JPH07211733A - Semiconductor manufacturing device and position correcting method of semiconductor chip - Google Patents

Semiconductor manufacturing device and position correcting method of semiconductor chip

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JPH07211733A
JPH07211733A JP377894A JP377894A JPH07211733A JP H07211733 A JPH07211733 A JP H07211733A JP 377894 A JP377894 A JP 377894A JP 377894 A JP377894 A JP 377894A JP H07211733 A JPH07211733 A JP H07211733A
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JP
Japan
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semiconductor chip
chip
control stage
semiconductor
bonding section
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JP377894A
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Japanese (ja)
Inventor
Takafumi Nakai
▲隆▼文 中居
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Hitachi Ltd
Akita Electronics Systems Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Akita Electronics Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH07211733A publication Critical patent/JPH07211733A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide a semiconductor manufacturing device capable of avoiding the slide of semiconductor chi[ sucked at a chip control stage as well as the chip and crack at the time of position correction. CONSTITUTION:Sucking trenches 10a sucking a semiconductor chip 4 extending over the wider range than the suction area of a semiconductor chip 2 are formed on the chip control stage 4 holding the semiconductor chip 2 and then an ultrasonic oscillator 9 oscillating the chip control stage 4 is fitted to the stage 4. Through these procedures, the formation of an air heat expansion film instantaneously with the suction of the semiconductor chip 2 at the chip control stage 4 can be avoided thereby enabling the slide suction of the semiconductor chip 2 to be avoided. Furthermore, the strew imposed in stantaneously with the contact of a chip position correction device with the semiconductor chip 2 can be relieved thereby enabling the chip and crack of the semiconductor chip 2 to be previously avoided.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置および
半導体チップの位置修正方法について、特に、LOC構
造の半導体集積回路装置の製造に用いられる半導体製造
装置に適用して有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor chip position correcting method, and more particularly to a technique effective when applied to a semiconductor manufacturing apparatus used for manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a LOC structure.

【0002】[0002]

【従来の技術】インナーリードとセンスアンプや入力部
など各回路ブロックを個別にワイヤボンディングするこ
とを可能にして電気的特性を向上させ、さらに、パッケ
ージに占めるチップの面積比率を大きくして大型チップ
化に対応するための技術としてLOC(lead on chip)
構造の半導体集積回路装置が提案されている。このLO
C構造の半導体集積回路装置とは半導体チップの上面に
リードを位置させて両者を電気的に接続する構造のもの
で、その製造装置は、半導体チップをヒータを兼ねたチ
ップ制御ステージで加熱および位置決めをし、ボンディ
ング部へ移送してテープ付のリードフレームに圧着する
ものである。
2. Description of the Related Art Inner leads and respective circuit blocks such as a sense amplifier and an input section can be individually wire-bonded to improve electrical characteristics, and the area ratio of the chip to the package is increased to make a large chip. LOC (lead on chip) as a technology to support
A semiconductor integrated circuit device having a structure has been proposed. This LO
The C structure semiconductor integrated circuit device has a structure in which leads are positioned on the upper surface of a semiconductor chip to electrically connect the two, and the manufacturing apparatus uses a chip control stage that also functions as a heater to heat and position the semiconductor chip. Then, it is transferred to the bonding section and pressure-bonded to the lead frame with tape.

【0003】すなわち、鏡面加工されたチップ制御ステ
ージには真空室と連通された数個の吸着孔が設けられ、
ダイシングされた半導体チップはこの吸着孔によってチ
ップ制御ステージに保持される。そして、たとえばパタ
ーン認識装置によってステージそのものを移動させるこ
とによって、あるいはチップ位置修正装置によって半導
体チップ自体の位置を機械的に修正することによってボ
ンディング部との位置関係を調整し、その後半導体チッ
プをボンディング部に移送してリードフレームの決めら
れた位置に圧着している。
That is, a mirror-finished chip control stage is provided with several suction holes communicating with a vacuum chamber,
The diced semiconductor chip is held on the chip control stage by this suction hole. Then, the positional relationship with the bonding portion is adjusted by moving the stage itself with, for example, a pattern recognition device or mechanically correcting the position of the semiconductor chip itself with a chip position correction device, and then the semiconductor chip is bonded with the bonding portion. It is transferred to and crimped at a predetermined position on the lead frame.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】たとえばパターン認識
装置によってステージを移動させて半導体チップの位置
を適正位置に修正する場合には、半導体チップの位置を
認識させることが必要である。
When the stage is moved by a pattern recognition device to correct the position of the semiconductor chip to an appropriate position, it is necessary to recognize the position of the semiconductor chip.

【0005】しかし、このような半導体製造装置では常
温にある半導体チップが約400℃という高温で且つ鏡
面加工されたチップ制御ステージに吸着される瞬間には
空気熱膨張膜が発生して相互のつかみ抵抗が急減し、半
導体チップがスライドされて吸着位置が所期の範囲から
ずれることになる。したがって、前記のようなスライド
によって半導体チップがパターン認識装置の動作範囲外
に位置してしまった場合には認識ができなくなり、半導
体チップの位置修正が不能な状態に陥ってしまう。
However, in such a semiconductor manufacturing apparatus, at the moment when a semiconductor chip at room temperature is adsorbed by a mirror-processed chip control stage at a high temperature of about 400 ° C., an air thermal expansion film is generated and the mutual gripping occurs. The resistance decreases sharply, the semiconductor chip slides, and the suction position deviates from the desired range. Therefore, when the semiconductor chip is located outside the operating range of the pattern recognition device due to the slide as described above, the semiconductor chip cannot be recognized and the position of the semiconductor chip cannot be corrected.

