JPH0722208A - Composite varistor - Google Patents
Composite varistorInfo
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- JPH0722208A JPH0722208A JP5164853A JP16485393A JPH0722208A JP H0722208 A JPH0722208 A JP H0722208A JP 5164853 A JP5164853 A JP 5164853A JP 16485393 A JP16485393 A JP 16485393A JP H0722208 A JPH0722208 A JP H0722208A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えばノイズ吸収素子
として採用されるＳｒＴｉＯ3 系複合バリスタに関し、
特に高いバリスタ電圧を得ながらサージ耐量を向上でき
るようにした構造に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a SrTiO 3 -based composite varistor used as, for example, a noise absorbing element,
In particular, the present invention relates to a structure capable of improving surge withstand while obtaining a high varistor voltage.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電圧非直線特性を利用してノイズを吸収
するようにしたＳｒＴｉＯ3 系バリスタは、静電容量が
大きいことから、コンデンサとしても有用な複合バリス
タとして知られている。このような複合バリスタは、従
来、半導体セラミック粉末をプレス成形して成形体を形
成し、この成形体を還元性雰囲気中で高温焼成して焼結
体を形成し、この後焼結体にＮａ等の１価金属酸化物や
その化合物を拡散させることによって結晶粒界に電気的
障壁を形成し、これにより電圧非直線特性を得ている。
また上記複合バリスタにおいては、電子機器の高性能
化，多機能化に伴ってバリスタ電圧の高電圧化が要請さ
れている。この高電圧化に対応するには、上記焼結体の
厚さを厚くすることにより実現できる。2. Description of the Related Art A SrTiO 3 varistor which absorbs noise by utilizing a voltage non-linear characteristic is known as a composite varistor useful as a capacitor because of its large capacitance. In such a composite varistor, conventionally, a semiconductor ceramic powder is press-molded to form a molded body, and the molded body is fired at a high temperature in a reducing atmosphere to form a sintered body. An electric barrier is formed at the crystal grain boundary by diffusing a monovalent metal oxide such as the above or a compound thereof, thereby obtaining a voltage non-linear characteristic.
Further, in the above-mentioned composite varistor, higher varistor voltage has been demanded as electronic equipment has higher performance and more functions. The high voltage can be dealt with by increasing the thickness of the sintered body.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の複合バリスタでは、高いバリスタ電圧を得るために焼
結体の厚さを厚くすると、該焼結体に酸化物等が均一に
拡散し難くなり、その結果サージ耐量が悪化するという
問題点があり、肉厚を大きくする方法には限界がある。However, in the conventional composite varistor described above, if the thickness of the sintered body is increased in order to obtain a high varistor voltage, it becomes difficult for oxides and the like to uniformly diffuse into the sintered body. As a result, there is a problem that the surge resistance is deteriorated, and there is a limit to the method of increasing the wall thickness.
【０００４】本発明は上記従来の状況に鑑みてなされた
もので、焼結体の厚さを大きくして高いバリスタ電圧を
得る場合の、サージ耐量の悪化を回避できる複合バリス
タを提供することを目的としている。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and it is an object of the present invention to provide a composite varistor capable of avoiding deterioration of surge withstand when a high varistor voltage is obtained by increasing the thickness of a sintered body. Has an aim.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本件発明者らは、サージ
耐量が悪化する原因について検討したところ、以下の点
を見出した。即ち、従来の複合バリスタはセラミック粉
末をプレス成形して所定厚さの成形体を形成した後、こ
れを高温焼成して焼結体を得るようにしている。ところ
が、この焼成時に結晶粒子が異常成長して粒径にばらつ
きが生じ易く、しかも上記焼結体内の粒界への金属酸化
物の拡散が均一に行われず、かつ酸素の供給が不十分と
なっている。このような問題を解消するためにさらに検
討を重ねたところ、上記成形体を複数枚のグリーンシー
トを積層して構成することによって、セラミック粒子の
異常成長を抑制でき、しかも積層したグリーンシート間
にポアが形成でき、これにより酸化物の拡散を促進でき
ることに想到し、本発明を成したものである。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have investigated the cause of the deterioration of the surge resistance and found the following points. That is, in the conventional composite varistor, a ceramic powder is press-molded to form a compact having a predetermined thickness, and then the compact is fired at a high temperature to obtain a sintered compact. However, during this firing, crystal grains are abnormally grown and the grain size is likely to vary, and further, the metal oxide is not uniformly diffused to the grain boundaries in the sintered body, and the supply of oxygen is insufficient. ing. After further study to solve such a problem, it was possible to suppress abnormal growth of ceramic particles by forming the above-mentioned molded body by laminating a plurality of green sheets, and between the laminated green sheets. The present invention has been made based on the idea that pores can be formed and that diffusion of oxides can be promoted.
