JPH07218868A - 電子表示装置 - Google Patents

電子表示装置

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JPH07218868A
JPH07218868A JP3256931A JP25693191A JPH07218868A JP H07218868 A JPH07218868 A JP H07218868A JP 3256931 A JP3256931 A JP 3256931A JP 25693191 A JP25693191 A JP 25693191A JP H07218868 A JPH07218868 A JP H07218868A
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 小型コンピュータなどのグラフィックディス
プレイに関し、シュリーリン光学系の応用により、真空
外被体を廃止し、小型化を図り、可搬性を良好にする。 【構成】 光源101からの光線がコールドミラー10
4経由でシュリーリン光学系106に達し、ここで、縞
状の反射部と透過部とにより、細分化されて(図2)、
可変形ミラー109に向う反射光とプレーンミラー11
0に向う透過光とに二分される。反射光は可変形ミラー
109の変形に応じて偏向されることで、光学系106
の透過部経由113で表示スクリーンに向う。透過光は
ミラー110で反射して、光学系106の透過部経由で
非相反光学装置112に達し、光路中に再捕捉される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は小型コンピュータや端末
装置に用いる規模グラフィックディスプレイに関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】小型コンピュータや端末装置に用いるデ
ィスプレイ技術として最も一般的なものはブラウン管を
用いることである。ブラウン管は電流密度の変化する走
査電子ビームを用いて発光性蛍光スクリーンを走査する
ようにしたもので、この発光性蛍光スクリーンに電子ビ
ームを衝突させることにより、その電子ビームの電流密
度に比例する光を発生させる。このような表示方法は十
分周知でかつよく理解された技術であること、それ自体
が視認用の光を発生させること、グレー領域の色調を良
好に生成することができること、カラー表示が可能なこ
と等の短所をもつものである。しかしながらブラウン管
は大型のガラス製の真空外被体を用いているために重量
や寸法がかさばり、さらにカラー表示用ブラウン管の場
合は、単色のものとくらべて格段に高価でしかも比較的
高い駆動電圧を必要とする等の難点がある。
【0003】小型コンピータや端末装置用、とくに出で
持ち運びができたり、あるいはブリーフケースに入れて
持ち運びのできる装置用の表示技術としては液晶表示方
式がある。この方法では、ラグラフィックディスプレイ
面内の個々の画素をそれぞれ単一の液晶表示セルにより
構成して、それらを互いに別個に電気的に動作させるよ
うにしたものである。このよう液晶表示方式は全体の構
造が平板状で大駆動電圧を必要としない等の利点がある
が、その反面、温度に対して敏感で、大型化しにくく、
視認用の光を外部に求めねばならず、駆動用導線の数が
多いとともに駆動回路も多岐にわたり、グレイスケール
や色の使用度が限られるといった短所がある。
【0004】小型コンピータや端末装置が小型化しかつ
能力が向上するに伴い、コストが低く、解像度が高く、
本体との適応性の豊かなグラフィックデイスプレー装置
の必要性も高まってきているが、ブラウン管や液晶装置
など従来の方式ではこうした要求には答えられないのが
現状である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】故に本発明の目的は軽
量かつ可搬性があり、ブリーフケース内蔵の可搬型コン
ピータや端末装置等に用いられるように可搬式ケース内
に折り畳めるような発光表示装置を提供することにあ
る。このような目的を達成するために、本発明はシュリ
ーリン光学システムを用いて、変形自在のミラー装置に
より選択的に変形する光からの表示を行なおうとするも
のである。
【0006】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は, 大型
で重量が大きく、しかも破壊されやすい真空外被体を用
いることなく発光表示が可能であるという点でブラウン
管にまさるものであり、従ってブラウン管よりも構造が
堅固でかつ持ち運び時には折り畳み可能であることによ
り、可搬式の用途にはブラウン管よりもはるかに好適な
ものである。さらに本発明は外部の光源を必要としない
という点で大規模ドットマトリックス式液晶表示装置よ
りもすぐれたものであり、また、現在の液晶表示装置で
は不可能なカラーにも適用しうるものである。また本発
明による装置は、高速で表示内容を変化させるための表
示時定数が液晶表示の場合ほど大きくないという利点も
併せもつものである。かくて本発明による表示装置は液
晶表示方式よりもグラフィックディスプレーに適したも
のであるということができる。このような装置には表示
を自動的にリフレッシュする駆動装置を用いる。具体的
には可変形ミラーセルや自動リフレッシュシステム、さ
らには制御および駆動回路を1枚の集積回路のチップに
形成する。これにより表示内容のうち、変更のあった部
分のみのデータをコンピータや端末装置が表示装置に伝
送することができ、コンピータの演算オバーヘッドを軽
減させることが可能となる。この点は、外部にアクチブ
な駆動回路を必要とするブラウン管や液晶表示装置にく
らべて有利である。
【0007】
【実施例】以下、本発明について図面を参照して説明す
る。図面中、図1〜図7は本発明による光学装置の各種
実施例を、図8〜図13は図1、図5、図7に示す可変形
ミラー装置全体の構造と作動態様を、さらに図14〜図18
は本発明のその他の各種実施例をそれぞれ示す。図1は
本発明である光学装置100 を示す。光は例えば電灯等に
よる光源101 から発し、この光源101 から出た光は放物
面ミラー102 、レンズ103 、コールドミラー104 、レン
ズ105 等により平行なビームとされる。コールドミラー
104 は公知の構成で、実質的にすべての可視光を反射
し、かつ赤外光を透過するもので、光源101 から発した
光のうち赤外光領域を取除くことによって、入射光によ
る可変形ミラー装置109 の加熱を防ぐ。また、以下の説
明より理解されるように、シュリーリン光学装置106 に
対する光源101 からの光の入射角はこれを調節自在とす
ることにより、各構成部材の配置を所望のものとするこ
とができる。
【0008】図2および図3にシュリーリン光学装置10
6 の構成例を2種示す。図2のシュリーリン光学装置10
6 は複数個の鏡面211 を塗布した透明板210 からなるも
ので、以下詳細に説明するように、これら鏡面211 はそ
れぞれ両面反射型としてその外面を透明板210 の外側に
向け、内面を透明板210 に接する側とするのがよい。こ
のようにしたシュリーリン光学装置106 をレンズ105 か
らのビームを横切るように配置した場合、シュリーリン
光学装置106 は反射部211 からの光の一部を反射し、一
部を透過部212 を透過させることにより入射光を2分割
する。図3に示すシュリーリン光学装置106 は反射部反
射部211 が透明板210 に同心状に形成され、従って透過
部212 も同様に同心状に形成されたものである。
【0009】図1において、光源101 からの光のうちシ
ュリーリン光学装置106 の反射部211 に入射した部分は
レンズ107 に達する。可変形ミラー装置109 はレンズ10
7 の焦点外に配置されているため、レンズ107 に入射し
た光はこの可変形ミラー装置109 の近傍に集束され、無
限大以下に配置された表示スクリーンに結像するように
してあり、さらに放物面ミラー102 、レンズ103 、レン
ズ105 も可変形ミラー装置109 に入射する光源101 の像
から外れた点に焦点を有するようになっている。
【0010】図4は別な角度から見たレンズ107 、ミラ
ー108 、可変形ミラー装置109 の配置を示す。シュリー
リン光学装置106 からの光はレンズ107 を通り、ミラー
108により反射されて可変形ミラー装置109 に達する。
上記のごとく、可変形ミラー装置109 はレンズ107 の焦
点外すなわちその近傍にあり、このため図4に示す配置
とすることによって、好ましくは半導体集積回路として
構成される可変形ミラー装置109 を印刷配線板111 上に
物理的かつ電気的に実装しうるものとなる。このように
ミラー108 を用いることによって可変形ミラー装置109
を印刷配線板111 に通常の方法で実装することが可能と
なり、可変形ミラー装置109 に対する電気的接続が単純
化される。
【0011】本発明における空間的光変調器はワンチッ
プ形式の可変形ミラー装置であり、以下詳細に説明する
ように、可変形ミラー装置109 はそれぞれ別個に可変形
自在とした複数個のミラーセルからなっており、これら
ミラーセルの各々は非活性すなわち非変形時にはプレー
ンミラーとしてはたらいて、レンズ107 から入射した光
を実質的に同一の光路を通って再びシュリーリン光学装
置106 の対応する光反射部へと反射する。また変形した
ミラーセルから反射した光はレンズ103 、105および放
物面ミラー102 により集光されて光源101 に戻る。この
場合、光学装置100 全体の光損失は比較的大きいと考え
られるため、非相反光学装置112 は光学装置100 と光源
101 との間のこの光路内に位置させてもよい。この非相
反光学装置112 はハーフシルバーミラーもしくは被膜透
明板で形成して光の透過と反射を選択的に行なうもの
で、光源101 からの光がこれを透過する量は光源101 に
向って反射する量よりも多くなるようになっている。さ
