JPH0719870B2 - Lead frame - Google Patents

Lead frame

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JPH0719870B2
JPH0719870B2 JP26236689A JP26236689A JPH0719870B2 JP H0719870 B2 JPH0719870 B2 JP H0719870B2 JP 26236689 A JP26236689 A JP 26236689A JP 26236689 A JP26236689 A JP 26236689A JP H0719870 B2 JPH0719870 B2 JP H0719870B2
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JP
Japan
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lead frame
semiconductor device
resin
device forming
lead
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哲也 上田
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Mitsubishi Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置を製造する際に使用するリードフレ
ームに関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a lead frame used in manufacturing a semiconductor device.

〔従来の技術〕 従来のリードフレームは第3図(a),(b)に示すよ
うに構成されていた。
[Prior Art] A conventional lead frame is constructed as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b).

第3図(a),(b)は従来のリードフレームを示す平
面図で、同図(a)は半導体装置形成部を拡大して示す
図、同図(b)はリードフレーム全体を示す図である。
これらの図において、1はリードフレーム、2はこのリ
ードフレーム1のインナーリード、3は同じくアウター
リード、4は半導体素子(図示せず)を搭載するための
ダイパッド、5はリードフレーム1の外枠部、6は前記
ダイパッド4とリードフレーム1の外枠部5とを接続す
るための吊りリード、7は前記インナーリード2,アウタ
ーリード3が位置ずれを起こすのを抑えると共に、封止
樹脂のモールド成形工程において封止を行わないアウタ
ーリード部へ樹脂が流出するのを防ぐためのタイバーで
ある。8は封止樹脂をモールド成形する工程,タイバー
7の切断工程およびアウターリード部の成形工程におい
てモールド金型,タイバーカット金型およびリード成形
金型等とリードフレーム1とを位置合せを行なうための
位置決め穴で、この位置決め穴8はリードフレーム1の
外枠部5に等間隔おいて穿設されている。また、この位
置決め穴8は、通常は円形または長円形に形成されてい
る。9はモールド金型(図示せず)における封止樹脂の
流路となるサブランナーおよびゲートと対応する部分
で、この部分はリードフレーム1の丁度外枠部5と対応
する位置に設けられている。10はリードフレーム1に封
止樹脂をモールド成形した際の樹脂の外形を示すモール
ドラインである。なお、第3図(a)中二点鎖線Aはイ
ンナーリード2,アウターリード3,ダイパッド4,吊りリー
ド6およびタイバー7等からなる半導体装置形成部を示
す。この半導体装置形成部Aは、同図(b)に示すよう
に一つのリードフレーム1に複数並設されている。
3 (a) and 3 (b) are plan views showing a conventional lead frame, FIG. 3 (a) is an enlarged view of a semiconductor device forming portion, and FIG. 3 (b) is a view showing the entire lead frame. Is.
In these drawings, 1 is a lead frame, 2 is an inner lead of the lead frame 1, 3 is also an outer lead, 4 is a die pad for mounting a semiconductor element (not shown), and 5 is an outer frame of the lead frame 1. 6 is a suspension lead for connecting the die pad 4 and the outer frame portion 5 of the lead frame 1, and 7 is a resin mold for suppressing the inner lead 2 and the outer lead 3 from being displaced. It is a tie bar for preventing the resin from flowing out to the outer lead portion which is not sealed in the molding process. Numeral 8 is used for aligning the lead frame 1 with the molding die, the tie bar cutting die, the lead molding die and the like in the step of molding the sealing resin, the step of cutting the tie bar 7 and the step of molding the outer lead portion. The positioning holes 8 are formed in the outer frame portion 5 of the lead frame 1 at equal intervals. The positioning hole 8 is usually formed in a circular shape or an oval shape. Reference numeral 9 denotes a portion corresponding to a sub-runner and a gate which are channels of a sealing resin in a molding die (not shown), and this portion is provided at a position just corresponding to the outer frame portion 5 of the lead frame 1. . Reference numeral 10 is a molding line showing the outer shape of the resin when the lead frame 1 is molded with the sealing resin. A two-dot chain line A in FIG. 3 (a) indicates a semiconductor device forming portion including inner leads 2, outer leads 3, die pads 4, suspension leads 6 and tie bars 7. A plurality of semiconductor device forming portions A are arranged in parallel on one lead frame 1 as shown in FIG.

