JPH07202111A - Lead frame for resin sealed semiconductor device and resin sealed semiconductor device - Google Patents
Lead frame for resin sealed semiconductor device and resin sealed semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関するもので、特に半導体素子の動作モ−ドを切り替
えることができる樹脂封止型半導体装置に使用されるも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device, and more particularly to a resin-encapsulated semiconductor device capable of switching the operation mode of a semiconductor element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１３及び図１４は、半導体素子の動作
モ−ドを切り替えることができる従来の樹脂封止型半導
体装置としてＴＳＯＰ型の半導体装置を例に示すもので
ある。13 and 14 show a TSOP type semiconductor device as an example of a conventional resin-sealed semiconductor device capable of switching the operation mode of a semiconductor element.
【０００３】まず、リ−ドフレ−ムは、半導体素子１を
搭載するためのベッド２と、ベッドの周囲に形成される
複数のリ−ド３1 ，３2 …と、複数のリ−ドに直交する
方向に延在し当該複数のリ−ドに結合されるいわゆるダ
ムバ−４を含んでいる。[0003] First, Li - Dofure - arm includes a bed 2 for mounting the semiconductor element 1, a plurality of re-formed around the bed - de 3 1, 3 2 ... and a plurality of re - to de It includes a so-called dam bar-4 that extends in the orthogonal direction and is connected to the plurality of leads.
【０００４】半導体素子１の上面の端部には、複数のパ
ッド５1 ，５2 …が形成されている。これらのパッドの
うち、パッド５1 は、電源用パッド（例えば接地電位Ｖ
SS用パッド）であり、パッド５2 は、半導体素子の動作
モ−ドに影響を与えるいわゆるオプションパッドであ
る。A plurality of pads 5 1 , 5 2, ... Are formed at the end of the upper surface of the semiconductor element 1. Among these pads, the pad 5 1, power supply pads (e.g., ground potential V
Is for SS pad), the pad 5 2, the operation mode of the semiconductor device - a so-called option pad that affect de.
【０００５】リ−ド３1 は、電源用（例えば接地電位Ｖ
SS用）のリ−ドである。リ−ド３1の内部リ−ド（樹脂
６に覆われる部分）は、カギ状に直角に折り曲がってい
る。電源用リ−ド３1 の内部リ−ドの先端部は、電源用
パッド５1 及びオプションパッド５2 に沿うような位置
に配置されている。[0005] Li - de 3 1, power source (e.g., a ground potential V
This is the lead for SS ). Li - de 3 1 Internal Li - de (portion covered with the resin 6) is bent at a right angle to the hook-like. Power for Li - internal Li de 3 1 - tip of the de is arranged at a position along the power supply pad 5 1 and option pads 5 2.
【０００６】従って、電源用リ−ド３1 と電源用パッド
５1 は、ボンディングワイヤ７1 により電気的に接続さ
れる。また、電源用リ−ド３1 とオプションパッド５2
は、半導体素子の動作モ−ドに応じてボンディングワイ
ヤ７2 により互いに電気的に接続されたり又は接続され
なかったりする。半導体素子１及びその周囲は、樹脂６
により封止されている。Therefore, the power supply lead 3 1 and the power supply pad 5 1 are electrically connected by the bonding wire 7 1 . In addition, power supply lead 3 1 and option pad 5 2
, The operation mode of the semiconductor device - or not electrically connected to or or connected to each other by bonding wires 7 2 in accordance with the mode. The semiconductor element 1 and its surroundings are made of resin 6
It is sealed by.
【０００７】なお、図１３及び図１４の樹脂封止型半導
体装置において、ダムバ−４を切断し、複数のリ−ド３
1 ，３2 …の外部リ−ドをそれぞれ折り曲げると、図１
５及び図１６に示すように、当該樹脂封止型半導体装置
は完成品となる。In the resin-encapsulated semiconductor device shown in FIGS. 13 and 14, the dam bar-4 is cut and a plurality of leads 3 are formed.
Bending the outer leads 1 , 2 , 3 ...
5 and 16, the resin-sealed semiconductor device is a finished product.
【０００８】上記樹脂封止型半導体装置においては、半
導体素子の動作モ−ドは、電源用リ−ド３1 とオプショ
ンパッド５2 との電気的接続の有無により決定される。In the resin-sealed semiconductor device, the operation mode of the semiconductor element is determined by the presence / absence of electrical connection between the power supply lead 3 1 and the option pad 5 2 .
【０００９】図１７は、図１３及び図１４の樹脂封止型
半導体装置における半導体素子の動作モ−ドの変更を模
式的に表したものである。即ち、半導体素子１がメモリ
である場合には、電源用リ−ド３1 とオプションパッド
５2 が互いに電気的に接続されると、当該メモリは、例
えばファ−ストペ−ジモ−ド動作を行う。一方、電源用
リ−ド３1 とオプションパッド５2 が互いに電気的に接
続されないと、当該メモリは、例えばニブルモ−ド動作
を行う。FIG. 17 schematically shows a change in the operation mode of the semiconductor element in the resin-sealed semiconductor device of FIGS. 13 and 14. That is, the semiconductor device 1 when a memory, the power for re - perform de operation - When de 3 1 and option pad 5 2 are electrically connected to each other, the memory may be, for example fa - Sutope - dimonium . On the other hand, if the power supply lead 3 1 and the option pad 5 2 are not electrically connected to each other, the memory performs, for example, nibble mode operation.
【００１０】従って、半導体素子１をファ−ストペ−ジ
モ−ドで動作させたい場合には、ボンディング工程にお
いて、予めボディングワイヤ７2 により電源用リ−ド３
1 とオプションパッド５2 を電気的に接続しておく必要
があり、反面、半導体素子１をニブルモ−ドで動作させ
たい場合には、ボンディング工程において、電源用リ−
ド３1 とオプションパッド５2 を電気的に接続しないこ
とが必要となる。Accordingly, the semiconductor device 1 fa - Sutope - dimonium - when it is desired to operate in de, in the bonding step, the power supply Li in advance by the body ring wire 7 2 - de 3
Must be connected to 1 and option pad 5 2 electrically, contrary, the semiconductor device 1 Niburumo - when it is desired to operate in de, in the bonding step, Li power -
It is necessary that the terminal 3 1 and the option pad 5 2 are not electrically connected.
