JPH07243982A - Photo-mask inspecting device and inspecting method - Google Patents

Photo-mask inspecting device and inspecting method

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JPH07243982A
JPH07243982A JP3808394A JP3808394A JPH07243982A JP H07243982 A JPH07243982 A JP H07243982A JP 3808394 A JP3808394 A JP 3808394A JP 3808394 A JP3808394 A JP 3808394A JP H07243982 A JPH07243982 A JP H07243982A
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JP
Japan
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photomask
linearly polarized
light
cross
polarized light
Prior art date
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Application number
JP3808394A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiharu Ozaki
義治 尾崎
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Priority to US08/293,130 priority patent/US5548401A/en
Priority to KR1019940020772A priority patent/KR0136213B1/en
Publication of JPH07243982A publication Critical patent/JPH07243982A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide a photo-mask inspecting device and an inspecting method imaging the pattern of desired phase and transmittance by providing a measuring means of the phase, amplitude transmittance, and energy transmittance. CONSTITUTION:A linearly polarized beam passes through a contraction optical system 103, and it is split in two by a splitting means. One beam rotated 90 deg. in the beam polarization direction or the other unrotated beam passes through a photo-mask 109 to be inspected, then both beams are synthesized, and the change quantities of the transmittance and phase are obtained by an analyzer 113 and a light intensity detector 114.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、リソグラフィ技術に用
いるホトマスク平面内におけるパタンの、形状や厚さ方
向の構造欠陥を検査するホトマスクの検査装置と検査方
法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photomask inspecting apparatus and method for inspecting a structural defect in a shape or a thickness direction of a pattern in a photomask plane used for a lithography technique.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路等のパタンが微細化され
るにともなって、リソグラフィ技術に用いる縮小投影露
光装置の高解像化が図られている。そのための一方法と
して、通常用いられてきた、露光光を殆んどすべて吸収
してしまう程度の厚さのクロム膜をガラス基板に形成し
たのち、これをパタン化するホトマスクの代りに、透過
部を通過する光に位相差を与えるようにしたホトマスク
や、パタン部分にある程度の透過性と位相変化とを与え
るようにしたホトマスクを用いる技術が脚光を浴びてい
る。改良された前者の位相差を与えるホトマスクを用い
る技術は位相シフト技術といわれ、月刊「日経マイクロ
デバイス」1990年7月号の第103ページから第1
14ページや、特開昭58−173744号公報に開示
されている。また、パタン部分にある透過性と位相変化
とを与える改良された後者のホトマスクを用いる技術
は、第36回電子・イオン・ホトンビームの国際シンポ
ジウムにおけるJ4論文や、特開平4−136854号
公報および特開平4−162039号公報に開示されて
いる。
2. Description of the Related Art With the miniaturization of patterns of semiconductor integrated circuits and the like, high resolution of reduction projection exposure apparatuses used in lithography technology has been attempted. One way to do this is to form a chromium film on the glass substrate, which is usually used and has a thickness that absorbs almost all of the exposure light, and then replace it with a transparent mask instead of a photomask. A technique using a photomask which gives a phase difference to light passing through the photomask or a photomask which gives a pattern part a certain degree of transparency and phase change is in the spotlight. The technique of using a photomask that gives the improved former phase difference is called a phase shift technique, and it is from page 103 to page 1 of the monthly issue of Nikkei Microdevices, July 1990.
It is disclosed on page 14 and JP-A-58-173744. Further, the technique of using the latter photomask, which is improved to give the transparency and the phase change in the pattern portion, is described in the J4 paper at the 36th International Symposium on Electron / Ion / Photon Beam, JP-A-4-136854 and Japanese Patent Laid-Open No. It is disclosed in Kaihei 4-162039.

【0003】上記改良されたホトマスクを用いるこれら
の技術は、ホトマスクの各部からの光の干渉の結果とし
て得られる像面の光強度分布を改善する技術であり、上
記位相シフト技術を例に、通常のホトマスクを用いた場
合と対比させて説明する。図4(a)はライン/スペー
スパタンを通常のホトマスクを用いて結像させるときの
振幅分布を示している。点線は個々のスペースからの透
過光の振幅分布を示し、実線は干渉した結果としての振
幅分布を示している。光強度分布は実線で示した振幅分
布を自乗したものである。図4(b)は位相シフトホト
マスクを用いた場合の説明図である。斜線を施した部分
が遮光パタンで、中央の2つの遮光パタンの間に設けて
あるのが位相をシフトさせるためのパタンである。図4
(a)と同様に点線は個々のスペースからの透過光の振
幅分布を示し、実線は干渉した結果としての振幅分布を
示している。光強度分布は実線で示した振幅分布を自乗
したものである。図4(a)および(b)より明らかな
ように、通常のホトマスクでは隣り合う透過部からの回
折光が同位相で重ね合わされるため、遮光部の光強度は
0にならないが、位相シフトホトマスクでは、隣り合う
透過部からの回折光が逆位相で重ね合わされるため、遮
光部の光強度は0になる。この結果、位相シフトホトマ
スクでは像のコントラストを改善することができる。
These techniques using the improved photomask are techniques for improving the light intensity distribution on the image plane obtained as a result of the interference of light from various parts of the photomask. The description will be made in comparison with the case where the photomask of (1) is used. FIG. 4A shows an amplitude distribution when a line / space pattern is imaged using a normal photomask. The dotted line shows the amplitude distribution of the transmitted light from each space, and the solid line shows the amplitude distribution as a result of interference. The light intensity distribution is the square of the amplitude distribution shown by the solid line. FIG. 4B is an explanatory diagram when a phase shift photomask is used. The shaded portion is a light-shielding pattern, and the pattern provided between the two central light-shielding patterns is a pattern for shifting the phase. Figure 4
Similar to (a), the dotted line shows the amplitude distribution of the transmitted light from each space, and the solid line shows the amplitude distribution as a result of interference. The light intensity distribution is the square of the amplitude distribution shown by the solid line. As is apparent from FIGS. 4A and 4B, in the normal photomask, the diffracted light from the adjacent transmissive portions are superposed in the same phase, so that the light intensity of the light shielding portion does not become 0, but the phase shift photomask Then, since the diffracted lights from the adjacent transmission parts are superimposed in the opposite phase, the light intensity of the light shielding part becomes zero. As a result, the phase shift photomask can improve the image contrast.