このように構成された従来のリードフレーム1を使用し
て半導体装置を組立てるには、先ず、ダイパッド4上に
樹脂ダイボンド剤や半田等を用いて半導体素子(チッ
プ,ダイ)を搭載する。そして、半導体素子のAlパッド
電極とインナーリード2とを金,銅あるいはアルミニウ
ム等からなる金属細線(図示せず)によって接続する。
次いで、このリードフレーム1をモールド金型(図示せ
ず)内に型締めし、封止樹脂をモールド成形する。封止
樹脂が硬化された後、金型を用いてタイバー7を切断
し、アウターリード3を所定形状に曲げ加工すると同時
にアウターリード3の先端とリードフレーム1の外枠部
5とを切り離す。なお、アウターリード3の曲げ加工
は、切り離し加工の前、あるいは後に行なうこともあ
る。このようにアウターリード3の加工工程を経て半導
体装置が完成されることになる。
In order to assemble a semiconductor device using the conventional lead frame 1 configured as described above, first, a semiconductor element (chip, die) is mounted on the die pad 4 using a resin die bonding agent, solder or the like. Then, the Al pad electrode of the semiconductor element and the inner lead 2 are connected by a thin metal wire (not shown) made of gold, copper, aluminum or the like.
Next, this lead frame 1 is clamped in a molding die (not shown), and a sealing resin is molded. After the sealing resin is hardened, the tie bar 7 is cut using a mold to bend the outer lead 3 into a predetermined shape, and at the same time, the tip of the outer lead 3 and the outer frame portion 5 of the lead frame 1 are separated. The bending process of the outer lead 3 may be performed before or after the cutting process. Thus, the semiconductor device is completed through the outer lead 3 processing steps.

ところが、このように構成された従来のリードフレーム
においては、フレーム材料と封止樹脂との熱膨張係数に
差がある関係から、半導体装置が大型化されるにつれて
樹脂成形後に成形部分(以下、この成形部分をパッケー
ジという。)が反ってしまうという不具合があった。そ
こで、最近、封止後のパッケージの反りを抑えるため
に、リードフレーム1を部分的に分断するようなスリッ
トを設けるという手法が採られるようになってきた。
However, in the conventional lead frame configured as described above, due to the difference in thermal expansion coefficient between the frame material and the sealing resin, the molded portion (hereinafter There was a problem that the molding part was warped. Therefore, recently, in order to suppress the warp of the package after sealing, a method of providing a slit that partially divides the lead frame 1 has been adopted.

第4図(a),(b)はスリットが設けられた従来のリ
ードフレームを示す平面図で、同図(a)は半導体装置
形成部を拡大して示す図、同図(b)は全体を示す図で
ある。これらの図において前記第3図(a),(b)で
説明したものと同一もしくは同等部材については同一符
号を付し、ここにおいて詳細な説明は省略する。第4図
(a),(b)において、11は樹脂封止後に封止時の金
型温度から室温まで冷却される際にリードフレーム1と
樹脂との熱膨張係数の違いにより生じる歪を抑え、歪に
より半導体装置が反るのを緩和するためのスリットで、
このスリット11は、リードフレーム1における半導体装
置形成部(同図中二点鎖線Aで示す。)の側部に設けら
れており、半導体装置形成部Aの4方を囲むように4箇
所に設けられている。
4 (a) and 4 (b) are plan views showing a conventional lead frame provided with slits, FIG. 4 (a) is an enlarged view of a semiconductor device forming portion, and FIG. 4 (b) is an overall view. FIG. In these figures, the same or equivalent members as those described in FIGS. 3 (a) and 3 (b) are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted here. In FIGS. 4 (a) and 4 (b), reference numeral 11 suppresses the distortion caused by the difference in the thermal expansion coefficient between the lead frame 1 and the resin when the resin is sealed and the temperature of the mold during sealing is cooled to room temperature. , Slits to reduce the warp of the semiconductor device due to distortion,
The slits 11 are provided on the sides of the semiconductor device forming portion (indicated by the chain double-dashed line A in the figure) of the lead frame 1, and are provided at four locations so as to surround the semiconductor device forming portion A on four sides. Has been.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

しかるに、近年、半導体装置がより一層大型化されるに
したがって、フレーム材料と樹脂との熱膨張係数の違い
により生じる歪も大きくなり、上述したようにリードフ
レーム1にスリット11を設けただけではこの歪を吸収す
ることができなくなってきた。このため、大型の半導体
装置を製造するにあたってはスリット11を設けたリード
フレームを使用してもパッケージの反りが大きくなって
しまうという問題があった。
However, in recent years, as the semiconductor device has been further increased in size, the strain caused by the difference in the thermal expansion coefficient between the frame material and the resin is also increased, and as described above, the slit 11 is only provided in the lead frame 1. I can no longer absorb the strain. Therefore, when manufacturing a large-sized semiconductor device, even if a lead frame provided with the slit 11 is used, the warp of the package becomes large.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

本発明に係るリードフレームは、リードフレーム本体に
おけるモールド金型の樹脂注入用ゲート部と対応する部
分を除く部分に、半導体装置形成部の略4方を囲む連続
したスリットを設けたものである。
A lead frame according to the present invention has a continuous slit surrounding substantially four sides of a semiconductor device forming portion in a portion of the lead frame body except a portion corresponding to a resin injection gate portion of a molding die.

〔作用〕[Action]

半導体装置形成部は、リードフレーム本体におけるモー
ルド金型の樹脂注入用ゲート部と対応する部分だけでリ
ードフレーム本体に連結されることになるから、樹脂封
止後の冷却過程で生じる熱応力がリードフレーム本体に
おけるスリットより外側の部分から半導体装置形成部に
伝えられるのを防ぐことができる。
Since the semiconductor device forming portion is connected to the lead frame body only at the portion corresponding to the resin injection gate portion of the molding die in the lead frame body, the thermal stress generated in the cooling process after the resin sealing is applied to the lead frame body. It is possible to prevent the portion of the frame body outside the slit from being transmitted to the semiconductor device forming portion.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例を第1図によって詳細に説明す
る。
An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to FIG.

第1図は本発明に係るリードフレームの要部を拡大して
示す平面図で、同図において前記第3図(a),(b)
で説明したものと同一もしくは同等部材については同一
符号を付し、ここにおいて詳細な説明は省略する。第1
図において、21は半導体装置形成部Aをリードフレーム
1から隔てて設けるためのディッチ・スリットである。
このディッチ・スリット21は、リードフレーム1の外枠
部5であって、モールド金型のサブランナーおよびゲー
トと対応する部分9を除く部分に、半導体装置形成部A
の略4方を囲むように連続して設けられている。また、
このディッチ・スリット21の両端開口部分とモールド金
型のサブランナーおよびゲートと対応する部分9との間
隔は0.3mm以上開けられており、このリードフレーム1
がモールド金型内に確実に型締めされるように構成され
ている。
FIG. 1 is an enlarged plan view showing an essential part of a lead frame according to the present invention, in which FIG. 3 (a), (b) is shown.
The same or equivalent members as those described in 1 above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted here. First
In the figure, reference numeral 21 is a ditch slit for providing the semiconductor device forming portion A at a distance from the lead frame 1.
The ditch / slit 21 is the outer frame portion 5 of the lead frame 1 except the portion 9 corresponding to the sub-runner and the gate of the molding die and the semiconductor device forming portion A.
Are continuously provided so as to surround approximately four directions. Also,
There is a space of 0.3 mm or more between the opening 9 at both ends of the ditch / slit 21 and the portion 9 corresponding to the sub-runner and gate of the molding die.
Is configured to be securely clamped in the molding die.

