JPH0722500A - Treating device - Google Patents
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- JPH0722500A JPH0722500A JP18551793A JP18551793A JPH0722500A JP H0722500 A JPH0722500 A JP H0722500A JP 18551793 A JP18551793 A JP 18551793A JP 18551793 A JP18551793 A JP 18551793A JP H0722500 A JPH0722500 A JP H0722500A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、処理装置に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば半導体ウエハ（以下、「ウエハ」
という）表面に絶縁膜やシリコンの薄膜を形成するのに
用いられるＣＶＤ装置を例にとって説明すると、かかる
ＣＶＤ装置においては、ウエハに対するＣＶＤ処理は、
気密に構成された処理室内に所定の処理ガスを導入した
所定の減圧雰囲気、例えば１０-6Ｔｏｒｒ程度の高い真
空度の下で行われている。2. Description of the Related Art For example, a semiconductor wafer (hereinafter, "wafer")
A CVD device used to form an insulating film or a silicon thin film on the surface will be described as an example. In such a CVD device, the CVD process for a wafer is
The process is performed under a predetermined reduced pressure atmosphere in which a predetermined process gas is introduced into a hermetically sealed process chamber, for example, under a high degree of vacuum of about 10 −6 Torr.
【０００３】そしてウエハはこのような処理室内に設け
られた載置台の上に載置されているが、上記載置台には
一般に、ウエハを吸着保持するため静電チャックが設け
られている。この種の静電チャックは、薄い電極板の上
下面を絶縁層で挟み、この電極板に直流電圧を印加した
際に発生するクーロン力によって、ウエハを吸着保持す
るように構成されている。The wafer is mounted on a mounting table provided in such a processing chamber. Generally, the mounting table is provided with an electrostatic chuck for attracting and holding the wafer. This type of electrostatic chuck is configured such that the upper and lower surfaces of a thin electrode plate are sandwiched by insulating layers, and a wafer is attracted and held by a Coulomb force generated when a DC voltage is applied to the electrode plate.
【０００４】他方上記載置台の下面側には、前出処理室
外部に設けられている電源、例えば交流電源からの電力
の供給を受けて、上記載置台上のウエハを所定の温度に
加熱させるためのヒータなどの加熱装置が設けられてい
る。On the other hand, the lower surface of the mounting table is supplied with power from a power source provided outside the processing chamber, for example, an AC power source, to heat the wafer on the mounting table to a predetermined temperature. A heating device such as a heater is provided.
【０００５】以上のようにＣＶＤ装置の処理室において
は、給電が必要な各種の装置、部材が収納されている
が、このような給電が必要な各種の装置に使用されてい
る従来の配線材は、タングステンワイヤなどの金属系の
配線材が使用されていた。As described above, the processing chamber of the CVD apparatus accommodates various devices and members that require power supply. Conventional wiring materials used in such various devices that require power supply. Used a metal-based wiring material such as a tungsten wire.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、既述の
如くこの種の処理室内は高い真空度に設定されており、
しかもヒータなどの加熱装置によって高温雰囲気となっ
ているため、そのように例えばタングステンワイヤを処
理室内の配線材として使用すると、メタルコンタミネー
ションが発生し、処理室内雰囲気を汚染するおそれがあ
った。ウエハの処理には厳格に設定された雰囲気が必要
であるから、そのように処理室内が汚染されてしまう
と、即歩留まりの低下につながってしまう。However, as described above, the processing chamber of this kind is set to a high degree of vacuum,
Moreover, since a high temperature atmosphere is provided by a heating device such as a heater, when such a tungsten wire is used as a wiring material in the processing chamber, metal contamination may occur and pollute the processing chamber atmosphere. Since a rigorously set atmosphere is required for wafer processing, if the processing chamber is contaminated in this way, the yield immediately decreases.
