JPH07226361A

JPH07226361A - 荷電粒子ビーム描画装置における矩形ビームのサイズ及び位置決め調整方法

Info

Publication number: JPH07226361A
Application number: JP1619294A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Takemura; 等竹村
Original assignee: Jeol Ltd
Current assignee: Jeol Ltd
Priority date: 1994-02-10
Filing date: 1994-02-10
Publication date: 1995-08-22
Anticipated expiration: 2015-07-17
Also published as: JP3065472B2

Abstract

(57)【要約】【目的】正確に簡単に矩形ビームのサイズや矩形ビー
ムの位置決め偏向器の調整を行うことかできる矩形ビー
ムの調整方法を実現する。【構成】矩形に成形されたビームをナイフエッジ３２
の開口３７部分に照射する。そして、矢印Ｘの方向に電
子ビームを２回走査し、それぞれの走査に基づくファラ
デーカップ３３の検出信号を、微分回路３４によって微
分し、コンピュータ２１を介してメモリー３６に記憶さ
せる。第１回目と第２回目の電子ビームの走査は、矩形
ビームのサイズ分走査の始点がずらされているため、実
際の矩形ビームのサイズが規定通りであると、２つの信
号を重ね合わせた信号の繋ぎ目はフラットとなる。しか
しながら、矩形ビームのサイズが規定の長さからずれて
いると、信号の繋ぎ目は凹みが出たり、逆に出っ張った
りする。この重ね合わせ信号の繋ぎ目により規定通りの
サイズとなるように装置の調整を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームやイオンビ
ームを矩形断面に成形し、矩形断面のビームを被描画材
料に投射するようにした荷電粒子ビーム描画装置におい
て、矩形ビームのサイズの調整や、矩形ビームの位置決
めの調整を行う方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子ビーム描画装置として、電子ビーム
の断面を可変して描画する方式の装置が広く利用されて
いる。この装置では、電子ビームを第１のアパーチャに
照射し、第１のアパーチャの開口像を第２のアパーチャ
上に結像するようにしている。そして、第１のアパーチ
ャの開口像の第２のアパーチャ上の投射位置を第１と第
２のアパーチャの間に配置された偏向器で変化させるこ
とにより、任意の面積の矩形断面を有した電子ビームが
成形される。

【０００３】このような電子ビーム描画方式において、
矩形断面のビームのサイズを測定し、このサイズを規定
通りに調整することは、描画精度上重要である。このビ
ームサイズの測定について図１，図２を用いて説明す
る。図１において１はナイフエッジであり、このナイフ
エッジ１は矩形状の開口２を有している。このナイフエ
ッジ１は被描画材料が配置される位置に置かれ、その下
方には開口１を通った電子ビームを検出するファラデー
カップ３が設けられいる。ファラデーカップ３によって
検出された信号は、第１の微分回路４、第２の微分回路
５、第３の微分回路６を介してステップカウンタ７に供
給される。

【０００４】このような構成で、矩形に成形された電子
ビームをナイフエッジ１の開口２部分に照射する。その
後、図中矢印Ｘの方向に電子ビームを走査すると、ファ
ラデーカップ３から図２（ａ）の信号が得られる。すな
わち、最初電子ビームの全てが開口２を通過しており、
全ビーム電流が検出される。その後、ビームを走査する
ことにより、ナイフエッジ１によって徐々にビームがカ
ットされることになり、検出ビーム電流はそれに応じて
減少し、最後には、ビームの全部がナイフエッジ１によ
ってカットされ、検出信号はゼロとなる。

【０００５】ファラデーカップ３の検出信号は、第１の
微分回路４によって微分され、図２（ｂ）の信号が得ら
れる。この図２（ｂ）の信号は微分回路５によって微分
され図２（ｃ）の信号となり、更に微分回路６によって
微分され、図２（ｄ）の信号が得られる。この図２
（ｄ）の信号に基づき、図２（ｅ）のトリガー信号（ロ
ーレベル）が得られ、このトリガー信号の間、ステップ
カウンタ７はクロックパルスをカウントし、ビームサイ
ズに応じた信号を得るようにしている。すなわち、電子
ビームの走査はクロックパルスによって１ステップずつ
ディジタル的に行われており、その走査の１ステップの
走査幅は予め定められている。従って、トリガー信号の
間に含まれるクロックパルスをカウントすることによ
り、ビームサイズの測定を行うことができる。（尚、２
次電子や反射電子の発生率の異なる材料で形成された直
線状の端部を有する部材（例えば、マーク）をビーム走
査し、該走査によって検出された信号は１回微分信号と
同様な波形となるので、この場合には、検出信号を２回
微分するだけで良い。

