JPH07233471A - Sputtering device and production of thermal head using the same - Google Patents
Sputtering device and production of thermal head using the sameInfo
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- JPH07233471A JPH07233471A JP13547394A JP13547394A JPH07233471A JP H07233471 A JPH07233471 A JP H07233471A JP 13547394 A JP13547394 A JP 13547394A JP 13547394 A JP13547394 A JP 13547394A JP H07233471 A JPH07233471 A JP H07233471A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜形成用途に用いら
れるスパッタリング装置およびこれを用いたファクシミ
リ等の発熱記録装置に用いられるサーマルヘッドの製造
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering apparatus used for thin film formation and a method of manufacturing a thermal head used in a heat recording apparatus such as a facsimile using the sputtering apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＯＡ機器や家庭用ＦＡＸの分野におい
て、サーマルヘッドは記録を司る重要な位置を占めてい
る。サーマルヘッドはヘッド上に形成された発熱抵抗体
に電圧を印加し、感熱紙や製版フィルムといった記録媒
体に印字するものであり、生産効率、低コストを追及し
て多くの開発、改良が現在も行われている。サーマルヘ
ッドの基本構造は、支持基板上に発熱抵抗体層と電極層
とを積層後、所定の位置にパターンを形成し、その上層
に保護被覆層を積層する。このような薄膜の積層体はス
パッタリング装置等を用いて形成されている。2. Description of the Related Art In the fields of office automation equipment and household fax machines, thermal heads occupy an important position for recording. A thermal head applies a voltage to a heating resistor formed on the head to print on a recording medium such as thermal paper or a plate-making film, and many developments and improvements have been made in pursuit of production efficiency and low cost. Has been done. The basic structure of the thermal head is that a heating resistor layer and an electrode layer are laminated on a supporting substrate, a pattern is formed at a predetermined position, and a protective coating layer is laminated on the pattern. Such a thin film stack is formed using a sputtering apparatus or the like.
【０００３】サーマルヘッドの製造工程において、発熱
抵抗体をスパッタリング法により形成する場合、電極膜
や発熱抵抗体の耐酸化、耐摩耗膜をスパッタリング法に
より形成する場合と異なり、マグネトロンスパッタリン
グ法によらない、いわゆるコンベンショナルなスパッタ
リング法が以下の理由で採用されている。 １） マグネトロンスパッタリング法では、厳密な抵抗
値制御が困難となりやすい。 ２） 発熱抵抗体膜は通常、電極膜や発熱抵抗体の耐酸
化・耐摩耗膜に比べ、膜厚が格段に薄いため、高速スパ
ッタにそれほど固執する必要はない。In the manufacturing process of the thermal head, when the heating resistor is formed by the sputtering method, unlike the case where the oxidation resistant and abrasion resistant films of the electrode film and the heating resistor are formed by the sputtering method, the magnetron sputtering method is not used. The so-called conventional sputtering method is adopted for the following reasons. 1) In the magnetron sputtering method, it becomes difficult to strictly control the resistance value. 2) Usually, the heating resistor film is much thinner than the oxidation-resistant / abrasion-resistant film of the electrode film or the heating resistor, so that it is not necessary to stick to the high-speed sputtering so much.
