JPH07221332A - 太陽電池の素子と、その製造方法及び太陽電池 - Google Patents
太陽電池の素子と、その製造方法及び太陽電池Info
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009503 electrostatic coating Methods 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 claims 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- -1 preferably Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 abstract 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- COUNCWOLUGAQQG-UHFFFAOYSA-N copper;hydrogen peroxide Chemical compound [Cu].OO COUNCWOLUGAQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- OACODUCFPHHCIH-SANMLTNESA-N tert-butyl (2s)-2-[[4-amino-3-[2-(4-hydroxyphenyl)ethyl]benzoyl]amino]-4-phenylbutanoate Chemical compound C([C@@H](C(=O)OC(C)(C)C)NC(=O)C=1C=C(CCC=2C=CC(O)=CC=2)C(N)=CC=1)CC1=CC=CC=C1 OACODUCFPHHCIH-SANMLTNESA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 210000001170 unmyelinated nerve fiber Anatomy 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/035281—Shape of the body
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 製造コストが安く、効率が高い太陽電池用の
素子を製造する。 【構成】 本発明は棒状、ワイヤ状、ねじ状又は帯状の
少なくとも一つの細長い電極２を有し、この電極の表面
には少なくとも一つの光起電力効果を有する被覆３を施
した太陽光電池の素子１である。電極２は導電材料、特
に、多結晶の、好ましくは単結晶の構造を有する不純物
を含むシリコンからなり、被覆は、単結晶、又は多結晶
の光起電力効果を有する材料からなり、この材料に、ド
ーピング（ｐ−又はｎ−ドーピング）を施したことを特
徴としている。
素子を製造する。 【構成】 本発明は棒状、ワイヤ状、ねじ状又は帯状の
少なくとも一つの細長い電極２を有し、この電極の表面
には少なくとも一つの光起電力効果を有する被覆３を施
した太陽光電池の素子１である。電極２は導電材料、特
に、多結晶の、好ましくは単結晶の構造を有する不純物
を含むシリコンからなり、被覆は、単結晶、又は多結晶
の光起電力効果を有する材料からなり、この材料に、ド
ーピング（ｐ−又はｎ−ドーピング）を施したことを特
徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は細長い、棒状、ワイヤ
状、ねじ状又は帯状構造の少なくとも一つの電極を有
し、この電極の表面には少なくとも一つの光起電力効果
を有する被覆を施した太陽電池の素子と、その製造プロ
セス及び太陽電池へのその配置に関する。
状、ねじ状又は帯状構造の少なくとも一つの電極を有
し、この電極の表面には少なくとも一つの光起電力効果
を有する被覆を施した太陽電池の素子と、その製造プロ
セス及び太陽電池へのその配置に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は製造コ
ストが安く、効率が高い太陽電池用の素子を製造し、そ
れによって改良された太陽電池を製造することにある。
ストが安く、効率が高い太陽電池用の素子を製造し、そ
れによって改良された太陽電池を製造することにある。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明は、例えばマルチ
クリスタルの（multi-crystalline ）又はポリクリスタ
ルの（poly-crystalline）のシリコン、好ましくはモノ
クリスタルの（mono-crystalline）の構造を有するシリ
コン、金属などの導電材料からなる電極と、その電極の
表面のモノクリスタルのまたはマルチクリスタルの光起
電力効果を有する物質からなる被覆層とからなる。その