【０００６】このようなビームサイズの測定値に基づ
き、規定上のビームサイズと実際のサイズとの誤差が求
められ、この誤差によって矩形ビームのサイズの調整が
行われる。なお、以上のステップによりＸ方向のビーム
サイズの調整を行うことができ、Ｙ方向のビームサイズ
については図１の矢印Ｙの方向にビームを走査して、上
記したと同じステップでビームサイズの調整が行われ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記したビームサイズ
の測定方式では、次のような問題がある。各微分回路による信号の遅れが発生することによ
り、トリガー信号はそれらの遅れに対応した分遅れる。
この際、＋側の遅れと−側の遅れが僅かであるが異な
る。その為に、このような微分回路による遅れがない場
合に比べ、トリガー信号の幅が異なってしまう。

【０００８】各微分回路による信号の大きさの変化
が発生すると、例えば、レベルが高くなると各微分信号
が遅れ、のような問題が発生する。トリガー信号を作り出す時のトリガーレベルが変化
すると、変化しない場合に比べトリガー信号の幅が異な
ってしまう。

【０００９】上記〜のようなことがあるので、
実際のビームサイズがと測定したビームサイズが異なっ
てしまい、測定したビームサイズが所定の値になるよう
に、例えば、成形偏向器によりビームサイズの調整を行
ってからパターン描画を行っても、描画精度が低下して
しまう。

【００１０】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、正確に簡単に矩形ビームのサイズ
や矩形ビームの位置決め偏向器の調整を行うことかでき
る矩形ビームのサイズ及び位置決め調整方法を実現する
にある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明に基づく
荷電粒子ビーム描画装置における矩形ビームのサイズの
調整方法は、第１のアパーチャの開口像を第２のアパー
チャ上に結像し、第２のアパーチャの開口を透過した矩
形断面の荷電粒子ビームを被描画材料上に投射するよう
にした荷電粒子ビーム描画装置において、単位サイズに
成形した単位矩形ビームを直線状の境界部を横切って実
質的に２回の走査を行い、境界部によって影響されたビ
ームを検出し、その検出信号を微分した２種の信号をメ
モリーに記憶すると共に、この記憶の際、それぞれの信
号を相互に単位矩形ビームの単位サイズ分ずらして記憶
させ、メモリー内に記憶された２種の信号の重ね合わせ
信号に基づいて、成形された矩形ビームのサイズの調整
を行うようにしたことを特徴としている。

【００１２】請求項２の発明に基づく荷電粒子ビーム描
画装置における矩形ビームの位置決め調整方法は、第１
のアパーチャの開口像を第２のアパーチャ上に結像し、
第２のアパーチャの開口を透過した矩形断面の荷電粒子
ビームを被描画材料上に投射するようにした荷電粒子ビ
ーム描画装置において、描画フィールドの一方の端部に
直線状の境界部を配置し、単位サイズに成形した単位矩
形ビームを該直線状の境界部を横切って第１回目の走査
を行い、境界部によって影響されたビームを検出し、そ
の検出信号を微分した後その信号を走査位置に応じてメ
モリーに記憶し、次に該境界部を描画フィールド分機械
的に移動させ、その移動後において、該境界部で第２回
目の走査を行い、境界部によって影響されたビームを検
出し、その検出信号を微分した後第２回目の走査に応じ
てメモリーに記憶すると共に、第１回目と第２回目の走
査に基づく微分信号のメモリーへの記憶の際、それぞれ
の信号を単位矩形ビームの単位サイズ分ずらして記憶さ
せ、メモリー内に記憶された２種の信号の重ね合わせ信
号に基づいて、位置決め偏向器の調整を行うようにした
ことを特徴としている。

【００１３】

【作用】本発明は、ナイフエッジなどの直線状の境界部
を横切って矩形ビームの走査を実質的に２回行い、それ
ぞれの走査に基づいて得られた信号を１回微分し、微分
信号を同一メモリーに記憶させ、記憶された２種の微分
信号の重ね合わされた信号に基づいて矩形ビームのサイ
ズの調整や矩形ビームの位置決め偏向器の調整を行う。

