JPH07236989A - Device for laser beam processing - Google Patents

Device for laser beam processing

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JPH07236989A
JPH07236989A JP6054928A JP5492894A JPH07236989A JP H07236989 A JPH07236989 A JP H07236989A JP 6054928 A JP6054928 A JP 6054928A JP 5492894 A JP5492894 A JP 5492894A JP H07236989 A JPH07236989 A JP H07236989A
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laser processing
alarm
wafer
reflected light
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Nobushige Doumae
信茂 堂前
Jun Matsumoto
純 松本
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Abstract

PURPOSE:To continuously execute the precise processing without any mistakes by obtaining the difference between the positional data where the position of a plurality of specific points on the surface of a work is preliminarily and precisely measured and the data on the position of the specific points of a new work, and making the alarm signal when the difference in the data exceeds the allowable value. CONSTITUTION:A reflected light detecting part 35 receives the positional data of the specific points of three or more positioning marks 40, and stores them in a storing means 52. An arithmetic means 53 operates the distance of movement and the rotational angle of a beam positioner 30 or a wafer stage 12 based on the measured positional data and the data on the reference value of the point. The operated results are stored in the storing means 52, and the signal is transmitted to the beam positioner 30 or the wafer stage 12 to modify the position. A comparing means 54 compares the difference in the data, and judges whether or not the alarm is made, and alarm is provided when a judgement is made that the positional accuracy of the device is deviated from the allowable value.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、例えばICメモリの
製造現場で欠陥救済に利用したり、微細加工をすること
ができるレーザ加工装置で、特に被加工物のアライメン
ト(位置決め)の技術に関する。このように、本発明は
高精密レーザ加工装置の位置精度の技術であるが、IC
メモリのリペア技術を中心にして説明する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus which can be used for defect relief and fine processing at a manufacturing site of, for example, an IC memory, and more particularly to a technique for aligning a workpiece. As described above, although the present invention is a technique of position accuracy of a high precision laser processing device,
The memory repair technology will be mainly described.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造技術の進歩はめざましく、I
Cメモリの記憶容量は日夜増加の一途をたどり、ICの
集積度は益々高密度化されている。それに伴い、回路パ
ターンは微細化し、欠陥の大きさも微細になり、欠陥の
箇所は飛躍的に多くなるので、歩留まり確保が重要な課
題となっている。そこで、ICチップ内に予め予備の冗
長セルを構成しておき、通常のメモリセルに欠陥がある
場合に冗長セルに切り換えるリペア(欠陥救済)技術が
広く使用されるようになってきた。その手段として、レ
ーザ加工装置が用いられている。
2. Description of the Related Art The progress of semiconductor manufacturing technology is remarkable,
The memory capacity of the C memory is increasing day by night, and the integration density of ICs is becoming higher and higher. Along with this, the circuit pattern is miniaturized, the size of the defect is also miniaturized, and the number of defects is dramatically increased. Therefore, securing the yield is an important issue. Therefore, a repair (defect repair) technique has been widely used in which a spare redundant cell is configured in advance in an IC chip and a normal memory cell has a defect and is switched to the redundant cell. A laser processing device is used as the means.

【0003】リペア技術は、レーザ加工装置によって、
ICメモリのチップ内に設けられたヒューズ等の溶断可
能な部分にレーザ光を収束させて照射し、ICチップ内
の溶断可能部分を切断加工し、リペア処理を施してい
る。
The repair technology uses laser processing equipment.
A laser beam is converged and irradiated to a fusing part such as a fuse provided in a chip of an IC memory, and the fusing part in the IC chip is cut and repaired.

【0004】従来のリペア技術の一例を図面を用いて概
要説明する。図2はリペア前後の工程フロー図である。
リペア処理の前にウェハ状態でICテスタを用いて予備
テスティングを行い、各ウェハ毎にリペア可能なチップ
とその欠陥データ線のアドレスを調べてデータを取る。
レーザ加工装置では、そのウェハに上記の測定データを
用いて、所定チップの所定ヒューズを次々に切断する。
リペアを終了すると、本テステイングで全てのチップを
テストして、良否を判別し、ICチップを選別する。
An example of a conventional repair technique will be outlined with reference to the drawings. FIG. 2 is a process flow diagram before and after repair.
Before the repair process, preliminary testing is performed in the wafer state using an IC tester, and the address of the repairable chip and its defective data line is checked for each wafer to obtain data.
In the laser processing apparatus, using the above-mentioned measurement data for the wafer, the predetermined fuses of predetermined chips are blown one after another.
When the repair is completed, all chips are tested by this testing to determine whether they are good or bad, and IC chips are selected.

