JPH07198762A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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Publication number
JPH07198762A
JPH07198762A JP5336106A JP33610693A JPH07198762A JP H07198762 A JPH07198762 A JP H07198762A JP 5336106 A JP5336106 A JP 5336106A JP 33610693 A JP33610693 A JP 33610693A JP H07198762 A JPH07198762 A JP H07198762A
Authority
JP
Japan
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voltage
power supply
circuit
input
vcc
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP5336106A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akihiro Ogasawara
明宏 小笠原
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to JP5336106A priority Critical patent/JPH07198762A/en
Publication of JPH07198762A publication Critical patent/JPH07198762A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To exactly evaluate the voltage detected by means of a low-voltage detecting circuit in a short time. CONSTITUTION:A semiconductor integrated circuit device is provided with an internal circuit 1, low-voltage detecting circuit 2, and A/D conversion circuit 3. The detecting circuit 2 inputs the power supply voltage Vcc supplied to the internal circuit 1. The detecting circuit 2 compares the voltage Vcc with a prefixed detecting voltage VDL and changes the level of a resetting signal RES based on the compared result. The A/D conversion circuit 3 inputs the voltage Vcc and converts the voltage Vcc into a digital value. Then the voltage Vcc is gradually dropped so that the conversion by the conversion circuit 3 can be performed based on the level of the resetting signal RES outputted from the detecting circuit 2.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は電源電圧の低下を検出
し、その検出結果に基づいたリセット信号を出力する低
電圧検出回路を備えた半導体集積回路装置に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device having a low voltage detection circuit for detecting a decrease in power supply voltage and outputting a reset signal based on the detection result.

【0002】近年、半導体集積回路装置は様々な電子機
器の制御に多く用いられるようになっている。その半導
体集積回路装置は電源電圧が低下すると誤動作を起こす
恐れがあるので、電源電圧の低下を検出する低電圧検出
回路が設けられている。低電圧検出回路は電源電圧と検
出電圧とを比較し、その比較結果に基づいて電源電圧の
低下を検出し、リセット信号を出力することで半導体集
積回路装置の誤動作を防止している。そのため、低電圧
検出回路がリセット信号を出力する検出電圧を短時間で
しかも正確に検出することが要望されている。
In recent years, semiconductor integrated circuit devices have been widely used for controlling various electronic devices. Since the semiconductor integrated circuit device may malfunction when the power supply voltage decreases, a low voltage detection circuit for detecting the decrease in the power supply voltage is provided. The low voltage detection circuit compares the power supply voltage with the detection voltage, detects a decrease in the power supply voltage based on the comparison result, and outputs a reset signal to prevent malfunction of the semiconductor integrated circuit device. Therefore, it is required to accurately detect the detection voltage at which the low voltage detection circuit outputs the reset signal in a short time.

【0003】[0003]

【従来の技術】図7は従来の半導体集積回路装置を示す
一部ブロック回路図である。半導体集積回路装置50に
は内部回路51が設けられている。内部回路51には例
えばメモリ等の回路が設けられている。その内部回路5
1には電源電圧Vccが供給され、その電源電圧Vccによ
り動作するようになっている。しかし、何らかの原因で
電源電圧Vccが低下すると、内部回路51は正常な動作
をしなくなってしまう。
2. Description of the Related Art FIG. 7 is a partial block circuit diagram showing a conventional semiconductor integrated circuit device. The semiconductor integrated circuit device 50 is provided with an internal circuit 51. The internal circuit 51 is provided with a circuit such as a memory. The internal circuit 5
A power supply voltage Vcc is supplied to 1 and it operates by the power supply voltage Vcc. However, if the power supply voltage Vcc drops for some reason, the internal circuit 51 will not operate normally.

【0004】そのため、半導体集積回路装置50には低
電圧検出回路52を設けたものがある。低電圧検出回路
52には電源電圧Vccが印加され、その電源電圧Vccの
電圧を検出し、その検出結果に基づいてHレベル又はL
レベルとなるリセット信号バーRESを内部回路51に
出力するようになっている。
Therefore, some semiconductor integrated circuit devices 50 are provided with a low voltage detection circuit 52. A power supply voltage Vcc is applied to the low voltage detection circuit 52, the voltage of the power supply voltage Vcc is detected, and H level or L is detected based on the detection result.
The reset signal bar RES that becomes the level is output to the internal circuit 51.

【0005】即ち、低電圧検出回路52内には内部回路
51が動作可能な検出電圧VDLが設計段階において予
め設定されている。低電圧検出回路52は設定された電
源電圧Vccと検出電圧VDLとを常に比較している。そ
して、図6に示すように、電源電圧Vccが検出電圧VD
Lより低下すると、低電圧検出回路52はHレベルのリ
セット信号バーRESを内部回路51に出力する。内部
回路51はHレベルのリセット信号バーRESを入力す
ると、動作を中断して初期状態に戻るようになってい
る。
That is, the detection voltage VDL at which the internal circuit 51 can operate is preset in the low voltage detection circuit 52 at the design stage. The low voltage detection circuit 52 constantly compares the set power supply voltage Vcc with the detection voltage VDL. Then, as shown in FIG. 6, the power supply voltage Vcc is equal to the detection voltage VD.
When the voltage drops below L, the low voltage detection circuit 52 outputs the H level reset signal bar RES to the internal circuit 51. When the internal circuit 51 receives the H-level reset signal bar RES, the internal circuit 51 suspends its operation and returns to the initial state.

【0006】そして、再び電源電圧Vccが上昇して予め
定めた検出電圧VDH(検出電圧VDLより高く、電源
電圧Vccより低く定めた電圧)より高くなると、低電圧
検出回路52はLレベルのリセット信号を出力する。す
ると、内部回路51は初期状態から動作を開始し、電源
電圧Vccの低下による誤動作を防止している。
When the power supply voltage Vcc rises again to become higher than a predetermined detection voltage VDH (a voltage higher than the detection voltage VDL and lower than the power supply voltage Vcc), the low voltage detection circuit 52 resets the L level reset signal. Is output. Then, the internal circuit 51 starts to operate from the initial state to prevent malfunction due to a decrease in the power supply voltage Vcc.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の低電
圧検出回路52に設定された検出電圧VDLが定格範囲
内か否かが出荷前に検査される。この検査方法として、
電源電圧Vccを任意の電圧に設定し、その時のリセット
信号バーRESの状態がHレベルかLレベルかによって
検査していた。即ち、電源電圧Vccの電圧を順次低下さ
せ、その時々のリセット信号バーRESの状態がLレベ
ルからHレベルに変化するときに印加していた電源電圧
Vccを検出電圧VDLとして検出していた。そのため、
検出電圧VDLを検出するまでに電源電圧Vccを複数回
繰り返して変更しなければならず、検査が面倒であると
いう問題があった。
By the way, it is inspected before shipment whether or not the detection voltage VDL set in the low voltage detection circuit 52 is within the rated range. As this inspection method,
The power supply voltage Vcc is set to an arbitrary voltage, and the reset signal bar RES at that time is inspected depending on whether it is at the H level or the L level. That is, the power supply voltage Vcc is sequentially decreased, and the power supply voltage Vcc applied when the state of the reset signal bar RES changes from the L level to the H level at each time is detected as the detection voltage VDL. for that reason,
The power supply voltage Vcc must be repeatedly changed a plurality of times before the detection voltage VDL is detected, and there is a problem that the inspection is troublesome.

【0008】また、検出電圧VDLを正確に検出するた
めには電源電圧Vccを少しずつ低下させなければならな
いので、検査に時間がかかるという問題があった。本発
明は上記問題点を解決するためになされたものであっ
て、その目的は低電圧検出回路の検出電圧を短時間でか
つ正確に評価することのできる半導体集積回路装置を提
供することにある。
Further, in order to detect the detection voltage VDL accurately, the power supply voltage Vcc must be gradually decreased, so that there is a problem that the inspection takes time. The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a semiconductor integrated circuit device capable of accurately evaluating a detection voltage of a low voltage detection circuit in a short time. .

