JPH07230892A - 蛍光分析用ｘ線管及びその製造方法 - Google Patents
蛍光分析用ｘ線管及びその製造方法Info
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- JPH07230892A JPH07230892A JP29711794A JP29711794A JPH07230892A JP H07230892 A JPH07230892 A JP H07230892A JP 29711794 A JP29711794 A JP 29711794A JP 29711794 A JP29711794 A JP 29711794A JP H07230892 A JPH07230892 A JP H07230892A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、不純Ｘ線が少なく分析精度の良
い蛍光分析用Ｘ線管及びその製造方法を提供することを
目的とする。 【構成】 この発明の蛍光分析用Ｘ線管及びその製造方
法は、真空外囲器１にＸ線発生用のロジウム製ターゲッ
ト３に対向してＸ線放射窓２が拡散接合により設けら
れ、更に真空外囲器のうちＸ線放射窓の近傍付近は、少
なくとも内面に銀被膜１１が形成されてなり、上記の目
的を達成することができる。
い蛍光分析用Ｘ線管及びその製造方法を提供することを
目的とする。 【構成】 この発明の蛍光分析用Ｘ線管及びその製造方
法は、真空外囲器１にＸ線発生用のロジウム製ターゲッ
ト３に対向してＸ線放射窓２が拡散接合により設けら
れ、更に真空外囲器のうちＸ線放射窓の近傍付近は、少
なくとも内面に銀被膜１１が形成されてなり、上記の目
的を達成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は蛍光分析用Ｘ線管及び
その製造方法に係わり、特にそのＸ線放射窓付近の真空
外囲器の改良に関する。
その製造方法に係わり、特にそのＸ線放射窓付近の真空
外囲器の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、蛍光Ｘ線分析に使用される蛍光
分析用Ｘ線管のＸ線放射窓付近は、従来、図２に示すよ
うに構成され、図中の符号１は真空外囲器、２はＸ線放
射窓、３はＸ線発生用ターゲット、４はターゲット支持
体、５はウェネルト電極、６は陰極フィラメント、７は
電子、８はＸ線である。この場合、真空外囲器１は熱伝
導率の良い金属材料例えば銅，鉄，ステンレスなどから
なり、この従来例の場合は鉄材にニッケル被膜が付着さ
れている。又、Ｘ線放射窓２はベリリウムからなり、タ
ーゲット３はロジウム（Ｒｈ）からなっている。
分析用Ｘ線管のＸ線放射窓付近は、従来、図２に示すよ
うに構成され、図中の符号１は真空外囲器、２はＸ線放
射窓、３はＸ線発生用ターゲット、４はターゲット支持
体、５はウェネルト電極、６は陰極フィラメント、７は
電子、８はＸ線である。この場合、真空外囲器１は熱伝
導率の良い金属材料例えば銅，鉄，ステンレスなどから
なり、この従来例の場合は鉄材にニッケル被膜が付着さ
れている。又、Ｘ線放射窓２はベリリウムからなり、タ
ーゲット３はロジウム（Ｒｈ）からなっている。
【０００３】動作時には、陰極フィラメント６から発生
した電子７を陰極フィラメント６−ターゲット３間に印
加した電圧により加速し、ターゲット３に衝突させる。
このターゲット３より発生したＸ線８を、Ｘ線放射窓２
より取り出して被分析物質に照射し、そこより発生する
蛍光Ｘ線により物質の分析を行う。
した電子７を陰極フィラメント６−ターゲット３間に印
加した電圧により加速し、ターゲット３に衝突させる。
このターゲット３より発生したＸ線８を、Ｘ線放射窓２
より取り出して被分析物質に照射し、そこより発生する
蛍光Ｘ線により物質の分析を行う。
【０００４】このような蛍光分析用Ｘ線管から発生する
Ｘ線８の波長は、ターゲット３の材質と印加する高電圧
により決まり、蛍光分析を行うためには、高純度なター
ゲットの材質つまりロジウムの特性Ｘ線を必要とする。
しかしながら、ターゲット３から発生されたＸ線８によ
