JPH0722307A - アライメント方法および半導体装置の製造装置 - Google Patents
アライメント方法および半導体装置の製造装置Info
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- JPH0722307A JPH0722307A JP5166861A JP16686193A JPH0722307A JP H0722307 A JPH0722307 A JP H0722307A JP 5166861 A JP5166861 A JP 5166861A JP 16686193 A JP16686193 A JP 16686193A JP H0722307 A JPH0722307 A JP H0722307A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アライメントマーク近傍の傷やグレイン等の
ノイズに強いアライメント方法の提供する。 【構成】 半導体基板上に形成されたアライメントマー
クの形状やアライメント方法を逐次移動式露光装置に入
力し、マーク検出信号の理想モデルＭ（ｘ）を作成した
後、実際のマーク検出信号Ａ（ｘ）とモデルＭ（ｘ）を
重ね合わせ、両者のずれ量Ｒが最小になる位置をマーク
位置とすることによって、マーク位置の近傍に傷やグレ
インがある場合でも、アライメントマーク検出信号のノ
イズ成分を除去し、高精度のアライメントを実現した。
ノイズに強いアライメント方法の提供する。 【構成】 半導体基板上に形成されたアライメントマー
クの形状やアライメント方法を逐次移動式露光装置に入
力し、マーク検出信号の理想モデルＭ（ｘ）を作成した
後、実際のマーク検出信号Ａ（ｘ）とモデルＭ（ｘ）を
重ね合わせ、両者のずれ量Ｒが最小になる位置をマーク
位置とすることによって、マーク位置の近傍に傷やグレ
インがある場合でも、アライメントマーク検出信号のノ
イズ成分を除去し、高精度のアライメントを実現した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子や集積回路
を、フォトリソグラフィー技術を用いてパターン形成し
て製作する際に使用する逐次移動式露光装置のアライメ
ント方法に関するものである。
を、フォトリソグラフィー技術を用いてパターン形成し
て製作する際に使用する逐次移動式露光装置のアライメ
ント方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】逐次移動式露光装置を用いた半導体集積
回路のパターン形成において、下層パターンと上層パタ
ーンのアライメントは、一般に半導体基板上に形成され
たアライメントマークを用いて行われており、マークの
段差、表面荒れ、下地の反射等のアライメントマークの
検出を困難にする要因についても改善策が施されている
（Ｋ．Ｏｔａ ｅｔ ａｌ．：Ｐｒｏｃ．ｏｆ ＳＰＩ
Ｅ １４６３ Ｏｐｔｉｃａｌ／Ｌａｚｅｒ Ｍｉｃｒ
ｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ（１９９１））。
回路のパターン形成において、下層パターンと上層パタ
ーンのアライメントは、一般に半導体基板上に形成され
たアライメントマークを用いて行われており、マークの
段差、表面荒れ、下地の反射等のアライメントマークの
検出を困難にする要因についても改善策が施されている
（Ｋ．Ｏｔａ ｅｔ ａｌ．：Ｐｒｏｃ．ｏｆ ＳＰＩ
Ｅ １４６３ Ｏｐｔｉｃａｌ／Ｌａｚｅｒ Ｍｉｃｒ
ｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ（１９９１））。
【０００３】しかし、マーク近傍の傷やグレイン等によ
るノイズは十分除去することができず、アライメントマ
ーク検出エラーの要因となっている。従来はアライメン
ト方法にレーザ干渉等を用い、マーク全体のレーザ干渉
効果により、マーク近傍の傷やグレインを平均化する方
法が行われてきたが、傷やグレインがひどくなると、検
出信号の平均化では対応できなかった。
るノイズは十分除去することができず、アライメントマ
ーク検出エラーの要因となっている。従来はアライメン
ト方法にレーザ干渉等を用い、マーク全体のレーザ干渉
効果により、マーク近傍の傷やグレインを平均化する方
法が行われてきたが、傷やグレインがひどくなると、検
出信号の平均化では対応できなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半導体基板上に形成さ
れたアライメントマークの近傍に傷やグレインがある場
合、アライメントマーク検出信号にノイズが発生し、正
確なアライメントマーク位置の取得が困難となる。これ
は比較的傷やグレインに強い、干渉等を利用した平均化
効果を持つアライメント方法についてもいえることであ
る。