【００１１】つまり、半導体素子の動作モ−ドは、ワイ
ヤボンディング工程において既に決定されてしまうわけ
である。That is, the operation mode of the semiconductor device is already determined in the wire bonding process.
【００１２】しかし、このような樹脂封止型半導体装置
を使用するユ−ザのニ−ズはまちまちであり、ワイヤボ
ンディング工程において、半導体素子１をどのようなモ
−ドで動作させるのかを決定することが困難な場合が多
い。しかも、半導体素子１をベッド２にマウントした後
は、ゴミや酸化などから半導体素子１を防ぐために、当
該半導体素子１をなるべく外気にさらさないように素早
く樹脂封止することが必要である。However, there are various needs of users who use such a resin-encapsulated semiconductor device, and in the wire bonding process, it is determined in what mode the semiconductor element 1 is operated. Often difficult to do. In addition, after mounting the semiconductor element 1 on the bed 2, it is necessary to quickly seal the semiconductor element 1 with resin so as to prevent it from being exposed to the outside air in order to prevent the semiconductor element 1 from dust and oxidation.
【００１３】従って、従来の樹脂封止型半導体装置は、
ユ−ザから発注を受けた後に生産を開始するか、又はユ
−ザのニ−ズを予測して完成品をストックしておくこと
が必要である。つまり、従来の樹脂封止型半導体装置
は、生産性がよくないといえる。Therefore, the conventional resin-sealed semiconductor device is
It is necessary to start production after receiving an order from the user, or to predict the needs of the user and stock the finished products. That is, it can be said that the conventional resin-encapsulated semiconductor device has poor productivity.
【００１４】[0014]
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の樹
脂封止型半導体装置は、その構造上、半導体素子の動作
モ−ドがワイヤボンディング工程において既に決定され
てしまう。従って、従来の樹脂封止型半導体装置は、ユ
−ザから発注を受けた後に生産を開始するか、又はユ−
ザのニ−ズを予測して完成品をストックしておかなけれ
ばならないため、生産性が悪いという欠点がある。As described above, in the conventional resin-sealed semiconductor device, the operation mode of the semiconductor element is already determined in the wire bonding process due to its structure. Therefore, the conventional resin-encapsulated semiconductor device starts production after receiving an order from the user, or
Since the finished product must be stocked in anticipation of the needs of the product, there is a drawback that productivity is poor.
【００１５】本発明は、上記欠点を解決すべくなされた
もので、その目的は、ワイヤボンディング工程後におい
て半導体素子の動作モ−ドを決定できる新規な構造を提
案することにより、ユ−ザの要求にフレキシブルに対応
し、さらに生産性を向上し得る樹脂封止型半導体装置を
提供することである。The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks, and an object thereof is to propose a new structure capable of determining an operation mode of a semiconductor device after a wire bonding process, thereby providing a user. It is an object of the present invention to provide a resin-encapsulated semiconductor device that can flexibly meet requirements and further improve productivity.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム
は、半導体素子を搭載するためのベッドと、前記ベッド
の周辺に配置される複数のリ−ドと、前記複数のリ−ド
に直交する方向に配置され、当該複数のリ−ドに結合さ
れるダムバ−とを備え、前記複数のリ−ドのうち少なく
とも一つのリ−ドは、当該少なくとも一つのリ−ド以外
の他のリ−ドよりも短く、かつ、前記ダムバ−よりも前
記ベッドの反対側において当該少なくとも一つのリ−ド
に隣接する一つ以上の他のリ−ドに電気的に結合されて
いる。In order to achieve the above object, the resin-sealed semiconductor device lead frame according to the present invention is arranged on a bed for mounting a semiconductor element and around the bed. A plurality of leads and a dambar arranged in a direction orthogonal to the plurality of leads and coupled to the plurality of leads, and at least one of the plurality of leads. The lead is shorter than other leads other than the at least one lead, and one or more other leads adjacent to the at least one lead on the opposite side of the bed from the dam bar. Is electrically coupled to the lead of.
【００１７】本発明の樹脂封止型半導体装置用リ−ドフ
レ−ムは、半導体素子を搭載するためのベッドと、前記
ベッドの周辺に配置される複数のリ−ドと、前記複数の
リ−ドに直交する方向に配置され、当該複数のリ−ドに
結合されるダムバ−とを備え、前記複数のリ−ドのうち
少なくとも一つのリ−ドは、前記ダムバ−よりも前記ベ
ッド側にのみ存在する。A resin-sealed semiconductor device lead frame according to the present invention includes a bed for mounting a semiconductor element, a plurality of leads arranged around the bed, and a plurality of the leads. And a dambar connected to the plurality of leads, the at least one lead of the plurality of leads being closer to the bed than the dambar. Only exists.
【００１８】本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体
素子と、前記半導体素子を搭載するためのベッドと、前
記ベッドの周辺に配置される複数のリ−ドと、前記半導
体素子上の電極と各々のリ−ドとを電気的に接続するた
めのワイヤと、前記半導体素子及びその周囲を取り囲む
モ−ルド樹脂とを備え、前記複数のリ−ドのうち少なく
とも一つのリ−ドは、前記モ−ルド樹脂の表面付近にお
いて切断され、又は前記樹脂から露出し当該少なくとも
一つのリ−ドに隣接する一つ以上の他のリ−ドに電気的
に結合されている。The resin-encapsulated semiconductor device of the present invention comprises a semiconductor element, a bed for mounting the semiconductor element, a plurality of leads arranged around the bed, and electrodes on the semiconductor element. And a wire for electrically connecting each lead and a mold resin surrounding the semiconductor element and its periphery, and at least one lead of the plurality of leads, It is cut near the surface of the mold resin or is exposed from the resin and electrically coupled to one or more other leads adjacent to the at least one lead.
