JPH07198422A - レーザエンコーダ - Google Patents

レーザエンコーダ

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JPH07198422A
JPH07198422A JP34932193A JP34932193A JPH07198422A JP H07198422 A JPH07198422 A JP H07198422A JP 34932193 A JP34932193 A JP 34932193A JP 34932193 A JP34932193 A JP 34932193A JP H07198422 A JPH07198422 A JP H07198422A
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JP
Japan
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light
phase difference
sine wave
laser
fine
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Application number
JP34932193A
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English (en)
Inventor
Takashi Hashizume
隆 橋詰
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Ono Sokki Co Ltd
Original Assignee
Ono Sokki Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 微細変位量検出可能な高分解能のレ−ザエン
コ−ダ。 【構成】 入射光が反射膜の微細なピッチの溝で反射・
回析して位相差正弦波を発生する位相差正弦波発生手段
1と、対物レンズにより微細なスポット径に絞ったレ−
ザビ−ムを反射膜へ照射し、回析する戻り光を分割して
4分割受光素子によって受光するレ−ザ光測定手段2
と、4分割受光素子の受光出力より回析波強度分布に比
例した互いに90°位相差を持つ位相差正弦波信号を検
出する位相差信号検出手段3と、この位相差正弦波信号
より変位量を計測する変位量計測手段4で構成し、反射
膜と照射レーザビームの相対移動時の位相差正弦波信号
の振幅、位相変化を基に制御対象の変位量を計測するも
のである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光検出系による光学式
エンコ−ダに関し、詳しくはレ−ザ光検出系による高分
解能エンコ−ダに関する。
【0002】
【従来の技術】図9は従来のエンコ−ダの概略構成図で
あり、入力軸(回転軸)に定められた数のスリットが刻
まれたスリット円板が取り付けられている、一般的なイ
ンクリメンタル方式のロ−タリ−エンコ−ダの構成を示
している。
【0003】このスリット円板に平行して固定スリット
があり、2つのスリットの両側に相対して2組の発光ダ
イオ−ドとフォトトランジスタを設置している。入力軸
が制御対象の変位により回転することによって、スリッ
ト円板が回転し2つのスリットを通過する光はモアレ縞
を生ずる。これをフォトトランジスタによって電気信号
に変換して、スリットの数に等しいパルス信号を出力す
る。フォトトランジスタからAMPを介して出力する2
つの出力信号は、互いに90°の位相差を持つように調
整されていて、回転方向の反転により位相も反転するの
で、方向弁別回路を有する可逆カウンタと組み合わせ、
回転量の加算・減算ができるようになっている。この場
合の分解能はスリットの数による1回転当たりの出力パ
ルス数P/Rで表わし、信号内挿処理等によりP/Rを
上げるようにしている。
【0004】この他ゲ−ジセンサ−等のリニア方式のエ
ンコ−ダももあるが、スリット円板が移動スリット(リ
ニアスケ−ル)に代わるだけで原理・動作に違いはな
い。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のエンコ−ダはスリット板の移動(回転または