れたアライメントマークの近傍に傷やグレインがある場
合、アライメントマーク検出信号にノイズが発生し、正
確なアライメントマーク位置の取得が困難となる。これ
は比較的傷やグレインに強い、干渉等を利用した平均化
効果を持つアライメント方法についてもいえることであ
る。
【０００５】本発明は上記問題点に鑑み、アライメント
マーク近傍の傷やグレイン等のノイズに強いアライメン
ト方法の提供を目的とする。
マーク近傍の傷やグレイン等のノイズに強いアライメン
ト方法の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明のアライメント方法は、逐次移動式露光装置
の演算部分に、半導体基板上に形成されたアライメント
マークの理想的な形状およびアライメント方法を入力
し、前記アライメントマークおよびアライメント方法に
対応した理想的なアライメントマークのモデル検出信号
を作成する工程と、前記逐次移動式露光装置のアライメ
ントマーク検出部分で前記アライメントマークの実際の
検出信号を検出する工程と、前記モデル検出信号と前記
実際の検出信号のずれ量を前記演算部分で算出し、前記
ずれ量が最小になる位置を前記基板上のアライメントマ
ークの位置であると認識する工程とを備えたものであ
る。
めに本発明のアライメント方法は、逐次移動式露光装置
の演算部分に、半導体基板上に形成されたアライメント
マークの理想的な形状およびアライメント方法を入力
し、前記アライメントマークおよびアライメント方法に
対応した理想的なアライメントマークのモデル検出信号
を作成する工程と、前記逐次移動式露光装置のアライメ
ントマーク検出部分で前記アライメントマークの実際の
検出信号を検出する工程と、前記モデル検出信号と前記
実際の検出信号のずれ量を前記演算部分で算出し、前記
ずれ量が最小になる位置を前記基板上のアライメントマ
ークの位置であると認識する工程とを備えたものであ
る。
【０００７】また、本発明のアライメント方法は、半導
体基板上に形成されたアライメントマークの理想状態に
おけるモデル周波数成分を算出し、記憶しておく工程
と、逐次移動式露光装置のアライメントマーク検出部分
で前記アライメントマークの実際の検出信号を検出する
工程と、前記逐次移動式露光装置の演算部分において実
際の検出信号を周波数解析して実際の周波数成分を取得
する工程と、前記実際の周波数成分のうち、前記モデル
周波数成分とほぼ同一の周波数成分のみを抽出し、マー
ク検出信号に変換する工程と、前記変換後の検出信号に
よりアライメントを行う工程とを備えたものである。
体基板上に形成されたアライメントマークの理想状態に
おけるモデル周波数成分を算出し、記憶しておく工程
と、逐次移動式露光装置のアライメントマーク検出部分
で前記アライメントマークの実際の検出信号を検出する
工程と、前記逐次移動式露光装置の演算部分において実
際の検出信号を周波数解析して実際の周波数成分を取得
する工程と、前記実際の周波数成分のうち、前記モデル
周波数成分とほぼ同一の周波数成分のみを抽出し、マー
ク検出信号に変換する工程と、前記変換後の検出信号に
よりアライメントを行う工程とを備えたものである。
【０００８】
【作用】本発明は、前記したアライメント方法により、
アライメントマークの近傍に傷やグレインがあっても、
傷、グレインに起因する検出信号のノイズが除去される
ので、従来発生していたアライメントマーク検出不可能
によるエラーが解消し、アライメント精度が向上する。
また、傷やグレインのないマークについても、従来法に
比べ、マーク位置を検出精度が向上するため、より高精
度なアライメントが可能となる。
アライメントマークの近傍に傷やグレインがあっても、
傷、グレインに起因する検出信号のノイズが除去される
ので、従来発生していたアライメントマーク検出不可能
によるエラーが解消し、アライメント精度が向上する。
また、傷やグレインのないマークについても、従来法に
比べ、マーク位置を検出精度が向上するため、より高精
度なアライメントが可能となる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の第一の実施例のアライメント
方法について、図面を参照しながら説明する。
方法について、図面を参照しながら説明する。
【００１０】半導体基板を露光する前に、基板上に形成
されたアライメントマークの形状、アライメント方法を
逐次移動式露光装置に入力する。ここでは、アライメン
トマークは凹形で段差３００ｎｍ、線幅６μｍの５本ラ
インアンドスペースである。また、アライメント方法は
ハロゲンランプを用いた画像認識方法である。アライメ
ントマークおよびアライメント方法のデータから図１
（ａ）に示すようなモデル検出信号Ｍ（ｘ）を作成す
る。ｘはマークのラインアンドスペースと直交する方向
の位置の座標である。
されたアライメントマークの形状、アライメント方法を
逐次移動式露光装置に入力する。ここでは、アライメン
