JPH07234155A - 輻射線検出器、および該検出器の製造方法 - Google Patents

輻射線検出器、および該検出器の製造方法

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JPH07234155A
JPH07234155A JP6289568A JP28956894A JPH07234155A JP H07234155 A JPH07234155 A JP H07234155A JP 6289568 A JP6289568 A JP 6289568A JP 28956894 A JP28956894 A JP 28956894A JP H07234155 A JPH07234155 A JP H07234155A
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photoelectric detection
photoelectric
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radiation
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JP6289568A
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Lydie Mathieu
リディー マティユー
Francois Marion
フランソワ マリヨン
Christian Lucas
クリスチャン リュカ
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Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14649Infrared imagers
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16135Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 それぞれ異なった波長域に対して感応する二
つの光電検出素子を許容立方体のなかに、できるだけ互
いに近接させて配置し、電子的読み取りの補正の回数を
かなりの程度まで減らすことが可能な検出装置の提供。 【構成】 第1の波動帯に感応する少なくともひとつの
第1光電素子(22)が形成された第1基板(20)
と、第2の波動帯に感応する少なくともひとつの第2光
電素子(26)が形成された第2基板(24)とを有す
る。第2光電素子(26)を備えた第2基板(24)は
少なくとも第1波長域の輻射線に対しては透過性を有
し、第1光電素子(22)は第2光電素子(26)に近
接して、しかも第2光電素子(26)と対面するように
配置される。第1基板(20)と第2基板(24)と
は、電気的かつ(または)機械的接続球体によって相互
に連結される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、二つの異なった波動
帯(波長域)の輻射線を検出する検出装置、および、こ
の検出装置の製造方法に関する。この発明は、特に、熱
写真(サーモグラフィ)に利用される。
【0002】
【従来の技術】熱写真では、物体の熱の輻射によってそ
の物体像を再現することが可能である。これは公知であ
る。物体によって輻射されるエネルギーは二つの量、す
なわち、その物体の輻射率εoとその物体の温度Τoによ
って決定される。
【0003】二つの波動帯で熱を測定し、二つの未知数
を持つ等式を解くことによって、温度Τoと輻射率εoを
求めることができる。したがって、二つのスペクトル帯
域を読み取りできる結像システムは、熱写真において非
常に有利なシステムである。
【0004】二つの波動帯の輻射線を検出する検出装置
は、二色検出装置という名前でも知られている。この検
出装置は、バイスペクトルカメラの製造と関連して知ら
れている。バイスペクトルカメラは、3〜5.5μmの
帯域、および8〜12μmの帯域で作動するAGA THV 780
のバイスペクトル検光子によって構成され、"Thermogra
phie infrarouge"(著者G.Gaussorgues、TEC and Doc,
Editions Lavoisier)というタイトルの本のなかで説明
されている。
【0005】この公知の検光子において、二つの分析チ
ャネルは、検光子の光学手段が配置された位置に空間
上、離されて配置されている。このことは、つまり、2
台のカメラが並置されていることに起因する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は二つの光電検