【００１９】前記少なくとも一つのリ−ドは、前記半導
体素子の動作モ−ドを決定するオプションパッドに接続
され、前記少なくとも一つのリ−ドに隣接する一つ以上
の他のリ−ドは、電源パッドに接続されている。The at least one lead is connected to an option pad that determines an operation mode of the semiconductor device, and one or more other leads adjacent to the at least one lead are connected to each other. Connected to power pad.
【００２０】[0020]
【作用】上記構成によれば、半導体素子の動作モ−ドの
決定は、少なくとも一つのリ−ドの外部リ−ドの切断の
有無により行うことができる。これにより、樹脂モ−ル
ド工程後に半導体素子の動作モ−ドを決定できるように
なる。According to the above construction, the operation mode of the semiconductor device can be determined by the presence / absence of disconnection of the external lead of at least one lead. As a result, the operation mode of the semiconductor device can be determined after the resin molding process.
【００２１】従って、予め樹脂モ−ルド工程まで終わら
せた状態で樹脂封止型半導体装置を保管しておくことが
でき、ユ−ザの要望により当該樹脂封止型半導体装置の
動作モ−ドを決定できる。また、生産のフレキシビリテ
ィが向上し、生産性も良くすることが可能であるTherefore, the resin-encapsulated semiconductor device can be stored in a state where the resin-molded process is completed in advance, and the operation mode of the resin-encapsulated semiconductor device can be stored according to the user's request. Can be determined. Also, the flexibility of production can be improved and the productivity can be improved.
【００２２】。..
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の実施例
について詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施
例に係わる樹脂封止型半導体装置であって、樹脂モ−ル
ド工程を終了した状態におけるＴＳＯＰ型の半導体装置
を示すものである。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a TSOP type semiconductor device which is a resin-sealed semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, in a state in which a resin molding process is completed.
【００２３】まず、リ−ドフレ−ムは、半導体素子１１
を搭載するためのベッド１２と、ベッドの周囲に形成さ
れる複数のリ−ド１３1 ，１３2 …と、複数のリ−ドに
直交する方向へ延在し当該複数のリ−ドに結合されるい
わゆるダムバ−１４を有している。First, the lead frame is composed of the semiconductor element 11
, A plurality of leads 13 1 , 13 2 formed around the bed, and extending in a direction orthogonal to the plurality of leads and coupled to the plurality of leads. It has a so-called dam bar 14 that is used.
【００２４】リ−ド１３1 は、電源用（例えば接地電位
ＶSS用）のリ−ドである。リ−ド１３2 は、スイッチ用
のリ−ドである。リ−ド１３2 の外部リ−ド（樹脂６か
ら突出している部分）の先端部は、例えばダムバ−１４
の外側（ベッド１２の反対側）においてカギ状に直角に
折り曲がっており、電源用のリ−ド１３1 に結合されて
いる。[0024] Li - de 13 1, Li of the power supply (for example, for ground potential V SS) - a de. Li - de 13 2, Li for the switch - is de. Li - de 13 2 external Li - tip of de (portions protruding from the resin 6), for example dam bar -14
Outer and bent at a right angle to the hook-like in (the opposite side of the bed 12), Re of the power - is coupled to de 13 1.
【００２５】なお、このリ−ド１３2 の外部リ−ドの先
端部は、半導体素子１１の動作モ−ドを切り替えるため
のスイッチＳＷを構成している。[0025] Note that this re - de 13 2 external Li - tip of de, the operation mode of the semiconductor device 11 - constitute a switch SW for switching the mode.
【００２６】半導体素子１１の上面の端部には、複数の
パッド１５1 ，１５2 …が形成されている。これらのパ
ッドのうち、パッド１５1 は、電源用パッド（例えば接
地電位ＶSS用パッド）であり、パッド１５2 は、半導体
素子の動作モ−ドに影響を与えるいわゆるオプションパ
ッドである。A plurality of pads 15 1 , 15 2, ... Are formed on the upper end of the semiconductor element 11. Among these pads, the pad 15 1 is a power supply pad (e.g. pad ground voltage V SS), the pad 15 2, the operation mode of the semiconductor device - a so-called option pad that affect de.
【００２７】電源用リ−ド１３1 と電源用パッド１５1
は、ボンディングワイヤ１７1 により電気的に接続され
ている。また、電源用リ−ド１３1 とオプションパッド
１５2 も、同様に、ボンディングワイヤ１７2 により電
気的に接続されている。Power supply lead 13 1 and power supply pad 15 1
Are electrically connected by a bonding wire 17 1 . The power supply lead 13 1 and the option pad 15 2 are also electrically connected by the bonding wire 17 2 .
【００２８】従って、ワイヤボンディング工程におい
て、電源用リ−ド１３1 とオプションパッド１５2 をボ
ンディングワイヤ１７2 により電気的に接続するか又は
接続しないかの判断が不要である。半導体素子１１及び
その周囲は、樹脂１６により封止されている。Therefore, in the wire bonding step, it is not necessary to judge whether the power supply lead 13 1 and the option pad 15 2 are electrically connected or not connected by the bonding wire 17 2 . The semiconductor element 11 and its surroundings are sealed with resin 16.
【００２９】上記構成を有する樹脂封止型半導体装置に
おいては、半導体素子の動作モ−ドは、リ−ド１３2 と
オプションパッド１５2 を接続するためのボンディング
ワイヤ１７2 の有無ではなく、リ−ド１３2 の外部リ−
ドの先端部のスイッチＳＷの切断の有無により決定され
る。In the resin-encapsulated semiconductor device having the above structure, the operation mode of the semiconductor element is not the presence or absence of the bonding wire 17 2 for connecting the lead 13 2 and the option pad 15 2 , but the operation mode. - de 13 second external Li -
It is determined by whether or not the switch SW at the tip of the switch is disconnected.
