JPH07235546A - ラテラルトランジスタ - Google Patents
ラテラルトランジスタInfo
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- JPH07235546A JPH07235546A JP2534894A JP2534894A JPH07235546A JP H07235546 A JPH07235546 A JP H07235546A JP 2534894 A JP2534894 A JP 2534894A JP 2534894 A JP2534894 A JP 2534894A JP H07235546 A JPH07235546 A JP H07235546A
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- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 カットオフ電圧を下げずにラテラルトランジ
スタの面積を小さくする。 【構成】 ｎ基板３１の主表面ＡにＰ+ エミッタ３２が
形成され、ｎベース３３が主表面Ａの下側にＰ+ エミッ
タ３２を内包するように形成されている。又、Ｐ- コレ
クタ３４が主表面Ａの下側にｎベース３３の側面に接し
てｎベース３３を囲むように形成され、かつベース電極
３９が接続されたｎ+ ベース３６が主表面Ａに形成され
ている。ｎベース３３の下方に形成され、ｎベース３３
より不純物濃度が高い空乏層防止領域４０が、ｎベース
３３の下の空乏層の水平方向の広がりを抑える。
スタの面積を小さくする。 【構成】 ｎ基板３１の主表面ＡにＰ+ エミッタ３２が
形成され、ｎベース３３が主表面Ａの下側にＰ+ エミッ
タ３２を内包するように形成されている。又、Ｐ- コレ
クタ３４が主表面Ａの下側にｎベース３３の側面に接し
てｎベース３３を囲むように形成され、かつベース電極
３９が接続されたｎ+ ベース３６が主表面Ａに形成され
ている。ｎベース３３の下方に形成され、ｎベース３３
より不純物濃度が高い空乏層防止領域４０が、ｎベース
３３の下の空乏層の水平方向の広がりを抑える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自己保護機能を有し、
バイポーラリニア集積回路等に用いられるラテラルトラ
ンジスタに関するものである。
バイポーラリニア集積回路等に用いられるラテラルトラ
ンジスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば次のような文献に記載されるものがあった。 文献；1990 IEEE IEDM 90,Semiconductor Research and
Development Laboratory Motorola,Inc.,Phoenix,AZ 8
5008“Method of Internal Overvoltage Protection an
d Current Limit for a Lateral PNP Transistor Forme
d by Polysilicon Self-Aligned Emitter and Base,wit
h extended Collector”P.799-801 一般に、バイポーラリニア集積回路（Integrated Circu
it、以下、ＩＣという）では、ｎｐｎトランジスタとｐ
ｎｐトランジスタが混用して使用されるが、この場合、
ＩＣの製造工程を少なくし、安価にする目的から、例え
ば、ｎｐｎトランジスタを縦型構造にし、ｐｎｐトラン
ジスタはラテラル構造にする。特に高耐圧リニアＩＣに
おいては、高耐圧で高速、かつ高電流増幅率のラテラル
トランジスタが不可欠である。
例えば次のような文献に記載されるものがあった。 文献；1990 IEEE IEDM 90,Semiconductor Research and
Development Laboratory Motorola,Inc.,Phoenix,AZ 8
5008“Method of Internal Overvoltage Protection an
d Current Limit for a Lateral PNP Transistor Forme
d by Polysilicon Self-Aligned Emitter and Base,wit
h extended Collector”P.799-801 一般に、バイポーラリニア集積回路（Integrated Circu
it、以下、ＩＣという）では、ｎｐｎトランジスタとｐ
ｎｐトランジスタが混用して使用されるが、この場合、
ＩＣの製造工程を少なくし、安価にする目的から、例え
ば、ｎｐｎトランジスタを縦型構造にし、ｐｎｐトラン
ジスタはラテラル構造にする。特に高耐圧リニアＩＣに
おいては、高耐圧で高速、かつ高電流増幅率のラテラル
トランジスタが不可欠である。
【０００３】図２は、従来の一般的なラテラルトランジ
スタを示す概略の断面図である。このラテラルトランジ
スタは、比抵抗が約８Ω・ｃｍのｎ型基板１１を備えて
いる。その基板１１の主表面Ａから深さ約０．４μｍに
形成された第１の半導体領域であるＰ+ 型エミッタ１２
は、表面の不純物濃度が約１０19ｃｍ-3である。又、基
板１１の主表面Ａから深さ約３．５μｍにエミッタ１２
を内包するように形成された第２の半導体領域であるｎ
型ベース１３は、表面の不純物濃度が約１０18ｃｍ-3で
ある。更に、基板１１の主表面Ａから深さ約３μｍにベ
ース１３の側面に接してベース１３を囲むように形成さ
れた第３の半導体領域であるＰ- 型コレクタ１４は、表
面の不純物濃度がエミッタ１２よりも低く、約１０16ｃ
ｍ-3である。又、基板１１の主表面Ａから深さ約５μｍ
にコレクタ１４の側面に接してコレクタ１４を囲むよう
に形成されたＰ+ 型コレクタ１５は、表面の不純物濃度
が約１０19ｃｍ-3である。一方、エミッタ１２、ベース
１３、コレクタ１４及びコレクタ１５とは異なる位置
に、基板１１の主表面Ａから深さ約０．５μｍに形成さ
れたｎ+ 型ベース１６は、表面の不純物濃度がベース１
３よりも高く、約１０19ｃｍ-3である。
スタを示す概略の断面図である。このラテラルトランジ
スタは、比抵抗が約８Ω・ｃｍのｎ型基板１１を備えて
いる。その基板１１の主表面Ａから深さ約０．４μｍに
形成された第１の半導体領域であるＰ+ 型エミッタ１２
は、表面の不純物濃度が約１０19ｃｍ-3である。又、基
板１１の主表面Ａから深さ約３．５μｍにエミッタ１２
を内包するように形成された第２の半導体領域であるｎ
型ベース１３は、表面の不純物濃度が約１０18ｃｍ-3で
ある。更に、基板１１の主表面Ａから深さ約３μｍにベ
ース１３の側面に接してベース１３を囲むように形成さ
れた第３の半導体領域であるＰ- 型コレクタ１４は、表
面の不純物濃度がエミッタ１２よりも低く、約１０16ｃ
ｍ-3である。又、基板１１の主表面Ａから深さ約５μｍ
にコレクタ１４の側面に接してコレクタ１４を囲むよう
に形成されたＰ+ 型コレクタ１５は、表面の不純物濃度
が約１０19ｃｍ-3である。一方、エミッタ１２、ベース
１３、コレクタ１４及びコレクタ１５とは異なる位置
に、基板１１の主表面Ａから深さ約０．５μｍに形成さ
れたｎ+ 型ベース１６は、表面の不純物濃度がベース１
３よりも高く、約１０19ｃｍ-3である。
【０００４】更に、エミッタ１２、コレクタ１５及びベ
ース１６上には、第１の電極であるエミッタ電極１７、
第２の電極であるコレクタ電極１８及び第３の電極であ
るベース電極１９がそれぞれ形成されている。コレクタ
１４は、コレクタ抵抗を低減する役割を持ち、その深さ
が深いほどコレクタ抵抗が低減されるが、深い拡散には
長時間の熱処理時間が必要であるので、実用的にはベー
ス１３の深さと同程度にすることが多い。又、コレクタ
・ベース間ブレークダウン電圧ＢＶcbo を大きくするた
めに、コレクタ１５はコレクタ１４よりも深く形成され
る場合が多い。又、エミッタ１２及びベース１３はセル
フアライン技術を用いて形成され、ベース１３が実効的
なベース領域となるため、ベース幅が狭くできる。その
ため、ラテラルトランジスタであるにもかかわらず、縦
型トランジスタと同等の高い電流増幅率と遮断周波数を
実現している。更に、エミッタ電極１７がベース１３上
を越えてコレクタ１４上にパッシベーション膜２０を介
して延在しているので、ベース１３と低不純物濃度のコ
レクタ１４との接合部付近の電界の集中が緩和され、高
耐圧化が実現している。
ース１６上には、第１の電極であるエミッタ電極１７、
第２の電極であるコレクタ電極１８及び第３の電極であ
るベース電極１９がそれぞれ形成されている。コレクタ
１４は、コレクタ抵抗を低減する役割を持ち、その深さ