【0006】また、チップ位置修正装置により半導体チ
ップを移動させる場合には、前記のように半導体チップ
が数個の吸着孔によって強固にチップ制御ステージに吸
着されているので、チップ位置修正装置の先端部分が半
導体チップに接触する瞬間に多大なストレスが半導体チ
ップにかかり、半導体チップの割れや欠けが発生してい
た。
Further, when the semiconductor chip is moved by the chip position correcting device, the semiconductor chip is firmly adsorbed to the chip control stage by the several adsorbing holes as described above, and therefore the tip of the chip position correcting device is moved. A great deal of stress was applied to the semiconductor chip at the moment when the portion contacted the semiconductor chip, and the semiconductor chip was cracked or chipped.

【0007】ところで、特にLOC構造の半導体集積回
路装置のように半導体チップがリードフレームの決めら
れた位置に高精度にマウントされる必要がある場合に
は、半導体チップの精密な位置制御が必要とされる。こ
こで、前記のパターン認識装置は半導体チップを画像デ
ータとして処理を行う方法がとられている。
By the way, particularly when the semiconductor chip needs to be mounted with high precision at a predetermined position of the lead frame as in the semiconductor integrated circuit device having the LOC structure, precise position control of the semiconductor chip is required. To be done. Here, the pattern recognition device employs a method of processing a semiconductor chip as image data.

【0008】しかし、半導体チップがチップ制御ステー
ジの適正位置に吸着されているか否かは、半導体チップ
自体ではなく、半導体チップとチップ制御ステージの相
対的な位置関係で決定されるべきものである。したがっ
て、前記のような方法では半導体チップを高精度に所定
位置に制御することは困難である。
However, whether or not the semiconductor chip is attracted to the proper position of the chip control stage should be determined not by the semiconductor chip itself but by the relative positional relationship between the semiconductor chip and the chip control stage. Therefore, it is difficult to control the semiconductor chip to a predetermined position with high accuracy by the above method.

【0009】そこで、本発明の目的は、チップ制御ステ
ージに吸着される半導体チップが、吸着時においてスラ
イドすることを防止できる技術を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a technique capable of preventing a semiconductor chip sucked by a chip control stage from sliding during suction.

【0010】本発明の他の目的は、チップ制御ステージ
に吸着された半導体チップに欠けや割れを発生させるこ
となく吸着位置を修正することのできる技術を提供する
ことにある。
Another object of the present invention is to provide a technique capable of correcting a suction position without causing a chip or a crack in a semiconductor chip sucked on a chip control stage.

【0011】本発明のさらに他の目的は、チップ制御ス
テージに吸着された半導体チップの精密な位置制御を可
能とする技術を提供することにある。
Still another object of the present invention is to provide a technique that enables precise position control of a semiconductor chip attracted to a chip control stage.

【0012】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
The typical ones of the inventions disclosed in the present application will be outlined below.

【0014】すなわち、本発明の半導体製造装置は、半
導体チップを保持するチップ制御ステージに、半導体チ
ップの吸着面積よりも広い範囲にわたって前記半導体チ
ップを吸着する吸着溝が形成されているものである。
That is, in the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, the chip control stage for holding the semiconductor chip is formed with the suction groove for sucking the semiconductor chip over a range wider than the suction area of the semiconductor chip.

【0015】また、本発明の半導体製造装置は、半導体
チップを保持するチップ制御ステージにこのチップ制御
ステージを振動させる超音波発振器が取り付けられてい
るものである。
Further, in the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, an ultrasonic oscillator for vibrating the chip control stage is attached to the chip control stage for holding the semiconductor chip.

【0016】さらに、本発明の半導体製造装置は、半導
体チップを保持するチップ制御ステージに、半導体チッ
プの吸着面積よりも広い範囲にわたって前記半導体チッ
プを吸着する吸着溝が形成されるとともに、チップ制御
ステージを振動させる超音波発振器が取り付けられてい
るものである。
Further, in the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, the chip control stage for holding the semiconductor chip is formed with the suction groove for sucking the semiconductor chip over a range wider than the suction area of the semiconductor chip, and the chip control stage is provided. The ultrasonic oscillator that vibrates is attached.

【0017】そして、本発明の半導体チップの位置修正
方法は、半導体チップの載置面積よりも広い範囲に認識
パターンが形成されたチップ制御ステージ上に半導体チ
ップを載置し、認識パターンとの相対的位置関係によっ
て位置修正手段が半導体チップの位置を認識してこれを
適正位置に修正するものである。
Further, according to the semiconductor chip position correcting method of the present invention, the semiconductor chip is mounted on the chip control stage on which the recognition pattern is formed in a range wider than the mounting area of the semiconductor chip, and relative to the recognition pattern. The position correcting means recognizes the position of the semiconductor chip based on the physical positional relationship and corrects it to an appropriate position.