このようにディッチ・スリット21が設けられたリードフ
レーム1を使用して半導体装置を組立てるには、先ず、
ダイパッド4上に半導体素子を搭載し、金属細線等によ
り半導体素子とインナーリード2とを電気的に接続す
る。次いで、このリードフレーム1をモールド金型内に
型締めし、半導体素子,インナーリード2等モールドラ
イン10内を樹脂封止する。この封止工程では、リードフ
レーム1および樹脂の温度は金型温度に相当する例えば
180℃程度の高温に達する。そして、樹脂封止後のリー
ドフレーム1をモールド金型から取り出し、室温程度ま
で冷却する。リードフレーム1が冷却される際には、リ
ードフレーム1におけるディッチ・スリット21より内側
の部分のみが樹脂の収縮と作用することとなるため、フ
レーム材料と樹脂との熱膨張係数の違いにより生じる歪
は小さくなる。このため、封止樹脂の反り量は従来のも
のに較べて小さくなる。
To assemble a semiconductor device using the lead frame 1 having the ditch / slit 21 as described above, first,
A semiconductor element is mounted on the die pad 4, and the semiconductor element and the inner lead 2 are electrically connected by a metal thin wire or the like. Next, the lead frame 1 is clamped in a molding die, and the semiconductor element, the inner leads 2, and the like, the mold line 10 is resin-sealed. In this sealing step, the temperature of the lead frame 1 and the resin corresponds to the mold temperature, for example,
It reaches a high temperature of about 180 ℃. Then, the lead frame 1 after resin sealing is taken out from the molding die and cooled to about room temperature. When the lead frame 1 is cooled, only the portion inside the ditch / slit 21 of the lead frame 1 acts on the shrinkage of the resin, and therefore the strain caused by the difference in the thermal expansion coefficient between the frame material and the resin is generated. Becomes smaller. Therefore, the warp amount of the sealing resin becomes smaller than that of the conventional one.

したがって、このようにリードフレーム1にディッチ・
スリット21を設けると、樹脂封止後の冷却過程で生じる
熱応力がリードフレームにおけるスリットより外側の部
分から半導体装置形成部分に伝えられるのを防ぐことが
できるから、リードフレーム1の収縮量と封止樹脂の収
縮量との差によってパッケージが反るのをきわめて小さ
い寸法に抑えることができる。
Therefore, the ditch
By providing the slits 21, it is possible to prevent the thermal stress generated in the cooling process after resin sealing from being transmitted from the portion outside the slits in the lead frame to the semiconductor device forming portion. The warp of the package due to the difference with the shrinkage amount of the stopping resin can be suppressed to an extremely small size.

なお、前記実施例ではリードフレーム1にディッチ・ス
リット21のみを設けた例を示したが、第2図に示すよう
に位置決め用穴をディッチ・スリット21によって囲まれ
た部分に設けることもできる。
Although the lead frame 1 is provided with only the ditch / slit 21 in the above embodiment, a positioning hole may be provided in a portion surrounded by the ditch / slit 21 as shown in FIG.