が深いほどコレクタ抵抗が低減されるが、深い拡散には
長時間の熱処理時間が必要であるので、実用的にはベー
ス１３の深さと同程度にすることが多い。又、コレクタ
・ベース間ブレークダウン電圧ＢＶcbo を大きくするた
めに、コレクタ１５はコレクタ１４よりも深く形成され
る場合が多い。又、エミッタ１２及びベース１３はセル
フアライン技術を用いて形成され、ベース１３が実効的
なベース領域となるため、ベース幅が狭くできる。その
ため、ラテラルトランジスタであるにもかかわらず、縦
型トランジスタと同等の高い電流増幅率と遮断周波数を
実現している。更に、エミッタ電極１７がベース１３上
を越えてコレクタ１４上にパッシベーション膜２０を介
して延在しているので、ベース１３と低不純物濃度のコ
レクタ１４との接合部付近の電界の集中が緩和され、高
耐圧化が実現している。
【０００５】図３は、図２のラテラルトランジスタに空
乏層ができた状態を示す概略の断面図である。図４は、
図２のラテラルトランジスタにおけるコレクタ電圧Ｖｃ
とコレクタ電流Ｉｃとの特性図である。図４中のＩB1〜
ＩB5は、ベース電流Ｉb である。これらの図を参照しつ
つ、図２のラテラルトランジスタの特徴を説明する。エ
ミッタ電極１７とコレクタ電極１９との間に高電圧が印
加されると、図３に示すように、空乏層２１ができ、こ
の空乏層２１により、ベース電流Ｉｂがカットオフ領域
２２で遮断され、トランジスタがオフ状態になる。即
ち、図４において、コレクタ電圧Ｖｃが増加すると、カ
ットオフ電圧Ｖａに達した時にベース電流Ｉｂが遮断さ
れるため、コレクタ電流Ｉｃは急速にゼロに減少し、ト
ランジスタはオフ状態になる。そのため、サージ電圧が
印加されても、この特徴が自己保護機能として働くの
で、トランジスタはサージ電圧による破壊に対して強く
なっている。ここでのカットオフ電圧Ｖａは、図３から
分かるように、ベース領域の幅ＬB を小さくすると減少
する。
乏層ができた状態を示す概略の断面図である。図４は、
図２のラテラルトランジスタにおけるコレクタ電圧Ｖｃ
とコレクタ電流Ｉｃとの特性図である。図４中のＩB1〜
ＩB5は、ベース電流Ｉb である。これらの図を参照しつ
つ、図２のラテラルトランジスタの特徴を説明する。エ
ミッタ電極１７とコレクタ電極１９との間に高電圧が印
加されると、図３に示すように、空乏層２１ができ、こ
の空乏層２１により、ベース電流Ｉｂがカットオフ領域
２２で遮断され、トランジスタがオフ状態になる。即
ち、図４において、コレクタ電圧Ｖｃが増加すると、カ
ットオフ電圧Ｖａに達した時にベース電流Ｉｂが遮断さ
れるため、コレクタ電流Ｉｃは急速にゼロに減少し、ト
ランジスタはオフ状態になる。そのため、サージ電圧が
印加されても、この特徴が自己保護機能として働くの
で、トランジスタはサージ電圧による破壊に対して強く
なっている。ここでのカットオフ電圧Ｖａは、図３から
分かるように、ベース領域の幅ＬB を小さくすると減少
する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成のラテラルトランジスタでは、更に高電流増幅、高遮
断周波数及びチップ面積の縮小を行うためにエミッタ面
積を減少させると、空乏層２１の広がりによって図３の
ベース領域の幅ＬB が小さくなり、ベース電流Ｉｂが遮
断されるのが早くなる。そのため、カットオフ電圧Ｖａ
が減少するので、高電圧領域による使用が困難になると
いう問題点があった。本発明は、エミッタを縮小しなが
ら、かつカットオフ電圧を増大させたラテラルトランジ
スタを提供するものである。
成のラテラルトランジスタでは、更に高電流増幅、高遮
断周波数及びチップ面積の縮小を行うためにエミッタ面
積を減少させると、空乏層２１の広がりによって図３の
ベース領域の幅ＬB が小さくなり、ベース電流Ｉｂが遮
断されるのが早くなる。そのため、カットオフ電圧Ｖａ
が減少するので、高電圧領域による使用が困難になると
いう問題点があった。本発明は、エミッタを縮小しなが
ら、かつカットオフ電圧を増大させたラテラルトランジ
スタを提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、第１の発明では、互いに逆極性の第１及び第２の導
電型のうち第１の導電型の半導体基板の主表面に形成さ
れた第２の導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半
導体領域を内包し、前記主表面の下側に形成された第１
の導電型の第２の半導体領域と、前記第２の半導体領域
の側面に接して該第２の半導体領域を囲み、かつ前記主
表面と前記半導体基板との間に形成された第２の導電型
の第３の半導体領域と、前記第１の半導体領域、前記第
３の半導体領域及び前記半導体基板にそれぞれ接続され
た第１、第２及び第３の電極とを、有するラテラルトラ
ンジスタにおいて、次のような手段を講じている。即
ち、不純物濃度が半導体基板よりも高濃度の第１の導電
型の第４の半導体領域を、第２の半導体領域と半導体基
板との間に形成している。第２の発明では、第１の発明
と同様のラテラルトランジスタにおいて、第２の半導体
領域と第３の半導体領域との双方の下側に接して形成さ
れ、不純物濃度が半導体基板よりも高濃度の第１の導電
型の第４の半導体領域を設けている。第３の発明では、
第１の発明と同様のラテラルトランジスタにおいて、第
１の半導体領域の側面と第２の半導体領域の側面との距
離よりも第１の半導体領域の底面と第２の半導体領域の
底面との距離の方が大きく、かつ第２の半導体領域の底
面の主表面からの距離が第３の半導体領域の底面の該第
２の半導体領域側における主表面からの距離よりも大き
くなるようにしている。第４の発明では、第１の発明と
同様のラテラルトランジスタにおいて、第２の半導体領
域と第３の半導体領域との双方に接し、不純物濃度が第
３の半導体領域よりも低濃度の第２の導電型の第４の半
導体領域を、設けている。第５の発明では、第１の発明
と同様のラテラルトランジスタにおいて、第２の半導体
領域と第３の半導体領域とが部分的に離間するようにし
ている。
に、第１の発明では、互いに逆極性の第１及び第２の導
電型のうち第１の導電型の半導体基板の主表面に形成さ
れた第２の導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半
導体領域を内包し、前記主表面の下側に形成された第１
の導電型の第２の半導体領域と、前記第２の半導体領域
の側面に接して該第２の半導体領域を囲み、かつ前記主
表面と前記半導体基板との間に形成された第２の導電型
の第３の半導体領域と、前記第１の半導体領域、前記第
３の半導体領域及び前記半導体基板にそれぞれ接続され
た第１、第２及び第３の電極とを、有するラテラルトラ
ンジスタにおいて、次のような手段を講じている。即
ち、不純物濃度が半導体基板よりも高濃度の第１の導電
型の第４の半導体領域を、第２の半導体領域と半導体基
板との間に形成している。第２の発明では、第１の発明
と同様のラテラルトランジスタにおいて、第２の半導体
領域と第３の半導体領域との双方の下側に接して形成さ
れ、不純物濃度が半導体基板よりも高濃度の第１の導電
型の第４の半導体領域を設けている。第３の発明では、
第１の発明と同様のラテラルトランジスタにおいて、第
１の半導体領域の側面と第２の半導体領域の側面との距
離よりも第１の半導体領域の底面と第２の半導体領域の
底面との距離の方が大きく、かつ第２の半導体領域の底
面の主表面からの距離が第３の半導体領域の底面の該第
２の半導体領域側における主表面からの距離よりも大き
くなるようにしている。第４の発明では、第１の発明と
同様のラテラルトランジスタにおいて、第２の半導体領
域と第３の半導体領域との双方に接し、不純物濃度が第
３の半導体領域よりも低濃度の第２の導電型の第４の半
導体領域を、設けている。第５の発明では、第１の発明
と同様のラテラルトランジスタにおいて、第２の半導体
領域と第３の半導体領域とが部分的に離間するようにし
ている。
【０００８】
【作用】第１の発明によれば、以上のようにラテラルト
ランジスタを構成したので、第４の半導体領域は、第１
の半導体領域と第３の半導体領域との間に電圧を印加し
たときに生じる空乏層に対して、第３の半導体領域から
基板への水平方向の空乏層の広がりを防止し、第２の半
導体領域と半導体基板との間の電流を円滑に流す。又、
第４の半導体領域は、第３の半導体領域内のキャリアの
濃度を第２の半導体領域の近傍で低下させ、第１の半導
体領域と第２の半導体領域との間のブレークダウン電圧
を増大する。更に、第４の半導体領域は、第１の半導体
領域の底面からのホールの注入を低減し、第２の半導体
領域の縦方向の電流を減少する。第２の発明によれば、