【0018】[0018]

【作用】チップ制御ステージに吸着溝が形成された半導
体製造装置によれば、半導体チップによって吸着溝が密
閉されることがなく、且つチップ制御ステージとの接触
面積が低減されるので、半導体チップがチップ制御ステ
ージに吸着される瞬間における空気熱膨張膜の発生を阻
止して、半導体チップのスライド吸着を防止することが
できる。また、この吸着溝による真空度のリーク作用に
より、半導体チップ全体が均一且つ適切な吸着力でチッ
プ制御ステージに吸着されることになるので、たとえば
チップ位置修正装置により半導体チップの吸着位置を修
正する場合においてチップ位置修正装置が半導体チップ
に接触する瞬間に発生するストレスが緩和され、半導体
チップの割れや欠けが未然に防止される。
According to the semiconductor manufacturing apparatus in which the suction groove is formed on the chip control stage, the suction groove is not sealed by the semiconductor chip, and the contact area with the chip control stage is reduced. It is possible to prevent the generation of the air thermal expansion film at the moment when the semiconductor chip is adsorbed by the chip control stage and prevent the slide adsorption of the semiconductor chip. Further, due to the vacuum leak effect of the suction groove, the entire semiconductor chip is uniformly and appropriately sucked onto the chip control stage, so that the suction position of the semiconductor chip is corrected by, for example, a chip position correction device. In this case, the stress generated at the moment when the chip position correcting device comes into contact with the semiconductor chip is relieved, and cracking or chipping of the semiconductor chip is prevented in advance.

【0019】チップ制御ステージに超音波発振器が取り
付けられた半導体製造装置によっても、超音波発振器に
よってチップ制御ステージが振動されるので、これによ
って半導体チップがチップ制御ステージに吸着される瞬
間における空気熱膨張膜が払いのけられることになり、
半導体チップのスライド吸着を有効に防止することがで
きる。また、チップ制御ステージの振動によってチップ
位置修正装置が半導体チップに接触する瞬間に発生する
ストレスが緩和されるので、半導体チップの割れや欠け
が防止される。
Even in a semiconductor manufacturing apparatus in which an ultrasonic oscillator is attached to the chip control stage, the ultrasonic oscillator vibrates the chip control stage, so that air thermal expansion occurs at the moment when the semiconductor chip is attracted to the chip control stage. The membrane will be thrown away,
It is possible to effectively prevent the slide adsorption of the semiconductor chip. Further, since the stress generated at the moment when the chip position correcting device comes into contact with the semiconductor chip due to the vibration of the chip control stage is relieved, cracking or chipping of the semiconductor chip is prevented.

【0020】さらに、チップ制御ステージに吸着溝が形
成されて超音波発振器が取り付けられた半導体製造装置
によっても、同様に半導体チップのスライド吸着が防止
され、チップ位置修正装置の接触による半導体チップの
割れや欠けが防止される。
Further, also in the semiconductor manufacturing apparatus in which the suction groove is formed on the chip control stage and the ultrasonic oscillator is attached, the slide suction of the semiconductor chip is similarly prevented, and the semiconductor chip is cracked by the contact of the chip position correcting device. Prevents chipping.

【0021】そして、本発明の半導体チップの位置修正
方法によれば、チップ制御ステージに形成された認識パ
ターンによって半導体チップの位置がチップ制御ステー
ジとの相対的な位置関係によって決定されるので、半導
体チップを高精度に所定位置に制御することが可能にな
る。
According to the semiconductor chip position correcting method of the present invention, the position of the semiconductor chip is determined by the relative positional relationship with the chip control stage by the recognition pattern formed on the chip control stage. It becomes possible to control the chip at a predetermined position with high accuracy.

【0022】[0022]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいてさら
に詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will now be described in more detail with reference to the drawings.

【0023】(実施例1)図1は本発明の一実施例であ
る半導体製造装置を示す説明図、図2はその半導体製造
装置のチップ制御ステージを示す斜視図、図3はそのチ
ップ制御ステージの平面図、図4は図3のIV−IV線に沿
う断面図、図5はそのチップ制御ステージに半導体チッ
プが吸着された状態を示す平面図、そして図6は図5の
VI−VI線に沿う断面図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is an explanatory view showing a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing a chip control stage of the semiconductor manufacturing apparatus, and FIG. 3 is a chip control stage thereof. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3, FIG. 5 is a plan view showing a state in which a semiconductor chip is attracted to the chip control stage, and FIG.
It is sectional drawing which follows the VI-VI line.

【0024】本実施例の半導体製造装置1は半導体チッ
プ2(図5、図6)の上面に対してリードフレーム3が
電気的に接続されたLOC(lead on chip)構造の半導
体集積回路装置(図示せず)を製造するものであって、
図1に示すように、半導体チップ2をチップ制御ステー
ジ4で吸着して加熱するとともに所定位置に保持し、ボ
ンディング部5でリードフレーム3に圧着するものであ
る。
The semiconductor manufacturing apparatus 1 of this embodiment is a semiconductor integrated circuit device having a LOC (lead on chip) structure in which a lead frame 3 is electrically connected to the upper surface of a semiconductor chip 2 (FIGS. 5 and 6). (Not shown),
As shown in FIG. 1, the semiconductor chip 2 is adsorbed and heated by the chip control stage 4 and is held at a predetermined position, and is bonded to the lead frame 3 by the bonding portion 5.

【0025】半導体製造装置1の前面には操作パネル6
が設けられ、この操作パネル6を操作することによって
半導体製造装置1に所期の動作を行わしめ、LOC構造
の半導体集積回路装置が完成されることになる。
An operation panel 6 is provided on the front surface of the semiconductor manufacturing apparatus 1.
Is provided, and the operation panel 6 is operated to cause the semiconductor manufacturing apparatus 1 to perform a desired operation, so that the semiconductor integrated circuit device having the LOC structure is completed.

