JPH07230265A - Device and method for driving liquid crystal and device for displaying it - Google Patents

Device and method for driving liquid crystal and device for displaying it

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JPH07230265A
JPH07230265A JP33348194A JP33348194A JPH07230265A JP H07230265 A JPH07230265 A JP H07230265A JP 33348194 A JP33348194 A JP 33348194A JP 33348194 A JP33348194 A JP 33348194A JP H07230265 A JPH07230265 A JP H07230265A
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慎吾 磯▲崎▼
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Abstract

PURPOSE:To realize a liquid crystal driving device improving supply method of operation power source and incorporating a display data storage means with a lower power consumption and a larger capacity. CONSTITUTION:A signal electrode drive circuit (X driver) consists of a low voltage amplitude operation part 101 operating by receiving a first source voltage group and a high voltage amplitude operation part 102 operating by receiving a second source voltage group, and is constituted so that a frame memory 109 storing the display data is arranged on the high voltage amplitude operation part 102, and the operation power source is supplied from the second source voltage group. Further, the power source of the frame memory 109 may be supplied through a constant voltage circuit making the second source voltage a constant voltage, and may be supplied switching the first, the second source voltages according to the condition of the second source voltage by a power source monitor means monitoring the second source voltage group. This is particularly effective constitution in a plural lines simultaneous selection drive method.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に利用さ
れるRAM内蔵型の信号電極ドライバの改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to improvement of a RAM-embedded signal electrode driver used in a liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、単純マトリクス型液晶表示装
置においては、MPU(マイクロ・プロセッサ・ユニッ
ト)側からLCDモジュール(液晶パネル、LCDパネ
ル)内の信号電極駆動回路(Xドライバ)へ表示データ
を転送する手法として、RAM内蔵型Xドライバを用い
る手法が知られている。この手法においては、表示デー
タをシフトクロックにより順次Xドライバに転送し、こ
の表示データを一旦内蔵RAMに書き込む。そして、こ
の内蔵RAMから一走査ライン分の表示データを同時に
読み出すことで表示動作が行われる。この手法によれ
ば、Xドライバの内蔵RAMに表示データが記憶されて
いる。従って、表示変化がない場合には、Xドライバに
新たに表示データを転送しなくても、内蔵RAMから表
示データを読み出すことで表示リフレッシュが行える。
この結果、表示変化がない場合には、シフトクロックに
よる表示データの転送の必要が無くなり、低消費電力動
作が可能となる。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a simple matrix type liquid crystal display device, display data is sent from a MPU (microprocessor unit) side to a signal electrode drive circuit (X driver) in an LCD module (liquid crystal panel, LCD panel). As a transfer method, a method using a RAM built-in X driver is known. In this method, the display data is sequentially transferred to the X driver by the shift clock, and the display data is once written in the built-in RAM. The display operation is performed by simultaneously reading the display data for one scanning line from the built-in RAM. According to this method, the display data is stored in the built-in RAM of the X driver. Therefore, when there is no display change, the display refresh can be performed by reading the display data from the built-in RAM without newly transferring the display data to the X driver.
As a result, when there is no display change, it is not necessary to transfer the display data by the shift clock, and low power consumption operation is possible.

【0003】図14に、従来のRAM内蔵型Xドライバ
の構成の一例を示す。このXドライバは、ローアドレス
カウンタデコーダ904、タイミング回路906、デー
タ入力制御回路908、チップイネーブルコントロール
回路910、双方向シフトレジスタ912、データレジ
スタ914、フレームメモリ(内蔵RAM)916、ラ
ッチ回路918、レベルシフタ920、電圧セレクタ9
22を含む。ローアドレスカウンタデコーダ904は、
フレームメモリ916の1ラインを順次選択する機能を
有する。選択アドレスの初期化はYD信号に基づいて行
われ、選択アドレスは、LP信号の立ち下がりエッジ
後、フレームメモリ916へのデータ書き込みが終了す
るとインクリメントされる。タイミング回路906は、
シフトクロックXSCLに基づいて、ローアドレスカウ
ンタデコーダ904を制御する等の機能を有する。デー
タ入力制御回路908は、MPUからの表示データD0
〜Dnを取り込み、取り込んだデータをデータレジスタ
914に転送する。チップイネーブルコントロール回路
910は、複数チップ使用の場合のチップ単位の自動パ
ワーセーブを、イネーブル信号CEI、CE0に基づき
行うものである。双方向シフトレジスタ912は、表示
データD0〜Dnをデータレジスタ914に書き込むため
のコントロール信号をデータレジスタ914に出力す
る。データレジスタ914に書き込む表示データの順序
はSHL信号により反転される。データレジスタ914
は、フレームメモリ916への表示データの書き込みを
コントロールするレジスタであり、フレームメモリ91
6へのデータ書き込みはLP信号の立ち下がりエッジで
行われる。
FIG. 14 shows an example of the configuration of a conventional RAM built-in X driver. This X driver includes a row address counter decoder 904, a timing circuit 906, a data input control circuit 908, a chip enable control circuit 910, a bidirectional shift register 912, a data register 914, a frame memory (built-in RAM) 916, a latch circuit 918, a level shifter. 920, voltage selector 9
Including 22. The row address counter decoder 904 is
It has a function of sequentially selecting one line of the frame memory 916. Initialization of the selected address is performed based on the YD signal, and the selected address is incremented when the data writing to the frame memory 916 is completed after the falling edge of the LP signal. The timing circuit 906 is
It has functions such as controlling the row address counter decoder 904 based on the shift clock XSCL. The data input control circuit 908 controls the display data D 0 from the MPU.
Up to D n are fetched and the fetched data is transferred to the data register 914. The chip enable control circuit 910 performs automatic power saving for each chip when a plurality of chips are used, based on the enable signals CEI and CE0. The bidirectional shift register 912 outputs a control signal for writing the display data D 0 to D n to the data register 914, to the data register 914. The order of the display data written in the data register 914 is inverted by the SHL signal. Data register 914
Is a register that controls writing of display data to the frame memory 916.
Data writing to 6 is performed at the falling edge of the LP signal.

【0004】ラッチ回路918は、ローアドレスカウン
タデコーダ904により選択されたローアドレスの表示
データを、LP信号の立ち下がりエッジでフレームメモ
リ916から読み出し、レベルシフタ920へと出力す
る。レベルシフタ920は、信号の電圧レベルをロジッ
ク系電源レベル(VDD、VSS)から、液晶駆動系電源レ
ベル(V0〜V5)に変換するための回路である。電圧セ
レクタ922は、信号電極X1〜Xmを駆動する液晶駆動
電圧をV0〜V5から選択する機能を有する。V0〜V5
いずれを選択するかは、表示データと液晶駆動を交流化
するための信号であるFR信号とにより決定される。
The latch circuit 918 reads the display data of the row address selected by the row address counter decoder 904 from the frame memory 916 at the falling edge of the LP signal and outputs it to the level shifter 920. The level shifter 920 is a circuit for converting the voltage level of the signal from the logic system power supply level (V DD , V SS ) to the liquid crystal drive system power supply level (V 0 to V 5 ). The voltage selector 922 has a function of selecting a liquid crystal drive voltage for driving the signal electrodes X 1 to X m from V 0 to V 5 . Which of V 0 to V 5 is selected is determined by the display data and the FR signal which is a signal for alternating the liquid crystal drive.

【0005】上記従来例においては、図14に示すよう
に、ローアドレスカウンタデコーダ904、タイミング
回路906、データ入力制御回路908、チップイネー
ブルコントロール回路910、双方向シフトレジスタ9
12、データレジスタ914、フレームメモリ(内蔵R
AM)916、ラッチ回路918は低電圧振幅動作部分
901に配置されている。一方、レベルシフタ920、
電圧セレクタ922は高電圧振幅動作部分902に配置
されている。低電圧振幅動作部分901では、高電位側
の電源電圧と低電位側の電源電圧との電圧差が小さく、
高電圧振幅動作部分902では、高電位側の電源電圧と
低電位側の電源電圧との電圧差が大きい。
In the above conventional example, as shown in FIG. 14, a row address counter decoder 904, a timing circuit 906, a data input control circuit 908, a chip enable control circuit 910, and a bidirectional shift register 9 are provided.
12, data register 914, frame memory (built-in R
AM) 916 and the latch circuit 918 are arranged in the low voltage amplitude operating portion 901. On the other hand, the level shifter 920,
The voltage selector 922 is arranged in the high voltage amplitude operating portion 902. In the low voltage amplitude operation portion 901, the voltage difference between the power supply voltage on the high potential side and the power supply voltage on the low potential side is small,
In the high voltage amplitude operation portion 902, the voltage difference between the power supply voltage on the high potential side and the power supply voltage on the low potential side is large.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】さて、上記従来例にお
いては、LCDパネルの大型化とともにXドライバに内
蔵するRAM(フレームメモリ916)も大容量化して
きており、それはそのままチップ面積の増大につなが
る。チップ面積の増大化を防止するために、内蔵RAM
に、フルCMOSタイプのRAMではなく、ハイレジタ
イプのRAMを採用する対策が考えられる。フルCMO
SタイプのRAMセルでは、Pチャネルトランジスタと
Nチャネルトランジスタとが含まれるが、ハイレジタイ
プのRAMセルでは、高抵抗素子とNチャンネルトラン
ジスタとが含まれる。そして、ハイレジタイプのRAM
では、PチャネルトランジスタがRAMセル内に存在し
ないため、PチャネルトランジスタとNチャネルトラン
ジスタとの素子分離の必要が無く、従って大幅な小面積
化が図れる。このため、チップ面積を小規模化して装置
のコストを低減するためには、内蔵RAMとしてハイレ
ジタイプのRAMを採用することが望まれる。
In the above-mentioned conventional example, the RAM (frame memory 916) incorporated in the X driver is also increasing in capacity along with the increase in size of the LCD panel, which directly leads to an increase in the chip area. . Built-in RAM to prevent the increase of chip area
In addition, it is conceivable to adopt a high registration type RAM instead of the full CMOS type RAM. Full CMO
The S type RAM cell includes a P-channel transistor and an N-channel transistor, whereas the high registration type RAM cell includes a high resistance element and an N-channel transistor. And high register type RAM
In this case, since the P-channel transistor does not exist in the RAM cell, it is not necessary to separate the P-channel transistor and the N-channel transistor from each other, so that the area can be greatly reduced. Therefore, in order to reduce the chip area and reduce the cost of the device, it is desirable to use a high-registration type RAM as the built-in RAM.

【0007】一方、液晶駆動装置は、携帯用の電子機器
等における液晶表示装置に使用されるため、低消費電力
か望まれており、このため使用される電源電圧も低電圧
化される傾向にある。従って、Xドライバにおいても、
低電圧振幅動作部分901の電源電圧の低電圧化が実現
されつつある。そして、この低電圧化を完全なものとす
るためには、Xドライバの低電圧振幅動作部分901に
配置される内蔵RAM(フレームメモリ916)の電源
電圧も低電圧化する必要がある。
On the other hand, since the liquid crystal driving device is used for a liquid crystal display device in a portable electronic device or the like, low power consumption is desired, and therefore, the power supply voltage used tends to be low. is there. Therefore, even in the X driver,
The reduction of the power supply voltage of the low voltage amplitude operation portion 901 is being realized. In order to completely reduce the voltage, it is necessary to reduce the power supply voltage of the built-in RAM (frame memory 916) arranged in the low voltage amplitude operation portion 901 of the X driver.

【0008】以上のようにチップ面積の小規模化を図る
ためには内蔵RAMとしてハイレジタイプのRAMを採
用する必要がある一方で、低電圧振幅動作部分901の
電源電圧を低電圧化し装置の低消費電力化を図るために
は内蔵RAMの電源電圧を低電圧化しなければならない
という課題がある。
As described above, in order to reduce the chip area, it is necessary to use a high-registration type RAM as the built-in RAM, while lowering the power supply voltage of the low-voltage amplitude operating portion 901 to reduce the device size. There is a problem that the power supply voltage of the built-in RAM must be lowered in order to reduce the power consumption.

【0009】しかしながら、ハイレジタイプのRAMセ
ルにおいては、動作電源電圧が3.0Vよりも小さくな
ると書き込み動作不良や読み出し動作不良が発生し、
1.5Vよりも小さくなるとデータの保持自体ができな
くなるリテンション不良が発生しデータ化けが起こると
いう問題があった。この問題について、図15を用いて
以下に詳細に説明する。
However, in the high-registration type RAM cell, when the operating power supply voltage becomes lower than 3.0 V, defective write operation or defective read operation occurs,
If the voltage is lower than 1.5 V, there is a problem that retention failure occurs, which makes it impossible to retain data itself, and garbled data occurs. This problem will be described in detail below with reference to FIG.

【0010】図15には、ハイレジタイプ(高抵抗負荷
型)のRAMセルの構成の一例が示される。このRAM
セルは、ドライブ用のNチャンネルトランジスタ80
1、802(T1、T2)と、高抵抗805、806
(R1、R2)とを含む。これらのT1、T2、R1、
R2がデータ保持部分を構成している。また、このRA
Mセルは、トランスミッションゲート用のNチャンネル
トランジスタ803、804(T3、T4)も含む。T
3、T4は、ワードラインWL807が”H”でオン状
態になり、ビットラインBL808、ビットラインバー
BL809の電位を、T1、T2、R1、R2で構成さ
れるデータ保持部分に伝達する。
FIG. 15 shows an example of the structure of a high registration type (high resistance load type) RAM cell. This RAM
The cell is an N-channel transistor 80 for driving.
1, 802 (T1, T2) and high resistance 805, 806
(R1, R2) are included. These T1, T2, R1,
R2 constitutes a data holding part. Also, this RA
The M cell also includes N channel transistors 803 and 804 (T3, T4) for the transmission gate. T
3 and T4 are turned on when the word line WL807 is "H", and transfer the potentials of the bit line BL808 and the bit line bar BL809 to the data holding portion composed of T1, T2, R1 and R2.