って、真空外囲器１の内面が励起され、２次Ｘ線が発生
する。又、被分析物質からの蛍光Ｘ線によっても、真空
外囲器１の外面が励起され、この外面からも２次Ｘ線が
発生する。これらターゲット３以外から発生された２次
Ｘ線は、ロジウム特性Ｘ線に対して不純Ｘ線となり、分
析精度の低下につながる。図２に示す構造で上記の不純
Ｘ線とされるのは、鉄，ニッケルなどの特性Ｘ線であ
る。
Ｘ線８の波長は、ターゲット３の材質と印加する高電圧
により決まり、蛍光分析を行うためには、高純度なター
ゲットの材質つまりロジウムの特性Ｘ線を必要とする。
しかしながら、ターゲット３から発生されたＸ線８によ
って、真空外囲器１の内面が励起され、２次Ｘ線が発生
する。又、被分析物質からの蛍光Ｘ線によっても、真空
外囲器１の外面が励起され、この外面からも２次Ｘ線が
発生する。これらターゲット３以外から発生された２次
Ｘ線は、ロジウム特性Ｘ線に対して不純Ｘ線となり、分
析精度の低下につながる。図２に示す構造で上記の不純
Ｘ線とされるのは、鉄，ニッケルなどの特性Ｘ線であ
る。
【０００５】従来、この不純Ｘ線を低減させる方法とし
て、図３に示すようにＸ線放射窓２近傍の真空外囲器１
の内外面に、ロジウム被膜９を形成した構造も採られて
いる。
て、図３に示すようにＸ線放射窓２近傍の真空外囲器１
の内外面に、ロジウム被膜９を形成した構造も採られて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、分析精度向上要
求に従って、より高純度のＸ線源が必要とされている。
そのためには、分析精度低下につながる不純Ｘ線を低減
させる必要がある。又、真空外囲器からの不純Ｘ線を低
減させるために、図３に示すような構造では、ロジウム
被膜９は大変高価な上、必要とするロジウムの膜厚を形
成すると、下地である真空外囲器１の材質（銅、鉄、ス
テンレス等）との熱膨脹率の差により、ロジウム被膜９
に割れ・剥がれを生じ易く、容易に形成することは出来
ない。この発明は、以上のような不都合を解消したもの
で、不純Ｘ線が少なく分析精度の良い蛍光分析用Ｘ線管
及びその製造方法を提供することを目的とする。
求に従って、より高純度のＸ線源が必要とされている。
そのためには、分析精度低下につながる不純Ｘ線を低減
させる必要がある。又、真空外囲器からの不純Ｘ線を低
減させるために、図３に示すような構造では、ロジウム
被膜９は大変高価な上、必要とするロジウムの膜厚を形
成すると、下地である真空外囲器１の材質（銅、鉄、ス
テンレス等）との熱膨脹率の差により、ロジウム被膜９
に割れ・剥がれを生じ易く、容易に形成することは出来
ない。この発明は、以上のような不都合を解消したもの
で、不純Ｘ線が少なく分析精度の良い蛍光分析用Ｘ線管
及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、真空外囲器
にＸ線発生用のロジウム（Ｒｈ）製ターゲットに対向し
てＸ線放射窓が設けられ、更に真空外囲器のうちＸ線放
射窓の近傍付近は、少なくとも内面に銀被膜が形成され
てなる蛍光分析用Ｘ線管である。
にＸ線発生用のロジウム（Ｒｈ）製ターゲットに対向し
てＸ線放射窓が設けられ、更に真空外囲器のうちＸ線放
射窓の近傍付近は、少なくとも内面に銀被膜が形成され
てなる蛍光分析用Ｘ線管である。
【０００８】又、この発明は、真空外囲器にＸ線発生用
のロジウム製ターゲットに対向して開口部を設け、この
開口部付近に少なくとも内面に銀被膜を形成し、更に開
口部にベリリウム製Ｘ線放射窓を接合する蛍光分析用Ｘ
線管の製造方法において、Ｘ線放射窓を拡散接合により
開口部に気密封止する蛍光分析用Ｘ線管の製造方法であ
る。
のロジウム製ターゲットに対向して開口部を設け、この
開口部付近に少なくとも内面に銀被膜を形成し、更に開
口部にベリリウム製Ｘ線放射窓を接合する蛍光分析用Ｘ
線管の製造方法において、Ｘ線放射窓を拡散接合により
開口部に気密封止する蛍光分析用Ｘ線管の製造方法であ
る。
【０００９】
【作用】この発明によれば、真空外囲器より発生される
不純Ｘ線を約５０％以上減衰することが出来る。又、従
来の真空外囲器内外面にロジウム被膜を形成する場合に
比べ、銀被膜は容易に厚膜が形成出来、価格も安価なの
で、不純Ｘ線の少ない蛍光分析用Ｘ線管を容易且つ低価
格で提供出来る。
不純Ｘ線を約５０％以上減衰することが出来る。又、従
来の真空外囲器内外面にロジウム被膜を形成する場合に
比べ、銀被膜は容易に厚膜が形成出来、価格も安価なの
で、不純Ｘ線の少ない蛍光分析用Ｘ線管を容易且つ低価
格で提供出来る。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の一実施例
を詳細に説明する。この発明の蛍光分析用Ｘ線管におけ
るＸ線放射窓の近傍付近は、図１に示すように構成さ
れ、従来例（図２）と同一箇所は同一符号で表わす。即
ち、例えば鉄製の真空外囲器１の先端には、軸心に沿っ
て開口部１ａが穿たれ、この開口部１ａに例えばベリリ
ウム製のＸ線放射窓２が拡散接合により気密封止されて
いる。拡散接合については、更に詳しく後述する。この
Ｘ線放射窓２に所定間隔で対向するように、真空外囲器
１内にはロジウム（Ｒｈ）製のＸ線発生用ターゲット３
が軸心に沿って配設され、有底円筒状の銅製のターゲッ
ト支持体４により保持されている。このターゲット支持
体４の外側には、円筒状のウェネルト電極５が配設さ
れ、その端部外周にリング状陰極フィラメント６が配設
されている。ターゲット３，ウェネルト電極５，および
陰極フィラメント６は、いずれも同心円状になってい
る。
を詳細に説明する。この発明の蛍光分析用Ｘ線管におけ
るＸ線放射窓の近傍付近は、図１に示すように構成さ
れ、従来例（図２）と同一箇所は同一符号で表わす。即
ち、例えば鉄製の真空外囲器１の先端には、軸心に沿っ
て開口部１ａが穿たれ、この開口部１ａに例えばベリリ
ウム製のＸ線放射窓２が拡散接合により気密封止されて
いる。拡散接合については、更に詳しく後述する。この
Ｘ線放射窓２に所定間隔で対向するように、真空外囲器
１内にはロジウム（Ｒｈ）製のＸ線発生用ターゲット３
が軸心に沿って配設され、有底円筒状の銅製のターゲッ
ト支持体４により保持されている。このターゲット支持
体４の外側には、円筒状のウェネルト電極５が配設さ
れ、その端部外周にリング状陰極フィラメント６が配設
されている。ターゲット３，ウェネルト電極５，および
陰極フィラメント６は、いずれも同心円状になってい
る。
【００１１】そして、図１の拡大図からも明らかなよう
に、真空外囲器１のうちＸ線放射窓２の近傍付近は、内
外両面にそれぞれニッケル被膜１０を介して銀被膜１１
が形成されている。この場合、ニッケル被膜１０の厚さ
は３〜１０μｍ、銀被膜１１の厚さは５μｍ以上に設定
されている。
に、真空外囲器１のうちＸ線放射窓２の近傍付近は、内
外両面にそれぞれニッケル被膜１０を介して銀被膜１１
が形成されている。この場合、ニッケル被膜１０の厚さ
は３〜１０μｍ、銀被膜１１の厚さは５μｍ以上に設定
されている。
【００１２】ここで、真空外囲器１の開口部１ａにベリ
リウム製のＸ線放射窓２を拡散接合により気密封止する
方法について述べる。図４に示すように、Ｘ線放射窓２
の上下に板状ろう材１２，１３を設けたものを開口部１
ａに設置し、押さえリング１４を介してセラミックス製
治具１５で押さえる。そして、１×１０-5〜１×１０-6
Ｔｏｒｒの真空度で約６００℃まで加熱した後、セラミ
ックス製治具１５に圧力をかけ板状ろう材１２，１３を
介して固相接合する。一般に１×１０-5〜１×１０-6Ｔ
ｏｒｒの銀の蒸気圧は６５０〜７５０℃前後であるた
め、蒸気化してＸ線放射窓２に影響を来たすことはな
い。又、Ｘ線放射窓２を拡散接合した結果、銀被膜１１
によるＸ線放射窓２への蒸着等の不具合は起こっていな
い。
リウム製のＸ線放射窓２を拡散接合により気密封止する
方法について述べる。図４に示すように、Ｘ線放射窓２
の上下に板状ろう材１２，１３を設けたものを開口部１
ａに設置し、押さえリング１４を介してセラミックス製
治具１５で押さえる。そして、１×１０-5〜１×１０-6
Ｔｏｒｒの真空度で約６００℃まで加熱した後、セラミ
ックス製治具１５に圧力をかけ板状ろう材１２，１３を