【０００４】コンベンショナルなスパッタリングを行う
スパッタリング装置は、1 Pa程度の減圧雰囲気の容器中
でターゲット表面をアルゴン陽イオン等で衝撃してスパ
ッタ粒子を叩きだし、このスパッタ粒子をターゲット表
面に対面して設けられている基板に薄膜として堆積させ
る装置である。また、スパッタ粒子がターゲット裏面に
回り込まないように、また不純物がスパッタされないよ
うにターゲットおよびターゲット支持台の背面を覆っ
て、陰極シールドが形成されている。したがって、陰極
シールドと陰極間のシールドギャップはダークスペース
より小さく設計されている。A sputtering apparatus for performing conventional sputtering is provided in such a manner that a target surface is bombarded with argon cations or the like to bombard sputtered particles in a container in a reduced pressure atmosphere of about 1 Pa, and the sputtered particles face the target surface. It is a device for depositing a thin film on a known substrate. Further, a cathode shield is formed so as to cover the back surface of the target and the target support so that the sputtered particles do not go around to the back surface of the target and the impurities are not sputtered. Therefore, the shield gap between the cathode shield and the cathode is designed to be smaller than the dark space.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、コンベ
ンショナルなスパッタリング装置を使用すると、ターゲ
ットのエロージョンがターゲット端部に集中するという
現象が発生し、このことによりつぎのような問題が生じ
る。 １）ターゲットの利用効率が低くなるという問題があ
る。ターゲットの寿命はエロージョン最集中部のエロー
ジョン深さで決定される。ターゲット材料は他部にまだ
多く残っていても、この深さがターゲット支持台に達し
てしまえばそれ以上の使用は不能となるからである。仮
に、使用を継続しようとすると、ターゲット支持台のス
パッタが起きてしまい、正常な発熱抵抗体の形成がなさ
れなくなる。従来、初期ターゲット材料量からターゲッ
ト寿命到達時の残留ターゲット材料量を差し引いたもの
を初期ターゲット材料量で除して表される利用効率はせ
いぜい 30 重量% 止まりであった。 ２）スパッタリング法により得られる薄膜の抵抗値がバ
ラツクという問題がある。 エロージョン集中部に位置
的に近い支持基体は、その影響を受け易く、他の支持基
体部位とは、比抵抗／膜質共に相違が生じる結果、得ら
れる薄膜の抵抗値にバラツキが生じるという問題があ
る。However, when the conventional sputtering apparatus is used, the phenomenon that the erosion of the target is concentrated on the end portion of the target occurs, which causes the following problems. 1) There is a problem that the utilization efficiency of the target becomes low. The life of the target is determined by the erosion depth at the most concentrated erosion area. This is because even if a large amount of the target material remains in other parts, if the depth reaches the target support, further use becomes impossible. If it is attempted to continue the use, sputtering of the target support will occur, and normal formation of the heating resistor will not be achieved. Conventionally, the utilization efficiency expressed by dividing the initial target material amount minus the residual target material amount at the end of the target life by the initial target material amount was at most 30% by weight. 2) There is a problem that the resistance value of the thin film obtained by the sputtering method varies. A support base that is close to the erosion concentrated portion is susceptible to the influence, and there is a problem in that the resistance value of the obtained thin film varies as a result of a difference in specific resistance / film quality from other support base parts. .
【０００６】この抵抗値バラツキを制御するために、エ
ロージョン集中部を避けるように支持基体を配置すると
ターゲット面積に対する有効成膜エリアを狭く限定して
しまうことになる。その結果、バッチ当たりの支持基体
処理数が減少してしまい、生産コストの上昇や生産効率
を低下させるという問題がある。In order to control the variation of the resistance value, if the supporting base is arranged so as to avoid the erosion concentration portion, the effective film forming area with respect to the target area will be limited. As a result, the number of supporting substrates to be processed per batch is reduced, and there is a problem that production cost increases and production efficiency decreases.
【０００７】本発明は、このような問題に対処するため
になされたもので、ターゲットの利用効率を大幅に向上
させることのできるスパッタリング装置およびこの装置
を使用して抵抗値バラツキの極めて小さいサーマルヘッ
ドを低コストで製造することのできるサーマルヘッドの
製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made to solve such a problem, and a sputtering apparatus capable of greatly improving the utilization efficiency of a target and a thermal head having extremely small variation in resistance value by using this apparatus. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a thermal head, which can manufacture the head at low cost.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置は、減圧容器内に、ターゲットとこのターゲット周
囲に設けられた陰極シールドとを少なくとも具備してな
るスパッタリング装置において、陰極シールドのターゲ
ット周囲上面がターゲット表面よりも突出していること
を特徴とする。A sputtering device of the present invention is a sputtering device comprising at least a target and a cathode shield provided around the target in a decompression container, wherein the upper surface of the cathode shield around the target is It is characterized in that it is projected from the target surface.