【００１４】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図３は本発明を実施するための可変面積型
電子ビーム描画装置の一例を示している。１１は電子ビ
ームＥＢを発生する電子銃であり、該電子銃１１から発
生した電子ビームＥＢは、照明レンズ１２を介して第１
成形アパーチャ１３上に照射される。第１成形アパーチ
ャの開口像は、成形レンズ１４により、第２成形アパー
チャ１６上に結像されるが、その結像の位置は、成形偏
向器１５により変えることができる。第２成形アパーチ
ャ１６により成形された像は、縮小レンズ１７、対物レ
ンズ１８を経て描画材料２０上に照射される。描画材料
２０への照射位置は、位置決め偏向器１９により変える
ことができる。

【００１５】２１はコンピュータであり、コンピュータ
２１はパターンデータメモリー２２からのパターンデー
タをデータ転送回路２３に転送する。データ転送回路２
３からのパターンデータは、ショット分割器２４に供給
されてショット分割される。ショット分割器２４からの
描画データに応じた信号は、成形偏向器１５を制御する
偏向制御回路２５、位置決め偏向器１９を制御する制御
回路２６、電子銃１１から発生した電子ビームのブラン
キングを行うブランキング電極２７を制御するブランキ
ングコントロール回路２８に供給される。

【００１６】更に、コンピュータ２１は、材料のフィー
ルド毎の移動のために、材料２０が載せられたステージ
２９の駆動機構３０を制御する。なお、ステージ２９上
の材料２０が載せられていない部分には、ナイフエッジ
とファラデーカップの組み合わせより成るビーム検出構
造３１が備えられている。ビーム検出構造３１のより具
体的な構成、および、ビーム検出構造３１の検出信号の
処理回路の一例は図４に示されている。

【００１７】この図４において、ビーム検出構造３１は
ナイフエッジ３２とファラデーカップ３３より構成され
ている。ファラデーカップ３３の検出信号は、微分回路
３４に供給されて微分された後、ＡＤ変換器３５を介し
てコンピュータ２１に供給される。コンピュータ２１
は、供給された信号を波形メモリー３６に書き込む。こ
のような構成の動作を次に説明する。

【００１８】まず、通常の描画動作について説明する。
パターンデータメモリ２２に格納されたパターンデータ
は、逐次読み出され、データ転送回路２３を経てショッ
ト分割器２４に供給される。ショット分割器２４で分割
されたデータに基づき、偏向制御回路２５は成形偏向器
１５を制御し、また、制御回路２６は位置決め偏向器１
９を制御する。

【００１９】この結果、各分割されたパターンデータに
基づき、成形偏向器１５により電子ビームの断面が単位
パターン形状に成形され、その単位パターンが順々に材
料上にショットされ、所望の形状のパターン描画が行わ
れる。なお、この時、ブランキングコントロール回路２
８からブランキング電極２７へのブランキング信号によ
り、材料２０への電子ビームのショットに同期して電子
ビームのブランキングが実行される。

【００２０】次に、材料２０に照射される矩形ビームの
サイズの調整方法について説明する。この矩形ビームサ
イズの調整を行う場合、まず、コンピュータ２１からの
指示により駆動機構３０を駆動し、ステージ２９を移動
させる。そして、ステージ２９上にあるナイフエッジと
ファラデーカップを組み合わせたビーム検出構造３１を
電子ビームの光軸直下に位置させる。

【００２１】その後、従来の方式と同様に、矩形に成形
された電子ビームをナイフエッジ３２の開口３７部分に
照射する。その後、図中矢印Ｘの方向に電子ビームの第
１回目の走査を行う。この走査によりファラデーカップ
３３から図５（ａ）の信号が得られる。すなわち、最初
電子ビームの全てが開口３７を通過しており、全ビーム
電流が検出される。その後、ビームを走査することによ
り、ナイフエッジ３２によって徐々にビームがカットさ
れることになり、検出ビーム電流はそれに応じて減少
し、最後には、ビームの全部がナイフエッジ３２によっ
てカットされ、検出信号はゼロとなる。

