JPH07193678A - 超鋭敏センサアレー - Google Patents
超鋭敏センサアレーInfo
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Abstract
性を有する超鋭敏センサアレーを提供する。 【構成】 イメージをセンシングする装置であって、複
数の第1のセンサ素子を備え、第1のセンサ素子のそれ
ぞれは、その境界内に位置している入射放射強度分布の
空間的変化にセンシティブであり、第1のセンサ素子
は、イメージの近似を表わす信号出力を有するアレーに
間隔を置いて配置され、信号出力は、アレーの前記第1
のセンサの中心−中心間距離よりも優れた解像度でイメ
ージの部分を少なくとも測定するために用いることがで
きる装置。
Description
関する。
されるべきイメージを、離散的イメージセンサ素子のア
レー(通常、pinダイオード)に投影することによっ
て動作する。投影されたイメージは、次に、センサアレ
ー素子の条件(condition )を問い合わせることによっ
て決定される。例えば、図1は、エッジ12を有するイ
メージが投影されるアレー10の4×5素子部分を示
す。ここで、エッジという用語は、光照明領域と周囲条
件下の領域によって規定された境界を意味すべく用いら
れる。エッジ12上方のアレー10の領域は、照明さ
れ、エッジ下方の領域は、暗いと想定される。20個の
正方形14として示される、20個の素子は、AからD
の行とRからVの列に編成される。イメージを走査する
ために、素子のそれぞれの照明状態は、マトリクスアド
レス指定技術(matrix addressing techniques)を用い
て決定される。もし特定の素子、例えば行A、列Rの素
子が十分に照明されるならば、素子は、第1の状態(O
N)であるとして検知される。もし特定の素子、例えば
行D、列Vの素子が十分に照明されていないならば、素
子は、第2の状態(OFF)であるとして検知される。
もし特定の素子が部分的に照明されているならば、その
状態は、素子が照明されている程度及びその照明の強度
に依存する。アレー10の示された素子の全ての問い合
わせは、ON状態素子が白そしてOFF状態素子が斜交
平行線で図1に示したイメージに対してやや粗い近似を
結果として生じる。この斜交平行線表示は、画素(セン
サ素子)値の2進しきい値処理(binary thresholding
)から生ずる。代替の従来技術の実行は、各画素に対
する連続的な値を提供する(グレイ・スケール)。これ
ら従来技術の実行の両方において、画素内のエッジ位置
情報は、空間的平均(spatial average )に変換され
る。
いるときに、イメージ近似の正確さの増大は、さらに小
さい多くのセンサ素子を必要とする。しかしながら、密
接しているが、分離しているセンサ素子を製作すること
の困難性は、非常に高い鋭敏性(例えば、人間の視覚シ
ステムのそれに近づく鋭敏性)を有するページ幅イメー
ジング装置を製作することを試みるときに、禁止的にな
る。上述した離散的センサ素子に加えて、位置感知検出
器と呼ばれる、別の形式の光感知素子が存在する。位置
感知検出器の一例は、図2に示す検出器200である。
この検出器は、照明スポット210のセントロイドの位
置を決定するために用いることができる、光発生アナロ
グ電流202、204、206、及び208を出力す
る。x方向(水平方向)の光スポットのセントロイド
は、数量(I206−I208 )/(I206 +I208 )から
計算することができ、y方向(垂直方向)の光スポット
のセントロイドは、(I202 −I204 )/(I202 +I
204 )から計算することができる。ここで、I20x は、
横方向素子の一つからの電流である。少なくとも部分的
に、位置感知検出器は、一般的に大きい(約1cm×1
cmから5cm×5cmまで)のでそれらはイメージン
グアレーに用いられない。
ング装置は、エッジ位置、エッジ鋭敏性として知られた
ケイパビリティを決定するために人間の視覚システムの
能力と一致することが可能であるべきである。画素密度
を増大することにより高い空間解像度を達成することの
困難性のゆえに、現行のイメージスキャナは、人間の知
覚の高度なエッジ鋭敏性と一致することができない。そ
れゆえに、新しいイメージング及びスキャニング技術が
必要である。そのような新しい技術は、もしそれらが相
互画素間隔の何分の一までエッジの位置を識別すること
ができるならば、特に価値がある。相互画素間隔よりも
微細にエッジ間隔を解像することの能力は、超鋭敏と称
される。本発明の目的は、上記従来の技術における問題
点に鑑み、人間の知覚にほぼ一致する高度なエッジ鋭敏
性を有する超鋭敏センサアレーを提供する。
メージをセンシングする装置であって、複数の第1のセ
ンサ素子を備え、第1のセンサ素子のそれぞれは、その
境界内に位置している入射放射強度分布の空間的変化に
センシティブであり、第1のセンサ素子は、イメージの
近似を表わす信号出力を有するアレーに間隔を置いて配
置され、信号出力は、アレーの前記第1のセンサの中心
−中心間距離よりも優れた解像度でイメージの部分を少
なくとも測定するために用いることができる装置によっ
て達成される。更に、本発明の上記目的は、センサ素子
のアレーに投射したイメージを近似する方法であって、
(a)第1のセンサ素子にふりかかる放射強度分布の空
間的変化に対するパラメトリックモデルを形成し、
(b)第1のセンサ素子のそれぞれにふりかかる放射強
度分布の空間的変化に応じて第1のセンサ素子のアレー
から信号を出力し、(c)出力信号から第1のセンサ素
子のそれぞれに対するモデルのパラメータを決定し、
(d)アレーへの放射の強度分布を、第1のセンサ素子
内で、近似すべくステップ(a)のパラメトリックモデ
ル及びステップ(c)で得られたパラメータを使用する
段階を具備する方法によっても達成される。
鋭敏センシングは、その出力信号が入射光の内部強度分
布に依存するセンサのアレーを用いて実行される。出力
信号は、超鋭敏イメージを生成するために用いられるセ
ンサ内強度分布を決定すべく処理される。そのような超
鋭敏イメージは、エッジの精細度(definition)を向上
し、そしてぎざぎざ(jaggies )及びモアレ効果のよう
な望ましくないアーチファクトを縮小する。本発明の他
のアスペクトは、以下の説明及び添付した図面を参照す
ることにより明らかになるであろう。
キャナの鋭敏性は、(所与のイメージ拡大に対する)ス
キャナのセンサアレーの個々の素子の分離によって制限
される。この制限は、位置センサを照明している光のエ
ッジを近似する超鋭敏技術を用いて本発明で克服され
る。図3は、超鋭敏センシングの使用に適するセンサ3
00を示す。センサ300は、インチ当たり約400ス
ポットで光強度の空間分布を検出するために十分に小さ
く製作されるアモルファスシリコン位置感知検出器であ
る。センサ300は、その上に一対の低部電極304及
び306が配置される基板301を有する。より低い、
微結晶抵抗層308は、低部電極304及び306の上
に形成される。抵抗層308の上は、酸化錫インジウム
のような材料の上部の透明な、抵抗層312によって覆
われている垂直pinダイオード310である。抵抗層
312の上は、透明絶縁層313である。抵抗層312
まで絶縁層312を通り抜ける開口部は、標準フォトリ
ソグラフィック方法を用いて形成される。抵抗層312
に電気的に接続する頂部電極(top electrodes)314
及び316は、形成された開口部の上に配置される。材
料及び寸法における種々の強調を除いて、センサ300
は、図2に示したセンサ200に類似する。
からの電流、センサ300に投射された光320の強度
分布による電流I2 、I4 、I1 、及びI3 のそれぞれ
は、外部増幅器(図5参照)に印加される。電流は、セ
ンサを照明する光の分布に対する超鋭敏近似(hyperacu
ity approximation )を決定すべく下記のように分析さ
れる。副画素の正確性は、セル全体にわたって平均化さ
れる強度から識別されるようにセンサセル内の空間強度
分布を識別する能力に関連する。このセル内空間感知度
は、続いてあるものにイメージを同様な副画素の正確性
にさせる。センサ内の照明されている光分布を近似する
ために、センサ内の光の分布に対するパラメトリックモ
デルがまず決定され、そして次に、電流I1 からI4 を
用いて、モデルに対するパラメータが決定されてモデル
に印加される。その結果は、照明している光分布の超鋭
敏近似である。超鋭敏センシングに対して特に有用なモ
デルは、エッジモデルである。エッジモデルでは、入射
する光の強度は、ブラック領域324とセンサ300の
作用面積の範囲を定める均等グレーレベル領域326と
の間の直線エッジ322によって正確に叙述されること
が想定される。直線近似を用いて、直線でないかもしれ
ない、照明している光のエッジを近似することは、最初
は受け入れられないと思われるかもしれないが、センサ
300の大きさが、興味のある最も小さい曲線と比較可
能であるか或いはそれよりも小さいので、そのような線
形近似は、非常によい。エッジ近似がセンサの境界と同
様にグレーレベルと交差する位置は、素子300からの
4つの電流から決定されうる(下記参照)。従って、イ
メージのエッジは、センサ300の大きさよりもさらに
小さな空間寸法(より正確に決定される)に割り当てら
れうる。
よる、エッジ位置の決定は、次のように達成されうる。
まず、電流比x’=I3 /(I1 +I3 )及びy’=I
4 /(I2 +I4 )が計算される。そして、電流比か
ら、センサ境界を有する近似されたエッジのインタセプ
ト(intercept )が、3つの分離条件(separate condi
tions )を用いて独自に決定されうる。まずはじめに、
もし点(x’,y’)が、図4の下方の、左パネルのブ
ラック正方形によって規定された領域内に位置するなら
ば、エッジ近似は、w=3Lx’でx軸とインタセプト
し、かつh=3Ly’でy軸とインタセプトする。ここ
で、Lは、センサの大きさである。図4の上方の、左パ
ネルに示された照明条件に対応する、この条件は、形式
1条件と称される。第2の条件は、もし(x’,y’)
が、図4の下方の、中央パネルのブラック領域内に位置
するときに生起する。その場合、エッジ近似インタセプ
トh1 及びh2 は、(2−3x’)y’L/(1−3
x’(1−x’))及び(−1+3x’)y’L/(1
−3x’(1−x’))によってそれぞれ与えられる。
図4の上方の、中央パネルの照明条件に対応する、この
条件は、形式2条件と称される。最後に、もし(x’,
y’)が、図4の下方の、右パネルに示されたブラック
領域内に位置するならば、エッジ近似インタセプトh及
びwは、関係式h=(x’−1/2)L2 /(x’w/
2−w2 /6L)及びw=(y’−1/2)L2/
(y’h/2−h2 /6L)から見出される。図4の上
方の、右パネルに示された照明条件に対応する、この条
件は、形式3条件と称される。(x’,y’)の他の値
は、種々の回転鏡映によるセンサ境界を有するエッジ近
似インタセプトをもたらす。エッジに対する線形近似の
決定は、従って独特である。
ルを用いた。他のセンサ内強度モデルは、可能である。
例えば、超鋭敏センシングに有用や第2のモデルは、照
明している光に対するグレイスケール近似を説明する。
そのモデルは、x及びyが空間次元でありΦが光強度で
ある3次元(x,y,Φ)空間の平面であるべくセンサ
内の強度が取られるパラメータ化を含む。もし画素内の
光強度、Φ(x,y)が、セルの中心に原点を有するΦ
(x,y)=C+Ax+Byによって表されるならば、
C=IT /L2 である。ここで、IT =I1 +I2 +I
3 +I4 、A=x’IT /L4 、B=3y’IT /L4
である。それゆえに、センサ内の強度に対する区分的線
形モデルを容易に構築しうる。上述した超鋭敏センサ
は、イメージング装置において有用である。超鋭敏セン
サのアレーを用いるイメージング装置は、超鋭敏イメー
ジングアレーと称される。図5は、超鋭敏センサ502
のアレーの2×3部分500を示す。各センサ502
は、電流増幅器512(4つだけが示されている)に接
続する4つの電極510を有する。各センサ502から
の電流は、各センサ502の入射光のエッジの近似を形
成すべく上述したように分解される。
域の間の境界によって規定されたエッジ520を示す。
各センサ502のエッジ520の位置は、上述したモデ
ルを用いて近似される。部分500の全体のエッジの位
置は、各センサ502からの近似を一緒に区分的に適合
することによって決定される。エッジ520の近似の正
確性は、本センサ502と類似な距離で分離される離散
的センサ素子を用いる従来技術のイメージングセンサで
生成されたものよりも優れている。図6は、図1で用い
たものと同じ照明に適用した本発明の使用から生じるイ
メージ鋭敏性における改善を示す。アレー600は、こ
の例では、位置感知検出器である、個々の画素センサ6
14からなる。エッジモデルに関連する出力は、線61
6によって示されるような副画素エッジ位置を決定する
ために用いられた。照明している境界612に対する近
似における改善された正確性は、明らかである。超鋭敏
センサを用いるアレーは、組み込んでいる画素の同等な
アレーの4倍の出力を有するが、光エッジの位置の決定
の向上は、二桁の大きさよりもかなり大きく。
に製作されうる。まず、クロム/モリブデン金属層がス
パッタリングによって基板上に堆積される。そして、ク
ロム/モリブデン金属層が低部電極対(図3の電極30
4及び306に対応する)を形成すべくパターン化され
る。次に、ドーピングされた微結晶シリコンの横方向抵
抗性薄膜(抵抗層308に対応する)が基板及び低部電
極にわたり均等に堆積される。ドーピングされない、約
300nmの厚みの水素化されたアモルファスシリコン
層と、薄いp型アモルファスシリコン接触層がプラズマ
成長を用いて抵抗薄膜上に覆われる。酸化錫インジウム
(ITO)の透明な導電層が水素化されたアモルファス
シリコン層上に堆積される。次に、窒化シリコンの絶縁
層が酸化錫インジウム上に覆われる。その絶縁層が酸化
錫インジウム層までのトレンチを開くべくパターン化さ
れる。そしてアルミニウムが露出した頂部表面上に堆積
される。そのアルミニウムが頂部電極接触、バイアス
(vias)、及び接触パッド或いは薄膜パストランジスタ
へ電流信号を印加するリードを形成するためにパターン
化される。もちろん、上述した製作処理の多くの変形が
可能である。半導体処理の技術分野で訓練されたものに
とって自明であるような変形は、基本的発明を変えな
い。
変形は、当業者にとって自明であろう。特に、センサ素
子の形状及び構成は、特定のアプリケーションに適合す
べく変えられうる。従って、本発明の範囲は、添付した
特許請求の範囲によって規定される。
する装置であって、複数の第1のセンサ素子を備え、第
1のセンサ素子のそれぞれは、その境界内に位置してい
る入射放射強度分布の空間的変化にセンシティブであ
り、第1のセンサ素子は、イメージの近似を表わす信号
出力を有するアレーに間隔を置いて配置され、信号出力
は、アレーの前記第1のセンサの中心−中心間距離より
も優れた解像度でイメージの部分を少なくとも測定する
ために用いることができるので、超鋭敏センシングを実
行することができる。また、本発明の方法は、センサ素
子のアレーに投射したイメージを近似する方法であっ
て、(a)第1のセンサ素子にふりかかる放射強度分布
の空間的変化に対するパラメトリックモデルを形成し、
(b)第1のセンサ素子のそれぞれにふりかかる放射強
度分布の空間的変化に応じて第1のセンサ素子のアレー
から信号を出力し、(c)出力信号から第1のセンサ素
子のそれぞれに対するモデルのパラメータを決定し、
(d)アレーへの放射の強度分布を、第1のセンサ素子
内で、近似すべくステップ(a)のパラメトリックモデ
ル及びステップ(c)で得られたパラメータを使用する
段階を具備するので、超鋭敏センシングを実行すること
ができる。
子部分の略図である。
サの図である。
用いる方法の説明図である。
子対3素子部分の略図である。
を用いて得られた強度情報を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 イメージをセンシングする装置であっ
て、複数の第1のセンサ素子を備え、該第1のセンサ素
子のそれぞれは、その境界内に位置している入射放射強
度分布の空間的変化にセンシティブであり、前記第1の
センサ素子は、前記イメージの近似を表わす信号出力を
有するアレーに間隔を置いて配置され、前記信号出力
は、前記アレーの前記第1のセンサの中心−中心間距離
よりも優れた解像度で前記イメージの部分を少なくとも
測定するために用いることができることを特徴とする装
置。 - 【請求項2】 センサ素子のアレーに投射したイメージ
を近似する方法であって、 (a)第1のセンサ素子にふりかかる放射強度分布の空
間的変化に対するパラメトリックモデルを形成し、 (b)前記第1のセンサ素子のそれぞれにふりかかる放
射強度分布の空間的変化に応じて該第1のセンサ素子の
アレーから信号を出力し、 (c)前記出力信号から前記第1のセンサ素子のそれぞ
れに対する前記モデルのパラメータを決定し、 (d)前記アレーへの放射の強度分布を、第1のセンサ
素子内で、近似すべく前記ステップ(a)のパラメトリ
ックモデル及び前記ステップ(c)で得られた前記パラ
メータを使用する段階を具備することを特徴とする方
法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN105538396A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-05-04 | 上海和鹰机电科技股份有限公司 | 裁剪机的材料捡拾区校准系统、捡拾系统及其校准方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5754690A (en) * | 1995-10-27 | 1998-05-19 | Xerox Corporation | Position sensitive detector based image conversion system capable of preserving subpixel information |
US5790699A (en) * | 1995-10-27 | 1998-08-04 | Xerox Corporation | Macrodetector based image conversion system |
FR2763122B1 (fr) * | 1997-05-09 | 1999-07-16 | Vishay Sa | Dispositif de mesure de position et de deplacement sans contact |
US6704462B1 (en) * | 2000-07-31 | 2004-03-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Scaling control for image scanners |
US7202859B1 (en) | 2002-08-09 | 2007-04-10 | Synaptics, Inc. | Capacitive sensing pattern |
US6828559B2 (en) * | 2002-11-14 | 2004-12-07 | Delphi Technologies, Inc | Sensor having a plurality of active areas |
US7129935B2 (en) * | 2003-06-02 | 2006-10-31 | Synaptics Incorporated | Sensor patterns for a capacitive sensing apparatus |
WO2016073958A2 (en) | 2014-11-07 | 2016-05-12 | Lamina Systems, Inc. | Hyperacuity system and methods for real time and analog detection and kinematic state tracking |
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---|---|---|---|---|
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GB2170373B (en) * | 1984-12-28 | 1989-03-15 | Canon Kk | Image processing apparatus |
JPS61203785A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 2値画像デ−タの平滑化処理方法及びその装置 |
US4765732A (en) * | 1987-03-20 | 1988-08-23 | The Regents Of The University Of California | Hyperacuity testing instrument for evaluating visual function |
KR930002906B1 (ko) * | 1989-12-23 | 1993-04-15 | 삼성전자 주식회사 | 윤곽 보정회로 |
US5204910A (en) * | 1991-05-24 | 1993-04-20 | Motorola, Inc. | Method for detection of defects lacking distinct edges |
-
1994
- 1994-11-07 JP JP27197994A patent/JP3881039B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-04-21 US US08/426,439 patent/US5541652A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105538396A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-05-04 | 上海和鹰机电科技股份有限公司 | 裁剪机的材料捡拾区校准系统、捡拾系统及其校准方法 |
CN105538396B (zh) * | 2015-12-30 | 2018-01-05 | 长园和鹰智能科技有限公司 | 裁剪机的材料捡拾区校准系统、捡拾系统及其校准方法 |
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US5541652A (en) | 1996-07-30 |
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