JPH07202105A - Lead frame for semiconductor device - Google Patents
Lead frame for semiconductor deviceInfo
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- JPH07202105A JPH07202105A JP33865693A JP33865693A JPH07202105A JP H07202105 A JPH07202105 A JP H07202105A JP 33865693 A JP33865693 A JP 33865693A JP 33865693 A JP33865693 A JP 33865693A JP H07202105 A JPH07202105 A JP H07202105A
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- Japan
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- die pad
- lead
- lead frame
- semiconductor device
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型の半導体
装置用リードフレーム(以下、単に「リードフレーム」
と記す)に関し、特に多ピンのQFP型IC用リードフ
レームにおいて、ダイパッドを支持する吊りリードの補
強構造に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device lead frame (hereinafter referred to simply as "lead frame").
In particular, the present invention relates to a reinforcing structure of a suspension lead that supports a die pad in a lead frame for a QFP type IC having a large number of pins.
【0002】[0002]
【従来の技術】先ず、図2を用いて、従来技術のQFP
型樹脂封止半導体装置(以下、単に「QFP型IC」と
記す)に用いられているリードフレームの構造を説明す
る。図2は従来技術のリードフレームの要部の拡大平面
図である。このリードフレーム20は中央部に四辺形の
形状をしたダイパッド1を備え、このダイパッド1の四
辺の各周辺に沿って複数本のインナーリード2が所定の
間隔で配列されており、そして図示していないが、これ
ら各インナーリード2に対応して複数本のアウターリー
ドが接続されている。2. Description of the Related Art First, referring to FIG.
The structure of the lead frame used in the mold resin-sealed semiconductor device (hereinafter, simply referred to as “QFP type IC”) will be described. FIG. 2 is an enlarged plan view of a main part of a conventional lead frame. This lead frame 20 is provided with a quadrilateral die pad 1 in the center, and a plurality of inner leads 2 are arranged at predetermined intervals along each periphery of the four sides of the die pad 1, and are shown in the figure. Although not provided, a plurality of outer leads are connected to each of the inner leads 2.
【0003】そして、前記ダイパッド1はその各コーナ
ー部から延長している吊りリード3の先端部が不図示の
ステーまたはフレームに接続されて支持された状態の構
造に形成されている。なお、前記ステー及びフレームを
纏めて、以下、単に「ステー」と記す。The die pad 1 is formed in a structure in which the ends of the suspension leads 3 extending from the respective corners are connected to and supported by a stay or frame (not shown). The stay and the frame are collectively referred to as “stay” hereinafter.
【0004】このような構造のリードフレーム20の前
記ダイパッド1に半導体チップ4を固定し、その半導体
チップ4の各電極をボンディングワイヤー5で各インナ
ーリード2の内端部に接続した後、成形金型に搭載し、
前記半導体チップ4を樹脂封止するようにしている。The semiconductor chip 4 is fixed to the die pad 1 of the lead frame 20 having such a structure, each electrode of the semiconductor chip 4 is connected to the inner end portion of each inner lead 2 by the bonding wire 5, and then the molding die is formed. Mounted on the mold,
The semiconductor chip 4 is resin-sealed.
【0005】図示のリードフレーム20は多ピンのQF
P型で、各インナーリード2の内端部は加工限界である
ため、ダイパッド1側には出られない状態にある。それ
に比較して半導体チップ4は縮小化されるためにダイパ
ッド1の面積も小面積となり、それに従って吊りリード
2も細く、長くなり、そのような細く、長い吊りリード
2で前記ダイパッド1を支持し、ステーに接続しなけれ
ばならない。The illustrated lead frame 20 is a multi-pin QF.