【0004】ここで注意しなければならないのは、隣り
合う透過部からの光の位相差がπよりもずれればずれる
程、また、位相シフト部材の吸収に起因する位相シフト
部材を透過した光の振幅低下が大きい程、コントラスト
改善効果が減少するということである。さらに、位相を
シフトさせるためのパタンが、所望の位置に所望の形状
で形成されていないと、得られる筈のコントラスト改善
効果を得ることができない。
It should be noted here that the more the phase difference between the light from the adjacent transmitting portions deviates from π, the more the light transmitted through the phase shift member due to absorption of the phase shift member. That is, the greater the decrease in the amplitude of, the less the contrast improvement effect. Furthermore, unless the pattern for shifting the phase is formed in a desired shape at a desired position, the desired effect of improving the contrast cannot be obtained.

【0005】以上は位相シフトマスクを例として説明し
たが、ホトマスク各部の透過率とそこを光が通過するこ
とによって受ける位相変化量とが、所定の値からずれれ
ばずれるほどコントラスト改善効果が減少することは、
他の改良されたホトマスクに共通する現象である。ま
た、位相と透過率とを制御したパタンが所望の位置に所
望の形状で形成されていないと、得られる筈のコントラ
スト改善効果が得られないことも同様である。
Although the phase shift mask has been described above as an example, the contrast improving effect decreases as the transmittance of each part of the photomask and the amount of phase change received by light passing therethrough deviate from a predetermined value. What to do is
This is a phenomenon common to other improved photomasks. Similarly, if the pattern in which the phase and the transmittance are controlled is not formed at a desired position and in a desired shape, the expected effect of improving contrast cannot be obtained.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、改良さ
れたホトマスクでは、各部の透過光の位相と透過率の制
御が極めて重要である。また、ホトマスクの各パタン
が、制御された位置と透過率とで、所望の位置に所望の
形状で形成されていることが重要である。
As described above, in the improved photomask, it is extremely important to control the phase and transmittance of the transmitted light in each part. Further, it is important that each pattern of the photomask is formed in a desired shape at a desired position with a controlled position and transmittance.

【0007】ここで、位相や振幅透過率およびエネルギ
透過率は、ホトマスク製作に用いる各材料の屈折率と消
衰係数とが正確に判れば、各材料の厚さを制御すること
で制御できる。しかしながら、各材料の屈折率と消衰係
数とを正確に測定するのは困難な場合が多く、また、製
作の過程で各材料に不純物が混入して屈折率と消衰係数
とに誤差が発生したり、さらに、各材料の厚さには製作
公差が必ず付随する。したがって、一度製作したホトマ
スクについて各部の位相・振幅透過率・エネルギ透過率
を実測し、その結果を製作工程にフィードバックする作
業を繰り返し、所望のホトマスクを実現することにな
る。しかしながら、有効な位相・振幅透過率・エネルギ
透過率の実測手段がないという問題があった。また、ホ
トマスクの各パタンが、制御された位相と透過率とで、
所望の位置に所望の形状で形成されていることを確認す
るためには、着目する位相と透過率のパタンだけを像化
するか、あるいは着目する位相と透過率のパタンを強調
して像化すことが必要であるが、その技術がないという
問題があった。
Here, the phase, amplitude transmittance and energy transmittance can be controlled by controlling the thickness of each material if the refractive index and the extinction coefficient of each material used for manufacturing the photomask are accurately known. However, it is often difficult to accurately measure the refractive index and extinction coefficient of each material, and impurities are mixed into each material during the manufacturing process, resulting in an error in the refractive index and the extinction coefficient. In addition, manufacturing tolerances are always associated with the thickness of each material. Therefore, a desired photomask is realized by repeating the steps of actually measuring the phase, amplitude transmittance, and energy transmittance of each part of the manufactured photomask and feeding the results back to the manufacturing process. However, there is a problem that there is no effective means for measuring the phase / amplitude transmittance / energy transmittance. In addition, each pattern of the photomask has a controlled phase and transmittance,
In order to confirm that the pattern is formed in the desired shape at the desired position, only the phase and transmittance pattern of interest are imaged, or the phase and transmittance pattern of interest are emphasized and imaged. However, there was a problem that the technology was not available.

【0008】本発明の目的は、位相・振幅透過率・エネ
ルギ透過率の簡便で正確な実測手段を得て、着目する位
相と透過率のパタンだけを像化するか、これらのパタン
を強調して像化するホトマスクの検査装置と検査方法を
得ることである。
An object of the present invention is to obtain a simple and accurate measuring means for phase, amplitude transmittance and energy transmittance, and image only the phase and transmittance patterns of interest, or emphasize these patterns. It is to obtain a photomask inspection apparatus and an inspection method for forming an image.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的は、直線偏光の
ビームを発生する手段と、上記ビームの断面積を縮小す
る手段と、縮小されたビームを2分割する手段と、分割
された一方のビームの偏光方向を90度回転させる手段
と、上記いずれかの偏光方向のビーム中に検査対象ホト
マスクを設置し、かつ、上記ビームの進行を阻害せずに
上記ビームに垂直な平面内を移動するステージと、上記
90度回転した偏光方向のビームと他方の回転しない偏
光方向のビームとを合成する手段と、合成光の光路中に
設けた回転可能な検光子と光強度検出器とを備えること
により達成される。
The above object is to provide a means for generating a linearly polarized beam, a means for reducing the cross-sectional area of the beam, a means for dividing the reduced beam into two, and one of the divided beams. A means for rotating the polarization direction of the beam by 90 degrees and a photomask to be inspected are installed in the beam having any one of the polarization directions, and the photomask is moved in a plane perpendicular to the beam without hindering the progress of the beam. A stage, means for synthesizing the beam of the polarization direction rotated by 90 degrees and the other beam of the polarization direction which does not rotate, a rotatable analyzer and a light intensity detector provided in the optical path of the synthesized light. Achieved by

【0010】また、上記直線偏光のビームの断面積を縮
小する手段が、上記断面積を縮小または拡大し、かつ、
断面を所望の形状に整形する手段であり、上記2分割さ
れたビームは、上記断面積を縮小または拡大し、かつ、
断面を所望の形状に整形したビームであることにより、
さらに、上記ビーム断面を所望の形状に整形する手段
は、外部信号により透過率が制御できる物質からなるセ
ルを2次元配列したものとすることによって達成され
る。
The means for reducing the cross-sectional area of the linearly polarized beam reduces or increases the cross-sectional area, and
It is a means for shaping the cross-section into a desired shape, and the beam divided into two reduces or expands the cross-sectional area, and
By having a beam whose cross section is shaped into the desired shape,
Further, the means for shaping the beam cross section into a desired shape is achieved by arranging cells made of a substance whose transmittance can be controlled by an external signal in a two-dimensional array.

【0011】また、上記目的は、直線偏光のビームを2
つに分割し、第1の偏光方向を有する第1の直線偏光
と、上記第1の偏光方向と異なる第2の偏光方向を有す
る第2の直線偏光とに分け、上記第1または第2の直線
偏光のいずれか一方で検査対象マスク内の検査対象パタ
ンを照射し、上記検査対象マスクを透過した直線偏光と
透過しない他方の直線偏光とを重ね合わせて合成光と
し、該合成光から位相変化量とエネルギ透過率とを求め
るホトマスクの検査方法において、上記検査対象マスク
を移動して所定の位置に停止させ、上記合成光から位相
変化量とエネルギ透過率との測定を繰り返し行うことに
より達成され、また、上記合成光を第1または第2の直
線偏光の光路長を調節して直線偏光とし、検光子を特定
の角度に保持した状態で、上記検査対象マスクを連続的
に移動させることにより達成され、さらに、上記検査対
象マスク内の検査対象パタンの照射は、ビーム断面積を
縮小または拡大し、かつ、断面を所望の形状または検査
対象パタンの形状に整形したのち、2分割した一方の直
線偏光を、上記検査対象マスクを移動し所定の位置に停
止して照射することにより達成される。
Further, the above-mentioned object is to make a linearly polarized beam into two beams.
Into a first linearly polarized light having a first polarization direction and a second linearly polarized light having a second polarization direction different from the first polarization direction. The inspection target pattern in the inspection target mask is irradiated with one of the linearly polarized lights, and the linearly polarized light that has passed through the inspection target mask and the other linearly polarized light that does not pass through are combined to form combined light, and the phase change from the combined light In the method of inspecting a photomask for determining the amount and the energy transmittance, it is achieved by moving the mask to be inspected and stopping it at a predetermined position, and repeatedly measuring the amount of phase change and the energy transmittance from the combined light. In addition, the combined light is adjusted to the linearly polarized light by adjusting the optical path length of the first or the second linearly polarized light, and the mask to be inspected is continuously moved with the analyzer held at a specific angle. Yo Further, the irradiation of the inspection target pattern in the inspection target mask is performed by reducing or expanding the beam cross-sectional area and shaping the cross section into a desired shape or the shape of the inspection target pattern, and then dividing the beam into two. The linearly polarized light is achieved by moving the mask to be inspected, stopping it at a predetermined position, and irradiating it.

【0012】[0012]

【作用】本発明は、直線偏光を2分して異なる2つの光
路を通過させるとともに、進行方向に対して垂直な平面
内で互いに直交する偏光方向をもつ直線偏光とし、上記
2分した直線偏光のうち一方の直線偏光の光路中に検査
対象であるホトマスクを設置し、上記ホトマスクを通過
した直線偏光ともう一方のホトマスクを通過しない直線
偏光とを合成して合成光とするが、重ね合わされた上記
合成光は一般に楕円偏光になる。
According to the present invention, the linearly polarized light is divided into two parts to pass through two different optical paths, and linearly polarized lights having polarization directions orthogonal to each other in a plane perpendicular to the traveling direction are obtained. A photomask to be inspected is installed in the optical path of one of the linearly polarized lights, and the linearly polarized light that has passed through the above photomask and the linearly polarized light that does not pass through the other photomask are combined into a combined light, but they are superimposed. The combined light is generally elliptically polarized.

【0013】上記ホトマスク上の検査対象個所を通過し
た直線偏光と、上記ホトマスクを通過しない直線偏光と
が形成する楕円偏光の偏光状態を測定することにより、
上記検査対象個所の振幅透過率またはエネルギ透過率を
算出し、また、ホトマスク各部を光が通過することによ
る位相変化量を求めることができる。さらに、上記ホト
マスクを順次移動しながら上記測定を繰り返すことによ
って、位相と透過率との2次元分布を求めることができ
る。
By measuring the polarization state of the elliptically polarized light formed by the linearly polarized light that has passed through the inspection target portion on the photomask and the linearly polarized light that has not passed through the photomask,
It is possible to calculate the amplitude transmittance or the energy transmittance of the inspection target portion, and to obtain the phase change amount due to the light passing through each part of the photomask. Further, the two-dimensional distribution of the phase and the transmittance can be obtained by repeating the above measurement while sequentially moving the photomask.

【0014】[0014]

【実施例】つぎに本発明の実施例を図面とともに説明す
る。図1は本発明によるホトマスクの検査装置の第1実
施例を示す図、図2は本発明の第2実施例を示す図、図
3は本発明の第3実施例を示す図である。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. 1 is a diagram showing a first embodiment of a photomask inspection apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram showing a third embodiment of the present invention.