【０００７】そこで従来は、適宜の保護被覆材を配線材
に密着して被覆するなどし、さらに主要給電部分をなる
べく処理室外部に配置するなどして、配線材の設置箇所
を極力処理室外部に設けるようにしているが、そうする
と、配線まわりが複雑化してしまい、部材数の増加、ア
センブリの煩雑さを招き、さらに装置全体の設計の自由
度も制限されてしまう。Therefore, conventionally, the wiring material is installed as close as possible to the outside of the processing chamber by, for example, covering the wiring material with a suitable protective covering material so as to cover the wiring material, and further arranging the main power feeding portion as much as possible outside the processing chamber. However, if this is done, the area around the wiring becomes complicated, the number of members increases, assembly becomes complicated, and the degree of freedom in the design of the entire device is also limited.
【０００８】また最近は加熱装置の熱伝達効率の向上を
図るため、加熱装置を処理室内の載置台下面に直接設け
ることが模索されているが、そうすると該加熱装置の配
線まわりの処置が難しくなってしまい、また熱膨張率の
差などによる被覆部剥離、亀裂に伴う汚染の危険性がさ
らに増大するという問題があった。Recently, in order to improve the heat transfer efficiency of the heating device, it has been sought to provide the heating device directly on the lower surface of the mounting table in the processing chamber. However, if this is done, it becomes difficult to deal with the wiring around the heating device. In addition, there is a problem that the risk of contamination due to peeling and cracking of the coating portion due to a difference in coefficient of thermal expansion increases.
【０００９】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、処理室内が上述のような高真空度、高温の雰囲気
の下でも、メタルコンタミネーションが発生することの
ない処理装置をして、問題の解決を図ることを目的とす
るものである。The present invention has been made in view of the above points, and provides a processing apparatus in which metal contamination does not occur even in a high vacuum and high temperature atmosphere in the processing chamber as described above. The purpose is to solve the problem.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、気密に構成された処理室と、前記
処理室内に設けられた載置台と、前記載置台に載置され
た被処理体を加熱する加熱装置とを有し、前記載置台に
載置された前記被処理体を所定の減圧雰囲気で処理する
如く構成された処理装置において、前記処理室内で使用
される配線用の導電部材が、カーボンで構成されている
ことを特徴とする、処理装置が提供される。ここでいう
ところの配線用の導電部材とは、例えば処理室内の各種
装置の給電部に使用される配線材や、かかる配線材を接
続するための端子などが、その例として挙げられる。To achieve the above object, according to the present invention, an airtight processing chamber, a mounting table provided in the processing chamber, and a mounting table mounted on the mounting table are provided. And a heating device for heating the object to be processed, the wiring being used in the processing chamber in a processing device configured to process the object to be processed placed on the mounting table in a predetermined reduced pressure atmosphere. There is provided a processing device, characterized in that the conductive member for use in is composed of carbon. Examples of the conductive member for wiring here include a wiring material used in a power feeding portion of various devices in the processing chamber, a terminal for connecting the wiring material, and the like.
【００１１】[0011]
【作用】カーボンは耐熱性にすぐれており、しかも非金
属であるから、処理室内において上述のような高真空
度、高温の雰囲気の下に曝されても従来のようなメタル
コンタミネーションを処理室内に発生させることはな
い。[Function] Since carbon has excellent heat resistance and is a non-metal, even if it is exposed to the above-mentioned high vacuum and high temperature atmosphere in the processing chamber, the conventional metal contamination can be obtained. Will never occur.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、本発明の実施例が適用されたＣＶＤ装
置に基づいて説明すると、図１は本発明の実施例が用い
られている枚葉式のＣＶＤ装置１の断面を模式的に示し
ており、同図からわかるように、このＣＶＤ装置１は気
密に構成された略円筒状の処理室２を有している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A description will be given below based on a CVD apparatus to which an embodiment of the present invention is applied. FIG. 1 schematically shows a cross section of a single wafer type CVD apparatus 1 in which the embodiment of the present invention is used. As can be seen from the figure, the CVD apparatus 1 has a substantially cylindrical processing chamber 2 that is hermetically sealed.