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。半導体集積回路装置には内部回路1と低電圧
検出回路2とA/D変換回路3とを備えている。低電圧
検出回路2は内部回路1に供給される電源電圧Vccを入
力する。そして、低電圧検出回路2はその電源電圧Vcc
と予め定めた検出電圧VDLとを比較し、その比較結果
に基づいてリセット信号バーRESを出力する。
FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of the present invention. The semiconductor integrated circuit device includes an internal circuit 1, a low voltage detection circuit 2 and an A / D conversion circuit 3. The low voltage detection circuit 2 inputs the power supply voltage Vcc supplied to the internal circuit 1. Then, the low voltage detection circuit 2 receives the power supply voltage Vcc.
And a predetermined detection voltage VDL are compared, and a reset signal RES is output based on the comparison result.

【0010】A/D変換回路3は電源電圧Vccを入力
し、その電源電圧Vccをアナログ−ディジタル変換す
る。そして、電源電圧Vccを徐々に低下させ、A/D変
換回路3の変換を低電圧検出回路2の出力するリセット
信号バーRESのレベルに基づいて行う。
The A / D conversion circuit 3 receives the power supply voltage Vcc and converts the power supply voltage Vcc from analog to digital. Then, the power supply voltage Vcc is gradually decreased, and conversion of the A / D conversion circuit 3 is performed based on the level of the reset signal bar RES output from the low voltage detection circuit 2.

【0011】[0011]

【作用】従って、本発明によれば、電源電圧Vccをアナ
ログ−ディジタル変換するA/D変換回路3の変換をリ
セット信号バーRESにより行うようにした。その結
果、低電圧検出回路2が出力するリセット信号バーRE
Sのレベルが切り換わるときの電源電圧、即ち、検出電
圧が容易にかつ正確に検出することができ、その検査時
間を短縮することができる。
Therefore, according to the present invention, the A / D conversion circuit 3 for converting the power supply voltage Vcc from analog to digital is converted by the reset signal RES. As a result, the reset signal bar RE output by the low voltage detection circuit 2 is output.
The power supply voltage when the S level is switched, that is, the detection voltage can be detected easily and accurately, and the inspection time can be shortened.

【0012】[0012]

【実施例】【Example】

(第一実施例)以下、本発明を具体化した第一実施例を
図2,図3に従って説明する。
(First Embodiment) A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0013】図2は、半導体集積回路装置を示す一部ブ
ロック回路図である。半導体集積回路装置10には低電
圧検出回路11と選択回路12とA/Dコンバータ13
とCPU14とが設けられている。
FIG. 2 is a partial block circuit diagram showing a semiconductor integrated circuit device. The semiconductor integrated circuit device 10 includes a low voltage detection circuit 11, a selection circuit 12, and an A / D converter 13.
And a CPU 14 are provided.

【0014】低電圧検出回路11の入力端子には外部端
子15が接続されている。外部端子15には図示しない
テスト装置が接続されている。テスト装置は低電圧検出
回路の検査を行うために接続され、設定により任意の電
圧を出力することができるようになっている。
An external terminal 15 is connected to the input terminal of the low voltage detection circuit 11. A test device (not shown) is connected to the external terminal 15. The test device is connected to test the low voltage detection circuit and can output an arbitrary voltage depending on the setting.

【0015】尚、本実施例ではテスト装置は5ボルトか
ら0ボルトの間の任意の電圧を出力することが可能であ
る。また、テスト装置は出力電圧を徐々に低下させるこ
とが可能であって、その出力電圧をテスト電圧VTとし
て外部端子15を介して低電圧検出回路11に印加する
ようになっている。また、通常の使用において、外部端
子15は高電位側電源Vccに接続され、電源電圧Vccが
外部端子15を介して低電圧検出回路11に印加される
ようになっている。
In this embodiment, the test device can output any voltage between 5 V and 0 V. Further, the test apparatus can gradually reduce the output voltage and applies the output voltage as the test voltage VT to the low voltage detection circuit 11 via the external terminal 15. Further, in normal use, the external terminal 15 is connected to the high-potential side power supply Vcc, and the power supply voltage Vcc is applied to the low voltage detection circuit 11 via the external terminal 15.

【0016】低電圧検出回路11の出力端子は選択回路
12に接続されている。低電圧検出回路11には予め検
出電圧VDLが設定されている。低電圧検出回路11は
テスト電圧VTを入力し、テスト電圧VTと検出電圧V
DLとを比較する。その比較結果に基づいて、低電圧検
出回路11はリセット信号バーRESのレベルを変更し
て出力するようになっている。即ち、テスト電圧VTが
検出電圧VDLより高い場合、低電圧検出回路11はL
レベルのリセット信号バーRESを選択回路12に出力
する。一方、テスト電圧VTが検出電圧VDL以下の場
合、図3に示すように低電圧検出回路11はHレベルの
リセット信号バーRESを選択回路12に出力する。
The output terminal of the low voltage detection circuit 11 is connected to the selection circuit 12. The detection voltage VDL is preset in the low voltage detection circuit 11. The low voltage detection circuit 11 receives the test voltage VT, and outputs the test voltage VT and the detection voltage V
Compare with DL. Based on the comparison result, the low voltage detection circuit 11 changes the level of the reset signal bar RES and outputs it. That is, when the test voltage VT is higher than the detection voltage VDL, the low voltage detection circuit 11 outputs L
The level reset signal bar RES is output to the selection circuit 12. On the other hand, when the test voltage VT is equal to or lower than the detection voltage VDL, the low voltage detection circuit 11 outputs the H level reset signal RES to the selection circuit 12 as shown in FIG.

【0017】そして、通常の使用において、低電圧検出
回路11は電源電圧Vccを入力し、電源電圧Vccと検出
電圧VDLとを比較する。そして、低電圧検出回路11
は電源電圧Vccが検出電圧VDLより高い場合にはLレ
ベルのリセット信号バーRESを出力し、電源電圧Vcc
が検出電圧VDL以下の場合にはHレベルのリセット信
号バーRESを出力する。
In normal use, the low voltage detection circuit 11 inputs the power supply voltage Vcc and compares the power supply voltage Vcc with the detection voltage VDL. Then, the low voltage detection circuit 11
Outputs a reset signal bar RES at L level when the power supply voltage Vcc is higher than the detection voltage VDL,
When is lower than the detection voltage VDL, an H level reset signal RES is output.

【0018】選択回路12には2つの入力端子が設けら
れ、その一方の入力端子に前記リセット信号バーRES
を入力し、他方の入力端子には外部端子16が接続さ
れ、外部端子16を介して変換開始信号ADSTを入力
するようになっている。選択回路12には2つの出力端
子が設けられ、一方の出力端子はCPU14のリセット
端子RSTに接続され、他方の出力端子はA/Dコンバ
ータ13の外部起動入力EXTに接続されている。
The selection circuit 12 is provided with two input terminals, one of which has the reset signal bar RES.
The external input terminal 16 is connected to the other input terminal, and the conversion start signal ADST is input via the external terminal 16. The selection circuit 12 is provided with two output terminals, one output terminal is connected to the reset terminal RST of the CPU 14, and the other output terminal is connected to the external start input EXT of the A / D converter 13.

【0019】また、選択回路12はCPU14の出力端
子17に接続されている。選択回路12はCPU14か
ら出力される切換信号C0を入力し、切換信号C0に基
づいて入力端子と出力端子を切換接続するようになって
いる。即ち、切換信号C0が「0」の場合、選択回路1
2はリセット信号バーRESをCPU14のリセット端
子RSTに入力させ、変換開始信号ADSTをA/Dコ
ンバータ13の外部起動入力EXTに入力させる。一
方、切換信号C0が「1」の場合、選択回路12はリセ
ット信号バーRESをA/Dコンバータ13の外部起動
入力EXTに入力させる。
The selection circuit 12 is also connected to the output terminal 17 of the CPU 14. The selection circuit 12 receives the switching signal C0 output from the CPU 14, and switches and connects the input terminal and the output terminal based on the switching signal C0. That is, when the switching signal C0 is "0", the selection circuit 1
2 inputs the reset signal bar RES to the reset terminal RST of the CPU 14 and inputs the conversion start signal ADST to the external start input EXT of the A / D converter 13. On the other hand, when the switching signal C0 is "1", the selection circuit 12 inputs the reset signal bar RES to the external start input EXT of the A / D converter 13.