【0005】図3はレーザ加工装置のブロック図であ
る。被加工物10(以下「ウェハ10」という)はロー
ダ・アンローダ11のローダ側の所定の位置に収納さ
れ、プリアライメント(X・Y・θ方向の粗アライメン
ト)されて、ローダからウェハステージ12に自動搬送
される。その途中のテレビカメラ14で、ウェハアライ
メント(X・Y・θ方向の中間アライメント)を行い、
ワーキングエリア内に移動する。
FIG. 3 is a block diagram of a laser processing apparatus. The workpiece 10 (hereinafter referred to as “wafer 10”) is stored in a predetermined position on the loader side of the loader / unloader 11 and is pre-aligned (rough alignment in X, Y, θ directions), and then is transferred from the loader to the wafer stage 12. It is automatically transported. Wafer alignment (intermediate alignment in X, Y, and θ directions) is performed by the TV camera 14 on the way,
Move to the working area.

【0006】ウェハアライメント用検出光学系13では
照明光源15からアライメント用の照明光を照らし、ミ
ラー17、ハーフミラー18及び19を通して対物レン
ズ20でウェハ10上に集光し、その反射光をハーフミ
ラー18、ミラー21及びレンズ22を通して結像さ
せ、テレビカメラ16で画像認識を行う。この画像認識
により、ウェハ10のX・Y・θ方向の位置ずれを算出
し、算出データをウェハステージ12に送り所定の位置
にアライメントする。
In the wafer alignment detection optical system 13, alignment illumination light is illuminated from the illumination light source 15, focused on the wafer 10 by the objective lens 20 through the mirror 17, half mirrors 18 and 19, and the reflected light is reflected by the half mirror. The image is formed through 18, the mirror 21, and the lens 22, and the image is recognized by the television camera 16. By this image recognition, the positional deviation of the wafer 10 in the X, Y, and θ directions is calculated, and the calculated data is sent to the wafer stage 12 and aligned at a predetermined position.

【0007】ビームポジショナ30は、チップ内の所定
のヒューズ位置にレーザビームを高速・高精度に位置決
めする機構である。例えばX・YステージでX・Yステ
ージをリニアモータで高速に駆動する。X・Yステージ
位置は光学的リニアスケールで検出する。この方法で
は、対物レンズ20はビームポジショナ30に搭載され
る。ビームポジショナ30の可動範囲はチップサイズよ
りやや大きくする。
The beam positioner 30 is a mechanism for positioning the laser beam at a predetermined fuse position in the chip with high speed and high accuracy. For example, the XY stage drives the XY stage at high speed with a linear motor. The X / Y stage position is detected by an optical linear scale. In this method, the objective lens 20 is mounted on the beam positioner 30. The movable range of the beam positioner 30 is slightly larger than the chip size.

【0008】ウェハ10がウェハステージ12上の所定
の位置にアライメントされると、レーザ発振器31から
初めは弱いレーザ光、例えば連続波のレーザ光を発光
し、レーザ加工光学系32、ミラー33及び19を通し
て対物レンズ20でレーザ光をウェハ10上に収束させ
る。その反射光でヒューズ位置を確認し、次に強いレー
ザ光、例えばエネルギーを蓄積したパルス状のレーザ光
でもってヒューズを切断する。即ち、まず弱いレーザ光
をチップアライメントターゲット近傍で走査し、反射率
を一つあるいは二つのセンサで検出し、ターゲット位置
を算出し、これと予め与えていたターゲット・ヒューズ
間の相対位置関係をもとに、ヒューズ位置までビームポ
ジショナ30の射出口を移動させ、切断用パワーのレー
ザ光を照射し、切断するのである。レーザ光のターゲッ
ト近傍の走査及びヒューズ位置への移動はビームポジシ
ョナ30の移動により行う。
When the wafer 10 is aligned at a predetermined position on the wafer stage 12, the laser oscillator 31 initially emits a weak laser beam, for example, a continuous wave laser beam, and the laser processing optical system 32, the mirrors 33 and 19 are emitted. The laser light is focused on the wafer 10 by the objective lens 20 through. The position of the fuse is confirmed by the reflected light, and the fuse is blown by the next strong laser light, for example, pulsed laser light having accumulated energy. That is, first, a weak laser beam is scanned in the vicinity of the chip alignment target, the reflectance is detected by one or two sensors, the target position is calculated, and the relative positional relationship between the target and the fuse given in advance is also calculated. Then, the emission port of the beam positioner 30 is moved to the fuse position, laser light of cutting power is irradiated, and the beam is cut. Scanning of the laser light near the target and movement to the fuse position are performed by movement of the beam positioner 30.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上述のように、レーザ
加工装置でのリペア技術は、微小ポイントにレーザ光を
照射するため精密なアライメントが重要なポイントとな
る。そこで従来からレーザ加工装置のスペックには、位
置精度の項があり、最近のスペックの位置精度は、0.
5μm程度になっている。このように目視では判定でき
ない微小間隔であるので、位置精度を0.5μm程度に
抑え込むには、特殊な調整方法で専用ウェハや専用冶具
を用いて、特別に教育を受けた者でなければ測定あるい
は判定も、また調整もできない。そして位置精度は、精
密機器である装置固有の数値である。ところが、この位
置精度は経時変化等でずれてくることがある。
As described above, in the repair technique in the laser processing apparatus, precise alignment is an important point because a minute point is irradiated with laser light. Therefore, there has been a term of position accuracy in the specifications of laser processing devices, and the position accuracy of recent specifications is 0.
It is about 5 μm. Since it is such a minute interval that cannot be visually determined, in order to suppress the position accuracy to about 0.5 μm, use a special wafer or special jig with a special adjustment method, and measure it only if you have been specially trained. Or it cannot be judged or adjusted. The position accuracy is a numerical value peculiar to the device which is a precision device. However, this positional accuracy may shift due to changes over time.

【0010】一方、リペア技術の操作者は、レーザ加工
装置が自動的にアライメントを行うので位置決めに関し
ては、レーザ加工装置を完全に信用する傾向にある。そ
して装置の位置精度のずれが若干大きくずれたときで
も、それはウェハ固有の大きさとか厚さとか、あるいは
反れとか歪とかで片づけ、そのロットのウェハ固有のも
のであると思うことが多い。事実、ウェハ固有のアライ
メントのずれの場合が多いからである。しかしながら、
使用開始当初はその通りであっても、使用回数が重なる
につれ上述のように経時変化等で装置の位置精度のずれ
が生じることもある。このような場合にでも、操作者は
装置が正しいと信じてレーザ光を照射すると、ヒューズ
の切断ミスを生じる場合がある。
On the other hand, the operator of the repair technique tends to completely trust the laser processing apparatus in terms of positioning because the laser processing apparatus automatically performs alignment. Even if the positional accuracy of the apparatus deviates slightly, it is often considered that it is specific to the wafer of the lot, because it is cleared by the size and thickness of the wafer, or the warp and distortion. In fact, in many cases, there is a misalignment unique to the wafer. However,
Even if the initial use is right, the positional accuracy of the device may deviate due to the change over time as the number of times of use overlaps. Even in such a case, if the operator believes that the device is correct and irradiates the laser beam, the operator may cause a blow failure of the fuse.

【0011】本発明は、上記のようにレーザ加工装置に
原因がある位置精度のずれが生じた場合に、ミス操作を
行う前に自動的に警報(アラーム)信号を発生させ、装
置の使用を中断させ、操作者にアラームを知らせ、再度
位置精度の合わせ込み調整を行うように指示を与えるレ
ーザ加工装置を提供するものである。
According to the present invention, when the positional accuracy shift caused by the laser processing apparatus is caused as described above, an alarm signal is automatically generated before making a mistaken operation, so that the apparatus can be used. (EN) A laser processing apparatus which is interrupted, informs an alarm to an operator, and gives an instruction to perform adjustment and adjustment of position accuracy again.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、上述の従来装置では、切断用レーザ光の
照射前にビームポジショナで行う弱いレーザ光によるタ
ーゲット位置検出のデータと位置精度調整時に測定した
規定値データとを比較し、一定値以上ずれていた場合に
アラーム信号を発生させる構成とする。ここで、一定値
とはICの種類、例えば集積度やパターンや構造等によ
り異なってくるのであるが、例えば現在の1MDRAM
程度のICメモリでは規定値データより2%以上ずれた
らアラームとするようにしたらよい。以下詳細に述べ
る。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention is, in the above-mentioned conventional apparatus, data and position of target position detection by a weak laser beam performed by a beam positioner before irradiation of a cutting laser beam. It is configured to compare the specified value data measured at the time of accuracy adjustment and generate an alarm signal if the specified value data deviates by more than a certain value. Here, the constant value varies depending on the type of IC, for example, the degree of integration, the pattern, the structure, etc.
With a certain IC memory, an alarm may be issued when the deviation from the specified value data is 2% or more. The details will be described below.

【0013】ICウェハあるいはICチップの位置決め
は、一般に基板の座標でX方向スケールファクタ、Y方
向スケールファクタ、それとX方向回転角度、Y方向回
転角度で補正する。ここでスケールファクタとは単位長
に対する倍率を、X方向回転角度とはX軸方向に線を引
きそれから何度ずれているかをいう。Y方向回転角度も
Y方向の線からのずれの角度をいう。そして、ICウェ
ハあるいはICチップには、必ず位置決めマークが印刷
されている。テレビカメラでの画像認識あるいは検出部
でのターゲット位置検出は、初めにこの位置決めマーク
でもって行う。
The positioning of the IC wafer or IC chip is generally corrected by the X-direction scale factor, the Y-direction scale factor, and the X-direction rotation angle and the Y-direction rotation angle in the coordinates of the substrate. Here, the scale factor is a magnification with respect to a unit length, and the X-direction rotation angle is a line drawn in the X-axis direction and how many times it is deviated from. The Y-direction rotation angle also refers to the angle of deviation from the Y-direction line. A positioning mark is always printed on the IC wafer or the IC chip. Image recognition by the television camera or target position detection by the detection unit is first performed using this positioning mark.

【0014】レーザ加工装置のシステム制御部では、画
像認識あるいは検出部でのターゲット位置の算出は、そ
の測定データと例えば位置精度調整時に得た基準値デー
タとを比較して、基準値データからどの位はずれている
かを演算し、その差データをウェハステージあるいはビ
ームポジショナに送り、位置修正をしている。従って、
その差データである位置修正データを常に監視し、一般
的には徐々に変化するデータが一定値から外れた異常デ
ータとなったときにアラーム信号を発生するようにする
とよい。以下、実施例について説明する。
In the system control section of the laser processing apparatus, the image recognition or the calculation of the target position in the detection section is performed by comparing the measured data with, for example, reference value data obtained at the time of position accuracy adjustment, The position is calculated by calculating whether or not the position is deviated, and sending the difference data to the wafer stage or the beam positioner to correct the position. Therefore,
It is advisable to constantly monitor the position correction data that is the difference data, and generally generate an alarm signal when the gradually changing data becomes abnormal data that deviates from a certain value. Examples will be described below.

【0015】[0015]

【実施例】図1に本発明の実施例を示す。図3と対応す
る部分には同一符号を付する。また、この実施例ではウ
ェハ10の位置決めマーク40を利用してアライメント
を行う例である。ウェハ10は、ウェハステージ12上
で所定の位置にウェハアライメントされている。次に、
コンピュータで主に構成されているシステム制御部50
の制御手段51からの制御信号で、レーザ発振器31か
ら弱レーザ光が発光される。弱レーザ光はミラー34、
ハーフミラー33及び19を通して対物レンズ20でウ
ェハ10上に収束される。弱レーザ光はウェハ10上で
反射し逆方向に対物レンズ20、ハーフミラー19及び
33を通して反射光検出部35で位置が検出される。こ
のとき、弱レーザ光を若干走査して特定点を選定する。
EXAMPLE FIG. 1 shows an example of the present invention. The parts corresponding to those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals. In addition, this embodiment is an example in which the alignment mark 40 of the wafer 10 is used to perform the alignment. The wafer 10 is wafer-aligned on the wafer stage 12 at a predetermined position. next,
System control unit 50 mainly composed of a computer
A weak laser beam is emitted from the laser oscillator 31 by the control signal from the control means 51. The weak laser light is reflected by the mirror 34,
It is converged on the wafer 10 by the objective lens 20 through the half mirrors 33 and 19. The weak laser light is reflected on the wafer 10, and the position thereof is detected in the reverse direction through the objective lens 20, the half mirrors 19 and 33 by the reflected light detection unit 35. At this time, a weak laser beam is slightly scanned to select a specific point.