Since it is a P type and the inner end portion of each inner lead 2 is the processing limit, it cannot be projected to the die pad 1 side. On the other hand, since the semiconductor chip 4 is reduced in size, the area of the die pad 1 is also reduced, and accordingly, the suspension lead 2 is also thin and long, and the die pad 1 is supported by such a thin and long suspension lead 2. , Must be connected to the stay.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】前記のように、半導体
チップは縮小化、多ピン化されると吊りリード2も細
く、長くなる。このため成形金型を用いて半導体チップ
4を溶融樹脂で樹脂封止する場合、その成形金型に溶融
樹脂を注入している時に、その溶融樹脂の流圧でダイパ
ッド1がステイシフトする現象が生じるという問題点が
あった。この発明はこのダイパッドのステイシフトの発
生を少なくすることを課題とするものである。As described above, when the semiconductor chip is reduced in size and the number of pins is increased, the suspension lead 2 is also thin and long. Therefore, when the semiconductor chip 4 is resin-sealed with a molten resin using a molding die, there is a phenomenon that the die pad 1 is stay-shifted by the flow pressure of the molten resin when the molten resin is injected into the molding die. There was a problem that it would occur. An object of the present invention is to reduce the occurrence of stay shift of the die pad.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】それ故、この発明のリー
ドフレームでは、複数のコーナーを有するダイパッド、
このダイパッドの周縁から所定の間隔を開け、そしてそ
の周縁に沿って所定の間隔で配列された内端部を備えた
複数のインナーリード及び前記ダイパッドの各コーナー
をステーに接続する吊りリードなどを備えた半導体装置
用リードフレームにおいて、前記ダイパッドと各インナ
ーリードとの間で、前記各吊りリード間を補強部材で接
続するように構成し、または、前記吊りリードを、その
両側に存在するインナーリードに補強部材で接続するよ
うに構成し、或いは両者を併用して、前記課題を解決し
た。Therefore, in the lead frame of the present invention, a die pad having a plurality of corners,
The die pad is provided with a predetermined distance from the peripheral edge thereof, and a plurality of inner leads having inner end portions arranged at a predetermined distance along the peripheral edge, and suspension leads for connecting the corners of the die pad to the stays. In the lead frame for a semiconductor device, between the die pad and each inner lead, the suspension leads are configured to be connected by a reinforcing member, or the suspension lead is connected to inner leads existing on both sides thereof. The above-mentioned problems were solved by using a reinforcing member for connection or by using both together.
【0008】[0008]
【作用】従って、ダイパッドは補強され、溶融樹脂の流
圧によるステイシフトを生じ難くなり、良好なQFP型
ICを得ることができる。Therefore, the die pad is reinforced, and the stay shift due to the flow pressure of the molten resin is less likely to occur, and a good QFP type IC can be obtained.
【0009】[0009]
【実施例】以下、図1を用いて、この発明のリードフレ
ームの構造を説明する。図1はこの発明のリードフレー
ムの要部の拡大平面図である。なお、従来技術のリード
フレームの構成部分と同一の構成部分には同一の符号を
付し、それらの構成の説明を省略する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The structure of the lead frame of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is an enlarged plan view of a main part of the lead frame of the present invention. The same components as those of the conventional lead frame are designated by the same reference numerals, and the description of those components will be omitted.
【0010】この図1において、符号10は全体として
この発明のリードフレームを指す。このリードフレーム
10においては、ダイパッド1と各インナーリード2と
の間で、前記各吊りリード2間を補強部材であるビーム
6A、6B、6C、6Dで接続し、更にまた、前記各吊
りリード3を、その長さ方向の複数箇所、この実施例で
は2箇所の部分で、その両側に存在するインナーリード
2に補強部材であるアーム7A、7Bで接続した。In FIG. 1, reference numeral 10 generally indicates a lead frame of the present invention. In this lead frame 10, between the die pad 1 and each inner lead 2, the suspension leads 2 are connected by beams 6A, 6B, 6C and 6D which are reinforcing members, and furthermore, the suspension leads 3 are also connected. Were connected to the inner leads 2 existing on both sides thereof at a plurality of positions in the lengthwise direction, that is, at two positions in this embodiment, by arms 7A and 7B which are reinforcing members.
【0011】このような構成のダイパッド1に半導体チ
ップ4を接着剤などでダイボンドし、その後半導体チッ
プ4の各電極とそれぞれに対応したインナーリード2の
内端部とをボンディングワイヤー5で接続し、この半導
体チップ4を固定したリードフレーム10をトランスフ
ァーモールド用成形金型に搭載して溶融樹脂を注入し、
樹脂封止すると所望の樹脂封止型半導体装置を得ること
ができる。The semiconductor chip 4 is die-bonded to the die pad 1 having such a structure with an adhesive or the like, and then each electrode of the semiconductor chip 4 and the inner end portion of the corresponding inner lead 2 are connected by a bonding wire 5. The lead frame 10 to which the semiconductor chip 4 is fixed is mounted on a transfer mold and a molten resin is injected,
By resin-sealing, a desired resin-sealed semiconductor device can be obtained.
【0012】前記実施例のリードフレーム10では、ビ
ーム6A、6B、6C、6Dとアーム7A、7Bを併用
し、吊りリード2をより強く補強し、ステイシフトの発
生をできるだけ防ぐようにしているが、半導体チップ4
やダイパッド1の面積の広さに応じて、ビーム及びアー
ムをそれぞれ単一に使用してもよい。In the lead frame 10 of the above embodiment, the beams 6A, 6B, 6C and 6D and the arms 7A and 7B are used together to reinforce the suspension lead 2 more strongly and prevent the occurrence of stay shift as much as possible. , Semiconductor chip 4
The beam and the arm may be used individually depending on the area of the die pad 1.
【0013】また、この実施例はQFP型ICに供する
リードフレームで説明したが、吊りリードを前記アーム
7A、7Bだけにより補強する場合には、他の形式、例
えば、SOP型IC用のリードフレームにも適用するこ
とができる。Although this embodiment has been described with reference to the lead frame used for the QFP type IC, when the suspension lead is reinforced only by the arms 7A and 7B, a lead frame for another type, for example, a SOP type IC is used. Can also be applied to.
【0014】[0014]
【発明の効果】以上説明したように、この発明のリード
フレームでは、吊りリードが補強部材であるビーム及び
またはアームで補強されるので、ダイパッドが安定した
構造になり、ステイシフトの少ない、或いはステイシフ
トが生じない樹脂封止型半導体装置を得ることができ
る。As described above, in the lead frame of the present invention, since the suspension lead is reinforced by the beam and / or the arm which is the reinforcing member, the die pad has a stable structure and the stay shift is small or the stay shift is small. It is possible to obtain a resin-sealed semiconductor device in which no shift occurs.
【図1】 この発明の半導体装置用リードフレームの要
部の拡大平面図である。FIG. 1 is an enlarged plan view of a main part of a lead frame for a semiconductor device according to the present invention.
【図2】 従来技術の半導体装置用リードフレームの要
部の拡大平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view of a main part of a conventional semiconductor device lead frame.
1 ダイパッド 2 インナーリード 3 吊りリード 4 半導体チップ 5 ボンディングワイヤー 6A ビーム 6B ビーム 6C ビーム 6D ビーム 7A アーム 7B アーム 10 この発明のリードフレーム 1 die pad 2 inner lead 3 suspension lead 4 semiconductor chip 5 bonding wire 6A beam 6B beam 6C beam 6D beam 7A arm 7B arm 10 lead frame of this invention
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成6年1月7日[Submission date] January 7, 1994
【手続補正1】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0003[Name of item to be corrected] 0003
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0003】そして、前記ダイパッド1はその各コーナ
ー部から延長している吊りリード3の先端部が不図示の
ステーまたはフレームに接続されて支持された状態の構
造に形成されている。なお、この明細書においては、前
記ステー及びフレームを纏めて「ステー」と称し、以
下、単に「ステー」と記す。The die pad 1 is formed in a structure in which the ends of the suspension leads 3 extending from the respective corners are connected to and supported by a stay or frame (not shown). In this specification,
The stay and the frame are collectively referred to as a "stay" and hereinafter simply referred to as "stay".
【手続補正2】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図1[Name of item to be corrected] Figure 1
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図1】 [Figure 1]
【手続補正3】[Procedure 3]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図2[Name of item to be corrected] Figure 2
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図2】 [Fig. 2]
Claims (2)
のダイパッドの周縁から所定の間隔を開け、そしてその
周縁に沿って所定の間隔で配列された内端部を備えた複
数のインナーリード及び前記ダイパッドの各コーナーを
ステーに接続する吊りリードなどを備えた半導体装置用
リードフレームにおいて、前記ダイパッドと各インナー
リードとの間で、前記各吊りリード間を補強部材で接続
したことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。1. A die pad having a plurality of corners, a plurality of inner leads having a predetermined distance from a peripheral edge of the die pad, and inner end portions arranged along the peripheral edge at a predetermined distance, and the die pad. In a lead frame for a semiconductor device including a suspension lead that connects each corner to a stay, for a semiconductor device, the suspension pad is connected between the die pad and each inner lead with a reinforcing member. Lead frame.
のダイパッドの周縁から所定の間隔を開け、そしてその
周縁に沿って所定の間隔で配列された複数のインナーリ
ード及び前記ダイパッドをステーに接続する吊りリード
などを備えた半導体装置用リードフレームにおいて、前
記吊りリードを、その両側に存在するインナーリードに
補強部材で接続したことを特徴とする半導体装置用リー
ドフレーム。2. A die pad having a plurality of corners, a plurality of inner leads arranged at predetermined intervals from a peripheral edge of the die pad, and arranged along the peripheral edge at a predetermined interval, and a suspension lead connecting the die pad to a stay. In a lead frame for a semiconductor device, the suspension lead is connected to inner leads existing on both sides thereof by a reinforcing member.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33865693A JPH07202105A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Lead frame for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33865693A JPH07202105A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Lead frame for semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07202105A true JPH07202105A (en) | 1995-08-04 |
Family
ID=18320235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33865693A Pending JPH07202105A (en) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Lead frame for semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07202105A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6020625A (en) * | 1998-03-27 | 2000-02-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame including hanging leads and hanging lead reinforcement in a semiconductor device including the lead frame |
CN102751205A (en) * | 2011-04-21 | 2012-10-24 | 瑞萨电子株式会社 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33865693A patent/JPH07202105A/en active Pending
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KR100310523B1 (en) * | 1998-03-27 | 2001-11-17 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | Lead frame for semiconductor device and semiconductor device |
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JP2012227445A (en) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Renesas Electronics Corp | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US9184142B2 (en) | 2011-04-21 | 2015-11-10 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
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