JPH07216420A - 高炉操業方法 - Google Patents
高炉操業方法Info
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- JPH07216420A JPH07216420A JP2588894A JP2588894A JPH07216420A JP H07216420 A JPH07216420 A JP H07216420A JP 2588894 A JP2588894 A JP 2588894A JP 2588894 A JP2588894 A JP 2588894A JP H07216420 A JPH07216420 A JP H07216420A
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- furnace
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 決められた原燃料条件、生産条件の基におい
て特別な設備及び原料を有することなく、容易に溶銑中
のＳｉ濃度を低減する。 【構成】 高炉々内に形成されている融着帯の形状と溶
銑中のＳｉ濃度を検知し、この検知した融着帯形状が逆
Ｖ型で、しかも、前記Ｓｉ濃度が目標Ｓｉ濃度より高い
場合には、炉内に装入する装入物の炉半径方向における
分布を調整して融着帯の形状をＷ型に変換し、前記溶銑
中のＳｉ濃度を低減する高炉操業方法。
て特別な設備及び原料を有することなく、容易に溶銑中
のＳｉ濃度を低減する。 【構成】 高炉々内に形成されている融着帯の形状と溶
銑中のＳｉ濃度を検知し、この検知した融着帯形状が逆
Ｖ型で、しかも、前記Ｓｉ濃度が目標Ｓｉ濃度より高い
場合には、炉内に装入する装入物の炉半径方向における
分布を調整して融着帯の形状をＷ型に変換し、前記溶銑
中のＳｉ濃度を低減する高炉操業方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高炉から抽出する溶銑の
Ｓｉ濃度を低減するための高炉操業に関するものであ
る。
Ｓｉ濃度を低減するための高炉操業に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】高炉から抽出した溶銑は転炉工程で成分
調整して溶鋼とし、この溶鋼を後工程の連続鋳造工程で
凝固している。近年、低硫鋼、低燐鋼の製造が盛んに行
われるようになり、転炉工程においては脱硫、脱燐設備
が設けられている。この際、溶銑のＳｉ濃度が高いと、
前記脱硫、脱燐の障害になることから、溶銑中のＳｉ濃
度を低濃度（例えば０．１％〜０．４％）に維持するこ
とが望まれている。
調整して溶鋼とし、この溶鋼を後工程の連続鋳造工程で
凝固している。近年、低硫鋼、低燐鋼の製造が盛んに行
われるようになり、転炉工程においては脱硫、脱燐設備
が設けられている。この際、溶銑のＳｉ濃度が高いと、
前記脱硫、脱燐の障害になることから、溶銑中のＳｉ濃
度を低濃度（例えば０．１％〜０．４％）に維持するこ
とが望まれている。
【０００３】このことから、高炉においては、転炉側が
要望する上記低Ｓｉ濃度範囲で、且つ、安定した炉況を
維持しつつ操業を行う事が重要になっている。この溶銑
中のＳｉ濃度を低減するには、コークス中および炉内
で生成したスラグ中のシリカ（ＳｉＯ2 ）から発生する
ＳｉＯガスを抑制する方法があり、これは（ａ）炉内に
装入する装入物を含有シリカ量の少ない装入物に変更す
ることにより、高炉へのシリカ入量を低減させる方法、
或いは（ｂ）特開昭６３−１３７１１０号公報に提案さ
れているように、羽口先の温度を低減させてＳｉＯガス
の発生を抑制する方法がある。
要望する上記低Ｓｉ濃度範囲で、且つ、安定した炉況を