らに上記非相反光学装置112は光源101 からの光を透過
する量が光源101 に向って反射する量よりも少なくなる
ようになっており、このため、非相反光学装置112 は可
変形ミラー装置109 のミラーセルが非活性すなわち非変
形状態にあるときは、これらミラーセルからの光を再捕
捉して有効な光路内に戻す役割を果たす。シュリーリン
光学装置106 からの透過光光路にはプレーンミラー110
が配置されており、このプレーンミラー110 はこれを整
合配置として、シュリーリン光学装置106 の透過部、ひ
いては前記非相反光学装置112 に向って光を反射するこ
とにより、非変形ミラーセルと同等の役割を果たすよう
になっており、これによって可変形ミラー装置109 まで
到達しない光を再捕捉することが可能となる。
【0012】光学装置100 は可変形ミラー装置109 の変
形ミラーセルに光源101 からの光が入射することによ
り、機能を開始する。すなわち、可変形ミラー装置109
の変形ミラーセルに光が入射すると、この光はその入射
光路から外れて、少なくともその一部がシュリーリン光
学装置106 の光透過部に入射し、かくて反射した光は可
変形ミラー装置109 を通過後、光路113 を通って表示ス
クリーン(図示せず)達する。上記可変形ミラー装置10
9 は必ずしもこれをシュリーリン光学装置106 の反射光
路上に配置する必要はなく、この可変形ミラー装置109
をシュリーリン光学装置106 の透過光路上に配置しても
光学装置100 は同等に機能する。この場合、ミラーセル
から反射した光はシュリーリン光学装置106 の透過部を
通る光路を通って光源101 に(または非相反光学装置11
2 が設けてあるときはこの非相反光学装置112 に)戻る
こととなる。変形状態にあるときのミラーセルから反射
した光は、その少なくとも一部がシュリーリン光学装置
106 の反射部に入射し、光路113を介して表示スクリー
ンに達する。なおこのような配置とする場合は、プレー
ンミラー110 はこれを適宣反射光路内に挿入して光の浪
費分を取り戻すようにしてもよい。
【0013】上記のように構成した光学装置100 は可変
形ミラー装置109 の変形ミラーセルから反射された光の
みを表示スクリーンに向って投射するのに用いる。この
場合、個々のミラーセルはその変形時に表示スクリーン
の対応する部位に向って光を反射し、従って可変形ミラ
ー装置109 内の個々のミラーセルの変形を電気的に制御
することによって、各ミラーセルと対応する小さなスポ
ットを表示スクリーン上で光らせたり、あるいは光らせ
なかったりすることができる。また、可変形ミラー装置
109 はそのミラーセルがそれぞれ2種類以上の変形状態
をもつように構成することもでき、この場合、これら複
数の変形状態により、いろいろな量の光を可変形ミラー
装置109 の透過部に向って反射させることにより、個々
のミラーセルと対応する光点を相異る光度で表示スクリ
ーン上で光らせることが可能となり、かくて光度を黒
(光らない状態)と白(光った状態)との間の中間的な
グレースケールとすることができる。
【0014】図5に本発明の他の実施例である光学装置
500 を示す。同図において図1実施例と同等の部材は同
じ符号を付して示してある。本実施例が図1実施例と異
る点はシュリーリン光学装置106 を透過した光の光路に
レンズ115 、ミラー116 、可変形ミラー装置117 を追加
配置した点である。光はまずシュリーリン光学装置106
の通過した後、レンズ115 により集束されて一点に集ま
る。 このレンズ115の焦点外、すなわちその焦点(ミ
ラー116 により反射される)の近傍に前記可変形ミラー
装置117 が設けてある。この可変形ミラー装置117 は可
変形ミラー装置109 と同等の構成としてよく、またレン
ズ115 、ミラー116 、可変形ミラー装置117 も図4に示
したレンズ107 、ミラー108 、可変形ミラー装置109 と
それぞれ同等の配置としてよい。なお、可変形装置109
、117 はこれら両者を一枚の印刷配線板111 上に形成
することができる。
【0015】上記のような追加構成により、可変形ミラ
ー装置117 の非変形セルミラーはシュリーリン光学装置
106 の対応する光透過部に向って光を反射後進させ、か
くて反射された光は光源101 に戻される。また可変形ミ
ラー装置117 の変形ミラーセルから反射された光は少な
くともその一部がシュリーリン光学装置106 の反射部21
1 に入射し、可変形ミラー装置109 の場合と同様、可変
形ミラー装置117 の非変形ミラーセルに入射した光は表
示スクリーンにまで到達しない。一方、可変形ミラー装
置117 の変形ミラーセルに入射した光は表示スクリーン
の対応するスポットを光らせる。なお可変形ミラー装置
109 と同様、可変形ミラー装置117 もそのミラーセルの
各々が2種類以上の変形状態をもつように構成すること
により、いろいろな量の光を表示スクリーンの対応する
スポットに反射させることができる。かくて本実施例に
おける光学装置500 は光源101 から出た光のうちシュリ
ーリン光学装置106 を透過し、従って他に利用する目途
のない光の相当部分を有効に利用することを可能にする
ものである。またシュリーリン光学装置106 の全面積の
うち半分を光透過部とし、半分を光反射部とした場合に
は、シュリーリン光学装置106 に入射して他に利用する
目途のない光のうち約50%を有効に変調させることがで
きる。
【0016】図5に示すシュリーリン光学装置106 の配
置角度は可変形ミラー装置109 、117 の変形ミラーセル
から表示スクリーンへの光路を互いに一致させるうえで
必ずしも必要なものではない。すなわち、シュリーリン
光学装置106 からの反射はそもそも相反的な性質をもつ
ものであるから、可変形ミラー装置109 、117 の変形ミ
ラーセルからの光は、光源101 からの入射光に対するシ
ュリーリン光学装置106 の角度にはかかわりなく光路11
3 を通って表示スクリーンに向う。本実施例の光学装置
500 はさらにカラー表示を行なうのに用いることがで
き、この目的のために2個のカラーフィルタ114 、118
をそなえている。これらのカラーフィルタ114 、118 の
色を相異る原色とすることにより、これら2原色の組合
せを表示スクリーンに表示することができる。また上述
のように変形状態を2種類以上として表示スクリーンの
各スポットでの光度をいろいろに変えることにより、カ
ラー表示はさらに多彩なものとなる。むろん上記カラー
フィルタ114 、118 を設けることは必須ではなく、また
シュリーリン光学装置106 とこれに対応する可変形ミラ
ー装置との間の適当な位置に配置するようにしてもよ
い。さらに、若干の問題はあるが、図5の光学装置500
はこれを全色表示に用いることもできる。この場合はま
ず、カラーフィルタ114 、118 の一方をグリーンとして
原色のグリーンの表示に用い、他方を残りの原色である
レッドとブルーの組合せの表示に用いる。このような組
合せとしては、レッドとブルーを交互に並べた縞模様ま
たはストライプ模様等とすることができる。カラー撮影
技術の分野で周知のように、グリーンの色信号は輝度信
号にきわめて近似したものであり、また全色表示を好適
に行なうのに要する空間データは、グリーンの原色はレ
ッドやブルーの原色の場合ほど多くはない。このため、
カラーフィルタを2個そなえた可変形ミラー装置に与え
る信号をレッドとブルーの色信号の組合せとした場合、
上記光学装置500 は全色表示を良好に行なうことができ
るのである。
【0017】図5の光学装置500 はカラーフィルタ114
、118 を省略することにより他にもいろいろの使用方
があり、可変形ミラー装置109 、117 を互いに整合配置
とすることにより、個々のミラーセルや可変形ミラー装
置109 、117 と対応する表示スクリーン上のスポットを
オーバーラップさせたりすることもできる。この場合に
はより多くの光のバリエーションをもったグレースケー
ルが得られる。あるいは、また可変形ミラー装置109 、
117 の整合配置の態様を変更することにより、表示スク
リーンの縦または横方向の可視解像度を向上させること
もできる。
【0018】つぎに図6に可変形ミラー装置109 、117
内の個々のミラーセルと対応する複数個の画素領域605
を有する表示スクリーン601 の一部を示す。これら画素
領域605 は行602 、奇数列603 、偶数列604 として配列
され、可変形ミラー装置109、117 は均一な間隔で相隔
てた行および列に設けられいる。可変形ミラー装置109
、117 はこれらミラー装置内の行方向ミラーセルと対
応する画素領域605 が互いに整合しないようにして配置
され、とくに可変形ミラー装置109 、117 の一方は奇数
列603 に位置する画素606 を制御自在に光らせるような
ものに、他方は偶数列604 に位置する画素607 を条件つ
きで光らせるような整合配置とする。ミラー装置109 、
117 をこのように整合配置することにより、行方向画素
の数を列画素の2倍として行602 の各々における解像度
を向上させることができるという利点が得られる。ただ
しこのような画素の関係は、各列の画素を各行の画素よ
りも多くするように変更することもできる。可変形ミラ
ー装置109 、117 の個々のミラーセルと対応する上記の
ような画素の整合配置は図2に示したようなシュリーリ
ン光学装置を用いて行なうのがよい。このシュリーリン
光学装置の反射部211 と透過部212 との間のエッジはこ
の部位にわずかなデフラクションが生ずるため解像度を
低減させることが判明しており、上述のように画素をオ
フセットさせる場合には、シュリーリン光学装置106 の
反射部211 および透過部212 を配置するにあたって、こ
れらの部分の間のエッジ部により高解像度軸の解像度が
低下して、互いにインターリーブ配置としたスポット位
置を混乱させないように前記反射部211 および透過部21
2 を配置するのが好ましい。このためには例えば高解像
