦FIFOM2
に入力される。このとき、このタイミング調停回路6で
マイクロプロセッサからアドレスおよびデータの書き込
みタイミングと、FIFOM2に保持されたデータをE
EPROM1およびRAM3に書き込むタイミングがオ
ーバラップしないようにタイミング調停が行われる。そ
して、カウンタ回路4から図3に示すEEPROM1の
書き込みタイミングを満足する一定間隔のパルス信号a
およびbが、このFIFOM2およびEEPROM1に
出力され、このパルス信号aの始めのパルス信号a−f
によりFIFOM2の保持データのシフトが行われ、F
IFOM2に先に書き込まれたデータD−1がFIFO
M2から出力される。そしてパルス信号bの始めのパル
ス信号b−fにより、EEPROM1にこのFIFOM
2から出力されたデータD−1が書き込まれる。次に、
パルス信号aの次のパルス信号a−nで、RAM3にE
EPROM1に書き込まれたデータと同一のデータD−
1を書き込み、FIFOM2のアドレスおよびデータを
1個シフトする。以下同様にして、EEPROM1およ
びRAM3への書き込みが行われる。また、FIFOM
2が満杯になったときは、このFIFOM2から図示し
ない制御ラインを通してマイクロプロセッサに書き込み
を禁止する信号を出力し、書き込みを停止させる。
【0013】前記のEEPROM書き込み動作検出回路
5は、例えばマイクロプロセッサがデータを読み出すと
き、FIFOM2に保持されているアドレスとマイクロ
プロセッサが読み出したアドレスとを比較するアドレス
比較回路からなっており、FIFOM2に書き込まれて
いるアドレスとデータ読み出しアドレスを比較し、アド
レスが一致すれば書き込み中と判定し、マイクロプロセ
ッサに対して割込信号を出力する。この信号により、マ
イクロプロセッサが読み込んだデータが誤りのデータ
(古いデータ)であることを示す。また、アドレスが一
致しなければ読み出されたデータは正しいものであるの
で、割込信号は出力されない。従って、マイクロプロセ
ッサがデータの読み出しを行うときに、万一、EEPR
OMが書き込み動作中でっあてもデータの信頼性が低下
することはない。このとき、タイミング調停回路6によ
り、マイクロプロセッサの読み出しタイミングとデータ
の読み出し用のRAM3へのデータ書き込みタイミング
がオーバラップしないようにタイミングの調停が行われ
る。
【0014】また、電源異常検出回路7により電源断が
検出された場合は、マイクロプロセッサが電源断の処理
を行い、必要に応じてEEPROM1に対してデータを
書き込む。FIFOM2の書き込み未完了データは、補
助電源8による電源電圧保持期間中にEEPROM1に
書き込まれる。マイクロプロセッサが最後に書き込んだ
データを読み出して、割込信号が発生しないことでデー
タが正常に書き込まれたことを認識することができる。
ただし、電源断となった場合はデータの読み出し用のR
AM3のデータは失われるので、図示していないが電源
投入時などにEEPROM1の保持データを、このRA
M3に転送できるようにするバイパス回路を設ける。
【0015】図2は本発明の不揮発性メモリ回路の異な
る実施例を示すブロック図である。図2に示す実施例が
図1に示す実施例と異なるところは、図1のEEPRO
M1およびFIFOM2に変えて、それぞれ複数個のE
EPROM1−1,1−2,・・・1−nおよびFIF
OM2−1,2−2,・・・2−nを設け、これらにカ
ウンタ回路4からそれぞれパルス信号aの各パルスを順
次a1 〜an として、パルス信号bの各パルスを順次b
1 〜bn として繰り返して出力するようにした点にあ
る。
【0016】この不揮発性メモリ回路では、各EEPR
OM1−1,1−2,・・・1−nが順次繰り返して選
択されるようにアドレスを割り付けることによって、E
EPROMに対する書き込みデータが見かけ上小さくな
り、FIFOM2の容量を小さくすることができるた
め、電源断時にEEPROM1に転送すべきデータ量が
小さくなり、補助電源8の保持時間をより小さくできる
特徴がある。なお、その他の動作は図1に示す実施例と
同様である。
【0017】
【発明の効果】本発明の不揮発性メモリ回路は、EEP
ROMをデータ書き込み専用とし、データの読み出しは
RAMにて行うようにしたので、マイクロプロセッサか
らのデータの書き込みおよび読み出しを効率的に行うこ
とができ、高速のデータの書き込みおよび読み出しが可
能である。そして、マイクロプロセッサが読み出すと
き、万一、EEPROMが書き込み動作中はマイクロプ
ロセッサに読み出したデータが誤りデータであることを
示す割込信号が出力されるので、データの信頼性が低下
することはない。
【0018】また、電源断などにおいては、FIFOM
の書き込み未完了のデータを短時間でEEPROMに転
送させるため、電源電圧保持時間が小さな補助電源でも
データの消失を避けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の不揮発性メモリ回路の一実施例を示す
ブロック図
【図2】本発明の不揮発性メモリ回路の異なる実施例を
示すブロック図
【図3】図1のEEPROMの書き込み動作を示すタイ
ミングチャート
【図4】従来の不揮発性メモリ回路の一例を示すブロッ
ク図
【符号の説明】
1 EEPROM 2 FIFOM 3 RAM 4 カウンタ回路 5 EEPROM書き込み動作検出回路 6 タイミング調停回路 7 電源異常検出回路 8 補助電源

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】マイクロプロセッサからのアドレスおよび
    データを一時保持するFIFOMと、このFIFOMの
    保持データが書き込まれるEEPROMと、このEEP
    ROMに書き込まれたデータを読み出すRAMと、前記
    FIFOMに保持されたアドレスおよびデータを読み出
    し、前記EEPROMおよび前記RAMにこの読み出し
    データを書き込む制御信号を出力するカウンタ回路と、
    前記FIFOMへのアドレスおよびデータの書き込みタ
    イミングと前記FIFOMに保持されたデータの前記E
    EPROMおよび読み出しRAMへの書き込みタイミン
    グとの間がオーバラップしないように調停するタイミン
    グ調停回路と、マイクロプロセッサがデータを読み出す
    とき、前記FIFOMに保持されたデータを前記EEP
    ROMおよび前記RAMに書き込み中か否かを検出し、
    書き込み中であれば、マイクロプロセッサに割込信号を
    出力するEEPROM書き込み動作検出回路と、電源断
    のとき所定期間電圧を保持する補助電源と、電源断を検
    出し、前記カウンタ回路に前記FIFOMの前記EEP
    ROMに書き込み、未完了データを前記補助電源の電源
    電圧保持期間中にEEPROMに書き込ませる制御信号
    を出力する電源異常検出回路とからなることを特徴とす
    る不揮発性メモリ回路。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の不揮発性メモリ回路にお
    いて、EEPROM書き込み動作検出回路は、FIFO
    Mに保持されているアドレスとマイクロプロセッサが読
    み出したアドレスを比較し、アドレスが一致のときはF
    IFOMに保持されたデータをEEPROMに書き込み
    中と判定し、マイクロプロセッサに割込信号を出力する
    アドレス比較回路からなることを特徴とする不揮発性メ
    モリ回路。
  3. 【請求項3】請求項1あるいは2に記載の不揮発性メモ
    リ回路において、FIFOMおよびEEPROMをそれ
    ぞれ複数個設け、カウンタ回路からの制御信号に基づい
    て、これらFIFOMおよびEEPROMを順次繰り返
    して動作させたことを特徴とする不揮発性メモリ回路。
JP3892794A 1994-03-10 1994-03-10 不揮発性メモリ回路 Pending JPH07248977A (ja)

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JP3892794A JPH07248977A (ja) 1994-03-10 1994-03-10 不揮発性メモリ回路

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2749698A1 (fr) * 1996-06-07 1997-12-12 Inside Technologies Memoire remanente effacable et programmable electriquement, protegee contre les coupures d'alimentation
US6038190A (en) * 1996-06-07 2000-03-14 Inside Technologies Electrically erasable and programmable non-volatile memory protected against power supply failure
JP2014089763A (ja) * 2014-01-23 2014-05-15 Fujitsu Ltd データ処理装置
US8874278B2 (en) 2009-10-19 2014-10-28 Ricoh Company, Limited Power supply control device, image forming apparatus, and method of controlling power supply

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