出素子の位置決めの問題、すなわち、許容立方体のなか
に、しかも、できるだけ互いに近接するようにその二つ
の光電検出素子を配置するという課題を解決する。この
二つの光電検出素子、すなわち、光電検出ピクセルはそ
れぞれ二つの異なった波長域に対して感応する。
【0007】その課題とは、互いに直交する3本の軸
X、Y、Zによって完全に決定される許容容積のなかに
これらのピクセル(素子)を空間的に配置するという課
題である。
【0008】従来のマイクロエレクトロニクスの方法で
は、同一の基板上に”プレーナ(平面)”ピクセルを形
成することができない。
【0009】上記の課題を解決するために、次の方法が
知られている。すなわち、別々の基板上にピクセル(素
子)をそれぞれ生成させ、次に、このようにして得られ
た検出回路を細かく切り、そして、これらを並置して組
み立てる。これらの概略が図1(A)、1(B)に示さ
れている。
【0010】図1(A)、1(B)は、光電検出器4の
アレイ(array)2によって構成された検出回路と、光
電検出器8のアレイ6によって構成されたもうひとつ別
の検出回路を示している。光電検出器4、8は例えば、
フォトダイオードによって形成される。これらのアレイ
2、6は隣接するように構成され、フリップチップ法に
よって、同一基板上10で組み立てられる。
【0011】図1(A)は出来上がったアセンブリの平
面図である。図1(B)は図1(A)のI−Iに沿った
断面図である。
【0012】軸X、Y、Zは次のように定義される。軸
Xは光電検出アレイと平行である。軸Yは軸Xに直交
し、アレイ2、6を有する基板10の面と平行である。
軸Zは軸X、Yと直交する。
【0013】電気的伝導性を持つマイクロ球体12によ
り、 光電検出器4と、基板10上にあって、この光電
検出器4に関連するコンダクタ14とが電気的に接続さ
れる。一方、電気的伝導性を持つ他のマイクロ球体16
により、 光電検出器8と、基板10上にあって、この
光電検出器8に関連するコンダクタ18とが電気的に接
続される。
【0014】光電検出器4が形成されているアレイ2
は、波長λ1を中心とする第1波長域に属する輻射線に
感応する。
【0015】光電検出器8が形成されているアレイ6
は、第1波長域とは別の、波長λ2を中心とする第2波
長域に属する輻射線に感応する。
【0016】このようにして、光電検出器4と8とのア
センブリが得られる。光電検出器4、8は隣接され、二
つの波長域でアレイ2、6を読み取るために適したもの
となる。アレイ2、6の読み取りは軸Yに沿って走査す
ることによって行なわれる。
【0017】図1(A)、1(B)にその概略が示され
ている従来のアセンブリにおいては、アレイ2の光電検
出器は、軸Yに沿って、アレイ6の光電検出器から非常
に離れている。この距離のために、アレイの読み取りに
関して数多くの電子的補正が必要となり、さらに、この
距離のために焦点面のサイズが大きくなり、光学的問題
が発生する。
【0018】本発明は、上記の問題を解決すると同時
に、電子的読み取りの補正の回数をかなりの程度まで減
らすことを目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明の、二つの波動帯
で輻射線を検出する検出装置は、第1波動帯に属する輻
射線に感応する、少なくともひとつの第1光電素子が形
成された第1基板と、第2の波動帯に属する輻射線に感
応する少なくともひとつの第2光電素子が形成された第
2基板と、からなり、第2光電素子を備えた第2基板は
少なくとも第1波動帯に対しては透過性であり、第1光
電素子は第2光電素子に近接して、しかも第2光電素子
と対面するように配置され、第1基板と第2基板とは、
電気的かつ(または)機械的接続球体によって相互に連
結されることを特徴とする。
【0020】これらの接続球体は、基板を機械的に接続
するために、または、光電検出素子を電気的に接続する
ために、あるいは、電気的な接続と機械的な接続を同時
に行なうために使用される。
【0021】本発明の特別な実施例によれば、第2基板
は光導電性を持たず、第1、第2波動帯に対して透過性
を持たない。
【0022】第2実施例によれば、第2基板は光導電性
を持ち、第1波動帯に対してのみ透過性を持つ。
【0023】第1基板は光導電性を持っていても、持っ
ていなくてもよい。
【0024】このように、4通りの可能性がある。すな
わち、第2基板が光導電性を持っているかいないか、そ
して、この第2基板の両方の場合において、第1基板が
光導電性を持っているかいないか、である。
【0025】本発明の検出装置の特殊な実施例によれ
ば、第1基板は複数の第1光電検出素子を有し、第2基
板は複数の第2光電検出素子を有する。第2光電検出素
