JPH05311413A - Target for sputtering - Google Patents
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- JPH05311413A JPH05311413A JP12206292A JP12206292A JPH05311413A JP H05311413 A JPH05311413 A JP H05311413A JP 12206292 A JP12206292 A JP 12206292A JP 12206292 A JP12206292 A JP 12206292A JP H05311413 A JPH05311413 A JP H05311413A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はスパッタ用ターゲットに
係り、特に、絶縁性物質と導電性物質との混合物である
サーメットを焼結してなるスパッタ用ターゲットに関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering target, and more particularly to a sputtering target obtained by sintering a cermet which is a mixture of an insulating material and a conductive material.
【０００２】[0002]
【従来の技術】まず、この種のスパッタ用ターゲットが
使用されるスパッタ装置の一例の概略を図４により説明
する。2. Description of the Related Art First, an outline of an example of a sputtering apparatus in which this type of sputtering target is used will be described with reference to FIG.
【０００３】図４のスパッタ装置は、水平に配置された
バッキングプレート１を有しており、このバッキングプ
レート１上にターゲット２が支持されるようになってい
る。また、このバッキングプレート１には高周波電源３
が接続されており、この高周波電源３によりバッキング
プレート１に高周波電流が供給されるようになってい
る。さらに、前記バッキングプレート１の底面には、放
電による電場に直交する磁場を形成するための磁石４が
支持されている。The sputtering apparatus shown in FIG. 4 has a backing plate 1 arranged horizontally, and a target 2 is supported on the backing plate 1. The backing plate 1 also has a high frequency power source 3
Are connected to the backing plate 1 by the high frequency power source 3. Further, on the bottom surface of the backing plate 1, a magnet 4 for forming a magnetic field orthogonal to an electric field due to discharge is supported.
【０００４】前記バッキングプレート１の外周側には、
このバッキングプレート１の外周を囲繞するケーシング
状の対向電極５が配設されており、この対向電極５に
は、前記ターゲット２の近傍に臨むエッジ部５Ａが内設
されている。また、前記対向電極５の上壁５Ｂの底面に
は基板６が、前記ターゲット２に対向するように支持さ
れている。なお、前記対向電極５は接地されている。On the outer peripheral side of the backing plate 1,
A casing-shaped counter electrode 5 that surrounds the outer periphery of the backing plate 1 is provided, and the counter electrode 5 has an edge portion 5A that faces the vicinity of the target 2 provided therein. A substrate 6 is supported on the bottom surface of the upper wall 5B of the counter electrode 5 so as to face the target 2. The counter electrode 5 is grounded.
【０００５】このような構成によれば、高周波電源３に
よりバッキングプレート１に高周波電流を供給すること
によりバッキングプレート１と対向電極５のエッジ部５
Ａとの間で放電が行われることにより基板６への成膜が
行われ、ターゲット２の上方にプラズマ７が立つことに
なる。According to this structure, a high-frequency current is supplied to the backing plate 1 by the high-frequency power source 3 so that the backing plate 1 and the edge portion 5 of the counter electrode 5 are supplied.
The discharge between A and A causes film formation on the substrate 6, and the plasma 7 stands above the target 2.
【０００６】このようにしてスパッタによる成膜が行わ
れるが、薄膜サーマルヘッドの発熱抵抗体薄膜をスパッ
タにより成膜する場合の材料としては、窒化タンタル系
のものが実用化されていた。Film formation by sputtering is carried out in this manner, but as a material for forming a heating resistor thin film of a thin film thermal head by sputtering, a tantalum nitride-based material has been put into practical use.
【０００７】しかるに、近年におけるサーマルヘッドの
多ドット化の市場要求から発熱抵抗体の電気抵抗値の増
大化が必要となってきている。しかしながら、窒化タン
タル系の発熱抵抗体薄膜を用いて抵抗値を増大すること
には限界があった。このため、近年においては、抵抗値
を増大することのできる発熱抵抗体薄膜として新たな材
料の開発が行われており、このうちのひとつとして絶縁
性物質と導電性物質の混合物の総称であるサーメットが
注目されている。However, in recent years, due to the market demand for multi-dot thermal heads, it has become necessary to increase the electric resistance value of the heating resistor. However, there is a limit to increase the resistance value by using a tantalum nitride-based heating resistor thin film. For this reason, in recent years, a new material has been developed as a heating resistor thin film capable of increasing the resistance value, and as one of them, cermet which is a general term for a mixture of an insulating substance and a conductive substance. Is getting attention.