【０００６】そこで請求項１の発明は、半導体セラミッ
ク粉末からなるグリーンシートを所定枚数積層して積層
体を形成するとともに、該積層体を一体焼成して焼結体
を形成し、該焼結体にＮａ，Ｋ，あるいはＬｉのような
１価の金属酸化物，又はその化合物を拡散させたことを
特徴とする複合バリスタである。Therefore, according to the invention of claim 1, a predetermined number of green sheets made of semiconductor ceramic powder are laminated to form a laminated body, and the laminated body is integrally fired to form a sintered body. It is a composite varistor in which a monovalent metal oxide such as Na, K, or Li or a compound thereof is diffused.
【０００７】また請求項２の発明は、上記グリーンシー
トの膜厚を１０μm 以下としたことを特徴とし、さらに
請求項３の発明は、上記半導体セラミック粉末の出発原
料の平均粒径を１．５μm 以下としたことを特徴として
いる。The invention according to claim 2 is characterized in that the film thickness of the green sheet is 10 μm or less, and the invention according to claim 3 is that the starting material of the semiconductor ceramic powder has an average particle size of 1.5 μm. It is characterized by the following.
【０００８】[0008]
【作用】請求項１の発明に係る複合バリスタによれば、
所定数のグリーンシートを積層してなる積層体を焼成し
たので、これにより結晶粒子の異常成長を抑制して粒径
を均一化でき、しかも積層したグリーンシートの接合面
に適度なポアが形成されることから、金属酸化物等の拡
散を促進できるとともに、酸素を十分に供給できる。そ
の結果、肉厚を厚くして高いバリスタ電圧を得る場合
の、サージ耐量の悪化を回避できる。According to the composite varistor of the first aspect of the present invention,
Since a laminate formed by laminating a predetermined number of green sheets was fired, abnormal growth of crystal grains can be suppressed and the grain size can be made uniform, and appropriate pores can be formed on the joint surface of the laminated green sheets. Therefore, diffusion of metal oxides can be promoted and oxygen can be sufficiently supplied. As a result, it is possible to avoid the deterioration of the surge withstand amount when the wall thickness is increased to obtain a high varistor voltage.
【０００９】また上記請求項２の発明では、グリーンシ
ートの厚さを１０μm 以下としたので、このようにした
場合は結晶粒子の異常成長をさらに抑制できる。Further, according to the second aspect of the invention, since the thickness of the green sheet is set to 10 μm or less, abnormal growth of crystal grains can be further suppressed in such a case.
【００１０】さらに上記請求項３の発明では、半導体セ
ラミック粉末の平均粒径を１．５μm 以下としたので、
焼成時における焼結体の結晶粒子が均一となり、ひいて
は非直線係数の向上を図ることができ、かつサージ耐量
をさらに向上できる。Further, according to the third aspect of the invention, since the average particle size of the semiconductor ceramic powder is set to 1.5 μm or less,
The crystal grains of the sintered body at the time of firing become uniform, and thus the nonlinear coefficient can be improved, and the surge resistance can be further improved.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図１及び図２は本発明の一実施例による複合バリス
タを説明するための図である。本実施例では、本発明の
複合バリスタを製造し、これにより得られたバリスタの
効果を確認するために行った試験について説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2 are views for explaining a composite varistor according to an embodiment of the present invention. In this example, a test performed for manufacturing the composite varistor of the present invention and confirming the effect of the varistor thus obtained will be described.