第４の半導体領域は、第１の発明における第３の半導体
領域から基板への深さ方向の空乏層の広がりを防止し、
第２の半導体領域と半導体基板との間の電流を円滑に流
す。第３の発明によれば、第２の半導体領域は、第１の
発明における基板への水平方向の空乏層の広がりを防止
し、第２の半導体領域と半導体基板との間の電流を円滑
に流す。又、第２の半導体領域は、第１の半導体領域の
底面から第２の半導体領域へ注入されるホールを低減
し、第２の半導体領域の縦方向の電流を減少する。第４
の発明によれば、第４の半導体領域は、第１の発明にお
ける第１の半導体領域と第３の半導体領域との間に電圧
を印加したときに生じる第４の半導体領域への空乏層の
広がりを増加させることにより、第３の半導体領域から
基板への空乏層の広がりを減少させ、第２の半導体領域
と半導体基板との間の電流を円滑に流す。第５の発明に
よれば、第２の半導体領域と第３の半導体領域とが離間
している部分は、第１の発明における第２の半導体領域
の幅を部分的に拡大し、第２の半導体領域と半導体基板
との間の電流を円滑に流す。従って、前記課題を解決で
きるのである。
ランジスタを構成したので、第４の半導体領域は、第１
の半導体領域と第３の半導体領域との間に電圧を印加し
たときに生じる空乏層に対して、第３の半導体領域から
基板への水平方向の空乏層の広がりを防止し、第２の半
導体領域と半導体基板との間の電流を円滑に流す。又、
第４の半導体領域は、第３の半導体領域内のキャリアの
濃度を第２の半導体領域の近傍で低下させ、第１の半導
体領域と第２の半導体領域との間のブレークダウン電圧
を増大する。更に、第４の半導体領域は、第１の半導体
領域の底面からのホールの注入を低減し、第２の半導体
領域の縦方向の電流を減少する。第２の発明によれば、
第４の半導体領域は、第１の発明における第３の半導体
領域から基板への深さ方向の空乏層の広がりを防止し、
第２の半導体領域と半導体基板との間の電流を円滑に流
す。第３の発明によれば、第２の半導体領域は、第１の
発明における基板への水平方向の空乏層の広がりを防止
し、第２の半導体領域と半導体基板との間の電流を円滑
に流す。又、第２の半導体領域は、第１の半導体領域の
底面から第２の半導体領域へ注入されるホールを低減
し、第２の半導体領域の縦方向の電流を減少する。第４
の発明によれば、第４の半導体領域は、第１の発明にお
ける第１の半導体領域と第３の半導体領域との間に電圧
を印加したときに生じる第４の半導体領域への空乏層の
広がりを増加させることにより、第３の半導体領域から
基板への空乏層の広がりを減少させ、第２の半導体領域
と半導体基板との間の電流を円滑に流す。第５の発明に
よれば、第２の半導体領域と第３の半導体領域とが離間
している部分は、第１の発明における第２の半導体領域
の幅を部分的に拡大し、第２の半導体領域と半導体基板
との間の電流を円滑に流す。従って、前記課題を解決で
きるのである。
【０００９】
【実施例】第１の実施例 図１は、本発明の第１の実施例のラテラルトランジスタ
を示す概略の断面図である。このラテラルトランジスタ
は、第１の導電型の半導体基板であるｎ型基板３１を有
し、その基板３１の主表面Ａから深さ約０．４μｍに第
２の導電型の第１の半導体領域であるＰ+ 型エミッタ３
２が形成されている。エミッタ３２の表面の不純物濃度
は約１０19ｃｍ-3である。又、第１の導電型の第２の半
導体領域であるｎ型ベース３３が、主表面Ａの下側から
深さ約３．５μｍにエミッタ３２を内包するように形成
されている。ベース３３の表面の不純物濃度は約１０18
ｃｍ-3である。更に、第２の導電型の第３の半導体領域
であるＰ- 型コレクタ３４が、主表面Ａの下側から深さ
約３μｍにベース３３の側面に接してベース３３を囲む
ように形成されている。コレクタ３４の表面の不純物濃
度は約１０16ｃｍ-3である。一方、不純物濃度がコレク
タ３４よりも高濃度のＰ+ 型コレクタ３５が、コレクタ
３４の側面に接してコレクタ３４を囲み、かつ主表面Ａ
と基板３１との間に深さ約５μｍ形成されている。コレ
クタ３５の表面の不純物濃度は約１０19ｃｍ-3である。
不純物濃度が基板３１よりも高濃度のｎ+ 型ベース３６
が、基板３１の主表面Ａの前記第１、第２及び第３の半
導体領域とは異なる位置に形成されている。ベース３６
の表面の不純物濃度は約１０19ｃｍ-3である。又、第１
の電極であるエミッタ電極３７がエミッタ３２に、第２
の電極であるコレクタ電極３８がコレクタ３５に、第３
の電極であるベース電極３９がベース３６に、それぞれ
接続されている。
を示す概略の断面図である。このラテラルトランジスタ
は、第１の導電型の半導体基板であるｎ型基板３１を有
し、その基板３１の主表面Ａから深さ約０．４μｍに第
２の導電型の第１の半導体領域であるＰ+ 型エミッタ３
２が形成されている。エミッタ３２の表面の不純物濃度
は約１０19ｃｍ-3である。又、第１の導電型の第２の半
導体領域であるｎ型ベース３３が、主表面Ａの下側から
深さ約３．５μｍにエミッタ３２を内包するように形成
されている。ベース３３の表面の不純物濃度は約１０18
ｃｍ-3である。更に、第２の導電型の第３の半導体領域
であるＰ- 型コレクタ３４が、主表面Ａの下側から深さ
約３μｍにベース３３の側面に接してベース３３を囲む
ように形成されている。コレクタ３４の表面の不純物濃
度は約１０16ｃｍ-3である。一方、不純物濃度がコレク
タ３４よりも高濃度のＰ+ 型コレクタ３５が、コレクタ
３４の側面に接してコレクタ３４を囲み、かつ主表面Ａ
と基板３１との間に深さ約５μｍ形成されている。コレ
クタ３５の表面の不純物濃度は約１０19ｃｍ-3である。
不純物濃度が基板３１よりも高濃度のｎ+ 型ベース３６
が、基板３１の主表面Ａの前記第１、第２及び第３の半
導体領域とは異なる位置に形成されている。ベース３６
の表面の不純物濃度は約１０19ｃｍ-3である。又、第１
の電極であるエミッタ電極３７がエミッタ３２に、第２
の電極であるコレクタ電極３８がコレクタ３５に、第３
の電極であるベース電極３９がベース３６に、それぞれ
接続されている。
【００１０】更に本実施例では、不純物濃度が基板３１
よりも高濃度の第１の導電型の第４の半導体領域である
ｎ型で深さ５μｍの空乏層防止領域４０が、ベース３３
を含む領域と基板３１との間に形成されている。ここ
で、他の拡散層が形成されない場合の空乏層防止領域４
０の表面の不純物濃度は、約８×１０15ｃｍ-3である。
以下、表面の不純物濃度を述べる場合、他の拡散層が形
成されないものとする。図５は、水平方向のキャリア濃
度Ｃの分布と基板３１、エミッタ３２、ベース３３、コ
レクタ３４、及び空乏層防止領域４０のそれぞれの不純
物濃度の分布とを表す特性図であり、縦軸には１ｃｍ3
当たりの不純物及びキャリアの数量が取られ、横軸には
矢印Ｈの始点からの距離が取られている。この図では、
空乏層防止領域４０により、コレクタ３４内のキャリア
濃度が、領域Ｉのようにベース３３の近傍で減少してい
ることが分かる。図６は、深さ方向のキャリア濃度の分
布と基板３１、エミッタ３２、ベース３３及び空乏層防
止領域４０のそれぞれの不純物濃度の分布とを表す特性
図であり、縦軸には１ｃｍ3 当たりの不純物及びキャリ
アの数量が取られ、横軸には矢印Ｄの始点からの距離が
取られている。この図では、空乏層防止領域４０によ
り、深さ方向に基板３１よりも高濃度のベース３３によ
るｎ型領域が深く形成されていることが分かる。
よりも高濃度の第１の導電型の第４の半導体領域である
ｎ型で深さ５μｍの空乏層防止領域４０が、ベース３３
を含む領域と基板３１との間に形成されている。ここ
で、他の拡散層が形成されない場合の空乏層防止領域４
０の表面の不純物濃度は、約８×１０15ｃｍ-3である。
以下、表面の不純物濃度を述べる場合、他の拡散層が形
成されないものとする。図５は、水平方向のキャリア濃
度Ｃの分布と基板３１、エミッタ３２、ベース３３、コ
レクタ３４、及び空乏層防止領域４０のそれぞれの不純
物濃度の分布とを表す特性図であり、縦軸には１ｃｍ3
当たりの不純物及びキャリアの数量が取られ、横軸には
矢印Ｈの始点からの距離が取られている。この図では、
空乏層防止領域４０により、コレクタ３４内のキャリア
濃度が、領域Ｉのようにベース３３の近傍で減少してい
ることが分かる。図６は、深さ方向のキャリア濃度の分
布と基板３１、エミッタ３２、ベース３３及び空乏層防
止領域４０のそれぞれの不純物濃度の分布とを表す特性
図であり、縦軸には１ｃｍ3 当たりの不純物及びキャリ
アの数量が取られ、横軸には矢印Ｄの始点からの距離が
取られている。この図では、空乏層防止領域４０によ
り、深さ方向に基板３１よりも高濃度のベース３３によ
るｎ型領域が深く形成されていることが分かる。
【００１１】次に、図１のラテラルトランジスタの動作