【0020】A/Dコンバータ13には8つの入力チャ
ネルAN0〜AN7が設けられている。入力チャネルA
N0には前記外部端子15が接続され、テスト電圧VT
を入力する。他の入力チャネルAN1〜AN7には温度
センサや重量センサ等のセンサが接続され、温度や重量
に応じた電圧を入力するようになっている。
The A / D converter 13 is provided with eight input channels AN0 to AN7. Input channel A
The external terminal 15 is connected to N0, and the test voltage VT
Enter. Sensors such as a temperature sensor and a weight sensor are connected to the other input channels AN1 to AN7 to input a voltage according to temperature and weight.

【0021】また、A/Dコンバータ13にはCPU1
4が接続されている。A/Dコンバータ13はCPU1
4からセレクト信号S0を入力すると、そのセレクト信
号S0に基づいて8つの入力チャネルAN0〜AN7の
うち1つを選択する。A/Dコンバータ13は内部起動
又は外部起動入力EXTに入力する変換開始信号ADS
Tの立ち上がりに基づいてA/D変換を起動し、選択し
た入力チャネルから入力した電圧を所定のビット数のデ
ィジタルデータに変換する。そして、A/Dコンバータ
13は変換したディジタルデータを内部のラッチ回路
(図示せず)に記憶するようになっている。
The A / D converter 13 has a CPU 1
4 is connected. A / D converter 13 is CPU1
When the select signal S0 is input from 4, one of the eight input channels AN0 to AN7 is selected based on the select signal S0. The A / D converter 13 is a conversion start signal ADS input to the internal start or external start input EXT.
The A / D conversion is started based on the rising edge of T, and the voltage input from the selected input channel is converted into digital data having a predetermined number of bits. Then, the A / D converter 13 stores the converted digital data in an internal latch circuit (not shown).

【0022】CPU14にはリードオンリイメモリ(R
OM)18とランダムアクセスメモリ(RAM)19と
が内蔵されている。ROM18には半導体集積回路装置
10を動作させる動作プログラムと、低電圧検出回路1
1の検査を行う検査プログラムとが記憶されている。R
AM19には両プログラムに基づいてCPU14の演算
結果が一時的に記憶されている。
The CPU 14 has a read-only memory (R
An OM) 18 and a random access memory (RAM) 19 are built in. The ROM 18 includes an operation program for operating the semiconductor integrated circuit device 10 and the low voltage detection circuit 1
An inspection program for performing inspection 1 is stored. R
The calculation result of the CPU 14 is temporarily stored in the AM 19 based on both programs.

【0023】また、CPU14には検査開始信号STが
入力され、その検査開始信号STに基づいてCPU14
は、例えば検査開始信号STが「0」のときには動作プ
ログラムを実行し、「1」のときには検査プログラムを
実行するようになっている。そして、検査プログラムに
おいてCPU14は、セレクト信号S0を出力してA/
Dコンバータ13の入力チャネルAN0を選択する。ま
た、検査プログラムにおいてCPU14は切換信号C0
を出力して選択回路12を切換制御し、低電圧検出回路
11から出力されるリセット信号バーRESをA/Dコ
ンバータ13の外部起動入力EXTに入力させるように
なっている。従って、A/Dコンバータ13はリセット
信号バーRESの立ち上がりによりA/D変換を起動
し、入力チャネルAN0に入力したテスト電圧VTをA
/D変換する。
An inspection start signal ST is input to the CPU 14, and the CPU 14 receives the inspection start signal ST based on the inspection start signal ST.
For example, when the inspection start signal ST is "0", the operation program is executed, and when it is "1", the inspection program is executed. Then, in the inspection program, the CPU 14 outputs a select signal S0 to output A /
The input channel AN0 of the D converter 13 is selected. Further, in the inspection program, the CPU 14 causes the switching signal C0
Is output to control the switching of the selection circuit 12, and the reset signal bar RES output from the low voltage detection circuit 11 is input to the external start input EXT of the A / D converter 13. Therefore, the A / D converter 13 activates the A / D conversion at the rising edge of the reset signal RES, and the test voltage VT input to the input channel AN0
/ D conversion.

【0024】次に上記のように構成された半導体集積回
路装置の作用を説明する。先ず、テスト電圧VTを5ボ
ルトになるようにテスト装置を設定し、そのテスト電圧
VTを入力端子15を介して低電圧検出回路11とA/
Dコンバータ13に印加させる。そして、検査開始信号
STを「1」にしてCPU14に入力させる。
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit device configured as described above will be described. First, the test apparatus is set so that the test voltage VT becomes 5 V, and the test voltage VT is supplied to the low voltage detection circuit 11 and A / A via the input terminal 15.
It is applied to the D converter 13. Then, the inspection start signal ST is set to "1" and input to the CPU 14.

【0025】CPU14は「1」の検査開始信号STを
入力すると、ROM18に記憶された検査プログラムを
読み込み、低電圧検出回路11の検査を行う。即ち、C
PU14はセレクト信号S0をA/Dコンバータ13に
出力し、入力チャネルAN0を選択して電源電圧Vccを
A/Dコンバータ13に入力させる。又、CPU14は
選択信号C0を選択回路12に出力し、低電圧検出回路
11から出力されるリセット信号バーRESをA/Dコ
ンバータ13の外部起動入力EXTに入力させる。
When the inspection start signal ST of "1" is input, the CPU 14 reads the inspection program stored in the ROM 18 and inspects the low voltage detection circuit 11. That is, C
The PU 14 outputs the select signal S0 to the A / D converter 13, selects the input channel AN0 and inputs the power supply voltage Vcc to the A / D converter 13. Further, the CPU 14 outputs the selection signal C0 to the selection circuit 12, and inputs the reset signal bar RES output from the low voltage detection circuit 11 to the external start input EXT of the A / D converter 13.

【0026】次に、テスト装置を制御し、テスト電圧V
Tを5ボルトから徐々に低下させる。このとき、低電圧
検出回路11は入力したテスト電圧VTと検出電圧VD
Lとを比較する。そして、テスト電圧VTが検出電圧V
DL以下になると、図3に示すように低電圧検出回路1
1はLレベルからHレベルのリセット信号バーRESを
出力する。
Next, the test device is controlled and the test voltage V
Gradually reduce T from 5 volts. At this time, the low voltage detection circuit 11 receives the input test voltage VT and detection voltage VD.
Compare with L. Then, the test voltage VT is the detection voltage V
When it becomes equal to or lower than DL, as shown in FIG.
1 outputs a reset signal RES from L level to H level.

【0027】A/Dコンバータ13はリセット信号バー
RESがHレベルになると、A/D変換を起動し、その
時に入力したテスト電圧VTを変換する。そして、A/
Dコンバータ13は変換したデータをラッチする。CP
U14は変換終了後にA/Dコンバータ13にラッチさ
れたディジタルデータDiを入力し、RAM19に記憶
する。
When the reset signal RES becomes H level, the A / D converter 13 starts A / D conversion and converts the test voltage VT input at that time. And A /
The D converter 13 latches the converted data. CP
After the conversion, U14 inputs the digital data Di latched in the A / D converter 13 and stores it in the RAM 19.

【0028】このディジタルデータDiは低電圧検出回
路11に入力されたテスト電圧VTによりリセット信号
バーRESがLレベルからHレベルに変更された実際の
検出電圧VDLに対応している。従って、このディジタ
ルデータDiをRAM19から読み出すことにより低電
圧検出回路11の実際の検出電圧VDLを知ることがで
きる。
This digital data Di corresponds to the actual detection voltage VDL in which the reset signal RES is changed from the L level to the H level by the test voltage VT input to the low voltage detection circuit 11. Therefore, the actual detection voltage VDL of the low voltage detection circuit 11 can be known by reading this digital data Di from the RAM 19.

【0029】このように、本実施例では、A/Dコンバ
ータ13を設け、その入力チャネルAN0に低電圧検出
回路11に入力するテスト電圧VTを入力する。一方、
低電圧検出回路11から出力されるリセット信号バーR
ESを選択回路12を介してA/Dコンバータ13の外
部起動入力EXTに入力する。そして、テスト電圧VT
を徐々に低下させ、リセット信号バーRESの立ち上が
りによりA/D変換を起動させるようにした。
As described above, in this embodiment, the A / D converter 13 is provided, and the test voltage VT input to the low voltage detection circuit 11 is input to the input channel AN0 thereof. on the other hand,
Reset signal bar R output from the low voltage detection circuit 11
ES is input to the external activation input EXT of the A / D converter 13 via the selection circuit 12. And the test voltage VT
Is gradually decreased, and the A / D conversion is activated by the rise of the reset signal bar RES.

【0030】その結果、リセット信号バーRESの立ち
上がり、即ち、テスト電圧VTの低下を低電圧検出回路
11により検出したときのそのテスト電圧VTを検出す
ることができる。従って、検出回数が1回で済み、容易
に検査を行うことができる。また、実際の検出電圧VD
Lをディジタル化したディジタルデータDiがRAM1
9に記憶されるので、正確に検査を行うことができる。
また、テスト電圧VTを一度低下させるだけで検査を行
うことができるので、検査時間を短縮することができ
る。
As a result, it is possible to detect the rising edge of the reset signal RES, that is, the test voltage VT when the low voltage detecting circuit 11 detects the drop of the test voltage VT. Therefore, the number of times of detection is only one, and the inspection can be easily performed. In addition, the actual detection voltage VD
The digital data Di obtained by digitizing L is the RAM 1
Since it is stored in 9, the inspection can be performed accurately.
Moreover, since the inspection can be performed by only lowering the test voltage VT once, the inspection time can be shortened.

【0031】また、検査結果を通常動作に使用するA/
Dコンバータ13を用いた。従って、検査のためだけの
A/Dコンバータを用いない分だけ半導体集積回路装置
の小型化が図れる。 (第二実施例)以下、本発明を具体化した第二実施例を
図4に従って説明する。
In addition, the inspection result is used for normal operation A /
The D converter 13 was used. Therefore, the size of the semiconductor integrated circuit device can be reduced by the amount that the A / D converter only for inspection is not used. (Second Embodiment) A second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

【0032】図4は、半導体集積回路装置を示すブロッ
ク回路図である。半導体集積回路装置20には低電圧検
出回路21とA/Dコンバータ22とCPU23が設け
られている。
FIG. 4 is a block circuit diagram showing a semiconductor integrated circuit device. The semiconductor integrated circuit device 20 is provided with a low voltage detection circuit 21, an A / D converter 22 and a CPU 23.

【0033】低電圧検出回路21には入力端子31,3
2、出力端子33〜35、分圧抵抗36、定電圧源37
及びコンパレータ38が設けられている。低電圧検出回
路21の入力端子31は高電位側電源Vccに接続され、
入力端子32は低電位側電源Vss(高電位側電源Vccに
対して低電圧であって、本実施例ではグランド)に接続
されている。
The low voltage detection circuit 21 has input terminals 31, 3
2, output terminals 33 to 35, voltage dividing resistor 36, constant voltage source 37
And a comparator 38 are provided. The input terminal 31 of the low voltage detection circuit 21 is connected to the high potential side power source Vcc,
The input terminal 32 is connected to the low-potential-side power supply Vss (which has a low voltage with respect to the high-potential-side power supply Vcc and is the ground in this embodiment).

【0034】両入力端子31,32間には分圧抵抗36
が接続されている。分圧抵抗36は抵抗R1と抵抗R2
とにより構成されている。抵抗R1,R2は予め定めた
抵抗値に形成され、高電位側電源Vccと低電位側電源V
ss間の電圧(本実施例では電源電圧Vcc)を分圧してい
る。従って、ノードAの電圧は電源電圧Vccの変動に応
じて変動する。そして、このノードAの電圧はコンパレ
ータ38の反転入力端子に入力される。
A voltage dividing resistor 36 is provided between the input terminals 31 and 32.
Are connected. The voltage dividing resistor 36 is a resistor R1 and a resistor R2.
It is composed of and. The resistors R1 and R2 are formed to have a predetermined resistance value, and the high potential side power source Vcc and the low potential side power source V
The voltage between ss (power supply voltage Vcc in this embodiment) is divided. Therefore, the voltage of the node A fluctuates according to the fluctuation of the power supply voltage Vcc. Then, the voltage of the node A is input to the inverting input terminal of the comparator 38.

【0035】コンパレータ38の非反転入力端子には定
電圧源37が接続されている。定電圧源37はコンパレ
ータ38と定電圧源37との間のノードBの電圧が検出
電圧VDLとなるように予め設定され、電源電圧Vccが
変動しても一定の検出電圧VDLを出力するようになっ
ている。
A constant voltage source 37 is connected to the non-inverting input terminal of the comparator 38. The constant voltage source 37 is preset so that the voltage of the node B between the comparator 38 and the constant voltage source 37 becomes the detection voltage VDL, and the constant detection voltage VDL is output even if the power supply voltage Vcc changes. Has become.

【0036】また、コンパレータ38には出力端子33
が接続されている。そして、コンパレータ38は入力し
た電源電圧Vccを分圧したノードAの電圧とノードBの
検出電圧VDLとを比較する。そして、コンパレータ3
8はノードAの電圧がノードBの検出電圧VDLより高
い場合にはLレベルのリセット信号バーRESを、ノー
ドAの電圧がノードBの検出電圧VDLより低い場合に
はHレベルのリセット信号バーRESを出力する。
Further, the comparator 38 has an output terminal 33.
Are connected. Then, the comparator 38 compares the voltage of the node A obtained by dividing the input power supply voltage Vcc with the detection voltage VDL of the node B. And the comparator 3
Reference numeral 8 denotes an L level reset signal bar RES when the voltage of the node A is higher than the detection voltage VDL of the node B, and an H level reset signal bar RES when the voltage of the node A is lower than the detection voltage VDL of the node B. Is output.

【0037】ノードAには出力端子34が接続され、ノ
ードBには出力端子35が接続されている。両出力端子
34,35はA/Dコンバータ22に接続されている。
A/Dコンバータ22は複数のアナログ入力端子(本実
施例では2入力)AN1,AN2と、ディジタル出力端
子DOUT を備えている。アナログ入力端子AN1は低電
圧検出回路21の出力端子34に接続され、出力端子3
4を介してノードAの電圧を入力する。また、アナログ
入力端子AN2は低電圧検出回路21の出力端子35に
接続され、出力端子35を介してノードBの検出電圧V
DLを入力するようになっている。
The output terminal 34 is connected to the node A, and the output terminal 35 is connected to the node B. Both output terminals 34 and 35 are connected to the A / D converter 22.
The A / D converter 22 has a plurality of analog input terminals (two inputs in this embodiment) AN1 and AN2, and a digital output terminal D OUT . The analog input terminal AN1 is connected to the output terminal 34 of the low voltage detection circuit 21, and the output terminal 3
The voltage of the node A is input via 4. The analog input terminal AN2 is connected to the output terminal 35 of the low voltage detection circuit 21, and the detection voltage V of the node B is output via the output terminal 35.
It is designed to input DL.

【0038】A/Dコンバータ22のディジタル出力端
子DOUT はCPU23に接続され、A/D変換したディ
ジタルデータDiがCPU23により読み出される。ま
た、A/Dコンバータ22はCPU23から入力切替信
号C0を入力するようになっている。そして、A/Dコ
ンバータ22は入力切替信号C0に基づいてアナログ入
力端子AN1,AN2の何れか一方を選択し、その選択
したアナログ入力端子AN1,AN2に入力した信号を
アナログ−ディジタル変換する。
The digital output terminal D OUT of the A / D converter 22 is connected to the CPU 23, and the A / D converted digital data Di is read by the CPU 23. Further, the A / D converter 22 is adapted to receive the input switching signal C0 from the CPU 23. Then, the A / D converter 22 selects either one of the analog input terminals AN1 and AN2 based on the input switching signal C0, and performs analog-digital conversion on the signals input to the selected analog input terminals AN1 and AN2.

【0039】即ち、入力切替信号C0がLレベルのとき
入力チャネルはアナログ入力端子AN1に切り換えら
れ、入力切替信号C0がHレベルのとき入力チャネルは
アナログ入力端子AN2に切り換えられる。そして、変
換したデータを内部のラッチ回路(図示せず)に記憶す
るとともに、ディジタル出力端子DOUT を介してCPU
23により変換したディジタルデータDiが読み出され
るようになっている。
That is, when the input switching signal C0 is L level, the input channel is switched to the analog input terminal AN1, and when the input switching signal C0 is H level, the input channel is switched to the analog input terminal AN2. Then, the converted data is stored in an internal latch circuit (not shown), and the CPU is connected via the digital output terminal D OUT.
The digital data Di converted by 23 is read out.

【0040】従って、CPU23はA/Dコンバータ2
2を介して低電圧検出回路21のノードAの分圧電圧と
ノードBの検出電圧VDLとをアナログ−ディジタル変
換したディジタルデータDiをそれぞれ入力することが
できる。
Therefore, the CPU 23 uses the A / D converter 2
The divided voltage of the node A of the low voltage detection circuit 21 and the detection voltage VDL of the node B of the low voltage detection circuit 21 can be inputted via the digital data Di, respectively.

【0041】また、CPU23は検査開始信号STを入
力するようになっている。CPU23が検査開始信号S
Tを入力すると、入力切替信号C0を出力してA/Dコ
ンバータ22のアナログ入力端子AN1,AN2を切換
え、A/D変換されたノードAの分圧電圧とノードBの
検出電圧VDLとを入力する。
Further, the CPU 23 is adapted to input the inspection start signal ST. CPU 23 causes inspection start signal S
When T is input, the input switching signal C0 is output to switch the analog input terminals AN1 and AN2 of the A / D converter 22, and the A / D-converted divided voltage of the node A and the detection voltage VDL of the node B are input. To do.

【0042】そして、CPU23は入力したノードAの
分圧電圧とノードBの検出電圧VDLとを比較する。即
ち、ノードAの分圧電圧は電源電圧Vccを分圧した電圧
である。電源電圧Vccを5ボルトにして低電圧検出回路
21に印加すると、その電源電圧Vccに対応する電圧、
即ち、分圧抵抗36の抵抗R1と抵抗R2との比を求め
ることができる。従って、コンパレータ38の出力がL
レベルに変化する電圧、即ち、ノードAの分圧電圧がノ
ードBの検出電圧VDLと等しくなるときの電源電圧V
ccを逆に求めることができる。そして、この求めた電圧
が低電圧検出回路21の実際の検出電圧VDLとなる。
Then, the CPU 23 compares the input divided voltage of the node A with the detected voltage VDL of the node B. That is, the divided voltage of the node A is a voltage obtained by dividing the power supply voltage Vcc. When the power supply voltage Vcc is set to 5 V and applied to the low voltage detection circuit 21, a voltage corresponding to the power supply voltage Vcc,
That is, the ratio between the resistance R1 and the resistance R2 of the voltage dividing resistor 36 can be obtained. Therefore, the output of the comparator 38 is L
The voltage that changes to the level, that is, the power supply voltage V when the divided voltage of the node A becomes equal to the detection voltage VDL of the node B
cc can be obtained in reverse. Then, the obtained voltage becomes the actual detection voltage VDL of the low voltage detection circuit 21.

【0043】そして、CPU23はその比較結果を内蔵
したランダムアクセスメモリ(RAM)39に記憶す
る。次に、上記のように構成された半導体集積回路装置
の作用を説明する。
Then, the CPU 23 stores the comparison result in the built-in random access memory (RAM) 39. Next, the operation of the semiconductor integrated circuit device configured as described above will be described.

【0044】CPU23は検査開始信号STを入力する
と、入力切替信号C0をLレベルにしてA/Dコンバー
タ22に出力し、A/Dコンバータ22の入力チャネル
をアナログ入力端子AN1に切り換える。このとき、電
源電圧Vccを5ボルトに設定しておく。
When the inspection start signal ST is input, the CPU 23 sets the input switching signal C0 to L level and outputs it to the A / D converter 22, and switches the input channel of the A / D converter 22 to the analog input terminal AN1. At this time, the power supply voltage Vcc is set to 5 volts.

【0045】すると、A/Dコンバータ22はノードA
の分圧電圧をアナログ入力端子AN1を介して入力して
A/D変換する。そして、A/Dコンバータ22は変換
したデータをラッチするとともに、CPU23に出力す
る。CPU23は変換後のデータを入力すると、RAM
39に記憶する。
Then, the A / D converter 22 outputs the node A
The divided voltage is input through the analog input terminal AN1 and A / D converted. Then, the A / D converter 22 latches the converted data and outputs it to the CPU 23. When the CPU 23 inputs the converted data, the RAM
Store in 39.

【0046】次に、CPU23は入力切替信号C0をH
レベルにしてA/Dコンバータ22に出力し、A/Dコ
ンバータ22の入力チャネルをアナログ入力端子AN2
に切り換える。すると、A/Dコンバータ22は検出電
圧VDLをアナログ入力端子AN2を介して入力してA
/D変換する。そして、A/Dコンバータ22は変換し
たデータをラッチするとともに、CPU23に出力す
る。CPU23は変換後のデータを入力すると、RAM
39に記憶する。
Next, the CPU 23 sets the input switching signal C0 to H level.
The level is output to the A / D converter 22, and the input channel of the A / D converter 22 is set to the analog input terminal AN2.
Switch to. Then, the A / D converter 22 inputs the detection voltage VDL via the analog input terminal AN2 to input A
/ D conversion. Then, the A / D converter 22 latches the converted data and outputs it to the CPU 23. When the CPU 23 inputs the converted data, the RAM
Store in 39.

【0047】次に、CPU23はノードAの分圧電圧に
より分圧抵抗36の抵抗R1と抵抗R2との比を計算す
る。次に、CPU23は計算した抵抗R1,R2の比と
検出電圧VDLとにより、コンパレータ38の出力であ
るリセット信号バーRESがHレベルに変化するときの
電源電圧Vccを計算する。この計算結果の電源電圧Vcc
が実際に低電圧検出回路21により検出される電源電圧
Vccの検出電圧VDLとなる。
Next, the CPU 23 calculates the ratio between the resistance R1 and the resistance R2 of the voltage dividing resistor 36 based on the divided voltage of the node A. Next, the CPU 23 calculates the power supply voltage Vcc when the reset signal bar RES, which is the output of the comparator 38, changes to the H level based on the calculated ratio of the resistors R1 and R2 and the detected voltage VDL. Power supply voltage Vcc of this calculation result
Becomes the detection voltage VDL of the power supply voltage Vcc actually detected by the low voltage detection circuit 21.

【0048】このように、本実施例では、低電圧検出回
路21のコンパレータ38により比較される電源電圧V
ccを分圧したノードAの分圧電圧とノードBの検出電圧
VDLとを出力端子34,35を介してA/Dコンバー
タ22に入力してA/D変換する。そして、A/D変換
後のデータにより分圧抵抗36の抵抗R1と抵抗R2と
の比を求める。この求められた抵抗R1,R2の比と検
出電圧VDLとにより、リセット信号バーRESがHレ
ベルに変化するときの電源電圧Vcc、即ち、実際に低電
圧検出回路21により検出される検出電圧VDLを求め
ることができる。その結果、電源電圧Vccを変化させて
実際に低電圧検出回路21を動作させることなく検出電
圧VDLを検査することができるので、検出回数が1回
で済み、容易に検査を行うことができる。
As described above, in this embodiment, the power supply voltage V compared by the comparator 38 of the low voltage detection circuit 21.
The divided voltage of the node A obtained by dividing cc and the detection voltage VDL of the node B are input to the A / D converter 22 via the output terminals 34 and 35, and A / D converted. Then, the ratio between the resistors R1 and R2 of the voltage dividing resistor 36 is obtained from the A / D converted data. Based on the obtained ratio of the resistors R1 and R2 and the detection voltage VDL, the power supply voltage Vcc when the reset signal bar RES changes to the H level, that is, the detection voltage VDL actually detected by the low voltage detection circuit 21 You can ask. As a result, the detection voltage VDL can be inspected without actually operating the low voltage detection circuit 21 by changing the power supply voltage Vcc, so that the number of detection times is one and the inspection can be performed easily.

【0049】また、ノードAの分圧電圧とノードBの検
出電圧VDLとがCPU23によりRAM39に記憶さ
れるので、A/D変換を繰り返す必要がなく、検査時間
を短縮することができる。 (第三実施例)以下、本発明を具体化した第三実施例を
図5に従って説明する。
Further, since the divided voltage of the node A and the detection voltage VDL of the node B are stored in the RAM 39 by the CPU 23, it is not necessary to repeat the A / D conversion, and the inspection time can be shortened. (Third Embodiment) A third embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

【0050】図5は、半導体集積回路装置を示すブロッ
ク回路図である。半導体集積回路装置40には低電圧検
出回路41とD/Aコンバータ42とCPU43とを備
えている。低電圧検出回路41にはトランスミッション
ゲート44が接続され、そのトランスミッションゲート
44を介して電源電圧Vccを入力する。そして、低電圧
検出回路41は電源電圧Vccの低下を検出し、その検出
結果に基づいたリセット信号バーRESを出力するよう
になっている。
FIG. 5 is a block circuit diagram showing a semiconductor integrated circuit device. The semiconductor integrated circuit device 40 includes a low voltage detection circuit 41, a D / A converter 42, and a CPU 43. A transmission gate 44 is connected to the low voltage detection circuit 41, and the power supply voltage Vcc is input via the transmission gate 44. Then, the low voltage detection circuit 41 detects a decrease in the power supply voltage Vcc and outputs a reset signal RES based on the detection result.

【0051】低電圧検出回路41の出力端子は切換回路
45を介してCPU43のリセット端子RSTに接続さ
れるとともに割り込み端子INTに接続されている。C
PU43は切換回路45によりリセット信号バーRES
をリセット端子RST又は割り込み端子INTの何れか
一方に入力するようになっている。
The output terminal of the low voltage detection circuit 41 is connected to the reset terminal RST of the CPU 43 via the switching circuit 45 and also to the interrupt terminal INT. C
The PU 43 switches the reset signal bar RES by the switching circuit 45.
Is input to either the reset terminal RST or the interrupt terminal INT.

【0052】CPU43には検査開始信号STが入力さ
れる。CPU43には記憶装置としてROM46及びR
AM47が内蔵されている。また、CPU43にはD/
Aコンバータ42が接続されている。ROM46には半
導体集積回路装置40を制御するCPU43の動作プロ
グラムと、低電圧検出回路41を検査する検査プログラ
ムとが記憶されている。通常では、CPU43は電源電
圧Vccを入力し、ROM46に記憶された動作プログラ
ムに基づい動作をする。一方、CPU43は検査開始信
号STを入力すると、ROM46に記憶された検査プロ
グラムに基づいてディジタルデータDoをD/Aコンバ
ータ42に出力するようになっている。
The inspection start signal ST is input to the CPU 43. The CPU 43 has a ROM 46 and an R as storage devices.
AM47 is built in. In addition, D /
The A converter 42 is connected. The ROM 46 stores an operation program of the CPU 43 that controls the semiconductor integrated circuit device 40 and an inspection program that inspects the low voltage detection circuit 41. Normally, the CPU 43 inputs the power supply voltage Vcc and operates based on the operation program stored in the ROM 46. On the other hand, when the inspection start signal ST is input, the CPU 43 outputs the digital data Do to the D / A converter 42 based on the inspection program stored in the ROM 46.

【0053】D/Aコンバータ42の出力端子はトラン
スミッションゲート48を介して低電圧検出回路41の
入力に接続されている。D/Aコンバータ42は所定の
ビット数のディジタルデータDoを入力し、そのディジ
タルデータDoに基づいたアナログ出力AOUT (例えば
0ボルトから5ボルト)を低電圧検出回路41に出力す
るようになっている。即ち、低電圧検出回路41はトラ
ンスミッションゲート44を介して電源電圧Vccを入力
し、トランスミッションゲート48を介してD/Aコン
バータ42のアナログ出力AOUT を入力するようになっ
ている。
The output terminal of the D / A converter 42 is connected to the input of the low voltage detection circuit 41 via the transmission gate 48. The D / A converter 42 receives digital data Do of a predetermined number of bits, and outputs an analog output A OUT (for example, 0 to 5 volts) based on the digital data Do to the low voltage detection circuit 41. There is. That is, the low voltage detection circuit 41 inputs the power supply voltage Vcc via the transmission gate 44 and the analog output A OUT of the D / A converter 42 via the transmission gate 48.

【0054】トランスミッションゲート44,48は前
記CPU43によりそのオン・オフを制御されるように
なっている。即ち、トランスミッションゲート44を構
成するNチャネルMOSトランジスタのゲート端子には
CPU43から出力される切換信号C1が入力され、P
チャネルMOSトランジスタのゲート端子にはインバー
タ回路49を介して切換信号C1が入力される。一方、
トランスミッションゲート48を構成するNチャネルM
OSトランジスタのゲート端子にはインバータ回路49
を介した切換信号C1が入力され、PチャネルMOSト
ランジスタのゲート端子には切換信号C1が直接入力さ
れる。また、CPU43の切換信号C1は前記切換回路
45に入力される。
The transmission gates 44 and 48 are controlled to be turned on and off by the CPU 43. That is, the switching signal C1 output from the CPU 43 is input to the gate terminal of the N-channel MOS transistor forming the transmission gate 44, and P
The switching signal C1 is input to the gate terminal of the channel MOS transistor via the inverter circuit 49. on the other hand,
N channel M that constitutes the transmission gate 48
An inverter circuit 49 is provided at the gate terminal of the OS transistor.
The switching signal C1 is input via the switch, and the switching signal C1 is directly input to the gate terminal of the P-channel MOS transistor. The switching signal C1 of the CPU 43 is input to the switching circuit 45.

【0055】切換信号C1は前記した検査開始信号ST
に基づいて出力される。即ち、通常の動作では、CPU
43は切換信号C1を出力し、リセット端子RSTに低
電圧検出回路41のリセット信号バーRESを入力する
ように切換回路45を設定する。また、CPU43は低
電圧検出回路41に電源電圧Vccが入力され、D/Aコ
ンバータ42のアナログ出力が入力されないようにトラ
ンスミッションゲート44,48を設定する。このと
き、低電圧検出回路41は電源電圧Vccと検出電圧VD
Lとを比較し、その比較結果に基づいてリセット信号バ
ーRESを出力する。
The switching signal C1 is the inspection start signal ST described above.
Is output based on. That is, in normal operation, the CPU
43 outputs the switching signal C1 and sets the switching circuit 45 so that the reset signal bar RES of the low voltage detection circuit 41 is input to the reset terminal RST. Further, the CPU 43 sets the transmission gates 44 and 48 so that the power supply voltage Vcc is input to the low voltage detection circuit 41 and the analog output of the D / A converter 42 is not input. At this time, the low voltage detection circuit 41 detects the power supply voltage Vcc and the detection voltage VD.
L is compared and the reset signal bar RES is output based on the comparison result.

【0056】一方、検査を開始すると、CPU43は切
換信号C1を出力し、割り込み端子INTに低電圧検出
回路41のリセット信号バーRESを入力するように切
換回路45を設定する。また、CPU43は低電圧検出
回路41にD/Aコンバータ42のアナログ出力AOUT
が入力され、電源電圧Vccが入力されないようにトラン
スミッションゲート44,48を設定する。このとき、
低電圧検出回路41はアナログ出力AOUT と検出電圧V
DLとを比較し、その比較結果に基づいてリセット信号
バーRESを出力する。
On the other hand, when the inspection is started, the CPU 43 outputs the switching signal C1 and sets the switching circuit 45 to input the reset signal bar RES of the low voltage detection circuit 41 to the interrupt terminal INT. Further, the CPU 43 causes the low voltage detection circuit 41 to output the analog output A OUT of the D / A converter 42.
Is input, and the transmission gates 44 and 48 are set so that the power supply voltage Vcc is not input. At this time,
The low voltage detection circuit 41 has an analog output A OUT and a detection voltage V
DL is compared, and the reset signal bar RES is output based on the comparison result.

【0057】即ち、通常動作では、低電圧検出回路41
はその入力端子に電源電圧Vccを入力し、その電源電圧
Vccに基づいてCPU43のリセット端子RSTにリセ
ット信号バーRESを出力する。一方、検査動作では、
低電圧検出回路41はその入力端子にD/Aコンバータ
42のアナログ出力AOUT を入力し、そのアナログ出力
OUT に基づいてCPU43の割り込み端子INTにリ
セット信号バーRESを出力するようになっている。
次に上記のように構成された半導体集積回路装置の作用
を説明する。
That is, in the normal operation, the low voltage detection circuit 41
Inputs the power supply voltage Vcc to its input terminal and outputs the reset signal bar RES to the reset terminal RST of the CPU 43 based on the power supply voltage Vcc. On the other hand, in the inspection operation,
The low voltage detection circuit 41 inputs the analog output A OUT of the D / A converter 42 to its input terminal and outputs the reset signal bar RES to the interrupt terminal INT of the CPU 43 based on the analog output A OUT . .
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit device configured as described above will be described.

【0058】通常動作において、CPU43は切換信号
C1を出力してトランスミッションゲート44,48を
オン・オフ制御し、低電圧検出回路41に電源電圧Vcc
を入力させる。また、CPU43は選択回路12を制御
し、低電圧検出回路41から出力されるリセット信号バ
ーRESをリセット端子RSTに入力する。
In the normal operation, the CPU 43 outputs the switching signal C1 to control the ON / OFF of the transmission gates 44 and 48, and the low voltage detection circuit 41 is supplied with the power supply voltage Vcc.
To enter. Further, the CPU 43 controls the selection circuit 12 and inputs the reset signal bar RES output from the low voltage detection circuit 41 to the reset terminal RST.

【0059】低電圧検出回路41は電源電圧Vccの電圧
を監視する。そして、低電圧検出回路41は電源電圧V
ccが検出電圧VDLより低下したのを検出すると、Hレ
ベルのリセット信号バーRESを出力する。CPU43
はリセット端子RSTからHレベルのリセット信号バー
RESを入力すると、動作を中断して初期化する。
The low voltage detection circuit 41 monitors the power supply voltage Vcc. Then, the low voltage detection circuit 41 detects the power supply voltage V
When it is detected that cc is lower than the detection voltage VDL, the H level reset signal bar RES is output. CPU43
When an H-level reset signal bar RES is input from the reset terminal RST, the operation is interrupted and initialized.

【0060】一方、CPU43は検査開始信号STを入
力すると、切換信号C1を出力してトランスミッション
ゲート44,48をオン・オフ制御し、低電圧検出回路
41にD/Aコンバータ42から出力されるアナログ出
力AOUT を印加させる。また、CPU43は選択回路1
2を制御し、低電圧検出回路41のリセット信号バーR
ESを割り込み端子INTに入力する。
On the other hand, when the CPU 43 receives the inspection start signal ST, it outputs the switching signal C1 to control the on / off of the transmission gates 44 and 48, and the analog output from the D / A converter 42 to the low voltage detection circuit 41. Apply output A OUT . Further, the CPU 43 uses the selection circuit 1
2 to control the reset signal bar R of the low voltage detection circuit 41.
ES is input to the interrupt terminal INT.

【0061】次に、CPU43はROM46に記憶され
た検査プログラムに基づいてディジタルデータDoをD
/Aコンバータ42に出力しアナログ出力AOUT の電圧
を5ボルトから徐々に低下させる。低電圧検出回路41
はアナログ出力AOUT の電圧と検出電圧VDLとを比較
する。そして、アナログ出力AOUT の電圧が検出電圧V
DLより低くなると、低電圧検出回路41はHレベルの
リセット信号バーRESを出力する。
Next, the CPU 43 outputs the digital data Do based on the inspection program stored in the ROM 46.
The voltage of the analog output A OUT that is output to the / A converter 42 is gradually decreased from 5 volts. Low voltage detection circuit 41
Compares the voltage of the analog output A OUT with the detection voltage VDL. Then, the voltage of the analog output A OUT is the detection voltage V
When it becomes lower than DL, the low voltage detection circuit 41 outputs the reset signal bar RES at H level.

【0062】CPU43は割り込み端子INTからHレ
ベルのリセット信号バーRESを入力すると、そのリセ
ット信号バーRESを入力する直前にD/Aコンバータ
42に出力したディジタルデータDoをRAM47に記
憶し、検査を終了する。このRAM47に記憶されたデ
ィジタルデータDoが実際に低電圧検出回路41がリセ
ット信号バーRESのレベルを変更するときの検出電圧
VDLに対応している。従って、検査開始信号STをC
PU43に入力し、RAM47に記憶されたディジタル
データDoを読み出すことにより、低電圧検出回路41
の実際の検出電圧VDLを検出することができる。
When the CPU 43 receives the H-level reset signal bar RES from the interrupt terminal INT, the digital data Do output to the D / A converter 42 immediately before the reset signal bar RES is input is stored in the RAM 47, and the inspection is completed. To do. The digital data Do stored in the RAM 47 corresponds to the detection voltage VDL when the low voltage detection circuit 41 actually changes the level of the reset signal bar RES. Therefore, the inspection start signal ST is changed to C
By inputting it to the PU 43 and reading the digital data Do stored in the RAM 47, the low voltage detection circuit 41
It is possible to detect the actual detection voltage VDL.

【0063】このように、本実施例では、低電圧検出回
路41の入力端子にD/Aコンバータ42を接続し、電
源電圧Vccと切り換えてD/Aコンバータ42のアナロ
グ出力AOUT を入力させる。CPU43はD/Aコンバ
ータ42にディジタルデータDoを出力してアナログ出
力AOUT の電圧を5ボルトから徐々に低下させる。低電
圧検出回路41はアナログ出力AOUT に基づいてリセッ
ト信号バーRESのレベルを変更する。そして、リセッ
ト信号バーRESがHレベルになったときにCPU43
が出力したディジタルデータDoを実際の検出電圧VD
Lに対応するデータとしてRAM47に記憶させるよう
にした。
As described above, in this embodiment, the D / A converter 42 is connected to the input terminal of the low voltage detection circuit 41, and the analog output A OUT of the D / A converter 42 is input by switching to the power supply voltage Vcc. The CPU 43 outputs the digital data Do to the D / A converter 42 to gradually decrease the voltage of the analog output A OUT from 5 volts. The low voltage detection circuit 41 changes the level of the reset signal bar RES based on the analog output A OUT . When the reset signal bar RES goes high, the CPU 43
Output the digital data Do from the actual detection voltage VD
The data corresponding to L is stored in the RAM 47.

【0064】その結果、電源電圧Vccを変更することな
く低電圧検出回路41の実際の検出電圧VDLを検出す
ることができるので、容易に検査を行うことができる。
また、D/Aコンバータ42のアナログ出力AOUT を徐
々に低下させ、リセット信号バーRESがHレベルに変
化したときのディジタルデータDoを記憶するので、実
際の検出電圧VDLを正確に検出することができる。
As a result, the actual detection voltage VDL of the low voltage detection circuit 41 can be detected without changing the power supply voltage Vcc, so that the inspection can be easily performed.
Further, since the analog output A OUT of the D / A converter 42 is gradually decreased and the digital data Do when the reset signal bar RES changes to the H level is stored, the actual detection voltage VDL can be accurately detected. it can.

【0065】尚、本発明は上記各実施例の他に以下の態
様で実施するようにしてもよい。 (1)第一実施例において、8チャネルのA/Dコンバ
ータ13以外の入力を有するA/Dコンバータ、例えば
1チャネル等のA/Dコンバータ用いて実施する。
The present invention may be embodied in the following modes in addition to the above embodiments. (1) In the first embodiment, an A / D converter having an input other than the 8-channel A / D converter 13, for example, an A / D converter of 1 channel or the like is used.

【0066】また、8チャネルのA/Dコンバータ13
の代わりに8チャネルのマルチプレクサと1チャネルの
A/Dコンバータを組み合わせて実施する。 (2)第三実施例において、D/Aコンバータ42の代
わりにD/Aコンバータを内蔵するA/Dコンバータを
備え、そのD/Aコンバータを利用し低電圧検出回路4
1の検出電圧VDLの検出を行う。
Further, the 8-channel A / D converter 13
Instead of 8 channels, a multiplexer of 8 channels and an A / D converter of 1 channel are combined. (2) In the third embodiment, an A / D converter incorporating a D / A converter is provided instead of the D / A converter 42, and the low voltage detection circuit 4 is utilized by using the D / A converter.
The detection voltage VDL of 1 is detected.

【0067】(3)上記各実施例においてROM又はR
AMを外部に接続したCPUにて実施する。
(3) ROM or R in each of the above embodiments
The AM is executed by the CPU connected to the outside.

【0068】[0068]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
低電圧検出回路の検出電圧を短時間でかつ正確に評価す
ることができる優れた効果がある。
As described in detail above, according to the present invention,
There is an excellent effect that the detection voltage of the low voltage detection circuit can be evaluated accurately in a short time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の原理説明図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.

【図2】本発明の第一実施例の半導体集積回路装置を説
明するブロック回路図である。
FIG. 2 is a block circuit diagram illustrating a semiconductor integrated circuit device according to a first embodiment of the present invention.

【図3】第一実施例の動作を説明するタイミングチャー
トである。
FIG. 3 is a timing chart explaining the operation of the first embodiment.

【図4】第二実施例の半導体集積回路装置を説明するブ
ロック回路図である。
FIG. 4 is a block circuit diagram illustrating a semiconductor integrated circuit device of a second embodiment.

【図5】第三実施例の半導体集積回路装置を説明するブ
ロック回路図である。
FIG. 5 is a block circuit diagram illustrating a semiconductor integrated circuit device of a third embodiment.

【図6】低電圧検出回路の動作を説明する波形図であ
る。
FIG. 6 is a waveform diagram illustrating the operation of the low voltage detection circuit.

【図7】従来の半導体集積回路装置を説明するブロック
回路図である。
FIG. 7 is a block circuit diagram illustrating a conventional semiconductor integrated circuit device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 内部回路 2 低電圧検出回路 3 A/D変換回路 Vcc 電源電圧 VDL 検出電圧 バーRES リセット信号 1 Internal circuit 2 Low voltage detection circuit 3 A / D conversion circuit Vcc power supply voltage VDL detection voltage bar RES reset signal

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内部回路(1)に供給される電源電圧
(Vcc)を入力し、該電源電圧(Vcc)と予め定めた検
出電圧(VDL)とを比較し、その比較結果に基づいて
リセット信号(バーRES)を出力する低電圧検出回路
(2)を備えた半導体集積回路装置において、 前記電源電圧(Vcc)を入力し、該電源電圧(Vcc)を
アナログ−ディジタル変換し、その変換結果(Di)を
記憶するA/D変換回路(3)を備え、前記電源電圧
(Vcc)を徐々に低下させ、その時の低電圧検出回路
(2)からの前記リセット信号(バーRES)に応答し
て該A/D変換回路(3)の変換動作をさせるようにし
たことを特徴とする半導体集積回路装置。
1. A power supply voltage (Vcc) supplied to an internal circuit (1) is input, the power supply voltage (Vcc) is compared with a predetermined detection voltage (VDL), and reset based on the comparison result. In a semiconductor integrated circuit device having a low voltage detection circuit (2) that outputs a signal (RES), the power supply voltage (Vcc) is input, the power supply voltage (Vcc) is analog-digital converted, and the conversion result is obtained. An A / D conversion circuit (3) for storing (Di) is provided, which gradually reduces the power supply voltage (Vcc) and responds to the reset signal (RES) from the low voltage detection circuit (2) at that time. A semiconductor integrated circuit device characterized in that the conversion operation of the A / D conversion circuit (3) is performed.
【請求項2】 内部回路(1)に供給される電源電圧
(Vcc)を入力し、該電源電圧(Vcc)と予め定めた検
出電圧(VDL)とを比較し、その比較結果に基づいて
リセット信号(バーRES)を出力する低電圧検出回路
(2)を備えた半導体集積回路装置において、 前記低電圧検出回路(2)は、 前記電源電圧(Vcc)を分圧した分圧電圧を出力する分
圧抵抗(36)と、 前記検出電圧(VDL)を出力する定電圧源(37)
と、 前記分圧抵抗(36)から出力される電圧と前記定電圧
源(37)により出力される検出電圧(VDL)とを比
較し、その比較結果に基づいて前記リセット信号(バー
RES)を出力するコンパレータ(38)とを備え、 前記分圧抵抗(36)の分圧電圧と前記定電圧源(3
7)の検出電圧(VDL)とを入力し、両電圧を切り換
えてA/D変換するA/D変換回路(22)を備えたこ
とを特徴とする半導体集積回路装置。
2. A power supply voltage (Vcc) supplied to the internal circuit (1) is input, the power supply voltage (Vcc) is compared with a predetermined detection voltage (VDL), and reset based on the comparison result. In a semiconductor integrated circuit device including a low voltage detection circuit (2) that outputs a signal (RES), the low voltage detection circuit (2) outputs a divided voltage obtained by dividing the power supply voltage (Vcc). A voltage dividing resistor (36) and a constant voltage source (37) that outputs the detection voltage (VDL).
And a voltage output from the voltage dividing resistor (36) with a detection voltage (VDL) output from the constant voltage source (37), and based on the comparison result, the reset signal (bar RES) is generated. A comparator (38) for outputting the divided voltage of the voltage dividing resistor (36) and the constant voltage source (3
A semiconductor integrated circuit device comprising an A / D conversion circuit (22) for inputting the detection voltage (VDL) of 7) and switching between both voltages to perform A / D conversion.
【請求項3】 内部回路(1)に供給される電源電圧
(Vcc)を入力し、該電源電圧(Vcc)と予め定めた検
出電圧(VDL)とを比較し、その比較結果に基づいて
リセット信号(バーRES)を出力する低電圧検出回路
(2)を備えた半導体集積回路装置において、 前記低電圧検出回路(2)に対して前記電源電圧(Vc
c)と切換接続され、入力データ(Do)をディジタル
−アナログ変換し、その変換した電圧を前記低電圧検出
回路(2)に出力するD/A変換回路(42)を備えた
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
3. A power supply voltage (Vcc) supplied to the internal circuit (1) is input, the power supply voltage (Vcc) is compared with a predetermined detection voltage (VDL), and reset based on the comparison result. In a semiconductor integrated circuit device including a low voltage detection circuit (2) that outputs a signal (RES), the power supply voltage (Vc is supplied to the low voltage detection circuit (2).
and a D / A conversion circuit (42) for switching the input data (Do) from digital to analog and outputting the converted voltage to the low voltage detection circuit (2). Integrated circuit device.
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