【００１２】まず、本実施例の複合バリスタの一製造方
法について説明する。原料として、炭酸ストロンチウム
（平均粒径１．３μm ），炭酸カルシウム（平均粒径
６．０μm ），酸化チタン（平均粒径１．５μm ）酸化
エルビウム（平均粒径３．５μm ）を準備し、この各原
料粉の平均粒径がそれぞれ１．５μm 以下となるよう粉
砕して出発原料粉を作成する。First, a method of manufacturing the composite varistor of this embodiment will be described. Prepare strontium carbonate (average particle size 1.3 μm), calcium carbonate (average particle size 6.0 μm), titanium oxide (average particle size 1.5 μm) and erbium oxide (average particle size 3.5 μm) as raw materials. The starting raw material powder is prepared by pulverizing each raw material powder so that the average particle diameter of each raw material powder is 1.5 μm or less.
【００１３】上記各出発原料粉をＳｒ0.845 Ｃａ0.15Ｅ
ｒ0.005 ＴｉＯ3 となるよう配合し、これに純水を加え
てボールミルで混合する。次いでこの混合粉をフィルタ
で脱水し、乾燥させるとともに、メッシュで造粒した
後、１２００℃で２時間仮焼成する。The above starting raw material powders were mixed with Sr 0.845 Ca 0.15 E
r 0.005 TiO 3 is mixed, pure water is added to this, and mixed by a ball mill. Next, this mixed powder is dehydrated with a filter, dried, granulated with a mesh, and then calcined at 1200 ° C. for 2 hours.
【００１４】次に、上記仮焼成体を乾式粉砕した後、こ
の仮焼成粉末にＳｉＯ2 を０．０５wt％の割合で添加
し、これに純水を加えてボールミルで混合，粉砕してス
ラリーを形成する。次いで、このスラリーにバインダー
を添加，混合し、ドクターブレード法により厚さ１０μ
m 以下のセラミックスシートを形成する。Next, after dry pulverizing the pre-baked body, SiO 2 is added to the pre-baked powder in a proportion of 0.05 wt%, and pure water is added to the pre-baked powder and mixed and crushed in a ball mill to form a slurry. Form. Next, a binder is added to and mixed with this slurry, and a thickness of 10 μm is obtained by a doctor blade method.
A ceramic sheet of m or less is formed.
【００１５】次いで、図１に示すように、上記セラミッ
クスシートを円板状に打ち抜いて多数のグリーンシート
１ａを形成する。そして、この各グリーンシート１ａを
２００枚積層するとともに、この積層方向に２t/cm2 の
圧力を加えて圧着し、これにより積層体１を形成し、こ
の積層体１を直径１０ｍｍφの大きさになるようカット
する。Next, as shown in FIG. 1, the ceramic sheet is punched into a disk shape to form a large number of green sheets 1a. Then, 200 sheets of each green sheet 1a are laminated, and a pressure of 2 t / cm 2 is applied in the laminating direction to perform pressure bonding, thereby forming a laminated body 1, and the laminated body 1 having a diameter of 10 mmφ. Cut so that
【００１６】次に、上記積層体１を空気中にて５００℃
の温度で２時間熱処理してバインダーを燃焼させた後、
１２００℃に昇温して２時間焼成し、続いてＨ2 ／Ｎ2
＝１／１００（体積％）の混合ガス還元性雰囲気に置換
して１４００℃で１時間焼成して焼結体１´を得る。こ
れにより結晶粒子の異常成長が抑制されて粒径が均一化
されるとともに、焼結体１´の各グリーンシート１ａの
接合面にポアが形成されることとなる。ここで、上記焼
結体１´の大きさは直径が８．５ｍｍφで厚さが１．７
ｍｍであった。Next, the above laminated body 1 is subjected to 500 ° C. in air.
After the heat treatment for 2 hours to burn the binder,
The temperature is raised to 1200 ° C. and baked for 2 hours, followed by H 2 / N 2
= 1/100 (volume%) of the mixed gas reducing atmosphere and firing at 1400 ° C. for 1 hour to obtain a sintered body 1 ′. As a result, abnormal growth of crystal grains is suppressed and the grain size is made uniform, and pores are formed on the joint surface of each green sheet 1a of the sintered body 1 '. Here, the sintered body 1 ′ has a diameter of 8.5 mmφ and a thickness of 1.7.