直進)による変位量を、スリットの数に対応するパルス
として検出しているので分解能はスリットピッチによっ
て決まり、従来の方式でスリットピッチを細かくしよう
とすれば、それにつれて固定スリットと移動スリットの
間隔も小さくしなければならないので、スリットの傷や
付着するゴミによる妨害も大きくなり、スリットピッチ
は4〜10μm程度が限度となっている。従って、これ
以上エンコ−ダの分解能を上げることは製造上難しく、
最近の要求である1μm以下のスリットピッチによる高
精度の微細位置、微小移動量等の検出要求に応えられな
いという問題があった。
【0006】本発明は上述の問題点に鑑みてなされたも
のであり、1μm以下のスリットピッチのレベルに分解
能を高め、高精度の微細制御の要求に応え得るレ−ザエ
ンコ−ダを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のレ−ザエンコ−ダは、光検出系により反射
光の光量を検知する光学式エンコ−ダにおいて、微細ピ
ッチの溝を形成した反射膜に入射したレーザ光が反射回
析して位相差正弦波を発生する位相差正弦波発生手段
と、微細スポット径のレ−ザ光を前記反射膜へ照射し回
析する戻り光を分割して4分割受光素子により受光する
レ−ザ光測定手段と、前記4分割受光素子の受光出力よ
り互いに90度の位相差を有する位相差正弦波信号を検
出する位相差信号検出手段と、前記位相差正弦波信号よ
り前記移動スリットの変位量を計測する変位量計測手段
を備えている。
【0008】また、 前記移動位相差正弦波発生手段の
各溝と同一線上に位置情報を示すビットパタ−ンを設け
ている。
【0009】
【作用】上記構成によれば、レ−ザ光測定手段より微細
スポット径に集光したレ−ザ光を、位相差正弦波発生手
段の微細ピッチの溝に形成した反射膜へ照射し、位相差
正弦波発生手段の反射膜とレーザ光測定手段との相対移
動による反射膜の反射回析波により位相差正弦波を発生
する。反射回析波による位相差正弦波はレ−ザ光測定手
段に戻り分割されて、4分割受光素子によって受光され
る。位相差信号検出手段は4分割受光素子の受光出力よ
り互いに90度の位相差を有する位相差正弦波信号を検
出し、変位量計測手段によって位相差正弦波信号より移
動スリットの変位量を計測するので、微細変位の検出が
可能になる。
【0010】あるいは、多数の各溝の同一線上に位置情
報を示すビットパタ−ンを設けたので、基点位置を決め
て微細変位検出を行うことができる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図に基づいて説明
する。
【0012】図1は本発明の一実施例に係るレ−ザエン
コ−ダのブロック図である。
【0013】図示の実施例は、微細ピッチの溝を形成し
た反射膜によって、入射光を反射・回析し位相差正弦波
を発生する位相差正弦波発生手段1と、レ−ザ光を微細
スポット径に集光して正弦波発生手段1へ照射し、戻り
光を分割して4分割受光素子によって受光するレ−ザ測
定手段2と、4分割受光素子の出力から互いに90°の
位相差を持つ位相差正弦波信号と、フォ−カス・サ−ボ
等の制御信号とを検出する位相差信号検出手段3と、位
相差正弦波信号を基に変位量を計測することによって、
位相差正弦波発生手段1とレーザ光測定手段2との相対
変位量を計測する変位量計測手段4とで構成される。
【0014】図2は図1に示すレ−ザエンコ−ダの具体
構成例を示す図である。
【0015】図2に示すように、レ−ザ光源22から射
出したレ−ザ光束は、コリメ−タレンズ23によってほ
ぼ平行な光束となってビ−ムスプリッタPBS24を透
過し、対物レンズ25により集光され微細スポットに絞
り込まれて透明材よりなる基板21を通過し、Al等の
材料上に1.6μm位の微細ピッチの溝を形成した反射
膜20上で反射・回析する。これら反射・回析光の戻り
光は再び対物レンズ25を通過して、ハ−フミラ−型の
BS24で分光されてシリンドリカルレンズ26を通過
し、さらに集光レンズ29の作用により集束され、4分
割受光素子27上で受光される。対物レンズ25はフォ
−カスサ−ボ時に対物レンズ駆動アクチュェ−タ28に
よって上下方向に駆動される。
【0016】ここで、図2中の反射膜20で構成する位
相差正弦波発生手段1を除く部分がレ−ザ光測定手段2