度軸を水平方向軸とし、低解像度軸を垂直方向軸とした
場合、図2に示したような横方向ストライプ方式とする
のがよい。同様に、図6に示すように低解像度軸を水平
方向軸とし、高解像度軸を垂直方向軸とした場合には、
図2に示すシュリーリン光学装置を90度回転させること
により、縦方向ストライプ方式とするのがよい。図7に
全色表示を行なうための光学装置700 を示す。同図にお
いて、シュリーリン光学装置106 の透過光路上にはたと
えばハーフシルバーミラーによるビームスプリッタ119
が配置され、シュリーリン光学装置106 を透過した光は
このビームスプリッタ119 に入射する。周知の光学的原
理により、入射光の約半分がこのビームスプリッタ119
を通過してレンズ115 に達する。このレンズ115 はこの
光を一点に集光するためのもので、その焦点外、すなわ
ちその焦点の近傍に可変形ミラー装置117 が配置され、
またその光路上にはカラーフィルタ118 およびミラー11
6 が配置してある。
【0019】ビームスプリッタ119 に入射した光のうち
残りの半分は反射されてレンズ120に達し、このレンズ1
20 により集光されて一点に集まる。このレンズの焦点
外、すなわちその近傍には可変形ミラー装置122 が設け
てあり, この光路上にもカラーフィルタ123 およびミラ
ー121 が配置してある。なお、この構成においても図
1、図5と同様、レンズ107 、カラーフィルタ114 、ミ
ラー108 、可変形ミラー装置109 はすべてシュリーリン
光学装置106 からの反射光の光路上に位置している。
【0020】つぎに可変形ミラー装置109 、117 、122
をカラーフィルタ114 、118 、123とともに用いること
により表示スクリーンに全色表示する場合の態様につい
て説明する。これらのカラーフィルタ 114、118 、123
はいずれもレッド、ブルー、グリーンの3原色のうちの
ひとつとしたもので、上述の原理により、可変形ミラー
装置 109、117 、122 のミラーセルのひとつが変形する
と、表示スクリーンの対応するスポットに光が現われ
る。この場合、カラーフィルタ 114、118 、123がある
ために、表示スクリーンの対応するスポットが対応する
カラーフィルタの色で発光する。可変形ミラー装置 10
9、117 、122 にそれぞれ対応するレッド、ブルー、グ
リーンの単色信号を印加することにより、表示スクリー
ンで全色表示を行なうことができる。
【0021】図7においてビームスプリッタ119 はシュ
リーリン光学装置106 の透過光の光路上に配置されてい
るが、所望ならばその反射光光路上に設けてもよいこと
はいうまでもない。従ってたとえば、ビームスプリッタ
119 、レンズ115 、120 、ミラー116 、121 、カラーフ
ィルタ118 、123 可変形ミラー装置117 、122 は107、1
08 、114 、109 の代りに反射光光路に配置してもよ
い。この場合、107 、108 、114 、109 は106 の透過光
光路上に配置されることになる。使用する空間的光変調
器は、たとえば複数個のミラーセルおよび駆動電極を一
枚の集積回路チップに形成した可変形ミラー装置により
構成する。図8は図1、図5、図7に示した可変形ミラ
ー装置のそのような例をブロックダイヤグラム800 で示
したものである。このブロックダイヤグラム800 はまず
行および列に配列された複数個のミラーセルのマトリッ
クスからなるミラーセルアレー801 を有し、このミラー
セルアレー801 は本例においては200 行、256 列のミラ
ーセルにより構成されている。このようなミラーセルア
レー801 の構成、とくにそのミラーセルの個々の構成に
ついて以下図9ないし図12を参照して説明する。
【0022】すなわち、上記ミラーセルアレー801 は20
0 本の行方向導体802 によりデコーダドライバ803 に接
続されており、上述の通り、本例では200 本の行方向導
体802 があることになる。デコーダドライバ803 にはデ
ータバス804 から複数ビットのディジタル信号が入力し
行方向導体802 のうち選択されたひとつに出力を供給す
る。データバス804 は本例では8ビットからなり、これ
らビットがデコーダドライバ803 に与えられて駆動すべ
き行方向導体802 を指定する。なおこの場合、8ビット
により256 通りの組合せがあることとなるため、これら
8ビットには当然余剰のコードが含まれる。データバス
804 にはさらにリフレッシュカウンタ805 が接続され、
このリフレッシュカウンタ805 にリフレッシュされるべ
きミラーセルアレー801 の次の行の指定を記憶させる。
このリフレッシュカウンタ805 を用いて行リレッシュを
行なう方法については次に述べる。前記ミラーセルアレ
ー801 からはさらに複数の列方向導体806 が延在してお
り、本例ではこの列方向導体806 は256 本である。これ
ら列方向導体806 の各々には列ドライバ807 から信号が
供給される。上記デコーダドライバ803 との関連におい
て、列ドライバ807 により出力された信号がミラーセル
アレー801 の選択された行内の各ミラーセルに印加され
る。各々のミラーセルについては以下さらに詳細に説明
するが、その説明から理解されるように、各ミラーセル
は電荷蓄積装置として構成され、選択された行の各々の
ミラーセルに蓄積される電荷量は、列ドライバ807 から
列方向導体806 に与えられる信号の大きさにより定ま
る。また各ミラーセルのミラー変形量は当該ミラーセル
に蓄積された電荷量の関数である。列方向導体806 には
さらに列センサ808 が接続され、この列センサ808 はデ
コーダドライバ803 により選択されたの行802 との関連
において、選択された行における各ミラーセルに蓄積さ
れた電荷の量を感知する。なお、以下さらに詳細に説明
するが、列センサ808 は可変形ミラー装置800 を介して
表示されるデータの自己フリフレッシュに用いられるも
のである。
【0023】列ドライバ807 および列センサ808 はいず
れも列ラッチ809 に結合されており、本発明において
は、選択された行のミラーセルに蓄積された電荷に対応
するデータは、この列センサ808 により感知された後、
列ラッチ809 内に記憶される。かくて列ラッチ809 に記
憶されたデータは列ドライバ807 に供給されて、ミラー
セルアレー801 内のデコーダドライバ803 により選択さ
れた行の各列における個々のミラーセルに入力する。上
述のようなシステムをミラーセルアレー801 の自己リフ
レッシュに用いることにより、外部信号源からの入力信
号を常時アップデートすることなく、可変形ミラー装置
800 による表示を行なうことを可能にする。
【0024】本発明の一実施例において, 個々の行にお
ける各ミラーセルはこれを4種類の異る状態、すなわち
非活性非変形状態と、表示スクリーンに対して相異る光
量を反射する3種類の変形状態となるように駆動するこ
とができる。このためには、列ラッチ809 はミラーセル
アレー801 内の個々の行における256 個のエレメントの
各々に対して2ビットのメモリを1個ずつそなえる。ま
た列ドライバ807 には2ビットのD/A変換器をそなえ
て、このD/A片喚起を列方向導体806 の各々に接続す
る。かくて列ラッチ809 内の対応するするメモリからの
2ビットデータに応じて、列ドライバ807 が個々の列方
向導体806 を4種の電圧値のうちのひとつに駆動する。
【0025】さらに本実施例において、列センサ808 は
2ビットのA/D変換器をそなえており、このA/D変
換器を列方向導体806 の各々に接続することにより、ミ
ラーセルアレー801 の選択された行内の各ミラーセルに
蓄積されたアナログ電荷レベルを感知して、対応するす
るミラーセル内における電荷の許容しうる4種類の状態
に対応するする列ラッチ809 内に格納する2ビットコー
ドを発生する。なおこの場合、自己リフレッシュ機能を
もった列を使用可能とするために、列センサ808 は漏洩
により電荷レベルが若干低下した後に前記4種類の許容
電荷状態を識別することができるようになっている必要
がある。800 はデータバス804 に結合されたデータポー
ト810 および命令デコーダ・シーケンサ813 に結合され
た命令バス812 に入力する外部信号に応答するようにな
っており、データポート810 はさらにデータバス804 を
介してデコーダドライバ803 、シェードラッチ816 、マ
スク817 、ポインタ818 に結合されている。命令制御時
における可変形ミラー装置800 の正確な動作については
後で詳述するが、とりあえず次にざっと説明する。すな
わち、命令バス812 にある命令が与えられて命令デコー
ダ・シーケンサ813 によりデコードされると、データポ
ート810からのデータがデコーダドライバ803 に供給さ
れてミラーセルアレー801 の行のうち1行を選択する
か、シェードラッチ816 およびマスク817 に供給されて
データの形式を指定するか、ポインタ818 に供給される
ことにより列選択デコーダ815 にデータを入力する列開
始位置を指定するか、あるいはシェードラッチ816 およ
びマスク817 、さらには列選択デコーダ819 を介して列
ラッチ809 に供給される。これらの動作は命令デコーダ
・シーケンサ813 による制御のもとに自動リフレッシュ
動作とともに進行する。命令デコーダ・シーケンサ813
にはさに列選択デコーダ815 をそなえており、この列選
択デコーダ815 を介して外部回路に可変形ミラー装置が
オーバヘッドタスクが進行中で、命令バス812 に入った
命令には応答しえないことを知らせる。
【0026】つぎに図9〜図12を参照してミラーセルア
レー801 を個々の可変形ミラーセルにより形成する場合
の構成方法につき説明する。まず図9は電荷蓄積セル上
に可撓膜を形成してなるミラーセル構造を示す。このよ
うな可撓膜としては米国特許出願第386,141 号 (1980年