【０００９】また、本発明のサーマルヘッドの製造方法
は、支持基体上にスパッタリング法により薄膜を形成す
る工程を少なくとも有するサーマルヘッドの製造方法に
おいて、減圧容器内にターゲットとこのターゲット周囲
に設けられターゲット周囲上面がターゲット表面よりも
突出している陰極シールドとを有するスパッタリング装
置を用いて薄膜形成工程を行うことを特徴とする。Further, the method of manufacturing a thermal head of the present invention is the method of manufacturing a thermal head having at least a step of forming a thin film on a supporting substrate by a sputtering method. The thin film forming step is performed by using a sputtering apparatus having a cathode shield whose peripheral upper surface projects from the target surface.
【００１０】本発明に係わる減圧容器は、通常のスパッ
タリング装置に用いられている10-4Pa程度の減圧雰囲気
を達成することのできる容器であれば問題なく使用でき
る。The decompression container according to the present invention can be used without any problem as long as it is a container capable of achieving a decompression atmosphere of about 10 -4 Pa which is used in an ordinary sputtering apparatus.
【００１１】また、本発明に係わるターゲットおよび陰
極シールドもとくに制限なく従来の材料が使用できる。
たとえば、サーマルヘッドの発熱抵抗体材料として、Nb
− SiO2 、Ta− SiO2 、Ti− SiO2 、Ta等他の材料も使
用できる。また、電極膜、耐酸化／摩耗膜を形成したい
場合には、それぞれに適切なターゲットを選択すること
ができる。Further, the target and the cathode shield according to the present invention can be made of conventional materials without particular limitation.
For example, as a heating resistor material for a thermal head, Nb
- SiO 2, Ta- SiO 2, Ti- other materials such as SiO 2, Ta may be used. Further, when it is desired to form an electrode film and an oxidation / wear film, an appropriate target can be selected for each.
【００１２】本発明のスパッタリング装置において、陰
極シールドのターゲット周囲上面がターゲット表面より
も突出しているとは、ターゲットの周囲に設けられてい
る陰極シールドがターゲット表面よりもターゲットの対
向電極側に延長された形状であることを意味する。ター
ゲットの対向電極側に延長された形状の一つの態様を図
１に示す。陰極シールドの延長距離ａは、個々の装置お
よびスパッタリング条件によっても異なるが、通常、タ
ーゲットと対向電極間距離の 0.1〜 0.9倍が好ましく、
望ましくは 0.3〜 0.7倍である。これは延長距離ａが
0.1倍よりも短いと、エロージョンの集中を緩和する効
果が小さくなり、一方、 0.9倍よりも長いと安定した放
電が持続されにくくなるためである。また、他の態様を
図２、図３に示す。陰極シールドの延長は少なくともタ
ーゲットの対向電極側に延長されていればよいのであっ
て、併せてターゲット面に水平の方向に延長することも
できる。陰極シールドの形状をこのようにすることによ
り、ターゲット端部のエロージョン集中を緩和すること
ができる。In the sputtering apparatus of the present invention, the top surface of the cathode shield surrounding the target is projected beyond the target surface means that the cathode shield provided around the target extends beyond the target surface toward the counter electrode of the target. It means that it has a different shape. One mode of the shape extended to the counter electrode side of the target is shown in FIG. The extension distance a of the cathode shield varies depending on the individual apparatus and sputtering conditions, but normally, the distance between the target and the counter electrode is preferably 0.1 to 0.9 times,
It is preferably 0.3 to 0.7 times. This is because the extension distance a
If it is shorter than 0.1 times, the effect of alleviating the concentration of erosion will be small, while if it is longer than 0.9 times, it will be difficult to maintain stable discharge. Another mode is shown in FIGS. It suffices that the cathode shield is extended at least to the counter electrode side of the target, and it can also be extended in the horizontal direction to the target surface. By setting the shape of the cathode shield in this way, the erosion concentration at the end of the target can be alleviated.