に相当する。
【0017】つぎに動作について説明する。
【0018】レ−ザ光源22から射出した波長λのレ−
ザ光束は、コリメ−タレンズ23により平行光束となっ
た後に、比較的開口率の大きい対物レンズ25によって
スポット径が1μm程に絞り込まれ、微細ピッチの溝を
読み取れる微細スポットとなって反射膜20へ入射す
る。反射膜20からの反射・回析光は戻り光としてBS
24で偏向を受け、シリンドリカルレンズ26と集光レ
ンズ29の作用により4分割受光素子27面上で受光さ
れる。
【0019】図3は図1に示した位相差信号検出手段の
具体回路例を示す図である。
【0020】図3に示すように、4分割受光素子27は
4分割領域「A、B、C、D」に分割された受光面を持
っている。
【0021】本実施例は、4分割した光検出器として4
分割受光素子27を用い、レ−ザ光が反射膜20の溝を
横断する際回析・反射されて再び対物レンズ25に入射
する時に生ずる正弦波状の回析光強度分布の変化を検出
して、溝とスポット光の相対移動量に換算・計測するも
のである。
【0022】まず、図3に示す加減算器29により、信
号e1=(A+D)−(B+C)、を作成し周知の非点
收差フォ−カスサ−ボ誤差信号により、対物レンズ駆動
アクチュェ−タ28を駆動して、対物レンズ25の上下
動によるフォ−カス調整を行う。
【0023】つぎに、本発明では、加算器31により
(A+B)信号を、加算器33により(C+D)信号
を、加算器35により(A+B+C+D)信号をそれぞ
れ作成する。(A+B)信号と(A+B+C+D)信号
を割り算器32により割り算して信号「e1」を求め
る。信号「e1」はピットでの反射・回析波による正弦
波状の回析光強度分布に比例する正弦波出力である。
【0024】続いて、(C+D)信号と(A+B+C+
D)信号とを割り算回路34により割り算して信号「e
2」を求める。信号「e2」も同じく正弦波出力であり
「e1」と「e2」は、光学系により約90°の位相差
を持つように調整された位相差信号である。
【0025】このように、(A+B)信号と(C+D)
信号をそれぞれ割り算により、全出力(A+B+C+
D)との比を求め等化処理して「e1」、「e2」を求
めることにより計測デ−タの信頼性を上げるようにして
いる。
【0026】いま、フォ−カスサ−ボを掛けながらスポ
ット光を反射膜に沿って移動させる場合を考える。
【0027】溝のピッチを1.6μm(凸部、凹部各
0.8μm)、スポット光の径が約1μmの場合、図4
に示すようにスポット光が順次、、…を通過して
いくと反射膜からの反射・回折が生じる。先ず、0次光
についてみると、レーザ光の干渉によって凸部で大、凹
部で小となり、図5に示すような正弦波状変化となる。
一方、1次回折光についてみると、スポット光が凹凸部
にまたがる場合に光が回折され、図4上で考えると、左
右がアンバランスとなる。この様子を示したのが図6で
ある。
【0028】実際には2分割受光素子で受けた場合の反
射・回折光量は図5と図6を合成したものとなり、2分
割受光素子の一方は0時光と+1次光、他方は0次光と
−1次光の合成となり、図7に示すように出力e1,e
2は概ね90°位相差をもつ。なお、この位相差は溝の
深さや形状により変化するので、それを適当な値に選び
90°位相差を得る。
【0029】この後の計測回路は方向弁別、信号内挿処
理等の構成によるエンコ−ダの計測回路によって、「e
1」、「e2」位相差信号よりスポット光の変位量、移
動方向を計測して制御対象の高精度な変位量計測を行
う。
【0030】このような本実施例では、微細ピッチの溝
も読み取れる高精度なレ−ザ光システムが構成でき、従
来例と比較して固定スリットを使用しなくてもすみ、レ
−ザビ−ムのスポット径が1μm以下になるので分解能
が高くなり、対物レンズ25の間隔も、数mmは離せる
ようになって組み立てが容易になる。
【0031】図8は本発明の第2実施例に係るレ−ザエ
ンコ−ダの説明図である。
【0032】第2実施例は前実施例で使用した反射膜2
0に、図8のように各溝と同一線上にそれぞれの各溝位
置を特定するビットパタ−ンを形成したものである。
【0033】図8に示す反射膜40のビットパタ−ン部
分には、各溝の位置を特定するコ−ド(例えばグレイバ