【0011】次に、このRAMセルの基本動作について
説明する。データ書き込み時は、トランスミッションゲ
ートT3およびT4がオンして、BLおよびバーBL
(BLの反転信号)の電位がデータ保持部分に伝達され
る。今、仮にBL=”H”、バーBL=”L”とする
と、M1およびM2の電位がそれぞれ”H”および”
L”になる。M1の電位が”H”になるとトランジスタ
T2がオンしてM2の電位が”L”に安定する。また、
M2の電位は”L”なのでトランジスタT1はオフとな
り、M1の電位は”H”に安定する。この後、トランス
ミッションゲートT3およびT4をオフしても、M1の
電位は高抵抗R1によりHレベルにプルアップされ、M
2の電位はトランジスタT2によりLレベルに固定され
るため、M1およびM2の電位が保持される。これによ
りデータの書き込み動作が実現される。また、読み出し
時は、トランスミッションゲートT3およびT4がオン
し、M1およびM2の電位がBLおよびバーBLに伝達
される。そして、この電位をセンスアンプ等により検出
することでデータの読み出し動作が実現される。
Next, the basic operation of this RAM cell will be described. When writing data, the transmission gates T3 and T4 are turned on, and BL and bar BL
The potential (inverted signal of BL) is transmitted to the data holding portion. If BL = “H” and bar BL = “L”, the potentials of M1 and M2 are “H” and “H”, respectively.
When the potential of M1 becomes "H", the transistor T2 is turned on and the potential of M2 becomes stable at "L".
Since the potential of M2 is "L", the transistor T1 is turned off, and the potential of M1 stabilizes at "H". After that, even if the transmission gates T3 and T4 are turned off, the potential of M1 is pulled up to the H level by the high resistance R1,
Since the potential of 2 is fixed to the L level by the transistor T2, the potentials of M1 and M2 are held. As a result, the data write operation is realized. Further, at the time of reading, transmission gates T3 and T4 are turned on, and the potentials of M1 and M2 are transmitted to BL and bar BL. Then, the data read operation is realized by detecting this potential with a sense amplifier or the like.

【0012】次に、書き込み動作不良について説明す
る。書き込み時においては、トランスミッションゲート
T3、T4を介して書き込み信号が伝達される。この際
に、トランスミッションゲートのNチャンネルトランジ
スタのスレッシュホルド電圧Vth分だけ、書き込み信号
の電圧が低くなる事態が生じる。仮に、BL=”H”、
バーBL=”L”を書き込む場合を考えると、M1の電
位がHレベルよりもT3のしきい値電圧Vth分だけ低く
なる。この時、M1の電位がトランジスタT2をオンで
きるレベルであれば問題は生じない。しかし、動作電源
電圧の低下とともにM1の電位も低下し、動作電源電圧
が所定電圧以下になるとM1の電位によりT2をオンで
きなくなる。その結果、バーBL側によりM2に”L”
を書き込んでも、M2の電位は安定的に”L”にはなら
ず、これにより書き込み動作不良が生じる。
Next, the write operation failure will be described. At the time of writing, a write signal is transmitted via the transmission gates T3 and T4. At this time, there occurs a situation in which the voltage of the write signal is lowered by the threshold voltage V th of the N-channel transistor of the transmission gate. If BL = “H”,
Considering the case of writing the bar BL = “L”, the potential of M1 becomes lower than the H level by the threshold voltage V th of T3. At this time, if the potential of M1 is at a level at which the transistor T2 can be turned on, no problem will occur. However, as the operating power supply voltage drops, the potential of M1 also drops, and when the operating power supply voltage becomes equal to or lower than a predetermined voltage, T2 cannot be turned on due to the potential of M1. As a result, "L" is added to M2 by the BL side.
Even when writing, the potential of M2 is not stably set to "L", which causes a write operation failure.

【0013】次に、読み出し動作不良について説明す
る。読み出し時においては、読み出し前にBLおよびバ
ーBLを”H”にプリチャージした後にトランスミッシ
ョンゲートT3およびT4がオンする。ここで、今、仮
にM1=”H”、M2=”L”であったとする。する
と、M1の電位がT3のVth分だけ低下するとともに、
M2の電位がバーBLによって若干上昇する。この結
果、オン状態であったT2が少しだけオフ状態に移行す
るとともに、オフ状態であったT1も少しだけオン状態
に移行する。そして、動作電源電圧が低下すると、T2
がさらに大きくオフ状態に移行し、T1がさらに大きく
オン状態に移行し、これによりオン・オフの状態が反転
する現象が起き、読み出し動作不良が生じる。このよう
に動作電源電圧が低電圧化すると、負荷R1、R2とト
ランジスタT1、T2とのインピーダンスバランスが崩
れるとともに、トランジスタのVthの変動が安定動作に
大きく影響するようになる。このため動作電源電圧を低
電圧化すると、広い動作マージンを確保しにくくなる。
Next, the read operation failure will be described. At the time of reading, transmission gates T3 and T4 are turned on after precharging BL and bar BL to "H" before reading. Here, it is assumed that M1 = "H" and M2 = "L". Then, the potential of M1 decreases by Vth of T3, and
The potential of M2 is slightly increased by the bar BL. As a result, T2 that was in the ON state slightly shifts to the OFF state, and T1 that was in the OFF state slightly shifts to the ON state. When the operating power supply voltage drops, T2
Shifts further to the off state and T1 shifts to the larger on state, which causes a phenomenon that the on / off state is reversed, resulting in a read operation failure. When the operating power supply voltage is lowered as described above, the impedance balance between the loads R1 and R2 and the transistors T1 and T2 is disturbed, and the fluctuation of Vth of the transistor greatly affects the stable operation. Therefore, if the operating power supply voltage is lowered, it becomes difficult to secure a wide operating margin.

【0014】以上のように従来例においては、ハイレジ
タイプのRAMを採用することによるチップ面積の小規
模化の課題と、低電圧振幅動作部分901を低電圧化す
ることによる装置の低消費電力化の課題とを両立できな
いという問題があった。
As described above, in the conventional example, the problem of miniaturization of the chip area by adopting the high-registration type RAM and the low power consumption of the device by lowering the voltage of the low voltage amplitude operation portion 901 are achieved. There was a problem that it could not be compatible with the task of becoming a product.

【0015】この問題は、複数ライン同時選択駆動手法
と呼ばれる手法においても同様に起こる問題である。複
数ライン同時選択駆動手法については、特願平5−51
5531、特願平5−152533において本出願人に
より説明されている。
This problem also occurs in a method called a multiple line simultaneous selection drive method. For a method of simultaneously selecting a plurality of lines, see Japanese Patent Application No. 5-51.
5531, Japanese Patent Application No. 5-152533.

【0016】本発明は、以上述べたような課題を解決す
るためになされたものであり、その目的とするところ
は、内蔵される表示データ記憶手段に対する電源の供給
手法を改善することにより、小規模化が可能な表示デー
タ記憶手段を採用しながら該表示データ記憶手段の正常
動作を確保すると共に、低電圧振幅動作部分の更なる低
電圧化を実現することにある。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to improve the method of supplying power to the display data storage means incorporated therein to improve the power consumption. It is intended to ensure normal operation of the display data storage means while adopting a display data storage means that can be scaled up, and to further reduce the voltage of the low voltage amplitude operation portion.

【0017】また、本発明の他の目的は、複数ライン同
時選択駆動手法を採用する液晶駆動装置において、該駆
動手法において液晶駆動電源電圧が低電圧化されること
を利用して、内蔵される表示データ記憶手段に対する電
源の供給手法を改善することにある。
Another object of the present invention is to incorporate a liquid crystal driving device adopting a multiple line simultaneous selection driving method by utilizing the fact that the liquid crystal driving power supply voltage is lowered in the driving method. It is to improve the method of supplying power to the display data storage means.

【0018】また、本発明の他の目的は、内蔵される表
示データ記憶手段に対する電源の供給手法を改善する場
合において、該表示データ記憶手段に供給される電源電
圧の安定化を図ることにある。
Another object of the present invention is to stabilize the power supply voltage supplied to the display data storage means when improving the method of supplying power to the display data storage means incorporated therein. .

【0019】また、本発明の他の目的は、内蔵される表
示データ記憶手段に対する電源の供給手法を改善した場
合に、供給される電源電圧の異常事態を監視すると共
に、異常事態が発生した場合に表示データ記憶手段に記
憶された表示データが破壊されるのを有効に防止するこ
とにある。
Another object of the present invention is to monitor an abnormal situation of the supplied power supply voltage and improve the power supply method to the built-in display data storage means in the case where the abnormal situation occurs. Another object is to effectively prevent the display data stored in the display data storage means from being destroyed.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段及び作用】上記課題を解決
するために、本発明は、コントロールロジック部を少な
くとも有し第1の電源電圧群が供給されて動作する低電
圧振幅動作部分と、液晶パネル上にマトリクス状に配置
される液晶素子を駆動するために使用される第2の電源
電圧群が供給されて動作する高電圧振幅動作部分とを含
む液晶駆動装置であって、前記第2の電源電圧群に含ま
れる少なくとも1対の高電位側電源電圧と低電位側電源
電圧との電圧差が、前記第1の電源電圧群に含まれる高
電位側電源電圧と低電位側電源電圧との電圧差よりも大
きく設定され、前記液晶パネルに画像表示を行うための
表示データを記憶する表示データ記憶手段と、前記第2
の電源電圧群、あるいは、該第2の電源電圧群を電源変
換手段により変換することで得られる第3の電源電圧群
を、前記表示データ記憶手段の動作電源として供給する
手段とを含むことを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the present invention provides a low voltage amplitude operation section which has at least a control logic section and is operated by being supplied with a first power supply voltage group, and a liquid crystal. A high voltage amplitude operating part which is operated by being supplied with a second power supply voltage group used for driving liquid crystal elements arranged in a matrix on a panel, the second liquid crystal driving device comprising: The voltage difference between at least one pair of high-potential-side power source voltage and low-potential-side power source voltage included in the power-source voltage group is the difference between the high-potential-side power source voltage and the low-potential-side power source voltage included in the first power-source voltage group. Display data storage means for storing display data for displaying an image on the liquid crystal panel, the display data storage means being set to be larger than the voltage difference;
Power supply voltage group, or a third power supply voltage group obtained by converting the second power supply voltage group by the power supply conversion means, as means for supplying the display data storage means with operating power. Characterize.

【0021】本発明によれば、表示データ記憶手段は高
電圧振幅動作部分に配置され、その動作電源は第2又は
第3の電源電圧群から供給される。従って、低電圧振幅
動作部分に配置されると書き込み・読み出し動作不良等
を起こすような表示データ記憶手段であっても、これを
高電圧振幅動作部分に配置することで正常な動作を確保
することができる。一方、低電圧振幅動作部分に配置さ
れ高速に動作するロジックコントロール部に関しては、
表示データ記憶手段の動作電圧とは無関係に低電圧化す
ることが可能となる。
According to the present invention, the display data storage means is arranged in the high voltage amplitude operating portion, and its operating power supply is supplied from the second or third power supply voltage group. Therefore, even if it is a display data storage means that causes a write / read operation failure, etc. when it is arranged in the low voltage amplitude operation portion, it can be ensured in normal operation by arranging it in the high voltage amplitude operation portion. You can On the other hand, regarding the logic control section that is placed in the low voltage amplitude operation section and operates at high speed,
It is possible to reduce the voltage regardless of the operating voltage of the display data storage means.

【0022】また、本発明は、前記表示データ記憶手段
が随時書き込み読み出し可能な複数のRAMセルを含
み、該RAMセルが、データを保持するための少なくと
も1対のトランジスタと、該1対のトランジスタの各々
に接続され該トランジスタに動作電流を供給するための
高抵抗素子とを含むことを特徴とする。
In the present invention, the display data storage means includes a plurality of RAM cells that can be written and read at any time, and the RAM cells include at least one pair of transistors for holding data and the pair of transistors. And a high resistance element for supplying an operating current to the transistor.

【0023】本発明によれば、表示データ記憶手段がハ
イレジタイプのRAMセルにより構成される。そして、
このようにハイレジタイプのRAMセルを採用しても、
これらのRAMセルは高電圧振幅動作部分に配置される
ことになるため、書き込み・読み出し動作不良の発生が
防止される。そして、ハイレジタイプのRAMセルを採
用すると、従来のフルCMOSタイプのRAMセルを採
用する場合に比べて、大幅にチップ面積を小規模化する
ことができる。
According to the present invention, the display data storage means is composed of a high registration type RAM cell. And
Even if a high registration type RAM cell is adopted,
Since these RAM cells are arranged in the high voltage amplitude operation portion, the occurrence of write / read operation failure is prevented. When the high-registration type RAM cell is adopted, the chip area can be significantly reduced as compared with the case where the conventional full CMOS type RAM cell is adopted.

【0024】また、本発明は、前記液晶パネルが複数の
走査電極とこれらと交差する複数の信号電極を含み、前
記表示データ記憶手段から読み出される表示データをラ
ッチする手段と、ラッチされた表示データの電圧レベル
変換を行うレベルシフト手段と、電圧レベル変換された
表示データに基づいて前記第2の電源電圧群から液晶駆
動電圧を選択し、該液晶駆動電圧を前記信号電極に出力
する電圧セレクト手段とを含み、前記ラッチ手段、前記
レベルシフト手段、前記電圧セレクト手段が前記高電圧
振幅動作部分に配置されていることを特徴とする。
Further, according to the present invention, the liquid crystal panel includes a plurality of scanning electrodes and a plurality of signal electrodes intersecting with the scanning electrodes, and means for latching display data read from the display data storage means, and the latched display data. Level shift means for performing voltage level conversion, and voltage selection means for selecting a liquid crystal drive voltage from the second power supply voltage group based on the voltage level converted display data and outputting the liquid crystal drive voltage to the signal electrode. And the latch means, the level shift means, and the voltage select means are arranged in the high voltage amplitude operation portion.

