JPH07209619A

JPH07209619A - 空間光変調素子を用いた画像処理装置

Info

Publication number: JPH07209619A
Application number: JP628294A
Authority: JP
Inventors: Morio Hosoya; 細谷守男; Kenichi Hisayoshi; 久芳研一
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1994-01-25
Filing date: 1994-01-25
Publication date: 1995-08-11

Abstract

(57)【要約】【目的】高速に応答でき、解像度劣化がなく、広い階
調変調域が可能な光アドレス型ＳＬＭを用いた画像処理
装置。【構成】光導電性と電気光学効果の２つの特性を利用
して入力画像の階調が記録可能な光アドレス型空間光変
調素子８と、印加電圧に応じて偏光状態を変えることが
できる光変調器２３とが直列に配置されて構成され、書
き込み光２５を入力画像用原稿２５を通して照射して、
光アドレス型空間光変調素子８に画像の階調情報を記録
し、読み出し光３８を照射してこの階調情報を光変調器
２３への印加電圧に応じて変調して読み出す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光アドレス型空間光変
調素子を利用した画像の階調処理に関し、特に、高速な
階調変調と、記録画像の分解能劣化を抑えることが可能
な画像処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、画像処理には次のような装置が用
いられている。すなわち、電子回路で構成されたコンピ
ューターで画像処理を行う場合、画像情報は複数の画素
単位に分割され、画素毎に順次データ処理を行う方式が
行われている。複数個の画素データを一括して処理でき
るコンピュータも存在するが、画像全体を一括処理する
ことは難しい。

【０００３】画像全体を一括して処理する手段として
は、光コンピュータがある。光コンピュータの演算シス
テムとして、一般に空間光変調素子（以下、ＳＬＭと略
す。）が用いられる。その中で、Pockels Readout Modu
later （以下、ＰＲＯＭと略す。）等の、光導電性によ
るメモリー機能と電気光学効果による光変調機能を兼ね
備えた情報記録層を持つ光アドレス型ＳＬＭを利用して
階調処理を行う画像処理方式が知られている。この階調
処理は、光アドレス型ＳＬＭの印加電圧の変化により入
力画像の階調を変調させる方式である。

【０００４】光アドレス型ＳＬＭは、基本的には、光導
電性と電気光学効果を有する材料層（以下、情報記録層
と言う。）の両側に絶縁層を設け、その両側に透明電極
層を配置してなるもので、入力画像情報の記録、及び、
変調機能を有する。すなわち、情報記録層が感度を持つ
波長の光を書き込み光として利用し、フィルム等に記録
されている階調情報をこの光アドレス型ＳＬＭへ入力す
ると、情報記録層の光導電性により入力画像の光強度に
応じてその情報記録層中に光キャリアが生じる。光アド
レス型ＳＬＭの透明電極層間に電界が印加されている場
合、発生した光キャリアは絶縁層と情報記録層の界面に
蓄積され、蓄積されたキャリア量に応じて情報記録層の
電界強度が減少する。したがって、入力光情報に応じた
電界強度分布が情報記録層内に発生し、これにより入力
情報が記録される。記録された情報は、電圧非印加状態
で光を照射することにより消去される。

【０００５】記録された階調情報の読み出しには、情報
記録層が感度を持たない波長の光を利用する。このよう
な読み出し光は、読み出し光用光源と光アドレス型ＳＬ
Ｍの間の光軸上に設置された偏光子により直線偏光状態
にされ、この光が光アドレス型ＳＬＭの情報記録層を通
過する際、その電気光学効果により偏光状態が直線偏光
から楕円偏光に変化する。偏光状態の変化は、情報記録
層に記録されている電界強度に応じる。楕円偏光になっ
た光を検光子を通過させることにより、情報記録層の電
界強度を光強度として読み出すことが可能となる。この
時、検光子の偏光角は、偏光子の偏光角と垂直に設置さ
れている必要がある。読み出された出力情報は、入力情
報に対してネガ・ポジ反転している。