【００２２】ファラデーカップ３３によって検出された
信号は、微分回路３４によって微分され、図５（ｂ）の
信号が得られる。この微分信号は、Ａ−Ｄ変換器３５に
よってディジタル信号に変換された後、コンピュータ２
１に供給される。コンピュータ２１は供給された信号を
メモリー３６に記憶させる。次に図中矢印Ｘの方向に電
子ビームの第２回目の走査を行うが、この第２回目の走
査は走査の始点を第１回目の走査のときと単位矩形ビー
ムのＸ方向のサイズ分ずらして行う。この走査によりフ
ァラデーカップ３３から第１回目の走査と同様に図５
（ａ）の信号が得られる。

【００２３】第２回目の走査に基づくファラデーカップ
の検出信号も微分回路３４によって微分され、図５
（ｂ）の信号と同様な信号が得られる。この微分信号
は、Ａ−Ｄ変換器３５によってディジタル信号に変換さ
れた後、コンピュータ２１に供給される。コンピュータ
２１は供給された信号をメモリー３６に記憶させる。さ
て、メモリー３６には第１回目の電子ビームの走査と第
２回目の電子ビームの走査に基づく信号が記憶される。
図５（ｃ）はメモリー３６に記憶されている２つの信号
を示しており、Ｓ₁は第１回目の走査に基づく信号、Ｓ₂
は第２回目の走査に基づく信号である。

【００２４】この第１回目と第２回目の電子ビームの走
査は、前記したように、矩形ビームのサイズ分走査の始
点がずらされているため、実際の矩形ビームのサイズが
規定通りであると、２つの信号を重ね合わせた信号の繋
ぎ目はフラットとなる。しかしながら、矩形ビームのサ
イズが規定の長さからずれていると、信号の繋ぎ目は凹
みが出たり、逆に出っ張ったりする。図５（ｄ）の信号
は２つの信号の重ね合わせ信号であり、この場合、信号
の繋ぎ目（丸で囲んだ部分）は凹んでいる。

【００２５】この凹んでいる場合は、単位矩形ビームの
サイズが規定の長さより短い場合である。この凹んだ部
分をフラットとするように、コンピュータ２１から図３
における偏向器制御回路２５を制御し、第１の成形アパ
ーチャと第２の成形アパーチャによって成形される矩形
電子ビームが、規定通りのサイズとなるように成形偏向
器１５に供給する信号を調整する。この図５（ｄ）の場
合には、単位矩形ビームのサイズが大きくなるように調
整される。

【００２６】図５（ｄ）の場合には、重ね合わせ信号の
繋ぎ目が凹んでいたが、逆に出っ張っていた場合は、単
位矩形ビームのサイズが規定の長さより長い場合であ
り、単位矩形ビームのサイズが小さくなるように調整さ
れる。なお、この単位矩形ビームの実際のサイズの調整
は、例えば、オペレータが陰極線管などに表示された図
５（ｄ）の重ね合わせ信号を見ながら行っても良く、ま
た、コンピュータ２１が重ね合わせ信号に基づいて判断
を自動的に行い、自動的にサイズの調整を行っても良
い。

【００２７】上記した矩形ビームのサイズの調整は、ビ
ームサイズを実際に測定して行っていた従来に比べ、実
際に描画動作を行う場合と同等のビームの照射量の形状
から合わせ込みを行うため、描画結果と良く一致した結
果を得ることができる。その為、従来のように、ビーム
サイズを測定してビームサイズの調整を行い、その後描
画を実際に行ってその結果から、再度ビームサイズの微
調整を行うような面倒なことを行う必要がない。

【００２８】上記した実施例では、２回の電子ビームの
走査を行い、それぞれの走査のときの始点を単位矩形ビ
ームのサイズ分ずらすようにした。この方法以外に、２
回の走査を同じ始点から行い、２種の信号をメモリー３
６に記憶する際、メモリー３６上で２種の信号の記憶位
置を相互に単位矩形ビームのサイズ分ずらすようにして
も良い。また、電子ビームの走査は１回とし、単一の信
号をメモリー３６上で単位矩形ビームのサイズ分ずらし
て記憶させても良い。更に、信号のＳＮ比を向上させる
ため、各走査を複数回行い、検出信号を積算することは
有効である。

【００２９】図６は本発明を矩形ビームの位置決めの調
整に利用した実施例を説明するための図である。図中正
方形で示した領域Ｆは描画フィールドを示している。こ
のフィールドは、被描画材料の機械的な移動によらず、
電子ビームの偏向によってのみ描画を行う領域である。
通常の描画動作は、フィールド単位で電子ビームの偏向
によって所望の描画を行い、そのフィールドの描画が終
了すると、フィールドの長さ分被描画材料を機械的に移
動させ、その後隣接したフィールドの描画を行う。