維持しつつ操業を行う事が重要になっている。この溶銑
中のＳｉ濃度を低減するには、コークス中および炉内
で生成したスラグ中のシリカ（ＳｉＯ2 ）から発生する
ＳｉＯガスを抑制する方法があり、これは（ａ）炉内に
装入する装入物を含有シリカ量の少ない装入物に変更す
ることにより、高炉へのシリカ入量を低減させる方法、
或いは（ｂ）特開昭６３−１３７１１０号公報に提案さ
れているように、羽口先の温度を低減させてＳｉＯガス
の発生を抑制する方法がある。
【０００４】又、炉下部で発生したＳｉＯガスが溶銑
内に吸収されるのを抑制する方法として、例えば、
（ａ）特開昭５７−８２４１０号公報に提案のように羽
口先温度を可能な限り上昇させたり、（ｂ）特開昭６１
−５６２１１号公報に提案されているように使用焼結鉱
のＣ／Ｓ（塩基度）を２以上とする等の調整を行って、
融着帯の位置を低下させて、融着帯から滴下する溶融物
の距離を短くして、前記ＳｉＯガスとの接触時間を短縮
させ、ＳｉＯガスの反応量を少なくする方法がある。
内に吸収されるのを抑制する方法として、例えば、
（ａ）特開昭５７−８２４１０号公報に提案のように羽
口先温度を可能な限り上昇させたり、（ｂ）特開昭６１
−５６２１１号公報に提案されているように使用焼結鉱
のＣ／Ｓ（塩基度）を２以上とする等の調整を行って、
融着帯の位置を低下させて、融着帯から滴下する溶融物
の距離を短くして、前記ＳｉＯガスとの接触時間を短縮
させ、ＳｉＯガスの反応量を少なくする方法がある。
【０００５】更に、近年になって、炉床部へ気体酸
素、酸化鉄等の固体酸素を吹き込んで、炉床部に溜まっ
た溶銑のＳｉを除去する炉内脱Ｓｉ方法が提案されてい
る。
素、酸化鉄等の固体酸素を吹き込んで、炉床部に溜まっ
た溶銑のＳｉを除去する炉内脱Ｓｉ方法が提案されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】溶銑中のＳｉを低減す
るためには上記のように種々の方法が提案されている
が、実操業においてはそれぞれ問題点がある。つまり、
上記−（ａ）、−（ｂ）のように装入物の成分等を
調整するには原料銘柄の変更、副原料の使用等が必要で
あるが、原料銘柄は長期需給計画で決まっており、その
調整代は少なく、従ってＳｉ濃度の調整幅は少なくな
る。また、−（ｂ）、−（ａ）のように羽口先の条
件を変更させることは生産量の大幅な変更、溶銑製造に
必要な総エネルギーの増加等を伴う問題があり、特に実
操業においては、その溶銑中のＳｉ濃度調整の自由度は
やはり少ないものであった。
るためには上記のように種々の方法が提案されている
が、実操業においてはそれぞれ問題点がある。つまり、
上記−（ａ）、−（ｂ）のように装入物の成分等を
調整するには原料銘柄の変更、副原料の使用等が必要で
あるが、原料銘柄は長期需給計画で決まっており、その
調整代は少なく、従ってＳｉ濃度の調整幅は少なくな
る。また、−（ｂ）、−（ａ）のように羽口先の条
件を変更させることは生産量の大幅な変更、溶銑製造に
必要な総エネルギーの増加等を伴う問題があり、特に実
操業においては、その溶銑中のＳｉ濃度調整の自由度は
やはり少ないものであった。
【０００７】更に、上記の高炉内脱Ｓｉ方法は炉床部
へ気体酸素、固体酸素を吹き込むために羽口部から炉床
部にかけて吹き込み設備を設けなければならず、設備コ
スト及びランニングコストの上昇を伴うものであった。
本発明は、決められた原燃料（焼結鉱、鉄鉱石、ペレッ
ト等の鉄原料及びコーケス等の燃料）条件、生産条件の
基において特別な設備及び原料を有することなく、容易
に溶銑中のＳｉ濃度を低減することを課題とするもので
ある。
へ気体酸素、固体酸素を吹き込むために羽口部から炉床
部にかけて吹き込み設備を設けなければならず、設備コ