【００１３】また、このようなスパッタリング装置を使
用することにより、抵抗値バラツキの極めて小さいサー
マルヘッドを低コストで製造することができる。Further, by using such a sputtering apparatus, it is possible to manufacture a thermal head having extremely small variation in resistance value at low cost.
【００１４】[0014]
【作用】ターゲット端部におけるエロージョンの集中現
象は、ターゲット周囲に形成される電気力線分布に基づ
き、ターゲットの端部と他の部位とでは、スパッタイオ
ンの入射角度が異なることが主因と推察される。すなわ
ち、ターゲット端部では、電気力線はターゲット面に垂
直に形成されなくなり、スパッタイオンはターゲット面
に対し垂直入射とはならず斜め入射をする。スパッタイ
ールドは、スパッタイオンの入射角度に依存するが、垂
直入射に比べ斜め入射の方が大きくなる。したがって、
ターゲット端部はエロージョンが集中することになる。The erosion concentration phenomenon at the end of the target is presumed to be mainly due to the difference in the incident angle of the sputtered ions between the end of the target and other parts, based on the distribution of electric lines of force formed around the target. It That is, at the end of the target, the lines of electric force are not formed perpendicularly to the target surface, and the sputtered ions do not enter the target surface vertically but obliquely. The sputter yield depends on the incident angle of sputtered ions, but the oblique incidence is larger than the vertical incidence. Therefore,
Erosion is concentrated on the edge of the target.
【００１５】しかし、陰極シールド上面をターゲット表
面よりも突出させると、とくにターゲット端部において
も他部位と同様に電気力線がターゲット面に対し垂直に
近く形成されることになる。その結果、スパッタイオン
はターゲット端部においても他部位と同様に垂直入射を
するようになり、端部におけるエロージョンの集中現象
を抑えることができる。したがって、ターゲットの利用
効率は大幅に向上しターゲット寿命が格段に伸び、併せ
てこのスパッタリング装置を使用して得られるサーマル
ヘッドの抵抗値のバラツキも大幅に改善される。However, if the upper surface of the cathode shield is projected beyond the surface of the target, the lines of electric force are formed almost perpendicular to the surface of the target, especially at the end of the target, as in other parts. As a result, the sputtered ions are vertically incident on the end portion of the target as well as other portions, and the phenomenon of concentration of erosion at the end portion can be suppressed. Therefore, the utilization efficiency of the target is greatly improved, the life of the target is remarkably extended, and the variation in the resistance value of the thermal head obtained by using this sputtering apparatus is also greatly reduced.
【００１６】[0016]
【実施例】本発明のスパッタリング装置およびこれを用
いたサーマルヘッドの製造方法を図面により詳細に説明
する。 実施例１ 本発明のスパッタリング装置の模式図を図１に示す。減
圧容器７内のターゲット支持台３上にターゲット２が支
持され、このターゲット２に対面して基板４および対向
電極５が配置されている。ターゲット２の周囲には陰極
シールド１がターゲット表面より突出して設けられてい
る。なお、減圧容器７の外部にはＲＦ電源６、および図
示を省略した排気機構、ガス導入機構が設けられてい
る。また、ターゲット支持台３は銅（Cu）からなり、こ
の中に水路が設けられており、ターゲット２の冷却を行
えるようにしてある。ターゲット支持台３には高周波が
印加されるようになっている。なお、ターゲット２の導
電率によっては直流を印加してもよく、とくに高周波に
限定されることはない。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A sputtering apparatus of the present invention and a method of manufacturing a thermal head using the same will be described in detail with reference to the drawings. Example 1 A schematic diagram of a sputtering apparatus of the present invention is shown in FIG. The target 2 is supported on the target support 3 in the decompression container 7, and the substrate 4 and the counter electrode 5 are arranged facing the target 2. Around the target 2, a cathode shield 1 is provided so as to project from the target surface. An RF power source 6 and an exhaust mechanism and a gas introduction mechanism (not shown) are provided outside the decompression container 7. The target support base 3 is made of copper (Cu), and a water channel is provided in the target support base 3 so that the target 2 can be cooled. A high frequency is applied to the target support 3. Note that direct current may be applied depending on the conductivity of the target 2 and is not particularly limited to high frequency.