【００１３】上記処理室２の上面には、略中空形状のシ
ャワーヘッド３が気密に設けられている。このシャワー
ヘッド３の上部には、処理ガス導入管４が設けられてお
り、また一方、上記処理室２内に設けられている載置台
２１との対向面には、吐出口５が多数設けられている。
そして処理ガス導入管４から導入される処理ガス、例え
ばＳｉＨ4（シラン）＋Ｈ2との混合ガスは、このシャワ
ーヘッド３の中空部から上記多数の吐出口５を通じて、
処理室２内の載置台２１に向けて均等に吐出されるよう
になっている。A shower head 3 having a substantially hollow shape is airtightly provided on the upper surface of the processing chamber 2. A processing gas introduction pipe 4 is provided above the shower head 3, and a large number of discharge ports 5 are provided on the surface facing the mounting table 21 provided in the processing chamber 2. ing.
Then, the processing gas introduced from the processing gas introduction pipe 4, for example, a mixed gas of SiH 4 (silane) + H 2 is discharged from the hollow portion of the shower head 3 through the large number of discharge ports 5.
It is configured to be uniformly discharged toward the mounting table 21 in the processing chamber 2.
【００１４】上記処理室２の底部近傍には、真空ポンプ
などの排気手段６に通ずる排気管７が設けられ、当該排
気手段６の作動により、上記処理室２は、所定の減圧雰
囲気、例えば１０-6Ｔｏｒｒに設定、維持が可能なよう
に構成されている。An exhaust pipe 7 communicating with an exhaust means 6 such as a vacuum pump is provided near the bottom of the processing chamber 2, and the operation of the exhaust means 6 causes the processing chamber 2 to have a predetermined reduced pressure atmosphere, for example, 10. -6 Torr is configured and maintained.
【００１５】上記処理室２の底部は、略円筒状の支持体
８によって支持された底板９によって構成され、さらに
この底板９の内部には冷却水溜１０が設けられており、
冷却水パイプ１１によって供給される冷却水が、上記冷
却水溜１０内を循環するように構成されている。The bottom of the processing chamber 2 is composed of a bottom plate 9 supported by a substantially cylindrical support 8, and a cooling water reservoir 10 is provided inside the bottom plate 9.
The cooling water supplied by the cooling water pipe 11 is configured to circulate in the cooling water reservoir 10.
【００１６】前出載置台２１はその表面に絶縁処理が施
されており、上記底板９の上面に反射体１２を介して設
置されている。そして図１、図２に示されたように、こ
の載置台２１の上面には静電チャック２２が設けられ、
一方この載置台２１の奥まった下面にはヒータ２３が夫
々設けられている。The surface of the mounting table 21 is subjected to an insulation treatment, and is installed on the upper surface of the bottom plate 9 via a reflector 12. As shown in FIGS. 1 and 2, an electrostatic chuck 22 is provided on the upper surface of the mounting table 21,
On the other hand, heaters 23 are provided on the bottom surfaces of the mounting table 21, respectively.
【００１７】上記静電チャック２２は、半円形状の薄い
電極板２４、２５の上下を絶縁体２６で覆った構造を有
し、図２に示したように、上記処理室２外部に設置され
ている相互に極性の異なった直流高圧電源２７、２８に
各々独立して接続されており、いわゆる双極型の静電チ
ャックの電極を構成している。そして上記直流高圧電源
２７、２８から上記電極板２４、２５に電圧が印加され
ると、その際に発生するクーロン力によって、上記静電
チャック２２の上面（載置面）に載置されたウエハＷを
吸着、保持するように構成されている。The electrostatic chuck 22 has a structure in which semi-circular thin electrode plates 24, 25 are covered with an insulator 26 on the upper and lower sides, and is installed outside the processing chamber 2 as shown in FIG. Are independently connected to the DC high-voltage power supplies 27 and 28 having mutually different polarities, and constitute electrodes of a so-called bipolar electrostatic chuck. When a voltage is applied to the electrode plates 24, 25 from the DC high-voltage power supplies 27, 28, the wafer mounted on the upper surface (mounting surface) of the electrostatic chuck 22 by the Coulomb force generated at that time. It is configured to adsorb and hold W.