を説明する。エミッタ電極３７とコレクタ電極３８との
間にバイアスをかけ、かつエミッタ電極３７とベース電
極３９との間にバイアスをかけると、ベース３３とベー
ス３６との間のキャリアが移動し、エミッタ電極３７と
ベース電極３９との間にベース電流が流れる。そのベー
ス電流に対応してエミッタ３２とコレクタ３５との間の
キャリアが移動し、エミッタ電極３７とコレクタ電極３
８との間にコレクタ電流が流れる。ここで、エミッタ電
極３７とコレクタ電極３８との間のバイアスによって、
ベース３３の下に空乏層ができるが、ベース３３の下に
形成された空乏層防止領域４０は、その空乏層の水平方
向の広がりを押さえる。そのために、ベース３６とベー
ス３３との間のキャリアの移動が、従来に比べて円滑に
なり、エミッタ電極３７とベース電極３９との間の電流
が、従来に比べて円滑に流れる。同時に、図５に示すよ
うに、コレクタ３４内のキャリアの濃度がベース３３の
近傍で低くなっているので、コレクタ・ベース間ブレー
クダウン電圧ＢＶｃｅｏが増大する。又、空乏層防止領
域４０は、エミッタ３２の底面からのホールの流入を低
減し、ベース３３中の縦方向の電流であるベース無効電
流を減少させる。以上のように、この第１の実施例で
は、ベース３３の下にベース３３よりも深い位置にｎ型
の空乏層防止領域４０を形成したので、ベース３３の下
の空乏層の水平方向の広がりが押さえられ、カットオフ
電圧が増大し、かつコレクタ・ベース間ブレークダウン
電圧ＢＶｃｅｏが増大する。又、エミッタ３２の底面か
らのホールの流入が空乏層防止領域４０により低減さ
れ、ベース無効電流が減少するので、ｈfeが増大する。
を説明する。エミッタ電極３７とコレクタ電極３８との
間にバイアスをかけ、かつエミッタ電極３７とベース電
極３９との間にバイアスをかけると、ベース３３とベー
ス３６との間のキャリアが移動し、エミッタ電極３７と
ベース電極３９との間にベース電流が流れる。そのベー
ス電流に対応してエミッタ３２とコレクタ３５との間の
キャリアが移動し、エミッタ電極３７とコレクタ電極３
８との間にコレクタ電流が流れる。ここで、エミッタ電
極３７とコレクタ電極３８との間のバイアスによって、
ベース３３の下に空乏層ができるが、ベース３３の下に
形成された空乏層防止領域４０は、その空乏層の水平方
向の広がりを押さえる。そのために、ベース３６とベー
ス３３との間のキャリアの移動が、従来に比べて円滑に
なり、エミッタ電極３７とベース電極３９との間の電流
が、従来に比べて円滑に流れる。同時に、図５に示すよ
うに、コレクタ３４内のキャリアの濃度がベース３３の
近傍で低くなっているので、コレクタ・ベース間ブレー
クダウン電圧ＢＶｃｅｏが増大する。又、空乏層防止領
域４０は、エミッタ３２の底面からのホールの流入を低
減し、ベース３３中の縦方向の電流であるベース無効電
流を減少させる。以上のように、この第１の実施例で
は、ベース３３の下にベース３３よりも深い位置にｎ型
の空乏層防止領域４０を形成したので、ベース３３の下
の空乏層の水平方向の広がりが押さえられ、カットオフ
電圧が増大し、かつコレクタ・ベース間ブレークダウン
電圧ＢＶｃｅｏが増大する。又、エミッタ３２の底面か
らのホールの流入が空乏層防止領域４０により低減さ
れ、ベース無効電流が減少するので、ｈfeが増大する。
【００１２】第２の実施例 図７は、本発明の第２の実施例のラテラルトランジスタ
を示す概略の断面図である。このラテラルトランジスタ
には、第１の導電型の半導体基板であるｎ型基板４１の
主表面Ａから深さ約０．４μｍに第２の導電型の第１の
半導体領域であるＰ+ 型エミッタ４２が形成されてい
る。又、第１の導電型の第２の半導体領域であるｎ型ベ
ース４３が、主表面Ａの下側から深さ約３．５μｍにエ
ミッタ４２を内包するように形成されている。更に、第
２の導電型の第３の半導体領域であるＰ- 型コレクタ４
４が、主表面Ａの下側から深さ約３μｍにベース４３の
側面に接してベース４３を囲むように形成されている。
一方、不純物濃度がコレクタ４４よりも高濃度のＰ+ 型
コレクタ４５が、コレクタ４４の側面に接してコレクタ
４４を囲み、かつ主表面Ａと基板４１との間に深さ約５
μｍ形成されている。又、不純物濃度が基板４１よりも
高濃度のｎ+ 型ベース４６が、基板４１の主表面Ａの前
記第１、第２及び第３半導体領域とは異なる位置に形成
されている。一方、第１の電極であるエミッタ電極４７
がエミッタ４２に、第２の電極であるコレクタ電極４８
がコレクタ４５に、第３の電極であるベース電極４９が
ベース４６にそれぞれ接続されている。尚、上記各半導
体領域の不純物濃度は、第１の実施例と同様である。
を示す概略の断面図である。このラテラルトランジスタ
には、第１の導電型の半導体基板であるｎ型基板４１の
主表面Ａから深さ約０．４μｍに第２の導電型の第１の
半導体領域であるＰ+ 型エミッタ４２が形成されてい
る。又、第１の導電型の第２の半導体領域であるｎ型ベ
ース４３が、主表面Ａの下側から深さ約３．５μｍにエ
ミッタ４２を内包するように形成されている。更に、第
２の導電型の第３の半導体領域であるＰ- 型コレクタ４
４が、主表面Ａの下側から深さ約３μｍにベース４３の
側面に接してベース４３を囲むように形成されている。
一方、不純物濃度がコレクタ４４よりも高濃度のＰ+ 型
コレクタ４５が、コレクタ４４の側面に接してコレクタ
４４を囲み、かつ主表面Ａと基板４１との間に深さ約５
μｍ形成されている。又、不純物濃度が基板４１よりも
高濃度のｎ+ 型ベース４６が、基板４１の主表面Ａの前
記第１、第２及び第３半導体領域とは異なる位置に形成
されている。一方、第１の電極であるエミッタ電極４７
がエミッタ４２に、第２の電極であるコレクタ電極４８
がコレクタ４５に、第３の電極であるベース電極４９が
ベース４６にそれぞれ接続されている。尚、上記各半導
体領域の不純物濃度は、第１の実施例と同様である。
【００１３】更に本実施例では、不純物濃度が基板４１
よりも高濃度の第１の導電型の第４の半導体領域である
ｎ型で深さ４μｍの空乏層防止領域５０が、コレクタ４
４の下部のコレクタ４４とベース４３が接する部分に、
表面濃度５×１０15cm-3で形成されている。この空乏層
防止領域５０は、ベース４３の周囲全てに形成する必要
はなく、一部のみに形成されていれば十分である。図８
は、水平方向のキャリア濃度の分布と基板４１、エミッ
タ４２、ベース４３、コレクタ４４及び空乏層防止領域
５０のそれぞれの不純物濃度の分布とを表す特性図であ
り、縦軸には１ｃｍ3 当たりの不純物及びキャリアの数
量が取られ、横軸には矢印Ｈの始点からの距離が取られ
ている。この図でも、第１の実施例と同様に、空乏層防
止領域５０により、コレクタ４４内のキャリア濃度が、
ベース４３の近傍で減少していることが分かる。図９
は、深さ方向のキャリア濃度の分布と基板４１、コレク
タ４４及び空乏層防止領域５０のそれぞれの不純物濃度
の分布とを表す特性図であり、縦軸には１ｃｍ3 当たり
の不純物及びキャリアの数量が取られ、横軸には矢印Ｄ
の始点からの距離が取られている。この図では、空乏層
防止領域５０が、コレクタ４４から基板４１への深さ方
向の空乏層の広がりを防止していることが分かる。
よりも高濃度の第１の導電型の第４の半導体領域である
ｎ型で深さ４μｍの空乏層防止領域５０が、コレクタ４
４の下部のコレクタ４４とベース４３が接する部分に、
表面濃度５×１０15cm-3で形成されている。この空乏層
防止領域５０は、ベース４３の周囲全てに形成する必要
はなく、一部のみに形成されていれば十分である。図８
は、水平方向のキャリア濃度の分布と基板４１、エミッ
タ４２、ベース４３、コレクタ４４及び空乏層防止領域
５０のそれぞれの不純物濃度の分布とを表す特性図であ
り、縦軸には１ｃｍ3 当たりの不純物及びキャリアの数
量が取られ、横軸には矢印Ｈの始点からの距離が取られ
ている。この図でも、第１の実施例と同様に、空乏層防
止領域５０により、コレクタ４４内のキャリア濃度が、
ベース４３の近傍で減少していることが分かる。図９
は、深さ方向のキャリア濃度の分布と基板４１、コレク
タ４４及び空乏層防止領域５０のそれぞれの不純物濃度
の分布とを表す特性図であり、縦軸には１ｃｍ3 当たり
の不純物及びキャリアの数量が取られ、横軸には矢印Ｄ
の始点からの距離が取られている。この図では、空乏層
防止領域５０が、コレクタ４４から基板４１への深さ方
向の空乏層の広がりを防止していることが分かる。
【００１４】次に、図７のラテラルトランジスタの動作
を説明する。エミッタ電極４７とコレクタ電極４８との
間にバイアスをかけ、かつエミッタ電極４７とベース電
極４９との間にバイアスをかけると、ベース４３とベー
ス４６との間のキャリアが移動し、エミッタ電極４７と