【０００８】このサーメットとしては、Ｔａ−ＳｉＯ2
系、Ｃｒ−Ａｌ2 Ｏ3 系などが開発されている。そし
て、このようなサーメット材料による成膜のためには、
サーメットの焼結体をスパッタすることになる。As this cermet, Ta-SiO 2
System, Cr-Al 2 O 3 system, etc. have been developed. And for film formation with such a cermet material,
The cermet sintered body will be sputtered.
【０００９】ところで、このサーメットの焼結体のター
ゲット２を形成するためには、一般に、絶縁性物質と導
電性物質のそれぞれの粉末原料を混合して焼成していた
が、このような粉末原料は、その平均粒径が大きいほど
安価であり、また、その取扱いも容易である。一方、前
記ターゲット２の密度を大きくするため、前述した焼成
は、ホットプレスあるいは等圧焼成法により比較的高圧
力ならびに高温度でサーメットの粉末原料を焼結してい
る。この結果、サーメットの焼結体からなるターゲット
２中の絶縁性物質８の粒径は、図５に示すように、通常
５０〜２００μｍ程度の大きさになっている。なお、図
５中符号９は導電性物質である。By the way, in order to form the target 2 of the sintered body of the cermet, generally, the powder raw materials of the insulating substance and the conductive substance are mixed and fired. The larger the average particle size, the cheaper it is, and the easier it is to handle. On the other hand, in order to increase the density of the target 2, in the above-described firing, the cermet powder raw material is sintered at a relatively high pressure and high temperature by hot pressing or an isobaric firing method. As a result, the particle size of the insulating substance 8 in the target 2 made of a cermet sintered body is usually about 50 to 200 μm, as shown in FIG. Reference numeral 9 in FIG. 5 is a conductive substance.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】前述したサーメットの
焼結体からなるターゲット２をスパッタすると、ターゲ
ット２の表面で異常放電が頻発するという問題があっ
た。When the target 2 made of the sintered body of the cermet is sputtered, there is a problem that abnormal discharge frequently occurs on the surface of the target 2.
【００１１】この異常放電をさらに具体的に説明する
と、接地されている対向電極５のエッッジ部５Ａの近傍
部位のターゲット２の表面２Ａ、ならびに、高密度のプ
ラズマ７に晒されている部位のターゲット２の表面２Ｂ
において、アーキングと称する異常放電が発生する。こ
のアーキングは、前記ターゲット２の表面に、電気的性
質の大きく異なる絶縁性物質８と導電性物質９とが混在
していることにより発生するというのが通説であり、サ
ーメットの焼結体からなるターゲット２のスパッタにお
いては不可避の現象であった。To explain this abnormal discharge more specifically, the surface 2A of the target 2 in the vicinity of the edge portion 5A of the counter electrode 5 which is grounded, and the target in the portion exposed to the high-density plasma 7 are shown. Surface 2B of 2
At, an abnormal discharge called arcing occurs. It is generally accepted that this arcing occurs due to the mixture of the insulating material 8 and the conductive material 9 having greatly different electrical properties on the surface of the target 2, and is composed of a cermet sintered body. This was an unavoidable phenomenon in sputtering the target 2.
【００１２】すなわち、スパッタ中のプラズマは、ター
ゲット２のエロージョン領域の全域にわたって均一な状
態になることが望ましい。しかるに、前述したサーメッ
トの焼結体のように、ターゲット２の表面に電気的性質
の大きく異なる絶縁性物質８と導電性物質９とが混在し
ている場合には、図６に示すように、それに対応してプ
ラズマ７が不均一になる。そして、このプラズマ７の乱
れがアーキングの発生となる。That is, it is desirable that the plasma during sputtering be in a uniform state over the entire erosion region of the target 2. However, when the surface of the target 2 is mixed with the insulating substance 8 and the conductive substance 9 having greatly different electric properties, as in the cermet sintered body described above, as shown in FIG. Correspondingly, the plasma 7 becomes non-uniform. The disturbance of the plasma 7 causes arcing.