9月2日出願の米国特許出願第183,595 (取下げ済)の
継続出願として1982年6月7日付で出願)にその例が詳
述されている。図10〜図12は可変形ミラーに片持ビーム
を用いた場合の構造を示すものである。この片持ビーム
は、以下図10−図12につき説明するように、アンダーカ
ットエッチング法を用いて形成されるものである。図9
は本発明により構成される可変形ミラー装置におけるミ
ラーセルの一例を示すもので、この可変形ミラー装置は
所定の伝導型、たとえばP型シリコン等の半導体材料よ
りなるサブストレート910 を有し、このサブストレート
910 は2酸化シリコンの絶縁層911 によりその活性面を
被覆してある。該半導体サブストレート910 の活性領域
の外側には、上層に厚いフィールド酸化物(図示せず)
を有する自己整合P+チャンネルストップが形成されて
おり、このフィールド酸化物層の寸法ならびに形状によ
り、光生成漏洩電流を半導体サブストレート910 の活性
領域外にとどめ、かつリードのキャパシタンスやクロス
トークを低下させる。
【0027】チャンネルストップ912 は半導体サブスト
レート910 と伝導型は同じであるが、不純物濃度はそれ
よりも高いものとする。サブストレート910 の活性領域
内には拡散法またはイオン注入法により、上記とは逆の
伝導型のドレーン領域913 が形成され、従ってチャンネ
ルストップ912 はP型シリコンサブストレート910 にお
いてP+型領域とし、またドレーン領域913 はN+型領
域とすることができる。なお、チャンネルストップ912
はドレーン領域913 の両側に所定の間隔をもって配置さ
れてドレーン領域913 を電気的にアイソレートしてい
る。第2の不純物導入領域914 は前記ドレーン領域913
と同一の伝導型すなわちN+型として半導体サブストレ
ート910 内に形成され、チャンネルストップ912 のひと
つとドレーン領域913 との間に延在し、かつ該ドレーン
領域913 とは所定の間隔をもって配置されている。この
第2の不純物導入領域914 はドレーン領域913 とともに
X−Yマトリックスアレー状に配列されたエンハンスメ
ントモードの電界効果型アドレストランジスタを構成し
たもので、ドレーン領域913 と同時に選択的イオン注入
法により形成することができる。なお、ドレーン領域91
3 を逆伝導型の半導体サブストレート910 と適宣接触さ
せることによりダイオード(図示せず)を形成する。
【0028】電界効果型アンドレストランジスタのマト
リックスアレーのトランジスタゲート構造は多結晶半導
体材料、たとえば半導体サブストレート910 をP型シリ
コンとした場合は、適宣不純物を導入して導電性とした
ポリシリコン等により形成する。各ポリシリコントラン
ジスタゲート構造915 はポリシリコン材料の各子構造内
に含まれ、該ポリシリコントランジスタゲート構造915
の上面には二酸化シリコンの絶縁層916 が形成されると
ともにその側壁には二酸化シリコン層917 が形成されて
いる。またポリシリコントランジスタゲート構造915 上
の各酸化物層916 はポリシリコントランジスタゲート構
造915 の側壁の境界から突き出るひさし部を有する。各
ポリシリコントランジスタゲート構造915 の上方には適
当な金属材料、たとえば金等の導電性接点部材ないしパ
ッド920 が設けてあり、これら接続部材920は上記酸化
物層916 およびポリシリコントランジスタゲート構造91
5 と重なり合うように酸化物層916 の上面に形成されて
いる。さらに複数個の金属製のフィールドプレート921
がX−Yマトリックスアレー上に設てあり、各フィール
ドプレート921 はサブストレート910 の絶縁層911 上に
形成されるとともに、X−Yマトリックスアレーの各電
界効果型アドレストランジスタの逆伝導型不純物導入領
域914 と重なり合っている。従ってフィールドプレート
921 のアレーにおける各フィールドプレート921 は、ポ
リシリコントランジスタゲート構造915 を形成するポリ
シリコン格子構造により形成された開口部のひとつとそ
れぞれ重なりあうように位置している。
【0029】可変形ミラー装置の構成は、ポリシリコン
トランジスタゲート構造915 のポリシリコン格子上に、
金属膜構造すなわち可変形ミラーを設けてこれをサブス
トレート910 およびフィールドプレート921 のアレーと
所定の間隔をもって配置することにより完全なものとな
る。この金属膜構造は可撓性材料からなりかつ光反射性
の金属塗布層を有する非金属の支持層925 を含み、この
非金属の支持層925 により該金属塗布層の厚みを十分薄
くすることにより、所定の変形量範囲にわたって金属疲
労を起すことなく金属膜構造全体が繰返して変形しうる
ようにする。該金属膜構造はさらに少なくとも1層の金
属層を有し、好ましくは厚さを800 オングストローム程
度としたニトロセルロースの重合体により形成された非
金属の支持層925 にこの金属層を光反射層として重ね合
わせる。なおこのような金属層をただ1層だけ非金属の
支持層925 とともに用いる場合は、該金属層を下層とし
てポリシリコントランジスタゲート構造915 上の接点部
材ないしパッド920 と接触させるようにする。
【0030】かくて上記ニトロセルロース重合体の非金
属の支持層925 の上面には好ましくは厚さ約400 オング
ストロームのアンチモンの926が形成され、この92
6の下面には背面金属層が形成されている。この背面金
属層は2層構造で非金属の支持層925 に直接接着され、
かつ好ましくは光反射金属層926 と同一の材質すなわち
たとえばアンチモン等により厚さ約400 オングストロー
ムとした金属層930 を有し、この金属層930 により薄い
非酸化性の低接触抵抗金属、たとえば金等の層931 が接
着されて2層構造の金属バックアップ層が形成され、非
金属の支持層925 に固着される。上記金等の金属層931
は電界効果型アドレストランジスタゲート上の金等の接
点部材ないしパッド920 と良好に接触する。かくてニト
リセルロース重合体の非金属の支持層925 とこの非金属
の支持層925 の下面に固着された少なくとも1層の金属
層とからなる金属膜構造は、別に接着材を用いることな
くポリシリコントランジスタゲート構造915 の接点部材
920に分子的に接着される。このようにして構成された
金属膜構造の少なくとも1層の金属層は、シリコンサブ
ストレート910 の絶縁層911 上に配置されたフィールド
プレート921 のX−Yマトリックスアレーとともにフィ
ールドプレート部材を構成し、これらフィールドプレー
ト部材はエアギャップ型コンデンサのアレーの他方のフ
ィールドプレートを構成する。これらコンデンサのエア
ギャップ930 は金属膜構造とシリコンサブストレート91
0 の絶縁層911 上に形成された各フィールドプレート92
1 との間の空間により画定される。かくて金属膜構造す
なわち可変形ミラーはこれらエアギャップ930 を介して
生ずる電圧降下に応答して変形を起し、そのエアギャッ
プ型コンデンサセルがシリコンサブストレート910 上に
形成された電界効果型アドレスランジスタによりライン
アドレスされることとなる。
【0031】図10、図11、図 12 に片持ビームミラーを
有する可変形ミラー装置のミラーセルの構成を示す。こ
こに示す構成は図9で説明した膜型ミラーセル構造に代
るものである。図10は上記片持ビームミラー型可変形ミ
ラー装置の形成における中間工程を示すもので、不純物
を導入したシリコンのサブストレート1001には、浮遊ソ
ースとしてはたらく逆伝導型の注入層1002、および埋込
みまたは注入導体層としてはたらく同じく逆伝導型の注
入層1004が埋設されており、これらの構造を当該可変形
ミラー装置形成の最終エッチ工程でエッチストップとし
てはたらく酸化物層1003により被覆している。このよう
にした半導体装置の全面に厚いポリシリコン層1005を形
成し、このポリシリコン層の上面にパターン化した酸化
物層1006を形成する。この酸化物層1006の複数個の部分
上に厚いアルミパッド1008を形成して厚いポリシリコン
層1005とオーム接触させる。このようにして形成した構
造は集積回路用のボンディングパッドに用いる。酸化物
層1006には片持ビーム構造にスロット1009が形成されて
おり、これら片持ビームミラー1012に形成されたスロッ
ト1009は図12からより明らかなように、該片持ビームミ
ラー1012を形成するエッチングプロセスを行なうのに好
便なように形成されている。
【0032】図10に示す構造の形成後、これら構造体を
含むシリコンスライスの洗浄を行なって個々の集積回路
チップに切断する。これら洗浄および切断工程をこの時
点で行なうのは、こうした工程をアンダーカットエッチ
処理の後で行なうと、片持ビームミラー1012の相当数が
損傷されることが判明しているからである。個々の集積
回路チップにはその切断および洗浄後、異方性プラズマ
エッチ処理を施す。この異方性プラズマエッチ処理は酸
化物層1006および厚いアルミパッド1008に対しては何の
影響ももたらすことはないが、厚いポリシリコン層1005
を相当程度浸食し、プラズマエッチャントが片持ビーム
ミラー1012のエッジ周辺のスロット1009および片持ビー
ムミラー1012自体のスロット1009を介して厚いポリシリ
コン層1005に達し、また酸化物層1003によってストップ
される。従って集積回路チップがこのプラズマエッチャ
ントにさらされる時間やタイミングを適宜選定すること
により、厚いポリシリコン層1005が片持ビームミラー10
12の下面から除去された構造体を得ることができる。こ
の場合前記スロット1009は片持ビームミラー1012内に位
置させることにより、プラズマエッチャントを厚いポリ
シリコン層1005にアクセスさせて除去処理のスピードア
ップを図るようにする。スロット1009を設けない場合
は、集積回路をより長時間プラズマエッチャントにさら
させて厚いポリシリコン層1005を片持ビームミラー1012
の下面から除去することが必要である。ただしこのよう