子はそれぞれ、第1光電検出素子の近くに、該第1光電
検出素子に向かい合うように配置されている。
【0026】第1基板は一列の第1光電検出素子を有
し、一方、第2基板は一列の第2光電検出素子を有して
いる。
【0027】本発明の検出装置の好ましい実施例によれ
ば、該検出装置は、第2基板を受容可能なリセス(へこ
み)を備え、各第1光電検出素子用の第1電気接続コン
ダクタと各第2光電検出素子用の第2電気接続コンダク
タとを有する支持体からなる。第1光電検出素子のそれ
ぞれは、第1電気伝導性球体によって、対応する第1電
気接続コンダクタに接続されている。第2光電検出素子
のそれぞれは、第2、第3電気伝導性球体によって、対
応する第2電気接続コンダクタに接続されている。第
2、第3電気伝導性球体は第1基板に与えられている第
3電気接続コンダクタによってお互いどうし連結されて
いる。
【0028】第1光電検出素子はそれぞれ、赤外域の第
1波動帯に属する輻射線に感応し、第2光電検出素子は
それぞれ、赤外域の第2波動帯に属する輻射線に感応す
る。
【0029】本発明は、さらに、前記支持体と合体した
本発明の検出装置を製造するプロセスに関する。該プロ
セスは次の段階、すなわち、リセス(へこみ)を備えた
支持体を製造すること、各第1光電検出素子を有し、か
つ、各第1光電検出素子用に第1、第2、第3電気伝導
球体を備えた第1基板を製造すること、対応する第1球
体によって各第1コンダクタを対応する第1光電検出素
子に連結し、対応する第2球体によって各第2コンダク
タを対応する第3コンダクタに連結して、第1基板と支
持体を組み立てること、各第2光電検出素子を対応する
第3球体に連結して、第1基板と支持体を有する上記ア
センブリと第2基板とを組み立てること、の段階から成
ることを特徴とする。
【0030】
【実施例】添付の図面を参照しつつ、本発明の非制限的
実施例の詳細を以下に説明する。
【0031】図2(A)、図2(B)にその概略を示し
た本発明の検出装置は、波長λ1を中心とする第1波長
域に属する輻射線に感応する一列の光電検出器22を有
する第1アレイ20と、波長λ1とは別の、波長λ2を
中心とするもうひとつ別の波長域に属する輻射線に感応
する一列の光電検出器26を有する第2アレイ24と、
フリップチップ法(flip-chip method)に従い、球体に
よってアレイ20が混成(ハイブリッド化)されるイン
ターコネクションネットワーク支持体28と、から成る
ことを特徴とする。
【0032】光電検出器22、26は、例えば、フォト
コンダクタ(光導電体)、フォトダイオード、あるい
は、MISコンデンサである。
【0033】支持体28には、リセス(へこみ)30が
形成されている。このリセス30によって、アレイ20
の前面にアクセスされ、アレイ20が支持体28と混成
(ハイブリッド化)される。(光電検出器22は、図2
(B)からわかるように、アレイ前面に配置されてい
る。) アレイ24の光電検出器26もまた、アレイの前面側に
配置されている。アレイ24は、支持体28のリセス3
0によって、相対して、アレイ20と混成(ハイブリッ
ド化)され、光電検出器22、26は図2(A)、2
(B)に示されるように、向い合うように配置される。
【0034】図2(A)は、リセス30が長方形状であ
ることを示している。リセス30の横の長さはアレイ2
4のそれよりも大きく、縦の長さはアレイ24のそれよ
りも大きい。
【0035】電気伝導球体による混成(ハイブリッド
化)を利用すると、直径が約5〜10μmであるその球
体の大きさに留意しつつ、光電検出器26を光電検出器
22に隣接させて配置することが可能となる。つまり、
約5〜10μmの間隔で隣接するように光電検出器2
2、26を構成することが可能である。
【0036】もし、アレイ24をアレイ20と混成(ハ
イブリッド化)させることが可能な球体を受持するため
の穴がアレイ20、24のいづれかに形成されているな
らば、この光電検出器22、26を互いに接触させて配
置することも可能である。この穴を形成する方法は、同
業者には公知である。
【0037】アレイ20を支持体28と混成(ハイブリ
ッド化)させること、およびアレイ24をアレイ20と
混成(ハイブリッド化)させることに関して、その詳細
を以下に述べる。
【0038】図2(B)に示すように、各光電検出器2
2にはアレイ20上に配置された電気接続コンダクタ3
2が付与されている。また、各光電検出器22はインタ
ーコネクション・ネットワーク支持体28上に配置され
た電気接続コンダクタ34と連結している。電気接続コ
ンダクタ32、34は電気伝導球体36によって互いに
電気的に接続されている。
【0039】図2(B)には、さらに、光電検出器26