【００１３】また、サーメットの焼結体をスパッタする
と、絶縁性物質８と導電性物質９とのスパッタ率が異な
るので、成膜時間が経過するにしたがって、ターゲット
２の表面に凹凸が生じることになる。通常は、導電性物
質９のほうが絶縁性物質８よりスパッタ率が大きいの
で、成膜にある時間使用したターゲット２の表面は、図
７に示すように、絶縁性物質８が突出した形状となる。
すると、この突出した絶縁性物質８が避雷針の役割を果
たし、アーキングが発生することになる。When a cermet sintered body is sputtered, the insulating material 8 and the conductive material 9 have different sputter rates, so that the surface of the target 2 becomes uneven as the film forming time elapses. Become. Since the conductive material 9 usually has a higher sputtering rate than the insulating material 8, the surface of the target 2 used for a certain time for film formation has a shape in which the insulating material 8 is projected as shown in FIG. ..
Then, the protruding insulating material 8 functions as a lightning rod, and arcing occurs.
【００１４】そして、アーキングが発生すると、ターゲ
ット２の表面が局部的に加熱されて溶融・飛翔し、対向
している基板６に付着するという異物不良が生じたり、
アーキングによりプラズマが不安定になり、最悪の場合
には放電が停止してしまうおそれがあった。When arcing occurs, the surface of the target 2 is locally heated, melted and flies, and a foreign matter defect occurs such that the target 2 adheres to the opposing substrate 6, or the like.
The arc could make the plasma unstable, and in the worst case, the discharge might stop.
【００１５】本考案は、前述した問題点を克服し、ター
ゲットの表面にスパッタを阻害するようなアーキングが
生じないようにしたスパッタ用ターゲットを提供するこ
とを目的とする。An object of the present invention is to provide a sputtering target in which the above-mentioned problems are overcome and arcing which hinders sputtering is not generated on the surface of the target.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ため本発明のスパッタ用ターゲットは、絶縁性物質と導
電性物質の混合物を焼結してなるスパッタ用ターゲット
において、焼結後の前記絶縁性物質の粒径を２０μｍ以
下としたことを特徴としている。In order to achieve the above-mentioned object, the sputtering target of the present invention is a sputtering target obtained by sintering a mixture of an insulating substance and a conductive substance, and The feature is that the particle size of the volatile substance is set to 20 μm or less.
【００１７】[0017]
【作用】本発明者の実験によれば、絶縁性物質の粒径を
小さくすることがアーキングの発生を防止するのに効果
が大であるということが判明したので、本発明によれ
ば、焼結後の絶縁性物質の粒径を２０μｍ以下としたこ
とにより、ターゲットの表面にスパッタを阻害するよう
なアーキングが生じないようにでき、アーキングの発生
による異物不良や放電停止といった不都合の生じるおそ
れをなくすことができる。According to the experiments of the present inventor, it was found that reducing the particle size of the insulating material is effective in preventing the occurrence of arcing. By setting the particle size of the insulating material after binding to 20 μm or less, arcing that hinders sputtering can be prevented from occurring on the surface of the target, and there is a risk of inconveniences such as foreign matter defects due to arcing or discharge stoppage It can be lost.
【００１８】[0018]
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例により説明
する。The present invention will be described below with reference to the embodiments shown in the drawings.
【００１９】図１は本発明のスパッタ用ターゲット２の
実施例を示すものであり、このターゲット２は、絶縁性
物質８と導電性物質９の混合物を焼結して形成されてい
る。そして、本実施例においては、絶縁性物質８の焼結
後の粒径は２０μｍ以下とされている。FIG. 1 shows an embodiment of a sputtering target 2 of the present invention. This target 2 is formed by sintering a mixture of an insulating substance 8 and a conductive substance 9. In this example, the particle size of the insulating material 8 after sintering is set to 20 μm or less.
【００２０】この絶縁性物質８の粒径を２０μｍ以下と
する根拠を得るために、本発明者は下記の２種類の実験
を行った。In order to obtain the grounds that the particle size of the insulating material 8 is 20 μm or less, the present inventor conducted the following two kinds of experiments.
【００２１】まず、第１の実験装置では、以下の４種の
Ｔａ−ＳｉＯ2 系のターゲット（５″φ）を製造し、雰
囲気ガスをＡｒＯ．３Ｐａ、放電電力をＲＦ５００Ｗと
して同一条件でスパッタを行い、アーキングの発生状態
を観察したところ、アーキングはターゲットＣ，Ｄにお
いて頻発したが、ターゲットＡ，Ｂにおいては観察でき
なかった。First, in the first experimental apparatus, the following four types of Ta—SiO 2 type targets (5 ″ φ) were manufactured, and sputtering was performed under the same conditions with an atmosphere gas of ArO.3Pa and a discharge power of RF500W. As a result of observing the occurrence state of arcing, arcing frequently occurred in the targets C and D, but could not be observed in the targets A and B.