【0026】半導体製造装置1の前方には半導体ウエハ
7が載置されており、この半導体ウエハ7からダイシン
グされた半導体チップ2がピック・アップ・アーム8に
よってチップ制御ステージ4に移送されるようになって
いる。
A semiconductor wafer 7 is placed in front of the semiconductor manufacturing apparatus 1, and a semiconductor chip 2 diced from the semiconductor wafer 7 is transferred to a chip control stage 4 by a pick-up arm 8. Has become.

【0027】チップ制御ステージ4は、図2に示すよう
に、径の異なる2つの円柱状体が同心円上に接合された
形状を有しており、下方に位置する小径の基部4aと、
上部に位置する大径の吸着部4bとからなっている。基
部4aには超音波発振器9が取り付けられ、この超音波
発振器9によってチップ制御ステージ4が超音波振動さ
れるようになっている。
As shown in FIG. 2, the chip control stage 4 has a shape in which two columnar bodies having different diameters are concentrically joined to each other, and has a small-diameter base portion 4a located below,
It is composed of a large-diameter suction portion 4b located in the upper part. An ultrasonic oscillator 9 is attached to the base portion 4a, and the chip control stage 4 is ultrasonically vibrated by the ultrasonic oscillator 9.

【0028】また、図3に明示するように、鏡面加工さ
れた吸着部4bの上面には同心円状および放射線状に吸
着溝10aが全面にわたって形成されており、チップ制
御ステージ4の内部に設けられ、図示しない真空ポンプ
に接続された真空室11(図4)にこの吸着溝10aが
連通されることで、真空吸着作用により半導体チップ2
が吸着されるようになっている。さらに、吸着部4bに
は、吸着された半導体チップ2をたとえば約400℃に
加熱するヒータ12が設けられ、テープ付のリードフレ
ーム3への圧着が確実になされるようになっている。
Further, as clearly shown in FIG. 3, suction grooves 10 a are formed concentrically and radially on the upper surface of the mirror-finished suction portion 4 b and are provided inside the chip control stage 4. By connecting the suction groove 10a to the vacuum chamber 11 (FIG. 4) connected to a vacuum pump (not shown), the semiconductor chip 2 can be sucked by a vacuum suction action.
Are adsorbed. Further, the suction part 4b is provided with a heater 12 for heating the sucked semiconductor chip 2 to, for example, about 400 ° C., so that the lead frame 3 with a tape can be securely pressure-bonded.

【0029】チップ制御ステージ4の近傍には、吸着さ
れた半導体チップ2の位置を画像データによって認識
し、チップ制御ステージ4の位置を移動させることでボ
ンディング部5に移送された際におけるリードフレーム
3に対する半導体チップ2の位置ずれを修正する位置認
識装置(位置修正手段)13が設けられている。この位
置認識装置13は、チップ制御ステージ4の吸着部4a
上面に形成された吸着溝10aを認識パターン10bと
して利用し、半導体チップ2の載置位置をこの認識パタ
ーン10bとの相対的位置関係によって認識するもので
あり、これによってチップ制御ステージ4を所定の方向
に移動させて半導体チップ2の位置を適正位置に修正
し、リードフレーム3のフレーム位置に対する高精度の
圧着を可能にするものである。
In the vicinity of the chip control stage 4, the position of the sucked semiconductor chip 2 is recognized by image data, and the position of the chip control stage 4 is moved to move the lead frame 3 to the bonding section 5. A position recognizing device (position correcting means) 13 for correcting the positional deviation of the semiconductor chip 2 with respect to is provided. The position recognition device 13 includes a suction unit 4 a of the chip control stage 4.
The suction groove 10a formed on the upper surface is used as the recognition pattern 10b, and the mounting position of the semiconductor chip 2 is recognized by the relative positional relationship with the recognition pattern 10b. The position of the semiconductor chip 2 is corrected to a proper position by moving in the direction, and high-accuracy crimping with respect to the frame position of the lead frame 3 is possible.

【0030】半導体製造装置1の一方側には半導体チッ
プ2がボンディングされるリードフレーム3をボンディ
ング部5へ供給するローダが、他方側にはその半導体チ
ップ2がボンディングされたリードフレーム2を取り出
すアンローダ15が設けられており、さらに、リードフ
レームのボンディング部に対する給送を行うフレームフ
ィーダ16がローダ14およびアンローダ15と同一ラ
イン上に配置されている。
A loader for supplying the lead frame 3 to which the semiconductor chip 2 is bonded to the bonding portion 5 is provided on one side of the semiconductor manufacturing apparatus 1, and an unloader for taking out the lead frame 2 to which the semiconductor chip 2 is bonded is provided on the other side. 15 is provided, and a frame feeder 16 for feeding the bonding portion of the lead frame is arranged on the same line as the loader 14 and the unloader 15.

【0031】そして、チップ制御ステージ4によってボ
ンディング部5に移送された半導体チップ2は、ボンデ
ィング部5に設けられたボンディングツール(図示せ
ず)によってリードフレーム2に圧着され、最終的にL
OC構造の半導体集積回路装置が製造されることにな
る。
Then, the semiconductor chip 2 transferred to the bonding section 5 by the chip control stage 4 is pressure-bonded to the lead frame 2 by a bonding tool (not shown) provided in the bonding section 5, and finally L
A semiconductor integrated circuit device having an OC structure will be manufactured.