が示されている。光電検出器22に対応した該光電検出
器26には、アレイ24の前面に配置された電気接続コ
ンダクタ38が付与され、該電気接続コンダクタ38
は、電気伝導球体42によって、アレイ20上に配置さ
れたもうひとつ別の接続コンダクタ40に接続されてい
る。
【0040】もうひとつ別の電気接続コンダクタ44は
これら電気接続コンダクタ38、40と連結され、イン
ターコネクション・ネットワーク支持体28上に配置さ
れている。もうひとつ別の電気伝導球体46によって、
コンダクタ44はコンダクタ40に電気的に接続され
る。
【0041】各光電検出器22によって発せられた電気
信号は、対応するコンダクタ32と対応する球体36を
経由して、対応するコンダクタ34に送信される。
【0042】同様に、各光電検出器26によって発せら
れた電気信号は、対応するコンダクタ38、球体42、
コンダクタ40、および球体46を経由して、対応する
コンダクタ44に送信される。コンダクタ34と34
は、受信した電気信号を電子処理手段(図を略す)に供
給する。
【0043】光電検出器22、26がそれぞれ感応する
波長域は、例えば、赤外域(例えば、3〜5.5μmの
波長域と8〜12μmの波長域)に属する。
【0044】アレイ24によって構成され、かつ、光電
検出器26が形成されている基板は前記二つの波長域に
対して光導電性も透過性も有しない。
【0045】従って、波長λ2を中心とする波長域にあ
り、かつ、アレイ24の後面を照明する赤外信号はアレ
イ24を通って光電検出器26に至り、該光電検出器2
6はこの波長域を検出する。
【0046】波長λ1を中心とする波長域にある赤外信
号は光電検出器26によって停止されずにアレイ24を
通過して光電検出器22を”照明し”、該光電検出器2
2はこの赤外信号を検出する。
【0047】アレイ24の基板が波長λ2を中心とする
波長域に感応する光電検出器である場合には、アレイ2
4の基板は波長λ1を中心とする波長域に対して透過性
を有するだけである。この場合、前記基板が光導電性を
有しない場合と同じように、アレイ20の基板は光導電
性を有していても、いなくてもよい。
【0048】本発明は次の利点を有する。軸X、Yが互
いに直交し、かつ、アレイ20、24と支持体28との
面に平行であり、軸Zが軸X、Yに直交していることを
考慮にいれた時、図2(A)、2(B)に示された本発
明の検出装置の構成により、二つの波長域を検出するこ
とが可能なそれぞれのピクセル(素子)の軸X、Yに沿
って、オフセット(相殺)は非常に限定されたものとな
る(例えば、0.5μm以下)。前述のコンダクタは、
軸Zに沿って、前記ピクセルの最小オフセットをもたら
し、これにより、前述のように、オフセットが0にも成
り得る。本発明によって、三波動帯の検出器(三色検出
器)を製造することが可能となる。すなわち、図1
(A)、1(B)に関連しつつ説明した方法と本発明と
を組み合わせることによって、軸Xに沿って極めて僅か
にオフセットされ、かつ、軸Yに沿って僅かにオフセッ
トされた検出ピクセルを有する三波動帯の検出器(三色
検出器)を製造することが可能となる。
【0049】以下の方法によって、そのような三色検出
器を製造することが可能である。すなわち、第1波長域
に感応する一列の光電検出器を、リセス(へこみ)を有
するインターコネクション・ネットワーク支持体と混成
(ハイブリッド化)させ、第2波長域に感応するもうひ
とつ別の列の光電検出器を、前述したように(図2
(A)、2(B)参照)、リセスを通し、光電検出器を
互いの前面に配置することによって、前記第一列の光電
検出器と混成(ハイブリッド化)させ、リセスを通し、
(適正な範囲を持っている)第二列のそばにあってこの
第二列と平行な、第3波長域に感応する第三列の光電検
出器を、第一列の検出器と混成(ハイブリッド化)させ
ることによって、三色検出器を製造することが可能とな
る。
【0050】図2(A)、2(B)に示された本発明の
検出装置の製造プロセスについて以下に説明する。この
検出装置を製造するための第一の段階はリセス30が形
成されたインターコネクション・ネットワーク支持体2
8を製作することである。この支持体はセラミックス原
料(この場合、リセスは機械的加工で形成される)、ま
たはシリコン(この場合、リセスは化学的加工で形成さ
れる)から作られる。
【0051】リセスが形成されたこのような支持体を製
造することは当業者の製造能力の範囲内にある。このよ
うな穴あき回路の製造方法は数多くの出版物によって公
知である。
【0052】この支持体を製造した後、波長λ1を中心
とするスペクトル範囲で感応する物質からアレイ20を
製造する(赤外域での検出用にHgCdTeが利用され
る)。