【００１７】ターゲット２およびターゲット支持台３す
なわち陰極の背面に全周囲にわたり設けられている陰極
シールド１のターゲット表面から突出している長さをタ
ーゲット表面を基準としてａとする。ターゲット対向電
極面はターゲット面に対し距離ｄに水平に位置してお
り、その面上にアルミナ基体表面をグレーズ処理した基
板を幅ｗにわたり全面に配置した。The length projecting from the target surface of the target 2 and the target support 3, that is, the cathode shield 1 provided on the back surface of the cathode over the entire circumference is referred to as a with reference to the target surface. The target counter electrode surface was positioned horizontally at a distance d with respect to the target surface, and a substrate obtained by subjecting the alumina substrate surface to a glaze treatment was placed over the entire surface over the width w.
【００１８】減圧容器７は基板仕込み室とは独立してお
り、常に10-4Pa以下の高真空を維持している。この装置
によるスパッタリング成膜は、減圧容器７を10-5 Pa 以
下に排気後、1Pa 程度のアルゴンガス（Ar）を導入、タ
ーゲットに高周波電力を供給し基板を搭載したターゲッ
ト対向電極面を紙面に対し前後に搬送することで行っ
た。ターゲット材料としてTaと SiO2 の焼結体を使用し
て、ターゲット利用効率と陰極シールド長ａとの関係を
測定した。その結果を図４に示す。ａ＝0 では30%にし
かすぎなかった利用効率が、ａの増加に伴い向上、ａ＝
0.5ｄでは70% にも達した。その後のａ＞ 0.5ｄでは利
用効率はほぼ一定となる傾向を示した。また、ａの増加
に伴い、ターゲット端部におけるエロージョン集中が緩
和されていくと共に、ターゲット残留部分も減少してい
くことが認められた。その結果をａの値と寿命を迎えた
ターゲットの断面との関係を模式図として図５に示す。
このように、陰極シールド長ａをターゲット表面より長
くすることによりターゲット利用効率を上げることので
きるスパッタリング装置が得られる。The decompression container 7 is independent of the substrate preparation chamber and always maintains a high vacuum of 10 -4 Pa or less. For sputtering film formation by this device, after evacuating the decompression container 7 to 10 -5 Pa or less, argon gas (Ar) of about 1 Pa was introduced, high frequency power was supplied to the target, and the target counter electrode surface on which the substrate was mounted was made to be the paper surface. On the other hand, it was carried out by carrying it back and forth. Using a sintered body of Ta and SiO 2 as a target material, the relationship between the target utilization efficiency and the cathode shield length a was measured. The result is shown in FIG. The utilization efficiency, which was only 30% at a = 0, improved with the increase of a, a =
It reached 70% at 0.5d. After that, when a> 0.5d, the usage efficiency tended to be almost constant. It was also confirmed that as the value of a increased, the erosion concentration at the end of the target was alleviated and the remaining portion of the target was decreased. The result is shown in FIG. 5 as a schematic diagram of the relationship between the value of a and the cross section of the target which has reached the end of its life.
Thus, by making the cathode shield length a longer than the target surface, a sputtering apparatus capable of increasing the target utilization efficiency can be obtained.
【００１９】実施例２ 実施例１の装置を使用してサーマルヘッドを製造する。
アルミナ基体表面をグレーズ処理した基板上に発熱抵抗
体層をTaと SiO2 の焼結体からなるターゲットを用いて
形成した。成膜条件は、ターゲット利用効率を測定した
実施例１と同一の条件とした。得られた発熱抵抗体層の
ｗ方向の抵抗値バラツキを測定した。Example 2 A thermal head is manufactured by using the apparatus of Example 1.