介して固相接合する。一般に１×１０-5〜１×１０-6Ｔ
ｏｒｒの銀の蒸気圧は６５０〜７５０℃前後であるた
め、蒸気化してＸ線放射窓２に影響を来たすことはな
い。又、Ｘ線放射窓２を拡散接合した結果、銀被膜１１
によるＸ線放射窓２への蒸着等の不具合は起こっていな
い。
【００１３】さて動作時には、ターゲット３から発生さ
れたＸ線８は、Ｘ線放射窓２から管外に放射される。こ
の時、既述のようにＸ線８によって真空外囲器１の内面
から、銀の特性Ｘ線，又は下地の鉄材，ニッケル被膜１
０の鉄，ニッケル等特性Ｘ線が励起され発生される。更
に、被分析物質よりの蛍光Ｘ線によっても真空外囲器１
の外面から同様に銀，鉄，ニッケルの特性Ｘ線が発生さ
れる。銀被膜１１の下地である鉄材，ニッケル被膜１０
から発生される鉄，ニッケル等の不純Ｘ線は、厚さ５μ
ｍ以上の銀被膜１１によって吸収減衰される。この吸収
率は、計算上厚さ５μｍの銀被膜１１では鉄特性Ｘ線で
約８０％、ニッケル特性Ｘ線で約５０％以上である、次
に、発生された銀の特性Ｘ線について述べる。通常、ロ
ジウム製のターゲットからは、特性Ｘ線としてＫ線，Ｌ
線等の他、ロジウムによるバックグランド線（散乱Ｘ
線）が発生される。このバックグランド線は、ロジウム
の特性Ｘ線のうち、最強度を持つＫα１線の波長をほぼ
中心に、長短両波長側にわたり連続スペクトル的に発生
され、その強度はＫα線，Ｋβ線等、強度の高い特性Ｘ
線の近傍ほど高い（コンプトン散乱Ｘ線）。銀はロジウ
ムに対し原子番号が近く（ロジウム：４５，銀：４
７）、そのため特性Ｘ線の波長も近い所に存在する。例
えばＫα１線では、ロジウム：０．６１オングストロー
ム、銀：０．５６オングストロームである。そのため、
銀の特性Ｘ線波長は、ロジウムの特性Ｘ線の各コンプト
ン散乱Ｘ線域と重なることになる。通常、この実施例の
ような構造である蛍光分析用Ｘ線管の真空外囲器１より
発生される銀の特性Ｘ線の強度は、銀被膜１１が薄いこ
とにより、同波長のロジウムのコンプトン散乱Ｘ線の強
度より低いため、不純Ｘ線として検出されることはな
く、実際の分析に影響を来たすことはない。
れたＸ線８は、Ｘ線放射窓２から管外に放射される。こ
の時、既述のようにＸ線８によって真空外囲器１の内面
から、銀の特性Ｘ線，又は下地の鉄材，ニッケル被膜１
０の鉄，ニッケル等特性Ｘ線が励起され発生される。更
に、被分析物質よりの蛍光Ｘ線によっても真空外囲器１
の外面から同様に銀，鉄，ニッケルの特性Ｘ線が発生さ
れる。銀被膜１１の下地である鉄材，ニッケル被膜１０
から発生される鉄，ニッケル等の不純Ｘ線は、厚さ５μ
ｍ以上の銀被膜１１によって吸収減衰される。この吸収
率は、計算上厚さ５μｍの銀被膜１１では鉄特性Ｘ線で
約８０％、ニッケル特性Ｘ線で約５０％以上である、次
に、発生された銀の特性Ｘ線について述べる。通常、ロ
ジウム製のターゲットからは、特性Ｘ線としてＫ線，Ｌ
線等の他、ロジウムによるバックグランド線（散乱Ｘ
線）が発生される。このバックグランド線は、ロジウム
の特性Ｘ線のうち、最強度を持つＫα１線の波長をほぼ
中心に、長短両波長側にわたり連続スペクトル的に発生
され、その強度はＫα線，Ｋβ線等、強度の高い特性Ｘ
線の近傍ほど高い（コンプトン散乱Ｘ線）。銀はロジウ
ムに対し原子番号が近く（ロジウム：４５，銀：４
７）、そのため特性Ｘ線の波長も近い所に存在する。例
えばＫα１線では、ロジウム：０．６１オングストロー
ム、銀：０．５６オングストロームである。そのため、
銀の特性Ｘ線波長は、ロジウムの特性Ｘ線の各コンプト
ン散乱Ｘ線域と重なることになる。通常、この実施例の
ような構造である蛍光分析用Ｘ線管の真空外囲器１より
発生される銀の特性Ｘ線の強度は、銀被膜１１が薄いこ
とにより、同波長のロジウムのコンプトン散乱Ｘ線の強
度より低いため、不純Ｘ線として検出されることはな
く、実際の分析に影響を来たすことはない。
【００１４】この実施例で、真空外囲器１の材質を鉄、
その外面に中間層としてニッケル被膜１０を介し、銀被
膜１１を厚さ約１０μｍ形成したものによって不純Ｘ線
強度を測定した結果、鉄，ニッケルの不純Ｘ線強度は、