【0053】そのような一列の光電検出器を製造するこ
とも公知である。前記アレイには、フリップチップ技術
で使用されるタイプの溶接ビードが付与される。溶接ビ
ードの製造もこの技術分野において公知である(この溶
接ビードは電気分解またはスパッタリングを受ける)。
【0054】アレイ20には、各1対の光電検出器2
2、26用に、少なくとも次のものが付与される。すな
わち、波長λ1を中心とする波長域に感応する光電検出
器22を支持体28に連結するための球体36と、波長
波長λ2を中心とする波長域に感応する光電検出器26
を支持体28に連結するための球体42と、コンダクタ
40をコンダクタ44に接続するための球体46とであ
る。
【0055】これに引き続き、球体42と対面して配置
される湿潤素子48をアレイ24に付加することによっ
て、アレイ20と同じようにしてアレイ24を製造す
る。
【0056】次に、フリップチップ法を利用して、イン
ターコネクション・ネットワーク支持体28とアレイ2
0を混成(ハイブリッド化)させる。このような混成
(ハイブリッド化)は超小形電子工学の分野では公知で
あり、広く利用されている。
【0057】これに関連して、支持体28には、あらか
じめ、球体36、46とそれぞれ対面する湿潤素子5
0、52が付加される。その後、アレイ24は、支持体
28のリセス30により、アレイ20と混成(ハイブリ
ッド化)される。
【0058】本発明は、多スペクトル検出装置(multi-
spectral detectors)の製造にも応用される。
【0059】多スペクトル検出装置を製造する場合に
は、例えば、第1光電検出器を有する基板と、第2光電
検出器を有するもうひとつ別の基板とを、後者の該基板
が混成された支持体に形成されたリセスにより、混成
(ハイブリッド化)させることによって、第1波長域に
感応する第1光電検出器を第2波長域に感応する第2光
電検出器と対面するように配置する。
【0060】本発明によれば、微小な二色マトリックス
(例えば、4×4あるいは8×8タイプの)の製造に至
ることも可能である。その場合、そのマトリックスの周
辺へ移動させるために、各光電検出器は電気的コンダク
タによって”取り上げられる”必要がある。
【0061】図2(A)、2(B)の場合には、溶接ビ
ードあるいは球体がアレイ用の機械的接続物として、そ
して、前記アレイの光電検出器に対する電気的接続物と
して使用される。
【0062】溶接ビードが光電検出器に対する電気的接
続物としてのみか、または基板に対する機械的接続物と
してのみ使用される実施例も可能である。
【0063】
【発明の効果】以上の構成により、本発明の光電検出器
においては、それぞれ異なった波長域に対して感応する
二つの検出素子(検出ピクセル)を、極めて狭い範囲内
で、対面するように配置することが可能となり、アレイ
の読み取りに関する数多くの電子的補正がかなりの程度
まで減らされ、焦点面のサイズによる光学的問題も解決
される。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)は、二つの波動帯の輻射線を検出する従
来の検出装置の概略平面図である。(B)は、(A)の
I−Iに沿った断面図である。
【図2】(A)は、本発明の検出装置の概略平面図であ
る。(B)は(A)のI−Iに沿った断面図である。
【符号の説明】
20 第1アレイ 22 第1光電検出器 24 第2アレイ 26 第2光電検出器 28 インターコネクション・ネットワーク支持体 30 リセス(へこみ) 32 電気接続コンダクタ 34 第1電気接続コンダクタ 36 第1電気伝導球体 38 電気接続コンダクタ 40 第3電気接続コンダクタ 42 第3電気伝導球体 44 第2電気接続コンダクタ 46 第2電気伝導球体 48 湿潤素子 50 湿潤素子 52 湿潤素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リュカ クリスチャン フランス国 38120 サンテグレーヴ リ ュ サン ロベール 38

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1波動帯に属する輻射線に感応する、
    少なくともひとつの第1光電検出素子(22)が形成さ
    れた第1基板(20)と、第2波動帯に属する輻射線に
    感応する、少なくともひとつの第2光電検出素子(2
    6)が形成された第2基板(24)と、からなる二つの
    波動帯の輻射線を検出する輻射線検出器において、第2
    光電検出素子(26)を有する第2基板(24)は少な
    くとも第1波動帯に対しては透過性であり、第1光電検
    出素子(22)は第2光電検出素子(26)に近接し