It was mm.
【００１７】次に、上記焼結体１´に面取り加工を施し
た後、これをアルミナ磁器ポット内に収容し、この磁器
ポット内にＮａをＮａＣＯ3 に換算して０．５wt％添加
する。次いで、上記アルミナ磁器ポットを回転させなが
ら１２５０℃の温度で３時間熱処理する。この熱処理に
よって上記焼結体１´の結晶粒界にこれのポアを介して
Ｎａ酸化物が拡散されるとともに、酸素が供給されるこ
ととなる。Next, after the chamfered in the sintered body 1 ', which was housed in an alumina porcelain pot, adding 0.5 wt% in terms of Na in NaCO 3 in the porcelain pot. Then, the alumina porcelain pot is rotated and heat-treated at a temperature of 1250 ° C. for 3 hours. By this heat treatment, Na oxide is diffused into the crystal grain boundaries of the sintered body 1'through their pores and oxygen is supplied.
【００１８】次いで、上記焼結体１´の両主面にＡｇペ
ーストを塗布した後、焼き付けて直径７．５ｍｍφの電
極２を形成する。これにより本実施例の複合バリスタ３
が製造される（図２参照）。この後、上記両電極２にリ
ード線を半田付け接続し、上記焼結体１´の外表面部分
に外装樹脂をコーティングする。Next, Ag paste is applied to both main surfaces of the sintered body 1'and then baked to form an electrode 2 having a diameter of 7.5 mmφ. As a result, the composite varistor 3 of this embodiment is
Are manufactured (see FIG. 2). After that, lead wires are connected to both electrodes 2 by soldering, and the outer surface portion of the sintered body 1'is coated with an exterior resin.
【００１９】[0019]
【表１】 [Table 1]
【００２０】表１は、本実施例方法により製造された複
合バリスタ３の効果を確認するために行った試験結果を
示す。この試験は、上述した製造方法により本実施例試
料を作成し、この実施例試料のバリスタ電圧Ｖ1mA ，非
直線係数ａ，静電容量ｎＦ，及び３０００Ａのサージ電
流を印加した後のバリスタ電圧の変化率％を測定した。
この３０００Ａサージは８×２０μsec の三角電流波を
５分間隔で２回印加した後のＶ1mA の変化を測定した。Table 1 shows the results of tests conducted to confirm the effect of the composite varistor 3 manufactured by the method of this embodiment. In this test, the sample of this example was prepared by the above-described manufacturing method, and the varistor voltage V 1mA of this sample, the nonlinear coefficient a, the capacitance nF, and the varistor voltage after applying a surge current of 3000 A were measured. The percent change was measured.
For this 3000 A surge, the change in V 1 mA was measured after applying a triangular current wave of 8 × 20 μsec twice at 5 minute intervals.
【００２１】また、比較するために従来の複合バリスタ
を作成し、この従来試料についても同様の測定を行っ
た。この従来試料は、上述の製造工程において形成され
たスラリーにバインダを混合した後、スプレー乾燥，造
粒してセラミックス粉末を形成し、この粉末をプレスに
より１t/cm2 の圧力を加えて直径１０ｍｍφ×厚さ２ｍ
ｍの成形体を形成し、これを上述と同様に焼成し、しか
る後酸化物を拡散させて試料を作成した。For comparison, a conventional composite varistor was prepared, and the same measurement was performed on this conventional sample. This conventional sample was prepared by mixing the slurry formed in the above manufacturing process with a binder, spray-drying and granulating it to form a ceramic powder, and applying a pressure of 1 t / cm 2 to this powder by pressing to obtain a diameter of 10 mmφ. × Thickness 2m
A molded body of m was formed, fired in the same manner as described above, and then the oxide was diffused to prepare a sample.