【0032】このような本実施例における半導体製造装
置1では、図5および図6に示すように、半導体チップ
2によって密閉されることがなく、接触面積の少ない前
記のような吸着溝10aがチップ制御ステージ4に形成
されており、さらに超音波発振器9によってこのチップ
制御ステージ4が振動されるので、ヒータ12に熱され
たチップ制御ステージ4に半導体チップ2が吸着される
瞬間における空気熱膨張膜の発生が阻止されて、半導体
チップ2のスライド吸着が防止される。その結果、半導
体チップ2が位置認識装置13の動作範囲内に収まるこ
ととなり、常に位置認識装置13による位置修正が可能
となる。
In the semiconductor manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment as described above, as shown in FIGS. 5 and 6, the suction groove 10a as described above is not sealed by the semiconductor chip 2 and has a small contact area. Since the chip control stage 4 is formed on the control stage 4 and is further vibrated by the ultrasonic oscillator 9, the air thermal expansion film at the moment when the semiconductor chip 2 is adsorbed by the chip control stage 4 heated by the heater 12. Is prevented, and the semiconductor chip 2 is prevented from sticking to the slide. As a result, the semiconductor chip 2 falls within the operating range of the position recognition device 13, and the position recognition device 13 can always correct the position.

【0033】また、半導体チップ2の位置修正時におい
ては、チップ制御ステージ4に形成された認識パターン
10b、すなわち吸着溝10aによって半導体チップ2
の位置がチップ制御ステージ4との相対的な位置関係に
よって決定されるので、半導体チップ2を高精度に所定
位置に制御することが可能になる。
When the position of the semiconductor chip 2 is corrected, the recognition pattern 10b formed on the chip control stage 4, that is, the suction groove 10a, causes the semiconductor chip 2 to move.
Since the position of is determined by the relative positional relationship with the chip control stage 4, the semiconductor chip 2 can be controlled to a predetermined position with high accuracy.

【0034】そして、このように高精度に位置制御され
た半導体チップ2をボンディング部5に移送すること
で、フレームフィーダ16に送られたリードフレーム3
に対して半導体チップ2を高精度にマウントすることが
可能になる。
Then, by transferring the semiconductor chip 2 whose position is controlled with high accuracy to the bonding section 5, the lead frame 3 sent to the frame feeder 16 is transferred.
On the other hand, the semiconductor chip 2 can be mounted with high accuracy.

【0035】(実施例2)図7は本発明の他の実施例で
ある半導体製造装置を示す説明図である。
(Embodiment 2) FIG. 7 is an explanatory view showing a semiconductor manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.

【0036】本実施例の半導体製造装置21はチップ制
御ステージに吸着された半導体チップ2の位置を修正す
る手段としてチップ位置修正装置(位置修正手段)23
が用いられ、これによって機械的に半導体チップ2の位
置が修正されるようになっているものである。
The semiconductor manufacturing apparatus 21 of this embodiment is a chip position correcting device (position correcting means) 23 as a means for correcting the position of the semiconductor chip 2 attracted to the chip control stage.
Is used, whereby the position of the semiconductor chip 2 is mechanically corrected.

【0037】なお、チップ制御ステージ4などの他の構
成部材については前記実施例1と同一であり、したがっ
てその同一の構成部材については実施例1と同一の符号
が用いられている。
The other constituent members such as the chip control stage 4 are the same as those in the first embodiment, and therefore, the same reference numerals as those in the first embodiment are used for the same constituent members.

【0038】チップ位置修正装置23は本体部23a
と、この本体部23aの先端に設けられ、半導体チップ
2を移動させて所定位置に修正する修正爪23bとから
構成されるもので、半導体チップ2を修正爪23bに保
持させてチップ位置修正装置23に所定の作動をさせる
ことで、機械的に半導体チップ2がボンディング部5と
の位置関係におけるチップ制御ステージ4上の適正位置
に移動、修正されるようになっているものである。
The chip position correcting device 23 includes a body portion 23a.
And a correction claw 23b which is provided at the tip of the main body portion 23a and moves the semiconductor chip 2 to correct it at a predetermined position. The semiconductor chip 2 is held by the correction claw 23b and a chip position correction device is provided. The semiconductor chip 2 is mechanically moved and corrected to an appropriate position on the chip control stage 4 in a positional relationship with the bonding portion 5 by causing the 23 to perform a predetermined operation.

【0039】ここで本実施例の半導体製造装置21にお
いては、半導体チップ2の吸着時において、吸着溝10
aによる真空度のリーク作用により半導体チップ2全体
が均一且つ適切な吸着力でチップ制御ステージ4に吸着
されている。また、チップ制御ステージ4には超音波発
振器9が取り付けられ、これによってチップ制御ステー
ジ4が振動されている。
Here, in the semiconductor manufacturing apparatus 21 of this embodiment, when the semiconductor chip 2 is sucked, the suction groove 10 is formed.
The semiconductor chip 2 is sucked onto the chip control stage 4 uniformly and with an appropriate suction force due to the leak effect of the degree of vacuum due to a. An ultrasonic oscillator 9 is attached to the chip control stage 4, and the chip control stage 4 is vibrated by this.

【0040】したがって、修正爪23bがチップ制御ス
テージ4に吸着された半導体チップ2に接触する瞬間に
おいて発生するストレスがこれらによって緩和されるの
で、半導体チップ2の割れや欠けを未然に防止しつつ吸
着位置を修正することが可能になる。
Therefore, the stress generated at the moment when the correction claw 23b comes into contact with the semiconductor chip 2 adsorbed on the chip control stage 4 is relieved by these, so that the semiconductor chip 2 is prevented from being cracked or chipped before being adsorbed. It becomes possible to correct the position.

【0041】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更が可能であることは言うまでもない。
The invention made by the present inventor has been specifically described above based on the embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0042】たとえば、チップ制御ステージ4の吸着溝
10aは、本実施例においては同心円状および放射線状
に形成されているが、これに限定されるものではなく任
意形状の吸着溝10aとすることができる。また、吸着
溝10aは全面にわたって形成されているが、これにつ
いても吸着される半導体チップ2の吸着面積よりも広く
真空度のリーク作用を奏することができれば足りる。な
お、チップ制御ステージ4の形状が本実施例のように円
柱状体には限定されないのは当然である。
For example, the suction groove 10a of the chip control stage 4 is formed in a concentric circular shape and a radial shape in the present embodiment, but the suction groove 10a is not limited to this and may be an arbitrary shape. it can. Further, although the suction groove 10a is formed over the entire surface, it is sufficient that the suction groove 10a has a larger vacuum area than the suction area of the semiconductor chip 2 to be sucked. It should be noted that the shape of the chip control stage 4 is not limited to the cylindrical body as in this embodiment.

【0043】また、本実施例においては、吸着溝10a
を認識パターン10bとして利用しているが、半導体チ
ップ2が載置されるチップ制御ステージ4上に線や点な
どによって所定のパターンを描き、これを認識パターン
10bとすることが可能であり、特に吸着溝10aがな
い場合にあってはこのような方法に依ることとなる。な
お、認識パターン10bによる半導体チップ2の位置決
め方法については本実施例にあるLOC構造の半導体集
積回路装置を製造する半導体製造装置1,21にのみ適
用されるものではなく、半導体チップ2の位置決めを行
う他の種々の半導体製造装置に用いることができる。
Further, in this embodiment, the suction groove 10a is formed.
Is used as the recognition pattern 10b, it is possible to draw a predetermined pattern on the chip control stage 4 on which the semiconductor chip 2 is mounted by lines or dots and use this as the recognition pattern 10b. If there is no suction groove 10a, this method is used. The method of positioning the semiconductor chip 2 by the recognition pattern 10b is not applied only to the semiconductor manufacturing apparatuses 1 and 21 that manufacture the semiconductor integrated circuit device having the LOC structure according to the present embodiment. It can be used for various other semiconductor manufacturing apparatuses.

【0044】さらに、本実施例においては、チップ制御
ステージ4に半導体チップ2を吸着する吸着溝10aが
形成され、併せてチップ制御ステージ4にこれを振動さ
せる超音波発振器9が取り付けられている半導体製造装
置1,21が開示されているが、これによれば吸着溝1
0aと超音波発信装置9が併用されることで一層望まし
い効果を得ることができるものの、両者がともに設けら
れている必要はない。したがって、何れか一方が設けら
れた半導体製造装置1,21とすることも可能である。
Further, in the present embodiment, the chip control stage 4 is provided with the suction groove 10a for sucking the semiconductor chip 2, and the chip control stage 4 is also provided with the ultrasonic oscillator 9 for vibrating the suction groove 10a. A manufacturing apparatus 1, 21 is disclosed, which discloses a suction groove 1
0a and the ultrasonic wave transmitting device 9 are used together to obtain a more desirable effect, but it is not necessary to provide both of them. Therefore, it is possible to use the semiconductor manufacturing apparatuses 1 and 21 provided with either one.

【0045】[0045]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下
記の通りである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0046】(1).すなわち、チップ制御ステージに吸着
溝が形成された半導体製造装置によれば、吸着溝は半導
体チップの吸着面積よりも広く形成されているので、半
導体チップによって吸着溝が密閉されることがなく、ま
た、この吸着溝によって半導体チップとチップ制御ステ
ージとの接触面積が低減されるので、半導体チップがチ
ップ制御ステージに吸着される瞬間における空気熱膨張
膜の発生が阻止されて、半導体チップのスライド吸着を
防止することができる。したがって、半導体チップが位
置修正手段の動作範囲内に収まることとなり、常に位置
修正手段による位置修正が可能となる。
(1) That is, according to the semiconductor manufacturing apparatus in which the suction groove is formed in the chip control stage, since the suction groove is formed wider than the suction area of the semiconductor chip, the suction groove is sealed by the semiconductor chip. In addition, since the contact area between the semiconductor chip and the chip control stage is reduced by the suction groove, the generation of the air thermal expansion film at the moment when the semiconductor chip is sucked by the chip control stage is prevented. It is possible to prevent the semiconductor chip from sticking to the slide. Therefore, the semiconductor chip fits within the operating range of the position correction means, and the position correction means can always correct the position.

【0047】(2).また、この吸着溝による真空度のリー
ク作用により、半導体チップ全体が均一且つ適切な吸着
力でチップ制御ステージに吸着されることになるので、
チップ位置修正装置により半導体チップの吸着位置を修
正する場合において、チップ位置修正装置が半導体チッ
プに接触する瞬間に発生するストレスが緩和され、半導
体チップの割れや欠けを未然に防止することができる。
(2) Further, since the vacuum groove leaks due to the suction groove, the entire semiconductor chip is sucked onto the chip control stage with a uniform and appropriate suction force.
When the chip position correcting device corrects the suction position of the semiconductor chip, the stress generated at the moment when the chip position correcting device contacts the semiconductor chip is relieved, and cracking or chipping of the semiconductor chip can be prevented in advance.