    て、かつ、第2光電検出素子(26)と対面するように
    配置され、第1基板(20)と第2基板(24)とは、
    電気的かつ(または)機械的接続球体によって相互に連
    結される、ことを特徴とする輻射線検出器。
  2. 【請求項2】 前記第2基板(24)は前記第1、第2
    波動帯に対しては光導電性も透過性も有しないことを特
    徴とする請求項1に記載の輻射線検出器。
  3. 【請求項3】 前記第2基板(24)は光導電性を有
    し、前記第1波動帯に対してのみ透過性を有しているこ
    とを特徴とする請求項1に記載の輻射線検出器。
  4. 【請求項4】 前記第1基板(20)は光導電性を有す
    る、または有しないことを特徴とする請求項1に記載の
    輻射線検出器。
  5. 【請求項5】 前記第1基板(20)は複数の第1光電
    検出素子(22)を有し、前記第2基板(24)は複数
    の第2光電検出素子(26)を有し、該第2光電検出素
    子(26)は、それぞれ、前記第1光電検出素子(2
    2)の近くに、かつ前記第1光電検出素子(22)と対
    面するように配置されていることを特徴とする請求項1
    に記載の輻射線検出器。
  6. 【請求項6】 前記第1基板(20)は一列に並んだ第
    1光電検出素子(22)を有し、前記第2基板(24)
    は一列に並んだ第2光電検出素子(26)を有している
    ことを特徴とする請求項5に記載の輻射線検出器。
  7. 【請求項7】 前記検出器は、第2基板(24)を受持
    可能なリセス(へこみ30)と、各第1光電検出素子
    (22)用の第1電気接続コンダクタ(34)と、各第
    2光電検出素子(26)用の第2電気接続コンダクタ
    (44)とを有する支持体(28)から成り、前記第1
    光電検出素子(22)のそれぞれは、第1電気伝導性球
    体(36)によって、対応する第1電気接続コンダクタ
    (34)に接続され、前記第2光電検出素子(26)の
    それぞれは、第2電気伝導性球体(46)と第3電気伝
    導性球体(42)とによって、対応する第2電気接続コ
    ンダクタ(44)に接続され、第2、第3電気伝導性球
    体(46、42)は前記第1基板(20)に付与された
    第3電気接続コンダクタ(40)によって互いに連結さ
    れている、ことを特徴とする請求項1に記載の輻射線検
    出器。
  8. 【請求項8】 前記各第1光電検出素子(22)は赤外
    域の第1波動帯に属する輻射線に対して感応し、前記各
    第2光電検出素子(26)は赤外域の第2波動帯に属す
    る輻射線に対して感応することを特徴とする請求項1に
    記載の輻射線検出器。
  9. 【請求項9】 前記リセス(30)が形成されている支
    持体(28)を製造し、各第1光電検出素子(22)を
    保持し、かつ、該各第1光電検出素子(22)用に、前
    記第1(36)、第2(46)、第3電気伝導球体(4
    2)が付与された前記第1基板(20)を製造し、各第
    2光電検出素子(26)を保持した前記第2基板(2
    4)を製造し、対応する第1球体(36)によって各第
    1コンダクタ(34)を対応する各第1光電検出素子
    (22)に連結し、対応する第2球体(46)によって
    各第2コンダクタ(44)を対応する第3電気接続コン
    ダクタ(40)に連結して、第1基板(20)と支持体
    (28)とを組み立て、各第2光電検出素子(26)を
    対応する第3電気伝導球体(42)に連結することによ
    って、第1基板(20)と支持体(28)とを有する上
    記アセンブリと第2基板(24)とを組み立てること、
    を特徴とする請求項7に記載の輻射線検出器を製造する
    ための方法。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3839487B2 (ja) * 1995-11-15 2006-11-01 ロッキード マーティン アイアール イメージング システムズ インク デュアルバンドマルチレベルマイクロブリッジ検出器
US5818051A (en) * 1996-04-04 1998-10-06 Raytheon Ti Systems, Inc. Multiple color infrared detector
ATE214476T1 (de) * 1996-12-17 2002-03-15 Lab Fuer Physikalische Elektro Verfahren zum aufbringen eines mikrosystems oder wandlers auf ein substrat und nach diesem verfahren herstellbare vorrichtung