【００１８】また上記ヒータ２３は、発熱体２３ａを略
渦巻状に配設して構成され、この発熱体２３ａは、絶縁
体２９で覆われて上記載置台２１の下面側に直接設けら
れている。そして上記処理室２外部に設けられた適宜の
交流電源３０から供給される電力によって、上記ヒータ
２３は、例えば４００゜Ｃ〜２０００゜Ｃまでの任意の
熱を発生するように構成され、上記静電チャック２２の
上面（載置面）に載置されたウエハＷを所定の温度、例
えば８００゜Ｃに維持することが可能である。The heater 23 is constructed by arranging a heating element 23a in a substantially spiral shape, and the heating element 23a is directly covered with an insulator 29 and directly provided on the lower surface side of the mounting table 21. . The heater 23 is configured to generate arbitrary heat from 400 ° C. to 2000 ° C. by the electric power supplied from an appropriate AC power source 30 provided outside the processing chamber 2, and the static electricity is generated. The wafer W mounted on the upper surface (mounting surface) of the electric chuck 22 can be maintained at a predetermined temperature, for example, 800 ° C.
【００１９】前出反射体１２は、その表面が鏡面仕上げ
されて高い反射率を確保しており、上記のような高温を
発するヒータ２３、およびこのヒータ２３によって加熱
された載置台２１の側面からの放射熱を反射し、周囲と
の断熱が図られるように構成されている。The surface of the above-mentioned reflector 12 is mirror-finished to ensure a high reflectance, and the heater 23 that emits the high temperature as described above and the side surface of the mounting table 21 that is heated by the heater 23 are used. It is configured to reflect the radiant heat of and to insulate the surroundings.
【００２０】而して上記交流電源３０から上記ヒータ２
３への給電機構を図３に基づいて詳述すると、上記絶縁
体２９の内周側面の一部のエリアＱの絶縁体を除去し、
上記ヒータ２３におけるカーボン材からなる給電導体部
３１を露出させる。そしてカーボンワイヤからなる供給
線３２の一端部を上記給電導体部３１に電気的に接続さ
せる。Thus, from the AC power source 30 to the heater 2
3 will be described in detail with reference to FIG. 3, the insulator in a part of the area Q on the inner peripheral side surface of the insulator 29 is removed,
The feeding conductor portion 31 made of a carbon material in the heater 23 is exposed. Then, one end of the supply wire 32 made of a carbon wire is electrically connected to the power feeding conductor portion 31.
【００２１】一方反射体１２には、石英管などによって
構成された絶縁性を有する絶縁管３３を垂直方向に貫設
し、他方底板９にも当該石英管３３に連続するように、
導電体３４ａを内部に垂直に貫通させたセラッミク等の
絶縁材からなる導出体３４を垂直方向に貫設する。On the other hand, the reflector 12 is vertically penetrated by an insulating tube 33 having an insulating property made of a quartz tube or the like, and the bottom plate 9 is also continuous with the quartz tube 33.
A lead-out body 34, which is made of an insulating material such as ceramic, is formed so as to vertically penetrate the conductor 34a in the vertical direction.
【００２２】そして上記供給線３２の他端部を、上記絶
縁管３３内に挿入して、上記導出体３４の導電体３４ａ
の頂部に電気的に接続させるのである。なおこの導出体
３４の外方の突出部には、Ｏリングなどのシール材３５
を介して固定部材３６が底板９に対して気密に固定され
ている。Then, the other end of the supply line 32 is inserted into the insulating pipe 33, and the conductor 34a of the lead-out body 34 is inserted.
It is electrically connected to the top of the. In addition, a sealing material 35 such as an O-ring is provided on the outer protruding portion of the lead-out body 34.
The fixing member 36 is airtightly fixed to the bottom plate 9 via.
【００２３】以上のようにして構成された載置台２１に
は、さらに図１に示したように、その中心部に底板９、
上記反射体１２を貫通した伝熱媒体供給管４１、この伝
熱媒体供給管４１と通ずる流路４２が設けられ、処理室
２外部から上記伝熱媒体供給管４１を通じて供給され
た、例えばＨｅガスなどの伝熱媒体が、静電チャック２
２の載置面に載置されたウエハＷの裏面に供給されるよ
うに構成されている。As shown in FIG. 1, the mounting table 21 constructed as described above further includes a bottom plate 9 at the center thereof.