イナリコ−ド)が刻まれている。図では“0”を小丸、
“1”を楕円で表示している。
【0034】まず、この反射膜40を前記反射膜20の
代わりに装備し、他の構成は前実施例と同じレ−ザエン
コ−ダの電源投入時に、フォ−カスサ−ボ及びトラッキ
ングサーボを掛けてそのスポットを図8のAのように、
スリット位置から図の下方へ移動させてビットパタ−ン
を通過させる。
【0035】ビットパタ−ンをスポットがなぞっていく
と、4分割受光素子27からの信号出力、(A+B+C
+D)にはビットパタ−ンに応じた信号波形が現れる。
この波形をデコ−ドして基点位置デ−タとし、この位置
デ−タをアップダウンカウンタにロ−ドする。位置デ−
タが確定しスリット位置を特定したら、スポットを図の
Bの位置上につまり再びスリットライン上に戻し、以降
の処理は前実施例と同じインクリメンタル動作を行う。
【0036】このような反射膜40を使用すれば、基点
となる位置デ−タが得られるので、簡単な構成でセミ・
アブソリュ−トエンコ−ダを構成することができる。
なお、今まではリニア方式について説明したが、溝を円
上に配列した円板によって構成すれば同原理でロ−タリ
−エンコ−ダに適用できることは勿論である。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レ−ザ光束を微細スポット径に絞り微細ピッチの溝を有
する反射膜へ照射し、反射膜の移動に伴い反射膜に形成
した微細ピッチの溝より回析・反射する戻り光を、4分
割受光素子により位相差正弦波信号として検出し反射膜
の変位量を計測するように構成したので、レ−ザビ−ム
のスポット径が1μm以下と小さくなり微細制御の要求
に応え得る高分解能のエンコ−ダを構成できる。また、
固定スリットが要らなくなりスリット表面のゴミ、傷に
よる妨害が少なくなる等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るレ−ザエンコ−ダのブ
ロック図である。
【図2】図1に示すレ−ザエンコ−ダの具体構成例を示
す図である。
【図3】図1に示す位相差信号検出手段の具体構成例を
示す図である。
【図4】本発明の一実施例の反射膜とスポット光の関係
を示す図である。
【図5】図1に示す位相差信号の波形例を示す図であ
る。
【図6】図1に示す位相差信号の波形例を示す図であ
る。
【図7】図1に示す位相差信号の波形例を示す図であ
る。
【図8】本発明の第2実施例に係るレ−ザエンコ−ダの
説明図である。
【図9】従来のエンコ−ダの概略構成を示す図である。
【符号の説明】
1 位相差正弦波発生手段 2 レ−ザ光測定手段 3 位相差信号検出手段 4 変位量計測手段 20 反射板 21,40 透明基板 22 レ−ザ光源 23 コリメ−タレンズ 24 PBS 25 対物レンズ 26 シリンドリカルレンズ 27 4分割受光素子 28 対物レンズ駆動アクチュェ−タ 29 加減算器 30 AMP 31,33,35 加算器 32,34 割り算器 e1,e2 位相差正弦波信号

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光検出系により反射光の光量を検知する
    光学式エンコ−ダにおいて、 微細ピッチの溝を形成した反射膜に入射したレーザ光が
    反射回析して位相差正弦波を発生する位相差正弦波発生
    手段と、微細スポット径のレ−ザ光を前記反射膜へ照射
    し回析する戻り光を分割して4分割受光素子により受光
    するレ−ザ光測定手段と、前記4分割受光素子の受光出
    力より互いに90度の位相差を有する位相差正弦波信号
    を検出する位相差信号検出手段と、前記位相差正弦波信
    号より前記移動スリットの変位量を計測する変位量計測
    手段を備えたことを特徴とするレ−ザエンコ−ダ。
  2. 【請求項2】 前記移動位相差正弦波発生手段の各溝と
    同一線上に位置情報を示すビットパタ−ンを設けたこと
    を特徴とする請求項1記載のレ−ザエンコ−ダ。
JP34932193A 1993-12-28 1993-12-28 レーザエンコーダ Pending JPH07198422A (ja)

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