【００３０】このような描画の方式はステップアンドリ
ピート方式と称しているが、この方式では、隣り合った
フィールドの間の描画パターンのつなぎの精度が非常に
重要となる。このつなぎの精度を悪化させる要因は、前
記した矩形ビームのビームサイズが規定通りでないこ
と、矩形ビームの位置決め偏向器１９による位置決め精
度（偏向器の振幅の精度）である。

【００３１】この位置決め精度を向上させるため、本発
明では、前記したビームサイズの調整を行った後、ま
ず、図６に示した描画フィールドＦの一方の端部位置Ｐ
₁にナイフエッジを配置する。この状態で矩形電子ビー
ムを偏向し、ナイフエッジを横切って直線状に走査す
る。この走査に応じて図５（ａ）に示したと同様の信号
が得られ、また、その信号を微分することにより図５
（ｂ）の信号が得られる。この微分信号が波形メモリー
３６に記憶される。波形メモリー３７に記憶された信号
は図７（ａ）の波形Ｗ₁となる。

【００３２】次に、ナイフエッジ部分を描画フィールド
の一辺の長さ分Ｘ方向に機械的に移動させる。この移動
は、図３の実施例では、コンピュータ２１から駆動回路
３０を制御し、ステージ２９を移動させる。ステージ２
９の移動は、図示していないがレーザ干渉計によって監
視されており、正確に移動距離は制御される。この結
果、図６の描画フィールドＦの他方の端部位置Ｐ₂にナ
イフエッジが配置される。この状態で矩形電子ビームを
偏向し、ナイフエッジを横切って直線状に走査する。こ
の走査に応じて図５（ａ）と同様の信号が得られ、ま
た、その信号を微分することにより図５（ｂ）の信号が
得られる。なお、この走査の際には、ナイフエッジの端
部に対する走査の始点を単位矩形ビームのサイズ分ずら
して行う。この結果得られた微分信号は、波形メモリー
３６に記憶されるが、この信号は図７（ａ）の波形Ｗ₂
となる。

【００３３】このように、ステージ２９を描画フィール
ドＦ分移動させ、その前後で矩形ビームをナイフエッジ
を横切って走査し、それぞれの走査に基づく検出信号を
１回微分し、微分信号を重ねてメモリー３６内に記憶
し、その記憶された信号を読み出して表示すると、図７
（ｂ）の信号が得られる。この図７（ｂ）の信号の中央
部の凹みやあるいは出っ張りをなくし、フラットとする
ように、コンピュータ２１から制御回路２６を制御し、
位置決め偏向器１９に供給する偏向信号の振幅を調整す
れば、隣り合ったフィールドのつなぎを精度高く行うこ
とができる。なお、図６に示したフィールドＦの端部Ｐ
₃とＰ₄とにおいても上述した動作を行えば、Ｙ方向の偏
向信号の振幅の調整を行うことができる。

【００３４】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、可変面積型の電
子ビーム描画装置を例に説明したが、イオンビーム描画
装置にも本発明を用いることができる。また、ナイフエ
ッジを設け、ナイフエッジの開口を通ったビームをファ
ラデーカップにより検出したが、２次電子や反射電子の
発生率の異なる材料で形成された直線状の端部を有する
部材を配置し、この直線状の端部を横切ってビームを走
査し、走査に伴って発生した２次電子や反射電子を検出
するように構成しても良い。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ナイフ
エッジなどの直線状の境界部を横切って矩形ビームの走
査を実質的に２回行い、それぞれの走査に基づいて得ら
れた信号を１回微分し、微分信号を同一メモリーに記憶
させ、記憶された２種の微分信号の重ね合わされた信号
に基づいて矩形ビームのサイズの調整や矩形ビームの位
置決め偏向器の調整を行うようにしたので、実際に描画
したときのビームの照射量分布と同じ状態の信号を測定
しながら調整を行うことができ、精度良くビームサイズ
の調整や位置決め偏向器の調整を行うことができる。そ
して、本発明では描画結果を見た上での微調整が不要と
なる。