【０００６】このような光アドレス型ＳＬＭで階調変換
を行うには、情報記録層に階調情報が記録されている状
態で、印加電圧を変化させることにより行われる。印加
電圧を変化させると、光アドレス型ＳＬＭ内部の情報記
録層と２つの絶縁層をコンデンサーとみなした場合の電
圧配分が変化するが、光キャリアは再結合しない。この
ため、情報記録層の電界強度分が全体にシフトし、出力
情報の階調が変調される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような光アドレス型ＳＬＭを用いる従来の記録画像処理
方式では、印加電圧の変化に伴って記録情報の解像度が
劣化する。また、情報記録層、絶縁層に用いられる材料
の誘電率が高い場合には、コンデンサーへの充電時間、
すなわち応答時間が長くなる。また、光アドレス型ＳＬ
Ｍの情報記録層、絶縁層が絶縁破壊を起こすような高電
圧の印加が不可能なため、階調変調域が制限される。

【０００８】本発明はこのような従来技術の問題点を解
決するためになされたものであり、その目的は、光アド
レス型ＳＬＭを用い、かつ、高速に応答でき、解像度劣
化がなく、広い階調変調域が可能な画像処理装置を提供
することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の空間光変調素子を用いた画像処理装置は、光導電性
と電気光学効果の２つの特性を利用して入力画像の階調
が記録可能な光アドレス型空間光変調素子と、印加電圧
に応じて偏光状態を変えることができる光変調器とが読
み出し光の光軸上に配置された構成をなし、前記光アド
レス型空間光変調素子に記録された画像の階調情報を前
記光変調器への印加電圧に応じて変調して読み出すこと
を特徴とするものである。

【００１０】この場合、光アドレス型空間光変調素子を
透過型のものから構成し、書き込み光と読み出し光を同
じ方向から入射させるようにすることもできるし、光ア
ドレス型空間光変調素子を反射型のものから構成し、書
き込み光と読み出し光を反対方向から入射させるように
することもできる。

【００１１】

【作用】本発明においては、光アドレス型空間光変調素
子と光変調器とを読み出し光の光軸上に配置し、光アド
レス型空間光変調素子に記録された画像の階調情報を光
変調器への印加電圧に応じて変調して読み出すので、光
アドレス型空間光変調素子への印加電圧は変化させない
ため解像度の劣化は起きない。また、変調は光変調器へ
の印加電圧の調節によって行うので、応答速度が速く、
階調変調域が制限されることもない。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の空間光変調素子を用いた画像
処理装置の原理と実施例について説明する。本発明の基
本原理は、従来の光アドレス型ＳＬＭの他に、電気光学
効果を利用した光変調器を導入し、従来、光アドレス型
ＳＬＭで行っていた階調の変調を新たに導入した光変調
器で行うことにより、高速で分解能の劣化がなく、従来
の装置では変調不可能な階調域への階調変調を可能とす
ることである。

【００１３】以下に、まず、光アドレス型ＳＬＭと光変
調器の構成について説明する。これらの光アドレス型Ｓ
ＬＭと光変調器は公知のものである。図１、図２は本発
明において用いる光アドレス型ＳＬＭ８、１７の構成図
であり、図１のものは透過型、図２のものは反射型の光
アドレス型ＳＬＭである。図１、図２において、１、
７、９、１６は透明支持体、２、６、１０、１５は透明
電極、３、５、１１、１４は絶縁層、４、１３は情報記
録層、１２は誘電体反射膜である。図１の光アドレス型
ＳＬＭ８においては、情報記録層４の両側に絶縁層３、
５が配置され、その両側に透明電極２、６が配置され、
さらにその両側に透明支持体１、７が配置されている。
また、図２の光アドレス型ＳＬＭ１７においては、情報
記録層１３の一方の側のみに誘電体反射膜１２が設けら
れ、その両側に絶縁層１１、１４が配置され、その両側
に透明電極１０、１５が配置され、さらにその両側に透
明支持体９、１６が配置されている。