被覆層は（ｐ−又はｎ−ドーピング）のドーピングを施
したシリコンであることが好ましい。
クリスタルの（multi-crystalline ）又はポリクリスタ
ルの（poly-crystalline）のシリコン、好ましくはモノ
クリスタルの（mono-crystalline）の構造を有するシリ
コン、金属などの導電材料からなる電極と、その電極の
表面のモノクリスタルのまたはマルチクリスタルの光起
電力効果を有する物質からなる被覆層とからなる。その
被覆層は（ｐ−又はｎ−ドーピング）のドーピングを施
したシリコンであることが好ましい。
【０００４】好ましくは、電流を流す電極とその被覆層
とがシリコンから成っているが、その材料は異なってい
る。すなわち、電極は電流をよく通す不純物を含むシリ
コンから成り、被覆層はできるだけ純粋なシリコンであ
って、しかも最適な光起電力効果を発揮するために適宜
の方法でトーピングされたシリコンから成っている。
とがシリコンから成っているが、その材料は異なってい
る。すなわち、電極は電流をよく通す不純物を含むシリ
コンから成り、被覆層はできるだけ純粋なシリコンであ
って、しかも最適な光起電力効果を発揮するために適宜
の方法でトーピングされたシリコンから成っている。
【０００５】基本的に、シリコン電極には単一の被覆層
だけで充分であり、電極内キャリアと反対の電荷を有す
る被覆層内にそれぞれ形成さた電荷（ｐ−又はｎ−）に
よって、２つの逆の電荷の電界にそれぞれ光起電力の電
界がそれそれ発生し、一方、被覆層内に定量的に形成さ
れた電荷電位と匹敵する、電極に補足的に備えられた過
剰電荷キャリア、すなわち自由に移動できる電荷すなわ
ち電荷キャリアによって、シリコン電極の導電性を高め
る。
だけで充分であり、電極内キャリアと反対の電荷を有す
る被覆層内にそれぞれ形成さた電荷（ｐ−又はｎ−）に
よって、２つの逆の電荷の電界にそれぞれ光起電力の電
界がそれそれ発生し、一方、被覆層内に定量的に形成さ
れた電荷電位と匹敵する、電極に補足的に備えられた過
剰電荷キャリア、すなわち自由に移動できる電荷すなわ
ち電荷キャリアによって、シリコン電極の導電性を高め
る。
【０００６】従って、適正なシリコンの成分によって、
電極の境界領域には電荷の正と負の電界が生じ、被覆は
それぞれ逆（ｐ−又はｎ−）トーピングされる。
電極の境界領域には電荷の正と負の電界が生じ、被覆は
それぞれ逆（ｐ−又はｎ−）トーピングされる。
【０００７】電極の材料としてシリコンを使用する場
合、電極の構造はマルチクリスタルの構造になるので、
エピタキシー効果によって被覆層は粒状結晶、特にモノ
クリスタル構造を持つことができる。
合、電極の構造はマルチクリスタルの構造になるので、
エピタキシー効果によって被覆層は粒状結晶、特にモノ
クリスタル構造を持つことができる。
【０００８】別の材料でも上記と同類の効果を達成する
ことができる。
ことができる。
【０００９】本発明は請求項２及び３の特徴によって修
正することができ、本発明はまた請求項４から１０によ
る太陽電池構造でもあり、且つ残りの請求項に記載の製
造方法によって製造することができる。
正することができ、本発明はまた請求項４から１０によ
る太陽電池構造でもあり、且つ残りの請求項に記載の製
造方法によって製造することができる。
【００１０】本発明のその他の目的、特徴及び利点を図
面を参照しつつ以下に説明する。
面を参照しつつ以下に説明する。
【００１１】
【実施例】縦及び横断面図である図１及び図２に示すよ
うに、シリコンから引き抜かれ、又は成形された例えば
ワイヤ状又は帯状の電極２は光起電力効果を有する被覆
層３を備えており、この被覆層は径方向内側の内層５と
外側の外層６とが配置されている。これらの層５と６と
は異なるドーパント（ｐ−又はｎ−）がドーピングされ
ている。外側の層は超微細結晶でもアモルファスでも良
い。
うに、シリコンから引き抜かれ、又は成形された例えば
ワイヤ状又は帯状の電極２は光起電力効果を有する被覆
層３を備えており、この被覆層は径方向内側の内層５と
外側の外層６とが配置されている。これらの層５と６と
は異なるドーパント（ｐ−又はｎ−）がドーピングされ
ている。外側の層は超微細結晶でもアモルファスでも良
い。
【００１２】図３及び図４では、同類の態様で電極２が
図示されているが、この電極はあるドーピング（ｐ−又
はｎ−、ここではｐ）を施された単一の層だけから成る
単一の被覆層３を備えている。電極の表面の被覆層の境
界の電子１２（−）と、（被覆層内の）＋である「ホー
ル」（ｐ）との分離が発生し、過剰電子１３によってシ
リコンの導電性が高められる。
図示されているが、この電極はあるドーピング（ｐ−又
はｎ−、ここではｐ）を施された単一の層だけから成る
単一の被覆層３を備えている。電極の表面の被覆層の境
界の電子１２（−）と、（被覆層内の）＋である「ホー
ル」（ｐ）との分離が発生し、過剰電子１３によってシ
リコンの導電性が高められる。
【００１３】例えば、拡散（又はその他の作用）によっ
て、ドーピング層１４が、特に電極材料の表面のすぐ下
を清浄する事前拡散直後に電極２の外表面内に形成され
る。
て、ドーピング層１４が、特に電極材料の表面のすぐ下
を清浄する事前拡散直後に電極２の外表面内に形成され
る。
【００１４】図５及び図６に示したように、被覆された
電極２の２つの素子を互いに結合すると、電極２の間
に、又は被覆面のドーピング方法がそれぞれ逆である電
極２と対向電極７との二つの電極の間に太陽電池が形成
されるので、電流は電極２と７との間の被覆層３を通っ
て径方向に流れる。
電極２の２つの素子を互いに結合すると、電極２の間
に、又は被覆面のドーピング方法がそれぞれ逆である電
極２と対向電極７との二つの電極の間に太陽電池が形成
されるので、電流は電極２と７との間の被覆層３を通っ
て径方向に流れる。
【００１５】図７によれば、被覆層３の表面がそれぞれ
逆にドーピングさた２つの素子１を、距離８を隔てて、
又は互いに近接して、導電するように接続して（図５及
び図６の場合と同様に）、（反射性である）金属面又は
板９上に配置している。
逆にドーピングさた２つの素子１を、距離８を隔てて、
又は互いに近接して、導電するように接続して（図５及
び図６の場合と同様に）、（反射性である）金属面又は
板９上に配置している。
【００１６】図８に示すように、光起電力素子としての
面、シート又は板９の素子１に面した側に光起電力効果
を有する被覆層３を同様に備えてもよい。前記の素子１
は前記被覆層３上に導通するように設けられる。それに
よって、前記面９上の光電被覆された表面１０は対向電
極として機能し、また、光電被覆された表面とは逆にド
ーピングされた被覆表面を有する素子１は光電被覆層の
表面上に（図７と同様に）間隔８を隔てて接続される。
面、シート又は板９の素子１に面した側に光起電力効果
を有する被覆層３を同様に備えてもよい。前記の素子１
は前記被覆層３上に導通するように設けられる。それに
よって、前記面９上の光電被覆された表面１０は対向電
極として機能し、また、光電被覆された表面とは逆にド
ーピングされた被覆表面を有する素子１は光電被覆層の
表面上に（図７と同様に）間隔８を隔てて接続される。
【００１７】図９は電極材料が、（例えば銅、アルミニ
ウム、タングステン、Ｖ２Ａスチール、（ニッケルクロ
ミウム鋼））のような異なる金属の材料から成る、例え
ば電極線２を丸い孔３０を通して連続的に引き抜くとき
に被覆材料が被覆される被覆方法を示している。前記金
属材料の上には型抜き板２４の移動方向直前に被覆材料
２７が供給され、この材料２７が個々の型抜きステーシ
ョン２１−２３の各型抜き板もしくはダイスの直前でそ
れぞれ追加され、堆積させる。このような型抜きプロセ
スは、直径と断面積を縮小した通常の金属線を製造する
ために一般に公知である。
ウム、タングステン、Ｖ２Ａスチール、（ニッケルクロ
ミウム鋼））のような異なる金属の材料から成る、例え
ば電極線２を丸い孔３０を通して連続的に引き抜くとき
に被覆材料が被覆される被覆方法を示している。前記金
属材料の上には型抜き板２４の移動方向直前に被覆材料
２７が供給され、この材料２７が個々の型抜きステーシ
ョン２１−２３の各型抜き板もしくはダイスの直前でそ
れぞれ追加され、堆積させる。このような型抜きプロセ
スは、直径と断面積を縮小した通常の金属線を製造する
ために一般に公知である。
【００１８】このプロセスによって、電極線自体の構造
と断面積に影響を及ぼすことができる。型抜き板又はダ
イス又は孔３０内での圧力比又は強さのもとで、制御さ
れながら形成された構造、及び不純物がなく互いにでき
るだけ接近するように幾つかの層を接続又は結合するこ
とが、層の不均一さと平坦さ、及び薄膜の厚さを最適に
するように達成することができる。
と断面積に影響を及ぼすことができる。型抜き板又はダ
イス又は孔３０内での圧力比又は強さのもとで、制御さ
れながら形成された構造、及び不純物がなく互いにでき
るだけ接近するように幾つかの層を接続又は結合するこ
とが、層の不均一さと平坦さ、及び薄膜の厚さを最適に
するように達成することができる。
【００１９】型抜き板又はダイス内の圧力比又は強さに
よって、電極表面、又は加えられた材料及び例えば結晶
内成分の化学変化（例えば銅の酸化）を生じさせること
が可能である。
よって、電極表面、又は加えられた材料及び例えば結晶
内成分の化学変化（例えば銅の酸化）を生じさせること
が可能である。
【００２０】ワイヤ状、棒状、ねじ状又は帯状構造の細
長い電極の被覆は、液相エピタキシー（ＬＰＥ）によっ
て最も簡単に行うことができ、特に微細結晶、好ましく
は単結晶シリコン被覆相が次のようにして形成される。
長い電極の被覆は、液相エピタキシー（ＬＰＥ）によっ
て最も簡単に行うことができ、特に微細結晶、好ましく
は単結晶シリコン被覆相が次のようにして形成される。
【００２１】ｐ−シリコン層用には、必要なドーピング
と共にシリコンが、液体インジウム又はガリウムまたは
ビスマス又はそれらの合金内に、例えば水素ガスのよう
な減圧された雰囲気中で好ましくは飽和又は過飽和状態
に溶解され、被覆される表面がその溶融物内に入れら
れ、ワイヤの表面温度が低下するとき、必要なドーピン
グ濃度で、大部分が単結晶の形態でシリコンがドーピン
グ剤と共に被覆される。
と共にシリコンが、液体インジウム又はガリウムまたは
ビスマス又はそれらの合金内に、例えば水素ガスのよう
な減圧された雰囲気中で好ましくは飽和又は過飽和状態
に溶解され、被覆される表面がその溶融物内に入れら
れ、ワイヤの表面温度が低下するとき、必要なドーピン
グ濃度で、大部分が単結晶の形態でシリコンがドーピン
グ剤と共に被覆される。
【００２２】ｎ−ドーピングの被覆のためには、シリコ
ン及びドーピング剤の溶剤としてＡｓＩｎ又はインジウ
ム溶融物が好ましい。
ン及びドーピング剤の溶剤としてＡｓＩｎ又はインジウ
ム溶融物が好ましい。
【００２３】結晶の成長のために加えられる温度は２５
０℃から９４０℃の間で、冷却速度は５℃から１６℃／
時である。基板の結晶の向きは［１００］又は［１１
１］又はその他である。
０℃から９４０℃の間で、冷却速度は５℃から１６℃／
時である。基板の結晶の向きは［１００］又は［１１
１］又はその他である。
【００２４】ガリウム−ヒ化物層を分離して被覆するに
は、同様の方法でＧａ，ＧａＧｅ又はＧａＳｉ合金が溶
剤として加えられる。その際、層の成長温度の範囲は３
００℃から７５０℃の間になり、冷却速度は同一、又は
類似しており、基板の好ましい配向は［１００］又は
［１１１］である。このようにして、ワイヤ表面に重ね
て順次幾つかの層を被覆することができる。その他、ス
パッタ方式、スプレイ方式、レーザー被覆、静電被覆、
電子ビーム被覆、蒸着又は焼結によっても被覆を形成さ
せることができる。
は、同様の方法でＧａ，ＧａＧｅ又はＧａＳｉ合金が溶
剤として加えられる。その際、層の成長温度の範囲は３
００℃から７５０℃の間になり、冷却速度は同一、又は
類似しており、基板の好ましい配向は［１００］又は
［１１１］である。このようにして、ワイヤ表面に重ね
て順次幾つかの層を被覆することができる。その他、ス
パッタ方式、スプレイ方式、レーザー被覆、静電被覆、
電子ビーム被覆、蒸着又は焼結によっても被覆を形成さ
せることができる。
【００２５】本発明によれば、前述の方法でシリコン層
を被覆する前で、恐らくは例えば型抜き板又はダイス内
の表面を清浄後に、先ず基板の表面を拡散によって化学
変化又はドーピングさせられ、それぞれ第１の一体の
（ｐ又はｎの）光電層へと変化させてもよい。それによ
って例えば縦長に延びる溝を有するワイヤ状、もしくは
細長い輪郭に形成された、又は集合組織の表面が形成さ
れる。
を被覆する前で、恐らくは例えば型抜き板又はダイス内
の表面を清浄後に、先ず基板の表面を拡散によって化学
変化又はドーピングさせられ、それぞれ第１の一体の
（ｐ又はｎの）光電層へと変化させてもよい。それによ
って例えば縦長に延びる溝を有するワイヤ状、もしくは
細長い輪郭に形成された、又は集合組織の表面が形成さ
れる。
【００２６】本発明のプロセスによって例えば厚さが
０．５ミクロンと１００ミクロンの層を被覆することが
できる。本発明のプロセスによって、例えばシリコン線
のワイヤ表面が（この場合も例えば型抜き板、ダイス又
は型抜きプロフィル又はエッンチングによって）先ず清
浄され、引き続いてワイヤが連続して配置された被覆槽
を通して引き抜かれる。この槽内では（任意の速度と反
応期間及び浸漬期間で）被覆槽の順序に応じてたｎ−及
びｐ−層の選択された厚さにシリコン被覆層が形成され
る。このように被覆されて成形されたワイヤは引き続い
て、これを型抜き板又はダイスを通して引き抜くことに
よって結晶化させることができる。
０．５ミクロンと１００ミクロンの層を被覆することが
できる。本発明のプロセスによって、例えばシリコン線
のワイヤ表面が（この場合も例えば型抜き板、ダイス又
は型抜きプロフィル又はエッンチングによって）先ず清
浄され、引き続いてワイヤが連続して配置された被覆槽
を通して引き抜かれる。この槽内では（任意の速度と反
応期間及び浸漬期間で）被覆槽の順序に応じてたｎ−及
びｐ−層の選択された厚さにシリコン被覆層が形成され
る。このように被覆されて成形されたワイヤは引き続い
て、これを型抜き板又はダイスを通して引き抜くことに
よって結晶化させることができる。
【００２７】特に有利な層の積層順は、（これもＣファ
イバ製の）ワイヤ状又は細長い基板上にシリコンを被覆
した積層であり、前記基板の表面にはクローム、鉛、又
はカドミウムを被覆することによって、同時に光電層の
径方向内側に効率が高い逆反射層が得られる。同様の光
起電力被覆層が分子線エピタキシー処理でも得られる。
イバ製の）ワイヤ状又は細長い基板上にシリコンを被覆
した積層であり、前記基板の表面にはクローム、鉛、又
はカドミウムを被覆することによって、同時に光電層の
径方向内側に効率が高い逆反射層が得られる。同様の光
起電力被覆層が分子線エピタキシー処理でも得られる。
【００２８】前述の推奨実施例と同様に、担体としての
役割を果たす細長い電極の材料を、外側から内側へと同
時に化学処理して、光起電力効果を有する境界領域、又
は、光電効果を高めるための境界領域を電極の材料に応
じて化学的に変化させて得ることもできる。
役割を果たす細長い電極の材料を、外側から内側へと同
時に化学処理して、光起電力効果を有する境界領域、又
は、光電効果を高めるための境界領域を電極の材料に応
じて化学的に変化させて得ることもできる。
【００２９】一例として、鉛製の電極に関しては、酸化
鉛を挙げることができ、銅製の電極に関しては、酸化銅
（ＣｕＯ）、又は二酸化銅（ＣｕＯ2 ）を、又、マグネ
シウム製の電極に関しては例えば酸化マグネシウムを挙
げることができる。金属の電極材料は、その化学処理に
よって、場合によってはドーピング効果と共に光電効果
が優れた混合成分を生ずるように合金又は構造的に成形
される。
鉛を挙げることができ、銅製の電極に関しては、酸化銅
（ＣｕＯ）、又は二酸化銅（ＣｕＯ2 ）を、又、マグネ
シウム製の電極に関しては例えば酸化マグネシウムを挙
げることができる。金属の電極材料は、その化学処理に
よって、場合によってはドーピング効果と共に光電効果
が優れた混合成分を生ずるように合金又は構造的に成形
される。
【００３０】電極材料としてのシリコンに関しては、例
えばＭＩＳセル（電界負荷分散）のような方法で例えば
シリコンを被覆する場合、電極に電子を進めせるため
に、表面領域は光電材料の間がＳｉ０2 層に変えられ
る。
えばＭＩＳセル（電界負荷分散）のような方法で例えば
シリコンを被覆する場合、電極に電子を進めせるため
に、表面領域は光電材料の間がＳｉ０2 層に変えられ
る。
【００３１】前述のようにねじ状のそれぞれ細長い電極
が、少なくとも一つの光起電力を有するｐ−ドープされ
た表面層と、その上のｎ−ドープ表面層、又はその逆を
備えられると、これらを同様の構造にすることができ
る。それによって全ての電極の外表面の電荷の極性（即
ちｐ+ 又はｅ- ）は同じ極性になり、例えば領域又は面
として、対向電極としての導電基板の上に互いに隣接し
て、又は互いに並置して、又は重ねて配置することがで
き、又、互いに直接に導電接触させることができる。こ
れに関しては、全ての電極ワイヤが（＋又は−の）一方
の極を形成し、その導電性基板は全ての電極ワイヤに対
して対向電極となる。全ての電極ワイヤを接触接続し、
又は結合するために、及び（又は）これを基板表面に固
定するために、導電性接着剤を使用できる。
が、少なくとも一つの光起電力を有するｐ−ドープされ
た表面層と、その上のｎ−ドープ表面層、又はその逆を
備えられると、これらを同様の構造にすることができ
る。それによって全ての電極の外表面の電荷の極性（即
ちｐ+ 又はｅ- ）は同じ極性になり、例えば領域又は面
として、対向電極としての導電基板の上に互いに隣接し
て、又は互いに並置して、又は重ねて配置することがで
き、又、互いに直接に導電接触させることができる。こ
れに関しては、全ての電極ワイヤが（＋又は−の）一方
の極を形成し、その導電性基板は全ての電極ワイヤに対
して対向電極となる。全ての電極ワイヤを接触接続し、
又は結合するために、及び（又は）これを基板表面に固
定するために、導電性接着剤を使用できる。
【００３２】接着剤は、厚みをできるだけ薄くするため
に、図９のラインと同様の一つのライン及び後続のライ
ンで同時に複合的な処理工程で型抜き処理によって被覆
することができる。接着剤に変え電子ビーム溶接、レー
ザー溶接によって結合させても良い。
に、図９のラインと同様の一つのライン及び後続のライ
ンで同時に複合的な処理工程で型抜き処理によって被覆
することができる。接着剤に変え電子ビーム溶接、レー
ザー溶接によって結合させても良い。
【図１】 細長い電極素子の縦断面図である。
【図２】 細長い電極素子の横断面図である。
【図３】 細長い電極素子の縦断面図である。
【図４】 細長い電極素子の横断面図である。
【図５】 ２つの素子を結合した電極素子の横断面図で
ある。
ある。
【図６】 ２つの素子を結合した電極素子の縦断面図で
ある。
ある。
【図７】 ２つの素子を接続した電極素子の横断面図で
ある。
ある。
【図８】 板を備えた電極の横断面図である。
【図９】 被覆方法を示した流れ図である。
１…素子、２…電極、３…光起電力を有する被覆層、５
…径方向内側層、６…径方向外側層、７…対向電極、８
…距離、９…板、１０…被覆表面、１２…電子、１３…
過剰電子テーション、２１…型抜きステーション、２４
…板、２７…被覆材料、３０…型抜き孔
…径方向内側層、６…径方向外側層、７…対向電極、８
…距離、９…板、１０…被覆表面、１２…電子、１３…
過剰電子テーション、２１…型抜きステーション、２４
…板、２７…被覆材料、３０…型抜き孔
Claims (21)
- 【請求項１】 棒状、ワイヤ状、ねじ状又は帯状の少
なくとも一つの細長い電極を有し、この電極の表面に少
なくとも一つの光起電力効果を有する被覆を施した太陽
電池の素子において、 電極（２）が導電材料、特に、マルチクリスタルの（mu
lti-crystalline ）、好ましくはモノクリスタルの（mo
no-crystalline）構造を有する不純物を含むシリコンか
らなり、前記被覆（３）が前記電極の表面（４）上のモ
ノクリスタルの、マルチクリスタルの又はポリクリスタ
ルの（poly-crystalline）光起電力効果を有する材料か
らなり、この材料が好ましくは、ドーピング（ｐ−又は
ｎ−ドーピング）を施したシリコンであることを特徴と
する素子。 - 【請求項２】 被覆（３）が異なるドーピングを施さ
れた材料の２層の同軸層（５，６）であることを特徴と
する請求項１記載の太陽電池素子。 - 【請求項３】 被覆（３）の少なくとも外側の光起電
力効果を有する層（６）にそれぞれ超微細結晶の又はア
モルファスの構造のポリクリスタルの構造を備えたこと
を特徴とする請求項１又は２に記載の太陽電池素子。 - 【請求項４】 表面に一方の電極（２）とは逆のトー
ピングを施した少なくとも一つの光起電力効果を有する
被覆（３）を有する対向電極としての棒状、ワイヤ状、
ねじ状又は帯状の別の電極（７）を前記一方の電極と導
電できるように接続したことを特徴とする請求項１から
３の少なくとも１項に記載の素子と、対向電極とを有す
る太陽電池構造。 - 【請求項５】 表面にｎ−又はｐ−ドーピングした被
覆を有する電極（２）の表面と対向電極（７）の表面が
それぞれ導電するように互いに近接して配置され、互い
に電気的に導通するように接触したことを特徴とする請
求項４記載の太陽電池構造。 - 【請求項６】 電極（２）と対向電極（７）とが互い
に導電面、板、又はシート（９）上に間隔を隔てて平行
に配置され、前記導電面、板、又はシート（９）を介し
て互いの表面と電気的に接続され、それぞれが互いに接
触状態にされたことを特徴とする請求項４記載の太陽電
池構造。 - 【請求項７】 平坦な対向電極（７）には電極（２）
の被覆（３）の一つとは逆のドーピング（ｐ−又はｎ
−）が施された少なくとも一つの光起電力効果を有する
被覆（１０）を備え、その表面に導電するように電極の
被覆が載せられたことを特徴とする請求項６記載の太陽
電池構造。 - 【請求項８】 電極（２）の被覆（３）の表面を対向
電極（７）と接続するために導電性接着剤を使用したこ
とを特徴とする請求項４から７のいずれかに記載の太陽
電池構造。 - 【請求項９】 電極（２）と対向電極（７）の被覆
（３）の表面を電子ビーム溶接又はレーザー溶接によっ
て互いに溶接したことを特徴とする請求項４から７の一
項に記載の太陽電池構造。 - 【請求項１０】 電極（２）の表面に設けた少なくとも
一つの光起電力効果を有する層（３）を化学的又は構造
的に設けられるか、又は、電極（２）の表面を変化させ
て形成させたことを特徴とする請求項４から７の一項に
記載の太陽電池構造。 - 【請求項１１】 導電面、板、又はシート（９）を蒸
着、金属化又は反射方式で形成したことを特徴とする請
求項６又は７に記載の太陽電池構造。 - 【請求項１２】 特に不純物を含むシリコン製の電極を
細長い、棒状、ワイヤ状、ねじ状又は帯状構造に成形し
た後、マルチクリスタルの、ポリクリスタルの、好まし
くはモノクリスタルの被覆層を形成するために、ｎ−又
はｐ−ドーピングされた被覆材料の溶融物中を通して移
動させることを特徴とする前記請求項１〜１１のいずれ
かに記載の太陽電池素子の製造方法。 - 【請求項１３】 被覆層を電子ビーム・プロセス、特に
イオン支援電子ビーム・プロセス（ドーピング：ｎ＝ア
ンチモン又は燐、ｐ＝ガリウム）によって被覆したこと
を特徴とする前記請求項１から１２のいずれか１項に記
載の太陽電池の素子の製造方法。 - 【請求項１４】 被覆層を電解によって被覆したことを
特徴とする前記請求項１から１３の１項に記載の太陽電
池の素子の製造方法。 - 【請求項１５】 被覆をガス相（例えばシラン）で実施
したことを特徴とする前記請求項１から１４のいずれか
１項に記載の太陽電池の素子の製造方法。 - 【請求項１６】 被覆層を電気泳動法によって被覆した
ことを特徴とする前記請求項１から１５の１項に記載の
太陽電池の素子の製造方法。 - 【請求項１７】 電極の表面の材料を化学的に変化させ
たことを特徴とする前記請求項１から１０の１項に記載
の太陽電池の素子の製造方法。 - 【請求項１８】 被覆層を例えばスパッタ方式、スプレ
イ方式、レーザー被覆、静電被覆、電子ビーム被覆、蒸
着、又は焼結によって光電物質を被覆することによって
形成し、被覆された材料を型抜き板又はダイスを用いて
電極材料の表面上に、又は表面内に一体化することを特
徴とする前記請求項１から１０の１項に記載の太陽電池
の素子の製造プロセス。 - 【請求項１９】 被覆層をいくつかの被覆及び型抜きス
テーションで連続処理で被覆したことを特徴とする請求
項１７記載の製造プロセス。 - 【請求項２０】 いくつかの光電層を連続的に、順次被
覆したことを特徴とする請求項１７または１８に記載の
製造プロセス。 - 【請求項２１】 被覆層をマイクロ波を同時に放射して
被覆したことを特徴とする請求項１１から２０の一項に
記載のプロセス。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4328868A DE4328868A1 (de) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | Element einer photovoltaischen Solarzelle und Verfahren zu seiner Herstellung sowie deren Anordnung in einer Solarzelle |
| DE4336825A DE4336825A1 (de) | 1993-06-14 | 1993-10-28 | Element einer photovoltaischen Solarzelle und Verfahren zu seiner Herstellung sowie deren Anordnung in einer Solarzelle |
| DE4328868.5 | 1993-10-28 | ||
| DE4336825.5 | 1993-10-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221332A true JPH07221332A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=25928986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6226061A Pending JPH07221332A (ja) | 1993-08-27 | 1994-08-29 | 太陽電池の素子と、その製造方法及び太陽電池 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5902416A (ja) |
| EP (1) | EP0641029A3 (ja) |
| JP (1) | JPH07221332A (ja) |
Families Citing this family (56)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19732876A1 (de) * | 1997-07-30 | 1999-02-04 | Reitstall Icking Gmbh | Photovoltaische Solarzellenanordnung |
| JPH11162859A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Canon Inc | シリコン結晶の液相成長方法及びそれを用いた太陽電池の製造方法 |
| US7205473B2 (en) * | 2002-01-25 | 2007-04-17 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic powered multimedia greeting cards and smart cards |
| US6913713B2 (en) | 2002-01-25 | 2005-07-05 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic fibers |
| US20050284513A1 (en) * | 2002-08-08 | 2005-12-29 | Christoph Brabec | Chip card comprising an integrated energy converter |
| US20030192585A1 (en) * | 2002-01-25 | 2003-10-16 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cells incorporating rigid substrates |
| US7414188B2 (en) * | 2002-01-25 | 2008-08-19 | Konarka Technologies, Inc. | Co-sensitizers for dye sensitized solar cells |
| US20030192584A1 (en) * | 2002-01-25 | 2003-10-16 | Konarka Technologies, Inc. | Flexible photovoltaic cells and modules formed using foils |
| US6706963B2 (en) | 2002-01-25 | 2004-03-16 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cell interconnection |
| US6900382B2 (en) * | 2002-01-25 | 2005-05-31 | Konarka Technologies, Inc. | Gel electrolytes for dye sensitized solar cells |
| US6949400B2 (en) * | 2002-01-25 | 2005-09-27 | Konarka Technologies, Inc. | Ultrasonic slitting of photovoltaic cells and modules |
| US7186911B2 (en) * | 2002-01-25 | 2007-03-06 | Konarka Technologies, Inc. | Methods of scoring for fabricating interconnected photovoltaic cells |
| US6919119B2 (en) * | 2000-05-30 | 2005-07-19 | The Penn State Research Foundation | Electronic and opto-electronic devices fabricated from nanostructured high surface to volume ratio thin films |
| US6355873B1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-03-12 | Ball Semiconductor, Inc. | Spherical shaped solar cell fabrication and panel assembly |
| WO2003010143A1 (en) * | 2001-07-26 | 2003-02-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Dialkylhydroxybenzoic acid derivatives containing metal chelating groups and their therapeutic uses |
| JP4979878B2 (ja) * | 2002-01-25 | 2012-07-18 | コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 色素増感太陽電池の構造及び材料 |
| WO2003065394A2 (en) * | 2002-01-25 | 2003-08-07 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cell components and materials |
| WO2003065393A2 (en) * | 2002-01-25 | 2003-08-07 | Konarka Technologies, Inc. | Displays with integrated photovoltaic cells |
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- 1994-08-26 US US08/296,770 patent/US5902416A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-08-29 JP JP6226061A patent/JPH07221332A/ja active Pending
Also Published As
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|---|---|
| EP0641029A3 (de) | 1998-01-07 |
| EP0641029A2 (de) | 1995-03-01 |
| US5902416A (en) | 1999-05-11 |
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