スト及びランニングコストの上昇を伴うものであった。
本発明は、決められた原燃料（焼結鉱、鉄鉱石、ペレッ
ト等の鉄原料及びコーケス等の燃料）条件、生産条件の
基において特別な設備及び原料を有することなく、容易
に溶銑中のＳｉ濃度を低減することを課題とするもので
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するためになされたものであり、その手段１は高炉々内
に形成されている融着帯の形状と溶銑中のＳｉ濃度を検
知し、この検知した融着帯形状が逆Ｖ型で、しかも、前
記Ｓｉ濃度が目標Ｓｉ濃度より高い場合には、炉内に装
入する装入物の炉半径方向における分布を調整して融着
帯の形状をＷ型に変換し、前記溶銑中のＳｉ濃度を低減
する高炉操業方法である。
するためになされたものであり、その手段１は高炉々内
に形成されている融着帯の形状と溶銑中のＳｉ濃度を検
知し、この検知した融着帯形状が逆Ｖ型で、しかも、前
記Ｓｉ濃度が目標Ｓｉ濃度より高い場合には、炉内に装
入する装入物の炉半径方向における分布を調整して融着
帯の形状をＷ型に変換し、前記溶銑中のＳｉ濃度を低減
する高炉操業方法である。
【０００９】更に、手段２は炉芯温度を１２００℃以上
に維持しつつ前記融着帯の形状を逆Ｖ型からＷ型に変換
する手段１記載の高炉操業方法である。また、融着帯の
形状を測定する際に、融着帯の位置も検出し、この位置
が高い場合には融着帯の形状逆Ｖ型からＷ型に変換する
前、又は同時にその位置を低下する事が好ましい。この
際、融着帯の形状が逆Ｖ型とは図３中のＹV に示すよう
に融着帯Ｙが頂層Ｔから根部Ｂにかけてスムーズに単調
に位置が低下しているものである。又、Ｗ型とは図３中
のＹW に示すように融着帯Ｙの頂層Ｔと根部Ｂの間に局
所的な垂れ下り部Ｃを有しているものである。
に維持しつつ前記融着帯の形状を逆Ｖ型からＷ型に変換
する手段１記載の高炉操業方法である。また、融着帯の
形状を測定する際に、融着帯の位置も検出し、この位置
が高い場合には融着帯の形状逆Ｖ型からＷ型に変換する
前、又は同時にその位置を低下する事が好ましい。この
際、融着帯の形状が逆Ｖ型とは図３中のＹV に示すよう
に融着帯Ｙが頂層Ｔから根部Ｂにかけてスムーズに単調
に位置が低下しているものである。又、Ｗ型とは図３中
のＹW に示すように融着帯Ｙの頂層Ｔと根部Ｂの間に局
所的な垂れ下り部Ｃを有しているものである。
【００１０】この融着帯の形状の検知は特公昭６０−３
９１２５号公報に提案のように、高炉の炉腹に設けた炉
腹ゾンデＺの検出手段を用いて直接検知する方法が好ま
しいが、炉現象と整合性を確認した数学モデルによる方
法でも良い。また、炉芯温度の測定は特公昭６０−３９
１２４号公報に提案の炉芯ゾンデＲを用いて実測するの
が好ましいが、上記同様の数学モデルを使用してもよ
い。
９１２５号公報に提案のように、高炉の炉腹に設けた炉
腹ゾンデＺの検出手段を用いて直接検知する方法が好ま
しいが、炉現象と整合性を確認した数学モデルによる方
法でも良い。また、炉芯温度の測定は特公昭６０−３９
１２４号公報に提案の炉芯ゾンデＲを用いて実測するの
が好ましいが、上記同様の数学モデルを使用してもよ
い。
【００１１】
【作用】本発明者等は、炉内に装入する装入物のシリカ
含有量の低減処理、炉床部への酸化鉄の吹込み等のコス
トアップとなる外部要因により溶銑中Ｓｉ低減を図るの
ではなく、高炉内の融着帯の形状と溶銑中Ｓｉとの関係
に着目し、この関係について５０００ｍ3 級の超大型高
炉を用いて種々実験・調査・検討した。この結果、融着
帯の形状を調整することによって、原燃料条件、生産
量、羽口先条件を大きく変化することなく、また、溶銑
温度を大幅に低下することなく、溶銑中Ｓｉ濃度のみを
容易に低減できることが判明した。