ベース電極４９との間にベース電流が流れる。そのベー
ス電流に対応してエミッタ４２とコレクタ４５との間の
キャリアが移動し、エミッタ電極４７とコレクタ電極４
８との間にコレクタ電流が流れる。ここで、エミッタ電
極４７とコレクタ電極４８との間のバイアスによって、
ベース４３の下に空乏層ができる。コレクタ４４の下部
のコレクタ４４とベース４３が接する部分に空乏層防止
領域５０が形成されているので、その空乏層の深さ方向
の伸びが押さえられる。そのため、ベース４３とベース
４６との間のキャリアの移動が従来に比べて円滑にな
り、エミッタ電極４７とベース電極４９との間に電流が
従来に比べて円滑に流れる。以上のように、この第２の
実施例では、コレクタ４４下部のコレクタ４４とベース
４３とが接する部分にｎ型の空乏層防止領域５０を形成
したので、空乏層の深さ方向の伸びが押さえられ、カッ
トオフ電圧が増大する。
を説明する。エミッタ電極４７とコレクタ電極４８との
間にバイアスをかけ、かつエミッタ電極４７とベース電
極４９との間にバイアスをかけると、ベース４３とベー
ス４６との間のキャリアが移動し、エミッタ電極４７と
ベース電極４９との間にベース電流が流れる。そのベー
ス電流に対応してエミッタ４２とコレクタ４５との間の
キャリアが移動し、エミッタ電極４７とコレクタ電極４
８との間にコレクタ電流が流れる。ここで、エミッタ電
極４７とコレクタ電極４８との間のバイアスによって、
ベース４３の下に空乏層ができる。コレクタ４４の下部
のコレクタ４４とベース４３が接する部分に空乏層防止
領域５０が形成されているので、その空乏層の深さ方向
の伸びが押さえられる。そのため、ベース４３とベース
４６との間のキャリアの移動が従来に比べて円滑にな
り、エミッタ電極４７とベース電極４９との間に電流が
従来に比べて円滑に流れる。以上のように、この第２の
実施例では、コレクタ４４下部のコレクタ４４とベース
４３とが接する部分にｎ型の空乏層防止領域５０を形成
したので、空乏層の深さ方向の伸びが押さえられ、カッ
トオフ電圧が増大する。
【００１５】第３の実施例 図１０は、本発明の第３の実施例のラテラルトランジス
タを示す概略の断面図である。このラテラルトランジス
タには、第１の導電型の半導体基板であるｎ型基板５１
の主表面Ａから深さ約０．４μｍに第２の導電型の第１
の半導体領域であるＰ+ 型エミッタ５２が形成されてい
る。又、第１の導電型の第２の半導体領域であるｎ型ベ
ース５３が、主表面Ａの下側にＰ+ 型エミッタ５２を内
包するように形成されている。このベース５３は、高エ
ネルギーイオン注入により深さ約２μｍで不純物濃度が
ピークとなり、拡散の深さが５μｍとなるように形成さ
れている。更に、第２の導電型の第３の半導体領域であ
るＰ- 型コレクタ５４が、主表面Ａの下側から深さ約３
μｍにベース５３の側面に接してベース５３を囲むよう
に形成されている。一方、不純物濃度がコレクタ５４よ
りも高濃度のＰ+ 型コレクタ５５が、コレクタ５４の側
面に接してコレクタ５４を囲み、かつ主表面Ａと基板５
１との間に深さ約５μｍ形成されている。又、不純物濃
度が基板５１よりも高濃度の第１の導電型の第５の半導
体領域であるｎ+ 型ベース５６が、基板５１の主表面Ａ
の前記第１、第２及び第３の半導体領域とは異なる位置
に形成されている。一方、第１の電極であるエミッタ電
極５７がエミッタ５２に、第２の電極であるコレクタ電
極５８がコレクタ５５に、第３の電極であるベース電極
５９がベース５６にそれぞれ接続されている。尚、上記
各半導体領域の不純物濃度は、第１の実施例と同様であ
る。
タを示す概略の断面図である。このラテラルトランジス
タには、第１の導電型の半導体基板であるｎ型基板５１
の主表面Ａから深さ約０．４μｍに第２の導電型の第１
の半導体領域であるＰ+ 型エミッタ５２が形成されてい
る。又、第１の導電型の第２の半導体領域であるｎ型ベ
ース５３が、主表面Ａの下側にＰ+ 型エミッタ５２を内
包するように形成されている。このベース５３は、高エ
ネルギーイオン注入により深さ約２μｍで不純物濃度が
ピークとなり、拡散の深さが５μｍとなるように形成さ
れている。更に、第２の導電型の第３の半導体領域であ
るＰ- 型コレクタ５４が、主表面Ａの下側から深さ約３
μｍにベース５３の側面に接してベース５３を囲むよう
に形成されている。一方、不純物濃度がコレクタ５４よ
りも高濃度のＰ+ 型コレクタ５５が、コレクタ５４の側
面に接してコレクタ５４を囲み、かつ主表面Ａと基板５
１との間に深さ約５μｍ形成されている。又、不純物濃
度が基板５１よりも高濃度の第１の導電型の第５の半導
体領域であるｎ+ 型ベース５６が、基板５１の主表面Ａ
の前記第１、第２及び第３の半導体領域とは異なる位置
に形成されている。一方、第１の電極であるエミッタ電
極５７がエミッタ５２に、第２の電極であるコレクタ電
極５８がコレクタ５５に、第３の電極であるベース電極
５９がベース５６にそれぞれ接続されている。尚、上記
各半導体領域の不純物濃度は、第１の実施例と同様であ
る。
【００１６】図１１は、水平方向のキャリア濃度の分布
と基板５１、エミッタ５２、ベース５３及びコレクタ５
４のそれぞれの不純物濃度の分布とを表す特性図であ
り、縦軸には１ｃｍ3 当たりの不純物及びキャリアの数
量が取られ、横軸には矢印Ｈの始点からの距離が取られ
ている。この図では、ベース５３により、コレクタ５４
内のキャリア濃度がベース５３の近傍で減少している。
又、ベース５３がコレクタ５４よりも深く形成されてい
るので、基板５１の水平方向への空乏層の広がりを防止
していることが分かる。図１２は、深さ方向のキャリア
濃度の分布と基板５１、エミッタ５２及びベース５３の
それぞれの不純物濃度の分布とを表す特性図であり、縦
軸には１ｃｍ3当たりの不純物及びキャリアの数量が取
られ、横軸には矢印Ｄの始点からの距離が取られてい
る。この図では、空乏層防止領域がないので、キャリア
濃度が低下しない。
と基板５１、エミッタ５２、ベース５３及びコレクタ５
４のそれぞれの不純物濃度の分布とを表す特性図であ
り、縦軸には１ｃｍ3 当たりの不純物及びキャリアの数
量が取られ、横軸には矢印Ｈの始点からの距離が取られ
ている。この図では、ベース５３により、コレクタ５４
内のキャリア濃度がベース５３の近傍で減少している。
又、ベース５３がコレクタ５４よりも深く形成されてい
るので、基板５１の水平方向への空乏層の広がりを防止
していることが分かる。図１２は、深さ方向のキャリア
濃度の分布と基板５１、エミッタ５２及びベース５３の
それぞれの不純物濃度の分布とを表す特性図であり、縦
軸には１ｃｍ3当たりの不純物及びキャリアの数量が取
られ、横軸には矢印Ｄの始点からの距離が取られてい
る。この図では、空乏層防止領域がないので、キャリア
濃度が低下しない。
【００１７】次に、図１０のラテラルトランジスタの動
作を説明する。エミッタ電極５７とコレクタ電極５８と
の間にバイアスをかけ、かつエミッタ電極５７とベース
電極５９との間にバイアスをかけると、ベース５３とベ
ース５６との間のキャリアが移動し、エミッタ電極５７
とベース電極５９との間にベース電流が流れる。そのベ
ース電流に対応してエミッタ５２とコレクタ５５との間
のキャリアが移動し、エミッタ電極５７とコレクタ電極
５８との間にコレクタ電流が流れる。ここで、エミッタ
電極５７とコレクタ電極５８との間のバイアスにより、
ベース５３の下に空乏層ができる。ベース５３はコレク
タ５４よりも深く形成されているので、基板５１の水平
方向への空乏層の広がりが押さえられる。そのため、ベ
ース５３とベース５６との間のキャリアの移動が従来に
比べて円滑になり、エミッタ電極５７とベース電極５９
との間に電流が円滑に流れる。以上のように、この第３
の実施例では、水平方向のベース幅である実効ベース幅
を増加させることなくベース５３を深くしたので、水平
方向への空乏層の広がりが押さえられ、カットオフ電圧
が増大する。又、第１の発明と同様に、ベース５３が深
いので、エミッタ底面からのホールの注入が低減され、
ベース無効電流が減少し、ｈfeが向上する。更に第１の
発明と比較すると、空乏層防止領域がなく、コレクタ５
４内のキャリア濃度が低減されないので、オン抵抗が増
大しない。
作を説明する。エミッタ電極５７とコレクタ電極５８と
の間にバイアスをかけ、かつエミッタ電極５７とベース
電極５９との間にバイアスをかけると、ベース５３とベ
ース５６との間のキャリアが移動し、エミッタ電極５７
とベース電極５９との間にベース電流が流れる。そのベ
ース電流に対応してエミッタ５２とコレクタ５５との間
のキャリアが移動し、エミッタ電極５７とコレクタ電極
５８との間にコレクタ電流が流れる。ここで、エミッタ
電極５７とコレクタ電極５８との間のバイアスにより、
ベース５３の下に空乏層ができる。ベース５３はコレク
タ５４よりも深く形成されているので、基板５１の水平
方向への空乏層の広がりが押さえられる。そのため、ベ
ース５３とベース５６との間のキャリアの移動が従来に
比べて円滑になり、エミッタ電極５７とベース電極５９
との間に電流が円滑に流れる。以上のように、この第３
の実施例では、水平方向のベース幅である実効ベース幅
を増加させることなくベース５３を深くしたので、水平
方向への空乏層の広がりが押さえられ、カットオフ電圧
が増大する。又、第１の発明と同様に、ベース５３が深
いので、エミッタ底面からのホールの注入が低減され、
ベース無効電流が減少し、ｈfeが向上する。更に第１の
発明と比較すると、空乏層防止領域がなく、コレクタ５
４内のキャリア濃度が低減されないので、オン抵抗が増
大しない。
【００１８】第４の実施例 図１３は、本発明の第４の実施例のラテラルトランジス
タを示す概略の断面図である。このラテラルトランジス
タには、第１の導電型の半導体基板であるｎ型基板６１
の主表面Ａから深さ約０．４μｍに第２の導電型の第１
の半導体領域であるＰ+ 型エミッタ６２が形成されてい
る。又、第１の導電型の第２の半導体領域であるｎ型ベ
ース６３が、主表面Ａの下側から深さ約３．５μｍにエ
ミッタ６２を内包するように形成されている。更に、第
２の導電型の第３の半導体領域であるＰ- 型コレクタ６
４が、主表面Ａの下側から深さ約３．５μｍにベース６
３の側面に接してベース６３を囲むように形成されてい
る。このコレクタ６４は、上層の表面の不純物濃度約１
０16m-3、深さ約０．５μｍのＰ- 型コレクタａ６４ａ
と、下層の表面の不純物濃度５×１０15cm-3、深さ約３
μｍの第４の半導体領域であるＰ- 型コレクタｂ６４ｂ
との２層からなる。一方、不純物濃度がコレクタ６４よ
りも高濃度のＰ+ 型コレクタ６５が、コレクタ６４の側
面に接してコレクタ６４を囲み、かつ主表面Ａと基板６
１との間に深さ約５μｍ形成されている。又、不純物濃
度が基板６１よりも高濃度のｎ+ 型ベース６６が、基板
６１の主表面Ａの前記第１、第２及び第３の半導体領域
とは異なる位置に形成されている。一方、第１の電極で
あるエミッタ電極６７がエミッタ６２に、第２の電極で
あるコレクタ電極６８がコレクタ６５に、第３の電極で
あるベース電極６９がベース６６にそれぞれ接続されて
いる。尚、上記第３の半導体領域以外の各半導体領域の
不純物濃度は、第１の実施例と同様である。
タを示す概略の断面図である。このラテラルトランジス
タには、第１の導電型の半導体基板であるｎ型基板６１
の主表面Ａから深さ約０．４μｍに第２の導電型の第１
の半導体領域であるＰ+ 型エミッタ６２が形成されてい
る。又、第１の導電型の第２の半導体領域であるｎ型ベ
ース６３が、主表面Ａの下側から深さ約３．５μｍにエ
ミッタ６２を内包するように形成されている。更に、第
２の導電型の第３の半導体領域であるＰ- 型コレクタ６
４が、主表面Ａの下側から深さ約３．５μｍにベース６
３の側面に接してベース６３を囲むように形成されてい
る。このコレクタ６４は、上層の表面の不純物濃度約１
０16m-3、深さ約０．５μｍのＰ- 型コレクタａ６４ａ
と、下層の表面の不純物濃度５×１０15cm-3、深さ約３
μｍの第４の半導体領域であるＰ- 型コレクタｂ６４ｂ
との２層からなる。一方、不純物濃度がコレクタ６４よ
りも高濃度のＰ+ 型コレクタ６５が、コレクタ６４の側
面に接してコレクタ６４を囲み、かつ主表面Ａと基板６
１との間に深さ約５μｍ形成されている。又、不純物濃
度が基板６１よりも高濃度のｎ+ 型ベース６６が、基板
６１の主表面Ａの前記第１、第２及び第３の半導体領域
とは異なる位置に形成されている。一方、第１の電極で
あるエミッタ電極６７がエミッタ６２に、第２の電極で
あるコレクタ電極６８がコレクタ６５に、第３の電極で
あるベース電極６９がベース６６にそれぞれ接続されて
いる。尚、上記第３の半導体領域以外の各半導体領域の
不純物濃度は、第１の実施例と同様である。
【００１９】図１４は、水平方向のキャリア濃度の分布
と基板６１、エミッタ６２、ベース６３及びコレクタ６
４ａ，６４ｂのそれぞれの不純物濃度の分布とを表す特
性図であり、縦軸には１ｃｍ3 当たりの不純物及びキャ
リアの数量が取られ、横軸には矢印Ｈの始点からの距離
が取られている。この図では、ベース６３の近傍で、コ
レクタ６４内のキャリア濃度が減少している。図１５
は、深さ方向のキャリア濃度の分布と基板６１、及びコ
レクタａ６４ａ，コレクタｂ６４ｂのそれぞれの不純物
濃度の分布とを表す特性図であり、縦軸には１ｃｍ3 当
たりの不純物及びキャリアの数量が取られ、横軸には矢
印Ｄの始点からの距離が取られている。この図では、コ
レクタｂ６４ｂ内への空乏層の広がりを増加させること
により、コレクタ６４から基板への空乏層の広がりが減
少している。
と基板６１、エミッタ６２、ベース６３及びコレクタ６
４ａ，６４ｂのそれぞれの不純物濃度の分布とを表す特
性図であり、縦軸には１ｃｍ3 当たりの不純物及びキャ
リアの数量が取られ、横軸には矢印Ｈの始点からの距離
が取られている。この図では、ベース６３の近傍で、コ
レクタ６４内のキャリア濃度が減少している。図１５
は、深さ方向のキャリア濃度の分布と基板６１、及びコ
レクタａ６４ａ，コレクタｂ６４ｂのそれぞれの不純物
濃度の分布とを表す特性図であり、縦軸には１ｃｍ3 当
たりの不純物及びキャリアの数量が取られ、横軸には矢
印Ｄの始点からの距離が取られている。この図では、コ
レクタｂ６４ｂ内への空乏層の広がりを増加させること
により、コレクタ６４から基板への空乏層の広がりが減
少している。
【００２０】次に、図１３のラテラルトランジスタの動
作を説明する。エミッタ電極６７とコレクタ電極６８と
の間にバイアスをかけ、かつエミッタ電極６７とベース
電極６９との間にバイアスをかけると、ベース６３とベ
ース６６との間のキャリアが移動し、エミッタ電極６７
とベース電極６９との間にベース電流が流れる。そのベ
ース電流に対応してエミッタ６２とコレクタ６５との間
のキャリアが移動し、エミッタ電極６７とコレクタ電極
６８との間にコレクタ電流が流れる。ここで、エミッタ
電極６７とコレクタ電極６８との間のバイアスによっ
て、ベース６３の下に空乏層ができる。コレクタ６４
は、濃度の異なる２層構造になっているので、その空乏
層は、下層のコレクタｂ６４ｂ中に伸び、基板へは広が
らない。そのため、ベース６３とベース６６との間のキ
ャリアの移動が従来に比べて円滑になり、エミッタ電極
６７とベース電極６９との間に電流が従来に比べて円滑
に流れる。以上のように、この第４の実施例では、コレ
クタ６４を深い拡散のコレクタｂ６４ｂと浅い拡散のコ
レクタａ６４ａとの２層とし、深い拡散のコレクタｂ６
４ｂの不純物濃度を小さくすることにより、ｈfeやオン
抵抗等の特性が変化することなく、空乏層がコレクタｂ
６４ｂ中にも大きく伸びるようになるので、基板への空
乏層の広がりが押さえられ、カットオフ電圧が増大す
る。
作を説明する。エミッタ電極６７とコレクタ電極６８と
の間にバイアスをかけ、かつエミッタ電極６７とベース
電極６９との間にバイアスをかけると、ベース６３とベ
ース６６との間のキャリアが移動し、エミッタ電極６７
とベース電極６９との間にベース電流が流れる。そのベ
ース電流に対応してエミッタ６２とコレクタ６５との間
のキャリアが移動し、エミッタ電極６７とコレクタ電極
６８との間にコレクタ電流が流れる。ここで、エミッタ
電極６７とコレクタ電極６８との間のバイアスによっ
て、ベース６３の下に空乏層ができる。コレクタ６４
は、濃度の異なる２層構造になっているので、その空乏
層は、下層のコレクタｂ６４ｂ中に伸び、基板へは広が
らない。そのため、ベース６３とベース６６との間のキ
ャリアの移動が従来に比べて円滑になり、エミッタ電極
６７とベース電極６９との間に電流が従来に比べて円滑
に流れる。以上のように、この第４の実施例では、コレ
クタ６４を深い拡散のコレクタｂ６４ｂと浅い拡散のコ
レクタａ６４ａとの２層とし、深い拡散のコレクタｂ６
４ｂの不純物濃度を小さくすることにより、ｈfeやオン
抵抗等の特性が変化することなく、空乏層がコレクタｂ
６４ｂ中にも大きく伸びるようになるので、基板への空
乏層の広がりが押さえられ、カットオフ電圧が増大す
る。
【００２１】第５の実施例 図１６は本発明の第５の実施例のラテラルトランジスタ
を示す概略の断面図である。このラテラルトランジスタ
には、第１の導電型の半導体基板であるｎ型基板７１の
主表面Ａから深さ約０．４μｍに第２の導電型の第１の
半導体領域であるＰ+ 型エミッタ７２が形成されてい
る。又、第１の導電型の第２の半導体領域であるｎ型ベ
ース７３が、主表面Ａの下側から深さ約３．５μｍにエ
ミッタ７２を内包するように形成されている。更に、第
２の導電型の第３の半導体領域であるＰ- 型コレクタ７
４が、主表面Ａの下側から深さ約３μｍにベース７３の
側面に接してベース７３を囲むように形成されている。
但し、コレクタ７４は、部分的にベース７３と接続され
ず、コレクタ除去部Ｂが形成されている。一方、不純物
濃度がコレクタ７４よりも高濃度のコレクタ７５が、コ
レクタ７４の側面に接してコレクタ７４を囲み、かつ主
表面Ａと基板７１との間に深さ約５μｍ形成されてい
る。又、不純物濃度が基板７１よりも高濃度のｎ+ 型ベ
ース７６が、基板７１の主表面Ａの前記第１、第２及び
第３の半導体領域とは異なる位置に形成されている。一
方、第１の電極であるエミッタ電極７７がエミッタ７２
に、第２の電極であるコレクタ電極７８がコレクタ７５
に、第３の電極であるベース電極７９がベース７６にそ
れぞれ接続されている。尚、上記各半導体領域の不純物
濃度は、第１の実施例と同様である。図１７は、図１６
のラテラルトランジスタの平面図である。このコレクタ
除去部Ｂの幅Ｗ１は、ベース７３の幅Ｗ２よりも大きく
形成され、コレクタ７４の一部をｈfeやオン抵抗が大幅
に悪化しない程度に除去し、カットオフ電圧を向上させ
たものである。
を示す概略の断面図である。このラテラルトランジスタ
には、第１の導電型の半導体基板であるｎ型基板７１の
主表面Ａから深さ約０．４μｍに第２の導電型の第１の
半導体領域であるＰ+ 型エミッタ７２が形成されてい
る。又、第１の導電型の第２の半導体領域であるｎ型ベ
ース７３が、主表面Ａの下側から深さ約３．５μｍにエ
ミッタ７２を内包するように形成されている。更に、第
２の導電型の第３の半導体領域であるＰ- 型コレクタ７
４が、主表面Ａの下側から深さ約３μｍにベース７３の
側面に接してベース７３を囲むように形成されている。
但し、コレクタ７４は、部分的にベース７３と接続され
ず、コレクタ除去部Ｂが形成されている。一方、不純物
濃度がコレクタ７４よりも高濃度のコレクタ７５が、コ
レクタ７４の側面に接してコレクタ７４を囲み、かつ主
表面Ａと基板７１との間に深さ約５μｍ形成されてい
る。又、不純物濃度が基板７１よりも高濃度のｎ+ 型ベ
ース７６が、基板７１の主表面Ａの前記第１、第２及び
第３の半導体領域とは異なる位置に形成されている。一
方、第１の電極であるエミッタ電極７７がエミッタ７２
に、第２の電極であるコレクタ電極７８がコレクタ７５
に、第３の電極であるベース電極７９がベース７６にそ
れぞれ接続されている。尚、上記各半導体領域の不純物
濃度は、第１の実施例と同様である。図１７は、図１６
のラテラルトランジスタの平面図である。このコレクタ
除去部Ｂの幅Ｗ１は、ベース７３の幅Ｗ２よりも大きく
形成され、コレクタ７４の一部をｈfeやオン抵抗が大幅
に悪化しない程度に除去し、カットオフ電圧を向上させ
たものである。
【００２２】次に、図１６のラテラルトランジスタの動
作を説明する。エミッタ電極７７とコレクタ電極７８と
の間にバイアスをかけ、かつエミッタ電極７７とベース
電極７９との間にバイアスをかけると、ベース７３とベ
ース７６との間のキャリアが移動し、エミッタ電極７７
とベース電極７９との間にベース電流が流れる。そのベ
ース電流に対応してエミッタ７２とコレクタ７５との間
のキャリアが移動し、エミッタ電極７７とコレクタ電極
７８との間にコレクタ電流が流れる。ここで、エミッタ
電極７７とコレクタ電極７８との間のバイアスにより、
ベース７３の下に空乏層ができる。コレクタ除去部Ｂは
ベース７３の幅ＬB を実効的に拡大する。そのため、ベ
ース７３とベース７６との間のキャリアの移動が従来に
比べて円滑になり、エミッタ電極７７とベース電極７９
との間に電流が従来に比べて円滑に流れる。以上のよう
に、この第５の実施例では、コレクタ７４のベース７３
と接する一部をｈfeやオン抵抗が大幅に悪化しない程度
に除去したので、ベース７３の幅ＬB が部分的に拡大さ
れ、カットオフ電圧が増大する。なお、本発明は上記実
施例に限定されず、種々の変形が可能である。その変形
例としては、例えば次のようなものがある。 （１）上記各実施例の各半導体領域の水平方向の広が
り、深さ及び不純物濃度は、他の値でもよい。 （２）図１７の除去部Ｂは、ベース７３の側面に接して
いれば、場所や大きさが異なってもよい。
作を説明する。エミッタ電極７７とコレクタ電極７８と
の間にバイアスをかけ、かつエミッタ電極７７とベース
電極７９との間にバイアスをかけると、ベース７３とベ
ース７６との間のキャリアが移動し、エミッタ電極７７
とベース電極７９との間にベース電流が流れる。そのベ
ース電流に対応してエミッタ７２とコレクタ７５との間
のキャリアが移動し、エミッタ電極７７とコレクタ電極
７８との間にコレクタ電流が流れる。ここで、エミッタ
電極７７とコレクタ電極７８との間のバイアスにより、
ベース７３の下に空乏層ができる。コレクタ除去部Ｂは
ベース７３の幅ＬB を実効的に拡大する。そのため、ベ
ース７３とベース７６との間のキャリアの移動が従来に
比べて円滑になり、エミッタ電極７７とベース電極７９
との間に電流が従来に比べて円滑に流れる。以上のよう
に、この第５の実施例では、コレクタ７４のベース７３
と接する一部をｈfeやオン抵抗が大幅に悪化しない程度
に除去したので、ベース７３の幅ＬB が部分的に拡大さ
れ、カットオフ電圧が増大する。なお、本発明は上記実
施例に限定されず、種々の変形が可能である。その変形
例としては、例えば次のようなものがある。 （１）上記各実施例の各半導体領域の水平方向の広が
り、深さ及び不純物濃度は、他の値でもよい。 （２）図１７の除去部Ｂは、ベース７３の側面に接して
いれば、場所や大きさが異なってもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１の発明
によれば、第２の半導体領域の下側に、第４の半導体領
域を形成したので、第２の半導体領域の下側の空乏層の
水平方向の伸びが押さえられ、カットオフ電圧が増大す
る。同時に、第３の半導体領域内のキャリアの濃度を第
２の半導体領域の近傍で低くできるので、第１の半導体
領域と第２の半導体領域との間のブレークダウン電圧が
増大する。又、第１の半導体領域の底面からのホールの
注入が第４の半導体領域により低減されて第２の半導体
領域の縦方向の電流が減少するので、ｈfeが向上する。
第２の発明によれば、第３の半導体領域の下部の第３の
半導体領域と第２の半導体領域とが接する部分に第４の
半導体領域を形成したので、空乏層の深さ方向の伸びが
押さえられ、カットオフ電圧が増大する。第３の発明に
よれば、第２の半導体領域の幅を増加させることなく深
くしたので、水平方向への空乏層の広がりが押さえら
れ、カットオフ電圧が増大する。又、第１の発明と同様
に、第２の半導体領域が深いので、第１の半導体領域の
底面からのホールの注入が低減されて第２の半導体領域
の縦方向の電流が減少するので、ｈfeが向上する。更に
第１の発明と比較すると、第４の半導体領域である空乏
層防止領域がなく、第３の半導体領域キャリア濃度が低
減されないので、オン抵抗が増大しない。第４の発明に
よれば、第３の半導体領域を深い拡散と浅い拡散との２
層とし、深い拡散の濃度を小さくすることにより、ｈfe
やオン抵抗等の特性はそのままで、空乏層が第３の半導
体領域中にも大きく伸びるようになるので、半導体基板
への空乏層の広がりが押さえられ、カットオフ電圧が増
大する。第５の発明によれば、第３の半導体領域の第２
の半導体領域と接する一部をｈfeやオン抵抗が大幅に悪
化しない程度に除去したので、部分的に第２の半導体領
域の幅が拡大され、カットオフ電圧が増大する。
によれば、第２の半導体領域の下側に、第４の半導体領
域を形成したので、第２の半導体領域の下側の空乏層の
水平方向の伸びが押さえられ、カットオフ電圧が増大す
る。同時に、第３の半導体領域内のキャリアの濃度を第
２の半導体領域の近傍で低くできるので、第１の半導体
領域と第２の半導体領域との間のブレークダウン電圧が
増大する。又、第１の半導体領域の底面からのホールの
注入が第４の半導体領域により低減されて第２の半導体
領域の縦方向の電流が減少するので、ｈfeが向上する。
第２の発明によれば、第３の半導体領域の下部の第３の
半導体領域と第２の半導体領域とが接する部分に第４の
半導体領域を形成したので、空乏層の深さ方向の伸びが
押さえられ、カットオフ電圧が増大する。第３の発明に
よれば、第２の半導体領域の幅を増加させることなく深
くしたので、水平方向への空乏層の広がりが押さえら
れ、カットオフ電圧が増大する。又、第１の発明と同様
に、第２の半導体領域が深いので、第１の半導体領域の
底面からのホールの注入が低減されて第２の半導体領域
の縦方向の電流が減少するので、ｈfeが向上する。更に