A heat transfer medium supply pipe 41 that penetrates the reflector 12 and a flow path 42 that communicates with the heat transfer medium supply pipe 41 are provided. For example, He gas supplied from the outside of the processing chamber 2 through the heat transfer medium supply pipe 41. The heat transfer medium such as
It is configured to be supplied to the back surface of the wafer W mounted on the second mounting surface.
【００２４】また上記載置台２１中には、温度センサ４
３の検知部４３ａが位置しており、載置台２１内部の温
度を逐次検出するように構成されている。そしてこの温
度センサ４３からの信号に基づいて、前出ヒータ２３の
パワー等が制御され、載置台２１の載置面を所定温度に
制御するように構成されている。The temperature sensor 4 is installed in the mounting table 21.
Three detection units 43a are located and are configured to sequentially detect the temperature inside the mounting table 21. The power of the heater 23 is controlled based on the signal from the temperature sensor 43 to control the mounting surface of the mounting table 21 to a predetermined temperature.
【００２５】上記載置台２１を取り囲むようにして設け
られた既述の反射体１２の外周には、さらに環状の隔壁
４４が底板９上に設置されており、この隔壁４４の側面
外周と、底板９の側面外周、及び前出支持体８の側面外
周と、処理室２の側壁２ａ内周とによって創出される環
状の空間内には、上記載置台２１の載置面に載置される
ウエハＷを、リフトアップ−リフトダウンさせるための
リフター５１が設けられている。An annular partition wall 44 is further installed on the bottom plate 9 on the outer circumference of the above-described reflector 12 provided so as to surround the mounting table 21, and the side wall circumference of this partition wall 44 and the bottom plate. A wafer mounted on the mounting surface of the mounting table 21 in the annular space created by the outer periphery of the side surface of 9 and the outer periphery of the side surface of the support 8 and the inner periphery of the side wall 2a of the processing chamber 2. A lifter 51 for lifting up and down W is provided.
【００２６】このリフター５１の上部は、上記ウエハＷ
の曲率に適合した一対の半環状の載置部材５２、５３及
び当該各載置部材５２、５３の下面に垂直に設けられて
いる支持柱５４、５５とによって構成され、ウエハＷ
は、これら各載置部材５２、５３の内周周縁部に設けら
れた適宜の係止部上に載置されることによって、リフタ
ー５１の載置部材５２、５３上に支持されるようになっ
ている。The upper portion of the lifter 51 has the wafer W
The pair of semi-annular mounting members 52 and 53 adapted to the curvature of the mounting members 52 and 53 and the supporting columns 54 and 55 provided perpendicularly to the lower surface of the mounting members 52 and 53, respectively.
Are mounted on appropriate locking portions provided on the inner peripheral edges of the respective mounting members 52 and 53, so that they are supported on the mounting members 52 and 53 of the lifter 51. ing.
【００２７】一方上記リフター５１の下部構成は、図１
に示したように構成されており、上記各支持柱５４、５
５の下端部が、前出隔壁４４外周、底板９側面外周、及
び前出支持体８の側面外周と、処理室２の側壁２ａ内周
とによって創出される上記の環状の空間の底部を気密に
閉塞している環状の支持板５６を上下動自在に貫通し
て、モータなどの昇降駆動機構（図示せず）に接続され
ており、当該昇降駆動機構の作動によって、図１に示し
た往復矢印のように上下動する如く構成されている。On the other hand, the lower structure of the lifter 51 is shown in FIG.
Is configured as shown in FIG.
The lower end of 5 is airtight at the bottom of the above-mentioned annular space created by the outer circumference of the partition wall 44, the outer circumference of the side surface of the bottom plate 9, the outer circumference of the side surface of the support 8 and the inner circumference of the side wall 2a of the processing chamber 2. The circular support plate 56 that is closed in the vertical direction is vertically movably penetrated and is connected to a lifting drive mechanism (not shown) such as a motor, and the reciprocating motion shown in FIG. 1 is performed by the operation of the lifting drive mechanism. It is configured to move up and down as shown by the arrow.