【0048】(3).チップ制御ステージに超音波発振器が
取り付けられた半導体製造装置によれば、超音波発振器
によってチップ制御ステージが振動されるので、これに
よって半導体チップがチップ制御ステージに吸着される
瞬間における空気熱膨張膜が払いのけられることにな
る。したがって、前記(1).と同様に、半導体チップのス
ライド吸着を有効に防止することができ、半導体チップ
を位置修正手段の動作範囲内に収めて位置修正をするこ
とができる。
(3) According to the semiconductor manufacturing apparatus in which the ultrasonic oscillator is attached to the chip control stage, the ultrasonic oscillator vibrates the chip control stage, so that the semiconductor chip is attracted to the chip control stage. The air thermal expansion film at the moment will be thrown away. Therefore, similarly to the above (1)., The slide suction of the semiconductor chip can be effectively prevented, and the position of the semiconductor chip can be corrected within the operating range of the position correcting means.

【0049】(4).また、チップ制御ステージの超音波振
動によってチップ位置修正装置が半導体チップに接触す
る瞬間に発生するストレスが緩和されることとなるの
で、前記した(2).と同様に、半導体チップの割れや欠け
を未然に防止することができる。
(4) Also, since the ultrasonic vibration of the chip control stage alleviates the stress generated at the moment when the chip position correcting device comes into contact with the semiconductor chip, the same as (2) above. It is possible to prevent the semiconductor chip from cracking or chipping.

【0050】(5).チップ制御ステージに吸着溝が形成さ
れ、且つ超音波発振器が取り付けられた半導体製造装置
によれば、両者を併用することにより前記した半導体チ
ップのスライド吸着や割れ欠けは一層有効に防止され
る。
(5) According to the semiconductor manufacturing apparatus in which the suction groove is formed on the chip control stage and the ultrasonic oscillator is attached, by using both of them together, the above-mentioned slide suction of the semiconductor chip and crack cracking are further improved. Effectively prevented.

【0051】(6).そして、本発明の半導体チップの位置
修正方法によれば、チップ制御ステージに形成された認
識パターンによって半導体チップの位置がチップ制御ス
テージとの相対的な位置関係によって決定されるので、
半導体チップの形状自体を認識して位置制御する従来の
方法と異なり、半導体チップをより高精度に所定位置に
制御することが可能になる。
(6) According to the semiconductor chip position correcting method of the present invention, the position of the semiconductor chip is determined by the relative positional relationship with the chip control stage by the recognition pattern formed on the chip control stage. So
Unlike the conventional method of controlling the position by recognizing the shape of the semiconductor chip itself, the semiconductor chip can be controlled to a predetermined position with higher accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例である半導体製造装置を示す
説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a semiconductor manufacturing apparatus that is an embodiment of the present invention.

【図2】その半導体製造装置のチップ制御ステージを示
す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a chip control stage of the semiconductor manufacturing apparatus.

【図3】そのチップ制御ステージの平面図である。FIG. 3 is a plan view of the chip control stage.

【図4】図3のIV−IV線に沿う断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG.

【図5】チップ制御ステージに半導体チップが吸着され
た状態を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing a state where a semiconductor chip is sucked onto a chip control stage.

【図6】図5のVI−VI線に沿う断面図である。6 is a sectional view taken along line VI-VI in FIG.

【図7】本発明の他の実施例である半導体製造装置を示
す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing a semiconductor manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体製造装置 2 半導体チップ 3 リードフレーム 4 チップ制御ステージ 4a 基部 4b 吸着部 5 ボンディング部 6 操作パネル 7 半導体ウエハ 8 ピック・アップ・アーム 9 超音波発振器 10a 吸着溝 10b 認識パターン 11 真空室 12 ヒータ 13 位置認識装置(位置修正手段) 14 ローダ 15 アンローダ 16 フレームフィーダ 21 半導体製造装置 23 チップ位置修正装置(位置修正手段) 23a 本体部 23b 修正爪 1 Semiconductor Manufacturing Equipment 2 Semiconductor Chip 3 Lead Frame 4 Chip Control Stage 4a Base 4b Adsorption Part 5 Bonding Part 6 Operation Panel 7 Semiconductor Wafer 8 Pick-up Arm 9 Ultrasonic Oscillator 10a Adsorption Groove 10b Recognition Pattern 11 Vacuum Chamber 12 Heater 13 Position recognition device (position correction means) 14 Loader 15 unloader 16 Frame feeder 21 Semiconductor manufacturing device 23 Chip position correction device (position correction means) 23a Main body portion 23b Correction claw

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体チップを保持するチップ制御ステ
ージに、前記半導体チップの吸着面積よりも広い範囲に
わたって前記半導体チップを吸着する吸着溝が形成され
ていることを特徴とする半導体製造装置。
1. A semiconductor manufacturing apparatus, wherein a chip control stage for holding a semiconductor chip is formed with an adsorption groove for adsorbing the semiconductor chip over a range wider than the adsorption area of the semiconductor chip.
【請求項2】 半導体チップを保持するチップ制御ステ
ージに、前記チップ制御ステージを振動させる超音波発
振器が取り付けられていることを特徴とする半導体製造
装置。
2. A semiconductor manufacturing apparatus characterized in that an ultrasonic oscillator for vibrating the chip control stage is attached to a chip control stage for holding a semiconductor chip.
【請求項3】 半導体チップを保持するチップ制御ステ
ージに、前記半導体チップの吸着面積よりも広い範囲に
わたって前記半導体チップを吸着する吸着溝が形成され
るとともに、前記チップ制御ステージを振動させる超音
波発振器が取り付けられていることを特徴とする半導体
製造装置。
3. An ultrasonic oscillator for vibrating the chip control stage, wherein a suction groove for sucking the semiconductor chip is formed on a chip control stage for holding the semiconductor chip over a wider area than the suction area of the semiconductor chip. A semiconductor manufacturing apparatus, wherein the semiconductor manufacturing apparatus is attached.
【請求項4】 ダイシングされた半導体チップを吸着し
て加熱するチップ制御ステージと、 前記チップ制御ステージ上の前記半導体チップの位置を
適正位置に修正する位置修正手段と、 前記半導体チップがボンディングされるリードフレーム
をボンディング部へ供給するローダおよび前記半導体チ
ップがボンディングされたリードフレームをボンディン
グ部から取り出すアンローダと、 ボンディング部に移送された半導体チップをリードフレ
ームに圧着するボンディング部とを有し、 前記チップ制御ステージに、前記半導体チップの吸着面
積よりも広い範囲にわたって前記半導体チップを吸着す
る吸着溝が形成されていることを特徴とする半導体製造
装置。
4. A chip control stage for adsorbing and heating a diced semiconductor chip, a position correcting means for correcting the position of the semiconductor chip on the chip control stage to an appropriate position, and the semiconductor chip being bonded. A loader for supplying a lead frame to the bonding section, an unloader for taking out the lead frame bonded with the semiconductor chip from the bonding section, and a bonding section for crimping the semiconductor chip transferred to the bonding section onto the lead frame, A semiconductor manufacturing apparatus, wherein a suction groove for sucking the semiconductor chip is formed on the control stage over a wider area than the suction area of the semiconductor chip.
【請求項5】 ダイシングされた半導体チップを吸着し
て加熱するチップ制御ステージと、 前記チップ制御ステージ上の前記半導体チップの位置を
適正位置に修正する位置修正手段と、 前記半導体チップがボンディングされるリードフレーム
をボンディング部へ供給するローダおよび前記半導体チ
ップがボンディングされたリードフレームをボンディン
グ部から取り出すアンローダと、 ボンディング部に移送された半導体チップをリードフレ
ームに圧着するボンディング部とを有し、 前記チップ制御ステージに前記チップ制御ステージを振
動させる超音波発振器が取り付けられていることを特徴
とする半導体製造装置。
5. A chip control stage that adsorbs and heats a diced semiconductor chip, a position correction unit that corrects the position of the semiconductor chip on the chip control stage to an appropriate position, and the semiconductor chip is bonded. A loader for supplying a lead frame to the bonding section, an unloader for taking out the lead frame bonded with the semiconductor chip from the bonding section, and a bonding section for crimping the semiconductor chip transferred to the bonding section onto the lead frame, A semiconductor manufacturing apparatus, wherein an ultrasonic oscillator for vibrating the chip control stage is attached to the control stage.
【請求項6】 ダイシングされた半導体チップを吸着し
て加熱するチップ制御ステージと、 前記チップ制御ステージ上の前記半導体チップの位置を
適正位置に修正する位置修正手段と、 前記半導体チップがボンディングされるリードフレーム
をボンディング部へ供給するローダおよび前記半導体チ
ップがボンディングされたリードフレームをボンディン
グ部から取り出すアンローダと、 ボンディング部に移送された半導体チップをリードフレ
ームに圧着するボンディング部とを有し、 前記チップ制御ステージに、前記半導体チップの吸着面
積よりも広い範囲にわたって前記半導体チップを吸着す
る吸着溝が形成されるとともに、前記チップ制御ステー
ジを振動させる超音波発振器が取り付けられていること
を特徴とする半導体製造装置。
6. A chip control stage for adsorbing and heating a diced semiconductor chip, position correcting means for correcting the position of the semiconductor chip on the chip control stage to an appropriate position, and the semiconductor chip being bonded. A loader for supplying a lead frame to the bonding section, an unloader for taking out the lead frame bonded with the semiconductor chip from the bonding section, and a bonding section for crimping the semiconductor chip transferred to the bonding section onto the lead frame, The control stage is provided with an adsorption groove for adsorbing the semiconductor chip over a wider area than the adsorption area of the semiconductor chip, and an ultrasonic oscillator for vibrating the chip control stage is attached to the control stage. Manufacturing equipment.
【請求項7】 半導体チップの載置面積よりも広い範囲
に認識パターンが形成されたチップ制御ステージ上に前
記半導体チップを載置し、前記認識パターンとの相対的
位置関係によって位置修正手段が前記半導体チップの位
置を認識して、前記半導体チップを適正位置に修正する
ことを特徴とする半導体チップの位置修正方法。
7. The semiconductor chip is mounted on a chip control stage in which a recognition pattern is formed in a range wider than the mounting area of the semiconductor chip, and the position correction means is arranged to adjust the position by the relative positional relationship with the recognition pattern. A method of correcting a position of a semiconductor chip, which comprises recognizing a position of a semiconductor chip and correcting the semiconductor chip to an appropriate position.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6244493B1 (en) * 1997-07-09 2001-06-12 Kabushiki Kaisha Shinkawa Die bonding apparatus
US7637004B2 (en) 2006-08-01 2009-12-29 Seiko Epson Corporation Electronic device manufacturing method and supporter

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