【００１４】図１、図２の情報記録層４、１３に用いる
材料としては、Ｂｉ₁₂ＳｉＯ₂₀（ＢＳＯ）、Ｂｉ₁₂Ｇｅ
Ｏ₂₀（ＢＧＯ）、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ等がある。情報記録
層４、１３に用いる材料は、光導電性（感光体特性）と
一次若しくは二次の電気光学効果を兼ね備えている必要
がある。このような特性の材料を情報記録層４、１３に
用いる場合、電気光学効果が入力光に対して最も大きく
発現する方向に加工することが望ましい。また、光の入
出力面を光学研磨することが望ましい。

【００１５】図１、図２の絶縁層３、５、１１、１４に
用いられる材料としては、石英、ペリレン等がある。絶
縁層３、５、１１、１４に用いる材料は高い絶縁能を持
っている必要がある。また、書き込み光、読み出し光に
対して高い透過率を持っており、光の入出力面が光学研
磨されていることが望ましい。

【００１６】さらに、図２の誘電体反射膜１２には、以
下の特性が要求される。誘電体反射膜１２は、読み出し
光に対して高い反射率を持っており、書き込み光に対し
て高い透過率を持つ必要がある。誘電体反射膜１２は単
層である必要はなく、屈折率の異なる複数の材料の積層
薄膜であって上記の特性を持つ膜を用いることも可能で
ある。この場合、読み出し光は透明支持体１６側から入
力され、誘電体反射膜１２で反射された後、透明支持体
１６側に出力される。また、絶縁層１１に誘電体反射膜
１２の特性を持たせ、１つの層にまとめてもよい。

【００１７】図３に本発明において用いる光変調器２３
の構成図を示す。図３において、１８、２２は透明支持
体、１９、２１は透明電極層、２０は光変調層である。
図３の光変調器２３においては、光変調層２０の両側に
透明電極１９、２１が配置され、さらにその両側に透明
支持体１８、２２が配置されている。

【００１８】図３の光変調層２０に用いられる材料とし
ては、ＫＨ₂ＰＯ₄（ＫＤＰ）、ＫＤ₂ＰＯ₄（ＤＫＤ
Ｐ）、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＧａＡｓ、ＣｄＴ
ｅ、ＣｄＳｅ、Ｂｉ₁₂ＳｉＯ₂₀（ＢＳＯ）、Ｂｉ₁₂Ｇｅ
Ｏ₂₀（ＢＧＯ）等、反転中心のない結晶で、無機あるい
は有機の結晶である。光変調層２０に用いる材料は、一
次若しくは二次の電気光学効果を持っていなければなら
ない。

【００１９】さらに、図１〜図３の透明支持体１、７、
９、１６、１８、２２には、以下の特性が要求される。
透明支持体１、７、９、１６、１８、２２の強度は、各
素子を支持することができる程度であればよい。その材
質、厚みは、入力光、出力光を十分な割合で透過させる
こと、絶縁性に優れていることを除けば、特に制限はな
く、プラスチック板、ガラス等の剛体が使用できる。光
の入出力面は光学研磨されていることが望ましい。これ
らの透明支持体を導入しなくともデバイスの強度が十分
な場合には、これらの透明支持体は必ずしも必要ではな
い。

【００２０】図１〜図３の透明電極層２、６、１０、１
５、１９、２１に用いられる材料に対して以下の特性が
要求される。透明電極層２、６、１０、１５、１９、２
１に用いられる材料としては、ＺｎＯ、ＩｎＯ、ＩＴＯ
等がある。透明電極層２、６、１０、１５、１９、２１
に用いられる材料には、書き込み光、読み出し光に対し
て高い透過率を持つことが要求される。また、これら透
明電極層は、光学的に十分な平滑性を持たせる必要があ
る。

【００２１】以下に、上記のような光アドレス型ＳＬＭ
８、１７、光変調器２３を用いる本発明に基づいた画像
処理装置の構成とその駆動方式について図４、図５を例
に説明する。図４において、８は上記のような光アドレ
ス型ＳＬＭ、２３は光変調器、２４は書き込み光用光
源、２５は入力画像用原稿、２６は書き込み光用光学フ
ィルター、２７、３２はシャッター、２８はハーフミラ
ー、２９は偏光子、３０は検光子、３１はＣＣＤ素子、
３３は読み出し光用光学フィルター、３４は読み出し光
用光源、３５は光アドレス型ＳＬＭ駆動用電源、３６は
光変調器駆動用電源、３７は書き込み光、３８は読み出
し光である。