【0025】本発明によれば、電圧平均化法を採用する
液晶駆動装置に対して本発明の原理を適用することが可
能となる。これにより、低電圧振幅動作部分に配置され
ると書き込み・読み出し動作不良等を起こすような表示
データ記憶手段を正常に動作させることができると共
に、低電圧振幅動作部分の更なる低電圧化が可能とな
る。なお、電圧平均化法に本発明の原理を適用する場合
には、表示データ記憶手段等には、第2の電源電圧を降
圧した電圧を供給することが望ましく、また、レベルシ
フト手段により、この降圧された電圧を第2の電源電圧
のレベルまで昇圧する変換を行うことが望ましい。
According to the present invention, it is possible to apply the principle of the present invention to a liquid crystal driving device that employs the voltage averaging method. As a result, it is possible to normally operate the display data storage means that causes a write / read operation failure when placed in the low voltage amplitude operation part, and further lower the voltage of the low voltage amplitude operation part. Becomes When the principle of the present invention is applied to the voltage averaging method, it is desirable to supply the display data storage means or the like with a voltage obtained by stepping down the second power supply voltage. It is desirable to perform conversion for boosting the stepped-down voltage to the level of the second power supply voltage.

【0026】また、本発明は、前記液晶パネルが複数の
走査電極とこれらと交差する複数の信号電極を含み、前
記表示データ記憶手段から読み出される表示データと複
数本が同時に選択される前記走査電極の電圧状態とから
前記信号電極への駆動電圧の情報を割り出す駆動信号決
定手段と、該駆動信号決定手段の出力である駆動電圧情
報をラッチする手段と、ラッチされた駆動電圧情報に基
づいて前記第2の電源電圧群から液晶駆動電圧を選択
し、該液晶駆動電圧を前記信号電極に出力する電圧セレ
クト手段とを含み、前記駆動信号決定手段、前記ラッチ
手段、前記電圧セレクト手段が前記高電圧振幅動作部分
に配置されていることを特徴とする。
Further, according to the present invention, the liquid crystal panel includes a plurality of scanning electrodes and a plurality of signal electrodes intersecting the scanning electrodes, and the display data read from the display data storage means and the plurality of scanning electrodes are simultaneously selected. Of the driving voltage to the signal electrode from the voltage state of the driving signal, means for latching the driving voltage information output from the driving signal determining means, and the driving voltage information based on the latched driving voltage information. A liquid crystal driving voltage from a second power supply voltage group, and a voltage selecting means for outputting the liquid crystal driving voltage to the signal electrode, wherein the driving signal determining means, the latching means, and the voltage selecting means include the high voltage. It is characterized in that it is arranged in the amplitude operation part.

【0027】本発明によれば、複数ライン同時選択駆動
手法を採用する液晶駆動装置に対して本発明の原理を適
用することが可能となる。そして、複数ライン同時選択
駆動手法によれば、第2の電源電圧を電圧平均化法に比
べて低い電圧とすることができる。従って、第2の電源
電圧を降圧することなく、表示データ記憶手段に対して
適正な電源電圧を供給することが可能となる。更に、表
示データ記憶手段、駆動信号決定手段、ラッチ手段、電
圧セレクト手段を高耐圧のプロセスで製造する必要もな
くなる。
According to the present invention, it is possible to apply the principle of the present invention to a liquid crystal driving device that employs a multiple line simultaneous selection driving method. Then, according to the multiple line simultaneous selection driving method, the second power supply voltage can be made lower than that in the voltage averaging method. Therefore, it is possible to supply an appropriate power supply voltage to the display data storage means without lowering the second power supply voltage. Further, it is not necessary to manufacture the display data storage means, the drive signal determination means, the latch means, and the voltage selection means in a high withstand voltage process.

【0028】また、本発明は、前記電源変換手段が、前
記第2の電源電圧群から定電圧の前記第3の電源電圧群
を得る定電圧生成手段を含み、前記表示データ記憶手段
は、該定電圧生成手段により定電圧化された第3の電源
電圧群が供給されて動作することを特徴とする。
In the present invention, the power supply conversion means includes constant voltage generation means for obtaining the third power supply voltage group of constant voltage from the second power supply voltage group, and the display data storage means includes: It is characterized in that the third power supply voltage group, which has been converted into a constant voltage by the constant voltage generation means, is supplied to operate.

【0029】本発明によれば、表示データ記憶手段に対
して定電圧の電源電圧を供給できる。これにより、例え
ば電圧セレクト手段のスイッチ動作による電圧レベルの
変動等が、表示データ記憶手段の安定動作に影響を与え
ることが防止される。
According to the present invention, a constant power supply voltage can be supplied to the display data storage means. As a result, it is possible to prevent fluctuations in the voltage level due to the switch operation of the voltage selection means, for example, from affecting the stable operation of the display data storage means.

【0030】また、本発明は、前記第2の電源電圧群又
は前記第3の電源電圧群の電圧状態を監視する電源監視
手段を含み、該電源監視手段は、前記表示データ記憶手
段に供給する電源電圧を前記第2の電源電圧群又は前記
第3の電源電圧群の電圧から前記第1の電源電圧群の電
圧に切り替える手段を含むことを特徴とする。
Further, the present invention includes a power supply monitoring means for monitoring the voltage state of the second power supply voltage group or the third power supply voltage group, and the power supply monitoring means supplies the display data storage means. It is characterized by including means for switching the power supply voltage from the voltage of the second power supply voltage group or the voltage of the third power supply voltage group to the voltage of the first power supply voltage group.

【0031】本発明によれば、例えば第2の電源がオフ
状態になった場合等に、このオフ状態が電源監視手段に
より検出され、表示データ記憶手段に供給される電源電
圧が第1の電源電圧に切り替えられる。これにより、表
示データ記憶手段へのデータの書き込み・読み出し動作
は不能になるが、データを正常に保持させておくことが
可能となる。
According to the present invention, for example, when the second power source is turned off, this off state is detected by the power source monitoring means, and the power source voltage supplied to the display data storage means is the first power source. Switched to voltage. As a result, although the data writing / reading operation to / from the display data storage means is disabled, the data can be normally held.

【0032】また、本発明は、前記電源監視手段は、前
記第2の電源電圧群の状態を外部にモニタする手段を含
むことを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that the power supply monitoring means includes means for externally monitoring the state of the second power supply voltage group.

【0033】本発明によれば、外部にあるMPU等の装
置が第2の電源電圧群の状態をモニターすることが可能
となる。
According to the present invention, an external device such as an MPU can monitor the state of the second power supply voltage group.

【0034】また、本発明は、前記電源監視手段は、前
記第2の電源電圧群又は前記第3の電源電圧群の中の一
対の高電位側電源電圧と低電位側電源電圧との電圧差を
分割し分割電圧を生成する手段と、該分割電圧を第1の
電源電圧群から生成される基準電圧と比較する手段と、
該比較手段からの比較結果に基づいてオン・オフ動作
し、前記表示データ記憶手段に供給する電源電圧を前記
第2の電源電圧群又は前記第3の電源電圧群の電圧から
前記第1の電源電圧群の電圧に切り替えるスイッチング
手段とを含むことを特徴とする。
According to the present invention, the power supply monitoring means is provided with a voltage difference between a pair of high-potential-side power supply voltage and low-potential-side power supply voltage in the second power supply voltage group or the third power supply voltage group. Means for dividing the divided voltage to generate a divided voltage, and means for comparing the divided voltage with a reference voltage generated from the first power supply voltage group,
On / off operation is performed based on the comparison result from the comparison means, and the power supply voltage to be supplied to the display data storage means is changed from the voltage of the second power supply voltage group or the third power supply voltage group to the first power supply. And a switching means for switching to a voltage of the voltage group.

【0035】本発明によれば、基準電圧は第1の電源電
圧群から生成されるため、第2の電源の状態によらず一
定の値となる。一方、分割電圧生成手段からの分割電圧
は、例えば第2の電源がオフすることで変化する。従っ
て、比較手段は、この基準電圧と分割電圧を比較するこ
とで、第2の電源の状態を監視することが可能となる。
そして、比較手段の出力結果によりスイッチング手段を
オン・オフさせることで、表示データ記憶手段に供給さ
れる電源電圧を第1の電源電圧に切り替えることが可能
となる。
According to the present invention, since the reference voltage is generated from the first power supply voltage group, it has a constant value regardless of the state of the second power supply. On the other hand, the divided voltage from the divided voltage generating means changes, for example, when the second power supply is turned off. Therefore, the comparison means can monitor the state of the second power supply by comparing the reference voltage with the divided voltage.
Then, the power supply voltage supplied to the display data storage means can be switched to the first power supply voltage by turning on / off the switching means according to the output result of the comparison means.

【0036】また、本発明の液晶表示装置は、上記液晶
駆動装置と、液晶素子がマトリクス状に配置された液晶
パネルとを少なくとも含むことを特徴とする。
The liquid crystal display device of the present invention is characterized by including at least the above liquid crystal drive device and a liquid crystal panel in which liquid crystal elements are arranged in a matrix.

【0037】本発明によれば、液晶駆動装置のチップ面
積を小規模化し、消費電力を低く抑えることができるた
め、この液晶駆動装置を含む液晶表示装置のコスト、消
費電力を低く抑えることが可能となる。
According to the present invention, since the chip area of the liquid crystal driving device can be reduced and the power consumption can be suppressed low, the cost and power consumption of the liquid crystal display device including the liquid crystal driving device can be suppressed low. Becomes

【0038】[0038]

【実施例】次に、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings.

【0039】(第1の実施例) 1.構成及び動作 図1は、本発明の第1の実施例に係る信号電極駆動回路
(Xドライバ)の全体構成を示すブロック図である。図
1に示すXドライバは、第1の電源電圧群によって動作
する低電圧振幅動作部分101と、第2の電源電圧群に
よって動作する高電圧振幅動作部分102とに分けられ
ている。 そして、第2の電源電圧群に含まれる少なく
とも1対の高電位側電源電圧と低電位側電源電圧との電
圧差、例えばV2とVCの電圧差が、第1の電源電圧群に
含まれる高電位側電源電圧VDDと低電位側電源電圧VSS
との電圧差よりも大きく設定されている。
(First Embodiment) 1. Configuration and Operation FIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of a signal electrode drive circuit (X driver) according to the first embodiment of the present invention. The X driver shown in FIG. 1 is divided into a low voltage amplitude operating part 101 which operates by a first power supply voltage group and a high voltage amplitude operating part 102 which operates by a second power supply voltage group. Then, a voltage difference between at least one pair of high-potential-side power supply voltage and low-potential-side power supply voltage included in the second power supply voltage group, for example, a voltage difference between V 2 and V C is included in the first power supply voltage group. High-potential-side power supply voltage V DD and low-potential-side power supply voltage V SS
It is set larger than the voltage difference between and.

【0040】さて、図1に示すXドライバは、チップイ
ネーブルコントロール回路103、タイミング回路10
4、データ入力制御回路105、入力レジスタ106、
書き込みレジスタ107、レベルシフタ108、フレー
ムメモリ(内蔵RAM)109、行アドレスレジスタ1
10、駆動信号決定回路(MLSデコーダ)111、ラ
ッチ回路112、電圧セレクタ113を含む。ここで、
チップイネーブルコントロール回路103は、複数チッ
プを使用する場合のチップ単位の自動パワーセーブを、
イネーブル信号CEI、CEOに基づいて行うものであ
る。タイミング回路104は、シフトクロックXSC
L、YD信号、LP信号等に基づいて所要のタイミング
信号を形成等するものである。データ入力制御回路10
5は、イネーブル信号Eの発生を契機にMPUからXド
ライバに対して転送される表示データD0〜Dnを取り込
み、取り込んだデータを入力レジスタ106に出力する
ものである。入力レジスタ106は、表示データをシフ
トクロックXSCLの立ち下がりエッジで順次取り込
み、1走査ライン分の表示データを格納するものであ
る。書き込みレジスタ107は、入力レジスタ106か
らの1走査ライン分の表示データをラッチパルスにより
一括にラッチし、例えば2走査ライン分の表示データが
ラッチされた段階で、これらの表示データを出力しレベ
ルシフタ108を介してフレームメモリ109内のメモ
リセルに書き込むものである。
Now, the X driver shown in FIG. 1 has a chip enable control circuit 103 and a timing circuit 10.
4, data input control circuit 105, input register 106,
Write register 107, level shifter 108, frame memory (built-in RAM) 109, row address register 1
10, a drive signal determination circuit (MLS decoder) 111, a latch circuit 112, and a voltage selector 113. here,
The chip enable control circuit 103 performs automatic power saving for each chip when using a plurality of chips.
This is performed based on the enable signals CEI and CEO. The timing circuit 104 uses the shift clock XSC.
It forms a required timing signal based on L, YD signals, LP signals and the like. Data input control circuit 10
Reference numeral 5 is for fetching the display data D 0 to D n transferred from the MPU to the X driver upon generation of the enable signal E, and outputting the fetched data to the input register 106. The input register 106 sequentially takes in display data at the falling edge of the shift clock XSCL and stores display data for one scanning line. The write register 107 collectively latches the display data for one scanning line from the input register 106 with a latch pulse, and outputs the display data for two scanning lines, for example, when the display data for two scanning lines is latched. The data is written in the memory cell in the frame memory 109 via the.