【００２２】１）ターゲットＡ：絶縁性物質ＳｉＯ2 の
粒径約１０μｍ ２）ターゲットＢ：絶縁性物質ＳｉＯ2 の粒径約２０μ
ｍ ３）ターゲットＣ：絶縁性物質ＳｉＯ2 の粒径約１００
μｍ ４）ターゲットＤ：絶縁性物質ＳｉＯ2 の粒径約１００
μｍ また、第２の実験装置では、以下の２種のＴａ−ＳｉＯ
2 系の方形ターゲット（５″×２０″）を製造し、第１
の実験と異なった装置を使用して、雰囲気ガスをＡｒ
Ｏ．７Ｐａ、放電電力をＲＦ２０００Ｗとして同一条件
でスパッタを行い、アーキングの発生状態を観察した。
この実験装置では、前述した第１の実験よりアーキング
が発生しやすくなっている。この観察によれば、アーキ
ングはターゲットＦにおいてはごくまれに発生したが、
実用上は問題なかった。また、ターゲットＥにおいては
観察できなかった。1) Target A: Particle size of insulating material SiO 2 is about 10 μm 2) Target B: Particle size of insulating material SiO 2 is about 20 μm
m 3) Target C: Insulating material SiO 2 particle size of about 100
μm 4) Target D: Insulating material SiO 2 particle size of about 100
In the second experimental device, the following two types of Ta-SiO
Manufactures a 2 series rectangular target (5 "x 20")
Atmosphere gas is Ar
O. Sputtering was performed under the same conditions at 7 Pa and a discharge power of RF 2000 W, and the occurrence of arcing was observed.
In this experimental device, arcing is more likely to occur than in the first experiment described above. According to this observation, arcing occurred very rarely in Target F,
There was no problem in practice. Further, it could not be observed in the target E.
【００２３】１）ターゲットＥ：絶縁性物質ＳｉＯ2 の
粒径約１０μｍ ２）ターゲットＦ：絶縁性物質ＳｉＯ2 の粒径約２０μ
ｍ これらの２種の実験結果から、ターゲット２における絶
縁性物質８の粒径は２０μｍ以下であることが望まし
い。1) Target E: Particle size of insulating material SiO 2 is about 10 μm 2) Target F: Particle size of insulating material SiO 2 is about 20 μm
m From these two types of experimental results, it is desirable that the particle diameter of the insulating material 8 in the target 2 be 20 μm or less.
【００２４】そして、ターゲット２における絶縁性物質
８の粒径が２０μｍ以下と小径であれば、図２に示すよ
うに、プラズマ７の乱れが少なくなるためアーキングが
発生しにくくなるし、また、図３に示すように、避雷針
の役割を果たす突出した絶縁性物質８の高さが低くなる
ため、このことによってもアーキングが発生しにくくな
る。If the particle diameter of the insulating material 8 in the target 2 is as small as 20 μm or less, as shown in FIG. 2, the turbulence of the plasma 7 is reduced and arcing is less likely to occur. As shown in FIG. 3, since the height of the protruding insulating material 8 which functions as a lightning rod becomes low, this also makes arcing less likely to occur.
【００２５】したがって、アーキングの発生による異物
不良や再現性劣化といった不都合の生じるおそれがな
く、安定的にスパッタを行うことができる。これによ
り、サーメット系の発熱抵抗体薄膜を安定生産でき、サ
ーマルヘッドの多ドット化の市場要求に対応することが
できる。Therefore, it is possible to stably carry out the sputtering without the possibility of inconveniences such as foreign matter defects and reproducibility deterioration due to the occurrence of arcing. As a result, it is possible to stably produce a cermet-based heating resistor thin film and meet the market demand for multi-dot thermal heads.
【００２６】なお、本発明は、前述した実施例に限定さ
れるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能であ
る。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but various modifications can be made if necessary.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明したように本発明のスパッタ用
ターゲットによれば、ターゲットの表面にスパッタを阻
害するようなアーキングを生じないようにでき、これに
より、アーキングの発生による異物不良や放電停止とい
った不都合の生じるおそれがなく、安定的にスパッタを
行うことができる。As described above, according to the sputtering target of the present invention, it is possible to prevent arcing which hinders sputtering from occurring on the surface of the target, and thereby to prevent foreign matter defects and discharge stop due to arcing. It is possible to perform stable sputtering without the possibility of causing such inconvenience.