含有量の低減処理、炉床部への酸化鉄の吹込み等のコス
トアップとなる外部要因により溶銑中Ｓｉ低減を図るの
ではなく、高炉内の融着帯の形状と溶銑中Ｓｉとの関係
に着目し、この関係について５０００ｍ3 級の超大型高
炉を用いて種々実験・調査・検討した。この結果、融着
帯の形状を調整することによって、原燃料条件、生産
量、羽口先条件を大きく変化することなく、また、溶銑
温度を大幅に低下することなく、溶銑中Ｓｉ濃度のみを
容易に低減できることが判明した。
【００１２】即ち、融着帯の形状を逆Ｖ型からＷ型に変
換すると図１に示すように、同一溶銑温度に対して溶銑
中Ｓｉ濃度を低く出来る（Ｗ型の溶銑Ｓｉ濃度：グルー
プＡ、逆Ｖ型の溶銑Ｓｉ濃度：グループＢ）。これは、
炉芯表層部及び羽口先に形成されるレースウェーの奥部
位のＳｉＯガス分圧が逆Ｖ型融着帯に比してＷ型融着帯
の方が低いことに起因すると推察される。
換すると図１に示すように、同一溶銑温度に対して溶銑
中Ｓｉ濃度を低く出来る（Ｗ型の溶銑Ｓｉ濃度：グルー
プＡ、逆Ｖ型の溶銑Ｓｉ濃度：グループＢ）。これは、
炉芯表層部及び羽口先に形成されるレースウェーの奥部
位のＳｉＯガス分圧が逆Ｖ型融着帯に比してＷ型融着帯
の方が低いことに起因すると推察される。
【００１３】即ち、ＳｉＯガス分圧が低くなる条件とし
ては、レースウェーＬの奥に相当する部位の融着物中の
ＦｅＯ濃度が高く、しかも、温度が低いことである。こ
の事から、Ｗ型融着帯の場合（図２（ａ））と逆Ｖ型融
着帯の場合（図２（ｂ））を比較すると、前記融着物
中のＦｅＯ濃度は図２（ａ）のＲW 部分と図２（ｂ）の
ＲV 部分を比較すると判るようにＷ型融着帯の方が高
い。更に、レースウェー奥部位の温度は前記同様に図
２（ａ）のＲW 部分と図２（ｂ）のＲV 部分を比較する
と判るようにＷ型融着帯の方が低い。こののことか
ら、逆Ｖ型融着帯に比してＷ型融着帯がＳｉＯガス分圧
が低くなるものと思われる。
ては、レースウェーＬの奥に相当する部位の融着物中の
ＦｅＯ濃度が高く、しかも、温度が低いことである。こ
の事から、Ｗ型融着帯の場合（図２（ａ））と逆Ｖ型融
着帯の場合（図２（ｂ））を比較すると、前記融着物
中のＦｅＯ濃度は図２（ａ）のＲW 部分と図２（ｂ）の
ＲV 部分を比較すると判るようにＷ型融着帯の方が高
い。更に、レースウェー奥部位の温度は前記同様に図
２（ａ）のＲW 部分と図２（ｂ）のＲV 部分を比較する
と判るようにＷ型融着帯の方が低い。こののことか
ら、逆Ｖ型融着帯に比してＷ型融着帯がＳｉＯガス分圧
が低くなるものと思われる。
【００１４】更に、Ｗ型融着帯は前記のように垂れ下
り部Ｃを有しており、炉下部の湯溜部と融着帯との間の
距離が逆Ｖ型融着帯に比して短くなることから、融着帯
から滴下する溶銑と前記ＳｉＯガスとの接触時間も短縮
する。かくして、この両者が相まってＷ型融着帯の場合
には溶銑へのＳｉ移行反応が抑制され、溶銑中Ｓｉが低
減するものと考えられる。この融着帯の形状の変換は従
来から行われているように、装入物の炉径方向の装入物
分布を調整するのみでよく容易な調整手段でよい。
り部Ｃを有しており、炉下部の湯溜部と融着帯との間の
距離が逆Ｖ型融着帯に比して短くなることから、融着帯
から滴下する溶銑と前記ＳｉＯガスとの接触時間も短縮
する。かくして、この両者が相まってＷ型融着帯の場合
には溶銑へのＳｉ移行反応が抑制され、溶銑中Ｓｉが低
減するものと考えられる。この融着帯の形状の変換は従
来から行われているように、装入物の炉径方向の装入物
分布を調整するのみでよく容易な調整手段でよい。
【００１５】この溶着帯の形状を逆Ｖ型からＷ型に変換
する際には、炉芯Ｈと融着帯Ｙが接近して該炉芯Ｈと融
着帯Ｙの間の間隙が狭くなり、レースウェーＬで発生し