【００２２】図４の配置において、入力画像用原稿２５
に記録されている階調情報は、書き込み光用光源２４か
らの書き込み光３７の照射により、光アドレス型ＳＬＭ
８に投影される。光アドレス型ＳＬＭ８の情報記録層４
の光導電性により、入力画像の光強度に応じてその情報
記録層４中に光キャリアが生じる。光アドレス型ＳＬＭ
８の透明電極層２、６間に電界が印加されているので、
発生した光キャリアは絶縁層３、５と情報記録層４の界
面に蓄積され、蓄積されたキャリア量に応じて情報記録
層４の電界強度が減少する。そのため、入力光情報に応
じた電界強度分布が情報記録層４内に発生し、入力情報
が記録される。

【００２３】書き込み光用光源２４は光アドレス型ＳＬ
Ｍ８の情報記録層４が感度を持つ波長を含んでいなけれ
ばならない。光源２４が広い発光領域を持つ場合には、
書き込み光用光学フィルター２６により必要な波長のみ
を取り出すようにしてもよい。光アドレス型ＳＬＭ８に
投影された情報を記録するためには、上記のように、光
アドレス型ＳＬＭ駆動用電源３５から光アドレス型ＳＬ
Ｍ８に電圧印加されていなければならない。また、光ア
ドレス型ＳＬＭ８に記録される階調情報を最適化するに
は、書き込み光７の照射エネルギー（照射時間と照射光
密度の積）が最適値になるように設定する必要がある。
この照射エネルギーはシャッター２７の開閉時間によっ
て制御することができる。書き込み光用光源２４とシャ
ッター２７の代わりに、フラッシュランプ等のパルス光
源も使用できる。

【００２４】光アドレス型ＳＬＭ８に記録された情報の
読み取りは、以下のように行う。光アドレス型ＳＬＭ８
の印加電圧は、記録時の電圧が保持されていなけらばな
らない。図４の配置において、光アドレス型ＳＬＭ８に
ハーフミラー２８を介して照射される読み出し光３８に
は、光アドレス型ＳＬＭ８の情報記録層４が感度を持た
ない波長域の単波長光を用いなければならない。このた
め、読み出し光用光源３４が発する光は、このような制
限を満たさなければならない。利用する光源３４がこの
制限を満たさない場合は、読み出し光用光源３４と光ア
ドレス型ＳＬＭ８の間に情報記録層４が感度を持たない
波長域の光のみを選択的に透過させる読み出し光用光学
フィルター３３を設置しなければならない。

【００２５】ハーフミラー２８を介して記録時の書き込
み光３７の光路に導入された読み出し光３８は、偏光子
２９により直線偏光化される必要がある。偏光子２９、
読み出し光用光学フィルター３３、ハーフミラー２８の
順序は図示のものに限らないが、読み出し光用光源３４
と光アドレス型ＳＬＭ８の間に設置する必要がある。ま
た、偏光子２９の偏光面は光アドレス型ＳＬＭ８の情報
記録層４の電気光学効果が最も大きく利用できる角度で
設置することが望ましい。光アドレス型ＳＬＭ８を通過
した読み出し光３８は検光子３０を通過する。この時、
検光子３０の偏光面は、偏光子２９のそれと垂直に設置
されている必要がある。検光子３０によって取り出され
た読み出し光３８はＣＣＤ素子３１に投影され、電気信
号に変換して読み出すことが可能である。ＣＣＤ素子３
１の代わりに写真フィルムを用い、画像を記録してもよ
い。また、変調画像をさらに他の画像処理装置に導入し
て、次の画像処理を行うようにすることも可能である。