【００３０】図２は、図１の樹脂封止型半導体装置にお
ける半導体素子の動作モ−ドの決定を模式的に表したも
のである。即ち、ワイヤボンディング工程では、常に、
ボンディングワイヤ１７2 により電源用リ−ド１３1 と
オプションパッド１５2 が互いに電気的に接続される。
そして、樹脂モ−ルド工程後のＣ（カット）／Ｂ（ベン
ト）工程において、スイッチＳＷを切断しなければ、半
導体素子（メモリの場合）１１は、例えばファ−ストペ
−ジモ−ド動作を行う。一方、Ｃ／Ｂ工程において、ス
イッチＳＷを切断すると、半導体素子１１は、例えばニ
ブルモ−ド動作を行う。FIG. 2 schematically shows the determination of the operation mode of the semiconductor element in the resin-sealed semiconductor device of FIG. That is, in the wire bonding process,
The power supply lead 13 1 and the option pad 15 2 are electrically connected to each other by the bonding wire 17 2 .
Then, in the C (cut) / B (vent) step after the resin molding step, unless the switch SW is cut off, the semiconductor element (in the case of a memory) 11 performs, for example, a first page mode operation. . On the other hand, in the C / B step, when the switch SW is cut off, the semiconductor element 11 performs, for example, a nibble mode operation.
【００３１】従って、半導体素子１１を例えばニブルモ
−ドで動作させたい場合には、Ｃ／Ｂ工程において、ス
イッチＳＷを切断して、電源用リ−ド１３1 とオプショ
ンパッド１５2 を電気的に非接続にすれば足りる。Therefore, when it is desired to operate the semiconductor element 11 in the nibble mode, for example, in the C / B step, the switch SW is cut off to electrically connect the power supply lead 13 1 and the option pad 15 2. All you need to do is disconnect.
【００３２】このように、オプションパッド１５2 に電
気的に接続されるリ−ド１３2 の外部リ−ドにスイッチ
ＳＷを設け、このスイッチＳＷを切断／非切断すること
により半導体素子１１の動作モ−ドを切り替えることが
できる。つまり、樹脂モ−ルド工程後に半導体素子の動
作モ−ドを決定できるようになる。As described above, the switch SW is provided on the external lead of the lead 13 2 electrically connected to the option pad 15 2, and the operation of the semiconductor element 11 is performed by cutting / non-cutting the switch SW. You can switch modes. That is, the operation mode of the semiconductor device can be determined after the resin molding process.
【００３３】従って、予め樹脂モ−ルド工程まで終わら
せた状態で樹脂封止型半導体装置を保管しておくことが
でき、ユ−ザの要望により当該樹脂封止型半導体装置の
動作モ−ドを決定できる。即ち、ユ−ザから発注を受け
た後に生産を開始する、又はユ−ザのニ−ズを予測して
完成品をストックしておくという欠点が解消され、生産
のフレキシビリティが向上し、生産性も良くなる。Therefore, the resin-encapsulated semiconductor device can be stored in a state where the resin molding process is completed in advance, and the operation mode of the resin-encapsulated semiconductor device can be stored at the request of the user. Can be determined. That is, the drawback of starting production after receiving an order from the user or stocking finished products by predicting the user's needs is improved, and the flexibility of production is improved. The sexuality also improves.
【００３４】図３〜図５は、図１の樹脂封止型半導体装
置において、半導体素子の動作モ−ドを決定し、完成品
を得るまでの製造工程を示すものである。FIGS. 3 to 5 show the manufacturing steps for determining the operation mode of the semiconductor element and obtaining a finished product in the resin-sealed semiconductor device of FIG.
【００３５】まず、図３に示すように、ダムバ−１４な
どを切断して、リ−ドフレ−ムから個々の樹脂封止型半
導体装置を得る。この後、図４に示すように、スイッチ
ＳＷを切断することなく、複数のリ−ド１３1 ，１３2
…の外部リ−ドをそれぞれ折り曲げると、例えばファ−
ストペ−ジモ−ドの半導体素子を有する樹脂封止型半導
体装置が完成する。また、図５に示すように、スイッチ
ＳＷを切断すると同時に、複数のリ−ド１３1 ，１３2
…の外部リ−ドをそれぞれ折り曲げると、例えばニブル
モ−ドの半導体素子を有する樹脂封止型半導体装置が完
成する。First, as shown in FIG. 3, the dam bar 14 is cut to obtain individual resin-sealed semiconductor devices from the lead frame. After that, as shown in FIG. 4, the plurality of leads 13 1 and 13 2 are not cut off, and the switches SW are not cut off.
Bending the outer leads of ...
A resin-sealed semiconductor device having a semiconductor element of a stop mode is completed. Further, as shown in FIG. 5, at the same time when the switch SW is cut off, a plurality of leads 13 1 , 13 2
When the outer leads of ... Are respectively bent, a resin-sealed semiconductor device having, for example, a nibble mode semiconductor element is completed.
【００３６】なお、半導体素子の動作モ−ドの決定（即
ち、スイッチＳＷの切断）は、ダムバ−１４を切断して
個々の樹脂封止半導体装置を得ると同時に行うこともで
きる。この場合、例えばスイッチＳＷを切断すると、図
６に示すような樹脂封止型半導体装置が得られ、この樹
脂封止型半導体装置のリ−ド１３1 ，１３2 …の外部リ
−ドをそれぞれ折り曲げると、図５に示す樹脂封止型半
導体装置が完成する。The operation mode of the semiconductor element (that is, the switch SW is cut) can be determined at the same time when the dam bar 14 is cut to obtain individual resin-sealed semiconductor devices. In this case, for example, when the switch SW is cut off, a resin-sealed semiconductor device as shown in FIG. 6 is obtained, and the external leads of the leads 13 1 , 13 2 ... When bent, the resin-sealed semiconductor device shown in FIG. 5 is completed.