【００３６】また、ビームの走査に伴って検出した信号
の微分を１回行うのみでビームの調整を行うことができ
るので、複数回微分を行った従来に比べ、信号処理によ
る信号の遅れやなまりが少なくなるため、より実際に近
い信号で調整を行うことができる。更に、検出信号のレ
ベルが変化しても、ビームの分布波形でビームサイズの
合わせ込みを行うため、信号レベルの変化の影響が少な
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】矩形ビームのサイズの測定を行う従来の構成を
示す図である。

【図２】図１の構成による信号波形を示す図である。

【図３】本発明に基づく方法を実施するための電子ビー
ム描画システムの一例を示す図である。

【図４】本発明の方法を実施するための検出信号の処理
経路の一例を示す図である。

【図５】本発明の一実施例のと動作を説明するための信
号波形を示す図である。

【図６】本発明の一実施例における描画フィールドと矩
形ビームの走査位置とを示す図である。

【図７】図６の実施例の動作を説明するための信号波形
を示す図である。

【符号の説明】１１電子銃１２照明レンズ１３，１６成形アパーチャ１４成形レンズ１５，１９偏向器１７縮小レンズ１８対物レンズ２０材料２１コンピュータ２２メモリ２３データ転送回路２４ショット分割器２５成形偏向器制御回路２６位置決め偏向器制御回路２７ブランキング電極２８ブランキングコントロール回路２９ステージ３０駆動機構３１ビーム検出構造３２ナイフエッジ３３ファラデーカップ３４微分回路３５ＡＤ変換器３６波形メモリー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１のアパーチャの開口像を第２のアパ
ーチャ上に結像し、第２のアパーチャの開口を透過した
矩形断面の荷電粒子ビームを被描画材料上に投射するよ
うにした荷電粒子ビーム描画装置において、単位サイズ
に成形した単位矩形ビームを直線状の境界部を横切って
実質的に２回の走査を行い、境界部によって影響された
ビームを検出し、その検出信号を微分した２種の信号を
メモリーに記憶すると共に、この記憶の際、それぞれの
信号を相互に単位矩形ビームの単位サイズ分ずらして記
憶させ、メモリー内に記憶された２種の信号の重ね合わ
せ信号に基づいて、成形された矩形ビームのサイズの調
整を行うようにした荷電粒子ビーム描画装置における矩
形ビームのサイズ調整方法。
【請求項２】第１のアパーチャの開口像を第２のアパ
ーチャ上に結像し、第２のアパーチャの開口を透過した
矩形断面の荷電粒子ビームを被描画材料上に投射するよ
うにした荷電粒子ビーム描画装置において、描画フィー
ルドの一方の端部に直線状の境界部を配置し、単位サイ
ズに成形した単位矩形ビームを該直線状の境界部を横切
って第１回目の走査を行い、境界部によって影響された
ビームを検出し、その検出信号を微分した後その信号を
走査位置に応じてメモリーに記憶し、次に該境界部を描
画フィールド分機械的に移動させ、その移動後におい
て、該境界部で第２回目の走査を行い、境界部によって
影響されたビームを検出し、その検出信号を微分した後
第２回目の走査に応じてメモリーに記憶すると共に、第
１回目と第２回目の走査に基づく微分信号のメモリーへ
の記憶の際、それぞれの信号を単位矩形ビームの単位サ
イズ分ずらして記憶させ、メモリー内に記憶された２種
の信号の重ね合わせ信号に基づいて、位置決め偏向器の
調整を行うようにした荷電粒子ビーム描画装置における
矩形ビームの位置決め調整方法。
【請求項３】第１回目と第２回目の矩形ビームの走査
を行い、それぞれの走査の開始点を単位矩形ビームの単
位サイズ分ずらして行うようにした請求項１又は２記載
の調整方法。
【請求項４】第１回目と第２回目の矩形ビームの走査
を行い、第２回目の矩形ビームの走査を第１回目の矩形
ビームの走査と同じ始点から開始し、第２回目の矩形ビ
ームの走査に基づく微分信号のメモリー内への記憶の
際、単位矩形ビームのサイズ分ずらして記憶させるよう
にした請求項１又は２記載の調整方法。
【請求項５】実質的に１回の矩形ビームの矩形ビーム
の走査に基づく微分信号をメモリーに書き込むと共に、
この第１回目の走査に基づく微分信号を単位サイズ分ず
らしてメモリー内に重複して書き込み、第２回目の矩形
ビームの走査を行わないようにした請求項１記載の調整
方法。