A heating resistor layer was formed on a substrate whose alumina substrate surface had been subjected to a glaze treatment by using a target made of a sintered body of Ta and SiO 2 . The film forming conditions were the same as in Example 1 in which the target utilization efficiency was measured. The resistance variation in the w direction of the obtained heating resistor layer was measured.
【００２０】なお、抵抗値バラツキは以下のようにして
求めた。まず、基板に発熱抵抗体層を形成し、ついで電
極膜を形成した後パターニングしてｗ方向に42本のサー
マルヘッドを得て、各ヘッドの平均抵抗値を測定、42個
の各々のデータを42個の平均値に対し百分率でプロット
する。このことを、ａ（＝ 0／ 0.1ｄ／ 0.3ｄ／ 0.5ｄ
／ 0.7ｄ／ 0.9ｄ）をパラメータとして実施する。測定
結果を図６に示す。The resistance variation was determined as follows. First, a heating resistor layer is formed on a substrate, then an electrode film is formed and then patterned to obtain 42 thermal heads in the w direction, and the average resistance value of each head is measured. Plot percentages for 42 averages. This is a (= 0 / 0.1d / 0.3d / 0.5d
/0.7d/0.9d) as a parameter. The measurement result is shown in FIG.
【００２１】ａ＝0 では＋4.1%／−15.0% の台形型とな
った。これは、ターゲットの端部エロージョン集中部に
位置的に近付くほど急激に低抵抗になるという特徴的な
形である。ａ＝ 0.1ｄでは、＋1.7%／−10.9% 、ａ＝
0.3ｄでは、＋1.8%／−5.5%と大きく改善されていく様
子がわかる。ａ＞ 0.5ｄになるとバラツキはほぼ＋1%／
−2%弱で概ね一定となり、実施例１におけるターゲット
利用効率の飽和と同様の傾向となった。このように実施
例１の装置を使用するサーマルヘッドの製造方法によれ
ば、発熱抵抗体層の抵抗値バラツキを極めて低くするこ
とができる。At a = 0, the trapezoidal shape was +4.1% /-15.0%. This is a characteristic shape in which the resistance rapidly decreases as the position approaches the end erosion concentrated portion of the target. When a = 0.1d, +1.7% /-10.9%, a =
At 0.3d, it can be seen that the improvement is +1.8% /-5.5%. When a> 0.5d, the variation is almost + 1% /
It became almost constant at a little less than −2%, which was the same tendency as the saturation of the target utilization efficiency in Example 1. As described above, according to the method of manufacturing the thermal head using the apparatus of the first embodiment, the variation in the resistance value of the heating resistor layer can be extremely reduced.
【００２２】[0022]
【発明の効果】本発明のスパッタリング装置は、ターゲ
ット周囲に設けられた陰極シールドのターゲット周囲上
面がターゲット表面よりも突出しているので、ターゲッ
ト端部においても他部位と同様に電気力線がターゲット
面に対し垂直に近く形成される。その結果、ターゲット
端部におけるエロージョン集中が緩和され、ターゲット
の利用効率を大幅に向上させることができるので生産コ
ストの低下や生産効率の向上を図ることができる。In the sputtering apparatus of the present invention, the upper surface of the cathode shield surrounding the target, which is provided around the target, is projected more than the target surface. It is formed almost perpendicular to. As a result, the concentration of erosion at the end of the target is alleviated, and the utilization efficiency of the target can be significantly improved, so that the production cost can be reduced and the production efficiency can be improved.