【００２６】このような配置において、光変調器２３に
光変調器駆動用電源３６から電圧印加を行わない場合の
出力画像は、従来の画像処理装置の出力と同じである。
すなわち、読み出し光３８は光アドレス型ＳＬＭ８の前
に設置された偏光子２９により直線偏光状態にされ、さ
らに光アドレス型ＳＬＭ８の情報記録層４を通過する
際、その電気光学効果により偏光状態が直線偏光から楕
円偏光に変化させられる。この偏光状態の変化は、情報
記録層４に記録されている電界強度に依存するため、楕
円偏光になった光を検光子３０を通過させることによ
り、情報記録層４の電界強度分布を光強度分布として読
み出すことが可能となる。

【００２７】さて、このような本発明による画像処理装
置において、記録画像の階調変調は、光アドレス型ＳＬ
Ｍ８と読み取り光３８の同一直線上に配置された光変調
器２３の印加電圧を変化させることによって行われる。
すなわち、図４の場合、読み出し光３８は偏光子２９に
より直線偏光にされ、この光が光アドレス型ＳＬＭ８の
情報記録層４を通過する際、その電気光学効果により偏
光状態が直線偏光から楕円偏光に変化する。偏光状態の
変化は、前記の通り、情報記録層４に記録されている電
界強度に応じる。この楕円偏光は、光変調器２３を通過
後さらにその電気光学効果により印加電圧に応じてさら
に偏光状態が変化し、全体として光アドレス型ＳＬＭ８
の情報記録層４に印加する電圧を変化させ、情報記録層
４の電界強度分を全体にシフトさせた時と等価な偏光状
態の変化が生じ、その光が検光子３０を通過することに
より、出力情報の階調が変調される。光変調器２３の印
加電圧は、光変調器駆動用電源３６の発生電圧を調節す
ることにより制御される。光変調器２３は等価回路が抵
抗となるため、高電圧印加が可能となり、従来の画像処
理装置では不可能であった階調域への変調が可能とな
る。また、光アドレス型ＳＬＭのようなコンデンサー成
分が無視できるため、印加電圧の変化に対して高速応答
が可能である。さらに、光アドレス型ＳＬＭの印加電圧
を変化させないため、記録情報の解像度劣化がない特徴
がある。

【００２８】このような本発明の画像処理装置による階
調変調の様子を図６を例にあげて説明する。図６は、光
変調器２３の光変調層２０にＺｎＴｅ結晶を用いた場合
の階調変調の結果を示す図である。光変調器２３の印加
電圧が０Ｖの時、光アドレス型ＳＬＭ８の情報記録層４
に記録された階調情報は、図６の（ａ）で示される階調
域内にある。情報記録層４に記録された階調は、光変調
器２３の印加電圧が高くなると、図６の（ｂ）、（ｃ）
のように変換される。図６の（ａ）は印加電圧３．９
Ｖ、（ｂ）は印加電圧７．８Ｖである。

【００２９】次に、図５を参照にして、図２の反射型の
光アドレス型ＳＬＭ１７を用いた画像処理装置の例を説
明する。図５において、１７は反射型光アドレス型ＳＬ
Ｍ、２３は光変調器、２４は書き込み光用光源、２５は
入力画像用原稿、２６は書き込み光用光学フィルター、
２７、３２はシャッター、３９は偏光ビームスプリッタ
ー、３１はＣＣＤ素子、３３は読み出し光用光学フィル
ター、３４は読み出し光用光源、３５は光アドレス型Ｓ
ＬＭ駆動用電源、３６は光変調器駆動用電源、３７は書
き込み光、３８は読み出し光である。

【００３０】この配置は、書き込みについては、図４の
場合と同様である。ただし、透過型光アドレス型ＳＬＭ
８の代わりに反射型光アドレス型ＳＬＭ１７を用い、そ
の誘電体反射膜１２側から情報記録層１３へ書き込み光
３７を照射している。

【００３１】また、読み取りには、読み出し光源３４か
ら発せられ、読み出し光用光学フィルター３３、シャッ
ター３２を経た光が、偏光ビームスプリッター３９で直
線偏光にされ、光変調器２３を経て、光アドレス型ＳＬ
Ｍ１７の誘電体反射膜１２と反対側から情報記録層１３
へ入射し、誘電体反射膜１２で反射され、再び情報記録
層１３を通り、さらに再び光変調器２３を経て、偏光ビ
ームスプリッター３９で入射光と直交する直線偏光成分
３８が取り出されて、ＣＣＤ素子３１に投影され、電気
信号に変換して読み出される。記録、読み出し原理は図
４の場合と同様であるが、光アドレス型ＳＬＭ１７の情
報記録層１３、光変調器２３の光変調層２０をそれぞれ
往復するため、電気光学効果による変調作用が２倍にな
る。

【００３２】ところで、書き込み光、読み込み光の照射
方法は、上記のような全面照射方式の他に、レーザー光
による光走査方式がある。この方式で階調情報を記録す
る場合、入力画像の階調情報は、レーザー光の光強度で
変化が与えられ、光走査入力される。また、この方式で
記録情報を読み出すには、同様に光走査で照射するが、
レーザー光強度は常に一定であることが必要である。レ
ーザー光源としては、アルゴンレーザー（５１４，４８
８ｎｍ）ヘリウムレーザー（６３３ｎｍ）、半導体レー
ザー（７８０，８１０ｎｍ等）等が使用できる。この場
合、出力情報はフォトダイオード、パワーメーター等の
光電変換素子を利用して読み出すようにしてもよい。

【００３３】以下、より具体的な実施例について説明す
る。実施例１図４に示す光学系を用いて動作確認を行った。光アドレ
ス型ＳＬＭ８には、日本ガイシ（株）製ＩＴＩ−ＰＲＯ
Ｍも用い、読み出し光用光源３４、書き込み光用光源２
４には、共に浜松ホトニクス（株）製高安定キセノンラ
ンプを使用した。読み出し光用単色フィルター３３に
は、東芝ガラス（株）製単色フィルターＫＴ−５０、書
き込み光用単色フィルター２６には、東芝ガラス（株）
単色フィルターＫＴ−６０を使用した。読み出し光３８
は常に光アドレス型ＳＬＭ８に照射されており、光アド
レス型ＳＬＭ８を透過した読み出し光量をパワーメータ
ー３１で測定し、読み出し光３８に対する光アドレス型
ＳＬＭ８の透過率を求めた。光変調器２３には、両面を
光学研磨したＺｎＳｅ結晶２０にＩＴＯ電極１９、２１
を蒸着したものを用いた。

【００３４】光アドレス型ＳＬＭ８に電圧＋５ｋＶを印
加すると、２〜３秒で読み出し光３８の４％を透過し
た。次に、電圧＋５ｋＶを印加したまま、像情報を持つ
書き込み光３７（最大約１０μＷ／ｃｍ²）を用いて光
アドレス型ＳＬＭ８に１秒間投影し、入力像２５に対し
てネガ・ポジ反転像を得た。

【００３５】この状態で光変調器２３の印加電圧を変化
させたところ、光アドレス型ＳＬＭ８に記録された像情
報の階調を高速に変調することができた。

【００３６】実施例２図５に示す反射型の光学系を用いて動作確認を行った。
読み出し光用光源３４、書き込み光用光源２４には、共
に浜松ホトニクス（株）製高安定キセノンランプを使用
した。読み出し光用単色フィルター３３には、東芝ガラ
ス（株）製単色フィルターＫＴ−５０、書き込み光用単
色フィルター２６には、東芝ガラス（株）単色フィルタ
ーＫＴ−６０を使用した。読み出し光３８は常に光アド
レス型ＳＬＭ１７に照射されており、光アドレス型ＳＬ
Ｍ１７で反射した読み出し光量をパワーメーター３１で
測定し、読み出し光３８に対する光アドレス型ＳＬＭ１
７の反射率を求めた。光変調器２３には、両面を光学研
磨したＺｎＳｅ結晶２０にＩＴＯ電極１９、２１を蒸着
したものを用いた。

【００３７】光アドレス型ＳＬＭ１７に電圧＋５ｋＶを
印加すると、２〜３秒で読み出し光３８の４％が反射し
た。次に、電圧＋５ｋＶを印加したまま、像情報を書き
込み光３７（最大約１０μＷ／ｃｍ²）を用いて光アド
レス型ＳＬＭ１７に１秒間照射し、入力像２５に対して
ネガ・ポジ反転層を得た。