【0015】第1実施例 本発明の第1実施例を示す図1において、101は偏光
していない光を発生するレーザ、102は偏光子、10
3は縮小光学系、104はビームスプリッタである。上
記レーザ101と偏光子102とで直線偏光になったレ
ーザ光が縮小光学系103により断面積が小さいビーム
になり、ビームスプリッタ104で2つの光路に分割さ
れ、ビーム105とビーム106とになる。107aと
107bとは全反射ミラー、108は半波長板で、上記
ビーム105は偏光面を上記半波長板108によりビー
ム106と直交する方向に回転される。109は検査対
象のホトマスク、110はステージ、111はステージ
110の駆動回路で、上記ホトマスク109はステージ
110とその駆動回路111とにより、上記ビーム10
6に垂直な平面内を移動する。112はハーフミラー
で、ビーム105と検査対象ホトマスク109を通過し
たビーム106とを重ね合わせて合成光にする。113
は回転可能な検光子、114は光強度検出器で上記合成
光の光路上に設置する。115は上記検光子113や光
強度検出器114およびステージ110の制御用計算機
である。
First Embodiment In FIG. 1 showing a first embodiment of the present invention, 101 is a laser for generating unpolarized light, 102 is a polarizer, 10
3 is a reduction optical system, and 104 is a beam splitter. The laser light linearly polarized by the laser 101 and the polarizer 102 becomes a beam having a small cross-sectional area by the reduction optical system 103, and is split into two optical paths by the beam splitter 104 to become a beam 105 and a beam 106. 107a and 107b are total reflection mirrors, 108 is a half-wave plate, and the polarization plane of the beam 105 is rotated by the half-wave plate 108 in a direction orthogonal to the beam 106. Reference numeral 109 is a photomask to be inspected, 110 is a stage, 111 is a drive circuit for the stage 110, and the photomask 109 is the stage 110 and its drive circuit 111.
Move in a plane perpendicular to 6. Reference numeral 112 denotes a half mirror that superimposes the beam 105 and the beam 106 that has passed through the inspection target photomask 109 to form a combined light. 113
Is a rotatable analyzer, and 114 is a light intensity detector which is installed on the optical path of the combined light. Reference numeral 115 is a computer for controlling the analyzer 113, the light intensity detector 114, and the stage 110.

【0016】検査対象ホトマスク109を通過するビー
ム106の直線偏光方向をx方向、半波長板108を通
過した105の直線偏光方向をy方向とすれば、上記ビ
ーム106はハーフミラー112における位相遅れをδ
x、ビーム105の位相遅れをδyとするとき、x方向と
y方向とにおける直線偏光強度の時間変化関数Ex、Ey
はそれぞれつぎのようになる。
If the linear polarization direction of the beam 106 passing through the photomask 109 to be inspected is the x direction and the linear polarization direction of 105 passing through the half-wave plate 108 is the y direction, the beam 106 will have a phase delay in the half mirror 112. δ
x , and the phase delay of the beam 105 is δ y , the time-varying functions E x and E y of the linearly polarized light intensity in the x direction and the y direction
Are as follows:

【0017】[0017]

【数1】 [Equation 1]

【0018】[0018]

【数2】 [Equation 2]

【0019】ここで、ax、ayは上記Ex、Eyの振幅、
tは基準となる時刻から測った時間、ωは上記ビーム1
05と106の角振動数を示し、δx、δyはx方向、y
方向における直線偏光の初期位相を示す。上記検査対象
ホトマスクを通過したビーム106と上記半波長板10
8を通過したビーム105とを重ね合わせた合成光は
Where a x and a y are the amplitudes of the above E x and E y ,
t is the time measured from the reference time, and ω is the beam 1
The angular frequencies of 05 and 106 are shown. Δ x and δ y are in the x direction and y
3 shows the initial phase of linearly polarized light in the direction. The beam 106 that has passed through the photomask to be inspected and the half-wave plate 10
The combined light obtained by overlapping the beam 105 that has passed through 8 is

【0020】[0020]

【数3】 [Equation 3]

【0021】となる。ただし[0021] However

【0022】[0022]

【数4】 [Equation 4]

【0023】である。上記(3)式におけるax、ay
δはアプライド・オプチクス(Applied Optics)の第1
巻第3号(1962年)の第201頁に記載されている
方法により求めた。すなわち、図1に示すように検光子
113を光軸に垂直に設置し、上記光軸の回りで1/n
回転×n回=1回転させ(nは整数)、それぞれの検光
子の傾きにおける光強度検出器114の出力を読む。上
記検光子113のi回目の回転(i=1、2、3…n)
時における、上記検光子の方向が光軸に垂直な面内に想
定した基準となる方向に対し、(360°/n)×i=
αi(nは整数)の時の出力をIiとし、k0=(1/
n)ΣIi、k1=(2/n)ΣIicos2αi、k2=(2
/n)ΣIisin2αiから、k0、k1、k2をそれぞれ求
めると、δとaxはつぎの式から決定でき、ayも同様に
決定することができる。
It is A x , a y in the above formula (3),
δ is the first of Applied Optics
It was determined by the method described on page 201 of Volume 3 (1962). That is, as shown in FIG. 1, the analyzer 113 is installed perpendicularly to the optical axis, and 1 / n is provided around the optical axis.
Rotation × n times = 1 rotation (n is an integer), and the output of the light intensity detector 114 at each analyzer tilt is read. The i-th rotation of the analyzer 113 (i = 1, 2, 3, ... N)
At the time, the direction of the analyzer is (360 ° / n) × i = with respect to the reference direction assumed in the plane perpendicular to the optical axis.
The output when α i (n is an integer) is I i, and k 0 = (1 /
n) ΣI i , k 1 = (2 / n) ΣI i cos2α i , k 2 = (2
From / n) ΣI i sin2α i, the determined k 0, k 1, k 2, respectively, can be determined from the equation δ and a x Hatsugi, a y can also be determined similarly.

【0024】[0024]

【数5】 [Equation 5]

【0025】[0025]

【数6】 [Equation 6]

【0026】いま、上記検査対象ホトマスク109がス
テージ110に設置されていない場合のδ、ax
δ′、ax′と表わすと、上記ホトマスク109をビー
ム106が通過することによって生じる位相変化量Δδ
とエネルギ透過率Tは
Now, when δ, a x when the photomask 109 to be inspected is not installed on the stage 110 are expressed as δ ′, a x ′, the amount of phase change caused by the beam 106 passing through the photomask 109. Δδ
And energy transmittance T is

【0027】[0027]

【数7】 [Equation 7]

【0028】[0028]

【数8】 [Equation 8]