【図１】本発明のスパッタ用ターゲットの実施例を示す
要部の概略拡大平面図FIG. 1 is a schematic enlarged plan view of an essential part showing an embodiment of a sputtering target of the present invention.
【図２】図１のスパッタ用ターゲットの作用を示す説明
図FIG. 2 is an explanatory view showing the action of the sputtering target shown in FIG.
【図３】図１のスパッタ用ターゲットの作用を示す説明
図FIG. 3 is an explanatory view showing the operation of the sputtering target shown in FIG.
【図４】スパッタ用ターゲットが使用されるスパッタ装
置の概略断面図FIG. 4 is a schematic sectional view of a sputtering apparatus in which a sputtering target is used.
【図５】従来のスパッタ用ターゲットを示す要部の概略
拡大平面図FIG. 5 is a schematic enlarged plan view of a main part showing a conventional sputtering target.
【図６】図５のスパッタ用ターゲットの作用を示す説明
図6 is an explanatory view showing the action of the sputtering target of FIG.
【図７】図５のスパッタ用ターゲットの作用を示す説明
図7 is an explanatory view showing the operation of the sputtering target of FIG.
１ バッキングプレート ２ ターゲット ３ 高周波電源 ４ 磁石 ５ 対向電極 ６ 基板 ７ プラズマ ８ 絶縁性物質 ９ 導電性物質 1 Backing Plate 2 Target 3 High Frequency Power Supply 4 Magnet 5 Counter Electrode 6 Substrate 7 Plasma 8 Insulating Material 9 Conductive Material
Claims (1)
してなるスパッタ用ターゲットにおいて、焼結後の前記
絶縁性物質の粒径を２０μｍ以下としたことを特徴とす
るスパッタ用ターゲット。1. A sputtering target obtained by sintering a mixture of an insulating material and a conductive material, wherein the particle diameter of the insulating material after sintering is 20 μm or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12206292A JP2948019B2 (en) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | Sputtering target |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12206292A JP2948019B2 (en) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | Sputtering target |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05311413A true JPH05311413A (en) | 1993-11-22 |
| JP2948019B2 JP2948019B2 (en) | 1999-09-13 |
Family
ID=14826684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12206292A Expired - Lifetime JP2948019B2 (en) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | Sputtering target |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2948019B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997028965A1 (en) * | 1996-02-08 | 1997-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermal printing head, process for producing thermal printing head, recorder, sinter, and target |
| JP2001236643A (en) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Fuji Electric Co Ltd | Sputtering target for manufacturing magnetic recording medium, method of manufacturing magnetic recording medium by using the same, and magnetic recording medium |
| US8858674B2 (en) | 2011-03-30 | 2014-10-14 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | FePt—C-based sputtering target and process for producing the same |
| US9314845B2 (en) | 2012-01-13 | 2016-04-19 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Process for producing FePt-based sputtering target |
-
1992
- 1992-05-14 JP JP12206292A patent/JP2948019B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997028965A1 (en) * | 1996-02-08 | 1997-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermal printing head, process for producing thermal printing head, recorder, sinter, and target |
| US6201557B1 (en) | 1996-02-08 | 2001-03-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermal printing head, process for producing thermal printing head, recorder, sinter and target |
| JP2001236643A (en) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Fuji Electric Co Ltd | Sputtering target for manufacturing magnetic recording medium, method of manufacturing magnetic recording medium by using the same, and magnetic recording medium |
| US6716542B2 (en) | 2000-02-23 | 2004-04-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Sputtering target for production of a magnetic recording medium |
| US8858674B2 (en) | 2011-03-30 | 2014-10-14 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | FePt—C-based sputtering target and process for producing the same |
| US9228255B2 (en) | 2011-03-30 | 2016-01-05 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | FePt-C-based sputtering target and process for producing the same |
| US9314845B2 (en) | 2012-01-13 | 2016-04-19 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Process for producing FePt-based sputtering target |
| US9314846B2 (en) | 2012-01-13 | 2016-04-19 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Process for producing FePt-based sputtering target |
| US9358612B2 (en) | 2012-01-13 | 2016-06-07 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | FePt-based sputtering target |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2948019B2 (en) | 1999-09-13 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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