【0041】レベルシフタ108は、低電圧振幅動作部
分101からの信号を高電圧振幅動作部分102に伝達
する場合に、信号のレベル変換を行う機能を有する。フ
レームメモリ109は、マトリクス状に配置されたメモ
リセルおよびその周辺回路を含んでおり、書き込みレジ
スタ107から入力される表示データを蓄積する。行ア
ドレスレジスタ110は、信号走査スタート信号YDお
よび後述するフィールド識別信号FISにより初期化さ
れ、タイミング回路104から書き込み制御信号WRあ
るいは読み出し制御信号RDが印加される毎にフレーム
メモリ109のライン(ワード線)を順次選択する。こ
れによりフレームメモリ109からは2ライン分ずつの
表示データが駆動信号決定回路111に出力される。駆
動信号決定回路(MLSデコーダ)111は、FIS信
号、交流化信号FRおよびフレームメモリ109からの
表示データ(2ライン分)との組み合わせから、信号電
極の駆動電圧情報を割り出す。ラッチ回路112は、駆
動信号決定回路111からの駆動電圧情報をLP信号の
立ち下がりエッジにより一括ラッチする。電圧セレクタ
113は、ラッチ回路112からの駆動電圧情報に基づ
き、第2の電源電圧群V2、VC、−V2から液晶駆動電
圧を選択し、該液晶駆動電圧を各信号電極X1〜Xmに印
加するものである。
The level shifter 108 has a function of converting the level of a signal when the signal from the low voltage amplitude operating portion 101 is transmitted to the high voltage amplitude operating portion 102. The frame memory 109 includes memory cells arranged in a matrix and its peripheral circuits, and accumulates display data input from the write register 107. The row address register 110 is initialized by the signal scanning start signal YD and a field identification signal FIS which will be described later, and every time the write control signal WR or the read control signal RD is applied from the timing circuit 104, a line (word line) of the frame memory 109 is applied. ) Are sequentially selected. As a result, the display data for every two lines is output from the frame memory 109 to the drive signal determination circuit 111. The drive signal determination circuit (MLS decoder) 111 determines drive voltage information of the signal electrode from a combination of the FIS signal, the AC signal FR, and the display data (for two lines) from the frame memory 109. The latch circuit 112 collectively latches the drive voltage information from the drive signal determination circuit 111 at the falling edge of the LP signal. The voltage selector 113 selects a liquid crystal drive voltage from the second power supply voltage groups V 2 , V C , and −V 2 based on the drive voltage information from the latch circuit 112, and selects the liquid crystal drive voltage from each of the signal electrodes X 1 to X 1 . It is applied to X m .

【0042】なお、図1においてタイミング回路104
から出力されるラッチパルスLP’およびシフトクロッ
クXSCL’は、それぞれXドライバに与えられるコン
トロール信号LPおよびXSCLから生成されるもので
あるが、これらの信号はLCDパネル上の表示変更がと
もなう場合にのみ出力する信号であるため、LP、XS
CLと区別して’を付してある。
The timing circuit 104 shown in FIG.
The latch pulse LP 'and the shift clock XSCL' output from are generated from the control signals LP and XSCL supplied to the X driver, respectively, but these signals are only when the display on the LCD panel is changed. Since it is an output signal, LP, XS
It is attached with'to distinguish it from CL.

【0043】次に、本実施例における電源電圧の供給手
法について説明する。本実施例では、低電圧振幅動作部
分101に対しては、端子VDD、VSSにより第1の電源
電圧群が供給され、高電圧振幅動作部分102に対して
は、端子V2、VC、−V2により第2の電源電圧群が供
給される。これらの電源の電位の関係は、VDDとV2
共通電位として図2に示すような関係となっている。即
ち、VDD=V2=0Vとし、VSS=−2.7V、VC=−
4.0V、−V2=−8.0Vとなっている。Xドライ
バ内部の各ブロックへの電源電圧の供給について、再
度、図1を用いて説明する。低電圧振幅動作部分101
内の行アドレスレジスタ110、タイミング回路10
4、データ入力制御回路105、書き込みレジスタ10
7、入力レジスタ106、チップイネーブルコントロー
ル回路103の各ブロックの電源端子VDD、VSSは、第
1の電源電圧群が供給される端子VDD、VSSと接続され
る。これにより、各ブロックのVDD端子には0V、VSS
端子には−2.7Vが供給される。この結果、これらの
各ブロックは電圧差2.7Vの電源電圧で動作すること
になる。また、高電圧振幅動作部分102内の電圧セレ
クタ113の電源端子V2、VC、−V2は、第2の電源
電圧群が供給される端子V2、VC、−V2が接続され
る。これにより、V2端子には0V、VC端子には−4.
0V、−V2端子には−8.0Vが供給される。そし
て、これらの電圧を電圧セレクタ113により選択する
ことでXドライバの出力X1〜Xmが形成される。高電圧
振幅動作部分102内のラッチ回路112、駆動信号決
定回路111、フレームメモリ109、レベルシフタ1
08の各ブロックの電源端子VDD、VSSは、第2の電源
電圧群が供給される端子V2、VCが接続される。これに
より、VDD端子には0V、VSS端子には−4.0Vが供
給される。この結果、これらの各ブロックは電圧差4.
0Vの電源電圧で動作することになる。
Next, the method of supplying the power supply voltage in this embodiment will be described. In this embodiment, the first power supply voltage group is supplied to the low voltage amplitude operating portion 101 by the terminals V DD and V SS , and the terminals V 2 and V C are supplied to the high voltage amplitude operating portion 102. , -V 2 supplies the second power supply voltage group. The relationship between the potentials of these power supplies is as shown in FIG. 2 with V DD and V 2 being a common potential. That is, V DD = V 2 = 0 V, V SS = -2.7 V, V C =-
4.0V, and has a -V 2 = -8.0V. The supply of the power supply voltage to each block inside the X driver will be described again with reference to FIG. Low voltage amplitude operating part 101
Row address register 110, timing circuit 10
4, data input control circuit 105, write register 10
7, the power supply terminals V DD and V SS of each block of the input register 106 and the chip enable control circuit 103 are connected to the terminals V DD and V SS to which the first power supply voltage group is supplied. As a result, the V DD terminal of each block has 0 V, V SS
The terminal is supplied with -2.7V. As a result, each of these blocks operates at a power supply voltage with a voltage difference of 2.7V. Further, the power supply terminal V 2, V C, -V 2 voltage selector 113 of the high voltage amplitude operation section 102 has terminals V 2 to the second power supply voltage group is supplied, V C, -V 2 is connected It Thus, the V 2 terminal 0V, -4 to V C terminal.
0V, the -V 2 terminal -8.0V is supplied. Then, by selecting these voltages by the voltage selector 113, the outputs X 1 to X m of the X driver are formed. The latch circuit 112, the drive signal determination circuit 111, the frame memory 109, and the level shifter 1 in the high voltage amplitude operation portion 102
The power supply terminals V DD and V SS of each block of 08 are connected to the terminals V 2 and V C to which the second power supply voltage group is supplied. As a result, 0 V is supplied to the V DD terminal and -4.0 V is supplied to the V SS terminal. As a result, each of these blocks has a voltage difference of 4.
It operates with a power supply voltage of 0V.

【0044】以上説明したように、本実施例のXドライ
バによれば、フレームメモリ109には、第2の電源電
圧V2、VCにより、4.0Vの電圧差を持つ電源電圧が
供給される。これにより、フレームメモリ109をハイ
レジタイプ(高抵抗負荷型)のRAMで構成しても(図
15参照)、RAMの安定動作が確保される。そして、
フレームメモリ109をハイレジタイプのRAMで構成
することで、チップ面積の小規模化が図れる。一方、高
速に動作するロジックコントロール部を含む低電圧振幅
動作部分101には、フレームメモリ109を配置する
必要が無くなる。このため、低電圧振幅動作部分101
に供給される第1の電源電圧群を、例えばVDD=0V、
SS=−2.7Vというようにその電圧差を低電圧化す
ることが可能となる。これにより、高速クロック(例え
ば高電圧振幅動作部分のm倍)で動作する部分の電源電
圧を低電圧化できることになるため、消費電力を大幅に
減少できる。そして、更に、このような低電圧化が可能
になると、低電圧振幅動作部分101を構成するトラン
ジスタを微細プロセスで製造することも可能となり、よ
りいっそうのチップ面積の小規模化が図れる。
As described above, according to the X driver of this embodiment, the frame memory 109 is supplied with the power supply voltage having the voltage difference of 4.0 V by the second power supply voltages V 2 and V C. It As a result, even if the frame memory 109 is composed of a high-registration type (high resistance load type) RAM (see FIG. 15), stable operation of the RAM is ensured. And
By configuring the frame memory 109 with a high registration type RAM, the chip area can be reduced. On the other hand, it is not necessary to dispose the frame memory 109 in the low voltage amplitude operation part 101 including the logic control part that operates at high speed. Therefore, the low voltage amplitude operating portion 101
A first power supply voltage group to be supplied to V DD = 0V,
It is possible to reduce the voltage difference such that V SS = −2.7V. As a result, the power supply voltage of the portion that operates with the high-speed clock (for example, m times as high as the high voltage amplitude operating portion) can be lowered, and thus the power consumption can be significantly reduced. Further, if such a reduction in voltage becomes possible, it becomes possible to manufacture the transistor that constitutes the low-voltage amplitude operation portion 101 by a fine process, and the chip area can be further reduced.

【0045】さて、本実施例では、フレームメモリ10
9に対する電源電圧の供給手法を改善するのみならず、
レベルシフタ108の配置位置についても改善してい
る。図3には、低電圧振幅動作部分101から高電圧振
幅動作部分102に信号を伝達する場合に、信号のレベ
ル変換を行うレベルシフタ108の構成の一例が示され
る。このレベルシフタ108は、入力信号Iを反転する
インバータ301、入力信号Iによってオン・オフする
Nチャンネルトランジスタ302、303、これらのト
ランジスタのドレイン領域の電位状態によりオン・オフ
するPチャンネルトランジスタ304、305を含んで
いる。電源VDD、VSSは第2の電源電圧群から供給され
ている。次に、このレベルシフタ108の動作を説明す
る。まず、入力信号Iが例えば、”L”であるとトラン
ジスタ302、303のゲート電極の電圧レベルは、そ
れぞれ”L”および”H”となる。これによりトランジ
スタ302がオフ、トランジスタ303がオンとなる。
従って、トランジスタ304のゲート電極の電圧レベル
は”L”となり、トランジスタ304はオンする。一
方、トランジスタ305のゲート電極の電圧レベルは”
H”となり、トランジスタ305はオフする。この結
果、出力OおよびバーO(Oの反転信号)は、それぞ
れ”L”および”H”となり、入力Iがレベル変換され
て出力Oに伝達されることになる。入力Iが”H”の場
合は、トランジスタ302、303、トランジスタ30
4、305のオン・オフの関係は、それぞれ逆になる。
In the present embodiment, the frame memory 10
9 not only improve the method of supplying the power supply voltage to 9,
The arrangement position of the level shifter 108 is also improved. FIG. 3 shows an example of the configuration of the level shifter 108 that performs level conversion of a signal when the signal is transmitted from the low voltage amplitude operating portion 101 to the high voltage amplitude operating portion 102. The level shifter 108 includes an inverter 301 that inverts an input signal I, N-channel transistors 302 and 303 that are turned on / off by the input signal I, and P-channel transistors 304 and 305 that are turned on / off according to the potential state of the drain regions of these transistors. Contains. The power supplies V DD and V SS are supplied from the second power supply voltage group. Next, the operation of the level shifter 108 will be described. First, when the input signal I is "L", the voltage levels of the gate electrodes of the transistors 302 and 303 are "L" and "H", respectively. This turns off the transistor 302 and turns on the transistor 303.
Therefore, the voltage level of the gate electrode of the transistor 304 becomes "L", and the transistor 304 is turned on. On the other hand, the voltage level of the gate electrode of the transistor 305 is "
The output O and the bar O (inverted signal of O) become "L" and "H", respectively, and the input I is level-converted and transmitted to the output O. When the input I is “H”, the transistors 302 and 303, the transistor 30
The on / off relations of 4 and 305 are reversed.

【0046】次に、本実施例におけるレベルシフタ10
8の挿入位置について説明する。高電圧振幅動作部分1
02に配置されるラッチ回路112、駆動信号決定回路
111については、図4に示すように低電圧振幅動作部
分101に配置して、第1の電源電圧群で動作させるこ
とも可能である。しかしながら、この2つの回路を低電
圧振幅動作させる構成とした場合、図4に示すように、
信号LP、FR、FISをレベル変換する必要がなくな
る反面、次のように複数のレベルシフタが必要になると
いう欠点が生じる。即ち、図4の場合には、書き込みレ
ジスタ107からフレームメモリ109への信号伝達に
はレベルアップのためのレベルシフタ120が、フレー
ムメモリ109から駆動信号決定回路111への信号伝
達にはレベルダウンのためのレベルシフタ122が、ラ
ッチ回路112から電圧セレクタ113への信号伝達に
はレベルアップのためのレベルシフタ124が必要にな
る。これらのレベルシフタ120、122、124を通
過する信号は、ドライバの出力数(m本)分だけ必要に
なるため、レベルシフタの占める面積が大幅に増加して
ドライバのチップ面積を増大化させる。そこで、本実施
例では、図1に示すようにレベルシフタ108を配置し
て、レベル変換は1回のみとし、ラッチ回路112と駆
動信号決定回路111とを高電圧で動作させる構成とし
た。高電圧振幅動作部分102には、低電圧振幅動作部
分101内のコントロールロジック部のように高速クロ
ックXSCLで動作する部分がない。従って、このよう
な構成としても、このことがXドライバ全体の消費電力
の増加に大きな影響を与えることはない。
Next, the level shifter 10 in this embodiment.
The insertion position of 8 will be described. High voltage amplitude operation part 1
The latch circuit 112 and the drive signal determination circuit 111 arranged in 02 can be arranged in the low voltage amplitude operation portion 101 as shown in FIG. 4 and operated by the first power supply voltage group. However, when these two circuits are configured to operate at a low voltage amplitude, as shown in FIG.
Although it is not necessary to convert the levels of the signals LP, FR and FIS, there is a drawback that a plurality of level shifters are required as follows. That is, in the case of FIG. 4, the level shifter 120 for level up is used for signal transmission from the write register 107 to the frame memory 109, and the level shifter 120 is level down for signal transmission from the frame memory 109 to the drive signal determination circuit 111. The level shifter 122 of (1) requires the level shifter 124 for level up for signal transmission from the latch circuit 112 to the voltage selector 113. Since the signals passing through the level shifters 120, 122, and 124 are required for the number of outputs (m) of the driver, the area occupied by the level shifters is greatly increased, and the chip area of the driver is increased. Therefore, in this embodiment, the level shifter 108 is arranged as shown in FIG. 1, the level conversion is performed only once, and the latch circuit 112 and the drive signal determination circuit 111 are operated at a high voltage. The high voltage amplitude operation part 102 does not have a part that operates with the high speed clock XSCL like the control logic part in the low voltage amplitude operation part 101. Therefore, even with such a configuration, this does not significantly affect the increase in power consumption of the entire X driver.

【0047】2.複数ライン同時選択駆動手法 本実施例のXドライバは、複数ライン同時選択(Multip
le Lines Selection)駆動手法に適した構成となってい
る。複数ライン同時選択駆動手法では、従来の1ライン
ずつ選択して駆動する手法と同じオン・オフ比を実現し
た上で、Xドライバ側の駆動電圧を低く抑えることがで
きる。例えば、液晶素子のしきい値Vthを2.1V、デ
ューディ比1/240とした場合には、Xドライバの最
大駆動電圧振幅は、従来の駆動手法では20V程度必要
であったのに対し、複数ライン同時選択駆動手法では本
実施例に示すように8.0V(V2〜−V2間)で足り
る。従って、高耐圧部である電圧セレクタ113、レベ
ルシフタ124をモノシリック化する必要が無くなる。
これにより、集積度の高いRAMを製造できるプロセス
を利用することが可能となり、大容量のRAMをXドラ
イバに内蔵することが可能となる。また、複数ライン同
時選択駆動手法を行うためには、電圧セレクタ113に
対する給電に、(同時選択ライン数)+1の電源電圧が
必要となる。本実施例では、同時選択ライン数を2ライ
ンとしているため3つの電源電圧V2、Vc、−V2が必
要となる。そして、これらの電源電圧の電圧差は、最大
でも8.0Vと低いため、これらの電源電圧を降圧する
ことなくRAMの動作電源として使用できる。本実施例
では、V2とVCの電圧差4.0VをRAMの動作電源と
して使用している。
2. Multiple Lines Simultaneous Selection Driving Method The X driver of the present embodiment uses multiple lines simultaneous selection (Multip
le Lines Selection) The configuration is suitable for the driving method. The multiple line simultaneous selection drive method can realize the same on / off ratio as the conventional method of selecting and driving one line at a time, and can further suppress the drive voltage on the X driver side. For example, when the threshold V th of the liquid crystal element is 2.1 V and the duty ratio is 1/240, the maximum drive voltage amplitude of the X driver is about 20 V in the conventional drive method. In the multiple line simultaneous selection drive method, 8.0 V (between V 2 and -V 2 ) is sufficient as shown in this embodiment. Therefore, it is not necessary to make the voltage selector 113 and the level shifter 124, which are high breakdown voltage parts, monolithic.
As a result, it becomes possible to use a process capable of manufacturing a highly integrated RAM, and a large capacity RAM can be built in the X driver. Further, in order to perform the multiple line simultaneous selection driving method, the power supply voltage of (the number of simultaneously selected lines) +1 is required to supply power to the voltage selector 113. In this embodiment, three power supply voltages V 2, V c because it simultaneously selected number of lines and two lines, -V 2 is required. Since the voltage difference between these power supply voltages is as low as 8.0 V at the maximum, it can be used as an operating power supply for the RAM without stepping down these power supply voltages. In this embodiment, a voltage difference of 4.0 V between V 2 and V C is used as the operating power supply for the RAM.

【0048】次に、複数ライン同時選択手法について説
明する。電圧平均化法による駆動手法では、図5(A)
〜(D)に示すように、走査電極Y1,Y2〜Ynを1ラ
インずつ順次選択して走査電圧を印加すると共に、選択
された走査電極上の各画素がオンかオフかによって、そ
れに応じた信号電極波形を、各信号電極X1,X2〜Xm
に印加する。しかし、この手法では、駆動電圧が比較的
高くなり、また、コントラストが悪く、フレーム階調を
行うとフリッカーが大きい等の問題がある。そこで、上
記問題を解決する手法として複数ライン同時選択駆動手
法が提案されている。
Next, a method of simultaneously selecting a plurality of lines will be described. The driving method based on the voltage averaging method is shown in FIG.
As shown in (D), the scan electrodes Y 1 , Y 2 to Y n are sequentially selected line by line to apply a scan voltage, and depending on whether each pixel on the selected scan electrode is on or off. The signal electrode waveforms corresponding to the signal electrode waveforms are set to the respective signal electrodes X 1 , X 2 to X m.
Apply to. However, this method has problems that the driving voltage is relatively high, the contrast is poor, and flicker is large when frame gradation is performed. Therefore, as a method for solving the above problem, a multiple line simultaneous selection driving method has been proposed.

【0049】図6(A)〜(D)には、複数ライン同時
選択駆動手法を用いた場合の印加電圧波形の一例が示さ
れる。図6(A)〜(D)では、走査電極を順次3本ず
つ同時に選択する場合が示される。例えば図7(A)に
示すような画素表示を行う場合には、最初に3本の走査
電極Y1,Y2,Y3を同時選択して、それらの走査電極
1,Y2,Y3に図6(A)に示すような走査電圧を印
加する。次に、走査電極Y4,Y5,Y6を選択して、そ
れらの走査電極Y4,Y5,Y6に図6(B)に示す走査
電圧を印加する。そして、このような同時選択を全ての
走査電極Y1,Y2〜Ynについて順次行う。更に次のフ
レームでは電位を逆転し、液晶の交流化駆動を行う。複
数ライン同時選択駆動手法では、走査電極の選択の正規
直交性を保ちながら選択期間を時間的に1フレーム内に
均等分散し、これと同時に走査電極を特定本数の組(ブ
ロック)にして選択する。ここで「正規」とは、すべて
の走査電圧がフレーム周期単位で同一の実効電圧値(振
幅値)を持つことを意味する。また「直交」とは、ある
走査電極に与えられる電圧振幅が、他の任意の走査電極
に与えられる電圧振幅を1選択期間毎に積和したとき
に、フレーム周期単位では0になることを意味する。こ
の正規直交性は、単純マトリクス型LCDにおいては、
各画素を独立してオン・オフ制御するための大前提とな
るものである。例えば図6(A)〜(D)で、選択時の
1レベルを「1」,−V1レベルを「−1」とし、1フ
レーム分の行列式をF=fijとした場合に、第1行目
(Y1)と第2行目(Y2)との直交性は、 Σ(j=14)1j×f2j=1+(−1)+(−1)+1=
0 と検証される。
FIGS. 6A to 6D show examples of applied voltage waveforms when the multiple line simultaneous selection driving method is used. FIGS. 6A to 6D show a case where three scanning electrodes are sequentially selected at a time. For example, when performing pixel display as shown in FIG. 7A, first, three scan electrodes Y 1 , Y 2 and Y 3 are simultaneously selected and these scan electrodes Y 1 , Y 2 and Y are selected. 3 in applying a scanning voltage as shown in FIG. 6 (a). Next, the scan electrodes Y 4 , Y 5 , and Y 6 are selected, and the scan voltage shown in FIG. 6B is applied to those scan electrodes Y 4 , Y 5 , and Y 6 . Then, such simultaneous selection is sequentially performed for all the scan electrodes Y 1 , Y 2 to Y n . In the next frame, the potential is reversed to drive the liquid crystal in an alternating current. In the multiple line simultaneous selection driving method, the selection period is evenly distributed in one frame in time while maintaining the normal orthogonality of the selection of the scanning electrodes, and at the same time, the scanning electrodes are selected in a specific number of sets (blocks). . Here, “regular” means that all the scanning voltages have the same effective voltage value (amplitude value) in each frame period. The term "orthogonal" means that the voltage amplitude applied to a certain scan electrode becomes 0 in frame cycle units when the voltage amplitudes applied to other arbitrary scan electrodes are summed up every one selection period. To do. In the simple matrix type LCD, this orthonormality is
This is a major premise for on / off control of each pixel independently. For example, in FIGS. 6A to 6D, when the V 1 level at the time of selection is “1”, the −V 1 level is “−1”, and the determinant for one frame is F = f ij , The orthogonality between the first row (Y 1 ) and the second row (Y 2 ) is Σ (j = 1 to 4) f 1j × f 2j = 1 + (− 1) + (− 1) + 1 =
It is verified as 0.

【0050】一方、信号側電圧波形は、例えばh本を同
時選択する場合には、(h+1)個の離散的な電圧レベ
ルの中から1つの電圧レベルを表示データに応じて選択
することで決められる。電圧平均化法では、図5(A)
〜(D)に示すように、1行の選択波形に対して信号電
極(行)波形は1対1に対応していた。これに対してh
本同時選択の場合は、h本の組になった行選択波形に対
して等価的なオン・オフ電圧レベルを出力する必要があ
る。この等価的なオン・オフ電圧レベルは、オン表示デ
ータを「1」、オフ表示データを「0」としたとき、信
号電極側データパターンと行列式F=fijの列パターン
(走査電極選択パターン)との不一致数Cで決められ
る。例えば列パターンが(1,1,1)である場合を考
えると、信号電極側データパターン及びXドライバ出力
電圧は図7(B)に示すようになる。従って、列パター
ンが決まっていれば、Xドライバの出力電圧は、不一致
数又は信号電極データパターンから直接Xドライバの出
力電圧をデコードすることで決定される。即ち、駆動信
号決定回路111が、フレームメモリ109からの3行
分の信号電極データパターンと、FR信号と、FIS信
号とに基づいて駆動電圧情報を求め、この駆動電圧情報
に基づきXドライバの出力電圧が求められる。具体的な
信号電極電圧波形は図6(C)に示すようになる。図7
(A)における信号電極X1と走査電極Y1,Y2,Y3
の交差画素の表示は、順に1(オン),1(オン),0
(オフ)で、これに対する最初の△t内の走査電極の電
圧値は、順に1(V1),1(V1),0(−V1)であ
る。従って、不一致数は0であるから、信号電極X1
最初の△t内の出力電圧は、図7(B)より−V3とな
る。以下、同様にして信号電極の出力電圧波形が決めら
れる。
On the other hand, the voltage waveform on the signal side is determined by selecting one voltage level from (h + 1) discrete voltage levels according to the display data when, for example, h lines are simultaneously selected. To be In the voltage averaging method, FIG.
As shown in (D) to (D), the signal electrode (row) waveform has a one-to-one correspondence with the selection waveform of one row. On the other hand, h
In the case of the simultaneous selection, it is necessary to output an equivalent on / off voltage level for the row selection waveforms of h sets. This equivalent ON / OFF voltage level is obtained by setting the ON display data to “1” and the OFF display data to “0”, and the data pattern on the signal electrode side and the column pattern of the determinant F = f ij (scan electrode selection pattern). ) And the number of disagreements with C. For example, considering a case where the column pattern is (1, 1, 1), the signal electrode side data pattern and the X driver output voltage are as shown in FIG. 7B. Therefore, if the column pattern is determined, the output voltage of the X driver is determined by directly decoding the output voltage of the X driver from the number of mismatches or the signal electrode data pattern. That is, the drive signal determination circuit 111 obtains drive voltage information based on the signal electrode data patterns for three rows from the frame memory 109, the FR signal, and the FIS signal, and outputs the X driver based on this drive voltage information. Voltage is required. A specific signal electrode voltage waveform is as shown in FIG. Figure 7
The display of the intersection pixels of the signal electrode X 1 and the scan electrodes Y 1 , Y 2 , and Y 3 in (A) is 1 (on), 1 (on), 0 in order.
At (OFF), the voltage values of the scan electrodes in the first Δt corresponding thereto are 1 (V 1 ), 1 (V 1 ), 0 (−V 1 ) in that order. Therefore, since the number of mismatches is 0, the output voltage in the first Δt of the signal electrode X 1 is −V 3 from FIG. 7B. Thereafter, the output voltage waveform of the signal electrode is similarly determined.

【0051】本出願人は、特願平5−515531にお
いて、上記複数ライン同時選択駆動手法の改良である均
等分散型の複数ライン同時選択駆動手法について説明し
ている。この均等分散型複数ライン同時選択駆動手法
は、順次複数本の走査電極を同時に選択し、かつその選
択期間を1フレームの中で複数回に分けて電圧印加を行
うものである。即ち、1フレーム中に1回(まとめてh
△tの期間)選択するのではなく、その選択期間を1フ
レーム中で複数回に分けて(分散して)電圧を印加す
る。これにより1フレーム中に、画素には複数回電圧が
印加されることになるので、明るさが維持されコントラ
ストを高めることができる。この場合、4つの列パター
ンを1つずつ4回に分けて電圧印加を行ってもよいし、
例えば2つずつ2回に分けて電圧印加を行っても良い。
The present applicant describes in Japanese Patent Application No. 5-515531 a uniform distribution type multiple line simultaneous selection drive method which is an improvement of the multiple line simultaneous selection drive method. In this uniform dispersion type multiple line simultaneous selection drive method, a plurality of scan electrodes are sequentially selected at the same time, and a voltage is applied by dividing the selection period into a plurality of times within one frame. That is, once in one frame (collectively h
Instead of selecting (a period of Δt), the voltage is applied by dividing the selected period into a plurality of times (dispersed) in one frame. As a result, the voltage is applied to the pixel a plurality of times during one frame, so that the brightness can be maintained and the contrast can be increased. In this case, the voltage may be applied by dividing each of the four column patterns into four times,
For example, the voltage may be applied to each two times twice.