【００２２】表１からも明らかなように、従来試料の場
合、バリスタ電圧は４１３Ｖ，非直線係数は１６．５，
静電容量は６．５ｎＦと略所望の値が得られているが、
３０００Ａサージ後のバリスタ電圧の変化率は−１０．
４％と大きく、サージ耐量が悪化している。これに対し
て本実施例試料の場合は、バリスタ電圧が４７２Ｖ，非
直線係数が１８．１，静電容量が７．０ｎＦと何れも向
上しており、しかもバリスタ電圧の変化率では＋１．３
％と大幅に小さくなっている。これによりグリーンシー
トを積層することによって高いバリスタ電圧を得ながら
サージ耐量を向上できることがわかる。As is clear from Table 1, in the case of the conventional sample, the varistor voltage is 413 V and the nonlinear coefficient is 16.5.
The capacitance is 6.5 nF, which is almost the desired value.
The change rate of the varistor voltage after the 3000 A surge is -10.
It is as large as 4%, and the surge withstand capability deteriorates. On the other hand, in the case of the sample of this example, the varistor voltage was 472 V, the non-linear coefficient was 18.1, and the electrostatic capacitance was 7.0 nF, which were all improved, and the rate of change of the varistor voltage was +1.3.
It is significantly reduced to%. From this, it is understood that by stacking the green sheets, the surge resistance can be improved while obtaining a high varistor voltage.
【００２３】[0023]
【表２】 [Table 2]
【００２４】表２は、請求項２の発明に係る複合バリス
タの効果を確認するために行った試験結果を示す。この
試験は、上記実施例における各グリーンシートの厚さを
２０μm ，５０μm と変化させて積層し、これにより比
較試料を作成した。この場合、積層する各グリーンシー
トの枚数は積層体の厚さが２ｍｍとなるように設定し
た。そしてこの各比較試料のバリスタ電圧Ｖ1mA ，非直
線係数ａ，静電容量ｎＦ，及び３０００Ａサージ後のバ
リスタ電圧の変化率％を測定した。Table 2 shows the results of tests conducted to confirm the effect of the composite varistor according to the second aspect of the present invention. In this test, the thickness of each green sheet in the above example was changed to 20 μm and 50 μm and laminated, and a comparative sample was prepared. In this case, the number of green sheets to be laminated was set so that the thickness of the laminated body was 2 mm. Then, the varistor voltage V 1mA , the non-linear coefficient a, the capacitance nF, and the change rate% of the varistor voltage after 3000A surge of each comparative sample were measured.
【００２５】表２に示すように、上記各比較試料の場
合、バリスタ電圧，非直線係数，静電容量の何れも満足
できる値が得られている。一方、バリスタ電圧の変化率
では＋７．６％，＋５．５％と従来試料（表１参照）に
比べて改善されているものの、不充分な値となってい
る。このことからもグリーンシートの厚さを１０μm 以
下にすることが望ましい。As shown in Table 2, in each of the above-mentioned comparative samples, satisfactory values were obtained for the varistor voltage, the non-linear coefficient, and the capacitance. On the other hand, the varistor voltage change rates are + 7.6% and + 5.5%, which are improved compared with the conventional sample (see Table 1), but are insufficient values. From this, it is desirable that the thickness of the green sheet is 10 μm or less.
【００２６】[0026]
【表３】 [Table 3]
【００２７】表３は、請求項３の発明に係る複合バリス
タの効果を確認するために行った試験結果を示す。この
試験は、上記実施例におけるセラミック粉末の出発原料
の平均粒径を５μm ，２μm と変化させて比較試料を作
成し、この各比較試料のバリスタ電圧Ｖ1mA ，非直線係
数ａ，静電容量ｎＦ，及び３０００Ａサージ後のバリス
タ電圧の変化率％を測定した。Table 3 shows the results of tests conducted to confirm the effect of the composite varistor according to the third aspect of the present invention. In this test, comparative samples were prepared by changing the average particle size of the starting material of the ceramic powder in the above-mentioned examples to 5 μm and 2 μm, and the varistor voltage V 1mA , the non-linear coefficient a, and the capacitance nF of each comparative sample. , And the change rate% of the varistor voltage after the 3000 A surge was measured.