第１の発明と比較すると、第４の半導体領域である空乏
層防止領域がなく、第３の半導体領域キャリア濃度が低
減されないので、オン抵抗が増大しない。第４の発明に
よれば、第３の半導体領域を深い拡散と浅い拡散との２
層とし、深い拡散の濃度を小さくすることにより、ｈfe
やオン抵抗等の特性はそのままで、空乏層が第３の半導
体領域中にも大きく伸びるようになるので、半導体基板
への空乏層の広がりが押さえられ、カットオフ電圧が増
大する。第５の発明によれば、第３の半導体領域の第２
の半導体領域と接する一部をｈfeやオン抵抗が大幅に悪
化しない程度に除去したので、部分的に第２の半導体領
域の幅が拡大され、カットオフ電圧が増大する。
【図１】本発明の第１の実施例のラテラルトランジスタ
を示す概略の断面図である。
を示す概略の断面図である。
【図２】従来のラテラルトランジスタを示す概略の断面
図である。
図である。
【図３】図２中に空乏層ができた状態を示すラテラルト
ランジスタの概略の断面図である。
ランジスタの概略の断面図である。
【図４】図２のラテラルトランジスタのコレクタ電圧Ｖ
ｃとコレクタ電流Ｉｃの特性図である。
ｃとコレクタ電流Ｉｃの特性図である。
【図５】図１中の水平方向の不純物濃度の分布状態を示
す特性図である。
す特性図である。
【図６】図１中の深さ方向の不純物濃度の分布状態を示
す特性図である。
す特性図である。
【図７】本発明の第２の実施例のラテラルトランジスタ
を示す概略の断面図である。
を示す概略の断面図である。
【図８】図７中の水平方向の不純物濃度の分布状態を示
す特性図である。
す特性図である。
【図９】図７中の深さ方向の不純物濃度の分布状態を示
す特性図である。
す特性図である。
【図１０】本発明の第３の実施例のラテラルトランジス
タを示す概略の断面図である。
タを示す概略の断面図である。
【図１１】図１０中の水平方向の不純物濃度の分布状態
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図１２】図１０中の深さ方向の不純物濃度の分布状態
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図１３】本発明の第４の実施例のラテラルトランジス
タを示す概略の断面図である。
タを示す概略の断面図である。
【図１４】図１３中の水平方向の不純物濃度の分布状態
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図１５】図１３中の深さ方向の不純物濃度の分布状態
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図１６】本発明の第５の実施例のラテラルトランジス
タを示す概略の断面図である。
タを示す概略の断面図である。
【図１７】図１６のラテラルトランジスタの平面図であ
る。
る。
３１，４１，５１，６１ 基板 ３２，４２，５２，６２ Ｐ+ 型エミッタ
（第１の半導体領域） ３３，４３，５３，６３ ｎ型ベース（第
２の半導体領域） ３４，４４，５４，６４ Ｐ- 型コレクタ
（第３の半導体領域） ３７，４７，５７，６７ エミッタ電極
（第１の電極） ３８，４８，５８，６８ コレクタ電極
（第２の電極） ３９，４９，５９，６９ ベース電極（第
３の電極） ４０，５０ 空乏層防止領域
（第１の半導体領域） ３３，４３，５３，６３ ｎ型ベース（第
２の半導体領域） ３４，４４，５４，６４ Ｐ- 型コレクタ
（第３の半導体領域） ３７，４７，５７，６７ エミッタ電極
（第１の電極） ３８，４８，５８，６８ コレクタ電極
（第２の電極） ３９，４９，５９，６９ ベース電極（第
３の電極） ４０，５０ 空乏層防止領域
Claims (5)
- 【請求項１】 互いに逆極性の第１及び第２の導電型の
うち第１の導電型の半導体基板の主表面に形成された第
２の導電型の第１の半導体領域と、 前記第１の半導体領域を内包し、前記主表面の下側に形
成された第１の導電型の第２の半導体領域と、 前記第２の半導体領域の側面に接して該第２の半導体領
域を囲み、かつ前記主表面と前記半導体基板との間に形
成された第２の導電型の第３の半導体領域と、 前記第１の半導体領域、前記第３の半導体領域及び前記
半導体基板にそれぞれ接続された第１、第２及び第３の
電極とを、 有するラテラルトランジスタにおいて、 不純物濃度が前記半導体基板よりも高濃度の第１の導電
型の第４の半導体領域を、前記第２の半導体領域と前記
半導体基板との間に形成したことを特徴とするラテラル
トランジスタ。 - 【請求項２】 請求項１の第２の導電型の第１の半導体
領域と第１の導電型の第２の半導体領域と第２の導電型
の第３の半導体領域と第１、第２及び第３の電極とを有
するラテラルトランジスタにおいて、 前記第２の半導体領域と前記第３の半導体領域との双方
の下側に接して形成され、不純物濃度が請求項１の半導
体基板よりも高濃度の第１の導電型の第４の半導体領域
を、 設けたことを特徴とするラテラルトランジスタ。 - 【請求項３】 請求項１の第２の導電型の第１の半導体
領域と第１の導電型の第２の半導体領域と第２の導電型
の第３の半導体領域と第１、第２及び第３の電極とを有
するラテラルトランジスタにおいて、 前記第１の半導体領域の側面と前記第２の半導体領域の
側面との距離よりも前記第１の半導体領域の底面と前記
第２の半導体領域の底面との距離の方が大きく、かつ該
第２の半導体領域の底面の請求項１の主表面からの距離
が前記第３の半導体領域の底面の該第２の半導体領域側
における該主表面からの距離よりも大きいことを特徴と
するラテラルトランジスタ。 - 【請求項４】 請求項１の第２の導電型の第１の半導体
領域と第１の導電型の第２の半導体領域と第２の導電型
の第３の半導体領域と第１、第２及び第３の電極とを有
するラテラルトランジスタにおいて、 前記第２の半導体領域と前記第３の半導体領域との双方
に接し、不純物濃度が該第３の半導体領域よりも低濃度
の第２の導電型の第４の半導体領域を、 設けたことを特徴とするラテラルトランジスタ。 - 【請求項５】 請求項１の第２の導電型の第１の半導体
領域と第１の導電型の第２の半導体領域と第２の導電型
の第３の半導体領域と第１、第２及び第３の電極とを有
するラテラルトランジスタにおいて、 前記第２の半導体領域と前記第３の半導体領域とが部分
的に離間していることを特徴とするラテラルトランジス
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2534894A JPH07235546A (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | ラテラルトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2534894A JPH07235546A (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | ラテラルトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235546A true JPH07235546A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=12163379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2534894A Withdrawn JPH07235546A (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | ラテラルトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07235546A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020083107A (ko) * | 2001-04-25 | 2002-11-01 | 산켄덴키 가부시키가이샤 | 경사 베이스 영역을 갖는 횡형 트랜지스터, 반도체집적회로 및 그 제조방법 |
-
1994
- 1994-02-23 JP JP2534894A patent/JPH07235546A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020083107A (ko) * | 2001-04-25 | 2002-11-01 | 산켄덴키 가부시키가이샤 | 경사 베이스 영역을 갖는 횡형 트랜지스터, 반도체집적회로 및 그 제조방법 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010508 |