た還元ガスの流通が悪化して、該還元ガス量が低減する
ことから、炉芯Ｈの温度が低下する傾向にある。これが
極端になると炉の冷え込みに進展することがあるため
に、該炉芯Ｈの温度を測定し、これを１２００℃以上に
維持しつつ融着帯Ｙの形状を逆Ｖ型からＷ型に変換する
ことが好ましい。
する際には、炉芯Ｈと融着帯Ｙが接近して該炉芯Ｈと融
着帯Ｙの間の間隙が狭くなり、レースウェーＬで発生し
た還元ガスの流通が悪化して、該還元ガス量が低減する
ことから、炉芯Ｈの温度が低下する傾向にある。これが
極端になると炉の冷え込みに進展することがあるため
に、該炉芯Ｈの温度を測定し、これを１２００℃以上に
維持しつつ融着帯Ｙの形状を逆Ｖ型からＷ型に変換する
ことが好ましい。
【００１６】
【実施例】本発明の実施例を表１を基にして説明する。
本例は、炉内容積が５０００ｍ3 級の超大型で、羽口か
ら風量７８００ｍ3 ／分、温度１２５０℃の熱風を吹込
み、更に、微粉炭を８０ｋｇ／ｐｉｇ吹込んでおり、そ
して、炉頂部に装入物分布調整用のアーマプレートを有
するベル式高炉を用いて操業した場合であり、この操業
条件と操業結果を表１に示す。
本例は、炉内容積が５０００ｍ3 級の超大型で、羽口か
ら風量７８００ｍ3 ／分、温度１２５０℃の熱風を吹込
み、更に、微粉炭を８０ｋｇ／ｐｉｇ吹込んでおり、そ
して、炉頂部に装入物分布調整用のアーマプレートを有
するベル式高炉を用いて操業した場合であり、この操業
条件と操業結果を表１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】尚、この表における融着帯の形状、平均位
置は上記高炉炉腹部に設置した炉腹ゾンデＺで測定した
ものであり、炉芯Ｈの温度は上記炉芯ゾンデＲで測定し
たものである。
置は上記高炉炉腹部に設置した炉腹ゾンデＺで測定した
ものであり、炉芯Ｈの温度は上記炉芯ゾンデＲで測定し
たものである。
【００１９】（実施例１）調整前、融着帯を炉腹ゾンデ
Ｚで検知した結果、該融着帯の形状が逆Ｖ型であり、し
かも、溶銑を分析して得られたＳｉ濃度が転炉側が要求
しているＳｉ濃度（目標Ｓｉ濃度：０．３４％）より
０．０５％高いために、アーマプレート（図示せず）を
制御して、鉱石内振比率（炉中心部側に装入する鉄源量
と炉壁周辺部側に装入する鉄源量の比率）を増加、つま
り、炉中心部側に装入する鉄源量を増加して、融着帯の
形状を逆Ｖ型からＷ型へ変更した。この融着帯の形状を
逆Ｖ型からＷ型ヘ変更する際に、炉芯Ｈの温度を測定し
たところ、１４５０℃と高いために、融着帯形状を変更
する際に炉芯温度が１２００℃以下に低下して炉の冷え
込み等の炉況異常に陥る心配がないことから、融着帯形
状変更中は炉芯温度の測定は行わず、変更が完了した
後、羽口Ｋから前記炉芯ゾンデＲを挿入して炉芯温度を
測定したところ１４００℃であった。この結果、溶銑温
度を殆ど変化することなく溶銑中のＳｉ濃度を０．３９
％から０．３３％に０．０６％低下することが出来、炉
況も安定していた。
Ｚで検知した結果、該融着帯の形状が逆Ｖ型であり、し
かも、溶銑を分析して得られたＳｉ濃度が転炉側が要求
しているＳｉ濃度（目標Ｓｉ濃度：０．３４％）より
０．０５％高いために、アーマプレート（図示せず）を
制御して、鉱石内振比率（炉中心部側に装入する鉄源量
と炉壁周辺部側に装入する鉄源量の比率）を増加、つま
り、炉中心部側に装入する鉄源量を増加して、融着帯の
形状を逆Ｖ型からＷ型へ変更した。この融着帯の形状を
逆Ｖ型からＷ型ヘ変更する際に、炉芯Ｈの温度を測定し
たところ、１４５０℃と高いために、融着帯形状を変更
する際に炉芯温度が１２００℃以下に低下して炉の冷え
込み等の炉況異常に陥る心配がないことから、融着帯形
状変更中は炉芯温度の測定は行わず、変更が完了した