【００２８】表３に示すように、平均粒径５μm のセラ
ミック粉末を使用した比較試料の場合、バリスタ電圧の
変化率は−１８．３％と大きくなっており、サージ耐量
が劣化している。また平均粒径２μm の比較試料の場
合、バリスタ電圧の変化率は−３．５％とある程度改善
されているものの、不充分である。このことからも出発
原料の平均粒径を１．５μm 以下にすることがより望ま
しい。As shown in Table 3, in the case of the comparative sample using the ceramic powder having the average particle diameter of 5 μm, the change rate of the varistor voltage was as large as -18.3% and the surge withstand capability was deteriorated. Further, in the case of the comparative sample having the average particle diameter of 2 μm, the rate of change of the varistor voltage was improved to −3.5% to some extent, but it was insufficient. From this, it is more desirable to set the average particle size of the starting material to 1.5 μm or less.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上のように請求項１の発明に係る複合
バリスタによれば、所定枚数のグリーンシートを積層し
て積層体を形成し、該積層体を焼成して焼結体を形成し
たので、結晶粒径を均一化できるとともに、グリーンシ
ートの接合面に適度なポアを形成でき、ひいては金属酸
化物等の拡散，酸素の供給を促進できることから、高い
バリスタ電圧を得ながらサージ耐量を向上できる効果が
ある。また請求項２の発明では、グリーンシートの厚さ
を１０μm 以下とし、さらに請求項３の発明では、半導
体セラミック粉末の平均粒径を１．５μm 以下としたの
で、結晶粒子の異常成長をさらに抑制できるとともに、
結晶粒子を均一化でき、ひいては非直線係数の向上を図
ることができ、かつサージ耐量をさらに向上できる効果
がある。As described above, according to the composite varistor according to the invention of claim 1, a predetermined number of green sheets are laminated to form a laminated body, and the laminated body is fired to form a sintered body. Therefore, the crystal grain size can be made uniform, appropriate pores can be formed on the bonding surface of the green sheet, and the diffusion of metal oxides and the supply of oxygen can be promoted. Therefore, surge resistance can be improved while obtaining high varistor voltage. There is an effect that can be done. Further, in the invention of claim 2, the thickness of the green sheet is 10 μm or less, and in the invention of claim 3, the average particle size of the semiconductor ceramic powder is 1.5 μm or less, so that abnormal growth of crystal particles is further suppressed. While you can
The crystal grains can be made uniform, the nonlinear coefficient can be improved, and the surge resistance can be further improved.
【図１】本発明の一実施例による複合バリスタを説明す
るための分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view illustrating a composite varistor according to an embodiment of the present invention.
【図２】上記実施例の複合バリスタを示す斜視図であ
る。FIG. 2 is a perspective view showing a composite varistor of the above embodiment.
１ 積層体 １´ 焼結体 １ａ グリーンシート ３ 複合バリスタ 1 Laminated body 1'Sintered body 1a Green sheet 3 Composite varistor
Claims (3)
シートを所定枚数積層して積層体を形成するとともに、
該積層体を一体焼成して焼結体を形成し、該焼結体に１
価の金属酸化物，又はその化合物を拡散させたことを特
徴とする複合バリスタ。1. A laminated body is formed by laminating a predetermined number of green sheets made of semiconductor ceramic powder.
The laminated body is integrally fired to form a sintered body.
A composite varistor in which a valent metal oxide or a compound thereof is diffused.
の膜厚を１０μm 以下としたことを特徴とする複合バリ
スタ。2. The composite varistor according to claim 1, wherein the thickness of the green sheet is 10 μm or less.
ラミック粉末の出発原料の平均粒径を１．５μm 以下と
したことを特徴とする複合バリスタ。3. The composite varistor according to claim 1, wherein the starting material of the semiconductor ceramic powder has an average particle size of 1.5 μm or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5164853A JPH0722208A (en) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | Composite varistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5164853A JPH0722208A (en) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | Composite varistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722208A true JPH0722208A (en) | 1995-01-24 |
Family
ID=15801165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5164853A Withdrawn JPH0722208A (en) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | Composite varistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722208A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004305604A (en) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Japan Science & Technology Agency | Wiring embedded catheter and its production method |
-
1993
- 1993-07-02 JP JP5164853A patent/JPH0722208A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004305604A (en) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Japan Science & Technology Agency | Wiring embedded catheter and its production method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |