JPH07238365A - Thin film forming device - Google Patents

Thin film forming device

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Publication number
JPH07238365A
JPH07238365A JP3061694A JP3061694A JPH07238365A JP H07238365 A JPH07238365 A JP H07238365A JP 3061694 A JP3061694 A JP 3061694A JP 3061694 A JP3061694 A JP 3061694A JP H07238365 A JPH07238365 A JP H07238365A
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JP
Japan
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thin film
support
substrate
film forming
forming apparatus
Prior art date
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Pending
Application number
JP3061694A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Noriyuki Kitaori
典之 北折
Osamu Yoshida
修 吉田
Hirohide Mizunoya
博英 水野谷
Shigemi Wakabayashi
繁美 若林
Akira Shiga
章 志賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kao Corp
Original Assignee
Kao Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To prevent a substrate from being charged and excellently form a thin film on the substrate by depositing the particle vaporized by the irradiation with a beam on the substrate and arranging a conductive protruding member close to the substrate. CONSTITUTION:A substrate 3 consisting of a long-sized nonconductive film laid over between a feed roll 2a and a winding roll 2b is traveled along a cooling-can roll 1 in a vacuum vessel 9. Meanwhile, a vapor-deposition material 7 such as a magnetic alloy in a crucible 6 is irradiated with an electron beam from an electron gun 8 to vaporize off the particles. The particle is allowed to react with oxygen supplied from an inlet pipe 5, and the formed metal oxide is deposited on the substrate 3 to form a thin film. In this case, a conductive protrusion 10 of Cu, etc., is integrally formed on the shielding sheets 4a, 4b and 4d arranged close to the substrate 3 and grounded. Consequently, the scattered electron is trapped with the protrusion 10 and not accumulated on the substrate 3.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば金属膜(磁性膜
および/またはバックコート膜)が非磁性の支持体上に
設けられた磁気記録媒体を製造するに際して用いられる
装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus used for manufacturing a magnetic recording medium having a metal film (magnetic film and / or back coat film) provided on a non-magnetic support.

【0002】[0002]

【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
BACKGROUND OF THE INVENTION In a magnetic recording medium such as a magnetic tape, due to a demand for high density recording, a binder resin is not used as a magnetic layer provided on a non-magnetic support, instead of a coating type using a binder resin. It is well known that a metal thin film type that is not used has been proposed.

【0003】すなわち、無電解メッキといった湿式メッ
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性層を構成
した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の
磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密
度記録に適したものである。特に、電子ビームを照射し
て蒸発・付着させる手段により磁性膜を構成する手段
は、スパッタリングによる場合よりも成膜速度が速いこ
とから好ましいものであると言われている。
That is, there has been proposed a magnetic recording medium having a magnetic layer formed by a wet plating means such as electroless plating, or a dry plating means such as vacuum deposition, sputtering or ion plating. Since the magnetic recording medium of this type has a high packing density of magnetic material, it is suitable for high-density recording. In particular, a means for forming a magnetic film by means of irradiating with an electron beam to evaporate and adhere is said to be preferable because the film forming rate is faster than that by sputtering.

【0004】このような蒸着手段による磁気記録媒体の
製造装置は、図2に示す如く構成されているものが一般
的である。尚、図2中、31は冷却キャンロール、32
aはポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム3
3の供給側ロール、32bはPETフィルム33の巻取
側ロール、34は遮蔽板、35はルツボ、36は磁性合
金、37は真空容器である。
An apparatus for manufacturing a magnetic recording medium by such a vapor deposition means is generally constructed as shown in FIG. In FIG. 2, 31 is a cooling can roll, 32 is
a is polyethylene terephthalate (PET) film 3
3 is a supply side roll, 32b is a PET film 33 winding side roll, 34 is a shielding plate, 35 is a crucible, 36 is a magnetic alloy, and 37 is a vacuum container.

【0005】そして、真空容器37内を所定の真空度と
なるように排気した後、電子銃38を作動させてルツボ
35内の磁性合金36を加熱・蒸発させ、PETフィル
ム33に対して磁性合金36を堆積(蒸着)させること
によって磁気記録媒体が製造されている。ところで、電
子銃38から発射されるビームは電子銃から遠ざかるに
つれて散乱し、この散乱電子がPETフィルム33に付
着し、電子の帯電によってPETフィルム33の走行性
が低下し(乱れ)、酷い場合にはPETフィルム33が
冷却キャンロール31に貼り付いてしまい、走行できな
くなることも有る。
Then, after evacuating the inside of the vacuum container 37 to a predetermined degree of vacuum, the electron gun 38 is operated to heat and evaporate the magnetic alloy 36 in the crucible 35, and the magnetic alloy is applied to the PET film 33. A magnetic recording medium is manufactured by depositing 36. By the way, the beam emitted from the electron gun 38 is scattered as it goes away from the electron gun, and the scattered electrons are attached to the PET film 33, and the traveling property of the PET film 33 is deteriorated (disturbed) by the electrification of the electrons, and in a severe case. In some cases, the PET film 33 sticks to the cooling can roll 31 and cannot run.

【0006】[0006]

【発明の開示】上記問題点についての検討が本発明者に
よって鋭意押し進められて行くうちに、電子は導電性の
突起部に集中し易い性質があることに気付き、真空容器
内部に尖突を構成しておけば、散乱電子はこれに優先的
に集まり、PETフィルムに帯電し難くなるのではない
かとの啓示を得るに至った。
DISCLOSURE OF THE INVENTION While the inventors of the present invention intensively studied the above-mentioned problems, they found that electrons tend to concentrate on conductive protrusions, and a sharp protrusion was formed inside the vacuum container. If this is done, scattered electrons will preferentially collect on this, leading to the revelation that it will become difficult to charge the PET film.

【0007】すなわち、電子銃より目標位置に向けて照
射されるビームからPETフィルム側の位置において導
電性の尖った突起部を構成しておけば、散乱電子はPE
Tフィルムにあたる前に前記突起部に優先的に引き寄せ
られる(集束する)ようになり、PETフィルムの帯電
が改善され、帯電によるPETフィルムの走行性の低下
は起きず、走行する支持体上に薄膜が綺麗に形成される
であろうとの啓示を得たのである。
That is, if a conductive pointed projection is formed at the position on the PET film side from the beam emitted from the electron gun toward the target position, the scattered electrons are PE.
Before hitting the T film, the projections are preferentially drawn (focused) to the projections, the charge of the PET film is improved, the running property of the PET film does not deteriorate due to charging, and the thin film is formed on the running support. I got the revelation that would be beautifully formed.

【0008】本発明は上記の知見を基にして達成された
ものであり、薄膜(例えば金属磁性膜)が良好に形成さ
れる技術を提供することを目的とする。この本発明の目
的は、ビーム照射手段と、このビーム照射手段からビー
ムが照射され、蒸発した粒子が堆積する支持体と、導電
性の突起部材とを具備することを特徴とする薄膜形成装
置によって達成される。
The present invention has been achieved based on the above findings, and an object of the present invention is to provide a technique by which a thin film (for example, a metal magnetic film) is favorably formed. An object of the present invention is to provide a thin film forming apparatus comprising: a beam irradiation unit, a support on which a beam is irradiated from the beam irradiation unit and vaporized particles are deposited, and a conductive protrusion member. To be achieved.

【0009】又、電子ビーム照射手段と、この電子ビー
ム照射手段から電子ビームが照射され、蒸発した粒子が
堆積する支持体と、導電性の突起部材とを具備してな
り、前記電子ビーム照射手段から目標位置に向けて照射
される電子ビームによる散乱電子が前記突起部材によっ
て捕捉されるよう構成されてなることを特徴とする薄膜
形成装置によって達成される。
The electron beam irradiating means comprises an electron beam irradiating means, a support on which electron beams are radiated from the electron beam irradiating means and vaporized particles are deposited, and a conductive projection member. From the above, it is achieved by a thin film forming apparatus characterized in that scattered electrons by an electron beam irradiated toward a target position are captured by the projecting member.

【0010】尚、上記の突起部材にはアースが施されて
なることが好ましい。すなわち、このように構成させて
おけば、電子を直ちに逃がすことが出来、帯電と言った
ことを効果的に防止できる。ところで、薄膜形成装置に
は、通常、蒸発した粒子が堆積させたい支持体以外の部
分に付着して汚染することを防止する為、遮蔽部材が配
設されている。この遮蔽部材は、通常、蒸発した粒子が
堆積する支持体の近傍の位置に配設されていることが多
い。勿論、これら以外の部分にも設けられていることも
有る。しかしながら、蒸発源と堆積させたい支持体との
間の位置に少なくとも一つの遮蔽部材が設けられている
ことから、このような遮蔽部材の表面に尖った突起部を
構成させておけば、余分な部材を格別に要するものでな
いから好都合である。特に、支持体の近傍の位置に配設
されている遮蔽部材の表面に突起部(特に、散乱電子が
支持体側に飛散して来る方向に向けて設けられた突起
部)を構成させておけば、支持体に付く散乱電子の数は
一層少なくなり、電子の帯電による支持体の走行性の低
下は起きず、走行する支持体上に薄膜が綺麗に形成され
る。
It is preferable that the above-mentioned projection member is grounded. That is, with this structure, electrons can be immediately released, and what is called charging can be effectively prevented. By the way, the thin film forming apparatus is usually provided with a shielding member in order to prevent the evaporated particles from adhering to and contaminating a portion other than the support to be deposited. The shielding member is usually arranged at a position near the support on which the evaporated particles are accumulated. Of course, it may be provided in a portion other than these. However, since at least one shielding member is provided at a position between the evaporation source and the support to be deposited, if a sharp protrusion is formed on the surface of such a shielding member, it is unnecessary It is convenient because it does not require any special member. In particular, if the projections (particularly the projections provided in the direction in which scattered electrons are scattered toward the support) are formed on the surface of the shielding member arranged in the vicinity of the support, The number of scattered electrons attached to the support is further reduced, the mobility of the support does not deteriorate due to the charging of electrons, and a thin film is formed neatly on the running support.

【0011】尚、これら遮蔽部材や突起部材は、例えば
Ag,Cu,Au,Pt,Al,Rh等の導電材料で一
体的に構成しても良く、別材料で構成された突起部材を
平板状の遮蔽部材に植設するようにしても良い。そし
て、本発明の薄膜形成装置にあっては、供給手段と巻取
手段との間に支持体が設けられ、冷却ロールに添接され
て走行する支持体に、ビーム照射手段によって蒸発した
粒子が堆積するよう構成されてなるものが一般的であ
り、このようなタイプのものである場合に特長が大きく
奏される。特に、支持体が長尺状の非導電性フィルムで
ある場合に特長が大きく奏される。
The shielding member and the protruding member may be integrally formed of a conductive material such as Ag, Cu, Au, Pt, Al, and Rh. You may make it plant in the shielding member. Then, in the thin film forming apparatus of the present invention, a support is provided between the supplying means and the winding means, and the particles evaporated by the beam irradiating means are applied to the support running while being in contact with the cooling roll. It is generally configured to be deposited, and the features are greatly exhibited in the case of such a type. In particular, when the support is a long non-conductive film, the features are greatly exhibited.

【0012】上記のように構成させてなる薄膜形成装置
によれば、薄膜形成作業に際して、目標位置に向けて照
射される電子ビームによる散乱電子を突起部材に優先的
に捕捉させることが出来、真空容器、すなわち薄膜形成
装置の内部に電子が飛散し、絶縁性の支持体に電子が付
着・帯電する現象は大幅になくなる。よって、電子の帯
電(静電気)による支持体の走行性の低下が起きず、走
行する支持体上に薄膜が綺麗に形成されるようになる。
According to the thin film forming apparatus configured as described above, it is possible to preferentially capture the scattered electrons by the electron beam irradiated toward the target position on the protruding member during the thin film forming operation, and to obtain a vacuum. Electrons are scattered inside the container, that is, the inside of the thin film forming apparatus, and the phenomenon that the electrons adhere to and are charged on the insulating support is largely eliminated. Therefore, the runnability of the support does not decrease due to the electrification (electrostatic charge) of electrons, and the thin film can be formed neatly on the running support.

【0013】[0013]

【実施例】図1は、本発明の薄膜形成装置の一実施例を
示す概略図である。同図中、1は冷却キャンロール、2
aは非磁性で絶縁性の支持体(例えば、PET等のポリ
エステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、
ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の
樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といっ
た高分子材料)3の供給側ロール、2bは支持体3の巻
取側ロール、4a,4b,4c,4dは遮蔽板、5は酸
素ガス導入管、6はルツボ、7はルツボ6に入れられて
いる磁性合金(例えば、Fe,Co,Ni等の金属の他
に、Co−Ni合金、Co−Pt合金、Co−Ni−P
t合金、Fe−Co合金、Fe−Ni合金、Fe−Co
−Ni合金、Fe−Co−B合金、Co−Ni−Fe−
B合金、Co−Cr合金、あるいはこれらにAl等の金
属を含有させたもの等)、8は電子銃、9は真空容器で
ある。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a schematic view showing an embodiment of the thin film forming apparatus of the present invention. In the figure, 1 is a cooling can roll, 2
a is a non-magnetic and insulating support (for example, polyester such as PET, polyamide, polyimide, polysulfone,
Polymer side material such as olefin resin such as polycarbonate and polypropylene, cellulose resin, vinyl chloride resin) 3 supply side roll, 2b winding side roll of the support 3, 4a, 4b, 4c, 4d Shielding plate, 5 is an oxygen gas introduction tube, 6 is a crucible, 7 is a magnetic alloy contained in the crucible 6 (for example, in addition to metals such as Fe, Co, and Ni, Co--Ni alloy, Co--Pt alloy, Co-Ni-P
t alloy, Fe-Co alloy, Fe-Ni alloy, Fe-Co
-Ni alloy, Fe-Co-B alloy, Co-Ni-Fe-
B alloy, Co-Cr alloy, or those containing a metal such as Al), 8 is an electron gun, and 9 is a vacuum container.

【0014】尚、遮蔽板4aはルツボ6と酸素ガス導入
管5との間の位置に設けられたものであり、遮蔽板4
b,4cは冷却キャンロール1を基準にして真空容器9
の内部を上下に分割する位置に設けられたものであり、
遮蔽板4dは冷却キャンロール1の左右(図面中、冷却
キャンロール1の軸芯が紙面に垂直な方向であるから、
冷却キャンロール1の左右とは紙面の手前側と向こう
側)の側方に設けられたものである。
The shielding plate 4a is provided at a position between the crucible 6 and the oxygen gas introducing pipe 5, and the shielding plate 4a.
b and 4c are vacuum containers 9 based on the cooling can roll 1.
It is provided in a position that divides the inside of the
The shielding plate 4d is provided on the left and right of the cooling can roll 1 (in the drawing, the axis of the cooling can roll 1 is a direction perpendicular to the paper surface,
The left and right sides of the cooling can roll 1 are provided laterally on the front side and the other side of the drawing.

【0015】そして、これらの部分の構成については従
来から良く知られているから詳細な説明は省略する。1
0は、遮蔽板4a,4b,4dの下面や端部に設けられ
た尖鋭な部分を有する突起である。尚、これらの突起1
0はCuなどの導電材料で構成された遮蔽板4a,4
b,4dに対して一体的に構成されている。
Since the structure of these portions is well known in the art, detailed description thereof will be omitted. 1
Reference numeral 0 denotes a protrusion having a sharp portion provided on the lower surface or the end portion of the shielding plates 4a, 4b, 4d. In addition, these protrusions 1
0 is the shielding plates 4a, 4 made of a conductive material such as Cu
It is constructed integrally with b and 4d.

【0016】そして、図1からも判る通り、遮蔽板4
a,4b,4dは接地されているから、突起10にはア
ースが施されていることになる。上記のように構成させ
てなる薄膜形成装置(磁気記録媒体製造装置)を用いた
金属薄膜型の磁気記録媒体の製造について説明する。先
ず、真空容器9内を所定の真空度のものに排気する。そ
して、供給側ロール2aから繰り出され、冷却キャンロ
ール1に添接され、そして巻取側ロール2bに支持体3
は巻き取られて行く。この状態において、電子銃8から
は電子ビームが矢印で示す如く発射され、ルツボ6内の
Co−Ni磁性合金7に照射され、これによってCo−
Ni磁性合金7の粒子が蒸発し、冷却キャンロール1に
添接されている支持体3に付着し、堆積して行く。尚、
このような過程は、これまでの薄膜形成装置においても
同様なものである。
As can be seen from FIG. 1, the shielding plate 4
Since a, 4b and 4d are grounded, the protrusion 10 is grounded. Manufacturing of a metal thin film type magnetic recording medium using the thin film forming apparatus (magnetic recording medium manufacturing apparatus) configured as described above will be described. First, the inside of the vacuum container 9 is evacuated to have a predetermined vacuum degree. Then, it is fed out from the supply side roll 2a, is attached to the cooling can roll 1, and the support 3 is attached to the winding side roll 2b.
Is rolled up. In this state, an electron beam is emitted from the electron gun 8 as shown by an arrow, and the Co—Ni magnetic alloy 7 in the crucible 6 is irradiated with the electron beam.
The particles of the Ni magnetic alloy 7 evaporate, adhere to the support 3 attached to the cooling can roll 1, and accumulate. still,
Such a process is the same in the conventional thin film forming apparatuses.

【0017】ところで、突起10が設けられていない従
来の薄膜形成装置にあっては、電子銃から発射された電
子ビームの一部は拡がって散乱し、一部の電子は支持体
にまで飛散して行き、これが支持体に付着し、結果とし
て支持体に静電気が帯電する。この為、これによって支
持体の走行が乱れ、酷い場合には支持体が冷却キャンロ
ールに貼り付き、走行できなくなることが有った。
By the way, in the conventional thin film forming apparatus in which the projection 10 is not provided, a part of the electron beam emitted from the electron gun spreads and is scattered, and a part of the electrons is scattered to the support. This then adheres to the support, resulting in electrostatic charge on the support. For this reason, the traveling of the support body is disturbed by this, and in a severe case, the support body may stick to the cooling can roll and become unable to travel.

【0018】しかしながら、上記のように構成させてい
ると、電子銃8から発射された電子ビームからの散乱電
子、又、溶湯からの散乱電子が支持体3の側に飛散して
行っても、これは突起10に優先的に引き付けられるよ
うになり、支持体3にまで飛散して行く数は著しく低下
し、結果として支持体3が静電気の帯電により冷却キャ
ンロール1に貼り付き、走行できなくなると言った現象
を効果的に防止できるようになる。
However, with the above structure, even if scattered electrons from the electron beam emitted from the electron gun 8 or scattered electrons from the molten metal are scattered toward the support 3, The protrusions 10 are preferentially attracted to the protrusions 10, and the number of particles scattered to the support 3 is significantly reduced. As a result, the support 3 sticks to the cooling can roll 1 due to electrostatic charge and cannot run. The phenomenon described above can be effectively prevented.

【0019】尚、突起10に捕捉された散乱電子は、突
起10が接地されていることから、直ちに逃がされるよ
うになっている。因みに、上記の装置において、真空容
器9内を3×10-5Torrの真空度に排気し、10μ
m厚のPETフィルムを供給側ロール2aから巻取側ロ
ール2bに10m/分の速度で走行させ、そして日本電
子(株)製のピアス式電子銃を用いて30kWの出力で
電子ビームをCo−Ni(80−20)磁性合金に照射
し、Co−Ni磁性合金の粒子を蒸発させ、冷却キャン
ロール1に添接されているPETフィルムに付着させ、
1600Åの厚さ堆積させた。尚、この金属磁性膜の形
成に際して、酸素ガス導入管5から酸素ガスを毎分25
0sccm流し、表面を酸化処理した。そして、100
0mの長さにわたって金属磁性膜を形成し、厚さのバラ
ツキを段差計(ラングテーラボブソン社製のタリステッ
プ)により測定したので、その結果を表−1に示す。
The scattered electrons captured by the projection 10 are immediately released because the projection 10 is grounded. By the way, in the above apparatus, the inside of the vacuum container 9 was evacuated to a vacuum degree of 3 × 10 −5 Torr, and
An m-thick PET film was made to travel from the supply side roll 2a to the winding side roll 2b at a speed of 10 m / min, and an electron beam Co- was produced with an output of 30 kW using a pierce type electron gun manufactured by JEOL Ltd. Irradiating the Ni (80-20) magnetic alloy to evaporate the particles of the Co-Ni magnetic alloy and attach them to the PET film attached to the cooling can roll 1.
It was deposited to a thickness of 1600Å. When forming this metal magnetic film, oxygen gas was introduced from the oxygen gas introducing pipe 5 at a rate of 25 minutes per minute.
Flowing at 0 sccm to oxidize the surface. And 100
A metal magnetic film was formed over a length of 0 m, and the variation in thickness was measured by a step gauge (Taristep manufactured by Langter Labosson). The results are shown in Table 1.

【0020】 表−1 100m 200m 300m 400m 500m 600m 700m 800m 900m 実施例 -60 -40 -20 -20 +10 0 +10 +30 +10 比較例 +50 -100 +180 +70 +150 -60 +10 -20 +140 *表中の数字は、1600Åからの差(単位はÅ)を示した
ものである。
Table-1 100m 200m 300m 400m 500m 600m 700m 800m 900m Example -60 -40 -20 -20 +10 0 +10 +30 +10 Comparative example +50 -100 +180 +70 +150 -60 +10 -20 +140 * The numbers in the table show the difference from 1600Å (unit is Å).

【0021】*比較例は、突起10を設けていない装置
による場合のものである。これによれば、突起10が設
けられてなる本発明の薄膜形成装置が用いられた場合に
は、薄膜形成時における支持体の走行特性が良く、金属
磁性膜が均一な厚さで形成されていることが窺える。こ
れに対して、突起10が設けられていない場合には、電
子銃から発射された電子ビームからの散乱電子が支持体
にまで飛散して行き、支持体に静電気が帯電し、支持体
の走行が乱れ、堆積した金属磁性膜のバラツキが大きい
ことが窺える。
* The comparative example is for a device not provided with the protrusion 10. According to this, when the thin film forming apparatus of the present invention provided with the protrusions 10 is used, the running characteristics of the support during thin film formation are good, and the metal magnetic film is formed with a uniform thickness. You can see that On the other hand, when the protrusion 10 is not provided, the scattered electrons from the electron beam emitted from the electron gun scatter to the support, and the support is charged with static electricity, and the support travels. It can be seen that there is a large amount of variation in the deposited metal magnetic film.

【0022】従って、本発明の薄膜形成装置によれば、
形成される薄膜が均一なものとなり、厚さにバラツキの
少ない金属磁性膜が形成され、高性能な磁気記録媒体が
歩留り良く得られることが判る。尚、上記実施例におい
ては、金属磁性膜を支持体上に設ける場合で説明した
が、金属薄膜型の磁気記録媒体におけるバックコート膜
を構成する場合に用いられても同様な特長が奏される。
Therefore, according to the thin film forming apparatus of the present invention,
It can be seen that the formed thin film is uniform, a metal magnetic film with a small variation in thickness is formed, and a high-performance magnetic recording medium can be obtained with good yield. In addition, in the above-mentioned embodiment, the case where the metal magnetic film is provided on the support has been described, but the same characteristics can be obtained even when the back coat film is formed in the metal thin film type magnetic recording medium. .

【0023】[0023]

【効果】本発明によれば、バラツキの少ない均一な厚さ
の薄膜が良好に形成される。
[Effects] According to the present invention, a thin film having a uniform thickness and a small variation is favorably formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の薄膜形成装置の概略図FIG. 1 is a schematic view of a thin film forming apparatus of the present invention.

【図2】従来の薄膜形成装置の概略図FIG. 2 is a schematic view of a conventional thin film forming apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 冷却キャンロール 2a 供給側ロール 2b 巻取側ロール 3 支持体 4a,4b,4d 遮蔽板 7 磁性合金 8 電子銃 9 真空容器 10 突起 1 Cooling Can Roll 2a Supply Side Roll 2b Winding Side Roll 3 Supports 4a, 4b, 4d Shielding Plate 7 Magnetic Alloy 8 Electron Gun 9 Vacuum Container 10 Protrusion

フロントページの続き (72)発明者 若林 繁美 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内Front page continuation (72) Inventor Shigemi Wakabayashi 2606 Akabane, Kai Co., Ltd., Kaigamachi, Haga-gun, Tochigi Prefecture Inside Kao Co., Ltd. Information Science Laboratory In the laboratory

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ビーム照射手段と、このビーム照射手段
からビームが照射され、蒸発した粒子が堆積する支持体
と、導電性の突起部材とを具備することを特徴とする薄
膜形成装置。
1. A thin film forming apparatus comprising: a beam irradiating unit, a support on which a beam is radiated from the beam irradiating unit and vaporized particles are deposited, and a conductive protrusion member.
【請求項2】 電子ビーム照射手段と、この電子ビーム
照射手段から電子ビームが照射され、蒸発した粒子が堆
積する支持体と、導電性の突起部材とを具備してなり、
前記電子ビーム照射手段から目標位置に向けて照射され
る電子ビームによる散乱電子が前記突起部材によって捕
捉されるよう構成されてなることを特徴とする薄膜形成
装置。
2. An electron beam irradiating means, a support on which an electron beam is radiated from the electron beam irradiating means, and vaporized particles are deposited, and a conductive protrusion member.
A thin film forming apparatus, characterized in that scattered electrons by an electron beam emitted from the electron beam irradiating means toward a target position are captured by the projecting member.
【請求項3】 突起部材にはアースが施されてなること
を特徴とする請求項1または請求項2の薄膜形成装置。
3. The thin film forming apparatus according to claim 1, wherein the protrusion member is grounded.
【請求項4】 突起部材は導電性の遮蔽部材の表面に設
けられたものであることを特徴とする請求項1、請求項
2または請求項3の薄膜形成装置。
4. The thin film forming apparatus according to claim 1, wherein the projection member is provided on the surface of a conductive shielding member.
【請求項5】 突起部材は導電性の遮蔽部材の表面に設
けられてなり、この遮蔽部材は蒸発した粒子が堆積する
支持体の近傍の位置に配設されていることを特徴とする
請求項1、請求項2または請求項3の薄膜形成装置。
5. The projection member is provided on the surface of a conductive shielding member, and the shielding member is arranged at a position in the vicinity of a support on which vaporized particles are deposited. The thin film forming apparatus according to claim 1, claim 2 or claim 3.
【請求項6】 供給手段と巻取手段との間に支持体が設
けられ、冷却ロールに添接されて走行する支持体に、ビ
ーム照射手段によって蒸発した粒子が堆積するよう構成
されてなることを特徴とする請求項1または請求項2の
薄膜形成装置。
6. A support is provided between the supply means and the winding means, and is configured so that particles evaporated by the beam irradiation means are deposited on the support that runs while being in contact with the cooling roll. The thin film forming apparatus according to claim 1 or 2.
【請求項7】 支持体が長尺状の非導電性フィルムであ
ることを特徴とする請求項1、請求項2または請求項6
の薄膜形成装置。
7. The support according to claim 1, wherein the support is a long non-conductive film.
Thin film forming equipment.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011214091A (en) * 2010-03-31 2011-10-27 Dainippon Printing Co Ltd Vacuum film-forming apparatus

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