【００３７】また、半導体素子の動作モ−ドの決定は、
Ｃ／Ｂ工程に行うのが最適であるが、テスト工程前に行
うことも可能である。この場合、半導体素子の動作モ−
ドの決定後、テスト工程を行うだけであるから生産性が
劣化することはない。The operation mode of the semiconductor device is determined by
It is optimal to perform the C / B process, but it is also possible to perform it before the test process. In this case, the operation mode of the semiconductor device
The productivity does not deteriorate because the test process is only performed after the decision of the mode.
【００３８】図７は、本発明の第２の実施例に係わる樹
脂封止型半導体装置であって、樹脂モ−ルド工程を終了
した状態におけるＴＳＯＰ型の半導体装置を示すもので
ある。なお、図１の樹脂封止型半導体装置と同じ部分
は、同一の符号を付して説明することにする。FIG. 7 shows a resin-sealed semiconductor device according to the second embodiment of the present invention, which is a TSOP type semiconductor device in a state where the resin molding process is completed. The same parts as those of the resin-encapsulated semiconductor device of FIG. 1 will be described with the same reference numerals.
【００３９】まず、リ−ドフレ−ムは、半導体素子１１
を搭載するためのベッド１２と、ベッドの周囲に形成さ
れる複数のリ−ド１３1 ，１３2 …と、複数のリ−ドに
直交する方向に延在し当該複数のリ−ドに結合されるい
わゆるダムバ−１４を有している。First, the lead frame is composed of the semiconductor element 11
, A plurality of leads 13 1 , 13 2 formed around the bed, and extending in a direction orthogonal to the plurality of leads and coupled to the plurality of leads. It has a so-called dam bar 14 that is used.
【００４０】リ−ド１３1 は、電源用（例えば接地電位
ＶSS用）のリ−ドである。リ−ド１３2 は、スイッチ用
のリ−ドである。リ−ド１３2 の外部リ−ド（樹脂６か
ら突出している部分）は、他のリ−ドよりも短くなって
おり、その先端部は、ダムバ−１４までしか伸びていな
い。[0040] Li - de 13 1, Li of the power supply (for example, for ground potential V SS) - a de. Li - de 13 2, Li for the switch - is de. Li - de 13 2 external Li - de (portion protruding from the resin 6), the other re - Doyori also shorter, its tip does not extend only to dam bar -14.
【００４１】なお、このリ−ド１３2 の外部リ−ドの先
端部は、半導体素子１１の動作モ−ドを切り替えるため
のスイッチＳＷを構成することになる。[0041] Incidentally, the re - de 13 2 external Li - tip of de, the operation mode of the semiconductor device 11 - constitute the switch SW for switching the mode.
【００４２】半導体素子１１の上面の端部には、複数の
パッド１５1 ，１５2 …が形成されている。これらのパ
ッドのうち、パッド１５1 は、電源用パッド（例えば接
地電位ＶSS用パッド）であり、パッド１５2 は、半導体
素子の動作モ−ドに影響を与えるいわゆるオプションパ
ッドである。A plurality of pads 15 1 , 15 2, ... Are formed at the end of the upper surface of the semiconductor element 11. Among these pads, the pad 15 1 is a power supply pad (e.g. pad ground voltage V SS), the pad 15 2, the operation mode of the semiconductor device - a so-called option pad that affect de.
【００４３】電源用リ−ド１３1 と電源用パッド１５1
は、ボンディングワイヤ１７1 により電気的に接続され
ている。また、リ−ド１３2 とオプションパッド１５2
も、同様に、ボンディングワイヤ１７2 により電気的に
接続されている。Power supply lead 13 1 and power supply pad 15 1
Are electrically connected by a bonding wire 17 1 . Also, the lead 13 2 and the option pad 15 2
Is also electrically connected by the bonding wire 17 2 .
【００４４】従って、ワイヤボンディング工程におい
て、電源用リ−ド１３1 とオプションパッド１５2 をボ
ンディングワイヤ１７2 により電気的に接続するか又は
接続しないかの判断が不要である。半導体素子１１及び
その周囲は、樹脂１６により封止されている。Therefore, in the wire bonding step, it is not necessary to judge whether the power supply lead 13 1 and the option pad 15 2 are electrically connected or not connected by the bonding wire 17 2 . The semiconductor element 11 and its surroundings are sealed with resin 16.
【００４５】上記構成を有する樹脂封止型半導体装置に
おいては、半導体素子の動作モ−ドは、電源用リ−ド１
３2 とオプションパッド１５2 を接続するボンディング
ワイヤ１７2 の有無ではなく、リ−ド１３2 の外部リ−
ドの先端部のスイッチＳＷの切断の有無により決定され
る。In the resin-sealed semiconductor device having the above structure, the operation mode of the semiconductor element is the power supply lead 1
It is not the presence or absence of the bonding wire 17 2 connecting 3 2 and the option pad 15 2 but the external lead of the lead 13 2.
It is determined by whether or not the switch SW at the tip of the switch is disconnected.
【００４６】図８〜図１１は、図７の樹脂封止型半導体
装置において、半導体素子の動作モ−ドを決定し、完成
品を得るまでの製造工程を示すものである。まず、図８
及び図９に示すように、ダムバ−１４などを切断して、
リ−ドフレ−ムから個々の樹脂封止型半導体装置を得
る。FIGS. 8 to 11 show the manufacturing steps for determining the operation mode of the semiconductor element and obtaining a finished product in the resin-sealed semiconductor device of FIG. First, FIG.
And, as shown in FIG. 9, by cutting the dam bar 14 and the like,
Individual resin-sealed semiconductor devices are obtained from the lead frame.