第2図は本発明に係るリードフレームの他の実施例を示
す平面図で、同図において前記第1図で説明したものと
同一部材について同一符号を付し、詳細な説明は省略す
る。第2図において、31はリードフレーム1におけるデ
ィッチ・スリット21で囲まれた部分を、換言すれば半導
体装置形成部Aをモールド金型,タイバーカット金型お
よびリード成形金型等と位置合せを行なうための位置決
め穴で、この位置決め穴31は半導体装置形成部Aの角部
に穿設されており、一つの半導体装置形成部Aに対して
複数設けられている。この位置決め穴31を使用して半導
体装置形成部Aを上述した各装置に位置決めすることに
よって、リード1の外枠部5に対して半導体装置形成部
Aが位置ずれを起こしたとしても、リードの加工等を高
い精度をもって行なうことができる。
FIG. 2 is a plan view showing another embodiment of the lead frame according to the present invention, in which the same members as those described in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. In FIG. 2, reference numeral 31 indicates a portion surrounded by the ditch / slit 21 in the lead frame 1, in other words, the semiconductor device forming portion A is aligned with a molding die, a tie bar cut die, a lead molding die and the like. This positioning hole 31 is formed in a corner portion of the semiconductor device forming portion A, and a plurality of positioning holes 31 are provided for one semiconductor device forming portion A. By positioning the semiconductor device forming portion A in each of the above-described devices using the positioning hole 31, even if the semiconductor device forming portion A is displaced with respect to the outer frame portion 5 of the lead 1, the lead Processing and the like can be performed with high accuracy.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明に係るリードフレームは、リ
ードフレーム本体におけるモールド金型の樹脂注入用ゲ
ート部と対応する部分を除く部分に、半導体装置形成部
の略4方を囲む連続したスリットを設けたため、樹脂封
止後の冷却過程で生じる熱応力がリードフレーム本体に
おけるスリットより外側の部分から半導体装置形成部分
に伝えられるのを防ぐことができる。したがって、本発
明に係るリードフレームを使用して大型の半導体装置を
製造しても、封止樹脂部分が反るのを確実に抑えること
ができる。
As described above, in the lead frame according to the present invention, continuous slits that surround substantially four sides of the semiconductor device forming portion are provided in the lead frame body except the portion corresponding to the resin injection gate portion of the molding die. Therefore, it is possible to prevent the thermal stress generated in the cooling process after resin sealing from being transmitted to the semiconductor device forming portion from the portion of the lead frame body outside the slit. Therefore, even when a large-sized semiconductor device is manufactured using the lead frame according to the present invention, it is possible to reliably prevent the sealing resin portion from warping.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明に係るリードフレームの要部を拡大して
示す平面図、第2図は半導体装置形成部に位置決め穴が
設けられた他の実施例を示す平面図、第3図(a),
(b)は従来のリードフレームを示す平面図で、同図
(a)は半導体装置形成部を拡大して示す図、同図
(b)はリードフレーム全体を示す図である。第4図
(a),(b)はスリットが設けられた従来のリードフ
レームを示す平面図で、同図(a)は半導体装置形成部
を拡大して示す図、同図(b)は全体を示す図である。 1……リードフレーム、2……インナーリード、3……
アウターリード、4……ダイパッド、21……ディッチ・
スリット、31……位置決め穴。
FIG. 1 is an enlarged plan view showing an essential part of a lead frame according to the present invention, FIG. 2 is a plan view showing another embodiment in which a positioning hole is formed in a semiconductor device forming portion, and FIG. ),
(B) is a plan view showing a conventional lead frame, (a) is an enlarged view of a semiconductor device forming portion, and (b) is a view showing the entire lead frame. 4 (a) and 4 (b) are plan views showing a conventional lead frame provided with slits, FIG. 4 (a) is an enlarged view of a semiconductor device forming portion, and FIG. 4 (b) is an overall view. FIG. 1 ... Lead frame, 2 ... Inner lead, 3 ...
Outer leads, 4 ... die pad, 21 ... ditch
Slit, 31 …… positioning hole.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体素子が搭載されるダイパッドと、こ
のダイパッドの側方に配置されたインナーリードおよび
アウターリードとからなる半導体装置形成部がリードフ
レーム本体に形成され、この半導体装置形成部に封止樹
脂がモールド成形されるリードフレームにおいて、前記
リードフレーム本体におけるモールド金型の樹脂注入用
ゲート部と対応する部分を除く部分に、半導体装置形成
部の略4方を囲む連続したスリットを設けたことを特徴
とするリードフレーム。
1. A semiconductor device forming portion including a die pad on which a semiconductor element is mounted and inner leads and outer leads arranged on the sides of the die pad is formed on a lead frame body, and is sealed in the semiconductor device forming portion. In a lead frame in which a resin is molded, a continuous slit surrounding substantially four sides of a semiconductor device forming portion is provided in a portion of the lead frame body except a portion corresponding to a resin injection gate portion of a molding die. A lead frame characterized in that
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