【0029】で求められる。したがって、ホトマスク1
09をステージ110に設置する前にδ′とax′とを
求めておき、その後、ホトマスク109をステージ11
0に設置するようにする。上記ホトマスク109の測定
出発個所となる部分がビーム106に重なるように、制
御用計算機115から駆動回路111に指令をだして上
記ステージ110を制御し、その位置で上記ステージ1
10を停止させる。その後δおよびaxを求め、(7)
式と(8)式とにより位相変化量Δδとエネルギ透過率
Tとを算出する。引続き、検査対象ホトマスク109の
つぎの測定を行うべき個所がビーム106に重なるよう
に、制御用計算機115から駆動回路111に指令をだ
しステージ110を制御して、その位置でステージ11
0を停止させる。そして、δおよびaxを求め(7)式
と(8)式により上記ΔδとTを算出する。上記手順を
繰り返すことによって、検査対象ホトマスク109の透
過率分布と位相変化量分布が求められる。上記ホトマス
ク109の設計上の透過率分布と位相変化量分布を、本
発明によって実際に得られた両分布と比較すれば、上記
ホトマスクの製作上の原因で発生した欠陥等が明らかに
なる。さらに、透過率または位相変化量の値に関して一
定の範囲を設け、上記範囲に含まれる測定値を示した部
分だけを表示すると、所望の位相または透過率のパタン
だけを像化することができる。
It is calculated by Therefore, the photomask 1
09 is set on the stage 110, δ ′ and a x ′ are obtained, and then the photomask 109 is set on the stage 11
Set it to 0. The control computer 115 issues a command to the drive circuit 111 to control the stage 110 so that the measurement starting portion of the photomask 109 overlaps the beam 106, and the stage 1 is controlled at that position.
Stop 10. After that, δ and a x are obtained, and (7)
The phase change amount Δδ and the energy transmittance T are calculated by the equation and the equation (8). Subsequently, the control computer 115 issues a command to the drive circuit 111 to control the stage 110 so that the position where the next measurement of the inspection target photomask 109 is to be performed overlaps the beam 106, and the stage 11 is controlled at that position.
Stop 0. Then, δ and a x are obtained and the above Δδ and T are calculated by the equations (7) and (8). By repeating the above procedure, the transmittance distribution and the phase change amount distribution of the inspection target photomask 109 are obtained. By comparing the designed transmittance distribution and the phase change amount distribution of the photomask 109 with the two distributions actually obtained by the present invention, defects and the like caused by the manufacturing of the photomask become clear. Further, if a certain range is provided for the value of the transmittance or the amount of phase change and only the portion showing the measured value included in the range is displayed, only the pattern of the desired phase or the transmittance can be imaged.

【0030】第2実施例 本発明の第2実施例を示す図2において、201は偏光
していない光を発生するレーザ、202は偏光子、20
3は縮小光学系、204はビームスプリッタである。上
記レーザ201と偏光子202とで直線偏光になったレ
ーザ光は、縮小光学系203により断面積が小さいビー
ムになり、上記ビームスプリッタ204で2つの光路に
分割され、ビーム205とビーム206とになる。20
7aと207bとは全反射ミラー、208は半波長板
で、上記ビーム205は半波長板208によって偏光面
をビーム206と直交する方向に回転させられる。20
9は検査対象ホトマスク、210はステージ、211は
上記ステージ210の駆動回路であって、上記ホトマス
ク209はステージ210とその駆動回路211とによ
り、ビーム206に垂直な平面内を移動する。212は
ハーフミラーで、上記ビーム205とビーム206とを
重ね合わせて合成光にする。213は回転可能な検光
子、214は光強度検出器で上記合成光の光路上に設置
する。215は検光子213、光強度検出器214やス
テージ210の制御用計算機である。ビーム205の光
軸に挿入された216は光路長調節装置である。ビーム
206の偏光方向をx方向とし、上記半波長板208を
通過したビーム205の偏光方向をyとすれば、第1実
施例の場合と同様に取り扱うことができる。いま、検査
対象ホトマスク209上の所望のパタンがビーム206
と重なる位置にくるようにステージ210を制御し、そ
の位置で停止させる。つぎに、上記検光子213と上記
光強度検出器214とを用いてax、ay、δを測定す
る。このとき、ax、ay、δが設計通りの値であれば、
正しく製作されているパタンであることがわかる。ビー
ム205のハーフミラー212における位相遅れδy
上記光路長調節装置216で調節し、(4)式のδが0
か2πになるようにする。この場合は(3)式から明ら
かなように、ビーム205とビーム206とがハーフミ
ラー212で重ね合わされた結果生じる偏光が直線偏光
になる。検光子213は重ね合わされて生じた直線偏光
の偏光方向に直交する方向に固定する。つぎにステージ
210を連続的に移動させる。すなわち、検査対象ホト
マスク209にもとづいて考えれば、ビーム206が上
記ホトマスク209上を走査することになる。正しく製
作された所望のパタンがビーム206の位置にきたとき
には、上記光強度検出器214に光が入射しないため
に、その出力は0になる。正しく製作されていない所望
のパタンや、所望していないパタンが上記ビーム206
の位置にきたときには、上記光強度検出器214に光が
入射して、その強度が検出される。したがって、上記光
強度検出器214の出力0の部分だけを表示すれば、正
しく製作された所望のパタンだけが像化される。設計段
階における所望パタンの形状と比較すると欠陥を検出す
ることができる。
Second Embodiment In FIG. 2 showing a second embodiment of the present invention, 201 is a laser for generating unpolarized light, 202 is a polarizer, 20
3 is a reduction optical system, and 204 is a beam splitter. The laser light linearly polarized by the laser 201 and the polarizer 202 becomes a beam having a small cross-sectional area by the reduction optical system 203, and is divided into two optical paths by the beam splitter 204 to be a beam 205 and a beam 206. Become. 20
Reference numerals 7a and 207b are total reflection mirrors, 208 is a half-wave plate, and the beam 205 is rotated by the half-wave plate 208 in the direction of polarization orthogonal to the beam 206. 20
9 is a photomask to be inspected, 210 is a stage, 211 is a drive circuit for the stage 210, and the photomask 209 is moved in a plane perpendicular to the beam 206 by the stage 210 and the drive circuit 211. Reference numeral 212 denotes a half mirror that superimposes the beam 205 and the beam 206 to form a combined light. 213 is a rotatable analyzer, and 214 is a light intensity detector, which is installed on the optical path of the combined light. Reference numeral 215 is a computer for controlling the analyzer 213, the light intensity detector 214 and the stage 210. Reference numeral 216 inserted in the optical axis of the beam 205 is an optical path length adjusting device. If the polarization direction of the beam 206 is the x direction and the polarization direction of the beam 205 that has passed through the half-wave plate 208 is y, it can be handled in the same manner as in the first embodiment. Now, the desired pattern on the inspection target photomask 209 is the beam 206.
The stage 210 is controlled so as to come to a position overlapping with, and stopped at that position. Next, to measure a x, a y, [delta] using the above analyzer 213 and the optical intensity detector 214. At this time, if a x , a y , and δ are values as designed,
You can see that it is a correctly manufactured pattern. The phase delay δ y of the beam 205 in the half mirror 212 is adjusted by the optical path length adjusting device 216, and δ in the equation (4) is 0.
Or 2π. In this case, as is clear from the equation (3), the polarization resulting from the beam 205 and the beam 206 being superposed on each other by the half mirror 212 becomes a linear polarization. The analyzer 213 is fixed in a direction orthogonal to the polarization direction of the linearly polarized light generated by overlapping. Next, the stage 210 is continuously moved. That is, considering the inspection target photomask 209, the beam 206 scans the photomask 209. When the desired pattern produced correctly comes to the position of the beam 206, its output becomes 0 because no light is incident on the light intensity detector 214. A desired pattern that is not manufactured correctly or an undesired pattern may be the beam 206.
When the position is reached, light is incident on the light intensity detector 214 and its intensity is detected. Therefore, by displaying only the portion of the output 0 of the light intensity detector 214, only the correctly manufactured desired pattern is imaged. Defects can be detected when compared with the shape of the desired pattern in the design stage.

【0031】第3実施例 本発明の第3実施例を示す図3において、301は偏光
した光を発するレーザ、302は拡大縮小光学系、30
3はビーム整形系、304はビームスプリッタである。
レーザ301から直線偏光となって出射するレーザ光は
拡大縮小光学系302で断面積の大きいビームになり、
ビーム整形系303でその断面形状を矩形に整形され、
ビームスプリッタ304でビーム305とビーム306
の2つに分割される。307aと307bとは全反射ミ
ラー、308は半波長板で、上記ビーム305は半波長
板308で偏光面をビーム306と直交する方向に回転
される。309は検査対象ホトマスク、310はステー
ジ、311は上記ステージ310の駆動装置であり、上
記ホトマスク309はステージ310とその駆動装置3
11とにより、ビーム306に垂直な平面内を移動す
る。312はハーフミラーで、上記検査対象ホトマスク
309を通過したビーム306と半波長板308を通過
したビーム305とを、重ね合わせて合成光にする。3
13は回転可能な検光子、314は光強度検出器で、上
記合成光の光路上に設置する。315は検光子313、
光強度検出器314やステージ310の制御用計算機で
ある。
Third Embodiment In FIG. 3 showing a third embodiment of the present invention, 301 is a laser which emits polarized light, 302 is a scaling optical system, and 30
3 is a beam shaping system, and 304 is a beam splitter.
The laser light emitted as linearly polarized light from the laser 301 becomes a beam with a large cross-sectional area by the expansion / contraction optical system 302,
The beam shaping system 303 shapes the cross-sectional shape into a rectangle,
Beam 305 and beam 306 at beam splitter 304
It is divided into two. 307a and 307b are total reflection mirrors, 308 is a half-wave plate, and the beam 305 is rotated by the half-wave plate 308 in a direction orthogonal to the beam 306. Reference numeral 309 is a photomask to be inspected, 310 is a stage, 311 is a drive device for the stage 310, and the photomask 309 is the stage 310 and its drive device 3.
11 moves in a plane perpendicular to the beam 306. Reference numeral 312 denotes a half mirror that superimposes the beam 306 that has passed through the inspection target photomask 309 and the beam 305 that has passed through the half-wave plate 308 into combined light. Three
Reference numeral 13 denotes a rotatable analyzer, 314 denotes a light intensity detector, which is installed on the optical path of the combined light. 315 is an analyzer 313,
It is a computer for controlling the light intensity detector 314 and the stage 310.

【0032】ビーム306の偏光方向をx方向とし半波
長板308を通過したビーム305の偏光方向をyとす
ると、第1実施例と同様に取り扱うことができる。した
がって、検査対象ホトマスク309をステージ310に
設置する前に前記したδ′とax′とを求めておく。こ
こで、ax′はビーム306の断面積に依存するため、
単位断面積当りの量として制御用計算機315に記憶さ
せておき、つぎに上記ホトマスク309をステージ31
0に設置する。上記ホトマスク309の測定出発個所と
なる部分がビーム306に重なるように、制御計算機3
15から駆動回路311に指令をだしてステージ310
を制御し、その位置で上記ステージ310を停止させ
る。この時、ビーム306と重なっている所望のパタン
の形状は上記制御用計算機315で把握できるので、ビ
ーム整形系303を同じく上記制御用計算機315で制
御して同一形状の断面を有するビームにする。その後、
前記δとaxを求め、axについては単位断面積当りの量
を計算する。これらをもとに(7)式と(8)式を用い
て位相変化量Δδとエネルギ透過率Tとを算出する。引
続き、検査対象ホトマスク309のつぎの測定を行うべ
き個所がビーム306に重なるように、制御用計算機3
15から駆動回路311に指令を出してステージ310
を制御し、その位置で上記ステージ310を停止させ
る。そして、ビーム306に重なっている所望のパタン
と、ビーム306の断面形状が一致するようにビーム整
形系303を制御し、δおよびaxを求め、axについて
は単位断面積当りの量を計算する。つぎに(7)式と
(8)式とで上記同様ΔδとTを算出する。上記手順を
繰り返すことによって上記ホトマスク309の透過率分
布と位相変化量分布が求められる。検査対象ホトマスク
309の設計上の透過率分布と位相変化量分布とを、本
発明で実際に得られた両分布と比較すれば、上記ホトマ
スク309の製作上の原因で発生した欠陥等が明らかに
なる。さらに、透過率または位相変化量の値に対して一
定の範囲を設け、上記範囲内に含まれる測定値を示した
部分だけを表示すると、着目した位相または透過率のパ
タンだけを像化することができる。
If the polarization direction of the beam 306 is x and the polarization direction of the beam 305 that has passed through the half-wave plate 308 is y, it can be handled in the same manner as in the first embodiment. Therefore, before the inspection target photomask 309 is installed on the stage 310, the aforementioned δ ′ and a x ′ are obtained. Here, since a x ′ depends on the cross-sectional area of the beam 306,
The amount per unit cross-sectional area is stored in the control computer 315, and then the photomask 309 is attached to the stage 31.
Set to 0. The control computer 3 is arranged so that the measurement starting portion of the photomask 309 overlaps the beam 306.
15 issues a command to the drive circuit 311 to output the stage 310
Is controlled, and the stage 310 is stopped at that position. At this time, since the shape of the desired pattern overlapping the beam 306 can be grasped by the control computer 315, the beam shaping system 303 is also controlled by the control computer 315 to form a beam having the same cross section. afterwards,
The above δ and a x are obtained, and the amount per unit cross-sectional area is calculated for a x . Based on these, the phase change amount Δδ and the energy transmittance T are calculated using the equations (7) and (8). Subsequently, the control computer 3 is controlled so that the portion of the photomask to be inspected 309 to be measured next overlaps the beam 306.
15 issues a command to the drive circuit 311 to output the stage 310.
Is controlled, and the stage 310 is stopped at that position. Then, the beam shaping system 303 is controlled so that the desired pattern overlapping the beam 306 and the cross-sectional shape of the beam 306 match, and δ and a x are obtained, and the amount per unit cross-sectional area is calculated for a x. To do. Next, using equations (7) and (8), Δδ and T are calculated in the same manner as above. By repeating the above procedure, the transmittance distribution and the phase change amount distribution of the photomask 309 are obtained. Comparing the designed transmittance distribution and the phase change amount distribution of the inspection target photomask 309 with both distributions actually obtained by the present invention, the defects and the like caused by the manufacturing of the photomask 309 are clarified. Become. Furthermore, if a certain range is set for the value of the transmittance or the amount of phase change, and only the part showing the measured value included in the above range is displayed, only the phase or transmittance pattern of interest is imaged. You can

【0033】なお、第3実施例ではビーム整形系が矩形
断面のビームを生成するものとして説明したが、上記ビ
ーム306と重なっている所望のパタンが矩形でない場
合には、上記所望のパタンを矩形に分割すればよい。あ
るいはビーム整形系303を、液晶等のセルを2次元面
内に配列し、外部からの信号により個々のセルの透過率
が変化させられる構成にすれば、所望のパタンの形状に
一致したビーム306の断面形状を実現することができ
る。
In the third embodiment, the beam shaping system has been described as generating a beam having a rectangular cross section. However, if the desired pattern overlapping the beam 306 is not rectangular, the desired pattern is rectangular. You can divide it into Alternatively, if the beam shaping system 303 is configured such that cells such as liquid crystals are arranged in a two-dimensional plane and the transmittance of each cell is changed by a signal from the outside, the beam 306 that matches the shape of a desired pattern is obtained. The cross-sectional shape of can be realized.

【0034】[0034]

【発明の効果】上記のように本発明によるホトマスクの
検査装置と検査方法は、直線偏光のビームを発生する手
段と、上記ビームの断面積を縮小する手段と、縮小され
たビームを2分割する手段と、分割された一方のビーム
の偏光方向を90度回転させる手段と、上記いずれかの
偏光方向のビーム中に検査対象ホトマスクを設置し、か
つ、上記ビームの進行を阻害せずに上記ビームに垂直な
平面内を移動するステージと、上記90度回転した偏光
方向のビームと他方の回転しない偏光方向のビームとを
合成する手段と、合成光の光路中に設けた回転可能な検
光子と光強度検出器とを備えることにより、ホトマスク
各部の透過率と位相変化量を簡便かつ正確に求めること
ができる。また、特定のパタンだけを像化したり、特定
のパタンを強調した像が得られるため、特定パタンの形
状検査も行うことができる。さらに測定したパタンの厚
さが既知であれば、得られた透過率と位相変化量とか
ら、屈折率や吸収係数あるいは消衰係数を求めることが
できる。
As described above, the photomask inspecting apparatus and method according to the present invention divides the reduced beam into two, a unit for generating a linearly polarized beam, a unit for reducing the cross-sectional area of the beam. Means, a means for rotating the polarization direction of one of the divided beams by 90 degrees, and a photomask to be inspected in the beam having one of the polarization directions, and the beam without impeding the progress of the beam. A stage moving in a plane perpendicular to the plane, means for synthesizing the beam of the polarization direction rotated by 90 degrees and the other beam of the polarization direction not rotating, and a rotatable analyzer provided in the optical path of the synthesized light. By including the light intensity detector, the transmittance and the phase change amount of each part of the photomask can be easily and accurately obtained. Further, since only a specific pattern is imaged or an image in which the specific pattern is emphasized is obtained, the shape inspection of the specific pattern can be performed. Further, if the measured thickness of the pattern is known, the refractive index, the absorption coefficient, or the extinction coefficient can be obtained from the obtained transmittance and the amount of phase change.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明によるホトマスクの検査装置の第1実施
例を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of a photomask inspection apparatus according to the present invention.

【図2】本発明によるホトマスクの検査装置の第2実施
例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of the photomask inspection apparatus according to the present invention.

【図3】本発明によるホトマスクの検査装置の第3実施
例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a third embodiment of the photomask inspection apparatus according to the present invention.