【００４７】この時、半導体素子の動作モ−ドを例えば
ファ−ストペ−ジモ−ドにする場合には、図８に示すよ
うに、リ−ド１３2 の先端部のスイッチＳＷを切断しな
いようにする。また、半導体素子の動作モ−ドを例えば
ニブルモ−ドにする場合には、図９に示すように、リ−
ド１３2 の先端部のスイッチＳＷを切断する。[0047] At this time, the operation of the semiconductor device mode - de e.g. fa - Sutope - dimonium - when the de, as shown in FIG. 8, Li - so as not to cut the switch SW of the de 13 2 of the front end portion To When the operation mode of the semiconductor element is, for example, a nibble mode, as shown in FIG.
The switch SW at the tip of the switch 13 2 is cut off.
【００４８】次に、図１０及び図１１に示すように、複
数のリ−ド１３1 ，１３2 …の外部リ−ドをそれぞれ折
り曲げると、図１０に示すように、例えばファ−ストペ
−ジモ−ドの半導体素子を有する樹脂封止型半導体装置
が完成し、また、図１１に示すように、例えばニブルモ
−ドの半導体素子を有する樹脂封止型半導体装置が完成
する。Next, as shown in FIGS. 10 and 11, when the outer leads of the plurality of leads 13 1 , 13 2 ... Are respectively bent, as shown in FIG. A resin-sealed semiconductor device having a semiconductor element of a negative mode is completed, and as shown in FIG. 11, a resin-sealed semiconductor device having a semiconductor element of a nibble mode is completed.
【００４９】なお、半導体素子の動作モ−ドの決定は、
Ｃ／Ｂ工程に行うのが最適であるが、テスト工程前に行
うことも可能である。この場合、半導体素子の動作モ−
ドの決定後、テスト工程を行うだけであるから生産性が
劣化することはない。The operation mode of the semiconductor element is determined by
It is optimal to perform the C / B process, but it is also possible to perform it before the test process. In this case, the operation mode of the semiconductor device
The productivity does not deteriorate because the test process is only performed after the decision of the mode.
【００５０】図１２は、本発明の第３の実施例に係わる
樹脂封止型半導体装置であって、樹脂モ−ルド工程を終
了した状態におけるＴＳＯＰ型の半導体装置を示すもの
である。なお、図１の樹脂封止型半導体装置と同じ部分
は、同一の符号を付して説明することにする。FIG. 12 shows a resin-sealed semiconductor device according to the third embodiment of the present invention, which is a TSOP type semiconductor device in a state where the resin molding process is completed. The same parts as those of the resin-encapsulated semiconductor device of FIG. 1 will be described with the same reference numerals.
【００５１】まず、リ−ドフレ−ムは、半導体素子１１
を搭載するためのベッド１２と、ベッドの周囲に形成さ
れる複数のリ−ド１３1 ，１３2 …と、複数のリ−ドに
直交する方向に延在し当該複数のリ−ドに結合されるい
わゆるダムバ−１４を有している。First, the lead frame is composed of the semiconductor element 11
, A plurality of leads 13 1 , 13 2 formed around the bed, and extending in a direction orthogonal to the plurality of leads and coupled to the plurality of leads. It has a so-called dam bar 14 that is used.
【００５２】リ−ド１３2 は、電源用（例えば接地電位
ＶSS用）のリ−ドである。リ−ド１３1 ，１３3 は、ス
イッチ用のリ−ドである。リ−ド１３1 ，１３3 の外部
リ−ド（樹脂６から突出している部分）の先端部は、例
えばダムバ−１４の外側においてカギ状に直角に折り曲
がっており、それぞれ電源用のリ−ド１３2 に結合され
ている。[0052] Li - de 13 2, Li of the power supply (for example, for ground potential V SS) - a de. The leads 13 1 and 13 3 are leads for switches. The tips of the outer leads (portions protruding from the resin 6) of the leads 13 1 and 13 3 are bent at right angles in a hook shape, for example, on the outside of the dam bar 14, and are used as power source leads, respectively. Connected to the terminal 13 2 .
【００５３】なお、このリ−ド１３1 ，１３3 の外部リ
−ドの先端部は、半導体素子１１の動作モ−ドを切り替
えるためのスイッチＳＷ１，ＳＷ２を構成している。The tips of the external leads of the leads 13 1 and 13 3 form switches SW1 and SW2 for switching the operation mode of the semiconductor element 11.
【００５４】半導体素子１１の上面の端部には、複数の
パッド１５1 ，１５2 …が形成されている。これらのパ
ッドのうち、パッド１５2 は、電源用パッド（例えば接
地電位ＶSS用パッド）であり、パッド１５1 ，１５
3 は、半導体素子の動作モ−ドに影響を与えるいわゆる
オプションパッドである。A plurality of pads 15 1 , 15 2 ... Are formed at the end of the upper surface of the semiconductor element 11. Of these pads, the pad 15 2 is a power supply pad (for example, a ground potential V SS pad), and the pads 15 1 , 15
Reference numeral 3 is a so-called option pad that affects the operation mode of the semiconductor device.
【００５５】電源用リ−ド１３2 と電源用パッド１５2
は、ボンディングワイヤ１７2 により電気的に接続され
ている。また、電源用リ−ド１３1 とオプションパッド
１５1 も、同様に、ボンディングワイヤ１７1 により電
気的に接続されている。電源用リ−ド１３3 とオプショ
ンパッド１５3 も、同様に、ボンディングワイヤ１７3
により電気的に接続されている。Power supply lead 13 2 and power supply pad 15 2
Are electrically connected by a bonding wire 17 2 . Similarly, the power supply lead 13 1 and the option pad 15 1 are also electrically connected by the bonding wire 17 1 . Power for Li - de 13 3 and option pad 15 3 likewise, a bonding wire 17 3
Are electrically connected by.
【００５６】従って、ワイヤボンディング工程におい
て、電源用リ−ド１３2 とオプションパッド１５1 ，１
５3 をボンディングワイヤ１７2 により電気的に接続す
るか又は接続しないかの判断が不要である。半導体素子
１１及びその周囲は、樹脂１６により封止されている。Therefore, in the wire bonding process, the power supply lead 13 2 and the option pads 15 1 , 1
It is not necessary to judge whether 5 3 is electrically connected or not connected by the bonding wire 17 2 . The semiconductor element 11 and its surroundings are sealed with resin 16.
【００５７】上記構成を有する樹脂封止型半導体装置に
おいては、半導体素子の動作モ−ドは、電源用リ−ド１
３2 とオプションパッド１５1 ，１５3 とを接続するワ
イヤボンディング１７1 ，１７3 の有無ではなく、リ−
ド１３2 の外部リ−ドの先端部のスイッチＳＷ１，ＳＷ
２の切断の有無により決定される。In the resin-sealed semiconductor device having the above structure, the operation mode of the semiconductor element is the power supply lead 1
3 2 and the option pads 15 1 and 15 3 for connecting the wire bonding 17 1 and 17 3 and not to the wire bonding
Switches SW1 and SW at the tip of the external lead of the lead 13 2
It is determined by the presence or absence of disconnection of 2.
【００５８】また、本実施例では、オプションパッド及
びスイッチをそれぞれ二つずつ設けることにより、半導
体素子の動作モ−ドは、ａ） スイッチＳＷ１，ＳＷ２
ともに切断しない場合、ｂ） スイッチＳＷ１，ＳＷ２
ともに切断する場合、ｃ）スイッチＳＷ１を切断する場
合、ｄ） スイッチＳＷ２を切断する場合の４通りに設
定することができる。Further, in the present embodiment, by providing two option pads and two switches respectively, the operation mode of the semiconductor element is: a) Switches SW1 and SW2
B) Switches SW1 and SW2
It can be set in four ways, i.e., both of which are cut off, c) the switch SW1 is cut off, and d) the switch SW2 is cut off.
【００５９】なお、半導体素子の動作モ−ドの決定（即
ち、スイッチＳＷの切断）は、ダムバ−１４を切断して
個々の樹脂封止半導体装置を得ると同時に行うこともで
きる。また、半導体素子の動作モ−ドの決定は、Ｃ／Ｂ
工程に行うのが最適であるが、テスト工程前に行うこと
も可能である。この場合、半導体素子の動作モ−ドの決
定後、テスト工程を行うだけであるから生産性が劣化す
ることはない。The operation mode of the semiconductor element (that is, the switch SW is cut) can be determined at the same time when the dam bar 14 is cut to obtain individual resin-sealed semiconductor devices. The operation mode of the semiconductor device is determined by C / B.
It is best done in-process, but it can also be done before the test process. In this case, since the test process is only performed after the operation mode of the semiconductor device is determined, the productivity is not deteriorated.
【００６０】上記第１〜第３の実施例は、樹脂モ−ルド
工程を終了した状態におけるＴＳＯＰ型の樹脂封止型半
導体装置について説明したが、本発明は、他の種類のパ
ッケ−ジ（ＳＯＪ、ＺＩＰ，ＱＦＰなど）の半導体装置
にも適用できる。Although the first to third embodiments have been described with respect to the TSOP type resin-sealed semiconductor device in the state in which the resin molding process is completed, the present invention is applicable to other types of packages ( It can also be applied to semiconductor devices such as SOJ, ZIP, and QFP.
【００６１】[0061]
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、次のような効果を奏する。半導体素子の動作モ−ド
の決定は、外部リ−ドから構成されるスイッチの切断の
有無により行うことができる。これにより、樹脂モ−ル
ド工程後に半導体素子の動作モ−ドを決定できるように
なる。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. The operation mode of the semiconductor element can be determined by the presence or absence of disconnection of the switch composed of the external lead. As a result, the operation mode of the semiconductor device can be determined after the resin molding process.
【００６２】従って、予め樹脂モ−ルド工程まで終わら
せた状態で樹脂封止型半導体装置を保管しておくことが
でき、ユ−ザの要望により当該樹脂封止型半導体装置の
動作モ−ドを決定できる。即ち、ユ−ザから発注を受け
た後に生産を開始する、又はユ−ザのニ−ズを予測して
完成品をストックしておくという欠点が解消され、生産
のフレキシビリティが向上し、生産性も良くなる。Therefore, the resin-encapsulated semiconductor device can be stored in a state where the resin molding process is completed in advance, and the operation mode of the resin-encapsulated semiconductor device can be stored according to the user's request. Can be determined. That is, the drawback of starting production after receiving an order from the user or stocking finished products by predicting the user's needs is improved, and the flexibility of production is improved. The sexuality also improves.
【図１】本発明の第１の実施例に係わる樹脂封止型半導
体装置を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a resin-sealed semiconductor device according to a first embodiment of the invention.
【図２】半導体素子の動作モ−ドの決定を模式的に表す
図。FIG. 2 is a diagram schematically showing the determination of an operation mode of a semiconductor device.
【図３】図１の半導体装置を完成品にするまでの工程を
示す図。3A to 3D are diagrams showing steps until the semiconductor device of FIG. 1 is completed.
【図４】図１の半導体装置の完成品を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a completed product of the semiconductor device of FIG.
【図５】図１の半導体装置の完成品を示す図。5 is a diagram showing a completed product of the semiconductor device of FIG.
【図６】図１の半導体装置を完成品にするまでの工程を
示す図。6A to 6C are diagrams showing steps until the semiconductor device of FIG. 1 is completed.
【図７】本発明の第２の実施例に係わる樹脂封止型半導
体装置を示す図。FIG. 7 is a diagram showing a resin-sealed semiconductor device according to a second embodiment of the invention.
【図８】図７の半導体装置を完成品にするまでの工程を
示す図。8A to 8C are diagrams showing steps until the semiconductor device of FIG. 7 is completed.
【図９】図７の半導体装置を完成品にするまでの工程を
示す図。9A to 9C are diagrams showing steps until the semiconductor device of FIG. 7 is completed.
【図１０】図７の半導体装置の完成品を示す図。FIG. 10 is a diagram showing a completed product of the semiconductor device of FIG.
【図１１】図７の半導体装置の完成品を示す図。11 is a diagram showing a completed product of the semiconductor device of FIG.
【図１２】本発明の第３の実施例に係わる樹脂封止型半
導体装置を示す図。FIG. 12 is a diagram showing a resin-sealed semiconductor device according to a third embodiment of the invention.
【図１３】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図。FIG. 13 is a diagram showing a conventional resin-sealed semiconductor device.
【図１４】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図。FIG. 14 is a diagram showing a conventional resin-sealed semiconductor device.
【図１５】図１３の半導体装置の完成品を示す図。FIG. 15 is a view showing a completed product of the semiconductor device of FIG.
【図１６】図１４の半導体装置の完成品を示す図。16 is a diagram showing a completed product of the semiconductor device of FIG.
【図１７】半導体素子の動作モ−ドの決定を模式的に表
す図。FIG. 17 is a diagram schematically showing the determination of the operation mode of the semiconductor device.
１，１１ ：半導体素子、 ２，１２ ：ベッド、 ３1 …，１３1 … ：リ−ド、 ４，１４ ：ダムバ−、 ５1 …，１５1 … ：パッド、 ６，１６ ：モ−ルド樹脂、 ７1 …，１７1 … ：ワイヤ。 ＳＷ，ＳＷ１．ＳＷ２：スイッチ。1, 11: semiconductor element, 2, 12: bed, 3 1 ..., 13 1 ...: lead, 4, 14: dambar, 5 1 ..., 15 1 ...: pad, 6, 16: mold resin , 7 1 ..., 17 1 ...: Wire. SW, SW1. SW2: Switch.
Claims (4)
前記ベッドの周辺に配置される複数のリ−ドと、前記複
数のリ−ドに直交する方向に配置され、当該複数のリ−
ドに結合されるダムバ−とを具備し、前記複数のリ−ド
のうち少なくとも一つのリ−ドは、当該少なくとも一つ
のリ−ド以外の他のリ−ドよりも短く、かつ、前記ダム
バ−よりも前記ベッドの反対側において当該少なくとも
一つのリ−ドに隣接する一つ以上の他のリ−ドに電気的
に結合されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置用リ−ドフレ−ム。1. A bed for mounting a semiconductor device,
A plurality of leads arranged around the bed and a plurality of leads arranged in a direction orthogonal to the plurality of leads.
A dambar coupled to the dambar, at least one lead of the plurality of leads being shorter than the other leads other than the at least one lead, and the dambar. -A resin-sealed semiconductor device lead, which is electrically coupled to one or more other leads adjacent to the at least one lead on the side opposite to the bed. Dframe.
前記ベッドの周辺に配置される複数のリ−ドと、前記複
数のリ−ドに直交する方向に配置され、当該複数のリ−
ドに結合されるダムバ−とを具備し、前記複数のリ−ド
のうち少なくとも一つのリ−ドは、前記ダムバ−よりも
前記ベッド側にのみ存在することを特徴とする樹脂封止
型半導体装置用リ−ドフレ−ム。2. A bed for mounting a semiconductor device,
A plurality of leads arranged around the bed and a plurality of leads arranged in a direction orthogonal to the plurality of leads.
A resin-sealed semiconductor, wherein at least one lead of the plurality of leads is present only on the bed side of the dambar. Lead frame for equipment.
るためのベッドと、前記ベッドの周辺に配置される複数
のリ−ドと、前記半導体素子上の電極と各々のリ−ドと
を電気的に接続するためのワイヤと、前記半導体素子及
びその周囲を取り囲むモ−ルド樹脂とを具備し、前記複
数のリ−ドのうち少なくとも一つのリ−ドは、前記モ−
ルド樹脂の表面付近において切断され、又は前記樹脂か
ら露出し当該少なくとも一つのリ−ドに隣接する一つ以
上の他のリ−ドに電気的に結合されていることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。3. A semiconductor element, a bed for mounting the semiconductor element, a plurality of leads arranged around the bed, an electrode on the semiconductor element, and each lead are electrically connected. A wire for electrically connecting the semiconductor element and a mold resin surrounding the semiconductor element, and at least one of the plurality of leads is the mold.
Resin encapsulation, which is cut near the surface of the resin or exposed from the resin and electrically coupled to one or more other leads adjacent to the at least one lead. Type semiconductor device.
導体素子の動作モ−ドを決定するオプションパッドに接
続され、前記少なくとも一つのリ−ドに隣接する一つ以
上の他のリ−ドは、電源パッドに接続されていることを
特徴とする請求項３に記載の樹脂封止型半導体装置。4. The at least one lead is connected to an option pad that determines an operation mode of the semiconductor device, and one or more other leads adjacent to the at least one lead. Is connected to a power supply pad, and the resin-sealed semiconductor device according to claim 3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35418293A JPH07202111A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Lead frame for resin sealed semiconductor device and resin sealed semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35418293A JPH07202111A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Lead frame for resin sealed semiconductor device and resin sealed semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202111A true JPH07202111A (en) | 1995-08-04 |
Family
ID=18435844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35418293A Withdrawn JPH07202111A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Lead frame for resin sealed semiconductor device and resin sealed semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07202111A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003504874A (en) * | 1999-07-07 | 2003-02-04 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Semiconductor device configuration with placement by coding adjacent bonding pads |
| JP2007142205A (en) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Denso Corp | Connection device |
| JP2009289969A (en) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Nec Electronics Corp | Lead frame |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP35418293A patent/JPH07202111A/en not_active Withdrawn
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