銀被膜１１のない構造のものに比べ双方とも約６０％の
減衰が確認された。又、銀の不純Ｘ線は検出されていな
い。
その外面に中間層としてニッケル被膜１０を介し、銀被
膜１１を厚さ約１０μｍ形成したものによって不純Ｘ線
強度を測定した結果、鉄，ニッケルの不純Ｘ線強度は、
銀被膜１１のない構造のものに比べ双方とも約６０％の
減衰が確認された。又、銀の不純Ｘ線は検出されていな
い。
【００１５】（変形例）上記実施例では、真空外囲器１
のうちＸ線放射窓２の近傍内外面にそれぞれ銀被膜１１
を形成したが、内面のみに銀被膜１１を形成した場合も
同様な効果が得られる。又、上記実施例において、更に
銀被膜１１の厚さを増すことによって、下地である真空
外囲器１の材質より発生される不純Ｘ線を低減すること
が出来る。
のうちＸ線放射窓２の近傍内外面にそれぞれ銀被膜１１
を形成したが、内面のみに銀被膜１１を形成した場合も
同様な効果が得られる。又、上記実施例において、更に
銀被膜１１の厚さを増すことによって、下地である真空
外囲器１の材質より発生される不純Ｘ線を低減すること
が出来る。
【００１６】
【発明の効果】この発明によれば、真空外囲器のうちＸ
線放射窓の近傍付近は、少なくとも内面に銀被膜が形成
されているので、真空外囲器より発生される不純Ｘ線は
吸収減衰され、銀の不純Ｘ線はターゲット材によるバッ
クグランド線により殆ど検出されない。この結果、従来
の構造に比べ、不純Ｘ線が少なく分析精度の良い蛍光分
析用Ｘ線管が得られる。
線放射窓の近傍付近は、少なくとも内面に銀被膜が形成
されているので、真空外囲器より発生される不純Ｘ線は
吸収減衰され、銀の不純Ｘ線はターゲット材によるバッ
クグランド線により殆ど検出されない。この結果、従来
の構造に比べ、不純Ｘ線が少なく分析精度の良い蛍光分
析用Ｘ線管が得られる。
【図１】この発明の一実施例に係る蛍光分析用Ｘ線管を
示す縦断面図。
示す縦断面図。
【図２】従来の蛍光分析用Ｘ線管を示す縦断面図。
【図３】従来の別の蛍光分析用Ｘ線管を示す縦断面図。
【図４】この発明の一実施例に係る蛍光分析用Ｘ線管の
製造方法を示す縦断面図。
製造方法を示す縦断面図。
１…真空外囲器、２…Ｘ線放射窓、３…Ｘ線発生用ター
ゲット、４…ターゲット支持体、５…ウェネルト電極、
６…陰極フィラメント、７…電子、８…Ｘ線、１０…ニ
ッケル被膜、１１…銀被膜、１２，１３…ろう材、１４
…押さえリング、１５…治具。
ゲット、４…ターゲット支持体、５…ウェネルト電極、
６…陰極フィラメント、７…電子、８…Ｘ線、１０…ニ
ッケル被膜、１１…銀被膜、１２，１３…ろう材、１４
…押さえリング、１５…治具。
Claims (2)
- 【請求項１】 真空外囲器にＸ線発生用のロジウム製タ
ーゲットに対向してＸ線放射窓が設けられてなる蛍光分
析用Ｘ線管において、 上記真空外囲器のうち上記Ｘ線放射窓の近傍付近は、少
なくとも内面に銀被膜が形成されてなることを特徴とす
る蛍光分析用Ｘ線管。 - 【請求項２】 真空外囲器にＸ線発生用のロジウム製タ
ーゲットに対向して開口部を設け、この開口部付近に少
なくとも内面に銀被膜を形成し、更に上記開口部にベリ
リウム製Ｘ線放射窓を接合する蛍光分析用Ｘ線管の製造
方法において、 上記Ｘ線放射窓を拡散接合により上記開口部に気密封止
することを特徴とする蛍光分析用Ｘ線管の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29711794A JPH07230892A (ja) | 1993-12-20 | 1994-11-30 | 蛍光分析用ｘ線管及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-320574 | 1993-12-20 | ||
| JP32057493 | 1993-12-20 | ||
| JP29711794A JPH07230892A (ja) | 1993-12-20 | 1994-11-30 | 蛍光分析用ｘ線管及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07230892A true JPH07230892A (ja) | 1995-08-29 |
Family
ID=26561004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29711794A Pending JPH07230892A (ja) | 1993-12-20 | 1994-11-30 | 蛍光分析用ｘ線管及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07230892A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999040606A1 (fr) * | 1998-02-06 | 1999-08-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Tube a rayons x, generateur de rayons x, et systeme d'analyse |
| US7260181B2 (en) | 2003-05-30 | 2007-08-21 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Enhanced electron backscattering in x-ray tubes |
-
1994
- 1994-11-30 JP JP29711794A patent/JPH07230892A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999040606A1 (fr) * | 1998-02-06 | 1999-08-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Tube a rayons x, generateur de rayons x, et systeme d'analyse |
| US6490341B1 (en) | 1998-02-06 | 2002-12-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray tube, x-ray generator, and inspection system |
| EP1335401A2 (en) * | 1998-02-06 | 2003-08-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray tube, apparatus for x-ray generation, and test system |
| EP1335401A3 (en) * | 1998-02-06 | 2003-10-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray tube, apparatus for x-ray generation, and test system |
| US6856671B2 (en) | 1998-02-06 | 2005-02-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray tube, x-ray generator, and inspection system |
| US7106829B2 (en) | 1998-02-06 | 2006-09-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray tube, x-ray generator, and inspection system |
| US7260181B2 (en) | 2003-05-30 | 2007-08-21 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Enhanced electron backscattering in x-ray tubes |
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