後、羽口Ｋから前記炉芯ゾンデＲを挿入して炉芯温度を
測定したところ１４００℃であった。この結果、溶銑温
度を殆ど変化することなく溶銑中のＳｉ濃度を０．３９
％から０．３３％に０．０６％低下することが出来、炉
況も安定していた。
【００２０】（実施例２）溶銑中のＳｉ濃度が０．２９
％で転炉側が要求しているＳｉ濃度（目標Ｓｉ濃度：
０．２０％）より０．０９％高いために、融着帯Ｙの形
状を前記実施例１と同様に炉腹ゾンデＺで融着帯Ｙの位
置を検知した結果、逆Ｖ型であった為に、焼結鉱の装入
中にアーマプレートを制御して、焼結鉱を炉中心側に多
く、炉壁側に少なく（鉱石内振比率を２５％→５０％に
向上）装入して、融着帯Ｙの形状をＷ型に変更したもの
である。この融着帯Ｙの形状を逆Ｖ型からＷ型に変更す
る際に、炉芯Ｈの温度が１３００℃と低いために、融着
帯Ｙの形状を逆Ｖ型からＷ型へ変更する際に炉芯温度が
低下して冷え込み等の炉況異常に陥る可能性があること
から、羽口Ｋから前記炉芯ゾンデＲを挿入して炉芯温度
を測定して、その温度を１２００℃以上に維持しつつ操
業を行った。この結果、溶銑温度の低下は多少あった
が、溶銑中のＳｉ濃度が０．１９％に低下しその低下幅
は０．１％と大きく、炉芯温度は１２５０℃以下になる
ことなく、安定した炉況で操業できた。
％で転炉側が要求しているＳｉ濃度（目標Ｓｉ濃度：
０．２０％）より０．０９％高いために、融着帯Ｙの形
状を前記実施例１と同様に炉腹ゾンデＺで融着帯Ｙの位
置を検知した結果、逆Ｖ型であった為に、焼結鉱の装入
中にアーマプレートを制御して、焼結鉱を炉中心側に多
く、炉壁側に少なく（鉱石内振比率を２５％→５０％に
向上）装入して、融着帯Ｙの形状をＷ型に変更したもの
である。この融着帯Ｙの形状を逆Ｖ型からＷ型に変更す
る際に、炉芯Ｈの温度が１３００℃と低いために、融着
帯Ｙの形状を逆Ｖ型からＷ型へ変更する際に炉芯温度が
低下して冷え込み等の炉況異常に陥る可能性があること
から、羽口Ｋから前記炉芯ゾンデＲを挿入して炉芯温度
を測定して、その温度を１２００℃以上に維持しつつ操
業を行った。この結果、溶銑温度の低下は多少あった
が、溶銑中のＳｉ濃度が０．１９％に低下しその低下幅
は０．１％と大きく、炉芯温度は１２５０℃以下になる
ことなく、安定した炉況で操業できた。
【００２１】（比較例）溶銑中のＳｉ濃度が０．２７％
で転炉側が要求しているＳｉ濃度より０．１２％高いた
めに、融着帯Ｙの形状を前記実施例２と同様に炉腹ゾン
デＺで融着帯Ｙの位置を検知した結果、逆Ｖ型であった
為に、焼結鉱の装入中にアーマプレートを制御して、焼
結鉱を炉中心側に多く、炉壁側に少なく（鉱石内振比率
を２５％→７５％に向上）装入して、融着帯Ｙの形状を
Ｗ型に変更したものである。この結果、溶銑中のＳｉ濃
度を０．１４％と実施例２より低下する事が出来たが、
鉱石内振比率が大きくなり過ぎて、炉芯Ｈの温度が低下
し過ぎて１１５０℃になり、炉況が不安定となった。
で転炉側が要求しているＳｉ濃度より０．１２％高いた
めに、融着帯Ｙの形状を前記実施例２と同様に炉腹ゾン
デＺで融着帯Ｙの位置を検知した結果、逆Ｖ型であった
為に、焼結鉱の装入中にアーマプレートを制御して、焼
結鉱を炉中心側に多く、炉壁側に少なく（鉱石内振比率
を２５％→７５％に向上）装入して、融着帯Ｙの形状を
Ｗ型に変更したものである。この結果、溶銑中のＳｉ濃
度を０．１４％と実施例２より低下する事が出来たが、
鉱石内振比率が大きくなり過ぎて、炉芯Ｈの温度が低下
し過ぎて１１５０℃になり、炉況が不安定となった。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、特別な設備、原料
等を使用することなく、炉内に装入する焼結鉱、鉄鉱
石、ペレット等の鉄原料の炉径方向における装入分布の