FR2759494B1 (fr) * 1997-02-07 1999-03-05 Commissariat Energie Atomique Detecteur de rayonnement photonique multicolore
EP0951068A1 (en) 1998-04-17 1999-10-20 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of fabrication of a microstructure having an inside cavity
EP0951069A1 (en) * 1998-04-17 1999-10-20 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Method of fabrication of a microstructure having an inside cavity
US7196790B2 (en) 2002-03-18 2007-03-27 Honeywell International Inc. Multiple wavelength spectrometer
US7531363B2 (en) 2003-12-30 2009-05-12 Honeywell International Inc. Particle detection using fluorescence

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3962578A (en) * 1975-02-28 1976-06-08 Aeronutronic Ford Corporation Two-color photoelectric detectors having an integral filter
GB2116363B (en) * 1982-03-03 1985-10-16 Philips Electronic Associated Multi-level infra-red detectors and their manufacture
JPS60130274A (ja) * 1983-12-19 1985-07-11 Toshiba Corp 固体撮像装置
DE3533146A1 (de) * 1985-09-17 1987-03-26 Siemens Ag Farbsensorelement, farbempfindliche sensoranordnung mit derartigen farbsensorelementen, eine anwendung des elements oder der anordnung und ein verfahren zur herstellung eines halbleitermaterials fuer das farbsensorelement
JPS6362266A (ja) * 1986-09-02 1988-03-18 Toshiba Corp 固体撮像装置の製造方法
US4757210A (en) * 1987-03-02 1988-07-12 Rockwell International Corporation Edge illuminated detector arrays for determination of spectral content
GB2247985A (en) * 1990-09-12 1992-03-18 Philips Electronic Associated Plural-wavelength infrared detector devices
GB2248964A (en) * 1990-10-17 1992-04-22 Philips Electronic Associated Plural-wavelength infrared detector devices
US5300777A (en) * 1992-03-26 1994-04-05 Texas Instruments Incorporated Two color infrared detector and method
FR2693033B1 (fr) * 1992-06-30 1994-08-19 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'imagerie de grande dimension.

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