【0052】さて、以上説明した複数ライン同時選択手
法では、3本の走査電極を同時に選択するため、第2の
電源電圧群はV3、V2、−V2、−V3の4レベルにな
る。そして、VDD=V3=0Vとした場合には、フレー
ムメモリ109等の電源端子VDD、VSSには、V3、V2
あるいはV3、−V2あるいはV3、−V3のいずれかのペ
アが供給される。一方、VSS=−V3=0Vとした場合
には、フレームメモリ109等の電源端子VDD、VSS
は、−V2、−V3あるいはV2、−V3あるいはV3、−
3のいずれかのペアが供給される。いずれにせよ、こ
れらのペア間における電圧差(例えばV3、−V3の電圧
差)の少なくとも1つは、低電圧振幅動作部分101に
供給されるVDD、VSS間の電圧差よりも大きくなってお
り、これによりフレームメモリ109の正常動作が保証
される。以上のことは、同時に選択する本数が4本以上
になり、第2の電源電圧群が5レベル以上になった場合
も同様である。
In the multiple line simultaneous selection method described above, three scanning electrodes are simultaneously selected, so that the second power supply voltage group has four levels of V 3 , V 2 , -V 2 and -V 3. Become. When V DD = V 3 = 0V, the power supply terminals V DD and V SS of the frame memory 109 and the like have V 3 and V 2 respectively.
Alternatively, either V 3 , -V 2 or V 3 , -V 3 pair is supplied. On the other hand, when V SS = −V 3 = 0V, the power supply terminals V DD and V SS of the frame memory 109 and the like have −V 2 , −V 3 or V 2 , −V 3 or V 3 , −.
Either pair of V 3 is supplied. In any case, at least one of the voltage differences between these pairs (for example, the voltage difference between V 3 and −V 3 ) is more than the voltage difference between V DD and V SS supplied to the low voltage amplitude operating portion 101. Since the size of the frame memory 109 is large, the normal operation of the frame memory 109 is guaranteed. The above is the same when the number of simultaneously selected lines is four or more and the second power supply voltage group is five or more levels.

【0053】(第2の実施例)図1に示す第1の実施例
においては、高電圧振幅動作部分102のラッチ回路1
12、駆動信号決定回路111、フレームメモリ10
9、レベルシフタ108に対しては、第2の電源電圧群
2、VCが直接供給されていた。しかし、このように直
接にV2、VCを供給すると、電圧セレクタ113のスイ
ッチングによる電圧レベルの変動が、これらの回路、特
にフレームメモリ109の安定動作に影響を与える。第
2の実施例は、この点を考慮したもので、第2の電源電
圧群を、直接にこれらの回路に供給せずに、定電圧回路
を通じて供給するものである。図8に、第2の実施例に
係るXドライバの全体構成のブロック図を示す。図8で
は、図1で示した構成ブロックと同じ番号を付したもの
は第1の実施例で説明したものと同じである。ここで
は、新たに定電圧回路401が付加されている。この定
電圧回路401には、第2の電源電圧群V2、VC、−V
2が入力され、定電圧化された電圧VDD2=0V、VSS2
=−4.0Vが生成されてラッチ回路112、駆動信号
決定回路111、フレームメモリ109、レベルシフタ
108に供給される。これにより、これらの回路の安定
動作が保証される。
(Second Embodiment) In the first embodiment shown in FIG. 1, the latch circuit 1 of the high voltage amplitude operating portion 102 is used.
12, drive signal determination circuit 111, frame memory 10
9. The second power supply voltage groups V 2 and V C were directly supplied to the level shifter 108. However, when V 2 and V C are directly supplied as described above, the fluctuation of the voltage level due to the switching of the voltage selector 113 affects the stable operation of these circuits, particularly the frame memory 109. In the second embodiment, this point is taken into consideration, and the second power supply voltage group is supplied not through these circuits directly but through a constant voltage circuit. FIG. 8 shows a block diagram of the overall configuration of the X driver according to the second embodiment. In FIG. 8, those having the same reference numerals as the constituent blocks shown in FIG. 1 are the same as those described in the first embodiment. Here, a constant voltage circuit 401 is newly added. This constant voltage circuit 401, the second power supply voltage group V 2, V C, -V
2 is input and a constant voltage V DD2 = 0V, V SS2
= -4.0 V is generated and supplied to the latch circuit 112, the drive signal determination circuit 111, the frame memory 109, and the level shifter 108. This guarantees stable operation of these circuits.

【0054】図9に定電圧回路401の構成の一例を示
す。この定電圧回路401は、Pチャンネルトランジス
タ501、502(P1、P2)、Nチャネルトランジ
スタ503、504、505(N1、N2、N3)、同
じ抵抗値を持つ抵抗506、507(R、R)、オペア
ンプ508(OP)を含む。次に動作を説明する。P
1、P2、N1、N2から構成される基準電圧発生部で
は、P1とP2のVthが等しくしなっており、P1とP
2、N1とN2のトランジスタ能力が等しくなってい
る。この構成により、A点に(Vth2−Vth1)の基準電
圧が発生する。ここで、Vth1、Vth2はそれぞれN1お
よびN2のしきい値電圧である。今、仮にVth1=2.
5V、Vth2=0.5Vとすると、A点の電圧はVcの変
動に係わらず常に一定であり、−2.0Vとなる。そし
て、A点はオペアンプ508の反転入力端子に接続され
る。この時、トランジスタN3がオンして抵抗Rに電流
が流れると、オペアンプ508のイマジナリショート機
能により、C点の電圧が−2.0Vに固定される。抵抗
506、507に流れる電流は等しく、抵抗506、5
07の抵抗値も同じである。従って、抵抗506、50
7における電圧降下は等しくなり、B点の電圧は−4.
0Vとなる。この電圧は、−V2の変動に関わらず常に
一定の定電圧となる。そして、この定電圧がVSS2とし
てフレームメモリ109等に供給される。VDD2に関し
ては、基準電圧であるV2=0Vがそのまま供給され
る。以上によりフレームメモリ109等の安定動作が保
証される。
FIG. 9 shows an example of the configuration of the constant voltage circuit 401. This constant voltage circuit 401 includes P-channel transistors 501, 502 (P1, P2), N-channel transistors 503, 504, 505 (N1, N2, N3), resistors 506, 507 (R, R) having the same resistance value, It includes an operational amplifier 508 (OP). Next, the operation will be described. P
In the reference voltage generating section composed of 1, P2, N1 and N2, Vth of P1 and P2 are equal, and P1 and P2 are equal.
2, N1 and N2 have the same transistor capability. With this configuration, a reference voltage of (V th2 −V th1 ) is generated at the point A. Here, V th1 and V th2 are threshold voltages of N1 and N2, respectively. Now, suppose V th1 = 2.
5V, when the V th2 = 0.5V, the voltage of the point A is always constant irrespective of the variation of V c, a -2.0 V. The point A is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier 508. At this time, when the transistor N3 is turned on and a current flows through the resistor R, the voltage at the point C is fixed to −2.0 V by the imaginary short circuit function of the operational amplifier 508. The currents flowing through the resistors 506 and 507 are equal,
The resistance value of 07 is also the same. Therefore, the resistors 506, 50
The voltage drop at point 7 is equal, and the voltage at point B is -4.
It becomes 0V. This voltage is always constant constant voltage regardless of variations of -V 2. Then, this constant voltage is supplied to the frame memory 109 and the like as V SS2 . Regarding V DD2 , V 2 = 0V which is the reference voltage is supplied as it is. As described above, stable operation of the frame memory 109 and the like is guaranteed.

【0055】(第3の実施例)液晶表示システムにおい
ては、低消費電力化のために液晶駆動用電源をオフさせ
る場合がある。例えばディスプレイオフと呼ばれるモー
ドでは、全ての液晶電源電圧が同電圧に固定される。液
晶駆動用電源がオフすると、図1に示す第1の実施例及
び図8に示す第2の実施例のXドライバでは、高電圧振
幅動作部分102に供給される第2の電源がオフされる
ことになる。すると、フレームメモリ109に記憶され
ている表示データがクリアされ、喪失される事態が生じ
る。
(Third Embodiment) In the liquid crystal display system, the liquid crystal driving power supply may be turned off in order to reduce power consumption. For example, in a mode called display off, all liquid crystal power supply voltages are fixed to the same voltage. When the liquid crystal driving power supply is turned off, in the X driver of the first embodiment shown in FIG. 1 and the second embodiment shown in FIG. 8, the second power supply supplied to the high voltage amplitude operating portion 102 is turned off. It will be. Then, the display data stored in the frame memory 109 is cleared and may be lost.

【0056】第3の実施例は、この点を考慮したもの
で、第2の電源電圧群の電圧状態(オフ状態)を監視
し、第2の電源がオフした場合には、第1の電源をフレ
ームメモリに供給して表示データを保持するものであ
る。図10に第3の実施例に係るXドライバの全体構成
のブロック図を示す。図10では、図1、図8で示した
構成ブロックと同じ番号を付したものは第1、第2の実
施例で説明したものと同じである。ここでは、第2の実
施例に比べて電源監視回路601が新たに付加されてい
る。この電源監視回路601は、高電圧振幅動作部分1
02の中のフレームメモリ109、駆動信号決定回路1
11、ラッチ回路112に供給されているVDD2、VSS2
の電圧差を監視する。そして、第2の電源がオン状態に
あるかオフ状態にあるかを端子MONIを介して外部の
MPU等に知らせる。従って、外部のMPU等は、Xド
ライバに表示データを送る際に、このMONI端子をモ
ニタすることで表示データの転送の可否判断が可能とな
る。即ち、第2の電源がオフになると、フレームメモリ
109はデータ書き込み不可になる。従って、外部のM
PU等が無駄なデータをフレームメモリ109に書き込
まないように、あるいは、実際にはデータを書き込めな
いのに書き込んだと誤判断しないように、MONI端子
を用いて電源のオン・オフ状態を外部のMPU等に知ら
せるのである。
The third embodiment takes this point into consideration. The voltage state (off state) of the second power supply voltage group is monitored, and when the second power supply is turned off, the first power supply is turned on. Is supplied to the frame memory to hold display data. FIG. 10 shows a block diagram of the overall configuration of the X driver according to the third embodiment. In FIG. 10, the components having the same numbers as the constituent blocks shown in FIGS. 1 and 8 are the same as those described in the first and second embodiments. Here, a power supply monitoring circuit 601 is newly added as compared with the second embodiment. The power supply monitoring circuit 601 includes a high voltage amplitude operation part 1
02, frame memory 109, drive signal determination circuit 1
11, V DD2 and V SS2 supplied to the latch circuit 112
Monitor the voltage difference between. Then, the external MPU or the like is notified via the terminal MONI whether the second power source is in the ON state or the OFF state. Therefore, the external MPU or the like can judge whether or not the display data can be transferred by monitoring the MONI terminal when sending the display data to the X driver. That is, when the second power supply is turned off, data cannot be written in the frame memory 109. Therefore, the external M
To prevent the PU or the like from writing useless data in the frame memory 109, or in order not to make a mistaken judgment that the data has been actually written, the ON / OFF state of the power supply is controlled by an external device using the MONI terminal. Notify the MPU etc.

【0057】更に、電源監視回路601は、第2の電源
がオン状態の場合には正常に第2の電源電圧群VDD2
SS2をフレームメモリ109に供給し、第2の電源が
オフした場合には第1の電源電圧群VDD、VSSをフレー
ムメモリ109に供給する。これにより、フレームメモ
リ109内の表示データが保持される。これは、ハイレ
ジタイプのRAMでは、第1の電源電圧(電圧差2.7
V)では書き込み動作、読み出し動作を行えないが、デ
ータの保持動作は可能であるという点を利用したもので
ある。
Further, the power supply monitoring circuit 601 normally operates the second power supply voltage group V DD2 when the second power supply is in the ON state.
V SS2 is supplied to the frame memory 109, and when the second power supply is turned off, the first power supply voltage groups V DD and V SS are supplied to the frame memory 109. As a result, the display data in the frame memory 109 is held. This is because in the high-registration type RAM, the first power supply voltage (voltage difference 2.7
In V), the writing operation and the reading operation cannot be performed, but the data holding operation is possible.

【0058】図11には、電源監視回路401の構成の
一例が示される。この電源監視回路401は、Pチャン
ネルトランジスタ701、702(P1、P2)、Nチ
ャンネルトランジスタ703、704、708(N1、
N2、N3)、抵抗値の比が5:3である抵抗705、
706(5R、3R)、コンパレータ707(COM
P)を含む。次に、電源監視回路401の動作について
図12に示す電圧波形図を用いて説明する。P1、P
2、N1、N2で構成される部分が基準電圧発生部であ
り、動作は定電圧回路の説明で既に述べた通りである。
この基準電圧発生部はVA=−2.0Vを発生し、この
Aはコンパレータ707の反転入力端子に入力され
る。一方、コンパレータ707の非反転入力端子にはV
Bが入力される。ここで、V2=VDD=0Vであるため、
第2の電源がオン状態の時は、VDDとVSS2間の電圧差
4.0Vを抵抗5Rと3Rで分割した電圧がVB=−
2.5Vとなる。従って、図12に示すように、VA
Bよりコンパレータ707の出力MONIは−2.7
Vとなり、トランジスタN3はオフする。そして、N3
に接続される端子VOUTはVSS2と接続されており、V
SS2には−4.0Vが供給されている。従って、N3が
オフの場合にはVOUTには−4.0Vが出力される。こ
れにより、フレームメモリ109の電源端子VDD、VSS
には0V、−4.0Vが入力され、フレームメモリ10
9の正常な読み出し・書き込み動作が保証される。
FIG. 11 shows an example of the configuration of the power supply monitoring circuit 401. The power supply monitoring circuit 401 includes P-channel transistors 701 and 702 (P1 and P2) and N-channel transistors 703, 704, and 708 (N1,
N2, N3), and a resistance 705 having a resistance value ratio of 5: 3,
706 (5R, 3R), comparator 707 (COM
P) is included. Next, the operation of the power supply monitoring circuit 401 will be described using the voltage waveform diagram shown in FIG. P1, P
The portion constituted by 2, N1 and N2 is the reference voltage generating portion, and the operation is as already described in the explanation of the constant voltage circuit.
This reference voltage generator generates V A = −2.0 V, and this V A is input to the inverting input terminal of the comparator 707. On the other hand, V is applied to the non-inverting input terminal of the comparator 707.
B is input. Here, since V 2 = V DD = 0V,
When the second power source is in the ON state, a voltage obtained by dividing the voltage difference of 4.0 V between V DD and V SS2 by the resistors 5R and 3R is V B =-
It becomes 2.5V. Therefore, as shown in FIG. 12, V A >
The output MONI of the comparator 707 is -2.7 from V B.
The voltage becomes V and the transistor N3 is turned off. And N3
The terminal V OUT connected to is connected to V SS2 ,
-4.0V is supplied to SS2 . Therefore, when N3 is off, -4.0 V is output to V OUT . As a result, the power supply terminals V DD and V SS of the frame memory 109
0V and -4.0V are input to the frame memory 10
9 normal read / write operations are guaranteed.

【0059】一方、第2の電源がオフ状態の場合には以
下のようになる。即ち、図9に示した定電圧回路401
の構成を見れば理解されるように、VSS2は抵抗50
6、507を介してVDD(V2と同一)と接続される。
従って、電源監視回路601の出力VOUTも抵抗50
6、507を介してVDDと接続される。しかし、コンパ
レータ707の非反転入力にはVB=0Vが入力される
ため、コンパレータ707の出力MONIは0Vとな
り、トランジスタN3がオンする。この結果、VOUT
SS=−2.7Vに接続され、図12に示すようにV
OUTには−2.7Vが出力される。これにより、フレー
ムメモリ109の電源端子VDD、VSSには0V、−2.
7Vが入力される。従って、フレームメモリ109は、
書き込み動作・読み出し動作を行えないが、データの保
持動作は可能となり、表示データのバックアップが可能
となる。
On the other hand, when the second power source is in the off state, the following occurs. That is, the constant voltage circuit 401 shown in FIG.
As can be understood by looking at the configuration of V SS2 ,
6, 507 and V DD (identical to V 2 ).
Therefore, the output V OUT of the power supply monitoring circuit 601 is also the resistor 50.
Connected to V DD via 6, 507. However, since V B = 0V is input to the non-inverting input of the comparator 707, the output MONI of the comparator 707 becomes 0V and the transistor N3 turns on. As a result, V OUT is connected to V SS = -2.7 V, and as shown in FIG.
-2.7V is output to OUT . As a result, 0V is applied to the power supply terminals V DD and V SS of the frame memory 109, -2.
7V is input. Therefore, the frame memory 109 is
Although writing / reading operations cannot be performed, data holding operations are possible and display data can be backed up.

【0060】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。
The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention.

【0061】例えば、上記第1〜第3の実施例では、複
数ライン同時選択駆動手法を採用したXドライバを例に
とり説明を行ったが、本発明はこれに限らず電圧平均化
法を用いたXドライバにも適用できる。図13には、こ
の場合の構成の一例が示される。図14と異なるのは以
下の点である、まず、高電圧振幅動作部分902には、
レベルシフタ921、電圧セレクタ922以外に、フレ
ームメモリ916、ラッチ回路918、レベルシフタ9
30が配置され、ローアドレスカウンタデコーダ90
4、データレジスタ914からの信号はレベルシフタ9
30によりレベル変換されフレームメモリ916に入力
される。また、定電圧回路932が設けられ、高い電圧
の第2の電源電圧群が、高集積化プロセスで作られるR
AMが動作できる電圧VDD3、VSS3まで降圧され、フレ
ームメモリ916等に供給される。また、ラッチ回路9
18と電圧セレクタ922との間には、ラッチ回路91
8の出力信号を第2の電源電圧群V0〜V5のレベルま
で昇圧するためのレベルシフタ921が設けられてい
る。この場合、フレームメモリ916に供給される電源
電圧VDD3、VSS3間の電圧差は、例えばV0、V5間の電
圧差よりも小さく、低電圧振幅動作部分901に供給さ
れるVDD、VSS間の電圧差よりも大きく設定されてい
る。このように設定することで、フレームメモリ916
をハイレジタイプのRAMセルで構成できると共に、フ
レームメモリ916、ラッチ回路918を高耐圧のプロ
セスで製造する必要が無くなる。これにより、チップ面
積の小規模化、装置の低消費電力化を図ることができ
る。但し、電圧平均化法を用いた場合の本発明の構成
は、図13に示す構成に限られるものではない。更に、
本発明は、単純マトリクス型の液晶表示装置のみなら
ず、他のタイプの液晶表示装置にも適用できる。
For example, in the above-mentioned first to third embodiments, the explanation has been given by taking the X driver adopting the multiple line simultaneous selection driving method as an example, but the present invention is not limited to this, and the voltage averaging method is used. It can also be applied to the X driver. FIG. 13 shows an example of the configuration in this case. The following points are different from FIG. 14. First, in the high voltage amplitude operating portion 902,
In addition to the level shifter 921 and the voltage selector 922, a frame memory 916, a latch circuit 918, a level shifter 9
30 is arranged, and a row address counter decoder 90
4, the signal from the data register 914 is the level shifter 9
The level is converted by 30 and input to the frame memory 916. Further, a constant voltage circuit 932 is provided, and a second high-voltage power supply voltage group R is formed by a highly integrated process.
It is stepped down to voltages V DD3 and V SS3 at which the AM can operate and supplied to the frame memory 916 and the like. Also, the latch circuit 9
18 and the voltage selector 922 between the latch circuit 91.
A level shifter 921 for boosting the output signal of No. 8 to the level of the second power supply voltage group V0 to V5 is provided. In this case, the voltage difference between the power supply voltages V DD3 and V SS3 supplied to the frame memory 916 is smaller than the voltage difference between V 0 and V 5 , for example, and V DD supplied to the low voltage amplitude operating portion 901 is: It is set to be larger than the voltage difference between V SS . By setting in this way, the frame memory 916
Can be constituted by a high-registration type RAM cell, and it is not necessary to manufacture the frame memory 916 and the latch circuit 918 by a high withstand voltage process. As a result, the chip area can be reduced and the power consumption of the device can be reduced. However, the configuration of the present invention using the voltage averaging method is not limited to the configuration shown in FIG. Furthermore,
The present invention can be applied not only to a simple matrix type liquid crystal display device but also to other types of liquid crystal display devices.

【0062】また、本実施例ではハイレジタイプのRA
Mを用いた例を示したが、本発明はこれに限らない。例
えば、ハイレジタイプのRAMよりも低電圧で動作する
TFT(thin film transistor)
タイプのRAMを用いてもよい。この場合には、TFT
で構成するRAMの正常な動作が保証される電源電圧差
の下限値が、低電圧振幅動作部分に供給する第1の電源
電圧群の電圧差を上回ればよい。更に、本発明は、これ
以外にも、フレームメモリを構成するメモリとして、S
RAM、DRAM、E2PROM等のメモリを採用する
こともできる。また、高抵抗素子の代わりにディプレッ
ションタイプのトランジスタを用いる構成も考えられ
る。
Further, in this embodiment, a high registration type RA is used.
Although the example using M is shown, the present invention is not limited to this. For example, a TFT (thin film transistor) that operates at a lower voltage than a high registration type RAM
A type of RAM may be used. In this case, the TFT
It suffices that the lower limit value of the power supply voltage difference that guarantees the normal operation of the RAM configured in (3) exceeds the voltage difference of the first power supply voltage group supplied to the low voltage amplitude operating portion. Further, in addition to this, the present invention provides an S memory as a memory constituting the frame memory.
A memory such as RAM, DRAM, or E 2 PROM can also be adopted. Further, a configuration in which a depletion type transistor is used instead of the high resistance element is also conceivable.

【0063】[0063]

【発明の効果】本発明によれば、低電圧振幅動作では読
み出し・書き込み不良となる表示データ記憶手段を正常
に動作させることができると共に、低電圧振幅動作部分
の動作電圧を低電圧化できる。これにより、表示データ
記憶手段を小規模化することが可能になると共に、消費
電力の低減化を図ることができる。この結果、装置のコ
スト低減を図れると共に、携帯用電子機器に採用される
液晶表示装置に最適な液晶駆動装置を提供できる。
According to the present invention, it is possible to normally operate the display data storage means which is defective in reading and writing in the low voltage amplitude operation, and to lower the operating voltage of the low voltage amplitude operating portion. As a result, the display data storage means can be downsized and the power consumption can be reduced. As a result, it is possible to reduce the cost of the device and to provide the optimal liquid crystal drive device for the liquid crystal display device adopted in the portable electronic device.

【0064】また、本発明によれば、従来のフルCMO
SタイプのRAMセルを採用する場合に比べて大幅にチ
ップ面積を小規模化することができる。
Further, according to the present invention, the conventional full CMO is used.
The chip area can be significantly reduced as compared with the case where the S type RAM cell is adopted.

【0065】また、本発明によれば、電圧平均化法を採
用する液晶駆動装置において、表示データ記憶手段を小
規模化できると共に、消費電力の低減化を図ることがで
きる。
Further, according to the present invention, in the liquid crystal driving device adopting the voltage averaging method, the display data storage means can be downsized and the power consumption can be reduced.

【0066】また、本発明によれば、複数ライン同時選
択駆動手法を採用する液晶駆動装置において、表示デー
タ記憶手段を小規模化できると共に、消費電力の低減化
を図ることができる。そして、表示データ記憶手段、駆
動信号決定手段、ラッチ手段、電圧セレクト手段を高耐
圧のプロセスで製造する必要が無くなるため、チップ面
積を更に小さくすることができる。
Further, according to the present invention, in the liquid crystal drive device adopting the plural line simultaneous selection drive method, the display data storage means can be downsized and the power consumption can be reduced. Further, since it is not necessary to manufacture the display data storage means, the drive signal determination means, the latch means, and the voltage selection means in a high breakdown voltage process, the chip area can be further reduced.

【0067】また、本発明によれば、表示データ記憶手
段の安定動作を保証でき、表示データが喪失したり、誤
ったデータに化けることを防止できる。
Further, according to the present invention, the stable operation of the display data storage means can be guaranteed, and the display data can be prevented from being lost or being erroneously converted into erroneous data.

【0068】また、本発明によれば、例えばディスプレ
イオフ等により第2の電源がオフ状態になった場合等で
も、データを正常に保持させておくことが可能となり、
装置に表示データをバックアップする機能を持たすこと
が可能となる。
Further, according to the present invention, it becomes possible to hold the data normally even when the second power source is turned off, for example, by turning off the display.
The device can have a function of backing up display data.

【0069】また、本発明によれば、外部にあるMPU
等の装置が、無駄なデータを表示データ記憶手段に書き
込んだり、あるいは、実際にはデータが書き込まれてい
ないのに書き込んだと誤判断するような事態を防止でき
る。
Further, according to the present invention, an external MPU
It is possible to prevent a situation in which such a device writes useless data in the display data storage means or erroneously determines that data has been written even though no data is actually written.

【0070】また、本発明によれば、第2の電源の状態
を監視すると共に、第2の電源等がオフとなった場合に
確実に表示データ記憶手段に第1の電源電圧を供給する
ことが可能となる。
Further, according to the present invention, the state of the second power source is monitored, and the first power source voltage is surely supplied to the display data storage means when the second power source or the like is turned off. Is possible.

【0071】また、本発明によれば、液晶表示装置のコ
スト、消費電力を低く抑えることが可能となり、携帯用
の電子機器等に最適な液晶表示装置を提供することがで
きる。
Further, according to the present invention, the cost and power consumption of the liquid crystal display device can be kept low, and the liquid crystal display device suitable for portable electronic equipment can be provided.

【0072】[0072]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例に係る信号電極駆動回路
(Xドライバ)の全体構成を表すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an overall configuration of a signal electrode drive circuit (X driver) according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第2の電源電圧群の電位関係を表す図である。FIG. 2 is a diagram showing a potential relationship of a second power supply voltage group.

【図3】レベルシフタの構成の一例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of the configuration of a level shifter.

【図4】第1の実施例において駆動信号決定回路、ラッ
チ回路を低電圧振幅動作部分に配置した場合の信号電極
駆動回路の構成の一例を示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing an example of a configuration of a signal electrode drive circuit when a drive signal determination circuit and a latch circuit are arranged in a low voltage amplitude operation portion in the first embodiment.

【図5】図5(A)〜(D)は、電圧平均化法を用いた
場合の走査電極、信号電極、液晶素子に印加される電圧
の波形図である。
5A to 5D are waveform diagrams of voltages applied to scan electrodes, signal electrodes, and liquid crystal elements when a voltage averaging method is used.

【図6】図6(A)〜(D)は、複数ライン同時選択駆
動手法を用いた場合の走査電極、信号電極、液晶素子に
印加される電圧の波形図である。
FIGS. 6A to 6D are waveform diagrams of voltages applied to scan electrodes, signal electrodes, and liquid crystal elements in the case of using a multiple line simultaneous selection driving method.

【図7】図7(A)は、画素のオン・オフ状態の一例を
示す図であり、図7(B)は、不一致数と信号電極デー
タパターンとデータパターン数とXドライバ出力電圧の
関係を表す図である。
7A is a diagram showing an example of an on / off state of a pixel, and FIG. 7B is a diagram showing the relationship between the number of mismatches, the signal electrode data pattern, the number of data patterns, and the X driver output voltage. It is a figure showing.

【図8】本発明の第2の実施例に係る信号電極駆動回路
の全体構成を表すブロック図である。
FIG. 8 is a block diagram showing an overall configuration of a signal electrode drive circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図9】定電圧回路の構成の一例を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing an example of a configuration of a constant voltage circuit.

【図10】本発明の第3の実施例に係る信号電極駆動回
路の全体構成を表すブロック図である。
FIG. 10 is a block diagram showing an overall configuration of a signal electrode drive circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図11】電源監視回路の構成の一例を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing an example of a configuration of a power supply monitoring circuit.

【図12】電源監視回路の動作を説明するための波形図
である。
FIG. 12 is a waveform diagram for explaining the operation of the power supply monitoring circuit.

【図13】電圧平均化法を用いた場合の本発明の構成の
一例を示すブロック図である。
FIG. 13 is a block diagram showing an example of a configuration of the present invention when a voltage averaging method is used.

【図14】従来の信号電極駆動回路の全体構成を示すブ
ロック図である。
FIG. 14 is a block diagram showing an overall configuration of a conventional signal electrode drive circuit.

【図15】ハイレジタイプ(高抵抗負荷型)のRAMの
構成の一例を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing an example of a configuration of a high registration type (high resistance load type) RAM.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 低電圧振幅動作部分 102 高電圧振幅動作部分 103 チップイネーブルコントロール回路 104 タイミング回路 105 データ入力制御回路 106 入力レジスタ 107 書込みレジスタ 108 レベルシフタ 109 フレームメモリ 110 行アドレスレジスタ 111 駆動信号決定回路 112 ラッチ回路 113 電圧セレクタ 301 インバータ 302 Nチャンネルトランジスタ 303 Nチャンネルトランジスタ 304 Pチャンネルトランジスタ 305 Pチャンネルトランジスタ 401 定電圧回路 501 Pチャンネルトランジスタ 502 Pチャンネルトランジスタ 503 Nチャンネルトランジスタ 504 Nチャンネルトランジスタ 505 Nチャンネルトランジスタ 506 抵抗 507 抵抗 508 オペアンプ 601 電源監視回路 701 Pチャンネルトランジスタ 702 Pチャンネルトランジスタ 703 Nチャンネルトランジスタ 704 Nチャンネルトランジスタ 705 抵抗 706 抵抗 707 コンパレータ 708 Nチャンネルトランジスタ 801 Nチャンネルトランジスタ 802 Nチャンネルトランジスタ 803 Nチャンネルトランジスタ 804 Nチャンネルトランジスタ 805 抵抗 806 抵抗 807 ワードライン 808 ビットライン 809 ビットラインバー 901 低電圧振幅動作部分 902 高電圧振幅動作部分 904 ローアドレスカウンタデコーダ 906 タイミング回路 908 データ入力制御回路 910 チップイネーブルコントロール回路 912 双方向シフトレジスタ 914 データレジスタ 916 フレームメモリ 918 ラッチ回路 921 レベルシフタ 922 電圧セレクタ 930 レベルシフタ 932 定電圧回路 101 Low Voltage Amplitude Operating Part 102 High Voltage Amplitude Operating Part 103 Chip Enable Control Circuit 104 Timing Circuit 105 Data Input Control Circuit 106 Input Register 107 Write Register 108 Level Shifter 109 Frame Memory 110 Row Address Register 111 Drive Signal Determining Circuit 112 Latch Circuit 113 Voltage Selector 301 Inverter 302 N-channel transistor 303 N-channel transistor 304 P-channel transistor 305 P-channel transistor 401 Constant voltage circuit 501 P-channel transistor 502 P-channel transistor 503 N-channel transistor 504 N-channel transistor 505 N-channel transistor 506 Resistor 507 Resistor 508 Operational amplifier 601Power supply monitoring circuit 701 P-channel transistor 702 P-channel transistor 703 N-channel transistor 704 N-channel transistor 705 Resistor 706 Resistor 707 Comparator 708 N-channel transistor 801 N-channel transistor 802 N-channel transistor 803 N-channel transistor 804 N-channel transistor 805 Resistor 806 Resistor 807 Word line 808 Bit line 809 Bit line bar 901 Low voltage amplitude operation part 902 High voltage amplitude operation part 904 Row address counter decoder 906 Timing circuit 908 Data input control circuit 910 Chip enable control circuit 912 Bidirectional shift register 914 Data register 916 Frame memory 9 8 latch circuit 921 level shifter 922 voltage selector 930 level shifter 932 voltage regulator

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 コントロールロジック部を少なくとも有
し第1の電源電圧群が供給されて動作する低電圧振幅動
作部分と、液晶パネル上にマトリクス状に配置される液
晶素子を駆動するために使用される第2の電源電圧群が
供給されて動作する高電圧振幅動作部分とを含む液晶駆
動装置であって、 前記第2の電源電圧群に含まれる少なくとも1対の高電
位側電源電圧と低電位側電源電圧との電圧差が、前記第
1の電源電圧群に含まれる高電位側電源電圧と低電位側
電源電圧との電圧差よりも大きく設定され、 前記液晶パネルに画像表示を行うための表示データを記
憶する表示データ記憶手段と、 前記第2の電源電圧群、あるいは、該第2の電源電圧群
を電源変換手段により変換することで得られる第3の電
源電圧群を、前記表示データ記憶手段の動作電源として
供給する手段とを含むことを特徴とする液晶駆動装置。
1. A low-voltage-amplitude operating part which has at least a control logic part and which is operated by being supplied with a first power supply voltage group, and which is used for driving liquid crystal elements arranged in a matrix on a liquid crystal panel. A liquid crystal driving device including a high voltage amplitude operating portion which is supplied with a second power supply voltage group and operates, wherein at least one pair of high-potential-side power supply voltage and low potential included in the second power supply voltage group. The voltage difference with the side power supply voltage is set to be larger than the voltage difference between the high-potential-side power supply voltage and the low-potential-side power supply voltage included in the first power supply voltage group, and is for displaying an image on the liquid crystal panel. The display data storage means for storing display data, the second power supply voltage group, or the third power supply voltage group obtained by converting the second power supply voltage group by the power supply conversion means is used as the display data. Memorizer And a means for supplying it as an operating power source for the stage.
【請求項2】 請求項1において、 前記表示データ記憶手段が随時書き込み読み出し可能な
複数のRAMセルを含み、該RAMセルが、データを保
持するための少なくとも1対のトランジスタと、該1対
のトランジスタの各々に接続され該トランジスタに動作
電流を供給するための高抵抗素子とを含むことを特徴と
する液晶駆動装置。
2. The display data storage means according to claim 1, wherein the display data storage means includes a plurality of RAM cells that can be written and read at any time, and the RAM cells include at least one pair of transistors for holding data, and the one pair of transistors. A liquid crystal driving device comprising: a high resistance element connected to each of the transistors to supply an operating current to the transistors.
【請求項3】 請求項1又は2のいずれかにおいて、 前記液晶パネルが複数の走査電極とこれらと交差する複
数の信号電極を含み、 前記表示データ記憶手段から読み出される表示データを
ラッチする手段と、ラッチされた表示データの電圧レベ
ル変換を行うレベルシフト手段と、電圧レベル変換され
た表示データに基づいて前記第2の電源電圧群から液晶
駆動電圧を選択し、該液晶駆動電圧を前記信号電極に出
力する電圧セレクト手段とを含み、 前記ラッチ手段、前記レベルシフト手段、前記電圧セレ
クト手段が前記高電圧振幅動作部分に配置されているこ
とを特徴とする液晶駆動装置。
3. The liquid crystal panel according to claim 1, wherein the liquid crystal panel includes a plurality of scanning electrodes and a plurality of signal electrodes intersecting the scanning electrodes, and means for latching display data read from the display data storage means. A level shift means for converting the voltage level of the latched display data, and a liquid crystal drive voltage from the second power supply voltage group based on the voltage level converted display data, and the liquid crystal drive voltage is set to the signal electrode. And a voltage selecting means for outputting to the liquid crystal driving device, wherein the latching means, the level shifting means, and the voltage selecting means are arranged in the high voltage amplitude operating portion.
【請求項4】 請求項1又は2のいずれかにおいて、 前記液晶パネルが複数の走査電極とこれらと交差する複
数の信号電極を含み、 前記表示データ記憶手段から読み出される表示データと
複数本が同時に選択される前記走査電極の電圧状態とか
ら前記信号電極への駆動電圧の情報を割り出す駆動信号
決定手段と、該駆動信号決定手段の出力である駆動電圧
情報をラッチする手段と、ラッチされた駆動電圧情報に
基づいて前記第2の電源電圧群から液晶駆動電圧を選択
し、該液晶駆動電圧を前記信号電極に出力する電圧セレ
クト手段とを含み、 前記駆動信号決定手段、前記ラッチ手段、前記電圧セレ
クト手段が前記高電圧振幅動作部分に配置されているこ
とを特徴とする液晶駆動装置。
4. The liquid crystal panel according to claim 1, wherein the liquid crystal panel includes a plurality of scanning electrodes and a plurality of signal electrodes intersecting with the scanning electrodes, and a plurality of display data read from the display data storage means are simultaneously displayed. Drive signal determination means for determining information on the drive voltage to the signal electrode from the voltage state of the selected scan electrode, means for latching drive voltage information output from the drive signal determination means, and latched drive Voltage selection means for selecting a liquid crystal drive voltage from the second power supply voltage group based on voltage information and outputting the liquid crystal drive voltage to the signal electrode, the drive signal determination means, the latch means, the voltage A liquid crystal drive device, wherein a selecting means is arranged in the high voltage amplitude operating portion.
【請求項5】 請求項1乃至4のいずれかにおいて、 前記電源変換手段が、前記第2の電源電圧群から定電圧
の前記第3の電源電圧群を得る定電圧生成手段を含み、
前記表示データ記憶手段は、該定電圧生成手段により定
電圧化された第3の電源電圧群が供給されて動作するこ
とを特徴とする液晶駆動装置。
5. The power supply conversion means according to claim 1, further comprising a constant voltage generation means for obtaining the third power supply voltage group of constant voltage from the second power supply voltage group,
A liquid crystal drive device, wherein the display data storage means is operated by being supplied with a third power supply voltage group which is made constant by the constant voltage generation means.
【請求項6】 請求項1乃至5のいずれかにおいて、 前記第2の電源電圧群又は前記第3の電源電圧群の電圧
状態を監視する電源監視手段を含み、該電源監視手段
は、前記表示データ記憶手段に供給する電源電圧を前記
第2の電源電圧群又は前記第3の電源電圧群の電圧から
前記第1の電源電圧群の電圧に切り替える手段を含むこ
とを特徴とする液晶駆動装置。
6. The power supply monitoring unit according to claim 1, further comprising a power supply monitoring unit that monitors a voltage state of the second power supply voltage group or the third power supply voltage group. A liquid crystal drive device comprising means for switching the power supply voltage supplied to the data storage means from the voltage of the second power supply voltage group or the voltage of the third power supply voltage group to the voltage of the first power supply voltage group.
【請求項7】 請求項6において、 前記電源監視手段は、前記第2の電源電圧群の状態を外
部にモニタする手段を含むことを特徴とする液晶駆動装
置。
7. The liquid crystal drive device according to claim 6, wherein the power supply monitoring means includes means for externally monitoring the state of the second power supply voltage group.
【請求項8】 請求項6又は7のいずれかにおいて、 前記電源監視手段は、前記第2の電源電圧群又は前記第
3の電源電圧群の中の一対の高電位側電源電圧と低電位
側電源電圧との電圧差を分割し分割電圧を生成する手段
と、該分割電圧を第1の電源電圧群から生成される基準
電圧と比較する手段と、該比較手段からの比較結果に基
づいてオン・オフ動作し、前記表示データ記憶手段に供
給する電源電圧を前記第2の電源電圧群又は前記第3の
電源電圧群の電圧から前記第1の電源電圧群の電圧に切
り替えるスイッチング手段とを含むことを特徴とする液
晶駆動装置。
8. The power supply monitoring means according to claim 6, wherein the power supply monitoring means includes a pair of high-potential-side power supply voltage and low-potential-side power supply voltage in the second power supply voltage group or the third power supply voltage group. Means for dividing the voltage difference from the power supply voltage to generate a divided voltage; means for comparing the divided voltage with a reference voltage generated from the first power supply voltage group; and turning on based on the comparison result from the comparing means. A switching means that is turned off and switches the power supply voltage supplied to the display data storage means from the voltage of the second power supply voltage group or the voltage of the third power supply voltage group to the voltage of the first power supply voltage group. A liquid crystal drive device characterized by the above.
【請求項9】 請求項1乃至8の液晶駆動装置と、液晶
素子がマトリクス状に配置された液晶パネルとを少なく
とも含むことを特徴とする液晶表示装置。
9. A liquid crystal display device comprising at least the liquid crystal drive device according to claim 1 and a liquid crystal panel in which liquid crystal elements are arranged in a matrix.
【請求項10】 コントロールロジック部を少なくとも
有し第1の電源電圧群が供給されて動作する低電圧振幅
動作部分と、液晶パネル上にマトリクス状に配置される
液晶素子を駆動するために使用される第2の電源電圧群
が供給されて動作する高電圧振幅動作部分とを含む液晶
駆動装置に使用される液晶駆動方法であって、 前記第2の電源電圧群に含まれる少なくとも1対の高電
位側電源電圧と低電位側電源電圧との電圧差を、前記第
1の電源電圧群に含まれる高電位側電源電圧と低電位側
電源電圧との電圧差よりも大きく設定し、前記液晶パネ
ルに画像表示を行うための表示データを表示データ記憶
手段に記憶し、前記第2の電源電圧群、あるいは、該第
2の電源電圧群を変換することで得られる第3の電源電
圧群を、前記表示データ記憶手段の動作電源として供給
することを特徴とする液晶駆動方法。
10. A low voltage amplitude operation part having at least a control logic part and operated by being supplied with a first power supply voltage group, and a low voltage amplitude operation part used for driving liquid crystal elements arranged in a matrix on a liquid crystal panel. A liquid crystal driving method used in a liquid crystal driving device, comprising: a high voltage amplitude operating portion which is supplied with a second power supply voltage group to operate, wherein at least one pair of high voltage power supplies included in the second power supply voltage group. The voltage difference between the potential side power supply voltage and the low potential side power supply voltage is set to be larger than the voltage difference between the high potential side power supply voltage and the low potential side power supply voltage included in the first power supply voltage group, and the liquid crystal panel Display data for displaying an image in the display data storage means, and the second power supply voltage group, or a third power supply voltage group obtained by converting the second power supply voltage group, Display data description Liquid crystal driving method and supplying the operating power means.
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