JPH07235572A - Probing method of semiconductor wafer - Google Patents

Probing method of semiconductor wafer

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JPH07235572A
JPH07235572A JP6281188A JP28118894A JPH07235572A JP H07235572 A JPH07235572 A JP H07235572A JP 6281188 A JP6281188 A JP 6281188A JP 28118894 A JP28118894 A JP 28118894A JP H07235572 A JPH07235572 A JP H07235572A
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semiconductor wafer
index
probe card
area
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Jiyunichirou Shibata
淳一朗 柴田
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

PURPOSE:To reduce the number of times of index sending, and improve inspection efficiency. CONSTITUTION:A probe card having a plurality of vertical probe pins 3 corresponding with 8X2 chips T wherein 8 chips are continuously arranged in the longitudinal direction and 2 chips are continuously arranged in the transversal direction is used. A plurality of chip regions which are inspected with the probe card are set as an index zone 22. After a region turning to the minimum area formed when all of the chips T on a semiconductor wafer W are covered by tightly laying the index zones 22 in the longitudinal and the transversal directions is set as a contact region 23 on the semiconductor wafer, the semiconductor wafer W is subjected to index sending, from the index zone 22 on the left side upper end to the index zone 22 on the left side lower end.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハのプロー
ビング方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer probing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体プロセス工程で半導体ウエハ上に
多数のチップを形成した場合には、その半導体ウエハの
まま個々のチップについて電気的特性の検査を行ない、
不良品をスクリーニングするようにしている。そして、
この検査には通常プローブ装置が用いられている。この
プローブ装置は半導体ウエハの個々のチップが有する電
極パッドにプローブカードのプローブ針を接触させ、プ
ローブ針から所定の電圧を印加することにより各チップ
の導通試験などの電気的試験を行なって個々のチップが
基本的な電気特性を有するか否かをテスタを介して試験
する装置である。
2. Description of the Related Art When a large number of chips are formed on a semiconductor wafer in a semiconductor process step, the electrical characteristics of individual chips are inspected as they are.
I try to screen for defective products. And
A probe device is usually used for this inspection. In this probe device, an electrode pad of each chip of a semiconductor wafer is brought into contact with a probe needle of a probe card, and a predetermined voltage is applied from the probe needle to perform an electrical test such as a continuity test of each chip to perform individual test. It is a device that tests whether a chip has basic electrical characteristics through a tester.

【0003】従来のプローブ装置の場合には、図18
(a)、(b)に示すように、例えば複数のプローブ針
31はその基端がプローブカード(図示せず)の中央開
口部周縁で合成樹脂等により固定された片持ち構造にな
っている。そのため、例えば同図(a)で示す斜めプロ
ーブ針31により8個のチップTを同時に検査する場合
には、プローブカードの構造上、片持ち構造のプローブ
針31が互いに対向したプローブカードを用いて同図
(c)で示すように各チップTの電極パッドが2列にな
るように併置し、縦2個、横4個(2×4個)が横長配
列されたチップTを一つのインデックス区域として設定
し、後はこのインデックス区域に従って半導体ウエハ上
の全チップTを分割し、分割された各インデックス区域
に従ってプローブカードをインデックス送りしながら全
チップTについて検査を行なうようにしている。
In the case of a conventional probe device, FIG.
As shown in (a) and (b), for example, a plurality of probe needles 31 have a cantilever structure in which the base ends are fixed by a synthetic resin or the like at the periphery of the central opening of a probe card (not shown). . Therefore, for example, when eight chips T are inspected at the same time by the oblique probe needle 31 shown in FIG. 3A, a probe card in which the probe needles 31 having a cantilever structure face each other is used because of the structure of the probe card. As shown in FIG. 3C, the electrode pads of each chip T are juxtaposed in two rows, and two chips vertically and four horizontally (2 × 4) are arranged in a horizontally long chip T to form one index area. After that, all chips T on the semiconductor wafer are divided according to this index area, and all chips T are inspected while index-feeding the probe card according to each divided index area.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プローブ装置は上述のようにプローブ針31が片持ち構
造になっているため、例えば8個のチップTを同時に検
査するには図18(c)で示すように横長配列の2×4
個のチップTを1回のインデックス送り量として全チッ
プTについて順次検査して行くため、半導体ウエハ上の
全てのチップTを順次検査する場合には、例えば図2
(b)に示すように、半導体ウエハWの右端では1回の
プロービングによる検査チップの数が少なく、逆にチッ
プTのない領域の方が広くなるインデックス区域が多数
発生し、これに伴ってインデックス送り回数が増えて検
査効率が悪くなってスループットが低下するという課題
があった。また、このような片持ち構造のプローブ針3
1の場合には、プローブ針31が斜め針で長くなってい
るため、プローブカードのインデックス送りを繰り返す
間にプローブ針31が半導体ウエハから繰り返し押圧力
を受けたり、場合によってはインデックス送りの際に半
導体ウエハ表面の凹凸に引っ掛るなどしてプローブ針3
1が無理な力を受けるなどして例えばプローブ針31A
が変形し、プローブ針31Aが電極パッドPから位置ず
れなどするためプローブカードを取り替えなくてななら
ず、スループットを益々低下させるという課題があっ
た。
However, in the conventional probe apparatus, since the probe needle 31 has a cantilever structure as described above, for example, in order to inspect eight chips T at the same time, as shown in FIG. 2 x 4 in a horizontally long array as shown in
Since all chips T are sequentially inspected with one chip T as one index feed amount, when sequentially inspecting all the chips T on the semiconductor wafer, for example, FIG.
As shown in (b), at the right end of the semiconductor wafer W, the number of inspection chips by one-time probing is small, and conversely, a large number of index areas are generated in the region without the chips T, and accordingly, the index regions are generated. There was a problem that the number of feedings increased, the inspection efficiency deteriorated, and the throughput decreased. In addition, such a cantilever type probe needle 3
In the case of 1, since the probe needle 31 is slanted and long, the probe needle 31 is repeatedly pressed by the semiconductor wafer while the index feeding of the probe card is repeated, or in some cases, during index feeding. The probe needle 3 is caught by the unevenness of the semiconductor wafer surface.
1 receives an unreasonable force, for example, probe needle 31A
Is deformed and the probe needle 31A is displaced from the electrode pad P, the probe card must be replaced, and there is a problem that throughput is further reduced.

【0005】そこで、例えば図18(c)で示すように
一つのインデックス区域内でチップTを縦方向で4個、
横方向で2個(4×2個)配列することによりインデッ
クス区域の形状を半導体ウエハの形状に即して極力正方
形に近づけるようにすれば、図2(a)で示すようにイ
ンデックス送りの回数を軽減することができる。ところ
が、この場合には電極パッドPが4列になっているた
め、外側の2列の電極パッドPとその内側の2列の電極
パッドP双方に片持ち構造のプローブ針31を同時に接
触させなくてはならない。そのためにはプローブカード
の構造を、図18(a)で示すようにプローブ針が内側
の電極パッド(図18(a)、(b)では左側の電極パ
ッド)Pに接触できるように固定部30へプローブ針を
上下2段に取り付け、しかも上段のプローブ針31を下
段のプローブ針32より長くしなくてはならない。これ
では上段のプローブ針31の方が下段のプローブ針32
より変形し易く、半導体ウエハによりプローブ針32に
押圧力を繰り返し加える間に例えば上段のプローブ針3
2が同図(b)で示すように半導体ウエハ上で上方向に
変形してプローブ針32が電極パッドPから浮き上がる
などしてプローブカードを取り替えなくてなならず、ス
ループットを益々低下させるという課題があった。
Therefore, for example, as shown in FIG. 18C, four chips T are vertically arranged in one index area,
By arranging two (4 × 2) pieces in the lateral direction so that the shape of the index area can be made as close to a square as possible in accordance with the shape of the semiconductor wafer, the number of index feeds can be increased as shown in FIG. Can be reduced. However, in this case, since the electrode pads P are arranged in four rows, it is not possible to simultaneously contact the probe needles 31 having a cantilever structure with both the outer two rows of the electrode pads P and the inner two rows of the electrode pads P. must not. To this end, the structure of the probe card is fixed so that the probe needle can contact the inner electrode pad (the left electrode pad in FIGS. 18A and 18B) P as shown in FIG. 18A. It is necessary to attach the probe needles to the upper and lower two stages and to make the upper probe needle 31 longer than the lower probe needle 32. In this case, the upper probe needle 31 is lower in the lower probe needle 32.
It is more easily deformed and, for example, while the pressing force is repeatedly applied to the probe needle 32 by the semiconductor wafer, for example, the upper probe needle 3
2 is deformed upward on the semiconductor wafer as shown in FIG. 2B and the probe needle 32 is lifted up from the electrode pad P, so that the probe card must be replaced and the throughput is further reduced. was there.

【0006】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、インデックス送りの回数を軽減し、検査効
率を向上させることができる半導体ウエハのプロービン
グ方法提供することを目的としている。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a probing method for a semiconductor wafer which can reduce the number of index feeds and improve the inspection efficiency.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
の半導体ウエハのプロービング方法は、プローブカード
を用いて半導体ウエハ上に配列されたチップの電気的特
性を検査する際に、複数のチップの電極パッドに対して
プローブ針を同時に接触させながらインデックス送りを
順次行なって全チップについて接触子を接触させる半導
体ウエハのプロービング方法において、上記プローブカ
ードとして偶数個ずつ縦横に連続し且つ縦横の少なくと
もいずれか一つの方向に4個以上連続する複数のチップ
に対応する複数の接触子を有するマルチプローブカード
を用い、このマルチプローブカードで同時に検査する領
域を一つのインデックス区域として設定し、次いで、こ
のインデックス区域を縦横に敷き詰めて上記半導体ウエ
ハ上の全チップを被った場合に形成される最小面積とな
る領域をコンタクト領域として上記半導体ウエハ上に設
定した後、このコンタクト領域内を最初のインデックス
区域から最後のインデックス区域までの最短経路に従っ
て上記半導体ウエハをインデックス送りするようにした
ものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor wafer probing method, wherein a plurality of chips are arranged on a semiconductor wafer when inspected for electrical characteristics using a probe card. In a probing method of a semiconductor wafer in which index needles are sequentially contacted with the electrode pads of the chips at the same time to bring the contacts into contact with all the chips, an even number of the probe cards are continuously connected vertically and horizontally and at least vertically and horizontally. Using a multi-probe card having a plurality of contacts corresponding to a plurality of chips that are continuous in one or more directions in any one direction, an area to be inspected at the same time by this multi-probe card is set as one index area. Spread all the chips on the semiconductor wafer by laying out the index areas vertically and horizontally. In this contact region, the semiconductor wafer is index-fed according to the shortest path from the first index area to the last index area after setting the area having the smallest area formed as a contact area on the semiconductor wafer. It is something that is done.

【0008】また、本発明の請求項2に記載の半導体ウ
エハのプロービング方法は、プローブカードを用いて半
導体ウエハ上に配列されたチップの電気的特性を検査す
る際に、複数のチップの電極パッドに対してプローブ針
を同時に接触させながらインデックス送りを順次行なっ
て全チップについて接触子を接触させる半導体ウエハの
プロービング方法において、上記プローブカードとして
偶数個ずつ縦横に連続し且つ縦横の少なくともいずれか
一つの方向に4個以上連続する複数のチップに対応する
複数の接触子を有するマルチプローブカードを用いて検
査する際に、コンピュータの表示部において上記半導体
ウエハ及びチップをグラフィック表示した後、上記マル
チプローブカードで同時に検査する領域を一つのインデ
ックス区域としてコンピュータの表示部において設定
し、次いで、このインデックス区域をグラフィック表示
されたウエハ上で縦横に敷き詰めてグラフィック表示さ
れた全チップを被った場合に形成される最小の面積とな
る領域をコンタクト領域として上記表示部において設定
した後、このコンタクト領域内を最初のインデックス区
域から最後のインデックス区域までの最短経路に従って
上記半導体ウエハをインデックス送りするようにしたも
のである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor wafer probing method, wherein electrode pads of a plurality of chips are used when inspecting electrical characteristics of chips arranged on the semiconductor wafer using a probe card. In the probing method of the semiconductor wafer in which the index needles are sequentially contacted with respect to all the chips to contact the contacts with respect to all the chips in the probing method of the semiconductor wafer, an even number of the probe cards are continuously connected in the vertical and horizontal directions and at least one of the vertical and horizontal directions. When a multi-probe card having a plurality of contacts corresponding to a plurality of chips continuous in four directions is used, the semiconductor wafer and the chips are graphically displayed on a display unit of a computer, and then the multi-probe card is displayed. Area to be inspected at the same time as one index area The contact area is set as the contact area, which is the minimum area formed when the index area is set in the display unit of the computer, and the index area is laid vertically and horizontally on the wafer on which graphic display is performed to cover all the chips displayed graphic. After setting in the display section, the semiconductor wafer is index-fed in the contact region according to the shortest path from the first index area to the last index area.

【0009】[0009]

【作用】本発明の請求項1に記載の発明によれば、半導
体ウエハ上に配列されたチップの電気的特性を検査する
際に、プローブカードとして偶数個ずつ縦横に連続し且
つ縦横の少なくともいずれか一つの方向に4個以上連続
する複数のチップに対応する複数の接触子を有するプロ
ーブカードを用い、このプローブカードで同時に検査す
る領域を一つのインデックス区域として設定し、次い
で、このインデックス区域を縦横に敷き詰めて半導体ウ
エハ上の全チップを被う最小面積になる領域をコンタク
ト領域として半導体ウエハ上に設定し、その後、このコ
ンタクト領域内を最初のインデックス区域から接触子を
接触させて最短経路に従ってインデックス送りすること
により、最少のインデックス送り回数で半導体ウエハ上
の全チップを検査することができる。
According to the first aspect of the present invention, when inspecting the electrical characteristics of the chips arranged on the semiconductor wafer, an even number of probe cards are continuous vertically and horizontally and at least either vertically or horizontally. Using a probe card having a plurality of contacts corresponding to a plurality of four or more continuous chips in one direction, an area to be simultaneously inspected by this probe card is set as one index area, and then this index area is set. Set a region on the semiconductor wafer that is the minimum area that covers all the chips on the semiconductor wafer vertically and horizontally, and then sets the contact region on the semiconductor wafer as the contact region. By index feeding, all chips on the semiconductor wafer can be inspected with the minimum number of index feedings. It is possible.

【0010】また、本発明の請求項2に記載の発明によ
れば、プローブカードとして偶数個ずつ縦横に連続し且
つ縦横の少なくともいずれか一つの方向に4個以上連続
する複数のチップに対応する複数の接触子を有するマル
チプローブカードを用いて半導体ウエハ上に配列された
チップの電気的特性を検査する際に、コンピュータの表
示部において半導体ウエハ及びチップをグラフィック表
示した後、マルチプローブカードで同時に検査する領域
を一つのインデックス区域としてコンピュータの表示部
において設定し、次いで、このインデックス区域をグラ
フィック表示されたウエハ上で縦横に敷き詰めてグラフ
ィック表示された全チップを被った場合に形成される最
小の面積となる領域をコンタクト領域として表示部にお
いて設定し、その後、このコンタクト領域内を所定のイ
ンデックス区域から接触子を接触させて最短経路に従っ
てインデックス送りすることにより、最少のインデック
ス送り回数で半導体ウエハ上の全チップを検査すること
ができる。
Further, according to the second aspect of the present invention, the probe card corresponds to a plurality of chips which are continuous in the number of even number in the vertical and horizontal directions and which are continuous in four or more in at least one of the vertical and horizontal directions. When inspecting the electrical characteristics of the chips arranged on the semiconductor wafer using the multi-probe card having a plurality of contacts, after the semiconductor wafer and the chips are graphically displayed on the display unit of the computer, the multi-probe card is used simultaneously. The area to be inspected is set as one index area in the display unit of the computer, and then this index area is laid out vertically and horizontally on the wafer on which graphics are displayed to cover all the chips displayed on the graphics. The area that becomes the area is set as the contact area in the display unit, By indexing feed according shortest path by contacting the contacts of the contact area from the predetermined index area, it is possible to inspect all the chips on a semiconductor wafer with minimal index feed count.

【0011】[0011]

【実施例】以下、図1〜図16に示す実施例に基づいて
本発明を説明する。本発明の半導体ウエハのプロービン
グ方法を用いれば、図1及び図2で示す順序で半導体ウ
エハ上の全チップを検査することができる。そして、本
発明のプロービング方法を実施する場合には、図3、図
4に示すプローブカードを好適に用いることができる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on the embodiments shown in FIGS. By using the semiconductor wafer probing method of the present invention, all chips on the semiconductor wafer can be inspected in the order shown in FIGS. Then, when the probing method of the present invention is carried out, the probe card shown in FIGS. 3 and 4 can be preferably used.

【0012】そこでまず、本実施例の半導体ウエハのプ
ロービング方法を説明する前に、本実施例に好適に用い
られるプローブカードについて図3、図4を参照しなが
ら説明する。このプローブカード1は、同図に示すよう
に、中央に開口部を有するプリント基板2と、このプリ
ント基板2の中央開口部2Aを貫通して表面のプリント
配線に接続された多数のプローブ針3とを備え、図示し
ないプローブ装置の固定ヘッドに取り付けられている。
プリント基板2の裏面側にはフランジ部4Aを有するカ
ップ状の中間ブロック4が螺子5によって固定されてい
る。
Therefore, first, before explaining the semiconductor wafer probing method of this embodiment, a probe card preferably used in this embodiment will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, the probe card 1 includes a printed board 2 having an opening at the center and a large number of probe needles 3 penetrating the central opening 2A of the printed board 2 and connected to a printed wiring on the surface. And is attached to a fixed head of a probe device (not shown).
A cup-shaped intermediate block 4 having a flange portion 4A is fixed to the back surface side of the printed circuit board 2 by screws 5.

【0013】そして、中間ブロック4のフランジ部4A
上面にはプリント基板2の中央開口部2A及び中間ブロ
ック4の上部開口を閉塞する上部ブロック6が螺子7に
よって固定され、中間ブロック4内に後述する冷却室8
を形成している。また、中間ブロック4の下面にはその
外径より縮径した肉厚部4Bが形成され、この厚肉部4
Bに多数のプローブ針3をそれぞれ垂直に保持する保持
ブロック9が嵌合し、この保持ブロック9は螺子10に
より中間ブロック4の下面に固定されている。更に、上
部ブロック6、中間ブロック4の底面及び保持ブロック
9それぞれの中央には開口部6A、4C及び9Aが形成
され、これらの開口部6A、4C、9Aを多数のプロー
ブ針3が貫通している。
The flange portion 4A of the intermediate block 4
An upper block 6 that closes the central opening 2A of the printed circuit board 2 and the upper opening of the intermediate block 4 is fixed to the upper surface by screws 7, and a cooling chamber 8 to be described later is provided in the intermediate block 4.
Is formed. A thick portion 4B having a diameter smaller than the outer diameter is formed on the lower surface of the intermediate block 4.
A holding block 9 for vertically holding a large number of probe needles 3 is fitted to B, and the holding block 9 is fixed to the lower surface of the intermediate block 4 by a screw 10. Further, openings 6A, 4C and 9A are formed at the bottoms of the upper block 6, the intermediate block 4 and the holding block 9, respectively, and a large number of probe needles 3 penetrate through these openings 6A, 4C and 9A. There is.

【0014】また、プローブ針3は各開口部6A、4
C、9Aそれぞれに取り付けられたガイドプレート1
1、12、13により垂直に保持されている。つまり、
これらのガイドプレート11、12、13にはプローブ
針3の本数に対応した細孔が形成され、これらの細孔に
よって多数のプローブ針3をプローブカード1の上面か
らその下面中央へ案内すると共にこれらを垂直に保持す
るようにしている。更に、これらのプローブ針3は上部
ブロック6の開口部6Aにおいてエポキシ樹脂等の合成
樹脂14により固定され、それぞれの下端が検査すべき
複数(例えば8×2個)のチップTの各電極パッド(図
示せず)に同時に接触するように揃えられている。勿
論、プローブカード1は、図1に示すように8×2個の
チップTの電極パッドに対応した本数のプローブ針3を
有している。そこで、以下の説明ではプローブカード1
をマルチプローブカード1と称す。
The probe needle 3 has openings 6A, 4
Guide plate 1 attached to each of C and 9A
It is held vertically by 1, 12, and 13. That is,
Pores corresponding to the number of probe needles 3 are formed in these guide plates 11, 12 and 13, and these pores guide a large number of probe needles 3 from the upper surface of the probe card 1 to the center of the lower surface thereof. Is held vertically. Further, these probe needles 3 are fixed by synthetic resin 14 such as epoxy resin in the openings 6A of the upper block 6, and the lower ends of the probe needles 3 are electrode pads (of 8 × 2, for example) of the chips T to be inspected. (Not shown) are aligned for simultaneous contact. Of course, the probe card 1 has a number of probe needles 3 corresponding to the electrode pads of the 8 × 2 chips T as shown in FIG. Therefore, in the following description, the probe card 1
Is referred to as a multi-probe card 1.

【0015】また、中間ブロック4の側面にはガス供給
装置15から圧縮空気、圧縮窒素等の冷却用ガスを冷却
室8内に導く導入配管16が接続され、また、上部ブロ
ック6の開口部近傍には冷却室8内に導入された冷却用
ガスを外部へ導く導出配管17が接続されている。これ
により、ガス供給装置15から導入配管16を介してマ
ルチプローブカード1の冷却室8内へ冷却用ガスを導
き、冷却室8内でプローブ針3を冷却した後のガスを導
出配管17を介して外部へ排気するようにしている。更
に、上部ブロック4の開口部6Aを熱電対18が貫通し
て冷却室8内に達し、この熱電対18により冷却室8内
の温度、つまりプローブ針3の温度を監視するように構
成されている。この熱電対18は配線19を介して冷却
室監視制御装置20に接続され、熱電対18で検出した
冷却室8内の温度に基づいて冷却室監視制御装置20か
ら電気信号21をガス供給装置15へ送信して冷却用ガ
スの供給を制御するようにしている。
Further, an introduction pipe 16 for guiding a cooling gas such as compressed air or compressed nitrogen from the gas supply device 15 into the cooling chamber 8 is connected to the side surface of the intermediate block 4, and the vicinity of the opening of the upper block 6 is connected. A lead-out pipe 17 for connecting the cooling gas introduced into the cooling chamber 8 to the outside is connected to the. As a result, the cooling gas is guided from the gas supply device 15 into the cooling chamber 8 of the multi-probe card 1 through the introduction pipe 16, and the gas after cooling the probe needle 3 in the cooling chamber 8 is led through the discharge pipe 17. I try to exhaust it to the outside. Further, the thermocouple 18 penetrates the opening 6A of the upper block 4 to reach the inside of the cooling chamber 8, and the thermocouple 18 is configured to monitor the temperature in the cooling chamber 8, that is, the temperature of the probe needle 3. There is. The thermocouple 18 is connected to the cooling chamber monitoring control device 20 via a wiring 19, and an electric signal 21 is sent from the cooling chamber monitoring control device 20 based on the temperature in the cooling chamber 8 detected by the thermocouple 18. To control the supply of cooling gas.

【0016】次に、図1及び図2を参照しながら上記マ
ルチプローブカード1を用いて半導体ウエハW上のチッ
プTの電気的特性を検査する本発明の半導体ウエハのプ
ロービング方法の好ましい実施例について説明する。
Next, referring to FIGS. 1 and 2, a preferred embodiment of a semiconductor wafer probing method of the present invention for inspecting the electrical characteristics of a chip T on a semiconductor wafer W using the multi-probe card 1 will be described. explain.

【0017】即ち、本実施例に用いられるマルチプロー
ブカードは上述のように偶数個ずつ、つまり縦に8個、
横に2個連続し且つ縦横の少なくともいずれか一つの方
向(本実施例では縦方向)に8個連続する8×2個のチ
ップTの各電極パッドに対応する複数の垂直プローブ針
3を有している。そして、このマルチプローブカード1
を用いて半導体ウエハWのチップTを検査する際には、
図1に示すようにこのマルチプローブカード1をオリエ
ンテーションフラットOを縦方向にする。そして、この
マルチプローブカード1で検査する8×2個のチップ領
域を一つのインデックス区域22として設定し、次い
で、この半導体ウエハWに対してインデックス区域22
を縦横に敷き詰めて半導体ウエハW上の全チップTを被
った場合に形成される最小面積となる領域をコンタクト
領域23として半導体ウエハW上に設定する。この場合
にコンタクト領域23はインデックス区域22を15敷
き詰めて形成されている。その後、コンタクト領域23
内を最初のインデックス区域(1)から最後のインデック
ス区域(15)までの最短経路として、コンタクト領域23
内の左端上端のインデックス区域22から右端上端側
へ、更にその真下から左端側へと蛇行する方向の各位置
に番号を(1)から順番に(15)まで番号を付ける。そし
て、これらの番号をインデックス送りの送り順序として
設定する。尚、これらのインデックス区域22、コンタ
クト区域23及びインデックス送りの順序はいずれも制
御装置(図示せず)に登録しておく。
That is, the multi-probe card used in this embodiment has an even number, that is, eight vertically, as described above.
A plurality of vertical probe needles 3 corresponding to the respective electrode pads of 8 × 2 chips T, which are continuous two in the horizontal direction and continuous eight in at least one of the vertical and horizontal directions (the vertical direction in this embodiment), are provided. is doing. And this multi-probe card 1
When inspecting the chip T of the semiconductor wafer W using
As shown in FIG. 1, the orientation flat O of this multi-probe card 1 is oriented vertically. Then, 8 × 2 chip areas to be inspected by the multi-probe card 1 are set as one index area 22, and then the index area 22 is set for the semiconductor wafer W.
Is set on the semiconductor wafer W as a contact region 23, which is the minimum area formed when all the chips T on the semiconductor wafer W are covered in the vertical and horizontal directions. In this case, the contact region 23 is formed by spreading 15 index areas 22. After that, the contact area 23
As the shortest path from the first index area (1) to the last index area (15), the contact area 23
From the index area 22 at the upper end of the left end to the upper end of the right end, numbers are assigned to positions (1) to (15) in order in the meandering direction from directly below to the left end. Then, these numbers are set as the index feeding order. The order of the index area 22, the contact area 23 and the index feed is registered in a control device (not shown).

【0018】その後、制御装置を介して登録されたイン
デックス順序に従って半導体ウエハWの載置台(図示せ
ず)を移動させてながら半導体ウエハW上の各インデッ
クス区域22内の16個のチップTの各電極パッドにマ
ルチプローブカード1のプローブ針3を接触させて各イ
ンデックス送り毎にチップTを16個ずつ同時に検査
し、この検査を15回繰り返すことにより半導体ウエハ
W上の全チップTに対する検査を終了することができ
る。
Thereafter, while moving a mounting table (not shown) of the semiconductor wafer W in accordance with the index order registered by the controller, each of the 16 chips T in each index area 22 on the semiconductor wafer W is moved. The probe needles 3 of the multi-probe card 1 are brought into contact with the electrode pads, 16 chips T are simultaneously inspected for each index feed, and this inspection is repeated 15 times to complete the inspection of all the chips T on the semiconductor wafer W. can do.

【0019】ところが、従来のマルチプローブカードを
用いたプロービング方法の場合には、そのプローブカー
ドの構造上、図1(b)に示すように縦2個、横8個の
横長形状に配列されたチップTを同時に検査するマルチ
プローブカードを用いなければならない。そのため、マ
ルチプローブカードのインデックス送りの回数が同図に
示すように20回となる。しかも従来のプロービング方
法では、本実施例に比べて半導体ウエハWの右半分のイ
ンデックス区域22では検査するチップに当るプローブ
針よりも空打ちのプローブ針の方が遥かに多く、検査効
率が極めて悪いことが判る。
However, in the case of the conventional probing method using a multi-probe card, due to the structure of the probe card, the probe card is arranged in a horizontally long shape of two vertically and eight horizontally as shown in FIG. 1 (b). It is necessary to use a multi-probe card that simultaneously inspects the chip T. Therefore, the number of index feeds of the multi-probe card is 20 as shown in the figure. Moreover, in the conventional probing method, as compared with the present embodiment, in the right half index area 22 of the semiconductor wafer W, there are far more blank probe needles than probe needles that hit the chip to be inspected, and the inspection efficiency is extremely poor. I understand.

【0020】以上説明したように本実施例によれば、従
来のマルチプローブカードを用いたプロービング方法に
比べてインデックス送りの回数が5回少なく、その送り
回数を25%削減することができ、それだけ検査効率を
高めることができ、検査コストを格段に削減することが
できる。しかも、本実施例のように垂直プローブ針3を
用いることにより任意の配列で複数のチップTに対して
プローブ針3を同時に接触させて検査することができる
上に、垂直針の構造上プローブ針3の変形を格段に抑制
することができ、プローブ針3の電極パッドからの位置
ずれを防止し精度の高い検査を行なうことができ、延い
てはプローブ針3の寿命を格段に高めてマルチプローブ
カード1の交換回数を削減して検査コストを更に削減す
ることができる。
As described above, according to this embodiment, the number of index feedings is 5 times less than that of the conventional probing method using a multi-probe card, and the feeding number can be reduced by 25%. The inspection efficiency can be improved and the inspection cost can be significantly reduced. Moreover, by using the vertical probe needles 3 as in the present embodiment, the probe needles 3 can be simultaneously brought into contact with a plurality of chips T in an arbitrary arrangement to perform an inspection, and due to the structure of the vertical needles, the probe needles 3 can be inspected. 3 can be remarkably suppressed from being deformed, the displacement of the probe needle 3 from the electrode pad can be prevented, and highly accurate inspection can be performed. Consequently, the life of the probe needle 3 can be remarkably extended and the multi-probe The inspection cost can be further reduced by reducing the number of times the card 1 is replaced.

【0021】図2(a)は本発明の半導体ウエハのプロ
ービング方法を用いて4×2個のチップTを同時に検査
する場合を示す図である。この場合には、28回のイン
デックス送りで半導体ウエハW上の全チップTについて
検査することができる。これに比べて、従来の方法であ
れば、同図(b)に示すように31回のインデックス送
り行なわなくてはならない。従って、本実施例によれ
ば、従来に比べてインデックス送りの回数を10%削減
することができる。その他上記実施例と同様の作用効果
を期することができる。
FIG. 2A is a diagram showing a case where 4 × 2 chips T are simultaneously inspected by using the semiconductor wafer probing method of the present invention. In this case, all the chips T on the semiconductor wafer W can be inspected by index feeding 28 times. On the other hand, in the case of the conventional method, index feeding must be performed 31 times as shown in FIG. Therefore, according to the present embodiment, the number of index feeds can be reduced by 10% compared to the conventional case. In addition, the same effects as those of the above-described embodiment can be expected.

【0022】さて、以上の説明では16個または8個の
チップTを同時に検査するマルチプローブカード1を前
提にしているが、マルチプローブカード1のマルチ数及
び最小のコンタクト領域は最初から判っている訳ではな
く、マルチ数及び最小コンタクト領域を設定する際には
コンピュータを利用することにより、マルチ数及び最小
コンタクト領域を設定するまでに要する時間を格段に節
約できる。コンピュータを利用する場合には、まず、図
5のフローチャートに示すように、ウエハサイズ、オリ
エンテーションフラット(オリフラ)の方向などのウエ
ハ情報及びチップの縦、横(x,y)のサイズ等のチッ
プ情報を入力し(S1)、次いで、同時に検査できるチ
ップ数(マルチ数)及びそのチップ配列などのマルチプ
ローブカードに関するカード情報を入力する(S2)。
その後、これらの入力データに基づいて半導体ウエハに
対するマルチプローブカードのコンタクト領域をコンピ
ュータによって複数回シミュレーションし(S3)、そ
の結果に基づいて半導体ウエハからはみ出して空打ちす
る空打ちチップ数及びその空打ちチップの座標をそれぞ
れ求め(S4)、その結果をコンピュータに登録し、記
憶しておく(S5)。そして、それぞれの結果に基づい
てインデックス送り回数及び空打ちチップ数の良否を判
定し(S6)、最良と思われるプロービング方法を決定
し、表示部へ表示する(S7)。このようにしてコンピ
ュータによりプロービング方法を決定した後、プローブ
装置を用いて実際に半導体ウエハWをプロービングす
る。
In the above description, the multi-probe card 1 for simultaneously inspecting 16 or 8 chips T is premised, but the multi-probe card 1 and the minimum contact area are known from the beginning. Of course, by using a computer when setting the number of multiples and the minimum contact area, the time required to set the number of multiples and the minimum contact area can be significantly reduced. When a computer is used, first, as shown in the flowchart of FIG. 5, wafer information such as wafer size and orientation flat (orientation flat) direction, and chip information such as vertical and horizontal (x, y) size of the chip. (S1), and then card information about the multi-probe card such as the number of chips (multi) and the chip arrangement that can be inspected at the same time is input (S2).
Thereafter, the contact area of the multi-probe card with respect to the semiconductor wafer is simulated a plurality of times by the computer based on these input data (S3), and based on the result, the number of blank chips to be blank-blank out of the semiconductor wafer and the blank blanks thereof. The coordinates of each chip are obtained (S4), and the results are registered in the computer and stored (S5). Then, the quality of the number of index feeds and the number of blank shots is judged based on the respective results (S6), the probing method considered to be the best is determined and displayed on the display unit (S7). After the probing method is determined by the computer in this way, the semiconductor wafer W is actually probed by using the probe device.

【0023】コンピュータによるシミュレーションでマ
ルチプローブカードのコンタクト領域を設定する場合に
は、後述するように、「自動設定モード」、「最適設定
モード」及び「任意設定モード」の3つシミュレーショ
ン方法があり、これらのモードはウエハ情報、チップ情
報及びカード情報などに基づいてオペレータが適宜選択
できるようになっている。本実施例のように半導体ウエ
ハ内にコンタクト領域を納める場合には、後述するよう
に「任意設定モード」を利用してシミュレーションす
る。そして、「任意設定モード」によりシミュレーショ
ンした結果、本実施例のようにマルチ数が16または8
のマルチプローブカード1を用いた場合には、上述した
方法が最も効率的に検査できる。尚、以下の図6〜図1
6を用いた説明では、図1の(a)で示すマルチプロー
ブカード1のコンタクト領域を設定する場合のシミュレ
ーションについて説明する。
When setting the contact area of the multi-probe card by computer simulation, there are three simulation methods of "automatic setting mode", "optimal setting mode" and "arbitrary setting mode", as will be described later. These modes can be appropriately selected by the operator based on wafer information, chip information, card information and the like. When the contact area is to be accommodated in the semiconductor wafer as in this embodiment, the simulation is performed using the "arbitrary setting mode" as described later. As a result of simulation in the "arbitrary setting mode", the number of multis is 16 or 8 as in the present embodiment.
When the multi-probe card 1 of 1 is used, the above-mentioned method can inspect most efficiently. In addition, the following FIG.
In the description using 6, the simulation for setting the contact region of the multi-probe card 1 shown in FIG. 1A will be described.

【0024】本実施例において用いられるコンピュータ
50は、図6に示すように、ウエハ情報、チップ情報、
カード情報等のデータを入力する入力手段51と、この
入力手段51からのウエハ情報及びカード情報に基づい
て半導体ウエハ上でマルチプローブカードのインデック
ス区域を割り振るカード割り振り装置52と、この割り
振り装置52によってインデックス区域の割り振りを実
行するために半導体ウエハ及びチップのイメージ及び数
値データを表示する表示手段53とを備えている。そし
て、上記割り振り装置52は、座標演算手段54、チッ
プ座標記憶部55、ファイル記憶部56、カード割り振
りモード記憶部57、メニュー記憶部58、カード割り
振り手段59及びカード割り振り位置記憶部60を備え
ている。そして、入力手段51は、例えばキーボード5
1A、マウス51Bとを備えている。また、表示手段5
3は、グラフィック情報などを映し出すLCDやCRT
などの表示部53Aと、この表示部53Aの表示情報を
制御する表示制御部53Bとを備え、入力手段51の入
力に基づいて図16に示すように表示部53Aにより半
導体ウエハ及びチップをグラフィック表示すると共にウ
エハ情報及びカード情報を文字で表示するようにしてあ
る。
The computer 50 used in this embodiment, as shown in FIG.
By the input means 51 for inputting data such as card information, the card allocation device 52 for allocating the index area of the multi-probe card on the semiconductor wafer based on the wafer information and the card information from the input means 51, and the allocation device 52 Display means 53 for displaying images of semiconductor wafers and chips and numerical data for executing allocation of index areas. The allocation device 52 includes a coordinate calculation means 54, a chip coordinate storage section 55, a file storage section 56, a card allocation mode storage section 57, a menu storage section 58, a card allocation means 59 and a card allocation position storage section 60. There is. The input means 51 is, for example, the keyboard 5
1A and a mouse 51B. Also, the display means 5
3 is an LCD or CRT that displays graphic information
And the like, and a display control unit 53B for controlling the display information of the display unit 53A. Based on the input of the input means 51, the display unit 53A graphically displays the semiconductor wafer and the chips as shown in FIG. At the same time, the wafer information and the card information are displayed in characters.

【0025】上記座標演算手段54は、入力手段51か
ら入力された上述のウエハ情報及びチップ情報に基づい
てイメージ状の半導体ウエハに四角形のイメージ状のチ
ップを自動的に配列し、各チップに対して位置座標を付
与するようにしてある。また、上記チップ座標記憶部5
5は、RAM等からなり、座標演算手段54によって求
められた各チップ及びそれぞれの座標を互いに関連付け
て記憶するようにしてある。そして、チップ座標記憶部
54で記憶された情報は表示制御部53Bを介して表示
部53Aにウエハマップとして上述のようにグラフィッ
ク表示するようにしてある。このウエハマップは例えば
図14(a)ですように表示される。また、上記ファイ
ル記憶部56は、座標演算手段54に接続されたROM
などの記憶装置からなり、ここにはウエハ情報、チップ
情報及びカード情報など複数の品種に関する各情報が予
め登録されている。従って、座標演算手段54ではファ
イル記憶部54の記憶情報を読取り、この情報に基づい
て入力手段51からの情報と同様に上述の演算処理を行
ない、その情報に基づいたウエハマップを表示部53A
にグラフィック表示するようにしてある。
The coordinate calculating means 54 automatically arranges quadrangular image-shaped chips on an image-shaped semiconductor wafer based on the above-mentioned wafer information and chip information inputted from the input means 51, and for each chip. Position coordinates are given. In addition, the chip coordinate storage unit 5
Reference numeral 5 is a RAM or the like, and is configured to store the respective chips and respective coordinates obtained by the coordinate calculation means 54 in association with each other. The information stored in the chip coordinate storage unit 54 is graphically displayed as a wafer map on the display unit 53A via the display control unit 53B as described above. This wafer map is displayed, for example, as shown in FIG. The file storage unit 56 is a ROM connected to the coordinate calculation unit 54.
Etc., each information relating to a plurality of types such as wafer information, chip information and card information is registered in advance. Therefore, the coordinate calculation means 54 reads the stored information in the file storage portion 54, and based on this information, performs the above-mentioned calculation processing in the same manner as the information from the input means 51, and displays the wafer map based on this information in the display portion 53A.
It is designed to be displayed graphically.

【0026】上記カード割り振りモード記憶部57は、
ROMなどの記憶装置からなり、例えば、自動割り振り
モード、最適割り振りモード及び任意割り振りモードの
3種類のモードが予め記憶されており、オペレータが適
宜のモードを選択できるようにしてある。ここで、自動
割り振りモードとは半導体ウエハの縦横両方向において
マルチプローブカードが均等に、例えば上下左右が略対
称にコンタクトするようにコンタクト区域を自動的に割
り振るモードである。最適割り振りモードとはウエハ上
でマルチプローブカードがコンタクトする回数が最も少
なくなるようにコンタクト区域を自動的に割り振るモー
ドである。また、任意割り振りモードとはコンタクト位
置をキーボード31Aのカーソル移動キーあるいはマウ
ス31Bにより移動させてマルチプローブカードのコン
タクト位置を任意に設定できるモードである。
The card allocation mode storage unit 57 is
It is composed of a storage device such as a ROM, and for example, three kinds of modes of an automatic allocation mode, an optimum allocation mode and an arbitrary allocation mode are stored in advance so that an operator can select an appropriate mode. Here, the automatic allocation mode is a mode in which the contact areas are automatically allocated so that the multi-probe card makes uniform contact in both the vertical and horizontal directions of the semiconductor wafer, for example, the top, bottom, left, and right are substantially symmetrically contacted. The optimal allocation mode is a mode in which the contact areas are automatically allocated so that the number of contacts of the multi-probe card on the wafer is minimized. The arbitrary allocation mode is a mode in which the contact position of the multi-probe card can be arbitrarily set by moving the contact position with the cursor moving key of the keyboard 31A or the mouse 31B.

【0027】上記メニュー記憶部58は、コンピュータ
50を動作する上で必要とされる各種の操作メニュー、
測定条件設定時に必要とされるマップ初期化、及びカー
ド割り振り時に使用するカード割り振り等のメニューを
記憶するようにしてある。メニュー内容は必要に応じて
増減できるようになっている。そして、図16で示すよ
うに表示部53Aに表示された「マップ初期化」をマウ
ス52Bで選択すると、半導体ウエハ内の全てのチップ
がテスト対象になり、「カード割り振り」を選択する
と、カード割り振りモードが動作するようにしてある。
The menu storage unit 58 stores various operation menus required to operate the computer 50.
A map initialization menu required for setting measurement conditions and a card allocation menu used for card allocation are stored. The menu contents can be increased or decreased as needed. Then, as shown in FIG. 16, when "Map initialization" displayed on the display unit 53A is selected with the mouse 52B, all chips in the semiconductor wafer are tested, and when "Card allocation" is selected, card allocation is performed. The mode is working.

【0028】上記カード割り振り手段59は、チップ座
標記憶部55の記憶情報、カード割り振りモード記憶部
57の記憶情報、及び入力手段51からの指令に基づい
て半導体ウエハのチップとマルチプローブカードとのコ
ンタクト領域を設定するようにしてある。このカード割
り振り手段59は、図7に示す自動割り振り部61と、
図8に示す最適割り振り部62と、図9に示す任意割り
振り部63とを有している。
The card allocating means 59 makes contact between the chip of the semiconductor wafer and the multi-probe card based on the stored information of the chip coordinate storage section 55, the stored information of the card allocation mode storage section 57, and the command from the input means 51. The area is set. The card allocating means 59 includes an automatic allocating section 61 shown in FIG.
It has an optimum allocation unit 62 shown in FIG. 8 and an arbitrary allocation unit 63 shown in FIG.

【0029】上記自動割り振り部61は、図7に示すよ
うに、表示部53Aに表示されたウエハマップ上のX軸
方向の最小値を求めるX軸最小部64A、X軸方向の最
大値を求めるX軸最大値部64B、Y軸方向の最小値を
求めるY軸最小部65A、Y軸方向の最大値を求めるY
軸最大値部65Bを有している。X軸最小値部64A及
びX軸最大値部64BにはそれぞれX方向はみだし量
(X方向空打ちチップ数)演算部66Aがそれぞれ接続
され、これらの情報、カード情報のうち、マルチプロー
ブカードのX方向のチップ数NxよりX方向最大幅の列
位置においてマルチプローブカードを整数倍に配列した
時の端部における空打ちチップ数(ウエハからはみ出
し、その部分にチップが存在ると仮定した場合のチップ
数)Xhを求めるようにしてある。この時の状態は図1
4(b)、図15(a)に示されており、図15(a)
において上段はX方向の最大幅のチップ列を示し、下段
は仮定的なカード割り振り位置を示している。X方向空
打ちチップ数演算部66Aには左端開始位置決定部67
Aが接続され、左端開始位置決定部67AはX方向空打
ちチップ数演算部66Aの出力値に基づいてグラフィッ
クウエハの左右(X方向)から極力均等にカードがはみ
出し、左右の空打ちチップ数が極力均等になるように左
端開始位置xsを求めてカード割り振り位置を決定する
ようにしてある。この状態を示したものが図15(b)
である。
As shown in FIG. 7, the automatic allocation unit 61 obtains the minimum value in the X-axis direction on the wafer map displayed on the display unit 53A, the minimum portion in the X-axis direction 64A, and the maximum value in the X-axis direction. X-axis maximum value portion 64B, Y-axis minimum portion 65A for obtaining the minimum value in the Y-axis direction, Y for obtaining the maximum value in the Y-axis direction
It has an axis maximum value portion 65B. The X-axis minimum value portion 64A and the X-axis maximum value portion 64B are respectively connected to an X-direction protrusion amount (X-direction blanking chip number) calculation portion 66A, and among these information and card information, the X-value of the multi-probe card is calculated. Number of chips in the X direction, the number of blank chips at the end when the multi-probe cards are arranged in an integer multiple at the row position having the maximum width in the X direction (chips protruding from the wafer and assuming that there are chips at that part) The number) Xh is calculated. The state at this time is shown in Figure 1.
4 (b) and FIG. 15 (a), and FIG.
In the upper row, the uppermost row shows a chip row having the maximum width in the X direction, and the lower row shows a hypothetical card allocation position. The left-end start position determination unit 67 is included in the X-direction blank shot chip number calculation unit 66A.
A is connected, and the left end start position determining unit 67A protrudes from the left and right (X direction) of the graphic wafer as evenly as possible on the basis of the output value of the X-direction blank ejection chip number calculation unit 66A, and the left and right blank ejection chip numbers are The left end start position xs is calculated so as to be as uniform as possible, and the card allocation position is determined. FIG. 15B shows this state.
Is.

【0030】同様に、Y軸最小値部65A及びY軸最大
値部65BにはそれぞれY方向空打ちチップ数演算部6
6Bがそれぞれ接続され、上述の場合と同様にY方向の
端部における空打ちチップ数Yhを求めるようにしてあ
る。Y方向空打ちチップ数演算部66Bには上端開始位
置決定部67Bが接続され、上端開始位置決定部67B
はY方向空打ちチップ数演算部66Bの出力値に基づい
てグラフィックウエハの上下(Y方向)から極力均等に
カードがはみ出すように上端開始位置ysを求めてカー
ド割り振り位置を決定するようにしてある。そして、左
端開始位置決定部67A及び下端開始位置決定部67B
には自動割り振り演算部68が接続され、この自動割り
振り演算部68は上記各開始位置決定部67A、67B
からの出力値に基づいてグラフィックウエハの左端及び
下端を基準にしてマルチプローブカードの割り振りを自
動的に行ない、その結果をカード割り振り記憶部60で
記憶するようにしてある。このようにして割り振りされ
たカードの配置を示したものが図14(c)である。
Similarly, in the Y-axis minimum value section 65A and the Y-axis maximum value section 65B, the Y-direction blanking chip number calculation section 6 is respectively provided.
6B are connected to each other, and the number Yh of blank shot chips at the end in the Y direction is obtained as in the case described above. An upper end start position determination unit 67B is connected to the Y-direction blanking tip number calculation unit 66B, and the upper end start position determination unit 67B is connected.
Is to determine the card allocation position by obtaining the upper end start position ys based on the output value of the Y-direction blank ejection chip number calculation unit 66B so that the card protrudes as evenly as possible from above and below the graphic wafer (Y direction). . Then, the left end start position determination unit 67A and the lower end start position determination unit 67B
An automatic allocation calculation unit 68 is connected to the automatic allocation calculation unit 68, and the automatic allocation calculation unit 68 is connected to the start position determination units 67A and 67B.
The multi-probe card is automatically allocated on the basis of the output value from the left end and the lower end of the graphic wafer, and the result is stored in the card allocation storage unit 60. FIG. 14C shows the arrangement of the cards thus allocated.

【0031】また、上記最適割り振り部62は、図8に
示すように、X軸最小、最大値部64A、64B及びY
軸最小、最大値部65A、65Bにそれぞれ接続された
インクリメント部69を有する以外は上記自動割り振り
部61と同様に構成されている。この最適割り振り部6
2は、グラフィックウエハ上のチップの各行、Y方向に
カードを複数行配置する場合にはそれぞれの行の左端及
び上端開始位置を決定してカード割り振り位置を求める
ようにしてあり、この際に、インクリメント部69が各
行毎あるいは複数行毎に自動割り振りを行なわせるため
に割り振り対象となる行を示すようにしてある。これに
より、マルチプローブカードは最小のコンタクト数、即
ち最小のコンタクト区域で全チップに対してコンタクト
可能になるようにしてある。このようにして割り振りさ
れたカードの配置を示したものが図14(d)である。
The optimum allocation unit 62, as shown in FIG. 8, has X-axis minimum / maximum value units 64A, 64B and Y.
The configuration is the same as that of the automatic allocation unit 61 except that it has an increment unit 69 connected to each of the axis minimum and maximum value units 65A and 65B. This optimal allocation unit 6
2 is to determine the card allocation position by determining the left end and the upper end start position of each row of the chips on the graphic wafer, and when arranging a plurality of cards in the Y direction, The incrementing unit 69 indicates the lines to be allocated in order to automatically allocate each line or a plurality of lines. This allows the multi-probe card to contact all chips with a minimum number of contacts, i.e. a minimum contact area. FIG. 14D shows the arrangement of the cards thus allocated.

【0032】また、任意割り振り部63は、図9に示す
ように、カード基準位置決定部70を有し、カードの基
準位置、例えば8個のチップを同時に検査するマルチプ
ローブカードの場合には、左端のチャネルを基準位置と
し、そのチャネルをグラフィックウエハ上のどの座標に
位置させるかを図14の(e)で示すようにマウス52
Bにより入力して決定するようにしてある。これによ
り、カード割り振り位置を半導体ウエハ上の任意に位置
に配置することができる。つまり、自動割り振り部61
及び最適割り振り部62ではカードがグラフィックウエ
ハからはみ出すか否かに関係なくカードを割り振るよう
にしてあるが、任意割り振り部63では、オペレータが
表示部53Aを見ながらグラフィックウエハ内にカード
が納まるように任意にコンタクト領域を設定することが
できる。
As shown in FIG. 9, the arbitrary allocating section 63 has a card reference position determining section 70, and in the case of a multi-probe card which simultaneously inspects a card reference position, for example, eight chips, As shown in FIG. 14 (e), the mouse 52 indicates which coordinate on the graphic wafer should be positioned with the leftmost channel as the reference position.
It is designed to be input by B and decided. Thereby, the card allocation position can be arranged at any position on the semiconductor wafer. That is, the automatic allocation unit 61
The optimal allocation unit 62 allocates the card regardless of whether the card protrudes from the graphic wafer. However, the arbitrary allocation unit 63 allows the operator to fit the card into the graphic wafer while looking at the display unit 53A. The contact area can be set arbitrarily.

【0033】上述のようにしてカード割り振り手段59
によって設定されたカード割り振り位置とチップは互い
に関連付けて図5に示すカード割り振り位置記憶部60
へ記憶させるようにしてある。また、このカード割り振
り位置記憶部60にはチップの空打ちチップ数及びそれ
ぞれの座標を記憶させるようにしてある。従って、この
記憶内容に基づいて表示部53Aにはグラフィックウエ
ハ及びチップ上にカード割り振り位置を重ね合わせて例
えば図14の(c)、(d)のように表示すると共に、
チップの空打ち数及びそれぞれの座標が表示部53Aで
判るようにしてある。
Card allocation means 59 as described above.
The card allocation position storage unit 60 shown in FIG.
I am trying to memorize it. Further, the card allocation position storage unit 60 is configured to store the number of blank shot chips and their coordinates. Therefore, based on the stored contents, the display unit 53A displays the card allocation positions on the graphic wafer and the chips by superimposing them, for example, as shown in (c) and (d) of FIG.
The number of blank shots of the chip and the respective coordinates are known on the display section 53A.

【0034】次に、上記コンピュータ50を用いて4個
のチップを同時に検査する場合のマルチプローブカード
の割り振ってコンタクト領域をシミュレーションを行な
う場合について図10〜図13を参照しながら説明す
る。まず、前述のS1、S2のように入力手段51を用
いてウエハ情報、チップ情報及びカード情報を入力す
る。すると、この入力情報に基づいて割り振り装置52
の座標演算手段54はイメージ上のウエハ上にイメージ
上のチップを割り振り、その結果を記憶すると共に、そ
のイメージに合ったウエハ及びチップをグラフィックウ
エハGW及びグラフィックチップGTとして表示部53
Aに図16で示すように表示する。その後、オペレータ
がマウス52Bを操作して前述のシミュレーションを図
10〜図13に示すように実行する。
Next, a case of simulating a contact area by allocating a multi-probe card when simultaneously inspecting four chips using the computer 50 will be described with reference to FIGS. 10 to 13. First, the wafer information, the chip information, and the card information are input using the input means 51 as in S1 and S2 described above. Then, based on this input information, the allocation device 52
The coordinate calculating means 54 allocates the chips on the image on the wafer, stores the result, and displays the wafer and the chips matching the image as the graphic wafer GW and the graphic chip GT on the display unit 53.
A is displayed as shown in FIG. After that, the operator operates the mouse 52B to execute the above-mentioned simulation as shown in FIGS.

【0035】その時、表示部53Aのグラフィックウエ
ハGWの上方の領域には、「自動設定モード」、「最適
設定モード」及び「任意設定モード」等のカード割り振
りに必要なモード選択用のメニューを表示する(S1
1)。そして、マウス52Bを用いて3種類のカード割
り振りモードから所望のモードを表示部53A上で選択
すると、コンピュータ50ではマウス52Bが押された
か否かを常時判断し(S12)、押されていればマウス
ポインタ71(図16参照)が3種類のモードのいずれ
かを指しているか否かを判断する(S13)。これをい
ずれかのモードが指示されるまで実行する。
At that time, a menu for mode selection necessary for card allocation such as "automatic setting mode", "optimum setting mode" and "arbitrary setting mode" is displayed in the area above the graphic wafer GW of the display section 53A. Yes (S1
1). Then, when a desired mode is selected from the three types of card allocation modes using the mouse 52B on the display unit 53A, the computer 50 constantly determines whether or not the mouse 52B has been pressed (S12). It is determined whether or not the mouse pointer 71 (see FIG. 16) is pointing to one of the three types of modes (S13). This is executed until one of the modes is instructed.

【0036】例えば、S14において自動設定モードを
選択した場合には、以下のようにしてシミュレーション
を実行する。即ち、カード割り振り手段59においてグ
ラフィックウエハGWの左右方向へ略均等にカードを割
り振るようにカードのコンタクト領域(レイアウト)を
演算する(S15)。演算手順としては、まず、チップ
座標記憶部55の記憶データに基づいてウエハマップの
全チップ座標のうち、X軸方向における最小値Xminと
最大値Xmaxを求め(図14(b)参照)、これらの差
からカード情報のうちプローブカードのX方向における
チップ数Nx、ここではNx=4を用いてX方向最大幅と
なる行位置でカードを割り振った時に、ウエハ端部でど
の程度カードがはみだすかその空打ちチップ数Xhを下
記の式に基づいて計算する。この計算結果を図示する
と、図15(a)になる。尚、XmaxとXminの差に1を
加算しているのは、座標(0,0)のチップを加えるた
めである。この計算を実行した後S16へ移る。但し、
下記式において、Qは割算の商を表わし、Rはその余り
を表わす。 {(Xmax−Xmin)+1}/Nx=Q・・・・・・R 空打ちチップ数Xh=Nx−R これを具体的な数値を代入して計算すると次のようにな
る。 {(12−(−12)+1}/8=3・・・・・・1 空打ちチップ数Xh=8−1=7
For example, when the automatic setting mode is selected in S14, the simulation is executed as follows. That is, the card allocating means 59 calculates the contact areas (layouts) of the cards so that the cards are substantially evenly distributed in the left-right direction of the graphic wafer GW (S15). As the calculation procedure, first, the minimum value Xmin and the maximum value Xmax in the X-axis direction are calculated among all the chip coordinates of the wafer map based on the storage data of the chip coordinate storage unit 55 (see FIG. 14B). From the difference of the card information, the number of chips in the X direction of the probe card Nx, where Nx = 4 in this case is used, and when the cards are allocated at the row position that has the maximum width in the X direction, how much the card protrudes at the wafer edge. The number of blank chips Xh is calculated based on the following formula. FIG. 15A shows the result of this calculation. Incidentally, the reason why 1 is added to the difference between Xmax and Xmin is to add the chip of the coordinate (0, 0). After executing this calculation, the process proceeds to S16. However,
In the following formula, Q represents the quotient of division, and R represents the remainder. {(Xmax-Xmin) +1} / Nx = Q ... R The number of blank chips Xh = Nx-R When this is calculated by substituting a specific numerical value, the result is as follows. {(12-(-12) +1} / 8 = 3 ... 1 Number of blank chips Xh = 8-1 = 7

【0037】S16では、X軸方向におけるカードレイ
アウト時の左端開始位置xsを下記の式に基づいて計算
する。下記式は、X方向にカードをレイアウトした時
に、ウエハの両端からのはみだし量、つまり空打ちチッ
プ数が略等しくなるように設定するためである。但し、
下記式において、[Xh/2]は切り捨てを行なった整
数を表わす。 xs=Xmin−[Xh/2] これに具体的に数値を代入して計算すると例えば図15
の(b)のようになる。 xs=−12−[7/2]=−15 即ち、座標(−15,0)がカードレイアウトの開始位
置になり、ウエハの左端からはチップ3個分の長さがは
み出し、右端からはチップ4個分の長さがはみ出す。
尚、ここではレイアウトを左側から開始したが、右側か
ら開始しても良い。
In S16, the left end start position xs in the card layout in the X-axis direction is calculated based on the following formula. The following formula is for setting the amount of protrusion from both ends of the wafer, that is, the number of blank chips to be made substantially equal when the cards are laid out in the X direction. However,
In the following formula, [Xh / 2] represents a truncated integer. xs = Xmin− [Xh / 2] When numerical values are specifically substituted for this calculation, for example, FIG.
It becomes like (b). xs = -12- [7/2] =-15 That is, the coordinates (-15,0) are the start position of the card layout, the length of three chips is projected from the left edge of the wafer, and the chip is extended from the right edge. The length of four pieces protrudes.
Although the layout is started from the left side here, it may be started from the right side.

【0038】同様にしてS17ではS15、S16で実
行した内容をY方向について実行し、Y軸の上端開始位
置ysを求める。このようにしてウエハマップ上の開始
座標(xs,ys)を求めたら、この座標(xs,ys)に
プローブカードの左上部(ここではY方向が2列あるか
ら、左端上側のチャネル)を配置し、ウエハマップ上の
開始座標を基準にしてX方向(行方向)及びY方向(列
方向)にカードを割り振ってカードをウエハマップ上に
敷き詰め、その結果を表示部53Aにコンタクト領域と
して表示する(S18)。この状態を示したものが図1
4の(c)である。ここで求められた結果は、カード割
り振り位置記憶部60で記憶し(S19)、最終的には
ファイル記憶部56で記憶する(S20)。
Similarly, in S17, the contents executed in S15 and S16 are executed in the Y direction to obtain the upper end start position ys of the Y axis. In this way, when the starting coordinates (xs, ys) on the wafer map are obtained, the upper left part of the probe card (here, there are two columns in the Y direction, so the channel on the upper left end) is arranged at these coordinates (xs, ys). Then, the cards are laid out on the wafer map by allocating the cards in the X direction (row direction) and the Y direction (column direction) with reference to the start coordinates on the wafer map, and displaying the result as a contact area on the display unit 53A. (S18). Figure 1 shows this state.
4 (c). The result obtained here is stored in the card allocation position storage unit 60 (S19) and finally stored in the file storage unit 56 (S20).

【0039】次に、最適設定モードについて説明する。
このモードではプローブカード1のコンタクト回数、つ
まりインデックス送り回数が最も少なくなるようにカー
ド割り振り位置を自動的にレイアウトする。それにはま
ず、S14に戻り、このステップでNOとなって図12
に示すS21で「最適設定モード」を選択すると、ウエ
ハマップ上における割り振り対象となるチップの行位置
を示すインクリメント部69の記憶内容を「0」にセッ
トし(S22)、次いで、この記憶内容iを「1」だけ
増やす(S23)。
Next, the optimum setting mode will be described.
In this mode, the card allocation position is automatically laid out so that the number of contacts of the probe card 1, that is, the number of index feeds is minimized. To do so, firstly, the process returns to S14, and the result in this step is NO.
When the "optimum setting mode" is selected in S21 shown in FIG. 5, the storage content of the increment unit 69 indicating the row position of the allocation target chip on the wafer map is set to "0" (S22), and then the storage content i is set. Is incremented by "1" (S23).

【0040】次に、ウエハマップ上の第i行目(ここで
は1行目)において最適なカードのレイアウトを行なっ
てコンタクト領域を設定する。この場合、カードレイア
ウト時の座標計算は、図10で示したS15、図11で
示したS16、S17の各ステップを第1行目に関して
のみ行ない、左端開始位置を求める(S24)。その
後、この左端開始位置を基準にして第1行目のカードレ
イアウトを決定し、それを表示部53Aに表示する(S
25)。更に、第i行目は、ウエハマップの最終行であ
るか否かを判断し(S26)、最終行でなければS23
に戻り、インクリメント部69の内容iを1つ増加し、
同様な演算を繰り返す。チップの最終行まで演算してカ
ードのレイアウトを行なったら、図11のS19へ移
り、レイアウトされた各カードのコンタクト領域を記憶
する。この時、表示部53Aでは図14の(d)を表示
し、カードのインデックス送り回数が最も少ないカード
の割り振りを決定する。
Next, the optimum card layout is performed in the i-th row (here, the first row) on the wafer map to set the contact area. In this case, in the coordinate calculation during the card layout, the steps S15 shown in FIG. 10 and S16 and S17 shown in FIG. 11 are performed only for the first line to obtain the left end start position (S24). After that, the card layout of the first row is determined based on this left end start position, and it is displayed on the display section 53A (S
25). Further, it is determined whether the i-th row is the last row of the wafer map (S26).
And the content i of the increment unit 69 is incremented by 1,
Repeat the same calculation. After the cards have been laid out by calculating up to the last row of the chip, the process proceeds to S19 of FIG. 11 and the contact area of each laid out card is stored. At this time, (d) of FIG. 14 is displayed on the display unit 53A, and the allocation of the card with the smallest number of card index feeds is determined.

【0041】最後に、「任意設定モード」を選択した場
合について説明する。この任意設定モードではオペレー
タが任意の位置にカードを割り振ってコンタクト領域を
設定することができる。それにはまず、図12に戻り、
このステップで図13示すS27で「任意設定」を選択
すると、マウス釦が常時押されているか否かを判断し
(S28、S29)、マウス釦が離れた場合には、その
時のマウスポインタ71が位置するチップ座標(xn,
yn)にカードレイアウトの左上端を位置させて1つの
レイアウトを表示する(S30)。そして、そのマウス
ポインタ71のチップ座標を記憶する(S32)。次
に、カードレイアウトがウエハマップの全てを埋めたか
否かを判断し(S33)、埋めていない場合には終了メ
ニューを選択したか否かを判断する(S34)。終了メ
ニューを選択していない場合には再度S28に戻り、次
に指示を待って上述の動作を繰り返す。カードレイアウ
トを行なっている途中のレイアウトは表示部53Aに図
14の(e)のように表示する。このようにしてカード
レイアウトがウエハマップの全てを埋めた場合、あるい
は終了メニューを選択した場合には図11のS19に戻
り、その時のカードレイアウト位置を記憶してファイル
化する。
Finally, the case where the "arbitrary setting mode" is selected will be described. In this arbitrary setting mode, the operator can allocate the cards to arbitrary positions and set the contact area. To do that, first go back to FIG.
If "arbitrary setting" is selected in S27 shown in FIG. 13 in this step, it is determined whether or not the mouse button is always pressed (S28, S29). If the mouse button is released, the mouse pointer 71 at that time is Position of chip coordinates (xn,
One layout is displayed with the upper left corner of the card layout positioned at (yn) (S30). Then, the chip coordinates of the mouse pointer 71 are stored (S32). Next, it is determined whether the card layout has filled the entire wafer map (S33), and if not filled, it is determined whether the end menu has been selected (S34). If the end menu is not selected, the process returns to S28 again, waits for the next instruction, and repeats the above operation. The layout during the card layout is displayed on the display unit 53A as shown in FIG. In this way, when the card layout fills the entire wafer map, or when the end menu is selected, the process returns to S19 of FIG. 11, and the card layout position at that time is stored and filed.

【0042】本実施例のプロービング方法におけるコン
タクト領域22を求める場合には、3種類のモードのい
ずれを利用しても良い。マルチプローブカード1のマル
チ数及び配列が決まっていれば、最適設定モードを利用
すれば短時間で最小のコンタクト領域22を求めること
ができる。しかし、その最小コンタクト領域22が全て
最小の空打ちチップ数であるとは限らない。従って、コ
ンタクト領域22及び空打ちチップ数が共に最も小さい
コンタクト領域22を設定するには、3つのモードを利
用し、それぞれの結果に基づいてオペレータが判定す
る。また、この判定をコンピュータ50によって行なう
こともできる。その場合には、判定用ソフトを組み込
み、最適条件になる種々の条件を入力しておけば良い。
When obtaining the contact region 22 in the probing method of this embodiment, any of the three modes may be used. If the number and arrangement of the multi-probe card 1 are determined, the minimum contact region 22 can be obtained in a short time by using the optimum setting mode. However, not all of the minimum contact regions 22 have the minimum number of blank chips. Therefore, in order to set the contact region 22 and the contact region 22 having the smallest number of blank shot chips, three modes are used, and the operator makes a judgment based on the respective results. Also, this determination can be performed by the computer 50. In that case, it is sufficient to incorporate the judgment software and input various conditions that are optimum conditions.

【0043】また、上述のコンピュータ50を用いるこ
とによりマルチプローブカードのマルチ数及びレイアウ
トを設計することができる。それには、検査対象となる
種々の半導体ウエハをファイル記憶部に予め登録してお
き、それぞれの半導体ウエハについて種々のカード情報
を入力し、得られた結果に基づいて最も効率の良いマル
チプローブカードを選択すれば、最適なマルチプローブ
カードを得ることができる。
By using the computer 50 described above, it is possible to design the number and layout of multiple probe cards. To do this, various semiconductor wafers to be inspected are registered in advance in the file storage unit, various card information is input for each semiconductor wafer, and the most efficient multi-probe card is obtained based on the obtained results. If selected, an optimal multi-probe card can be obtained.

【0044】尚、上記各実施例では、8×2個のチップ
T及び4×2個のチップTを同時に検査する場合につい
て本発明を説明したが、マルチプローブカードとして偶
数個ずつ縦横に連続し且つ縦横の少なくともいずれか一
つの方向に4個以上連続する複数のチップに対応する複
数の接触子を有するマルチプローブカードを用い、この
マルチプローブカードで検査する複数のチップ領域を一
つのインデックス区域として設定し、次いで、このイン
デックス区域を縦横に敷き詰めて半導体ウエハ上の全チ
ップを被った場合に形成される最小面積となる領域をコ
ンタクト領域として半導体ウエハ上に設定した後、この
コンタクト領域内を所定のインデックス区域から最後の
インデックス区域までの最短経路に従ってマルチプロー
ブカードをインデックス送りするような方法であれば、
全て本発明に包含される。また、コンピュータを利用し
てCRT、LCDなどの表示部にウエハ、チップを映し
出し、そのウエハ上でコンタクト領域を設計する場合も
本発明に包含される。また、上記実施例では垂直プロー
ブカードをマルチプローブカードの接触子として用いた
ものについて説明したが、本発明を実施する場合にはメ
ンブレンカードを用いることもできる。
In each of the above-described embodiments, the present invention has been described in the case of simultaneously inspecting 8 × 2 chips T and 4 × 2 chips T. However, as a multi-probe card, an even number of chips are continuously connected vertically and horizontally. Also, a multi-probe card having a plurality of contacts corresponding to a plurality of four or more consecutive chips in at least one of the vertical and horizontal directions is used, and a plurality of chip areas to be inspected by the multi-probe card are used as one index area. Then, the index area is laid out vertically and horizontally and the minimum area formed when all the chips on the semiconductor wafer are covered is set as the contact area on the semiconductor wafer. Index the multi-probe card according to the shortest path from the index area to the last index area. If it is a method to send
All are included in the present invention. The present invention also includes a case where a computer is used to project a wafer and chips on a display unit such as a CRT or LCD and a contact region is designed on the wafer. Further, although the vertical probe card is used as the contactor of the multi-probe card in the above embodiment, a membrane card may be used when the present invention is carried out.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項1に
記載に発明によれば、プローブカードとして偶数個ずつ
縦横に連続し且つ縦横の少なくともいずれか一つの方向
に4個以上連続する複数のチップに対応する複数の接触
子を有するプローブカードを用いると共に、上記プロー
ブカードで同時に検査する領域を一つのインデックス区
域とし、このインデックス区域を縦横に敷き詰めて上記
半導体ウエハ上のチップの全てを被う最小面積のコンタ
クト対象領域を上記半導体ウエハ上に設定し、このコン
タクト対象領域内を所定のインデックス順で接触子を順
次上記インデックス区域に接触させるようにしたため、
インデックス送りの回数を軽減し、検査効率を向上させ
る半導体ウエハのプロービング方法を提供することがで
きる。
As described above, according to the invention described in claim 1 of the present invention, a plurality of probe cards which are continuous in even numbers in the vertical and horizontal directions and are continuous in four or more in at least one of the vertical and horizontal directions. In addition to using a probe card having a plurality of contacts corresponding to the above chips, the area to be simultaneously inspected by the probe card is defined as one index area, and this index area is spread vertically and horizontally to cover all the chips on the semiconductor wafer. Since the contact target area having the smallest area is set on the semiconductor wafer, and the contacts are sequentially brought into contact with the index area in a predetermined index order in the contact target area,
It is possible to provide a semiconductor wafer probing method that reduces the number of index feeds and improves inspection efficiency.