【００２８】また処理室２内おける上記支持板５６と上
記支持柱５４、５５との貫通箇所には、夫々ベローズ５
７、５８が介在しており、これら各ベローズ５７、５８
によって、処理室２内の気密性は確保されている。Bellows 5 are respectively provided at the locations where the support plate 56 and the support columns 54 and 55 penetrate in the processing chamber 2.
7, 58 are interposed, and these bellows 57, 58 are provided.
Thus, the airtightness inside the processing chamber 2 is secured.
【００２９】以上のように構成されている処理室２の外
方には、ゲートバルブ６１を介して気密に構成されたロ
ードロック室６２が設けられており、その底部に設けら
れた排気管６３から真空引きされて、このこのロードロ
ック室６２内も、上記処理室２と同様、所定の減圧雰囲
気、例えば１０-6Ｔｏｒｒに設定、維持が可能なように
構成されている。A load lock chamber 62, which is hermetically sealed via a gate valve 61, is provided outside the processing chamber 2 configured as described above, and an exhaust pipe 63 is provided at the bottom of the load lock chamber 62. The load lock chamber 62 is evacuated from the inside of the load lock chamber 62, and like the processing chamber 2, a predetermined depressurized atmosphere, for example, 10 −6 Torr can be set and maintained.
【００３０】そしてこのロードロック室６２の内部に
は、やはりゲートバルブを介して隣接しているカセット
収納室（図示せず）内のカセットと、上記処理室２内の
載置台２１との間でウエハＷを搬送させる搬送アーム６
４を備えた搬送装置６５が設けられている。Inside the load lock chamber 62, between the cassette in the cassette storage chamber (not shown) which is also adjacent via the gate valve, and the mounting table 21 in the processing chamber 2. Transfer arm 6 for transferring the wafer W
A transport device 65 having the number 4 is provided.
【００３１】本発明の実施例が適用されたＣＶＤ装置１
は以上のように構成されており、次にその動作を説明す
ると、処理室２とロードロック室６２とが同一減圧雰囲
気になった時点で、ゲートバルブ６１が開放され、成膜
処理されるウエハＷは搬送装置６５の搬送アーム６４に
よって、処理室２内の載置台２１の上方にまで搬入され
る。CVD apparatus 1 to which the embodiment of the present invention is applied
Is configured as described above. Next, the operation thereof will be described. When the processing chamber 2 and the load lock chamber 62 are in the same depressurized atmosphere, the gate valve 61 is opened and the wafer on which the film is formed is processed. The W is carried by the transfer arm 64 of the transfer device 65 to a position above the mounting table 21 in the processing chamber 2.
【００３２】このときリフター５１の各載置部材５２、
５３は上昇しており、ウエハＷは、これら各載置部材５
２、５３の内周周縁部の係止部上に載置される。そして
ウエハＷをそのようにして載置した後、搬送アーム６４
はロードロック室６２内に後退し、ゲートバルブ６１は
閉鎖される。At this time, each mounting member 52 of the lifter 51,
53 is raised, and the wafer W is placed on each of the mounting members 5
It is placed on the locking portion at the peripheral edge of the inner periphery of 2, 53. Then, after the wafer W is placed in this manner, the transfer arm 64
Moves back into the load lock chamber 62, and the gate valve 61 is closed.
【００３３】その後リフター５１の各載置部材５２、５
３は下降して、ウエハＷは載置台２１の静電チャック２
２の載置面に載置され、既述の高圧直流電源２７、２８
からの直流電圧を電極板２４、２５に印加させることに
よって、ウエハＷは、上記電圧印加の際に発生するクー
ロン力によって当該載置面に吸着保持される。After that, each mounting member 52, 5 of the lifter 51
3 is lowered, and the wafer W is moved to the electrostatic chuck 2 of the mounting table 21.
2 is mounted on the mounting surface of the second high-voltage DC power supply 27, 28 described above.
By applying the DC voltage from the electrode plates 24 and 25, the wafer W is adsorbed and held on the mounting surface by the Coulomb force generated when the voltage is applied.