トマークは凹形で段差３００ｎｍ、線幅６μｍの５本ラ
インアンドスペースである。また、アライメント方法は
ハロゲンランプを用いた画像認識方法である。アライメ
ントマークおよびアライメント方法のデータから図１
（ａ）に示すようなモデル検出信号Ｍ（ｘ）を作成す
る。ｘはマークのラインアンドスペースと直交する方向
の位置の座標である。
【００１１】次に半導体基板を露光装置のステージ上に
ロードし、アライメントを行う。半導体基板上には、５
００℃の高温でアルミがスパッタされており、グレイン
のために、同図（ｂ）に示すようにマーク検出信号Ａ
（ｘ）はモデル信号Ｍ（ｘ）に比べ大きくくずれ、位置
検出が困難となる。通常のアライメント方法では、アラ
イメントずれの平均とばらつき（３σ）で０.２μｍ程
度になる。
ロードし、アライメントを行う。半導体基板上には、５
００℃の高温でアルミがスパッタされており、グレイン
のために、同図（ｂ）に示すようにマーク検出信号Ａ
（ｘ）はモデル信号Ｍ（ｘ）に比べ大きくくずれ、位置
検出が困難となる。通常のアライメント方法では、アラ
イメントずれの平均とばらつき（３σ）で０.２μｍ程
度になる。
【００１２】次に同図（ｃ）でイメージされる（数１）
に示すようなパラメータＲ（実際のマーク検出信号Ａ
（ｘ）とモデル信号Ｍ（ｘ）のずれ量を表すパラメー
タ）を導入する。Ｒが最小になる位置をアライメントマ
ークの位置であると判断する。
に示すようなパラメータＲ（実際のマーク検出信号Ａ
（ｘ）とモデル信号Ｍ（ｘ）のずれ量を表すパラメー
タ）を導入する。Ｒが最小になる位置をアライメントマ
ークの位置であると判断する。
【００１３】
【数１】
【００１４】マーク位置を認識したら次のアライメント
マークにステージを移動する。この方法によりアライメ
ントを行うとアライメントずれの平均とばらつき（３
σ）で０.１μｍ程度になり、従来の方法に比べ０.１μ
ｍ程度アライメント精度が向上する。
マークにステージを移動する。この方法によりアライメ
ントを行うとアライメントずれの平均とばらつき（３
σ）で０.１μｍ程度になり、従来の方法に比べ０.１μ
ｍ程度アライメント精度が向上する。
【００１５】次に、本発明の第二の実施例のアライメン
ト方法について、図面を参照しながら説明する。
ト方法について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】半導体基板を露光する前に、基板上に形成
されたアライメントマークの形状を逐次移動式露光装置
に入力する。ここでは、アライメントマークは凹形で段
差３００ｎｍ、線幅６μｍの５本ラインアンドスペース
である。アライメントマークのデータを周波数解析し、
図２（ｃ）のような周波数成分Ｆｍを得る。
されたアライメントマークの形状を逐次移動式露光装置
に入力する。ここでは、アライメントマークは凹形で段
差３００ｎｍ、線幅６μｍの５本ラインアンドスペース
である。アライメントマークのデータを周波数解析し、
図２（ｃ）のような周波数成分Ｆｍを得る。
【００１７】次に半導体基板を露光装置のステージ上に
ロードし、アライメントを行う。半導体基板上には、５
００℃の高温でアルミがスパッタされており、グレイン
のために、同図（ａ）に示すようなくずれたマーク検出
信号になり、位置検出が困難となる。通常のアライメン
ト方法では、アライメントずれの平均とばらつき（３
σ）で０.２μｍ程度になる。
ロードし、アライメントを行う。半導体基板上には、５
００℃の高温でアルミがスパッタされており、グレイン
のために、同図（ａ）に示すようなくずれたマーク検出
信号になり、位置検出が困難となる。通常のアライメン
ト方法では、アライメントずれの平均とばらつき（３
σ）で０.２μｍ程度になる。
【００１８】同図（ａ）に示したマーク検出信号を周波
数解析し同図（ｂ）のような周波数成分Ｆｒを得る。
数解析し同図（ｂ）のような周波数成分Ｆｒを得る。
【００１９】周波数成分Ｆｒのうち、Ｆｍの主要な周波
数成分±３％の範囲の周波数帯域のみを取り出し、信号
波形に逆変換する。ここで得られた信号波形が同図
（ｄ）であり、同図（ａ）でみられるノイズ成分が除去
されている。
数成分±３％の範囲の周波数帯域のみを取り出し、信号
波形に逆変換する。ここで得られた信号波形が同図
（ｄ）であり、同図（ａ）でみられるノイズ成分が除去
されている。
【００２０】同図（ｄ）の信号波形を利用してマーク位
置の検出を行なう。マーク位置を認識したら次のアライ
メントマークにステージを移動する。
置の検出を行なう。マーク位置を認識したら次のアライ
メントマークにステージを移動する。
【００２１】この方法によりアライメントを行うとアラ
イメントずれの平均とばらつき（３σ）で０.１μｍ程
度になり、従来の方法に比べ０．１μｍ程度アライメン
ト精度が向上する。
イメントずれの平均とばらつき（３σ）で０.１μｍ程