【0046】また、本発明の請求項2に記載に発明によ
れば、コンピュータの表示部を見ながらマルチプローブ
カードの最小のコンタクト領域を設定するようにしたた
め、インデックス送りの回数を軽減し且つ空打ちチップ
数を軽減する最小のコンタクト領域を短時間で設定し、
しかもインデックス送りの回数を軽減し、検査効率を向
上させる半導体ウエハのプロービング方法を提供するこ
とができる。
According to the second aspect of the present invention, since the minimum contact area of the multi-probe card is set while observing the display section of the computer, the number of index feeds can be reduced and the number of blanks can be reduced. Set the minimum contact area to reduce the number of driven chips in a short time,
Moreover, it is possible to provide a semiconductor wafer probing method that reduces the number of index feeds and improves inspection efficiency.

【0047】[0047]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】半導体ウエハ上のチップを16個ずつ同時に検
査する方法を示す図で、同図(a)は本発明の半導体ウ
エハのプロービング方法の一実施例により半導体ウエハ
のチップの検査順序を示す平面図、同図(b)は従来の
半導体ウエハのプロービング方法により半導体ウエハの
チップの検査順序を示す平面図である。
FIG. 1 is a view showing a method of simultaneously inspecting 16 chips on a semiconductor wafer, wherein FIG. 1A shows an inspection order of chips on a semiconductor wafer according to an embodiment of a semiconductor wafer probing method of the present invention. A plan view and FIG. 1B are plan views showing an inspection order of chips of a semiconductor wafer by a conventional semiconductor wafer probing method.

【図2】半導体ウエハ上のチップを8個ずつ同時に検査
する方法を示す図で、同図(a)は本発明の半導体ウエ
ハのプロービング方法の一実施例により半導体ウエハの
チップの検査順序を示す平面図、同図(b)は従来の半
導体ウエハのプロービング方法により半導体ウエハのチ
ップの検査順序を示す平面図である。
FIG. 2 is a view showing a method of simultaneously inspecting eight chips on a semiconductor wafer, and FIG. 2A shows an inspection order of chips on a semiconductor wafer according to an embodiment of a semiconductor wafer probing method of the present invention. A plan view and FIG. 1B are plan views showing an inspection order of chips of a semiconductor wafer by a conventional semiconductor wafer probing method.

【図3】本発明の半導体ウエハのプロービング方法に好
適に用いられるプローブ装置のプローブカードを示す斜
視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a probe card of a probe device that is preferably used in the semiconductor wafer probing method of the present invention.

【図4】図3に示すプローブカードを示す断面図であ
る。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the probe card shown in FIG.

【図5】本発明の半導体ウエハのプロービング方法の一
実施例を示すフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing an embodiment of a semiconductor wafer probing method according to the present invention.

【図6】本発明の半導体ウエハのプロービング方法を実
施する際に用いられるコンピュータの要部を示すブロッ
ク図である。
FIG. 6 is a block diagram showing a main part of a computer used when implementing the semiconductor wafer probing method of the present invention.

【図7】図6に示すコンピュータの自動割り振り部を示
すブロック図である。
7 is a block diagram showing an automatic allocation unit of the computer shown in FIG.

【図8】図6に示すコンピュータの最適割り振り部を示
すブロック図である。
8 is a block diagram showing an optimum allocation unit of the computer shown in FIG.

【図9】図6に示すコンピュータの任意割り振り部を示
すブロック図である。
9 is a block diagram showing an arbitrary allocation unit of the computer shown in FIG.

【図10】マルチプローブカードの割り振り時のフロー
を示すフローチャートである。
FIG. 10 is a flowchart showing a flow when allocating a multi-probe card.

【図11】マルチプローブカードの割り振り時のフロー
を示すフローチャートである。
FIG. 11 is a flowchart showing a flow when allocating a multi-probe card.

【図12】マルチプローブカードの割り振り時のフロー
を示すフローチャートである。
FIG. 12 is a flowchart showing a flow when allocating a multi-probe card.

【図13】マルチプローブカードの割り振り時のフロー
を示すフローチャートである。
FIG. 13 is a flowchart showing a flow when allocating a multi-probe card.

【図14】(a)、(b)、(c)、(d)、(e)は
いずれもマルチプローブカードの割り振り時の表示部の
グラフィック表示を示す図である。
14 (a), (b), (c), (d), and (e) are all diagrams showing a graphic display of a display unit when a multi-probe card is allocated.

【図15】(a)、(b)はマルチプローブカードの割
り振り時の演算過程の一部を示す模式図である。
15 (a) and 15 (b) are schematic diagrams showing a part of a calculation process when allocating a multi-probe card.

【図16】表示部の初期画面を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing an initial screen of a display unit.

【図17】従来のプローブカードのプローブ針の一部
と、このプローブカードによって検査するチップの配列
を示す図で、同図(a)は正常な状態のプローブ針の一
部を示す斜視図、同図(b)は変形した状態のプローブ
針を示す同図(a)相当図、同図(c)は同図(a)の
プローブ針で検査するチップの配列を示す平面図であ
る。
FIG. 17 is a diagram showing a part of a probe needle of a conventional probe card and an arrangement of chips to be inspected by the probe card, FIG. 17 (a) is a perspective view showing a part of the probe needle in a normal state; 11B is a diagram corresponding to FIG. 19A showing the probe needle in a deformed state, and FIG. 19C is a plan view showing an array of chips to be inspected by the probe needle shown in FIG.

【図18】従来の他のプローブカードのプローブ針の一
部と、このプローブカードによって検査するチップの配
列を示す図で、同図(a)は正常な状態のプローブ針の
一部を示す斜視図、同図(b)は変形した状態のプロー
ブ針を示す同図(a)相当図、同図(c)は同図(a)
のプローブ針で検査するチップの配列を示す平面図であ
る。
FIG. 18 is a diagram showing a part of a probe needle of another conventional probe card and an arrangement of chips to be inspected by the probe card. FIG. 18A is a perspective view showing a part of the probe needle in a normal state. The figure, the figure (b) is the figure corresponding to the figure (a) showing the probe needle in a deformed state, and the figure (c) is the figure (a).
FIG. 6 is a plan view showing an arrangement of chips to be inspected by the probe needle of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 プローブカード 3 垂直プローブ針(接触子) 22 インデックス区域 23 コンタクト領域 50 コンピュータ 51 入力手段 53A 表示部 W 半導体ウエハ T チップ GW グラフィックウエハ GT グラフィックチップ 1 Probe Card 3 Vertical Probe Needle (Contact) 22 Index Area 23 Contact Area 50 Computer 51 Input Means 53A Display Section W Semiconductor Wafer T Chip GW Graphic Wafer GT Graphic Chip

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 プローブカードを用いて半導体ウエハ上
に配列されたチップの電気的特性を検査する際に、複数
のチップの電極パッドに対してプローブ針を同時に接触
させながらインデックス送りを順次行なって全チップに
ついて接触子を接触させる半導体ウエハのプロービング
方法において、上記プローブカードとして偶数個ずつ縦
横に連続し且つ縦横の少なくともいずれか一つの方向に
4個以上連続する複数のチップに対応する複数の接触子
を有するマルチプローブカードを用い、このマルチプロ
ーブカードで同時に検査する領域を一つのインデックス
区域として設定し、次いで、このインデックス区域を縦
横に敷き詰めて上記半導体ウエハ上の全チップを被った
場合に形成される最小面積となる領域をコンタクト領域
として上記半導体ウエハ上に設定した後、このコンタク
ト領域内を最初のインデックス区域から最後のインデッ
クス区域までの最短経路に従って上記半導体ウエハをイ
ンデックス送りすることを特徴とする半導体ウエハのプ
ロービング方法。
1. When inspecting electrical characteristics of chips arranged on a semiconductor wafer using a probe card, index feed is sequentially performed while simultaneously contacting probe needles with electrode pads of a plurality of chips. In a probing method of a semiconductor wafer in which contacts are brought into contact with all the chips, a plurality of contacts corresponding to a plurality of chips which are continuous in an even number in the vertical and horizontal directions and four or more continuous in at least one of the vertical and horizontal directions as the probe card. This is formed when a multi-probe card having a child is used and an area to be simultaneously inspected by this multi-probe card is set as one index area, and then this index area is spread vertically and horizontally to cover all the chips on the semiconductor wafer. The above-mentioned semiconductor window A method of probing a semiconductor wafer, which comprises indexing the semiconductor wafer according to the shortest path from the first index area to the last index area in the contact area after setting on the roof.
【請求項2】 プローブカードを用いて半導体ウエハ上
に配列されたチップの電気的特性を検査する際に、複数
のチップの電極パッドに対してプローブ針を同時に接触
させながらインデックス送りを順次行なって全チップに
ついて接触子を接触させる半導体ウエハのプロービング
方法において、上記プローブカードとして偶数個ずつ縦
横に連続し且つ縦横の少なくともいずれか一つの方向に
4個以上連続する複数のチップに対応する複数の接触子
を有するマルチプローブカードを用いて検査する際に、
コンピュータの表示部において上記半導体ウエハ及びチ
ップをグラフィック表示した後、上記マルチプローブカ
ードで同時に検査する領域を一つのインデックス区域と
してコンピュータの表示部において設定し、次いで、こ
のインデックス区域をグラフィック表示されたウエハ上
で縦横に敷き詰めてグラフィック表示された全チップを
被った場合に形成される最小の面積となる領域をコンタ
クト領域として上記表示部において設定した後、このコ
ンタクト領域内を最初のインデックス区域から最後のイ
ンデックス区域までの最短経路に従って上記半導体ウエ
ハをインデックス送りすることを特徴とする半導体ウエ
ハのプロービング方法。
2. When inspecting the electrical characteristics of chips arranged on a semiconductor wafer using a probe card, index feed is sequentially performed while simultaneously contacting probe needles with electrode pads of a plurality of chips. In a probing method of a semiconductor wafer in which contacts are brought into contact with all the chips, a plurality of contacts corresponding to a plurality of chips which are continuous in an even number in the vertical and horizontal directions and four or more continuous in at least one of the vertical and horizontal directions as the probe card. When testing using a multi-probe card with a child,
After the semiconductor wafer and the chip are graphically displayed on the display unit of the computer, an area to be simultaneously tested by the multi-probe card is set as one index area on the display unit of the computer, and then this index area is graphically displayed on the wafer. After setting the area that is the smallest area formed when covering all the chips displayed graphically by laying it vertically and horizontally as the contact area in the above-mentioned display part, within this contact area from the first index area to the last A method for probing a semiconductor wafer, which comprises indexing the semiconductor wafer according to a shortest path to an index area.
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