【００３４】而してその後、交流電源３０からの電力を
ヒータ２３に供給してヒータ２３を作動させてウエハＷ
を所定温度、例えば８００゜Ｃにまで加熱するととも
に、処理ガス導入管４から処理ガス、例えばＳｉＨ
4（シラン）＋Ｈ2を処理室２内に導入して、ウエハＷの
成膜処理が開始される。Then, after that, the electric power from the AC power source 30 is supplied to the heater 23 to operate the heater 23, and the wafer W
Is heated to a predetermined temperature, for example, 800 ° C., and a processing gas such as SiH is introduced from the processing gas introducing pipe 4.
4 (silane) + H 2 is introduced into the processing chamber 2, and the film forming process of the wafer W is started.
【００３５】かかる処理中、処理室２内は既述の如く処
理ガスが導入された高真空度に設定されており、しかも
上記ヒータ２３による加熱によって処理室２内は高い温
度になっているが、そのような厳格かつ過酷な雰囲気内
に、ヒータ２３の給電導体部３１、及びこの給電導体部
３１に電力を供給する供給線３２が露出していても、こ
れら給電導体部３１及び供給線３２の材質はカーボンで
構成されているから、メタルコンタミネーションが発生
することはなく、処理室２内の雰囲気が汚染されるおそ
れはないものである。During the processing, the inside of the processing chamber 2 is set to a high degree of vacuum in which the processing gas is introduced as described above, and the inside of the processing chamber 2 is at a high temperature due to the heating by the heater 23. Even if the power supply conductor portion 31 of the heater 23 and the supply line 32 for supplying power to the power supply conductor portion 31 are exposed in such a strict and harsh atmosphere, the power supply conductor portion 31 and the supply line 32 are exposed. Since the material is made of carbon, metal contamination does not occur and the atmosphere in the processing chamber 2 is unlikely to be contaminated.
【００３６】しかも供給線３２自体がメタルコンタミネ
ーションを発生させることはないので、該供給線３２を
処理室２外部に導出させるにあたり、図３に示したよう
にその配線周りを極めてシンプルに構成することが可能
であり、構造が複雑化せず、アセンブリも容易となって
いる。例えば導電体である反射体１２との絶縁を図るに
あたっては、上記実施例のように単純な絶縁管３３内に
供給線３２を挿入させるだけでよく、従来のタングステ
ンワイヤを使用した際にみられた完全な密着構造の被覆
処理は不要である。Moreover, since the supply line 32 itself does not generate metal contamination, when the supply line 32 is led out to the outside of the processing chamber 2, as shown in FIG. It is possible, the structure is not complicated, and the assembly is easy. For example, in order to insulate the reflector 12 which is an electric conductor, it suffices to insert the supply line 32 into a simple insulating tube 33 as in the above-mentioned embodiment, which is seen when a conventional tungsten wire is used. It is not necessary to perform a coating treatment of a perfect adhesion structure.
【００３７】なお上記実施例は、いわゆる熱ＣＶＤ装置
に本発明を適用した例であったが、これに限らず本発明
は、プラズマＣＶＤ装置を始めとして、その他の半導体
処理装置、例えばエッチング装置、アッシング装置、ス
パッタ装置に適用することが可能である。なおかかる場
合、例えばプラズマＣＶＤ装置など、処理室内にプラズ
マを発生させて処理を行うような装置においては、プラ
ズマ発生の際の異常放電を防止するため、カーボンで構
成される上記配線材、端子、電気的接続部分を適宜の絶
縁材、例えば石英やセラミック等で被覆すればよい。Although the above-described embodiment is an example in which the present invention is applied to a so-called thermal CVD apparatus, the present invention is not limited to this, and the present invention is not limited to the plasma CVD apparatus, and other semiconductor processing apparatuses such as an etching apparatus, It can be applied to an ashing device and a sputtering device. In such a case, in an apparatus such as a plasma CVD apparatus that performs a process by generating plasma in a processing chamber, in order to prevent abnormal discharge at the time of plasma generation, the wiring material, terminals, and The electrical connection portion may be covered with an appropriate insulating material such as quartz or ceramic.