【００３８】この状態で光変調器２３の印加電圧を変化
させ、光アドレス型ＳＬＭ１７に記録された像情報の階
調を高速に変調することができた。

【００３９】以上、本発明の空間光変調素子を用いた画
像処理装置を実施例に基づいて説明したが、本発明はこ
れら実施例に限定されず種々の変形が可能である。例え
ば、光変調器として、電気光学効果のみならず、磁気光
学効果、機械的な運動等を利用して偏光状態を変えるも
のを用いることもできる。

【００４０】

【作用】以上の説明から明らかなように、本発明の空間
光変調素子を用いた画像処理装置によると、光アドレス
型空間光変調素子と光変調器とを読み取り光の光軸上に
配置し、光アドレス型空間光変調素子に記録された画像
の階調情報を光変調器への印加電圧に応じて変調して読
み出すので、光アドレス型空間光変調素子への印加電圧
は変化させないため解像度の劣化は起きない。また、変
調は光変調器への印加電圧の調節によって行うので、応
答速度が速く、階調変調域が制限されることもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明において用いる透過型光アドレス型空間
光変調素子の構成図である。

【図２】本発明において用いる反射型光アドレス型空間
光変調素子の構成図である。

【図３】本発明において用いる光変調器の構成図であ
る。

【図４】本発明に基づく１つの形態の画像処理装置の構
成とその駆動方式を説明するための図である。

【図５】本発明に基づく他の形態の画像処理装置の構成
とその駆動方式を説明するための図である。

【図６】本発明の画像処理装置による階調変調の様子を
説明するための図である。

【符号の説明】

１、７、９、１６、１８、２２…透明支持体２、６、１０、１５、１９、２１…透明電極３、５、１１、１４…絶縁層４、１３…情報記録層８、１７…光アドレス型ＳＬＭ１２…誘電体反射膜２０…光変調層２３…光変調器２４…書き込み光用光源２５…入力画像用原稿２６…書き込み光用光学フィルター２７、３２…シャッター２８…ハーフミラー２９…偏光子３０…検光子３１…ＣＣＤ素子３３…読み出し光用光学フィルター３４…読み出し光用光源３５…光アドレス型ＳＬＭ駆動用電源３６…光変調器駆動用電源３７…書き込み光３８…読み出し光３９…偏光ビームスプリッター

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【手続補正書】

【提出日】平成６年３月２４日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２８】このような本発明の画像処理装置による階
調変調の様子を図６を例にあげて説明する。図６は、光
変調器２３の光変調層２０にＺｎＴｅ結晶を用いた場合
の階調変調の結果を示す図である。光変調器２３の印加
電圧が０Ｖの時、光アドレス型ＳＬＭ８の情報記録層４
に記録された階調情報は、図６の（ａ）で示される階調
域内にある。情報記録層４に記録された階調は、光変調
器２３の印加電圧が高くなると、図６の（ｂ）、（ｃ）
のように変換される。図６の（ｂ）は印加電圧３．９
Ｖ、（ｃ）は印加電圧７．８Ｖである。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光導電性と電気光学効果の２つの特性を
利用して入力画像の階調が記録可能な光アドレス型空間
光変調素子と、印加電圧に応じて偏光状態を変えること
ができる光変調器とが直列に配置されて構成され、前記
光アドレス型空間光変調素子に記録された画像の階調情
報を前記光変調器への印加電圧に応じて変調して読み出
すことを特徴とする空間光変調素子を用いた画像処理装
置。
【請求項２】前記光アドレス型空間光変調素子が透過
型のものからなり、書き込み光と読み出し光を同じ方向
から入射させるように構成したことを特徴とする請求項
１記載の空間光変調素子を用いた画像処理装置。
【請求項３】前記光アドレス型空間光変調素子が反射
型のものからなり、書き込み光と読み出し光を反対方向
から入射させるように構成したことを特徴とする請求項
１記載の空間光変調素子を用いた画像処理装置。