みを調整して、炉内に形成されている融着帯の形状をＷ
型にすることにより、溶銑中のＳｉ濃度を大幅に低減す
る事が可能となり、高炉の操業状態を大幅に変更するこ
となく、しかも、イニシャルコスト、ランニングコスト
のアップを伴うこともなく、この分野における効果は多
大なものである。
等を使用することなく、炉内に装入する焼結鉱、鉄鉱
石、ペレット等の鉄原料の炉径方向における装入分布の
みを調整して、炉内に形成されている融着帯の形状をＷ
型にすることにより、溶銑中のＳｉ濃度を大幅に低減す
る事が可能となり、高炉の操業状態を大幅に変更するこ
となく、しかも、イニシャルコスト、ランニングコスト
のアップを伴うこともなく、この分野における効果は多
大なものである。
【図１】融着帯の形状と溶銑中Ｓｉとの関係を示した図
【図２】高炉々下部における炉半径方向における溶融物
中のＦｅＯ濃度と温度の関係を示した図で、（ａ）はＷ
型融着帯、（ｂ）は逆Ｖ型融着帯の場合である。
中のＦｅＯ濃度と温度の関係を示した図で、（ａ）はＷ
型融着帯、（ｂ）は逆Ｖ型融着帯の場合である。
【図３】高炉々内に形成される融着帯形状の模式図
Ｙ 融着帯 ＹV 逆Ｖ型融着帯 ＹW Ｗ型融着帯 Ｔ 頂層部 Ｂ 根部 Ｃ 垂れ下り部 Ｌ レースウェー Ｋ 羽口 Ｚ 炉腹ゾンデ Ｒ 炉芯ゾンデ ＲW ，ＲV レースウェー奥部 Ｈ 炉芯
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 義弘 大分県大分市大字西ノ洲１番地 新日本製 鐵株式会社大分製鐵内
Claims (2)
- 【請求項１】 高炉々炉内に形成されている融着帯の形
状と溶銑中のＳｉ濃度を検知し、この検知した融着帯形
状が逆Ｖ型で、しかも、前記Ｓｉ濃度が目標Ｓｉ濃度よ
り高い場合には、炉内に装入する装入物の炉半径方向に
おける分布を調整して融着帯の形状をＷ型に変換して前
記溶銑中のＳｉ濃度を低減することを特徴とする高炉操
業方法。 - 【請求項２】 炉芯温度を１２００℃以上に維持しつつ
前記融着帯の形状を逆Ｖ型からＷ型に変換することを特
徴とする請求項１記載の高炉操業方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2588894A JPH07216420A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 高炉操業方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2588894A JPH07216420A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 高炉操業方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07216420A true JPH07216420A (ja) | 1995-08-15 |
Family
ID=12178333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2588894A Withdrawn JPH07216420A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 高炉操業方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07216420A (ja) |
-
1994
- 1994-01-31 JP JP2588894A patent/JPH07216420A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010403 |