【図4】位相シフト技術を用いた場合と通常のホトマス
クを用いた場合とを比較説明する図で、(a)は通常の
ホトマスクを用いて結像させるときの振幅分布を示す
図、(b)は位相シフトホトマスクを用いた場合の振幅
分布を示す図である。
4A and 4B are diagrams for comparing and explaining a case using a phase shift technique and a case using a normal photomask, FIG. 4A is a diagram showing an amplitude distribution when an image is formed using a normal photomask, and FIG. FIG. 8B is a diagram showing an amplitude distribution when a phase shift photomask is used.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101、201 偏光してない光を発するレーザ 102、202 偏光子 103、203 縮小光学系 104、204、304 ビームスプリッタ 108、208、308 半波長板 109、209、309 検査対象ホトマスク 110、210、310 ステージ 112、212、312 ハーフミラー 113、213、313 検光子 114、214、314 光強度検出器 216 光路長調節装置 301 偏光した光を発するレーザ 302 拡大縮小光学系 303 ビーム整形系 101, 201 Laser which emits unpolarized light 102, 202 Polarizer 103, 203 Reduction optical system 104, 204, 304 Beam splitter 108, 208, 308 Half-wave plate 109, 209, 309 Photomask to be inspected 110, 210, 310 Stage 112, 212, 312 Half mirror 113, 213, 313 Analyzer 114, 214, 314 Light intensity detector 216 Optical path length adjusting device 301 Laser emitting polarized light 302 Enlargement / reduction optical system 303 Beam shaping system

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/66 J 7630−4M C 7630−4M Continuation of front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI technical display location H01L 21/66 J 7630-4M C 7630-4M

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】直線偏光のビームを発生する手段と、上記
ビームの断面積を縮小する手段と、縮小されたビームを
2分割する手段と、分割された一方のビームの偏光方向
を90度回転させる手段と、上記いずれかの偏光方向の
ビーム中に検査対象ホトマスクを設置し、かつ、上記ビ
ームの進行を阻害せずに上記ビームに垂直な平面内を移
動するステージと、上記90度回転した偏光方向のビー
ムと他方の回転しない偏光方向のビームとを合成する手
段と、合成光の光路中に設けた回転可能な検光子と光強
度検出器とを備えたホトマスクの検査装置。
1. A means for generating a linearly polarized beam, a means for reducing the cross-sectional area of the beam, a means for dividing the reduced beam into two, and a polarization direction of one of the divided beams being rotated by 90 degrees. Means, a photomask to be inspected in a beam of any one of the polarization directions, a stage that moves in a plane perpendicular to the beam without hindering the progress of the beam, and the stage rotated by 90 degrees. An inspection device for a photomask, comprising: a means for combining a beam in a polarization direction and the other beam in a non-rotating polarization direction; a rotatable analyzer provided in the optical path of the combined light; and a light intensity detector.
【請求項2】上記直線偏光のビームの断面積を縮小する
手段は、上記断面積を縮小または拡大し、かつ、断面を
所望の形状に整形する手段であり、2分割されたビーム
は、上記断面積を縮小または拡大し、かつ、断面を所望
の形状に整形したビームであることを特徴とする請求項
1記載のホトマスクの検査装置。
2. A means for reducing the cross-sectional area of the linearly polarized beam is a means for reducing or expanding the cross-sectional area and shaping the cross-section into a desired shape. The photomask inspection apparatus according to claim 1, wherein the beam is a beam whose cross-sectional area is reduced or expanded and whose cross-section is shaped into a desired shape.
【請求項3】上記直線偏光のビームの断面を所望の形状
に整形する手段は、外部からの信号により透過率が制御
できる物質からなるセルを、2次元配列したものである
ことを特徴とする請求項2記載のホトマスクの検査装
置。
3. The means for shaping the cross section of a linearly polarized beam into a desired shape is a two-dimensional array of cells made of a substance whose transmittance can be controlled by a signal from the outside. The photomask inspection apparatus according to claim 2.
【請求項4】直線偏光のビームを2つに分割し、第1の
偏光方向を有する第1の直線偏光と、上記第1の偏光方
向と異なる第2の偏光方向を有する第2の直線偏光とに
分け、上記第1または第2の直線偏光のいずれか一方で
検査対象マスク内の検査対象パタンを照射し、上記検査
対象マスクを透過した直線偏光と透過しない他方の直線
偏光とを重ね合わせて合成光とし、該合成光から位相変
化量とエネルギ透過率とを求めるホトマスクの検査方法
において、上記検査対象マスクを移動して所定の位置に
停止させ、上記合成光から位相変化量とエネルギ透過率
との測定を繰り返し行うことを特徴とするホトマスクの
検査方法。
4. A linearly polarized beam is divided into two, a first linearly polarized light having a first polarization direction and a second linearly polarized light having a second polarization direction different from the first polarization direction. And irradiating the inspection target pattern in the inspection target mask with either the first or second linearly polarized light, and superimposing the linearly polarized light that has passed through the inspection target mask and the other linearly polarized light that does not pass through the inspection target mask. In the method of inspecting the photomask for obtaining the combined light and the phase change amount and the energy transmittance from the combined light, the mask to be inspected is moved and stopped at a predetermined position, and the phase change amount and the energy transmission from the combined light. A method for inspecting a photomask, which is characterized in that the measurement with the rate is repeated.
【請求項5】上記合成光は、上記第1または第2の直線
偏光の光路長を調節して直線偏光とし、検光子を特定の
角度に保持した状態で、上記検査対象マスクを連続的に
移動させることを特徴とする請求項4記載のホトマスク
の検査方法。
5. The combined light is adjusted to the linearly polarized light by adjusting the optical path length of the first or second linearly polarized light, and the mask to be inspected is continuously irradiated with the analyzer held at a specific angle. The photomask inspection method according to claim 4, wherein the photomask is moved.
【請求項6】上記検査対象マスク内の検査対象パタンの
照射は、直線偏光のビーム断面積を縮小または拡大し、
かつ、断面を所望の形状または検査対象パタンの形状に
整形したのち2分割した一方の直線偏光を、上記検査対
象マスクを移動し所定の位置に停止して照射することを
特徴とする請求項4記載のホトマスクの検査方法。
6. The irradiation of the inspection target pattern in the inspection target mask reduces or expands the beam cross-sectional area of linearly polarized light,
5. The linearly polarized light of which the cross section is shaped into a desired shape or the shape of a pattern to be inspected, and which is then divided into two linearly polarized lights is irradiated while stopping the mask to be inspected at a predetermined position. Inspection method of the described photomask.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005148320A (en) * 2003-11-13 2005-06-09 Htl:Kk Method for generating reference image and inspection apparatus for phase shift photomask
KR100791005B1 (en) * 2006-12-01 2008-01-04 삼성전자주식회사 Equipment and method for transmittance measurement of photomask under off axis illumination

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