度になり、従来の方法に比べ０．１μｍ程度アライメン
ト精度が向上する。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体基板上に形成されたアライメントマークの形状や
アライメント方法を逐次移動式露光装置に入力し、マー
ク検出信号の理想モデルを作成した後、実際のマーク検
出信号とモデルを重ね合わせ、両者のずれ量が最小にな
る位置をマーク位置とすることによって、マーク位置の
近傍に傷やグレインがある場合でも、アライメントマー
ク検出信号のノイズ成分を除去し、高精度のアライメン
トが可能となる。
半導体基板上に形成されたアライメントマークの形状や
アライメント方法を逐次移動式露光装置に入力し、マー
ク検出信号の理想モデルを作成した後、実際のマーク検
出信号とモデルを重ね合わせ、両者のずれ量が最小にな
る位置をマーク位置とすることによって、マーク位置の
近傍に傷やグレインがある場合でも、アライメントマー
ク検出信号のノイズ成分を除去し、高精度のアライメン
トが可能となる。
【００２３】また、本発明によれば、実際のアライメン
トマークの検出信号を周波数解析し、理想的なアライメ
ントマークの検出信号と同様の周波数成分のみを取り出
し、マーク検出信号に逆変換することにより、実際のマ
ーク検出信号のノイズ成分を除去し、高精度のアライメ
ントが可能となる。
トマークの検出信号を周波数解析し、理想的なアライメ
ントマークの検出信号と同様の周波数成分のみを取り出
し、マーク検出信号に逆変換することにより、実際のマ
ーク検出信号のノイズ成分を除去し、高精度のアライメ
ントが可能となる。
【００２４】従って、本発明を用いることによって、ア
ライメント精度が向上し、半導体製造プロセスの信頼性
と半導体集積回路の製造に大きく寄与することができ
る。
ライメント精度が向上し、半導体製造プロセスの信頼性
と半導体集積回路の製造に大きく寄与することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施例におけるアライメント方
法の概念図
法の概念図
【図２】本発明の第２の実施例におけるアライメント方
法の概念図
法の概念図
Ａ（ｘ） マーク検出信号 Ｍ（ｘ） モデル信号
Claims (4)
- 【請求項１】半導体基板上に形成されたアライメントマ
ークの検出方法において、逐次移動式露光装置の演算部
分に前記アライメントマークの形状およびアライメント
方法を入力し、前記アライメントマークおよびアライメ
ント方法に対応した理想的なアライメントマークのモデ
ル検出信号を作成する工程と、前記逐次移動式露光装置
のアライメントマーク検出部分で前記アライメントマー
クの実際の検出信号を検出する工程と、前記モデル検出
信号と前記実際の検出信号のずれ量を前記演算部分で算
出し、前記ずれ量が最小になる位置を前記基板上のアラ
イメントマークの位置であると認識する工程とを備えた
アライメント方法。 - 【請求項２】半導体基板上に形成されたアライメントマ
ークの検出方法において、前記アライメントマークの理
想状態におけるモデル周波数成分を算出し、記憶してお
く工程と、逐次移動式露光装置のアライメントマーク検
出部分で前記アライメントマークの実際の検出信号を検
出する工程と、前記逐次移動式露光装置の演算部分にお
いて前記実際の検出信号を周波数解析して周波数成分を
取得する工程と、前記実際の検出信号の周波数成分のう
ち、前記モデル周波数成分とほぼ同一の周波数成分のみ
を抽出し、マーク検出信号に変換する工程と、前記変換
後の検出信号によりアライメントを行う工程とを備えた
アライメント方法。 - 【請求項３】理想状態のアライメントマークの形状およ
びアライメント方法に関する情報を取得する部分と、前
記情報から検出されるアライメントマーク検出信号のモ
デルを作成する部分と、前記モデル検出信号の情報を保
持する部分と、半導体基板上に形成された前記アライメ
ントマークの実際の検出信号の情報を保持する部分と、
前記モデル検出信号と前記実際の検出信号のずれ量が最
小になる位置を算出する部分とを備えた半導体装置の製
造装置。 - 【請求項４】理想状態のアライメントマークの形状に関
する情報を取得する部分と、前記情報から周波数成分の
モデルを算出する部分と、半導体基板上に形成された前
記アライメントマークの実際の検出信号の周波数成分を
算出する部分と、前記モデル周波数成分と前記実際の周
波数成分を保持する部分と、前記実際の周波数成分か
ら、前記モデル周波数成分とほぼ同一の周波数成分のみ
を抽出して、処理後の周波数成分を算出する部分と、前
記処理後の周波数成分を保持する部分と、前記処理後の
周波数成分から処理後の検出信号を算出する部分と、前
記処理後の検出信号によりアライメントを行う部分とを
備えた半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5166861A JP2985587B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | アライメント方法および半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5166861A JP2985587B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | アライメント方法および半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722307A true JPH0722307A (ja) | 1995-01-24 |
| JP2985587B2 JP2985587B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=15839005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5166861A Expired - Fee Related JP2985587B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | アライメント方法および半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2985587B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003043064A1 (en) * | 2001-11-14 | 2003-05-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate inspecting device, coating/developing device and substrate inspecting method |
| JP2005529488A (ja) * | 2002-06-05 | 2005-09-29 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 向上された自動プロセス制御のためのオーバレイ診断の利用 |
| JP2013254780A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Canon Inc | 位置検出システム、インプリント装置、デバイス製造方法、および位置検出方法 |
-
1993
- 1993-07-06 JP JP5166861A patent/JP2985587B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003043064A1 (en) * | 2001-11-14 | 2003-05-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate inspecting device, coating/developing device and substrate inspecting method |
| US6974963B2 (en) | 2001-11-14 | 2005-12-13 | Tokyo Electron Limited | Substrate inspecting device, coating/developing device and substrate inspecting method |
| CN1329953C (zh) * | 2001-11-14 | 2007-08-01 | 东京毅力科创株式会社 | 基板检查装置、涂敷·显影装置和基板检查方法 |
| KR100886553B1 (ko) * | 2001-11-14 | 2009-03-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판검사장치, 도포·현상장치 및 기판검사방법 |
| JP2005529488A (ja) * | 2002-06-05 | 2005-09-29 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 向上された自動プロセス制御のためのオーバレイ診断の利用 |
| JP2013254780A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Canon Inc | 位置検出システム、インプリント装置、デバイス製造方法、および位置検出方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2985587B2 (ja) | 1999-12-06 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |