JPH07197249A

JPH07197249A - 薄膜形成装置および方法

Info

Publication number: JPH07197249A
Application number: JP75794A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Morishita; 昌彦森下
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1994-01-10
Filing date: 1994-01-10
Publication date: 1995-08-01

Abstract

(57)【要約】【目的】基板上に形成される薄膜の特性分布の制御が
容易な薄膜形成装置および方法を得る。【構成】ターゲット３と基板５との間に混合プロセス
ガスを導入する複数のガス導入口１２ａ〜１２ｄを備
え、プロセスガスの混合比をガス導入口のターゲットに
対する位置に対応して選択して基板５上に形成される薄
膜の厚さ等を所定の分布にした薄膜形成装置および方
法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板（ウエハ
ー）上に薄膜を形成する薄膜形成装置および薄膜形成方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図７は従来の薄膜形成装置の概略断面図
であり、図８は図７の線Ｘ−Ｘに沿った概略断面図であ
る。これらの図に示す従来の薄膜形成装置は、スパッタ
チャンバーである真空槽１と、この真空槽１内にターゲ
ット３を支持するターゲット支持装置２とを備えてい
る。ターゲット支持装置２は、負の電圧が印加されるカ
ソード部である。ターゲット支持装置２の内部には、タ
ーゲット３の近くに磁界を形成するためのマグネット
（図示してない）が設けられており、マグネットは図示
してない公知の手段により軸Ａを中心にターゲット３に
対して回転できる。

【０００３】薄膜形成装置はまた、その上に薄膜を形成
すべき半導体ウエーハー等の基板５を、ターゲット支持
装置２上に支持されたターゲット３に対して離間して対
向した位置に支持する基板支持装置４を備えている。基
板支持装置４は、薄膜形成のための混合プロセスガスを
真空槽１内に導入するガス通路８を備えている。ガス通
路８の一端は真空槽１の外部で混合プロセスガスを供給
するガス供給源８ａに接続されており、他端は基板支持
装置４上の基板５の背面に沿って延びて基板５の周囲に
開口している。このガス通路８から真空槽１内に導入さ
れる混合プロセスガスの流れは矢印９で示してある。

【０００４】薄膜形成装置は更に、基板支持装置４によ
り支持された基板５の薄膜を形成すべき基板表面とター
ゲット３との間の空間に、矢印７で示す如く混合プロセ
スガスを導入するガス導入管６を備えている。ガス導入
管６の一端は真空槽１の外部で混合プロセスガス供給源
６ｂに接続されており、他端は図８に最も良く示されて
いるように真空槽１内で二股に分岐して、分岐した先端
にそれぞれガス導入口６ａを備えている。真空槽１には
排気口１０が設けられていて、排気口１０に接続された
排気ポンプ１０ａにより、ガス導入管６およびガス通路
８から真空槽１に導入されたプロセスガスを排気できる
ようにしてある。この排気されるガスの流れを矢印１１
で示してある。

【０００５】次に一例として、反応性スパッタにてＴｉ
Ｎ膜を形成する場合の図７および図８に示す従来の薄膜
形成装置の動作を説明する。まず、薄膜形成装置の真空
槽１内部で、チタンのターゲット３をターゲット支持装
置２に取付け、基板支持装置４には薄膜を形成すべき基
板５を取付る。ターゲット３と基板５との間に電圧を印
加して電界を発生させ、また、ターゲット支持装置２の
マグネット（図示してない）によりターゲット３と基板
５との間に電界と直交する磁場を発生させる。このとき
ターゲット支持装置２内のマグネットをその中心軸Ａを
中心として回転させる。

【０００６】このように、真空槽１内に電界と磁界を発
生させた状態で、ガス導入管６及びガス通路８からスパ
ッタリングガスであるアルゴン（Ａｒ）と反応ガスであ
る窒素（Ｎ₂）との混合プロセスガス（例えば、Ａｒ５
０％＋Ｎ₂５０％など）を真空槽１内に導入する。この
とき、図７及び図８に示すように、二股のガス導入管６
のガス導入口６ａから導入されたプロセスガスは、矢印
７で示す如く、ターゲット３の両側縁部から図で上方向
に流れ、ターゲット３の中央部に向かって曲がり、ター
ゲット３の中央部の表面に沿って下方に流れ、真空槽１
の底部に設けられた排気口１０から排気される。また、
ガス通路８から基板５の背面を通り、基板５の周囲から
真空槽１内部に供給された矢印９で示すプロセスガスの
流れは、薄膜の厚さ等の膜質調整及び基板５の温度調整
をするために用いられ、ガス導入管６から導入されたプ
ロセスガスと共に排気口１０から排気される。このよう
に、真空槽１は、混合プロセスガスが真空槽１内を矢印
７および９により示す如く流れて、ターゲット３および
半導体ウエハ等の基板５の表面上で一様に分布するよう
に構成されている。

【０００７】真空槽１内に供給された混合プロセスガス
中の正の荷電粒子であるアルゴンイオンは、電界により
加速されてターゲット３に衝突させられ、ターゲット３
の表面から電子と共に原子や分子をたたき出す。このよ
うにしてたたき出された原子や分子は、後に説明する如
く放電により生じた化学的活性に富む窒素ラジカルと反
応した後、基板５上に付着して窒化チタン膜を形成す
る。

【０００８】荷電粒子により同時にたたき出された電子
は、磁界により螺旋運動することになり、特定の空間内
に閉じ込められて、混合プロセスガス中のＡｒ原子との
衝突回数が増え、ターゲット付近に高密度のプラズマが
発生する。この高密度のプラズマのために、電子と混合
プロセスガスの原子との衝突確率が高くなり、低い圧力
でも放電が持続できるようになる。また、ターゲット支
持装置２のマグネット（図示してない）をターゲット３
に対して回転させるので、マグネットによる磁界がター
ゲット３に対して相対的に回転し、ターゲット３に対す
る磁界分布の均一性が高くなる。

【０００９】このようなスパッタリングにより基板５上
に形成される薄膜の膜厚分布は、ターゲット３と基板５
との間の磁界分布、ターゲット３と基板５との間の距
離、プロセス混合ガスの混合比およびターゲットの形状
など多数の要素によって変化するので、これら多数の要
素を適切に選択して、薄膜の膜厚、シート抵抗、比抵
抗、配向性、結晶性、密度などの特性の分布が一様にな
るようにしている。

【００１０】しかしながら、このように設計されて膜厚
分布が一様になるようにした薄膜形成装置であっても、
ターゲット３の材質（アルミニウム、チタン、タングス
テンシリサイド等）に応じて膜厚分布が変化してしまう
ため、ターゲット３の材質を変えた場合には、ターゲッ
ト３と基板５との間の磁界分布、混合ガスの混合比、タ
ーゲット３と基板５との間の距離を変化させる必要が生
じる。

【００１１】マグネットおよびその周辺部の磁気特性を
調整して適切な磁界分布を形成し、一様な膜厚の分布特
性を得ようとする場合には、磁気特性調整作業は、実際
に薄膜を形成して膜厚の分布を確認しながら試行錯誤で
行わねばならないため、非常に時間と費用の掛かる作業
であり、それにも拘わらず完全に一様な膜厚分布を得る
のは非常に困難である。また、この磁気特性の調整によ
りその磁界が不均一になるため、均一磁界の場合には図
１０（ａ）に示す如く一様に削られるターゲット３が図
１０（ｂ）に示すように不均一に削られて凹凸ができ、
形成される膜厚の分布が不均一になり、ターゲット３の
頻繁な交換が必要となり、作業効率が低下する。更に、
真空槽内に導入する混合プロセスガスの混合比を変える
ことも、試行錯誤によるために調整作業に時間および費
用が掛かり望ましくはない。また、ターゲット３と基板
５との間の距離を調整することも次のような問題があ
り、ターゲット３の材質によっては調整が満足すべきも
のでなくなる場合がある。

【００１２】即ち、ターゲット３と基板５との間の距離
ｄ₁乃至ｄ₃と膜厚分布との関係を示す図９に於いて、図
９(b)のように混合プロセスガスの混合比が最適に調整
され、ターゲット３と基板５との間の距離が適正な距離
ｄ₂の場合には、膜厚は同図の右側のグラフに示すよう
に基板５の表面上の位置に拘わらずほぼ一様になり、均
一の膜厚分布が得られる。なお、図９のグラフの横軸は
基板５の表面上の位置を示し、横軸の数字の具体的な位
置は、図９(d)に示すように、中心が(3)、周辺が(1)、
(5)、(6)、(9)、それらの中間が(2)、(4)、(7)、(8)で
ある。また、(1)、(2)、(3)、(4)、(5)は直線上にあ
り、また、(6)、(7)、(3)、(8)、(9)も直線上にある。
そして、これらの直線は互いに直交している。一方、図
９(a)のようにターゲット３と基板５との距離がｄ₁（ｄ
₁＜ｄ₂）の場合には、薄膜の膜厚は同図の右側のグラフ
に示すように基板５の中心で薄く、周辺で厚くなる（グ
ラフの形状は凹）。これに対し、図９(c)のようにター
ゲット３と基板５との距離がｄ₃（ｄ₃＞ｄ₂）の場合に
は、同図の右側のグラフに示すように基板５の中心で厚
く、周辺で薄くなる（グラフの形状は凸）。したがっ
て、最適に設計され、他の条件を最適に調整した薄膜形
成装置であっても、ターゲット３と基板５との距離を最
適に選択する必要がある。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、ターゲット
３の材質により、例えばアルミニウム、チタン、タング
ステンシリサイド等のいずれであるかによって、これら
の金属ラジカルの質量の違いのために、図９(b)に示す
如き最適の状態が、ターゲット３と基板５との間の距離
の調整可能範囲内に存在しなくなり、図９(a)あるいは
図９(b)の状態で薄膜形成をしなければならなくなり、
この距離をいかに調整しても例えば凸状のグラフで表さ
れる膜厚分布しか得られなくなることが起こる。このよ
うな場合には、図９(a)あるいは図９(b)の状態で薄膜形
成をしなければならなくなり、ターゲット３と基板５と
の間の距離の調整だけでは所望の膜厚分布を得ることが
できないことになる。

【００１４】このように、ターゲットと基板との間の距
離、磁界の特性、プロセスガスの混合比等を調整すると
いう従来行われていた膜厚分布の調整方法によると、薄
膜形成装置の調整に多くの時間および労力を必要とし、
それでもなお満足すべき薄膜分布が得られない場合があ
ったという解決すべき課題があった。

【００１５】この発明は、このような課題を解決するた
めになされたもので、基板上に形成される薄膜の膜厚等
の特性について所望の分布を得るために、少ない労力と
比較的短時間の作業で薄膜の所望の分布を得ることがで
きる薄膜形成装置および薄膜形成方法を得ることを目的
とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の薄膜形成
装置に於いては、真空槽と、真空槽内にターゲットを支
持するターゲット支持装置と、薄膜を形成すべき基板を
真空槽内でターゲットに対向離間して支持する基板支持
装置と、ターゲットと基板との間にプロセスガスを導入
するガス導入管であって、ターゲットの表面上に一様に
分布する複数の表面位置に対応する位置に設けられたガ
ス導入口を有し、このガス導入口からプロセスガスをタ
ーゲット表面上に導入するガス導入管と、ガス導入管に
接続され、ガス導入口から真空槽内に導入されるプロセ
スガス中のスパッタリングガス供給量を、ターゲット表
面の複数の位置に対応してそれぞれ選択して、ターゲッ
ト上の上記スパッタリングガスの供給量分布を調整する
供給量調整装置とを備えた薄膜形成装置とを備えてい
る。

【００１７】請求項２の薄膜形成装置に於いては、供給
量調整装置が、混合プロセスガス中のスパッタリングガ
スの混合比をそれぞれガス導入口に対して選択する混合
比調整装置である。

【００１８】請求項３の薄膜形成装置に於いては、供給
量調整装置が、スパッタリングガスの流量をそれぞれガ
ス導入口に対して選択する流量調整装置である。

【００１９】請求項４の薄膜形成装置に於いては、供給
量調整装置が、混合プロセスガス中のスパッタリングガ
スの混合比をそれぞれガス導入口に対して選択し、かつ
スパッタリングガスの流量をそれぞれガス導入口に対し
て選択した混合比・流量調整装置である。

【００２０】請求項５の薄膜形成装置に於いては、基板
支持装置が、基板を、ターゲットと基板とを結ぶ軸心を
中心に回転させる回転装置を備えている。

【００２１】請求項６の薄膜形成装置に於いては、ガス
導入管が、各々ガス導入口を有してそれぞれ独立して移
動可能な複数のガス導入管である。

【００２２】請求項７の薄膜形成装置に於いては、ガス
導入管が、ターゲット表面上に同心状に配置された複数
のリング状のガス導入管である。

【００２３】請求項８の薄膜形成装置に於いては、ガス
導入管がターゲットに接続され、複数のガス導入口が、
ターゲットに形成されている。

【００２４】請求項９の薄膜形成方法に於いては、真空
槽内にターゲットと薄膜を形成すべき基板とを対向離間
させて支持し、ターゲットと基板との間で、ターゲット
表面に略々一様に分布する複数の位置に対応した位置に
プロセスガスを導入し、プロセスガス中のスパッタリン
グガスの供給量を、ターゲット表面の複数の位置に対応
してそれぞれ選択して、ターゲット上のスパッタリング
ガスの供給量分布を調整する。

【００２５】請求項１０の薄膜形成方法に於いては、ス
パッタリングガスの供給量分布の調整が、スパッタリン
グガスの混合プロセスガス中の混合比をそれぞれガス導
入口に対して選択して行なわれる。

【００２６】請求項１１の薄膜形成方法に於いては、ス
パッタリングガスの供給量分布の調整が、スパッタリン
グガスの流量をそれぞれガス導入口に対して選択して行
われる。

【００２７】請求項１２の薄膜形成方法に於いては、ス
パッタリングガスの供給量分布の調整が、スパッタリン
グガスの混合プロセスガス中の混合比をそれぞれガス導
入口に対して選択して行われ、かつスパッタリングガス
の流量をそれぞれガス導入口に対して選択して行われ
る。

【００２８】請求項１３の薄膜形成方法に於いては、基
板を、ターゲットと基板とを結ぶ軸心を中心に回転させ
る。

【００２９】

【作用】請求項１記載の薄膜形成装置に於いては、ガス
導入口から導入されるプロセスガス中のスパッタリング
ガス供給量を、ターゲット表面の複数の位置に対応して
それぞれ選択して、ターゲット上のスパッタリングガス
の供給量分布を調整する供給量調整装置とを備え、スパ
ッタリングガスの供給量分布を調整して基板上の膜厚分
布等を調整する。

【００３０】請求項２の薄膜形成装置に於いては、混合
比調整装置が、混合プロセスガス中のスパッタリングガ
スの混合比をそれぞれガス導入口に対して選択し、混合
比分布が調整される。

【００３１】請求項３の薄膜形成装置に於いては、流量
調整装置が、スパッタリングガスの流量をそれぞれガス
導入口に対して選択できる。

【００３２】請求項４の薄膜形成装置に於いては、混合
比と流量の両者を調整し、混合プロセスガス中のスパッ
タリングガスの混合比と、スパッタリングガスの流量と
をそれぞれガス導入口に対して選択できる。

【００３３】請求項５の薄膜形成装置に於いては、基板
支持装置に設けた回転装置が、基板を、ターゲットと基
板とを結ぶ軸心を中心に回転させ得る。

【００３４】請求項６の薄膜形成装置に於いては、各々
ガス導入口を有してそれぞれ独立して移動可能な複数の
ガス導入管を、ターゲット表面に対して径方向に移動さ
せることができる。

【００３５】請求項７の薄膜形成装置に於いては、ター
ゲット表面に対して同心状に配置された複数のリング状
のガス導入管からプロセスガスが導入される。

【００３６】請求項８の薄膜形成装置に於いては、プロ
セスガスがターゲットに形成された複数のガス導入口か
ら導入される。

【００３７】請求項９の薄膜形成方法に於いては、プロ
セスガス中のスパッタリングガスの供給量を、ターゲッ
ト表面の複数の位置に対応してそれぞれ選択して、ター
ゲット上のスパッタリングガスの供給量分布を調整し、
もって基板上に所望の特性の薄膜を形成する。

【００３８】請求項１０の薄膜形成方法に於いては、ス
パッタリングガスの混合プロセスガス中の混合比をそれ
ぞれガス導入口に対して選択する。

【００３９】請求項１１の薄膜形成方法に於いては、ス
パッタリングガスの流量をそれぞれガス導入口に対して
選択する。

【００４０】請求項１２の薄膜形成方法に於いては、ス
パッタリングガスの混合プロセスガス中の混合比をそれ
ぞれガス導入口に対して選択し、かつスパッタリングガ
スの流量をそれぞれガス導入口に対して選択する。

【００４１】請求項１３の薄膜形成方法に於いては、基
板を、ターゲットと基板とを結ぶ軸心を中心に回転させ
る。

【００４２】

【実施例】

実施例１．図１は本発明の薄膜形成装置の概略断面図で
あり、図２は図１の線Ｙ−Ｙに沿った概略断面図であ
る。薄膜形成装置は、スパッタチャンバーである真空槽
１と、この真空槽１内にターゲット３を支持するターゲ
ット支持装置２とを備えている。ターゲット支持装置２
は、後に説明する荷電粒子を衝突させてそこから原子や
分子を放出させるターゲット３を支持し、負の電圧が印
加されるカソード部である。ターゲット支持装置２の内
部には、ターゲット３の近くに磁界を形成するためのマ
グネット（図示してない）が設けられており、マグネッ
トは図示してない公知の手段により軸Ａを中心にターゲ
ット３に対して回転できる。

【００４３】薄膜形成装置はまた、その上に薄膜を形成
すべき半導体ウエーハー等の基板５を、ターゲット支持
装置２上に支持されたターゲット３に対して離間して対
向した位置に支持する基板支持装置４を備えている。基
板支持装置４は、薄膜形成のための混合プロセスガスを
真空槽１内に導入するガス通路８を備えている。ガス通
路８の一端は真空槽１の外部で混合プロセスガスを供給
するガス供給源８ａに接続されており、他端は基板支持
装置４上の基板５の背面に沿って延びて基板５の周囲に
開口している。このガス通路８から真空槽１内に導入さ
れる混合プロセスガスの流れは矢印９で示してある。基
板支持装置４はまた、真空槽１に対して軸Ａ回りに回転
可能に支持されており、基板支持装置４を基板５と共に
回転させる回転装置８ｂに連結されている。この回転装
置８ｂは、基板５をターゲット３の背面に設けられてい
るマグネット（図示してない）に対して相対的に回転さ
せ、ターゲット３から放出される原子や分子に対して基
板５上にガス導入管1６の影ができないようにするため
のものである。

【００４４】薄膜形成装置は更に、基板支持装置４によ
り支持された基板５の薄膜を形成すべき基板表面とター
ゲット３との間の空間に、矢印７で示す如く混合プロセ
スガスを導入するガス導入管１６を備えている。真空槽
１には排気口１０が設けられていて、排気口１０に接続
された排気ポンプ１０ａにより、ガス導入管１６および
ガス通路８から真空槽１に導入されたプロセスガスを排
気できるようにしてある。このガスの流れを矢印１１で
示してある。

【００４５】この実施例のガス導入管１６は、図２に最
も良く示されている如く、ターゲット３あるいは基板５
の表面に対して平行な面内で互いに９０°離間して半径
方向に延びた第１乃至第４のガス導入管１６ａ、１６
ｂ、１６ｃおよび１６ｄを備えている。これらのガス導
入管１６ａ乃至１６ｄの外端は、それぞれ混合プロセス
ガス中のスパッタリングガスの供給量、例えば混合プロ
セスガスの混合比および流量を独立して調整するための
供給量調整装置１７を介してプロセスガス供給源１８に
接続されている。プロセスガス供給源１８は、アルゴン
タンク１８ａと窒素タンク１８ｂとを備えている。供給
量調整装置１７は複数の公知のバルブを図示の如く組み
合わせたバルブ装置で良く、この供給量調整装置１７の
各バルブを適切に組み合わせて開閉することにより、真
空槽１内に供給される混合プロセスガスの混合比を調整
する混合比調整装置として使用することも、混合プロセ
スガス中のスパッタリングに寄与するスパッタリングガ
スの流量を調整する調整装置として使用することも、ま
た、これらを組み合わせて混合プロセスガスの混合比お
よび流量を調整する調整装置として使用することもでき
る。

【００４６】また、これらのガス導入管１６ａ乃至１６
ｄの内端は入子式に伸縮可能になっていて、各ガス導入
管１６ａ乃至１６ｄの先端がそれぞれターゲット３の表
面に対して独立して径方向に移動できるようにされてい
る。

【００４７】ガス導入管１６ａ乃至１６ｄの内端は、図
２に最も良く示されているように、ターゲット支持装置
２により支持されたターゲットの表面に対してそれぞれ
異なる半径方向位置に設けられていて、それぞれ第１乃
至第４のガス導入口１２ａ、１２ｂ，１２ｃおよび１２
ｄを備えている。即ち、第１のガス導入管１６ａは図２
で上方から（ターゲット３の中心から見て１２時方向）
ターゲット３の中心にまで延び、そのガス導入口１２ａ
はターゲット３時の表面の中心に対応した位置に設けら
れている。第２のガス導入管１６ｂは第１のガス導入管
１６ａに対して９０°時計方向に回転した方向（３時方
向）に延びてそのガス導入口１２ｂは中心から半径の約
１／３だけ外側の位置に対応した位置に在り、第３のガ
ス導入管１６ｃは第２のガス導入管１６ｂに対して更に
９０°時計方向に回転した方向（６時方向）に延びてそ
のガス導入口１２ｃは中心から半径の約２／３だけ外側
の位置に対応した位置に在り、第４のガス導入管１６ｄ
は第３のガス導入管１６ｃに対して更に９０°時計方向
に回転した方向（９時方向）に延びてそのガス導入口１
２ｄはターゲット３の外周部に対応した位置に在る。

【００４８】このように構成されたガス導入管１６に対
して基板支持装置４によりターゲット３を回転させる
と、各ガス導入口１２ａ乃至１２ｄはそれぞれの位置で
ターゲット３に対して相対的に周方向に移動し、図２に
破線で示す如く互いに等距離離れた４本の同心円の軌跡
を描くことになり、この意味でガス導入口１２ａ乃至１
２ｄはターゲット表面に対して一様に分布していると言
える。換言すれば、この実施例に於いては、第１乃至第
４のガス導入口１２ａ乃至１２ｄは、ターゲット３上の
一様に分布する複数の表面位置を考えた場合、このター
ゲット表面上の位置に対応する位置に設けられていると
言える。

【００４９】ガス導入管１６は、ターゲット３からその
中心軸方向に基板５の方向に僅かに、例えば１０〜３０
ｍｍ程度離間した位置に設けられ、また基板５からもそ
の中心軸方向にターゲット３に向かって例えば５０ｍｍ
以上離間した位置に設けられている。このように基板５
から離すのは、ターゲット３から放出された分子や原子
がガス導入管１６により遮られて、基板５上にそのガス
導入管１６の「影」ができ、基板５上の薄膜が薄くなっ
てしまうというシャドーイング現象を防止するためであ
る。

【００５０】図３（ａ）に示すように、ガス導入管１６
のガス導入口１２ａ乃至１２ｄはターゲット３とは反対
方向即ち基板５側を向いて開いている。これは、ガス導
入口１２ａ乃至１２ｄがターゲット３側を向いている
と、ターゲット３から放出された原子や分子がガス導入
口周囲に付着してガス導入口１２ａ乃至１２ｄをふさい
でしまうため、頻繁にガス導入口１２ａ乃至１２ｄを掃
除する必要が生じ、メンテナンス上問題だからである。

【００５１】次に一例として、図１乃至図３に示す本発
明の薄膜形成装置を用いて反応性スパッタリングにより
ＴｉＮ膜を形成する場合の動作を説明する。まず、薄膜
形成装置の真空槽１内部で、チタンのターゲット３をタ
ーゲット支持装置２に取付け、基板支持装置４には薄膜
を形成すべき半導体ウエハ等の基板５を取付る。ターゲ
ット３と基板５との間に電圧を印加して電界を発生さ
せ、また、ターゲット支持装置２のマグネット（図示し
てない）によりターゲット３と基板５との間に電界と直
交する磁場を発生させる。このときターゲット支持装置
２内のマグネットをその中心軸Ａを中心として回転させ
る。

【００５２】このように、真空槽１内に電界と磁界を発
生させた状態で、ガス導入管１６及びガス通路８からス
パッタリングガスであるアルゴン（Ａｒ）および反応ガ
スである窒素（Ｎ₂）の混合プロセスガスを真空槽１内
に導入する。このとき、混合プロセスガスは、図１およ
び図２に示す如く、４本のガス導入管１６ａ乃至１６ｄ
により構成されるガス導入管１６のガス導入口１２ａ乃
至１２ｄから真空槽１内に導入され、基板５の背面を通
るガス通路８を通して基板５の周囲から真空槽１内部に
供給された矢印９で示す混合プロセスガスと共に、ター
ゲット３と基板５との間の空間を通って、真空槽１の底
部に設けられた排気口１０から排気される。真空槽１内
に供給された混合プロセスガス中の正電荷を持つアルゴ
ンイオンである荷電粒子は、電界により加速されてター
ゲット３に衝突させられ、ターゲット３の表面から電子
と共にチタン原子や分子をたたき出す。このようにして
たたき出された原子や分子は、後に説明する放電により
生じた化学的活性に富む窒素ラジカルと反応して窒化チ
タンとなり、基板５上に付着して窒化チタン膜を形成す
る。

【００５３】荷電粒子によりたたき出された電子は、電
界によって加速され磁界により螺旋運動することにな
り、特定の空間内に閉じ込められて、混合プロセスガス
中のＡｒ原子との衝突回数が増え、ターゲット３付近に
高密度のプラズマが発生する。この高密度のプラズマの
ために、電子と混合プロセスガスの原子との衝突確率が
高くなり、低い圧力でも放電が持続できるようになる。
また、ターゲット支持装置２のマグネットをターゲット
に対して回転させるので、磁界がターゲット３に対して
相対的に回転し、ターゲット３に対する磁界分布の均一
性が高くなる。

【００５４】このとき、前述したように薄膜の膜厚ある
いは他の特性、例えばシート抵抗、比抵抗、配向性、結
晶性、密度などを所望通りに調整して、例えば薄膜の膜
厚を一様にしようとする場合に、マグネットの磁場分布
を調整し、またターゲット３と基板５との間の距離を調
整して薄膜形成条件の最適化を行っても、薄膜の膜厚が
充分に一様にならないことがある。この場合、供給され
る混合プロセスガスのターゲット３の単位面積当たりの
供給量が一定であれば、膜厚分布は薄膜形成装置毎のマ
グネットの特性、真空槽１内の混合プロセスガスの混合
比に対応して定まる。このとき膜厚分布は、図４(a)に
示すように基板５の中心(4)において膜厚が薄く、周辺
(1)(7)(8)(13)において膜厚が厚いという凹型の曲線を
なすか、あるいは、逆に図４(b)に示すように凸型の曲
線をなすかのいずれかになる。そして、ガスの混合比の
分布にしたがって膜厚の大小（図４の膜厚分布の曲線で
言えばその上下関係）が決まる。

【００５５】すなわち、分布が凹凸いずれの場合であっ
ても、Ａｒ、Ｎ₂の混合ガスを用いるとき、Ａｒの混合
比が小さくなる（Ｎ₂の混合比が大きくなる）と成膜速
度（時間当たりに形成される薄膜の厚さ）が下がり、逆
にＡｒの混合比が大きくなる（Ｎ₂の混合比が小さくな
る）と成膜速度が上がる。例えば、Ａｒ５０％＋Ｎ₂５
０％、Ａｒ４３％＋Ｎ₂５７％、Ａｒ３７％＋Ｎ₂６３％
およびＡｒ３０％＋Ｎ₂７０％という４種類の混合比の
場合を考えると、図４(a)において膜厚分布はそれぞれ
ａ、ｂ、ｃ、ｄの曲線となり、図４(b)においてそれぞ
れｅ、ｆ、ｇ、ｈの曲線となる。

【００５６】ここで、所望の膜厚分布、例えば図４のＢ
線で示す如き一様な膜厚分布を得ようとするためには、
供給される混合プロセスガスのターゲット３の単位面積
当たりの流量を一定にして、ターゲット３の位置に対応
してＢ線と曲線ａ、ｂ、ｃ、ｄとの交点に対応するター
ゲット３上の位置で、各曲線ａ、ｂ、ｃ、ｄの表す混合
比のプロセスガスをそれぞれ導入すればよい。

【００５７】例えば、図４(a)の場合、第１乃至第４の
各ガス導入管１６ａ乃至１６ｄから導入する混合プロセ
スガスの供給量を先に述べたようにターゲット３の面積
当たりで一定となるようにして、ターゲット３の中心
(4)の位置にガス導入口１２ａを持つ第１のガス導入管
１６ａにＡｒ５０％＋Ｎ₂５０％の混合比のガスを供給
し、(3)(5)(10)(11)の位置に対応した第２のガス導入口
１２ｂを持つ第２のガス導入管６ｂに対しＡｒ４３％＋
Ｎ₂５７％の混合比のガスを供給し、(2)(6)(9)(12)の位
置に対応した第３のガス導入口１２ｃを持つ第３のガス
導入管１６ｃに対しＡｒ３７％＋Ｎ₂６３％の混合比の
ガスを供給し、最も外側の(1)(7)(8)(13)の位置に対応
する第４のガス導入口１２ｄを持つ第４のガス導入管１
６ｃに対しては、Ａｒ３０％＋Ｎ₂７０％の混合比のガ
スを供給する。図４(b)の場合には、反対に第１のガス
導入管６ａに対しＡｒ３０％＋Ｎ₂７０％の混合比のガ
スを供給し、第２のガス導入管６ｂに対しＡｒ３７％＋
Ｎ₂６３％の混合比のガスを供給し、第３のガス導入管
６ｃに対しＡｒ４３％＋Ｎ₂５７％の混合比のガスを供
給し、第４のガス導入管６ｃに対しＡｒ５０％＋Ｎ₂５
０％の混合比のガスを供給する。このように、図４の特
性に基づいて、ガスの混合比を基板５上の膜厚が同じ値
になるように調整して、第１乃至第４のガス導入管１６
に対し混合プロセスガスをそれぞれ同時に流しながらス
パッタリングを行う。

【００５８】このようにターゲット３の場所毎のプロセ
スガス混合比を変えることにより、膜厚分布が凹型ある
いは凸型の膜厚分布の曲線をなす場合でも、基板５に形
成される薄膜の膜厚を一様にすることができる。

【００５９】以上のように、第１乃至第４のガス導入管
１６ａ乃至１６ｄから真空槽内に供給する混合プロセス
ガスの供給量をターゲット３の単位表面積あたり一定に
維持しながら、それぞれのガス導入管１６ａ乃至１６ｄ
から異なった混合比のガスを流すことにより、ターゲッ
ト３の表面に対するスパッタリングガスの供給量分布を
調整することができ、スパッタリングにより形成される
所望の膜質（膜厚を例としたがシート抵抗、比抵抗、配
向性、結晶性、密度なども同様である）を均一あるいは
所望の分布にコントロールすることができ、基板５の表
面の膜質分布が向上する。

【００６０】また、第１乃至第４のガス導入管１６ａ乃
至１６ｄから真空槽内に供給する混合プロセスガスの混
合比を各ガス導入管毎に一定に維持しながら、それぞれ
のガス導入管１６ａ乃至１６ｄから異なった供給量のガ
スを流すことにより、基板５の表面に対する反応ガスの
供給量分布を調整することもでき、上述と同様の効果が
得られる。

【００６１】また、スパッタの際に基板支持装置４を回
転させて基板５をその中心軸について回転させ、ガス導
入管１６ａ乃至１６ｄによるシャドーイングの影響を小
さくして、基板５上の膜厚分布の不均一をさらに小さく
することができる。基板支持装置４が回転しないと、基
板５とガス導入管１６との位置関係が変わらず、基板５
の特定の位置が、ガス導入管１６によるシャドーイング
の影響を受け、形成される薄膜は不均一なものになる。
これに対し基板支持装置４を回転させると基板５上に於
けるシャドーイングの影響が平均化され、このような不
都合は軽減される。

【００６２】なお、上述のような調整に加えて、混合プ
ロセスガスのうちの反応ガスの供給量の微調整を更に行
う必要がある場合、第１乃至第４のガス導入管１６ａ乃
至１６ｄの入子式部分を伸縮させてそれぞれのガス導入
口１２ａ乃至１２ｄの位置を、図２の矢印に示すように
ターゲット３の半径方向に動かして調整することができ
る。これにより、混合プロセスガスの混合比を微調整す
るよりも簡単な方法によりスパッタリングガスおよび反
応ガスの供給量を微調整することができ、膜厚の調整が
簡単迅速に行える。

【００６３】また、この実施例において、ガス導入管１
６が４本の場合を説明しているが、これに限らずガス導
入管１６の本数を増やして混合プロセスガスの混合比の
コントロールを微細に行い、基板５上の膜質の微妙な調
整ができるようにすることもできる。

【００６４】実施例２．また、図３(b)に示すように、
上記実施例におけるガス導入管１６のガス導入口１２に
ガス誘導器１３を設け、混合プロセスガスをターゲット
３側に導くようにしてもよい。ガス導入管１６を通って
ガス導入口１２から出た混合プロセスガスはガス誘導器
１３により向きを変えられ、矢印７で示す如くターゲッ
ト３側に誘導される。このようにすることにより、スパ
ッタ膜がガス導入口１２に形成されてガス導入口１２が
つまることを防止しつつ、混合プロセスガスをターゲッ
ト３側に誘導できるので、メンテナンスが容易であると
ともに、ターゲット３付近のプラズマ密度を高め、ター
ゲット３のイオンを多く発生させ、薄膜を効率よく形成
できる。

【００６５】実施例３．図５(a)および図５(b)にはこの
発明の更に別の実施例を示す。この実施例に於いてはガ
ス導入管２６が概して複数の同心リング状である。即ち
ガス導入管２６の第１のガス導入管２６ａは、ターゲッ
ト３に対する位置で見てターゲット３の略々中央部にま
で延びてそこに第１のガス導入口２２ａを備えた直管で
あるが、第２乃至第４のガス導入管２６ｂ乃至２６ｄ
は、ターゲット３に対して同軸で径方向に等間隔に並べ
られた同心円のリング状導管にそれぞれ直管を接続した
ものである。各リング状導管には多数のガス導入口２２
ｂ乃至２２ｄが略々一様に分布するように設けられてい
て、ガス導入管２６全体でガス導入口２２ａ乃至２２ｄ
が略々一様に分布するように構成されている。

【００６６】図５(b)は図５(a)の面Ｖ−Ｖにおける概略
断面図であり、この図から明らかな通り、ガス導入口２
２は、スパッタ膜の付着による穴詰まりを防止するた
め、ターゲット３の反対側に設けられている。

【００６７】なお、図５(c)に示すように、ガス導入管
２６のガス導入口２２の部分に実施例２の場合と同様の
ガス誘導器２３を設けてもよい。この場合、ガス導入口
２２の部分にのみガス誘導器２３を設けてもよいし、ガ
ス導入管２６のリング状の部分の全体にわたってリング
状のガス導入器２３を設けてもよい。

【００６８】また、図５に示す実施例に於いては、リン
グ状のガス導入管２６は同一平面上に配置されている
が、これらをそれぞれ別々の平面上に配置して、ターゲ
ット３と第１乃至第４ガス導入管２６ａ乃至２６ｄとの
間の距離をそれぞれ異ならしめることもできる。

【００６９】この実施例に於いては、リング状のガス導
入管２６を用いることにより、ターゲット３の同心円上
における混合プロセスガスの混合比を周方向にほぼ一定
（例えば図４(c)に於ける(1)(8)(7)(13)の位置でのそれ
ぞれの混合比が同じであり、(2)(9)(6)(12)の位置での
それぞれの混合比が同じであり、また(3)(10)(5)(11)の
位置に於けるそれぞれの混合比が同じである）とするこ
とができ、基板５上に形成される薄膜の膜質をより均一
にすることができる。

【００７０】実施例４．図６(a)乃至図６(c)に示す実施
例に於いては、ガス導入管がターゲットに接続され、ガ
ス導入口がターゲットに形成されている。即ち、先の実
施例に於けるガス導入管１６あるいは２６の代わりに、
円板状のターゲット３ａに、ターゲット３ａの中心に設
けた第１のガス導入口３２ａを中心にして、３つの同心
円に沿って配列した第２乃至第４の多数のガス導入口３
２ｂ乃至３２ｄが設けられている。これらガス導入口３
２ａ乃至３２ｄは、例えば０．５〜１ｍｍの直径であ
り、ターゲット３ａの裏面で図５に示すものと同様の複
数のリング状のガス導入管（図示してない）に接続され
ていて、先の実施例と同様にターゲット３ａの中心から
の距離（半径）に対応して異なった混合比のプロセスガ
スを供給し、ターゲット３ａを通して真空槽１内に供給
される混合プロセスガスの混合比分布が一様になるよう
にしてある。

【００７１】ここで、ターゲット３ａに設けるガス導入
口３２ａ乃至３２ｄは、その軸心がターゲット３ａの表
面に対して垂直ではなく、図６(b)に示すように傾いて
いるので、プラズマにより生じて電界により加速されタ
ーゲット３ａに略々垂直方向に入射するイオンが、ガス
導入口３２を通り抜けて直接カソード部であるターゲッ
ト保持装置２に衝突することがない。即ち、図６(c)に
示す如くガス導入口３２がターゲット３ａの表面に対し
て垂直に形成されていれば、入射するイオンは矢印３３
で示す如く略々垂直であるのでガス導入口３２を通り抜
けて直接ターゲット支持装置２に到達する。このイオン
は、カソード部であるターゲット支持装置２を構成する
銅等の材料の原子あるいはターゲット３を固定するため
の接着剤の原子がたたき出され、例えば銅イオン３４と
して真空槽１内に入る。このようなターゲット３以外か
らのイオンは形成される薄膜の性質に悪影響を与える。

【００７２】これに対し、図６(d)に示す如くガス導入
口３２がターゲット３ａの表面に対して斜めに設けられ
ていると、矢印３３で示す如くイオンはガス導入口３２
の傾斜した壁面に衝突して遮られ、直接カソード部２に
到達することはない。すなわち、プラズマにより生じる
イオン３４はターゲット３ａによるものであり、上記の
不都合は生じない。

【００７３】また、ガス導入口３２をターゲット３ａの
表面に対して傾斜させることにより、印加されている電
界の方向についてみれば、ターゲット３ａの表面の凹凸
が軽減されることになり、異常放電を防止することがで
きる。

【００７４】なお、図示の例では各ガス導入口３２の傾
斜は同じ方向にしてあるが、これに限らず、傾斜の方向
は中心に対称に設けても、またランダムに設けてもよ
い。

【００７５】以上のように、ターゲット３ａに同心円状
に設けたガス導入口からガスを導入することにより、所
定の混合比のガスをターゲット３ａの同心円上に、均一
に分布させることができるとともに、ターゲット３ａ付
近にプラズマを集中させることができ、薄膜形成が効率
良く行われる。

【００７６】なお、以上の説明においてスパッタ装置を
例にとり説明したが、これに限らず、ガスの混合比等に
よって膜質が変化する薄膜形成装置に適用できることは
言うまでもない。例えばＣＶＤ法のプラズマＴＥＯＳ
（テトラエトキシシラン）の場合、ＴＥＯＳガスとＯ₂
ガスとの混合比を調整することにより、上記実施例と同
様のことができる。その他、Ｏ₃＋Ｏ₂＋ＴＥＯＳ混合ガ
スを用いる層膜間ＣＶＤ、ＳｉＨ₄＋ＮＨ₃混合ガスを用
いるガラスコートＣＶＤ、ＷＦ₆＋Ｈ₂混合ガスを用いる
メタルＣＶＤの場合も同じである。

【００７７】

【発明の効果】以上説明した如く、請求項１記載の薄膜
形成装置に於いては、ターゲットと基板との間にプロセ
スガスを導入するガス導入管であって、ターゲットの表
面上に一様に分布する複数の表面位置に対応する位置に
設けられたガス導入口を有し、このガス導入口からプロ
セスガスをターゲット表面上に導入するガス導入管と、
ガス導入管に接続され、ガス導入口から真空槽内に導入
されるプロセスガス中のスパッタリングガス供給量を、
ターゲット表面の複数の位置に対応してそれぞれ選択し
て、ターゲット上の上記スパッタリングガスの供給量分
布を調整する供給量調整装置とを備えているので、簡単
で短時間の調整作業によりスパッタリングガスの供給量
分布を調整して基板上の膜厚分布等を所望通りに調整で
きる。

【００７８】請求項２の薄膜形成装置に於いては、供給
量調整装置が、混合プロセスガス中のスパッタリングガ
スの混合比をそれぞれガス導入口に対して選択する混合
比調整装置であるので、混合プロセスガス中のスパッタ
リングガスの混合比をそれぞれガス導入口に対して選択
して膜厚分布を容易に調整することができる。

【００７９】請求項３の薄膜形成装置に於いては、供給
量調整装置が、スパッタリングガスの流量をそれぞれガ
ス導入口に対して選択する流量調整装置であるので、ス
パッタリングガスの流量をそれぞれガス導入口に対して
選択して膜厚分布を正確に調整できる。

【００８０】請求項４の薄膜形成装置に於いては、供給
量調整装置が、混合プロセスガス中のスパッタリングガ
スの混合比をそれぞれガス導入口に対して選択し、かつ
スパッタリングガスの流量をそれぞれガス導入口に対し
て選択した混合比・流量調整装置であるので、混合比と
流量の両者を調整し、スパッタリングガスの混合比とス
パッタリングガスの流量とをそれぞれガス導入口に対し
て選択して薄膜分布をより正確に調整できる。

【００８１】請求項５の薄膜形成装置に於いては、基板
支持装置が、基板を、ターゲットと基板とを結ぶ軸心を
中心に回転させる回転装置を備えているので、膜厚分布
がより正確に調整できる。

【００８２】請求項６の薄膜形成装置に於いては、ガス
導入管が、各々ガス導入口を有してそれぞれ独立して移
動可能な複数のガス導入管であるので、ガス導入口の位
置をターゲット表面に対して径方向に微調節でき、膜厚
分布の調整がより正確にできる。

【００８３】請求項７の薄膜形成装置に於いては、ガス
導入管が、ターゲット表面上に同心状に配置された複数
のリング状のガス導入管であるので、膜厚分布が正確に
調整できる。

【００８４】請求項８の薄膜形成装置に於いては、ガス
導入管がターゲットに接続され、複数のガス導入口が、
ターゲットに形成されているので、ガス導入管が影を作
るシャドウイングが起こらない。

【００８５】請求項９の薄膜形成方法に於いては、プロ
セスガス中のスパッタリングガスの供給量を、ターゲッ
ト表面の複数の位置に対応してそれぞれ選択して、ター
ゲット上のスパッタリングガスの供給量分布を調整する
ので、薄膜形成の調整が比較的容易に行い得、膜厚分布
が正確に調整できる。

【００８６】請求項１０の薄膜形成方法に於いては、ス
パッタリングガスの供給量分布の調整が、スパッタリン
グガスの混合比の選択により行なわれるので、調整が容
易である。

【００８７】請求項１１の薄膜形成方法に於いては、ス
パッタリングガスの供給量分布の調整が、スパッタリン
グガスの流量の選択により行われるので、調整が容易で
正確にできる。

【００８８】請求項１２の薄膜形成方法に於いては、ス
パッタリングガスの供給量分布の調整が、スパッタリン
グガスの混合比と流量との選択により行われるので、調
整がより容易で正確にできる。

【００８９】請求項１３の薄膜形成方法に於いては、基
板を、ターゲットと基板とを結ぶ軸心を中心に回転させ
るので、シャドウイングが起こらない。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明による薄膜形成装置の概略断面図であ
る。

【図２】この発明による実施例１のガス導入管の配置を
ターゲットに関連して示す図である。

【図３】この発明による実施例１及び実施例２のガス導
入管先端部の断面図である。

【図４】この発明によるガス導入管に供給する混合プロ
セスガスの混合比の決定方法を説明する図である。

【図５】この発明による実施例３のリング状のガス導入
管を示す図である。

【図６】この発明による実施例４のガス導入口を有する
ターゲットを示す図である。

【図７】従来の薄膜形成装置の概略断面図である。

【図８】従来のガス導入管の配置を示す図である。

【図９】従来の薄膜形成装置における、ターゲット・基
板間の距離と膜厚分布との関係を説明するための図であ
る。

【図１０】従来の薄膜形成装置における、ターゲットの
厚みの減少を説明するための概略図である。

【符号の説明】

１真空槽２ターゲット支持装置３、３ａターゲット４基板支持装置５基板８ｂ回転装置１２ａ〜１２ｄガス導入口１６ガス導入管１７供給量調整装置２２ａ〜２２ｄガス導入口２６ガス導入管３２ａ〜３２ｄガス導入口

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空槽と、上記真空槽内にターゲットを
支持するターゲット支持装置と、薄膜を形成すべき基板を上記真空槽内で上記ターゲット
に対向離間して支持する基板支持装置と、上記ターゲットと上記基板との間にプロセスガスを導入
するガス導入管であって、上記ターゲットの表面上の複
数の表面位置に対応する位置に設けられたガス導入口を
有し、このガス導入口からプロセスガスをターゲット表
面上に導入するガス導入管と、上記ガス導入管に接続され、上記ガス導入口から真空槽
内に導入される上記プロセスガス中のスパッタリングガ
ス供給量を、上記ターゲット表面の複数の位置に対応し
てそれぞれ選択して、上記ターゲット上の上記スパッタ
リングガスの供給量分布を調整する供給量調整装置とを
備えた薄膜形成装置。
【請求項２】上記供給量調整装置が、混合プロセスガ
ス中の上記スパッタリングガスの混合比をそれぞれ上記
ガス導入口に対して選択する混合比調整装置である特許
請求の範囲第１項記載の薄膜形成装置。
【請求項３】上記供給量調整装置が、上記スパッタリ
ングガスの流量をそれぞれ上記ガス導入口に対して選択
する流量調整装置である特許請求の範囲第１項記載の薄
膜形成装置。
【請求項４】上記供給量調整装置が、混合プロセスガ
ス中の上記スパッタリングガスの混合比をそれぞれ上記
ガス導入口に対して選択し、かつ上記スパッタリングガ
スの流量をそれぞれ上記ガス導入口に対して選択した混
合比・流量調整装置である特許請求の範囲第１項記載の
薄膜形成装置。
【請求項５】上記基板支持装置が、上記基板を、上記
ターゲットと上記基板とを結ぶ軸心を中心に回転させる
回転装置を備えてなる特許請求の範囲第１項乃至第４項
のいずれか記載の薄膜形成装置。
【請求項６】上記ガス導入管が、各々上記ガス導入口
を有してそれぞれ独立して移動可能な複数のガス導入管
である特許請求の範囲第１項乃至第５項のいずれか記載
の薄膜形成装置。
【請求項７】上記ガス導入管が、上記ターゲット表面
上に同心状に配置された複数のリング状のガス導入管で
ある特許請求の範囲第１項乃至第６項のいずれか記載の
薄膜形成装置。
【請求項８】上記ガス導入管が上記ターゲットに接続
され、上記複数のガス導入口が、上記ターゲットに形成
されてなる特許請求の範囲第１項乃至第７項のいずれか
記載の薄膜形成装置。
【請求項９】真空槽内にターゲットと薄膜を形成すべ
き基板とを対向離間して支持し、上記ターゲットと上記
基板との間で、上記ターゲット表面に略々一様に分布す
る複数の位置に対応した位置にプロセスガスを導入し、
上記プロセスガス中のスパッタリングガスの供給量を、
上記ターゲット表面の複数の位置に対応してそれぞれ選
択して、上記ターゲット上の上記スパッタリングガスの
供給量分布を調整することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項１０】上記反応ガスの供給量分布の調整が、
上記スパッタリングガスの混合プロセスガス中の混合比
をそれぞれ上記ガス導入口に対して選択して行なわれる
特許請求の範囲第９項記載の薄膜形成方法。
【請求項１１】上記反応ガスの供給量分布の調整が、
上記スパッタリングガスの流量をそれぞれ上記ガス導入
口に対して選択して行われる特許請求の範囲第９項記載
の薄膜形成方法。
【請求項１２】上記スパッタリングガスの供給量分布
の調整が、上記スパッタリングガスの混合プロセスガス
中の混合比をそれぞれ上記ガス導入口に対して選択して
行われ、かつ上記スパッタリングガスの流量をそれぞれ
上記ガス導入口に対して選択して行われる特許請求の範
囲第９項記載の薄膜形成方法。
【請求項１３】上記基板を、上記ターゲットと上記基
板とを結ぶ軸心を中心に回転させる特許請求の範囲第９
項乃至第１２項のいずれか記載の薄膜形成方法。