【００３８】[0038]
【発明の効果】本発明によれば、処理室内で使用される
配線用の導電部材がカーボンで構成されているため、処
理室内を高真空度、高温の雰囲気にして被処理体を処理
しても、メタルコンタミネーションが発生することはな
く、処理室内の雰囲気が汚染するおそれはないものであ
る。それゆえ歩留りが向上する。また処理室内の配線周
りに従来のような被覆処置を施す必要はなく、構造を単
純化することが可能である。それに伴って処理室内に設
置できる各種装置の選択幅が広がり、処理装置の設計の
自由度も向上する。According to the present invention, since the conductive member for wiring used in the processing chamber is made of carbon, it is possible to process the object to be processed by setting the inside of the processing chamber to a high vacuum and high temperature atmosphere. However, metal contamination does not occur, and there is no risk of polluting the atmosphere in the processing chamber. Therefore, the yield is improved. Further, it is not necessary to perform a conventional covering treatment around the wiring in the processing chamber, and the structure can be simplified. Along with this, the selection range of various devices that can be installed in the processing chamber is expanded, and the degree of freedom in designing the processing device is also improved.
【図１】本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置の断面を模
式的に示した説明図である。FIG. 1 is an explanatory view schematically showing a cross section of a CVD apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置の載置台の
断面を模式的に示した説明図である。FIG. 2 is an explanatory view schematically showing a cross section of a mounting table of the CVD apparatus according to the embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置の載置台の
要部断面を模式的に示した説明図である。FIG. 3 is an explanatory view schematically showing a cross section of a main part of a mounting table of a CVD apparatus according to an embodiment of the present invention.
１ ＣＶＤ装置 ２ 処理室 ３ シャワーヘッド ４ 処理ガス導入管 ６ 排気手段 ２１ 載置台 ２２ 静電チャック ２３ ヒータ ２３ａ 発熱体 ２９ 絶縁体 ３０ 交流電源 ３１ 給電導体部 ３２ 供給線 ３３ 絶縁管 ３４ 導出体 ３４ａ 導電部 ３６ 固定部材 Ｗ ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 CVD apparatus 2 Processing chamber 3 Shower head 4 Processing gas introduction pipe 6 Exhaust means 21 Mounting table 22 Electrostatic chuck 23 Heater 23a Heating element 29 Insulator 30 AC power supply 31 Feeding conductor part 32 Supply line 33 Insulation tube 34 Derivation body 34a Conductivity Part 36 fixing member W wafer
Claims (1)
に設けられた載置台と、前記載置台に載置された被処理
体を加熱する加熱装置とを有し、前記載置台に載置され
た前記被処理体を所定の減圧雰囲気で処理する如く構成
された処理装置において、前記処理室内で使用される配
線用の導電部材が、カーボンで構成されていることを特
徴とする、処理装置。1. A processing chamber having an airtight processing chamber, a mounting table provided in the processing chamber, and a heating device for heating an object to be processed mounted on the mounting table. In the processing apparatus configured to process the placed object to be processed in a predetermined reduced pressure atmosphere, the conductive member for wiring used in the processing chamber is made of carbon, Processing equipment.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18551793A JPH0722500A (en) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | Treating device |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP18551793A JPH0722500A (en) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | Treating device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722500A true JPH0722500A (en) | 1995-01-24 |
Family
ID=16172178
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP18551793A Withdrawn JPH0722500A (en) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | Treating device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722500A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004114377A1 (en) * | 2003-06-23 | 2004-12-29 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| JP2005072525A (en) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Anelva Corp | Substrate heating device and multi chamber substrate processing device |
| JP2006525668A (en) * | 2003-03-17 | 2006-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | Processing system and method for heat treating a substrate |
| JP5689483B2 (en) * | 2011-01-18 | 2015-03-25 | 株式会社日立国際電気 | Substrate processing apparatus, substrate support, and method for manufacturing semiconductor device |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP18551793A patent/JPH0722500A/en not_active Withdrawn
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