な処理法を用いた場合は、プラズマエッチャントによっ
て個々のミラーセルに隣接する構造体が必要以上にアン
ダーカットされて、最終的に得られる構造体の強度を低
下させる結果となる。
【0033】厚いポリシリコン層1005のマエッチ処理が
終了後、集積回路デバイス全体にアルミ層1010を被覆す
る。このアルミ層1010は集積回路を全体にわたってを被
覆するのであるが、とくに片持ビームミラー1012の上面
を被覆するようにする。このようにして被着したアルミ
層1010は、図11、図12からわかるようにスロット1009を
貫通して片持ビームミラー1012の下面に被着され、この
ようにして被着されたアルミ層は、光を反射して片持ビ
ームミラー1012が反射光の方向を制御しうるようにする
主要面として作用する。なお上述の異方性プラズマエッ
チ処理およびアルミ層の被着処理はいずれもパターンを
使用せずに行なう処理工程で、従って集積回路内の各構
造体の寸法等について何ら厳密な考慮を払う必要はな
い。
【0034】図12は以上のようにして得た構造を示す切
裁斜視図であり、同図にはさらに図9に示したチャンネ
ルストップ912 およびイオン注入ドレーン領域913 にそ
れぞれ対応するチャンネルストップ1013およびイオン注
入ドレーン領域1014が示してある。この図12にはさら
に, アルミパッド1008の上部に形成されたアルミ層1010
により形成されたボンディングパッド1011が示してあ
り、これらボンディングパッド1011は酸化物層1006のパ
ターン形成により電気的に分離されている。また片持ビ
ームミラー1012は浮遊ソース領域1002に蓄積された電荷
の電荷量に対応して、図9について説明した金属膜の変
形と同様の変形を起す。図8に示した可変形ミラー装置
により実行される諸動作のシーケンスを図13にプログラ
ム1300として詳細に示す。すなわち本発明においては図
8に示したブロック800 はこれを1枚の集積回路チップ
に埋込んで使用するのが好ましく、このようにすること
は可変形ミラー装置とインターフェースをとるのに必要
な端子の数を減少させる上で有利である。すなわち、た
とえば200 行256 列のミラーセルアレーがそのラインの
各々に対応する端子を有する場合、全部で456 個の端子
が必要となることになるが、本発明の場合はミラーセル
アレーのメモリ構成のために必要な端子数が大幅に減少
するのである。本例では8ビットデータポート810、3
ビット命令バス812 、ビジーライン815 を用いて可変形
ミラー装置800 の動作に必要なデータをすべて伝送する
ことができる。図8に示したこのような可変形ミラー装
置の動作について、以下図13のプログラム1300とともに
説明する。
【0035】可変形ミラー装置800 のプログラム1300に
基く動作は図8に示した命令デコーダ・シーケンサ813
による制御のもとで行なわれる。下記の説明から理解さ
れるように可変形ミラー装置800 は自動ミラーセルアレ
ーリフレッシュモードとコマンド応答モードとの間で交
互に動作させるのが好ましい。この場合に用いるコマン
ドは3ビット命令バス812 を介して可変形ミラー装置80
0 に伝達される。プログラム1300の自動リフレッシュ部
はビジー信号(処理ブロック1301)を設定することによ
って開始する。これは命令デコーダ・シーケンサ813 に
より実行され、所定のディジタル信号がビジーライン81
5 に印加される。この所定のディジタル信号のレベルに
よって可変形ミラー装置800 の外部の各デバイスに可変
形ミラー装置800 は入力するコマンドに対して応答しな
いことを知らせる。またこの信号により可変形ミラー装
置800 と結合された外部デバイスは該可変形ミラー装置
800 に再びそのようなコマンドを入力するまでコマンド
の伝送を一時中止する。
【0036】ついで命令デコーダ・シーケンサ813 は列
データをミラーセルアレー801 に書込む(プロセスブロ
ック1301)。これは列ラッチ809 内のデータを列ドライ
バ807 に供給してミラーセルアレー801 に入力すること
によって行なわれる。行デコーダドライバ803 により選
択された行802 との関連で、選択された行内のミラーセ
ルには列ラッチ809 に記憶されていたディジタルデータ
と対応するアナログ信号が供給される。この場合前述の
ように、ミラーセルアレー801 内の各ミラーセルには4
種類の状態を取ることを可能とするのが好ましい。列ラ
ッチ809 はミラーセルアレー801 の各列に対して2ビッ
トのメモリをもち、本例においてはミラーセルアレー80
1 内に256 列含まれているため、列ラッチ809 には256
個の2ビットメモリが含まれていることになる。この列
ラッチ809 の各メモリラッチ内に記憶された2ビットデ
ータを列ドライバ807 内の対応する2ビットD/A変換
器に供給することにより、ミラーセルアレー801 につつ
された個々の列ラインに入力する。
【0037】ついでプログラム1300はリフレッシュ行の
設定を行なう(プロセスブロック1303)。これはリフレ
ッッシュカウンタ805 からのデータを行デコーダドライ
バ803 に伝送して、行デコーダドライバ803 によって選
択された個々の行802 を、リフレッッシュカウンタ805
内のデータにより指示された導線にセットすることによ
って行なう。プログラム1300は次に選択された行内のミ
ラーセルの状態を感知する(プロセスブロック1304)。
すなわち、行デコーダドライバ803 によって選択された
行802 は列センサ808 をイネーブル状態として列導線80
6 を介してこれらのミラーセルに蓄積された電荷量を検
出する。前述のように列センサ808 は好ましくは列導線
806 の各々に対して1個のA/D変換器をそなえてお
り、従って選択された行における個々のミラーセル内に
蓄積された電荷の量は列センサ808 によって2ビットコ
ードに変換される。この場合上記のように、使用するA
/D変換器の設定レベルは電荷の漏洩があっても電荷レ
ベルを曖昧さのないように識別しうるようなものである
ことが必要である。前記2ビットコードは列ラッチ809
内の対応する2ビットメモリに記憶され、かくて列ラッ
チ809 内に格納されたデータが選択された行のミラーセ
ル内で感知された電荷レベルと対応することとなる。
【0038】ついでプログラム1300は列ラッチ809 内に
記憶されたデータと対応する電荷を選択された行内のミ
ラーセルに蓄積する(プロセスブロック1305)。このプ
ロセスはプロセスブロック1302について上記したものと
同様な手順で行なう。すなわち、列ラッチ809 内に記憶
されたデータはディジタルデータに対応するアナログデ
ータに変換されて、ミラーセルアレー801 の選択された
行内に記憶される。この時点では同じ行内のミラーセル
の電荷レベルが感知されて以来、行デコーダドライバ80
3 により選択された行802 はまだ変更されていないの
で、この選択された行に対する書込み動作は当該行内の
電荷状態をリフレッシュすることとなる。プログラム13
00は次にリフレッシュカウントを増大させる。これは列
導線806に記憶されたデータに1を加えることによって
実行する。リフレッッシュカウンタ805 が余剰のコード
を含んでいる場合には、言い換えればリフレッッシュカ
ウンタ805 内に記憶されたビット数が行802 の各々を一
義的に特定するのに必要な数を上まわるような場合に
は、このリフレッシュカウントの増大プロセスに更にリ
フレッシュカウンタのリセットを行なう何らかのステッ
プを含めることにより、そのような剰余コードがリフレ
ッッシュカウンタ805 に書込まれるのを避けるようにす
る。このようにしてリフレッッシュカウンタ805 内に記
憶されたデータを増大させることにより、可変形ミラー
装置800 はプログラム1300が再びプロセスブロック1301
に入り次第、ミラーセルアレー801 内のミラーセルの次
に続く行のリフレッシュを行なう態勢となる。
【0039】プログラム1300はついで行デコーダドライ
バ803 をコマンドされた行にリセットさせる(プロセス
ブロック1307)。これはコマンドされた行に対応するデ
ータを行デコーダドライバ803 に再書込みすることによ
って行なう。このデータは自動リフレッシュが行なわれ
ていたときにコマンド行カウンタ811 に格納せれていた
もので、このプロセスにより、自動リフレッシュ動作に
先立って選択されていた行802 をもう一度選択する。次
にプログラム1300はミラーセルアレー801 の選択された
内のデータを感知する(プロセスブロック1308)。この
プロセスはプロセスブロック1304について前述したもの
と同様にして行なわれ、この感知動作の結果、列ラッチ
809 内に記憶されたデータは選択された行のミラーセル
の電荷状態と対応することとなる。ついでプログラム13
00はリフレッシュタイマ814 に対して動作開始させる
(プロセスブロック1309)。リフレッシュタイマ814 は
命令デコーダ・シーケンサ813 の一部として構成されて
おり、ミラーセルアレー801 内の行を付加的にリフレッ
シュさせることが必要なときに、これを可変形ミラー装
置800 に知らせる役割を果たす。このリフレッシュタイ
マ814 の動作時間の長さは、いずれかのミラーセル内に
蓄積されていた電荷が消滅して、蓄積されていた電荷量
により表されるデータを曖昧さなく回復させなくするよ
うになるまでに、ミラーセルアレー801内の各行をイネ
ーブル状態とするように選定する。
【0040】プログラム1300は次にビジ−信号のリセッ
トを行なう(プロセスブロック1310)。これは命令デコ
ーダ・シーケンサ813 によりビジーライン815 から所定
の信号レベルを取り除くことによって行なう。このビジ
ー信号のリセットにより、可変形ミラー装置800 がコマ
ンド入力に対して応答しうる状態となったことを、外部
デバイスに知らせるのである。ついでプログラム1300は
コマンド入力が受け取られたかどうかを決めるべくチェ
ックする(プロセスブロック1311)。この決定は命令デ
コーダ・シーケンサ813 により行ない、コマンドが3ビ
ット命令バス812 に入力したかどうかを確認する。コマ
ンドがまだ入力していない場合には、このコマンドを実
行する(プロセスブロック1312)。これらのコマンドに
対する可変形ミラー装置800 の動作について以下詳述す
る。
【0041】コマンド入力がまだ受け取られていない場
合や、あるいはコマンド入力の受取りは行なわれたがそ
の実行がまだ済んでいない場合、プログラム1300はリフ
レッシュタイマ814 の設定時間がすでに経過しているか
どいうかを決めるべくチェックする(決定ブロック131
3)。リフレッシュタイマ814 の設定時間がまだ経過し
ていない場合には、プログラム1300は決定ブロック1311
に戻ってもう一度コマンド入力のテストを行なう。また
リフレッシュタイマ814 の設定時間がすでに経過してい
る場合は、ミラーセルアレー801 内の他の行のリフレッ
シュを行なって、当該行内に蓄積されている電荷が消滅
して表示スクリーン上の表示にエラーが生ずるのを防止
することが必要である。この場合はプログラム1300はプ
ロセスブロック1301に戻って自動リフレッシュのシーケ
ンスを開始する。先に述べたように、命令デコーダ・シ
ーケンサ813 は好ましくは3ビット命令バス812 からの
3ビット命令信号に応答して、外部デバイスに可変形ミ
ラー装置800 の制御を行なわせるようにする。可変形ミ
ラー装置800 により実行さるべきこれ以降の命令として
はたとえば、行アドレスのロード、列アドレスのロー
ド、データタイプのロード、データの書込み、列のロー
ド、データの読出し等があげられる。これらの命令の各
々に関する本発明の動作につき次に説明する。まず行ア
ドレスのロードの命令は8ビットデータポート810 から
入力する8個のデータビットにより行なう。行アドレス
のロード命令に対して命令デコーダ・シーケンサ813 に
よりこれら8個のデータビットは、バス804 を介して行
デコーダドライバ803 に供給される。さらに、好ましく
はこの行アドレスのロード命令により、8ビットデータ
ポート810 から入力したデータをコマンド行カウンタ81
1 内に記憶するようにする。この命令により外部デバイ
スは、行デコーダドライバ803 に行ミラーセルに結合さ
れた行802 のひとつを選択させるようにすることができ
る。
【0042】列アドレスロードのコマンドに対しては、
命令デコーダ・シーケンサ813 は8ビットデータポート
810 から入力したデータをバス804 を介してポインタ81
8 に伝送する。本例では8個のデータビットを8ビット
データポート810 からポインタ818 に送る。これら8個
のデータビットは列選択デコード819 に供給されてデー
タを書込むべき列ラッチ809 内の開始位置を選択する。
データタイプのロードについてのコマンドにより8ビッ
トデータポート810 から入力したデータをシェードラッ
チ816 およびマスク817 に伝送する。これらシェードラ
ッチ816 およびマスク817 は、列選択デコード819 に伝
送されたデータを制御して列ラッチ809 内に書込みを行
なうのに用いる。この場合8ビットデータポート810 か
ら入力したビットのうち4ビッチはシェードラッチ816
内に記憶され、これら4ビットが2ビットずつの2つの
グループに分割される。本例においては、ミラーセルア
レー801 内の各ミラーセルは2個のビットにより指定さ
れる4種類の状態をもっており、シェードラッチ816 は
これらの4種類の2ビット状態のうち2種類を記憶して
いる。シェードラッチ816 内に記憶されたこれら2種類
の2ビット状態は列ラッチ809 に伝送さるべきバックグ
ラウンドおよびフォアグラウンドシェードを指定するの
に用いられる。8ビットデータポート810 に入力した8
個のビットのうちさらに3ビットはマスク817 を介して
データビットの数を指定するのに用いられる。
【0043】マスク817 はこれらの3ビットを受け取っ
て1個ないし8個の任意の数のデータビットのためのマ
スクを生成し、書込みデータ命令に応答して列ラッチ80
9 内に記憶させる。かくて8ビットデータポート810 に
与えられた8個のデータビットに関連するデータタイプ
ロードのコマンドにより、シェードラッチ816 内に記憶
された2種類の相異るシェードと、マスク817 に記憶さ
れた列ラッチ809 に伝送さるべきデータビット数が指定
される。
【0044】次にデータの書込み命令によって命令デコ
ーダ・シーケンサ813 は8ビットデータポート810 から
列ラッチ809 へのデータの伝送を制御する。また8ビッ
トデータポート810 から入力したデータや、シェードラ
ッチ816 、マスク817 、ポインタ818 等の状態に応じて
列選択デコード819 により列ラッチ809 にデータを入力
する。書込みデータコマンド中に8ビットデータポート
810 から入力した8個のビット内の各「0」により、シ
ェードラッチ816 のバックグラウンド内に記憶されてい
た2ビットが列ラッチ809 に供給される。同様にして8
ビットデータポート810 から入力した8個のビット内の
各「1」により、シェードラッチ816 のフォアグラウン
ド内に記憶されていた2ビットも列ラッチ809 に供給さ
れる。この場合、伝送されるビット数は先に設定したマ
スク817 の状態により制御され、0から8までの任意の
数とすることができる。開始位置、すなわちこの新しい
データが記憶される列ラッチ809 内の最初の列位置はポ
インタ818 の状態により制御される。かくて複数のコマ
ンドの組合せにより外部デバイスが列ラッチ809 内に所
望のデータを記憶させることが可能となる。
【0045】列ロードのコマンドを受け取った場合は列
ラッチ809 内に記憶されていた列データが列ドライバ80
7 を介してミラーセルアレー801 内の選択された行に供
給され、従ってミラーセルアレー801 の選択された行内
のミラーセルが駆動されて列ラッチ809 の関連する2ビ
ットメモリ内に記憶された2ビットと対応する状態とな
る。この列ロードのコマンドは独立の命令として与える
こともでき、これによって当該データがミラーセルアレ
ー801 内の特定の行に伝送されるのに先立って、列ラッ
チ809 が数個所に書込まれることが可能となる。あるい
はまた、列ラッチ809 に記憶されたデータを用いて各書
込みデータコマンドに対して、ミラーセルアレー801 の
選択された行内に所望の電荷を生成させるようにしても
よい。この場合には書込みデータコマンドにより上記2
種類の機能の両方を実行することができる。ミラーセル
アレー801 内に記憶されたデータを呼び出して外部のデ
バイスに使用する、たとえば追加データと連結させるこ
とができれば都合がよいという場合がある。データの読
出しコマンドはそのような機能を行なうために発せられ
ることがあり、このようなデータ読出しコマンドが発せ
られた場合には、命令デコーダ・シーケンサ813 により
列ラッチ809 内の2ビットメモリのうちの4個に対応す
るデータが、バス804 およびさらに8ビットデータポー
ト810 に伝送される。列ラッチ809 とバス804 の間に破
線で示すラインはこのデータの伝送を行なうラインであ
る。列ラッチ809 からの4つの2ビットデータ位置はポ
インタ818 に記憶されたデータによって指定され、これ
によりこれら4つのメモリ位置のうち最初の位置が指定
される。
【0046】可変形ミラー装置800 に供給される外部コ
マンドについては、図13のプログラム1300に示したステ
ップのうちあるものは、外部デバイスが可変形ミラー装
置800 を制御しやすいように設けたものである。このよ
うにすることにより、例えば列ロードコマンド(プロセ
スブロック1302)、コマンド行設定(プロセスブロック
1307)、列コマンド感知(プロセスブロック1308)は可
変形ミラー装置800 自体の動作を制御するのには必要の
ないステップであり、これらのコマンドはプログラム13
00においては、自動リフレッシュを行なった後に可変形
ミラー装置800を前と同じ状態とするために用いられて
いるものである。しかしてこれは、列ラッチ809 に記憶
されていたええをミラーセルアレー801 内のコマンド列
により指定された列に入力しておいて、自動リフレッシ
ュを行なった後にこのデータを呼び出して、列ラッチ80
9 内のコマンド列に記憶させる。この場合、外部デバイ
スは可変形ミラー装置800 のリフレッシュサイクルを認
識している必要がなく、単にビジー信号の発生中にコマ
ンドを発しないようにしていればよい。ただし、外部デ
バイスが可変形ミラー装置800 のリフレッシュサイクル
を認識している方が有利な場合は、リフレッシュシーケ
ンスにおけるこのような動作を省略することもできる。
ただし外部デバイスは、自動リフレッシュ機能後の可変
形ミラー装置800 の状態が該機能前の状態と違っている
ことについては、認識しておかねばならない。
【0047】これまでの説明では可変形ミラー装置800
のミラーセルアレー801 は複数個の可変形ミラーセルに
より形成されているとしてきたが、必ずしもそのような
必要はなく、ミラーセルアレー801 を電荷蓄積ミラーセ
ルあるいは電圧蓄積ミラーセルを有する空間的光変調器
として構成しても何ら差し支えはない。図14に本発明に
よる可変形ミラー装置により、像を投射して表示する場
合の投射装置1400の機械的構成の一例を示す。すなわち
投射装置1400はドロップドア1402を有するケーシング14
01をそなえており、このドロップドア1402には小型のコ
ンピュータシステムもしくは端末装置1403が装着されて
いる。この小型のコンピュータシステムもしくは端末装
置1403はデータや命令を入力するためのキー(図示せ
ず)をそなえたキーボード領域1404が設けてある。
【0048】投射装置1400にはさらに、光学系1405が設
けてあり、この光学系1405は図1、図5、図7に示した
ような構成としてある。該光学系1405から発した光は光
路1406を通ってミラー1407に達する。このミラー1407は
引出しスタンド1408に支持されており、この引出しスタ
ンド1408はさらにドロップドア1402に結合されている。
光路1406からの光はミラー1407により反射して光路1409
を通って表示スクリーン1410に入射するようにしてあ
る。
【0049】図15に他の実施例を示す。この実施例で
は、表示スクリーン1410は高利得型のものを用い、この
表示スクリーン1410から反射された光が均一に散乱せず
に比較的狭い角度範囲内に収まるようにしてある。この
ような第15図において、光学系1405からは光路1406を通
ってミラー1407に達するように光が投射され、この光は
反射後光路1409を通って表示スクリーン1410に到達す
る。表示スクリーン1410はこれを湾曲状として、メイン
ローブ1411に沿って光学系1405から入射した光が反射す
るようになっている。この場合オペレータはその両手が
キーボード領域1404に置かれているものと考えられるか
ら、オペレータの視認位置の方向にこのメインローブ14
11が向うようにしておく。光学系1405から入射した光を
第15図に示すように比較的狭い角度範囲内に絞ることに
より、スクリーン上に感知する光の強さを光源における
弱い光の強さと同程度とすることが可能である。
【0050】図16、図17、図18に本発明による可変形ミ
ラー装置を用いた表示システムにより3次元表示を行な
う場合の方法を3種示す。図16に示す3次元表示システ
ムは投射系をひとつだけ設けた場合の例で、ここに示す
システムは図5に示したものにフィルタ119 、120 を追
加したシステムである。これらフィルタ119 、120 は偏
光フィルタで入射光のうち特定の偏光成分のもを通過さ
せるもので、本例においてはこれらフィルタの偏光方向
は互いに直交するようにしてある。光は光路113 に沿っ
て表示スクリーン121 に向って投射され、さらに視認位
置124 にいるオペレータに向う。表示スクリーン121 と
オペレータの両目の間にはさらに偏光フィルタ122 、12
3 が追加設置されて、109 、117 からの2つの相異る像
をその偏光角に応じて分離するようになっている。な
お、これらの相異る像はオペレータに対して単一の3次
元カラー像に一体化することを妨げるものではないた
め、別にカラーフィルタ114 、118 を設けてもよい。
【0051】図17に示す3次元表示システムは投射系を
2つ設けた場合の例で、オペレータと視認位置との間に
何らフィルタを設ける必要のないものである。光学装置
1405からの光は光路1406に沿ってミラー1407に進み、反
射後光路1409を通って表示スクリーン1410に入射する。
ついで光は好ましくは図15に示したメインローブ1411よ
りも角度を狭くしたメインローブ1412を形成する。さら
に光学装置1413からの光は光路1414を通ってミラー1415
に達し、これによって反射されて光路1416を経由して表
示スクリーン1410に入射する。ついでこの光はメインロ
ーブ1417により比較的様い角度に絞られる。オペレータ
の両手はキーボード1404に届く位置にあるため、視認位
置1418の設定範囲は厳しく限定される。このためメイン
ローブ1412、1417は、視認位置1418にいるオペレータの
予想される両目の位置に正確に向かうように設定するこ
とができる。かくて、せまいビームローブにより3次元
像の投射を行なっているため、オペレータの両目にはそ
れぞれ相異る像が入ることとなる。
【0052】図18は本発明による可変形ミラー装置を用
いた投射表示システムにより3次元像の投射を行なうよ
うにした第3の方法を示すもので、第1のミラーセルア
レー1801により光を第1の1802に投射し、さらに第2の
1803により光を第2の1804に投射する。これら第1、第
2の表示スクリーン1802、1804は視認位置1805における
予想される両目の位置にきわめて近くに配置されている
ため、反対側の目で見ることはほとんどできない。この
ためオペレータはそれぞれの目に相異る像を視認するこ
ととなって、結果として3次元像が得られるのである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による単色光学装置の実施例を示す概略
配置図である。
【図2】本発明の実施例に用いるシュリーリン光学装置
の構成例を示す一部破断斜視図である。
【図3】本発明の実施例に用いるシュリーリン光学装置
の構成例を示す一部破断斜視図である。
【図4】図4は図1の実施例におけるレンズ、ミラー可
変形ミラー装置の配置をを示す断面図である。
【図5】本発明による2色または2個の可変形ミラー端
装置を用いた場合の光学装置の実施例を示す概略配置図
である。
【図6】本発明実施例における表示スクリーンのスポッ
トの配列を示す図である。
【図7】本発明による3色を用いた場合の光学装置の実
施例を示す概略配置図である。
【図8】本発明の実施例において1枚のチップ上に可変
形ミラー装置を実装した場合の回路構成を示すブロック
図である。
【図9】本発明の各実施例に用いるミラーセルの構造を
はを示す断面図である。
【図10】図9に示したミラーセルの他の例を示す図であ
る。
【図11】図9に示したミラーセルの他の例を示す図であ
る。
【図12】図9に示したミラーセルの他の例を示す図であ
る。
【図13】図8に示した可変形ミラーチップの動作シーケ
ンスを示すチャート図である。
【図14】本発明による可搬式表示システムの実施例を示
す斜視図である。
【図15】図14の可搬式表示システムに高利得スクリーン
を用いた場合の実施例を示す斜視図である。
【図16】本発明による3次元投射システムの各種実施例
を示す概略配置図である.
【図17】本発明による3次元投射システムの各種実施例
を示す概略配置図である.
【図18】本発明による3次元投射システムの各種実施例
を示す概略配置図である.
【符号の説明】
100 、 500、700 光学装置 101 光源 103 、105 、107 、115 、120 レンズ 104 、108 、110 、116 、121 ミラー 106 シュリーリン光学装置 109 、 117、122 、800 可変形ミラー装置 114 、118 、123 カラーフィルタ 121 、601 表示スクリーン 605 画素領域 910 〜931 、1001〜1014 ミラーセル 1300 可変形ミラー装置プログラム 1400 表示スクリーン装置
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成3年10月9日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】本発明における空間的光変調器はワンチッ
プ形式の可変形ミラー装置であり、以下詳細に説明する
ように、可変形ミラー装置109 はそれぞれ別個に可変形
自在とした複数個のミラーセルからなっており、これら
ミラーセルの各々は非活性すなわち非変形時にはプレー
ンミラーとしてはたらいて、レンズ107 から入射した光
を実質的に同一の光路を通って再びシュリーリン光学装
置106 の対応する光反射部へと反射する。また変形した
ミラーセルから反射した光はレンズ103 、105および放
物面ミラー102 により集光されて光源101 に戻る。この
場合、光学装置100 全体の光損失は比較的大きいと考え
られるため、非相反光学装置112 は光学装置100 と光源
101 との間のこの光路内に位置させてもよい。この非相
反光学装置112 は、光を選択的に反射させたり、透過さ
せたりするようなハーフシルバーミラー或いは被膜透明
板でできていて、シュリーリン光学装置106 、即ち、ビ
ームスプリッタから光源101 に向けて反射する光量より
も、光源101 からそこを透過する光量の方が大きくなる
ように作られている。さらに、シュリーリン光学装置10
6 、即ち、ビームスプリッタとの関係では、この非相反
光学装置112 は、そこを透過して光源101 に向う光量よ
りも、シュリーリン光学装置106 からの光に関して、そ
こで反射する光量の方が大きくなるように作られてい
る。このため、非相反光学装置112 は可変形ミラー装置
109 のミラーセルが非活性すなわち非変形状態にあると
きは、これらミラーセルからの光を再捕捉して有効な光
路内に戻す役割を果す。シュリーリン光学装置106 から
の透過光光路にはプレーンミラー110 が配置されてお
り、このプレーンミラー110 はこれを整合配置として、
シュリーリン光学装置106 の透過部、ひいては前記非相
反光学装置112 に向って光を反射することにより、非変
形ミラーセルと同等の役割を果たすようになっており、
これによって可変形ミラー装置109 まで到達しない光を
再捕捉することが可能となる。

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光源と、この光源から実質的に平行な光
    束を得るための第1の光学系と、光の反射光路および光
    の透過光路をそれぞれ形成する光反射部と光透過部とが
    交互に配置され、前記第1の光学系からの光が一定角で
    入射するようにしたシュリーリン光学系と、このシュリ
    ーリン光学系からの光反射光路またはび光透過光路のう
    ちのひとつからの光が入射して該シュリーリン光学系か
    らの光を一定の焦点に集束させるように配した第2の光
    学系と、この第2の光学系からの光を入射すべく前記焦
    点の近傍に配置され、それぞれが別個に電気的に変形自
    在とした複数個のミラーセルからなるマトリックスを有
    し、これらミラーセルの各々はこれを通常は前記シュリ
    ーリン光学系の各部から入射した光を同型の部分に向け
    て反射させ、また前記シュリーリン光学系の各部から入
    射した光の少なくとも一部を逆型の部分に反射させるよ
    うに電気的に変形自在とした可変形ミラー装置と、この
    可変形ミラー装置において変形したミラーセルにより反
    射された光が入射すべく配した表示スクリーンとからな
    ることを特徴とする電子表示装置。
  2. 【請求項2】 前記シュリーリンからの光反射光路およ
    び光透過光路のうち前記第2の光学系以外の光路からの
    光が入射して前記シュリーリン光学系からの光を第2の
    焦点に集束させるように配した第3の光学系と、この第
    3の光学系からの光を入射すべく前記第2の焦点の近傍
    に配置され、それぞれが別個に電気的に変形自在とした
    複数個のミラーセルからなるマトリックスを有し、これ
    らミラーセルの各々はこれを通常は前記シュリーリン光
    学系の各部から入射した光を同型の部分に向けて反射さ
    せ、また前記シュリーリン光学系の各部から入射した光
    の少なくとも一部を逆型の部分に反射させるように電気
    的に変形自在とした第2の可変形ミラー装置を更に有し
    てなる請求項1の電子表示装置。
  3. 【請求項3】 前記シュリーリン光学系と前記第1の可
    変形ミラー装置との間に配した第1のカラーフィルタ
    と、該シュリーリン光学系と前記第2の可変形ミラー装
    置との間に配しかつ前記第1のフィルタカラーと異なる
    第2のカラーフィルタとを更に有してなる請求項2の電
    子表示装置。
  4. 【請求項4】 前記シュリーリン光学系と前記第1の可
    変形ミラー装置との間に配して第1の型の光のみが入射
    するようにしたた第3のフィルタと、前記シュリーリン
    光学系と前記第2の可変形ミラー装置との間に配して、
    前記第1の型の光とは異なる第2の型の光のみが入射す
    るようにしたた第4のフィルタと、前記表示スクリーン
    とこの表示スクリーンを見るオペレータの一方の目との
    間に位置して前記第1の型の光のみを透過させるように
    した第5のフィルタと、前記表示スクリーンと前記オペ
    レータの他方の目との間に位置して前記第2の型の光の
    みを透過させるようにした第6のフィルタを更に有して
    なる請求項2の電子表示装置。
  5. 【請求項5】 前記第1の可変形ミラー装置と前記第2
    の可変形ミラー装置を互いに整合させることにより、前
    記第1の可変形ミラー装置内の第1の方向に配列された
    個々のミラーセルにより前記表示スクリーン上のスポッ
    トのうち一つおきの第1の組に対する光照射を制御する
    とともに、前記第2の可変形ミラー装置内の第1の方向
    に配列された個々のミラーセルにより前記表示スクリー
    ン上のスポットのうち一つおきの第2の組に対する光照
    射を制御するようにした請求項2の電子表示装置。
  6. 【請求項6】 前記可変形ミラー装置はこれを、複数本
    の行方向導線と、複数本の列方向導線と、これら行方向
    導線と列方向導線とが交又する個所に配置された複数個
    の電荷蓄積セルとを含み、これら電荷蓄積セルのそれぞ
    れがそれ自体と関連する光変調セルを有し、かつその光
    変調セルの光変調を前記関連する電荷蓄積セルに蓄積さ
    れた電荷と対応させるとともに、前記可変形ミラー装置
    はさらに、前記行方向導線に接続されてディジタル行信
    号を入力し、所定の電圧を前記ディジタル行信号と対応
    する行方向導線のうち選択された1本に結合させるよう
    にした行デコード手段と、前記列方向導線に接続されて
    各列につき1ビット以上のディジタル列信号を入力して
    前記列方向導線の各々に前記対応するディジタル列信号
    に比例する列駆動信号を発生させることにより、前記選
    択された行の電荷蓄積セルにおける前記列駆動信号に対
    応する電荷を蓄積するようにした列駆動手段と、前記列
    方向導線に接続されて前記選択された行の電荷蓄積セル
    に蓄積された電荷を感知して各列方向導線について1ビ
    ット以上のディジタル列信号を発生させるようにした列
    センサと、前記列駆動手段および前記列センサに接続さ
    れて列センサより出力されたディジタル列信号を記憶
    し、記憶したディジタル列信号を前記列駆動手段に供給
    するようにした列ラッチを含んでなる請求項1の電子表
    示装置。
  7. 【請求項7】 前記行デコード手段と接続されて前記複
    数本の導線のうちの1本に対応するディジタル行信号を
    記憶するようにしたリフレッシュカウンタと、前記リフ
    レッシュカウンタ、前記列駆動手段、前記列センサおよ
    び前記列ラッチと接続されて、(1) 前記リフレッシュカ
    ウンタに記憶されたディジタル行信号を前記行デコード
    手段に供給してそのディジタル行信号と対応する行方向
    導線を選択し、(2) 前記列センサに前記選択された行に
    おける各電荷蓄積セルに蓄積された電荷を感知して対応
    するディジタル列信号の組を発生することができるよう
    にさせ、(3) これらディジタル列信号を前記列ラッチに
    記憶させ、(4) この列ラッチに記憶された前記ディジタ
    ル列信号を前記列駆動手段に供給することにより、前記
    列駆動手段に前記対応するディジタル列信号と比例する
    電荷を前記選択された行の各電荷蓄積セルに蓄積させ、
    (5) 前記リフレッシュカウンタに記憶されたディジタル
    行信号を次の順位の行方向導線と対応するように増大さ
    せる自動リフレッシュシーケンスを周期的に行なわせる
    ようにしたシーケンス手段とを更に有してなる請求項1
    の電子表示装置。
  8. 【請求項8】 前記シーケンス手段と接続されて複数ビ
    ットのコマンド入力を受け取るようにしたコマンド入力
    手段とを更に有し、かつ前記シーケンス手段は更に前記
    と自動リフレッシュシーケンスのイネーブリングと受け
    取ったコマンド入力と対応するコマンドシーケンスのイ
    ネーブリングを交互に行なうようにした手段を含んでな
    る請求項7の電子表示装置。
  9. 【請求項9】 前記複数ビットのコマンド入力は書込み
    データコマンドとよ読出しデータコマンドとを有しさら
    に、前記シーケンス手段は前記コマンドシーケンスをイ
    ネーブルとして書込みデータコマンドに応答して前記複
    数個の電荷蓄積セル内の特定の位置に入力したデータと
    対応する電荷を蓄積させ、また前記コマンドシーケンス
    をイネーブルとして読出しデータコマンドに応答して前
    記複数個の電荷蓄積セル内の特定の位置に蓄積された電
    荷と対応するデータを出力するようにした手段を含んで
    なる請求項1の電子表示装置。
  10. 【請求項10】 第1の光投射装置と第2の光投射装置と
    からなり、第1の光投射装置は (a)第1の光源と、(b)
    この第1の光源からの光を入射すべく配し、かつ個々に
    電気的に制御可能として前記第1の光源から入射した光
    を変調するようにした複数個の光変調セルを有する第1
    の空間的光変調手段と、(c) この第1の空間的光変調手
    段により変調された光をオペレータの一方の目に視認さ
    せるようにした第1の視認手段とを含む第1の光投射装
    置からなり、また前記第2の光投射装置は (a)第2の光
    源と、(b) この第2の光源からの光を入射すべく配し、
    かつ個々に電気的に制御可能として前記第2の光源から
    入射した光を変調するようにした複数個の光変調セルを
    有する第2の空間的光変調手段と、(c) この第2の空間
    的光変調手段により変調された光をオペレータの他方の
    目に視認させるようにした第2の視認手段とからなるこ
    とを特徴とする電子表示システム。
  11. 【請求項11】 (a) サブストレート上に電気的アドレス
    回路を形成し、(b)前記サブストレートおよび前記回路
    上にスペーサ層を被着させ、(c) このスペーサ層上に反
    射層を被着させ、(d) この反射層をパターン化して前記
    反射層の残りの部分と結合する複数個の画素を画定し、
    (e) 前記スペーサ層にプラズマエッチ処理を施して前記
    画素の下方にヱルを形成することにより、前記画素が前
    記スペーサ層から開放されて、前記アドレス回路に入力
    する信号によりこれら画素が静電的に変形しうるように
    したことを特徴とする空間的光変調器の製作方法。
  12. 【請求項12】 (a) 導電性サブストレート上にスペーサ
    層を被着させ、(b)このスペーサ層上に反射層を被着さ
    せ、(c) この反射層をパターン化して複数個の画素およ
    び電極部を画定し、(d) 前記スペーサ層にプラズマエッ
    チ処理を施して前記画素の下方にヱルを形成することに
    より、前記画素が前記スペーサ層から開放されて、前記
    電極と前記サブストレートとの間に印加された信号によ
    りこれら画素が静電的に変形しうるようにしたことを特
    徴とする空間的光変調器の製作方法。
  13. 【請求項13】 (a) サブストレート上に形成された複数
    の反射層とスペーサとを組み合せたものに変形自在のビ
    ームと支持構造体を画定し、前記サブストレートをダイ
    シング処理することによって複数個のチップとして各チ
    ップが空間的光変調器となるようにし、(c) 前記スペー
    サの少なくとも一部をプラズマエッチング処理により除
    去することにより前記変形自在のビームを前記スペーサ
    から開放させたるようにしたことを特徴とする空間的光
    変調器の製作方法。
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