【0016】反射光検出部35では、3点以上の位置決
めマーク40の特定点の位置(座標)データを得て、そ
の位置データを記憶手段52に記憶させる。記憶手段5
2には、予め位置決めマーク40の基準値データ、例え
ば位置精度調整の際に得た基準値データ等を全て記憶し
ておく。
The reflected light detecting section 35 obtains position (coordinate) data of specific points of the positioning marks 40 of three or more points and stores the position data in the storage means 52. Storage means 5
In 2, all reference value data of the positioning mark 40, for example, reference value data obtained at the time of position accuracy adjustment are all stored.

【0017】演算手段53は、測定した位置データとそ
の点の基準値データによって、ビームポジショナ30あ
るいはウェハステージ12の移動距離と回転角度、即
ち,X及びY方向のスケールファクタと回転角度を演算
する。演算結果を記憶手段52に記憶させると共にビー
ムポジショナ30あるいはウェハステージ12に信号を
伝達して位置修正を行わせる。また、演算手段53には
上記位置修正のデータの相互関係を演算して装置の位置
精度のずれをチェックさせる。
The calculating means 53 calculates the moving distance and the rotation angle of the beam positioner 30 or the wafer stage 12, that is, the scale factor and the rotation angle in the X and Y directions, based on the measured position data and the reference value data at that point. . The calculation result is stored in the storage means 52 and a signal is transmitted to the beam positioner 30 or the wafer stage 12 for position correction. Further, the calculation means 53 calculates the mutual relation of the position correction data to check the deviation of the position accuracy of the device.

【0018】装置の位置チェック方法の一例を述べる。
一つにはビームポジショナ30あるいはウェハステージ
12の全体の若干の絶対値移動は是とし、X軸とY軸の
相対値で判断する方法がある。例えば、X軸とY軸のス
ケールファクタのずれの差が、2%以上になるとアラー
ム信号を発生する。X軸回転角度とY軸回転角度との差
が2%以上になるとアラーム信号をと決めてもよい。ま
た両者の論理積の場合にアラーム信号を出すことにして
もよい。あるいは、そのウェハ製造ロットの最初のウェ
ハ時のデータを基準として、その後のウェハとのデータ
とを比較して、その差が0.1%以上になるとアラーム
であると決めてもよい。要は、装置のずれがどの程度生
じてきているかを、装置固有の位置精度と被加工物の加
工精度と加工効率等から決めると良い。
An example of a device position checking method will be described.
One is a method in which a slight absolute value movement of the beam positioner 30 or the entire wafer stage 12 is set, and judgment is made by a relative value of the X axis and the Y axis. For example, an alarm signal is generated when the difference between the X-axis and Y-axis scale factor deviations is 2% or more. The alarm signal may be determined to be when the difference between the X-axis rotation angle and the Y-axis rotation angle is 2% or more. Alternatively, an alarm signal may be issued in the case of a logical product of the two. Alternatively, the data at the time of the first wafer in the wafer manufacturing lot may be used as a reference to compare the data with subsequent wafers, and if the difference becomes 0.1% or more, it may be determined to be an alarm. In essence, it is advisable to determine the degree of deviation of the device based on the positional accuracy unique to the device, the processing accuracy of the workpiece, the processing efficiency, and the like.

【0019】比較手段54は上記の2つのデータの差を
を比較してアラームを発するか否かを判定する手段であ
る。装置の位置精度が許容値よりはずれてきたと判断し
たときに、アラームを発生する。
The comparison means 54 is means for comparing the difference between the above two data and determining whether or not an alarm is issued. An alarm is generated when it is determined that the position accuracy of the device has deviated from the allowable value.

【0020】警報手段55はアラームを知らせ、加工を
中断させる手段である。アラームを知らせるには、音を
だしてもよいし、ランプをつけてもよいし、あるいは表
示部門で表示してもよい。
The alarm means 55 is means for notifying an alarm and interrupting the processing. To inform the alarm, a sound may be emitted, a lamp may be turned on, or a display department may display.

【0021】制御手段51は、システム制御部50内の
制御はもとより、レーザ発振器31、反射光検出部3
5、ビームポジショナ30やウェハステージ12等との
信号の授受等を行わせてシステムの制御を全てを行う
が、本発明の制御も行う。
The control means 51 controls not only the system controller 50, but also the laser oscillator 31 and the reflected light detector 3.
5. Control of the system is performed by exchanging signals with the beam positioner 30, the wafer stage 12, etc., but the control of the present invention is also performed.