【００２３】本発明のサーマルヘッドの製造方法は、タ
ーゲット周囲に設けられターゲット周囲上面がターゲッ
ト表面よりも突出している陰極シールドとを有するスパ
ッタリング装置を用いて薄膜形成工程を行うので、サー
マルヘッドの発熱抵抗体層の抵抗値バラツキを大幅に小
さくすることができる。その結果、品質に優れたサーマ
ルヘッドを低コストで製造することができる。In the method of manufacturing a thermal head according to the present invention, since the thin film forming step is performed by using a sputtering apparatus having a cathode shield which is provided around the target and has an upper surface around the target protruding from the target surface, heat generation of the thermal head occurs. It is possible to significantly reduce the variation in the resistance value of the resistor layer. As a result, a high quality thermal head can be manufactured at low cost.
【図１】本発明のスパッタリング装置を示す断面模式図
である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a sputtering apparatus of the present invention.
【図２】陰極シールドとターゲットとの関係を示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing a relationship between a cathode shield and a target.
【図３】陰極シールドとターゲットとの関係を示す図で
ある。FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a cathode shield and a target.
【図４】ターゲット利用効率と陰極シールド長ａとの関
係を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a relationship between target utilization efficiency and cathode shield length a.
【図５】陰極シールド長ａと寿命を迎えたターゲットの
断面との関係を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the cathode shield length a and the cross section of a target that has reached the end of its life.
【図６】発熱抵抗体層のｗ方向の抵抗値バラツキを示す
図である。FIG. 6 is a diagram showing a variation in resistance value of the heating resistor layer in the w direction.
１………陰極シールド、２………ターゲット、３………
ターゲット支持台、４………基板、５………対向電極、
６………ＲＦ電源、７………減圧容器。1 ... Cathode shield, 2 ... Target, 3 ...
Target support 4, ... substrate, 5 ... counter electrode,
6 ... RF power supply, 7 ... decompression container.
Claims (2)
ット周囲に設けられた陰極シールドとを少なくとも具備
してなるスパッタリング装置において、 前記陰極シールドの前記ターゲット周囲上面が前記ター
ゲット表面よりも突出していることを特徴とするスパッ
タリング装置。1. A sputtering apparatus comprising at least a target and a cathode shield provided around the target in a decompression container, wherein an upper surface of the cathode shield surrounding the target is projected from a surface of the target. A sputtering apparatus characterized by:
膜を形成する工程を少なくとも有するサーマルヘッドの
製造方法において、 前記工程が、減圧容器内に、ターゲットとこのターゲッ
ト周囲に設けられ前記ターゲット周囲上面が前記ターゲ
ット表面よりも突出している陰極シールドとを有するス
パッタリング装置を用いて行うことを特徴とするサーマ
ルヘッドの製造方法。2. A method of manufacturing a thermal head, comprising at least a step of forming a thin film on a supporting substrate by a sputtering method, wherein the step is provided in a decompression container and a target and a periphery of the target. A method of manufacturing a thermal head, which is performed by using a sputtering device having a cathode shield protruding from a target surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13547394A JPH07233471A (en) | 1993-12-27 | 1994-06-17 | Sputtering device and production of thermal head using the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-329169 | 1993-12-27 | ||
| JP32916993 | 1993-12-27 | ||
| JP13547394A JPH07233471A (en) | 1993-12-27 | 1994-06-17 | Sputtering device and production of thermal head using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07233471A true JPH07233471A (en) | 1995-09-05 |
Family
ID=26469318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13547394A Withdrawn JPH07233471A (en) | 1993-12-27 | 1994-06-17 | Sputtering device and production of thermal head using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07233471A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110120859A1 (en) * | 2009-11-24 | 2011-05-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Sputtering apparatus |
-
1994
- 1994-06-17 JP JP13547394A patent/JPH07233471A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110120859A1 (en) * | 2009-11-24 | 2011-05-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Sputtering apparatus |
| JP2011111679A (en) * | 2009-11-24 | 2011-06-09 | Samsung Mobile Display Co Ltd | Sputtering apparatus |
| US9034156B2 (en) * | 2009-11-24 | 2015-05-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Sputtering apparatus |
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