【0022】今まで、レーザ加工装置の位置精度の経時
変化によるずれの発見を、ICメモリのリペア技術を中
心に述べてきたが、本発明はICメモリのレーザ加工装
置に限るものでなく、高精密なレーザ加工装置の位置精
度のずれを発見する発明であることを付言しておく。
Up to now, the discovery of the deviation of the position accuracy of the laser processing apparatus due to the change with time has been described focusing on the repair technology of the IC memory, but the present invention is not limited to the laser processing apparatus of the IC memory. It should be additionally noted that the invention is an invention for finding a deviation in the positional accuracy of a precise laser processing device.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、高精度
レーザ加工装置の位置精度の経時変化による許容値以上
のずれを、状況に合わせて、自動的に演算し、発見し、
警報を発するので、加工装置の操作者は、精密加工をミ
ス無く連続的にできるので、その技術的・経済的効果は
大である。
As described above, the present invention automatically calculates and finds the deviation of the position accuracy of the high-precision laser processing device which is more than the allowable value due to the change with time, in accordance with the situation,
Since the alarm is issued, the operator of the processing apparatus can continuously perform precision processing without making any mistakes, so that its technical and economic effects are great.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】従来のリペア前後の工程フロー図である。FIG. 2 is a conventional process flow diagram before and after repair.

【図3】従来のレーザ加工装置の基本ブロック図であ
る。
FIG. 3 is a basic block diagram of a conventional laser processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 ウェハ 11 ローダ・アンローダ 12 ウェハステージ 13 ウェハアライメント用検出光学系 14 テレビカメラ 15 照明光源 16 テレビカメラ 17 ミラー 18、19 ハーフミラー 20 対物レンズ 30 ビームポジショナ 31 レーザ発振器 32 レーザ加工光学系 33 ハーフミラー 34 ミラー 35 反射光検出部 40 位置合わせマーク 10 Wafer 11 Loader / Unloader 12 Wafer Stage 13 Wafer Alignment Detection Optical System 14 TV Camera 15 Illumination Light Source 16 TV Camera 17 Mirror 18, 19 Half Mirror 20 Objective Lens 30 Beam Positioner 31 Laser Oscillator 32 Laser Processing Optical System 33 Half Mirror 34 Mirror 35 Reflected light detector 40 Alignment mark

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザ発振器(31)を具備し、レーザ
加工を行う前に、弱い光を発光してその反射光を反射光
検出部(35)で受光し被加工物(10)の位置データ
を得、その位置データから被加工物(10)を正しい位
置に位置修正してレーザ加工を行うレーザ加工装置にお
いて、 被加工物(10)表面の複数特定点を予め精密測定した
位置データと新しい被加工物(10)の上記複数特定点
の位置を反射光検出部(35)で測定したデータとを記
憶する記憶手段(52)と、 上記予め精密測定した位置データと上記反射光検出部
(35)で測定したデータとを比較し、両者の差データ
を求める演算手段(53)と、 上記差データが、予め設定した許容値以内か否かを判定
する比較手段(54)と、 上記比較手段(54)での判定が、許容値外であるとき
に警報信号を発生する警報手段(55)と、 上記の制御を行うシステムの制御手段(51)と、を具
備することを特徴とするレーザ加工装置。
1. A position data of a workpiece (10), comprising a laser oscillator (31), emitting weak light and receiving the reflected light by a reflected light detector (35) before performing laser processing. In the laser processing apparatus for performing laser processing by correcting the position of the workpiece (10) to the correct position based on the position data, and a new position data obtained by precisely measuring a plurality of specific points on the surface of the workpiece (10) in advance. Storage means (52) for storing the data of the positions of the plurality of specific points of the work piece (10) measured by the reflected light detection unit (35), the position data precisely measured in advance and the reflected light detection unit ( Comparing with the data measured in 35), the calculating means (53) for obtaining the difference data of the both, the comparing means (54) for judging whether the difference data is within a preset allowable value, the comparison The judgment by means (54) is And alarm means for generating an alarm signal when a volume value outside (55), the laser processing apparatus characterized by comprising a control means of the system (51) for controlling the above.
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